KR101152943B1 - 액티브 매트릭스형 표시장치 및 액티브 매트릭스형 발광장치 - Google Patents

Abstract

종래에 비하여 단시간 내에 저비용으로 수율 좋게 액티브 매트릭스형 발광장치를 제조할 수 있는 액티브 매트릭스형 발광장치의 제작방법을 제공한다. 본 발명은 액티브 매트릭스형 발광장치의 화소부에 배치되는 각 TFT의 반도체층에 접하여 형성되거나 전기적으로 접속되는 금속 전극에 적층 구조가 이용되는 것을 특징으로 한다. 또한, 금속 전극은 부분적으로 에칭되고, 발광 소자의 제1 전극으로서 사용된다. 제1 전극 위에 버퍼층, 유기 화합물을 함유하는 층, 및 제2 전극이 적층된다.

액티브 매트릭스형 발광장치, 반도체막, 금속 산화물, 보텀 게이트형 박막트랜지스터

Description

액티브 매트릭스형 표시장치 및 액티브 매트릭스형 발광장치{Active matrix display device and active matrix light emitting device}

본 발명은, 한 쌍의 전극 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(이하, 유기 화합물 층이라 함)이 끼어진 소자의 한 쌍의 전극에 전계를 가한 때 형광 또는 인광을 방사하는 발광 소자를 구비한 발광장치 및 그 발광장치의 제작방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 유기 화합물 층 등을 형성하기 위한 증착장치에 관한 것이다.

발광체로서 유기 화합물을 사용하고, 박형, 경량, 고속 응답성, 직류 저전압 구동 등의 특징을 가지는 발광 소자는 차세대의 플랫 패널 디스플레이에의 응용이 기대되고 있다. 특히, 표시장치들 중, 발광 소자를 매트릭스 형상으로 배치한 표시장치는 종래의 액정 표시장치에 비하여 시야각이 넓고 시인성(視認性)이 우수하다는 점에 우위성이 있다고 생각된다.

발광 소자는 다음의 매카니즘을 통해 발광한다고 알려져 있다. 즉, 유기 화합물 층을 끼우고 있는 한 쌍의 전극 사이에 전압을 인가한 때, 음극으로부터 주입된 전자와 양극으로부터 주입된 정공이 유기 화합물 층의 발광 중심에서 재결합하 여 분자 여기자를 형성하고, 그 분자 여기자가 기저 상태로 복귀할 때 에너지를 방출하여 발광 소자가 발광한다. 여기 상태로서는, 1중항 여기와 삼중항 여기가 알려져 있고, 발광은 이들 여기 상태들 중 어느 것을 통해서도 가능하다고 생각된다.

이와 같은 발광 소자를 매트릭스 형상으로 배치하여 형성된 발광장치는 패시브 매트릭스 구동(단순 매트릭스형), 액티브 매트릭스 구동(액티브 매트릭스형), 또는 다른 구동방법을 이용할 수 있다. 그러나, 화소 밀도가 증가한 경우에는, 화소(또는 1 도트(dot))마다 스위치가 제공되어 있는 액티브 매트릭스형이 저전압 구동할 수 있으므로 유리하다고 생각된다.

또한, 발광 소자의 중심이라고도 할 수 있는 유기 화합물 층(엄밀하게는 발광층)을 형성하는 유기 화합물은 저분자계 재료와 고분자계(폴리머계) 재료로 분류된다. 양 타입의 재료가 연구되고 있지만, 저분자계 재료보다 취급이 용이하고 내열성이 높은 고분자계 재료가 더 주목받고 있다.

또한, 종래의 액티브 매트릭스형 발광장치는, 기판 위의 TFT와 전기적으로 접속된 전극이 양극으로서 형성되고, 이 양극 위에 유기 화합물 층이 형성되고, 그 유기 화합물 층 위에 음극이 형성되는 발광 소자를 포함한다. 유기 화합물 층에서 발생한 광은 투명 전극인 양극을 통해 TFT 쪽에서 취출될 수 있다.

상기 관점에서, 본 출원인은 기판 위의 TFT에 전기적으로 접속된 TFT측의 전극을 양극으로서 형성하고, 이 양극 위에 유기 화합물을 함유하는 층을 형성하고, 이 유기 화합물을 함유하는 층 위에 투명 전극인 음극을 형성하는 구조(이하, 상면 출사 구조라 함)의 발광 소자를 포함하는 액티브 매트릭스형 발광장치를 제안하였 다(일본국 공개특허공고 2004-6327호, 일본국 공개특허공고 2004-63461호, 일본국 공개특허공고 2004-31201호 공보).

본 발명은 액티브 매트릭스형 발광장치를 종래에 비하여 단시간 내에 저비용으로 수율 좋게 제조할 수 있는 액티브 매트릭스형 발광장치의 구조 및 제작방법을 제공한다.

본 발명은, 액티브 매트릭스형 발광장치의 화소부에 배치되는 각 TFT의 반도체층에 접하여 형성되거나 또는 그 반도체층에 전기적으로 접속되는 금속 전극에 적층 구조가 이용되는 것을 특징으로 한다. 또한, 그 금속 전극은 부분적으로 에칭되고, 발광 소자의 제1 전극으로서 사용된다. 그 제1 전극 위에, 버퍼층과, 유기 화합물을 함유하는 층과, 제2 전극층이 적층된다.

TFT의 반도체층에 접하여 형성되는 금속 전극을 가공하고, 발광 소자의 제1 전극으로 사용함으로써, 제1 전극을 형성하기 위한 공정을 삭감할 수 있다.

또한, 본 발명에서, 금속 전극을 부분적으로 에칭하여 얻어지는 제1 전극은 버퍼층과 접하는 영역(즉, 발광 영역)에서는 단층 또는 2층의 금속막일 수 있다. 또한, TFT의 반도체층에 도달하는 콘택트 홀이 제공되는 영역에서는 금속막이 3층 또는 4층 형성될 수 있다. 본 발명의 제1 전극은, 금속막이 3층 또는 4층인 영역이 발광 영역을 둘러싸는 구조에 한정되지 않는다.

또한, 본 발명의 제1 전극은 부분에 따라 층수가 다르기 때문에, 층수가 다른 층들 사이의 경계에 단차(段差)가 형성되는데, 이 단차는 절연물(뱅크, 격벽, 제방 등이라 불림)로 덮인다. 또한, 절연물의 적어도 상단부를 곡률 반경을 가지는 곡면으로 하고, 이 곡률 반경은 0.2 ㎛～3 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 곡률 반경을 가지게 함으로써, 단차 피복성을 양호하게 하여, 후에 형성되는 유기 화합물을 함유하는 층 등이 극히 얇은 두께로 형성될 수 있게 한다.

또한, 금속 전극 위에 버퍼층을 제공함으로써, 발광 소자에서의 제1 전극과 제2 전극 사이의 간격을 넓힐 수 있으므로, 금속 전극의 표면 요철 등에 기인하는 발광 소자의 단락(短絡)을 방지할 수 있다.

또한, 버퍼층은 유기 화합물과, 이 유기 화합물로부터 전자를 받을 수 있는 무기 화합물과의 복합층이다. 구체적으로는, 버퍼층은 금속 산화물과 유기 화합물을 함유하는 복합층이다.

또한, 버퍼층은 무기 화합물을 첨가함으로써 얻어진다고 생각되는 효과(내열성의 향상 등)에 더하여, 우수한 도전성도 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.

따라서, 버퍼층의 두께는 구동 전압의 상승을 초래하지 않고 두껍게 할 수 있으므로, 발광 소자 형성 공정에서의 오물 등에 기인하는 소자의 단락도 방지할 수 있고, 수율이 향상될 수 있다.

또한, 3종류(R, G, B)의 발광 소자를 가지는 풀 컬러의 발광장치에서, 발광색 마다 발광 효율이 다르다. 발광장치의 발광면 전체로서 휘도의 밸런스를 취하기 위해서는 발광 효율이 나쁜 발광 소자에서는 과도한 전류를 흘려야 하고, 그 때 문에, 발광 소자의 열화가 가속화된다는 단점이 있었다.

본 발명에 따르면, 버퍼층의 막 두께를 조절함으로써, 제1 전극과 각 발광층 사이의 거리를 그들 사이에 제공된 층을 제어함으로써 제어하여, 발광 효율을 높일 수 있다. 또한, 각 발광 소자로부터의 발광색이 깨끗하게 표시된 우수한 영상을 표시할 수 있고, 저소비전력화된 발광장치를 실현할 수 있다.

버퍼층을 제공함으로써 얻어지는 이들 효과는, 서로 전기적인 상호 작용을 미치지 않는 유기 화합물과 무기 화합물을 단순히 혼합한 종래의 정공 수송층에서는 얻어질 수 없다.

또한, 버퍼층은 정공 주입(또는 정공 수송) 특성과, 전자 주입(또는 전자 수송) 특성 모두를 겸비하고 있기 때문에, 유기 화합물을 함유하는 층과, 제2 전극과의 사이에도 버퍼층을 제공하여, 제1 전극, 제1 버퍼층, 유기 화합물을 함유하는 층, 제2 버퍼층, 제2 전극의 순으로 적층할 수도 있다.

본 발명에 따른 발광장치는, 절연 표면을 가진 기판 위의, 박막트랜지스터의 반도체층에 접속하여 있는 제1 전극과, 그 제1 전극의 단부를 덮는 절연물과, 상기 제1 전극 위의 버퍼층과, 이 버퍼층 위의, 유기 화합물을 함유하는 층과, 이 유기 화합물을 함유하는 층 위의 제2 전극을 가지는 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 전극은 제1 영역과, 이 제1 영역과 층수가 다른 제2 영역과, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 단차부를 가지고, 이 단차부는 상기 절연물로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.

또한, 본 발명에 따른 발광장치는, 절연 표면을 가진 기판 위의, 박막트랜지 스터의 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극과, 그 제1 전극의 단부를 덮는 절연물과, 상기 제1 전극 위의 버퍼층과, 이 버퍼층 위의, 유기 화합물을 함유하는 층과, 이 유기 화합물을 함유하는 층 위의 제2 전극을 가지는 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 전극은 제1 영역과, 이 제1 영역과 층수가 다른 제2 영역과, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 단차부를 가지고, 이 단차부는 상기 절연물로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.

상기 발광장치의 상기 구성들 중 어느 한 구성에서, 상기 발광장치는 상기 발광 소자가 복수 제공된 화소부와, 복수의 박막트랜지스터를 가지는 구동회로를 포함하고, 이 구동회로는 상기 제2 영역과 동일 적층의 배선을 포함하는 것을 특징의 하나로 한다.

또한, 상기 발광장치의 구성에서, 상기 버퍼층이 상기 제1 전극의 제1 영역에 접하여 제공되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 버퍼층은 유기 화합물과 무기 화합물의 복합 재료를 포함하고, 상기 무기 화합물은 산화티탄, 산화지르코늄, 산화하프늄, 산화바나듐, 산화니오브, 산화탄탈, 산화크롬, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화망간, 및 산화레늄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 복수이다. 상기 버퍼층은 정공 수송성을 가지는 유기 화합물과, 무기화합물의 복합 재료를 함유한다. 또한, 상기 무기 화합물은 상기 유기 화합물에 대하여 전자 수용성(受容性)을 나타낸다.

또한, 상기 구성에서, 상기 제1 전극은 금속막의 층수가 2층인 제1 영역과, 금속막의 층수가 4층인 제2 영역을 포함하는 것을 특징의 하나로 한다. 또는, 상기 제1 전극은 금속막의 층수가 2층인 제1 영역과, 금속막의 층수가 3층인 제2 영역을 포함하는 것을 특징의 하나로 한다. 또는, 상기 제1 전극은 단층의 금속막을 가지는 제1 영역과, 금속막의 층수가 2 이상인 제2 영역을 포함하는 것을 특징의 하나로 한있다. 적층에서의 층수가 적을수록 공정 수를 삭감할 수 있고, 전체 제조 시간을 단축할 수 있다.

또한, 상기 구성 각각에서, 상기 제1 전극은 Ti, TiN, TiSi_xN_y, Al, Ag, Ni, W, WSi_x, WN_x, WSi_xN_y, Ta, TaN_x, TaSi_xN_y, NbN, MoN, Cr, Pt, Zn, Sn, In, Mo으로 이루어진 군에서 선택된 원소 또는 이 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료를 주성분으로 하는 막 또는 그 막들의 적층막을 가지는 것을 특징의 하나로 한다.

예를 들어, 제1 전극이, Ti 단층의 제1 영역과, 금속막의 적층수가 2층(Ti층과 Al층)인 제2 영역을 가지는 경우, 성막 공정수가 적어진다. 제1 전극이 드레인 영역에 접하는 경우, Ti막은 반도체(실리콘)와의 접촉 저항값이 낮으므로 바람직하다. 또한, 제2 영역에 적층되는 금속막을 Al막으로 하면, 제1 전극을 저저항의 전극으로 할 수 있다.

또한, 제1 전극으로서, W 단층의 제1 영역과, 금속막의 적층수가 2층(W층과 Al층)인 제2 영역을 가지는 구조로 하는 경우, W막과 Al막의 에칭 속도가 서로 다르기 때문에, 에칭 가공이 쉽게 될 수 있다.

또한, 상기 구성 각각에서, 하나의 발광 소자의 발광 영역의 면적은 상기 제1 영역의 면적보다 작은 것을 특징의 하나로 한다.

또한, 상기 구성 각각에서, 상기 제2 전극은 투광성을 가지는 도전막인 것을 특징의 하나로 한다.

또한, 상기 구조를 실현하기 위한 본 발명의 구성은, 제1 전극과, 이 제1 전극 위의 유기 화합물을 함유하는 층과, 이 유기 화합물을 함유하는 층 위의 제2 전극을 가지는 발광 소자를 복수 가지는 발광장치를 제작하는 방법으로서, 박막트랜지스터의 반도체층을 형성하는 공정, 상기 박막트랜지스터의 반도체층을 덮는 절연막을 형성하는 공정, 상기 절연막 위에, 상기 박막트랜지스터의 반도체층과 접하는 금속층의 적층으로 된 전극을 형성하는 공정, 그 전극의 적층의 일부를 제거하여, 제1 영역과, 이 제1 영역보다 층수가 많은 제2 영역과, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 경계의 단차부를 형성하는 공정, 상기 제1 전극의 단차부 및 제2 영역을 덮는 절연물을 형성하는 공정, 상기 제1 영역에 접하여 버퍼층을 형성하는 공정, 상기 버퍼층 위에 유기 화합물을 함유하는 층을 형성하는 공정, 및 이 유기 화합물을 함유하는 층 위에 투광성을 가지는 제2 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법이다.

또한, 본 발명의 구성은 3종류(R, G, B)의 발광 소자를 배치한 화소부를 가지는 풀 컬러 발광장치에 한정되지 않고, 예를 들어, 백색 발광의 발광 소자와 컬러 필터를 조합시켜 풀 컬러 발광장치로 하여도 좋다. 또는, 단색 발광하는 발광 소자와 색 변환층을 조합시켜 풀 컬러 발광장치로 하여도 좋다. 또한, 4종류 이상의 발광 소자, 예를 들어, 4종류(R, G, B, W)의 발광 소자를 배치한 화소부를 사용 하여 풀 컬러 발광장치를 제작하여도 좋다.

또한, 본 발명은 기판을 이동시키는 것과 동시에 증착원을 이동시키는 새로운 증착장치도 제안한다. 도 7(A) 및 도 7(B)는 본 발명의 증착장치의 일 예를 나타낸다.

도 7(A)에 도시하는 증착장치는, 증착 재료의 승화 방향을 유지하기 위한 방착(防着) 실드(shield)와 복수의 개구부가 제공된 성막실을 포함한다. 증착 재료는 복수의 개구부를 통해 승화한다. 방착 실드 하방에는, 기판의 이동 방향(반송 방향이라고도 칭함)에 수직인 방향으로 이동할 수 있는 증착원이 제공되어 있다. 또한, 방착 실드의 폭(Wb)은 기판의 폭(Wa)보다 넓게 하여, 증착막의 막 두께가 균일하게 한다.

본 발명에 따른 증착장치는, 성막실 내에서 제1 방향으로 기판을 이동시키는 수단; 가열 온도를 제어할 수 있고, 상기 성막실의 내벽에 고정된 방착 실드; 그 방착 실드 아래의 증착원; 및 상기 방착 실드 아래에서 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 상기 증착원을 이동시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방착 실드는 상기 기판의 폭(Wa)보다 넓은 폭을 가지는 사각형 형상을 가지고, 상기 방착 실드의 상면에 복수의 개구부가 제공되어 있고, 상기 증착원으로부터 증발된 증착 재료가 상기 방착 실드에 제공된 상기 복수의 개구부를 통해 상기 기판에 퇴적된다.

성막실에 연결되는 설치실은 증착원의 도가니에 증착 재료를 보급하기 위해 게이트를 통하여 성막실에 연결될 수 있다. 도 7(A)는 증착원에 2개의 도가니가 제공되는 예를 나타낸다. 그러나, 도가니의 수는 특별히 한정되지 않고, 3개 이상의 도가니가 제공되거나 또는 하나의 도가니가 제공될 수도 있다. 또한, 증착원에 제공된 복수의 도가니는 증발 중심이 수렴하여 공(共)증착을 행하도록 경사질 수도 있다.

또한, 본 발명은 상기 증착장치를 이용하여, 제1 전극과, 이 제1 전극 위의 유기 화합물을 함유하는 층과, 이 유기 화합물을 함유하는 층 위의 제2 전극을 가지는 발광 소자를 복수 가지는 발광장치를 제작하는 방법에 관한 것이다. 이 방법에서는, 성막실 내에서 기판을 이동시킴과 동시에, 기판의 이동 방향에 수직인 방향으로 증착원을 이동시켜, 제1 전극 위에 유기 화합물을 함유하는 층을 형성한다.

도 7(A)에 도시된 증착장치는 멀티체임버 제조장치의 일부로서 설치될 수 있다. 도 7(A)에 도시된 증착장치가 인라인(inline) 제조장치에 연결되는 경우, 이 증착장치는 감압될 수 있는 반송실에 연결된다. 하나의 성막실에 대하여 하나의 방착 실드와 하나의 증착원을 사용하는 경우, 소망의 막 두께를 얻기 위해 기판이 방착 실드의 개구부 상에서 복수 회 이동되는 것이 바람직하다.

도 7(B)에 도시된 바와 같이, 기판의 이동 방향에 수직인 방향으로 2개의 방착 실드를 제공하고, 각각의 방착 실드에 증착원을 제공하여, 동일 증착 재료를 연속적으로 증착하여 성막할 수 있다. 그러한 증착장치의 사용에 의해 성막 속도가 향상될 수 있다. 또한, 증착원을 이동시킴으로써, 증착된 증착 재료의 막 두께의 불균일성을 감소시킬 수 있다. 2개의 방착 실드는 충분한 간격을 두고 서로 평행하게 제공된다. 또한, 도 7(B)에 도시된 증착장치에서는, 방착 실드 상에서 기판을 왕복 이동시킴 없이 소망의 막 두께를 얻을 수 있다. 따라서, 기판이 한 방향으로 이동될 수 있고, 증착장치는 복수의 체임버가 배치되고 직렬로 연결되어 있는 인라인 제조장치에 적용되는 것이 바람직하다. 도 7(B)에 도시된 증착장치는 기판을 반송할 수도 있고, 도 7(B)에 도시된 증착장치를 인라인 제조장치에 연결하는 경우, 그 체임버는 감압될 수 있는 2개의 체임버들 사이에 연결된다.

또는, 상이한 증착 재료를 2개의 증착원에 세트하여, 연속적으로 적층을 형성하여도 좋다. 예를 들어, 첫번째 증착원의 2개의 도가니에 제1 유기 화합물과 무기 화합물을 따로따로 세트하고, 첫번째 증착원 위에서 기판을 이동시켜, 기판위에 버퍼층을 증착한다. 이어서, 두번째 증착원의 도가니에 제2 유기 화합물을 세트한 두번째 증착원 위에서 기판을 이동시켜, 버퍼층 위에 발광층을 증착할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 증착장치를 사용하여, 절연 표면을 가진 기판 위에 제1 전극과 이 제1 전극 상의 유기 화합물을 함유하는 층과 이 유기 화합물을 함유하는 층 위에 제2 전극을 가지는 발광 소자를 복수 포함하는 발광장치를 제작하는 방법에 관한 것이다. 이 발광장치 제작방법은, 박막트랜지스터의 반도체층을 형성하는 공정, 상기 박막트랜지스터의 반도체층을 덮는 절연막을 형성하는 공정, 그 절연막 위에 상기 박막트랜지스터의 반도체층과 접하는 금속층의 적층으로 된 전극을 형성하는 공정, 그 전극의 적층의 일부를 제거하여, 제1 영역과, 이 제1 영역보다 층수가 많은 제2 영역과, 제1 영역과 제2 영역 사이의 경계에 단차부를 형성하는 공정, 상기 제1 전극의 단차부 및 제2 영역을 덮는 절연물을 형성하는 공정, 성막실 내에서 기판을 이동시킴과 동시에 기판의 이동 방향에 수직인 방향으로 제1 증착원을 이동시켜 상기 제1 영역에 접하여 버퍼층을 형성하는 공정, 상기 성막실 내에서 기판을 이동시킴과 동시에 그 기판의 이동 방향에 수직인 방향으로 제2 증착원을 이동시켜 상기 버퍼층 위에 유기 화합물을 함유하는 층을 형성하는 공정, 및 이 유기 화합물을 함유하는 층 위에, 투광성을 가지는 제2 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제작공정에 의해, 하나의 성막실에서 버퍼층과 유기 화합물을 함유하는 층을 연속적으로 성막함으로써 제작공정의 수를 단축할 수 있다.

또한, 본 명세서에서의 발광장치란, 화상 표시장치, 발광 디바이스, 및 광원(조명 장치를 포함)을 가리킨다. 또한, 발광장치는, FPC(Flexible Printed Circuit), TAB(Tape Automated Bonding) 테이프, 또는 TCP(Tape Carrier Package)와 같은 커넥터에 발광장치가 접속된 모듈, TAB 테이프나 TCP의 끝에 프린트 배선판이 제공된 모듈, 및 COG(Chip On Glass) 기술을 사용하여 발광 소자에 IC(집적회로)가 직접 실장된 모듈 모두를 포함하는 것으로 한다.

또한, 전계발광(electroluminescence : EL) 소자는 양극과, 음극, 및 전계를 가함으로써 발광(luminescence)(전계발광)을 발생하는 유기 화합물을 함유하는 층(이하, EL 층이라 함)을 포함한다. 유기 화합물에서의 발광에는, 일중항 여기 상태로부터 기저 상태로 복귀할 때의 발광(형광)과, 삼중항 여기 상태로부터 기저 상태로 복귀할 때의 발광(인광)이 있는데, 본 발명의 제조장치 및 성막 방법에 의해 제조되는 발광장치는 어떤 발광을 이용한 경우에도 적용할 수 있다.

EL 층을 가지는 발광 소자(EL 소자)는 한 쌍의 전극 사이에 EL 층이 끼워진 구조로 되어 있는데, EL 층은, 대표적으로, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층이 그 순서로 적층되어 있는 적층 구조로 되어 있다. 이 구조는 발광 효율이 매우 높고, 현재 연구 개발이 진행되고 있는 발광장치는 거의 이 구조를 채용하고 있다.

또한, 그 외에도, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층이 그 순서로 적층되어 있는 구조, 또는 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 그 순서로 적층되어 있는 구조도 사용될 수 있다. 발광층에는 형광성 색소 등이 도핑되어도 좋다. 또한, 이들 층 모두는 저분자계 재료만으로 형성되어도 좋고, 고분자계 재료만으로 형성되어도 좋다. 또한, 본 명세서에서, "EL 층"은 음극과 양극 사이에 끼어져 배치된 모든 층을 총칭한다.

또한, 본 발명의 발광장치에서, 화면 표시의 구동방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 점 순차 구동방법이나 선 순차 구동방법, 면 순차 구동방법 등이 이용될 수 있다. 대표적으로는, 선 순차 구동방법이 이용되고, 시분할 계조 구동방법이나 면적 계조 구동방법이 적절히 이용될 수 있다. 또한, 발광장치의 소스선에 입력되는 영상 신호는 아날로그 신호이어도 좋고, 디지털 신호이어도 좋으며, 구동회로 및 다른 회로는 영상 신호의 타입에 맞추어 적절히 설계될 수 있다.

본 발명에 따라, 액티브 매트릭스형의 발광장치를 종래에 비하여 단시간 내에 저비용으로 수율 좋게 제작할 수 있다.

본 발명에 의하면, 3종류 이상의 복수의 발광 소자를 가지는 풀 컬러 발광장치로 한 경우, 각 발광 소자로부터의 발광색이 깨끗하게 표시된 우수한 영상을 표시할 수 있고, 저소비전력화된 발광장치를 실현할 수 있다.

아래에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 많은 다른 양태로 실시할 수 있고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그의 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명이 본 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 아래에 나타내는 도면에서, 동일 부분 또는 같은 기능을 하는 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그의 반복 설명은 생략한다.
제 1', '제 2' 등 서수사를 사용한 용어는 구성 요소를 식별하기 위해서 편의상 부기한 것이며, 수를 한정하는 것은 아니며, 발명을 특정하기 위한 사항으로서 고유의 명칭을 나타내는 것은 아니다.

[실시형태 1]

도 1은 액티브 매트릭스형 발광장치의 단면도(1화소의 일부)를 나타낸다.

도 1에서, 절연 표면을 가진 기판(10) 위에 제공된 TFT(p채널형 TFT)는 청색, 적색, 또는 녹색을 발광하는 제2 EL 층(20b)으로 흐르는 전류를 제어한다. 부호 13, 14는 소스 영역 또는 드레인 영역을 나타낸다. 기판(10)으로서는, 유리 기판이나, 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 또는, 절연막을 표면에 가지는 반도체 기판이나 금속 기판이 사용될 수도 있다. 기판(10) 위에는 하지(下地) 절연막(11)(여기서는, 하층이 질화 절연막이고, 상층이 산화 절연막이다)이 형성되어 있다. 게이트 전극(15)과 반도체층 사이에는 게이트 절연막(12)이 제공되어 있다. 또한, 부호 16은 산화규소막, 질화규소막, 질화산화규소막, 질화알루미늄, 및/또는 질화산화알루미늄과 같은 무기 재료의 단층 또는 적층으로 형성된 층간절연막을 나타낸다. 또한, 여기서는 도시하지 않았지만, 하나의 화소에는, 그 외에도 적어도 하나 이상의 TFT(n채널형 TFT 또는 p채널형 TFT)가 제공되어 있다. 또한, 여기서 설명된 TFT는 하나의 채널 형성 영역을 가지지만, 채널 형성 영역의 수는 이것에 한정되지 않고, 복수의 채널이 제공될 수도 있다.

또한, 부호 18a～18d는 발광 소자의 양극(또는 음극)으로서 부분적으로 기능하는 제1 전극이다. 제1 전극은, 2층으로 된 제1 영역과, 4층으로 된 제2 영역과, 제1 영역과 제2 영역 사이의 경계의 단차(段差)를 가지는 구조로 되어 있다.

여기서, 부호 18a는 티탄막이고, 부호 18b는 질화티탄막이고, 부호 18c는 알루미늄을 주성분으로 하는 막이고, 부호 18d는 질화티탄막이다. 이들 막은 차례로 적층되어 있고, 버퍼층(20a)에 접하는 질화티탄막(부호 18b로 나타낸, 제1 전극의 층)이 양극으로서 사용된다. 질화티탄막은 버퍼층(20a)과의 양호한 접촉 저항이 얻어질 수 있기 때문에 바람직하다.

또한, 부호 17a～17d로 나타낸 전원 공급선이 유사한 적층 구조(합계 4층)를 가지도록 형성되어 있다. 이 적층 구조(합계 4층)는 알루미늄을 주성분으로 하는 막을 포함하고 있어, 저저항의 배선으로 할 수 있고, 소스 배선 등도 동시에 형성될 수 있다.

예를 들어, 제1 전극(18a)이 두께 60 nm의 Ti 막이고,, 제1 전극(18b)이 두께 100 nm의 TiN 막이고, 제1 전극(18c)이 두께 350 nm의 Al-Ti 막이고, 제1 전극(18d)이 두께 100 nm의 Ti 믹인 경우, 레지스트 마스크를 형성하여 에칭한다. ICP 에칭 장치를 사용하여, 반응 가스로서 60 sccm의 BCl₃와, 20 sccm의 Cl₂를 사용하고, 1.9 Pa의 압력에서 코일형 전극에 450 W의 RF(13.56 MHz) 전력을 투입하고, 기판측(시료 스테이지)에도 100 W의 RF(13.56 MHz) 전력을 투입하여 에칭을 행하고, Al-Ti(제1 전극(18c))가 에칭된 시점에서 15초 더 오버에칭하여 TiN(제1 전극(18b))을 노출시킨다.

에칭에 의해 단차를 가지는 제1 전극을 형성한 후, 단차를 덮는 절연물(19)을 형성한다. 이 절연물(19)은 인접하는 화소와의 경계에 배치되어, 제1 전극의 가장자리를 둘러싼다. 이 절연물(19)의 두께는 이후의 증착 공정에서 접촉하는 증착 마스크와 제1 전극과의 간격을 확보하는데 중요하고, 두껍게 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는, 절연물(19)의 하방에 4층 구조의 배선이 제공될 수 있기 때문에, 절연물(19)의 최상면과 제1 전극과의 간격을 충분히 확보할 수 있다.

또한, 부호 21은 유기 발광 소자의 음극(또는 양극)으로서 기능하는, 투광성을 가지는 도전막으로 형성된 제2 전극을 나타낸다. 투광성을 가지는 도전막(투광성 도전막이라고도 부름)으로서는, ITO(산화인듐-산화주석 합금), 산화인듐-산화아연 합금(In₂O₃-ZnO), ZnO(산화아연), 산화규소를 함유하는 인듐 주석 산화물(ITSO), 산화주석(SnO₂) 등이 사용될 수 있다. 또한, 제2 전극(21)은 가시광에 대하여 투명하다면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 얇은 금속층(대표적으로는 MgAg, MgIn, AlLi 등의 합금이나, Ag나 Al)과 투광성 도전막과의 적층이 사용될 수도 있다.

본 명세서에서, 가시광에 대하여 투명이란 가시광 투과율이 80～100%인 것을 의미한다.

또한, 제1 전극과 제2 전극 사이에는, EL 층을 함유하는 적층, 즉, 유기 화합물을 함유하는 적층(제1 EL 층(버퍼층)(20a)과 제2 EL 층(20b)의 적층)이 제공되어 있다. 버퍼층(20a)은 금속 산화물(산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화레늄 등)과 유기 화합물(정공 수송성을 가지는 재료(예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(약칭: α-NPD), 또는 4,4'-비스[N-{4-{N,N-비스(3-메틸페닐)아미노}페닐]-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DNTPD) 등)을 함유하는 복합층이다. 또한, 제2 EL 층(20b)은, 예를 들어, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Alq₃), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Almq₃), 또는 α-NPD 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또는, 제2 EL 층(20b)은 N,N'-디메틸 퀴나크리돈(약칭: DMQd), 쿠마린 6 또는 루브렌과 같은 도펀트 재료를 함유하도록 형성될 수도 있다. 제1 전극과 제2 전극 사이에 제공되는 유기 화합물을 함유하는 적층은 저항 가열법 등의 증착법에 의해 형성될 수 있다.

버퍼층(20a)의 막 두께를 조절함으로써, 제1 전극과 제 2 EL 층(20b)과의 거리를 제어하여, 발광 효율을 높일 수 있다. 버퍼층의 막 두께를 조절함으로써, 각 발광 소자로부터의 발광색이 깨끗하게 표시된 우수한 영상을 표시할 수 있고, 저소비전력화된 발광장치를 실현할 수 있다.

또한, 제2 전극(21)의 저저항화를 도모하기 위해, 제2 전극(21) 위에 보조 전극이 제공될 수도 있다.

또한, 도시하지 않았지만, 발광장치의 신뢰성을 높이기 위해 제2 전극(21) 위에 보호막을 형성하는 것이 바람직하다. 이 보호막은 스퍼터링법(DC 방식이나 RF 방식)에 의해 얻어지는 질화규소 또는 질화산화규소를 주성분으로 하는 절연막, 또는 탄소를 주성분으로 하는 박막이다.

또한, 여기서는 탑 게이트형 TFT를 예로 하여 설명하였지만, TFT 구조에 관계없이 본 발명을 적용할 수 있고, 예를 들어, 보텀 게이트형(역스태거형) TFT 또는 순스태거형 TFT에 적용할 수 있다. 또한, 싱글 게이트 구조의 TFT에 한정되지 않고, 복수의 채널 형성 영역을 가지는 멀티게이트형 TFT, 예를 들어, 이중 게이트형 TFT로 하여도 좋다.

또한, 본 명세서에서, TFT의 활성층으로 작용하는 반도체층으로서는, 규소를 주성분으로 하는 반도체막, 유기 재료를 주성분으로 하는 반도체막, 또는 금속 산화물을 주성분으로 하는 반도체막이 사용될 수 있다. 규소를 주성분으로 하는 반도체막으로서는, 비정질 반도체막, 결정 구조를 가지는 반도체막, 비정질 구조를 가지는 화합물 반도체막 등이 사용될 수 있다. 구체적으로는, 비정질 규소, 미(微)결정 규소, 다결정 규소 등이 사용될 수 있다. 또한, 유기 재료를 주성분으로 하는 반도체막으로서는, 다른 원소와 조합되는 일정량의 탄소 또는 탄소의 동소체(다이아몬드를 제외)로 된 물질을 주성분으로 하는 반도체막이 사용될 수 있다. 구체적으로는, 펜타센, 테트라센, 티오펜 올리고머 유도체, 페닐렌 유도체, 프탈로시아닌 화합물, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리티오펜 유도체, 시아닌 색소 등이 사용 될 수 있다. 또한, 금속 산화물을 주성분으로 하는 반도체막으로서는, 산화아연(ZnO)이나 아연과 갈륨과 인듐의 산화물(In-Ga-Zn-O) 등이 사용될 수 있다.

또한, 발광장치의 화소 구성의 일 예를 도 2(A)에 나타낸다. 또한, 도 2(A)의 쇄선 A-A'를 따라 절단한 단면도를 도 2(B)에 나타낸다. 이 도면을 참조하여 발광장치 제작공정의 일 예를 설명한다.

먼저, 절연 표면을 가진 기판(30) 위에 하지 절연막(31)을 형성한다.

하지 절연막(31)의 제1 층으로서, SiH₄, NH₃, 및 N₂O의 반응 가스를 사용한 플라즈마 CVD법에 의해 산화질화규소막을 10～200 nm(바람직하게는 50～100 nm)의 두께로 형성한다. 여기서는, 막 두께 50 nm의 산화질화규소막(조성비: Si = 32%, O = 27%, N = 24%, H = 17%)을 형성한다. 이어서, 그 위에, 하지 절연막의 제2 층으로서, SiH₄ 및 N₂O의 반응 가스를 사용한 플라즈마 CVD법에 의해 산화질화규소막을 50～200 nm(바람직하게는 100～150 nm)의 두께로 형성한다. 여기서는, 막 두께 100 nm의 산화질화규소막(조성비: Si = 32%, O = 59%, N = 7%, H = 2%)을 형성한다. 본 실시형태에서의 하지 절연막(31)은 2층 구조를 가지지만, 상기 절연막의 단층막 또는 3층 이상 적층시킨 구조를 사용하여도 좋다.

그 다음, 하지 절연막 위에 반도체층을 형성한다. TFT의 활성층이 되는 반도체층은 다음과 같이 형성된다. 즉, 비정질 반도체막을 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 또는 플라즈마 CVD법 등)에 의해 성막한 후, 그 막을 공지의 결정화 방법(레이저 결정화법, 열 결정화법, 또는 니켈 등의 촉매를 이용한 열 결정화법 등) 에 의해 결정화하고, 얻어진 결정질 반도체막을 소망의 형상으로 패터닝한다. 이 반도체층의 두께는 25～80 nm(바람직하게는 30～60 nm)이다. 결정질 반도체막의 재료에 한정은 없지만, 바람직하게는 규소 또는 규소 게르마늄 합금 등으로 형성하면 좋다.

또한, 레이저 결정화법으로 결정질 반도체막을 형성하는 경우에는, 펄스 발진형 또는 연속 발진형의 엑시머 레이저나 YAG 레이저, YVO₄ 레이저를 이용할 수 있다. 이들 레이저를 이용하는 경우, 레이저 발진기로부터 방사된 레이저광을 광학계에 의해 선 형상으로 집광하여 반도체막에 조사하는 방법을 이용하면 좋다. 결정화의 조건은 실시자가 적절히 선택하는 것이지만, 엑시머 레이저를 이용하는 경우에는 펄스 발진 주파수를 30 Hz로 하고, 레이저 에너지 밀도를 100～400 mJ/㎠(대표적으로는 200～300 mJ/㎠)로 한다. 한편, YAG 레이저를 이용하는 경우에는, 그의 제2 고조파를 이용하고, 펄스 발진 주파수를 1～10 kHz로 하고, 레이저 에너지 밀도를 300～600 mJ/㎠(대표적으로는 350～500 mJ/㎠)로 하면 좋다. 그리고, 폭 100～1000 ㎛, 예를 들어, 400 ㎛의 선 형상으로 집광한 레이저광을 기판 전면(全面)에 조사하고, 이때의 선 형상 레이저광의 중첩 비율(오버랩율)을 80～98%로 하여 행하면 좋다.

또한, 레이저광을 비선형 광학 소자에 통과시키지 않고 기본파인 채로 하고, 고강도이며 반복 주파수가 높은 펄스 레이저광을 비정질 반도체막에 조사하여 레이저 어닐을 행하여 결정질 반도체막을 형성할 수도 있다. 또한, 고강도란 단위 시 간당 단위 면적당 높은 피크 출력을 가지는 것을 의미하고, 레이저광의 피크 출력은 1 GW/㎠～1 TW/㎠의 범위이다. 파장이 1 ㎛ 정도인 기본파는 반도체 박막에 조사하여도 반도체 박막에 의해 그다지 흡수되지 않는다. 따라서, 기본파는 흡수 효율이 낮지만, 피코초(picosecond) 범위 또는 펨토초(femtosecond)(10^-15초) 범위의 펄스폭을 가지는 펄스 레이저로부터 출사되는 기본파는 고강도 레이저광을 제공할 수 있다. 그리하여, 비선형 광학 효과(다광자 흡수)가 발생하고, 기본파가 반도체 박막에 의해 흡수될 수 있다. 비선형 광학 소자를 이용하지 않고, 또한, 광을 고조파로 변환하지 않기 때문에, 15 W보다 큰 출력, 예를 들어, 40 W의 출력을 가지는 레이저 발진기를 레이저 어닐법에 사용할 수 있다. 따라서, 한번의 주사로 형성되는 대립경 결정을 가지는 영역의 폭을 확대할 수 있기 때문에, 생산성을 현격하게 향상시킬 수 있다.

이어서, 반도체층의 표면을 불산을 함유하는 에천트로 세정하고, 반도체층을 덮는 게이트 절연막(33)을 형성한다. 게이트 절연막(33)은 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법에 의해 규소를 함유하는 절연막을 40～150 nm의 두께로 성막함으로써 형성된다. 본 실시예에서는, 플라즈마 CVD법에 의해 115 nm의 두께로 산화질화규소막(조성비: Si = 32%, O = 59%, N = 9%, N = 7%, H = 2%)을 형성한다. 물론, 게이트 절연막은 산화질화규소막에 한정되는 것은 아니고, 규소를 함유하는 다른 절연막을 단층 또는 적층 구조로 하여 사용하여도 좋다.

이어서, 게이트 절연막(33)의 표면을 세정한 후, 게이트 전극을 형성한다.

이어서, 반도체에 p형을 부여하는 불순물 원소(붕소(B) 등), 여기서는 적정 양의 붕소를 첨가하여, 소스 영역 및 드레인 영역(32)을 형성한다. 불순물 원소의 첨가 후, 불순물 원소를 활성화하기 위해 가열처리, 강광의 조사, 또는 레이저광의 조사를 행한다. 또한, 활성화와 동시에, 게이트 절연막에의 플라즈마 손상이나 게이트 절연막과 반도체층과의 계면에의 플라즈마 손상을 회복시킬 수 있다. 특히, 실온 내지 300℃의 분위기에서, 표면 또는 뒷면으로부터 YAG 레이저의 제2 고조파를 조사하여 불순물 원소를 활성화시키는 것이 매우 유효하다. YAG 레이저는 메인터넌스가 적게 요구되기 때문에 바람직한 활성화 수단이다.

이후의 공정은 다음과 같이 행해진다. 즉, 유기 재료 또는 무기 재료(도포된 산화규소막, PSG(인 첨가 유리), BPSG(붕소와 인을 첨가한 유리) 등을 포함)로 된 층간절연막(35)을 형성하고, 수소화를 행한 후, 소스 영역 및 드레인 영역에 도달하는 콘택트 홀을 형성한 다음, 소스 전극(배선(34)) 및 제1 전극(드레인 전극)(36a～36d)을 형성하여, TFT(p채널형 TFT)를 완성시킨다.

또한, 본 실시형태에서는 p채널형 TFT를 이용하여 설명하였지만, p형 불순물 원소 대신에 n형 불순물 원소(P, As 등)을 사용함으로써 n채널형 TFT를 형성할 수도 있다는 것은 말할 것도 없다.

또한, 제1 전극(층(36a～36d)) 및 배선(34)은 Ti, TiN, TiSi_xN_y, Al, Ag, Ni, W, WSi_x, WN_x, WSi_xN_y, Ta, TaN_x, TaSi_xN_y, NbN, MoN, Cr, Pt, Zn, Sn, In 또는 Mo으로부터 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합 물 재료를 주성분으로 하는 막 또는 그들의 적층막에 의해 100 nm～800 nm 범위의 총 막 두께로 형성된다.

특히, 드레인 영역(32)에 접하는 제1 층(36a)은 규소와의 오믹 접촉(ohmic contact)을 형성할 수 있는 Ti에 의해 10～100 nm의 막 두께로 형성하면 좋다. 또한, 제1 전극의 제2 층(36b)은 박막으로 한 경우에 일 함수가 큰 재료(TiN, TaN, MoN, Pt, Cr, W, Ni, Zn, Sn)에 의해 10～100 nm의 막 두께로 형성하면 좋다. 또한, 제1 전극(36c)은 광을 반사하는 금속 재료, 대표적으로는 Al 또는 Ag를 주성분으로 하는 금속 재료에 의해 100～600 nm의 막 두께로 형성하면 좋다. 또한, 제2 층(36b)은 제3 층(36c)과 제1 층(36a)의 합금화를 방지하는 블로킹층으로서도 기능한다. 또한, 제4 층(36d)을 형성하는 재료로서는, 제3 층(36c)의 산화 방지, 부식 방지, 또는 힐록 등의 발생을 방지하는 재료, 대표적으로는 금속 질화물(TiN, WN 등)이 바람직하고, 막 두께는 20～100 nm의 범위로 하면 좋다.

다음에, 레지스트 마스크를 형성하고, 제1 전극을 에칭하여, 도 2(B)에 도시된 구조로 한다. 또한, 도 2(A)는 제1 영역과 제2 영역의 경계, 즉, 제3 층(36c)의 윤곽을 나타낸다.

이어서, 레지스트 마스크를 제거한 후, 제1 전극의 단차를 덮는 절연물(37)을 형성한다. 이 절연물(37)의 윤곽이 도 2(A)에 도시되어 있다.

다음에, 유기 화합물을 함유하는 층(38a, 38b)의 적층을 증착법에 의해 형성한 다음, 제2 전극(39)을 형성한다.

이렇게 하여 얻어진 발광 소자는 도 2(B)에서 화살표로 나타낸 방향으로 광 을 방사힌다.

이상의 공정으로 제2 전극(도전막(39))까지를 형성한 후, 기판(30) 위에 형성된 발광 소자를 봉지(封止)하기 위해, 밀봉재 또는 시트 형상의 접착재에 의해 상기 기판에 봉지 기판(투명 기판)을 부착한다. 또한, 봉지 기판과 발광 소자와의 간격을 확보하기 위해, 수지막으로 된 스페이서를 제공하여도 좋다. 그리고, 밀봉재에 의해 둘러싸인 공간에는 질소 등의 불활성 기체가 충전된다. 또한, 밀봉재로서는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 밀봉재는 가능한 한 수분이나 산소를 투과하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 밀봉재에 의해 둘러싸인 공간 내에, 산소나 수분을 흡수하는 효과를 가지는 물질(건조제 등)을 배치하여도 좋다.

이상과 같이 하여 발광 소자를 공간 내에 봉입함으로써, 발광 소자를 외부로부터 완전히 차단할 수 있고, 외부로부터 수분이나 산소와 같은, 유기 화합물 층의 열화를 촉진하는 물질이 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 신뢰성이 높은 발광장치를 얻을 수 있다.

[실시형태 2]

본 실시형태에서는, 실시형태 1과 다른 구조의 예를 도 3에 나타낸다. 도 3은, 제1 전극이 TFT의 반도체층에 직접 접하여 있지 않고, 다른 전극을 통하여 TFT의 반도체층에 전기적으로 접속되어 있는 구조를 나타낸다. 또한, 제1 전극은 단일 금속층으로 된 제1 영역과, 3층으로 된 제2 영역과, 제1 영역과 제2 영역 사이에 단차를 가지는 구조로 되어 있다. 또한, 개구율을 향상시키기 위해, 콘택트 홀 주변에만 제1 영역이 제공되고, 그 이외의 영역에는 제2 영역이 제공되어 있다.

본 실시형태에서는, 동일 기판 위에 화소부와 구동회로를 형성한 예를 설명한다.

먼저, 실시형태 1과 마찬가지로, 절연 표면을 가진 기판(310) 위에, 하지 절연막(311), 결정질 반도체막으로 된 반도체층, 게이트 절연막(312)을 형성한다.

그 다음, 화소부의 TFT의 게이트 전극이 되는 전극(315)과, 구동회로의 TFT의 게이트 전극이 되는 전극(338, 337)을 형성한다. 이어서, LDD 영역을 형성하기 위해, 레지스트 마스크를 이용하여, 반도체에 p형을 부여하는 불순물 원소(B 등), 여기서는, 붕소를 선택적으로 첨가하여, p형의 고농도 불순물 영역(313, 314, 331, 332)을 형성한다. 이어서, 레지스트 마스크를 제거한 후, 새로운 레지스트 마스크를 형성하여, 반도체에 n형을 부여하는 불순물 원소(P, As 등), 여기에는, 인을 선택적으로 첨가하여 저농도 불순물 영역을 형성한다. 그리고, 레지스트 마스크를 제거한 후, 새로운 레지스트 마스크를 형성하여, 반도체층에 인을 선택적으로 첨가하여 고농도 불순물 영역(333, 334)을 형성한다. 또한, 인이 1회밖에 첨가되지 않은 저농도 불순물 영역이 LDD 영역(335, 336)으로 된다.

또한, 상기 도핑 순서는 특별히 한정되는 것이 아니다.

이어서, 레지스트 마스크를 제거한 후, 불순물 원소를 활성화하기 위해 가열처리, 강광의 조사, 또는 레이저광의 조사를 행한다.

그 다음, 유기 재료 또는 무기 재료로 된 제1 층간절연막(316)을 형성하고, 수소화를 행한다. 이어서, 고농도 불순물 영역에 도달하는 콘택트 홀을 제1 층간절연막(316) 및 게이트 절연막에 형성한다. 이어서, 소스 전극 및 드레인 전극이 되는 전극(317, 318, 341～344)을 형성하여, 복수 종류의 TFT(p채널형 TFT 및 n채널형 TFT)를 완성시킨다.

화소부에는 전극(315)을 게이트 전극으로 하는 p채널형 TFT가 형성되고, 구동회로부에는 전극(338)을 게이트 전극으로 하는 n채널형 TFT와, 전극(337)을 게이트 전극으로 하는 p채널형 TFT가 형성된다. 또한, 구동회로부의 n채널형 TFT는 채널 형성 영역(340)을 가지고, 구동회로부의 p채널형 TFT는 채널 형성 영역(339)을 가지고 있다.

그 다음, 유기 재료 또는 무기 재료로 된 제2 층간절연막(309)을 형성한다. 이어서, 전극(318, 342, 343)에 도달하는 콘택트 홀을 제2 층간절연막(309)에 형성한다.

이어서 제2 층간절연막(309) 위에 3층으로 된 금속막을 형성한다. 이 3층 금속막은, Ti, TiN, TiSi_xN_y, Al, Ag, Ni, W, WSi_x, WN_x, WSi_xN_y, Ta, TaN_x, TaSi_xN_y, NbN, MoN, Cr, Pt, Zn, Sn, In, 또는 Mo에서 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료를 주성분으로 하는 막을 총 막 두께 100 nm～800 nm의 범위로 적층한 막일 수 있다.

여기서는, Ti막과, Al막과, Ti막을 그 순서로 적층한 3층으로 하였다.

그 다음, 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭을 행하여, 접속 전극(345a～345c) 및 제1 전극을 형성한다. 접속 전극과 동시에 동일 적층 구조의 인출 배선 도 형성할 수 있기 때문에, 구동회로부의 점유 면적이 축소될 수 있다.

이어서, 레지스트 마스크를 제거한 후, 새로운 레지스트 마스크를 형성하여 제1 전극을 선택적으로 에칭한다. 그리하여, 제1 전극은, 제1 층(308a)만으로 형성된 제1 영역과, 제1 층(308a), 제2 층(308b), 제3 층(308c)의 합계 3층으로 형성된 제2 영역과, 제1 영역과 제2 영역 사이의 단차를 가지는 구조를 가진다.

이어서, 레지스트 마스크를 제거한 후, 제1 전극의 단차를 덮는 절연물(319)을 형성한다.

그 다음, 유기 화합물을 함유하는 층(320a, 320b)을 가지는 적층을 증착법에 의해 형성한다. 층(320a)은 버퍼층으로서, 금속 산화물(산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화레늄 등)과 유기 화합물(정공 수송성을 가지는 재료(예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(약칭: α-NPD), 또는 4,4'-비스[N-{4-{N,N-비스(3-메틸페닐)아미노}페닐]-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DNTPD) 등)을 함유하는 복합층이다. 또한, 층(320b)은 발광층을 포함하는 단층 또는 적층이다. 버퍼층(320a)의 막 두께를 조절함으로써, 제1 전극과 제2 발광층과의 거리를 제어하여, 발광 효율을 높일 수 있다.

그 다음, 제2 전극(321)을 형성한다. 제2 전극(321)의 재료로서는, Ag나 Al, 또는 MgAg, MgIn, AlLi 등의 합금, 또는 주기표의 1족 또는 2족에 속하는 원소와 알루미늄을 공증착법에 의해 형성한 투광성을 가지는 막이 사용될 수 있다. 여기서는, 제2 전극을 통과하여 발광하는 상면 출사형 발광장치가 제작되므로, 제2 전극으로서, 두께 1 nm～20 nm 정도의 얇은 금속층을 사용한다. 제2 전극(321)은 발광을 통과시키기에 충분히 얇으면 된다.

더하여, 제2 전극(321) 위에 투명 도전막을 적층하여도 좋다.

이렇게 하여 얻어진 발광 소자(EL 소자라고도 부름)는 도 3에서 화살표로 나타낸 방향으로 광을 방사한다.

이상의 공정으로 제2 전극(321)까지를 형성한 후에, 기판(310) 위에 형성된 발광 소자를 봉지하기 위해 밀봉재 또는 시트 형상의 접착재에 의해 그 기판에 봉지 기판(투명 기판)을 부착한다. 또한, 봉지 기판을 부착시킬 때에는 불활성 가스(희가스 또는 질소)를 포함하는 분위기에서 행하는 것이 바람직하다.

그 다음, 기판의 필요하지 않은 부분을 절제한다. 하나의 기판으로부터 복수의 패널을 얻는 경우(다면취의 경우), 각각의 패널을 분단한다. 또한, 하나의 기판으로부터 하나의 패널을 얻는 경우(1면취의 경우), 미리 절단된 대향 기판을 부착시킴으로써, 분단 공정을 생략할 수도 있다. 이 단계에서, EL 모듈이 완성된다.

또한, EL 모듈의 전체에 대하여 도 4(A) 및 도 4(B)를 참조하여 설명한다. 도 4(A)는 EL 모듈의 상면도이고, 도 4(B)는 그의 일부의 단면도이다.

복수의 TFT가 제공된 기판(TFT 기판이라고도 부름)에는, 표시가 행해지는 화소부(40)와, 그 화소부의 각 화소를 구동시키는 구동회로부(41a, 41b)와, EL층 위에 형성된 제2 전극과 인출 배선을 접속하는 접속부(43)와, 외부 회로와 접속하기 위해 FPC를 부착하는 단자부(42)가 더 제공되어 있다.

또한, EL 소자는 EL 소자를 봉지하기 위한 봉지 기판(48)과, 시트 형상의 접착재(44), 및 밀봉재(49)로 밀폐된다. 또한, 도 4(B)는 도 4(A)의 쇄선 A-A'를 따라 절단한 단면도이다.

화소부(40)에는 수 많은 화소가 규칙적으로 배치되어 있다. 여기서는 도시하지 않았지만, 화소들은 X 방향으로 스트라이프 배열, 예를 들어, R, G, B의 순으로 배치되어 있다. 또한, 발광 소자의 배치는 한정되지 않고, 예를 들어, 델타 배열, 모자이크 배열 등으로 하여도 좋다.

또한, 도 4(B)에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 기판 사이의 간격이 약 2～30 ㎛로 유지되도록 갭 유지재(50)가 제공되고, 또한, 밀봉재(49)에 의해 봉지 기판(48)이 부착되어, 모든 발광 소자가 밀폐되어 있다. 또한, 시트 형상의 접착재(44)만으로 발광 소자를 충분히 봉지할 수 있다면, 특별히 밀봉재(49)는 제공하지 않아도 된다. 또한, 시트 형상의 접착재(44)만으로 한 쌍의 기판 사이의 간격이 충분히 유지될 수 있다면, 특별히 갭 유지재(50)는 제공하지 않아도 된다.

또한, 샌드블래스트(sandblast)법 등에 의해, 봉지 기판(48)의 화소부와 겹치지 않는 개소에 오목부를 형성할 수도 있고, 그 오목부에 건조제를 배치할 수도 있다.

본 실시형태에서는, 접속 전극(345a～345c)과 동시에 유사한 적층 구조를 가지는 인출 배선도 형성할 수 있기 때문에, 구동회로부의 점유 면적이 축소될 수 있고, 화소부 둘레의 주변회로부의 면적이 축소될 수 있다. 또한, 접속 전극(345a～345c)과 동시에 단자부(42)의 단자 전극도 유사한 적층 구조를 가지도록 형성할 수 있다.

또한, 본 실시형태는 실시형태 1과 자유롭게 조합될 수 있다.

[실시형태 3]

여기서는, 풀 컬러 표시장치를 제작하는 몇 가지의 방법을 설명한다. 구체적으로는, 3개의 발광 소자를 사용하는 방법, 백색 발광 소자와 컬러 필터를 조합하여 사용하는 방법, 청색 발광 소자와 색변환층을 조합하여 사용하는 방법, 백색 발광 소자와 색변환층과 컬러 필터를 조합하여 사용하는 방법 등이 사용될 수 있다.

풀 컬러 표시를 행하기 위해 3개의 발광 소자를 사용하는 경우, 적색 발광 소자와, 청색 발광 소자와, 녹색 발광 소자를 규칙적으로 각각 배열한 화소들을 화소부에 배치한다. 예를 들어, R, G, B의 발광색 마다 개구 위치가 다른 3종류의 증착 마스크를 준비하여, 증착법에 의해 R, G, B의 발광층을 나누어 칠하는 것으로 한다.

또한, 발광층의 형성 전에 증착된 버퍼층의 막 두께를 각 발광층 마다 조절함으로써, 각 발광 소자로부터의 발광색이 깨끗하게 표시된 우수한 영상을 표시할 수 있어, 저소비전력화된 발광장치를 실현할 수 있다.

또한, 발광 소자(R, G, B)의 배치에는, 가장 단순한 스트라이프 패턴을 비롯하여, 비스듬한 모자이크 배열, 삼각 모자이크 배열, RGBG 4화소 배열, 또는 RGBW 4화소 배열 등이 사용될 수 있다.

그리고, 컬러 필터를 조합시켜 사용함으로써 색 순도를 높일 수도 있다. 발 광 소자의 발광색과 같은 색의 착색층을 발광 소자에 겹치도록 제공할 수도 있고, 예를 들어, 청색 발광 소자와 겹치는 위치에 청색 착색층을 제공할 수도 있다.

다음에, 백색 발광 소자와 컬러 필터를 조합시켜 사용하는 방법(이하, 컬러 필터법이라고 부름)을 도 5(A)를 참조하여 설명한다.

컬러 필터법은, 백색 발광을 나타내는 유기 화합물 층을 가지는 발광 소자를 형성하고, 얻어진 백색 발광을 컬러 필터에 통과시킴으로써, 적, 녹, 청의 발광을 얻는 방식이다.

백색 발광을 얻기 위해서는 다양한 방법이 있지만, 여기서는, 도포에 의해 형성될 수 있는 고분자 재료를 함유하는 발광층을 사용하는 경우에 대하여 설명한다. 이 경우, 발광층을 형성하는 고분자 재료에의 색소 도핑은 용액 조정으로 행해질 수 있고, 복수의 색소를 도핑하는 공증착을 행하는 증착법에 비하여 극히 용이하게 달성될 수 있다.

구체적으로는, 일 함수가 큰 금속(Pt, Cr, W, Ni, Zn, Sn, In)으로 된 양극의 전면(全面)에, 정공 주입층으로서 작용하는 폴리(에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스틸렌술폰산) 수용액(PEDOT/PSS)을 도포, 소성(燒成)한 후, 발광층으로서 작용하는 발광 중심 색소(1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔(TPB), 4-디시아노메틸렌-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란(DCM1), 나일 레드, 쿠마린 6 등)를 도핑한 폴리비닐 카르바졸(PVK) 용액을 전면에 도포, 소성한 후, 일 함수가 작은 금속(Li, Mg, Cs)을 포함하는 박막과, 그 위에 적층한 투명 도전막(ITO(산화인듐 산화주석 합금 ), 산화인듐 산화아연 합금(In₂O₃-ZnO), 산화아연(ZnO) 등)과의 적층으로 된 음극을 형성한다. 또한, PEDOT/PSS는 용매로서 물을 이용하고 있으며, 유기 용제에는 녹지 않는다. 따라서, PVK를 그 위에 도포하는 경우에도, 재용해할 염려는 없다. 또한, PEDOT/PSS와 PVK에는 상이한 종류의 용매가 사용되기 때문에, 그들에 대하여 상이한 성막실을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 예에서는 유기 화합물 층을 적층으로 한 예를 나타내었지만, 유기 화합물 층을 단층으로 하는 것도 가능하다. 예를 들어, 정공 수송성을 가지는 폴리비닐 카르바졸(PVK)에 전자 수송성을 가지는 PBD를 분산시켜도 좋다. 또한, 30 wt%의 PBD를 전자 수송제로서 분산시키고, 4종류의 색소(TPB, 쿠마린 6, DCM1, 나일 레드)를 적당량 분산시킴으로써 백색 발광을 얻을 수 있다.

또한, 유기 화합물 층을 함유하는 층은 양극과 음극 사이에 형성되고, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 유기 화합물 층을 함유하는 층에서 재결합함으로써, 유기 화합물 층을 함유하는 층에서 백색 발광을 얻을 수 있다.

또한, 적색 발광하는 유기 화합물 층이나 녹색 발광하는 유기 화합물 층이나 청색 발광하는 유기 화합물 층을 적절히 선택하여, 거듭 혼색시킴으로써, 전체로서 백색 발광을 얻을 수도 있다.

이상 설명한 바와 같이 형성되는 유기 화합물 막은 전체로서 백색 발광을 얻을 수 있다.

유기 화합물 층으로부터 백색 발광하는 방향으로, 적색 발광 이외의 광을 흡수하는 착색층(R), 녹색 발광 이외의 광을 흡수하는 착색층(G), 청색 발광 이외의 광을 흡수하는 착색층(B)을 각각 구비한 컬러 필터를 형성함으로써, 발광 소자로부터의 백색 발광을 각각 분리하여, 적색 발광, 녹색 발광, 청색 발광을 얻을 수 있다. 또한, 액티브 매트릭스형 발광장치의 경우에는, 기판과 컬러 필터 사이에 TFT가 형성되는 구조가 사용된다.

또한, 착색층(R, G, B)의 배열에는, 가장 단순한 스트라이프 패턴을 비롯하여, 비스듬한 모자이크 배열, 삼각 모자이크 배열, RGBG 4화소 배열, 또는 RGBW 4화소 배열 등이 사용될 수 있다.

컬러 필터를 구성하는 착색층은 안료를 분산시킨 유기 감광 재료로 된 컬러 레지스트를 사용하여 형성된다. 백색 발광과 컬러 필터를 조합시키면, 풀 컬러로서의 색 재현성이 충분히 확보될 수 있다.

또한, 이 경우에는, 얻어지는 발광색이 다르더라도, 모든 유기 화합물막이 백색 발광을 나타내기 때문에, 발광색마다 유기 화합물막을 나누어 칠하여 형성할 필요가 없다. 또한, 거울면 반사를 방지하는 원편광판도 특별히 필요없다.

다음에, 청색 발광성의 유기 화합물막을 가지는 청색 발광 소자와 형광성 색변환층을 조합시킴으로써 실현되는 CCM(Color Changing Mediums)법에 대하여 도 5(B)를 참조하여 설명한다.

CCM법에 따르면, 청색 발광 소자로부터 출사된 청색 발광에 의해 형광성 색변환층을 여기하고, 각각의 색변환층을 사용하여 색 변환을 행한다. 구체적으로 는, 색변환층을 사용한 청색으로부터 적색으로의 변환(B→R), 색변환층을 사용한 청색으로부터 녹색으로의 변환(B→G), 색변환층을 사용한 청색으로부터 청색으로의 변환(B→B)(또한, 청색으로부터 청색으로의 변환은 행하지 않아도 좋다)을 행하여, 적색, 녹색 및 청색의 발광을 얻는다. CCM법의 경우에도, 액티브 매트릭스형 발광장치의 경우에, 기판과 색변환층 사이에 TFT가 형성된 구조가 사용된다.

이 경우에도, 발광색마다 유기 화합물막을 나누어 칠하여 형성할 필요가 없다. 또한, 거울면 반사를 방지하는 원편광판도 특별히 필요없다.

또한, CCM법을 이용하는 경우에는, 색변환층이 형광성이기 때문에, 외광에 의해 색 변환이 여기되어, 콘트라스트를 저하시키는 문제가 있으므로, 도 5(C)에 도시한 바와 같이 컬러 필터를 장착하는 등으로 하여 콘트라스트를 높이도록 하면 좋다.

또한, 본 실시형태는 실시형태 1 또는 실시형태 2와 조합될 수 있다.

[실시형태 4]

도 6은 멀티체임버 제조장치의 일 예를 나타낸다. 이 제조장치에서는, 유기 화합물을 함유하는 층의 증착 등을 행하는 멀티체임버와, 봉지 처리를 행하는 체임버가 하나의 유닛으로서 제공되어 있다. 하나의 유닛으로 함으로써, 수분 등의 불순물의 혼입을 방지하거나 스루풋(throughput)의 향상을 도모할 수 있다.

도 6에 도시된 제조장치는 반송실(102, 104a, 108, 114, 118), 인도실(101, 105, 107, 111), 제1 성막실(106E), 제2 성막실(106B), 제3 성막실(106G), 제4 성막실(106R), 제5 성막실(106F), 그 외의 성막실(109, 110, 112, 113, 132), 소성 실(123), 마스크 스톡(stock)실(124), 기판 스톡실(130a, 130b), 기판 반입실(120), 다단계 진공 가열실(103)을 포함한다. 또한, 반송실(104a)에는, 기판을 반송하기 위한 반송 기구가 제공되어 있고, 다른 반송실에도 마찬가지로 각각 반송 기구가 제공되어 있다.

추가로, 도 6에 도시된 제조장치는 반출실(119), 인도실(141), 경화 처리실(143), 부착실(144), 시일(seal) 형성실(145), 전(前)처리실(146), 봉지 기판 반입실(117)을 포함한다. 또한, 체임버들 사이에는 게이트가 제공되어 있다.

이하, 양극(제1 전극)과, 이 양극의 단부를 덮는 절연물(격벽)이 미리 제공된 기판을 도 6에 도시된 제조장치에 반입하여 발광장치를 제작하는 수순을 설명한다.

미리 기판 위에는 양극에 접속되어 있는 박막트랜지스터(전류 제어용 TFT) 및 그 외의 박막트랜지스터(스위칭용 TFT 등)가 복수 제공되어 있다.

먼저, 기판 반입실(120)에 상기 기판(600 mm×720 mm)을 세트한다. 기판 사이즈 320 mm×400 mm, 370 mm×470 mm, 550 mm×650 mm, 600 mm×720 mm, 680 mm×880 mm, 1000 mm×1200 mm, 1100 mm×1250 mm, 1150 mm×1300 mm의 대면적 기판도 사용될 수 있다.

기판 반입실(120)에 세트한 기판(양극과, 이 양극의 단부를 덮는 절연물이 제공된 기판)은, 대기압이 유지되고 있는 반송실(118)로 반송된다. 또한, 반송실(118)에는, 기판을 반송 및 반전시키기 위한 반송 기구(반송 로봇 등)가 제공되어 있다.

또한, 반송실(108, 114, 102) 각각에는 반송 기구와 진공 배기 수단이 제공되어 있다. 반송실(118)에 제공된 로봇은 기판의 표리를 반전시킬 수 있고, 반전된 상태로 기판을 인도실(101)에 반입할 수 있다. 인도실(101)은 진공 배기 처리실에 연결되어 있고, 진공 배기하여 진공으로 될 수도 있고, 진공 배기한 후 불활성 가스를 도입하여 대기압으로 될 수도 있다.

또한, 진공 배기 처리실에는, 자기 부상형의 터보 분자 펌프, 크라이오 펌프, 또는 드라이 펌프가 구비되어 있다. 이것에 의해, 각 체임버에 연결된 반송실이 10^-5～10^-6 Pa로 배기될 수 있고, 또한 펌프측 및 배기계로부터의 불순물의 역확산을 제어할 수 있다.

이어서, 반송실(118)로부터 인도실(101)로 기판을 반송하고, 대기에의 노출 없이 인도실(101)로부터 반송실(102)로 기판을 반송한다.

또한, 수축을 없애기 위해, 유기 화합물을 함유하는 막의 증착 전에 진공 가열을 행하는 것이 바람직하다. 기판을 반송실(102)로부터 다단계 진공 가열실(103a)로 반송하고, 기판에 함유된 수분이나 그 외의 가스를 철저히 제거하기 위해, 탈기(脫氣)를 위한 어닐을 진공(5×10^-3 Torr(0.665 Pa) 이하, 바람직하게는, 10^-4～10^-6 Pa)에서 행한다. 다단계 진공 가열실(103a)에서는, 평판 히터(대표적으로는 시스(sheath) 히터)를 사용하여 복수의 기판을 균일하게 가열한다. 이 평판 히터는 복수 설치되고, 평판 히터로 기판을 끼운 채 양면으로부터 기판을 가열할 수도 있다. 물론, 한쪽면으로부터 기판을 가열할 수도 있다. 특히, 층간절연막이나 격벽의 재료로서 유기 수지막을 사용한 경우, 유기 수지 재료에 따라서는 유기 수지막이 수분을 흡착하기 쉽고, 또한 탈기가 발생할 우려가 있기 때문에, 유기 화합물을 함유하는 층을 형성하기 전에, 100℃～250℃, 바람직하게는 150℃～200℃로, 예를 들어, 30분 이상 기판을 가열한 후, 30분의 자연 냉각을 행하여, 흡착된 수분 등을 제거하는 진공 가열을 행하는 것은 유효하다.

또한, 필요하다면, 성막실(112)에서 잉크 제트법이나 스핀 코팅법이나 스프레이법 등에 의해 고분자 재료를 함유하는 정공 주입층을 형성하여도 좋다. 도포법에 의해 정공 주입층을 형성한 후, 증착법에 의한 성막 직전에 소성실(123)에서 대기압 가열 또는 진공 가열(100～200℃)을 행하는 것이 바람직하다.

또한, 스핀 코팅법에 의해 PEDOT/PSS 막을 성막한 경우, 전면(全面)에 성막되기 때문에, 기판의 끝면이나 가장자리부 상의 막, 단자부, 음극과 하부 배선과의 접속 영역 등은 선택적으로 제거하는 것이 바람직하고, 반송실(102)에 연결된 전처리실에서 마스크를 사용하여 O₂ 애싱 등에 의해 선택적으로 제거하는 것이 바람직하다.

본 실시형태에서는, 반송실(102)로부터 성막실(106F)로 기판을 반송하여, 제1 전극 위에 버퍼층을 증착한다.

여기서, 버퍼층을 증착하는 예를 설명한다. 먼저, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB)과 산화몰리브덴을 각각 다른 저항 가열식의 증착원에 수납하고, 진공 배기된 증착장치 내에 설치된 제1 전극을 가진 기판에 대하여 증착한다. 증착 시에 있어서, NPB는 0.4 nm/s의 성막 속도로 증착되고, 산화몰리브덴은 NPB에 대하여 1/4의 양(중량비)으로 증발된다. 이 경우, 몰비(molar ratio)는 NPB : 산화몰리브덴 = 1 : 1이다. 금속 산화물과 유기 화합물을 함유하는 제1 복합층의 막 두께는 50 nm이다.

도 7(A)는 성막실(106F)의 증착장치의 일 예의 사시도를 나타낸다. 아래에 증착장치의 기구를 간략하게 설명한다.

기판(701)은 증착 마스크(702)와 미리 정렬되어 있다. 정렬된 상태로 기판이 기판 반송 방향(706a)(도 7(A)에 화살표로 나타낸 방향)으로 반송된다. 기판은 기판 반송 수단(반송 로봇 또는 반송 롤러)을 사용하여 반송되어, 방착(防着) 실드(shield)(703a)의 상방을 통과한다. 방착 실드(703a)는 개구부(703b)를 가지고 있어, 증착원(704)으로부터의 증착 재료가 개구부(703b)를 통해 승화하도록 되어 있다. 개구부(703b)로부터의 증착 재료의 승화 방향(706b)을 유지하기 위해 방착 실드(703a)는 증착 재료가 방착 실드 자체에는 부착하지 않도록 가열된다. 방착 실드에 접하여 히터가 제공되어 있다. 이 히터에 접속된 컴퓨터에 의해 가열온도가 제어될 수 있다.

증착원(704)은 복수의 도가니를 설치할 수 있는 구조로 되어 있고, 또한 화살표(705)의 방향으로 이동할 수 있다. 증착원을 이동시키는 대신에 증착원(704)의 방향을 바꾸어 증착 방향을 변경할 수도 있다. 증착방법에는 저항 가열법을 이용한다. 또한, 증착원이 이동하는 범위는 증착된 막의 두께의 균일성이 향상되도록 기판의 폭(Wa)보다 넓은 것이 바람직하다. 또한, 방착 실드의 폭(Wb)도 증착된 막의 두께의 균일성을 향상시키도록 기판의 폭(Wa)보다 넓게 하는 것이 바람직하다.

증착이 행해질 때 증착원이 고정되어 있는 경우, 증착 재료가 기판 위에서 동심으로 확산하므로, 증착원과 겹치는 부분의 두께, 즉, 동심으로 확산하는 중심부의 두께가 두껍게 될 우려가 있다. 본 발명에서는, 방착 실드에 의해, 증착 재료가 동심으로 확산하는 것이 방지되고, 증착원이 이동되어 막 두께의 균일성이 크게 향상된다.

또한, 도 7(A)에 도시된 증착장치에서, 방착 실드의 개구부는 기다란 타원 형상을 가지지만, 그 개구부(703b)의 형상이나 수는 특별히 한정되지 않는다. 개구부가 기다란 타원 형상을 가지므로, 증착 재료가 개구부를 막는 것이 방지된다.

또한, 증착원의 복수의 도가니에 증착 재료를 보급하기 위해, 성막실에 게이트를 통해 연결되는 설치실이 제공되어 있다. 증착원은 도가니를 가열하기 위한 히터를 제공한다. 설치실은 성막실에서의 증착원의 이동 방향으로 연장하는 라인 위에 제공되는 것이 바람직하다. 설치실에 증착 재료가 보급된 후, 설치실을 성막실과 동일한 정도로 배기시키고, 설치실에 제공된 막 두께 모니터를 사용하여 안정된 증착 속도로 가열을 행한다. 그 다음, 게이트를 열고, 설치실로부터 성막실로의 일 방향으로 증착원을 이동시킨다. 증착원은 그 방향을 유지한 채 성막실내에서 이동되어, 증착 재료가 기판 위에 증착되게 하기도 한다. 설치실은 증착원이 원활하게 이동될 수 있도록 배치된다. 또한, 하나의 성막실에 복수의 증착원과 방착 실드가 제공될 수도 있다. 도 7(B)는 복수의 증착원과 설치실을 제공한 경우의 증착장치의 상면도를 나타낸다. 증착원의 이동 방향(705)에 설치실(707)이 제공되고, 증착 재료를 보급할 때에는, 증착원을 설치실까지 이동시켜 보급을 행하면 좋다. 증착원이 성막실에 고정되어 있는 경우에는, 증착원에 증착 재료를 보급하기 위해서는 성막실 내를 반드시 대기압으로 하여야 하므로, 재차 증착하기 위해서는 성막실 내를 진공으로 하기 위한 시간이 필요하게 된다. 설치실(707)을 제공하면, 성막실(700)의 진공도를 유지한 채, 설치실(707) 내만을 대기압과 진공으로 전환할 수 있어, 단시간에 증착 재료가 보급될 수 있다.

또한, 방착 실드(703a)와 평행하게 제2 방착 실드(709)가 제공되고, 기판의 반송 방향에 수직인 방향으로 이동하는 제2 증착원(708)이 제공될 수도 있다. 복수의 증착원을 하나의 성막실에 제공함으로써, 연속적인 적층 성막이 가능하게 된다. 여기서는 하나의 성막실에 2개의 증착원을 제공한 예를 나타내었지만, 하나의 성막실에 2 이상의 증착원을 제공하여도 좋다.

그 다음, 반송실(102)로부터 인도실(105)로 기판을 반송하고, 대기에의 노출 없이 인도실(105)로부터 반송실(104a)로 기판을 반송할 수 있다.

그 다음, 반송실(104a)에 연결된 성막실(106R. 106G, 106B, 106E)로 기판을 적절히 반송하여, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층, 전자 수송층(또는 전자 주입층)이 되는 저분자계 유기 화합물을 함유하는 층을 적절히 형성한다.

성막실(106R, 106G, 106B, 106E) 중 적어도 하나를 도 7(A) 및 도 7(B)에 도시된 증착장치로 한다.

성막실(106B)에서는, 증착 마스크를 사용하여, 청색 발광 소자를 형성한 영 역에 청색 발광층으로서, CBP(4,4'-비스(N-카르바졸일)-비페닐)가 첨가된 PPD(4,4'-비스(N-(9-페난트릴)-N-페닐아미노)비페닐)을 30 nm의 막 두께로 증착한다.

또한, 성막실(106R)에서는, 증착 마스크를 사용하여, 적색 발광 소자를 형성할 영역에 적색 발광층으로서, DCM이 첨가된 Alq₃을 40 nm의 막 두께로 증착한다.

또한, 성막실(106G)에서는, 증착 마스크를 사용하여, 녹색 발광 소자를 형성할 영역에 녹색 발광층으로서, DMQd가 첨가된 Alq₃을 40 nm의 막 두께로 증착한다.

마스크를 사용하여 EL 재료를 적절히 선택함으로써, 발광 소자 전체로서, 3색(구체적으로는 R, G, B)의 발광을 나타내는 발광 소자를 형성할 수 있다.

또한, 증착 마스크는 마스크 스톡실(124)에 저장되고, 적절히 증착을 행할 때 성막실로 반송된다. 대형 기판을 사용하면 마스크가 대면적화하기 때문에, 마스크를 고정하는 프레임이 크게 되어, 그 마스크를 많이 저장하는 것이 어렵게 된다. 그래서, 여기서는 2개의 마스크 스톡실(124)을 준비하고 있다. 마스크 스톡실(124)에서 증착 마스크의 세정을 행하여도 좋다. 또한, 증착 시에는 마스크 스톡실이 비기 때문에, 성막 후 또는 처리 후의 기판을 마스크 스톡실에 저장하는 것도 가능하다.

이어서, 반송실(104a)로부터 인도실(107)로 기판을 반송하고, 대기에의 노출 없이 인도실(107)로부터 반송실(108)로 기판을 반송한다.

이어서, 반송실(108) 내에 설치되어 있는 반송 기구에 의해 기판을 성막 실(110)로 반송하여, 음극을 형성한다. 이 음극은 투명 또는 반투명인 것이 바람직하고, 저항 가열을 이용한 증착법에 의해 형성되는 금속막(MgAg, MgIn, LiF 등의 합금, 또는 주기표의 1족 또는 2족에 속하는 원소와 알루미늄을 공증착법에 의해 형성한 막, 또는 이들의 적층막)의 박막(1 nm～20 nm), 또는 상기 금속막의 박막(1 nm～20 nm)과 투명 도전막과의 적층을 음극으로 하는 것이 바람직하다. 적층을 사용하는 경우, 기판을 성막실(109)로 반송하고, 스퍼터링법에 의해 투명 도전막을 형성한다.

이상의 공정을 통해 유기 화합물 층을 가지는 적층 구조의 발광 소자가 형성된다.

또한, 반송실(108)에 연결된 성막실(113)로 기판을 반송하고, 질화규소막, 또는 산화질화규소막으로 된 보호막을 형성하여 봉지하여도 좋다. 여기서는, 성막실(113) 내에, 규소로 된 타겟, 또는 산화규소로 된 타겟, 또는 질화규소로 된 타겟이 구비되어 있다.

또한, 성막실(132)은 예비 성막실이다.

적어도 음극까지 형성된 기판은 반송실(108)로부터 인도실(111)을 경유하여 반송실(114)에 도입되고, 기판 스톡실(130a, 130b)에 보관되거나 또는 인도실(141)로 반송된다. 반송실(114), 기판 스톡실(130a, 130b), 인도실(141)은 감압 분위기로 유지되는 것이 바람직하다.

그 다음, 인도실(141)로 반송된 제1 기판은 반송실(147)에 설치된 반송 기구(148)에 의해 부착실(144)로 반송된다.

봉지 기판으로 작용하는 제2 기판에는 미리 기둥 형상 또는 벽 형상의 구조물이 제공되어 있다. 제2 기판은 기판 반입실(117)로 도입된 후, 먼저 감압 하에 가열되어, 탈기를 행한다. 그 다음, 제2 기판은 반송실(147)에 설치된 반송 기구(148)에 의해, UV 조사 기구를 구비한 전처리실(146)로 반송된다. 전처리실(146)에서, 제2 기판의 표면이 자외선 조사에 의해 처리된다. 이어서, 제2 기판이 시일(seal) 형성실(145)로 반송되어, 밀봉재의 형성을 행한다. 시일 형성실(145)에는 디스펜서 장치 또는 잉크젯 장치가 구비되어 있다. 또한, 시일 형성실(145)에는, 밀봉재를 가(假)경화시키기 위해 소성 유닛 또는 UV 조사 기구를 구비하여도 좋다. 밀봉재를 형성하기 위한 시일 형성실(145)에서 밀봉재를 가경화시킨 후, 밀봉재로 둘러싼 영역에 충전재를 적하(滴下)한다.

제2 기판도 반송 기구(148)에 의해 부착실(144)로 반송된다.

부착실(144)에서는, 처리실 내를 감압으로 한 후, 제1 기판과 제2 기판을 서로 부착시킨다. 이때, 상부 플레이트 또는 하부 플레이트를 상하로 이동시킴으로써 제1 및 제2 기판을 서로 부착시킨다. 감압 하에 2장의 기판을 부착시킬 때, 제2 기판에 제공된 기둥 형상 또는 벽 형상의 구조물에 기인하여 기판 간격이 정밀하게 유지된다. 기둥 형상 또는 벽 형상의 구조물은 기판이 갈라지는 것을 방지하기 위해 기판에 걸리는 압력을 확산하는 중요한 기능도 한다.

또한, 시일 형성실(145) 대신에, 부착실(144)에서 밀봉재로 둘러싸인 영역에 충전재의 적하를 행하는 기구로 할 수도 있다.

또한, 처리실 전체를 감압하는 대신에, 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 수직 방향으로 이동시켜 그 플레이트들 사이의 공간을 밀폐한 후, 그들 사이의 밀폐 공간을 하부 플레이트에 제공된 구멍을 통해 진공 펌프에 의해 탈기시켜 감압할 수도 있다. 이 경우, 처리실 전체를 감압하는 경우에 비하여 감압하는 공간의 용적이 작으므로, 밀폐 공간 내의 압력이 단시간에 감압될 수 있다.

또한, 상부 플레이트와 하부 플레이트 중 어느 한쪽에 투명 창을 제공하고, 상부 플레이트와 하부 플레이트 사이의 간격을 유지하고 기판들을 서로 부착시킨 상태에서 상기 투명 창을 통과하는 광을 조사하여 밀봉재를 경화시켜도 좋다.

그 다음, 일시적으로 서로 부착시킨 한 쌍의 기판을 반송 기구(148)에 의해 경화 처리실(143)로 반송된다. 경화 처리실(143)에서는, 밀봉재가 광 조사 또는 가열 처리에 의해 완전히 경화된다.

그리고, 서로 부착된 한 쌍의 기판이 반송 기구(148)에 의해 반출실(119)로 반송된다. 반출실(119)내의 감압으로 유지된 압력을 대기압으로 복귀한 후, 그 기판을 반출한다. 이렇게 하여 기판 간격을 균일하게 유지하는 봉지 공정이 완료된다.

또한, 본 실시형태는 실시형태 1, 실시형태 2, 또는 실시형태 3과 자유롭게 조합될 수 있다.

[실시형태 5]

여기서는, 버퍼층과 양극과의 접촉 저항의 실험 결과와, 광 취출 효율의 측정 결과에 대하여 설명한다.

TiN막으로 형성된 양극, 버퍼층(α-NPD와 산화몰리브덴이 혼재한 층), 발광 층, 음극을 순서대로 제공하고, 2 mm×2 mm의 발광 면적을 가지는 발광 소자에 6 V의 전압을 걸어, 전류값을 측정한 결과, 0.313 mA가 얻어졌다. 이것으로부터, TiN막과 버퍼층과의 접촉 저항은 양호하다. 또한, 이 소자의 휘도는 501 cd/㎡이었다.

또한, Ti막으로 형성된 양극, 버퍼층(α-NPD와 산화몰리브덴이 혼재한 층), 발광층, 음극을 순차적으로 제공하고, 마찬가지로 전류값을 측정한 결과, 0.249 mA의 전류값이 얻어졌다. 이것으로부터, Ti막과 버퍼층과의 접촉 저항도 양호하였다. 또한, 이 소자의 휘도는 577 cd/㎡이었다.

또한, 비교를 위해, 양극으로서 Al막(Ti를 미량으로 함유)을 사용한 경우의 전류값을 마찬가지로 측정한 결과, 0.015 mA의 전류값이 얻어졌다. 이것으로부터, Al막과 버퍼층과의 접촉 저항은 버퍼층과 Ti막이나 TiN막과의 것에 비하여 그다지 양호하지 않다. 또한, 이 소자의 휘도는 51 cd/㎡이었다.

또한, 음극으로서 얇은 Ag 전극과 같은 반투명 전극을 사용하면, 강력한 간섭이 일어나고, 광 취출 효율이 다양하게 변화될 수 있다.

TiN의 양극에 6 V의 전압을 인가한 경우의 상대 휘도의 측정 결과를 도 8에 나타낸다. 이 결과는 각 발광색에 따라 버퍼층의 막 두께를 최적화함으로써 상대 휘도를 같게 할 수 있다는 것을 나타낸다. 또한, 측정에 도 9의 소자 구조를 사용하였다.

또한, 본 실시형태는 실시형태 1, 실시형태 2, 또한 실시형태 3과 자유롭게 조합될 수 있다.

[실시형태 6]

본 발명의 반도체장치 및 전자장치로는, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이(헤드 장착형 디스플레이), 내비게이션 시스템, 음향 재생 장치(자동차 오디오, 오디오 콤포넌트 등), 퍼스널 컴퓨터, 게임기, 휴대형 정보 단말기(모바일 컴퓨터, 휴대 전화기, 휴대형 게임기 또는 전자 책 등), 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치(구체적으로는, Digital Versatile Disc(DVD) 등의 기록 매체를 재생하고, 그 화상을 표시할 수 있는 디스플레이를 구비한 장치) 등이 있다. 이들 전자장치의 구체 예를 도 10 및 도 11에 나타낸다.

도 10(A)는 본체(2101), 표시부(2102), 촬상부, 조작 키(2104), 셔터(2106) 등을 포함하는 디지털 카메라를 나타낸다. 또한, 도 10(A)는 표시부(2102)측에서 본 디지털 카메라를 나타내고, 촬상부는 도시되지 않았다. 본 발명에 의해, 제조비용을 저감한 프로세스로 디지털 카메라를 실현할 수 있다.

도 10(B)는 본체(2201), 케이스(2202), 표시부(2203), 키보드(2204), 외부 접속 포트(2205), 포인팅 마우스(2206) 등을 포함하는 노트북형 퍼스널 컴퓨터를 나타낸다. 본 발명에 의해, 제조비용을 저감한 공정으로 노트북형 퍼스널 컴퓨터를 실현할 수 있다.

도 10(C)는 기록 매체를 구비한 휴대형 화상 재생 장치(구체적으로는 DVD 플레이어)를 나타내고, 이 장치는 본체(2401), 케이스(2402), 표시부A(2403), 표시부B(2404), 기록 매체(DVD 등) 판독부(2405), 조작 키(2406), 스피커부(2407) 등을 포함한다. 표시부A(2403)는 주로 화상 정보를 표시하고, 표시부B(2404)는 주로 문 자 정보를 표시한다. 또한, 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치의 범주에는 전자 게임기(대표적으로는 가정용 게임기) 등도 포함된다. 본 발명에 의해, 제조비용을 저감한 프로세스로 화상 재생 장치를 실현할 수 있다.

또한, 도 10(D)는 케이스(1901), 지지대(1902), 표시부(1903), 스피커부(1904), 비디오 입력 단자(1905) 등을 포함하는 표시장치를 나타낸다. 이 표시장치는 앞에서 설명된 실시형태들 중 어느 하나에서 설명한 제작방법에 따라 형성한 박막트랜지스터를 표시부(1903) 및 구동회로에 사용하여 제작된다. 또한, 표시장치에는 액정 표시장치, 발광장치 등이 포함되고, 구체적으로는, 컴퓨터용 표시장치, 텔레비젼 방송 수신용 표시장치, 광고 표시용 표시장치 등의 모든 정보 표시용 표시장치가 포함된다. 본 발명에 의해, 제조비용을 저감한 프로세스로 표시장치, 특히 22인치～50인치의 대화면을 가지는 대형 표시장치를 실현할 수 있다.

도 11에 나타낸 휴대 전화기에서, 조작 스위치류(904), 마이크로폰(905) 등이 구비된 본체(A)(901)와 표시 패널(A)(908), 표시 패널(B)(909), 스피커(906) 등이 구비된 본체(B)(902)가 경첩(910)으로 개폐할 수 있게 연결되어 있다. 표시 패널(A)(908)과 표시 패널(B)(909)은 회로 기판(907)과 함께 본체(B)(902)의 케이스(903)내에 수납된다. 표시 패널(A)(908) 및 표시 패널(B)(909)의 화소부는 케이스(903)에 형성된 개구부를 통해 볼 수 있도록 배치되어 있다.

표시 패널(A)(908)과 표시 패널(B)(909)은 휴대 전화기(900)의 기능에 따라 화소수 등의 사양을 적절히 설정할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(A)(908)을 주 화면으로 하고, 표시 패널(B)(909)을 부 화면으로 하여 조합시킬 수 있다.

표시 패널(A)(908)은 실시형태 1 내지 5 중 어느 하나에 도시한 바와 같이 교류 구동 가능한 구성을 가진다. 본 발명에 의해, 제조비용을 저감한 프로세스로 휴대형 정보 단말기를 실현할 수 있다.

본 실시형태의 휴대 전화기는 그의 기능이나 용도에 따라 다양한 양태로 변경될 수 있다. 예를 들어, 경첩(910)의 부위에 촬상 소자를 내장하여, 카메라가 부착된 휴대 전화기로 제작할 수도 있다. 또한, 조작 스위치류(904), 표시 패널(A)(908), 표시 패널(B)(909)를 하나의 케이스 내에 수납하여 일체화시킨 구성으로 하여도, 상기한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 표시부를 복수개 구비한 정보 표시 단말기에 본 실시형태의 구성을 적용하여도 같은 효과를 얻을 수 있다.

이상과 같이, 본 발명을 실시하는 실시형태 1 내지 5 중의 어느 하나의 제조방법 또는 구성을 이용하여 다양한 전자장치를 완성시킬 수 있다.

도 1은 액티브 매트릭스형 발광장치의 단면(1화소의 일부)을 나타내는 도면(실시형태 1).

도 2(A) 및 도 2(B)는 발광장치의 화소 구성의 일 예를 나타내는 상면도 및 단면도(실시형태 1).

도 3은 액티브 매트릭스형 발광장치의 단면(1화소의 일부)을 나타내는 도면(실시형태 2).

도 4(A) 및 도 4(B)는 EL 모듈의 상면 및 단면을 나타내는 도면(실시형태 2).

도 5(A)～도 5(C)는 백색 발광 소자와 컬러 필터를 조합시키는 방법을 나타내는 모식도(실시형태 3).

도 6은 제조장치의 상면도(실시형태 4).

도 7(A) 및 도 7(B)는 증착장치의 사시도 및 상면도(실시형태 4).

도 8은 6 V의 전압에서의 상대 휘도의 측정 결과를 나타내는 도면.

도 9는 측정에 사용된 소자 구성을 나타내는 도면.

도 10(A)～도 10(D)는 전자장치의 예를 나타내는 도면.

도 11은 전자장치의 예를 나타내는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10: 기판 11: 하지 절연막

12: 게이트 절연막 15: 게이트 전극

16: 층간절연막 17a～17d: 소스 전극

18a～18d: 드레인 전극 19: 절연물

20a: 제1 EL 층(버퍼층) 20b: 제2 EL 층

21: 제2 전극

Claims (17)

1. 기판 위에 형성된 박막트랜지스터와,

   상기 박막트랜지스터에 전기적으로 접속된 전극과,

   상기 전극 위에 형성되고, 금속 산화물과 유기 재료를 함유하는 복합 재료를 구비하는 버퍼층과,

   상기 버퍼층 위에 형성된 유기 화합물을 포함하는 발광층을 각각 포함하는 복수의 화소가 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 화소부를 포함하고,

   상기 박막트랜지스터는:

   금속이 인듐을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 반도체막과,

   상기 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막과,

   상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 반도체막 위에 형성된 게이트 전극을 포함하는, 액티브 매트릭스형 표시장치.
2. 삭제
3. 기판 위에 형성된 제1 박막트랜지스터와,

   상기 제1 박막트랜지스터에 전기적으로 접속된 전극과,

   상기 전극 위에 형성되고, 금속 산화물과 유기 재료를 함유하는 복합 재료를 구비하는 버퍼층과,

   상기 버퍼층 위에 형성된 유기 화합물을 포함하는 발광층을 각각 구비하는 복수의 화소가 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 화소부와;

   상기 기판 위에 형성된 제2 박막트랜지스터를 포함하고, 각각의 상기 화소를 구동하는 구동회로를 포함하고,

   상기 제1 박막트랜지스터와 상기 제2 박막트랜지스터 각각은:

   금속이 인듐을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 반도체막과,

   상기 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막과,

   상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 반도체막 위에 형성된 게이트 전극을 포함하는, 액티브 매트릭스형 발광장치.
4. 삭제
5. 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 복수의 화소를 포함하는 액티브 매트릭스형 발광장치로서,

   각각의 상기 화소는:

   기판 위에 형성된 박막트랜지스터로서,

   금속이 인듐을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 반도체막,

   상기 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막, 및

   상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 반도체막 위에 형성된 게이트 전극을 포함하는 상기 박막트랜지스터와;

   상기 박막트랜지스터 위에 형성된 제1 층간절연막과;

   상기 제1 층간절연막 위에 형성되고, 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 접속된 제1 전극과; 상기 제1 전극은 제1 부분과 제2 부분을 포함하고,

   상기 제1 전극과 상기 제1 층간 절연막과 상기 제1 부분을 덮고 있는 상기 제2 절연막 위에 형성되고, 상기 제1 전극의 상기 제2 부분을 노출시키기 위한 개구부를 가지는 제2 절연막과,

   상기 제1 전극 위에 형성된 발광층과;

   상기 발광층 위에 형성된 제2 전극을 포함하고,

   상기 제1 전극은 제1 금속층과 상기 제1 금속층의 일부분 위에 형성된 제2 금속층을 포함하고, 상기 제2 금속층은 상기 제2 절연막과 중첩되고,

   상기 제2 금속층은 상기 제2 절연막의 개구부의 내측면과 접촉하지 않는, 액티브 매트릭스형 발광장치.
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 제 1 항, 제 3 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 금속 산화물이 In-Ga-Zn-O인, 액티브 매트릭스형 표시장치.
10. 제 1 항, 제 3 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 금속 산화물이 In, Ga, Zn, 및 산소를 포함하는, 액티브 매트릭스형 발광장치.
11. 제 5 항에 있어서,

    상기 제1 금속층은 티탄을 포함하고, 상기 제2 금속층은 알루미늄을 포함하는, 액티브 매트릭스형 발광장치.
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제
15. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,

    상기 버퍼층은 정공 수송성과 전자 수송성을 모두 가진, 액티브 매트릭스형 표시장치.
16. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,

    상기 버퍼층의 상기 금속 산화물은 산화 몰리브덴, 산화 텅스텐, 산화 레늄으로 이루어진 그룹에서 선택되는, 액티브 매트릭스형 표시장치.
17. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,

    상기 버퍼층의 상기 유기 재료는 정공 수송성과 전자 수송성을 모두 가진, 액티브 매트릭스형 표시장치.

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