JP5577393B2 - 発光装置、モジュール、及び電子機器 - Google Patents
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Description
(OLED:Organic Light Emitting Device)を有する発光装置に関する。また、該有
機発光パネルにコントローラを含むIC等を実装した、有機発光モジュールに関する。な
お本明細書において、有機発光パネル及び有機発光モジュールを共に発光装置と総称する
。本発明はさらに、該発光装置を製造する装置に関する。
置全般を指し、発光装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
ブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いた
TFTは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたTFTよりも電界効果移動度(モビリ
ティともいう)が高いので、高速動作が可能である。
そのため、ポリシリコン膜を用いたTFTからなる駆動回路を画素と同一の基板上に設け
、各画素の制御を行うための開発が盛んに行われている。同一基板上に画素と駆動回路と
を組み込んだアクティブマトリクス型表示装置は、製造コストの低減、表示装置の小型化
、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られると予想される。
下、単に発光装置とも呼ぶ)の研究が活発化している。発光装置は有機発光装置(OEL
D:Organic EL Display)又は有機ライトエミッティングダイオード(OLED:Organi
c Light Emitting Diode)とも呼ばれている。
子(以下、スイッチング素子という)を設け、そのスイッチング用TFTによって電流制
御を行う駆動素子(以下、電流制御用TFTという)を動作させてEL層(厳密には発光
層)を発光させる。例えば特開平10−189252号公報に記載された発光装置が公知
である。
クライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。
そのため、有機発光素子を用いた発光装置は、CRTやLCDに代わる表示装置として注
目されている。
)が得られる有機化合物を含む層(以下、EL層と記す)と、陽極と、陰極とを有する。
有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(
蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とがあるが、本発明の製
造装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用
可能である。
造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した
「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発
光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している
。
層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に
対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料
を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用いて形成しても良い。また、これら
の層は、シリコンなどの無機材料を含んでいてもよい。
いう。したがって、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入
層は、全てEL層に含まれる。
系有機化合物材料と高分子系(ポリマー系)有機化合物材料とがそれぞれ研究されている
。
ィング法といった方法が知られている。
ることを考えた場合、成膜精度がそれほど高くないため、異なる画素間の間隔を広く設計
したり、画素間に土手(バンク)と呼ばれる絶縁物を設けたりしている。
精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。こうした要求は、発光装置の高精
細化(画素数の増大)及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題
となっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
て、有機化合物層の成膜方法や成膜精度によらず、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラ
ーのフラットパネルディスプレイとして、高精細化や高開口率化を実現するものである。
し、流れる電流も約1000分の一になってしまうが、高い電圧(約9V以上)を印加す
れば十分視認できる程度に発光させることも可能である。
化合物層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、 一つの発光
素子には、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とで構
成される第1の発光領域と、 陰極と、該陰極に接する有機化合物層の積層と、該有機化
合物層の積層に接する陽極とで構成される第2の発光領域と、を有していることを特徴と
する発光装置である。
物層と、前記一つの発光素子に隣接した異なる発光色の発光素子の有機化合物層との積層
であることを特徴としている。
り、本明細書で開示する発明の構成2は、陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有
機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、 第1の有
機化合物層を有する第1の発光素子と、 第2の有機化合物層を有する第2の発光素子と
、 第3の有機化合物層を有する第3の発光素子とが配置されており、 前記第1の発光
素子において、前記第1の有機化合物層と前記第2の有機化合物層とが一部重なっている
ことを特徴とする発光装置である。
該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、 第1
の有機化合物層を有する第1の発光素子と、 第2の有機化合物層を有する第2の発光素
子と、 第3の有機化合物層を有する第3の発光素子とが配置されており、 前記第1の
発光素子において、前記第1の有機化合物層と前記第2の有機化合物層とが一部重なって
おり、且つ、 前記第2の発光素子において、前記第2の有機化合物層と前記第3の有機
化合物層とが一部重なっていることを特徴とする発光装置である。
ち、いずれか一色を発光することを特徴としている。また、前記第1の発光素子、前記第
2の発光素子、及び前記第3の発光素子は、互いに異なる色を発光することを特徴として
いる。
はプラスチック基板を用いて発光素子全体を密閉することが好ましい。
が陰極の裏面(発光層に接する側の面)で反射され、陰極の裏面が鏡のように作用して外
部の景色が観測面(観測者側に向かう面)に映るといった問題があった。また、この問題
を回避するために、発光装置の観測面に円偏光フィルムを貼り付け、観測面に外部の景色
が映らないようにする工夫がなされているが、円偏光フィルムが非常に高価であるため、
製造コストの増加を招くという問題があった。
り発光装置の製造コストを低減して安価な発光装置を提供することを課題としている。そ
こで、本発明では、円偏光フィルムに代えて安価なカラーフィルタを用いることを特徴と
している。上記構成1、2、3において、色純度を向上させるため、前記発光装置には各
画素に対応するカラーフィルタを備えることが好ましい。また、カラーフィルタの黒色の
部分(黒色の有機樹脂)が各発光領域の間と重なるようにすればよい。さらに、カラーフ
ィルタの黒色の部分が、異なる有機化合物層が一部重なる部分と重なるようにしてもよい
。
。例えば、発光素子が設けられている基板を通過させない場合においては、封止基板にカ
ラーフィルタを貼り付ければよい。或いは、発光素子が設けられている基板を通過させる
場合においては、発光素子が設けられている基板にカラーフィルタを貼り付ければよい。
こうすることによって、円偏光フィルムを必要としなくなる。
素子の劣化は、長時間発光させると共に非発光領域(ダークスポット)
が広がるという形で現れるが、その原因としてEL層の劣化が大きな課題となっている。
覆う構造とし、該保護膜の応力を緩和するためのバッファ層として酸化珪素膜または窒化
酸化珪素膜を設けることを特徴とする。
陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、 透明導電膜からなる前記陽極
は、バッファ層と保護膜との積層で覆われていることを特徴とする発光装置である。
いはリモートプラズマ法により得られる酸化珪素または酸化窒化珪素を主成分とする絶縁
膜とし、保護膜は、スパッタ法により得られる窒化珪素または酸化窒化珪素を主成分とす
る絶縁膜とすればよい。
護膜を形成する場合、上記構成4は極めて有用である。なお、スパッタ法により透明導電
膜からなる膜に接して窒化珪素膜を形成する場合、透明導電膜に含まれる不純物(In、
Sn、Zn等)が窒化珪素膜に混入する恐れがあるが、本発明のバッファ層を間に形成す
ることによって窒化珪素膜への不純物混入を防止することもできる。上記構成4によりバ
ッファ層を形成することで、透明導電膜からの不純物(In、Snなど)の混入を防止し
、不純物のない優れた保護膜を形成することができる。
を用いることが好ましく、本発明の作製方法に関する構成は、陰極と、該陰極に接する有
機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置の
作製方法であって、 同一チャンバーで透明導電膜からなる陽極と、該陽極を覆うバッフ
ァ層を形成した後、前記バッファ層上に異なるチャンバーで保護膜を形成することを特徴
とする発光装置の作製方法である。
。一つは、EL素子から発した光が対向基板を透過して放射されて観測者の目に入る構造
である。この場合、観測者は対向基板側から画像を認識することができる。もう一つは、
EL素子から発した光が素子基板を透過して放射されて観測者の目に入る構造である。こ
の場合、観測者は素子基板側から画像を認識することができる。
第1の搬送室、及び該第1の搬送室に連結された有機化合物層の成膜室と、 前記第1の
搬送室に連結された第2の搬送室、及び該第2の搬送室に連結された金属層の成膜室、透
明導電膜の成膜室、及び保護膜の成膜室と、 前記第2の搬送室に連結された第3の搬送
室、及び該第3の搬送室に連結されたディスペンサ室、封止基板ロード室、および封止室
とを有することを特徴とする製造装置である。
り、透明導電材料からなるターゲットと、珪素からなるターゲットを少なくとも有してい
ることを特徴としている。或いは、上記構成5において、前記透明導電膜の成膜室は、リ
モートプラズマ法により成膜する装置が備えられていることを特徴としている。
置されていることを特徴としている。また、封止基板ロード室には、真空排気系が設けら
れている。
真空排気系が設けられている。
ループットよく製造することができる。
トの削減をすることができる。
レイとして、高精細化や高開口率化や高信頼性を実現することができる。
ここでは、画素部に規則的に配置される多数の画素のうち、3×3の画素を例に本発明
を以下に説明する。
ており、発光領域10Gは緑色の発光領域を示しており、発光領域10Bは青色の発光領
域を示しており、これらの3色の発光領域によりフルカラー化された発光表示装置を実現
している。
図1(B)に示したように、赤色を発光するEL層(例えばAlq3に赤色発光色素であ
るNileRedを添加したEL層)17と、緑を発光するEL層(例えばAlq3にD
MQd(ジメチルキナクリドン)を添加したEL層)
18とを一部重ね、積層部21を形成している。また、緑を発光するEL層18と、青色
を発光するEL層(例えばBAlqにペリレンを添加したEL層)19とを一部重ね、積
層部22を形成している。なお、図1では発光領域の一辺(右側端部)だけ重ねた例を示
したが、周縁部の一部であれば、特に限定されず、両辺、上側の一辺、または下側の一辺
を重ねてもよい。
ンクジェット法や、蒸着法や、スピンコーティング法など)やそれらの成膜精度によらず
、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイとして、高精細
化や高開口率化を実現することができる。
素子(pチャネル型TFTまたはnチャネル型TFT)であり、4、7はソース電極また
はドレイン電極である。また、TFT2は、緑色を発光するEL層18に流れる電流を制
御する素子であり、5、8はソース電極またはドレイン電極である。TFT3は、青色を
発光するEL層19に流れる電流を制御する素子であり、6、9はソース電極またはドレ
イン電極である。15、16は有機絶縁材料または無機絶縁膜材料からなる層間絶縁膜で
ある。
子の陽極(或いは陰極)である。11〜13を陽極とする場合には、pチャネル型TFT
とすることが好ましく、陰極とする場合にはnチャネル型TFTとすることが好ましい。
11〜13を陰極として用いる場合、仕事関数の小さい材料(Al、Ag、Li、Ca、
またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、またはCaN)を用いれ
ばよい。また、11〜13を陽極として用いる場合、Ti、TiN、TiSiXNY、Ni
、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Mo、Cr、Pt、Zn、Sn、In、ま
たはMoから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料
を主成分とする膜またはそれらの積層膜を用いればよい。11〜13の両端部およびそれ
らの間は無機絶縁物14で覆われている。ここでは、11〜13を陰極としてCrを用い
、20を陽極として仕事関数の大きい透明導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金
)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)を用い
て、各発光素子からの光を通過させている。また、11〜13を陽極とし、20を陰極と
して発光が透過する金属薄膜(MgAg、MgIn、AlLiなど)と透明導電膜との積
層を用いてもよい。
止基板30が貼りつけられており、全ての発光素子は密閉されている。
さらに、色純度を高めるため、封止基板30には各画素に対応するカラーフィルタが設け
られている。カラーフィルタのうち、赤色の着色層31bは赤色の発光領域10Rに対向
して設けられ、緑色の着色層31cは緑色の発光領域10Gに対向して設けられ、青色の
着色層31dは青色の発光領域10Bに対向して設けられる。また、発光領域以外の領域
は、カラーフィルタの黒色部分、即ち遮光部31aによって遮光されている。なお、遮光
部31aは、金属膜(クロム等)または黒色顔料を含有した有機材料膜で構成されている
。
。
ても11a〜11cの両端部およびそれらの間は無機絶縁物14で覆われている。ここで
は赤色を発光するEL層17が共通となっている例を示したが、特に限定されず、同じ色
を発光する画素毎にEL層を形成してもよい。
積層部21〜23での発光輝度と印加される電圧との関係を比較する実験を行い、その結
果を図2(D)に示す。
る。図2(D)中、丸印で示したデータは、陽極と、有機発光層と、陰極の合わせて三層
で構成される発光素子の電圧と輝度との関係を示したものである。また四角印で示したデ
ータは、陽極と、第1の有機発光層と、第2の有機発光層と、陰極の合わせて四層で構成
される発光素子の電圧と輝度との関係を示したものである。ここで、有機発光層は、発光
層と、正孔輸送層(HTL)と、正孔注入層(HIL)とが積層された構造とする。つま
り、図2(D)中、四角印で示したデータは、図2(A)に示す積層構造、即ち、陽極と
、第1の有機発光層(第1の発光層、第1の正孔輸送層、第1の正孔注入層)と、第2の
有機発光層(第2の発光層、第2の正孔輸送層、第2の正孔注入層)と、陰極とが積層さ
れた発光素子の電圧と輝度との関係を示したグラフである。
される発光素子から発せられる光の輝度は、図2(C)に示す積層構造、即ち、陽極と、
有機発光層と、陰極の合わせて3層で構成される発光素子から発せられる光の輝度に比べ
ると、約4桁落ちている。これは、有機発光層を2層重ねると、逆方向ダイオードが形成
されるため、電流が流れにくくなるためであると予想できる。また、膜厚が厚くなるため
に、抵抗が大きくなり、電流が流れにくくなるためであると予想できる。
C)に示す積層構造の輝度であり、積層部21〜23での発光輝度は、図2(A)に示す
積層構造の輝度と見なせるため、積層部21〜23での発光輝度は、発光領域10R、1
0G、10Bでの発光輝度の約1000分の一となる。
に第1の有機発光層と、第2の有機発光層を一部重ねてもよい。正孔注入層を共通とした
図2(B)に示す積層構造、即ち、陽極と、第1の有機発光層(第1の発光層、第1の正
孔輸送層)と、第2の有機発光層(第2の発光層、第2の正孔輸送層、第1の正孔注入層
)と、陰極とが積層された発光素子の電圧と輝度との関係を測定した場合においても、図
2(A)に示す積層構造と同様の結果が得られた。
図1と同一である部分は、同一の符号を用いる。
Gとの間、および、発光領域10Gと発光領域10Bとの間に設けた例である。このよう
な土手25を形成すると、パターニング精度にもよるが、必然的に発光領域10Gと発光
領域10Bとの間を狭くすることが困難になる。多くの場合、この土手を各画素毎の周り
に設けていたが、図3においては、画素一列毎に土手を設ける構成とする。
発光装置を実現することができる。
保護膜33は窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁膜である。この保護膜33
の膜応力を緩和するために、保護膜を形成する前にバッファ層32を形成する。このバッ
ファ層32は、DC方式のスパッタ装置、RF方式のスパッタ装置、リモートプラズマ法
を用いた成膜装置を用いて形成される酸化珪素または酸化窒化珪素を主成分とする絶縁膜
で形成すればよい。また、図1及び図3において、保護膜に発光を通過させるため、保護
膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。
を用いており、透明導電膜からなる膜に接して保護膜33を形成しようとする場合、透明
導電膜に含まれる不純物(In、Sn、Zn等)が保護膜に混入する恐れがあるが、バッ
ファ層32を間に形成することによって保護膜への不純物混入を防止することもできる。
発光させる構成を示したが、上記構成に限定されないことは言うまでもないことである。
例えば、EL層から層間絶縁膜を通過させる方向に発光させてもよく、その場合は、TF
Tが設けられている基板にカラーフィルタを適宜設ければよい。
ここでは、バッファ層と保護膜について、図5を用いて説明する。
図である。図5(A)中、200は陰極(或いは陽極)、201はEL層、202は陽極
(或いは陰極)、203は応力緩和層(バッファ層)、204は保護膜である。図中にお
ける矢印方向に発光させる場合、202として、透光性を有する材料または非常に薄い金
属膜、あるいはそれらの積層を用いる。
る絶縁膜を用いればよい。シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で形
成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲットを用いてもよい。この
保護膜204の膜応力を緩和するために、保護膜を形成する前にバッファ層203を形成
する。このバッファ層203は、DC方式のスパッタ装置、RF方式のスパッタ装置、リ
モートプラズマ法を用いた成膜装置を用いて形成される酸化珪素または酸化窒化珪素を主
成分とする絶縁膜で形成すればよい。スパッタ装置を用いる場合、例えば、シリコンター
ゲットを用い、酸素とアルゴンを含む雰囲気、或いは窒素と酸素とアルゴンを含む雰囲気
で形成すればよい。また、保護膜に発光を通過させるため、保護膜の膜厚は、可能な限り
薄くすることが好ましい。
とができる。
図である。図5(B)中、300は陰極(或いは陽極)、301はEL層、302は陽極
(或いは陰極)、303は応力緩和層(バッファ層)、304は保護膜である。
とができる。
装置(マルチチャンバー方式)の一例を図4に示す。
受渡室、102、104a、107、108、111、114は搬送室、105、106
R、106B、106G、109、110、112、113は成膜室、103は前処理室
、117a、117bは封止基板ロード室、115はディスペンサ室、116は封止室、
118は紫外線照射室である。
)に示す積層構造を形成する手順を示す。
次いで受渡室101に連結された搬送室102に搬送する。予め、搬送室内には極力水分
や酸素が存在しないよう、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にしておくこと
が好ましい。
空排気処理室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライ
ポンプが備えられている。これにより搬送室の到達真空度を10-5〜10-6Paにするこ
とが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することがで
きる。装置内部に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガ
ス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される
前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に
成膜装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に
含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれら
の不純物が導入されるのを防ぐことができる。
真空中で行うことが好ましく、搬送室102に連結された前処理室103に搬送し、そこ
でアニールを行えばよい。さらに、陰極の表面をクリーニングする必要があれば、搬送室
102に連結された前処理室103に搬送し、そこでクリーニングを行えばよい。
搬送した後、搬送機構104bによって、成膜室106Rに搬送し、陰極200上に赤色
発光するEL層を適宜形成する。ここでは蒸着によって形成する例を示す。成膜室106
Rには、基板の被成膜面を下向きにしてセットする。
なお、基板を搬入する前に成膜室内は真空排気しておくことが好ましい。
0-6Paまで真空排気された成膜室106Rで蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱に
より有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッター(図示しない)が開くことにより
基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスク(図示し
ない)に設けられた開口部(図示しない)を通って基板に蒸着される。なお、蒸着の際、
基板を加熱する手段により基板の温度(T1)は、50〜200℃、好ましくは65〜1
50℃とする。
した後、順次、各成膜室106G、106Bで成膜を行って形成すればよい。
送室104から搬送室107に基板を搬送した後、さらに、大気にふれさせることなく、
搬送室107から搬送室108に基板を搬送する。
EL層201上に透明導電膜からなる陽極202を適宜形成する。ここでは、成膜室10
9内に、複数のターゲットが設けられており、透明導電材料からなるターゲットと、珪素
からなるターゲットを少なくとも有しているスパッタ装置とする。従って、同一チャンバ
ーで陽極202と応力緩和層203を形成することができる。なお、応力緩和層203を
形成する専用の成膜室を別に設けてもよく、その場合、スパッタ装置(RF方式またはD
C方式)、或いはリモートプラズマ法を用いた装置を用いればよい。
203上に保護膜204を形成する。ここでは、成膜室113内に、珪素からなるターゲ
ットまたは窒化珪素からなるターゲットを備えたスパッタ装置とする。成膜室雰囲気を窒
素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって窒化珪素膜を形成するこ
とができる。
111に搬送し、さらに搬送室111から搬送室114に搬送する。
、封止室116には、シール材が設けられた封止基板を用意しておくことが好ましい。
なお、水分などの不純物を除去するために予め真空中でアニール、例えば、封止基板ロー
ド室117a、117b内でアニールを行うことが好ましい。そして、封止基板にシール
材を形成する場合には、搬送室108を大気圧とした後、封止基板を封止基板ロード室か
らディスペンサ室115に搬送して、発光素子が設けられた基板と貼り合わせるためのシ
ール材を形成し、シール材を形成した封止基板を封止室116に搬送する。
形成された基板とを貼り合わせる。なお、ここでは、封止基板にシール材を形成した例を
示したが、特に限定されず、発光素子が形成された基板にシール材を形成してもよい。
次いで、紫外線照射室118でUV光を照射してシール材を硬化させる。なお、ここでは
シール材として紫外線硬化樹脂を用いたが、接着材であれば、特に限定されない。
るまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。
)に示す積層構造を形成する手順を示す。
次いで受渡室101に連結された搬送室102に搬送する。予め、搬送室内には極力水分
や酸素が存在しないよう、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にしておくこと
が好ましい。陽極300を形成する材料は、透明導電性材料が用いられ、インジウム・ス
ズ化合物や酸化亜鉛などを用いることができる。次いで搬入室102に連結された前処理
室103に搬送する。この前処理室では、陽極表面のクリーニングや酸化処理や加熱処理
などを行えばよい。陽極表面のクリーニングとしては、真空中での紫外線照射、または酸
素プラズマ処理を行い、陽極表面をクリーニングする。また、酸化処理としては、100
〜120℃で加熱しつつ、酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射すればよく、陽極がITO
のような酸化物である場合に有効である。また、加熱処理としては、真空中で基板が耐え
うる50℃以上の加熱温度、好ましくは65〜150℃の加熱を行えばよく、基板に付着
した酸素や水分などの不純物や、基板上に形成した膜中の酸素や水分などの不純物を除去
する。特に、EL材料は、酸素や水などの不純物により劣化を受けやすいため、蒸着前に
真空中で加熱することは有効である。
搬送した後、搬送機構104bによって、成膜室105に搬送し、陽極300上にEL層
の1層である正孔注入層または正孔輸送層などを適宜形成する。ここでは蒸着によって形
成する例を示す。成膜室105には、基板の被成膜面を下向きにしてセットする。なお、
基板を搬入する前に成膜室内は真空排気しておくことが好ましい。
送し、正孔注入層または正孔輸送層上に赤色発光するEL層を適宜形成する。
した後、順次、各成膜室106G、106Bで成膜を行って形成すればよい。
送室104から搬送室107に基板を搬送した後、さらに、大気にふれさせることなく、
搬送室107から搬送室108に基板を搬送する。
2に搬送し、EL層301上に金属材料からなる陰極302を適宜形成する。ここでは、
成膜室111は蒸着装置またはスパッタ装置とする。
303及び保護膜304を形成する。ここでは、成膜室113内に、珪素からなるターゲ
ットまたは窒化珪素からなるターゲットまたは酸化珪素を備えたスパッタ装置とする。成
膜室雰囲気を窒素雰囲気、または窒素とアルゴンを含む雰囲気、または酸素と窒素とアル
ゴンを含む雰囲気とすることによって酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化珪素膜を
形成することができる。
説明を省略する。
に示す積層構造とを作り分けることができる。
こととする。
。図6は、アクティブマトリクス型発光装置の断面図である。なお、能動素子としてここ
では薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSトランジスタ
を用いてもよい。
が、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
酸ガラスなどのガラスからなる基板、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレ
ス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いればよい。また、本実施例の処理温度に耐え
うる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよいし、可撓性基板を用いても良い。
下地絶縁膜の下層801として、プラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスSiH
4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=27%
、N=24%、H=17%)を50nm(好ましくは10〜200nm)形成する。次いで、
表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸(1/100希釈)で除去する。
次いで、下地絶縁膜の上層802として、プラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガ
スSiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=59%
、N=7%、H=2%)を100nm(好ましくは50〜200nm)の厚さに積層形成し
、さらに大気解放せずにプラズマCVD法で成膜温度300℃、成膜ガスSiH4で非晶
質構造を有する半導体膜(ここではアモルファスシリコン膜)を54nmの厚さ(好まし
くは25〜200nm)で形成する。
または2層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はな
いが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiXGe1-X(X=0.000
1〜0.02))合金などを用い、公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラ
ズマCVD法等)により形成すればよい。また、プラズマCVD装置は、枚葉式の装置で
もよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶
縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。
の極薄い酸化膜を形成する。次いで、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元
素(ボロンまたはリン)のドーピングを行う。ここでは、ジボラン(B2H6)を質量分離
しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧15kV、
ジボランを水素で1%に希釈したガスを流量30sccmとし、ドーズ量2×1012/c
m2で非晶質シリコン膜にボロンを添加する。
た。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行
う場合は、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための
熱処理(500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って
結晶構造を有するシリコン膜を得た。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を
行ったが、短時間での結晶化が可能なランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。
結晶を得るため、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波〜第4高調波
を半導体膜に照射する。レーザ光の照射は大気中、または酸素雰囲気中で行う。なお、大
気中、または酸素雰囲気中で行うため、レーザー光の照射により表面に酸化膜が形成され
る。代表的には、Nd:YVO4レーザー(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)
や第3高調波(355nm)を適用すればよい。出力10Wの連続発振のYVO4レーザ
から射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中に
YVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好まし
くは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照
射する。このときのエネルギー密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは0
.1〜10MW/cm2)が必要である。そして、10〜2000cm/s程度の速度で
レーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。
リコン膜を用いてTFTを作製することもできるが、レーザ光照射後の結晶構造を有する
シリコン膜のほうが結晶性が向上しているため、TFTの電気的特性が向上するので望ま
しい。例えば、上記レーザ光照射前の結晶構造を有するシリコン膜を用いてTFTを作製
すると、移動度は300cm2/Vs程度であるが、上記レーザ光照射後の結晶構造を有
するシリコン膜を用いてTFTを作製すると、移動度は500〜600cm2/Vs程度
と著しく向上する。
た後、さらに連続発振のYVO4レーザーの第2高調波を照射したが、特に限定されず、
非晶質構造を有するシリコン膜を成膜し、脱水素化のための熱処理を行った後、上記連続
発振のYVO4レーザーの第2高調波を照射して結晶構造を有するシリコン膜を得てもよ
い。
エキシマレーザを用いる場合には、周波数300Hzとし、レーザーエネルギー密度を1
00〜1000mJ/cm2(代表的には200〜800mJ/cm2)とするのが望ましい。このとき
、レーザ光を50〜98%オーバーラップさせても良い。
秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。本実施例ではオゾン水
を用いてバリア層を形成したが、酸素雰囲気下の紫外線の照射で結晶構造を有する半導体
膜の表面を酸化する方法や酸素プラズマ処理により結晶構造を有する半導体膜の表面を酸
化する方法やプラズマCVD法やスパッタ法や蒸着法などで1〜10nm程度の酸化膜を
堆積してバリア層を形成してもよい。また、バリア層を形成する前にレーザー光の照射に
より形成された酸化膜を除去してもよい。
なるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を50nm〜400nm、ここでは膜厚150
nmで形成する。本実施例では、スパッタ法でシリコンターゲットを用い、アルゴン雰囲
気下、圧力0.3Paで成膜する。
造を有する半導体膜中のニッケル濃度を低減する。炉に代えてランプアニール装置を用い
てもよい。
元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去
する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があ
るため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状に
エッチング処理して島状に分離された半導体層を形成する。半導体層を形成した後、レジ
ストからなるマスクを除去する。
浄した後、ゲート絶縁膜803となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。ここでは、
プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、
O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。
0nmの第2の導電膜とを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜803上に膜厚5
0nmの窒化タンタル膜、膜厚370nmのタングステン膜を順次積層し、以下に示す手
順でパターニングを行って各ゲート電極及び各配線を形成する。
Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材
料で形成する。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピ
ングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、AgPdCu合金を用いてもよい
。また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500n
mのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順
次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングス
テンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコ
ンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用い
てもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層
構造であってもよい。
エッチング処理)にはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッ
チング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極
に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調
節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。ここでは、
レジストからなるマスクを形成した後、第1のエッチング条件として1Paの圧力でコイル
型の電極に700WのRF(13.56MHz)電力を投入し、エッチング用ガスにCF4とCl2
とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10(sccm)とし、基板側(
試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイア
ス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、12.5cm×12.5cmであ
り、コイル型の電極面積サイズ(ここではコイルの設けられた石英円板)は、直径25c
mの円板である。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして端部をテーパー
形状とする。この後、レジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング条件に変え
、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30(sc
cm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入して
プラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも2
0WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4
とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチング
される。なお、ここでは、第1のエッチング条件及び第2のエッチング条件を第1のエッ
チング処理と呼ぶこととする。
ここでは、第3のエッチング条件としてエッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それ
ぞれのガス流量比を30/30(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500
WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを60秒行った。基
板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)
電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この後、レジストからなるマ
スクを除去せずに第4のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2
とを用い、それぞれのガス流量比を20/20/20(sccm)とし、1Paの圧力でコ
イル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約20秒
程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力
を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。なお、ここでは、第3のエッチン
グ条件及び第4のエッチング条件を第2のエッチング処理と呼ぶこととする。この段階で
第1の導電層804aを下層とし、第2の導電層804bを上層とするゲート電極804
および各電極805〜807が形成される。
して全面にドーピングする第1のドーピング処理を行う。第1のドーピング処理はイオン
ドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1.
5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとして行う。n型を付与する
不純物元素として、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。自己整合的に第
1の不純物領域(n--領域)822〜825が形成される。
03のオフ電流値を下げるため、マスクは、画素部901のスイッチングTFT903を
形成する半導体層のチャネル形成領域及びその一部を覆って形成する。また、マスクは駆
動回路のpチャネル型TFT906を形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺
の領域を保護するためにも設けられる。加えて、マスクは、画素部901の電流制御用T
FT904を形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を覆って形成され
る。
、ゲート電極の一部と重なる不純物領域(n-領域)を形成する。第2のドーピング処理
はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。ここでは、イオンドープ法を用
い、フォスフィン(PH3)を水素で5%に希釈したガスを流量30sccmとし、ドー
ズ量を1.5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を90keVとして行う。この場合、レ
ジストからなるマスクと第2の導電層とがn型を付与する不純物元素に対するマスクとな
り、第2の不純物領域311、312が形成される。第2の不純物領域には1×1016〜
1×1017/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加される。ここでは、第2の
不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn-領域とも呼ぶ。
第3のドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。
n型を付与する不純物元素として、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。
ここでは、イオンドープ法を用い、フォスフィン(PH3)を水素で5%に希釈したガス
を流量40sccmとし、ドーズ量を2×1015atoms/cm2とし、加速電圧を80keV
として行う。この場合、レジストからなるマスクと第1の導電層及び第2の導電層がn型
を付与する不純物元素に対するマスクとなり、第3の不純物領域813、814、826
〜828が形成される。第3の不純物領域には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲で
n型を付与する不純物元素を添加される。ここでは、第3の不純物領域と同じ濃度範囲の
領域をn+領域とも呼ぶ。
して第4のドーピング処理を行う。第4のドーピング処理により、pチャネル型TFTを
形成する半導体層を形成する半導体層にp型の導電型を付与する不純物元素が添加された
第4の不純物領域818、819、832、833及び第5の不純物領域816、817
、830、831を形成する。
m3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第4の不純物領
域818、819、832、833には先の工程でリン(P)
が添加された領域(n--領域)であるが、p型を付与する不純物元素の濃度がその1.5
〜3倍添加されていて導電型はp型となっている。ここでは、第4の不純物領域と同じ濃
度範囲の領域をp+領域とも呼ぶ。
と重なる領域に形成されるものであり、1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でp型を
付与する不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第5の不純物領域と同じ濃度範
囲の領域をp-領域とも呼ぶ。
形成される。導電層804〜807はTFTのゲート電極となる。
VD法により膜厚50nmの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコ
ン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用
いても良い。
の活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法(RTA法)、或いは
レーザーを照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれ
かと組み合わせた方法によって行う。
行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
550℃で1〜12時間の熱処理)を行い、半導体層を水素化する工程を行う。この工程
は第1の層間絶縁膜808に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端す
る工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜(図示しない)の存在に関係なく半導体層
を水素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより
励起された水素を用いる)を行っても良い。
aを形成する。本実施例では塗布法により膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜809aを形
成する。
物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次
行う。本実施例では第1の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第2の層間絶縁膜を
エッチングしてから第1の層間絶縁膜をエッチングする。
、電源供給線、引き出し電極及び接続電極などを形成する。ここでは、これらの電極及び
配線の材料は、Ti膜(膜厚100nm)とシリコンを含むAl膜(膜厚350nm)と
Ti膜(膜厚50nm)との積層膜を用い、パターニングを行った。こうして、ソース電
極及びソース配線、接続電極、引き出し電極、電源供給線などが適宜、形成される。なお
、層間絶縁膜に覆われたゲート配線とコンタクトを取るための引き出し電極は、ゲート配
線の端部に設けられ、他の各配線の端部にも、外部回路や外部電源と接続するための電極
が複数設けられた入出力端子部を形成する。
らを相補的に組み合わせたCMOS回路を有する駆動回路902と、1つの画素内にnチ
ャネル型TFT903またはpチャネル型TFT904を複数備えた画素部901を形成
することができる。
9bを形成する。ここでは、スパッタ法により200nmの窒化シリコン膜809bを成
膜する。
形成された接続電極841に達するコンタクトホールを形成する。次いで、接続電極84
1に接して重なるよう画素電極834を形成する。本実施例では、画素電極834は有機
発光素子の陽極として機能させ、有機発光素子の発光を画素電極及び基板に通過させるた
め、透明導電膜とする。
はスパッタ法により珪素を含む絶縁膜で形成し、パターニングすれば良い。また、無機絶
縁物842に代えて、有機絶縁物からなるバンクを形成してもよい。
び有機発光素子の陰極844を形成する。EL層843の成膜方法としては、インクジェ
ット法や、蒸着法や、スピンコーティング法などにより形成すればよい。
L層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例え
ば、低分子系有機EL材料や高分子系有機EL材料を用いればよい。また、EL層として
一重項励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレット化合物)からなる薄膜、また
は三重項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプレット化合物)からなる薄膜を
用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用い
ることも可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができ
る。
族もしくは2族に属する金属元素)や、これらを含む合金を用いることが好ましいとされ
ている。仕事関数が小さければ小さいほど発光効率が向上するため、中でも、陰極に用い
る材料としては、アルカリ金属の一つであるLi(リチウム)を含む合金材料が望ましい
。
法により窒化珪素または酸化窒化珪素を主成分とする絶縁膜を形成すればよく、保護膜8
46の膜応力を緩和するために、バッファ層845を設けることが好ましい。保護膜84
6によって外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを
防ぐ。バッファ層845としては、スパッタ法により酸化珪素または酸化窒化珪素を主成
分とする絶縁膜を形成すればよく、成膜の際、844からの不純物の混入から保護膜を防
ぐこともできる。ただし、後でFPCと接続する必要のある入出力端子部には保護膜など
は設けなくともよい。
03と、有機発光素子に電流を供給するTFT(電流制御用TFT904)とを示したが
、該TFTのゲート電極の先には複数のTFTなどからなる様々な回路を設けてもよく、
特に限定されないことは言うまでもない。
、或いは封止缶で封入することにより、有機発光素子を外部から完全に遮断し、外部から
水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい
。
ト)を貼りつける。異方性導電材は、樹脂と、表面にAuなどがメッキされた数十〜数百
μm径の導電性粒子とから成り、導電性粒子により入出力端子部の各電極とFPCに形成
された配線とが電気的に接続する。
タ421を設けることによって円偏光板は必要となくなる。さらに、必要があれば、他の
光学フィルムを設けてもよい。また、ICチップなどを実装させてもよい。
きる。
び断面図を示す。
断した断面図である。図7(A)において、基板400(例えば、耐熱性ガラス等)に、
下地絶縁膜401が設けられ、その上に画素部402、ソース側駆動回路404、及びゲ
ート側駆動回路403を形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例1に
従えば得ることができる。
。また、接着剤を用いてカバー材420で封止する。カバー材420は、封止基板(ガラ
ス基板、プラスチック基板など)を用い、EL層とカバー材の空隙には、不活性ガスを封
入すればよい。カバー材420には両面テープなどで乾燥剤を設けてもよい。
を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキ
ット)409からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示
されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良
い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはP
WBが取り付けられた状態をも含むものとする。
膜401が設けられ、絶縁膜401の上方には画素部402、ゲート側駆動回路403が
形成されており、画素部402は電流制御用TFT411とそのドレインに電気的に接続
された画素電極412を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路40
3はnチャネル型TFT413とpチャネル型TFT414とを組み合わせたCMOS回
路を用いて形成される。
FT、上記実施例1のpチャネル型TFTに従って作製すればよい。図7では、有機発光
素子に電流を供給するTFT(電流制御用TFT411)のみを示したが、該TFTのゲ
ート電極の先には複数のTFTなどからなる様々な回路を設けてもよく、特に限定されな
いことは言うまでもない。
ート側駆動回路403形成する。
12の両端には無機絶縁物415が形成され、画素電極412上には有機化合物層416
および発光素子の陽極417が形成される。
せて有機化合物層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれ
ば良い。
09に電気的に接続されている。さらに、画素部402及びゲート側駆動回路403に含
まれる素子は全て保護膜419で覆われている。
FPC)が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マ
スクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、CVD装置でマスキングテープ
として用いるテフロン(登録商標)等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が
成膜されないようにしてもよい。保護膜419として、窒化珪素膜、DLC膜、またはA
lNXOY膜を用いればよい。
ら完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を
促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ること
ができる。また、EL層の成膜から封入までの工程を図4に示す装置を用いて行ってもよ
い。
構成としてもよい。図8にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。
れ、絶縁膜610の上方には画素部602、ゲート側駆動回路603が形成されており、
画素部602は電流制御用TFT611とそのドレインに電気的に接続された画素電極6
12を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路603はnチャネル型
TFT613とpチャネル型TFT614とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成さ
れる。
FT、上記実施例5のpチャネル型TFTに従って作製すればよい。なお、図8では、有
機発光素子に電流を供給するTFT(電流制御用TFT611)のみを示したが、該TF
Tのゲート電極の先には複数のTFTなどからなる様々な回路を設けてもよく、特に限定
されないことは言うまでもない。
12の両端には無機絶縁物615が形成され、画素電極612上には有機化合物層616
および発光素子の陰極617が形成される。
09に電気的に接続されている。さらに、画素部602及びゲート側駆動回路603に含
まれる素子は全て保護膜619で覆われている。ここでは図示しないが、実施の形態2に
示したように保護膜619を形成する前にバッファ層を設けることが好ましい。ここでは
透明導電膜からなる陰極617上にスパッタ法でバッファ層となる酸化珪素膜と、保護膜
となる窒化珪素膜とを順次成膜する。
を高めるため、上記実施の形態1に示したように各画素に対応するカラーフィルタ621
が設けられている。このカラーフィルタ621を設けることによって、円偏光板を設ける
必要がなくなる。さらに、カバー材620には乾燥剤を設置してもよい。
は図8に示す矢印の方向となっている。
発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型(逆スタガ型)TFTや順スタ
ガ型TFTに適用することが可能である。
合わせることができる。
型ELモジュール)を完成することができる。即ち、本発明を実施することによって、そ
れらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコン
ピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙
げられる。それらの一例を図9、図10に示す。
部2003、キーボード2004等を含む。
、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。
メラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。
2303等を含む。
ーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、操
作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Digt
ial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲーム
やインターネットを行うことができる。
、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD
、イメージセンサ等)2907等を含む。
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。
等を含む。
インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには
、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
用することが可能である。また、本実施例の電子機器は、実施の形態1実施の形態2、実
施例1、または実施例2のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することが
できる。
Claims (9)
- 第1の電極及び第2の電極と、
前記第1の電極の端部、前記第2の電極の端部、及び前記第1の電極の端部と前記第2の電極の端部の間の領域を覆う絶縁物と、
前記第1の電極上及び前記絶縁物上の第1の発光層と、
前記第2の電極上及び前記絶縁物上の第2の発光層と、
前記第1の発光層上及び前記第2の発光層上に第3の電極と、
前記第3の電極上に第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜と、が設けられた第1の基板と、
前記第1の基板と対向し、かつ、カラーフィルタと遮光部とが設けられた第2の基板と、を有し、
前記第1の発光層は赤色を発光し、
前記第2の発光層は緑色を発光し、
前記絶縁物上で前記第1の発光層の一部の上に前記第2の発光層の一部が重なっており、
前記第1の絶縁膜は酸化珪素、酸化窒化珪素、又は窒化珪素を有し、
前記第2の絶縁膜は窒化珪素又は窒化酸化珪素を有し、
前記第1の絶縁膜の応力は、前記第2の絶縁膜の応力よりも小さく、
前記カラーフィルタは、
前記赤色の発光層と対向して設けられた赤色の着色層と、
前記緑色の発光層と対向して設けられた緑色の着色層と、を有し、
前記遮光部は、前記赤色の着色層と前記緑色の着色層の間に設けられ、かつ、前記絶縁物上で前記第1の発光層の一部と前記第2の発光層の一部が重なる領域と対向することを特徴とする発光装置。 - 第1の電極及び第2の電極と、
前記第1の電極の端部、前記第2の電極の端部、及び前記第1の電極の端部と前記第2の電極の端部の間の領域を覆う絶縁物と、
前記第1の電極上及び前記絶縁物上の第1の発光層と、
前記第2の電極上及び前記絶縁物上の第2の発光層と、
前記第1の発光層上及び前記第2の発光層上に第3の電極と、
前記第3の電極上に第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜と、が設けられた第1の基板と、
前記第1の基板と対向し、かつ、カラーフィルタと遮光部とが設けられた第2の基板と、を有し、
前記第1の発光層は緑色を発光し、
前記第2の発光層は青色を発光し、
前記絶縁物上で前記第1の発光層の一部の上に前記第2の発光層の一部が重なっており、
前記第1の絶縁膜は酸化珪素、酸化窒化珪素、又は窒化珪素を有し、
前記第2の絶縁膜は窒化珪素又は窒化酸化珪素を有し、
前記第1の絶縁膜の応力は、前記第2の絶縁膜の応力よりも小さく、
前記カラーフィルタは、
前記緑色の発光層と対向して設けられた緑色の着色層と、
前記青色の発光層と対向して設けられた青色の着色層と、を有し、
前記遮光部は、前記緑色の着色層と前記青色の着色層の間に設けられ、かつ、前記絶縁物上で前記第1の発光層の一部と前記第2の発光層の一部が重なる領域と対向することを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は2において、
前記絶縁物は、有機樹脂を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、ITOを含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記第3の電極は、Mg及びAgを含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記遮光部は、有機材料を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一に記載の発光装置を有することを特徴とするモジュール。
- 請求項1乃至6のいずれか一に記載の発光装置とFPCとを有することを特徴とするモジュール。
- 請求項1乃至6のいずれか一に記載の発光装置、請求項7に記載のモジュール、又は請求項8に記載のモジュールを有することを特徴とする電子機器。
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