JP2011187152A - 不揮発性メモリ装置とその消去方法、及びそれを含むメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性メモリ装置の消去方法が提供される。消去方法はメモリセルに各々連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加する段階と、接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに特定電圧を印加する段階と、接地選択ラインに特定電圧を印加する段階の間にメモリストリングが形成される基板に消去電圧を印加する段階と、基板の電圧変化に応答して接地選択ラインをフローティングする段階とに構成される。
【選択図】 図9
Description
実施形態として、接地選択ラインをフローティングする段階は基板の電圧レベルが目標電圧レベルに到達する時に行われる。
実施形態として、複数のメモリセルは基板と垂直な方向に積層される。
実施形態として、消去動作の時に、基板の電圧レベルが目標電圧レベルに到達する時、アドレスデコーダは接地選択ラインをフローティングするように構成される。
実施形態として、選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに印加される電圧は、接地電圧である。
実施形態として、基板の電圧をモニタし、基板の電圧が閾値電圧に到達する時に、選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加することを中断する段階をさらに含む。
実施形態として、複数のメモリブロック各々のストリング選択トランジスタに連結されたストリング選択ラインをフローティングする段階をさらに含む。
実施形態として、アドレスデコーダは選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに接地電圧を印加する。
実施形態として、アドレスデコーダは消去電圧が閾値電圧に到達した後に選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインの電圧をフローティングする。
実施形態として、アドレスデコーダは複数のメモリブロック各々のストリング選択ラインをさらにフローティングする。
本発明による不揮発性メモリ装置は、基板上に提供された複数のメモリセルストリングを含むメモリセルアレイと、複数のビットラインを通じてメモリセルストリングに連結され、ビットラインを駆動するように構成される読み出し及び書き込み回路と、複数のワードラインとストリング選択ラインと接地選択ラインとを通じてメモリセルストリングに連結され、複数のワードラインと選択ラインを駆動するように構成されるアドレスデコーダとを含み、アドレスデコーダは基板に電圧を印加する前に遅延時間の間待機することにより消去動作時に接地選択ラインを駆動する。
実施形態として、消去動作の間、アドレスデコーダは基板の電圧レベルが目標電圧レベルに到達する時、接地選択ラインをフローティングするように構成される。
実施形態として、アドレスデコーダは選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに接地電圧を印加する。
実施形態として、アドレスデコーダは複数のメモリブロック各々のストリング選択ラインさらにフローティングする。
ピラー113のp−タイプシリコンを含む表面層114はボディ(body)で動作することができる。ピラー113に隣接する第1サブ絶縁膜117はトンネルリング絶縁膜に動作することができる。例えば、ピラー113に隣接する第1サブ絶縁膜117は熱酸化膜を含むことができる。
要約すれば、メモリブロックBLKiは基板111に垂直一方向(第2方向)に伸張されたNANDストリングを含み、1つのビットラインBLに複数のNANDストリングNSが連結されるNANDフラッシュメモリブロック(例えば、電荷捕獲型)に動作する。
例示的に、ピラー113は蝕刻により形成されたホールにシリコン物質及び絶縁物質と同一の物質が提供されて形成される。深く蝕刻されるほど、蝕刻により形成されるホールの第1及び第3方向に沿う面積は減少できる。すなわち、ピラー113の第1及び第3方向に沿う断面積は基板111に近いほど減少できる。
図6に図示されたように、同一高さのワードラインWLは共通に連結されている。したがって、特定高さのワードラインWLが選択される時、選択されたワードラインWLに連結されたNANDストリングNSが選択できる。異なる列のNANDストリングNSは異なるストリング選択ラインSSLに連結されている。したがって、ストリング選択ラインSSL1〜SSL3を選択及び非選択することによって、同一ワードラインWLに連結されたNANDストリングNSの中で非選択列のNANDストリングNSが対応するビットラインから分離され、そして選択列のNANDストリングNSが対応するビットラインに連結されることができる。
図3乃至図6で、第1高さを有する第1導電物質211、212、213は接地選択ラインGSLに動作し、第9高さを有する第1導電物質291、292、293はストリング選択ラインSSL1、SSL2、SSL3で動作する。
以下で、プログラム動作の時に、NANDストリングNS11〜NS13、NS21〜NS23、NS31〜NS33の第1行単位に選択されることと仮定する。そして、第2ビットラインBL2が選択されることと仮定する。また、第1及び第3ビットラインBL1、BL3が非選択されることと仮定する。
例えば、ワードライン消去電圧Vweは低電圧である。例えば、ワードライン消去電圧Vweは接地電圧Vssである。例えば、ワードライン消去電圧Vweは接地電圧Vssより低いレベルを有する。例えば、アドレスデコーダ120はワードラインWL1〜WL7をワードライン消去電圧Vweに駆動することができる。
S140段階で、基板電圧の変化により接地選択ラインGSLがフローティングされる。例えば、基板モニタ回路130はメモリセルアレイ110の基板111の電圧変化をモニタすることができる。基板111の電圧変化に基づいて、基板モニタ回路130は接地活性信号GEを活性化、または非活性化することができる。接地活性信号GEに応答し、アドレスデコーダ120は接地選択ラインGSLに予め設定された電圧Vdを印加するか、或いは接地選択ラインGSLをフローティングすることができる。
ストリング選択ラインSSL1〜SSL3はフローティング状態である。第2方向のボディ114の電圧の変化はストリング選択ラインSSL1〜SSL3にカップリング効果を有する。すなわち、第2方向のボディ114の電圧が基板111と共に上昇する時、ストリング選択ラインSSL1〜SSL3の電圧も上昇する。
ワードラインWL1〜WL7の電圧はワードライン消去電圧Vweのレベルを維持する。例えば、ワードライン消去電圧Vweは接地電圧Vssであり得る。
アップ−トリマ131に基板電圧Vsubが提供される。ダウン−トリマ133は接地端子に連結される。アップ−トリマ131及びダウン−トリマ133間の中間ノードCは比較器135に連結される。アップ−トリマ131及びダウン−トリマ133は基板電圧Vsubを分配することができる。例えば、アップ−トリマ131及びダウン−トリマ133は抵抗値を有するように構成できる。すなわち、アップ−トリマ131及びダウン−トリマ133により分配された基板電圧Vsubが比較器135に提供される。
図12で、比較器135の出力が接地活性信号GEで提供されることと説明された。しかし、比較器135の出力を調節して接地活性信号GEで出力するロジックブロックが追加的に提供されることができる。
上述したように、第1コード信号CODE1に基づいて制御することによって、アップ−トリマ131の抵抗値を調節できる。また、第2コード信号CODE2を制御することによりダウン−トリマ133の抵抗値が調節できる。したがって、第1コード信号CODE1及び第2コード信号CODE2を制御することにより目標電圧Vtarのレベルが可変できる。
図14Aを参照すれば、アドレスデコーダ120はブロック選択回路121、ブロックワードライン駆動器123、ストリング選択ライン駆動器125、ワードライン駆動器127、そして接地選択ライン駆動器129を含む。
図14Bを参照すれば、図14Aに図示されたアドレスデコーダ120とは異なり、アドレスデコーダ120’は各メモリブロックBLK0、BLK1に対応するブロック選択回路1210、1211とブロックワードライン駆動器1230、1231、全てのメモリブロックBLKnに対応する1つの共通ソースライン駆動器125、ワードライン駆動器127、そして接地選択ライン駆動器129を含む。
図19は図3乃至図5を参照して説明されたメモリブロックBLKiの等価回路の第5応用例BLKi_5を示す回路図である。図6のメモリブロックBLKiと比較すると、メモリブロックBLKi_5の各NANDストリングNSでストリング選択トランジスタSSTとダミーメモリセルDMCが提供される。ダミーメモリセルDMCはストリング選択ラインSSL1、SSL2、SSL3と隣接するダミーワードラインDWLに共通に連結される。すなわち、第1導電物質211〜291、212〜292、213〜293の中でダミーワードラインDWL及びダミーメモリセルDMCで使われる第1導電物質の数が可変できる。
第2ドーピング領域312及び第3ドーピング領域313上の領域で、各ピラー113’は第1導電物質の第1部分212a〜292a及び絶縁膜116と1つのNANDストリングNSを形成し、第1導電物質の第2部分212b〜292b及び絶縁膜116と他の1つのNANDストリングNSを形成することができる。
図22を参照して説明されたメモリブロックBLKi’のI−I’線に沿う断面図は図4と同一である。したがって、メモリブロックBLKi’の断面図に対する図面及び詳細な説明は省略される。
不揮発性メモリ装置1100は図1乃至図22を参照して説明されたように動作するように構成される。例えば、消去動作の時に、不揮発性メモリ装置1100は接地選択ラインGSLに予め設定された電圧を印加する。不揮発性メモリ装置1100の基板111の電圧変化によって、不揮発性メモリ装置1100は接地選択ラインGSLをフローティングするように構成される。したがって、消去撹乱が防止され不揮発性メモリ装置1100及び不揮発性メモリ装置1100を含むメモリシステム1000の信頼性が向上する。
図25は図24を参照して説明されたメモリシステム2000を含むコンピュータシステム3000を示すブロック図である。図25を参照すれば、コンピュータシステム3000は中央処理装置3100、RAM(Random Access Memory3200、ユーザインターフェース3300、電源3400、そしてメモリシステム2000を含む。
例示的に、コンピュータシステム3000は図23及び図24を参照して説明されたメモリシステム1000、メモリシステム2000を全て含むように構成されることができる。
130 基板モニタ回路
129 接地選択ライン駆動器
Claims (37)
- 複数のメモリセル、ストリング選択トランジスタ、そして接地選択トランジスタを具備したメモリストリングを含む不揮発性メモリ装置の消去方法において、
前記複数のメモリセルに連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加する段階と、
前記接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに特定電圧を印加する段階と、
前記接地選択ラインに前記特定電圧を印加する段階の間に前記メモリセルストリングが形成された基板に消去電圧を印加する段階と、
前記基板の電圧変化により前記接地選択ラインをフローティングする段階とを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の消去方法。 - 前記特定電圧を印加する段階は、前記接地選択ラインに接地電圧を印加する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の消去方法。
- 前記接地選択ラインをフローティングする段階は前記基板の電圧レベルが目標電圧レベルに到達する時に行われることを特徴とする請求項1に記載の消去方法。
- 前記複数のメモリセルは前記基板と垂直な方向に積層されることを特徴とする請求項1に記載の消去方法。
- 基板上に提供される複数のメモリセルストリングを含むメモリセルアレイと、
ビットラインを通じて前記複数のメモリセルストリングと連結され、前記ビットラインを駆動するように構成される読み出し及び書き込み回路と、
複数のワードライン、ストリング選択ライン、そして接地選択ラインを通じて前記複数のメモリセルストリングに連結され、前記複数のワードライン及び前記選択ラインを駆動するように構成されるアドレスデコーダと、
消去動作の時に、前記基板の電圧レベルをモニタするように構成される基板モニタ回路とを含み、
消去動作の時に、前記アドレスデコーダは前記モニタ結果により前記接地選択ラインを駆動するように構成されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記消去動作の消去電圧が前記基板に印加されることが始まる時、前記アドレスデコーダは前記選択ラインを接地電圧に駆動するように構成されることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記消去動作の時に、前記基板の電圧レベルが目標電圧レベルに到達する時、前記アドレスデコーダは前記接地選択ラインをフローティングするように構成されることを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記基板モニタ回路は
前記基板の電圧が提供される基板ノード及び接地ノードの間に連結される第1トリマ及び第2トリマと、
前記第1トリマと第2トリマとの間のノードの電圧及び目標電圧を比較し、前記モニタ結果に出力する比較器とを含むことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。 - 不揮発性メモリ装置の消去方法において、
第1導電型の基板に垂直し、前記基板に接触する前記第1導電型のピラー活性ボディを使用するストリング選択トランジスタと複数のメモリセル、そして接地選択トランジスタを含むメモリストリングを含む不揮発性メモリ装置を提供する段階と、
前記複数のメモリセルに連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加する段階と、
前記接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加する段階と、
前記基板に消去電圧を印加する段階と、
前記基板の電圧変化に応答し、前記接地選択ラインをフローティングする段階とを含むことを特徴とする消去方法。 - 基板と、
前記基板に接触する第1導電型のピラー活性ボディを使用するストリング選択トランジスタと複数のメモリセルと、接地選択トランジスタとを含むメモリセルストリングと、
前記複数のメモリセルに連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加し、そして前記接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加するように構成されるアドレスデコーダと、
前記基板に消去電圧を印加するように構成される基板バイアス回路と、
前記基板の電圧変化を感知するように構成される基板モニタ回路とを含み、
前記アドレスデコーダは前記基板の電圧変化に応答して前記接地選択ラインをフローティングすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 基板及び複数のメモリブロックを含み、前記複数のメモリブロック各々は2次元アレイに配列された複数のメモリストリングを含み、前記複数のメモリストリング各々はストリング選択トランジスタと複数のメモリセルと、そして接地選択トランジスタを含み、前記複数のメモリストリングは行及び列に配列され、前記複数のメモリストリングの列各々は対応するストリング選択トランジスタにより対応するビットラインに連結され、前記複数のメモリストリングの行各々は前記対応するストリング選択トランジスタにより対応するストリング選択ラインに連結される不揮発性メモリ装置の消去方法において、
前記複数のメモリブロックの中で消去するメモリブロックを選択する段階と、
前記選択されたメモリブロックの複数のメモリセルに連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加する段階と、
前記選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加し、少なくとも1つの非選択されたメモリブロックに前記電圧を印加しない段階と、
前記基板に消去電圧を印加する段階と、
前記基板の電圧変化により前記選択されたメモリブロックの前記接地選択ラインをフローティングする段階とを含むことを特徴とする消去方法。 - 前記少なくとも1つの非選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインはフローティングされることを特徴とする請求項11に記載の消去方法。
- 前記選択
されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに印加される前記電圧は、接地電圧であることを特徴とする請求項11に記載の消去方法。 - 前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに印加される前記電圧は前記消去電圧が閾値電圧に到達した後にフローティングされることを特徴とする請求項11に記載の消去方法。
- 前記基板の電圧をモニタし、前記基板の電圧が閾値電圧に到達する時に、前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに前記電圧を印加することを中断する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の消去方法。
- 前記複数のメモリブロック各々のストリング選択トランジスタに連結されたストリング選択ラインをフローティングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の消去方法。
- 基板と、
複数のメモリブロックと、
アドレスデコーダと、
前記基板に消去電圧を印加するように構成される基板バイアス回路と、
前記基板の電圧変化を感知するように構成される基板モニタ回路とを含み、
前記複数のメモリブロック各々は2次元アレイに配列された複数のメモリストリングを含み、各ストリングはストリング選択トランジスタと複数のメモリセルと接地選択トランジスタを含み、前記複数のメモリストリングは行及び列に配列され、前記複数のメモリストリングの列各々は対応するストリング選択トランジスタにより対応するビットラインに連結され、前記複数のメモリストリングの行は前記対応するストリング選択トランジスタにより対応するストリング選択ラインに連結され、
前記アドレスデコーダは前記複数のメモリブロックの中で消去するメモリブロックを選択し、前記選択されたメモリブロックの複数のメモリセルに連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加し、前記選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加し、非選択されたメモリブロックに前記電圧を印加しないように構成され、
前記アドレスデコーダは前記基板の電圧変化に応答して前記接地選択ラインをフローティングする不揮発性メモリ装置。 - 前記アドレスデコーダは前記非選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインをフローティングすることを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに接地電圧を印加することを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは前記消去電圧が閾値電圧に到達した後に前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインの電圧をフローティングすることを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記基板の電圧をモニタし、前記基板の電圧が閾値電圧に到達する時に、接地イネーブル信号を発生するように構成される基板モニタ回路をさらに含み、
前記アドレスデコーダは前記接地イネーブル信号に応答し、前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに前記電圧を印加することを中止し、そして前記接地選択ラインをフローティングすることを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記基板モニタ回路は、
接地ノード及び前記基板の前記消去電圧が供給される基板ノード間に連結された第1トリマ及び第2トリマと、
目標電圧と前記第1トリマ及び第2トリマ間のノードの電圧を比較し、比較結果を前記アドレスデコーダに出力するように構成される比較器とを含むことを特徴とする請求項21に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記比較結果が、前記基板の電圧が前記閾値電圧に到達したことを示す時、前記アドレスデコーダは前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに前記電圧を印加することを中止することを特徴とする請求項22に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは前記複数のメモリブロック各々のストリング選択ラインをさらにフローティングすることを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは、
各々ブロック選択信号を発生するように構成される少なくとも2つのブロックワードライン駆動器と、
前記ブロック選択信号に応答して前記複数のメモリブロックのストリング選択ラインを駆動するように構成されるストリング選択ライン駆動器と、
前記ブロック選択信号に応答して前記複数のメモリブロックのワードラインを駆動するように構成されるワードライン駆動器と、
前記複数のメモリブロックの中で1つの接地選択ラインを駆動し、前記基板モニタ回路から前記接地イネーブル信号を受信するように構成される接地選択ライン駆動器と、
前記ブロック選択信号に応答し、前記ストリング選択ライン駆動器と前記ワードライン駆動器と、そして前記接地選択ライン駆動器とにより駆動される電圧を前記複数のメモリブロックの中で選択されたメモリブロックの対応するラインに伝送するように構成されるブロック選択回路とを含むことを特徴とする請求項21に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ブロック選択回路は前記ワードライン各々、前記ストリング選択ライン各々、そして前記接地選択ライン各々を制御する複数のトランジスタを含むことを特徴とする請求項25に記載の不揮発性メモリ装置。
- 基板上に提供される複数のメモリセルストリングを含むメモリセルアレイと、
複数のビットラインを通じて前記メモリセルストリングに連結され、前記ビットラインを駆動するように構成される読み出し及び書き込み回路と、
複数のワードラインとストリング選択ラインと接地選択ラインとを通じて前記メモリセルストリングに連結され、前記複数のワードラインと選択ラインを駆動するように構成されるアドレスデコーダを含み、
前記アドレスデコーダは前記基板に電圧を印加する前に遅延時間の間待機することにより消去動作時に前記接地選択ラインを駆動することを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記消去動作の間に消去電圧が前記基板に印加されることが始まる時、前記アドレスデコーダは前記接地選択ラインを接地電圧に駆動するように構成されることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記消去動作の間、前記アドレスデコーダは前記基板の電圧レベルが目標電圧レベルに到達する時、前記接地選択ラインをフローティングするように構成されることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性メモリ装置。
- 基板と、
前記基板と接触する第1導電型のピラー活性ボディを使用するストリング選択トランジスタ、複数のメモリセル、そして接地選択トランジスタを含むメモリストリングと、
前記複数のメモリセルに連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加し、前記接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加するように構成されるアドレスデコーダと、
前記基板に消去電圧を印加するように構成される基板バイアス回路を含み、
前記アドレスデコーダは前記基板の電圧変化に応答して遅延時間の間待機した後、前記接地選択ラインをフローティングすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 基板と、
複数のメモリブロックと、
アドレスデコーダと、
前記基板に消去電圧を印加するように構成される基板バイアス回路とを含み、
前記複数のメモリブロック各々は2次元アレイに配列された複数のメモリストリングを含み、各ストリングはストリング選択トランジスタと複数のメモリセルと、接地選択トランジスタとを含み、前記複数のメモリストリングは行及び列に配列され、前記複数のメモリストリングの列各々は対応するストリング選択トランジスタにより対応するビットラインに連結され、前記複数のメモリストリングの行各々は前記対応するストリング選択トランジスタにより対応するストリング選択ラインに連結され、
前記アドレスデコーダは前記複数のメモリブロックの中で消去するメモリブロックを選択し、前記選択されたメモリブロックの複数のメモリセルには連結された複数のワードラインにワードライン消去電圧を印加し、前記選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインに電圧を印加し、そして非選択されたメモリブロックに前記電圧を印加せず、
前記アドレスデコーダは前記基板の電圧変化に応答して遅延時間の間待機した後、前記接地選択ラインをフローティングすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記アドレスデコーダは前記非選択されたメモリブロックの接地選択トランジスタに連結された接地選択ラインをフローティングすることを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインに接地電圧を印加することを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは前記消去電圧が閾値電圧に到達した後、前記選択されたメモリブロックの前記接地選択トランジスタに連結された前記接地選択ラインの電圧をフローティングすることを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは前記複数のメモリブロック各々のストリング選択ラインをさらにフローティングすることを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスデコーダは
各々ブロック選択信号を発生するように構成される少なくとも2つのワードライン駆動器と、
前記ブロック選択信号に応答して前記複数のメモリブロックのストリング選択ラインを駆動するように構成されるストリング選択ライン駆動器と、
前記ブロック選択信号に応答し、前記複数のメモリブロックのワードラインを駆動するように構成されるワードライン駆動器と、
前記複数のメモリブロックの中で1つの接地選択ラインを駆動し、そして時間遅延信号を受信するように構成される接地選択ライン駆動器と、
前記ブロック選択信号に応答し、前記ストリング選択ライン駆動器と前記ワードライン駆動器と、前記接地選択ライン駆動器とにより駆動される電圧を前記複数のメモリブロックの中で選択されたメモリブロックの対応するラインに伝送するように構成されるブロック選択回路とを含むことを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ブロック選択回路は前記ワードライン各々、前記ストリング選択ライン各々、そして前記接地選択ライン各々を制御する複数のトランジスタを含むことを特徴とする請求項36に記載の不揮発性メモリ装置。
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