CN1826840B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种EL元件，其特征在于，将可溶于以聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物或者聚呋喃衍生物为基本骨架的有机化合物的共轭高分子，利用不含有酸成份的电子接受性有机分子的掺杂剂氧化主链，将掺杂的该共轭高分子用作形成空穴注入层的材料。因为该高分子溶于有机溶剂，故也可以对疏水性高的基板利用涂敷成膜，可以在有源矩阵显示装置中不可缺少的TFT基板上等容易地成膜。另外，因为使用不含有酸成份的掺杂剂，故可以将对与该空穴注入层连接的有机薄膜和电极的影响抑制到最小限度。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置，其将利用称作“电发光”(以下称作“EL”)现象发光的薄膜，夹持在阳极、阴极、及在上述阳极和阴极之间，使由上述构造构成的元件(以下称作“发光元件”)设于基板上；及涉及将该发光元件设于影像显示部的电子仪器。
背景技术
影像显示用显示器是一种现代生活不可缺少的显示装置，从通常所说的电视机监视器开始，到近年来急速发展的液晶显示器，及今后期待发展的有机EL显示器等，根据应用存在各种各样的形态.特别是液晶显示器和EL显示器是由低电压驱动的发光元件，从节能的观点出发，是重要的影像显示器。
其中，EL显示器作为下一代的平面面板显示器元件最受关注。
EL显示器的发光机制是，通过在电极间设置由发光体组合物构成的薄膜(以下称作“薄膜”)，使电流通过，由阴极注入的电子及由阳极注入的空穴在发光体膜中的发光中心进行再结合，形成分子激子，利用该分子激子在返回基态时发出的光子进行发光。
另外，发光体组合物形成的分子激子的种类有单重态激子和三重态激子，设定本说明书中包含任一种激子.
在上述的EL显示器元件(以下称作“EL元件”)中，通常形成低于1μm左右的膜厚。另外，EL元件因为是由发光体膜本身发光的自发光型元件，因此，不需要以前液晶显示器中使用的背照灯。因此，EL元件可以制得非常薄型质轻是其大的优势。
另外，在例如100～200nm左右的薄膜中，注入载流子后直至再结合的时间，考虑发光体膜的载流子移动度，是数十纳秒左右，即使包括从载流子的再结合到发光的过程，也可在数微妙以内发光。因此，其特征之一是应答速度非常快。
而且，EL元件是载流子注入型的发光元件，因此可以在直流电压下驱动，难以产生噪音。另外，也可以通过利用适当的材料形成100nm左右的均匀超薄的薄膜，使其在数V电压下驱动。也就是，EL元件是自发光型，不仅视角宽，可视性良好，而且因为具有薄型质轻、高速应答性、直流低电压驱动等特性，有望作为下一代的发光元件。
如上所述，EL显示器的发光机制是，通过在电极间设置薄膜，使电流通过，由阴极注入的电子及由阳极注入的空穴在发光体膜中的发光中心进行再结合，形成分子激子，利用该分子激子在返回基态时发出的光子进行发光。因此，有效地向薄膜注入空穴和电子是制造效率高的发光元件的必要条件之一。
在典型的EL元件的操作条件下，向本来电阻高的薄膜中注入100mA/cm2左右的电流。为了实现上述的高密度的电流注入，必须尽可能减小阳极空穴注入障碍及阴极电子注入障碍。也就是，阴极必须使用功函数小的金属，相反阳极必须选择功函数大的金属.对阴极来说，通过选择各种各样的金属或合金，事实上可以任意控制功函数.与此相对，对阳极来说，一般的EL元件要求阳极具有透明性，因此，实际中限定透明的导电性氧化物.当考虑稳定性、透明度、电阻率等时，现实中只能选择铟-锡氧化物(下面称作“ITO”)代表的几种氧化物导电膜。
ITO电极是在氧化铟中掺杂锡制成的，锡进入铟的取代位置。锡和若干的氧缺陷形成给予体，传导带被部分充满，由此显示导电性。ITO利用喷溅法及离子束喷溅法、气相成长法等方法在玻璃上成膜，通过适当地选择锡的掺杂量，可以制造低电阻透明性高的电极。
但是，有人指出ITO的表面不一定平坦，为此，与EL元件中使用的薄膜接触出现恶化，或者在薄膜上产生针孔。可以说这是EL元件劣化的原因之一。另外，虽然ITO膜的功函数可以根据形成ITO膜时的工序及表明处理的不同发生某种左右的变化，但这样的方法有局限性，因此，难以减少空穴注入障碍。
已知减少ITO阳极的空穴注入障碍的方法之一，是在ITO薄膜上插入缓冲层。可以通过使缓冲层的离子势能最优化，降低空穴注入障碍。将这样的缓冲层称作空穴注入层.具有空穴注入层的功能的物质，大致分为金属氧化物、低分子有机化合物和高分子类化合物。金属氧化物例如有：氧化钒、氧化钼、氧化钌、氧化铝等。低分子有机化合物例如有以m-MTDATA为代表的星爆型胺或金属酞菁等。另外，已知高分子类化合物材料有聚苯胺或聚噻吩衍生物等共轭高分子。
专利文献1
美国专利第4,720,432号说明书
非专利文献1
S.Tokito，et al.，J.Pys.D1996，29，pp.2750-2753
非专利文献2
黑坂刚孝等、信学技报、1998，98，pp.63-68
非专利文献3
Y.Shirota，et al.，Appl.Phys.Lett.，1994，65，pp.807-809
非专利文献4
S.A.VanSlyke，et al.，Appl.Phys.Lett.，1996，69，pp.2160-2162
非专利文献5
Y.Yang，et al.，Appl.Phys.Lett.，1994，64，pp.1245-1247
非专利文献6
S.A.Carter，et al.，Appl.Phys.Lett.，1997，70，pp.2067-2069
通过利用前述的材料形成空穴注入层，减低空穴注入障碍，有效注入空穴，结果提高EL元件的效率及寿命，还可以降低驱动电压。其中，高分子类的材料的一大特征在于，利用旋转涂敷法或喷墨法等方法在ITO表面成膜。特别是喷墨法，通过控制液滴附着在基板的位置，可以形成任意的微细图案，具有成本低，简便的优点。作为EL元件的制造技术具有重要的作用.
如上所述，可以使用低成本且简便的喷墨法的高分子类中空注入材料，尽管是非常有前途的材料，但是存在以下问题。上述的聚苯胺或聚噻吩等共轭高分子其本身几乎没有导电性，通过与樟脑磺酸或聚(苯乙烯磺酸)等强酸混合，也就是将强酸掺杂在共轭高分子中，使其具有高导电性。这样掺杂的导电性共轭高分子具有空穴注入材料的功能，但是，由于掺杂剂(以下称作掺杂剂)使用强酸，因此，对与空穴注入层接触的薄膜及ITO具有很大的损坏的可能性很高。另外，在将EL元件应用在电视机监视器等中时，采用搭载有薄膜晶体管(以下记作“TFT”)的有源矩阵型的发光装置，但是，当将含有上述强酸的空穴注入材料在搭载有TFT的基板上成膜时，对TFT特性具有较大的不良影响.
而且，以前用作空穴注入材料的上述高分子类材料不溶于有机溶剂，当利用强酸磺酸掺杂后，做成水混悬液使用。为此，利用喷墨法及旋转涂敷法等在疏水性的基板上成膜时，悬悬液不均匀地分散，结果空穴注入层的膜厚出现不均匀，难以形成均匀的薄膜。特别是利用搭载有TFT的基板，用于各像素间绝缘的绝缘体多数情况下是亲油性，也就是疏水性，因此不一定能容易地形成均匀的薄膜。
也就是，高分子系空穴注入材料，尽管其优点在于，可以使用低成本、简便的喷墨法或旋转涂敷法，而且，可以提高EL元件特性，但是，迄今采用的高分子类空穴注入材料，根本上具有如前所述的大的问题，需要进一步改进。
发明内容
(发明解决的课题)
本发明是对上述问题点进行的研究，目的在于，提供一种使EL元件的特性提高，且对接触的薄膜和ITO膜有不良影响的高分子类空穴注入材料，及使用该材料制造EL发光元件的方法.
(解决课题的方法)
本发明者的要旨是，首先使以聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物或聚呋喃衍生物为基本骨架的共轭高分子(共轭聚合物)，引入合适且恰当的侧链，使其在有机溶剂中可溶，不使用强酸或氧化剂，通过以电子接受性有机化合物为掺杂剂，掺杂在共轭高分子中，使共轭高分子主链氧化。将这样主链被氧化而使其具有导电性的高分子在ITO等阳极上成膜，形成空穴注入层.其后，使构成EL元件的各功能层层压，最后通过形成阴极制造EL元件。由此，降低对与空穴注入层接触的各功能层及阳极的损坏，提高元件特性，另外，通过使用可以溶于有机溶剂的高分子作为空穴注入材料，可以向疏水性的基板成膜.
上述的以聚噻吩为基本骨架的共轭高分子，推荐通式(1)表示的至少一种化合物.
式中，取代基R1、R2可以相同或不同，表示可以含有氢原子、氧原子、硫原子或氮原子的有机残基。更具体的例如有：碳数4至30的脂肪族烃基(正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正庚基、2，6-二甲基庚基、1-乙基戊基、正辛基、正癸基、正十一烷基、正十七烷基等)、碳数4至10的脂环式烃基(环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基等)。或者，也可以是苯基、萘基、蒽基、芘基等芳香族基团.另外，这些芳香族基团，其氢原子也可以被烃基等取代.另外，这些芳香族烃基也可以通过碳数1至5的亚烃基，与羰基键合。除此之外，也可以是具有杂环的基团。另外，上述取代基R1、R2也可以通过氧原子或硫原子、氮原子、或者硅原子与噻吩骨架键合。
作为掺杂剂掺杂在共轭高分子中的电子接受性有机化合物，优选使用通式(2)至(9)表示的不饱和化合物、或者芳香族化合物.需要说明的是，由于通过掺杂共轭高分子，多数情况下对极性高的有机溶剂的溶解性提高，故向这些电子接受性有机化合物引入烷基侧链等的必要性不大。
Figure G2003801071470D00061
上述本发明中的构成EL元件的功能层是指将电子注入材料、空穴输送材料、电子输送材料、空穴阻止材料、电子阻止材料、发光材料、其它的有助于载流子再结合的有机化合物或无机化合物成膜的物质或其层压体。另外，发光材料可以是有机化合物，也可以是无机化合物。而且，发光性材料可以使用通过单重态激发而发荧光的材料，也可以使用通过三重态激发而发磷光的材料。
本发明中，在阳极上成膜形成上述空穴注入层时，可以在形成共轭高分子膜之后，氧化高分子主链，相反，也可以在氧化高分子主链之后成膜。另外，不仅使用未氧化的状态、也就是掺杂前可溶性的共轭高分子，而且可以使用即使氧化前不溶、但氧化后可溶的共轭高分子.
在阳极上形成上述共轭高分子膜的方法可以使用兰米尔-布洛吉特法(LB法)、单分子层压膜法、浸渍涂敷法、旋转涂敷法、喷墨法、印刷法等。
另外，在将上述共轭高分子作为空穴注入层成膜后，层压各功能层，最终形成阴极，各功能层的层压不仅可采用兰米尔-布洛吉特法(LB法)、单分子层压膜法、浸渍涂敷法、旋转涂敷法、喷墨法、印刷法等湿式方法，也可以使用蒸镀法或溅射法等。制作阴极适合应用蒸镀法和溅射法。由此制作EL元件及含有该元件的发光元件.
本发明可以在制造无源矩阵型的发光装置或者有源矩阵型的发光装置时实施，发光装置的形态没有特别限定.另外，基板不限于玻璃，可以使用纸、高分子膜、含有玻璃的无机氧化物板等.
(发明的效果)
本发明可以设计、合成不含有酸成份的、以可溶于有机溶剂的共轭高分子为基本骨架的空穴注入材料。因为本发明的空穴注入材料不含有酸成份，所以，对空穴注入材料接触的薄膜和ITO膜、TFT的特性没有不良影响。另外，本发明得到的空穴注入材料因为可溶于有机溶剂，故可以在疏水性强，也就是亲油性高的基板上进行均匀地涂敷。为此，可以大副度提高迄今为止的EL元件的特性和可靠性.
附图说明
图1表示实施本发明而制成的发光装置图。
图2表示实施本发明而制成的发光装置图。
图3为实施本发明而制成的发光装置的制造方法示意图。
图4为实施本发明而得到的发光装置外观示意图。
图5表示设有实施本发明而得到的发光装置的电子仪器的一例示意图.
具体实施方式
(实施方式1)
本实施方式显示用作空穴注入材料的上述共轭高分子的结构。式(1)所示的化合物是聚噻吩衍生物。为了增加对有机溶剂的溶解性，取代基R1、R2可以是具有直链或支链结构的碳数4以上的烷基，优选碳数4至6的直链或支链结构的脂肪族烃基或者也可以是碳数4至6的脂环式烃基。或者也可以引入具有脂肪族烃基或脂环式烃基的苯环、或者缩合芳香环。另外，也可以引入缺电子型的杂芳环、例如吡啶环或喹喔啉环，再将碳数4以上的脂肪族烃基或碳数4至10的脂环式烃基引入上述杂芳香环中。这些聚噻吩衍生物的聚合物，通过将对应的噻吩衍生物，进行电化学氧化聚合，或者使用氧化剂化学氧化聚合，合成膜状。另外，上述取代基优选引入R1、R2两者中。这是因为在氧化聚合中聚合的位置选择性差而将聚合位置控制在噻吩环的2、5位，另外，通过将聚合位置控制在2、5位，提高共轭高分子(共轭聚合物)的导电性。需要说明的是，上述取代基R1、R2不一定需要相同.之所以如此，是因为在上述取代基R1、R2不相同的情况下，高分子主链构造出现不规则，实现溶解性(特别是对有机溶剂的溶解性)的提高。而且，聚合反应无需仅使用单一的噻吩衍生物，也可以同时使用两种以上的噻吩衍生物，使用主链中具有多个噻吩衍生物单元的共轭共聚物、也就是共聚物.这是因为通过不规则地配列多个噻吩单元(单体)，共聚物的主链结构中出现不规则，相信会提高溶解性(特别是对有机溶剂的溶解性).
另外一方面，为了利用电子接受性的有机化合物使共轭高分子主链容易氧化，可以将电子给予性的取代基引入R1和R2。具体的说，可以通过氧原子或硫原子、氮原子、硅原子引入具有直链或支链结构的脂肪族烃基，或者脂环式烃基.具体可以是烷氧基、硫烷基、二烷基氨基、三烷基甲硅烷基、优选碳数4到6的烷氧基、硫烷基、二烷基氨基、三烷基甲硅烷基。另外，也可以引入具有这些取代基的芳香环取代基，或者也可以通过这些取代基的杂原子引入上述芳香族取代基。而且，如苯并噻吩一样，通过使噻吩的3，4位和各种芳香环稠合，也可以有效地扩展π共轭体系。引入这些电子给予性取代基的聚噻吩衍生物的共轭聚合物，通过将对应的噻吩衍生物进行电化学氧化聚合，或者使用氧化剂进行化学氧化聚合而合成膜状。需要说明的是，上述取代基优选引入R1和R2两者中.这是因为在氧化聚合中聚合的位置选择性低，将聚合位置控制在噻吩环的2、5位，另外，通过将聚合位置控制在2、5位，使聚合物的导电性提高。另外，上述取代基R1、R2不一定必须相同.之所以如此，是因为在上述取代基R1、R2不相同的情况下，高分子主链结构出现不规则，实现溶解性(特别是对有机溶剂的溶解性)的提高。而且，聚合反应无需仅使用单一的噻吩衍生物，也可以同时使用两种以上的噻吩衍生物，使用主链中具有多个噻吩衍生物单元的共轭聚合物、也就是共聚物。这是因为通过不规则地配列多个噻吩单元，共聚物的主链结构中出现不规则，相信会提高溶解性(特别是对有机溶剂的溶解性)。
以上，是对噻吩衍生物的取代基R1、R2的说明，除此之外作为聚苯胺、聚吡咯、聚呋喃衍生物的取代基，即使应用上述取代基R1、R2，不用说也可得到本发明的空穴注入材料。
下面，示出用于合成通式(1)表示的化合物的噻吩单体(单体)的合成方法及其聚合方法的一例。
下面，示出合成作为噻吩单体(单体)的3，4-二己氧基噻吩的一个例子。在硫二甘醇酸(250g、1.67mol)的乙醇溶液(800mL)中添加硫酸2mL，制成反应液，搅拌24小时后，加热回流12小时。然后利用共沸从反应液中除去约500mL的乙醇和水。再添加乙醇400mL，加热回流20小时后向反应液添加水，用乙醚萃取。醚层用硫酸镁干燥、过滤、浓缩。将残渣在200Pa、100～110℃下减压蒸馏，由此得到硫二甘醇酸二乙酯，收率90％。
得到的硫二甘醇酸二乙酯(115g、558mmol)溶解在草酸二乙酯(83.5g、0.571mmol)的无水乙醇溶液(500mL)中，滴入乙醇钠(168g、2.5mol)的乙醇溶液.滴入结束后，在50℃下搅拌2小时。过滤生成的沉淀物，用乙醇洗涤过滤物。将过滤物溶解在蒸馏水1500mL中，滴入1M的盐酸至pH大约为1为止。过滤生成的沉淀物，用水洗涤过滤物，干燥后，用乙酸乙酯重结晶，得到2，5-二乙氧基羰基-3，4-二羟基噻吩，收率25％.
在氮气流下，在2，5-二乙氧基羰基-3，4-二羟基噻吩(30g)的干燥DMF(300mL)溶液中加入碳酸钾(40g).然后添加1-溴己烷(35mL)，在100℃搅拌24小时。将反应混合物冷却在至室温后，注入丙酮800mL，搅拌约10分钟。过滤生成的固体，用水洗涤过滤物后，干燥。将得到的固体用乙酸乙酯重结晶。将重结晶的固体在210℃下加热4小时，然后溶解在丙酮中，过滤，得到丙酮可溶部分。蒸馏除去丙酮后，用硅胶层析精制残渣。再将得到的液体进行减压蒸馏(400Pa、170-173℃)，由此得到目的的3，4-二己氧基噻吩，收率38％。利用NMR确认结构.1H NMR(CDCl3)δ6.16(s，2H)，3.97(t，4H，J＝6.6Hz)，1.70-1.85(m，4H)，1.20-1.50(m，12H)，0.90(t，6H，J＝6.9Hz)。
另外，在以3，4-二乙氧基噻吩为噻吩单体合成的情况下，卤化物使用溴乙烷，与合成3，4-二己酸氧化基噻吩同样地进行。利用NMR确认结构。1H NMR(CDCl3)δ6.15(s，2H)，3.97(t，4H，J＝6.6Hz)，0.90(t，6H，J＝6.9Hz)。
将单体3，4-二己氧基噻吩聚合的实例如下，在0℃向氯化铁(III)4.16g的干燥氯仿混悬液(150mL)中，滴入3，4-二己氧基噻吩(0.85g)的干燥氯仿溶液(50mL)，并直接在0℃搅拌20小时。减压下蒸馏除去溶剂后，添加300mL的甲醇，搅拌1小时.将生成的固体过滤，用甲醇及水洗涤固体。将该固体在氨水(200mL)中混悬，搅拌数小时后，过滤得到的沉淀物，再用甲醇、水及丙酮洗涤。将得到的固体溶解在氯仿中，浓缩、干燥可溶部分，由此得到通式(1)所显示的聚(3，4-二己氧基噻吩)，收率52％。所得聚合物可溶于THF、乙醚、氯仿、甲苯等有机溶剂中.单体3，4-二乙氧基噻吩也是同样聚合。
(实施方式2)
下面，对实施方式1说明的氧化用作空穴注入材料的共轭高分子的电子接受性有机化合物，也就是在上述共轭高分子中掺杂的掺杂剂的电子接受性有机化合物进行说明。另外，对其掺杂方法进行说明。
式(2)到式(9)是用于氧化上述共轭高分子的电子接受性有机化合物的实例。为了快速地氧化上述共轭高分子主链，优选使用具有电子接受性的不饱和化合物、或者芳香族化合物。另外，通过掺杂共轭高分子，多数情况下，对极性高的有机溶剂的溶解性提高，因此，向电子接受性有机化合物中引入烷基侧链等的必要性不大。另外，电子接受性有机化合物也可以使用具有式(2)至式(9)结构的有机化合物引入侧链的高分子。
掺杂方法，可以在极性溶剂中使上述共轭高分子和上述电子接受性化合物混合.极性溶剂例如有DMF或NMP、DMAc或DMSO等。混合后，将溶液涂敷在基板上，这种情况下，可以使用旋转涂敷法、喷墨法或浸渍涂敷法、LB法、溅射法等.
或者，将预先溶解在有机溶剂中的未掺杂的上述共轭高分子涂敷在基板上，之后可以在溶解有上述电子接受性化合物的溶液中浸渍基板。另外的方法，可以将预先溶解在有机溶剂中的未掺杂的上述共轭高分子涂敷在基板上，之后，在减压下与上述电子接受性化合物的蒸气接触.
另外，替代以电子接受性化合物作为掺杂在共轭高分子中的掺杂剂，也可以将共轭高分子进行电化学氧化。例如，在极性溶剂中溶解四丁基铵盐及金属高氯酸盐等的支持电解质后，溶解上述共轭聚合物，之后将作用电极和反电极插入溶液后，在适当且妥当的电位下氧化.所谓适当且妥当的电位是使上述共轭高分子的主链被氧化的电位，可以容易地利用循环伏安法确定。或者，将预先溶解在有机溶剂中的上述共轭高分子涂敷在ITO或金属等导电性基板上，之后，在溶解有四丁基胺盐或金属高氯酸盐等的支持电解质的极性溶剂中浸渍基板，将反电极插入溶液，可以在共轭高分子的主链被氧化的电位下进行氧化.
(实施方式3)
本实施方式中，对在使用实施方式1及2所示的材料、方法制造的空穴注入材料成膜后的基板上，层压各功能层的方法进行说明。
涂敷有ITO的基板不仅可使用石英或玻璃，也可以使用纸或塑料树脂等。另外，也可以使用预先搭载有TFT的基板。采用实施方式1及2所示的共轭高分子以及电子接受性有机化合物，使用实施方式1所示的方法制造成的空穴注入材料，在该基板上至少层压一层空穴注入层。
之后层压各功能层。功能层例如有空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、空穴阻止层、电子阻止层，为了与空穴注入层接触，设置空穴输送层；为了与上述空穴输送层接触，设置发光层；为了与上述发光层接触设置电子输送层，为了与上述电子输送层接触设置电子注入层。另外，与上述空穴输送层中含有的空穴输送材料相比，最高被占据分子轨道和最低空分子轨道的能量差大的封端材料，也可以包含在空穴输送层和阴极之间。
这些功能层的层压法不仅可以采用旋转涂敷法、浸渍涂敷法、LB法、单分子膜层压法、喷雾法等湿式方法，也可以采用真空蒸镀法、溅射等干式方法.然后，通过使用真空蒸镀法、溅射等方法制造阴极，利用玻璃等将制造的元件密封，制成元件.
实验中，在制造有ITO膜的玻璃基板上，旋转涂敷聚(3，4-二己氧基噻吩)50mg和四氰基醌二甲烷(8mg)的氯仿溶液(15mL)，然后，在减压下使其干燥，成膜形成空穴注入层。旋转涂敷条件是500rpm下5秒，1500rpm下20秒.利用真空蒸镀在该聚(3，4-二己氧基噻吩)膜上，成膜NPB及Alq，再成膜作为电极的Al和Li的合金。通过使该元件通电，得到绿色发光.发光起始电压为7V，通过外加17V，得到1000Cd/m2的亮度。使元件以1000Cd/m2的亮度发光时，电流功率大约为4Cd/A。
(实施方式4)
本实施方式是利用本发明制成的发光装置的一例，使用图1进行说明。图1(A)所示的像素构成中，101是数字信号线，102是栅极信号线、103是电源线、104是开关用的TFT(称作开关TFT。以下相同)105是保持电荷用的电容器，106是用于对发光元件供给电流的驱动用TFT(称作驱动TFT.以下相同)、107是与驱动TFT的漏极连接的像素电极，具有发光元件阳极的功能。另外，112是相对的电极，具有发光元件的阴极的功能。
图1(B)显示相当于这时的A-A’剖面的附图。在图1(B)中，110是基体，可以使用玻璃基板、石英基板、塑料基板、除此以外的透过性基板。在基体110的上面使用半导体工序形成驱动TFT106.另外，为了将与驱动TFT106形成连接的像素电极107的端部、及至少驱动TFT及开关TFT覆盖，设置绝缘体108使其形成晶格状图案。
在这些像素电极107的上面，使用上述实施方式1及2所示的材料和方法，形成空穴注入层111a～111c，然后，如实施方式3所示，层压以发光层为主的功能层114a～114c。另外，在基板上涂敷聚合物之后，进行电化学掺杂时，像素电极107本身具有作用电极的功能.然后，设置具有阴极功能的反电极112和钝化膜113。功能层114a～114c是空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、空穴阻止层或电子阻止层，是指含有有助于除此之外的载流子再键合的有机化合物或无机化合物的层或它们的层压物。
另外，反电极112可以使用含有属于周期表1族或2族的元素的铝膜或银薄膜等，但是，在本实施方式的情况下，必须透过由含有发光层的功能层114a～114c发出的光，因此，优选设反电极的膜厚为50nm以下。另外，作为钝化膜113，可以使用氮化硅膜、氮化铝膜、金刚石类碳膜、除此以外对水分或氧具有高阻隔性的绝缘膜。
本发明中，使用可溶于有机溶剂且不用强酸及氧化剂掺杂的共轭高分子作为空穴注入层.如上所述，TFT基板不一定亲水性好。另外，以前用作空穴注入材料的共轭高分子做成水混悬液使用.因此，为了在缺乏亲水性的TFT基板的ITO表面，形成以共轭高分子为组合物的空穴注入层的薄膜，基板洗涤中需要多个步骤。鉴于上述问题，通过实施本发明，可以在缺乏亲水性的TFT基板上，容易地形成空穴注入层，因此，可以用低成本而且简便的方法生产吞吐量高的EL元件。另外，本发明中，因为用于掺杂的材料不含有强酸成份，故抑制元件的劣化，可以提高该发光装置的可靠性.
(实施方式5)
本实施方式是利用本发明可以制造的发光装置的一例，使用图2进行说明。图2(A)所示的像素构成中，201是数据信号线，202是栅极信号线、203是电源线、204是开关TFT、205是保持电荷用的电容器，206是驱动TFT、207是驱动TFT的漏电极，208是与驱动TFT的漏电极连接的像素电极，像素电极208具有发光元件阳极的功能.该像素电极208为了使发光层发出的光透过，优选使用对可见光透明的导电膜，优选使用ITO(氧化铟和氧化锡的化合物)或氧化铟和氧化锌的化合物等氧化物导电膜.另外，212是相对的电极，具有发光元件的阴极的功能。
图2(B)显示相当于A-A’切剖面的附图.在图2(B)中，210是基体，可以使用玻璃基板、石英基板、塑料基板、除此以外的透过性基板。在基体210的上面，使用半导体工序形成驱动TFT206。另外，为了至少覆盖与驱动TFT206形成连接的像素电极208的端部、驱动TFT及开关TFT，设置形成晶格状图案的绝缘体209.
在这些像素电极208的上面，使用上述实施方式1及2所示的材料和方法制成的空穴注入材料，形成空穴注入层211a～211c。另外，将共轭高分子的聚合物涂敷在基板上之后，进行电化学掺杂时，像素电极本身具有作用电极的功能。然后，如实施方式3所示，层压以发光层为主的功能层214a～214c。功能层214a～214c是指载流子注入层、载流子输送层、载流子阻止层、发光层，是指除此之外的含有助于其它的载流子再键合的有机化合物或无机化合物的层或它们的层压物。该功能层214a～214c的层压结构和材料可以使用公知的材料。
另外，反电极212可以使用含有属于周期表1族和2族的元素的铝膜或银薄膜等。另外，钝化膜213，可以使用氮化硅膜、氮化铝膜、金刚石类碳膜、除此以外对水分及氧具有高阻隔性的绝缘膜.
本发明中，使用可溶于有机溶剂且不用强酸及氧化剂掺杂的，也就是被氧化后的共轭高分子作为空穴注入层.如上所述，TFT基板不一定亲水性好.另外，以前用作空穴注入材料的共轭高分子做成水混悬液使用。因此，为了在缺乏亲水性的TFT基板的ITO表面，形成以共轭高分子为组合物的空穴注入层的薄膜，基板洗涤中需要多个步骤。鉴于上述问题，通过实施本发明，可以在缺乏亲水性的TFT基板上，容易地形成空穴注入层，因此，可以用低成本而且简便的方法生产吞吐量高的EL元件.另外，本发明中，因为用于掺杂的材料不含有强酸成份，故抑制元件的劣化，可以提高该发光装置的可靠性。
(实施方式6)
图3显示本实施方式中，实现从发光体的形成到发光元件的密封工序自动化的多腔方式的制造装置之一例.图3(A)中，11是接受基板的装入室，12、14a、18、24是向各室(腔)搬送被处理基板的搬送室(称作共同室)，15、17、21是在各搬送室之间进行基板交接的交换室，29是已处理基板的取出室。另外，13是预处理室，预先清洁基板上的电极表面或调整功函数。
16A是旋转涂敷器室，用于将掺杂的也就是被氧化的共轭高分子，利用旋转涂敷法向基板上的电极涂敷，16B是旋转涂敷器室，其用于将未掺杂的共轭高分子，利用旋转涂敷法向基板上的电极涂敷。未掺杂的共轭聚合物进行电化学氧化时，涂敷有未掺杂的共轭聚合物的基板向电解前处理室16C搬送，基板设成纵向，也就是使被处理面与重力方向平行，然后向电解室16D搬送。基板浸入电解室16D中放有支持电解质溶液的电解腔中，这样在定电位或定电流条件下向基板上的电极通电，进行电化学掺杂。这样处理，空穴注入层在基板上形成.然后，将基板再向电解前处理室16C移送，洗涤后，使被处理面设置在与水平面平行的位置。
在基板上形成空穴注入层的基板，通过交换室15，向搬送室14a搬运。利用与搬送室14a连接的成膜室16E到16H，层压上述各功能层和电极。这些功能层和电极可以利用旋转涂敷法或蒸镀法、溅射法等制造，各成膜室做成对应成膜法的方式.另外，在制造阴极时，采用蒸镀法时，担心TFT及发光材料受X线、电子线等放射线影响而劣化，优选做成采取溅射法的成膜室。在层压任一功能层之后，被处理基板通过交换室21向搬送室24移动。27是储存密封用的密封基板的密封基板通路室、25是形成密封材料的配合器，26是密封室，其通过张贴被处理基板和密封基板，密封发光元件。
图3的制造装置中，各腔分别用门阀隔开，可以使其与其它的腔之间密闭隔断.而且，各腔分别与真空排气泵连接，可以维持真空，也可以导入惰性气体，形成减压气。当然，也可以在大气中的惰性气体下进行成膜。真空排气泵可以使用可以使其与其它的腔之间密闭隔断。而且，各腔分别与真空排气泵连接，可以维持真空，也可以导入惰性气体，形成减压气.当然，也可以在大气中的惰性气体下进行成膜。真空排气泵可以使用磁浮型的涡轮分子泵、低温泵或者干泵。另外，优选使导入的惰性气体预先通过精制器等，使其达到足够的高纯度。
另外，图3所示的制造装置的构成只是一个例子，不限定本发明。本实施方式，表示可以将用于实施本发明发光装置的制造方法的空穴注入层的制造装置与多腔方式的制造装置相组合。
(实施方式7)
使用图4说明本实施方式中，实施本发明而制造的发光装置的整体构成。图4是利用密封材料，密封形成有薄膜晶体管的元件基板形成的发光装置的俯视图，图4(B)是图4(A)的B-B’的剖面图，图4(C)是图3(A)的A-A’的剖面图.
基板81上配置有像素部(显示部)82、包围该像素部82设置的数据线驱动电路83、栅极线驱动电流84a、84b和保护电路85，将上述包围设置着密封材料86。像素部82设有实施本发明而制造的发光元件。密封材料86可以使用紫外线固化树脂、环氧树脂、除此以外的树脂，尽可能优选使用吸湿性低的材料.另外，密封材料86可以使数据线驱动电路83、栅极线驱动电路84a、84b及保护电路85的一部分重叠设置，也可以避开这些电路设置。
而且，使用密封材料86，粘接填缝材料87，通过基板81、密封材料86及填缝材料87形成密闭空间88。填缝材料87可以使用玻璃材料、金属材料(代表性的有不锈钢材料)、陶瓷材料、塑料材料(也含有塑料薄膜)。另外，也可以只用绝缘膜密封。
另外，填缝材料87在使用和基板81不同的材料时，因为热膨胀系数不同，可能影响密封材料的密封性。因此，填缝材料87优选使用与形成晶体管的基板81相同的材料.换言之，优选使用与基板81具有相同热膨胀系数的基体.本实施方式中，使用玻璃作为基板81和填缝材料87的材料，而且，填缝材料87经过与基板81在制造薄膜晶体管过程中的热经历相同的热经历，使热膨胀系数一致。
填缝材料87上，预先在凹部中设有吸湿剂(氧化钡或氧化钙等)89，起到吸附上述密闭空间28的内部的水分及氧气等、保持清洁气氛，起到抑制EL层劣化的作用.该凹部用网眼细的筛状的覆盖材料90覆盖，该覆盖材料90通过空气及水分，不通过吸湿剂89。另外，密闭空间88可以用氮气或氩气等稀有气体预先填充，如果是惰性，也可以用树脂或液体填充.
另外，在基板81上，设有向数据线驱动电路83和栅极线驱动电路84a、84b传递信号的端子部91，通过FPC(挠性印刷电路)92向该端子部91传递视频信号等数据信号.端子部91的剖面如图4(B)所示，栅极配线或数据配线同时形成的配线93的上面，使用将导电体96分散后的树脂97，使层压氧化物导电膜34后的构造配线和设于FPC92侧的配线95，进行电连接.另外，导电体96可以使用在球状的高分子化合物上进行金或银类的镀敷处理物.
本实施方式中，保护电路85设在端子部91和数据线驱动电路83之间，当在两者之间输入突发性的脉冲信号等静电时，起到使该脉冲信号逃向外部的作用.这时，首先通过电容器使瞬间浸进入的高电压信号钝化，使用薄膜晶体管和薄膜二极管构成的电路，可以使其它的高电压向外部逃出。当然，保护电路也可以设在其它的场所，例如像素部82和数据线驱动电路83之间或像素部82和栅极线驱动电路84a、84b之间等。
(实施方式8)
通过将实施本发明得到的发光装置安装在显示部，可以制造电子仪器。电子仪器例如：摄像机、数字相机、保护眼睛型显示器(前悬挂显示器Head Mounted Display)、导航系统、音响播放装置(汽车音响、组合式立体声音响)、笔记本型个人计算机、游戏机、便携信息末端(移动式计算机、便携电话、便携型游戏机或电子书籍等)、设有记录介质的图像播放装置(具体播放数字通用光盘(DVD))等记录介质，设有可以显示其图像的显示器的装置)等。图5具体显示这些电子仪器的实例。
图5(A)是电视机，包括框体2001、支撑台2002、显示部2003、扩音部2004、视频输入端子2005等.本发明可以应用在显示部2003中。另外，包括计算机用、TV播放接收用、广告显示用等所有的信息显示用的电视。
图5(B)是数字照相机，本体2101、显示部2102、接收图像部2103、操作键盘2104、外部连接入口2105、快门2106等。本发明可以应用在显示部2102中。
图5(C)是笔记本型个人计算机，含有本体2201、框架2202、显示部2203、键盘2204、外部连接入口2205、鼠标器2206等。本发明可以应用在显示部2203中。
图5(D)是移动式计算机，本体2301、显示部2302、开关2303、操作键盘2304、红外线入口2305等。本发明可以应用在显示部2302中.
图5(E)是设有记录介质的便携式的图像再生装置(具体是DVD再生装置)，包括本体2401、框体2402、显示部A2403、显示部B2404、记录介质(DVD等)读入部2405、操作键盘2406、扩音部2407等。显示部A2403主要显示图象信息，显示部B2404主要显示文字信息，本发明可以应用在显示部A2403、显示部B2404两侧。另外，设有记录介质的图像再生装置中也包括家庭用游戏机等。
图5(F)是保护眼睛型显示器(前悬挂显示器Head MountedDisplay)，含有本体2501、显示部2502、臂部2503。本发明可以应用在显示部2502中.
图5(G)是视频照相机，包括本体2601、显示部2602、框体2603、外部连接入口2604、遥控接收信号部2605、接收图像部2606、蓄电池2607、声音输入部2608、操作键盘2609、眼接触部2610等。本发明可以应用在显示部2602中。
图5(H)是便携电话，包含本体2701、框体2702、显示部2703、声音输入部2704、声音输出部2705、操作键盘2706、外部连接入口2707、天线2708等。本发明可以应用在显示部2703中。另外，显示部2703通过在黑色的背景中显示白色的文字，可以抑制便携电话的消费电流。
如上所述，实施本发明所得的显示装置可以用作所有的电子仪器的显示部.

Claims (11)

1.一种发光装置，其具有发光元件，该元件包括：
阴极，
与上述阴极成对的阳极，
与上述阳极连接且设在上述阳极和上述阴极之间的空穴注入层，
设在上述空穴注入层和上述阴极之间、通过施加电场发光的发光层；
其特征在于，上述空穴注入层包含可溶于有机溶剂的共轭高分子，
上述共轭高分子的基本骨架是聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯或聚呋喃，并且该共轭高分子被电化学氧化。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光元件包括空穴输送层，该层设置成与上述空穴注入层相连接。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光元件包括设置成与上述空穴注入层相连接的空穴输送层、和设置成与上述空穴输送层相连接的发光层。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光元件包括设置成与上述空穴注入层相连接的空穴输送层、设置成与上述空穴输送层相连接的上述发光层、和设置成与上述发光层相连接的电子输送层。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光元件包括设置成与上述空穴注入层相连接的空穴输送层、设置成与上述空穴输送层相连接的上述发光层、设置成与上述发光层相连接的电子输送层、和设置成与上述电子输送层相连接的电子注入层。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述共轭高分子以聚噻吩为基本骨架，并且由下式(1)表示，
Figure F2003801071470C00011
式中，R1、R2相同或不同，表示可以含有氢原子、卤原子、氧原子、硫原子或氮原子的有机残基。
7.如权利要求4～6任一项所述的发光装置，其特征在于：在上述空穴输送层和阴极之间的区域含有封端性材料，该封端性材料的最高被占据分子轨道和最低空分子轨道的能量差大于上述空穴输送层含有的空穴输送材料。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在所述发光元件中含有从三重激发态发光的化合物。
9.一种电器，其特征在于包括权利要求1所述的发光装置。
10.一种发光装置的制造方法，该方法包括：
制备以聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯或聚呋喃为基本骨架且具有赋予在有机溶剂中的溶解性的取代基的共轭高分子，
使上述共轭高分子进行电化学氧化，和
在阳极上沉积上述电化学氧化的共轭高分子膜，以形成空穴注入层。
11.如权利要求10所述的发光装置的制造方法，其中所述共轭高分子具有电子给予性的取代基。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5050312B2 (ja) * 2004-07-23 2012-10-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101473220B1 (ko) * 2004-09-24 2014-12-22 솔베이 유에스에이 인크. 헤테로 원자를 갖는 위치 규칙적 폴리(3-치환 티오펜)를 포함하는 전기발광 소자
EP1820372B1 (en) * 2004-09-24 2016-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4884747B2 (ja) * 2004-10-29 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US20060102910A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device
CN101679714B (zh) * 2005-02-10 2013-03-06 普莱克斯托尼克斯公司 空穴注入层/传输层组合物及装置
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4596976B2 (ja) * 2005-05-20 2010-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
JP2007080744A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Nagoya Institute Of Technology 正孔注入層およびそれを用いた有機電界発光（ｅｌ）素子
EP1803789A1 (de) 2005-12-28 2007-07-04 Novaled AG Verwendung von Metallkomplexen als Emitter in einem elektronischen Bauelement und elektronisches Bauelement
US7884209B2 (en) 2006-03-30 2011-02-08 Novaled Ag Use of bora-tetraazapentalenes
EP1860709B1 (de) 2006-05-24 2012-08-08 Novaled AG Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand
DE102006035018B4 (de) 2006-07-28 2009-07-23 Novaled Ag Oxazol-Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
US7919195B2 (en) 2007-01-11 2011-04-05 Chimei Innolux Corporation System for displaying images
EP2129964A4 (en) * 2007-02-28 2013-11-06 Doheny Eye Inst HAND HELD PORTABLE LIGHTING SYSTEM
DE102007028238A1 (de) * 2007-06-20 2008-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und organische Leuchtdiode
DE102007028236A1 (de) * 2007-06-20 2009-01-02 Siemens Ag Halbleitendes Material und organische Gleichrichterdiode
DE102007028237A1 (de) * 2007-06-20 2008-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil
JP2009021104A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機発光素子の製造方法
CA2625548C (en) 2007-08-04 2012-04-10 John A. Law An airway intubation device
US8119037B2 (en) 2008-10-16 2012-02-21 Novaled Ag Square planar transition metal complexes and organic semiconductive materials using them as well as electronic or optoelectric components
KR101762964B1 (ko) 2008-10-27 2017-07-28 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전하 주입 및 수송 층
EP2495781B1 (en) * 2009-10-27 2018-12-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Nanoparticle containing transition metal compound, ink for hole injection/transport layer, device having hole injection/transport layer, and method for producing same
US9179831B2 (en) * 2009-11-30 2015-11-10 King Systems Corporation Visualization instrument
JP5852855B2 (ja) 2010-11-24 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、照明装置、及び電子機器
JP5892924B2 (ja) * 2012-12-28 2016-03-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌディスプレイ
US9543299B1 (en) 2015-09-22 2017-01-10 Texas Instruments Incorporated P-N bimodal conduction resurf LDMOS

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1381513A (zh) * 2002-04-28 2002-11-27 中国科学院长春应用化学研究所 高分子空穴传输材料及其制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US5364654A (en) * 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
FI923304A (fi) * 1992-07-20 1994-01-21 Neste Oy Nya bearbetbara tiofenbaserade polymerer och kopolymerer, och vaermestabila elledande kompositioner daerav
US5723873A (en) * 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
JPH11111463A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE69816601T2 (de) * 1997-11-05 2004-06-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Konjugierte polymer in einem oxidierten zustand
CA2276808A1 (en) * 1998-07-04 2000-01-04 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using boron chelates of 8-aminoquinoline derivatives
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
TW474114B (en) * 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
US6380346B1 (en) * 2000-01-18 2002-04-30 Chien-Chung Han Heterogeneous reaction method for preparing functionalized polyanilines
JP4024009B2 (ja) * 2000-04-21 2007-12-19 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP4026740B2 (ja) * 2000-09-29 2007-12-26 富士フイルム株式会社 有機発光素子材料及びそれを用いた有機発光素子
JP4040249B2 (ja) * 2000-11-16 2008-01-30 富士フイルム株式会社 発光素子
US8339339B2 (en) * 2000-12-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving the same, and electronic device
JP3949444B2 (ja) * 2000-12-26 2007-07-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、該発光装置の駆動方法
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4047015B2 (ja) * 2001-01-18 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電気器具
JP4683176B2 (ja) * 2001-03-13 2011-05-11 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
KR100480769B1 (ko) * 2001-06-13 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 백색 전계발광 고분자 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
KR100424090B1 (ko) * 2001-06-25 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 정공 수송층, 그 정공 수송층을사용한유기 전계 발광 소자 및 그 소자의 제조 방법
JP3925116B2 (ja) * 2001-07-04 2007-06-06 俊一 平尾 有機電界発光素子
JP2003217862A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004022292A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP2004063363A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1381513A (zh) * 2002-04-28 2002-11-27 中国科学院长春应用化学研究所 高分子空穴传输材料及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-270474A 2002.09.20
JP特开2004-22292A 2004.01.22

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