CN102315278B - 双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的oled显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种双栅薄膜晶体管(TFT)和包括双栅TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置，包括双栅薄膜晶体管(TFT)，所述双栅薄膜晶体管包括：在基板上的第一栅电极；在所述第一栅电极上的有源层；在所述有源层上的源电极和漏电极；在所述基板以及所述源电极和漏电极上的平坦化层，所述平坦化层具有与所述有源层相对应的开口；以及在所述开口中的第二栅电极。

Description

双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的OLED显示装置
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2010年7月7日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2010-0065461的权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
以下描述涉及双栅薄膜晶体管(TFT)及包括双栅TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置。
背景技术
在诸如液晶显示器、有机电致发光显示器和无机电致发光显示器之类的平板显示装置中使用的薄膜晶体管(TFT)，用作控制每个像素的操作的开关器件和用作驱动像素的驱动器件。
一般来说，每个TFT具有：具有重掺杂的源/漏区和形成在源/漏区之间的沟道区的有源层、与有源层绝缘并形成在与沟道区相对应的位置处的栅电极以及分别接触源/漏区的源/漏电极。
有源层由包括非晶硅或多晶硅的半导体材料形成。当有源层由非晶硅形成时，载流子的迁移率降低，使得难以具体实现高速操作的驱动电路。当有源层由多晶硅形成时，载流子的迁移率增加，但阈值电压不均匀，使得需要布置独立的补偿电路。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种用于控制薄膜晶体管(TFT)的阈值电压的显示装置。
根据本发明一实施例的方面，提供一种双栅薄膜晶体管(TFT)，包括：在基板上的第一栅电极；在所述第一栅电极上的有源层；在所述有源层上的源电极和漏电极；在所述基板以及所述源电极和漏电极上的平坦化层，所述平坦化层具有与所述有源层相对应的开口；以及在所述开口中的第二栅电极。
所述有源层可以包括氧化物半导体。
所述第二栅电极可以为有机发光二极管(OLED)显示装置的阴极。
可以配置有向所述第一栅电极施加的正电压，并且可以配置有向所述第二栅电极施加的负电压。
根据本发明另一实施例的方面，提供一种有机发光二极管(OLED)显示装置，包括：像素电极，电连接到薄膜晶体管(TFT)并且位于平坦化层上；在所述像素电极上的像素限定层(PDL)，所述像素限定层具有：通过刻蚀所述PDL和所述平坦化层形成的暴露所述平坦化层中与所述TFT的有源层相对应的一部分的第一开口，和通过刻蚀所述PDL形成的暴露所述像素电极的一部分的第二开口；以及位于所述第一开口和所述第二开口中的对电极。
所述TFT可以包括：在基板上的第一栅电极；在所述第一栅电极上的有源层；以及在所述有源层上的源电极和漏电极。
所述对电极可以为所述TFT的第二栅电极。
根据本发明另一实施例的方面，提供一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括：在平坦化层上形成电连接到薄膜晶体管(TFT)的像素电极；在所述像素电极上形成像素限定层(PDL)；通过刻蚀所述PDL和所述平坦化层形成暴露所述平坦化层中与所述TFT的有源层相对应的一部分的第一开口，并且通过蚀刻所述PDL形成暴露所述像素电极的一部分的第二开口；并且在所述第一开口和所述第二开口中形成对电极。
在形成像素电极的操作之前，所述方法可以进一步包括以下操作：在基板上形成第一栅电极；在所述第一栅电极上形成所述有源层；在所述有源层上形成源电极和漏电极；并且在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成所述平坦化层。
在形成对电极之前，所述方法可以进一步包括在所述第二开口中形成发光层的操作。
所述对电极可以为与所述第一栅电极相对应的第二栅电极。
根据本发明的再一实施例的方面，提供一种制造双栅薄膜晶体管(TFT)的方法，所述方法包括：在基板上形成第一栅电极；在所述第一栅电极上形成有源层；在所述有源层上形成源电极和漏电极；在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成平坦化层；通过刻蚀所述平坦化层形成与所述有源层相对应的开口；并且在所述开口中形成第二栅电极。
所述第二栅电极可以为OLED显示装置的阴极。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上及其它特征和优点将变得更明显，附图中：
图1为根据本发明实施例的包括氧化物半导体的双栅薄膜晶体管(TFT)的截面图；
图2为根据本发明实施例的包括双栅TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置的截面图；
图3至图7为制造根据本发明实施例的包括双栅TFT的OLED显示装置的过程的截面图；
图8和图9为示出根据本发明实施例的双栅TFT的电学特性的图；
图10为根据本发明实施例的OLED显示装置的一部分的电路图；以及
图11为包括在图10的OLED显示装置的像素中的TFT的俯视图。
具体实施方式
下文中，将通过参照附图说明本发明的示例性实施例来详细地描述本发明。附图中相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，不再详细地描述公知的功能或构造，以避免因为不必要的细节而使得本发明的方面变得模糊。
如此处所使用的那样，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目中的任意和所有组合。
在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被放大。在整个说明书中，也应当理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被提到位于另一元件“上”时，该元件可以直接位于该另一元件上，或者也可以存在一个或多个中间元件。
近来，已开展研究来使用氧化物半导体作为有源层。使用氧化物半导体作为有源层的氧化物TFT可以以低温过程制造，由于其非晶相而可以具有大面积，并且具有与多晶硅一样良好的电特性。
图1为根据本发明实施例的包括氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)的截面图。
参见图1，该TFT为双栅NMOS晶体管，包括底栅电极21、有源层22、形成在有源层22侧面的源/漏电极23/24、以及顶栅电极25。
更详细地说，底栅电极21形成在基板11上，并且形成栅绝缘层13以覆盖基板11和底栅电极21。栅绝缘层13上形成由氧化物半导体形成的有源层22。形成层间绝缘层15以覆盖有源层22。层间绝缘层15上的源/漏电极23/24经由接触孔连接到有源层22，并且形成平坦化层17以覆盖源/漏电极23/24。平坦化层17上形成有像素限定层(PDL)19，以便防止或降低像素间的颜色混合。通过图案化PDL19和平坦化层17，形成与有源层22相对应的孔27，然后在孔27中形成顶栅电极25。
有源层22可以由透明氧化物半导体形成，并且在源/漏电极23/24之间形成沟道。
在氧化物半导体被用作有源层的氧化物TFT中，当NMOS具有稳定的特性时，阈值电压(下文中，称之为Vth)具有负值或接近负值的值，从而在电路操作中可能发生故障。而且，当使用补偿电路时，如果Vth具有负值，则可能不会正确地执行补偿。
因此，应当将Vth从负值调整或者偏移为正值，并且针对这种偏移，或者可以改变工艺，或者可以调整沟道的宽度和/或长度(W/L)。然而，这些方法无法保证可靠性。
在本发明的实施例中，向顶栅电极25施加偏压，使得Vth偏移为正值。被施加固定电压的电极层可以用作TFT的顶栅电极25，其中该电极层可以来自显示装置的现有电极层中。因此，不需要单独形成顶栅电极25，也不需要布置向顶栅电极25施加偏压的外部电源或额外布线。以该方式，增加了显示装置的开口率，并且降低了导致工艺误差的因素。
下文中，接下来将参照有机发光二极管(OLED)显示装置的阴极被用作顶栅电极25的示例进行描述。
图2为根据本发明实施例的包括双栅TFT的OLED显示装置的截面图。
参见图2，OLED显示装置由包括具有氧化物半导体的双栅TFT的驱动单元、包括有机电致发光(有机EL)的发光单元以及包括电容器Cst的存储单元形成。
双栅TFT为双栅NMOS晶体管，包括底栅电极21、有源层22、形成在有源层22侧面的源/漏电极23/24。而且，在双栅TFT中，有机EL的对电极35用作顶栅电极。
更详细地说，底栅电极21形成在基板11上方，并且形成栅绝缘层13以覆盖基板11和底栅电极21。栅绝缘层13上形成由氧化物半导体形成的有源层22。形成层间绝缘层15以覆盖有源层22。层间绝缘层15上的源/漏电极23/24经由接触孔连接到有源层22，并且形成平坦化层17以覆盖源/漏电极23/24。有源层22可以由透明氧化物半导体形成，并且在源/漏电极23/24之间形成沟道。在平坦化层17的与有源层相对应的区域中形成开口，并且在该开口中形成发光单元的对电极35。
有机EL由连接到双栅TFT的源/漏电极23/24之一的像素电极31、对电极35以及包括插入像素电极31与对电极35之间的发光层的中间层33形成。像素电极31用作阳极，而对电极35用作阴极，同时用作双栅TFT的顶栅电极TG。
电容器Cst由第一电极41和第二电极43形成，其中栅绝缘层13和层间绝缘层15插入在第一电极41与第二电极43之间。
在当前实施例中，向发光单元的对电极35(其为双栅TFT的顶栅电极TG)施加阴极电压(即负电压)，并且向底栅电极21施加正电压，从而支撑有源层22形成n沟道，将Vth偏移为正值。
图3至图7为制造根据本发明实施例的包括双栅TFT的OLED显示装置的过程的截面图。
参见图3，在基板11上形成双栅TFT的底栅电极21。在形成双栅TFT的底栅电极21之前，可以在基板11上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可以用于防止或降低基板11的杂质渗入布置在基板11上方的层中。缓冲层可以包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)。
基板11可以利用包括SiO2的透明玻璃材料形成。而且，基板11可以包括塑性材料。基板11可以包括金属箔和/或柔性基板。
底栅电极21可以利用从Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W和Ti所组成的组中选择的金属形成，或者可以利用诸如Al-Nd合金和Mo-W合金等的金属合金形成，但不限于此。事实上，底栅电极21可以在考虑诸如与相邻层的粘附性、平坦化、电阻或可形成性等性质或特性的情况下，利用各种材料形成。
参见图4，在底栅电极21上依次形成栅绝缘层13和有源层22。
在基板11和底栅电极21上形成栅绝缘层13。栅绝缘层13可以利用包括氧化硅或氮化硅的绝缘材料形成，或者可以利用绝缘有机材料形成。
接下来，在栅绝缘层13上形成有源层22。有源层22可以包括与底栅电极21重叠的沟道区，并且可以包括氧化物半导体。有源层22可以包括包含从In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf和As所组成的组中选择的至少一种元素的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括ZnO、SnO2、In2O3、Zn2SnO4、Ga2O3和/或HfO2中至少之一。而且，有源层22可以利用透明氧化物半导体形成。例如，透明氧化物半导体可以包括氧化锌、氧化锡、氧化镓铟锌、氧化铟锌和/或氧化铟锡，但不限于此。有源层22可以通过利用作为物理沉积的溅射方法形成。有源层22可以通过根据与TFT相对应的电阻值而控制氧的量来形成。
参见图5，在有源层22上依次形成层间绝缘层15和源/漏电极23/24。
首先，在基板11和有源层22上形成层间绝缘层15。层间绝缘层15可以利用包括氧化硅或氮化硅的绝缘材料形成，或者可以利用绝缘有机材料形成。
通过选择性地去除层间绝缘层15来形成接触孔，并且在层间绝缘层15上形成具有单层或多层的源/漏电极23/24，以便覆盖接触孔。源/漏电极23/24分别经由接触孔接触有源层22的两侧。源/漏电极23/24可以利用导电材料(例如，包括Cr、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、Cu和/或AlNd的金属，或包括ITO、GIZO、GZO、IZO(InZnO)或AZO(AlZnO)的金属或导电氧化物)形成。
参见图6，在基板11和源/漏电极23/24上形成平坦化层17，因此平坦化层17用于保护并平坦化在其下面或下方的双栅TFT。平坦化层17可以通过利用各种方法之一形成，并且可以利用包括苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸的有机材料或者包括SiNx的无机材料形成。而且，平坦化层17可以形成为单层、双层或多层。
在平坦化层17上形成像素电极31，并且该像素电极31经由接触孔29电连接到源/漏电极23/24之一。
像素电极31可以利用多种导电材料中的一种形成。在朝向基板11实现图像的底发射型OLED显示装置中，像素电极31可以为透明电极，并且可以利用具有高功函数的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的材料形成。在远离基板11实现图像的顶发射型OLED显示装置中，像素电极31可以为反射电极，并且可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及其组合所组成的组中选择的材料。可以在反射电极上进一步形成具有高功函数的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料。
在包括像素电极31的基板11上沉积像素限定层(PDL)19。PDL19限定单元像素部分。PDL19可以根据旋涂方法利用包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂所组成的组中选择的至少一种材料的有机绝缘材料形成。PDL19还可以利用从SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5和Pr2O3所组成的组中选择的无机绝缘材料形成。而且，PDL19可以具有有机绝缘材料和无机绝缘材料交替形成的多层结构。
通过刻蚀PDL19和平坦化17的与有源层22相对应的部分形成第一开口27。还刻蚀并形成第二开口37以暴露像素电极31的一部分。
参见图7，在第二开口37中形成包括发光层的中间层33，并且在基板11上形成对电极35以便至少覆盖中间层33。
中间层33可以具有单层或多层结构，其中形成来自发射层(EML)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)中的一层或多层。
中间层33可以利用低分子或高分子有机材料形成。
在利用低分子有机材料形成中间层33的情况下，中间层33具有HTL和HIL朝向像素电极31被堆叠的结构，并且ETL和EIL相对于EML更靠近对电极35被堆叠。除了这些层之外，相应地还可以堆叠多种层。此处，可以使用的有机材料包括铜酞菁(CuPc)、N，N’-二萘-1-基-N，N’-联苯-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等等。
在利用高分子有机材料形成中间层33的情况下，中间层33可以具有仅HTL相对于EML更靠近像素电极31被堆叠的结构。HTL可以根据喷墨印刷方法或旋涂方法通过利用聚-(2，4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成在像素电极31上。此处，可以使用包括聚苯乙炔(PPV)基材料或聚芴基材料等等的高分子有机材料，并且可以通过利用包括喷墨印刷方法、旋涂方法或利用激光的热传递方法的一般方法来形成颜色图案。
对电极35可以沉积在基板11的整个表面上，并且可以覆盖第一开口27和第二开口37。在根据本发明实施例的OLED显示装置中，像素电极31用作阳极，并且对电极35用作阴极。对电极35覆盖第一开口27且用作面对底栅电极21的顶栅电极TG，并且覆盖第二开口37且用作面对像素电极31的阴极。
在朝向基板11实现图像的底发射型OLED显示装置中，对电极35为反射电极。这种反射电极可以利用具有低功函数的且从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al及其组合所组成的组中选择的金属形成。在朝向对电极35实现图像的顶发射型OLED显示装置中，对电极35可以为透明电极，从而可以通过沉积具有低功函数且从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及其组合所组成的组中选择的金属来形成，然后通过利用包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的透明导电材料在其上形成辅助电极层或公共电极线。
尽管在图7中未示出，但可以在对电极35上进一步布置密封构件(未示出)和吸湿剂(未示出)，以便保护EML免受外部湿气或氧。
图8和图9为示出根据本发明实施例的双栅TFT的电学特性的图。
图8示出针对于不向双栅TFT的顶栅电极施加电压的情况(即当双栅TFT以与传统单栅TFT基本上相同的方式操作时)以及针对分别向根据本发明实施例的双栅TFT的顶栅电极施加-3V和-6V的情况，底栅与源之间的电压(栅电压Vg)特性和漏与源之间的电流(漏电流Id)特性。在图8的图中，水平轴代表栅电压，而垂直轴代表漏电流。而且，图8的图示出漏与源之间的电压(漏电压Vds)分别为5.1V和0.1V。
参见图8，在传统的单栅TFT中，Vth接近负电压，但在根据本发明实施例的双栅TFT中，Vth向右偏移，从而偏移到更大的正电压。
例如，当向顶栅电极施加-3V或-6V时，Vg分别为约6V和12V。
图9示出Vth针对向根据本发明实施例的双栅TFT的顶栅电极施加的偏置电压的改变。图9的图中的左图对应于有源层的长度为36μm的情况，而图9的图中的右图对应于有源层的长度为18μm的情况。
参见图9，当分别向顶栅电极施加0V、-3V和-6V的偏置电压时，Vth偏移为正电压。此处，Vth随着有源层的长度缩短而进一步增加。
而且，当有源层与顶栅电极之间的距离D变化时，例如当距离D分别设置为和时，Vth的改变随着距离D减少而增加。然而，不考虑距离D的变化，Vth将随着偏置电压的降低而偏移到更大的正电压。
图10为根据本发明实施例的OLED显示装置的一部分的电路图。图11为包括在图10的OLED显示装置的像素中的TFT的平面图。
参见图10，OLED显示装置包括有机发光面板100、扫描驱动器200、数据驱动器300和时序控制器400。
有机发光面板100包括多条扫描线S1-Sn、多条数据线D1-Dm和多个像素P。多条扫描线S1-Sn以基本上均匀的距离彼此分隔开，排列成行(例如，在行方向上延伸)，并且分别提供扫描信号。多条数据线D1-Dm以基本上均匀的距离彼此分隔开，排列成列(例如，在列方向上延伸)，并且分别提供数据信号。多条扫描线S1-Sn和多条数据线D1-Dm排列成矩阵，并且在各交叉区域处形成像素。
扫描驱动器200连接到多条扫描线S1-Sn，并且向多条扫描线S1-Sn中的每条扫描线施加扫描信号，其中扫描信号具有栅极导通电压和栅极截止电压。扫描驱动器200可以以使分别向多条扫描线S1-Sn施加的多个扫描信号可以依次具有栅极导通电压的方式施加多个扫描信号。在扫描信号为栅极导通电压的情况下，连接到对应扫描线的开关晶体管导通。
数据驱动器300连接到有机发光面板100的多条数据线D1-Dm，并且向多条数据线D1-Dm中的每条数据线施加指示灰度级的数据信号。数据驱动器300将从时序控制器400输入的对应于不同灰度级的输入图像数据Data转换成电压或电流形式的数据信号。
时序控制器400可以从外部图形控制器(未示出)接收输入图像数据Data和用于控制输入图像数据Data的显示的输入控制信号。输入控制信号可以包括水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync和主时钟MCLK。时序控制器400向数据驱动器300提供输入图像数据Data，并且生成并分别向扫描驱动器200和数据驱动器300提供扫描控制信号CONT1和数据控制信号CONT2。扫描控制信号CONT1可以包括用于指示扫描开始的扫描开始信号SSP以及多个时钟信号SCLK，并且数据控制信号CONT2可以包括时钟信号和用于指示向特定行上的像素提供输入图像数据Data的水平同步开始信号STH。
像素P各自包括用于控制每个像素的操作的开关器件以及作为驱动每个像素的驱动器件的TFT和发光单元。
TFT为包括氧化物半导体的双栅TFT，并且可以形成为发光单元的阴极被用作顶栅电极的NMOS晶体管。TFT可以为例如如上所述的本发明的实施例。
参见图11，TFT包括位于底栅电极21上方的有源层22、与有源层22的侧面重叠的源/漏电极23/24以及与有源层22的中央部分相对应以形成顶栅电极的第一开口27。
在底栅电极21与有源层22之间插入栅绝缘层，源/漏电极23/24接触有源层22，其中在源/漏电极23/24与有源层22之间插入层间绝缘层，并且在源/漏电极23/24上方进一步形成平坦化层和PDL。通过刻蚀平坦化层和PDL，在与有源层22的中央部分相对应的位置处形成第一开口27。
在TFT用于OLED显示装置的情况下，可以在第一开口27中形成用作阴极的电极层，并且该电极层还可以用作顶栅电极。图6的TFT区域中示出沿图11的线A-A’截取的截面图。
在上述实施例中，双栅TFT用在OLED显示装置中。然而，根据本发明的其它实施例，双栅TFT可以用在各种其它类型的显示装置中，例如，可以用在包括被施加固定电压的电极层的显示装置中。
根据本发明的实施例，被施加恒定电压的现有电极层可以用作双栅TFT的顶栅电极，因此可以简化制造工艺和组件结构，并且可以提高开口率。
虽然已参照本发明的示例型实施例具体示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，在不背离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此处进行形式和细节上的各种改变。

Claims (16)

1.一种双栅薄膜晶体管，包括：
在基板上的第一栅电极；
在所述第一栅电极上的有源层；
在所述有源层上的源电极和漏电极；
在所述基板以及所述源电极和漏电极上的平坦化层，所述平坦化层具有与所述有源层相对应的开口；以及
在所述开口中的第二栅电极，
其中所述第二栅电极为有机发光二极管显示装置的阴极。
2.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，其中所述有源层包括氧化物半导体。
3.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，进一步包括：
在所述第一栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及
在所述有源层与所述源电极和漏电极的至少一部分之间的层间绝缘层。
4.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，其中配置有向所述第一栅电极施加的正电压，并且配置有向所述第二栅电极施加的负电压。
5.一种有机发光二极管显示装置，包括：
像素电极，电连接到薄膜晶体管并且位于平坦化层上；
在所述像素电极上的像素限定层，所述像素限定层具有：通过刻蚀所述像素限定层和所述平坦化层形成的暴露所述平坦化层中与所述薄膜晶体管的有源层相对应的一部分的第一开口，和通过刻蚀所述像素限定层形成的暴露所述像素电极的一部分的第二开口；以及
位于所述第一开口和所述第二开口中的对电极，
其中所述第一开口中的对电极为所述薄膜晶体管的第二栅电极。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：
在基板上的第一栅电极；
在所述第一栅电极上的有源层；
在所述有源层上的源电极和漏电极；以及
在所述源电极和所述漏电极上的所述第二栅电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，进一步包括：
在所述第一栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及
在所述有源层与所述源电极和漏电极的至少一部分之间的层间绝缘层。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中配置有向所述第一栅电极施加的正电压，并且配置有向所述对电极施加的负电压。
9.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述源电极和漏电极之一连接到所述像素电极。
10.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中所述有源层包括氧化物半导体。
11.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：
在平坦化层上形成电连接到薄膜晶体管的像素电极；
在所述像素电极上形成像素限定层；
通过刻蚀所述像素限定层和所述平坦化层形成暴露所述平坦化层中与所述薄膜晶体管的有源层相对应的一部分的第一开口，并且通过蚀刻所述像素限定层形成暴露所述像素电极的一部分的第二开口；并且
在所述第一开口和所述第二开口中形成对电极，
其中所述第一开口中的对电极为所述薄膜晶体管的第二栅电极。
12.根据权利要求11所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，在形成像素电极之前，进一步包括：
在基板上形成第一栅电极；
在所述第一栅电极上形成所述有源层；
在所述有源层上形成源电极和漏电极；并且
在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成所述平坦化层。
13.根据权利要求12所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，其中所述像素电极电连接到所述源电极或漏电极之一。
14.根据权利要求12所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，进一步包括：
在所述第一栅电极与所述有源层之间形成栅绝缘层；并且
在所述有源层与所述源电极和漏电极的至少一部分之间形成层间绝缘层。
15.根据权利要求11所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，在形成对电极之前进一步包括在所述第二开口中形成发光层。
16.一种制造双栅薄膜晶体管的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一栅电极；
在所述第一栅电极上形成有源层；
在所述有源层上形成源电极和漏电极；
在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成平坦化层；
通过刻蚀所述平坦化层形成与所述有源层相对应的开口；并且
在所述开口中形成第二栅电极，
其中所述第二栅电极为有机发光二极管显示装置的阴极。
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