KR20010089452A - 트랜지스터 및 반도체장치 - Google Patents

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Abstract

산화아연 등의 투명 채널층을 사용한 일부 또는 전부가 투명한 트랜지스터를 제공한다. 채널층(11)은 예를 들면 산화아연 ZnO 등의 투명한 반도체로 형성된다. 소스(12), 드레인(13) 또는 게이트(14)는 각각의 내부, 전부 또는 일부에 투명전극이 사용된다. 투명전극으로는, 예를 들면, Ⅲ족 원소 등을 도프한 도전성 ZnO 등의 투명 도전성재료가 사용된다. 게이트절연층(15)으로는, 예를 들면, 1가의 가수를 취할 수 있는 원소 또는 Ⅴ족 원소를 도프한 절연성 ZnO 등의 투명절연성재료가 사용된다. 기판(16)은 투명으로 할 경우, 투명한 재료로는 예를 들면, 글라스, 사파이어, 플라스틱 등을 사용할 수 있다.

Description

트랜지스터 및 반도체장치{Transistor and Semiconductor Device}
기술분야
본 발명은 트랜지스터 및 반도체장치에 관한 것으로, 특히, 투명트랜지스터와, 투명트랜지스터를 적층한 반도체장치, 및 투명트랜지스터를 발광소자의 구동용 또는 메모리의 판독용 등에 응용한 반도체장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명에 있어서, 설명을 간략히 하기 위해 「투명」이라는 개념에는 「투명 또는 투광성을 갖는」이라는 개념이 포함되는 것으로 한다.
배경기술
일반적으로 액정표시 디바이스의 구동용 등의 트랜지스터로는, 아몰퍼스 실리콘이나 다결정 실리콘 등을 사용한 박막트랜지스터가 사용되고 있다. 이들 재료는 가시광영역에 광감도를 갖고 있으므로 빛에 의해 캐리어가 생성되어 저항이 낮아진다. 이 때문에 빛이 조사되면 트랜지스터가 오프 상태로 제어되어 있음에도 불구하고, 온 상태로 되는 경우가 있다. 그래서 트랜지스터를 오프 상태로 지속하기 위해 종래에는 금속피막 등의 빛 차단층을 사용하여 빛에 의한 캐리어 저항의 저하를 방지하고 있다.
발명의 개시
일반적으로 액정표시 디바이스는 노트형 퍼스컴 등에 많이 사용되고 있고, 에너지 절약화, 고휘도화 및 소형화가 요구되고 있다. 이를 위해서는 단위화소에 차지하는 유효한 표시부 면적의 비율을 향상시키는 것이 효과적이다. 그러나 상술한 바와 같이 구동용 등의 트랜지스터에서는 금속박막 등의 빛 차단층이 형성되기 때문에 화소의 면적비율(개구율)이 감소한다. 따라서 휘도가 밝은 표시소자의 개발에는 트랜지스터의 고성능화에 의한 트랜지스터 면적의 축소, 또는 백라이트의 고휘도화가 필요했다. 그러나 트랜지스터의 고성능화에 따른 대책에서는 원료에 대한 제품비율의 한계가 있고, 코스트가 상승하게 된다. 또한, 백라이트를 밝게 하는데 따른 대책에서는 에너지 소비량이 많아지게 된다.
본 발명은 이상의 점을 감안하여 종래에 곤란했던 산화아연의 배향제어나 가전자(價電子)제어가 현재는 가능하게 되었기 때문에, 산화 아연 등의 투명채널층을 사용한 일부 또는 전부가 투명한 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 즉 본 발명은 채널층(도전층)에 투명한 산화아연 등의 재료를 사용함으로써, 가시광영역에 광감도를 갖지 않도록 하고, 차광층을 형성할 필요가 없고, 액정표시 디바이스 등의 표시부의 면적비율을 향상시키도록 한 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 투명트랜지스터를 면발광 레이저나 전기발광 소자 등의 발광소자의 구동용, 메모리용 등과 같이 광디바이스 분야에서의 다양한 응용에 사용하는 것을 목적으로 한다. 더욱이 본 발명은 광차단층을 필요로 하지 않는 구동회로뿐만 아니라 투명한 전자소자로서 각종의 폭 넓은 응용에 사용할 수 있는 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 해결수단에 따르면,
산화아연 ZnO, 산화마그네슘아연 MgxZn1-xO, 산화카드뮴아연 CdxZn1-xO, 산화카드뮴 CdO 중 어느 것인가를 사용한 투명채널층과,
Ⅲ족원소 또는 Ⅶ족원소 또는 Ⅰ족원소 또는 Ⅴ족원소 중 어느 것인가를 도프하거나 또는 도프하지 않는 도전성 산화아연 ZnO 등의 투명도전성재료, In₂O₃또는 SnO₂ 또는 (In - Sn)Ox등의 투명도전체, 또는 투명하지 않는 전극재료를 그 전부 또는 일부에 사용한 소스 및 드레인 및 게이트를 구비한 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 제2의 해결수단에 따르면,
Ⅲ족원소 또는 Ⅶ족원소를 도프한 산화아연 ZnO 등의 투명 n형 반도체에 의해 형성된 에미터 및 컬렉터 또는 베이스와,
Ⅰ족원소 또는 Ⅴ족원소를 도프한 산화아연 ZnO 등의 투명 p형 반도체에 의해 형성된 베이스, 또는 에미터 및 컬렉터와,
Ⅲ족원소 또는 Ⅶ족원소 또는 Ⅰ족원소 중 어느 것인가를 도프하거나 또는 도프하지 않는 도전성 산화아연 ZnO 등의 투명도전성재료, In₂O₃ 또는 SnO₂또는 (In - Sn)Ox등의 투명도전체, 또는 투명하지 않는 전극재료를 그 전부 또는 일부에 사용하고, 상기 베이스, 에미터 및 컬렉터에 각각 형성된 베이스전극 및 에미터전극 및 컬렉터전극를 구비한 트랜지스터를 제공한다.
더욱이 본 발명은 투명트랜지스터를 적층한 반도체장치, 발광소자 및 메모리 등에 응용한 반도체장치를 제공한다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명에 따른 트랜지스터의 제1 실시형태의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제2 및 제3 실시형태의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 트랜지스터의 제4 실시형태의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제5 실시형태의 단면도이다.
도 5는 적층형 반도체장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 FET를 발광소자의 구동에 적용한 반도체장치의 단면도 및 회로도이다.
도 7은 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터를 발광소자의 구동에 적용한 반도체장치의 단면도 및 회로도이다.
도 8은 본 발명에 따른 FET를 메모리소자의 제어에 적용한 디바이스의 단면도 및 회로도이다.
도 9는 발명의 트랜지스터의 특성도이다.
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
(1) 전해효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)
도 1에서는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제1 실시형태의 단면도를 나타낸다. 도 1(A)에 도시된 바와 같이 제1 실시형태의 트랜지스터는 FET에 관한 것이며, 채널층(11), 소스(12), 드레인(13), 게이트(14), 게이트절연층(15), 기판(16)을 구비하고 있다. 기판(16)위에는 채널층(11)이 형성된다. 채널층(11)에는 게이트절연층(15), 소스(12) 및 드레인(13)이 형성된다. 게이트절연층(15)위에는 게이트(14)가 형성된다.
도 1(B)에는 제1 실시형태의 변형예가 도시되어 있다. 이 트랜지스터는 기판(16)위에 채널층(11)이 형성된다. 또한 채널층(11)에는 소스(12) 및 드레인(13)이 옴 접합(Ohmic Contact)에 의해, 게이트(14)가 쇼트키 접합(Schottky Contact)에 의해 각각 형성된다. 이 예에서는 도 1(A)와 비교하여 게이트절연층(15)이 없기 때문에 소스(12) 및 드레인(13)과 게이트(14)와의 사이는 적당한 간격이 마련된다.
이하에 각 구성요소의 재료에 대하여 설명한다.
첫째, 채널층(11)은 투명한 반도체로 형성된다. 투명한 채널층의 재료로서는 , 예를 들면, 산화아연 ZnO, 산화마그네슘아연 MgxZn1-xO, 산화카드뮴아연 CdxZn1-xO, 산화카드뮴 CdO 중 어느 것인가를 사용할 수 있다. 이들 재료는 n형, p형, 도프 유 또는 도프 무의 어느 것이라도 좋다.
둘째, 소스(12), 드레인(13) 또는 게이트(14)는 각각의 내부, 전부 또는 일부에 투명전극이 사용된다. 투명전극으로는, 예들 들면, Ⅲ족원소(B, Al, Ga, In,Ti), Ⅶ족원소(F, Cl, Br, I), Ⅰ족원소(Li, Na, K, Rb, Cs), Ⅴ족원소(N, P, As, Sb, Bi) 중 어느 것인가를 도프한 도전성 ZnO, 또는 각종원소를 도프하지 않는 도전성 ZnO 등의 투명도전성재료가 사용된다. 여기서 이들 원소를 도프할 경우, 도프량은 적절히 설정할 수 있다(예를 들면, 고농도로 n형을 도프한 n++- ZnO 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다). 또한, 소스(12), 드레인(13) 또는 게이트(14)로서는 그 외에 In₂O₃, SnO₂, (In - Sn)Ox등의 투명도전체를 사용할 수 있다. 또한 투명한 재료 이외에도 Al, Cu 등의 금속이나, 높게 도프한 반도체 폴리실리콘 등의 투명하지 않는 전극재료를 사용하여도 좋다. 또한 일부는 투명한 재료를 채용하고, 일부는 투명하지 않는 재료를 채용하는 것도 가능하다.
셋째, 게이트절연층(15)으로는, 예를 들면 1가의 가수를 취할 수 있는 원소 또는 Ⅴ족원소를 도프한 절연성 ZnO 등의 투명절연성재료가 사용된다. 1가의 가수를 취할 수 있는 원소로는, 예를 들면 Ⅰ족원소(Li, Na, K, Rb, Cs), Cu, Ag, Au 등이 있다. V족원소로는, N, P, As, Sb, Bi 등이 있다. 게이트절연층(15)으로는, 그 외에도, Al2O3, MgO, CeO2,ScAlMgO4,SiO2, 등의 투명 절연성 산화물을 사용할 수 있다. 또한 비닐, 플라스틱 등의 투명한 절연체를 사용해도 좋다. 또 게이트절연층(15)은 채널층(11)의 재료와 격자 매칭이 우수한 고절연성의 재료가 바람직하다. 산화아연을 채널층으로 한 경우, 예를 들면 ScAlMgO4등이 사용된다. 이들은, 전체의 면내부의 격자정수가 1%이내에서 일치하고, 서로 에피택셜 성장(epitactial growth)이 가능하다. 그리고, 게이트절연층(15)에, 강유전성의 재료를 사용함에 따라 트랜지스터 자체가 메모리 기능을 갖도록 할 수 있다. 강유전성의 재료로서 예를 들면 Zn1-xLixO, Zn1-x(LiyMgx-y)O 등을 사용할 수 있다.
넷째, 기판(16)은 주로 절연성 재료가 사용된다. 기판을 투명으로 할 경우, 투명한 재료로는, 예를 들면 글라스, 사파이어, 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 또 기판은, 용도에 따라서는, 투명하지 않은 재료를 사용하여도 좋다. 예를 들면, 액정표시화면 등과 같이 투명성이 요구되는 것과 같은 용도에는 투명기판을 사용하면 좋다. 기판(16)으로서 최고성능인 재료의 하나로서, 예를 들면 산화아연 단결정 또는 ScAlMgO4단결정을 사용하면, 그 기판위에 투명채널층(11) 또는 소스(12) 및 드레인(13)등을 에피택셜 성장시킬 수 있다. 사파이어 단결정의 기판 위에도, 약간의 입계(粒界)는 존재하지만, 채널층(11)등을 에피택셜 성장시키는 것이 가능하다. 그리고, 글라스 기판 위에도, 면내의 배향 방향으로 임의성이 있지만, 막두께 방향으로는 배향제어가 가능하고, 표시소자의 구동회로로는 충분한 특성을 나타낼 수 있다.
도 2에는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제2 및 제3 실시형태의 단면도가 도시되어 있다. 도 2(A)에 도시된 제2 실시형태의 트랜지스터는 FET에 관한 것으로, 채널층(21), 소스(22), 드레인(23), 게이트(24), 게이트절연층(25), 기판(26)을 구비하고 있다. 기판(26)위에 소스(22) 및 드레인(23)이 형성된다. 이들을 덮기 위해 채널층(21)이 형성된다. 채널층(21)에는 게이트절연층(25)이 더 형성된다. 게이트절연층(25) 위에는 게이트(24)가 형성된다. 여기에서는 게이트(24),게이트절연층(25) 및 채널층(21)이 MIS 구조로 되어있다.
도 2(B)에는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제3 실시형태의 단면도가 도시되어있다. 이 트랜지스터는 제 2실시형태의 변형이고, 도 2(A)에 도시된 트랜지스터와는, 게이트절연층(25)이 형성되어 있지 않고, 게이트(24)와 채널층(21)이 쇼트키 접합한 구조로 되어있다. 도 2(A)와 같이 게이트절연층(25)을 갖는 경우는, 게이트의 인가전압의 제한이 적다. 이에 대해 도2(B)와 같이 게이트절연층(25)을 갖지 않을 경우는, 게이트-소스 사이 및 게이트-드레인 사이의 절연내압이 낮게된다. 그리고 이 경우는 제조프로세스가 간단하다.
도 3에는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제4 실시형태의 단면도가 도시되어 있다. 제4 실시형태의 트랜지스터는 FET에 관한 것이고, 채널층(31), 소스(32), 드레인(33), 게이트(34), 게이트절연층(35), 기판(36)을 구비하고 있다. 기판(36) 위에 채널층(31)이 형성된다. 채널층(31)에는, 게이트 절연층(35)이 형성되고, 게이트절연층(35) 위에는, 게이트(34)가 형성된다. 소스(32) 및 드레인(33)은, 예를 들면, 게이트절연층(35)을 마스크로 하는 확산 또는 이온주입 등에 의해 형성될 수 있다. 또한 이 실시예의 변형으로서 게이트(34)의 사이즈를 적절히 설정함으로써, 게이트절연층(35)을 생략할 수 있다.
그리고 상술한 제2∼제4 실시형태에 있어서, 각 구성요소의 재료는 제1 실시형태에서 설명한 것과 같다.
(2)바이폴라 트랜지스터
도 4는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제5 실시형태의 단면도를 도시한다. 제5 실시형태의 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 베이스(41), 에미터(42) 및 콜렉터(43), 베이스전극(44), 에미터전극(45) 및 콜렉터전극(46), 기판(47)을 구비하고 있다.
npn형 트랜지스터에서는, 에미터(42) 및 콜렉터(43)는 n형 투명반도체에 의해 형성되고, 베이스(41)는 p형 투명반도체에 의해 형성된다. 베이스전극(44), 에미터전극(45) 및 콜렉터전극(46)은 베이스(41), 에미터(42) 및 콜렉터(43)위에 각각 형성된다. 마찬가지로, pnp형 트랜지스터에서는, 괄호내에 표시한 바와 같이, 에미터(42) 및 콜렉터(43)는 p형 투명반도체에 형성되고, 베이스(41)는 n형 투명반도체에 의해 형성된다. 바이폴라 트랜지스터는 FET와 비교해서 큰 전류를 흐르게 할 수 있으므로, 레이저 구동 등의 큰 전류를 필요로 할 경우에 특히 유리하다.
이하 각 구성요소의 재료에 대하여 설명한다.
n형 투명반도체로는, 예를 들면 n형 ZnO가 사용된다. n형 ZnO은, 예를 들면 Ⅲ족원소(B, Al, Ga, In, Tl), Ⅶ족원소(F, Cl, Br, I)를 도프한 ZnO이다. p형 투명반도체로는, 예를 들면 p형 ZnO가 사용된다. p형 ZnO는, 예를 들면 Ⅰ족원소(Li, Na, K, Rb, Cs), Ⅴ족원소(N, P, As, Sb, Bi)를 도프한 ZnO이다. 이들 각원소의 도프량은, 소자의 치수, 두께, 집적도, 성능 등에 따라 적절한 량으로 할 수 있다.
베이스전극(44), 에미터전극(45) 및 콜렉터전극(46)의 재료는, 제1의 실시형태에서 설명한 소스(12), 드레인(13) 또는 게이트(14)의 재료와 동일하다. 즉, 투명전극으로는, 예를 들면 Ⅲ족원소(B, Al, Ga, In, Tl), Ⅶ족원소(F, Cl, Br, I),Ⅰ족원소(Li, Na, K, Rb, Cs)의 어느 것인가를 도프한 도전성 ZnO, 또는 각종 원소를 도프하지 않은 도전성 ZnO 등의 투명도전성재료가 사용된다. 여기에서, 이들 원소를 도프할 경우, 도프량은 적절히 설정할 수 있다(예컨대, 고농도로 n형을 도프한 n++-ZnO 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않음). 더욱이, 베이스전극(44), 에미터전극(45) 및 콜렉터전극(46)으로서는, 그 외에 In2O3,SnO2, (In-Sn)Ox등의 투명도전체를 사용할 수 있다. 또한 투명한 재료이외에도, Al, Cu 등의 금속이나, 높게 도프한 반도체 폴리 실리콘 등의 투명하지 않는 전극재료를 사용하여도 좋다. 그리고, 투명 또는 투명하지 않는 재료를 이들 전극의 전부 또는 일부에 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
(3) 적충형 반도체장치
도 5는 적충형 반도체장치의 단면도를 도시하고 있다. 이것은, 하나의 예로서 제1 실시형태의 트랜지스터를 적층한 경우를 나타낸다. 즉 채널층(11), 소스(12), 드레인(13), 게이트(14), 게이트절연층(15) 및 기판(16)을 구비한 트랜지스터 위에 제 2의 트랜지스터가 더 형성된다. 그 때 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터 사이에는 절연층(57) 및 도전차폐층(58)이 형성된다. 도전차폐층(58)은, 제1과 제2의 트랜지스터를 전기적으로 차폐하는 것이다. 제2의 트랜지스터로는, 기판으로 된 절연층(59)이 형성되고, 그 위에 제2의 소스(52), 제2의 드레인(53)이 형성된다. 또한 이들을 덮기 위해 제2의 채널층(51)이 형성되고 그 위에 제2의 게이트절연층(55) 및 제2의 게이트(54)가 형성된다.
절연층(57, 59)의 재료는 게이트절연층(15)과 동일한 것이어도 좋고, 투명기판(16)과 동일한 다른 절연재료를 사용해도 좋다. 도전차폐층(58)의 재료는 소스(12), 드레인(13) 및 게이트(14)등과 동일한 것을 사용할 수 있다. 또, 절연층(57 또는 59)을 채널층(11)(또는 채널층(11)과 게이트절연층(15))의 두께보다 충분히 두껍게 함으로써 도전차폐층(58) 및 절연층(59 또는 57)을 생략할 수 있다.
트랜지스터를 적층할 때는 채널층(11), 제2의 채널층(51) 또는 절연층(57)등을 필요에 따라 적절히 평탄화시키면 좋다. 그리고 평탄화 프로세스가 가해지면 코스트증가의 가능성이 있으므로 이들 중에서 적절한 층만을 평탄화하도록 해도 좋다. 또, 적층할 트랜지스터의 수는 필요에 따라 적절한 개수를 중첩할 수 있다. 그리고 상술한 제1∼제5의 실시형태의 트랜지스터를 적절히 선택하여 적층할 수 있다. 게다가 복수 종류의 트랜지스터를 선택하여 혼합하고 적층해도 좋다.
(4) 발광소자의 적용
도 6(A) 및 (B)는 본 발명에 따른 FET를 발광소자의 구동에 적용한 반도체 장치의 단면도 및 회로도를 도시하고 있다. 도 6(A)의 단면도의 a, b 및 c는 도 6(B)의 회로도의 a, b 및 c에 대응한다. 이 디바이스에서는 채널층(61), 소스(62), 드레인(63), 게이트(64), 게이트절연층(65) 및 기판(66)에 의해 트랜지스터가 형성된다. 게다가 드레인(63)의 영역 위에 반도체층(67)이 형성됨으로써, 드레인(63)과반도체층(67)에서 발광부가 형성된다. 또한 소스전극(68), 게이트전극(69) 및 발광부전극(60)이 설치되어 있다. 발광부로서는, 드레인(63)으로서 n형 반도체를 사용한 경우는, 반도체층(67)은 p형 반도체를 사용한다. 한편, 드레인(63)으로서 p형 반도체를 사용한 경우는 반도체층(67)은 n형 반도체를 사용한다.
반도체층(67)에 게이트(64)와 동일하게 투명한 반도체 재료를 사용하고, 발광부전극(60)에 투명한 전극재료를 사용함으로써 발광부는 도면에서 위 방향으로 면발광이 가능하게 된다. 또한 기판(66)을 투명한 재료로 함으로써, 발광부는 도면에서 아래방향으로 면발광이 가능하게 된다. 게다가 발광영역이 자외선영역 등이라면, 형광체를 발광부의 위 또는 아래(즉, 반도체층(67)이나 발광부전극(60)의 위 또는 기판(66)의 아래) 등에 배치함으로써, 가시광으로 변환할 수 있다.
도 7(A) 및 (B)는 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터를 발광소자의 구동에 적용한 반도체장치의 단면도 및 회로도를 도시하고 있다. 도 7(A)의 단면도의 a, b 및 c는 도 7(B)의 회로도의 a, b 및 c에 대응한다. 이 디바이스에서는 베이스(71), 에미터(72) 및 콜렉터(73), 베이스전극(74) 및 콜렉터전극(76), 기판(77)에 의해 트랜지스터가 형성된다. 게다가 에미터(72)의 영역 위에, 반도체(78)가 형성됨으로써, 에미터(72)와 반도체층(78)에서 발광부가 형성된다. 또, 반도체층(78)에는, 발광부전극(79)이 형성된다. 에미터(72)로서 n형 반도체를 사용한 경우는, 반도체층(78)은 p형 반도체를 사용한다. 한편 에미터(72)로서 p형 반도체를 사용한 경우는 반도체층(78)은 n형 반도체를 사용한다.
반도체층(78)에 베이스(71)와 동일하게 투명한 반도체재료를 사용하고, 발광부전극(79)에 투명한 전극재료를 사용함으로써, 발광부는 도면에서 위쪽 방향으로 면발광이 가능하게 된다. 또 기판(77) 등을 투명한 재료로 함으로써, 발광부는 도면에서 아래쪽 방향으로 면발광이 가능하게 된다. 게다가 발광영역이 자외선영역 등이면, 형광체를 발광부의 위쪽 또는 아래쪽(즉, 반도체층(78)이나 발광부전극(79)의 위쪽 또는 기판(77)의 아래쪽) 등에 배치함으로써, 가시광으로 변환하는 것이 가능하다.
또, 제1∼제3의 실시형태의 트랜지스터에 있어서도, 마찬가지로, 발광부를 형성하여 구동용으로서 조합시킬 수 있다. 또한 상술한 설명에서는, 발광부의 일부에 소스 또는 드레인(콜렉터 또는 에미터)과 연속한 영역을 사용했으나, 이에 한정하지 않고, 소스 또는 드레인(콜렉터 또는 에미터)과 접속된 다른 반도체의 영역을 형성하고 이를 발광부의 일부로서 사용하여도 좋다. 또 발광부는 발광 다이오드에서도 레이저 다이오드여도 좋고, 적절한 발광 디바이스를 형성할 수 있다. 게다가 본 발명을 적용하면, 투명한 트랜지스터에 의해 투명한 ZnO 발광소자를 구동함으로써, 전부 투명한 반도체장치를 작성할 수 있다. 또한, 일부를 투명하게 하는 것도 가능하다.
또한, 발광부로서는 다층 반사막이나, 더블 헤테로 구조, 면발광 레이저 구조 등, 적절한 구성을 채용하여 조합시킬 수 있다. 그리고 발광부 및 트랜지스터를 복수 개의 매트릭스 형태로 배열하여, 각 발광부를 각각 투명한 트랜지스터로 구동함으로써 디스플레이, 조명패널, 부분조광 조명패널 등에 적절히 응용할 수 있다.
(5) 메모리로의 적용
도 8(A) 및 (B)는 본 발명에 따른 FET를 메모리소자의 제어에 적용한 디바이스의 단면도 및 회로도를 도시하고 있다. 도 8(A)의 단면도의 a, b 및 c는 도 8(B)의 회로도의 a, b 및 c에 대응한다. 이 디바이스에서는 채널층(81), 소스(82), 드레인(83), 게이트(84), 게이트절연층(85) 및 기판(86)에 의해 트랜지스터가 형성된다. 소스(82) 위에는 이와 동일한 투명도전성재료에 의한 도전층(88)이 형성된다. 게다가 드레인 (83) 영역 위에 게이트절연층(85)을 통해 반도체층 또는 도체층(87)이 형성되고, 이들 구성요소에 의해 콘덴서가 형성된다. 여기에서는 콘덴서의 전극간 절연체로서 게이트절연층(85)을 사용하고 있으나, 이들과는 별도의 절연층을 형성하여 사용해도 좋다. 또한 콘덴서의 전극으로는 드레인 또는 소스와 연속한 영역을 사용하여도 좋고, 드레인 또는 소스와 접속된 기타의 반도체영역 또는 도체영역을 사용하여도 좋다. 콘덴서를 형성하는 전극재료로는, 투명재료이거나 투명하지 않는 재료라도 좋고, 일부 투명재료를 사용해도 좋다. 이들 각 층 또는 영역에 대하여 적절하게 투명한 재료를 사용함으로써 전체 또는 일부가 투명한 메모리를 작성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터를 사용한 경우에도 기판 위에 적절한 콘덴서를 형성함으로써, 메모리로 응용할 수 있다. 즉, 예를 들면 상술한 실시형태와 같은 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 콜렉터 또는 에미터와 연속한 영역 또는 콜렉터 또는 에미터와 접속된 다른 반도체 또는 도체의 영역과, 이 영역 위의 절연층과, 절연층 위의 반도체층 또는 도체층에 의해 콘덴서를 형성할 수 있다.
또한, 메모리에 응용할 때는, 트랜지스터 및 콘덴서를 매트릭스 형태로 배열하고, 각 콘덴서를 각 트랜지스터로 구동함으로써, 메모리 디바이스를 실현할 수 있다.
(6) 특성
도 9는 본 발명에 따른 트랜지스터의 특성도의 일례를 도시하고 있다. 이 도면은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서, 채널층에 ZnO를 사용한 FET에 대하여, 드레인 전압(횡축)을 변화시킬 때의 드레인 전류(종축)의 변화의 일례를 도시하고 잇다. 여기에서 ZnO 채널층의 두께 200㎚, 게이트 절연층의 두께 100㎚, 게이트 길이 600㎛, 게이트 폭 200㎛로 했다. 게이트 전압(VG)은 0V, -2V∼-8V로 했다.
(7) 기타의 응용
본 발명의 트랜지스터는 발광소자, 콘덴서 등 다른 소자와 동일 기판에 작성할 수 있다. 또한 본 발명의 트랜지스터를 동일 종류 또는 다른 종류로 복수 형성하고, 이들 트랜지스터 사이의 배선에 투명재료를 사용할 수 있다. 트랜지스터 또는 이 트랜지스터로 구동되는 소자는 그 일부 또는 전부를 적절히 투명하게 할 수 있다. 또한 트랜지스터의 크기, 두께, 치수 등은 용도나 프로세스 등에 따라서 적절히 설계할 수 있다. 도프량은 제조 프로세스, 디바이스 성능 등 필요에 따라서 적절히 설정할 수 있다.
또한, 투명 n형 반도체, 투명 p형 반도체, 투명 도전성재료 및 투명절연성재료로 하고, 반도체를 ZnO를 베이스로 하고 각 원소를 도프하는 예를 설명했으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 산화아연 ZnO 이외에도, 산화마그네슘 아연 MgxZn1-xO, 산화카드뮴 아연 CdxZn1-xO, 산화카드뮴 CdO 등 적절한 투명재료를 베이스로 하여 각 원소를 도프하는 것도 좋다.
이상 설명한 외에도, 본 발명은, 자외광∼X선 영역의 검출기를 구동하여 신호처리하는 트랜지스터, 산소센서, 그 외에, 음파, SAW(Surface Acoustic Wave), 압전성을 조합한 디바이스에 응용함으로써, 일부 또는 전부가 투명한 반도체 장치를 실현할 수 있다. 더욱이, 본 발명은 자동차나 가옥 등의 창유리나 투명 플라스틱판 등에 전자회로를 만들어 부착할 수 있다. 또한 본 발명은 컴퓨터 주변기기, 예를 들면, 키보드, 터치패널, 포인팅 디바이스를 투명하게 할 수 있다. 투명함에 따라 몰래 작성하거나 다른 사람이 보기 어렵게 작성하거나, 또한, 디자인 면에서 참신한 것을 제공할 수 있다. 그 외에도 본 발명의 응용범위는 매우 광범위 한다.
산업상의 이용 가능성
본 발명에 따르면, 이상과 같이, 산화아연 등의 투명 채널층을 사용한 일부 또는 전부가 투명한 트랜지스터를 제공할 수 있다. 즉 본 발명에 의하면, 채널층(도전층)에 투명한 산화아연 등의 재료를 사용함으로써 가시광 영역에서 광감도를 갖지 않게 되고, 차광층을 형성할 필요가 없게 되고, 액정표시 디바이스 등의 표시부의 면적비율이 향상되도록 한 트랜지스터를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 투명 트랜지스터를 면발광 레이저나 전기발광소자 등의 발광소자의 구동용, 메모리용 등과 같이 광디바이스 분야에서의 다양한 응용에 사용할 수 있다. 더욱이 본 발명에 의하면, 광차단층을 필요로 하지 않는 구동회로 뿐만 아니라 투명한 전자소자로서 각종의 폭넓은 응용에 사용할 수 있는 반도체 장치를 제공할 수 있다.

Claims (13)

  1. 산화아연 ZnO, 산화마그네슘아연 MgxZn1-xO, 산화카드뮴아연 CdxZn1-xO, 산화카드뮴 CdO 중 어느 것인가를 사용한 투명채널층과,
    Ⅲ족원소 또는 Ⅶ족원소 또는 Ⅰ족원소 또는 Ⅴ족원소 중 어느 것인가를 도프하거나 또는 도프하지 않는 도전성 ZnO 등의 투명도전성재료, In₂O₃또는 SnO₂또는 (In - Sn)Ox등의 투명도전체, 또는 투명하지 않는 전극재료를 그 전부 또는 일부에 사용한 소스 및 드레인 및 게이트를 구비한 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 채널층과 상기 게이트와의 사이에, 1가의 가수를 취할 수 있는 원소 또는 V족원소를 도프한 절연성 ZnO 등의 투명절연성 재료, 투명 절연성 산화물, 또는 투명절연체를 사용한 게이트 절연층을 더 구비한 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명채널층과 상기 게이트와의 사이에, Zn1-xLixO 또는 Zn1-x(LiyMgx-y)O 등의 강유전성의 투명절연재료를 사용한 게이트 절연층을 더 구비하고, 상기 게이트 절연층이 메모리 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 채널층이 형성되기 위한 투명한 절연성기판을 더 구비한 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 트랜지스터와,
    상기 트랜지스터의 상기 드레인 또는 소스와 연속한 영역, 또는 상기 드레인 또는 소스와 접속된 다른 반도체 영역과, 상기 영역에 접합된 반도체층에 의해 형성된 발광부를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 트랜지스터와,
    상기 트랜지스트의 상기 드레인 또는 소스와 연속한 영역, 또는 상기 드레인 또는 소스와 접속된 다른 반도체 또는 도체의 영역과, 상기 영역상의 상기 게이트 절연층 또는 다른 절연층과, 상기 게이트 절연층 또는 상기 다른 절연층 상의 반도체층 또는 도체층에 의해 형성된 콘덴서를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. Ⅲ족원소 또는 Ⅶ족원소를 도프한 ZnO 등의 투명 n형 반도체에 의해 형성된 에미터 및 컬렉터 또는 베이스와,
    Ⅰ족원소 또는 Ⅴ족원소를 도프한 ZnO 등의 투명 p형 반도체에 의해 형성된 베이스, 또는 에미터 및 컬렉터와,
    Ⅲ족원소 또는 Ⅶ족원소 또는 Ⅰ족원소 중 어느 것인가를 도프하거나 또는 도프하지 않는 도전성 ZnO 등의 투명도전성재료, In₂O₃ 또는 SnO₂ 또는 (In - Sn)Ox등의 투명도전체, 또는 투명하지 않는 전극재료를 그 전부 또는 일부에 사용하고, 상기 베이스, 에미터 및 컬렉터에 각각 형성된 베이스전극 및 에미터전극 및 컬렉터전극을 구비한 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  8. 제7항에 기재된 트랜지스터와,
    상기 트랜지스터의 상기 콜렉터 또는 에미터와 연속한 영역, 또는 상기 콜렉터 또는 에미터와 접속된 다른 반도체 영역과, 상기 영역에 접합된 반도체층에 의해 형성된 발광부를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제7항에 기재된 트랜지스터와,
    상기 트랜지스터의 상기 콜렉터 또는 에미터와 연속한 영역, 또는 상기 콜렉터 또는 에미터와 접속된 다른 반도체 또는 도체의 영역과, 상기 영역상의 절연층과, 상기 절연층상의 반도체층 또는 도체층에 의해 형성된 콘덴서를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제1항 내지 제4항, 제7항 중 어느 한 항에 기재된 트랜지스터를, 1가의 가수를 취할 수 있는 원소 또는 V족원소를 도프한 절연성 ZnO 등의 투명절연성재료, 투명절연성 산화물, 또는 투명절연체를 사용한 절연층을 통하여 복수개 적층한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제1항 내지 제4항, 제7항 중 어느 한 항에 기재된 트랜지스터를 복수 구비하고, 복수의 상기 트랜지스터 사이의 배선의 전부 또는 일부에 III족원소 또는 VII족원소 또는 I족원소 또는 V족원소 중 어느 것인가를 도프하거나 또는 도프하지 않은 도전성 ZnO 등의 투명도전성재료, In2O3또는 SnO2또는 (In-Sn)Ox 등의 투명도전체, 또는 투명하지 않은 전극재료를 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제1항 내지 제4항, 제7항에 기재된 트랜지스터와,
    III족원소 또는 VII족원소 또는 I족원소 또는 V족원소 중 어느 것인가를 도프하거나 또는 도프하지 않은 도전성 ZnO 등의 투명도전성 재료, In2O3또는 SnO2또는 (In-Sn)Ox 등의 투명도전체에 의해 형성된 인덕터를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제5항, 제6항, 제8항, 제9항 중 어느 한 항에 기재된 반도체장치를 복수의 매트릭스 형태로 배열하고, 각 트랜지스터에 의해 콘덴서 또는 발광부가 구동되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8003450B2 (en) 2007-12-27 2011-08-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating a thin film transistor and flat panel display device having the same
US8049212B2 (en) 2007-12-24 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating a thin film transistor and flat panel display device having the same

Families Citing this family (1924)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1049256A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気配線材処理構造
US6998656B2 (en) 2003-02-07 2006-02-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent double-injection field-effect transistor
WO2002016679A1 (fr) * 2000-08-18 2002-02-28 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Matiere semi-conductrice polycristalline
JP4089858B2 (ja) * 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
US6812483B2 (en) 2001-01-05 2004-11-02 Japan Science And Technology Agency Optical semiconductor element utilizing optical transition between ZnO heterostructure sub-bands
JP4940494B2 (ja) * 2001-01-05 2012-05-30 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
JP2003015156A (ja) * 2001-06-28 2003-01-15 Kyocera Corp 液晶表示装置及びこれを用いた液晶プロジェクタ装置
JP2003037268A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Minolta Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP4920836B2 (ja) * 2001-07-30 2012-04-18 シャープ株式会社 半導体素子
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4149168B2 (ja) * 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR101023491B1 (ko) * 2002-05-21 2011-03-21 더 스테이트 오브 오레곤 액팅 바이 앤드 쓰루 더 스테이트 보드 오브 하이어 에쥬케이션 온 비해프 오브 오레곤 스테이트 유니버시티 트랜지스터 구조 및 그 제조 방법
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
KR100701555B1 (ko) 2002-05-22 2007-03-30 마사시 카와사키 반도체 장치 및 그것을 이용하는 표시 장치
JP2004014982A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Konica Minolta Holdings Inc 半導体回路および画像表示装置
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) * 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7250930B2 (en) 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
US7235920B2 (en) * 2003-02-24 2007-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Display device and method of its manufacture
JP4034208B2 (ja) * 2003-02-25 2008-01-16 ローム株式会社 透明電極
JP4271475B2 (ja) 2003-03-31 2009-06-03 株式会社ワコー 力検出装置
JP2004311702A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
CN1324540C (zh) * 2003-06-05 2007-07-04 三星Sdi株式会社 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
JP4351869B2 (ja) 2003-06-10 2009-10-28 隆 河東田 半導体を用いた電子デバイス
JP4108633B2 (ja) * 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
JP4210748B2 (ja) 2003-08-27 2009-01-21 独立行政法人物質・材料研究機構 酸化亜鉛基積層構造体
JP4483235B2 (ja) * 2003-09-01 2010-06-16 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
TWI221341B (en) * 2003-09-18 2004-09-21 Ind Tech Res Inst Method and material for forming active layer of thin film transistor
US7026713B2 (en) * 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
US7250627B2 (en) 2004-03-12 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) * 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7242039B2 (en) 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7642573B2 (en) 2004-03-12 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US8314420B2 (en) * 2004-03-12 2012-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device with multiple component oxide channel
DE102004026231B4 (de) * 2004-05-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer Halbleiterschicht und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7427776B2 (en) * 2004-10-07 2008-09-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin-film transistor and methods
US7382421B2 (en) * 2004-10-12 2008-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor with a passivation layer
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
CN101057333B (zh) * 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
US7265381B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-04 Infineon Technologies, Ag Opto-electronic memory element on the basis of organic metalloporphyrin molecules
US7309895B2 (en) 2005-01-25 2007-12-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
JP4851103B2 (ja) * 2005-03-01 2012-01-11 学校法人常翔学園 酸化亜鉛系トランジスタ
WO2007078306A1 (en) * 2005-03-28 2007-07-12 Massachusetts Institute Of Technology HIGH K-GATE OXIDE TFTs BUILT ON TRANSPARENT GLASS OR TRANSPARENT FLEXIBLE POLYMER SUBSTRATE
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 記憶裝置和其製造方法
US7928938B2 (en) 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
US9318053B2 (en) 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI424408B (zh) 2005-08-12 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,和安裝有該半導體裝置的顯示裝置和電子裝置
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP4732080B2 (ja) * 2005-09-06 2011-07-27 キヤノン株式会社 発光素子
KR100729043B1 (ko) 2005-09-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
EP1764770A3 (en) 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
WO2007034935A1 (en) 2005-09-21 2007-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and semiconductor device having the cyclic redundancy check circuit
KR100786498B1 (ko) * 2005-09-27 2007-12-17 삼성에스디아이 주식회사 투명박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5078246B2 (ja) * 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
EP1770676B1 (en) 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
EP1935027B1 (en) 2005-10-14 2017-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
WO2007063966A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Tft基板及びtft基板の製造方法
US7432526B2 (en) * 2005-12-20 2008-10-07 Palo Alto Research Center Incorporated Surface-passivated zinc-oxide based sensor
KR100732849B1 (ko) * 2005-12-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR101362954B1 (ko) 2006-03-10 2014-02-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작방법
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
KR100785038B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ZnO계 TFT
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR100829570B1 (ko) * 2006-10-20 2008-05-14 삼성전자주식회사 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US7646015B2 (en) 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
US8275080B2 (en) * 2006-11-17 2012-09-25 Comtech Mobile Datacom Corporation Self-supporting simplex packets
KR100785037B1 (ko) * 2006-12-13 2007-12-12 삼성전자주식회사 GaInZnO 다이오드
KR101363555B1 (ko) * 2006-12-14 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP5412034B2 (ja) 2006-12-26 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20080069866A (ko) * 2007-01-24 2008-07-29 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 그 제조 방법
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
US8129714B2 (en) * 2007-02-16 2012-03-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device
US8173487B2 (en) * 2007-04-06 2012-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor element, method for manufacturing same, and electronic device including same
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
EP2158608A4 (en) * 2007-06-19 2010-07-14 Samsung Electronics Co Ltd OXIDE SEMICONDUCTORS AND THIN FILM TRANSISTORS THEREWITH
US8354674B2 (en) 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
JP5298470B2 (ja) 2007-07-11 2013-09-25 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
KR101072379B1 (ko) * 2007-07-20 2011-10-11 엘지디스플레이 주식회사 리프트오프 방법 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
CN101548343A (zh) * 2007-09-05 2009-09-30 株式会社村田制作所 透明导电膜及透明导电膜的制造方法
TWI367530B (en) * 2007-12-25 2012-07-01 Ind Tech Res Inst Chlorine, fluorine and lithium co-doped transparent conductive films and methods for fabricating the same
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
JP5540517B2 (ja) 2008-02-22 2014-07-02 凸版印刷株式会社 画像表示装置
JP5343853B2 (ja) * 2008-03-13 2013-11-13 株式会社村田製作所 ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品
US8247315B2 (en) 2008-03-17 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US8017045B2 (en) 2008-04-16 2011-09-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition for oxide semiconductor thin film and field effect transistor using the composition
KR101496148B1 (ko) * 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
KR20090124527A (ko) * 2008-05-30 2009-12-03 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
TWI387109B (zh) * 2008-06-10 2013-02-21 Taiwan Tft Lcd Ass 薄膜電晶體的製造方法
TWI397130B (zh) * 2008-06-10 2013-05-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構的製作方法以及畫素結構
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR102267235B1 (ko) 2008-07-10 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI469354B (zh) 2008-07-31 2015-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI491048B (zh) 2008-07-31 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI495108B (zh) 2008-07-31 2015-08-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
JP5506258B2 (ja) * 2008-08-06 2014-05-28 キヤノン株式会社 整流素子
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI500160B (zh) 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI642113B (zh) 2008-08-08 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US20100043117A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Mary Elizabeth Hildebrandt Convertible Head And Neck Supporting Apparel
US8129718B2 (en) 2008-08-28 2012-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI511299B (zh) 2008-09-01 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR101722913B1 (ko) 2008-09-12 2017-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101665734B1 (ko) 2008-09-12 2016-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
WO2010029859A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2010029866A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101762112B1 (ko) 2008-09-19 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치
CN104134673B (zh) 2008-09-19 2017-04-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR102094683B1 (ko) 2008-09-19 2020-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR101827333B1 (ko) 2008-09-19 2018-02-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101490148B1 (ko) 2008-09-19 2015-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2010038599A1 (en) 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN101714546B (zh) 2008-10-03 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR101273972B1 (ko) 2008-10-03 2013-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101435501B1 (ko) 2008-10-03 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR102095625B1 (ko) 2008-10-24 2020-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101634411B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
KR101631454B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
TWI633605B (zh) 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI574423B (zh) 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI535037B (zh) 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010135771A (ja) 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
KR102149626B1 (ko) 2008-11-07 2020-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101432764B1 (ko) 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR102025505B1 (ko) 2008-11-21 2019-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI585955B (zh) 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI616707B (zh) 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101643204B1 (ko) 2008-12-01 2016-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101343570B1 (ko) 2008-12-18 2013-12-20 한국전자통신연구원 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
CN103456794B (zh) 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
JP5615540B2 (ja) 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
TWI540647B (zh) 2008-12-26 2016-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8330156B2 (en) 2008-12-26 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer
US20100163861A1 (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Motorola, Inc. Method and apparatus for optically transparent transistor
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR100993416B1 (ko) 2009-01-20 2010-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
JP5484109B2 (ja) * 2009-02-09 2014-05-07 三菱電機株式会社 電気光学装置
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
JP5405850B2 (ja) 2009-02-17 2014-02-05 株式会社日立製作所 酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US20100213458A1 (en) * 2009-02-23 2010-08-26 Micron Technology, Inc. Rigid semiconductor memory having amorphous metal oxide semiconductor channels
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101671210B1 (ko) 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102342672B1 (ko) 2009-03-12 2021-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI556323B (zh) 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
KR101201891B1 (ko) 2009-03-26 2012-11-16 한국전자통신연구원 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
US8450144B2 (en) 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI511288B (zh) 2009-03-27 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI485851B (zh) 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI489628B (zh) * 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8338226B2 (en) 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5455753B2 (ja) 2009-04-06 2014-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Icカード
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8604590B2 (en) 2009-04-30 2013-12-10 Sony Corporation Transistor with enhanced capacitance at electrodes and transistor with light emitting capacitive element
JP5669426B2 (ja) 2009-05-01 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5396335B2 (ja) 2009-05-28 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20180120804A (ko) 2009-06-30 2018-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
EP2449595B1 (en) 2009-06-30 2017-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011001881A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011002046A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
JP5663214B2 (ja) 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2449593B1 (en) 2009-07-03 2019-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
CN102473731B (zh) 2009-07-10 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
WO2011004723A1 (en) 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method the same
KR101493662B1 (ko) 2009-07-10 2015-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기 및 표시 패널
WO2011007675A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102473733B (zh) 2009-07-18 2015-09-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及制造半导体装置的方法
KR101782176B1 (ko) 2009-07-18 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102576732B (zh) 2009-07-18 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置与用于制造半导体装置的方法
WO2011010542A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101785992B1 (ko) 2009-07-24 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102473734B (zh) 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102386147B1 (ko) 2009-07-31 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011013502A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103489871B (zh) 2009-07-31 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI700810B (zh) 2009-08-07 2020-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5663231B2 (ja) 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI596741B (zh) 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI604594B (zh) 2009-08-07 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
KR101988341B1 (ko) 2009-09-04 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR101791812B1 (ko) 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103151387A (zh) 2009-09-04 2013-06-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
US9805641B2 (en) 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011027664A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027702A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011034012A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
KR102293198B1 (ko) * 2009-09-16 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011033909A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
KR102246529B1 (ko) 2009-09-16 2021-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
KR101882887B1 (ko) 2009-09-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101823852B1 (ko) * 2009-09-16 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 표시 장치
WO2011036981A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101713356B1 (ko) 2009-09-24 2017-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR102321565B1 (ko) 2009-09-24 2021-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
WO2011037010A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and method for manufacturing the same
KR20120071393A (ko) 2009-09-24 2012-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102219095B1 (ko) 2009-09-24 2021-02-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101788538B1 (ko) 2009-09-24 2017-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電源電路,和半導體裝置的製造方法
JP5613508B2 (ja) 2009-09-30 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 レドックスキャパシタ
WO2011040213A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
WO2011043163A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102648524B (zh) 2009-10-08 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、显示装置和电子电器
EP2486594B1 (en) 2009-10-08 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device
KR101820972B1 (ko) 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102576174B (zh) 2009-10-09 2018-02-23 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备
KR101778513B1 (ko) 2009-10-09 2017-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
WO2011043162A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043164A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN107195328B (zh) 2009-10-09 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
WO2011043218A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101882350B1 (ko) 2009-10-09 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20120093864A (ko) 2009-10-09 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101680047B1 (ko) 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101945301B1 (ko) 2009-10-16 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 장치
CN116343705A (zh) 2009-10-16 2023-06-27 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
IN2012DN01823A (ko) 2009-10-16 2015-06-05 Semiconductor Energy Lab
WO2011046010A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
KR101803554B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR101591613B1 (ko) 2009-10-21 2016-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
WO2011048945A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
KR101789309B1 (ko) 2009-10-21 2017-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101847656B1 (ko) 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP2491586B1 (en) 2009-10-21 2019-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2491594A4 (en) 2009-10-21 2015-09-16 Semiconductor Energy Lab DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE WITH THE DISPLAY DEVICE
KR20190006091A (ko) 2009-10-29 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2494594B1 (en) 2009-10-29 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
CN105070717B (zh) 2009-10-30 2019-01-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102598249B (zh) 2009-10-30 2014-11-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102484471B (zh) 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
CN102576172B (zh) 2009-10-30 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、其驱动方法以及包括该液晶显示设备的电子电器
CN102668095B (zh) 2009-10-30 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 晶体管
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011052413A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
SG188112A1 (en) 2009-10-30 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
KR20120102653A (ko) * 2009-10-30 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011052411A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101751712B1 (ko) 2009-10-30 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
KR20120091243A (ko) 2009-10-30 2012-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052410A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
WO2011055644A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102066532B1 (ko) 2009-11-06 2020-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101727469B1 (ko) 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102378013B1 (ko) 2009-11-06 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
EP3051588A1 (en) 2009-11-06 2016-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2497011A4 (en) * 2009-11-06 2013-10-02 Semiconductor Energy Lab TOUCH PANEL AND METHOD FOR CONTROLLING TOUCH PANEL
CN102612749B (zh) 2009-11-06 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101818265B1 (ko) 2009-11-06 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055769A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR102223595B1 (ko) 2009-11-06 2021-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011055625A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and operating method thereof
WO2011058852A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011058882A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor
KR101826832B1 (ko) 2009-11-13 2018-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
KR101787353B1 (ko) 2009-11-13 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120106950A (ko) * 2009-11-13 2012-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터
KR101975741B1 (ko) 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011058864A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device including nonvolatile memory element
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011058865A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devi ce
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR101928723B1 (ko) 2009-11-20 2018-12-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102026212B1 (ko) 2009-11-20 2019-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
JP5866089B2 (ja) 2009-11-20 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
WO2011062042A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101370301B1 (ko) 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102598266B (zh) 2009-11-20 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102668077B (zh) 2009-11-20 2015-05-13 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件
KR101800854B1 (ko) 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101790365B1 (ko) 2009-11-20 2017-10-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101662359B1 (ko) 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
KR101911382B1 (ko) 2009-11-27 2018-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065209A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101802406B1 (ko) 2009-11-27 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR20180059577A (ko) 2009-11-27 2018-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065210A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102426613B1 (ko) 2009-11-28 2022-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065216A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101839931B1 (ko) 2009-11-30 2018-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법, 및 이 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
WO2011068106A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
CN102648525B (zh) 2009-12-04 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR20120099475A (ko) 2009-12-04 2012-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102333270B1 (ko) 2009-12-04 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068016A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101396102B1 (ko) * 2009-12-04 2014-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
CN102640272B (zh) 2009-12-04 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101501420B1 (ko) 2009-12-04 2015-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20120107107A (ko) 2009-12-04 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
KR101945171B1 (ko) 2009-12-08 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011070892A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070902A1 (en) 2009-12-10 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
WO2011070887A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
WO2011070928A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104658598B (zh) 2009-12-11 2017-08-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、逻辑电路和cpu
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011074590A1 (en) 2009-12-17 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity
WO2011074394A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including optical sensor and driving method thereof
EP2513893A4 (en) 2009-12-18 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and electronic device
KR101900662B1 (ko) 2009-12-18 2018-11-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011074506A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101913111B1 (ko) 2009-12-18 2018-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102329671B1 (ko) 2009-12-18 2021-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101729933B1 (ko) 2009-12-18 2017-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
US9057758B2 (en) 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
KR101768433B1 (ko) * 2009-12-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120115318A (ko) 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077916A1 (en) * 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2011078373A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device, semiconductor device, and electronic device
KR101541474B1 (ko) 2009-12-25 2015-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8441009B2 (en) 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101301463B1 (ko) 2009-12-25 2013-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제작하기 위한 방법
KR101781336B1 (ko) 2009-12-25 2017-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101866734B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105702631B (zh) 2009-12-28 2019-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR102063214B1 (ko) 2009-12-28 2020-01-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치와 반도체 장치
KR101872678B1 (ko) 2009-12-28 2018-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101921619B1 (ko) 2009-12-28 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011086871A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101698537B1 (ko) 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101848516B1 (ko) 2010-01-15 2018-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2524395A4 (en) 2010-01-15 2014-06-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND CONTROL METHOD THEREFOR
WO2011086847A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102696064B (zh) 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
US8780629B2 (en) 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8415731B2 (en) 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
CN102714029B (zh) 2010-01-20 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置的显示方法
KR20180102702A (ko) 2010-01-20 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011089832A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
KR102395345B1 (ko) 2010-01-20 2022-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
KR102011801B1 (ko) 2010-01-20 2019-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
WO2011089848A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
WO2011089847A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
KR101745749B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
KR102364878B1 (ko) 2010-01-22 2022-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102714209B (zh) 2010-01-22 2015-09-16 株式会社半导体能源研究所 半导体存储器件及其驱动方法
KR102008754B1 (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
KR101873730B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2011093150A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120112803A (ko) 2010-01-29 2012-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 이용한 전자 기기
KR101948707B1 (ko) 2010-01-29 2019-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
KR101399611B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN106847816A (zh) * 2010-02-05 2017-06-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101921618B1 (ko) 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102026603B1 (ko) 2010-02-05 2019-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102628681B1 (ko) 2010-02-05 2024-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011096277A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN105336744B (zh) 2010-02-12 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
WO2011099368A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
CN102742002B (zh) 2010-02-12 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011099343A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011099359A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method
WO2011099376A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102376342B1 (ko) 2010-02-18 2022-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
WO2011102248A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105786268B (zh) 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
JP5740169B2 (ja) 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101832119B1 (ko) 2010-02-19 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101780748B1 (ko) 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 rfid 태그
WO2011102228A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
CN105826363B (zh) 2010-02-19 2020-01-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102015762B1 (ko) 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
WO2011102205A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101772246B1 (ko) 2010-02-23 2017-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 반도체 장치, 및 그 구동 방법
WO2011105268A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102047354B1 (ko) 2010-02-26 2019-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20130009978A (ko) 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101780841B1 (ko) 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102770902B (zh) 2010-02-26 2016-11-23 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102078253B1 (ko) 2010-02-26 2020-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011105218A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and e-book reader provided therewith
WO2011108367A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit
WO2011108345A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR101389120B1 (ko) 2010-03-02 2014-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101706292B1 (ko) 2010-03-02 2017-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108475A1 (en) 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011108374A1 (en) 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101929190B1 (ko) 2010-03-05 2018-12-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101878206B1 (ko) 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102220018B1 (ko) 2010-03-08 2021-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
KR101812467B1 (ko) 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101784676B1 (ko) 2010-03-08 2017-10-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조방법
WO2011111490A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP2365417A3 (en) * 2010-03-08 2015-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Electronic device and electronic system
WO2011111504A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
DE112011100841B4 (de) 2010-03-08 2021-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung
WO2011111529A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
US8900362B2 (en) 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
WO2011111508A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving input circuit and method for driving input-output device
DE112011100886T5 (de) 2010-03-12 2012-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung
WO2011111507A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011114867A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102812547B (zh) 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US20110227082A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118351A1 (en) 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN105304502B (zh) 2010-03-26 2018-07-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR102112065B1 (ko) 2010-03-26 2020-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011118364A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
DE112011101152T5 (de) 2010-03-31 2013-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Ansteuerung
CN102844873B (zh) 2010-03-31 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置
KR101761966B1 (ko) 2010-03-31 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전력 공급 장치와 그 구동 방법
KR101391964B1 (ko) 2010-04-02 2014-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
KR20130014562A (ko) 2010-04-02 2013-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102918650B (zh) 2010-04-07 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
CN102834861B (zh) 2010-04-09 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和驱动该液晶显示设备的方法
KR101803730B1 (ko) 2010-04-09 2017-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
WO2011129209A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power source circuit
WO2011129456A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing semiconductor device
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101974927B1 (ko) 2010-04-23 2019-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101748404B1 (ko) 2010-04-23 2017-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101887336B1 (ko) 2010-04-23 2018-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
CN102859704B (zh) 2010-04-23 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101800844B1 (ko) 2010-04-23 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
CN105824397B (zh) 2010-04-28 2018-12-18 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置及其驱动方法
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142467A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
WO2011145738A1 (en) 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102906881B (zh) 2010-05-21 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR101872188B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145632A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
KR101938726B1 (ko) 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
JP5771079B2 (ja) 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002197A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
KR20180135118A (ko) 2010-07-02 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2012002292A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8519387B2 (en) 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
WO2012014790A1 (en) 2010-07-27 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5836680B2 (ja) 2010-07-27 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
JP5718072B2 (ja) 2010-07-30 2015-05-13 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
DE112011102644B4 (de) 2010-08-06 2019-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Integrierte Halbleiterschaltung
KR101925159B1 (ko) * 2010-08-06 2018-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621184B (zh) 2010-08-16 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20120020073A (ko) 2010-08-27 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 설계 방법
KR101928897B1 (ko) 2010-08-27 2018-12-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2012029637A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130102581A (ko) 2010-09-03 2013-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2012079399A (ja) * 2010-09-10 2012-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
TWI608486B (zh) 2010-09-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI620176B (zh) 2010-10-05 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
KR101989392B1 (ko) 2010-10-20 2019-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
KR101952456B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
WO2012060428A1 (ja) 2010-11-02 2012-05-10 宇部興産株式会社 (アミドアミノアルカン)金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
KR101973212B1 (ko) 2010-11-05 2019-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
CN103201831B (zh) 2010-11-05 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8902637B2 (en) * 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI593115B (zh) 2010-11-11 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
TWI525818B (zh) 2010-11-30 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8723835B2 (en) 2010-11-30 2014-05-13 Au Optronics Corporation Touch-sensing display panel, touch panel, touch-sensing device and touch-sensing circuit
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Dc−dcコンバータ
KR101995082B1 (ko) 2010-12-03 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路,其驅動方法,及半導體裝置
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
US8829512B2 (en) 2010-12-28 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8735892B2 (en) 2010-12-28 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using oxide semiconductor
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI525614B (zh) 2011-01-05 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
JP5982125B2 (ja) 2011-01-12 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI492368B (zh) 2011-01-14 2015-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體記憶裝置
KR102026718B1 (ko) * 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
US8916867B2 (en) 2011-01-20 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor element and semiconductor device
TWI787452B (zh) 2011-01-26 2022-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI552345B (zh) 2011-01-26 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI614747B (zh) 2011-01-26 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR20130140824A (ko) 2011-01-27 2013-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
DE112012000601T5 (de) 2011-01-28 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung sowie Halbleitervorrichtung
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 lsi
JP5981725B2 (ja) * 2011-02-18 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 Soi基板の作製方法
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI602249B (zh) 2011-03-11 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) * 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101995682B1 (ko) 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI565078B (zh) 2011-03-25 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
JP2012256406A (ja) 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルlsi
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI548057B (zh) 2011-04-22 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US10079053B2 (en) * 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8797788B2 (en) 2011-04-22 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI654762B (zh) 2011-05-05 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101874144B1 (ko) 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US9105749B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2012157533A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6109489B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101921772B1 (ko) 2011-05-13 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101946360B1 (ko) 2011-05-16 2019-02-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI616873B (zh) 2011-05-20 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5886496B2 (ja) * 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI570730B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
CN102789808B (zh) * 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI534956B (zh) 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
DE112012002394T5 (de) 2011-06-08 2014-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtertarget, Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets und Verfahren zum Bilden eines Dünnfilmes
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102546888B1 (ko) 2011-06-17 2023-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
TWI686871B (zh) * 2011-06-17 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
TWI565067B (zh) 2011-07-08 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20140051268A (ko) 2011-07-22 2014-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841818B2 (en) * 2011-08-12 2014-09-23 Massachusetts Institute Of Technology Piezoelectric electromechanical devices
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI805306B (zh) 2011-08-29 2023-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP4918172B1 (ja) 2011-09-07 2012-04-18 英郎 川野 アクティブ・マトリクス型表示装置
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101891650B1 (ko) 2011-09-22 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판
KR101976228B1 (ko) 2011-09-22 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
CN105514174B (zh) 2011-09-29 2019-03-08 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
SG11201505088UA (en) 2011-09-29 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI605590B (zh) 2011-09-29 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE112012004307B4 (de) 2011-10-14 2017-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6045285B2 (ja) 2011-10-24 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20130049620A (ko) 2011-11-04 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8604472B2 (en) 2011-11-09 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101984739B1 (ko) 2011-11-11 2019-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
KR20130055521A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8829528B2 (en) 2011-11-25 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8772094B2 (en) 2011-11-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI669760B (zh) 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
TWI639150B (zh) 2011-11-30 2018-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI621183B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013080900A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102084274B1 (ko) 2011-12-15 2020-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI580189B (zh) * 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
TWI569446B (zh) * 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI613824B (zh) 2011-12-23 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6134515B2 (ja) * 2012-01-17 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102433736B1 (ko) 2012-01-23 2022-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102034911B1 (ko) 2012-01-25 2019-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI642193B (zh) 2012-01-26 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
JP6220526B2 (ja) 2012-02-29 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
JP6041707B2 (ja) 2012-03-05 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ラッチ回路および半導体装置
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104160295B (zh) 2012-03-09 2017-09-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
CN106504697B (zh) 2012-03-13 2019-11-26 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6110693B2 (ja) * 2012-03-14 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US9553201B2 (en) 2012-04-02 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor
KR20130111874A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
JP2013232885A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体リレー
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102330543B1 (ko) 2012-04-13 2021-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
CN104247268B (zh) 2012-05-02 2016-10-12 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑器件
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN107403840B (zh) 2012-05-10 2021-05-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102222438B1 (ko) 2012-05-10 2021-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE102013207324A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
US8994891B2 (en) 2012-05-16 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
KR20130129674A (ko) 2012-05-21 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
WO2013176199A1 (en) 2012-05-25 2013-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
WO2013180040A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013179922A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
JP6108960B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、処理装置
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9153699B2 (en) 2012-06-15 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102099445B1 (ko) 2012-06-29 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN110581070B (zh) 2012-06-29 2022-12-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
TWI478344B (zh) * 2012-07-04 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 電晶體與其製造方法
JP6310194B2 (ja) 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
WO2014014039A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the display device
KR102644240B1 (ko) 2012-07-20 2024-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102141977B1 (ko) 2012-07-20 2020-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102004398B1 (ko) 2012-07-24 2019-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
DE112013003841T5 (de) 2012-08-03 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
IN2015DN01663A (ko) 2012-08-03 2015-07-03 Semiconductor Energy Lab
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
CN104584229B (zh) 2012-08-10 2018-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102099261B1 (ko) 2012-08-10 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI575663B (zh) 2012-08-31 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2014034820A1 (en) 2012-09-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102331652B1 (ko) 2012-09-13 2021-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI831522B (zh) 2012-09-14 2024-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI746200B (zh) 2012-09-24 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102046996B1 (ko) 2012-10-16 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102102589B1 (ko) 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
DE112013005029T5 (de) 2012-10-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI691084B (zh) 2012-10-24 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065301A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
CN104769842B (zh) 2012-11-06 2017-10-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及其驱动方法
TWI555068B (zh) 2012-11-08 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 金屬氧化物膜及形成金屬氧化物膜的方法
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
TWI757837B (zh) 2012-11-28 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
TWI627483B (zh) * 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI582993B (zh) 2012-11-30 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN104823283B (zh) 2012-11-30 2018-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014135478A (ja) 2012-12-03 2014-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
WO2014103900A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
WO2014104267A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102639256B1 (ko) 2012-12-28 2024-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9105658B2 (en) 2013-01-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor layer
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
TWI611567B (zh) 2013-02-27 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014142332A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
TWI722545B (zh) 2013-03-15 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI647559B (zh) 2013-04-24 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2014181785A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI690085B (zh) 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI809474B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9454923B2 (en) 2013-05-17 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
DE112014002485T5 (de) 2013-05-20 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102657220B1 (ko) 2013-05-20 2024-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6102564B2 (ja) * 2013-06-24 2017-03-29 日産自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
TWI622053B (zh) 2013-07-10 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6018607B2 (ja) 2013-07-12 2016-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Dcdcコンバータ、及び半導体装置
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102304824B1 (ko) 2013-08-09 2021-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI663820B (zh) 2013-08-21 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI708981B (zh) 2013-08-28 2020-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9716003B2 (en) 2013-09-13 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR20240033151A (ko) 2013-09-13 2024-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI678740B (zh) 2013-09-23 2019-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102213515B1 (ko) 2013-09-26 2021-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위치 회로, 반도체 장치, 및 시스템
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI688102B (zh) 2013-10-10 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102183763B1 (ko) 2013-10-11 2020-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9245593B2 (en) 2013-10-16 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving arithmetic processing unit
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
WO2015060318A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015060203A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102264987B1 (ko) 2013-12-02 2021-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE112014005485T5 (de) 2013-12-02 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097589A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105849796B (zh) 2013-12-27 2020-02-07 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
KR102529174B1 (ko) 2013-12-27 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
US9716134B2 (en) 2014-01-21 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9337247B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-10 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9711994B2 (en) * 2014-01-31 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its operation system
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
US9869716B2 (en) 2014-02-07 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device comprising programmable logic element
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
TWI685116B (zh) 2014-02-07 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6420165B2 (ja) 2014-02-07 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9479175B2 (en) 2014-02-07 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI779298B (zh) 2014-02-11 2022-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
US9817040B2 (en) 2014-02-21 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measuring method of low off-state current of transistor
TWI675004B (zh) 2014-02-21 2019-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
DE112015001024T5 (de) 2014-02-28 2016-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, die die Halbleitervorrichtung umfasst, ein Anzeigemodul, das die Anzeigevorrichtung umfasst und ein elektronisches Gerät, das die Halbleitervorrichtung, die Anzeigevorrichtung oder das Anzeigemodul umfasst
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6545976B2 (ja) 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI660490B (zh) 2014-03-13 2019-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
KR102414469B1 (ko) 2014-03-14 2022-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20160132982A (ko) 2014-03-18 2016-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
KR102398965B1 (ko) 2014-03-20 2022-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
KR102332469B1 (ko) 2014-03-28 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI767772B (zh) 2014-04-10 2022-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
DE112015001878B4 (de) 2014-04-18 2021-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6615490B2 (ja) 2014-05-29 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR102259172B1 (ko) 2014-05-30 2021-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
SG10201912585TA (en) 2014-05-30 2020-02-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
KR20220069118A (ko) 2014-07-15 2022-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
KR102352633B1 (ko) 2014-07-25 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10115830B2 (en) 2014-07-29 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
KR102533396B1 (ko) 2014-07-31 2023-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014111140B4 (de) * 2014-08-05 2019-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit Feldeffektstrukturen mit verschiedenen Gatematerialien und Verfahren zur Herstellung davon
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9595955B2 (en) 2014-08-08 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including power storage elements and switches
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
WO2016030801A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102545592B1 (ko) 2014-09-02 2023-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20170068511A (ko) 2014-10-06 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
KR20170069207A (ko) 2014-10-10 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 회로 기판, 및 전자 기기
KR102341741B1 (ko) 2014-10-10 2021-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
CN107111970B (zh) 2014-10-28 2021-08-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
US9793905B2 (en) 2014-10-31 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
TWI699897B (zh) 2014-11-21 2020-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
WO2016083952A1 (en) 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687657B (zh) 2014-12-18 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
WO2016125049A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide and manufacturing method thereof
CN112436021A (zh) 2015-02-04 2021-03-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR20230141954A (ko) 2015-02-12 2023-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9685560B2 (en) 2015-03-02 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device
KR20240046304A (ko) 2015-03-03 2024-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
CN114546158A (zh) 2015-03-17 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10134332B2 (en) 2015-03-18 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and driving method of display device
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US9634048B2 (en) 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI777164B (zh) 2015-03-30 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102440302B1 (ko) 2015-04-13 2022-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US9916791B2 (en) 2015-04-16 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for driving display device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
CN113990756A (zh) 2015-05-22 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
KR102556718B1 (ko) 2015-06-19 2023-07-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
KR102513517B1 (ko) 2015-07-30 2023-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9935143B2 (en) 2015-09-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
WO2017068491A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017068490A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
CN108475491B (zh) 2015-12-18 2021-04-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
CN114361180A (zh) 2015-12-28 2022-04-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10580798B2 (en) 2016-01-15 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JPWO2017125796A1 (ja) 2016-01-18 2018-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物膜、半導体装置、及び表示装置
JP6839986B2 (ja) 2016-01-20 2021-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
WO2017137869A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR20170096956A (ko) 2016-02-17 2017-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기
US11370076B2 (en) * 2016-02-23 2022-06-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. RAMO4 substrate and manufacturing method thereof
CN107099844B (zh) * 2016-02-23 2021-01-05 松下知识产权经营株式会社 Ramo4基板及其制造方法
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
US10942408B2 (en) 2016-04-01 2021-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
KR102295315B1 (ko) 2016-04-15 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
KR102358829B1 (ko) 2016-05-19 2022-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
CN109196656B (zh) 2016-06-03 2022-04-19 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物及场效应晶体管
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN114115609A (zh) 2016-11-25 2022-03-01 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
WO2019016627A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 King Abdullah University Of Science And Technology SINGLE MATERIAL ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH ELECTRONIC DEVICE
KR20200033868A (ko) 2017-07-31 2020-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
JP6542329B2 (ja) * 2017-11-14 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6896020B2 (ja) * 2017-11-14 2021-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102605008B1 (ko) 2018-01-24 2023-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US11209877B2 (en) 2018-03-16 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrical module, display panel, display device, input/output device, data processing device, and method of manufacturing electrical module
JP2019169660A (ja) 2018-03-26 2019-10-03 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板、表示装置、および、薄膜トランジスタ基板の製造方法
JPWO2020012276A1 (ja) 2018-07-09 2021-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7399857B2 (ja) 2018-07-10 2023-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の保護回路
KR20210119963A (ko) 2018-12-20 2021-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전지 팩
JP7209043B2 (ja) * 2019-06-12 2023-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5477578A (en) * 1977-12-02 1979-06-21 Nec Corp High frequency high output bipolar transistor
US4233573A (en) * 1979-02-12 1980-11-11 United Technologies Corporation Carrier concentration controlled surface acoustic wave variable delay devices
JPS56125868A (en) * 1980-03-07 1981-10-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Thin-film semiconductor device
JPS57132191A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
GB2081018B (en) * 1980-07-31 1985-06-26 Suwa Seikosha Kk Active matrix assembly for display device
JPS5759380A (en) * 1980-09-26 1982-04-09 Ricoh Co Ltd Thin film type thyristor
DE3432603A1 (de) * 1984-08-31 1986-03-13 Heinrich-Hertz-Institut für Nachrichtentechnik Berlin GmbH, 1000 Berlin Halbleiterbauelement, das eine schicht aus transparentem, n-leitendem material aufweist, und verwendung derartiger bauelemente
JP2739158B2 (ja) * 1986-11-11 1998-04-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPS63170979A (ja) * 1987-01-09 1988-07-14 Fujitsu Ltd 発光素子駆動回路
JPS63231419A (ja) * 1987-03-20 1988-09-27 Toppan Printing Co Ltd 画像表示入力装置用基板
JPS6465868A (en) * 1987-09-05 1989-03-13 Olympus Optical Co Solid-state image sensor
US5532062A (en) * 1990-07-05 1996-07-02 Asahi Glass Company Ltd. Low emissivity film
JPH05251705A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH07114351A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Casio Comput Co Ltd 発光型表示装置およびその製造方法
JPH0878659A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体デバイス及びその製造方法
KR100394896B1 (ko) * 1995-08-03 2003-11-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명스위칭소자를포함하는반도체장치
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
JPH1041477A (ja) * 1996-07-23 1998-02-13 Sanyo Electric Co Ltd 強誘電体メモリ
US6057561A (en) * 1997-03-07 2000-05-02 Japan Science And Technology Corporation Optical semiconductor element
US6291085B1 (en) * 1998-08-03 2001-09-18 The Curators Of The University Of Missouri Zinc oxide films containing P-type dopant and process for preparing same
JP3423896B2 (ja) * 1999-03-25 2003-07-07 科学技術振興事業団 半導体デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8049212B2 (en) 2007-12-24 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating a thin film transistor and flat panel display device having the same
US8003450B2 (en) 2007-12-27 2011-08-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating a thin film transistor and flat panel display device having the same

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