KR100405936B1 - 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩플러그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 반도체 기판에 도전체 패턴 및 하드 마스크가 적층되고, 그 측벽에 스페이서로 이루어진 도전 라인을 형성하고, 결과물에서 랜딩 플러그가 형성될 부분을 마스킹하는 제 1마스크 패턴을 형성한 후에 제 1마스크 패턴에 의해 개방된 부분의 도전 라인 사이에 선택적 에피택셜 성장 공정으로 갭필 절연막을 형성하고, 제 1마스크 패턴을 제거하고 랜딩 플러그가 형성될 부분이 개방되는 역반전 제 2마스크 패턴을 형성한 후에 제 2마스크 패턴에 의해 개방된 부분에 선택적 에피택셜 성장 공정으로 도전막을 형성하여 도전 라인 사이에 랜딩 플러그를 형성하고나서 제 2마스크 패턴을 제거한다. 그러므로, 본 발명은 랜딩 플러그 영역을 확보하기 위한 SAC 식각 공정을 생략할 수 있으며 갭필 절연막을 선택적 에피택셜 성장 공정으로 형성하기 때문에 갭필막의 매립시 보이드의 형성을 막는다. 또한 본 발명은 갭필 절연막 및 랜딩 플러그용 도전막의 평탄화 공정을 생략할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 고집적 반도체소자에서 선택적 에피택셜 성장을 이용하여 반도체 장치의 랜딩 플러그를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화됨에 따라 메모리 셀 크기가 점점 감소되면서 워드 라인 또는 비트라인 사이의 콘택/플러그 마진(margin)이 점차 작아지고 있다. 이러한 콘택 마진을 높이기 위한 방안으로서, 널리 알려진 자기정렬 콘택(Self-Aligned Contact: 이하 SAC라 함) 제조 기술이 있다. 이는 주변구조물의 단차를 이용하여 콘택홀을 형성하는 것으로, 주변구조물의 높이와 콘택홀이 형성될 절연물질의 두께 및 식각방법 등에 의해 다양한 크기의 콘택홀을 마스크 사용없이 얻을 수 있기 때문에 고집적화에 의해 미세화된 반도체장치의 실현에 적합한 방법으로 사용된다.
도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 의한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도로서, 이를 참조하면 종래 EM-SAC(Enlarged margin SAC)방식에 의한 워드 라인의 랜딩 플러그 제조 방법은 다음과 같다.
먼저 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)에 소자 분리막(미도시됨)을 형성하고, 반도체 기판(10) 상부에 게이트 산화막(12)과 워드 라인을 형성한다. 이때, 워드 라인은 도프트 폴리실리콘(14)과, 금속 또는 실리사이드(16)와, 하드마스크(18) 및 스페이서(20)를 형성한다. 그리고 워드 라인 전체에 식각 배리어막 (22)을 추가 형성한다. 한편 도면에 도시되지 않았지만, 반도체 기판(10)내에 소오스/드레인 영역을 형성하여 트랜지스터를 제조한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 결과물 전면에 워드 라인용 갭필 절연막(24)을 증착하고, 도 1c에 도시된 바와 같이 열공정에 의한 절연막의 플로우 (flow) 또는 화학적기계적연마 공정(Chemical Mecahnical Polishing)을 갭필 절연막(24) 표면을 평탄화한다.
그 다음 도 1d에 도시된 바와 같이, 평탄화된 갭필 절연막(24) 상부에 랜딩 플러그용 'T' 마스크 패턴(미도시됨)을 형성하고 마스크 패턴에 의해 드러난 갭필 절연막(24)과 식각 배리어막(22)을 셀프얼라인형태로 식각해서 랜딩 플러그의 개구 영역(26)을 형성한다. 이때, 하드 마스크(18) 및 스페이서(20)에서 식각 손상이 발생할 수 있다.
계속해서 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 결과물의 개구 영역에 도전막으로서 도프트 폴리실리콘(28)을 증착하여 매립한다.
이어서 도 1f에 도시된 바와 같이, 도프트 폴리실리콘(28)을 화학적기계적연마 공정으로 평탄화하여 워드 라인 사이에 소오스/드레인 영역과 연결된 랜딩 플러그(28')를 형성한다. 상기 평탄화 공정시 워드 라인의 하드 마스크(18)를 식각 정지로 삼아 진행한다.
그러나, 종래 기술의 랜딩 플러그 제조 방법은 고집적 반도체의 디자인 룰에 따라 플러그의 개구 영역이 높은 에스펙트 비율(aspect ratio)을 갖기 때문에 SAC식각 공정시 워드 라인의 하드 마스크와 스페이서가 과도하게 식각되어 워드 라인 사이를 절연시키는데 문제점이 있었다. 그리고 SAC 구조에서 워드 라인의 선폭이 매우 작기 때문에 갭필 절연막을 매립하는데 보이드(void)가 형성될 경우 인접한 트랜지스터에 대해 쇼트가 발생하게 된다.
또한 종래 기술에서는 워드 라인 사이를 갭필하는 절연막의 제조 공정시 절연막의 플로우 또는 화학적기계적연마 공정으로 평탄화를 진행하고, 랜딩 플러그용 도전막의 증착 후에도 평탄화 공정을 진행해야하기 때문에 제조 공정이 다소 복잡해지는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 워드 라인을 형성한 후에 랜딩 플러그가 형성될 부위가 마스킹된 패턴을 이용하여 갭필 절연막을 형성하고 역반전 마스크 패턴을 이용하여 도전막을 형성함으로써 EM-SAC 공정 중에 요구되는 랜딩 플러그 영역을 확보하기 위한 식각 공정을 생략할 수 있으며 갭필 절연막 및 도전막의 평탄화 공정을 생략할 수 있어 제조 공정의 단순화와 수율을 향상시킬 수 있는 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 의한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도,
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 반도체 기판 102 : 게이트 산화막
104 : 도프트 폴리실리콘 106 : 금속 또는 실리사이드
106a : 워드 라인 108 : 하드 마스크
110 : 스페이서 112 : 워드 라인 사이의 공간
114 : 제 1마스크 패턴 116 : 갭필 절연막
118 : 제 2마스크 패턴 122 : 랜딩 플러그용 도전막
122a : 랜딩 플러그
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 메모리 소자의 랜딩 플러그를 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 도전체 패턴 및 하드 마스크가 적층되고, 그 측벽에 스페이서로 이루어진 도전 라인을 형성하는 단계와, 결과물에서 랜딩 플러그가 형성될 부분을 마스킹하는 제 1마스크 패턴을 형성한 후에 제 1마스크 패턴에 의해 개방된 부분의 도전 라인 사이에 갭필 절연막을 형성하는 단계와, 제 1마스크 패턴을 제거하고 랜딩 플러그가 형성될 부분이 개방되는 제 2마스크 패턴을 형성한 후에 제 2마스크 패턴에 의해 개방된 부분에 도전막을 형성하여 도전 라인 사이에 랜딩 플러그를 형성하는 단계와, 제 2마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다. 도 2a 및 도 2g는 본 발명에 따라 제조된 반도체 장치의 수직 단면도이며 도 2b 내지 도 2f는 그 평면도이다. 이러한 도면들을 참조하면 본 발명의 EM-SAC방식에 의한 워드 라인의 랜딩 플러그 제조 방법은 다음과 같다.
우선 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)에 소자 분리막(미도시됨)을 형성하고, 반도체 기판(100) 상부에 게이트 산화막(102)과 워드 라인을 형성한다. 이때, 워드 라인은 도프트 폴리실리콘(104)과, 금속 또는 실리사이드(106)와, 하드 마스크(108) 및 스페이서(110)를 형성한다. 그리고 도면에 도시되지 않았지만, 반도체 기판(100)내에 소오스/드레인 영역을 형성하여 트랜지스터를 완성한다.
이어서 도 2c에 도시된 바와 같이, 결과물에서 랜딩 플러그가 형성될 부분을 마스킹하는 'T'형 제 1마스크 패턴(114)을 형성한다. 그리고 도 2d에 도시된 바와 같이, 제 1마스크 패턴(114)에 의해 개방된 부분(112)인 워드 라인(106a) 사이에 갭필 절연막(116)을 형성한다.
본 발명에서 갭필 절연막(116)은 선택적 에피택셜 성장막(Selective Epitaxial Growth layer) 공정으로 형성된다. 갭필 절연막(116)의 성장 두께는 워드 라인(106a)의 절반(50%) 높이부터 워드 라인(106a)의 높이까지로 하거나, 또는 워드 라인(106a)의 절반(50%) 높이부터 하드 마스크(108)의 높이까지로 한다. 혹은 갭필 절연막(116)의 성장 두께는 워드 라인(106a) 또는 하드 마스크(108)의 높이보다 2000Å 더 높을 수도 있다. 이때, 워드 라인(106a)은 도프트 폴리실리콘 (104)과, 금속 또는 실리사이드(106)를 일컫는 것이다.
그 다음 도 2d에 도시된 바와 같이, 제 1마스크 패턴(114)을 제거한다. 그리고 갭필 절연막(116)이 형성된 결과물 상부에 랜딩 플러그가 형성될 부분이 개방되는 역반전용 'T'형 제 2마스크 패턴(118)을 형성한다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 제 2마스크 패턴(118)에 의해 개방된 부분, 즉 워드 라인 사이에 도전막(122)을 형성하여 워드 라인 사이에 소오스/드레인 영역과 연결된 랜딩 플러그(122a)를 형성한다.
본 발명에서 랜딩 플러그용 도전막(122)은 선택적 에피택셜 성장막 공정에의해 형성된다. 이때 랜딩 플러그용 도전막(122)의 성장 두께는 워드 라인(106a)의 절반(50%) 높이부터 워드 라인(106a)의 높이까지로 하거나, 또는 워드 라인 (106a)의 절반(50%) 높이부터 하드 마스크(108)의 높이까지로 한다. 혹은 랜딩 플러그용 도전막(122)의 성장 두께는 워드 라인(106a) 또는 하드 마스크(108)의 높이보다 2000Å 더 높을 수도 있다.
그런 다음 도 2f 및 도 2g에 도시된 바와 같이, 제 2마스크 패턴(118)을 제거하면 본 발명에 따라 선택적 에피택셜 성장막 공정으로 워드라인 사이의 갭필 절연막(116)과 랜딩 플러그(122a)를 갖는 반도체 장치가 완성된다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 워드 라인을 형성한 후에 랜딩 플러그가 형성될 부위가 마스킹된 패턴을 이용한 선택적 에피택셜 성장 공정으로 갭필 절연막을 형성하고 그리고 랜딩 플러그가 개방된 역반전 마스크 패턴을 이용한 선택적 에피택셜 성장 공정으로 랜딩 플러그용 도전막을 형성한다.
그러므로, 본 발명은 랜딩 플러그 영역을 확보하기 위한 SAC 식각 공정을 생략할 수 있어 종래 SAC 식각 공정시 워드 라인의 하드 마스크와 스페이서가 과도하게 식각되어 발생되는 문제점을 해결하고 갭필 절연막을 선택적 에피택셜 성장 공정으로 형성하기 때문에 갭필막의 매립시 보이드의 형성을 막는다. 또한 본 발명은 종래 기술의 EM-SAC에서 요구하는 갭필 절연막 및 랜딩 플러그용 도전막의 평탄화 공정을 생략할 수 있어 제조 공정의 단순화와 평탄화로 인한 수율 저하를 방지한다.
따라서, 본 발명은 고집적 반도체 장치의 높은 에스팩트 비율을 갖는 랜딩 플러그의 콘택 저항을 높일 수 있으며 워드 라인 사이의 갭필 문제를 향상시켜 반도체 장치의 신뢰성 및 수율을 높일 수 있다.
Claims (7)
- 반도체 메모리 소자의 랜딩 플러그를 형성하는 방법에 있어서,반도체 기판에 도전체 패턴 및 하드 마스크가 적층되고, 그 측벽에 스페이서로 이루어진 도전 라인을 형성하는 단계;상기 결과물에서 랜딩 플러그가 형성될 부분을 마스킹하는 제 1마스크 패턴을 형성한 후에 상기 제 1마스크 패턴에 의해 개방된 부분의 도전 라인 사이에 갭필 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1마스크 패턴을 제거하고 상기 랜딩 플러그가 형성될 부분이 개방되는 제 2마스크 패턴을 형성한 후에 상기 제 2마스크 패턴에 의해 개방된 부분에 도전막을 형성하여 상기 도전 라인 사이에 랜딩 플러그를 형성하는 단계; 및상기 제 2마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 갭필 절연막은 선택적 에피택셜 성장막인 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 갭필 절연막의 두께는 상기 도전 라인의 절반 높이부터 상기 도전 라인의 높이 또는 상기 하드 마스크의 높이까지인 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 갭필 절연막의 두께는 상기 도전 라인 또는 상기 하드 마스크의 높이보다 2000Å 더 높도록 하는 것을 특징으로 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 도전막은 선택적 에피택셜 성장에 의해 형성된 것을 특징으로 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 도전막의 두께는 상기 도전 라인의 절반 높이부터 상기 도전 라인의 높이 또는 상기 하드 마스크의 높이까지인 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 도전막의 두께는 상기 도전 라인 또는 상기 하드 마스크의 높이보다 2000Å 더 높도록 하는 것을 특징으로 선택적 에피택셜 성장을 이용한 반도체 장치의 랜딩 플러그 제조 방법.
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