JP2001222023A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細でも均一表示が可能で、使用温度範囲
も広くする。 【解決手段】 ＭＩＭ駆動方式のアクティブマトリクス
で、信号配線１２ａの上に絶縁膜を介して信号配線１２
ｂを形成しておく。各画素電極１７と、信号配線１２
ａ，１２ｂとの間には、２端子非線形素子としてＭＩＭ
素子１６ａ，１６ｂをそれぞれ形成する。ＭＩＭ素子１
６ａ，１６ｂの使用温度範囲を変えておけば、駆動信号
を印加する信号配線１２ａ，１２ｂを選択することによ
って、ＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂを切換えて画素電極１
７を駆動することができ、使用温度範囲を広げることが
できる。信号内線１２ａ，１２ｂおよび／またはＭＩＭ
素子１６ａ，１６ｂの抵抗値が各画素電極１７まで同等
となるように調整して、表示むらを抑えて、均一表示を
行わせることができる。
も広くする。 【解決手段】 ＭＩＭ駆動方式のアクティブマトリクス
で、信号配線１２ａの上に絶縁膜を介して信号配線１２
ｂを形成しておく。各画素電極１７と、信号配線１２
ａ，１２ｂとの間には、２端子非線形素子としてＭＩＭ
素子１６ａ，１６ｂをそれぞれ形成する。ＭＩＭ素子１
６ａ，１６ｂの使用温度範囲を変えておけば、駆動信号
を印加する信号配線１２ａ，１２ｂを選択することによ
って、ＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂを切換えて画素電極１
７を駆動することができ、使用温度範囲を広げることが
できる。信号内線１２ａ，１２ｂおよび／またはＭＩＭ
素子１６ａ，１６ｂの抵抗値が各画素電極１７まで同等
となるように調整して、表示むらを抑えて、均一表示を
行わせることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＩＭ（Metal In
sulator Metal）などの２端子非線形素子で形成するア
クティブマトリクスで駆動される液晶表示装置に関す
る。
sulator Metal）などの２端子非線形素子で形成するア
クティブマトリクスで駆動される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型および軽量である特徴から、パーソナルコンピュー
タ、ワードプロセッサ、オフィスオートメーション用の
端末表示装置、テレビジョンの映像表示装置などの表示
用途に広く用いられている。特に今後は携帯情報端末装
置の画像表示用として、液晶表示装置が多く使用される
と考えられる。携帯情報端末装置の１つとしては、電子
ブックがあり、紙を製本して形成する従来の本の代りと
なるデバイスである。このデバイスに用いる液晶表示装
置としての目標の仕様は、画面サイズの大きさは６イン
チ〜７インチ程度であり、精細度は１０２４×７６８ド
ットのＸＧＡ程度、使用温度範囲は−２０〜７０℃程度
である。なお、ＭＩＭ駆動方式を用いるアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、たとえば特開昭５９−８３１
９０号公報および特開平９−５４３４４号公報などに開
示されている。
型および軽量である特徴から、パーソナルコンピュー
タ、ワードプロセッサ、オフィスオートメーション用の
端末表示装置、テレビジョンの映像表示装置などの表示
用途に広く用いられている。特に今後は携帯情報端末装
置の画像表示用として、液晶表示装置が多く使用される
と考えられる。携帯情報端末装置の１つとしては、電子
ブックがあり、紙を製本して形成する従来の本の代りと
なるデバイスである。このデバイスに用いる液晶表示装
置としての目標の仕様は、画面サイズの大きさは６イン
チ〜７インチ程度であり、精細度は１０２４×７６８ド
ットのＸＧＡ程度、使用温度範囲は−２０〜７０℃程度
である。なお、ＭＩＭ駆動方式を用いるアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、たとえば特開昭５９−８３１
９０号公報および特開平９−５４３４４号公報などに開
示されている。
【０００３】図９および図１０は、従来からのＭＩＭ駆
動方式によるアクティブマトリクス型液晶表示装置の部
分的構成を示す。図９は１画素に関連する平面構成を示
し、図１０は図９の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面構成を
拡大して示す。電気絶縁性のガラス基板１上にはスパッ
タリング法などによって、信号配線２および下部電極３
となるタンタル（Ｔａ）薄膜を厚み３０００オングスト
ロームとなるように積層する。フォトリソグラフィ法に
よって、所定の形状にパターニングして信号配線２およ
び下部電極３が形成される。その後、下部電極３の表面
に陽極酸化法を施して、厚み６００オングストロームの
五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る絶縁膜４を形成す
る。次にこの状態の基板全面に、スパッタリング法など
によって上部電極５となるチタン（Ｔｉ）を厚みが４０
００オングストロームとなるように積層し、フォトリソ
グラフィ法によって所定の形状にパターニングして上部
電極５を形成する。下部電極３、絶縁膜４および上部電
極５によって、１つのＭＩＭ素子６が形成される。
動方式によるアクティブマトリクス型液晶表示装置の部
分的構成を示す。図９は１画素に関連する平面構成を示
し、図１０は図９の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面構成を
拡大して示す。電気絶縁性のガラス基板１上にはスパッ
タリング法などによって、信号配線２および下部電極３
となるタンタル（Ｔａ）薄膜を厚み３０００オングスト
ロームとなるように積層する。フォトリソグラフィ法に
よって、所定の形状にパターニングして信号配線２およ
び下部電極３が形成される。その後、下部電極３の表面
に陽極酸化法を施して、厚み６００オングストロームの
五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る絶縁膜４を形成す
る。次にこの状態の基板全面に、スパッタリング法など
によって上部電極５となるチタン（Ｔｉ）を厚みが４０
００オングストロームとなるように積層し、フォトリソ
グラフィ法によって所定の形状にパターニングして上部
電極５を形成する。下部電極３、絶縁膜４および上部電
極５によって、１つのＭＩＭ素子６が形成される。
【０００４】さらに透過型の場合、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）などから成る透明電極膜を積層し、これをパタ
ーニングして画素電極７を形成する。反射型の場合は、
ＩＴＯなどの代りに、アルミニウム（Ａｌ）などから成
る反射電極膜を積層し、これをパターニングして反射画
素電極とするか、ＩＴＯなどの透明の画素電極７を形成
した後、ガラス基板１の裏面全体に反射板を貼付ける。
画素電極７は、複数がマトリクス状に形成され、信号配
線２は、ＭＩＭ素子６を介して各画素電極７を選択的に
駆動し得るように引回される。もう１つのガラス基板上
にも画素電極を形成し、画素電極が形成されている表面
同士が対向する状態で、中間に液晶層を介在させ、液晶
表示装置が形成される。
Oxide）などから成る透明電極膜を積層し、これをパタ
ーニングして画素電極７を形成する。反射型の場合は、
ＩＴＯなどの代りに、アルミニウム（Ａｌ）などから成
る反射電極膜を積層し、これをパターニングして反射画
素電極とするか、ＩＴＯなどの透明の画素電極７を形成
した後、ガラス基板１の裏面全体に反射板を貼付ける。
画素電極７は、複数がマトリクス状に形成され、信号配
線２は、ＭＩＭ素子６を介して各画素電極７を選択的に
駆動し得るように引回される。もう１つのガラス基板上
にも画素電極を形成し、画素電極が形成されている表面
同士が対向する状態で、中間に液晶層を介在させ、液晶
表示装置が形成される。
【０００５】図１１は、ＭＩＭ駆動法を用いるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置で１画素あたりの等価的な
電気回路としての構成と、ＭＩＭ素子としての電圧−電
流特性を示す。図１１（ａ）に示す画素あたりの等価回
路では、液晶層による抵抗Ｒ LCとコンデンサＣLCとの並
列回路に対して、ＭＩＭ素子による抵抗ＲMIMおよびコ
ンデンサＣMIMの並列回路が、直列に接続される。駆動
電圧ＶをＭＩＭ素子６を介して液晶層に印加すると、液
晶層にはＶLCが印加され、ＭＩＭ素子にはＶMI Mが印加
される。ＭＩＭ素子は、図１１（ｂ）に示すような電圧
−電流特性を有する。ＭＩＭ素子６の両端の電圧ＶMIM
が、図１１（ｂ）に示す閾値電圧ＶTHに達するまではＭ
ＩＭ素子６は非常に大きな抵抗値を有し、電流はほとん
ど流れない。印加電圧ＶMIMの絶対値が閾値ＶTHを超え
ると、ＭＩＭ素子６の抵抗値が小さくなり、液晶層に印
加される電圧ＶLCが上昇して、液晶層中での液晶の配列
状態が変化する電界が生じる。
ブマトリクス型液晶表示装置で１画素あたりの等価的な
電気回路としての構成と、ＭＩＭ素子としての電圧−電
流特性を示す。図１１（ａ）に示す画素あたりの等価回
路では、液晶層による抵抗Ｒ LCとコンデンサＣLCとの並
列回路に対して、ＭＩＭ素子による抵抗ＲMIMおよびコ
ンデンサＣMIMの並列回路が、直列に接続される。駆動
電圧ＶをＭＩＭ素子６を介して液晶層に印加すると、液
晶層にはＶLCが印加され、ＭＩＭ素子にはＶMI Mが印加
される。ＭＩＭ素子は、図１１（ｂ）に示すような電圧
−電流特性を有する。ＭＩＭ素子６の両端の電圧ＶMIM
が、図１１（ｂ）に示す閾値電圧ＶTHに達するまではＭ
ＩＭ素子６は非常に大きな抵抗値を有し、電流はほとん
ど流れない。印加電圧ＶMIMの絶対値が閾値ＶTHを超え
ると、ＭＩＭ素子６の抵抗値が小さくなり、液晶層に印
加される電圧ＶLCが上昇して、液晶層中での液晶の配列
状態が変化する電界が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、電子ブ
ック用の液晶表示装置は、パネル画面サイズで５〜７イ
ンチ、ＸＧＡ相当の高精細、使用温度範囲−２０〜７０
℃の仕様である。この画面サイズでＸＧＡ級の精細度と
なると、引回し電極の配線抵抗および電荷書込み時間が
問題になる。配線抵抗が大きくなると、印加信号のなま
りが大きくなり、駆動電圧Ｖの高電圧化が必要となる。
また、アクティブマトリクスを駆動する端子の近傍から
離れると、各画素ごとのＭＩＭ素子までの配線抵抗が大
きくなるので、抵抗の差が生じた場所に対応して、液晶
表示装置として使用する際のパネル点灯特性が異なって
くる。このため、表示むらなどが発生する。特開昭５９
−８３１９０号公報に記載の液晶表示装置では、一対の
端子電極から相互に反対方向に延びる信号配線を対向さ
せており、２つの信号配線と各画素電極との間にはそれ
ぞれＭＩＭ素子を接続することが開示されている。しか
しながら、前記公報に記載の液晶表示装置は、画素欠陥
修正を行うことを目的としているため、２つの信号配線
の一方のみからＭＩＭ素子を通して画素電極に駆動信号
を供給し、一方の信号配線に接続されたＭＩＭ素子に欠
陥があったときのみ、もう一方の信号配線から駆動信号
を供給している。すなわち、２つの信号配線の両方から
画素電極に駆動信号が供給されることは一切開示されて
いないため、表示むらなどの発生を防止することはでき
ない。
ック用の液晶表示装置は、パネル画面サイズで５〜７イ
ンチ、ＸＧＡ相当の高精細、使用温度範囲−２０〜７０
℃の仕様である。この画面サイズでＸＧＡ級の精細度と
なると、引回し電極の配線抵抗および電荷書込み時間が
問題になる。配線抵抗が大きくなると、印加信号のなま
りが大きくなり、駆動電圧Ｖの高電圧化が必要となる。
また、アクティブマトリクスを駆動する端子の近傍から
離れると、各画素ごとのＭＩＭ素子までの配線抵抗が大
きくなるので、抵抗の差が生じた場所に対応して、液晶
表示装置として使用する際のパネル点灯特性が異なって
くる。このため、表示むらなどが発生する。特開昭５９
−８３１９０号公報に記載の液晶表示装置では、一対の
端子電極から相互に反対方向に延びる信号配線を対向さ
せており、２つの信号配線と各画素電極との間にはそれ
ぞれＭＩＭ素子を接続することが開示されている。しか
しながら、前記公報に記載の液晶表示装置は、画素欠陥
修正を行うことを目的としているため、２つの信号配線
の一方のみからＭＩＭ素子を通して画素電極に駆動信号
を供給し、一方の信号配線に接続されたＭＩＭ素子に欠
陥があったときのみ、もう一方の信号配線から駆動信号
を供給している。すなわち、２つの信号配線の両方から
画素電極に駆動信号が供給されることは一切開示されて
いないため、表示むらなどの発生を防止することはでき
ない。
【０００７】また高精細化によって、ＤＵＴＹ比が高く
なると、１画素あたりの電荷を書込む時間が短くなる。
これによって、特にＭＩＭ素子６のＯＮ特性が悪くな
る。各画素電極あたり１つずつＭＩＭ素子６が設けられ
ているアクティブマトリクスパネルでは、使用可能な温
度範囲は０〜６０℃、もしくは−２０〜４０℃程度であ
り、６０℃以上の範囲にわたる広範囲な温度範囲での使
用を行うことができない。特開平９−５４３４４号公報
に記載の液晶表示装置では、１つの画素電極に対して、
Ｉ−Ｖ特性の異なる２つのＭＩＭ素子を接続することが
開示されている。しかしながら、該公報に記載の液晶表
示装置は、液晶ｏｎ電圧と液晶ｏｆｆ電圧とを別々のＭ
ＩＭ素子を通して画素電極に印加している。すなわち、
２つのＭＩＭ素子を温度範囲に応じて使用することは一
切開示されていないため、広範囲な温度範囲での使用を
行うことができない。
なると、１画素あたりの電荷を書込む時間が短くなる。
これによって、特にＭＩＭ素子６のＯＮ特性が悪くな
る。各画素電極あたり１つずつＭＩＭ素子６が設けられ
ているアクティブマトリクスパネルでは、使用可能な温
度範囲は０〜６０℃、もしくは−２０〜４０℃程度であ
り、６０℃以上の範囲にわたる広範囲な温度範囲での使
用を行うことができない。特開平９−５４３４４号公報
に記載の液晶表示装置では、１つの画素電極に対して、
Ｉ−Ｖ特性の異なる２つのＭＩＭ素子を接続することが
開示されている。しかしながら、該公報に記載の液晶表
示装置は、液晶ｏｎ電圧と液晶ｏｆｆ電圧とを別々のＭ
ＩＭ素子を通して画素電極に印加している。すなわち、
２つのＭＩＭ素子を温度範囲に応じて使用することは一
切開示されていないため、広範囲な温度範囲での使用を
行うことができない。
【０００８】本発明の目的は、高精細なパネルにおいて
も均一な表示を行うことができ、さらに広い温度範囲で
使用することができる液晶表示装置を提供することであ
る。
も均一な表示を行うことができ、さらに広い温度範囲で
使用することができる液晶表示装置を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を挟む
基板上に、マトリクス状に配置される画素電極を、２端
子非線形素子で選択的に駆動する液晶表示装置であっ
て、各画素電極ごとに、異なる温度範囲で個別的に駆動
可能な複数の２端子非線形素子を有することを特徴とす
る液晶表示装置である。
基板上に、マトリクス状に配置される画素電極を、２端
子非線形素子で選択的に駆動する液晶表示装置であっ
て、各画素電極ごとに、異なる温度範囲で個別的に駆動
可能な複数の２端子非線形素子を有することを特徴とす
る液晶表示装置である。
【００１０】本発明に従えば、２端子非線形素子で画素
電極を選択的に駆動して、液晶表示装置での表示が行わ
れる。液晶表示装置は、画素電極ごとに複数の２端子非
線形素子を有する。各２端子非線形素子は特性が異な
り、使用温度範囲に応じて個別的に駆動可能であるの
で、複数の２端子非線形素子を組合わせて、広い温度範
囲での使用を可能にすることができる。
電極を選択的に駆動して、液晶表示装置での表示が行わ
れる。液晶表示装置は、画素電極ごとに複数の２端子非
線形素子を有する。各２端子非線形素子は特性が異な
り、使用温度範囲に応じて個別的に駆動可能であるの
で、複数の２端子非線形素子を組合わせて、広い温度範
囲での使用を可能にすることができる。
【００１１】また本発明は、前記各画素電極ごとに、予
め定める基準電圧での電流が、予め定める第１の基準値
以上である第１の２端子非線形素子と、第１の基準値よ
りも小さい第２の基準値以下の第２の２端子非線形素子
とを有することを特徴とする。
め定める基準電圧での電流が、予め定める第１の基準値
以上である第１の２端子非線形素子と、第１の基準値よ
りも小さい第２の基準値以下の第２の２端子非線形素子
とを有することを特徴とする。
【００１２】本発明に従えば、各画素電極ごとに、第１
の２端子非線形素子と第２の２端子非線形素子とが設け
られる。第１の２端子非線形素子は、予め定める基準電
圧での電流が、第１の基準値以上であり、第２の２端子
非線形素子は、基準電圧での電流が、第１の基準値より
も小さい第２の基準値以下となるように形成される。比
較的高い温度範囲では、第２の２端子非線形素子を使用
し、比較的低い温度範囲では第１の２端子非線形素子を
使用するようにすれば、全体として広い温度範囲にわた
って使用可能にする。
の２端子非線形素子と第２の２端子非線形素子とが設け
られる。第１の２端子非線形素子は、予め定める基準電
圧での電流が、第１の基準値以上であり、第２の２端子
非線形素子は、基準電圧での電流が、第１の基準値より
も小さい第２の基準値以下となるように形成される。比
較的高い温度範囲では、第２の２端子非線形素子を使用
し、比較的低い温度範囲では第１の２端子非線形素子を
使用するようにすれば、全体として広い温度範囲にわた
って使用可能にする。
【００１３】また本発明は、液晶層を挟む基板上に、マ
トリクス状に配置される画素電極を、２端子非線形素子
で選択的に駆動する液晶表示装置であって、画素電極に
駆動信号を供給するための信号配線と、信号配線の端部
に設けられた端子電極とを有し、端子電極と各画素電極
との間の信号配線の抵抗値に応じて、各画素電極に対応
する２端子非線形素子の抵抗値が調整されていることを
特徴とする液晶表示装置である。
トリクス状に配置される画素電極を、２端子非線形素子
で選択的に駆動する液晶表示装置であって、画素電極に
駆動信号を供給するための信号配線と、信号配線の端部
に設けられた端子電極とを有し、端子電極と各画素電極
との間の信号配線の抵抗値に応じて、各画素電極に対応
する２端子非線形素子の抵抗値が調整されていることを
特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】本発明に従えば、液晶表示装置で液晶の画
素電極を選択的に駆動するための２端子非線形素子の抵
抗値を、表示のための電圧を印加する際の電圧降下の差
が画素間で小さくなるように調整しておくので、信号配
線の長さによる抵抗値の違いの影響を吸収し、表示むら
の少ない表示が可能となる。
素電極を選択的に駆動するための２端子非線形素子の抵
抗値を、表示のための電圧を印加する際の電圧降下の差
が画素間で小さくなるように調整しておくので、信号配
線の長さによる抵抗値の違いの影響を吸収し、表示むら
の少ない表示が可能となる。
【００１５】また本発明は、液晶層を挟む基板上に、マ
トリクス状に配置される画素電極を、２端子非線形素子
で選択的に駆動する液晶表示装置であって、各画素電極
ごとに設けられた第１および第２の２端子非線形素子
と、第１の２端子非線形素子を介して画素電極に駆動信
号を供給するための第１の信号配線と、第２の２端子非
線形素子を介して画素電極に駆動信号を供給するための
第２の信号配線と、第１の信号配線の端部に設けられた
第１の端子電極と、第２の信号配線の端部に設けられた
第２の端子電極とを有し、第１の端子電極から第１の２
端子非線形素子までの第１の信号配線と、第２の端子電
極から第２の２端子非線形素子までの第２の信号配線と
の合計抵抗値は、各画素電極でほぼ同一となるように形
成され、かつ各画素電極は第１および第２の信号配線の
両方から駆動信号が供給されることを特徴とする液晶表
示装置である。
トリクス状に配置される画素電極を、２端子非線形素子
で選択的に駆動する液晶表示装置であって、各画素電極
ごとに設けられた第１および第２の２端子非線形素子
と、第１の２端子非線形素子を介して画素電極に駆動信
号を供給するための第１の信号配線と、第２の２端子非
線形素子を介して画素電極に駆動信号を供給するための
第２の信号配線と、第１の信号配線の端部に設けられた
第１の端子電極と、第２の信号配線の端部に設けられた
第２の端子電極とを有し、第１の端子電極から第１の２
端子非線形素子までの第１の信号配線と、第２の端子電
極から第２の２端子非線形素子までの第２の信号配線と
の合計抵抗値は、各画素電極でほぼ同一となるように形
成され、かつ各画素電極は第１および第２の信号配線の
両方から駆動信号が供給されることを特徴とする液晶表
示装置である。
【００１６】本発明に従えば、液晶表示装置で第１の端
子電極から第１の２端子非線形素子までの第１の信号配
線と、第２の端子電極から第２の２端子非線形素子まで
の第２の信号配線の合計抵抗値が各画素電極でほぼ同一
となるように形成され、各画素電極は第１および第２の
信号配線の両方から駆動信号が供給されているので、端
子電極から各画素電極までの第１および第２の信号配線
の距離の合計が等しくなり、第１および第２の信号配線
に供給される駆動信号の電圧降下の影響を各画素電極で
同等とし、表示むらなどを少なくすることができる。
子電極から第１の２端子非線形素子までの第１の信号配
線と、第２の端子電極から第２の２端子非線形素子まで
の第２の信号配線の合計抵抗値が各画素電極でほぼ同一
となるように形成され、各画素電極は第１および第２の
信号配線の両方から駆動信号が供給されているので、端
子電極から各画素電極までの第１および第２の信号配線
の距離の合計が等しくなり、第１および第２の信号配線
に供給される駆動信号の電圧降下の影響を各画素電極で
同等とし、表示むらなどを少なくすることができる。
【００１７】また本発明は、液晶層を挟む基板上に、マ
トリクス状に配置される画素電極を、２端子非線形素子
で選択的に駆動する液晶表示装置であって、駆動信号が
与えられる端子電極と、端子電極から一方に延びるよう
に形成された第１の信号配線と、第１の信号配線上に形
成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第２の信号配
線とを有し、第１の信号配線と第２の信号配線は複数箇
所の導電部で接続され、かつ端子電極と各画素電極との
間の第１および第２の信号配線の抵抗値に応じて、複数
箇所の導電部の抵抗値が調整されていることを特徴とす
る液晶表示装置である。
トリクス状に配置される画素電極を、２端子非線形素子
で選択的に駆動する液晶表示装置であって、駆動信号が
与えられる端子電極と、端子電極から一方に延びるよう
に形成された第１の信号配線と、第１の信号配線上に形
成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第２の信号配
線とを有し、第１の信号配線と第２の信号配線は複数箇
所の導電部で接続され、かつ端子電極と各画素電極との
間の第１および第２の信号配線の抵抗値に応じて、複数
箇所の導電部の抵抗値が調整されていることを特徴とす
る液晶表示装置である。
【００１８】本発明に従えば、液晶表示装置で第１の信
号配線上に形成される絶縁膜上に形成される第２の信号
配線を複数の箇所で第１の信号配線と接続させ、端子電
極から各画素電極の２端子非線形素子までの抵抗値を各
画素ごとに同等になるように調整することができる。こ
れによって、各画素電極に印加される信号波形の違いが
少なくなり、表示むらなどを小さくすることができる。
号配線上に形成される絶縁膜上に形成される第２の信号
配線を複数の箇所で第１の信号配線と接続させ、端子電
極から各画素電極の２端子非線形素子までの抵抗値を各
画素ごとに同等になるように調整することができる。こ
れによって、各画素電極に印加される信号波形の違いが
少なくなり、表示むらなどを小さくすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の第１形態
としての液晶表示装置１０のアクティブマトリクスにつ
いて、部分的な構成を示す。図１（ａ）は、１画素あた
りの平面構成を示し、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、
図１（ａ）の切断面線Ａ−ＡおよびＢ−Ｂから見た断面
構成をそれぞれ示す。図１（ｄ）は、信号配線１２ａお
よび下部電極１３ａ，１３ｂおよび１３ｃが形成された
基板状態を示す。図１（ｅ）は、図１（ｄ）の状態の基
板面に絶縁膜１４ａ，１４ｂおよび１４ｃが形成された
基板状態を示す。図１（ｆ）は、図１（ｅ）の状態の基
板面に上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃおよび１５ｄが
形成された基板状態を示す。ガラス基板１１上には、信
号配線１２ａおよび下部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
（図１（ｄ））がそれぞれ形成される。信号配線１２ａ
および下部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、ガラス基板
１１上に厚みが３０００オングストロームとなるように
積層されるタンタル薄膜を、フォトリソグラフィ法によ
って所定の形状にパターンニングして形成される。
としての液晶表示装置１０のアクティブマトリクスにつ
いて、部分的な構成を示す。図１（ａ）は、１画素あた
りの平面構成を示し、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、
図１（ａ）の切断面線Ａ−ＡおよびＢ−Ｂから見た断面
構成をそれぞれ示す。図１（ｄ）は、信号配線１２ａお
よび下部電極１３ａ，１３ｂおよび１３ｃが形成された
基板状態を示す。図１（ｅ）は、図１（ｄ）の状態の基
板面に絶縁膜１４ａ，１４ｂおよび１４ｃが形成された
基板状態を示す。図１（ｆ）は、図１（ｅ）の状態の基
板面に上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃおよび１５ｄが
形成された基板状態を示す。ガラス基板１１上には、信
号配線１２ａおよび下部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
（図１（ｄ））がそれぞれ形成される。信号配線１２ａ
および下部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、ガラス基板
１１上に厚みが３０００オングストロームとなるように
積層されるタンタル薄膜を、フォトリソグラフィ法によ
って所定の形状にパターンニングして形成される。
【００２０】信号配線１２ａおよび下部電極１３ａ，１
３ｂ，１３ｃの表面には、陽極酸化法によって、厚み６
００オングストロームの五酸化タンタルによる絶縁膜が
形成され、フォトリソグラフィ法によって所定の形状に
パターンニングして、下部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
（図１（ｅ））の上の絶縁膜１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
（図１（ｅ））がそれぞれ形成される。次に、この状態
の基板全面にスパッタリング法などによって基端を厚み
４０００オングストロームに積層し、フォトリソグラフ
ィ法によって所定の形状にパターンニングして上部電極
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ（図１（ｆ））および
信号配線１２ｂを形成する。これによって、ＭＩＭ素子
１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成される。さらに、ＩＴＯ
などから成る透明電極膜をスパッタリング法などによっ
て積層し、これをパターンニングして画素電極１７を形
成する。
３ｂ，１３ｃの表面には、陽極酸化法によって、厚み６
００オングストロームの五酸化タンタルによる絶縁膜が
形成され、フォトリソグラフィ法によって所定の形状に
パターンニングして、下部電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
（図１（ｅ））の上の絶縁膜１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
（図１（ｅ））がそれぞれ形成される。次に、この状態
の基板全面にスパッタリング法などによって基端を厚み
４０００オングストロームに積層し、フォトリソグラフ
ィ法によって所定の形状にパターンニングして上部電極
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ（図１（ｆ））および
信号配線１２ｂを形成する。これによって、ＭＩＭ素子
１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成される。さらに、ＩＴＯ
などから成る透明電極膜をスパッタリング法などによっ
て積層し、これをパターンニングして画素電極１７を形
成する。
【００２１】図２は、図１の液晶表示装置１０の全体と
しての断面構成を示す。ガラス基板１１でＭＩＭ素子１
６ａ，１６ｂや画素電極１７が形成されている面側に対
向して、対向基板１８が配置され、間隙には液晶層１９
が封入されて、液晶表示装置１０が形成される。液晶層
１９は、たとえばＴＮ（Twister Nematic）液晶であ
る。対向基板１８で、ガラス基板１１に対向する表面に
も電極が形成され、画素電極１７との間の電界強度を変
化させることによって、ＴＮ液晶の偏光特性を変化さ
せ、画像を表示することができる。
しての断面構成を示す。ガラス基板１１でＭＩＭ素子１
６ａ，１６ｂや画素電極１７が形成されている面側に対
向して、対向基板１８が配置され、間隙には液晶層１９
が封入されて、液晶表示装置１０が形成される。液晶層
１９は、たとえばＴＮ（Twister Nematic）液晶であ
る。対向基板１８で、ガラス基板１１に対向する表面に
も電極が形成され、画素電極１７との間の電界強度を変
化させることによって、ＴＮ液晶の偏光特性を変化さ
せ、画像を表示することができる。
【００２２】図３は、図１の液晶表示装置１０のアクテ
ィブマトリクスについて、端子電極部分の平面構成およ
び断面構成を示す。図３（ａ）は図１に示す信号配線１
２ａ，１２ｂの端部に形成される端子電極２０の平面構
成を示し、図３（ｂ）および図３（Ｃ）は図３（ａ）の
切断面線Ａ−ＡおよびＢ−Ｂから見た断面構成をそれぞ
れ示す。前述のように、ガラス基板１１上に形成される
信号配線１２ａの上には絶縁膜１４が形成される。ただ
し、絶縁膜１４で、信号配線の先端部分には、スルーホ
ール２１を形成しておく。次に、前述の図１（ｆ）のよ
うに上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃおよび１５ｄを形
成するためのチタンの積層時に信号配線１２ｂおよび導
電部２２を形成する。導電部２２は、絶縁膜１４の先端
部分に形成されているスルーホール２１内に形成し、信
号配線１２ａと電気的に接続された状態を保つ。さら
に、ＩＴＯなどの透明電極膜をスパッタリングして、パ
ターンニングすることによって、前述の画素電極１７を
形成すると同時に接続端子部２３ａ，２３ｂをそれぞれ
形成する。接続端子部２３ａは、導電部２２を介して下
側の信号配線１２ａと電気的に接続される。接続端子部
２３ｂは、上側の信号配線１２ｂに接続される。
ィブマトリクスについて、端子電極部分の平面構成およ
び断面構成を示す。図３（ａ）は図１に示す信号配線１
２ａ，１２ｂの端部に形成される端子電極２０の平面構
成を示し、図３（ｂ）および図３（Ｃ）は図３（ａ）の
切断面線Ａ−ＡおよびＢ−Ｂから見た断面構成をそれぞ
れ示す。前述のように、ガラス基板１１上に形成される
信号配線１２ａの上には絶縁膜１４が形成される。ただ
し、絶縁膜１４で、信号配線の先端部分には、スルーホ
ール２１を形成しておく。次に、前述の図１（ｆ）のよ
うに上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃおよび１５ｄを形
成するためのチタンの積層時に信号配線１２ｂおよび導
電部２２を形成する。導電部２２は、絶縁膜１４の先端
部分に形成されているスルーホール２１内に形成し、信
号配線１２ａと電気的に接続された状態を保つ。さら
に、ＩＴＯなどの透明電極膜をスパッタリングして、パ
ターンニングすることによって、前述の画素電極１７を
形成すると同時に接続端子部２３ａ，２３ｂをそれぞれ
形成する。接続端子部２３ａは、導電部２２を介して下
側の信号配線１２ａと電気的に接続される。接続端子部
２３ｂは、上側の信号配線１２ｂに接続される。
【００２３】図１に示すＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂは、
接続端子部２３ａ，２３ｂによってそれぞれ個別に駆動
することができる。一方のＭＩＭ素子１６ａの方が他方
のＭＩＭ素子１６ｂよりも導通時に低い抵抗を有すると
きには、高温側でＭＩＭ素子１６ｂを駆動し、低温側は
低抵抗のＭＩＭ素子１６ａを駆動するように使い分けれ
ば、広い温度範囲で使用可能な表示パネルなどを得るこ
とができる。すなわち、低温のときには、ＭＩＭ素子１
６ａを用いるために、接続端子部２３ａ→スルーホール
２１（導電部２２）→信号配線１２ａ→下部電極１３ａ
→絶縁膜１４ａ→上部電極１５ａ→画素電極１７の経路
でＭＩＭ素子１６ａを駆動する。使用温度範囲が高温の
ときには、接続端子部２３ｂ→信号配線１２ｂ→上部電
極１５ｂ→下部電極１３ｂ→絶縁膜１４ｂ→上部電極１
５ｃ→絶縁膜１４ｃ→下部電極１３ｃ→上部電極１５ｄ
→画素電極１７の経路でＭＩＭ素子１６ｂを介して画素
電極１７を駆動する。
接続端子部２３ａ，２３ｂによってそれぞれ個別に駆動
することができる。一方のＭＩＭ素子１６ａの方が他方
のＭＩＭ素子１６ｂよりも導通時に低い抵抗を有すると
きには、高温側でＭＩＭ素子１６ｂを駆動し、低温側は
低抵抗のＭＩＭ素子１６ａを駆動するように使い分けれ
ば、広い温度範囲で使用可能な表示パネルなどを得るこ
とができる。すなわち、低温のときには、ＭＩＭ素子１
６ａを用いるために、接続端子部２３ａ→スルーホール
２１（導電部２２）→信号配線１２ａ→下部電極１３ａ
→絶縁膜１４ａ→上部電極１５ａ→画素電極１７の経路
でＭＩＭ素子１６ａを駆動する。使用温度範囲が高温の
ときには、接続端子部２３ｂ→信号配線１２ｂ→上部電
極１５ｂ→下部電極１３ｂ→絶縁膜１４ｂ→上部電極１
５ｃ→絶縁膜１４ｃ→下部電極１３ｃ→上部電極１５ｄ
→画素電極１７の経路でＭＩＭ素子１６ｂを介して画素
電極１７を駆動する。
【００２４】図４は、本発明の実施の第２形態として、
図１の実施形態での２つのＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂを
使い分けて、使用温度範囲を広げる考え方を示す。９μ
ｍ2の面積を有するＭＩＭ素子１６ａは、５Ｖの電圧で
の電流値が２×１０-10Ａであり、使用可能温度は−２
０〜４０℃となる。２．２５μｍ2の面積を有するＭＩ
Ｍ素子１６ｂの電圧５Ｖでの電流値を５×１０-11Ａと
すると、使用可能温度は１０〜７０℃となる。そこで−
２０〜３０℃では第１の２端子非線形素子であるＭＩＭ
素子１６ａを駆動させ、３０〜７０℃の温度範囲では第
２の２端子非線形素子であるＭＩＭ素子１６ｂを駆動さ
せると、−２０〜７０℃の広い温度範囲で良好な表示を
行わせることができる。なお、本実施形態のようにして
使用温度範囲を広げる考え方は、３個以上の２端子非線
形素子を使用する場合にも適用することができる。ま
た、後述する各実施形態と組合せることもできる。
図１の実施形態での２つのＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂを
使い分けて、使用温度範囲を広げる考え方を示す。９μ
ｍ2の面積を有するＭＩＭ素子１６ａは、５Ｖの電圧で
の電流値が２×１０-10Ａであり、使用可能温度は−２
０〜４０℃となる。２．２５μｍ2の面積を有するＭＩ
Ｍ素子１６ｂの電圧５Ｖでの電流値を５×１０-11Ａと
すると、使用可能温度は１０〜７０℃となる。そこで−
２０〜３０℃では第１の２端子非線形素子であるＭＩＭ
素子１６ａを駆動させ、３０〜７０℃の温度範囲では第
２の２端子非線形素子であるＭＩＭ素子１６ｂを駆動さ
せると、−２０〜７０℃の広い温度範囲で良好な表示を
行わせることができる。なお、本実施形態のようにして
使用温度範囲を広げる考え方は、３個以上の２端子非線
形素子を使用する場合にも適用することができる。ま
た、後述する各実施形態と組合せることもできる。
【００２５】図５は、本発明の実施の第３形態としての
液晶表示装置３０のアクティブマトリクスについて、部
分的な構成を示す。図５（ａ）は、１つの端子電極３１
から延びる信号配線３２に関連する平面構成を示す。図
５（ｂ）および図５（ｃ）は、信号配線３２に沿って端
子電極３１に最も近い側と最も遠い側とで、それぞれの
構成を拡大して示す。図１の実施形態と同様に、信号配
線３２は、タンタル薄膜によって下部電極３３ａ１，３
３ａ２，…，３３ａｎと同時に形成される。下部電極３
３ａ１，３３ａ２，…，３３ａｎの上には絶縁膜を介し
て上部電極３５ａ１，３５ａ２，…，３５ａｎが積層さ
れ、ＭＩＭ素子３６ａ１，３６ａ２，…，３６ａｎがそ
れぞれ形成される。図５（ｂ）に示すように、端子電極
３１に最も近い側のＭＩＭ素子３６ａ１では、信号配線
３２から延びる下部電極３３ａ１の幅は狭く、かつ上部
電極３５ａ１の幅も狭い。これに対して、端子電極３１
から最も遠い側のＭＩＭ素子３６ａｎでは、下部電極３
３ａｎの幅も大きく、上部電極３５ａｎの幅も大きい。
液晶表示装置３０のアクティブマトリクスについて、部
分的な構成を示す。図５（ａ）は、１つの端子電極３１
から延びる信号配線３２に関連する平面構成を示す。図
５（ｂ）および図５（ｃ）は、信号配線３２に沿って端
子電極３１に最も近い側と最も遠い側とで、それぞれの
構成を拡大して示す。図１の実施形態と同様に、信号配
線３２は、タンタル薄膜によって下部電極３３ａ１，３
３ａ２，…，３３ａｎと同時に形成される。下部電極３
３ａ１，３３ａ２，…，３３ａｎの上には絶縁膜を介し
て上部電極３５ａ１，３５ａ２，…，３５ａｎが積層さ
れ、ＭＩＭ素子３６ａ１，３６ａ２，…，３６ａｎがそ
れぞれ形成される。図５（ｂ）に示すように、端子電極
３１に最も近い側のＭＩＭ素子３６ａ１では、信号配線
３２から延びる下部電極３３ａ１の幅は狭く、かつ上部
電極３５ａ１の幅も狭い。これに対して、端子電極３１
から最も遠い側のＭＩＭ素子３６ａｎでは、下部電極３
３ａｎの幅も大きく、上部電極３５ａｎの幅も大きい。
【００２６】下部電極３３ａ１，３３ａ２，…，３３ａ
ｎや上部電極３５ａ１，３５ａ２，…，３５ａｎの製法
は、図１の実施形態と同様に行われるけれども、端子電
極３１近傍のＭＩＭ素子３６ａ１は素子面積が小さいた
めに高抵抗となる。端子電極３１から遠いＭＩＭ素子３
６ａｎでは、素子面積が大きいので、低抵抗となる。端
子電極３１から各画素電極３７までの距離の違いを、Ｍ
ＩＭ素子３６ａ１，３６ａ２，…，３６ａｎの抵抗の差
で補正し、信号配線３２全体として、端子電極３１から
各画素電極３７までの信号配線３２の配線抵抗とＭＩＭ
素子３６ａ１，３６ａ２，…，３６ａｎの抵抗との合計
値を一定にすることによって、各画素電極３７に与えら
れる駆動用の信号波形をほぼ同一にして、表示むらを解
消することができる。ＭＩＭ素子３６ａ１の駆動電圧で
の素子抵抗をＲ36a1とし、ここまでの配線抵抗をゼロと
すると、ＭＩＭ素子３６ａ２の駆動電圧での素子抵抗で
あるＲ36a2は、ＡＢ間の配線抵抗ｒ分だけＲ36a1より小
さくなっている。すなわち、駆動電圧での合計抵抗値は
Ｒ36a1となる。なお、各ＭＩＭ素子３６は端子電極３１
から信号配線３２が延びる方向に等間隔で設定され、い
ずれの隣接するＭＩＭ素子間の配線抵抗も同じｒであ
る。順次このように素子抵抗を設定すると、ｎ個目の合
計抵抗値はＲ36an−（ｎ−１）ｒ＝Ｒ36a1となる。
ｎや上部電極３５ａ１，３５ａ２，…，３５ａｎの製法
は、図１の実施形態と同様に行われるけれども、端子電
極３１近傍のＭＩＭ素子３６ａ１は素子面積が小さいた
めに高抵抗となる。端子電極３１から遠いＭＩＭ素子３
６ａｎでは、素子面積が大きいので、低抵抗となる。端
子電極３１から各画素電極３７までの距離の違いを、Ｍ
ＩＭ素子３６ａ１，３６ａ２，…，３６ａｎの抵抗の差
で補正し、信号配線３２全体として、端子電極３１から
各画素電極３７までの信号配線３２の配線抵抗とＭＩＭ
素子３６ａ１，３６ａ２，…，３６ａｎの抵抗との合計
値を一定にすることによって、各画素電極３７に与えら
れる駆動用の信号波形をほぼ同一にして、表示むらを解
消することができる。ＭＩＭ素子３６ａ１の駆動電圧で
の素子抵抗をＲ36a1とし、ここまでの配線抵抗をゼロと
すると、ＭＩＭ素子３６ａ２の駆動電圧での素子抵抗で
あるＲ36a2は、ＡＢ間の配線抵抗ｒ分だけＲ36a1より小
さくなっている。すなわち、駆動電圧での合計抵抗値は
Ｒ36a1となる。なお、各ＭＩＭ素子３６は端子電極３１
から信号配線３２が延びる方向に等間隔で設定され、い
ずれの隣接するＭＩＭ素子間の配線抵抗も同じｒであ
る。順次このように素子抵抗を設定すると、ｎ個目の合
計抵抗値はＲ36an−（ｎ−１）ｒ＝Ｒ36a1となる。
【００２７】図６は、本発明の実施の第４形態としての
液晶表示装置４０のアクティブマトリクスについて、部
分的な構成を示す。本実施形態では、図５の実施形態で
１つの端子電極３１から１つの信号配線３２が延びる方
向に沿って複数の画素電極３７が配列され、端子電極３
１からの距離に従ってＭＩＭ素子３６ａ１，３６ａ２，
…，３６ａｎの抵抗値を調整して、端子電極３１から各
画素電極３７への配線抵抗を均一にしている代りに、一
対の端子電極４１ａ，４１ｂから相互に反対方向に延び
る信号配線４２ａ，４２ｂとを対向させている。
液晶表示装置４０のアクティブマトリクスについて、部
分的な構成を示す。本実施形態では、図５の実施形態で
１つの端子電極３１から１つの信号配線３２が延びる方
向に沿って複数の画素電極３７が配列され、端子電極３
１からの距離に従ってＭＩＭ素子３６ａ１，３６ａ２，
…，３６ａｎの抵抗値を調整して、端子電極３１から各
画素電極３７への配線抵抗を均一にしている代りに、一
対の端子電極４１ａ，４１ｂから相互に反対方向に延び
る信号配線４２ａ，４２ｂとを対向させている。
【００２８】信号配線４２ａ，４２ｂは平行であり、相
互に接近する方向に下部電極４３ａ１〜４３ａｎ，４３
ｂ１〜４３ｂｎがそれぞれ形成される。下部電極４３ａ
１〜４３ａｎ，４３ｂ１〜４３ｂｎ上には絶縁膜が形成
された後、さらに上部電極４５ａ１〜４５ａｎ，４５ｂ
１〜４５ｂｎが形成され、ＭＩＭ素子４６ａ１〜４６ａ
ｎ，４６ｂ１〜４６ｂｎが構成される。一方のＭＩＭ素
子４６ａ１〜４６ａｎは、信号配線４２ａと画素電極４
７との間に介在され、他方のＭＩＭ素子４６ｂ１〜４６
ｂｎは他方の信号配線４２ｂと画素電極４７との間に介
在される。これらの端子電極４１ａ，４１ｂ、信号配線
４２ａ，４２ｂ、下部電極４３ａ１〜４３ａｎ，４３ｂ
１〜４３ｂｎ、絶縁膜、上部電極４５ａ，４５ｂおよび
画素電極４７は、それぞれ前述の各実施形態と同様に形
成する。
互に接近する方向に下部電極４３ａ１〜４３ａｎ，４３
ｂ１〜４３ｂｎがそれぞれ形成される。下部電極４３ａ
１〜４３ａｎ，４３ｂ１〜４３ｂｎ上には絶縁膜が形成
された後、さらに上部電極４５ａ１〜４５ａｎ，４５ｂ
１〜４５ｂｎが形成され、ＭＩＭ素子４６ａ１〜４６ａ
ｎ，４６ｂ１〜４６ｂｎが構成される。一方のＭＩＭ素
子４６ａ１〜４６ａｎは、信号配線４２ａと画素電極４
７との間に介在され、他方のＭＩＭ素子４６ｂ１〜４６
ｂｎは他方の信号配線４２ｂと画素電極４７との間に介
在される。これらの端子電極４１ａ，４１ｂ、信号配線
４２ａ，４２ｂ、下部電極４３ａ１〜４３ａｎ，４３ｂ
１〜４３ｂｎ、絶縁膜、上部電極４５ａ，４５ｂおよび
画素電極４７は、それぞれ前述の各実施形態と同様に形
成する。
【００２９】前述のように対称的に配置された２本の信
号電極４２ａ，４２ｂにおいて、各端子電極４１ａ，４
１ｂからある画素電極４７までの信号配線の距離は、一
方の端子電極４１ａからの距離が大きければ、他方の端
子電極４１ｂからの距離は小さくなる。各画素電極４７
から２つの端子電極４１ａ，４１ｂまでの信号配線４２
ａ，４２ｂ上の距離の和は同一となる。この結果、端子
電極４１ａ，４１ｂから各画素電極４７までの信号配線
４２ａ，４２ｂ上の距離の差による配線抵抗の差は小さ
くなり、２つの端子電極４１ａ，４１ｂの両方から信号
が供給されるため、全体での表示むらを少なくすること
ができる。なお、特開昭５９−８３１９０号公報には、
図６と同様のアクティブマトリクスが示されているが、
２つの信号配線の両方からＭＩＭ素子に駆動信号が供給
されることは考慮されておらず、表示むらを少なくする
ことはできない。
号電極４２ａ，４２ｂにおいて、各端子電極４１ａ，４
１ｂからある画素電極４７までの信号配線の距離は、一
方の端子電極４１ａからの距離が大きければ、他方の端
子電極４１ｂからの距離は小さくなる。各画素電極４７
から２つの端子電極４１ａ，４１ｂまでの信号配線４２
ａ，４２ｂ上の距離の和は同一となる。この結果、端子
電極４１ａ，４１ｂから各画素電極４７までの信号配線
４２ａ，４２ｂ上の距離の差による配線抵抗の差は小さ
くなり、２つの端子電極４１ａ，４１ｂの両方から信号
が供給されるため、全体での表示むらを少なくすること
ができる。なお、特開昭５９−８３１９０号公報には、
図６と同様のアクティブマトリクスが示されているが、
２つの信号配線の両方からＭＩＭ素子に駆動信号が供給
されることは考慮されておらず、表示むらを少なくする
ことはできない。
【００３０】図７は、本発明の実施の第５形態としての
液晶表示装置５０のアクティブマトリクスについて、部
分的な構成を示す。本実施形態の液晶表示装置５０で
は、端子電極５１から信号配線５２が一方に延びるよう
に形成される。信号配線５２が延びる方向に沿って、そ
の方向と垂直に一定間隔をあけて複数の下部電極５３が
設けられ、信号配線５２および下部電極５３の上には絶
縁膜が形成される。下部電極５３の絶縁膜上には、上部
電極５５が形成され、ＭＩＭ素子５６を構成する。ＭＩ
Ｍ素子５６が形成された後、さらに透明電極によって画
素電極５７が形成される。信号配線５２から画素電極５
７を形成するまでの製造工程は、先行して説明した各実
施形態と同様に行う。
液晶表示装置５０のアクティブマトリクスについて、部
分的な構成を示す。本実施形態の液晶表示装置５０で
は、端子電極５１から信号配線５２が一方に延びるよう
に形成される。信号配線５２が延びる方向に沿って、そ
の方向と垂直に一定間隔をあけて複数の下部電極５３が
設けられ、信号配線５２および下部電極５３の上には絶
縁膜が形成される。下部電極５３の絶縁膜上には、上部
電極５５が形成され、ＭＩＭ素子５６を構成する。ＭＩ
Ｍ素子５６が形成された後、さらに透明電極によって画
素電極５７が形成される。信号配線５２から画素電極５
７を形成するまでの製造工程は、先行して説明した各実
施形態と同様に行う。
【００３１】本実施形態では、信号配線５２上に、信号
配線５８も形成される。信号配線５８は、上部電極５５
と同時に基端によって形成される。信号配線５２から下
部電極５３が分岐する部分の近傍で、信号配線５２，５
８間は導電部６０ａ１，…，６０ａｎによって接続され
る。導電部６０ａ１，…，６０ａｎの接続面積は、信号
配線５２，５８の一端側に形成される端子電極６１から
の距離が大きくなるほど面積も大きくなるように形成さ
れる。これによって、端子電極６１に与えられる駆動信
号が各ＭＩＭ素子５６に達するまでの配線抵抗値を、端
子電極６１からの距離によらずに均一化して、ＭＩＭ素
子５６に印加される信号波形を同一に近づけ、表示むら
を改善することができる。
配線５８も形成される。信号配線５８は、上部電極５５
と同時に基端によって形成される。信号配線５２から下
部電極５３が分岐する部分の近傍で、信号配線５２，５
８間は導電部６０ａ１，…，６０ａｎによって接続され
る。導電部６０ａ１，…，６０ａｎの接続面積は、信号
配線５２，５８の一端側に形成される端子電極６１から
の距離が大きくなるほど面積も大きくなるように形成さ
れる。これによって、端子電極６１に与えられる駆動信
号が各ＭＩＭ素子５６に達するまでの配線抵抗値を、端
子電極６１からの距離によらずに均一化して、ＭＩＭ素
子５６に印加される信号波形を同一に近づけ、表示むら
を改善することができる。
【００３２】図８は、図７の切断面線Ａ−ＡおよびＢ−
Ｂから見た断面構成をそれぞれ示す。図８（ａ）は、図
７の切断面線Ａ−Ａから見た端子電極５１の部分の断面
構成を示し、図８（ｂ）は、図７の切断面線Ｂ−Ｂから
見たＭＩＭ素子５６ｎの部分での断面構成を示す。本実
施形態では、信号配線５２，５８を２層にして配線抵抗
を小さくしている。これによれば、たとえば７インチサ
イズのＸＧＡのパネルで２０ｋΩ以上あった信号電極の
配線抵抗を、１０ｋΩ以下にすることができる。また、
端子電極５１からの距離の差による配線抵抗の差は、前
記パネルでは約２０ｋΩとなるけれども、本実施形態で
は導電部６０ａ１，…，６０ａｎの抵抗値を調整するこ
とによって、５ｋΩ以下とすることができる。この結
果、端子電極５１から各画素電極５７までの信号配線５
２，５８の距離の差による配線抵抗の差が小さくなり、
表示むらを解消することができる。さらに、前述のよう
に信号配線５２，５８の全体として配線抵抗が低くなる
ので、駆動電圧Ｖが小さくなり、信号波形のなまりを低
減して、表示むらなどを改善することもできる。
Ｂから見た断面構成をそれぞれ示す。図８（ａ）は、図
７の切断面線Ａ−Ａから見た端子電極５１の部分の断面
構成を示し、図８（ｂ）は、図７の切断面線Ｂ−Ｂから
見たＭＩＭ素子５６ｎの部分での断面構成を示す。本実
施形態では、信号配線５２，５８を２層にして配線抵抗
を小さくしている。これによれば、たとえば７インチサ
イズのＸＧＡのパネルで２０ｋΩ以上あった信号電極の
配線抵抗を、１０ｋΩ以下にすることができる。また、
端子電極５１からの距離の差による配線抵抗の差は、前
記パネルでは約２０ｋΩとなるけれども、本実施形態で
は導電部６０ａ１，…，６０ａｎの抵抗値を調整するこ
とによって、５ｋΩ以下とすることができる。この結
果、端子電極５１から各画素電極５７までの信号配線５
２，５８の距離の差による配線抵抗の差が小さくなり、
表示むらを解消することができる。さらに、前述のよう
に信号配線５２，５８の全体として配線抵抗が低くなる
ので、駆動電圧Ｖが小さくなり、信号波形のなまりを低
減して、表示むらなどを改善することもできる。
【００３３】なお、本発明は、以上に記載した実施形態
に限定されるものではない。たとえば、実施の第３形態
と実施の第５形態とを組合わせて、信号配線の配線抵抗
の影響による表示むらを解消してもよい。
に限定されるものではない。たとえば、実施の第３形態
と実施の第５形態とを組合わせて、信号配線の配線抵抗
の影響による表示むらを解消してもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶表示
装置を構成する２端子非線形素子を、各画素電極ごとに
特性が異なる複数個を個別に切換え可能としておくの
で、温度特性の異なる２端子非線形素子を複数使い分け
ることによって、２端子非線形素子が１つの場合に比べ
て使用温度範囲の広い液晶表示装置を得ることができ
る。
装置を構成する２端子非線形素子を、各画素電極ごとに
特性が異なる複数個を個別に切換え可能としておくの
で、温度特性の異なる２端子非線形素子を複数使い分け
ることによって、２端子非線形素子が１つの場合に比べ
て使用温度範囲の広い液晶表示装置を得ることができ
る。
【００３５】また本発明によれば、第１の２端子非線形
素子は、予め定める基準電圧での電流が予め定める第１
の基準値以上であり、第２の２端子非線形素子は第１の
基準値よりも小さい第２の基準値以下であるので、第１
の２端子非線形素子は低温側で使用し、第２の２端子非
線形素子は高温側で使用するように切換えることによっ
て、全体として広い温度範囲で使用することができる。
素子は、予め定める基準電圧での電流が予め定める第１
の基準値以上であり、第２の２端子非線形素子は第１の
基準値よりも小さい第２の基準値以下であるので、第１
の２端子非線形素子は低温側で使用し、第２の２端子非
線形素子は高温側で使用するように切換えることによっ
て、全体として広い温度範囲で使用することができる。
【００３６】また本発明によれば、各画素電極ごとに接
続される２端子非線形素子へ駆動用の信号を印加する際
の電圧降下が同等となるように調整し、表示むらを小さ
くすることができる。
続される２端子非線形素子へ駆動用の信号を印加する際
の電圧降下が同等となるように調整し、表示むらを小さ
くすることができる。
【００３７】また本発明によれば、液晶表示装置で第１
の端子電極から第１の２端子非線形素子までの第１の信
号配線と、第２の端子電極から第２の２端子非線形素子
までの第２の信号配線の合計抵抗値が各画素電極でほぼ
同一となるように形成され、各画素電極は第１および第
２の信号配線の両方から駆動信号が供給されているの
で、各画素電極での信号配線の電圧降下の影響をほぼ同
一にすることができ、表示むらなどを抑えることができ
る。
の端子電極から第１の２端子非線形素子までの第１の信
号配線と、第２の端子電極から第２の２端子非線形素子
までの第２の信号配線の合計抵抗値が各画素電極でほぼ
同一となるように形成され、各画素電極は第１および第
２の信号配線の両方から駆動信号が供給されているの
で、各画素電極での信号配線の電圧降下の影響をほぼ同
一にすることができ、表示むらなどを抑えることができ
る。
【００３８】また本発明によれば、第１の信号配線上に
絶縁膜を配し、その上にさらに第２の信号配線を形成し
て、複数箇所で第１および第２の信号配線が接続され
て、信号配線全体として、駆動信号が与えられる端子電
極から各画素電極の２端子非線形素子までの抵抗値を小
さくし、かつほぼ同一としているので、各画素電極に印
加される波形のなまりが少なくなり、表示むらなどを軽
減することができる。
絶縁膜を配し、その上にさらに第２の信号配線を形成し
て、複数箇所で第１および第２の信号配線が接続され
て、信号配線全体として、駆動信号が与えられる端子電
極から各画素電極の２端子非線形素子までの抵抗値を小
さくし、かつほぼ同一としているので、各画素電極に印
加される波形のなまりが少なくなり、表示むらなどを軽
減することができる。
【図１】本発明の実施の第１形態としての液晶表示装置
１０のアクティブマトリクスについて、部分的な構成を
示す平面図および断面図である。
１０のアクティブマトリクスについて、部分的な構成を
示す平面図および断面図である。
【図２】図１のアクティブマトリクス基板を用いて形成
する液晶表示装置１０の全体的な構成を概略的に示す断
面図である。
する液晶表示装置１０の全体的な構成を概略的に示す断
面図である。
【図３】図１の実施形態のアクティブマトリクスについ
て、端子電極２０の部分的な構成を示す平面図および断
面図である。
て、端子電極２０の部分的な構成を示す平面図および断
面図である。
【図４】本発明の実施の第２形態として、図１の実施形
態のＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂの使用温度範囲を変え
て、全体としての使用温度範囲を広げる考え方を示すグ
ラフである。
態のＭＩＭ素子１６ａ，１６ｂの使用温度範囲を変え
て、全体としての使用温度範囲を広げる考え方を示すグ
ラフである。
【図５】本発明の実施の第３形態としての液晶表示装置
３０のアクティブマトリクスについて、部分的に示す平
面図である。
３０のアクティブマトリクスについて、部分的に示す平
面図である。
【図６】本発明の実施の第４形態としての液晶表示装置
４０のアクティブマトリクスについて、部分的に示す平
面図である。
４０のアクティブマトリクスについて、部分的に示す平
面図である。
【図７】本発明の実施の第５形態としての液晶表示装置
５０のアクティブマトリクスについて、部分的に示す平
面図である。
５０のアクティブマトリクスについて、部分的に示す平
面図である。
【図８】図７の実施形態のアクティブマトリクス基板の
断面図である。
断面図である。
【図９】従来からのＭＩＭ駆動方式のアクティブマトリ
クスの部分的な構成を示す平面図である。
クスの部分的な構成を示す平面図である。
【図１０】図９の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面図であ
る。
る。
【図１１】図９に示すＭＩＭ駆動方式のアクティブマト
リクスについて、部分的な回路図および電気的特性のグ
ラフである。
リクスについて、部分的な回路図および電気的特性のグ
ラフである。
１０，３０，４０，５０ 液晶表示装置 １１ ガラス基板 １２ａ，１２ｂ，３２，４２ａ，４２ｂ，５２，５８
信号配線 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，３３ａ１，…，３３ａｎ，４
３ａ１，…，４３ａｎ，４３ｂ１，…，４３ｂｎ，５３
下部電極 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 絶縁膜 １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，３５ａ１，…，３５
ａｎ，４５ａ１，…，４５ａｎ，４５ｂ１，…，４５ｂ
ｎ，５５ 上部電極 １６ａ，１６ｂ，３６ａ１，…，３６ａｎ，４６ａ１，
…，４６ａｎ，４６ｂ１，…，４６ｂｎ，５６ ＭＩＭ
素子 １７，３７，４７，５７ 画素電極 １８ 対向基板 １９ 液晶層 ２０，３１，４１ａ，４１ｂ，５１ 端子電極 ２２，６０ａ１，…，６０ａｎ 導電部 ２３ａ，２３ｂ 接続端子部
信号配線 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，３３ａ１，…，３３ａｎ，４
３ａ１，…，４３ａｎ，４３ｂ１，…，４３ｂｎ，５３
下部電極 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 絶縁膜 １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，３５ａ１，…，３５
ａｎ，４５ａ１，…，４５ａｎ，４５ｂ１，…，４５ｂ
ｎ，５５ 上部電極 １６ａ，１６ｂ，３６ａ１，…，３６ａｎ，４６ａ１，
…，４６ａｎ，４６ｂ１，…，４６ｂｎ，５６ ＭＩＭ
素子 １７，３７，４７，５７ 画素電極 １８ 対向基板 １９ 液晶層 ２０，３１，４１ａ，４１ｂ，５１ 端子電極 ２２，６０ａ１，…，６０ａｎ 導電部 ２３ａ，２３ｂ 接続端子部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA24 GA25 JA03 JB12 JB33 JB42 NA30 2H093 NC38 NC40 NC52 NC57 NC58 NC59 ND02 ND36 5C094 AA04 AA05 AA48 AA53 AA55 AA60 BA04 BA43 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EA10 EB02 FA01 FB12 FB15
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶層を挟む基板上に、マトリクス状に
配置される画素電極を、２端子非線形素子で選択的に駆
動する液晶表示装置であって、 各画素電極ごとに、異なる温度範囲で個別的に駆動可能
な複数の２端子非線形素子を有することを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 前記各画素電極ごとに、予め定める基準
電圧での電流が、予め定める第１の基準値以上である第
１の２端子非線形素子と、第１の基準値よりも小さい第
２の基準値以下の第２の２端子非線形素子とを有するこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶層を挟む基板上に、マトリクス状に
配置される画素電極を、２端子非線形素子で選択的に駆
動する液晶表示装置であって、 画素電極に駆動信号を供給するための信号配線と、信号
配線の端部に設けられた端子電極とを有し、 端子電極と各画素電極との間の信号配線の抵抗値に応じ
て、各画素電極に対応する２端子非線形素子の抵抗値が
調整されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶層を挟む基板上に、マトリクス状に
配置される画素電極を、２端子非線形素子で選択的に駆
動する液晶表示装置であって、 各画素電極ごとに設けられた第１および第２の２端子非
線形素子と、第１の２端子非線形素子を介して画素電極
に駆動信号を供給するための第１の信号配線と、第２の
２端子非線形素子を介して画素電極に駆動信号を供給す
るための第２の信号配線と、第１の信号配線の端部に設
けられた第１の端子電極と、第２の信号配線の端部に設
けられた第２の端子電極とを有し、 第１の端子電極から第１の２端子非線形素子までの第１
の信号配線と、第２の端子電極から第２の２端子非線形
素子までの第２の信号配線との合計抵抗値は、各画素電
極でほぼ同一となるように形成され、かつ各画素電極は
第１および第２の信号配線の両方から駆動信号が供給さ
れることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶層を挟む基板上に、マトリクス状に
配置される画素電極を、２端子非線形素子で選択的に駆
動する液晶表示装置であって、 駆動信号が与えられる端子電極と、端子電極から一方に
延びるように形成された第１の信号配線と、第１の信号
配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第
２の信号配線とを有し、 第１の信号配線と第２の信号配線は複数箇所の導電部で
接続され、かつ端子電極と各画素電極との間の第１およ
び第２の信号配線の抵抗値に応じて、複数箇所の導電部
の抵抗値が調整されていることを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321253A JP2001222023A (ja) | 1999-12-01 | 2000-10-20 | 液晶表示装置 |
| CNB001344900A CN1189783C (zh) | 1999-12-01 | 2000-12-01 | 液晶显示装置 |
| US09/726,494 US6593991B2 (en) | 1999-12-01 | 2000-12-01 | Liquid crystal display apparatus with two-terminal nonlinear devices |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-341863 | 1999-12-01 | ||
| JP34186399 | 1999-12-01 | ||
| JP2000321253A JP2001222023A (ja) | 1999-12-01 | 2000-10-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001222023A true JP2001222023A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=26577076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000321253A Pending JP2001222023A (ja) | 1999-12-01 | 2000-10-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6593991B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001222023A (ja) |
| CN (1) | CN1189783C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100405200C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-07-23 | 三星电子株式会社 | 使用双选择二极管的液晶显示器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10159466A1 (de) * | 2001-12-04 | 2003-06-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Anordnung mit Kondensator |
| US6815723B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| KR100920355B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2009-10-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 다이오드 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치 |
| KR100951359B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2010-04-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 다이오드 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR100925471B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2009-11-06 | 삼성전자주식회사 | 반투과형 액정 표시 장치용 박막 다이오드 표시판 |
| US20060091496A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Hewlett-Packard Development Company, Lp | Metal-insulator-metal device |
| CN103236496B (zh) * | 2013-04-18 | 2015-08-12 | 福州大学 | 一种叠层结构的三端有源器件 |
| WO2022056809A1 (zh) | 2020-09-18 | 2022-03-24 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 触控芯片、打码方法和电子设备 |
| CN111930267B (zh) * | 2020-09-18 | 2021-02-12 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 触控芯片、打码方法和电子设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2505070B1 (fr) * | 1981-01-16 | 1986-04-04 | Suwa Seikosha Kk | Dispositif non lineaire pour un panneau d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication d'un tel panneau d'affichage |
| JPS5983190A (ja) | 1982-11-04 | 1984-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置 |
| JPS6132673A (ja) | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | テレビジヨン受信機 |
| JP3092903B2 (ja) | 1995-08-11 | 2000-09-25 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US6222596B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-04-24 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Thin film diode including carbon nitride alloy semi-insulator and method of making same |
-
2000
- 2000-10-20 JP JP2000321253A patent/JP2001222023A/ja active Pending
- 2000-12-01 US US09/726,494 patent/US6593991B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-01 CN CNB001344900A patent/CN1189783C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100405200C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-07-23 | 三星电子株式会社 | 使用双选择二极管的液晶显示器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1189783C (zh) | 2005-02-16 |
| US20010002856A1 (en) | 2001-06-07 |
| CN1298115A (zh) | 2001-06-06 |
| US6593991B2 (en) | 2003-07-15 |
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