JP6074389B2 - 発光装置 - Google Patents
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
する発光装置およびその作製方法に関する。また、該発光素子を有するパネルにコントロ
ーラを含むIC等を実装したモジュールに関する。なお本明細書において、発光素子を有
するパネル及び発光素子を有するモジュールを共に発光装置と総称する。本発明はさらに
、該発光装置を製造する装置に関する。
置全般を指し、発光装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
ブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いた
TFTは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたTFTよりも電界効果移動度(モビリ
ティともいう)が高いので、高速動作が可能である。
そのため、ポリシリコン膜を用いたTFTからなる駆動回路を画素と同一の基板上に設け
、各画素の制御を行うための開発が盛んに行われている。同一基板上に画素と駆動回路と
を組み込んだアクティブマトリクス型表示装置は、製造コストの低減、表示装置の小型化
、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られると予想される。
単に発光装置とも呼ぶ)の研究が活発化している。発光装置は有機発光装置(OELD:
Organic EL Display)又は有機ライトエミッティングダイオード(OLED:Organic Li
ght Emitting Diode)とも呼ばれている。
子(以下、スイッチング素子という)を設け、そのスイッチング用TFTによって電流制
御を行う駆動素子(以下、電流制御用TFTという)を動作させてEL層(厳密には発光
層)を発光させる。例えば特許文献1に記載された発光装置が公知である。
イトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため、EL素子を
用いた発光装置は、CRTやLCDに代わる表示装置として注目されている。
)が得られる有機化合物を含む層(以下、EL層と記す)と、陽極と、陰極とを有する。
有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(
蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とがあるが、本発明の製
造装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用
可能である。
造となっている。代表的には、「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」という積層構造が挙
げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置
は殆どこの構造を採用している。
層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に
対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料
を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用いて形成しても良い。
に接続された電極が陽極として形成され、陽極上に有機化合物層が形成され、有機化合物
層上に陰極が形成される発光素子を有し、有機化合物層において生じた光を透明電極であ
る陽極からTFTの方へ取り出すという構造であった。
び配線等の配置により開口率が制限されるという問題が生じていた。
、陰極上に有機化合物層を形成し、有機化合物層上に透明電極である陽極を形成するとい
う構造(以下、上面出射構造とよぶ)の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光
装置を作製する。或いは、基板上のTFTと電気的に接続されたTFT側の電極を陽極と
して形成し、陽極上に有機化合物層を形成し、有機化合物層上に半透明電極である陰極を
形成するという構造(この構造も、上面出射構造とよぶ)の発光素子を有するアクティブ
マトリクス型の発光装置を作製する。
、透明電極の膜厚を薄くした場合、さらに膜抵抗が高くなってしまう。陽極または陰極と
なる透明電極の膜抵抗が高くなると電圧降下により面内電位分布が不均一になり、発光素
子の輝度にバラツキを生じるといった不具合が生じる。そこで、本発明は、発光素子にお
ける透明電極の膜抵抗を低下させる構造の発光装置およびその作製方法を提供することを
課題とする。そして、そのような発光装置を表示部として用いる電気器具を提供すること
を課題とする。
性の膜を各画素電極間に配置する絶縁物上に形成し、透明電極の膜抵抗の低抵抗化を図る
というものである。
を行うことも本発明の特徴としている。
層と、該有機化合物層上に接する第2の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、
駆動回路と、端子部とを有する発光装置であって、 前記画素部には、薄膜トランジスタ
に接続する前記第1の電極の端部が絶縁物で覆われており、且つ、該絶縁物上に導電性を
有する材料からなる第3の電極と、前記絶縁物及び前記第1の電極上に有機化合物層と、
前記有機化合物層及び前記第3の電極に接する第2の電極とが設けられており、前記端子
部と画素部との間には、第3の電極と同一材料からなる配線または第2の電極と同一材料
からなる配線が端子から延びている配線と接続する箇所を有することを特徴とする発光装
置である。
ていてもよい。その場合、前記絶縁物と同一のマスクを用いて形成される。
していてもよい。その場合、前記絶縁物をパターニングした後、導電性を有する材料から
なる膜を形成して前記絶縁物のパターニングとは異なるマスクを用いて形成される。
層の形成前に導電性の膜を各画素電極間に配置する絶縁物上に形成し、有機化合物層と、
透明電極を形成した後、該透明電極上に導電性の高い材料からなる電極を形成し、透明電
極の膜抵抗の低抵抗化を図るというものである。なお、透明電極上に形成する電極は、発
光領域となる場所には設けない。さらに上記導電性の膜を用いて引き出し配線を形成し、
下層に存在する他の配線と接続を行うことも本発明の特徴としている。
合物層と、該有機化合物層上に接する第2の電極とを有する発光素子を複数有する画素部
と、駆動回路と、端子部とを有する発光装置であって、 前記画素部には、薄膜トランジ
スタに接続する前記第1の電極の端部が絶縁物で覆われており、且つ、該絶縁物の一部お
よび第1の電極上に有機化合物層と、該有機化合物層上に接する第2の電極と、該第2の
電極において前記第1の電極と重ならない領域上に接して導電性を有する材料からなる第
3の電極とが設けられており、前記端子部と画素部との間には、第3の電極と同一材料か
らなる配線または第2の電極と同一材料からなる配線が端子から延びている配線と接続す
る箇所を有することを特徴とする発光装置である。
ることを特徴としている。
電気抵抗が小さい材料からなっており、導電型を付与する不純物元素がドープされたpo
ly−Si、W、WSiX、Al、Ti、Mo、Cu、Ta、Cr、またはMoから選ば
れた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜
またはそれらの積層膜からなることを特徴としている。例えば、前記第3の電極は、窒化
物層またはフッ化物層を最上層とする積層からなる電極とすることが好ましい。
ることを特徴としている。例えば、第2の電極が陰極である場合、第1の電極は陽極であ
り、第2の電極が陽極である場合、第1の電極は陰極である。
壁(バンクとも呼ばれる)、或いは、前記絶縁物は、無機絶縁膜であることを特徴として
いる。なお、前記無機絶縁膜は膜厚10〜100nmの窒化珪素を主成分とする絶縁膜で
あることを特徴としている。
が陰極の裏面(発光層に接する側の面)で反射され、陰極の裏面が鏡のように作用して外
部の景色が観測面(観測者側に向かう面)に映るといった問題があった。また、この問題
を回避するために、発光装置の観測面に円偏光フィルムを貼り付け、観測面に外部の景色
が映らないようにする工夫がなされているが、円偏光フィルムが非常に高価であるため、
製造コストの増加を招くという問題があった。
り発光装置の製造コストを低減して安価な発光装置を提供することも課題としている。そ
こで、本発明では、円偏光フィルムに代えて安価なカラーフィルタを用いることを特徴と
している。上記構成において、色純度を向上させるため、前記発光装置には各画素に対応
するカラーフィルタを備えることが好ましい。また、カラーフィルタの黒色の部分(黒色
の有機樹脂)が各発光領域の間と重なるようにすればよい。さらに、カラーフィルタの黒
色の部分(黒の着色層)が、異なる有機化合物層が一部重なる部分と重なるようにしても
よい。
。例えば、発光素子が設けられている基板を通過させない場合においては、封止基板にカ
ラーフィルタを貼り付ければよい。或いは、発光素子が設けられている基板を通過させる
場合においては、発光素子が設けられている基板にカラーフィルタを貼り付ければよい。
こうすることによって、円偏光フィルムを必要としなくなる。
を用い、その上に無機絶縁膜からなる保護膜を形成することは極めて有用である。また、
有機化合物を含む層上の陰極として、Al、Ag、Mg、またはこれらの合金(代表的に
はAlLi)からなる金属薄膜(光が通過する膜厚)を用い、その上に無機絶縁膜からな
る保護膜を形成することも有効である。
水素を含む膜、代表的には炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜を形成することが
好ましい。また、水素を含む膜は、炭素を主成分とする薄膜と窒化珪素膜との積層膜とし
てもよい。
、陽極、陰極、並びに前記陽極と前記陰極との間に挟まれた有機化合物層とを有し、前記
発光素子は、水素を含む膜で覆われていることを特徴とする発光装置である。
じる発熱を利用することによって、上記水素を含む膜から水素を拡散させて、有機化合物
層における欠陥を水素で終端(ターミネーション)させることができる。有機化合物層に
おける欠陥を水素で終端させると発光装置としての信頼性が向上する。また、上記水素を
含む膜の成膜の際、プラズマ化された水素によって有機化合物層における欠陥を水素で終
端させることもできる。また、水素を含む膜を覆って形成する保護膜は、保護膜側に拡散
する水素をブロックして効率よく、水素を有機化合物層に拡散させて、有機化合物層にお
ける欠陥を水素で終端させる役目も果たす。なお、上記水素を含む膜は、発光素子の保護
膜としても機能させることができる。
って透明導電膜に接して窒化珪素膜を形成する場合、透明導電膜に含まれる不純物(In
、Sn、Zn等)が窒化珪素膜に混入する恐れがあるが、バッファ層となる上記水素を含
む膜を間に形成することによって窒化珪素膜への不純物混入を防止することもできる。上
記構成によりバッファ層を形成することで、透明導電膜からの不純物(In、Snなど)
の混入を防止し、不純物のない優れた保護膜を形成することができる。
、陽極、陰極、並びに前記陽極と前記陰極との間に挟まれた有機化合物層とを有し、前記
発光素子は、水素を含む膜で覆われ、さらに該水素を含む膜は無機絶縁膜からなる保護膜
で覆われていることを特徴とする発光装置である。
構成は、絶縁表面上にTFTを形成し、前記TFTと電気的に接続された陰極を形成し、
前記陰極上に有機化合物層を形成し、前記前記有機化合物層上に陽極を形成した後、前記
陽極上に水素を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
Tと電気的に接続された陽極を形成し、前記陽極上に有機化合物層を形成し、前記前記有
機化合物層上に陰極を形成した後、前記陰極上に水素を含む膜を形成することを特徴とす
る発光装置の作製方法である。
化合物層の耐えうる温度範囲、例えば室温〜100℃以下でプラズマCVD法、またはス
パッタ法により形成することを特徴とし、前記水素を含む膜は、炭素を主成分とする薄膜
、または窒化珪素膜であることを特徴としている。
程は蒸着法、塗布法、イオンプレーティング法もしくはインクジェット法により行われる
ことを特徴としている。
膜からなる保護膜を形成することを特徴としている。
、前記有機化合物層における欠陥を水素で終端させることを特徴としている。
密閉される空間に水素ガスを充填、或いは水素及び不活性気体(希ガスまたは窒素)を充
填させてもよい。
陰極、並びに前記陽極と前記陰極との間に挟まれた有機化合物層とを有し、前記発光素子
は、透光性を有する基板とシール材とで密閉され、且つ、密閉された空間には、水素が含
まれていることを特徴とする発光装置である。
化珪素膜)で覆われていることを特徴としている。
素子を発光させた際に生じる発熱を利用することによって、上記水素を含む空間から水素
を拡散させて、有機化合物層における欠陥を水素で終端させることができる。有機化合物
層における欠陥を水素で終端させると発光装置としての信頼性が向上する。
いう。したがって、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入
層は、全てEL層に含まれる。
d like Carbon)であることを特徴としている。DLC膜は短距離秩序的には炭素間の結
合として、SP3結合をもっているが、マクロ的にはアモルファス状の構造となっている
。DLC膜の組成は炭素が70〜95原子%、水素が5〜30原子%であり、非常に硬く
絶縁性に優れている。また、このようなDLC膜は、水蒸気や酸素などのガス透過率が低
いという特徴がある。また、微少硬度計による測定で、15〜25GPaの硬度を有する
ことが知られている。
法、電子サイクロトロン共鳴(ECR)CVD法など)、スパッタ法などで形成すること
ができる。いずれの成膜方法を用いても、密着性良くDLC膜を形成することができる。
DLC膜は基板をカソードに設置して成膜する。または、負のバイアスを印加して、イオ
ン衝撃をある程度利用して緻密で硬質な膜を形成できる。
H6など)とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソー
ドにイオンを加速衝突させて成膜する。こうすることにより、緻密で平滑なDLC膜を得
ることができる。
徴としている。
あることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が50〜80%であることを
指す。
装置としての信頼性が向上する。
製造コストの削減をすることができる。
レイとして、高精細化や高開口率化や高信頼性を実現することができる。
図2は、ELモジュールの上面図である。無数のTFTが設けられた基板(TFT基板
とも呼ぶ)には、表示が行われる画素部40と、画素部の各画素を駆動させる駆動回路4
1a、41bと、EL層上に設けられる電極と引き出し配線とを接続する接続部と、外部
回路と接続するためにFPCを貼り付ける端子部42とが設けられている。また、EL素
子を封止するための基板と、シール材33とによって密閉する。また、図1(A)は、図
2中における鎖線A−A’で切断した場合の断面図である。
の順で配置されている例を示す。
の発光領域を示しており、発光領域(B)は青色の発光領域を示しており、これらの3色
の発光領域によりフルカラー化された発光表示装置を実現している。
素子であり、4、7はソース電極またはドレイン電極である。また、TFT2は、緑色を
発光するEL層18に流れる電流を制御する素子であり、5、8はソース電極またはドレ
イン電極である。TFT3は、青色を発光するEL層19に流れる電流を制御する素子で
あり、6、9はソース電極またはドレイン電極である。15、16は有機絶縁材料または
無機絶縁膜材料からなる層間絶縁膜である。
(或いは陽極)である。ここでは、20として薄い金属層(代表的にはMgAg、MgI
n、AlLiなどの合金)と透明導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化
インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層膜から
なる陰極とし、各発光素子からの光を通過させている。ただし、上記透明導電膜は陰極と
しては機能せず、電気抵抗を下げる為に設けている。また、陽極としては、仕事関数の大
きい、具体的には白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(W)、もしくはニッケ
ル(Ni)といった材料、または透明導電膜(ITO、ZnOなど)、またはこれらの積層
を用いればよい。
呼ばれる)で覆われている。さらに、有機絶縁物24は無機絶縁膜14で覆われている。
また、有機絶縁物24上の一部にまで有機化合物層が形成されている。
には、補助電極21を有している。この補助電極21は、陰極(或いは陽極)の電気抵抗
値を下げる機能を有する。上記に示した透明導電膜の抵抗値は、比較的に高いため、大画
面化することが困難であるが、補助電極21を設けることによって、陰極(或いは陽極)
の電極全体として低抵抗化することができる。加えて、透明導電膜の薄膜化も可能とする
ことができる。
EL層を形成する前に成膜及びパターニングを行えばよい。補助電極21は、スパッタ法
や蒸着法などを用い、導電型を付与する不純物元素がドープされたpoly−Si、W、
WSiX、Al、Ti、Mo、Cu、Ta、Cr、またはMoから選ばれた元素、または
前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積
層膜で形成すればよい。こうして、下層の電極とコンタクトさせた補助電極21上に接し
て透明導電膜を形成すれば陰極の引き出しが可能となる。なお、図1(C)は、図2中に
示した鎖線C−C’で切断した場合の断面図である。また、図1(C)中、点線で示した
電極同士は電気的に接続していることを示している。また、端子部において、端子の電極
を陰極10と同じ材料で形成している。
けられており、全ての発光素子は密閉されている。なお、シール材33は、駆動回路の一
部と重なるようにして狭額縁化させることが好ましい。シール材33によって封止基板3
0を貼りつける直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。また、封止
基板30を貼りつける際には、水素および不活性気体(希ガスまたは窒素)を含む雰囲気
下で行って、保護膜32と、シール材33と、封止基板30によって密閉された空間には
水素を含ませることが好ましい。発光素子を発光させた際に生じる発熱を利用することに
よって、上記水素を含む空間から水素を拡散させて、有機化合物層における欠陥を水素で
終端させることができる。有機化合物層における欠陥を水素で終端させると発光装置とし
ての信頼性が向上する。
けられている。カラーフィルタのうち、赤色の着色層31bは赤色の発光領域(R)に対
向して設けられ、緑色の着色層31cは緑色の発光領域(G)に対向して設けられ、青色
の着色層31dは青色の発光領域(B)に対向して設けられる。また、発光領域以外の領
域は、カラーフィルタの黒色部分、即ち遮光部31aによって遮光されている。なお、遮
光部31aは、金属膜(クロム等)または黒色顔料を含有した有機膜で構成されている。
。
1(B)においても11a〜11cの両端部およびそれらの間は無機絶縁膜14で覆われ
ている。ここでは赤色を発光するEL層17が共通となっている例を示したが、特に限定
されず、同じ色を発光する画素毎にEL層を形成してもよい。
の保護膜32はスパッタ法により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶
縁膜である。また、図1においては、保護膜に発光を通過させるため、保護膜の膜厚は、
可能な限り薄くすることが好ましい。
成する。保護膜32を形成する前に水素を含む膜を形成することによって、有機化合物層
17〜19の欠陥を終端させる。前記水素を含む膜は、炭素を主成分とする薄膜、または
窒化珪素膜とすればよい。この水素を含む膜を形成する方法としては、前記有機化合物層
の耐えうる温度範囲、例えば室温〜100℃以下でプラズマCVD法、またはスパッタ法
により形成する。なお、図1では、水素を含む膜は、保護膜の一部と見なしているため、
図示していない。また、上記水素を含む膜は、保護膜32の膜応力を緩和させるバッファ
層とすることもできる。
(C)と構成が一部異なる例を図3(A)〜(D)に示す。なお、簡略化のため、図3(
A)〜(D)において、図1と同一である部分は、同一の符号を用いる。
あったが、図3(A)は、TFTのゲート電極と同一材料からなる電極(上層がW膜、下
層がTaN膜)でFPCと接続する例である。
る例である。なお、この電極10は、TFTのゲート電極と同一材料からなる電極(上層
がW膜、下層がTaN膜)上に接して設けられている。
された配線)上に設けられた画素電極(陽極)と同一材料からなる電極10上に形成され
た陰極20と同一材料(透明電極)からなる電極でFPCと接続する例である。
された配線)上に形成された陰極20と同一材料(透明電極)からなる電極でFPCと接
続する例である。
ここでは、水素を含む膜および保護膜について、図4を用いて説明する。
0は陰極(或いは陽極)、201はEL層、202は陽極(或いは陰極)、203は水素
を含むDLC膜、204は保護膜である。また、陽極202に発光を通過させる場合、陽
極202として、透光性を有する導電膜(ITOやZnOなど)を用いることが好ましい
。また、陰極200としては金属膜(MgAg、MgIn、AlLiなどの合金、または
周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜)
、あるいはそれらの積層を用いることが好ましい。
化酸化珪素を主成分とする絶縁膜を用いればよい。シリコンターゲットを用い、窒素とア
ルゴンを含む雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲッ
トを用いてもよい。また、保護膜204は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて
形成してもよい。また、保護膜に発光を通過させる場合、保護膜の膜厚は、可能な限り薄
くすることが好ましい。
であり、非常に硬く絶縁性に優れている。水素を含むDLC膜はプラズマCVD法(代表
的には、RFプラズマCVD法、マイクロ波CVD法、電子サイクロトロン共鳴(ECR
)CVD法など)、スパッタ法などで形成することができる。
温度範囲、例えば室温〜100℃以下で形成する。
(例えばCH4、C2H2、C6H6など)とを用いればよい。
じる発熱を利用することによって、上記水素を含むDLC膜から水素を拡散させて、有機
化合物層における欠陥を水素で終端(ターミネーション)させることができる。有機化合
物層における欠陥を水素で終端させると発光装置としての信頼性が向上する。また、上記
水素を含むDLC膜の成膜の際、プラズマ化された水素によって有機化合物層における欠
陥を水素で終端させることもできる。また、水素を含むDLC膜を覆って形成する保護膜
は、保護膜側に拡散する水素をブロックして効率よく、水素を有機化合物層に拡散させて
、有機化合物層における欠陥を水素で終端させる役目も果たす。なお、上記水素を含むD
LC膜は、発光素子の保護膜としても機能させることができる。
法により透明導電膜からなる膜に接して窒化珪素膜を形成する場合、透明導電膜に含まれ
る不純物(In、Sn、Zn等)が窒化珪素膜に混入する恐れがあるが、バッファ層とな
る上記水素を含むDLC膜を間に形成することによって窒化珪素膜への不純物混入を防止
することもできる。上記構成によりバッファ層を形成することで、透明導電膜からの不純
物(In、Snなど)の混入を防止し、不純物のない優れた保護膜を形成することができ
る。
できる。
)中、300は陰極(或いは陽極)、301はEL層、302は陽極(或いは陰極)、3
03は水素を含む窒化珪素膜、304は保護膜である。また、陽極302に発光を通過さ
せる場合、302として、透光性を有する導電性材料または非常に薄い金属膜(MgAg
)、あるいはそれらの積層を用いることが好ましい。また、陽極302に発光を通過させ
る場合、陽極302として、透光性を有する導電膜(ITOやZnOなど)を用いること
が好ましい。また、陰極300としては金属膜(MgAg、MgIn、AlLiなどの合
金、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形
成した膜)、あるいはそれらの積層を用いることが好ましい。
化酸化珪素を主成分とする絶縁膜を用いればよい。シリコンターゲットを用い、窒素とア
ルゴンを含む雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲッ
トを用いてもよい。また、保護膜304は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて
形成してもよい。また、保護膜に発光を通過させる場合、保護膜の膜厚は、可能な限り薄
くすることが好ましい。
CVD法、マイクロ波CVD法、電子サイクロトロン共鳴(ECR)CVD法など)、R
Fスパッタ法、DCスパッタ法などで形成することができる。
る温度範囲、例えば室温〜100℃以下で形成する。
反応ガスは、窒素を含むガス(N2、NH3NOxで表記される窒素酸化物系ガスなど)と
、珪化水素系のガス(例えばシラン(SiH4)やジシランやトリシランなど)とを用い
ればよい。
ンターゲットを用い、水素と窒素とアルゴンとを含む雰囲気で形成すれば、水素を含む窒
化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲットを用いてもよい。
じる発熱を利用することによって、上記水素を含む窒化珪素膜から水素を拡散させて、有
機化合物層における欠陥を水素で終端(ターミネーション)させることができる。有機化
合物層における欠陥を水素で終端させると発光装置としての信頼性が向上する。また、上
記水素を含む窒化珪素膜の成膜の際、プラズマ化された水素によって有機化合物層におけ
る欠陥を水素で終端させることもできる。また、水素を含む窒化珪素膜を覆って形成する
保護膜は、保護膜側に拡散する水素をブロックして効率よく、水素を有機化合物層に拡散
させて、有機化合物層における欠陥を水素で終端させる役目も果たす。なお、上記水素を
含む窒化珪素膜は、発光素子の保護膜としても機能させることができる。
タ法により透明導電膜からなる膜に接して窒化珪素膜を形成する場合、透明導電膜に含ま
れる不純物(In、Sn、Zn等)が窒化珪素膜に混入する恐れがあるが、バッファ層と
なる上記水素を含む窒化珪素膜を間に形成することによって窒化珪素膜への不純物混入を
防止することもできる。上記構成によりバッファ層を形成することで、透明導電膜からの
不純物(In、Snなど)の混入を防止し、不純物のない優れた保護膜を形成することが
できる。
できる。
素を含む窒化珪素膜と水素を含むDLC膜との積層、もしくはこれらの3層以上の積層と
してもよい。
置に適用することもできる。
ここでは、図1と構成が一部異なる例を図6に示す。ここでは、画素部に規則的に配置
される多数の画素のうち、3×3の画素を例に本発明を以下に説明する。なお、断面構造
において、TFTは図1とほぼ同一であり、簡略化のため、図6において、図1と同一で
ある部分は、同一の符号を用いる。
0Rは赤色の発光領域を示しており、発光領域50Gは緑色の発光領域を示しており、発
光領域50Bは青色の発光領域を示しており、これらの3色の発光領域によりフルカラー
化された発光表示装置を実現している。
行った例であり、補助電極621と有機絶縁物624との上面から見た形状がほぼ同一で
ある。この場合、図6(C)に示したように、補助電極621は、陰極20でソース配線
と同一材料からなる配線と電気的に接続させている。
後にTFTのコンタクトホールが形成され、その後に形成される電極607、608でT
FTと画素電極612とを電気的に接続している。また、画素電極の両端部およびそれら
の間は無機絶縁物14で覆われている。また、図1と同様に有機絶縁物624上の一部に
まで有機化合物層が形成されている。
。図5(A)及び図5(B)においては、画素一列(Y方向)毎に帯状の有機化合物層を
設けている。各発色の異なる有機化合物層の間には帯状に有機絶縁物624が設けられて
いる。また、図5(A)においては、画素一列(Y方向)毎に有機絶縁物624および補
助配線621を設ける構成としている。
た図における接続部の一部断面図を右側に示し、図6(C)と同一箇所である。また、図
7(A)に示した補助配線621及び有機絶縁物をパターニングする場合、用いるメタル
マスクの例を図8(A)に示した。
くなるため、透明導電膜で電気的に接続することが困難になる可能性がある。特に、透明
導電膜の薄膜化を行った場合にカバレッジ不良により線欠陥が生じる恐れがある。そこで
、補助電極621と下層の電極との接続をより確実にするため、図7(B)に示すように
、マスク数を増やして622で示す電極を形成してもよい。また、メタルマスクを用いて
蒸着法により電極622を形成してもよい。
線623を設けておき、さらに補助電極621と直交するように第2の補助電極625を
形成してもよい。こうすることによって、第2の補助電極625は、補助電極621に直
接接して設けられ、且つ、配線623とも直接接することができる。なお、補助電極62
1と第2の補助電極625との間が発光領域となるように適宜設計する。また、図7(A
)に示した第2の補助電極625をパターニングする場合、用いるメタルマスクの例を図
8(B)に示した。
電極625とを形成した例を示したが、図8(C)に示したメタルマスクを用いて格子状
に補助電極を形成してもよい。図8(C)の右側図で示すように各開口部は細い線で区切
られているが、蒸着では回り込みがあるため、一部膜厚が薄くなるものの格子状に補助電
極を形成することができる。
できる。
ここでは、図1と構成が一部異なる例を図9に示す。ここでは、画素部に規則的に配置さ
れる多数の画素のうち、3×3の画素を例に本発明を以下に説明する。なお、断面構造に
おいて、有機絶縁物24が存在しない点と、全面に高分子からなる有機化合物層60が存
在する点以外は図1とほぼ同一であり、簡略化のため、図9において、図1と同一である
部分は、同一の符号を用いる。また、図9(A)は、図2中における鎖線A−A’で切断
した場合の断面図である。
14と補助電極721とで各有機化合物17、18、19の間隔を保っている。
)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(以下、「PEDOT/PSS」と記す)、ちなみに、こ
のPEDOT/PSSは、正孔注入層として作用する。)は、スピンコート法やスプレー法などの
塗布法で形成するため、全面に形成される。また、高分子からなる有機化合物層60は導
電性を有しており、陰極20と補助電極721は電気的に接続される。補助電極721を
設けることによって、陰極(或いは陽極)全体として低抵抗化することができる。加えて
、透明導電膜の薄膜化も可能とすることができる。さらに、この補助電極721で下層の
配線または電極と接続させる。この補助電極721はEL層を形成する前に成膜及びパタ
ーニングを行えばよい。下層の電極とコンタクトさせた補助電極721上に透明導電膜を
形成すれば陰極の引き出しが可能となる。なお、図9(C)は、図2中に示した鎖線C−
C’で切断した場合の断面図である。また、図9(C)中、点線で示した電極同士は電気
的に接続していることを示している。また、端子部において、端子の電極を陰極20と同
じ材料で形成している。
9(B)においても11a〜11cの両端部およびそれらの間は無機絶縁物14で覆われ
ている。ここでは赤色を発光するEL層17が共通となっている例を示したが、特に限定
されず、同じ色を発光する画素毎にEL層を形成してもよい。
み合わせることができる。
ここでは、図1と構成が一部異なる例を図10に示す。ここでは、画素部に規則的に配置
される多数の画素のうち、3×3の画素を例に本発明を以下に説明する。なお、断面構造
において、陰極20上に補助配線821が存在する点以外は図1とほぼ同一であり、簡略
化のため、図10において、図1と同一である部分は、同一の符号を用いる。また、図1
0(A)は、図2中における鎖線A−A’で切断した場合の断面図である。
。ここでは格子状に補助電極821を形成した例を示す。補助電極821を設けることに
よって、陰極(或いは陽極)全体として低抵抗化することができる。加えて、透明導電膜
の薄膜化も可能とすることができる。さらに、この補助電極821で下層の配線または電
極と接続させる。下層の電極とコンタクトさせた補助電極821上に透明導電膜を形成す
れば陰極の引き出しが可能となる。なお、図10(C)は、図2中に示した鎖線C−C’
で切断した場合の断面図である。また、図10(C)中、点線で示した電極同士は電気的
に接続していることを示している。また、端子部において、端子の電極を陰極20と同じ
材料で形成している。
態4と自由に組み合わせることができる。
こととする。
。なお、能動素子としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いて
いるが、MOSトランジスタを用いてもよい。
が、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
スなどのガラスからなる基板、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレス基板
の表面に絶縁膜を形成したものを用いればよい。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐
熱性が有するプラスチック基板を用いてもよいし、可撓性基板を用いても良い。
層として、プラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスSiH4、NH3、N2Oから
作製される酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=1
7%)を50nm(好ましくは10〜200nm)形成する。次いで、表面をオゾン水で洗浄
した後、表面の酸化膜を希フッ酸(1/100希釈)で除去する。次いで、下地絶縁膜の
上層として、プラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスSiH4、N2Oから作製さ
れる酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)を1
00nm(好ましくは50〜200nm)の厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラ
ズマCVD法で成膜温度300℃、成膜ガスSiH4で非晶質構造を有する半導体膜(こ
こではアモルファスシリコン膜)を54nmの厚さ(好ましくは25〜200nm)で形
成する。
または2層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はな
いが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiXGe1-X(X=0.000
1〜0.02))合金などを用い、公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラ
ズマCVD法等)により形成すればよい。また、プラズマCVD装置は、枚葉式の装置で
もよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶
縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。
の極薄い酸化膜を形成する。次いで、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元
素(ボロンまたはリン)のドーピングを行う。ここでは、ジボラン(B2H6)を質量分離
しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧15kV、
ジボランを水素で1%に希釈したガスを流量30sccmとし、ドーズ量2×1012/c
m2で非晶質シリコン膜にボロンを添加する。
た。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は
、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理(
500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って結晶構造
を有するシリコン膜を得た。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが
、短時間での結晶化が可能なランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。
結晶を得るため、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波〜第4高調波
を半導体膜に照射する。レーザ光の照射は大気中、または酸素雰囲気中で行う。なお、大
気中、または酸素雰囲気中で行うため、レーザー光の照射により表面に酸化膜が形成され
る。代表的には、Nd:YVO4レーザー(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)
や第3高調波(355nm)を適用すればよい。出力10Wの連続発振のYVO4レーザ
から射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中に
YVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好まし
くは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照
射する。このときのエネルギー密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは0
.1〜10MW/cm2)が必要である。そして、10〜2000cm/s程度の速度で
レーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。
リコン膜を用いてTFTを作製することもできるが、レーザ光照射後の結晶構造を有する
シリコン膜のほうが結晶性が向上しているため、TFTの電気的特性が向上するので望ま
しい。例えば、上記レーザ光照射前の結晶構造を有するシリコン膜を用いてTFTを作製
すると、移動度は300cm2/Vs程度であるが、上記レーザ光照射後の結晶構造を有
するシリコン膜を用いてTFTを作製すると、移動度は500〜600cm2/Vs程度
と著しく向上する。
た後、さらに連続発振のYVO4レーザーの第2高調波を照射したが、特に限定されず、
非晶質構造を有するシリコン膜を成膜し、脱水素化のための熱処理を行った後、上記連続
発振のYVO4レーザーの第2高調波を照射して結晶構造を有するシリコン膜を得てもよ
い。
エキシマレーザを用いる場合には、周波数300Hzとし、レーザーエネルギー密度を1
00〜1000mJ/cm2(代表的には200〜800mJ/cm2)とするのが望ましい。このとき
、レーザ光を50〜98%オーバーラップさせても良い。
秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。本実施例ではオゾン水
を用いてバリア層を形成したが、酸素雰囲気下の紫外線の照射で結晶構造を有する半導体
膜の表面を酸化する方法や酸素プラズマ処理により結晶構造を有する半導体膜の表面を酸
化する方法やプラズマCVD法やスパッタ法や蒸着法などで1〜10nm程度の酸化膜を
堆積してバリア層を形成してもよい。また、バリア層を形成する前にレーザー光の照射に
より形成された酸化膜を除去してもよい。
なるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を50nm〜400nm、ここでは膜厚150
nmで形成する。本実施例では、スパッタ法でシリコンターゲットを用い、アルゴン雰囲
気下、圧力0.3Paで成膜する。
造を有する半導体膜中のニッケル濃度を低減する。炉に代えてランプアニール装置を用い
てもよい。
元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去
する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があ
るため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状に
エッチング処理して島状に分離された半導体層を形成する。半導体層を形成した後、レジ
ストからなるマスクを除去する。
浄した後、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。ここでは、プラズ
マCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=5
9%、N=7%、H=2%)で形成した。
0nmの第2の導電膜とを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜上に膜厚50nm
の窒化タンタル膜、膜厚370nmのタングステン膜を順次積層し、以下に示す手順でパ
ターニングを行って各ゲート電極及び各配線を形成する。
Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材
料で形成する。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピ
ングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、AgPdCu合金を用いてもよい
。また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500n
mのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順
次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングス
テンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコ
ンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用い
てもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層
構造であってもよい。
エッチング処理)にはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッ
チング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極
に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調
節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。ここでは、
レジストからなるマスクを形成した後、第1のエッチング条件として1Paの圧力でコイル
型の電極に700WのRF(13.56MHz)電力を投入し、エッチング用ガスにCF4とCl2
とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10(sccm)とし、基板側(
試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイア
ス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、12.5cm×12.5cmであ
り、コイル型の電極面積サイズ(ここではコイルの設けられた石英円板)は、直径25c
mの円板である。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして端部をテーパー
形状とする。この後、レジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング条件に変え
、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30(sc
cm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入して
プラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも2
0WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4
とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチング
される。なお、ここでは、第1のエッチング条件及び第2のエッチング条件を第1のエッ
チング処理と呼ぶこととする。
、第3のエッチング条件としてエッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガ
ス流量比を30/30(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF
(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを60秒行った。基板側(試
料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電
圧を印加する。この後、レジストからなるマスクを除去せずに第4のエッチング条件に変
え、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を20/2
0/20(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)
電力を投入してプラズマを生成して約20秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ス
テージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。なお、ここでは、第3のエッチング条件及び第4のエッチング条件を第2のエ
ッチング処理と呼ぶこととする。この段階で第1の導電層を下層とし、第2の導電層を上
層とするゲート電極および各電極が形成される。
ピングする第1のドーピング処理を行う。第1のドーピング処理はイオンドープ法、もし
くはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1.5×1014atom
s/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとして行う。n型を付与する不純物元素とし
て、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。自己整合的に第1の不純物領域
(n--領域)が形成される。
オフ電流値を下げるため、マスクは、画素部のスイッチングTFTを形成する半導体層の
チャネル形成領域及びその一部を覆って形成する。また、マスクは駆動回路のpチャネル
型TFTを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するためにも
設けられる。加えて、マスクは、画素部の電流制御用TFTを形成する半導体層のチャネ
ル形成領域及びその周辺の領域を覆って形成される。
、ゲート電極の一部と重なる不純物領域(n-領域)を形成する。第2のドーピング処理
はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。ここでは、イオンドープ法を用
い、フォスフィン(PH3)を水素で5%に希釈したガスを流量30sccmとし、ドー
ズ量を1.5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を90keVとして行う。この場合、レ
ジストからなるマスクと第2の導電層とがn型を付与する不純物元素に対するマスクとな
り、第2の不純物領域が形成される。第2の不純物領域には1×1016〜1×1017/cm3
の濃度範囲でn型を付与する不純物元素が添加される。ここでは、第2の不純物領域と同
じ濃度範囲の領域をn-領域とも呼ぶ。
ーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。n型を付与する不
純物元素として、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。ここでは、イオン
ドープ法を用い、フォスフィン(PH3)を水素で5%に希釈したガスを流量40scc
mとし、ドーズ量を2×1015atoms/cm2とし、加速電圧を80keVとして行う。この
場合、レジストからなるマスクと第1の導電層及び第2の導電層がn型を付与する不純物
元素に対するマスクとなり、第3の不純物領域が形成される。第3の不純物領域には1×
1020〜1×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加される。ここでは
、第3の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn+領域とも呼ぶ。
して第4のドーピング処理を行う。第4のドーピング処理により、pチャネル型TFTを
形成する半導体層を形成する半導体層にp型の導電型を付与する不純物元素が添加された
第4の不純物領域及び第5の不純物領域を形成する。
純物元素が添加されるようにする。尚、第4の不純物領域には先の工程でリン(P)が添
加された領域(n--領域)であるが、p型を付与する不純物元素の濃度がその1.5〜3
倍添加されていて導電型はp型となっている。ここでは、第4の不純物領域と同じ濃度範
囲の領域をp+領域とも呼ぶ。
あり、1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加される
ようにする。ここでは、第5の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をp-領域とも呼ぶ。
形成される。第1の導電層及び第2の導電層からなる電極はTFTのゲート電極となる。
VD法により膜厚50nmの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコ
ン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用
いても良い。
の活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法(RTA法)、或いは
レーザーを照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれ
かと組み合わせた方法によって行う。
行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
℃で1〜12時間の熱処理)を行い、半導体層を水素化する工程を行う。この工程は第1
の層間絶縁膜に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である
。酸化シリコン膜からなる絶縁膜(図示しない)の存在に関係なく半導体層を水素化する
ことができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水
素を用いる)を行っても良い。
本実施例では塗布法により膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形成する。
物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次
行う。本実施例では第1の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第2の層間絶縁膜を
エッチングしてから第1の層間絶縁膜をエッチングする。
引き出し電極及び接続電極などを形成する。ここでは、これらの電極及び配線の材料は、
Ti膜(膜厚100nm)とシリコンを含むAl膜(膜厚350nm)とTi膜(膜厚5
0nm)との積層膜を用い、パターニングを行った。こうして、ソース電極及びソース配
線、接続電極、引き出し電極、電源供給線などが適宜、形成される。なお、層間絶縁膜に
覆われたゲート配線とコンタクトを取るための引き出し電極は、ゲート配線の端部に設け
られ、他の各配線の端部にも、外部回路や外部電源と接続するための電極が複数設けられ
た入出力端子部を形成する。
組み合わせたCMOS回路を有する駆動回路と、1つの画素内にnチャネル型TFTまた
はpチャネル型TFTを複数備えた画素部を形成することができる。
ここでは、スパッタ法により200nmの窒化シリコン膜を成膜する。
れた接続電極に達するコンタクトホールを形成する。次いで、接続電極に接して重なるよ
う画素電極を形成する。本実施例では、画素電極はEL素子の陽極として機能させるため
、仕事関数の大きい、具体的には白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(W)、
もしくはニッケル(Ni)といった材料を用いることができる。
う無機絶縁物はスパッタ法により珪素を含む絶縁膜で形成し、パターニングすれば良い。
また、無機絶縁物に代えて、有機絶縁物からなるバンクを形成してもよい。
形成する。EL層の成膜方法としては、インクジェット法や、蒸着法や、スピンコーティ
ング法などにより形成すればよい。
発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例えば、低
分子系有機EL材料や高分子系有機EL材料を用いればよい。また、EL層として一重項
励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレット化合物)からなる薄膜、または三重
項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプレット化合物)からなる薄膜を用いる
ことができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いること
も可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
くは2族に属する金属元素)や、これらを含む合金を用いることが好ましいとされている
。仕事関数が小さければ小さいほど発光効率が向上するため、中でも、陰極に用いる材料
としては、MgAg、MgIn、AlLiなどの合金、または周期表の1族もしくは2族
に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜などを薄く成膜した後、透明
導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2
O3―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)を形成した積層構造とすることが望ましい。
たは酸化窒化珪素を主成分とする絶縁膜を形成すればよく、実施の形態2に示したように
、EL層における欠陥を水素で終端(ターミネーション)させるため、陰極上に水素を含
む膜を設けることが好ましい。
形成すればよく、成膜の際、プラズマ化された水素によって有機化合物層における欠陥を
水素で終端させることもできる。また、有機化合物層が耐えうる温度範囲で加熱処理を行
ったり、発光素子を発光させた際に生じる発熱を利用することによって、上記水素を含む
膜から水素を拡散させて、有機化合物層における欠陥を水素で終端(ターミネーション)
させることができる。
劣化を促す物質が侵入することを防ぐ。ただし、後でFPCと接続する必要のある入出力
端子部には保護膜および水素を含む膜などは設けなくともよい。
回路を設けてもよく、特に限定されないことは言うまでもない。
いは封止缶で封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断し、外部から水分や酸
素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。封止基
板、或いは封止缶で封入する直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい
。また、封止基板を貼りつける際には、水素および不活性気体(希ガスまたは窒素)を含
む雰囲気下で行って、封止によって密閉された空間には水素を含ませることが好ましい。
発光素子を発光させた際に生じる発熱を利用することによって、上記水素を含む空間から
水素を拡散させて、有機化合物層における欠陥を水素で終端させることができる。有機化
合物層における欠陥を水素で終端させると発光装置としての信頼性が向上する。
ト)を貼りつける。異方性導電材は、樹脂と、表面にAuなどがメッキされた数十〜数百
μm径の導電性粒子とから成り、導電性粒子により入出力端子部の各電極とFPCに形成
された配線とが電気的に接続する。
けることによって円偏光板は必要となくなる。さらに、必要があれば、他の光学フィルム
を設けてもよい。また、ICチップなどを実装させてもよい。
は実施の形態5と自由に組み合わせることができる。
は受渡室、102、104a、107、108、111、114は搬送室、105、10
6R、106B、106G、106H、109、110、112、113は成膜室、10
3は前処理室、117a、117bは封止基板ロード室、115はディスペンサ室、11
6は封止室、118aは紫外線照射室、120は基板反転室である。
す積層構造を形成する手順を示す。
する。次いで受渡室101に連結された搬送室102に搬送する。予め、搬送室内には極
力水分や酸素が存在しないよう、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にしてお
くことが好ましい。
空排気処理室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライ
ポンプが備えられている。これにより搬送室の到達真空度を10-5〜10-6Paにするこ
とが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することがで
きる。装置内部に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガ
ス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される
前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に
成膜装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に
含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれら
の不純物が導入されるのを防ぐことができる。
真空中で行うことが好ましく、搬送室102に連結された前処理室103に搬送し、そこ
でアニールを行えばよい。さらに、陰極の表面をクリーニングする必要があれば、搬送室
102に連結された前処理室103に搬送し、そこでクリーニングを行えばよい。
フェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(PEDOT/PSS)を全面に形成してもよい。
図11の製造装置には、高分子からなる有機化合物層を形成するための成膜室105が設
けられている。スピンコート法やインクジェット法やスプレー法で形成する場合には、大
気圧下で基板の被成膜面を上向きにしてセットする。成膜室105と搬送室102との間
に設けられた基板反転室120で基板を適宜反転させる。また、水溶液を用いた成膜を行
った後は、前処理室103に搬送し、そこで真空中での加熱処理を行って水分を気化させ
ることが好ましい。
搬送した後、搬送機構104bによって、成膜室106Rに搬送し、陰極200上に赤色
発光するEL層を適宜形成する。ここでは蒸着によって形成する例を示す。成膜室106
Rには、基板反転室120で基板の被成膜面を下向きにしてセットする。なお、基板を搬
入する前に成膜室内は真空排気しておくことが好ましい。
0-6Paまで真空排気された成膜室106Rで蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱に
より有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッター(図示しない)が開くことにより
基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスク(図示し
ない)に設けられた開口部(図示しない)を通って基板に蒸着される。なお、蒸着の際、
基板を加熱する手段により基板の温度(T1)は、50〜200℃、好ましくは65〜1
50℃とする。
した後、順次、各成膜室106G、106Bで成膜を行って形成すればよい。
ることなく、搬送室104から搬送室107に基板を搬送した後、さらに、大気にふれさ
せることなく、搬送室107から搬送室108に基板を搬送する。
EL層201上に透明導電膜(ITOなど)からなる陽極202を適宜形成する。陰極を
形成する場合は、成膜室110で陰極となる薄い金属層を形成した後、成膜室109に搬
送して透明導電膜を形成し、薄い金属層(陰極)と透明導電膜との積層を適宜形成する。
ここでは、成膜室110は、陰極となるMgやAgやAlを蒸着源に備えた蒸着装置とし
、成膜室109は、陽極となる透明導電材料からなるターゲットを少なくとも有している
スパッタ装置とする。
有機化合物層が耐えうる温度範囲で水素を含む膜203を形成する。ここでは成膜室11
2にプラズマCVD装置を備え、成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガ
ス(例えばCH4、C2H2、C6H6など)とを用いて水素を含むDLC膜を形成する。な
お、水素ラジカルが発生する手段を備えていれば特に限定されず、上記水素を含むDLC
膜の成膜の際、プラズマ化された水素によって有機化合物層における欠陥を水素で終端さ
せる。
膜203上に保護膜204を形成する。ここでは、成膜室113内に、珪素からなるター
ゲットまたは窒化珪素からなるターゲットを備えたスパッタ装置とする。成膜室雰囲気を
窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって窒化珪素膜を形成する
ことができる。
覆われた発光素子が形成される。
111に搬送し、さらに搬送室111から搬送室114に搬送する。
、封止室116には、シール材が設けられた封止基板を用意しておくことが好ましい。
分などの不純物を除去するために予め真空中でアニール、例えば、封止基板ロード室11
7a、117b内でアニールを行うことが好ましい。そして、封止基板にシール材を形成
する場合には、搬送室108を大気圧とした後、封止基板を封止基板ロード室からディス
ペンサ室115に搬送して、発光素子が設けられた基板と貼り合わせるためのシール材を
形成し、シール材を形成した封止基板を封止室116に搬送する。
ールを行った後、シール材が設けられた封止基板と、発光素子が形成された基板とを貼り
合わせる。また、密閉された空間には水素または不活性気体を充填させる。なお、ここで
は、封止基板にシール材を形成した例を示したが、特に限定されず、発光素子が形成され
た基板にシール材を形成してもよい。
次いで、紫外線照射室118でUV光を照射してシール材を硬化させる。なお、ここでは
シール材として紫外線硬化樹脂を用いたが、接着材であれば、特に限定されない。
するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。
なお、搬送室102、114においては、真空と大気圧とを繰り返すが、搬送室104a
、108は常時、真空が保たれる。
か設けられていない例であったが、図12の製造装置は、スピンコート法やインクジェッ
ト法やスプレー法で形成する成膜室が3つ備えた例である。例えば、フルカラーとするた
めに、3種類のEL層をスピンコート法やインクジェット法やスプレー法で形成する場合
には、成膜室121aで成膜した後、順次、各成膜室121b、121cで成膜を行って
形成すればよい。
は実施の形態5、または実施例1と自由に組み合わせることができる。
型ELモジュール)を完成することができる。即ち、本発明を実施することによって、そ
れらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコン
ピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙
げられる。それらの一例を図13、図14に示す。
示部2003、キーボード2004等を含む。
3、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。
カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。
部2303等を含む。
ヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、
操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Dig
tial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD
、イメージセンサ等)2907等を含む。
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。
等を含む。
インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには
、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
用することが可能である。また、本実施例の電子機器は、実施の形態1乃至5、実施例1
、または実施例2のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる
。
Claims (2)
- 画素部と、前記画素部とは異なる接続部と、を有し、
前記画素部は、
半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上の第1の配線と、
前記第1の配線上の第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上の陽極と、
前記陽極の端部を覆う第1の絶縁物と、
前記陽極上及び前記第1の絶縁物上の、発光層と、
前記発光層上の陰極と、を有し、
前記接続部は、
前記第1の層間絶縁膜上の第2の配線と、
前記第2の配線上の前記第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上の電極と、
前記電極上の第2の絶縁物と、
前記電極上及び前記第2の絶縁物上の前記陰極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と重なる第1の領域と、前記ゲート電極と重ならない第2の領域とを有し、
前記第1の領域の厚みは、前記第2の領域の厚みよりも大きく、
前記ゲート電極は、テーパー形状を有し、
前記画素部において、前記陽極は、前記第1の配線を介して、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記画素部において、前記陽極が前記第1の配線と接する領域は、前記第1の配線が前記半導体膜と接する領域とは重ならず、
前記接続部において、前記陰極は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記陽極と前記電極とは、同一材料を有し、
前記第1の絶縁物と前記第2の絶縁物とは分離しており、
前記第1の絶縁物と前記第2の絶縁物とは、同一材料を有することを特徴とする発光装置。 - 画素部と、前記画素部とは異なる接続部と、を有し、
前記画素部は、
半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上の第1の配線と、
前記第1の配線上の第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上の陽極と、
前記陽極の端部を覆う第1の絶縁物と、
前記陽極上及び前記第1の絶縁物上の、発光層と、
前記発光層上の陰極と、
前記陰極上の窒化珪素膜と、を有し、
前記接続部は、
前記第1の層間絶縁膜上の第2の配線と、
前記第2の配線上の前記第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上の電極と、
前記電極上の第2の絶縁物と、
前記電極上及び前記第2の絶縁物上の前記陰極と、
前記陰極上の前記窒化珪素膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と重なる第1の領域と、前記ゲート電極と重ならない第2の領域とを有し、
前記第1の領域の厚みは、前記第2の領域の厚みよりも大きく、
前記ゲート電極は、テーパー形状を有し、
前記画素部において、前記陽極は、前記第1の配線を介して、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記画素部において、前記陽極が前記第1の配線と接する領域は、前記第1の配線が前記半導体膜と接する領域とは重ならず、
前記接続部において、前記陰極は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記陽極と前記電極とは、同一材料を有し、
前記第1の絶縁物と前記第2の絶縁物とは分離しており、
前記第1の絶縁物と前記第2の絶縁物とは、同一材料を有することを特徴とする発光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20160022828A (ko) * | 2013-06-24 | 2016-03-02 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 윤활 피막용 코팅 조성물 |
Families Citing this family (220)
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---|---|---|---|---|
TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
US6608449B2 (en) * | 2000-05-08 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
JP4593019B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7098069B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
SG143063A1 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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TWI362128B (en) * | 2002-03-26 | 2012-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6911772B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Oled display having color filters for improving contrast |
AU2003260959A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
EP1580209A4 (en) * | 2002-12-25 | 2006-07-05 | Semiconductor Energy Lab | COMPOUNDS WITH HIGH MOLECULAR WEIGHT, LIGHT-EMITTING DEVICES AND LIGHT-EMITTING DEVICES |
JP4170120B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2008-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
AU2003227505A1 (en) * | 2003-04-15 | 2004-11-04 | Fujitsu Limited | Organic el display |
JP4493926B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
US20040264192A1 (en) * | 2003-05-06 | 2004-12-30 | Seiko Epson Corporation | Light source apparatus, method of manufacture therefor, and projection-type display apparatus |
JP4702516B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2011-06-15 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 有機el素子及びその製造方法 |
JP3915734B2 (ja) | 2003-05-12 | 2007-05-16 | ソニー株式会社 | 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置 |
CN1324540C (zh) * | 2003-06-05 | 2007-07-04 | 三星Sdi株式会社 | 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置 |
WO2004112436A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 有機elディスプレイとその製造方法 |
US7161184B2 (en) | 2003-06-16 | 2007-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7221095B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
US7224118B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode |
SG142140A1 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
WO2005011017A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic elettroluminescent device with low oxygen content |
US7211454B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate |
EP1505666B1 (en) | 2003-08-05 | 2018-04-04 | LG Display Co., Ltd. | Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same |
EP1672962B1 (en) | 2003-09-19 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Organic light emitting device, manufacturing method thereof and display device using the organic light emitting device |
JP4016144B2 (ja) | 2003-09-19 | 2007-12-05 | ソニー株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
KR100552972B1 (ko) | 2003-10-09 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
US7893438B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
JP3994994B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器 |
CN100489569C (zh) | 2003-10-28 | 2009-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 制作光学膜的方法 |
TWI253870B (en) | 2003-10-30 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Active organic electroluminescence display and fabricating method thereof |
CN100369290C (zh) * | 2003-11-05 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | 有源有机电致发光显示器及其制造方法 |
US7592207B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
KR100611147B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
JP2005158372A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネセンス素子及び照明装置 |
KR101026812B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-04-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
KR100686343B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
FR2864701B1 (fr) * | 2003-12-26 | 2006-09-08 | Lg Philips Co Ltd | Dispositif d'affichage electroluminescent organique et son procede de fabrication |
US10499465B2 (en) | 2004-02-25 | 2019-12-03 | Lynk Labs, Inc. | High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same |
US10575376B2 (en) | 2004-02-25 | 2020-02-25 | Lynk Labs, Inc. | AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus |
US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4485828B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-06-23 | 財団法人国際科学振興財団 | 雰囲気制御された樹脂の接合装置,接合方法および接合された樹脂部材 |
US7764012B2 (en) * | 2004-04-16 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting device comprising reduced frame portion, manufacturing method with improve productivity thereof, and electronic apparatus |
KR100652352B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
JP4027914B2 (ja) | 2004-05-21 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置及びそれを用いた機器 |
US7733441B2 (en) * | 2004-06-03 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. | Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material |
JP3956959B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及び電子機器 |
KR101068395B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식의 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
JP4121514B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 |
US8217396B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
JP2006058332A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
CN1819300B (zh) | 2004-09-17 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP4265515B2 (ja) | 2004-09-29 | 2009-05-20 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
JP4254675B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-04-15 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
US8148895B2 (en) | 2004-10-01 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4329740B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP4561490B2 (ja) | 2004-12-24 | 2010-10-13 | 株式会社豊田自動織機 | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4428231B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板、電気光学装置、および電子機器 |
US20060145598A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Macpherson Charles D | Electronic devices and process for forming the same |
KR101322747B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2013-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 전자기기 |
US7888702B2 (en) * | 2005-04-15 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the display device |
JP2006318910A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
GB0510282D0 (en) * | 2005-05-20 | 2005-06-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars |
JP2007005173A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR101219045B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
KR100683791B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
US7838347B2 (en) | 2005-08-12 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
US7358526B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | OLED separating structures |
TWI460851B (zh) | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP4513777B2 (ja) | 2005-11-14 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
KR20070054806A (ko) * | 2005-11-24 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5250960B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
CN101401209B (zh) * | 2006-03-10 | 2011-05-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储元件以及半导体器件 |
JP2007287354A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
KR100754483B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2007-09-03 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
JP5117001B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2013-01-09 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機el表示装置 |
US8053971B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
KR100805154B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP4245032B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2008170756A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sony Corp | 表示装置 |
US7839083B2 (en) | 2007-02-08 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
JP5401784B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2014-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
JP5104274B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-12-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
KR100800495B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
CN101262723B (zh) * | 2007-03-05 | 2011-02-02 | 株式会社日立显示器 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
US7791978B2 (en) * | 2008-02-01 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Design structure of implementing power savings during addressing of DRAM architectures |
KR100813851B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 전도성 산화막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법 |
KR101452370B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2014-10-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 el 장치 |
CN101669228B (zh) * | 2007-04-27 | 2012-06-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有阳极氧化金属的有机发光设备 |
US7915816B2 (en) * | 2007-05-14 | 2011-03-29 | Sony Corporation | Organic electroluminescence display device comprising auxiliary wiring |
JP2009021213A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Canon Inc | 有機発光装置 |
US7738050B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal display device |
TWI464510B (zh) * | 2007-07-20 | 2014-12-11 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置 |
KR101432110B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2014-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
KR20100108510A (ko) * | 2007-10-15 | 2010-10-07 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 용액 처리된 전자 소자용 백플레인 구조물 |
WO2009079327A1 (en) | 2007-12-14 | 2009-06-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for electronic devices |
JP5056420B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2012-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 有機elパネルおよびその製造方法 |
KR100964225B1 (ko) * | 2008-03-19 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP5141354B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
JP5251239B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2013-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、電子機器、有機el装置の製造方法 |
KR101824425B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2018-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
CN101911832B (zh) * | 2008-12-18 | 2013-06-19 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
JP2010153127A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sony Corp | 表示装置 |
TWI607670B (zh) * | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
KR101649225B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2016-08-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 |
KR20110008918A (ko) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조 방법 |
JP2012009420A (ja) | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び照明装置 |
KR101822526B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2018-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
WO2012014759A1 (en) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
KR101410576B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2014-06-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
KR101223724B1 (ko) | 2010-10-25 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자소자용 보호막 및 그 제조 방법 |
KR101815255B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2018-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이에 적용되는 입력패드 |
JP5827885B2 (ja) | 2010-12-24 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び照明装置 |
KR20120095656A (ko) * | 2011-02-21 | 2012-08-29 | 삼성전기주식회사 | Led 구동장치 |
KR101976065B1 (ko) | 2011-05-11 | 2019-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
US8432095B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-04-30 | Universal Display Corporation | Process for fabricating metal bus lines for OLED lighting panels |
US8564192B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-10-22 | Universal Display Corporation | Process for fabricating OLED lighting panels |
TWI565119B (zh) | 2011-05-27 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置的製造方法及發光裝置 |
KR101407587B1 (ko) * | 2011-06-02 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US9721998B2 (en) | 2011-11-04 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US9219245B2 (en) * | 2011-11-18 | 2015-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
WO2013114495A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | パナソニック株式会社 | El表示装置およびそれに用いる配線基板 |
CN103311265B (zh) * | 2012-03-08 | 2016-05-18 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
JP5907766B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-04-26 | 株式会社カネカ | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
KR102082793B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
JP5674707B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
JP6214077B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2017-10-18 | 株式会社Joled | 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法 |
JP6302186B2 (ja) | 2012-08-01 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN102891255A (zh) * | 2012-10-18 | 2013-01-23 | 上海交通大学 | 一种柔性薄膜晶体管的绝缘层及其制备方法 |
US20140110764A1 (en) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Intermolecular Inc. | Method to control amorphous oxide layer formation at interfaces of thin film stacks for memory and logic components |
KR20140050994A (ko) * | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US8981359B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-03-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
JP6155020B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
KR101993331B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US9088003B2 (en) * | 2013-03-06 | 2015-07-21 | Apple Inc. | Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display |
JP6104649B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US9224980B2 (en) | 2013-03-28 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2014220121A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102131248B1 (ko) * | 2013-07-04 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150006125A (ko) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
KR102117607B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102381427B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2022-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
KR102090276B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름 |
JP6223070B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-11-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
KR20150027434A (ko) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102218573B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2021-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6291698B2 (ja) * | 2013-11-15 | 2018-03-14 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、それを用いた表示装置および有機el表示パネルの製造方法 |
US9117785B2 (en) * | 2013-11-22 | 2015-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
CN104733471A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法 |
KR102214476B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2021-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6371094B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-08-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6397654B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el発光装置 |
KR102213223B1 (ko) * | 2014-05-23 | 2021-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
TWI726843B (zh) | 2014-05-30 | 2021-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
US9349922B2 (en) * | 2014-08-25 | 2016-05-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, mask group, manufacturing method of pixels and pixel structure |
JP2016081562A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
KR102299684B1 (ko) * | 2014-10-28 | 2021-09-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102290785B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102260809B1 (ko) * | 2014-11-21 | 2021-06-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
CN104752444A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-01 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
KR102545253B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2023-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102609932B1 (ko) * | 2015-09-09 | 2023-12-04 | 이노럭스 코포레이션 | 디스플레이 디바이스 |
JP7016535B2 (ja) | 2015-10-26 | 2022-02-07 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法 |
KR102467353B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2022-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 |
CN105405864B (zh) * | 2015-12-08 | 2019-05-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示装置以及显示装置的封装方法 |
KR102456121B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2022-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광 제어 장치, 그를 포함한 투명표시장치, 및 그의 제조방법 |
KR102513824B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2023-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
JP6677386B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2020-04-08 | 天馬微電子有限公司 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
KR102569733B1 (ko) * | 2016-06-01 | 2023-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP6640034B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2020-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置の製造方法 |
US11152587B2 (en) | 2016-08-15 | 2021-10-19 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
CN106654043B (zh) * | 2016-12-15 | 2019-01-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器的封装方法及oled显示器 |
US20190319221A1 (en) * | 2016-12-21 | 2019-10-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and electronic apparatus |
CN106941111A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置 |
JP2020518107A (ja) | 2017-04-26 | 2020-06-18 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドOti Lumionics Inc. | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
WO2018211460A1 (en) | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Oti Lumionics Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
CN107256878A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
CN107331786A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-11-07 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | Oled微显示器件阳极结构及该阳极结构的制造方法 |
JP6935244B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
CN107393945A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN107331800B (zh) * | 2017-08-16 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN107994059B (zh) * | 2017-11-27 | 2020-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
KR102410500B1 (ko) | 2017-11-30 | 2022-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
KR102441681B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법 |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
KR102480092B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP7320851B2 (ja) | 2018-05-07 | 2023-08-04 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 補助電極を提供するための方法および補助電極を含むデバイス |
CN108511506A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及显示面板 |
CN108919571B (zh) * | 2018-07-11 | 2021-07-27 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示面板 |
CN109243305B (zh) * | 2018-09-17 | 2021-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 |
JP7378923B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2023-11-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、モジュール、カメラおよび機器 |
CN109546000A (zh) | 2018-11-22 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
CN111384084B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和智能终端 |
CN109728065B (zh) * | 2019-01-09 | 2021-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR20200093737A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN116456753A (zh) | 2019-03-07 | 2023-07-18 | Oti照明公司 | 一种光电子器件 |
CN113661782A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-16 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
CN113661583B (zh) * | 2019-04-08 | 2024-06-18 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
WO2020208774A1 (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | シャープ株式会社 | 発光素子および表示装置 |
US11309355B2 (en) | 2019-04-26 | 2022-04-19 | Innolux Corporation | Display device |
CN109994536A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板及oled显示面板 |
CN110416262B (zh) * | 2019-05-09 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示屏、显示面板及其制造方法 |
CN110098247A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和显示装置 |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
KR20220046551A (ko) | 2019-06-26 | 2022-04-14 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스 |
CN110416429A (zh) | 2019-07-23 | 2019-11-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示器件及其制作方法 |
US20220278299A1 (en) | 2019-08-09 | 2022-09-01 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition |
CN110635066A (zh) | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示基板及其制作方法、透明显示装置 |
KR20210053395A (ko) * | 2019-11-01 | 2021-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US12044912B2 (en) * | 2019-11-25 | 2024-07-23 | Huawei Technologies Canada Co., Ltd. | Apparatus for plasmonic nanoantenna optical beam phase-shifter and steerer |
KR102651057B1 (ko) * | 2020-05-26 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
CN113629207B (zh) * | 2021-07-20 | 2023-04-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US158835A (en) * | 1875-01-19 | Improvement in mortising-tools | ||
JPS63259994A (ja) | 1987-04-15 | 1988-10-27 | 株式会社リコー | 薄膜発光素子 |
JPS6443994A (en) | 1987-08-10 | 1989-02-16 | Tosoh Corp | Membranous el panel |
JP2584884B2 (ja) | 1990-05-31 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 配線基板 |
JPH04249092A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-04 | Pioneer Electron Corp | El表示装置 |
JP3170542B2 (ja) | 1993-12-08 | 2001-05-28 | 出光興産株式会社 | 有機el素子 |
JPH07166160A (ja) | 1993-12-16 | 1995-06-27 | Toppan Printing Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
JPH0987828A (ja) | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の電極を形成する方法およびそれに用いる装置 |
JP3332773B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
US6037712A (en) * | 1996-06-10 | 2000-03-14 | Tdk Corporation | Organic electroluminescence display device and producing method thereof |
US6072450A (en) * | 1996-11-28 | 2000-06-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3463971B2 (ja) | 1996-12-26 | 2003-11-05 | 出光興産株式会社 | 有機アクティブel発光装置 |
JPH10189285A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Shimadzu Corp | 医用x線管装置 |
US5929474A (en) * | 1997-03-10 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array |
US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
JPH10330911A (ja) | 1997-06-05 | 1998-12-15 | Toray Ind Inc | シャドーマスクおよびその製造方法 |
JPH1126155A (ja) | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Mitsui Chem Inc | エレクトロルミネッセンス素子用保護フィルム |
US6072278A (en) * | 1997-08-06 | 2000-06-06 | Alliedsignal Inc. | High capacitance pixel for electronic displays |
JP3830238B2 (ja) | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
US6208394B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD device and method for fabricating the same having color filters and a resinous insulating black matrix on opposite sides of a counter electrode on the same substrate |
US6140766A (en) * | 1997-12-27 | 2000-10-31 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Organic EL device |
JP3646510B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ |
JP3266573B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2002-03-18 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3175712B2 (ja) | 1998-10-23 | 2001-06-11 | 日本電気株式会社 | Dlc保護膜と該保護膜を用いた有機el素子及びそれらの製造方法 |
JP2000208253A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2000223265A (ja) | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
JP2000231985A (ja) | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP3411864B2 (ja) * | 1999-06-11 | 2003-06-03 | ティーディーケイ株式会社 | 有機el表示装置 |
JP2001057287A (ja) | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
TW480722B (en) | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
JP4780826B2 (ja) | 1999-10-12 | 2011-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
EP1096568A3 (en) | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
JP3809758B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
TW511298B (en) | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
JP2001176657A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
TW494447B (en) | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP3967081B2 (ja) | 2000-02-03 | 2007-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
TW495808B (en) | 2000-02-04 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus |
JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
US6869635B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-03-22 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
JP2001313172A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法 |
JP2001244070A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Optrex Corp | Elパネル |
JP4836339B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2011-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置及びその作製方法 |
TW495854B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
EP1178709A4 (en) * | 2000-03-07 | 2007-02-14 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE WITH ACTIVE ATTRACTION AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP4542659B2 (ja) | 2000-03-07 | 2010-09-15 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2001254169A (ja) | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Optonix Seimitsu:Kk | 蒸着用金属マスクおよび蒸着用金属マスク製造方法 |
JP4693262B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パッシブマトリクス型の発光装置 |
JP4637391B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7301276B2 (en) * | 2000-03-27 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
JP4405638B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2010-01-27 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | ディスプレイおよびその製造方法 |
TW493282B (en) | 2000-04-17 | 2002-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-luminous device and electric machine using the same |
JP4889872B2 (ja) | 2000-04-17 | 2012-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びそれを用いた電気器具 |
JP4869491B2 (ja) | 2000-04-18 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
TW521237B (en) | 2000-04-18 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
US6847341B2 (en) | 2000-04-19 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving the same |
JP2002006808A (ja) | 2000-04-19 | 2002-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置およびその駆動方法 |
JP4827313B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2011-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2002014343A (ja) | 2000-04-26 | 2002-01-18 | Nec Corp | 液晶表示装置、発光素子、液晶表示装置の製造方法 |
TW531901B (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP4152603B2 (ja) | 2000-04-27 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US6608449B2 (en) * | 2000-05-08 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
JP3936151B2 (ja) | 2000-05-08 | 2007-06-27 | 双葉電子工業株式会社 | 有機el素子 |
JP3446099B2 (ja) | 2000-05-10 | 2003-09-16 | ハリソン東芝ライティング株式会社 | 放電灯点灯装置 |
JP2001326070A (ja) | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Denso Corp | 有機el素子 |
GB0014961D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements |
KR100462712B1 (ko) | 2000-08-10 | 2004-12-20 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유기전자장치와 그 제조방법과 그 동작방법 및 그것을 사용한 표시장치 |
US6605826B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
US6739931B2 (en) | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
US6617186B2 (en) | 2000-09-25 | 2003-09-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing electroluminescent element |
KR100763137B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-10-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 엑스-선 검출소자 및 그의 제조방법 |
US6858480B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP3702859B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2005-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2002318556A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP2002318553A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置 |
TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
US7483001B2 (en) * | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
SG143063A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP1343206B1 (en) | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus |
US6812637B2 (en) | 2003-03-13 | 2004-11-02 | Eastman Kodak Company | OLED display with auxiliary electrode |
-
2002
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160022828A (ko) * | 2013-06-24 | 2016-03-02 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 윤활 피막용 코팅 조성물 |
KR102221926B1 (ko) * | 2013-06-24 | 2021-03-04 | 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 | 윤활 피막용 코팅 조성물 |
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