CN109728067B - 一种显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板，包括：依次位于基底上的基板、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，还包括荧光层。荧光层位于基板上，用于后续采用激光剥离技术剥离基底时，遮挡照射到半导体有源层的光线。本发明还公开一种显示面板的制造方法和显示装置。本发明将金属遮光层替换成荧光层，由于荧光层可以吸收高能量的光后电子发生跃迁，由原来处于的基态电子轨道跃迁至更高的激发态轨道。因为激发态轨道不稳定，随即从更高的激发态轨道跃迁回至能量较低的基态，低能量的光对半导体有源层没有影响。荧光层可以吸收高能量光，不会反射高能量光，因此，能实现较佳的遮光效果，避免恶化半导体有源层。

Description

一种显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体为一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
由于有机发光二极管具有自发光、广视角、能耗低、对比度高等特点，使得有机发光二极管被誉为液晶显示器的下一代产品。相对于目前的低温多晶硅技术，氧化技术在大尺寸有机发光二极管方向具有明显优势，工艺简单、均一性好。其中，顶栅结构使沟道避免来自显示的光照的影响，但是，柔性弯曲是有机发光二极管发展的一个重要方向，柔性薄膜基底从玻璃表面激光剥离时会照射沟道，使薄膜晶体管的性能恶化。
为了避免光线对沟道的照射，在半导体有源层沟道下方制作金属遮光层是常用工艺之一，由于金属遮光层不透光，可以将激光剥离工艺的高能量紫外光遮挡。但是，金属遮光层会反射一部分光，斜射到沟道上造成半导体有源层特性恶化，恶化程度随机，导致遮光的效果不佳。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，用于解决顶栅型柔性显示面板在激光剥离的过程中，激光照射导致半导体有源层特性恶化，使得显示面板的整体显示效果欠佳的问题。
为了解决上述问题，本发明实施例主要提供如下技术方案：
在第一方面中，本发明实施例公开了一种显示面板，包括：依次位于基底上的基板、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，还包括荧光层；
所述荧光层位于所述基板上，用于后续采用激光剥离技术剥离所述基底时，遮挡照射到所述半导体有源层的光线。
可选地，所述荧光层在所述基底上的正投影与所述半导体有源层在所述基底上的正投影完全重叠；或
所述荧光层在所述基底上的正投影与所述基板在所述基底上的正投影完全重叠。
可选地，所述荧光层的材料包括：混合有有机荧光材料的光刻胶，或混合有无机荧光材料的光刻胶。
可选地，所述有机荧光材料包括：荧光素、罗丹明、菁染料、芘类染料中的一种；
所述无机荧光材料包括：碱金属硫化物以及铝酸盐中的一种。
可选地，还包括：依次设置在所述栅极上的层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极层、像素界定层、支撑层、发光层以及薄膜封装层。
可选地，所述显示面板为有机电致发光显示面板。
可选地，所述显示面板还包括：缓冲层，位于所述荧光层上。
在第二方面中，本发明实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面所述的显示面板。
在第三方面中，本发明实施例公开了一种显示面板的制造方法，包括：
在基底上制作基板；
在所述基板上制作荧光层，在所述荧光层上制作缓冲层，所述荧光层用于后续采用激光剥离技术剥离所述基底时，遮挡照射到所述半导体有源层的光线；
在所述缓冲层上通过构图工艺依次制作半导体有源层、栅极绝缘层和栅极。
可选地，在所述基板上制作荧光层，包括：
在所述基板上涂覆荧光材料，形成荧光层；
或，
在所述基板上涂覆荧光材料，并对所述荧光材料进行图形化，形成荧光层，所述荧光层在所述基底上的正投影与所述半导体有源层在所述基底上的正投影完全重叠。
可选地，在所述基板上涂覆荧光材料，包括：
将有机荧光材料或无机荧光材料按一定比例混合在光刻胶内，制成荧光材料，将所述荧光材料涂覆在所述基板上。
可选地，还包括：
通过构图工艺在所述栅极上依次制作层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极层、像素界定层、支撑层、发光层以及薄膜封装层。
可选地，制作所述薄膜封装层后，还包括：
采用激光剥离技术剥离所述基底。
借由上述技术方案，本发明实施例提供的技术方案至少具有下列优点：
本发明将金属遮光层替换成荧光层，由于荧光层可以吸收高能量的光后电子发生跃迁，由原来处于的基态电子轨道跃迁至更高的激发态轨道。因为激发态轨道不稳定，随即从更高的激发态轨道跃迁回至能量较低的基态，低能量的光对半导体有源层没有影响。荧光层可以吸收高能量光，不会反射高能量光，因此，能实现较佳的遮光效果，避免半导体有源层被恶化，提升显示面板的整体显示效果。
上述说明仅是本发明实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明实施例的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本发明实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本发明实施例的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例的显示面板的制造方法的流程图；
图3为本发明实施例在基底上制作基板的结构示意图；
图4为在图3的基板上制造荧光层的结构示意图；
图5为在图4的基板上制造缓冲层的结构示意图；
图6为在图5的基板上制造半导体有源层、栅极绝缘层和栅极的结构示意图；
图7为在图6的基板上制造层间绝缘层的结构示意图；
图8为在图7的基板上制造源漏极的结构示意图；
图9为在图8的基板上制造钝化层和平坦层的结构示意图；
图10为在图9的基板上制造阳极层的结构示意图；
图11为在图10的基板上制造像素界定层和支撑层的结构示意图。
附图标记介绍如下：
1-基底；2-基板；3-缓冲层；4-半导体有源层；5-栅极绝缘层；6-栅极；7-荧光层；8-层间绝缘层；9-源漏极；10-钝化层；11-平坦层；12-阳极层；13-像素界定层；14-支撑层；15-发光层；16-薄膜封装层。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
图1示出了本发明实施例的显示面板的结构示意图。如图1所示，本发明实施例公开了一种显示面板，其包括：依次位于基底1上的基板2、半导体有源层4、栅极绝缘层5和栅极6。该显示面板还包括荧光层7。该荧光层7位于基板2上，用于后续采用激光剥离技术剥离基底1时，遮挡照射到半导体有源层4的光线。
本发明将现有技术采用的金属遮光层替换成荧光层，由于荧光层可以吸收高能量的光后电子发生跃迁，由原来处于的基态电子轨道跃迁至更高的激发态轨道。因为激发态轨道不稳定，随即从更高的激发态轨道跃迁回至能量较低的基态，低能量的光对半导体有源层没有影响。荧光层可以吸收高能量光，不会反射高能量光，因此，能实现较佳的遮光效果，避免恶化半导体有源层。
可选地，在一个实施例中，荧光层7在基底1上的正投影与半导体有源层在基底1上的正投影完全重叠。在另一个实施例中，荧光层7在基底1上的正投影与基板2在基底1上的正投影完全重叠。
上述两种实施例中，由于荧光层与半导体有源层的正投影重叠，使得荧光层能够遮挡由于基底所反射的光线，实现避免恶化半导体有源层的有益效果。另外，荧光层7在基底1上的正投影与半导体有源层在基底1上的正投影完全重叠时，即荧光层7不覆盖整个基板2的情况下，荧光层7可以增强显示面板的弯曲性能。
可选地，荧光层7的材料包括：混合有有机荧光材料的光刻胶，或混合有无机荧光材料的光刻胶。但是，对于本领域技术人员而言，也可以使用其他合适的材料。
具体地，有机荧光材料包括：荧光素、罗丹明、菁染料、芘类染料中的一种；无机荧光材料包括：碱金属硫化物以及铝酸盐中的一种。
可选地，如图1所示，本发明实施例的显示面板还包括：依次设置在栅极6上的层间绝缘层8、源漏极9、钝化层10、平坦层11、阳极层12、像素界定层13、支撑层14、发光层15以及薄膜封装层16。这里膜层的具体结构与现有技术类似，这里不再赘述。
可选地，在本实施例中，显示面板为有机电致发光显示面板，本发明实施例中的有机电致发光显示面板能够避免激光照射导致半导体有源层特性恶化，使得显示面板的整体显示效果较佳。
如图1所示，本实施例的显示面板还包括：缓冲层3，位于荧光层7上，缓冲层3可以起到隔绝荧光层7中各种粒子进入半导体有源层4，保证半导体有源层的特性。
需要说明的是，在现有技术中，由于金属遮挡层不透光，可以遮挡由激光剥离技术产生的高能量紫外光。但是，传统图形化金属遮挡层会反射一部分高能量紫外光，会造成半导体有源层的特性恶化，恶化程度随机，遮光效果不佳。
因此，本发明实施例利用荧光材料吸收高能量的光后电子发生跃迁，有原来处于的基态电子轨道跃迁至更高的激发态轨道，激发态不稳定，随即跃迁回能量较低的基态，能量会以波长更长、能量更低的光的形式释放，低能量的光对半导体有源层几乎无影响。荧光材料吸收高能量光，不会反射高能量光，由此能实现较佳的遮光效果。
综上所述，本发明实施例利用荧光材料制作遮光层，可以将高能量的激光转化为低能量的可见光，减小了对半导体有源层中沟道的影响。
与此同时，本发明实施例荧光材料与栅极、源漏极、金属层等膜层不会形成寄生电容，消除寄生电容对薄膜晶体管特性的影响。另外，含有荧光材料的涂层应力比金属遮光层小，提高了有机发光二极管的柔性，改善了有机发光二极管弯折的曲率半径。
基于同一发明构思，在第二方面中，本发明实施例公开了一种显示装置，其包括：第一方面的显示面板。第二方面中的显示装置所带来的有益效果与第一方面中显示面板的有益效果相同，因此，在此不再重复赘述。
基于同一发明构思，在第三方面中，如图2所示，本发明实施例公开了一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
S101：在基底上制作基板。
S102：在基板上制作荧光层，在荧光层上制作缓冲层，荧光层用于后续采用激光剥离技术剥离基底时，遮挡照射到半导体有源层的光线。
S103：在缓冲层上通过构图工艺依次制作半导体有源层、栅极绝缘层和栅极。
可选地，在S102中的在基板上制作荧光层包括：在基板上涂覆荧光材料，形成荧光层，此时形成的荧光层在基底上的正投影与基板在基底上的正投影完全重叠。
或者在另一个实施例中，在S102中的在基板上制作荧光层包括：在基板上涂覆荧光材料，并对荧光材料进行图形化，形成荧光层，荧光层在基底上的正投影与半导体有源层在基底上的正投影完全重叠，图形化后的荧光层可以增强显示面板的弯曲性能。
可选地，本发明实施例在基板上涂覆荧光材料，包括：将有机荧光材料或无机荧光材料按一定比例混合在光刻胶内，制成荧光材料，将荧光材料涂覆在基板上。
在一种具体的实施方式中，本发明实施例的制造方法还包括：通过构图工艺在栅极上依次制作层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极层、像素界定层、支撑层、发光层以及薄膜封装层。
可选地，在最后一步中，在制作薄膜封装层后，还包括：采用激光剥离技术剥离基底。
以下通过图1、图3至图11来详细说明本发明实施例的显示面板的制造方法。
如图3所示，在基底1上制作基板2，具体地，基底1可以为玻璃基板，基板2可以为聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm)，即在玻璃基板上涂覆一层PI膜层。
接着，如图4所示，在基板2上制作本发明实施例的荧光层7，荧光层7可以图形化也可以不图形化，若荧光层7图形化，则图形化后的荧光层7需要完成遮挡半导体有源层4。图4中示出了图形化的荧光层7，图形化的荧光层7的制作方法包括：在基板2上涂覆荧光材料，并通过构图工艺对荧光材料进行图形化，形成荧光层7。由于薄膜晶体管制作在基板2上，则图形化后的荧光层7有利于提高显示基板的弯折性能。
接着，如图5所示，在荧光层7上制作缓冲层3，缓冲层3可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等介质膜层或者复合膜层，缓冲层3的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。缓冲层3可以起到隔绝荧光层7中各种粒子进入半导体有源层，保证半导体有源层的特性。
接着，如图6所示，在缓冲层3上通过构图工艺制作半导体有源层，构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀和去除光刻胶的部分或全部过程，本发明实施例制作的半导体有源层可以为氧化物半导体有源层，不局限于铟稼锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)等半导体有源层。
接着，如图6所示，在半导体有源层4上通过构图工艺依次制作栅极绝缘层5和栅极6，其中，在栅极绝缘层5和栅极6共同完成沉积后，采用一次光刻，先采用湿法刻蚀形成栅极6，再采用干法刻蚀形成栅极绝缘层5，完成栅极绝缘层5和栅极6的制作。栅极绝缘层5是氮化硅或氮化硅、氧化硅叠层结构。之后，需要对裸露的半导体有源层4进行特殊处理，使与后续制作的源漏层连接部分导体化，以减小接触电阻。
接着，如图7所示，在栅极6上通过构图工艺制作层间绝缘层8，层间绝缘层8是氮化硅或氮化硅、氧化硅叠层结构，层间绝缘层8的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图8所示，在层间绝缘层8上通过构图工艺制作源漏层9，源漏层9通常采用低电阻的铜(Cu)，源漏层9的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图9所示，在源漏层9上通过构图工艺依次制作钝化层10和平坦层11，钝化层10采用氧化硅或氮化硅膜层，平坦层采用有机膜层，如采用树脂膜层，钝化层10和平坦层11的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图10所示，在平坦层11上采用构图工艺制作阳极层12，其中，阳极层12为氧化铟锡(ITO)或银(Ag)，阳极层12的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图11所示，在阳极层12上制作像素界定层13和支撑层14，其中，采用构图工艺将像素界定层13进行图形化，随后进行烘焙；再使用构图工艺将支撑层14图形化，随后进行烘焙，支撑层14主要起到支撑作用，在后续蒸镀过程时避免蒸镀掩膜板直接接触背板，对背板起到保护作用。像素界定层13和支撑层14的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图11所示，在支撑层14上制作发光层15以及薄膜封装层16，发光层15以及薄膜封装层16的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
最后，采用激光剥离技术剥离基底1，形成柔性的显示面板，激光剥离技术剥离基底1的具体方法与现有技术类似，这里不再赘述，由于本发明实施例中形成有荧光层，因此，在激光剥离过程中能够有效避免对半导体有源层的影响。
应用本发明实施例所获得的有益效果包括：
本发明将金属遮光层替换成荧光层，由于荧光层可以吸收高能量的光后电子发生跃迁，由原来处于的基态电子轨道跃迁至更高的激发态轨道。因为激发态轨道不稳定，随即从更高的激发态轨道跃迁回至能量较低的基态，低能量的光对半导体有源层没有影响。荧光层可以吸收高能量光，不会反射高能量光，因此，能实现较佳的遮光效果，避免半导体有源层被恶化，提升显示面板的整体显示效果。
以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种显示面板，包括：依次位于基底上的基板、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，其特征在于，还包括荧光层；
所述荧光层位于所述基板上，用于后续采用激光剥离技术剥离所述基底时，遮挡照射到所述半导体有源层的光线。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述荧光层在所述基底上的正投影与所述半导体有源层在所述基底上的正投影完全重叠；或
所述荧光层在所述基底上的正投影与所述基板在所述基底上的正投影完全重叠。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述荧光层的材料包括：混合有有机荧光材料的光刻胶，或混合有无机荧光材料的光刻胶。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机荧光材料包括：荧光素、罗丹明、菁染料、芘类染料中的一种；
所述无机荧光材料包括：碱金属硫化物以及铝酸盐中的一种。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：依次设置在所述栅极上的层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极层、像素界定层、支撑层、发光层以及薄膜封装层。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机电致发光显示面板。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：缓冲层，位于所述荧光层上。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在基底上制作基板；
在所述基板上制作荧光层，在所述荧光层上制作缓冲层，所述荧光层用于后续采用激光剥离技术剥离所述基底时，遮挡照射到半导体有源层的光线；
在所述缓冲层上通过构图工艺依次制作半导体有源层、栅极绝缘层和栅极。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述基板上制作荧光层，包括：
在所述基板上涂覆荧光材料，形成荧光层；
或，
在所述基板上涂覆荧光材料，并对所述荧光材料进行图形化，形成荧光层，所述荧光层在所述基底上的正投影与所述半导体有源层在所述基底上的正投影完全重叠。
11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述基板上涂覆荧光材料，包括：
将有机荧光材料或无机荧光材料按一定比例混合在光刻胶内，制成荧光材料，将所述荧光材料涂覆在所述基板上。
12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括：
通过构图工艺在所述栅极上依次制作层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极层、像素界定层、支撑层、发光层以及薄膜封装层。
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，制作所述薄膜封装层后，还包括：
采用激光剥离技术剥离所述基底。
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