JP2008537631A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 一連の酸化亜鉛チャネル薄膜トランジスター型の行ドライバーおよび列ドライバーをディスプレイ基板上にパターニングする工程と、
   一連の酸化亜鉛チャネルピクセル薄膜トランジスターを前記ディスプレイ基板上にパターニングする工程であって、前記ピクセル薄膜トランジスターは、前記薄膜トランジスター型の行ドライバーおよび列ドライバーに電気接触した状態である工程と、
   一連の有機発光ダイオードを前記ディスプレイ基板上に形成する工程であって、各有機発光ダイオードは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光材料と、を含み、少なくとも１つの有機発光ダイオードの形成は、
   第１の電極を少なくとも１つのピクセル薄膜トランジスターに電気接触した状態で提供する工程と、
   第１のドナー基材と、第１の発光材料を含む第１の熱転写層と、を含む第１のドナーシートを作製する工程と、
   前記第１のドナーシートから前記第１の熱転写層を転写する工程であって、前記第１の熱転写層は、前記第１の電極に隣接して転写される工程と、
   第２の電極を堆積する工程であって、前記第１の熱転写層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される工程と、
   を含む工程と、
   を含む、ディスプレイの作製方法。
2. 前記ドナーシートが、前記ドナー基材と前記第１の転写層との間に配置された光熱変換層をさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記有機発光ダイオードの第１の電極が、少なくとも１つの薄膜トランジスターのソース電極またはドレイン電極に電気接触した状態である、請求項１に記載の方法。
4. 前記ディスプレイ基板と反対側の前記第１の電極の表面上に緩衝層を堆積する工程をさらに含み、前記第１の電極および前記緩衝層が両方とも、前記ディスプレイ基板と前記第１の転写層との間に配置される、請求項１に記載の方法。
5. 第２のドナー基材と第２の熱転写層とを含む第２のドナーシートを作製する工程と、
   前記第２のドナーシートから前記第２の熱転写層を転写する工程であって、前記第２の転写層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される工程と、
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。