KR100889780B1 - 패스 전압 윈도우를 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치및 그것의 프로그램 방법 - Google Patents
패스 전압 윈도우를 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치및 그것의 프로그램 방법 Download PDFInfo
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Description
Claims (14)
- 워드 라인들과 비트 라인들을 따라 배열된 메모리 셀들을 갖는 적어도 하나의 메모리 블록을 포함한 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 있어서:상기 워드 라인들 중 선택된 워드 라인으로 프로그램 전압을 인가하고, 상기 선택된 워드 라인에 바로 인접한 적어도 하나의 워드 라인으로 제 1 패스 전압을 인가하고, 상기 워드 라인들 중 최외곽 워드 라인들에 제 2 패스 전압을 인가하고, 그리고 상기 워드 라인들 중 나머지 워드 라인들에 상기 제 1 패스 전압보다 높고 상기 프로그램 전압보다 낮은 전압을 인가하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
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- 제 1 항에 있어서,상기 선택된 워드 라인이 상기 최외곽 워드 라인들 중 하나에 인접할 때, 상기 선택된 워드 라인에 인접한 최외곽 워드 라인으로 상기 제 2 패스 전압보다 낮은 제 3 패스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 패스 전압은 상기 제 1 패스 전압보다 낮은 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 최외곽 워드 라인들은 스트링 선택 라인과 접지 선택 라인에 각각 바로 인접한 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 플래시 메모리 장치는 낸드 플래시 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
- 복수의 스트링들을 갖는 메모리 블록과;상기 스트링들 각각은 스트링 선택 라인에 연결된 스트링 선택 트랜지스터, 접지 선택 라인에 연결된 접지 선택 트랜지스터, 그리고 상기 스트링 및 접지 선택 트랜지스터들 사이에 직렬 연결된 메모리 셀들로 구성되며;프로그램 동작시 프로그램 전압과 제 1 내지 제 4 패스 전압들을 발생하도록 구성된 워드 라인 전압 발생 회로와;상기 프로그램 전압과 상기 제 1 내지 제 4 패스 전압들을 공급받는 행 디코더 회로와; 그리고상기 프로그램 동작 동안, 상기 워드 라인들 중 선택된 워드 라인으로 상기 프로그램 전압을 인가하도록, 상기 선택된 워드 라인에 바로 인접한 적어도 하나의 워드 라인으로 상기 제 1 패스 전압을 인가하도록, 그리고 상기 워드 라인들 중 최외곽 워드 라인들에 상기 제 2 패스 전압을 인가하도록 상기 행 디코더 회로를 제어하는 제어 로직을 포함하는 플래시 메모리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 선택된 워드 라인이 상기 최외곽 워드 라인들 중 하나에 인접할 때, 상기 제어 로직은 상기 선택된 워드 라인에 인접한 최외곽 워드 라인으로 상기 제 2 패스 전압보다 낮은 상기 제 3 패스 전압을 인가하도록 상기 행 디코더 회로를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제어 로직은 상기 워드 라인들 중 나머지 워드 라인들으로 상기 제 1 패스 전압보다 높고 상기 프로그램 전압보다 낮은 상기 제 4 패스 전압을 인가하도록 상기 행 디코더 회로를 제어하는 플래시 메모리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 최외곽 워드 라인들은 상기 스트링 선택 라인과 상기 접지 선택 라인에 각각 바로 인접한 플래시 메모리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 패스 전압은 상기 제 1 패스 전압보다 낮은 플래시 메모리 장치.
- 플래시 메모리 장치와; 그리고상기 플래시 메모리 장치를 제어하도록 구성된 메모리 컨트롤러를 포함하며, 상기 플래시 메모리 장치는 청구항 7에 기재된 장치인 메모리 카드.
- 워드 라인들과 비트 라인들로 배열된 메모리 셀들을 갖는 적어도 하나의 메모리 블록을 포함한 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 있어서:상기 워드 라인들 중 선택된 워드 라인으로 프로그램 전압을 인가하고, 상기 선택된 워드 라인에 바로 인접한 적어도 하나의 워드 라인으로 제 1 패스 전압을 인가하고, 상기 워드 라인들 중 최외곽 워드 라인들에 제 2 패스 전압을 인가하고, 상기 워드 라인들 중 나머지 워드 라인들로 상기 제 1 패스 전압보다 높고 상기 프로그램 전압보다 낮은 전압을 인가하는 것을 포함하며,상기 선택된 워드 라인이 상기 최외곽 워드 라인들 중 하나에 인접할 때, 상기 선택된 워드 라인에 인접한 최외곽 워드 라인으로 상기 제 2 패스 전압보다 낮은 제 3 패스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 패스 전압은 상기 제 1 패스 전압보다 낮은 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법.
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