JP2012164987A5 - - Google Patents

Description

本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、
基板を用意する第１の工程、及び
該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を成膜する第２の工程を備え、該非晶質酸化物は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかであり、且つ
該第２の工程を、成膜温度が７０℃以上で行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０ ^1５ ／cm ^３ 以上、１０¹⁸／ｃｍ^３未満であり、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が２ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする。

Claims (2)

1. 電界効果型トランジスタの製造方法であって、
   基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を成
   膜する第２の工程を備え、該非晶質酸化物は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかであり、且つ該第２の工程を、成膜温度が７０℃以上で行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０ ^1５ ／cm ^３ 以上、１０¹⁸／ｃｍ^３未満であり、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が２ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
2. 前記成膜温度が、７０℃以上２００℃以下であることを特徴とする請求項１記載の電界
   効果型トランジスタの製造方法。