TWI423436B - 有機發光顯示裝置和製造其之方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置和製造其之方法
基於35 U.S.C.§119的規定，本申請案提到且併入較早提出至韓國知識產權局(2009年1月12號申請)的申請案的申請專利範圍的所有優點，該案恰當地分配序列號為10-2009-0002242。
本發明涉及一種有機發光顯示裝置和製造其之方法，特別是，一種有機發光顯示裝置，其在一驅動單元的一薄膜電晶體和一像素單元的一薄膜電晶體之間具有一不同的電荷遷移率，以及製造其之方法。
一有機發光顯示裝置是一可主動地發光的新一代顯示裝置。相較於液晶顯示裝置(liquid crystal device，LCD)，該有機發光顯示裝置於視角、對比度、響應速度、功耗及其他相關功能特性上具有良好的特點。
一有機發光顯示裝置，一般包括一有機發光二極體，其具有一陽極電極、一有機發光層和一陰極電極。該有機發光顯示裝置可分為一被動矩陣式，該有機發光二極體以一矩陣式在掃描線和信號線之間連接來構成一像素，和一主動矩陣式，其在每個像素的操作是藉由一薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)作為一 開關來控制。
在應用於有機發光顯示裝置的該主動矩陣式的該薄膜電晶體中，一主動層提供源極和汲極區和一通道區。該主動層通常是由非晶矽、多晶矽、低溫多晶矽(low temperature poly-silicon，LTPS)或其他類似材料的半導體層所形成。
在一般情況下，該非晶矽具有低遷移率，因此，非晶矽很難實施於高速操作的一驅動電路。因此，該主動層一般是由具有比非晶矽的電荷遷移率還高的該多晶矽或低溫多晶矽所製成。不過，該多晶矽具有一缺點，其由於多晶的性質導致臨界電壓不平衡，並且該低溫多晶矽具有一缺點，在該多晶矽的製造期間可以要求雷射退火或用於晶化過程的其他有關製程。
可作為一主動層的該氧化物半導體上的研究和學習最近已進行來解決上述發現的問題。
日本公開(Laid-Open)專利公開號2004-273614揭露一薄膜電晶體，其具有氧化鋅(ZnO)或以氧化鋅(ZnO)為主要成分的一氧化物半導體來作為一主動層。
一非晶InGaZnO(氧化銦鎵鋅；以下稱為IGZO)具有比非晶矽還高10倍的遷移率(約10平方公分/伏.秒)，因此甚至特性分配，該非晶IGZO足以用來作為該像素單元的薄膜電晶體的主動層。然而該非晶IGZO不足以用作該驅動單元的薄膜電晶體的主動層，此處要求低溫多晶矽的一層級處的一高電荷遷移率(約100平方公分/伏.秒)。此外，由於顯示裝置的解析度的規模和要求的增加，傳輸數據的量和處理速度應該增加，並且一驅動電路的大部分 應形成於一基板上以減少製造成本。因此，可能會出現重大問題在該驅動單元的薄膜電晶體的穩定特性分配和可靠性。
因此，本發明的目的是提供一種改良的有機發光顯示裝置，其使用一氧化物半導體作為一主動層，可提高一薄膜電晶體的電荷遷移率，以及製造其之方法。
本發明的另一個目的是提供一種有機發光顯示裝置，其中一驅動單元的薄膜電晶體的電荷遷移率高於一像素單元的薄膜電晶體的電荷遷移率，以及製造其之方法。
為了實現上述目的，根據本發明的一觀點，提供一有機發光顯示裝置，其包括：一基板，其包含一第一區和一第二區；一第一薄膜電晶體；一第二薄膜電晶體；一絕緣層，其形成在該第二薄膜電晶體上並有具有一通孔，以便暴露該第二薄膜電晶體的源極或汲極電極；以及一有機發光二極體，其中，該第一薄膜電晶體包括：一閘極電極，形成在該基板上的該第一區中；一主動層，藉由一閘極絕緣層來與該閘極電極隔絕並且形成在一第一半導體層和一第二半導體層所堆疊的一結構中；以及源極和汲極電極，以具有比一第二氧化物半導體層的載子濃度還高的一第一氧化物半導體層來電氣和物理耦合至該主動層；該第二薄膜電晶體包括：一閘極電極，形成在配置於該基板上的該第二區中；一主動層，藉由一閘極絕緣層來與該閘極電極隔絕並且由該第二氧化物半導體層所形成；以及源極和汲極電極，電氣和物理耦合至該主動層；以及該有機發光二極體包括：一第一電極，形成於該第二區中的該絕緣層上，並且該第一電極通過該通孔以電氣和物理地耦合 到該第二薄膜電晶體的源極或汲極電極；一有機發光層，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該有機發光層上。
根據本發明的另一觀點，提供製造有機發光顯示裝置的方法，其包括步驟：準備包括一第一區和一第二區的一基板；形成分別配置於該基板的該等第一區和第二區中的第一和第二薄膜電晶體的閘極電極；在該等第一區和第二區中的該閘極電極上形成一閘極絕緣層；形成一主動層，其形成於該第一區中的該閘極絕緣層上的一第一半導體層和一第二半導體層所堆疊的結構中，一第一氧化物半導體層具有比一第二氧化物半導體層還高的載子濃度；以及形成一主動層，由在該第二區中的該閘極絕緣層上的該第二氧化物半導體層所形成；形成源極和汲極電極以電氣和物理分別耦合到在該等第一區和第二區的該等主動層；在該第二薄膜電晶體上形成一絕緣層，然後形成一通孔，以便暴露該第二薄膜電晶體的該源極或汲極電極；以及形成一有機發光二極體，其包括：形成在該第二區中的該絕緣層上的一第一電極，並且該第一電極通過該通孔以電氣耦合到該第二薄膜電晶體的該源極或汲極電極；形成於該第一電極上的一有機發光層；以及形成於該有機發光層上的一第二電極。
根據本發明的有機發光顯示裝置包括驅動單元的薄膜電晶體、像素單元的薄膜電晶體和耦合至像素單元的薄膜電晶體的有機發光二極體，其中該驅動單元的薄膜電晶體具有在第一氧化物半導體層和第二層氧化物半導體所堆疊的一結構中形成的主動層，並且該像素單元的薄膜電晶體具有由第二氧化物半導體層所形成的主動層。該驅動單元的薄膜電晶體具有形成在比具有高電荷遷移率 的第二氧化物半導體層的載子濃度還高的第一氧化物半導體層上的一通道，以及該像素單元的薄膜電晶體具有形成在具有一穩定和均勻的功能特性的第二氧化物半導體層上的一通道。
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧閘極絕緣層
103‧‧‧絕緣層
110‧‧‧薄膜電晶體
111‧‧‧閘極電極
112‧‧‧主動層
112a‧‧‧第一氧化物半導體層
112b‧‧‧第二氧化物半導體層
113‧‧‧源極和汲極電極
120‧‧‧薄膜電晶體
121‧‧‧閘極電極
122‧‧‧主動層
123‧‧‧源極和汲極電極
130‧‧‧有機發光二極體
131‧‧‧陽極電極
132‧‧‧像素定義層
133‧‧‧有機發光層
134‧‧‧陰極電極
140‧‧‧像素區
142‧‧‧掃描線
144‧‧‧數據線
146‧‧‧像素單元
150‧‧‧非像素區
160‧‧‧掃描驅動單元
170‧‧‧數據驅動單元
180‧‧‧墊
190‧‧‧通孔
192‧‧‧開放部分
200‧‧‧密封基板
300‧‧‧黏膠
藉由參考以上詳細地描述且配合所附的圖式將更好了解且顯而易見地發現本發明更完整的讚賞以及其所附著的許多優點，其中相似的參考符號表示相同或相似的構件，其中：圖1A和1B分別是平面圖和剖面圖，說明根據本發明的一有機發光顯示裝置；圖2是解釋圖1A的像素單元和掃描驅動裝置的結構的剖面圖；圖3A到3C是顯示根據應用於圖3C的閘極電極與源極電極的電壓VGS的變化而在汲極電極和源極電極之間的電流IDS的變化的二維圖；以及圖第4A到4D是顯示根據本發明來製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
在下面的詳細說明中，只有藉由說明的方式簡單地證明和描述本發明的某些示範性實施例。由於熟知此領域的技藝人士會了解，該所描述的實施例可作各種不同方式的修改，而皆沒有偏離本發明的精神或範圍。因此，圖式和說明是視為說明性質而不是限制。
此外，當一組件被稱為在另一個組件「上」時，它可以是直接在另一個組件上或者以一個或多個中間組件插入於其中的間接地在 另一個組件上。同樣，當一組件被稱為「連接到」另一個組件，它可以直接連接到另一個組件或者以一個或多個中間組件插入於其中的間接地連接到另一個組件。此外，對完整本發明描述沒有必要的一些組件被省略以維持清晰度。此外，相似的參考數字是指整體中相似的組件。
下文，根據本發明的示範性實施例將參照所附圖式以詳細地敘述。
圖1A和1B分別是一平面圖和一剖面圖，其說明根據本發明的一有機發光顯示裝置。
參考圖1A，一基板100包括一像素區140和一非像素區150。非像素區150成為圍繞像素區140的一區或者除了像素區140以外的一區。
掃描線142和數據線144形成在配置於基板100上的像素區140中，並且彼此交相。在配置於基板100上的像素區140中，複數個像素單元146以一矩陣型式被配置和耦合在掃描線142和數據線144之間。像素單元146可以包括一有機發光二極體、控制該有機發光二極體的運作的一薄膜電晶體和維持信號的一電容。
掃描線142和數據線144自像素區140延長至非像素區150。在配置於基板100上的非像素區150中，一電源供應線(未顯示)操作該有機發光二極體，並且一掃描驅動單元160和一數據驅動單元170透過一墊180處理來自外部提供的信號，以為了將該外部信號供應至掃描線142和數據線144。掃描驅動單元160和數據驅動單元170包括一驅動電路，其透過墊180將該外部信號轉換成掃描信 號和數據信號以選擇性驅動每個像素。
參考圖1B，在像素單元146所形成的基板100上，配置密封像素地區140的一密封基板200，並且藉由配置黏膠300以圍繞像素區140的方式將密封基板200黏合至基板100。
圖2是更具體解釋圖1A的像素單元146和掃描驅動單元160的結構的一剖面圖。為方便解釋，像素單元146只顯示一薄膜電晶體120和一有機發光二極體130，並且掃描驅動單元160只顯示一薄膜電晶體110。在圖式中，只顯示掃描驅動單元160，然而一數據驅動器單元170的一薄膜電晶體具有相同的結構。
參考圖2，一緩衝層101形成於均有著像素區140和非像素區150的基板100上。在圖式中，像素區140顯示像素單元146，非像素區150顯示掃描驅動單元160。
形成驅動電路的薄膜電晶體110形成在掃描驅動單元160的緩衝層101上，並且作為一開關的薄膜電晶體120形成在像素單元146的緩衝層101上。
掃描驅動單元160的薄膜電晶體110包括一閘極電極111、藉由一閘極絕緣層102而與閘極電極111隔絕的主動層112以及在源極和汲極區中電氣和物理耦合到主動層112的源極和汲極電極113。主動層112形成於具有不同載子濃度(不同的電導率)的半導體層所堆疊的一結構中，更具體地說，在具有高載子濃度的一第一氧化物半導體層112a和具有比該第一氧化物半導體層112a的載子濃度還低的第二氧化物半導體層所堆疊的一結構中。換言之，在一通道實質形成的部分厚度(例如，厚度約為5奈米)是由具有相 對較高的載子濃度(1e+19到1e+21#/立方公分)(#代表載子數目)的第一氧化物半導體層112a所形成，並且除了一通道實質形成的部分之外的大部分的厚度(例如，厚度約10至50奈米)由具有相對較低的載子濃度(1e+13到1e+18個/立方公分)的第二氧化物半導體層112b所形成。例如，該第一氧化物半導體層112a可以選自以下的群組：氧化銦錫(ITO)、InZnO(IZO)、InSnO、AlZnO、AlGaO和InGaO，並且該第二氧化物半導體層可以由鋅氧化物(ZnO)或摻雜以下所列的離子的氧化鋅(ZnO)所形成：鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鎘(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、鍺(Ge)、釓(Gd)和釩(V)，例如，ZnO、ZnSnO和InGaZnO等，ITO和IZO等，通常用作為導電層，然而，當藉由控制其厚度的薄度和控制在沉積過程中的氧氣濃度來控制其載子濃度時，這些材料可以具有半導體特性。
同時，像素單元146的薄膜電晶體120包括閘極電極121、藉由閘極絕緣層102與閘極電極121隔絕的主動層122以及在源極和汲極區中電氣和物理耦合到主動層122的源極和汲極電極123，其中主動層122藉由具有與第二氧化物半導體層112b相同的層或相同的材料的氧化物半導體所形成，其中第二氧化物半導體構成薄膜電晶體110的主動層112。換句話說，主動層122可以由氧化鋅(ZnO)或摻雜以下所列的離子的氧化鋅(ZnO)所形成：鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鎘(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、鍺(Ge)、釓(Gd)和釩(V)，例如，ZnO、ZnSnO和InGaZnO等。
此外，形成一絕緣層103以用於在像素單元146的薄膜電晶體120 上的平坦，和形成一通孔在絕緣層103上，以便暴露薄膜電晶體120的源極或汲極123。形成一有機發光二極體130在像素單元146的絕緣層103上以透過該通孔電氣耦合到薄膜電晶體120的源極和汲極電極123的一者。
有機發光二極體130包括：一陽極電極131，其透過該通孔電氣耦合至薄膜電晶體120的源極和汲極123的一者；一有機發光層133，其形成在藉由一像素定義層132暴露發光地區中的一陽極電極131上；以及一陰極電極134，其形成在像素定義層132上，並且包括有機發光層133。有機發光層133可以包括電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層和一電子注入層。
隨著上述構成的本發明，像素單元146的薄膜電晶體120的主動層122由上述認同的氧化物半導體層所形成，並且驅動單元160和170的薄膜電晶體110的主動層112是形成在具有不同的載子濃度(即有不同的電導率)的該第一氧化物半導體層112a和該第二氧化物半導體層所堆疊的結構中。換句話說，具有相對較低的遷移率(10至20平方公分/伏.秒)和高的特性均勻的要求的像素單元146的薄膜電晶體120的主動層122是由ZnO、InGaZnO、InSnZnO和ZnSnO等的氧化物半導體層所形成；和具有相對高的電荷遷移率(50至130平方公分/伏.秒)的要求的驅動單元160和170的薄膜電晶體110的主動層112是由ITO和IZO等的第一氧化物半導體層112a和ZnO、InGaZnO、InSnZnO和ZnSnO等第二氧化物半導體層112b所形成，其中該第一氧化物半導體層具有相對較高的載子濃度(具有高濃度)並且該第二氧化物半導體層具有相對較低的載子濃度(具有低濃度)。因此，驅動單元160和170的薄膜電晶體 110具有形成在具有比第二氧化物半導體層的載子濃度還高的該第一氧化物半導體層112a上的一通道，使得薄膜電晶體110具有高電荷遷移率；並且像素單元146的薄膜電晶體120具有形成在該第二氧化物半導體層122上的一通道，使得薄膜電晶體120具有穩定和均勻的特性。
圖3A到3C是顯示根據應用於閘極電極與源極電極之間的電壓VGS的變化而在汲極電極和源極電極之間的電流IDS的變化的二維圖。圖3A顯示驅動單元160的薄膜電晶體110，其具有由InZnO 112a和GaInZnO 112b所製的主動層112；圖3B顯示驅動單元160的薄膜電晶體110，其具有由ITO 112a和GaInZnO 112b所製的主動層112；以及圖3C顯示像素單元146的薄膜電晶體110，其具有GaInZnO所製的主動層122。可以了解，當裝置的大小是一樣的時，由於氧化物半導體層的遷移率的差異，圖3A和3B的驅動單元160的薄膜電晶體是在目前特性上比起圖3C的像素單元146的薄膜電晶體120更優秀的。
圖第4A至4D是顯示根據本發明來製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
參考圖第4A，準備藉由一像素區140和一非像素區150所定義的基板100。在圖式中，像素區140顯示一像素單元146，非像素區150顯示一掃描驅動單元160。
一緩衝層101形成在像素區140和非像素區150中的基板100上，並且薄膜電晶體110和120的閘極極電極111和121分別形成在掃描驅動單元160和像素單元146的緩衝層上。
閘極絕緣層102和第一氧化物半導體層112a按順序形成在整個閘極電極111和121上。然後，圖案化該第一氧化物半導體層112a，從而保持該第一氧化物半導體層112a僅配置在掃描驅動單元160的閘極絕緣層102上。該第一氧化物半導體層112a是藉由沉積ITO、IZO、InSnO、AkZnO、AlGaO和InGaO的厚度在1奈米至5奈米來形成。
參考圖4B，該第二氧化物半導體層112b形成在包括該第一氧化物半導體層112a的整個上半部分，且然後圖案化。因此，主動層112是形成於掃描驅動單元160中的第一氧化物半導體層112a和第二氧化物半導體層112b的一堆疊結構中。同時，主動層122由作為在像素單元146中的該第二氧化物半導體層112b的相同層所形成。該第二氧化物半導體層112b是由ZnO、ZnSnO和InGaZnO等所製。
參考圖4C，一導電層形成在包括主動層112和122的整個上半部分，且然後圖案化，從而形成分別電氣耦合主動層112和122的源極和汲極區的源極和汲極電極113和123。
參考圖4D，形成絕緣層103以便平坦化該上半部分，其中薄膜電晶體110和120包含於該上半部分內，或者薄膜電晶體120包含於該上半部分內。然後形成通孔190以便暴露薄膜電晶體120的源極和汲極電極123的一者。在像素單元146的絕緣層103上形成陽極電極131，其透過通孔190電氣耦合至薄膜電晶體120的源極和汲極電極123。
開放部分192形成在陽極電極131上，以便在發光區中的陽極電極 131藉由形成和圖案化像素定義層132而暴露；以及有機發光層133形成在該開放部分的陽極電極上。有機發光層133可包括一電洞注入層、空洞傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。
此後，陰極電極134形成在包括有機發光層133的像素定義層132上，從而形成有機發光二極體130。
雖然本發明已以某些相關聯的示範性實施例來描述，可以理解該發明不僅限於揭露的實施例，但是，相反地，意圖涵蓋包含在所附加的申請專利範圍的精神和範圍中的各種修改和等效地排列，以及其等效物。
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧閘極絕緣層
103‧‧‧絕緣層
110‧‧‧薄膜電晶體
111‧‧‧閘極電極
112‧‧‧主動層
112a‧‧‧第一氧化物半導體層
112b‧‧‧第二氧化物半導體層
113‧‧‧源極和汲極電極
120‧‧‧薄膜電晶體
121‧‧‧閘極電極
122‧‧‧主動層
123‧‧‧源極和汲極電極
130‧‧‧有機發光二極體
131‧‧‧陽極電極
132‧‧‧像素定義層
133‧‧‧有機發光層
134‧‧‧陰極電極
146‧‧‧像素單元
160‧‧‧掃描驅動單元

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包括：一基板，包含一第一區和一第二區；一第一薄膜電晶體，其包括：一閘極電極，形成在配置於該基板上的該第一區中；一主動層，藉由一閘極絕緣層來與該閘極電極隔絕並且形成在一第一半導體層和一第二半導體層依序堆疊的一結構中；以及源極和汲極電極，以具有比一第二氧化物半導體層的載子濃度還高的一第一氧化物半導體層來電氣和物理耦合至該主動層；一第二薄膜電晶體，其包括：一閘極電極，形成在配置於該基板上的該第二區中；一主動層，藉由一閘極絕緣層來與該閘極電極隔絕並且由該第二氧化物半導體層所形成；以及源極和汲極電極，電氣和物理耦合至該主動層；一絕緣層，其形成在該第二薄膜電晶體上並有具有一通孔，以便暴露該第二薄膜電晶體的該等源極和汲極電極的一者；以及一有機發光二極體，其包括：一第一電極，形成在配置於該第二區中的該絕緣層上，並且該第一電極透過該通孔以電氣耦合到該第二薄膜電晶體的源極和汲極電極的一者；一有機發光層，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該有機發光層上。
  2. 如申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該第一區是一驅動單元。
  3. 如申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該第一氧化物半導體層形成在該第二氧化物半導體層和該閘極絕緣層之間。
  4. 如申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該第一氧化物半導體層 選自ITO、InZnO、InSnO、AlZnO、AlGaO和InGaO所組成的組群。
  5. 如申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該第一氧化物半導體層形成比該第二氧化物半導體層還薄。
  6. 如申請專利範圍第5項的有機發光顯示裝置，其中該第一氧化物半導體層形成的厚度為1至5奈米。
  7. 如申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該第二氧化物半導體層包括氧化鋅(ZnO)。
  8. 如申請專利範圍第7項的有機發光顯示裝置，其中該第二氧化物半導體層摻雜至少一種由下列所選出的離子：鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鎘(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、鍺(Ge)、釓(Gd)和釩(V)。
  9. 如申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該第一氧化物半導體層具有1e+19個/立方公分到1e+21個/立方公分的載子濃度，而該第二氧化物半導體層具有1e+13個/立方公分到1e+18個/立方公分的載子濃度。
  10. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，其包括：準備包括一第一區和一第二區的一基板；分別在該基板的該等第一區和第二區中形成第一和第二薄膜電晶體的閘極電極；在形成於該等第一區和第二區中的該閘極電極上形成一閘極絕緣層；形成一第一主動層，其形成於該第一區中的該閘極絕緣層上的一第一半導體層和一第二半導體層所堆疊的結構中，一第一氧化物半導體層具有比一第二氧化物半導體層還高的載子濃度；形成一第二主動層，由在該第二區中的該閘極絕緣層上的該第二氧化物半導體層所形成；形成源極和汲極電極以電氣和物理耦合到分別配置在該等第一區和第二區的該等第一和第二主動層； 在該第二薄膜電晶體上形成一絕緣層，然後形成一通孔，以便暴露該第二薄膜電晶體的該等源極和汲極電極的一者；以及形成一有機發光二極體，其包括：形成在該第二區中的該絕緣層上的一第一電極，並且該第一電極透過該通孔以電氣耦合到該第二薄膜電晶體的該等源極和汲極電極的一者；形成於該第一電極上的一有機發光層；以及形成於該有機發光層上的一第二電極。
  11. 如申請專利範圍第10項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第一區是一驅動單元。
  12. 如申請專利範圍第10項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第一氧化物半導體層由選自ITO、InZnO、InSnO、AlZnO、AlGaO和InGaO所構成的組群中的至少一種材料所製成。
  13. 如申請專利範圍第10項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第一氧化物半導體層形成比該第二氧化物半導體層還薄。
  14. 如申請專利範圍第13項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第一氧化物半導體層形成的厚度為1至5奈米。
  15. 如申請專利範圍第10項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第二氧化物半導體層包括氧化鋅(ZnO)。
  16. 如申請專利範圍第15項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第二氧化物半導體層摻雜至少一種由下列所選出的離子：鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鎘(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、鍺(Ge)、釓(Gd)和釩(V)。
  17. 如申請專利範圍第10項的製造有機發光顯示裝置的方法，其中形成該主動層包括：在該第一區中的該閘極絕緣層上形成該第一氧化物半導體層；圖案化該第一氧化物半導體層； 在該等第一區和第二區中形成該第二氧化物半導體層，其中該第一氧化物半導體層包含於該第一區內；以及圖案化在該等第一區和第二區中的該第二半導體層。
  18. 一種有機發光顯示裝置，其包括：一第一薄膜電晶體，配置在一基板的一非像素區上，該第一薄膜電晶體包括由一第一半導體層和一第二半導體層所形成的一第一主動層，其中以具有與一第二氧化物半導體層的載子濃度不同值的一第一氧化物半導體層，將該第一半導體層和該第二半導體層配置成直接物理地彼此接觸；一第二薄膜電晶體，配置在該基板的一像素區，該第二薄膜電晶體具有由該等第一和第二氧化物半導體層的一者所形成的一第二主動層。
  19. 如申請專利範圍第18項的有機發光顯示裝置，具有比該第二氧化物半導體層的載子濃度還高的值的該第一氧化物半導體層。
  20. 如申請專利範圍第19項的有機發光顯示裝置，具有將由該第二氧化物半導體層所形成的該第二主動層。
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