KR20080104860A - ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910005269 GaF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 8
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005535 GaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Mo but also for SiNx Chemical class 0.000 description 1
- 229910018194 SF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- GPGMRSSBVJNWRA-UHFFFAOYSA-N hydrochloride hydrofluoride Chemical compound F.Cl GPGMRSSBVJNWRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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Abstract
ZnO 계 박막 트랜지스터 및 제조방법에 관해 개시된다. ZnO 계 박막 트랜지스터는 복수의 반도체 층을 가지는 채널 층을 포함하며, 최상위의 반도체 층은 플라즈마에 의한 산소 결핍을 억제하기 위하여 하부 반도체 층에 비해 낮은 ZnO 농도를 가진다. 이에 더하여 플라즈마에 대해 상대적으로 안정적인 강한 결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을 포함한다. 최상 위 반도체 층은 플라즈마 충격에 강하며, 플라즈마에 노출되었을 때 잘 분해되지 않으며 따라서 캐리어 농도 증가가 억제된다.
Description
도 1는 본 발명의 한 실시예에 따른 ZnO 계 박막 트랜지스터의 개략적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 ZnO 계 박막 트랜지스터의 개략적 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 보여준다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 보여준다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20: 게이트
21 : 게이트 절연 층 22: 채널 층
22a, 22b : 상하부 반도체 층 (채널 층)
23a, 23b : 소스 및 드레인 24 : 패시베이션 층
1. 공개번호 2004-0106576
2. 공개번호 2006-0123765
본 발명은 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
비약적으로 성장하고 있는 평판디스플레이 시장에서 가장 큰 응용 대상으로 TV(Television) 제품이 있다. 현재 TV용 패널로서 액정디스플레이(LCD)가 주축을 이루고 있는 가운데, 유기발광디스플레이도 TV로의 응용을 위해 많은 연구가 진행되고 있다. 현재의 TV용 디스플레이기술의 방향은 시장에서 요구하는 주요항목에 초점을 맞추고 있는데, 시장에서 요구하는 사항으로는 대형 TV 또는 DID(Digital Information Display), 저가격, 고화질 (동영상표현력, 고해상도, 밝기, 명암비, 색재현력)이 있다. 이러한 요건에 부합되게 하기위해서는 유리 등의 기판의 대형화와 함께, 비용 증가 없이 우수한 성능을 갖는 디스플레이 스위칭 및 구동소자로 적용될 박막 트랜지스터(TFT)가 필요하다. 따라서, 향후의 기술개발은 이러한 추세에 맞게, 저가격으로 우수한 성능의 디스플레이 패널을 제작할 수 있는 TFT 제작기술확보에 초점이 맞춰져야 할 것이다.
디스플레이의 구동 및 스위칭소자로서 대표적인 비정질실리콘 박막트랜지스터(a-Si TFT)는 저가의 비용으로 2 m가 넘는 대형 기판상에 균일하게 형성될 수 있는 소자로서 현재 가장 널리 쓰이는 소자이다. 그러나, 디스플레이의 대형화 및 고 화질화 추세에 따라 소자 성능 역시 고성능이 요구되어, 이동도 0.5 cm2/Vs수준의 기존의 a-Si TFT는 한계에 다다를 것으로 판단되며, 따라서 a-Si TFT보다 높은 이동도를 갖는 고성능 TFT 및 제조 기술이 필요하다. 또한, a-Si TFT는 최대의 약점으로서 동작을 계속함에 따라 소자특성이 계속 열화되어 초기의 성능을 유지할 수 없는 신뢰성 상의 문제를 내포하고 있다. 이것은 a-Si TFT가 교류 구동의 LCD보다는 지속적으로 전류를 흐르는 흘려 보내면서 동작하는 유기발광디스플레이(OLED)로 응용되기 힘든 주된 이유이다.
a-Si TFT 대비 월등히 높은 성능을 갖는 다결정 실리콘 박막트랜지스터(poly-Si TFT)는 수십에서 수백 cm2/Vs의 높은 이동도를 갖기 때문에, 기존 a-Si TFT에서 실현하기 힘들었던 고화질 디스플레이에 적용할 수 있는 성능을 갖는다. 뿐만아니라, a-Si TFT대비 동작에 따른 소자특성 열화 문제가 매우 적다. 그러나, poly-Si TFT를 제작하기 위해서는 a-Si TFT에 비해 많은 수의 공정이 필요하고 그에 따른 추가장비 투자 역시 선행되어야한다. 따라서, p-Si TFT는 디스플레이의 고화질화나 OLED와 같은 제품에 응용되기 적합하지만, 비용 면에서는 기존 a-Si TFT에 비해 열세이므로 응용이 제한적일 수 밖에 없다. p-Si TFT의 경우, 특히, 제조장비의 한계나 균일도 불량과 같은 기술적인 문제로 현재까지는 1 m가 넘는 대형기판을 이용한 제조공정이 실현되고 있지 않기 때문에, TV 제품으로의 응용이 어려운 것도, 고성능의 p-Si TFT가 쉽게 시장에 자리 잡기 힘들게 하는 요인이 되고 있다.
따라서, a-Si TFT의 장점(대형화, 저가격화, 균일도)과 poly-Si TFT의 장점 (고성능, 신뢰성)을 모두 취할 수 있는 새로운 TFT기술에 대한 요구가 어느 때보다도 크며, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데, 그 대표적인 것으로 산화물 반도체가 있다. 산화물반도체소자로서 최근 각광을 받고 있는 것으로 ZnO 계 박막 트랜지스터가 있다. 여기에는, Zn 산화물 (ZnOx) TFT와 GaOx와 InOx 그리고 ZnOx의 혼합체인 Ga-In-Zn 산화물 (GIZO) TFT가 있다. (종래기술 문헌 정보 1, 2 참조) ZnOx는 일반적으로 다결정질로서 poly-Si TFT에 필적하는 높은 이동도를 갖지만, 균일도가 떨어지는 반면, GIZO TFT는 비정질상태이면서도 소자특성은 기존 a-Si TFT보다 우수하고 제조공정도 기존 a-Si TFT 제조공정을 그대로 따르기 때문에 a-Si TFT와 p-Si TFT의 장점을 모두 취하는 최적의 소자기술로서 대두되고 있다. 그러나, 아직까지 GIZO TFT 제조 기술은 확립되어 있지 않고, 제조공정에 있어서 몇가지 기술적인 과제가 있다. 여러가지 알려진 이유에 의해 BCE(back channel etching)구조의 바텀 게이트 방식의 TFT 가 선호된다.
상기한 바와 같이 GIZO 반도체 필름은 비정질 상태이므로 저온 공정이 가능하고 특히 대면적화가 용이한 장점을 가진다. 그러나, GIZO 를 포함하는 ZnO 계 반도체 필름의 캐리어 농도는 산소 함량 변화에 민감하며, 특히 열, 화학적 충격에 물리적, 전기적 성질이 크게 변화된다. 이러한 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조 과정에서, ZnO 계 반도체 필름이 고에너지 상태의 플라즈마에 노출되게 되는데 이때에 반도체 필름은 ZnO의 분해에 따른 산소 결핍 등과 같은 손상을 입게 되어 캐리어의 농도가 원하지 않게 증가한다.
예를 들어, 바텀 게이트형 Zn 계 트랜지스터에는 일반적인 실리콘 트랜지스 터에서와 마찬가지로 소스와 드레인 각 영역의 오믹층을 가지는데, 이 오믹층은 플라즈마, 바람직하게는 산소 플라즈마 처리 과정을 통해 얻어진다. 오믹층 형성 과정에서 소스와 드레인 사이에 고 도전성의 백 채널 층(back channel)이 형성된다. 이러한 백 채널 층은 후속되는 소스/드레인 패터닝 시 제거되며, 그러나 후속되는 패시베이션층 형성 공정에서 또 다시 채널 층이 플라즈마에 노출됨으로써 채널 층의 표면이 손상을 입게 된다.
채널 층의 손상에 따른 캐리어 농도의 비정상적 증가는 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 변화(shift)를 유발한다. 변화된 문턱 전압은 큰 음(陰)의 값을 가지게 됨으로써 게이트 전압이 0V 인 상태에서도 소스-드레인 간의 큰 누설 전류가 발생한다.
이와 같은 문턱 전압의 변화 등을 유발하는 채널 층의 손상은 채널 층의 캐리어 농도 증가와 관련되며, 따라서 제조 공정 중 캐리어 농도를 적절히 조절하여 양질의 전기적 특성을 가지는 ZnO 계 TFT 제조방법의 연구가 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 등에 의한 채널 층의 손상이 효과적으로 억제될 수 있는 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 ZnO 계 박막 트랜지스터는:
기판;
상기 기판 위에 형성되는 것으로, 다수 적층된 ZnO 계 단위 반도체층을 포함하는 채널 층;
상기 기판과 채널 층의 사이에 마련되는 게이트;
상기 채널 층과 게이트 사이에 마련되는 게이트 절연층;
상기 채널 층의 양측에 마련되는 소스 및 드레인 전극; 그리고
상기 채널 층과 소스 및 드레인 전극을 덮는 패시베이션층을 포함하고,
상기 채널 층에서 최상위 적층은 그 하부 층에 비해 낮은 농도의 ZnO를 함유하는 것에 특징이 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 채널 층에서 최상위의 단위 반도체층에 Sn 산화물이 함유되어 있다. 나아가서, 상기 채널 층의 최상위 적층에 염화물이 함유될 수 있다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 채널 층과 상기 소스 및 드레인 전극의 각 사이에 오믹층이 형성되어 있다.
구체적인 실시예에 따르면, 상기 염화물은 채널 층의 표면 영역에 포함된다.
본 발명에 따른 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법의 한 유형은:
기판;
상기 기판 위에 형성되는 ZnO 계 채널 층;
상기 기판과 채널 층의 사이에 마련되는 게이트;
상기 채널 층과 게이트 사이에 마련되는 게이트 절연층;
상기 채널 층의 양측에 마련되는 소스 및 드레인 전극; 그리고
상기 채널 층과 소스 및 드레인 전극을 덮는 패시베이션층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서,
상치 채널 층을 형성하는 단계는: 다수 층의 ZnO 계 단위 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 채널 층의 최상위 단위 반도체 층의 Zn 농도를 하부의 다른 단위 반도체 층에 비해 낮게 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법의 다른 유형은:
기판 위에 게이트와 이를 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연층 위에, ZnO 계 하부 반도체 층과 하부 반도체층에 비해 낮은 농도의 Zn을 함유하는 ZnO 계 상부 반도체 층을 포함하는 채널 층 물질층을 형성하는 단계;
상기 채널 층 물질층 위에 박막 트랜지스터의 채널 층과 채널 층 양측의 소스/드레인에 대응하는 패턴을 가지는 마스크 층을 형성하는 단계;
상기 마스크층을 이용해 상기 채널 층 물질 층을 패터닝하는 단계;
상기 마스크 층에서 상기 채널 층 양측의 소스/드레인에 대응하는 부분을 제거하는 단계;
상기 마스크 층에 덮이지 않은 상기 소스/드레인 영역을 플라즈마로 처리하여 소스/드레인 영역에 오믹 콘택 층을 형성하는 단계;
상기 마스크 층을 제거한 후 상기 채널 층 양측의 오믹 콘택 층을 덮는 소스/ 드레인 전극을 형성하는 단계; 그리고
상기 소스/드레인 전극 및 채널 층을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 를 포함한다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따르면, 상기 마스크 층은 상기 채널 층 영역에 대응하는 부분이 그 양측의 소스/드레인 영역에 대응하는 부분에 비해 두껍게 형성되는 것이 바람직하며, 상기 마스크 층에서 상기 소스/드레인 영역에 대응하는 부분을 제거하는 공정은 산소 플라즈마에 의한 애슁 처리에 의해 이루어진다.
두께를 달리하는 부분을 가지는 상기 마스크 층은 하프 톤 마스크에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조 방법은: 상기 채널 층의 최상위 단위 반도체 물질층 또는 상부 반도체 물질층에 Sn 산화물을 함유시킨다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따른 다른 제조 방법은: 상기 채널 층을 스퍼터링(sputtering) 법 및 증발(evaporation) 법을 포함하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 방법으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연층은 SiNx로 형성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예들에 따르면, 상기 채널 층은 GIZO로 형성되며, 나아가서는 상기 게이트 절연층은 SiNx로 형성된다.
본 발명의 구체적인 또 다른 실시예에 따른 제조방법은
상기 소스 드레인 전극을 형성하는 단계에서 상기 도전 물질층을 Cl계 가스와 F 계 가스 중 어느 하나를 포함하는 에칭 가스에 의한 건식 에칭법으로 패터닝하여, 소스/드레인 패터닝시 플라즈마 가스에 노출되는 채널 층에서 에칭 가스 중의 Cl 과 F 중 어느 하나와 채널 층 물질 간의 결합을 유도하여 염화물과 불화물 중의 어느 하나를 채널 층에 형성한다.
한편 본 발명의 구체적인 실시예에 따르면 채널 층은 ZnO 계열 채널 층은 a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO) 층(여기서, a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)일 수 있다.
본 발명이 다른 구체적인 실시예에 따르면, 상기 채널 층은 a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO) 층(여기서, a, b, c는 각각 a≥1, b≥1, 0＜c≤1의 조건을 만족시키는 실수)일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 염화물은 GaCl3, InCl3, ZnCl2 (또는 GaClx, InClx, ZnCly, 0<x≤3, 0<y≤2) 중의 적어도 어느 하나를 포함한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 상기 불화물은 GaF3, InF3, ZnF2 (또는 GaFx, InFx, ZnFy, 0<x≤3, 0<y≤2) 중의 적어도 어느 하나를 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 바텀 게이트 방식의 ZnO 계 박막 트랜지스터의 개략적 단면을 도시한다.
도 1를 참조하면, 기판(10) 상에 게이트(20)와 이를 덮는 게이트 절연층(21)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(21) 위에는 상기 게이트(20)에 대응하는 채널 층(22)이 형성되어 있다. 기판(10)은 투명하거나 불투명한 재료로서 실리콘, 유리 또는 플라스틱으로 형성된다. 채널 층(22)은 2 층 이상의 단위 반도체 적층(22a, 22b)을 포함하며, 최상위의 반도체 층(22b)은 하부의 반도체 층(22a)에 비해 낮은 농도의 Zn 을 함유한다. 상기 하부 반도체층(22a)은 하나 또는 2 이상의 복수층으로 형성될 수 도 있다.
상기 ZnO 계 반도체 물질층들은 예컨대 Zn0 계열의 물질로서 구체적으로 GIZO(Ga-In-Zn-O) 로 형성될 수 있다. 상기 GIZO는 a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)일 수 있다. 상기 GIZO 채널 층(22)은 스퍼터링(sputtering) 법 및 증발(evaporation) 법을 포함하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition)(PVD) 방법으로 형성된 것일 수 있다. 이때에 본 발명의 보다 바람직한 실시예에 따라, 상기 최상위의 반도체 층(22b)에는 Sn 산화물(SnOx)이 포함될 수 있으며, 이에 대해서는 후에 상세히 설명한다.
채널 층(22)의 양측에 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)이 형성되어 있다. 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)은 각각 채널 층(22) 양측에 겹쳐지 상태에서 기판(10) 상으로 연장된다. 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)은 금속으로 형성될 수 있다. 이때 사용되는 금속에는 예컨대, Cu 또는 Mo 단일 금속층, Mo층을 포함하는 다중 금속층, Ti를 포함하는 금속층 및 Cr을 포함하는 금속층 중 어느 하나일 수 있다.
상기 채널 층(22), 소스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b) 위에는 두터운 패시베이션 층(25)이 형성된다. 패시베이션 층(25)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 법에 의해 형성될 수 있다.
상기 채널 층(22), 소오스 전극(23a), 드레인 전극(23b), 게이트 절연층(21) 및 게이트 전극(20)의 두께는 각각 30∼200nm, 10∼200nm, 10∼200nm, 100∼300nm 및 100∼300nm 정도일 수 있다.
채널 층(22)과 소오스 전극(23a) 사이 및 채널 층(20)과 드레인 전극(23b) 사이에 각각 오믹 콘택층(26a, 26b)이 더 구비될 수 있다. 상기 오믹 콘택층(26a, 26b)은 채널 층(22)보다 산소 함량이 적은 전도성 산화물 층일 수 있다. 상기 오믹 콘택층은 채널 층(22)과 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b) 간의 접촉 저항을 낮추고, 홀(hole)이 채널 층(22) 외부로 빠져나가는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기와 같은 구조를 가지는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터에 있어서, 본 발명의 특징에 따라 상기 채널 층(22)의 최상위 반도체 층(22b)는 Sn 산화물을 함유할 수 있다. 이것은 최상층의 ZnO의 농도를 감소시키고 이에 비해 본딩 에너지가 큰 SnO를 함유시킨다. SnO는 플라즈마에 대해 ZnO 에 비해 상대적으로 안정되며, 따라서 플라즈마에 의한 산화물 특히 Zn의 산소 결핍량이 감소하다. 이에 따르면, 결합 에너지가 작은 ZnO 이 감소하고 따라서 플라즈마에 의해 분해되는 ZnO 의 량이 감소된다. 이러한 감소는 캐리어의 증가가 둔화 된다는 의미이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 바텀 게이트 방식의 ZnO 계 박막 트랜지스터의 개략적 단면을 도시한다.
도 2를 참조하면, 기판(10) 상에 게이트(20)와 이를 덮는 게이트 절연층(21)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(21) 위에는 상기 게이트(20)에 대응하는 채널 층(22)이 형성되어 있다. 기판(10)은 투명하거나 불투명한 재료로서 실리콘, 유리 또는 플라스틱으로 형성된다. 채널 층(22)은 3 층 또는 그 이상의 단위 반도체 적층(22a, 22b, 22c)을 포함하며, 최상위의 반도체 층(22c) 및 그 하부의 중간 반도체 층(22b)은 하부의 반도체 층(22a)에 비해 낮은 농도의 Zn 을 함유한다. 상기 하부 반도체층(22a)은 하나 또는 2 이상의 복수층으로 형성될 수 도 있다. 이에 더하여, 상기 중간 반도체층(22b)과 최상위 반도체층(22c)은 Sn 산화물을 포함하며, 최상위의 반도체층(22c)은 염화물 또는 불화물을 더 포함한다.
상기 ZnO 계 반도체 물질층들은 예컨대 Zn0 계열의 물질로서 구체적으로 GIZO(Ga-In-Zn-O) 로 형성될 수 있다. 상기 GIZO는 a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)일 수 있다. 상기 GIZO 채널 층(22)은 스퍼터링(sputtering) 법 및 증발(evaporation) 법을 포함하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition)(PVD) 방법으로 형성된 것일 수 있다.
채널 층(22)의 양측에 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)이 형성되어 있다. 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)은 각각 채널 층(22) 양측에 겹쳐지 상태에서 기판(10) 상으로 연장된다. 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)은 금속으로 형성될 수 있다. 이때 사용되는 금속에는 예컨대, Cu 또는 Mo 단일 금속층, Mo층을 포함하는 다중 금속층, Ti를 포함하는 금속층 및 Cr을 포함하는 금속층 중 어느 하나일 수 있다.
상기 채널 층(22), 소스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b) 위에는 두터운 패시 베이션 층(25)이 형성된다. 패시베이션 층(25)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 법에 의해 형성될 수 있다.
전술한 실시예에서와 마찬가지로, 채널 층(22)과 소오스 전극(23a) 사이 및 채널 층(20)과 드레인 전극(23b) 사이에 각각 오믹 콘택층(26a, 26b)이 더 구비될 수 있다. 상기 채널 층(22), 소오스 전극(23a), 드레인 전극(23b), 게이트 절연층(21) 및 게이트 전극(20)의 두께는 각각 30∼200nm, 10∼200nm, 10∼200nm, 100∼300nm 및 100∼300nm 정도일 수 있다.
최상위 반도체 층(22c)에 포함되는 염화물은 GaCl3, InCl3, ZnCl2 (또는 GaClx, InClx, ZnCly, 0<x≤3, 0<y≤2) 중의 적어도 어느 하나를 포함한다. 그리고, 불화물은 GaF3, InF3, ZnF2 (또는 GaFx, InFx, ZnFy, 0<x≤3, 0<y≤2) 중의 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 반도체 층(22b, 22c)에 포함되는 Sn을 반도체 물질층 증착시 함유된다. 즉, 반도체 물질층을 형성하는 스퍼터링(sputtering) 법 및 증발(evaporation) 법 등에서 기존의 Ga2O3, In2O3, ZnO 타겟 물질과 함께 SnO 타겟 물질을 같이 증착함으로써 Sn 이 함유된 반도체 층(22b, 22c)을 얻을 수 있다. 상기 ZnO계 반도체 물질층의 증착은 RF 스퍼터링(Sputtering)법을 이용한다. 이때에 RF 파워가 100~500 W, 스퍼터시 챔버에 유입되는 가스로 Ar과 O2를 이용한다. Ar유량이 100 sccm일 때, O2 유량이 0~100 sccm범위의 공정으로 진행한다.
한편, 최상위 반도체 층(22c)에 함유되는 염화물 또는 불화물은 플라즈마에 의한 소스/드레인 전극(23a, 23b)을 패터닝 하는 과정에서 형성될 수 있다. 소스/드레인 전극(23a, 23b) 패터닝은 건식 식각법이 이용되는데 에칭 가스에 Cl 계 또는 F 계 가스가 포함된다. 소스/드레인 전극(23a, 23b) 패터닝시 Cl 계 또는 F 계 가스를 사용하게 되면, 플라즈마에 노출된 채널 층(22)의 GIZO 가 손상되어 격자 구조에 산소 결핍(Vacancy)가 발생하며, 이때에 이 격자 구조의 빈자리를 Cl 또는 F로 채워지게 된다. 즉, Cl 계 또는 F 계 에칭 가스의 사용에 의해 채널 층(22)의 일부 GIZO가 GIZCl(Ga-In-Zn-Cl) 또는 GIZF(Ga-In-Zn-F)로 치환되게 되는데 이러한 치환은 플라즈마에 의한 손상이 발생하는 최상위 반도체 층(22c)이다. 소스/드레인 전극(23a, 23b)를 패터닝하기 위해, 예를 들어, 플라즈마 에칭조건은 RIE(Reactive Ion Etch) 타입의 식각법의 경우, 파워가 100~1000 W, Cl계 또는 F 계 가스와 산소의 혼합가스를 반응가스로 사용하여 공정압력 10~100 mTorr이며, 이때 산소의 유량은 10 sccm 이상으로 설정할 수 있다. 본 발명은 GIZO에 비해 GIZCl이 높은 본딩 에너지를 가지며 따라서 플라즈마에 대해 GIZCl이 GIZO에 비해 상대적으로 안정적인 점을 이용하는 것이다.
이러한 소스/드레인 패터닝 과정을 통해 본 발명은 Zn 계 산화물 채널 층(22)에서 염화물, 또는 불화물이 함유 구조를 마련한다. 이러한 염화물(GaCl3, InCl3, ZnCl2 ) 또는 불화물(GaF3, InF3, ZnF2 ) 각각은 Ga2O3, In2O3, ZnO 각각에 비해 본딩 에너지(Bonding energy)가 아래 표 1에 나타내 보인 바와 같이 높다.
| 구분 | 본딩 에너지 (kJ/mol at room temperature) | 본딩 에너지 비교 | ||
| 산화물 (Oxide) | 염화물 (Chloride) | 불화물 (Fluoride) | ||
| Ga | 354 | 481 | oxide < chloride | |
| In | 320 | 439 | oxide < chloride | |
| Zn | 159 | 229 | 368 | oxide < chloride < Fluoride |
따라서 채널 층(22) 패터닝 후 후속되는 공정 예를 들어 PECVD 등에 의한 SiNx 패시베이션 층(24)이 형성될 때 플라즈마에 노출되는 채널 층(22)이 보호된다. 높은 결합 에너지를 갖는 염화물 또는 불화물이 채널 층(22)의 표면에 존재하고 이들이 플라즈마에 대해 잘 손상되지 않으므로 플라즈마 손상에 따른 산소 결핍의 억제 및 이에 따른 케리어 농도의 상승이 억제된다. 위의 표 1을 참조하면 ZnO 가 가장 낮은 본딩 에너지를 가지며, 따라서 플라즈마에 의해 ZnO 가 가장 먼저 분해되고 따라서 분해된 Zn에 의한 캐리어 농도 증가가 가장 크게 나타난다. 따라서, Cl 또는 F는 Zn 과 가장 많은 결합을 이룰 것이다. 즉, 본 발명에 따른 결합 에너지가 가장 낮은 ZnO 에 의한 캐리어 증가를 억제하기 위하여 채널 층(22)의 표면에 ZnCl 또는 ZnF 가 많이 분포하여 쉽게 분해되는 ZnO의 농도를 감소시키는 것이 바람직하다. 한편, 반도체 층(22b, 22c)에 함유되는 Sn 산화물(SnO)은 결합 에너지가 532 kJ/mol 로서 매우 높은 결합에너지를 가지며 따라서 플라즈마에 의한 손상이 잘 일어나지 않는다.
상기와 같은 본 발명은 기본적으로 채널 층 하부에 게이트가 마련되는 바텀 게이트 방식의 BCE(back channel etching) 박막 트랜지스터에 관련되며, 특히 플라즈마에 의한 채널 층의 손상을 억제하기 위해 결합 에너지가 낮은 Zn의 농도를 다른 층에 비해 감소시키고 대신에 높은 결합 에너지의 Sn 산화물, 염화물, 불화물 등을 채널 층의 표면에 형성하는 것이다.
이하, 본 발명의 모범적 실시예들에 따른 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조 방법을 단계적으로 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 보여준다. 도 1 및 도 3a 내지 도 3f에서 동일한 참조 번호(부호)는 동일한 구성 요소를 나타낸다.
도 3a를 참조하면, 기판(10) 상에 게이트 전극(20)을 형성하고, 기판(10) 상에 게이트 전극(20)을 덮는 SiO2 또는 SiNx 게이트 절연층(21)을 형성한다. 게이트 절연층(21) 형성 후, 게이트 절연층(21) 상면에 존재하는 불순물들을 제거하기 위한 습식 세정을 수행할 수 있다. 상기 습식 세정에서 세정액으로는 IPA(isopropyl alcohol)와 탈이온수(deionized water) 및 아세톤(aceton) 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 게이트 절연층(21) 상에 게이트(21)에 대응하는 채널 층(22)을 형성한다. 채널 층(22)은 게이트 전극(20) 위쪽의 게이트 절연층(21) 상에 위치한다. 채널 층(22)은 일반적인 스퍼터링(sputtering) 법 및 증발(evaporation) 법을 포함하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition)(PVD) 방법으로 형성될 수 있다. PVD 방법을 이용한 채널 층(22)의 형성에 In2O3, Ga2O3 및 ZnO 중 적어도 하나의 타겟을 포함할 수 있다. 따라서 채널 층(22)은 GIZO 를 주재료로 형성된다. 이때에 상기 채널 층(22)은 하부 반도체 층(22a)과 상부 반도체 층(22b)을 포함하며, 이때에 상부 반도체 층(22b)은 하부 반도체 층(22a)에 비해 낮은 Zn을 함유한다. 따라서, 상하부 반도체층(22a, 22b)은 동일 챔버 내에서 ZnO 타겟의 양을 달리한 상태에서 형성된다.
도 3c를 참조하면, 게이트 절연층(21) 상에 채널 층(22)을 덮는 금속층(23)을 형성한 후 이 위에 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)을 형성하기 위한 포토레지스트 등에 의해 마스크(25)를 형성한다. 상기 금속층(23)은 Mo 단일 금속층, Mo층을 포함하는 다중 금속층, Ti를 포함하는 금속층 및 Cr을 포함하는 금속층 중 어느 하나일 수 있다. 그 외에 Pt, Cu, Al, W, MoW, AlNd, Ni, Ag, Au, IZO, ITO 또는 이들 중 하나를 함유하는 실리사이드가 사용될 수 있다. 상기 재료들에 의한 금속층은 PVD 방법으로 형성할 수 있다.
소오스 전극(24a)과 드레인 전극(24b)을 형성하는 과정에서 오믹 콘택층이 형성되지 않을 때, 후속으로 어닐링 공정을 실시할 수 있다. 후속되는 어닐링 공정에 의해 채널 층(22)과 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b) 사이에 반응이 일어나고, 그 결과 오믹 콘택층이 형성될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 기존의 방법에 의한 건식 에칭 법에 의해 마스크(25)에 덮이지 않은 금속층(23)의 노출부분을 제거하여 절연층(21) 상에 채널 층(22)의 양측에 접촉하는 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)을 형성한다. 이때에 바람직하게는 에칭 가스에 염소계 가스 또는 불소계 가스가 포함되는 것이 바람직하다. 에칭 가스에는 염소계 가스 또는 불소 계 가스외에 산소, 질소, SF6, 불소(F)계 가스, 요오드(I)계, 브롬(Br)계, Ar, Xe, Kr 가스 중에 적어도 1 종류 이상이 혼합된다. 여기에서, 염소계 가스 또는 불소계 가스와 산소의 혼합가스가 사용되는 경우, 염소계 가스와 산소 가스의 분압비 또는 염소계 가스와 불소계가스의 분압비가 0.001에서 0.99인 것이 바람직하다. 여기에서 게이트 절연층(21)이 SiNx 로 형성되는 경우 SF6는 배제되는 것이 바람직하다. 이는 SF6는 Mo 등의 금속 뿐 아니라 SiNx 에 대해서도 식각력을 가지고 있고 따라서 소스/드레인 패터닝 과정에서 SF6에 의해 식각될 가능성이 있기 때문이다.
상기와 같은 플라즈마 에칭에 따르면, 소스/드레인 전극(23a, 23b)이 형성되며, 이 과정에서 플라즈마에 노출된 GIZO 채널 층(22)의 표면 가까이에 GIZO가 치환한 GIZCl 또는 GIZF 막이 형성될 것이다.
도 3e를 참조하면, 게이트 절연층(21) 상에 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)을 덮는 패시베이션 층(24)을 PECVD 법 등에 의해 형성한다.
도 3f에 도시된 바와 같이, 채널 층(22) 및 패비베이션 층(24)에 열을 가하는 어닐링을 실시한다. 어닐링 공정은 퍼니스 어닐링(furnace annealing) 또는 급속 가열 어닐링(rapid thermal annealing : RTA)일 수 있는데, 산소 또는 질소 분위기에서 200∼400℃의 온도로 10분∼2시간 동안 수행할 수 있다. 바람직하게는 200℃에서 1 시간 정도 수행한다. 이러한 어닐링 과정을 통해서 채널 층(22)의 캐리어 농도가 감소하여 적정한 전기적 특성 및 문턱 전압을 갖는 목적하는 박막 트랜지스터를 얻을 수 있게 된다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 보여준다. 도 1 및 도 4a 내지 도 4i에서 동일한 참조 번호(부호)는 동일한 구성 요소를 나타낸다.
도 4a를 참조하면, 기판(10) 상에 게이트 전극(20)을 형성하고, 기판(10) 상에 게이트 전극(20)을 덮는 SiO2 또는 SiNx 게이트 절연층(21)을 형성한다. 게이트 절연층(21) 형성 후, 게이트 절연층(21) 상면에 존재하는 불순물들을 제거하기 위한 습식 세정을 수행할 수 있다. 상기 습식 세정에서 세정액으로는 IPA(isopropyl alcohol)와 탈이온수(deionized water) 및 아세톤(aceton) 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 게이트 절연층(21) 상에 게이트(21)에 대응하는 채널 층(22)을 형성하기 위한 상하 반도체 물질층(22a', 22b')을 형성한다. 반도체 물질층(22a', 22b')은 일반적인 스퍼터링(sputtering) 법 및 증발(evaporation) 법을 포함하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition)(PVD) 방법으로 형성될 수 있다. PVD 방법을 이용한 반도체 물질층(22a', 22b')의 형성에 In2O3, Ga2O3 및 ZnO 중 적어도 하나의 타겟을 포함할 수 있다. 전술한 실시예에서와 같이 상부 반도체 물질층(22b') 형성시에는 하부 반도체 물질층(22a') 형성시에 비해 적은 량의 Zno 타겟이 사용되며, 따라서 상부 반도체 물질 층(22b')은 하부 반도체 물질 층(22a')에 비해 작은 농도의 ZnO를 포함한다. 이때에 다른 실시예로서 상부 반도체 물질층(22b')을 형성할 때에 SnO 가 타겟 물질로 더 포함될 수 있다. 이것은 결합 에너지가 작은 Zno 에 대신하는 물질로 플라즈마에 대해 높은 안정성을 가지며, 따라서 플라즈마 처리시 발생하는 산소 결핍을 감소시킨다.
도 4c를 참조하면, 상기 게이트 전극(20)에 대응하는 채널 층을 형성하기 위한 마스크(27)를 상기 게이트 절연층(21) 상에 형성한다. 이때에, 마스크(27)는 채널 층영역(c)에 대응하는 부분에 비해 소스영역(s)과 드레인영역(d)에 대응하는 부분에 비해 두꺼운 두께를 가진다. 이러한 패턴의 마스크는 통상의 하프톤 마스크에 의해 형성한다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 마스크에 덮이지 않은 반도체 물질 층(22a', 22b')의 노출부분을 습식 또는 건식 식각법에 의해 제거하여 하부 반도체 층(22a)과 상부 반도체 층(22b)을 갖는 채널 층(22)을 얻는다.
도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 마스크(27)를 전체적으로 동일한 두께로 식각하여 마스크(27)의 얇은 부분 즉 소스/드레인 영역(s,d)을 제거하여 채널 층(22)의 양측 부분이 노출되게 된다. 이대에 마스크(27)의 얇은 부분의 제거는 통상적이 애슁(Ashing)에 의해 수행함이 바람직하다. 이와 같이 마스크(27)의 양측 얇은 부분을 제거한 후 노출된 채널 층(22)의 상부 반도체 층(22b)을 플라즈마, 바람직하게는 산소 플라즈마에 의해 표면 처리하여 오믹층(26a, 26b)을 형성한다.
도 4f에 도시된 바와 같이, 오믹층(26a, 26b)이 완성된 후에는 마스크(27)를 제거하고, 이에 이어 상기 채널 층(22) 위에 전면적으로 금속층(23)을 형성하고 그 위에 소스/드레인을 패터닝하기 위한 마스크(25)를 형성한다.
도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 마스크(25)를 이용해 하부의 금속층(23)을 에칭하여 채널 층(22) 양측의 소스 전극(23a)과 드레인 전극(23b)을 형성한다. 이때에 에칭은 습식 또는 건식법으로 진행된다. 습식 식각법은 채널 층(22)에 대한 손상을 야기하지 않으므로 바람직하며, 이 경우 금속층(23)은 Cu로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 건식법의 경우 플라즈마를 이용하며 따라서 채널 층(22)의 손상이 야기된다. 즉, 산소 플라즈마 등에 의한 건식 식각에 의하면 소스/드레인 전극의 패터닝과 동시에 채널 층의 노출표면도 일부 식각이 되며 이때에 플라즈마에 의한 백 채널 층의 손상이 발생한다. 채널 층 손상 및 이에 따른 캐리어 증가를 억제하기 위하여 전술한 실시예에서와 같이 염소계 또는 불소계 가스를 포함시킨다. 에칭가스에 염소계 가스 또는 불소계 가스가 포함되어 있으며, 염소 또는 불소가 채널 층의 Ga, In, Zn과 반응하여 염화물 또는 불화물을 형성한다. 이에 따르면, 반응물인 염화물 또는 불화물이 함유된 최상위 반도체 층(22c)이 형성된다. 최상위 반도체 층(22c)에는 높은 결합 에너지의 Sn 산화물과 Ga, In, Zn 염화물 또는 불화물이 함유됨으로써 플라즈마에 대해 안정된 결합을 유지하며, 따라서 산소 결핍의 발생이 억제된다.
상기 금속층(23)은 Mo 단일 금속층, Mo층을 포함하는 다중 금속층, Ti를 포함하는 금속층 및 Cr을 포함하는 금속층 중 어느 하나일 수 있다. 그 외에 Pt, Cu, Al, W, MoW, AlNd, Ni, Ag, Au, IZO, ITO 또는 이들 중 하나를 함유하는 실리사이드가 사용될 수 있다. 상기 재료들에 의한 금속층은 PVD 방법으로 형성할 수 있다.
상기 에칭 가스에는 불소계 가스 또는 염소계 가스에 산소, 질소, SF6, 요오드(I)계, 브롬(Br)계, Ar, Xe, Kr 가스 중에 적어도 1 종류 이상을 함유한다.여기에서, 염소계 가스 또는 불소계 가스와 산소의 혼합가스를 사용할 수 있으며, 이 경우, 염소계 가스와 산소 가스의 분압비 또는 염소계 가스와 불소계가스의 분압비가 0.001에서 0.99인 것이 바람직하다. 여기에서 게이트 절연층(21)이 SiNx 로 형성되는 경우 전술한 이유에 의해 SF6는 배제되는 것이 바람직하다.
도 4h를 참조하면, 게이트 절연층(21) 상에 채널 층(22), 소오스 전극(23a) 및 드레인 전극(23b)을 덮는 패시베이션 층(24)을 PECVD 법 등에 의해 형성한다.
도 4i에 도시된 바와 같이, 채널 층(22) 및 패비베이션 층(24)에 열을 가하는 어닐링을 실시한다. 어닐링 공정은 퍼니스 어닐링(furnace annealing) 또는 급속 가열 어닐링(rapid thermal annealing : RTA)일 수 있는데, 산소 또는 질소 분위기에서 200∼400℃의 온도로 10분∼2시간 동안 수행할 수 있다. 바람직하게는 200℃에서 1 시간 정도 수행한다. 이러한 어닐링 과정을 통해서 채널 층(22)의 캐리어 농도가 감소하여 적정한 전기적 특성 및 문턱 전압을 갖는 목적하는 박막 트랜지스터를 얻을 수 있게 된다.
전술한 바와 같이 본 발명은 채널 층에 플라즈마 손상에 의한 캐리어 농도의 증가를 억제하기 위해 플라즈마에 강한 최상위층으로서 Zn의 농도가 낮은 상부 반도체 층을 포함한다. 여기에 보다 더 플라즈마에 의한 손상을 억제하기 위하여 높은 결합 에너지를 갖는 염화물 또는 불화물을 최상위 층에 형성한다. 이러한 본 발명에 따르면, 플라즈마에 의한 손상을 효과적으로 억제하여 양질의 전기적 특성을 갖는 소망하는 특성의 박막 트랜지스터를 얻을 수 있게 된다.
이러한 본 발명은 대면적의 스위칭 소자를 요구하는 LCD, OLED 디스플레이 등에 적용될 수 있다. 즉, 본 발명은 기존 비정질 실리콘 박막트랜지스터(a-Si TFT)나 다결정질 실리콘 박막트랜지스터(poly-Si TFT)를 대체할 수 있는 산화물 반도체 박막트랜지스터 (oxide TFT)소자 제작에 응용될 수 있다. 또한, 상기 박막트랜지스터를 기반으로 한 스위칭 및 구동소자가 요구되는 평판디스플레이 특히, 액정디스플레이(LCD)와 유기발광디스플레이(OLED)에 적용될 수 있다. 최종적으로 LCD나 OLED를 채용한 평판디스플레이 제품, 핸드폰 및 모바일기기, 노트북, 모니터, TV제품에 적용된다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 박막 트랜지스터의 구성 요소는 다양화할 수 있을 것이고, 구조 또한 다양한 형태로 변형할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 박막 트랜지스터는 액정표시장치나 유기발광표시장치뿐만 아니라 메모리 소자 및 논리 소자 분야에도 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
Claims (17)
- 기판;상기 기판 위에 형성되는 것으로, 다수 적층된 ZnO 계 단위 반도체층을 포함하는 채널 층;상기 기판과 채널 층의 사이에 마련되는 게이트;상기 채널 층과 게이트 사이에 마련되는 게이트 절연층;상기 채널 층의 양측에 마련되는 소스 및 드레인 전극; 그리고상기 채널 층과 소스 및 드레인 전극을 덮는 패시베이션층을 포함하고,상기 채널 층에서 최상위 적층은 그 하부 층에 비해 낮은 농도의 ZnO를 함유하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 채널 층의 최상위 단위 반도체층은 Sn 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 채널 층은 GIZO(GaInZn Oxide) 로 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 3 항에 있어서,상기 채널 층의 최상위 단위 반도체층은 염화물과 불화물 중의 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 채널 층의 최상위 단위 반도체층은 염화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 5 항에 있어서,상기 GaCl3, InCl3, ZnCl2 에서 선택된 적어도 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 채널 층의 최상위 단위 반도체층은 불화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 제 7 항에 있어서,상기 GaF3, InF3, ZnF2 에서 선택된 적어도 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터.
- 기판;상기 기판 위에 형성되는 ZnO 계 채널 층;상기 기판과 채널 층의 사이에 마련되는 게이트;상기 채널 층과 게이트 사이에 마련되는 게이트 절연층;상기 채널 층의 양측에 마련되는 소스 및 드레인 전극; 그리고상기 채널 층과 소스 및 드레인 전극을 덮는 패시베이션층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서,상치 채널 층을 형성하는 단계는: 다수 층의 ZnO 계 단위 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 채널 층의 최상위 단위 반도체 층의 Zn 농도를 하부의 다른 단위 반도체 층에 비해 낮게 조절하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 채널 층을 형성하는 단계에서, 최상위 단위 반도체층에 Sn 산화물을 함유시키는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 채널 층은 GIZO(GaInZn Oxide) 로 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는:금속층을 형성하는 단계;금속층에 상기 채널에 대응하는 패턴을 가지는 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크를 이용해 상기 금속층을 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 금속층을 패터닝하는 단계는상기 염소계 가스 또는 불소계 가스를 함유하는 에칭 가스에 의한 에칭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 기판 위에 게이트와 이를 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 위에, ZnO 계 하부 반도체 층과 하부 반도체층에 비해 낮은 농도의 Zn을 함유하는 ZnO 계 상부 반도체 층을 포함하는 채널 물질층을 형성하는 단계;상기 채널 물질층 위에 박막 트랜지스터의 채널과 채널 양측의 소스/드레인에 대응하는 패턴을 가지는 마스크 층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 이용해 상기 채널 물질 층을 패터닝하는 단계;상기 마스크 층에서 상기 채널 양측의 소스/드레인에 대응하는 부분을 제거하는 단계;상기 마스크 층에 덮이지 않은 상기 소스/드레인 영역을 플라즈마로 처리하여 소스/드레인 영역에 오믹 콘택 층을 형성하는 단계;상기 마스크 층을 제거한 후 상기 채널 양측의 오믹 콘택 층을 덮는 소스/ 드레인 전극을 형성하는 단계; 그리고상기 소스/드레인 전극 및 채널을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법
- 제 13 항에 있어서,상기 마스크 층은 상기 채널 영역에 대응하는 부분이 그 양측의 소스/드레인 영역에 대응하는 부분에 비해 두껍게 형성되며,상기 마스크 층에서 상기 채널 양측의 소스/드레인에 대응하는 부분을 제거하는 단계에서 상기 마스크 층을 애슁하여 소스/드레인에 대응하는 부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 채널 물질층의 상부 반도체 층에 Sn 산화물을 함유시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 소스 드레인 전극을 형성하는 단계에서 상기 도전 물질층을 Cl계 가스 와 F 계 가스 중 어느 하나를 포함하는 에칭 가스에 의한 건식 에칭법으로 패터닝하여, 소스/드레인 패터닝시 플라즈마 가스에 노출되는 채널 층에서 에칭 가스 중의 Cl 과 F 중 어느 하나와 채널 층 물질 간의 결합을 유도하여 염화물과 불화물 중의 어느 하나를 채널 층에 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 소스 드레인 전극을 형성하는 단계에서 상기 도전 물질층을 Cl계 가스와 F 계 가스 중 어느 하나를 포함하는 에칭 가스에 의한 건식 에칭법으로 패터닝하여, 소스/드레인 패터닝시 플라즈마 가스에 노출되는 채널 층에서 에칭 가스 중의 Cl 과 F 중 어느 하나와 채널 층 물질 간의 결합을 유도하여 염화물과 불화물 중의 어느 하나를 채널 층에 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070052226A KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US11/987,610 US7923722B2 (en) | 2007-05-29 | 2007-12-03 | Thin film transistors and methods of manufacturing the same |
| US13/064,080 US8349647B2 (en) | 2007-05-29 | 2011-03-04 | Thin film transistors and methods of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070052226A KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080104860A true KR20080104860A (ko) | 2008-12-03 |
| KR101345376B1 KR101345376B1 (ko) | 2013-12-24 |
Family
ID=40087092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070052226A KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7923722B2 (ko) |
| KR (1) | KR101345376B1 (ko) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100103414A (ko) * | 2009-03-13 | 2010-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR20110052939A (ko) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR101035357B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 |
| KR20110053739A (ko) * | 2009-11-16 | 2011-05-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR20110064701A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 서울대학교산학협력단 | 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치 |
| KR20110078596A (ko) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
| KR20120076062A (ko) * | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR101328423B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2013-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스형 표시 장치 |
| KR101338099B1 (ko) * | 2009-06-11 | 2013-12-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서 |
| KR101372734B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2014-03-13 | 연세대학교 산학협력단 | 액상공정을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US8748881B2 (en) | 2009-11-28 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20150031206A (ko) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터, 클록드 인버터 회로, 순서 회로, 및 순서 회로를 구비한 반도체 장치 |
| US9117727B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-08-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors |
| US9184090B2 (en) | 2010-06-04 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor display panel and manufacturing method of the same |
| US9331165B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-05-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin-film transistor (TFT), manufacturing method thereof, array substrate, display device and barrier layer |
| US9679768B2 (en) | 2009-10-21 | 2017-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing hydrogen from oxide semiconductor layer having insulating layer containing halogen element formed thereover |
| US10079310B2 (en) | 2009-11-28 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including stacked oxide semiconductor material |
| KR20200090685A (ko) * | 2009-03-06 | 2020-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그것을 포함하는 전자 기기 |
| KR20200096679A (ko) * | 2009-10-09 | 2020-08-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2021015377A1 (ko) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | 연세대학교 산학협력단 | 산소 분압 조절을 통한 이종접합 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR20220001468A (ko) * | 2020-06-29 | 2022-01-05 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 3d 디바이스에서의 산화물 반도체 트랜지스터 구조체 및 그 형성 방법 |
Families Citing this family (1832)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
| TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7928938B2 (en) | 2005-04-19 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus |
| US8629819B2 (en) | 2005-07-14 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| US7646015B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
| KR101410926B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2014-06-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP5542297B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| JP4989309B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US8354674B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
| WO2009014155A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
| US8058096B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-11-15 | Hewlett Packard Development Company, L.P. | Microelectronic device |
| KR100936874B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP5291928B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-09-18 | 株式会社日立製作所 | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
| US20110191809A1 (en) | 2008-01-30 | 2011-08-04 | Cinsay, Llc | Viral Syndicated Interactive Product System and Method Therefor |
| US8312486B1 (en) | 2008-01-30 | 2012-11-13 | Cinsay, Inc. | Interactive product placement system and method therefor |
| US11227315B2 (en) | 2008-01-30 | 2022-01-18 | Aibuy, Inc. | Interactive product placement system and method therefor |
| US8039405B2 (en) * | 2008-02-01 | 2011-10-18 | Ricoh Company, Ltd. | Conductive oxide-deposited substrate and method for producing the same, and MIS laminated structure and method for producing the same |
| JP5343853B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-11-13 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 |
| WO2009137368A2 (en) | 2008-05-03 | 2009-11-12 | Mobile Media Now, Inc. | Method and system for generation and playback of supplemented videos |
| US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US8314765B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device, and electronic device |
| KR101545647B1 (ko) | 2008-07-10 | 2015-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
| TWI622175B (zh) | 2008-07-31 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US8945981B2 (en) * | 2008-07-31 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5616038B2 (ja) | 2008-07-31 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TWI626744B (zh) | 2008-07-31 | 2018-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| KR100975204B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2010-08-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
| TWI424506B (zh) | 2008-08-08 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
| JP5525778B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP5480554B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI500160B (zh) | 2008-08-08 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI508282B (zh) | 2008-08-08 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US20100043117A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Mary Elizabeth Hildebrandt | Convertible Head And Neck Supporting Apparel |
| US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
| US8021916B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR101623224B1 (ko) | 2008-09-12 | 2016-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR101772377B1 (ko) | 2008-09-12 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR101545460B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2015-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 생산 방법 |
| KR101783193B1 (ko) | 2008-09-12 | 2017-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR101408715B1 (ko) | 2008-09-19 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR101490148B1 (ko) | 2008-09-19 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR102094683B1 (ko) | 2008-09-19 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
| KR101911386B1 (ko) | 2008-09-19 | 2018-12-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
| KR102187427B1 (ko) | 2008-09-19 | 2020-12-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| KR101611643B1 (ko) | 2008-10-01 | 2016-04-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN103928476A (zh) | 2008-10-03 | 2014-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
| EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
| KR101961632B1 (ko) | 2008-10-03 | 2019-03-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
| EP2172977A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR101761108B1 (ko) | 2008-10-03 | 2017-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| JP5484853B2 (ja) | 2008-10-10 | 2014-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2010044478A1 (en) | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device |
| JP5361651B2 (ja) | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
| KR101667909B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| US8741702B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| EP2180518B1 (en) | 2008-10-24 | 2018-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102386236B (zh) | 2008-10-24 | 2016-02-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 |
| US8106400B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2010047288A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
| KR101634411B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치 |
| KR101631454B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리회로 |
| KR101603303B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
| TWI659474B (zh) | 2008-10-31 | 2019-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| EP2184783B1 (en) * | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2010135771A (ja) | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法 |
| CN101740631B (zh) | 2008-11-07 | 2014-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及该半导体装置的制造方法 |
| TWI487104B (zh) * | 2008-11-07 | 2015-06-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
| TWI606595B (zh) | 2008-11-07 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| CN103730509B (zh) | 2008-11-07 | 2018-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR101432764B1 (ko) | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| TWI536577B (zh) | 2008-11-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8232947B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2010153802A (ja) | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| KR102437444B1 (ko) | 2008-11-21 | 2022-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| TWI616707B (zh) | 2008-11-28 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| TWI585955B (zh) | 2008-11-28 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光感測器及顯示裝置 |
| TWI606593B (zh) | 2008-11-28 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| KR101643204B1 (ko) | 2008-12-01 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| TWI613489B (zh) | 2008-12-03 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| JP5491833B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2010140919A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Ltd | 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板 |
| JP5538797B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び表示装置 |
| WO2010071034A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing transistor |
| JP5615540B2 (ja) | 2008-12-19 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| EP2202802B1 (en) | 2008-12-24 | 2012-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
| TWI476915B (zh) * | 2008-12-25 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8441007B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8114720B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5590877B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101648927B1 (ko) | 2009-01-16 | 2016-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US8492756B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8436350B2 (en) * | 2009-01-30 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters |
| US8367486B2 (en) | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
| US8174021B2 (en) | 2009-02-06 | 2012-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
| US8749930B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device |
| US8247812B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
| US8278657B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
| CN101840936B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 包括晶体管的半导体装置及其制造方法 |
| US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
| US8841661B2 (en) | 2009-02-25 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8704216B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010205987A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置 |
| US8461582B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US20100224878A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2010103935A1 (en) | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8450144B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI529942B (zh) | 2009-03-27 | 2016-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR101681884B1 (ko) | 2009-03-27 | 2016-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치, 표시장치 및 전자기기 |
| KR101752640B1 (ko) | 2009-03-27 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| US8927981B2 (en) | 2009-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8338226B2 (en) | 2009-04-02 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| TWI489628B (zh) * | 2009-04-02 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
| JP5615018B2 (ja) | 2009-04-10 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| TWI535023B (zh) | 2009-04-16 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| KR101690216B1 (ko) * | 2009-05-01 | 2016-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP5751762B2 (ja) | 2009-05-21 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP5564331B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| EP2256814B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP2256795B1 (en) * | 2009-05-29 | 2014-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for oxide semiconductor device |
| US8865516B2 (en) * | 2009-06-29 | 2014-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device |
| WO2011001881A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101645146B1 (ko) | 2009-06-30 | 2016-08-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101457837B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
| WO2011001880A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
| JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR101610606B1 (ko) | 2009-07-03 | 2016-04-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR101820176B1 (ko) | 2009-07-10 | 2018-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20220100086A (ko) | 2009-07-10 | 2022-07-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101791370B1 (ko) | 2009-07-10 | 2017-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101739154B1 (ko) | 2009-07-17 | 2017-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011007677A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011007682A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR101907366B1 (ko) | 2009-07-18 | 2018-10-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101782176B1 (ko) * | 2009-07-18 | 2017-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2011010545A1 (en) | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101768786B1 (ko) | 2009-07-18 | 2017-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2011010542A1 (en) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011010546A1 (en) | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102097932B1 (ko) | 2009-07-31 | 2020-04-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
| WO2011013502A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2011013523A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011013596A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101799252B1 (ko) | 2009-07-31 | 2017-11-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| TWI596741B (zh) | 2009-08-07 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| EP2284891B1 (en) | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5663231B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP5642447B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI604594B (zh) | 2009-08-07 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置 |
| TWI634642B (zh) | 2009-08-07 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| TWI746064B (zh) | 2009-08-07 | 2021-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| US8471255B2 (en) * | 2009-08-27 | 2013-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bottom-gate thin-film transistor having a multilayered channel and method for manufacturing same |
| US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| WO2011027649A1 (en) | 2009-09-02 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011054812A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5700626B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2015-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置 |
| WO2011027701A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| WO2011027676A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101746198B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
| WO2011027656A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
| KR101506124B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2015-03-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| CN102484140B (zh) | 2009-09-04 | 2015-04-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| WO2011027723A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011027664A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| WO2011027702A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| KR102113148B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법 |
| KR20120068772A (ko) | 2009-09-16 | 2012-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9715845B2 (en) * | 2009-09-16 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
| KR20230165355A (ko) | 2009-09-16 | 2023-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| WO2011033914A1 (en) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device and display device |
| WO2011034012A1 (en) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device |
| WO2011033909A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device |
| KR102111264B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2020-05-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
| CN105161543A (zh) | 2009-09-24 | 2015-12-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN102576677B (zh) | 2009-09-24 | 2015-07-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体元件及其制造方法 |
| KR20180031077A (ko) | 2009-09-24 | 2018-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011036987A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR102443297B1 (ko) | 2009-09-24 | 2022-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
| WO2011036981A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011037008A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI512997B (zh) | 2009-09-24 | 2015-12-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法 |
| CN102474256B (zh) | 2009-09-24 | 2016-03-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器 |
| CN102576608B (zh) * | 2009-09-30 | 2015-06-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化还原电容器以及其制造方法 |
| WO2011040213A1 (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20120084751A (ko) | 2009-10-05 | 2012-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2011043182A1 (en) | 2009-10-05 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device |
| KR101877149B1 (ko) | 2009-10-08 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011043203A1 (en) | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic appliance |
| EP2486595B1 (en) | 2009-10-09 | 2019-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
| CN107195328B (zh) | 2009-10-09 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法 |
| WO2011043194A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN102576174B (zh) | 2009-10-09 | 2018-02-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备 |
| EP2486593B1 (en) | 2009-10-09 | 2017-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101835748B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기 |
| WO2011043164A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| WO2011043162A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| EP2486569B1 (en) | 2009-10-09 | 2019-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and display device |
| WO2011043206A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101680047B1 (ko) | 2009-10-14 | 2016-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| CN110061144A (zh) | 2009-10-16 | 2019-07-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 逻辑电路和半导体器件 |
| KR101801540B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
| KR102005736B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR101772639B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101933841B1 (ko) | 2009-10-16 | 2018-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
| KR102023128B1 (ko) | 2009-10-21 | 2019-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
| JP5730529B2 (ja) | 2009-10-21 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2011048968A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101801959B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기 |
| WO2011048923A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
| CN102576734B (zh) | 2009-10-21 | 2015-04-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和包括显示装置的电子设备 |
| KR101812683B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
| KR101930682B1 (ko) | 2009-10-29 | 2018-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011052396A1 (en) | 2009-10-29 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011052437A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
| EP2494597A4 (en) | 2009-10-30 | 2015-03-18 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| KR101928402B1 (ko) | 2009-10-30 | 2018-12-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
| WO2011052382A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101770981B1 (ko) | 2009-10-30 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
| WO2011052413A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device, and electronic device |
| CN102484471B (zh) | 2009-10-30 | 2015-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备 |
| WO2011052410A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same |
| WO2011052488A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011052411A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
| CN102668095B (zh) | 2009-10-30 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管 |
| KR101751712B1 (ko) | 2009-10-30 | 2017-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전압 조정 회로 |
| KR101835155B1 (ko) | 2009-10-30 | 2018-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
| KR20120091243A (ko) | 2009-10-30 | 2012-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN102612741B (zh) | 2009-11-06 | 2014-11-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR102484475B1 (ko) | 2009-11-06 | 2023-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2011055668A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101824123B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101810254B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
| WO2011055769A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus |
| WO2011055645A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011055638A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2011055644A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101750982B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP5539846B2 (ja) | 2009-11-06 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 評価方法、半導体装置の作製方法 |
| WO2011055660A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101799265B1 (ko) | 2009-11-13 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| CN102668097B (zh) | 2009-11-13 | 2015-08-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| KR20120094013A (ko) * | 2009-11-13 | 2012-08-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터 |
| KR101975741B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법 |
| KR101738996B1 (ko) | 2009-11-13 | 2017-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치 |
| KR102329497B1 (ko) | 2009-11-13 | 2021-11-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
| WO2011058852A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011058913A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101893332B1 (ko) | 2009-11-13 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
| WO2011062029A1 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| KR20190109597A (ko) * | 2009-11-20 | 2019-09-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
| KR101800852B1 (ko) | 2009-11-20 | 2017-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011062041A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
| MY166309A (en) | 2009-11-20 | 2018-06-25 | Semiconductor Energy Lab | Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same |
| KR101811999B1 (ko) | 2009-11-20 | 2017-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101752212B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2017-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101370301B1 (ko) | 2009-11-20 | 2014-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| WO2011062068A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5762723B2 (ja) | 2009-11-20 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 変調回路及びそれを備えた半導体装置 |
| KR101922849B1 (ko) | 2009-11-20 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101662359B1 (ko) | 2009-11-24 | 2016-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치 |
| KR101911382B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2018-10-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011065209A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
| KR20190093705A (ko) * | 2009-11-27 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
| KR20180059577A (ko) | 2009-11-27 | 2018-06-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011065244A1 (en) | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011065210A1 (en) | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
| KR20180030255A (ko) | 2009-11-30 | 2018-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법, 및 이 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기 |
| KR101857693B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2018-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| WO2011068025A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc converter circuit and power supply circuit |
| KR102250803B1 (ko) | 2009-12-04 | 2021-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011068106A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
| KR101501420B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| CN104795323B (zh) | 2009-12-04 | 2017-12-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2011139052A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
| KR102462239B1 (ko) | 2009-12-04 | 2022-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011068028A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| WO2011068016A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5584103B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102117506B1 (ko) | 2009-12-04 | 2020-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120107107A (ko) | 2009-12-04 | 2012-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101511076B1 (ko) | 2009-12-08 | 2015-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101945171B1 (ko) | 2009-12-08 | 2019-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011070902A1 (en) | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP5727204B2 (ja) | 2009-12-11 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2011070887A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
| WO2011070929A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| KR101720072B1 (ko) | 2009-12-11 | 2017-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치 |
| KR102046308B1 (ko) | 2009-12-11 | 2019-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101804589B1 (ko) | 2009-12-11 | 2018-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011074590A1 (en) | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
| KR101768433B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
| CN102652356B (zh) | 2009-12-18 | 2016-02-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| EP2513893A4 (en) | 2009-12-18 | 2016-09-07 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device and electronic device |
| KR101763508B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
| US9057758B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group |
| KR101763660B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| KR101729933B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치 |
| WO2011074407A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101743620B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| KR101603768B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2016-03-15 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 평판표시장치 |
| CN102652396B (zh) | 2009-12-23 | 2015-12-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| WO2011077916A1 (en) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20120101716A (ko) | 2009-12-24 | 2012-09-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| WO2011077978A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| EP3550604A1 (en) | 2009-12-25 | 2019-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101301463B1 (ko) | 2009-12-25 | 2013-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 제작하기 위한 방법 |
| US8441009B2 (en) * | 2009-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2011077925A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
| WO2011078373A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device, semiconductor device, and electronic device |
| KR101434948B1 (ko) | 2009-12-25 | 2014-08-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011081041A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| KR101883802B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| CN105353551A (zh) | 2009-12-28 | 2016-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及电子设备 |
| KR101762316B1 (ko) | 2009-12-28 | 2017-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101772150B1 (ko) | 2009-12-28 | 2017-08-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
| CN105702631B (zh) | 2009-12-28 | 2019-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR101848516B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2018-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101791279B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2017-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101798367B1 (ko) | 2010-01-15 | 2017-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101748763B1 (ko) | 2010-01-15 | 2017-06-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| WO2011086812A1 (en) | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| SG10201500220TA (en) | 2010-01-15 | 2015-03-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for driving the same |
| KR101701208B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2017-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
| US8780629B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| CN105761688B (zh) | 2010-01-20 | 2019-01-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备的驱动方法 |
| WO2011089848A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and electronic system |
| KR102253973B1 (ko) | 2010-01-20 | 2021-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| CN102714029B (zh) * | 2010-01-20 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的显示方法 |
| KR101916012B1 (ko) | 2010-01-20 | 2018-11-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
| KR101750126B1 (ko) | 2010-01-20 | 2017-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치 |
| US8415731B2 (en) * | 2010-01-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections |
| WO2011089847A1 (en) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and method for driving the same |
| US9984617B2 (en) | 2010-01-20 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including light emitting element |
| KR101842860B1 (ko) | 2010-01-20 | 2018-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 |
| KR101745749B1 (ko) | 2010-01-20 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20180043383A (ko) | 2010-01-22 | 2018-04-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
| KR101952555B1 (ko) | 2010-01-22 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101773641B1 (ko) | 2010-01-22 | 2017-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102069496B1 (ko) | 2010-01-24 | 2020-01-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| TWI525377B (zh) | 2010-01-24 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| KR102008754B1 (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
| KR101893904B1 (ko) | 2010-01-29 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
| TWI508183B (zh) * | 2010-01-29 | 2015-11-11 | Prime View Int Co Ltd | 形成含氧半導體薄膜電晶體之方法 |
| CN102714001B (zh) | 2010-01-29 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置与包含半导体装置的电子装置 |
| WO2011093150A1 (en) | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011096153A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9391209B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101862823B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
| KR102094131B1 (ko) | 2010-02-05 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 구동하는 방법 |
| US8436403B2 (en) | 2010-02-05 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance |
| CN102725842B (zh) | 2010-02-05 | 2014-12-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR101819197B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2018-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2011096264A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
| WO2011096286A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and semiconductor device |
| KR20120130763A (ko) | 2010-02-05 | 2012-12-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN102687275B (zh) | 2010-02-05 | 2016-01-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR101810261B1 (ko) | 2010-02-10 | 2017-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 |
| US8947337B2 (en) | 2010-02-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR101817054B1 (ko) | 2010-02-12 | 2018-01-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치 |
| WO2011099376A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US8617920B2 (en) * | 2010-02-12 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN102742002B (zh) | 2010-02-12 | 2015-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其驱动方法 |
| KR101775180B1 (ko) | 2010-02-12 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
| WO2011099343A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| WO2011099336A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| KR101838130B1 (ko) | 2010-02-12 | 2018-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
| KR20180001594A (ko) | 2010-02-12 | 2018-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 구동 방법 |
| KR20230145240A (ko) | 2010-02-18 | 2023-10-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102015762B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2019-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법 |
| CN105786268B (zh) | 2010-02-19 | 2019-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备及其驱动方法 |
| WO2011102248A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| WO2011102190A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit |
| JP5740169B2 (ja) | 2010-02-19 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
| WO2011102183A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102081035B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2020-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN102754163B (zh) | 2010-02-19 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR20190102090A (ko) | 2010-02-19 | 2019-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치 |
| CN104617105B (zh) | 2010-02-19 | 2018-01-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| WO2011102228A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device |
| KR20240035927A (ko) | 2010-02-23 | 2024-03-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| CN106328085B (zh) * | 2010-02-26 | 2020-07-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备及其驱动方法 |
| KR101913657B1 (ko) | 2010-02-26 | 2018-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
| WO2011105218A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and e-book reader provided therewith |
| WO2011105198A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN102782859B (zh) | 2010-02-26 | 2015-07-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| WO2011105310A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9000438B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR20130009978A (ko) | 2010-02-26 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치 |
| WO2011105210A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR101767037B1 (ko) | 2010-03-02 | 2017-08-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그 |
| DE112011106202B4 (de) | 2010-03-02 | 2023-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister |
| DE112011100749B4 (de) | 2010-03-02 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister |
| WO2011108345A1 (en) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| KR101932909B1 (ko) | 2010-03-04 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치 |
| WO2011108374A1 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| KR102114012B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2020-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR101878206B1 (ko) | 2010-03-05 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
| CN104979369B (zh) | 2010-03-08 | 2018-04-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| WO2011111490A1 (en) | 2010-03-08 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| TWI594173B (zh) * | 2010-03-08 | 2017-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電子裝置及電子系統 |
| KR20190018049A (ko) | 2010-03-08 | 2019-02-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
| KR101791253B1 (ko) | 2010-03-08 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자기기 및 전자 시스템 |
| KR101812467B1 (ko) | 2010-03-08 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| DE112011100841B4 (de) | 2010-03-08 | 2021-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung |
| US8900362B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of gallium oxide single crystal |
| WO2011111506A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving circuit and method for driving display device |
| DE112011100886T5 (de) * | 2010-03-12 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung |
| CN105304661B (zh) | 2010-03-12 | 2018-08-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR101823853B1 (ko) | 2010-03-12 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2011114866A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| KR101891065B1 (ko) | 2010-03-19 | 2018-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법 |
| WO2011114905A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| WO2011114868A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN102812547B (zh) | 2010-03-19 | 2015-09-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US20110227082A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011118351A1 (en) | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011118364A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN102822980B (zh) | 2010-03-26 | 2015-12-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| KR20130062919A (ko) | 2010-03-26 | 2013-06-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
| WO2011118741A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101761966B1 (ko) | 2010-03-31 | 2017-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전력 공급 장치와 그 구동 방법 |
| CN102844873B (zh) | 2010-03-31 | 2015-06-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体显示装置 |
| WO2011122271A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field-sequential display device |
| KR101814367B1 (ko) | 2010-03-31 | 2018-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| WO2011122299A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
| US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
| US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102436902B1 (ko) | 2010-04-02 | 2022-08-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
| CN105810752B (zh) | 2010-04-02 | 2019-11-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
| CN102918650B (zh) | 2010-04-07 | 2017-03-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管 |
| KR101884031B1 (ko) | 2010-04-07 | 2018-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
| WO2011125456A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011125688A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for driving the same |
| KR101465192B1 (ko) | 2010-04-09 | 2014-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011125455A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor memory device |
| US8207025B2 (en) | 2010-04-09 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| WO2011125806A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8854583B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device |
| JP5744366B2 (ja) | 2010-04-12 | 2015-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| TWI443829B (zh) | 2010-04-16 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 電晶體及其製造方法 |
| KR101881729B1 (ko) | 2010-04-16 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
| US8552712B2 (en) | 2010-04-16 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Current measurement method, inspection method of semiconductor device, semiconductor device, and test element group |
| KR101904445B1 (ko) | 2010-04-16 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011129209A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power source circuit |
| US8692243B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN106057907B (zh) | 2010-04-23 | 2019-10-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| CN102870151B (zh) | 2010-04-23 | 2016-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置以及其驱动方法 |
| KR102344452B1 (ko) | 2010-04-23 | 2021-12-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| WO2011132625A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR101974927B1 (ko) | 2010-04-23 | 2019-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR101636008B1 (ko) | 2010-04-23 | 2016-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US9537043B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2011135999A1 (en) | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| WO2011135988A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving method the same |
| WO2011135987A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9349325B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US8890555B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for measuring transistor |
| US9697788B2 (en) | 2010-04-28 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| WO2011136018A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
| US9064473B2 (en) | 2010-05-12 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
| US9478185B2 (en) | 2010-05-12 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
| JP5797449B2 (ja) | 2010-05-13 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の評価方法 |
| WO2011142467A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8664658B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011142371A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI511236B (zh) | 2010-05-14 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
| CN101872787A (zh) * | 2010-05-19 | 2010-10-27 | 华南理工大学 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| US8624239B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9490368B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US9496405B2 (en) * | 2010-05-20 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer |
| US8416622B2 (en) | 2010-05-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of a semiconductor device with an inverted period having a negative potential applied to a gate of an oxide semiconductor transistor |
| WO2011145738A1 (en) | 2010-05-20 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
| WO2011145634A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011145484A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP5714973B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101872188B1 (ko) | 2010-05-21 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
| JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2011145537A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR101872927B1 (ko) | 2010-05-21 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN105957802A (zh) | 2010-05-21 | 2016-09-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| US8906756B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2011145633A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011145468A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| WO2011145707A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| KR20130077839A (ko) | 2010-05-21 | 2013-07-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| CN102263035B (zh) * | 2010-05-26 | 2014-02-26 | 元太科技工业股份有限公司 | 形成含氧半导体薄膜晶体管的方法 |
| JP5749975B2 (ja) | 2010-05-28 | 2015-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出装置、及び、タッチパネル |
| US8895375B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
| KR101894897B1 (ko) | 2010-06-04 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8779433B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011152254A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011152286A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011155295A1 (en) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device |
| WO2011155502A1 (en) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011155302A1 (en) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8610180B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor |
| JP5823740B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
| JP5797471B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
| US9209314B2 (en) | 2010-06-16 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
| US8637802B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor |
| KR101862808B1 (ko) | 2010-06-18 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8552425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102290440A (zh) * | 2010-06-21 | 2011-12-21 | 财团法人工业技术研究院 | 晶体管及其制造方法 |
| WO2011162147A1 (en) | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011162104A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| KR20120000499A (ko) | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
| KR101746197B1 (ko) | 2010-06-25 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법 |
| WO2012002236A1 (en) | 2010-06-29 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
| WO2012002104A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8441010B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9473714B2 (en) | 2010-07-01 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state imaging device and semiconductor display device |
| KR101801960B1 (ko) | 2010-07-01 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 구동 방법 |
| CN102959713B (zh) | 2010-07-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| TWI541782B (zh) | 2010-07-02 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| US9336739B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR20230003647A (ko) | 2010-07-02 | 2023-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5792524B2 (ja) | 2010-07-02 | 2015-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
| US8605059B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and driving method thereof |
| US8642380B2 (en) * | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| WO2012002197A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9246010B2 (en) * | 2010-07-14 | 2016-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor substrate |
| WO2012008286A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2012008390A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2012008304A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8785241B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8519387B2 (en) | 2010-07-26 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing |
| KR101885691B1 (ko) | 2010-07-27 | 2018-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2012014790A1 (en) | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI565001B (zh) | 2010-07-28 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
| JP5846789B2 (ja) | 2010-07-29 | 2016-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2012014786A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semicondcutor device and manufacturing method thereof |
| US8537600B2 (en) | 2010-08-04 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Low off-state leakage current semiconductor memory device |
| KR101842181B1 (ko) | 2010-08-04 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8928466B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5739257B2 (ja) | 2010-08-05 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8422272B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| US8582348B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
| TWI688047B (zh) | 2010-08-06 | 2020-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP5671418B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| US8467232B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5832181B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US8792284B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor memory device |
| US8803164B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state image sensing device and semiconductor display device |
| US8467231B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| WO2012017844A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI555128B (zh) | 2010-08-06 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
| JP5743790B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN107947763B (zh) | 2010-08-06 | 2021-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
| US9129703B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor memory device |
| TWI509707B (zh) | 2010-08-16 | 2015-11-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置之製造方法 |
| JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
| US9343480B2 (en) | 2010-08-16 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI508294B (zh) | 2010-08-19 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
| US8759820B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8685787B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8508276B2 (en) | 2010-08-25 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including latch circuit |
| US8883555B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target |
| JP5727892B2 (ja) | 2010-08-26 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9058047B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2013009285A (ja) | 2010-08-26 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 信号処理回路及びその駆動方法 |
| JP5763474B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ |
| US8450123B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body |
| CN106298794B (zh) | 2010-08-27 | 2019-07-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器件及半导体器件 |
| JP5806043B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5674594B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
| JP5864163B2 (ja) | 2010-08-27 | 2016-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の設計方法 |
| US8603841B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device |
| JP5702689B2 (ja) | 2010-08-31 | 2015-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置 |
| US8575610B2 (en) | 2010-09-02 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| US8634228B2 (en) | 2010-09-02 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
| KR101851817B1 (ko) | 2010-09-03 | 2018-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
| KR20130102581A (ko) | 2010-09-03 | 2013-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8728860B2 (en) | 2010-09-03 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2012029638A1 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20130099074A (ko) | 2010-09-03 | 2013-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP2012256819A (ja) | 2010-09-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8487844B2 (en) | 2010-09-08 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device including the same |
| US8520426B2 (en) | 2010-09-08 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device |
| KR20120026970A (ko) | 2010-09-10 | 2012-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 발광 장치 |
| US8766253B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8797487B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof |
| KR101824125B1 (ko) | 2010-09-10 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US9142568B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting display device |
| US9496743B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power receiving device and wireless power feed system |
| KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US8835917B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
| JP5827520B2 (ja) | 2010-09-13 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
| KR101952235B1 (ko) | 2010-09-13 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US8664097B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2012256821A (ja) | 2010-09-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
| KR101872926B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9546416B2 (en) | 2010-09-13 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming crystalline oxide semiconductor film |
| US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US8647919B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device and method for manufacturing the same |
| TWI543166B (zh) | 2010-09-13 | 2016-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US8871565B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8592879B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8546161B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device |
| JP5815337B2 (ja) | 2010-09-13 | 2015-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI539453B (zh) | 2010-09-14 | 2016-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置和半導體裝置 |
| KR20140054465A (ko) | 2010-09-15 | 2014-05-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
| US9230994B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR20180124158A (ko) | 2010-09-15 | 2018-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제작 방법 |
| JP2012256012A (ja) | 2010-09-15 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8767443B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for inspecting the same |
| KR101856722B1 (ko) | 2010-09-22 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 |
| US8792260B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit and semiconductor device using the same |
| TWI574259B (zh) | 2010-09-29 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置和其驅動方法 |
| TWI664631B (zh) | 2010-10-05 | 2019-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置及其驅動方法 |
| US9437743B2 (en) | 2010-10-07 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US8716646B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for operating the same |
| US8679986B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US8546892B2 (en) | 2010-10-20 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8803143B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor including buffer layers with high resistivity |
| TWI543158B (zh) | 2010-10-25 | 2016-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置及其驅動方法 |
| KR101952456B1 (ko) | 2010-10-29 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치 |
| JP5771505B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-09-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 受信回路 |
| KR101924231B1 (ko) | 2010-10-29 | 2018-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
| TWI550119B (zh) | 2010-11-02 | 2016-09-21 | 宇部興產股份有限公司 | （醯胺胺基烷）金屬化合物、及利用該金屬化合物之含金屬之薄膜之製造方法 |
| US8916866B2 (en) | 2010-11-03 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6010291B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
| US8957468B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Variable capacitor and liquid crystal display device |
| KR101973212B1 (ko) | 2010-11-05 | 2019-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9087744B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving transistor |
| CN103201831B (zh) | 2010-11-05 | 2015-08-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US8569754B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI555205B (zh) | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| US8902637B2 (en) | 2010-11-08 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof |
| TWI535014B (zh) | 2010-11-11 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| JP5770068B2 (ja) | 2010-11-12 | 2015-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8854865B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| US8936965B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI474487B (zh) * | 2010-11-30 | 2015-02-21 | Au Optronics Corp | 氧化物半導體薄膜電晶體結構與其製作方法 |
| US9103724B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device |
| TWI562379B (en) | 2010-11-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8823092B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8816425B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8629496B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8809852B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US8461630B2 (en) | 2010-12-01 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI590249B (zh) | 2010-12-03 | 2017-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置 |
| CN105336791B (zh) | 2010-12-03 | 2018-10-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体膜以及半导体装置 |
| JP5908263B2 (ja) | 2010-12-03 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｄｃ−ｄｃコンバータ |
| US8957462B2 (en) | 2010-12-09 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate |
| TWI534905B (zh) | 2010-12-10 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 |
| JP2012256020A (ja) | 2010-12-15 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
| US8894825B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device |
| US8730416B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9202822B2 (en) | 2010-12-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2012142562A (ja) | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
| US9024317B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device |
| WO2012090973A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2012090974A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8941112B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2012151453A (ja) | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
| US9443984B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9048142B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6030298B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 緩衝記憶装置及び信号処理回路 |
| JP5975635B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP5993141B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| JP5864054B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8735892B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device using oxide semiconductor |
| JP5852874B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2012090799A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI525614B (zh) | 2011-01-05 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路 |
| TWI535032B (zh) * | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI570809B (zh) | 2011-01-12 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8536571B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8921948B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8912080B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of the semiconductor device |
| US8421071B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US8575678B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device with floating gate |
| KR102026718B1 (ko) | 2011-01-14 | 2019-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법 |
| TWI572009B (zh) | 2011-01-14 | 2017-02-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶裝置 |
| JP5859839B2 (ja) | 2011-01-14 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子 |
| JP5897910B2 (ja) | 2011-01-20 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2012102182A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2012102183A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI552345B (zh) | 2011-01-26 | 2016-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI657580B (zh) | 2011-01-26 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI570920B (zh) | 2011-01-26 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9601178B2 (en) | 2011-01-26 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| JP5798933B2 (ja) | 2011-01-26 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
| TWI525619B (zh) | 2011-01-27 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路 |
| KR20130140824A (ko) | 2011-01-27 | 2013-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9494829B2 (en) | 2011-01-28 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same |
| WO2012102314A1 (en) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US8634230B2 (en) | 2011-01-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| WO2012102281A1 (en) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI520273B (zh) | 2011-02-02 | 2016-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
| US8513773B2 (en) | 2011-02-02 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor |
| US9799773B2 (en) | 2011-02-02 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and semiconductor device |
| US8780614B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| US9431400B2 (en) | 2011-02-08 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
| US8787083B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit |
| TWI569041B (zh) | 2011-02-14 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| KR101899880B1 (ko) | 2011-02-17 | 2018-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 ｌｓｉ |
| US8975680B2 (en) | 2011-02-17 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device |
| US8643007B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8709920B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9443455B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a plurality of pixels |
| CN102176417B (zh) * | 2011-03-03 | 2013-09-04 | 华映视讯（吴江）有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法 |
| US9691772B2 (en) | 2011-03-03 | 2017-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor |
| US8659015B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9646829B2 (en) | 2011-03-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP5898527B2 (ja) | 2011-03-04 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8785933B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9023684B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8841664B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8659957B2 (en) | 2011-03-07 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
| US8625085B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Defect evaluation method for semiconductor |
| US9099437B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5827145B2 (ja) | 2011-03-08 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
| WO2012121265A1 (en) | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
| US8541781B2 (en) | 2011-03-10 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8772849B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| TWI521612B (zh) | 2011-03-11 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| US8760903B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit |
| TWI658516B (zh) | 2011-03-11 | 2019-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| JP2012209543A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP5933300B2 (ja) | 2011-03-16 | 2016-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP5933897B2 (ja) | 2011-03-18 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101995682B1 (ko) | 2011-03-18 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US8859330B2 (en) * | 2011-03-23 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP5839474B2 (ja) | 2011-03-24 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
| US9219159B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| US8956944B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI627756B (zh) | 2011-03-25 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路 |
| US8987728B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| US9012904B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI545652B (zh) | 2011-03-25 | 2016-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8686416B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| JP6053098B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8927329B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties |
| JP5879165B2 (ja) | 2011-03-30 | 2016-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8686486B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US9082860B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI567735B (zh) | 2011-03-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路 |
| JP5982147B2 (ja) | 2011-04-01 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US8541266B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9960278B2 (en) | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
| TWI567736B (zh) | 2011-04-08 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體元件及信號處理電路 |
| JP2012256406A (ja) | 2011-04-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置 |
| US9093538B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9012905B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same |
| US9478668B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| JP5883699B2 (ja) | 2011-04-13 | 2016-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルｌｓｉ |
| US8854867B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and driving method of the memory device |
| US8878174B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit |
| US8779488B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| JP5890234B2 (ja) | 2011-04-15 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
| US8878270B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| JP6001900B2 (ja) | 2011-04-21 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
| US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9006803B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
| JP5946683B2 (ja) | 2011-04-22 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8916868B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9331206B2 (en) | 2011-04-22 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
| US10079053B2 (en) | 2011-04-22 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and memory device |
| US8941958B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN105931967B (zh) | 2011-04-27 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| US9935622B2 (en) | 2011-04-28 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Comparator and semiconductor device including comparator |
| US8729545B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| US8681533B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device |
| KR101919056B1 (ko) | 2011-04-28 | 2018-11-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 회로 |
| US8446171B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing unit |
| US8476927B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| US9614094B2 (en) | 2011-04-29 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same |
| TWI525615B (zh) | 2011-04-29 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
| US8848464B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
| US8785923B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101963457B1 (ko) | 2011-04-29 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법 |
| US9111795B2 (en) | 2011-04-29 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film |
| TWI671911B (zh) | 2011-05-05 | 2019-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| WO2012153473A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8809928B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device |
| US9117701B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI568181B (zh) | 2011-05-06 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 邏輯電路及半導體裝置 |
| US8709922B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2012153697A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| US9443844B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof |
| TWI541978B (zh) | 2011-05-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法 |
| US8946066B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| TWI557711B (zh) | 2011-05-12 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的驅動方法 |
| US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
| KR101952570B1 (ko) | 2011-05-13 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| JP5886127B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6110075B2 (ja) | 2011-05-13 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9048788B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion |
| JP5959296B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9954110B2 (en) | 2011-05-13 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| JP5886128B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101921772B1 (ko) | 2011-05-13 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2012157472A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI536502B (zh) | 2011-05-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路及電子裝置 |
| JP6013773B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9093539B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101889383B1 (ko) | 2011-05-16 | 2018-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 |
| TWI570891B (zh) | 2011-05-17 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI552150B (zh) | 2011-05-18 | 2016-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
| US9673823B2 (en) | 2011-05-18 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
| KR102093909B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 회로 및 회로의 구동 방법 |
| US9117920B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor |
| JP6014362B2 (ja) | 2011-05-19 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR101991735B1 (ko) | 2011-05-19 | 2019-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
| US8837203B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102081792B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 연산회로 및 연산회로의 구동방법 |
| US8779799B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit |
| US8581625B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| JP6082189B2 (ja) | 2011-05-20 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び信号処理回路 |
| JP5951351B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加算器及び全加算器 |
| WO2012161059A1 (en) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| TWI559683B (zh) | 2011-05-20 | 2016-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體積體電路 |
| JP6091083B2 (ja) | 2011-05-20 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| JP5947099B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6013680B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6030334B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| TWI616873B (zh) | 2011-05-20 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存裝置及信號處理電路 |
| TWI614995B (zh) | 2011-05-20 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置 |
| JP5820336B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9336845B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory |
| JP5892852B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
| WO2012160963A1 (en) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5886496B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP5936908B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パリティビット出力回路およびパリティチェック回路 |
| TWI557739B (zh) * | 2011-05-20 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體積體電路 |
| JP6013682B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| TWI501226B (zh) | 2011-05-20 | 2015-09-21 | Semiconductor Energy Lab | 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法 |
| JP5820335B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8508256B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US20120298998A1 (en) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2012161003A1 (en) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Divider circuit and semiconductor device using the same |
| US9171840B2 (en) | 2011-05-26 | 2015-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8610482B2 (en) | 2011-05-27 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Trimming circuit and method for driving trimming circuit |
| US8669781B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5912844B2 (ja) | 2011-05-31 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
| US9467047B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device |
| DE112012007295B3 (de) | 2011-06-08 | 2022-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| JP5890251B2 (ja) | 2011-06-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 通信方法 |
| JP2013016243A (ja) | 2011-06-09 | 2013-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
| JP6104522B2 (ja) | 2011-06-10 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8958263B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6009226B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8891285B2 (en) | 2011-06-10 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9299852B2 (en) | 2011-06-16 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI557910B (zh) | 2011-06-16 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8804405B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| US9099885B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless power feeding system |
| KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US8901554B2 (en) | 2011-06-17 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor |
| US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| SG11201504734VA (en) * | 2011-06-17 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8673426B2 (en) | 2011-06-29 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
| US8878589B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| WO2013005380A1 (en) | 2011-07-01 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
| US9490241B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter |
| US9214474B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9496138B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| US8952377B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102014876B1 (ko) | 2011-07-08 | 2019-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| TWI565067B (zh) | 2011-07-08 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8748886B2 (en) | 2011-07-08 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8847220B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2013042117A (ja) | 2011-07-15 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8836626B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| US9200952B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit |
| US8946812B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8643008B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6013685B2 (ja) | 2011-07-22 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8716073B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| US9012993B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2013015091A1 (en) | 2011-07-22 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8718224B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| US8994019B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6004308B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2016-10-05 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス |
| JP6023994B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2016-11-09 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP6006572B2 (ja) | 2011-08-18 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6128775B2 (ja) | 2011-08-19 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI575494B (zh) | 2011-08-19 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的驅動方法 |
| JP6116149B2 (ja) | 2011-08-24 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI761910B (zh) | 2011-08-29 | 2022-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| AU2012302021B2 (en) | 2011-08-29 | 2016-05-19 | Aibuy, Inc. | Containerized software for virally copying from one endpoint to another |
| US9252279B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
| JP6016532B2 (ja) | 2011-09-07 | 2016-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6050054B2 (ja) | 2011-09-09 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8802493B2 (en) | 2011-09-13 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of oxide semiconductor device |
| JP5825744B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
| US8952379B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5832399B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| WO2013039126A1 (en) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9082663B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN103022012B (zh) | 2011-09-21 | 2017-03-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体存储装置 |
| WO2013042562A1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2013042643A1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetector and method for driving photodetector |
| US8841675B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Minute transistor |
| US9431545B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102108572B1 (ko) | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP2013084333A (ja) | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | シフトレジスタ回路 |
| KR102504604B1 (ko) | 2011-09-29 | 2023-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8716708B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN105514174B (zh) | 2011-09-29 | 2019-03-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR101506303B1 (ko) | 2011-09-29 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US8982607B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
| JP5806905B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2013093565A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP6022880B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2013093561A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
| US8637864B2 (en) | 2011-10-13 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US9018629B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5912394B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9117916B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor film |
| JP6026839B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9287405B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
| SG11201504615UA (en) | 2011-10-14 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
| KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| TWI567985B (zh) | 2011-10-21 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| JP6226518B2 (ja) | 2011-10-24 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102067051B1 (ko) | 2011-10-24 | 2020-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR101976212B1 (ko) | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP6082562B2 (ja) | 2011-10-27 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20130046357A (ko) | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20140086954A (ko) | 2011-10-28 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US8604472B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5933895B2 (ja) | 2011-11-10 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| US8796682B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JP6122275B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US8878177B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9082861B2 (en) | 2011-11-11 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer |
| KR101984739B1 (ko) | 2011-11-11 | 2019-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치 |
| JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| US10026847B2 (en) | 2011-11-18 | 2018-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element |
| US8969130B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP6099368B2 (ja) | 2011-11-25 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| US8772094B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8951899B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8962386B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6059968B2 (ja) | 2011-11-25 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び液晶表示装置 |
| US9057126B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI669760B (zh) | 2011-11-30 | 2019-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| KR102072244B1 (ko) | 2011-11-30 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US9076871B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN103137701B (zh) | 2011-11-30 | 2018-01-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管及半导体装置 |
| US20130137232A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI591611B (zh) | 2011-11-30 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體顯示裝置 |
| US8981367B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI621183B (zh) | 2011-12-01 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| JP2013137853A (ja) | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置および記憶装置の駆動方法 |
| JP6050662B2 (ja) | 2011-12-02 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| WO2013080900A1 (en) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20130062726A (ko) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
| US9257422B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit |
| US9076505B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US10002968B2 (en) | 2011-12-14 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
| WO2013089115A1 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6105266B2 (ja) | 2011-12-15 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| US8785258B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2013149953A (ja) | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US8907392B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including stacked sub memory cells |
| JP2013130802A (ja) | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器 |
| US8748240B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP6012450B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| JP6033071B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6053490B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TWI569446B (zh) | 2011-12-23 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置 |
| TWI580189B (zh) | 2011-12-23 | 2017-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 位準位移電路及半導體積體電路 |
| US8796683B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2013094547A1 (en) | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8704221B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2013099537A1 (en) | 2011-12-26 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Motion recognition device |
| TWI584383B (zh) | 2011-12-27 | 2017-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| KR102100425B1 (ko) | 2011-12-27 | 2020-04-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR102103913B1 (ko) | 2012-01-10 | 2020-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP2013168926A (ja) | 2012-01-18 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置 |
| US8969867B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9040981B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9099560B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2013111757A1 (en) | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9653614B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102295888B1 (ko) | 2012-01-25 | 2021-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP6091905B2 (ja) | 2012-01-26 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8956912B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9006733B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
| TWI642193B (zh) | 2012-01-26 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI561951B (en) | 2012-01-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Power supply circuit |
| TWI604609B (zh) | 2012-02-02 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9196741B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9362417B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102101167B1 (ko) | 2012-02-03 | 2020-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8916424B2 (en) | 2012-02-07 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9859114B2 (en) | 2012-02-08 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer |
| JP5981157B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9112037B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20130207111A1 (en) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6125850B2 (ja) | 2012-02-09 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US8817516B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit and semiconductor device |
| JP2014063557A (ja) | 2012-02-24 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
| US20130221345A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6151530B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ、カメラ、及び監視システム |
| US9312257B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6220526B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8988152B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2013183001A (ja) | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8975917B2 (en) | 2012-03-01 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| JP6046514B2 (ja) | 2012-03-01 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9735280B2 (en) | 2012-03-02 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film |
| US9176571B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Microprocessor and method for driving microprocessor |
| US9287370B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same |
| JP6100559B2 (ja) | 2012-03-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
| JP6041707B2 (ja) | 2012-03-05 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ラッチ回路および半導体装置 |
| US8995218B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8981370B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN104160295B (zh) | 2012-03-09 | 2017-09-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的驱动方法 |
| KR20210078571A (ko) | 2012-03-13 | 2021-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 구동 방법 |
| JP6168795B2 (ja) | 2012-03-14 | 2017-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR102108248B1 (ko) | 2012-03-14 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치 |
| US9117409B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer |
| US9058892B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and shift register |
| US9541386B2 (en) | 2012-03-21 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Distance measurement device and distance measurement system |
| JP6169376B2 (ja) | 2012-03-28 | 2017-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置 |
| US9349849B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device |
| US9324449B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device |
| JP2013229013A (ja) | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アレイコントローラ及びストレージシステム |
| WO2013146154A1 (en) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply control device |
| JP6139187B2 (ja) | 2012-03-29 | 2017-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9786793B2 (en) | 2012-03-29 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements |
| US8941113B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element |
| US8999773B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device |
| US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| US8947155B2 (en) | 2012-04-06 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state relay |
| US9793444B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9711110B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising grayscale conversion portion and display portion |
| JP5975907B2 (ja) | 2012-04-11 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9208849B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device |
| JP2013236068A (ja) | 2012-04-12 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| KR102254731B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2021-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9030232B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Isolator circuit and semiconductor device |
| JP6128906B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6059566B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP6143423B2 (ja) | 2012-04-16 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6076612B2 (ja) | 2012-04-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6001308B2 (ja) | 2012-04-17 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9029863B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9219164B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor channel |
| US9236408B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device including photodiode |
| US9006024B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9230683B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| JP6199583B2 (ja) | 2012-04-27 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8860022B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| US9331689B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply circuit and semiconductor device including the same |
| US9285848B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device |
| JP6228381B2 (ja) | 2012-04-30 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9048323B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6100071B2 (ja) | 2012-04-30 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9703704B2 (en) | 2012-05-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8860023B2 (en) | 2012-05-01 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9007090B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving semiconductor device |
| KR102025722B1 (ko) | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
| US9104395B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processor and driving method thereof |
| JP6243136B2 (ja) | 2012-05-02 | 2017-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | スイッチングコンバータ |
| JP2013250965A (ja) | 2012-05-02 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその駆動方法 |
| US8866510B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6227890B2 (ja) | 2012-05-02 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路および制御回路 |
| KR101978932B1 (ko) | 2012-05-02 | 2019-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그램 가능한 로직 디바이스 |
| KR20130125717A (ko) | 2012-05-09 | 2013-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
| CN104285302B (zh) | 2012-05-10 | 2017-08-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR102069158B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20230104756A (ko) | 2012-05-10 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102087443B1 (ko) | 2012-05-11 | 2020-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
| DE102013207324A1 (de) | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
| US8994891B2 (en) | 2012-05-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
| US8929128B2 (en) | 2012-05-17 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and writing method of the same |
| US9817032B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement device |
| JP6250955B2 (ja) | 2012-05-25 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| KR102164990B1 (ko) | 2012-05-25 | 2020-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 소자의 구동 방법 |
| JP6050721B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2014003594A (ja) | 2012-05-25 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
| KR102059218B1 (ko) | 2012-05-25 | 2019-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치 |
| US9147706B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit |
| JP6377317B2 (ja) | 2012-05-30 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
| JP6158588B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| CN104380473B (zh) | 2012-05-31 | 2017-10-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| WO2013179922A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9048265B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
| US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| JP6208469B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8872174B2 (en) | 2012-06-01 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| KR20150023547A (ko) | 2012-06-01 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 경보 장치 |
| US9135182B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central processing unit and driving method thereof |
| US9343120B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | High speed processing unit with non-volatile register |
| US9916793B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving the same |
| US9202926B2 (en) * | 2012-06-06 | 2015-12-01 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
| JP6002088B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2016-10-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
| US8901557B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102113160B1 (ko) | 2012-06-15 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9607330B2 (en) | 2012-06-21 | 2017-03-28 | Cinsay, Inc. | Peer-assisted shopping |
| US10789631B2 (en) | 2012-06-21 | 2020-09-29 | Aibuy, Inc. | Apparatus and method for peer-assisted e-commerce shopping |
| US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9379247B2 (en) * | 2012-06-28 | 2016-06-28 | Cbrite Inc. | High mobility stabile metal oxide TFT |
| WO2014002920A1 (en) | 2012-06-29 | 2014-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI596778B (zh) | 2012-06-29 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| US9742378B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit and semiconductor device |
| KR102082794B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치 |
| KR102161077B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8873308B2 (en) | 2012-06-29 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit |
| US9190525B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer |
| US9054678B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| US9083327B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
| KR102099262B1 (ko) | 2012-07-11 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법 |
| JP2014032399A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP6006558B2 (ja) | 2012-07-17 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| DE112013003606B4 (de) | 2012-07-20 | 2022-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
| KR20240138123A (ko) | 2012-07-20 | 2024-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
| JP6185311B2 (ja) | 2012-07-20 | 2017-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電源制御回路、及び信号処理回路 |
| WO2014013959A1 (en) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2014042004A (ja) | 2012-07-26 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| KR20140013931A (ko) | 2012-07-26 | 2014-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
| JP6224931B2 (ja) | 2012-07-27 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| IN2015DN01663A (ko) | 2012-08-03 | 2015-07-03 | Semiconductor Energy Lab | |
| WO2014021356A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10557192B2 (en) | 2012-08-07 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for using sputtering target and method for forming oxide film |
| US9885108B2 (en) | 2012-08-07 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming sputtering target |
| JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI581404B (zh) | 2012-08-10 | 2017-05-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法 |
| US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102171650B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2018-05-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| KR102099261B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2014057298A (ja) | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
| JP2014057296A (ja) | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
| US8872120B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
| KR102069683B1 (ko) | 2012-08-24 | 2020-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치 |
| DE102013216824B4 (de) | 2012-08-28 | 2024-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| US9625764B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
| KR20140029202A (ko) | 2012-08-28 | 2014-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| TWI657539B (zh) | 2012-08-31 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR102088865B1 (ko) | 2012-09-03 | 2020-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 마이크로 컨트롤러 |
| US8947158B2 (en) | 2012-09-03 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| DE102013217278B4 (de) | 2012-09-12 | 2017-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung |
| KR102400509B1 (ko) | 2012-09-13 | 2022-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US8981372B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
| US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
| TWI595659B (zh) | 2012-09-14 | 2017-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8927985B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI709244B (zh) | 2012-09-24 | 2020-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| WO2014046222A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| JP6290576B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| KR102226090B1 (ko) | 2012-10-12 | 2021-03-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치 |
| TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
| KR102094568B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제작 방법 |
| WO2014061567A1 (en) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| JP6021586B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6059501B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP6283191B2 (ja) | 2012-10-17 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102227591B1 (ko) | 2012-10-17 | 2021-03-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| DE112013005029T5 (de) | 2012-10-17 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür |
| US9166021B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5951442B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI591966B (zh) | 2012-10-17 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法 |
| JP2014082388A (ja) | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| KR102220279B1 (ko) | 2012-10-19 | 2021-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP6204145B2 (ja) | 2012-10-23 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6300489B2 (ja) | 2012-10-24 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TWI782259B (zh) | 2012-10-24 | 2022-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9865743B2 (en) | 2012-10-24 | 2018-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer |
| KR102279459B1 (ko) * | 2012-10-24 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2014065343A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2014065389A1 (en) | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
| JP6219562B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| KR102178068B1 (ko) | 2012-11-06 | 2020-11-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
| DE112013005331T5 (de) | 2012-11-08 | 2015-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metalloxidfilm und Verfahren zur Bildung eines Metalloxidfilms |
| TWI608616B (zh) | 2012-11-15 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6220641B2 (ja) | 2012-11-15 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI605593B (zh) | 2012-11-15 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI600157B (zh) | 2012-11-16 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6285150B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI620323B (zh) | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6317059B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
| KR102148549B1 (ko) | 2012-11-28 | 2020-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| TWI613759B (zh) | 2012-11-28 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| US9263531B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device |
| US9412764B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| TWI627483B (zh) | 2012-11-28 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電視接收機 |
| JP2014130336A (ja) | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR102248765B1 (ko) | 2012-11-30 | 2021-05-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9594281B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9246011B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9153649B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device |
| KR102207028B1 (ko) | 2012-12-03 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9406810B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP6320009B2 (ja) | 2012-12-03 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| CN103022146A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-04-03 | 华南理工大学 | 一种氧化物半导体材料及薄膜晶体管 |
| KR102112364B1 (ko) | 2012-12-06 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101980196B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2019-05-21 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| US9577446B2 (en) | 2012-12-13 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device |
| TWI611419B (zh) | 2012-12-24 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可程式邏輯裝置及半導體裝置 |
| KR102241249B1 (ko) | 2012-12-25 | 2021-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
| US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
| KR102370069B1 (ko) | 2012-12-25 | 2022-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2014103901A1 (en) | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9437273B2 (en) | 2012-12-26 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2014143410A (ja) | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR102495290B1 (ko) | 2012-12-28 | 2023-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI607510B (zh) | 2012-12-28 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| CN110137181A (zh) | 2012-12-28 | 2019-08-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| US9316695B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9391096B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI619010B (zh) | 2013-01-24 | 2018-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9190172B2 (en) | 2013-01-24 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5807076B2 (ja) | 2013-01-24 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6223198B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9466725B2 (en) | 2013-01-24 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9076825B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| US8981374B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI593025B (zh) | 2013-01-30 | 2017-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體層的處理方法 |
| KR102112367B1 (ko) | 2013-02-12 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI618252B (zh) | 2013-02-12 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9231111B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9190527B2 (en) * | 2013-02-13 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| US8952723B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device and semiconductor device |
| WO2014125979A1 (en) | 2013-02-13 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device and semiconductor device |
| US9318484B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI611566B (zh) | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
| US9293544B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having buried channel structure |
| TWI612321B (zh) | 2013-02-27 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置 |
| US9373711B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI611567B (zh) | 2013-02-27 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置 |
| JP6141777B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2014195243A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| KR102238682B1 (ko) | 2013-02-28 | 2021-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| JP2014195241A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9276125B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2014195060A (ja) | 2013-03-01 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置 |
| KR102153110B1 (ko) | 2013-03-06 | 2020-09-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체막 및 반도체 장치 |
| US9269315B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
| US8947121B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| TWI644433B (zh) | 2013-03-13 | 2018-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6283237B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2014142043A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device and semiconductor device |
| JP6298662B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102290247B1 (ko) | 2013-03-14 | 2021-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| JP2014199709A (ja) | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、半導体装置 |
| US9294075B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20150128823A (ko) | 2013-03-14 | 2015-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치 |
| TWI677193B (zh) | 2013-03-15 | 2019-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9786350B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US9577107B2 (en) | 2013-03-19 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film |
| US9153650B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor |
| JP6093726B2 (ja) | 2013-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9007092B2 (en) | 2013-03-22 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6355374B2 (ja) | 2013-03-22 | 2018-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2014157019A1 (en) | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6272713B2 (ja) | 2013-03-25 | 2018-01-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置 |
| US10347769B2 (en) | 2013-03-25 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes |
| JP6316630B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6376788B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP6395409B2 (ja) | 2013-03-27 | 2018-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2014209209A (ja) | 2013-03-28 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9368636B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers |
| JP6300589B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9112460B2 (en) | 2013-04-05 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device |
| JP6224338B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP6198434B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
| JP6280794B2 (ja) | 2013-04-12 | 2018-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
| TWI620324B (zh) * | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6333028B2 (ja) | 2013-04-19 | 2018-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び半導体装置 |
| US9915848B2 (en) | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP6456598B2 (ja) | 2013-04-19 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| TWI647559B (zh) | 2013-04-24 | 2019-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| US9893192B2 (en) | 2013-04-24 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6401483B2 (ja) | 2013-04-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP6396671B2 (ja) | 2013-04-26 | 2018-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI644434B (zh) | 2013-04-29 | 2018-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI631711B (zh) | 2013-05-01 | 2018-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR102222344B1 (ko) | 2013-05-02 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9882058B2 (en) | 2013-05-03 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2014181785A1 (en) | 2013-05-09 | 2014-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
| US9246476B2 (en) | 2013-05-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit |
| TWI621337B (zh) | 2013-05-14 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 信號處理裝置 |
| TWI618058B (zh) | 2013-05-16 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9312392B2 (en) | 2013-05-16 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI690085B (zh) | 2013-05-16 | 2020-04-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI679772B (zh) | 2013-05-16 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI638519B (zh) | 2013-05-17 | 2018-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可程式邏輯裝置及半導體裝置 |
| US9209795B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device and measuring method |
| US9454923B2 (en) | 2013-05-17 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10032872B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device |
| US9754971B2 (en) | 2013-05-18 | 2017-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| DE102014208859B4 (de) | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| KR20200038333A (ko) | 2013-05-20 | 2020-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102537022B1 (ko) | 2013-05-20 | 2023-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9647125B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI664731B (zh) | 2013-05-20 | 2019-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9343579B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9293599B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10416504B2 (en) | 2013-05-21 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR20160009626A (ko) | 2013-05-21 | 2016-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 그 형성 방법 |
| US9356156B2 (en) * | 2013-05-24 | 2016-05-31 | Cbrite Inc. | Stable high mobility MOTFT and fabrication at low temperature |
| TWI624936B (zh) | 2013-06-05 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP2015195327A (ja) | 2013-06-05 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6400336B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6475424B2 (ja) | 2013-06-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI649606B (zh) | 2013-06-05 | 2019-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
| JP6374221B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9773915B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102282108B1 (ko) | 2013-06-13 | 2021-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6368155B2 (ja) | 2013-06-18 | 2018-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
| TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
| US9035301B2 (en) | 2013-06-19 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| TWI633650B (zh) | 2013-06-21 | 2018-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9515094B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and semiconductor device |
| WO2014208476A1 (en) | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6352070B2 (ja) | 2013-07-05 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9312349B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9666697B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer |
| US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9293480B2 (en) | 2013-07-10 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| TWI622053B (zh) | 2013-07-10 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6400961B2 (ja) | 2013-07-12 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP6018607B2 (ja) | 2013-07-12 | 2016-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6322503B2 (ja) | 2013-07-16 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6516978B2 (ja) | 2013-07-17 | 2019-05-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9443592B2 (en) | 2013-07-18 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9395070B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Support of flexible component and light-emitting device |
| TWI608523B (zh) | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
| US9379138B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity |
| TWI632688B (zh) | 2013-07-25 | 2018-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
| US10529740B2 (en) | 2013-07-25 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer |
| TWI636309B (zh) | 2013-07-25 | 2018-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及電子裝置 |
| TWI573226B (zh) * | 2013-07-26 | 2017-03-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 薄膜電晶體基板及其製作方法 |
| TWI641208B (zh) | 2013-07-26 | 2018-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 直流對直流轉換器 |
| JP6460592B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置 |
| US9343288B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6410496B2 (ja) | 2013-07-31 | 2018-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マルチゲート構造のトランジスタ |
| TWI635750B (zh) | 2013-08-02 | 2018-09-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 攝像裝置以及其工作方法 |
| US9496330B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| JP2015053477A (ja) | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| JP6345023B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR102304824B1 (ko) | 2013-08-09 | 2021-09-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9601591B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP6329843B2 (ja) | 2013-08-19 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9374048B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device, and driving method and program thereof |
| TWI643435B (zh) | 2013-08-21 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置 |
| KR102232133B1 (ko) | 2013-08-22 | 2021-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9443987B2 (en) | 2013-08-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102244553B1 (ko) | 2013-08-23 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 용량 소자 및 반도체 장치 |
| TWI803081B (zh) | 2013-08-28 | 2023-05-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| WO2015030150A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit and semiconductor device |
| US9552767B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9360564B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| US9590109B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6426402B2 (ja) | 2013-08-30 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9449853B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer |
| JP6406926B2 (ja) | 2013-09-04 | 2018-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9607991B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10008513B2 (en) | 2013-09-05 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6345544B2 (ja) | 2013-09-05 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP6401977B2 (ja) | 2013-09-06 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102294507B1 (ko) | 2013-09-06 | 2021-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9590110B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ultraviolet light sensor circuit |
| KR102300974B1 (ko) | 2013-09-11 | 2021-09-09 | 에이아이바이, 인크. | 비디오 콘텐츠의 동적 바인딩 |
| TWI640014B (zh) | 2013-09-11 | 2018-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置 |
| US9893194B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9269822B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9805952B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR102448479B1 (ko) | 2013-09-13 | 2022-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| TWI646690B (zh) | 2013-09-13 | 2019-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9716003B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP6467171B2 (ja) | 2013-09-17 | 2019-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9269915B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9859439B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI677989B (zh) | 2013-09-19 | 2019-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| JP2015084418A (ja) | 2013-09-23 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI633668B (zh) | 2013-09-23 | 2018-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6570817B2 (ja) | 2013-09-23 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9425217B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6383616B2 (ja) | 2013-09-25 | 2018-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9799774B2 (en) | 2013-09-26 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Switch circuit, semiconductor device, and system |
| JP6392603B2 (ja) | 2013-09-27 | 2018-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| EP3050017A4 (en) | 2013-09-27 | 2017-06-21 | Cinsay, Inc. | Apparatus and method for supporting relationships associated with content provisioning |
| WO2015048375A1 (en) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Cinsay, Inc. | N-level replication of supplemental content |
| JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
| JP6386323B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2018-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TW202339281A (zh) | 2013-10-10 | 2023-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| CN103500710B (zh) * | 2013-10-11 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备 |
| US9293592B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9245593B2 (en) | 2013-10-16 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving arithmetic processing unit |
| TWI642170B (zh) | 2013-10-18 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
| TWI621127B (zh) | 2013-10-18 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 運算處理裝置及其驅動方法 |
| DE102014220672A1 (de) | 2013-10-22 | 2015-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| JP2015109424A (ja) | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液 |
| CN103531639B (zh) * | 2013-10-22 | 2016-09-07 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 |
| CN105659370A (zh) | 2013-10-22 | 2016-06-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| US9455349B2 (en) | 2013-10-22 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion |
| KR102244460B1 (ko) | 2013-10-22 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2015179247A (ja) | 2013-10-22 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2015060318A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP6625796B2 (ja) | 2013-10-25 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP6457239B2 (ja) | 2013-10-31 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9590111B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| JP6440457B2 (ja) | 2013-11-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6478562B2 (ja) | 2013-11-07 | 2019-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9385054B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device and manufacturing method thereof |
| JP2015118724A (ja) | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
| JP6393590B2 (ja) | 2013-11-22 | 2018-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6426437B2 (ja) | 2013-11-22 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6486660B2 (ja) | 2013-11-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2016001712A (ja) | 2013-11-29 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9882014B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US20150155313A1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6496132B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20180021926A (ko) | 2013-12-02 | 2018-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| DE112014005486B4 (de) | 2013-12-02 | 2024-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
| US9991392B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2016027597A (ja) | 2013-12-06 | 2016-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6537264B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI642186B (zh) | 2013-12-18 | 2018-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI666770B (zh) | 2013-12-19 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9379192B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6444714B2 (ja) | 2013-12-20 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR102283814B1 (ko) | 2013-12-25 | 2021-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI637484B (zh) | 2013-12-26 | 2018-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6402017B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20220163502A (ko) | 2013-12-26 | 2022-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2015097596A1 (en) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9960280B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9318618B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9397149B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9577110B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
| JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9349418B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| JP6488124B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN105849796B (zh) | 2013-12-27 | 2020-02-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
| KR20230065379A (ko) | 2013-12-27 | 2023-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6506961B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP6444723B2 (ja) | 2014-01-09 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
| KR102166898B1 (ko) | 2014-01-10 | 2020-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US9300292B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit including transistor |
| US9401432B2 (en) | 2014-01-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US9379713B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device and driving method thereof |
| KR102306200B1 (ko) * | 2014-01-24 | 2021-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2015114476A1 (en) | 2014-01-28 | 2015-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9929044B2 (en) | 2014-01-30 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP6523695B2 (ja) | 2014-02-05 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9929279B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
| TWI665778B (zh) | 2014-02-05 | 2019-07-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
| US9721968B2 (en) | 2014-02-06 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance |
| CN105960633B (zh) | 2014-02-07 | 2020-06-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、装置及电子设备 |
| TWI658597B (zh) | 2014-02-07 | 2019-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6534530B2 (ja) | 2014-02-07 | 2019-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9869716B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device comprising programmable logic element |
| JP2015165226A (ja) | 2014-02-07 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
| US10055232B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising memory circuit |
| DE112015000739T5 (de) | 2014-02-11 | 2016-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät |
| KR102317297B1 (ko) | 2014-02-19 | 2021-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치 |
| JP2015172991A (ja) | 2014-02-21 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
| US9817040B2 (en) | 2014-02-21 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measuring method of low off-state current of transistor |
| CN104867981B (zh) | 2014-02-21 | 2020-04-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备 |
| KR102329066B1 (ko) | 2014-02-28 | 2021-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기 |
| KR20160126991A (ko) | 2014-02-28 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
| US9564535B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
| US10074576B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
| US9294096B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20150104518A (ko) | 2014-03-05 | 2015-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레벨 시프터 회로 |
| JP6474280B2 (ja) | 2014-03-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10096489B2 (en) | 2014-03-06 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9537478B2 (en) | 2014-03-06 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9397637B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device |
| JP6625328B2 (ja) | 2014-03-06 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| KR102267237B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| US9653611B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9711536B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| WO2015132697A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6585354B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-10-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2015132694A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
| JP6442321B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器 |
| US9419622B2 (en) | 2014-03-07 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9443872B2 (en) | 2014-03-07 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2015136413A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9640669B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
| JP6560508B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6677449B2 (ja) | 2014-03-13 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| WO2015136418A1 (en) | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| US9324747B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| JP6525421B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6541376B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイスの動作方法 |
| JP6559444B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2015188071A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102367921B1 (ko) | 2014-03-14 | 2022-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 회로 시스템 |
| US9887212B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US9299848B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, RF tag, and electronic device |
| JP6509596B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-05-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20160132982A (ko) | 2014-03-18 | 2016-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| US9887291B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module |
| US9842842B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same |
| JP6495698B2 (ja) | 2014-03-20 | 2019-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
| TWI657488B (zh) | 2014-03-20 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置 |
| KR102332469B1 (ko) | 2014-03-28 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
| JP6487738B2 (ja) | 2014-03-31 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品 |
| TWI735206B (zh) | 2014-04-10 | 2021-08-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置及半導體裝置 |
| JP6541398B2 (ja) | 2014-04-11 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9674470B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device |
| JP6635670B2 (ja) | 2014-04-11 | 2020-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI646782B (zh) | 2014-04-11 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置 |
| US9768315B2 (en) | 2014-04-18 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device having the same |
| DE112015001878B4 (de) | 2014-04-18 | 2021-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
| KR102511325B1 (ko) | 2014-04-18 | 2023-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 동작 방법 |
| JP6613044B2 (ja) | 2014-04-22 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
| KR102380829B1 (ko) | 2014-04-23 | 2022-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
| US9780226B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102330412B1 (ko) | 2014-04-25 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
| TWI643457B (zh) | 2014-04-25 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6468686B2 (ja) | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
| CN103972299B (zh) * | 2014-04-28 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置 |
| US10043913B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device |
| TWI679624B (zh) | 2014-05-02 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US10656799B2 (en) | 2014-05-02 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and operation method thereof |
| JP6537341B2 (ja) | 2014-05-07 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6653997B2 (ja) | 2014-05-09 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示補正回路及び表示装置 |
| JP6722980B2 (ja) | 2014-05-09 | 2020-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および発光装置、並びに電子機器 |
| KR102333604B1 (ko) | 2014-05-15 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
| JP2015233130A (ja) | 2014-05-16 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板および半導体装置の作製方法 |
| JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、及び監視装置 |
| JP6580863B2 (ja) | 2014-05-22 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、健康管理システム |
| JP6616102B2 (ja) | 2014-05-23 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
| TWI672804B (zh) | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| WO2015181679A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10020403B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9874775B2 (en) | 2014-05-28 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| KR102418666B1 (ko) | 2014-05-29 | 2022-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
| JP6653129B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| JP6525722B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、電子部品、及び電子機器 |
| KR20150138026A (ko) | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6615490B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP6538426B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
| TWI646658B (zh) | 2014-05-30 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6537892B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| US9831238B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion |
| WO2015182000A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
| KR20170013240A (ko) | 2014-05-30 | 2017-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법 |
| KR102344782B1 (ko) | 2014-06-13 | 2021-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입력 장치 및 입출력 장치 |
| JP2016015475A (ja) | 2014-06-13 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| KR102437450B1 (ko) | 2014-06-13 | 2022-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기 |
| TWI663733B (zh) | 2014-06-18 | 2019-06-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體及半導體裝置 |
| TWI666776B (zh) | 2014-06-20 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置 |
| KR20150146409A (ko) | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기 |
| US9722090B2 (en) | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
| JP6545541B2 (ja) | 2014-06-25 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
| US10002971B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| US9647129B2 (en) | 2014-07-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN104122320A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种气体检测传感器件、显示面板及显示装置 |
| US9461179B2 (en) | 2014-07-11 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure |
| CN104241392B (zh) * | 2014-07-14 | 2017-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备 |
| CN106537604B (zh) | 2014-07-15 | 2020-09-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的显示装置 |
| JP6581825B2 (ja) | 2014-07-18 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
| JP2016029795A (ja) | 2014-07-18 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、撮像装置及び電子機器 |
| KR102352633B1 (ko) | 2014-07-25 | 2022-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치 |
| US9312280B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6527416B2 (ja) | 2014-07-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN112349211B (zh) | 2014-07-31 | 2023-04-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
| JP6555956B2 (ja) | 2014-07-31 | 2019-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
| US9705004B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9595955B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including power storage elements and switches |
| JP6652342B2 (ja) | 2014-08-08 | 2020-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6553444B2 (ja) | 2014-08-08 | 2019-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10147747B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
| US10032888B2 (en) | 2014-08-22 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device |
| US10559667B2 (en) | 2014-08-25 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device |
| KR102509203B1 (ko) | 2014-08-29 | 2023-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
| KR20230096127A (ko) | 2014-09-02 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
| KR102329498B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2016066065A (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
| US9766517B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and display module |
| JP6676316B2 (ja) | 2014-09-12 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9401364B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| JP2016066788A (ja) | 2014-09-19 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法 |
| KR20160034200A (ko) | 2014-09-19 | 2016-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| WO2016042433A1 (en) | 2014-09-19 | 2016-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US10071904B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
| US10141342B2 (en) | 2014-09-26 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| JP2016111677A (ja) | 2014-09-26 | 2016-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、無線センサ、及び電子機器 |
| WO2016046685A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| US10170055B2 (en) | 2014-09-26 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US9450581B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| KR20170068511A (ko) | 2014-10-06 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| US9698170B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
| WO2016055903A1 (en) | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, circuit board, and electronic device |
| KR102341741B1 (ko) | 2014-10-10 | 2021-12-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기 |
| US9991393B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, module, and electronic device |
| JP6645793B2 (ja) | 2014-10-17 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2016063159A1 (en) | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device |
| US10068927B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
| JP6615565B2 (ja) | 2014-10-24 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN107111970B (zh) | 2014-10-28 | 2021-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备 |
| TWI652362B (zh) | 2014-10-28 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物及其製造方法 |
| US9704704B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
| JP6780927B2 (ja) | 2014-10-31 | 2020-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
| US9548327B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer |
| US9584707B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
| US9438234B2 (en) | 2014-11-21 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device including logic circuit |
| TWI711165B (zh) | 2014-11-21 | 2020-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
| JP6563313B2 (ja) | 2014-11-21 | 2019-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| TWI841974B (zh) | 2014-11-21 | 2024-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR20230058538A (ko) | 2014-11-28 | 2023-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 모듈, 및 전자 기기 |
| JP6647841B2 (ja) | 2014-12-01 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物の作製方法 |
| US20160155849A1 (en) | 2014-12-02 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device |
| JP6667267B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6647846B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN104465785B (zh) * | 2014-12-09 | 2019-02-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管 |
| US9960283B2 (en) | 2014-12-09 | 2018-05-01 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Thin-film transistor |
| JP6833315B2 (ja) | 2014-12-10 | 2021-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| CN113793872A (zh) | 2014-12-10 | 2021-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| US9773832B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| JP6689062B2 (ja) | 2014-12-10 | 2020-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102260886B1 (ko) * | 2014-12-10 | 2021-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
| WO2016092416A1 (en) | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and electronic device |
| JP6676354B2 (ja) | 2014-12-16 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2016116220A (ja) | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| KR102581808B1 (ko) | 2014-12-18 | 2023-09-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 센서 장치, 및 전자 기기 |
| KR20170101233A (ko) | 2014-12-26 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링용 타깃의 제작 방법 |
| US10396210B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device |
| TWI686874B (zh) | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法 |
| CN107111985B (zh) | 2014-12-29 | 2020-09-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
| KR20160082173A (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US10522693B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and electronic device |
| US9443564B2 (en) | 2015-01-26 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| US9812587B2 (en) | 2015-01-26 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9954112B2 (en) | 2015-01-26 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI710124B (zh) | 2015-01-30 | 2020-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置及電子裝置 |
| US9647132B2 (en) | 2015-01-30 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
| CN107207252B (zh) | 2015-02-02 | 2021-04-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物及其制造方法 |
| KR102669385B1 (ko) | 2015-02-04 | 2024-05-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
| US9660100B2 (en) | 2015-02-06 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2016125044A1 (en) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device, manufacturing method thereof, and electronic device |
| JP6674269B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| JP6717604B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、中央処理装置及び電子機器 |
| WO2016128859A1 (en) | 2015-02-11 | 2016-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9818880B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| JP2016154225A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| WO2016128854A1 (en) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| JP6758844B2 (ja) | 2015-02-13 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9991394B2 (en) | 2015-02-20 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US10403646B2 (en) | 2015-02-20 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9489988B2 (en) | 2015-02-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| JP6711642B2 (ja) | 2015-02-25 | 2020-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6739185B2 (ja) | 2015-02-26 | 2020-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ストレージシステム、およびストレージ制御回路 |
| US9653613B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP6744108B2 (ja) | 2015-03-02 | 2020-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器 |
| KR102526654B1 (ko) | 2015-03-03 | 2023-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
| TWI718125B (zh) | 2015-03-03 | 2021-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| CN113223967A (zh) | 2015-03-03 | 2021-08-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置 |
| US9905700B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device or memory device and driving method thereof |
| JP2016225602A (ja) | 2015-03-17 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| US10008609B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
| CN107430461B (zh) | 2015-03-17 | 2022-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 触摸屏 |
| US9964799B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
| US10134332B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and driving method of display device |
| US10147823B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102582523B1 (ko) | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| JP6662665B2 (ja) | 2015-03-19 | 2020-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器 |
| JP6688116B2 (ja) | 2015-03-24 | 2020-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
| KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| US9842938B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including semiconductor device |
| CN104716198B (zh) * | 2015-03-25 | 2018-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 |
| US10096715B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device |
| US10429704B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module |
| TWI695513B (zh) | 2015-03-27 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
| US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6736321B2 (ja) | 2015-03-27 | 2020-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI777164B (zh) | 2015-03-30 | 2022-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| US9716852B2 (en) | 2015-04-03 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Broadcast system |
| US10389961B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
| US10372274B2 (en) | 2015-04-13 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
| KR102440302B1 (ko) | 2015-04-13 | 2022-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| TWI629791B (zh) * | 2015-04-13 | 2018-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件結構及其製作方法 |
| US10460984B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating electrode and semiconductor device |
| US10056497B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2016206659A (ja) | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法 |
| CN104795404B (zh) * | 2015-04-16 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法以及显示装置 |
| US10192995B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10002970B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same |
| US10671204B2 (en) | 2015-05-04 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and data processor |
| KR102549926B1 (ko) | 2015-05-04 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기 |
| JP6681780B2 (ja) | 2015-05-07 | 2020-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システムおよび電子機器 |
| DE102016207737A1 (de) | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand |
| TWI693719B (zh) * | 2015-05-11 | 2020-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| JP6935171B2 (ja) | 2015-05-14 | 2021-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US11728356B2 (en) | 2015-05-14 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and imaging device |
| US9627034B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
| US9837547B2 (en) | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
| WO2016189414A1 (en) | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| JP6773453B2 (ja) | 2015-05-26 | 2020-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
| JP2016225614A (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10139663B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and electronic device |
| KR102553553B1 (ko) | 2015-06-12 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기 |
| DE112016002769T5 (de) | 2015-06-19 | 2018-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronisches Gerät |
| US9860465B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
| US9935633B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| US10290573B2 (en) | 2015-07-02 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US9917209B2 (en) | 2015-07-03 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor |
| WO2017006207A1 (en) | 2015-07-08 | 2017-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2017022377A (ja) | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN105140271B (zh) * | 2015-07-16 | 2019-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
| US10501003B2 (en) | 2015-07-17 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, lighting device, and vehicle |
| US10985278B2 (en) | 2015-07-21 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US11189736B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10978489B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
| US11024725B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including metal oxide film |
| US10424671B2 (en) | 2015-07-29 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, circuit board, and electronic device |
| US10585506B2 (en) | 2015-07-30 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with high visibility regardless of illuminance of external light |
| CN106409919A (zh) | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
| US9825177B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask |
| JP6802656B2 (ja) | 2015-07-30 | 2020-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| US9911861B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device |
| US9876946B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
| JP6791661B2 (ja) | 2015-08-07 | 2020-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル |
| WO2017029576A1 (en) | 2015-08-19 | 2017-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2017041877A (ja) | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、および電子機器 |
| US9666606B2 (en) | 2015-08-21 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US9773919B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2017037564A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device |
| JP2017050537A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9911756B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage |
| JP6807683B2 (ja) | 2015-09-11 | 2021-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力パネル |
| SG10201607278TA (en) | 2015-09-18 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and electronic device |
| JP2017063420A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20180063084A (ko) | 2015-09-30 | 2018-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| WO2017064587A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel |
| WO2017064590A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9852926B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device |
| KR102609997B1 (ko) | 2015-10-23 | 2023-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 모듈 및 전자 기기 |
| WO2017068490A1 (en) | 2015-10-23 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US10007161B2 (en) | 2015-10-26 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| SG10201608814YA (en) | 2015-10-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
| US9741400B2 (en) | 2015-11-05 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device |
| JP6796461B2 (ja) | 2015-11-18 | 2020-12-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
| JP2018032839A (ja) | 2015-12-11 | 2018-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器 |
| JP6887243B2 (ja) | 2015-12-11 | 2021-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ |
| JP2017112374A (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、および電子機器 |
| WO2017103731A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
| US10177142B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device |
| WO2017115214A1 (en) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| KR20180099725A (ko) | 2015-12-29 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물막 및 반도체 장치 |
| JP2017135698A (ja) | 2015-12-29 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
| JP6851814B2 (ja) | 2015-12-29 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
| CN105576038A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置 |
| JP6827328B2 (ja) | 2016-01-15 | 2021-02-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| KR102419913B1 (ko) | 2016-01-18 | 2022-07-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물막, 반도체 장치, 및 표시 장치 |
| JP6839986B2 (ja) | 2016-01-20 | 2021-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP6822853B2 (ja) | 2016-01-21 | 2021-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び記憶装置の駆動方法 |
| US10411013B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
| US10700212B2 (en) | 2016-01-28 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof |
| US10115741B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US10250247B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| CN109121438B (zh) | 2016-02-12 | 2022-02-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
| JP6970511B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
| KR20170096956A (ko) | 2016-02-17 | 2017-08-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 기기 |
| US10263114B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
| WO2017149413A1 (en) | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN108780818B (zh) | 2016-03-04 | 2023-01-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置 |
| JP6904730B2 (ja) | 2016-03-08 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
| US9882064B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and electronic device |
| US10096720B2 (en) | 2016-03-25 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
| US10942408B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device |
| US11302717B2 (en) * | 2016-04-08 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the same |
| WO2017178923A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| US10236875B2 (en) | 2016-04-15 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for operating the semiconductor device |
| KR102358829B1 (ko) | 2016-05-19 | 2022-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터 |
| KR102296809B1 (ko) | 2016-06-03 | 2021-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
| KR102330605B1 (ko) | 2016-06-22 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US10411003B2 (en) | 2016-10-14 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN106298546A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示面板 |
| CN114115609B (zh) | 2016-11-25 | 2024-09-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其工作方法 |
| CN106601786B (zh) * | 2016-11-26 | 2020-08-14 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 |
| WO2019025893A1 (ja) | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
| JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
| CN108183132A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种igzo薄膜晶体管制备方法 |
| KR20200101964A (ko) | 2018-01-05 | 2020-08-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| CN112041776B (zh) | 2018-01-24 | 2022-06-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、电子构件及电子设备 |
| US11209877B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrical module, display panel, display device, input/output device, data processing device, and method of manufacturing electrical module |
| WO2020012276A1 (ja) | 2018-07-09 | 2020-01-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP7399857B2 (ja) | 2018-07-10 | 2023-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池の保護回路 |
| US11988720B2 (en) | 2018-12-20 | 2024-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and battery pack |
| CN109742151B (zh) * | 2018-12-29 | 2020-03-06 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板 |
| WO2020217130A1 (ja) | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および電子機器 |
| US12089459B2 (en) | 2019-05-10 | 2024-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
| WO2020240331A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および当該半導体装置を備えた無線通信装置 |
| US20220013670A1 (en) * | 2019-06-04 | 2022-01-13 | Applied Materials, Inc. | Thin-film transistor |
| WO2021045759A1 (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor composite layers |
| US20210376156A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Raised source/drain oxide semiconducting thin film transistor and methods of making the same |
| DE102021108615A1 (de) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Erhöhter source/drain-oxidhalbleiterdünnfilmtransistor und verfahren zur herstellung davon |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998656B2 (en) * | 2003-02-07 | 2006-02-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent double-injection field-effect transistor |
| WO2002016679A1 (fr) | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Matiere semi-conductrice polycristalline |
| JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
| CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
| KR101023491B1 (ko) | 2002-05-21 | 2011-03-21 | 더 스테이트 오브 오레곤 액팅 바이 앤드 쓰루 더 스테이트 보드 오브 하이어 에쥬케이션 온 비해프 오브 오레곤 스테이트 유니버시티 | 트랜지스터 구조 및 그 제조 방법 |
| JP4620046B2 (ja) | 2004-03-12 | 2011-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
| JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
-
2007
- 2007-05-29 KR KR1020070052226A patent/KR101345376B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-03 US US11/987,610 patent/US7923722B2/en active Active
-
2011
- 2011-03-04 US US13/064,080 patent/US8349647B2/en active Active
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9136390B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101328423B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2013-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스형 표시 장치 |
| US11715801B2 (en) | 2009-03-06 | 2023-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20230019173A (ko) * | 2009-03-06 | 2023-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US11309430B2 (en) | 2009-03-06 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20200090685A (ko) * | 2009-03-06 | 2020-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그것을 포함하는 전자 기기 |
| KR20100103414A (ko) * | 2009-03-13 | 2010-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101338099B1 (ko) * | 2009-06-11 | 2013-12-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서 |
| KR20200096679A (ko) * | 2009-10-09 | 2020-08-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9679768B2 (en) | 2009-10-21 | 2017-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing hydrogen from oxide semiconductor layer having insulating layer containing halogen element formed thereover |
| KR20110052939A (ko) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR20110053739A (ko) * | 2009-11-16 | 2011-05-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US10263120B2 (en) | 2009-11-28 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing liquid crystal display panel |
| US11133419B2 (en) | 2009-11-28 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US12080802B2 (en) | 2009-11-28 | 2024-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising silicon and oxide semiconductor in channel formation region |
| US9214520B2 (en) | 2009-11-28 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8779420B2 (en) | 2009-11-28 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11710795B2 (en) | 2009-11-28 | 2023-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor with c-axis-aligned crystals |
| US9887298B2 (en) | 2009-11-28 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10079310B2 (en) | 2009-11-28 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including stacked oxide semiconductor material |
| US8748881B2 (en) | 2009-11-28 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10347771B2 (en) | 2009-11-28 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
| US10608118B2 (en) | 2009-11-28 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20110064701A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 서울대학교산학협력단 | 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치 |
| US8319217B2 (en) | 2009-12-15 | 2012-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic electroluminescent device including the same |
| KR101035357B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 |
| KR20110078596A (ko) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
| US9184090B2 (en) | 2010-06-04 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor display panel and manufacturing method of the same |
| US9117727B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-08-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors |
| KR20120076062A (ko) * | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR101372734B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2014-03-13 | 연세대학교 산학협력단 | 액상공정을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US9331165B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-05-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin-film transistor (TFT), manufacturing method thereof, array substrate, display device and barrier layer |
| KR20150031206A (ko) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터, 클록드 인버터 회로, 순서 회로, 및 순서 회로를 구비한 반도체 장치 |
| WO2021015377A1 (ko) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | 연세대학교 산학협력단 | 산소 분압 조절을 통한 이종접합 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR20220001468A (ko) * | 2020-06-29 | 2022-01-05 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 3d 디바이스에서의 산화물 반도체 트랜지스터 구조체 및 그 형성 방법 |
| US11721767B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Oxide semiconductor transistor structure in 3-D device and methods of forming the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110159646A1 (en) | 2011-06-30 |
| US8349647B2 (en) | 2013-01-08 |
| US20080296568A1 (en) | 2008-12-04 |
| KR101345376B1 (ko) | 2013-12-24 |
| US7923722B2 (en) | 2011-04-12 |
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