KR20130078025A - 레이저 열전사 방법용 도너필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열전사용 도너필름에 관한 것으로, 레이저 열전사 방법(Light Induced Thermal Imaging) 또는 이와 유사한 공정에 사용하기 위한 열전사 이미지 형성 요소를 갖는 열전사용 도너필름에 관한 것이다.

Description

레이저 열전사 방법용 도너필름{LITI DONOR FILM}
본 발명은 레이저 열전사용 도너필름에 관한 것으로, 레이저 열전사 방법(Light Induced Thermal Imaging) 또는 이와 유사한 공정에 사용하기 위한 열전사 이미지 형성 요소를 갖는 열전사용 도너필름에 관한 것이다.
최근 디스플레이 장치의 기술의 발전 동향은 에너지를 적게 이용하면서도 동시에 시인성이 뛰어난 기술의 개발이다. 이에 따라 기존의 발광방식에 비해 에너지 소비가 적다고 알려진 유기발광표시장치(OLED)를 이용한 디스플레이 장치의 개발이 경쟁적으로 이루어지고 있는 상황이다.
이러한 OLED를 이용하는 디스플레이 장치의 풀컬러(full color)를 구현하기 위해서는 발광소자에 컬러를 패터닝(patterning)하는 방법이 매우 중요하며, 결과적으로는 발광소자의 색상을 결정하는 유기 발광표시장치의 유기막층을 형성하는 방법에 따라 구현 효과의 차이가 발생한다. OLED에 유기막층을 형성하는 방법에는 증착법, 잉크젯 방식, 레이저 열전사 방법(LITI) 등이 있다. 이 중 일반적으로 LITI라는 용어로서 통용되는 레이저 열전사 방법은 레이저에서 나온 빛을 열에너지로 변환하고, 변환된 열에너지에 의해 전사층을 OLED의 기판으로 전사시켜, OLED에 유기막층을 형성하는 방법이다. 이러한 전사방법에 대하여 대한민국 등록특허공보 10-0700828호 등에 기재되어 있다. LITI 방법은 고해상도의 패턴형성, 필름두께의 균일성, 다중층 구현 능력, 대형 마더 글래스로의 확장성과 같은 이점을 가지고 있다.
이러한 LITI 방법에 있어서, 빛을 열에너지로 변환하여 발광소자의 기판에 패턴을 형성하는 결정적 매개체는 적색화소영역(R), 녹색화소영역(G), 청색화소영역(B)을 보유한 전사층을 포함하는 LITI 도너필름이다. LITI 도너 필름은 기재층(Base film), 광-열 변환층(Light-to-Heat conversional layer), 전사층(Pattern-directing layer)이 순서대로 적층된 구조를 갖는다. 이러한 LITI 도너필름은 광-열 변환층에 함유된 물질이 전사층에 전이되는 것을 방지하기 위하여 광-열 변환층과 전사층 사이에 차단층(Interlayer)을 선택적으로 포함한다.
LITI 공정에서는, LITI 도너필름에 레이저를 조사하면 광-열 변환층에서 레이저의 빛에너지가 열에너지로 변환되고, 열에너지에 의해 광-열변환층 및 차단층의 부피팽창이 발생하여 부피팽창에 의해 전사층이 OLED기판에 전사되는 과정을 거치게 된다. 이러한, LITI 공정에서 광-열 변환층 및 차단층의 부피팽창을 발생시키기 위해 조사된 레이저(Laser)가 기재필름 내부에 존재하는 광학결점에 의해 흡수 또는 산란되어 광-열 변환층에 조사되지 않거나, 광-열변환층의 원하는 위치에 조사되지 않아 전사층이 부분적으로 전사되지 않는 문제가 발생한다.
대한민국 등록특허공보 10-0700828호(2007.03.21)
본 발명의 발명자들은 전사층의 부분적 미전사 현상에 대해 연구하여 그 원인이 기재 필름 내부의 광학결점에 의한 것임을 알아내었고, 이에 LITI 공정에 적용되는 Donor 필름에 가장 적합한 기재 필름을 확보 하여 이를 적한 LITI 공정성이 향상된 Donor 필름을 제공하고자 한다.
본 발명은 LITI 공정 시 전사층의 부분적 미전사 현상이 해결하기 위한 레이저 열전사용 도너필름을 제공하고자 하며, 보다 상세하게는 미전사 현상이 개선된 Donor 필름을 제조하기 위해 Laser를 흡수/산란 하는 광학결점이 저감된 기재필름이 적용된 Donor 필름을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 448 × 336㎛ 면적 내 크기 1.5㎛ 이상인 크기의 결점 개수가 5개 이하이고, 수지 색상(b치)가 4.0 이하인 폴리에스테르 기재필름을 포함하는 레이저 열전사 방법용 도너필름에 관한 것이다.
일 양태로 상기 기재필름은 하기 식 1에 따른 유효결점 비율이 10% 이하인 레이저 열전사 방법용 도너필름에 관한 것이다.
[식 1]
유효결점 비율(%) = [5㎛ 이상의 결점의 개수]/[1.5㎛ 이상의 결점 총 개수]× 100
일 양태로 본 발명의 레이저 열전사 방법용 도너필름은 기재필름, 광-열 변환층 및 차단층을 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태는 상기 기재필름과 광-열 변환층 사이에 프라이머층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태는 상기 차단층의 상부에 전사층을 더 포함할 수 있다.
이하 본 발명의 각 구성에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
[기재필름(base film)]
본 발명자들은 기재 필름으로서 폴리에스테르 필름을 적용하는 경우, 전사층의 부분적 미전사 현상이 발생하는 원인 중 기재 필름 내부의 광학결점에 의한 것임을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
따라서 상기 폴리에스테르 필름의 광학결점을 발생하는 요인을 연구한 결과, 폴리에스테르수지 중합 시 사용되는 촉매 및 정전피닝제의 사용에 따른 것임을 확인하였다. 촉매 및 정전피닝제에 포함된 금속성분은 수지 내에서 석출되거나 복합체(complex)를 형성하여 수지 제조 후에 폴리에스테르 내부에 존재하여 필름으로 제조 시 광학결점으로 작용하여 LITI 공정 시 조사되는 Laser의 흡수/산란을 일으키는 것으로 확인 되었다.
따라서 본 발명자들은 LITI 공정에서 사용되는 Donor 필름의 제조 시 기재필름으로 사용되는 폴리에스테르 필름의 제조에 있어, 필름 제조 공정 중 피닝성에 영향을 주지 않는 범위에서 촉매 및 피닝제의 함량을 감소시켜 내부 광학 결점이 감소된 폴리에스테르 필름을 사용함으로써, 부분적인 전사층 미전사 현상이 개선된 Donor 필름을 제공할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
특히, 촉매로 사용된 금속화합물 중 금속의 함량이 폴리에스테르 수지 중합 시 150ppm이하, 보다 구체적으로는 100 ~ 150ppm으로 사용되고, 정전피닝제로 사용되는 알칼리금속 또는 알칼리토금속 내 금속의 총 함량이 폴리에스테르 수지 중합 시 50ppm이하, 보다 구체적으로는 10 ~ 50ppm으로 사용하는 범위에서 광학 결점을 해소할 수 있으며, 높은 광투과도를 가지는 폴리에스테르 필름을 제조할 수 있음을 발견하였다.
또한, 폴리에스테르 수지의 열안정성을 부여하기 위하여 인화합물을 더 포함할 수 있으며, 이때 인 화합물에 포함되는 인(P) 역시 금속 성분이므로, 인화합물을 첨가하는 경우는 하기 식 2를 만족하는 범위에서 광학결점을 해소할 수 있으며, 높은 광투과도를 가지는 폴리에스테르 필름을 제조할 수 있음을 발견하였다.
[식 2]
0.5≤[P]/[Me]≤1.5
(상기 식 2에서 [P]는 인화합물 내 인의 당량을 의미하고, [Me]는 피닝제로 사용되는 금속화합물 내 금속의 총 당량의 합을 의미한다.)
상기 폴리에스테르 수지는 디카복실산산 또는 그 에스테르 유도체와 디올 또는 그 에스테르 유도체의 에스테르화 또는 에스테르 교환반응, 일 예로 용융 중축합법에 의해 제조 가능한 통상적인 단독중합 폴리에스테르 또는 공중합 폴리에스테르일 수 있다.
상기 디카르복실산 또는 그 에스테르 유도체는 일 예로, 테레프탈산, 2,6-나프탈렌디카르본산, 이소프탈산, 프탈산, 5-나트륨술폰이소프탈산, 1,4-시클로헥산디카르본산, 1,3-시클로헥산디카르본산 또는 그의 에스테르 유도체 등일 수 있다.
상기 디올 또는 그 에스테르 유도체는 에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-시클로헥산디메탄올, 비스페놀 A 및 비스페놀 S로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.
본 발명에서 상기 촉매는 폴리에스테르의 중축합 시 사용되는 촉매라면 제한되지 않으며, 보다 바람직하게는 주석, 안티몬 등의 금속 촉매를 사용할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 안티몬 화합물, 게르마늄 화합물, 티타늄 화합물, 게르마늄 화합물 등을 사용할 수 있다. 이때 상기 촉매 내 금속의 함량은 폴리에스테르 수지 조성물 내 150ppm이하, 보다 구체적으로는 100 ~ 150ppm가 되도록 사용하는 것이 바람직하다. 100ppm 미만으로 사용하는 경우는 촉매의 사용에 따른 효과가 미미하며, 150ppm을 초과하여 사용하는 경우는 과도한 금속의 사용에 의해 수지 내에서 석출되거나 또는 복합체(complex)를 형성하여 광학결점을 발생시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 정전 피닝제로는 통상적으로 사용되는 것이라면 제한되지 않으나 보다 바람직하게는 금속계 피닝제를 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 알칼리금속 화합물, 알칼리토금속 화합물, 망간 화합물, 코발트 화합물, 아연 화합물 등을 사용하는 것이 정전기 적 활성이 크므로 바람직하며, 이들의 구체적인 예를 들면, 마그네슘 아세테이트, 소듐 아세테이트, 칼슘 아세테이트, 리튬 아세테이트, 칼슘 포스페이트, 마그네슘 옥사이드, 마그네슘 하이드록사이드, 마그네슘 알콕사이드, 망간 아세테이트, 아연 아세테이트 등을 사용할 수 있으며, 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 둘 이상을 혼합하여 사용하는 경우는 금속의 총 함량이 폴리에스테르 수지 조성물 내 50ppm이하가 되도록 사용하는 것이 바람직하다.
상기 정전피닝제는 금속의 총 함량이 폴리에스테르 수지 조성물 중 50ppm이하, 보다 구체적으로는 10 ~ 50ppm으로 사용하는 범위에서 광학결점을 해소할 수 있으며, 광투과도가 높은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 제조할 수 있다. 10ppm 미만으로 사용하는 경우는 필름 제조 공정에서 피닝제를 사용함에 따른 주행성의 향상 효과를 얻을 수 없어 균일한 필름을 제조 할 수 없으며, 50ppm을 초과하여 사용하는 경우는 과도한 금속으로 인해 응집 또는 complex를 형성하여 광학결점을 발생시키는 요인이 된다.
본 발명에서 사용된 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지는 필요에 따라 열안정성을 부여하기 위하여 인화합물을 더 포함할 수 있으며, 인화합물로는 구체적으로 예를 들면, 트리메틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 인산 등을 사용할 수 있다. 상기 인화합물은 열안정효과에 추가로 피닝성 향상 효과도 부여할 수 있다. 이때 인 화합물에 포함되는 인(P) 역시 금속 성분이므로, 인화합물을 첨가하는 경우는 폴리에스테르 수지 조성물 중 50ppm이하, 보다 구체적으로는 10 ~ 50ppm으로 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 하기 식 2를 만족하는 범위에서 광학결점을 해소할 수 있으며, 광투과도가 높은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 제조할 수 있다.
[식 2]
0.5≤[P]/[Me]≤1.5
(상기 식 2에서 [P]는 인화합물 내 인의 당량을 의미하고, [Me]는 피닝제로 사용되는 금속화합물 내 금속의 총 당량의 합을 의미한다.)
상기 식 2는 인에서 비롯되는 음이온과, 금속에서 비롯되는 양이온의 당량비로써, 통상적으로 캐스팅드럼에 인가되는 전류가 음(-)의 전류를 띄고 있어, 피닝성을 부여하기 위해서는 폴리에스테르 수지 조성물이 양(+)의 전류를 띄는 것이 바람직하며, 그러기 위해서는 상기와 같이 인화합물이 첨가될 때, 양(+)의 전류를 띄도록 당량비를 조절하는 것이 바람직하다. 상기 식2에서 인의 함량이 0.5미만일 때는 필름 제조 시 주행성 및 내열성이 저하되어, 생산성이 감소하고, 필름의 열변색이 발생할 수 있고, 기재필름으로서 후공정에 적용 시 필름의 열적 치수안정성이 나빠질 수 있다. 인의 함량이 1.5초과인 경우 기재필름으로 제조 시 광학결점이 증가하여 Donor 필름으로 적용 시 부분적 미전사 현상의 발생이 증가할 수 있다. 따라서 상기 범위에서 주행성이 우수할 뿐만 아니라 광학결점이 적고, 광투과도가 높은 폴리에스테르 필름을 제조할 수 있다.
본 발명에서의 기재필름으로 사용된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트 칩을 280℃로 용융압출한 후 대형롤을 이용하여 24℃로 급냉하여 시트 형태로 제조하고, 이와 같이 제조된 시트를 110℃에서 3~4배 종방향 연신하고, 130℃에서 3~4배 횡방향 연신한 후 250℃에서 열처리하여 이축연신된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 제조된다. 이와 같이 제조된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름은 가공성, 열안정성 및 투명성이 우수하므로 LITI방법의 실행 중 조사되는 빛의 투과성을 높이고, 열에 의한 치수 안정성이 확보되어 바람직하다.
또한 상기의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면은 당업자에게 알려진 표면처리, 예를 들어 코로나, 플라즈마 등의 표면처리로 개질하여 후속 공정 시 부착성, 표면장력 등을 조절하는 것도 가능하다.
상기 기재필름의 두께는 0.025 ~ 0.15mm, 보다 바람직하게는 0.05~0.1mm인 것이 바람직하며, 이에 한정되는 것은 아니다.
[프라이머층(primer layer)]
본 발명은 필요에 따라, 상기 기재필름과 광-열 변환층의 사이에 프라이머층을 더 포함할 수 있다.
상기 프라이머층은 기재필름과 인접한 층 사이의 온도 전달을 제어하고, 기재필름과 인접한 층과의 접착성을 향상시키고, 광-열변환층으로의 이미지 형성 방사선 전달을 제어하기 위한 것으로, 프라이머층을 형성하는 경우 레이저를 이용한 전사공정에서 기재와 광-열 변환층이 분리되는 현상을 방지할 수 있다. 이러한 프라이머층에 적합한 소재로는 아크릴계수지, 폴리우레탄계수지, 폴리에스테르계 수지에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합수지를 사용할 수 있다. 상기 프라이머층과 기재필름 간 혹은 프라이머층과 광-열 변환층간 내열밀착력이 불량하면 레이저를 이용한 전사공정에서 기재필름과 광-열 변환층이 분리 될 수 있으므로, 기재필름 및 광-열변환층과의 밀착성이 우수한 소재를 선택하는 것이 바람직하며, 본 발명에서는 아크릴계 프라이머를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
[광-열 변환층(Light-To-Heat Conversion layer; LTHC layer)]
본 발명의 광-열 변환층은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부를 열로 변환시키는 층으로, 열경화성수지를 포함하는 수지조성물과 광-열 변환물질로 이루어진다. 본 발명에서 상기 수지조성물은 열경화성수지 단독 또는 열경화성수지와 열가소성수지의 혼합수지로 이루어질 수 있다. 열경화성수지와 열가소성수지를 혼합하여 사용하는 경우 열경화성수지는 경화제를 포함하여 전체 수지 성분 중 50중량%이상을 포함하는 것이 바람직하다. 그 함량이 50중량% 미만이면, 내용제성이 떨어져 차단층 코팅 시 차단층의 용제가 광-열 변환층에 침투해 문제가 될 수 있으며, 또한 광-열 변환물질 분산공정에서 원활한 분산이 이루어 지지 못해 코팅 시 핀홀이 발생하는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 광-열 변환물질의 함량이 25 ~ 40 중량%로 포함되며, 광-열 변환물질의 함량이 25 중량% 미만인 경우는 레이저를 이용한 전사공정이 광-열 변환층이 부풀어 오르는데 한계가 있어 원하는 패턴이 균일하게 전사되지 않으며, 40 중량%를 초과하는 경우는 레이저 전사공정에서 과량의 열이 발생해 광-열변환층이 타버려 전사가 되지 않는 현상이 발생한다.
상기 수지조성물은 폴리우레탄계 열경화성수지를 포함하는 것이 바람직하며, 구체적으로 예를 들면, 열경화성 폴리우레탄은 폴리카보네이트 폴리우레탄, 폴리에스테르 폴리우레탄, 폴리우레탄 등을 포함한다. 상기 폴리우레탄 수지는 유리전이온도(Tg)가 10℃이상인 것을 사용하는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로는 유리전이온도 10 ~ 50℃인 것을 사용하는 것이 좋으며, 유리전이온도가 상기 범위 미만인 경우는 광-열변환층 코팅 후 에이징공정에서 코팅층이 반대면으로 일부 전사되는 형상이 발생할 수 있으며, 초과인 경우에는 레이저 조사 시 부피팽창이 작아져서 원하는 모양의 전사가 어려울 수 있다.
상기 경화제로는 이소시아네이트계 경화제, 과산화물, 에폭시계 가교제, 금속킬레이트계 가교제, 멜라민계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속염 등을 들 수 있다. 이들 가교제는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 또한 본 조성에 열가소정 수지를 첨가할 수 있다.
상기 열가소성 수지는 고형분 함량 기준으로 열경화성수지와 가교제 고형분의 합보다 작은 양을 사용한다. 구체적으로는 수지조성물 전체 함량 중 50 중량% 미만으로 사용한다. 상기 열가소성수지는 폴리비닐클로라이드폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐클로라이드호모폴리머 등을 사용할 수 있으며 사용된 수지는 유리전이온도가 40℃ 이상인 것을 특징으로 한다. 유리전이온도가 40℃ 미만이면 블로킹현상이 발생할 수 있다.
상기 광-열 변환층은 프리이머층을 포함하는 기재상에 도포, 건조시켜 제조한다. 본 층이 열경화 타입이므로 적절한 가열처리에 의해 가교 처리가 필요하다. 가교처리는 건조 공정의 온도에서 병해해도 되고, 건조 공정 후에 별도 가교 처리 공정이 형성하여 행해도 된다.
상기 광-열 변환물질은 입사되는 레이저 빛을 흡수하여 열로 변환하는 물질을 의미하며, 염료(예를 들어, 가시광선 염료, 자외선 염료, 적외선 염료, 형광염료 및 방사선 편광 염료 등), 안료, 금속, 금속 화합물, 금속필름, 카본블랙, 금속산화물, 금속황화물 등을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 카본블랙을 사용한다.
상기 카본블랙은 평균입경이 10 ~ 30nm인 것을 사용하는 것이 평탄한 표면을 획득할 수 있으므로 바람직하다. 또한 필요에 따라, 상기 카본블랙은 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐클로라이드-폴리비닐아세테이트 공중합체, 열경화성 폴리우레탄에서 선택되는 어느 하나 또는 둘이상의 수지로 1차 분산을 하여 표면처리를 함으로써 수지 내 분산성을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 1차 분산을 하는 방법으로는 폴리비닐클로라이드 등의 수지에 카본블랙을 첨가하여 니딩 또는 믹싱 등의 방법을 이용하여 1차 분산을 할 수 있다. 니딩은 용제를 포함 하며, 니딩은 고형분 함량이 30 ~ 70 중량%인 준비액 제조 후 니딩기를 이용하여 실시 할 수 있으며, 고형분함량이 30 중량% 미만이면 점도가 낮아 카본의 분산도가 떨어 질수 있으며, 고형분 함량이 70 중량%초과이면 너무 과도한 토크가 걸려 분산이 어려워진다. 니딩된 조액은 분산도 최적화를 위해 추가적인 밀링 및 필터링 공정을 추가할 수 있다. 상기 니딩에 사용되는 용제는 사용되는 수지의 종류에 따라서 수지를 용해할 수 있는 용제를 선택적으로 사용하는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로 예를 들면, 톨루엔 : 메틸에틸케톤 : 사이클로헥사논을 1~5 : 1~5 : 1~5 중량비로 혼합한 혼합용제를 사용할 수 있다.
상기 광열변환층은 니딩, 밀링, 필터링 및 코팅 공정에 의해 제조 될 수 있으며, 밀링, 필터링 및 코팅 공정에 의해서도 제조될 수 있다. 니딩 및 밀링은 입자의 분산최적화를 위해 실시되며, 밀링방법은 링밀, 센드밀 등 다양한 방법을 활용할 수 있다.
밀링은 여러 가지 방법을 사용할 수 있지만, 예를 들어 밀링을 사용하는 경우 1차 니딩 된 조액에 전체액의 고형분이 10중량% ~ 20중량%가 되도록 잔여의 수지 및 용제를 첨가한 조액 혹은 수지/카본블랙/용제 혼합액(고형분 10중량%~20중량%)을 밀링기의 주용기에 주입하고, 링부에 0.5~2.0mm 지르코늄입자를 50~80부피% 충진 한 후 교반을 실시한다. 교반은 이중으로 실시한다. 하나는 주밀링용기내부액이 순환되면서 링부 내부로 투입하는 목적으로 실시하며, 나머지 하나는 링부 내부에서 입자분산을 목적으로 실시한다. 링부에 충진되는 입자는 지르코늄 이외의 다른 밀링용 입자를 사용할 수 있다. 필요에 따라 밀링은 여러 단계로 나누어서 실시할 수 있다. 1차로 2.0mm 지르코늄 입자를 충진해 1차 밀링을 실시한 후 2차로 1.5mm 입자를 충진해 밀링을 실시하고, 3차로 0.5mm 입자를 충진해 밀링을 실시하면 보다 균일한 카본블랙입자 분산을 이룰 수 있다.
또는 각 크기별 입자가 순차적으로 충진 된 밀링기를 이용해 순차적으로 밀링을 실시해도 무방하다.
밀링 시 고형분 함량은 10중량%~20중량% 범위에서 실시하는 것이 바람직하다. 수지의 조성비에 따라 차이는 있으나, 10중량% 미만이 되면 입자분산효율이 떨어지고, 20중량%를 초과하면 밀링된 액의 액 안정성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.
필터링 공정은 입도크기가 2.5㎛ 이상인 큰 입자를 제거하는 데 목적이 있다. 코팅 공정은 바코팅, 다이 코팅방식 및 롤 코팅 방식을 사용 할 수 있으며, 필요 시 다양한 코팅방법을 적용 할 수 있다. 코팅 공정 후 별도의 추가적인 가교가 필요한 경우는 별도의 에이징을 통해 가교도를 조절 할 수 있다.
또한, 필요에 따라 상기 카본블랙 이외에 가시광선염료, 자외선염료, 적외선염료, 형광염료, 방사선-편광 염료 등의 염료와, 안료, 유기 안료, 무기 안료, 금속, 금속화합물, 금속필름, 시안화철 안료, 프탈로시아닌 안료, 프탈로시아닌 염료, 시아닌 암료, 시아닌 염료, 금속 다이티올렌 안료, 금속 다이티올렌 염료 및 다른 흡수재료 등이 더 첨가될 수 있다.
상기 광열변환층은 건조 도공량이 1 ~ 3.0g/㎡인 것이 바람직하다. 광-열 변환층의 건조 후 도공량이 1g/㎡ 미만인 경우는 전사공정에서 광-열 변환층이 타버리는 현상이 발생하고, 3.0g/㎡을 초과하는 경우는 적절한 열전달이 되지 않아 전사가 제대로 되지 않는 문제가 발생한다.
[차단층(Interlayer)]
본 발명에서 상기 차단층은 광-열 변환층에서 발생하는 열에 의해 전사층이 전사될 때, 광-열 변환층 내부에 존재하는 광-열 변환물질이 함께 전사되는 것을 방지하고, 광-열변환층에서 발생한 열이 전사층에 전달되어 열에 의해 전사층 내부에 존재하는 유기물이 타버리는 것을 방지하기 위하여 형성되는 것이다.
본 발명에서 상기 차단층은 UV경화형 수지로 이루어지며, 전사층이 분리되도록 하는 이형기능을 동시에 수행해야 하므로, 표면에너지가 낮은 불소계 또는 실리콘계수지를 첨가하여 표면에너지가 35mN/m 이하가 되도록 조절하는 것이 바람직하다. 표면에너지가 35mN/m를 초과하는 경우는 전사공정에서 차단층이 이형기능을 수행하지 못해 전사층이 분리되지 않아 전사가 되지 않는 현상이 발생할 수 있다. 따라서 차단층의 표면에너지가 낮을수록 전사층과의 접착력이 낮아져 전사공정에서 원활한 전사가 이루어 질 수 있고, 차단층의 표면에너지가 높을수록 전사층과의 접착력이 높아져 전사공정에서 원활한 전사가 이루어지기 어렵다.
또한, 차단층은 건조 후 코팅두께가 1.0~3.0㎛이 되도록 하는 것이 바람직하며, 1.0㎛ 미만인 경우는 열차단 효과가 떨어져 전사층이 타버릴 수 있으며, 또한 균일한 표면형상을 얻을 수 없어 전사층이 전사된 표면이 불균일하게 되어 디스플레이의 해상도가 떨어지는 단점이 있다. 3㎛초과인 경우 열을 너무 많이 차단해 전사층이 전사되지 않는 현상이 발생한다.
보다 구체적으로 상기 차단층의 두께는 광-열 변환층의 표면조도가 증가하면 평탄한 표면형상을 확보하기 위해 증가 되어야 한다. 광-열변환층의 표면조도(Ra) 값이 10nm~20nm 이면 2.5~3㎛범위이고, 광-열변환층의 표면조도 값이 5~10nm범위이면 차단층의 두께는 2~3㎛, 광-열변환층의 표면조도 값이 5nm 이하이면 1~3㎛범위를 가지는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 광-열 변환층의 표면조도가 20nm이하이다.
상기 차단층에 사용 가능한 UV 경화형 수지는 우레탄 아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트 등이 있으며, 표면장력을 35mN/m이하로 조절하기위해 사용하는 첨가제로는 반응성 혹은 비반응성 불소계 및 실리콘계 첨가제를 사용할 수 있다. 또한 상기 차단층에는 정전기 제거를 위한 다양한 첨가제를 첨가할 수 있다.
상기 불소계 첨가제로는 구체적으로 예를 들면, 비닐반응기를 가진 불소계 화합물 및 비반응성 불소계 첨가제 등이 사용될 수 있다. 상기 실리콘계 첨가제는 폴리에테르 변성 폴리디메틸 실록산, 폴리에테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체, 디메틸폴리실록산계 및 변성 디메틸폴리실록산계, 메틸알킬실록산계 및 반응성을 지닌 실리콘아크릴레이트 첨가제 등이 사용 가능하며, 상품명으로는 BYK사의 BYK-300, BYK-301, BYK-302 등이 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 차단층은 바코팅, 롤코팅, 다이코팅 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 또한 차단층은 필요 시 2층 구조로 형성 될 수 있으며 상기의 차단층의 상부에 알루미늄 증착층을 더 형성 할 수 있다.
[전사층(transfer layer)]
상기 전사층은 증발, 스퍼터링, 용액코팅 등의 방법에 의해 균일한 층으로 형성할 수 있다. 전사층은 전형적으로 리셉터로 전사하기 위한 하나 이상의 층을 포함한다. 예를 들어, 전계발광재료 또는 전기적으로 활성인 재료를 포함하는 유기, 무기, 유기금속성 및 다른 재료를 사용하여 형성될 수 있다.
보다 구체적으로 예를 들면, 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리-파라-페닐렌, 폴리플루오렌, 폴리디알킬플루오렌, 폴리티오펜, 폴리(9-비닐카바졸), 폴리(N-비닐카바졸-비닐알콜)공중합체, 트리아릴아민, 폴리노르보넨, 폴리아닐린, 폴리아릴폴리아민, 트리페닐아민-폴리에테르케톤 등이 사용될 수 있으며, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 전사층은 제조하고자 하는 유기발광소자의 특성에 합치되도록 공지의 발광물질, 홀 전달성 유기물질, 전자 전달성 유기물질 중에서 선택되는 1 이상의 물질을 더 포함할 수 있으며, 추가적으로 비발광 저분자 물질, 비발광 전하전달 고분자 물질 및 경화 가능 유기반인더 물질 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.
이러한 전사층의 구성에 대해서 본 발명에서는 구체적으로 한정하지 않고, 통상적으로 해당 분야에서 사용되는 구성이라면 제한되지 않고 사용할 수 있다.
본 발명의 일 양태는 도 1에 도시된 바와 같이, 기재필름(10), 광-열 변환층(20), 차단층(30)을 포함한다.
또한, 본 발명의 또 다른 양태는 도 2에 도시된 바와 같이, 기재필름(10), 프라이머층(40), 광-열 변환층(20), 차단층(30)을 포함한다.
또한, 본 발명의 또 다른 양태는 도 3에 도시된 바와 같이, 기재필름(10), 프라이머층(40), 광-열 변환층(20), 차단층(30) 및 전사층(50)을 포함한다.
상기 도 1 내지 도 3은 본 발명을 예시하는 일 예일 뿐, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 각각의 층을 형성하는 방법은 통상의 공지의 방법에 따라서 코팅 또는 공압출하여 제조할 수 있다.
본 발명은 LITI 공정에서 광학 결점이 개선된 기재필름을 Donor 필름에 적용함으로써, 전사층의 부분적인 미전사 현상을 개선하여 유기발광표시소자(OLED)의 화소불량을 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 양태를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 양태를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 양태를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 광학 결점의 크기를 결정한 일 예를 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 광학 결점의 크기를 결정한 일 예를 나타낸 사진이다.
도 6은 본 발명의 광학 결점의 크기를 결정한 일 예를 나타낸 사진이다.
도 7은 본 발명의 광학 결점의 크기를 결정한 일 예를 나타낸 사진이다.
도 8은 본 발명의 광학 결점의 크기를 결정한 일 예를 나타낸 사진이다.
도 9는 본 발명의 광학 결점의 크기를 결정한 일 예를 나타낸 사진이다.
이하는 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하기 위하여 일 예를 들어 설명하는 바, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 동일 또는 동등한 범위의 물질 범위 내에서 변경 가능함은 자명하다.
이하 물성은 다음의 측정방법에 의해 측정하였다.
1) 수지 색상
수지 색상은 제조된 난연성 폴리에스테르 중합체의 b치를 색차계(Nippon Denshoku사, Model No. SE-2000)를 이용하여 측정하였다.
2)내부결점 개수 및 유효결점 비율
내부 결점 측정 방법으로 펠렛 형태로 제조된 폴리에스테르수지조성물 칩(Chip)을 슬라이드 글라스(Slide glass) 위에 용융시켜 두께 500㎛ 샘플을 제조하고 광학현미경을 이용하여 투과광에서 200배 배율로 깊이 180㎛ 층의 결점을 관찰하여 448㎛× 336㎛ 면적 내 크기 1.5㎛ 이상의 결점 총 개수와 5㎛ 이상의 결점의 개수를 5장의 현미경 사진의 평균 개수로 계산하였다.
광학 결점의 크기는 광학현미경 상에 나타난 결점으로 보이는 도형 또는 점들의 집합에 해당하는 부분의 장축을 측정하여 결정한다.(도 4 ~ 9 참조)
내부결점 개수는 448㎛× 336㎛ 면적 내 크기 1.5㎛ 이상의 결점 총 개수를 의미하며, 유효 결점 개수는 하기 [식 1]에 의해 계산된 값을 의미한다.
[식 1]
유효결점 비율(%) = [5㎛ 이상의 결점의 개수]/[1.5㎛ 이상의 결점 총 개수]× 100
3) 전사성
차단층 위에 전사층으로 Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium(Alq3)를 500코팅한 후 전사는 1064nm 파장의 Nd YAG 레이저를 이용하여 100~130W 에너지 범위에서 전사를 하였다.
전사 후 전사된 외관이 레이저를 조사한 부분과 일치하면 ; O
레이저를 조사한 부분에서 미전사 부위가 발생하면 ; X
4) 고유점도 측정법
오소클로로페놀 시약 100㎖에 PET 펠렛(샘플) 0.4g을 넣고 100분간 용해시킨 후, 우베로데(Ubbelohde) 점도계에 옮겨 담아 30℃ 항온조에서 10분간 유지시키고, 점도계와 흡인장치(aspirator)를 이용하여 용액의 낙하 초수를 구했다. 용매의 낙하 초수도 동일한 방법으로 구한 다음, 하기 수학식 1 및 2에 의해 R.V.값 및 I.V. 값을 계산하였다.
[식1]
R.V. = 시료의 낙하 초수/용매의 낙하 초수
[식2]
I.V. = 1/4(R.V.-1)/C + 3/4(ln R.V./C)
[실시예 1]
폴리에스테르 필름의 제조
테레프탈산 1730kg(10.42 kmole)과 에틸렌글리콜 775kg(12.5 kmole)를 에스테르화 반응기에 투입한 후 1.5㎏/㎠의 압력과 255 ℃의 온도 조건에서 4시간 동안 에스테르화 반응을 하여 예비중합물 BHET(bis-β-hydroxyethyl terephthalate)를 제조하였다. 반응 중 발생한 물을 증류탑을 통하여 분리하고 에스테르화 반응종료 후 추가로 발생하는 에틸렌글리콜 역시 증류탑을 통해 분리하였다.
상기 제조된 BHET에 수지 조성물 1.8ton기준으로 마그네슘아세테이트를 0.48kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Mg 함량이 30ppm)로 투입하고, 촉매로 삼산화안티몬을 0.27kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Sb 함량이 125ppm) 투입하고 240℃에서 285℃까지 서서히 승온함과 동시에, 0.3 torr의 고진공하에서 중축합 반응을 4시간 동안 수행하여 고유점도(IV) 0.650의 폴리에스테르 수지를 제조 후, 이를 냉각/절단하여 칩의 형태로 제조하였다.
상기 폴리에스테르 칩을 280℃로 용융압출한 후 대형롤을 이용하여 24℃로 급냉하여 폴리에스테르 시트를 얻었다. 얻어진 폴리에스테르 시트를 110℃에서 3.5배 종방향 연신하고, 130℃에서 3배 횡방향 연신하고, 250℃에서 열처리를 실시한 후, 냉각하여 두께가 100㎛인 폴리에스테르 필름을 얻었다.
광열변환층 제조용 조성물(A-1)의 제조
폴리비닐클로라이드비닐아세테이트 공중합체(Dow chemical사, VMCH grade)18wt%, 폴리우레탄수지(루브지졸사, ESTANE 5715 grade)43wt%, 폴리이소시아네이트(애경화학, AK75 grade)9wt%, 카본블랙(데구사, PRINTEX L6 grade)30wt%를 톨루엔:메틸에틸케톤:사이클로헥사논 = 1:1:1 중량비로 혼합한 혼합용매에 고형분 함량 15 중량%가 되도록 첨가하여 광열변환층 제조용 조성물을 제조하였다.
이때 조액 제조는 다음과 같이 니딩 및 밀링 필터링 공정을 거쳐 제조하였다.
먼저, 니딩은 톨루엔:메틸에틸케톤:사이클로헥사논 = 1:1:1 중량비로 혼합한 혼합용매에 폴리비닐클로라이드비닐아세테이트 공중합체를 50℃에서 가온 용해하여 13 중량% 폴리비닐클로라이드비닐아세테이트 용액을 제조하였다. 니딩기에 일정량의 카본블랙을 투입한 후 니딩기를 가동시키면서 소량씩 폴리비닐클로라이드비닐아세테이트 용액을 투입하고, 1시간동안 니딩을 실시하였다.
니딩이 종료된 후 니딩 된 액을 1.2mm 지르코늄 입자가 80% 충진 된 링밀의 주밀링용기에 투입하고, 미리 준비된 톨루엔:메틸에틸케톤:사이클로헥사논 = 1:1:1 중량비로 혼합한 혼합용매를 이용해 50℃에서 가온 용해한 20중량% 폴리우레탄수지 및 혼합용제(톨루엔:메틸에틸케톤:사이클로헥사논 = 1:1:1 중량비)를 첨가해 고형분 비율이 15중량%인 액을 제조하였다. 제조된 액을 투입한 후 밀링기내 2개의 교반기를 작동시켜 밀링을 실시하였다. 코팅액을 혼합해 밀링기 내부로 투입하기위해 사용되는 교반기는 1000rpm으로 조정하고, 입자분산작용을 위해 링부에 설치된 교반기는 2000rpm으로 6시간 동안 교반 시켰다.
밀링된 액은 2.5㎛ 이상의 입자를 걸러줄 수 있는 필터를 이용해 필터링을 실시하였다. 필터링된 액을 메이어바 #8번을 이용해 코팅한 후 120℃에서 30초간 건조시킨 후 표면 상태를 현미경으로 확인해 2.5㎛ 이상의 입자가 없는 것이 확인되면 필터링을 완료하였다. 필터링 후 경화제인 폴리이소시아네이트를 투입하고 1시간 동안 교반하여 광열변환층 제조용 조성물을 제조하였다.
차단층 제조용 조성물(B-1)의 제조
UV경화형 우레탄아크릴레이트 수지(Toyo ink社 Lioduras LCH)에 실리콘계 첨가제(BYK社, BYK-302)를 전체 배합액의 0.2wt%로 첨가하여 차단층 제조용 조성물을 제조하였다.
LITI 도너필름의 제조
상기와 같이 제조된 폴리에스테르 필름을 기재필름으로 하여, 일면에 광열변환층 제조용 조성물(A-1)을 마이크로그라비아 코팅방식으로 코팅 후 건조하여 광열변환층을 형성하였다. 이때 건조 후 도공량이 1.5g/㎡이 되도록 하였다. 추가적으로 50℃에서 3일간 에이징을 하였다.
상기 광열변환층의 상부에 준비된 차단층 제조용 조성물(B-1)을 마이크로 그라비아 코터를 이용하여 코팅 후 건조하여 하드코팅층을 형성하였다. 이때 코팅두께가 2.0㎛이 되도록 조정하였다.
제조된 필름의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 2]
테레프탈산 1730kg(10.42 kmole)과 에틸렌글리콜 775kg(12.5 kmole)를 에스테르화 반응기에 투입한 후 1.5㎏/㎠의 압력과 255 ℃의 온도 조건에서 4시간 동안 에스테르화 반응을 하여 예비중합물 BHET(bis-β-hydroxyethyl terephthalate)를 제조하였다. 반응 중 발생한 물을 증류탑을 통하여 분리하고 에스테르화 반응종료 후 추가로 발생하는 에틸렌글리콜 역시 증류탑을 통해 분리하였다.
상기 제조된 BHET에 수지 조성물 1.8ton기준으로 마그네슘아세테이트를 0.27kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Mg 함량이 17ppm)로 투입하고, 소듐아세테이트를 0.02kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Na 함량이 2ppm)로 투입하고, 촉매로 삼산화안티몬을 0.27kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Sb 함량이 125ppm) 투입하고, 열안정제로 트리메틸포스페이트 0.18kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 P 함량이 22ppm)로 투입하고, 240℃에서 285℃까지 서서히 승온함과 동시에, 0.3 torr의 고진공하에서 중축합 반응을 4시간 동안 수행하여 고유점도(IV) 0.650의 폴리에스테르 수지를 제조 후, 이를 냉각/절단하여 칩의 형태로 제조하였다.
상기와 같이 제조된 Chip을 이용하여 폴리에스테르 필름의 제조 및 Donor 필름의 제조 과정은 [실시예 1] 동일하게 실시하였다.
제조된 필름의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예 1]
테레프탈산 1730kg(10.42 kmole)과 에틸렌글리콜 775kg(12.5 kmole)를 에스테르화 반응기에 투입한 후 1.5㎏/㎠의 압력과 255 ℃의 온도 조건에서 4시간 동안 에스테르화 반응을 하여 예비중합물 BHET(bis-β-hydroxyethyl terephthalate)를 제조하였다. 반응 중 발생한 물을 증류탑을 통하여 분리하고 에스테르화 반응종료 후 추가로 발생하는 에틸렌글리콜 역시 증류탑을 통해 분리하였다.
상기 제조된 BHET에 수지 조성물 1.8ton기준으로 마그네슘아세테이트를 0.87kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Mg 함량이 55ppm)로 투입하고, 촉매로 삼산화안티몬을 0.35kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Sb 함량이 160ppm) 투입하고, 240℃에서 285℃까지 서서히 승온함과 동시에, 0.3 torr의 고진공하에서 중축합 반응을 4시간 동안 수행하여 고유점도(IV) 0.650의 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 제조 후, 이를 냉각/절단하여 칩의 형태로 제조하였다.
상기와 같이 제조된 Chip을 이용하여 폴리에스테르 필름의 제조 및 Donor 필름의 제조 과정은 [실시예 1] 동일하게 실시하였다.
제조된 필름의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예 2]
테레프탈산 1730kg(10.42 kmole)과 에틸렌글리콜 775kg(12.5 kmole)를 에스테르화 반응기에 투입한 후 1.5㎏/㎠의 압력과 255 ℃의 온도 조건에서 4시간 동안 에스테르화 반응을 하여 예비중합물 BHET(bis-β-hydroxyethyl terephthalate)를 제조하였다. 반응 중 발생한 물을 증류탑을 통하여 분리하고 에스테르화 반응종료 후 추가로 발생하는 에틸렌글리콜 역시 증류탑을 통해 분리하였다.
상기 제조된 BHET에 수지 조성물 1.8ton기준으로 마그네슘아세테이트를 0.17kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Mg 함량이 91ppm)로 투입하고, 촉매로 삼산화안티몬을 0.27kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 Sb 함량이 125ppm) 투입하고, 열안정제로 트리메틸포스페이트 0.27kg(폴리에스테르 수지 조성물 100 중량부 당 P 함량이 33ppm)로 투입하고, 240℃에서 285℃까지 서서히 승온함과 동시에, 0.3 torr의 고진공하에서 중축합 반응을 4시간 동안 수행하여 고유점도(IV) 0.650의 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 제조 후, 이를 냉각/절단하여 칩의 형태로 제조하였다.
상기와 같이 제조된 Chip을 이용하여 폴리에스테르 필름의 제조 및 Donor 필름의 제조 과정은 [실시예 1] 동일하게 실시하였다.
제조된 필름의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure pat00001
(상기 표에서 [P]는 인화합물 내 인의 당량을 의미하고, [Me]는 피닝제로 사용되는 금속화합물 내 금속의 총 당량의 합을 의미한다.)
상기 표에서 보이는 바와 같이, 기재필름으로 색상(b치)이 4이하이고, 결점개수가 5개 이하인 필름을 사용한 실시예 1 및 2에서 전사층 미전사가 발생하지 않는 것을 확인하였다.
10 : 기재필름
20 : 광-열 변환층
30 : 차단층
40 : 프라이머층
50 : 전사층

Claims (9)

  1. 448 × 336㎛ 면적 내 크기 1.5㎛ 이상인 크기의 결점 개수가 5개 이하이고, 수지 색상(b치)가 4.0 이하인 폴리에스테르 기재필름을 포함하는 레이저 열전사 방법용 도너필름.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름은 하기 식 1에 따른 유효결점 비율이 10% 이하인 레이저 열전사 방법용 도너필름.
    [식 1]
    유효결점 비율(%) = [5㎛ 이상의 결점의 개수]/[1.5㎛ 이상의 결점 총 개수]× 100
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름은 폴리에스테르수지로 이루어지며, 상기 폴리에스테르수지는 폴리에스테르 수지 합성 시 첨가되는 촉매 내 금속의 함량이 100 ~ 150ppm이고, 정전피닝제 내 금속의 함량이 10 ~ 50ppm이 되도록 조절하여 제조된 것인 레이저 열전사 방법용 도너필름.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지 조성물은 열안정제로 인화합물을 더 포함하며, 상기 인화합물은 하기 식 2를 만족하는 범위 내에서 포함하는 것인 레이저 열전사 방법용 도너필름.
    [식 2]
    0.5≤[P]/[Me]≤1.5
    (상기 식 1에서 [P]는 인화합물 내 인의 당량을 의미하고, [Me]는 피닝제로 사용되는 금속화합물 내 금속의 총 당량의 합을 의미한다.)
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 정전피닝제는 알칼리금속, 알칼리토금속에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 사용하는 것인 레이저 열전사 방법용 도너필름.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 정전피닝제는 마그네슘 아세테이트, 소듐 아세테이트, 칼슘 아세테이트, 리튬 아세테이트, 칼슘 포스페이트, 마그네슘 옥사이드, 마그네슘 하이드록사이드, 마그네슘 알콕사이드, 망간 아세테이트, 아연 아세테이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 레이저 열전사 방법용 도너필름.
  7. 제 1항 내지 제 6항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 열전사 방법용 도너필름은 상기 기재필름, 광-열 변환층 및 차단층을 포함하는 것인 레이저 열전사 방법용 도너필름.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 기재필름과 광-열 변환층 사이에 프라이머층을 더 포함하는 레이저 열전사 방법용 도너필름.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 차단층의 상부에 전사층을 더 포함하는 레이저 열전사 방법용 도너필름.
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