KR100830575B1 - 플래시 메모리 장치 및 그것의 멀티-블록 소거 방법 - Google Patents
플래시 메모리 장치 및 그것의 멀티-블록 소거 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (29)
- 복수의 메모리 블록들을 포함한 플래시 메모리 장치의 소거 방법에 있어서:(a) 동시에 소거될 메모리 블록들의 수를 판별하는 단계와;(b) 상기 판별된 값에 따라 소거 전압의 기울기를 결정하는 단계와; 그리고(c) 상기 메모리 블록들이 형성된 기판으로 상기 결정된 기울기를 갖는 상기 소거 전압을 공급하는 단계를 포함하며,상기 소거 전압의 기울기는 상기 기판으로의 소거 전압의 인가 시간이 소거될 메모리 블록들의 수에 관계없이 일정하게 유지되도록 결정되는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
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- 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는멀티-블록 선택 명령의 입력을 검출하는 단계와; 그리고상기 검출된 결과에 응답하여 블록 어드레스의 입력을 카운트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 외부로부터 제공되는 블록 어드레스들의 수를 카운트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 동시에 소거될 메모리 블록들의 워드 라인들은 워드 라인 전압으로 구동되고, 나머지 메모리 블록들의 워드 라인들은 플로팅 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는상기 판별 결과에 따라 발진 신호의 주기를 조정하는 단계와;상기 조정된 주기를 갖는 발진 신호에 응답하여 상기 소거 전압을 발생하는 단계와; 그리고상기 소거 전압을 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 메모리 블록들 중 일부가 선택될 때 상기 발진 신호의 주기는 상기 메모리 블록들이 모두 선택될 때 상기 발진 신호의 주기보다 긴 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는상기 판별 결과에 따라 발진 신호의 전압 레벨을 조정하는 단계와;상기 조정된 전압 레벨을 갖는 발진 신호에 응답하여 상기 소거 전압을 발생하는 단계와; 그리고상기 소거 전압을 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 메모리 블록들 중 일부가 선택될 때 상기 발진 신호의 전압 레벨은 상기 메모리 블록들이 모두 선택될 때 상기 발진 신호의 전압 레벨보다 낮은 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는상기 판별 결과에 따라 펌프의 용량을 조정하는 단계와;상기 조정된 용량을 갖는 펌프를 이용하여 상기 소거 전압을 발생하는 단계와; 그리고상기 소거 전압을 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 메모리 블록들 중 일부가 선택될 때 상기 펌프의 용량은 상기 메모리 블록들이 모두 선택될 때 상기 펌프의 용량보다 작은 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 복수의 메모리 블록들을 포함한 플래시 메모리 장치의 소거 방법에 있어서:동시에 소거될 메모리 블록들의 수를 판별하는 단계와;상기 판별 결과에 따라 발진 신호의 주기를 조정하는 단계와;상기 조정된 주기를 갖는 발진 신호에 응답하여 소거 전압을 발생하는 단계와; 그리고상기 메모리 블록들이 형성된 기판으로 상기 소거 전압을 공급하는 단계를 포함하며,상기 발진 신호의 주기는 상기 기판으로의 소거 전압의 인가 시간이 소거될 메모리 블록들의 수에 관계없이 일정하게 유지되도록 상기 판별 결과에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 동시에 소거될 메모리 블록들의 수를 판별하는 단계는멀티-블록 선택 명령의 입력을 검출하는 단계와; 그리고상기 검출된 결과에 응답하여 블록 어드레스의 입력을 카운트하는 단계하는 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 동시에 소거될 메모리 블록들의 워드 라인들은 워드 라인 전압으로 구동되고, 나머지 메모리 블록들의 워드 라인들은 플로팅 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 기판은 포켓 P웰인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 복수의 메모리 블록들을 포함한 플래시 메모리 장치의 소거 방법에 있어서:동시에 소거될 메모리 블록들의 수를 판별하는 단계와;상기 판별 결과에 따라 발진 신호의 전압 레벨을 조정하는 단계와;상기 조정된 전압 레벨을 갖는 발진 신호에 응답하여 소거 전압을 발생하는 단계와; 그리고상기 메모리 블록들이 형성된 포켓 P웰로 상기 소거 전압을 공급하는 단계를 포함하며,상기 발진 신호의 전압 레벨은 상기 포켓 P웰로의 소거 전압의 인가 시간이 소거될 메모리 블록들의 수에 관계없이 일정하게 유지되도록 상기 판별 결과에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 동시에 소거될 메모리 블록들의 워드 라인들은 워드 라인 전압으로 구동되고, 나머지 메모리 블록들의 워드 라인들은 플로팅 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 복수의 메모리 블록들을 포함한 플래시 메모리 장치의 소거 방법에 있어서:동시에 소거될 메모리 블록들의 수를 판별하는 단계와;상기 판별 결과에 따라 펌프의 용량을 조정하는 단계와;상기 조정된 용량을 갖는 펌프를 이용하여 상기 소거 전압을 발생하는 단계와; 그리고상기 메모리 블록들이 형성된 포켓 P웰로 상기 소거 전압을 공급하는 단계를 포함하며,상기 펌프의 용량은 상기 포켓 P웰로의 소거 전압의 인가 시간이 소거될 메모리 블록들의 수에 관계없이 일정하게 유지되도록 상기 판별 결과에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 동시에 소거될 메모리 블록들의 워드 라인들은 워드 라인 전압으로 구동되고, 나머지 메모리 블록들의 워드 라인들은 플로팅 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 워드 라인 전압은 0V 또는 그보다 높은 전압인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 소거 방법.
- 반도체 기판에 형성된 복수 개의 메모리 블록들과;소거될 메모리 블록들의 수를 판별하는 판별 회로와;상기 반도체 기판으로 공급될 소거 전압을 발생하는 소거 전압 발생 회로와; 그리고적어도 2개의 메모리 블록들이 동시에 소거되는 멀티-블록 소거 동작을 제어하도록 구성된 소거 제어기를 포함하며,상기 소거 제어기는 상기 멀티-블록 소거 동작시 상기 반도체 기판으로의 소거 전압의 인가 시간이 소거될 메모리 블록들의 수에 관계없이 일정하게 유지되도록 상기 판별 회로의 판별 결과에 따라 상기 소거 전압 발생 회로를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 판별 회로는소거될 메모리 블록을 선택하기 위한 블록 어드레스가 입력될 때마다 펄스 형태의 플래그 신호를 발생하는 플래그 신호 발생기와; 그리고상기 플래그 신호의 펄스 수를 카운트하여 카운트된 값을 상기 소거 제어기로 출력하는 카운터를 포함하며, 상기 소거 제어기는 상기 카운트된 값에 응답하여 상기 소거 전압 발생 회로를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 소거 전압 발생 회로는발진 신호를 발생하는 발진 회로와;상기 소거 전압을 발생하도록 구성된 펌프와; 그리고상기 발진 신호 및 상기 소거 전압에 응답하여 동작하며, 상기 소거 전압이 일정하게 유지되도록 상기 펌프를 제어하는 레귤레이터를 포함하며,상기 소거 제어기는 상기 판별 결과에 따라 상기 발진 신호의 주기가 가별되도록 상기 발진 회로를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 메모리 블록들 중 일부가 선택될 때 상기 발진 신호의 주기는 상기 메모리 블록들이 모두 선택될 때 상기 발진 신호의 주기보다 긴 플래시 메모리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 소거 전압 발생 회로는발진 신호를 발생하는 발진 회로와;상기 소거 전압을 발생하도록 구성된 펌프와; 그리고상기 발진 신호 및 상기 소거 전압에 응답하여 동작하며, 상기 소거 전압이 일정하게 유지되도록 상기 펌프를 제어하는 레귤레이터를 포함하며,상기 소거 제어기는 상기 판별 결과에 따라 상기 발진 신호의 전압 레벨이 가변되도록 상기 레귤레이터를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 메모리 블록들 중 일부가 선택될 때 상기 발진 신호의 전압 레벨은 상기 메모리 블록들이 모두 선택될 때 상기 발진 신호의 전압 레벨보다 낮은 플래시 메모리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 소거 전압 발생 회로는발진 신호를 발생하는 발진 회로와;상기 소거 전압을 발생하도록 구성된 펌프와; 그리고상기 발진 신호 및 상기 소거 전압에 응답하여 동작하며, 상기 소거 전압이 일정하게 유지되도록 상기 펌프를 제어하는 레귤레이터를 포함하며,상기 소거 제어기는 상기 판별 결과에 따라 상기 펌프의 용량이 가변되도록 상기 펌프를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 메모리 블록들 중 일부가 선택될 때 상기 펌프의 용량은 상기 메모리 블록들이 모두 선택될 때 상기 펌프의 용량보다 작은 플래시 메모리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 메모리 블록들이 형성되는 포켓 P웰을 포함하는 플래시 메모리 장치.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101753767B1 (ko) | 2011-07-12 | 2017-07-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100851550B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-08-11 | 삼성전자주식회사 | 테스트 시스템 및 그것의 고전압 측정 방법 |
KR101348173B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2014-01-08 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치, 그것의 소거 및 프로그램 방법들,그리고 그것을 포함한 메모리 시스템 |
US20090266044A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Coers Bruce A | Integrated draper belt support and skid shoe in an agricultural harvesting machine |
KR100954039B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2010-04-20 | (주)인디링스 | 플래시 메모리 제어 방법 및 제어 장치 |
JP5474327B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2014-04-16 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体記憶装置及びこれを備えるデータ処理システム |
US8189390B2 (en) * | 2009-03-05 | 2012-05-29 | Mosaid Technologies Incorporated | NAND flash architecture with multi-level row decoding |
US8089816B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-01-03 | Micron Technology, Inc. | Memory erase methods and devices |
KR101060899B1 (ko) * | 2009-12-23 | 2011-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR101691092B1 (ko) | 2010-08-26 | 2016-12-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
US9378831B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
US9324440B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
KR101658479B1 (ko) | 2010-02-09 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR101691088B1 (ko) | 2010-02-17 | 2016-12-29 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
US8923060B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and operating methods thereof |
JP5788183B2 (ja) | 2010-02-17 | 2015-09-30 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 不揮発性メモリ装置、それの動作方法、そしてそれを含むメモリシステム |
US8908431B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Control method of nonvolatile memory device |
JP2011170956A (ja) | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法と、それを含むメモリシステム |
US8553466B2 (en) * | 2010-03-04 | 2013-10-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device, erasing method thereof, and memory system including the same |
US8792282B2 (en) | 2010-03-04 | 2014-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, memory systems and computing systems |
KR101710089B1 (ko) * | 2010-08-26 | 2017-02-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
JP5606883B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2014-10-15 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
KR101762828B1 (ko) | 2011-04-05 | 2017-07-31 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR101733620B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2017-05-11 | 삼성전자주식회사 | 기판에 적층된 복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 |
KR101988434B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2019-06-12 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 서브-블록 관리 방법 |
US8958244B2 (en) | 2012-10-16 | 2015-02-17 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Split block decoder for a nonvolatile memory device |
US9704580B2 (en) * | 2012-10-22 | 2017-07-11 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Integrated erase voltage path for multiple cell substrates in nonvolatile memory devices |
US9030879B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-05-12 | Conversant Intellectual Property Management Incorporated | Method and system for programming non-volatile memory with junctionless cells |
US10403766B2 (en) | 2012-12-04 | 2019-09-03 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same |
KR102003745B1 (ko) * | 2013-03-05 | 2019-10-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 동작 방법 |
US9202931B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-12-01 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Structure and method for manufacture of memory device with thin silicon body |
US9214235B2 (en) | 2013-04-16 | 2015-12-15 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | U-shaped common-body type cell string |
KR102242022B1 (ko) | 2013-09-16 | 2021-04-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법 |
US9710198B2 (en) | 2014-05-07 | 2017-07-18 | Sandisk Technologies Llc | Method and computing device for controlling bandwidth of swap operations |
US9928169B2 (en) | 2014-05-07 | 2018-03-27 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for improving swap performance |
US20150324132A1 (en) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | Sandisk Technologies Inc. | Method and Computing Device for Fast Erase of Swap Memory |
US9665296B2 (en) | 2014-05-07 | 2017-05-30 | Sandisk Technologies Llc | Method and computing device for using both volatile memory and non-volatile swap memory to pre-load a plurality of applications |
US9633233B2 (en) | 2014-05-07 | 2017-04-25 | Sandisk Technologies Llc | Method and computing device for encrypting data stored in swap memory |
KR20170004698A (ko) * | 2015-07-03 | 2017-01-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 동작 방법 |
CN105224248B (zh) * | 2015-09-25 | 2019-06-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置 |
TWI602058B (zh) * | 2016-09-08 | 2017-10-11 | 宜鼎國際股份有限公司 | 具備實體銷毀功能之快閃記憶體裝置 |
US10984871B2 (en) | 2017-11-22 | 2021-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and method of erasing the same |
KR102341260B1 (ko) | 2017-11-22 | 2021-12-20 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그 소거 방법 |
US10877687B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-12-29 | Micron Technology, Inc. | Erasure of multiple blocks in memory devices |
US10908824B2 (en) | 2018-11-08 | 2021-02-02 | Winbond Electronics Corp. | Flash memory storage device and method thereof |
JP6741811B1 (ja) * | 2019-03-07 | 2020-08-19 | 力晶積成電子製造股▲ふん▼有限公司Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 不揮発性半導体記憶装置の消去制御回路及び方法、並びに不揮発性半導体記憶装置 |
KR102483600B1 (ko) | 2020-02-05 | 2022-12-30 | 가부시키가이샤 야스카와덴키 | 반송 시스템, 반송 방법 및 반송 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100223263B1 (ko) | 1996-06-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 플래쉬 메모리 셀의 소거방법 |
US5995416A (en) * | 1997-09-19 | 1999-11-30 | Stmicroelectronics S.A. | Method and circuit for the generation of programming and erasure voltage in a non-volatile memory |
KR20020001251A (ko) * | 2000-06-27 | 2002-01-09 | 박종섭 | 플래쉬 메모리 소자의 소거 방법 |
JP2003331585A (ja) | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR20040008532A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 프로그램/소거 전압 공급 회로 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0617363B1 (en) | 1989-04-13 | 2000-01-26 | SanDisk Corporation | Defective cell substitution in EEprom array |
KR970005644B1 (ko) | 1994-09-03 | 1997-04-18 | 삼성전자 주식회사 | 불휘발성 반도체 메모리장치의 멀티블럭 소거 및 검증장치 및 그 방법 |
IT1303204B1 (it) * | 1998-11-27 | 2000-10-30 | St Microelectronics Srl | Metodo di programmazione di celle di memoria non volatile ad elevataprecisione, con velocita' di programmazione ottimizzata. |
KR20000038416A (ko) | 1998-12-07 | 2000-07-05 | 윤종용 | 멀티-뱅크 플래시 메모리 장치의 소거 방법 |
US6671208B2 (en) * | 2001-07-27 | 2003-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor storage device with limited consumption current during erasure and erase method therefor |
JP4073330B2 (ja) | 2003-02-18 | 2008-04-09 | スパンション エルエルシー | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4315767B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-08-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7110301B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof |
KR100604561B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-07-31 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 웰 형성 방법 |
KR100748553B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2007-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리플-프리 고전압 발생회로 및 방법, 그리고 이를 구비한반도체 메모리 장치 |
US20070047327A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Micron Technology, Inc. | Erase method for flash memory |
KR100744014B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2007-07-30 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 멀티 블록 소거 방법 |
-
2006
- 2006-09-26 KR KR1020060093635A patent/KR100830575B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-21 US US11/614,413 patent/US7813184B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-26 CN CN2007101617969A patent/CN101154458B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100223263B1 (ko) | 1996-06-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 플래쉬 메모리 셀의 소거방법 |
US5995416A (en) * | 1997-09-19 | 1999-11-30 | Stmicroelectronics S.A. | Method and circuit for the generation of programming and erasure voltage in a non-volatile memory |
KR20020001251A (ko) * | 2000-06-27 | 2002-01-09 | 박종섭 | 플래쉬 메모리 소자의 소거 방법 |
JP2003331585A (ja) | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR20040008532A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 프로그램/소거 전압 공급 회로 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101753767B1 (ko) | 2011-07-12 | 2017-07-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7813184B2 (en) | 2010-10-12 |
CN101154458A (zh) | 2008-04-02 |
KR20080028179A (ko) | 2008-03-31 |
US20080074931A1 (en) | 2008-03-27 |
CN101154458B (zh) | 2012-07-18 |
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