JP5484711B2 - 垂直型半導体素子及びその製造方法 - Google Patents

垂直型半導体素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5484711B2
JP5484711B2 JP2008286950A JP2008286950A JP5484711B2 JP 5484711 B2 JP5484711 B2 JP 5484711B2 JP 2008286950 A JP2008286950 A JP 2008286950A JP 2008286950 A JP2008286950 A JP 2008286950A JP 5484711 B2 JP5484711 B2 JP 5484711B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
interlayer insulating
insulating film
vertical channel
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008286950A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009117843A (ja
JP2009117843A5 (enExample
Inventor
龍 勳 孫
鍾 ▲いく▼ 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40622902&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP5484711(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2009117843A publication Critical patent/JP2009117843A/ja
Publication of JP2009117843A5 publication Critical patent/JP2009117843A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5484711B2 publication Critical patent/JP5484711B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
    • H10D88/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
JP2008286950A 2007-11-08 2008-11-07 垂直型半導体素子及びその製造方法 Active JP5484711B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0113535 2007-11-08
KR1020070113535A KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2007-11-08 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
US12/290,742 2008-11-03
US12/290,742 US7679133B2 (en) 2007-11-08 2008-11-03 Vertical-type non-volatile memory devices

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009117843A JP2009117843A (ja) 2009-05-28
JP2009117843A5 JP2009117843A5 (enExample) 2011-11-17
JP5484711B2 true JP5484711B2 (ja) 2014-05-07

Family

ID=40622902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008286950A Active JP5484711B2 (ja) 2007-11-08 2008-11-07 垂直型半導体素子及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US7679133B2 (enExample)
JP (1) JP5484711B2 (enExample)
KR (1) KR101226685B1 (enExample)
CN (1) CN101483194B (enExample)

Families Citing this family (995)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8614124B2 (en) 2007-05-25 2013-12-24 Cypress Semiconductor Corporation SONOS ONO stack scaling
US9299568B2 (en) 2007-05-25 2016-03-29 Cypress Semiconductor Corporation SONOS ONO stack scaling
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
US9431549B2 (en) 2007-12-12 2016-08-30 Cypress Semiconductor Corporation Nonvolatile charge trap memory device having a high dielectric constant blocking region
US7910973B2 (en) * 2008-03-17 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device
KR101487524B1 (ko) * 2008-08-27 2015-01-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
US8395206B2 (en) 2008-10-09 2013-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
KR101502585B1 (ko) * 2008-10-09 2015-03-24 삼성전자주식회사 수직형 반도체 장치 및 그 형성 방법
JP5193796B2 (ja) 2008-10-21 2013-05-08 株式会社東芝 ３次元積層型不揮発性半導体メモリ
US8541831B2 (en) * 2008-12-03 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US8786007B2 (en) 2008-12-03 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional nonvolatile memory device
US20100155818A1 (en) * 2008-12-24 2010-06-24 Heung-Jae Cho Vertical channel type nonvolatile memory device and method for fabricating the same
JP5376976B2 (ja) * 2009-02-06 2013-12-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8614917B2 (en) 2010-02-05 2013-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
DE102010000336A1 (de) 2009-02-10 2010-08-12 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Nichtflüchtige Speichervorrichtungen mit vertikalen NAND-Kanälen und Herstellungsverfahren dafür
US8644046B2 (en) 2009-02-10 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same
KR20100093350A (ko) * 2009-02-16 2010-08-25 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
JP2010205904A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置
KR101539699B1 (ko) 2009-03-19 2015-07-27 삼성전자주식회사 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US9102522B2 (en) 2009-04-24 2015-08-11 Cypress Semiconductor Corporation Method of ONO integration into logic CMOS flow
US8071453B1 (en) 2009-04-24 2011-12-06 Cypress Semiconductor Corporation Method of ONO integration into MOS flow
US8164134B2 (en) 2009-06-09 2012-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
KR101115473B1 (ko) * 2010-03-02 2012-02-27 주식회사 하이닉스반도체 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101635504B1 (ko) * 2009-06-19 2016-07-04 삼성전자주식회사 3차원 수직 채널 구조를 갖는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
JP2011003833A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR101616089B1 (ko) * 2009-06-22 2016-04-28 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 소자
KR101543331B1 (ko) 2009-07-06 2015-08-10 삼성전자주식회사 메탈 소스 라인을 갖는 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
KR101524830B1 (ko) * 2009-07-20 2015-06-03 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
US8541832B2 (en) 2009-07-23 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit memory devices having vertical transistor arrays therein and methods of forming same
KR101525130B1 (ko) * 2009-08-03 2015-06-03 에스케이하이닉스 주식회사 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP4977180B2 (ja) 2009-08-10 2012-07-18 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
KR101604054B1 (ko) 2009-09-03 2016-03-16 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
JP4982540B2 (ja) * 2009-09-04 2012-07-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
KR101096199B1 (ko) 2009-09-07 2011-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
JP4922370B2 (ja) * 2009-09-07 2012-04-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
KR20110032252A (ko) * 2009-09-22 2011-03-30 삼성전자주식회사 수직 어레이 트랜지스터를 갖는 저항성 메모리 소자
KR101074015B1 (ko) * 2009-09-22 2011-10-17 고려대학교 산학협력단 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법
KR101584113B1 (ko) 2009-09-29 2016-01-13 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101603731B1 (ko) * 2009-09-29 2016-03-16 삼성전자주식회사 버티칼 낸드 전하 트랩 플래시 메모리 디바이스 및 제조방법
KR101069420B1 (ko) * 2009-10-07 2011-09-30 서울대학교산학협력단 기둥형 단결정 채널 및 가상 소스/드레인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
KR101040154B1 (ko) * 2009-11-04 2011-06-09 한양대학교 산학협력단 3차원 플래시 메모리 소자
KR101624975B1 (ko) 2009-11-17 2016-05-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자
JP5457801B2 (ja) * 2009-11-18 2014-04-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011108921A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR101623547B1 (ko) 2009-12-15 2016-05-23 삼성전자주식회사 재기입가능한 3차원 반도체 메모리 장치의 제조 방법
KR101585616B1 (ko) 2009-12-16 2016-01-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101075494B1 (ko) 2009-12-18 2011-10-21 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101549690B1 (ko) 2009-12-18 2015-09-14 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2011138945A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8569829B2 (en) 2009-12-28 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
KR20110078326A (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 삼성전자주식회사 유전막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
KR101069415B1 (ko) * 2010-02-05 2011-09-30 서울대학교산학협력단 적층형 노아플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
WO2011096601A1 (ko) * 2010-02-05 2011-08-11 서울대학교산학협력단 적층형 노아플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
US8445317B2 (en) 2010-02-19 2013-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating semiconductor devices
KR101652878B1 (ko) * 2010-02-22 2016-09-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101663566B1 (ko) 2010-03-03 2016-10-07 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 형성 방법
JP5144698B2 (ja) * 2010-03-05 2013-02-13 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
JP5121869B2 (ja) 2010-03-23 2013-01-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
JP2011199131A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011204773A (ja) 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法、及び不揮発性半導体記憶装置
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
KR101650841B1 (ko) 2010-04-27 2016-08-25 삼성전자주식회사 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
US8395941B2 (en) * 2010-05-17 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Multi-semiconductor material vertical memory strings, strings of memory cells having individually biasable channel regions, memory arrays incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
US8455940B2 (en) * 2010-05-24 2013-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device
KR101773044B1 (ko) * 2010-05-24 2017-09-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법과, 이를 포함하는 메모리 모듈 및 시스템
KR101623546B1 (ko) 2010-05-28 2016-05-23 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101652829B1 (ko) 2010-06-03 2016-09-01 삼성전자주식회사 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
JP2011258776A (ja) 2010-06-09 2011-12-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
US8592873B2 (en) 2010-06-24 2013-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and methods of forming the same
US8803214B2 (en) 2010-06-28 2014-08-12 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
US8193054B2 (en) * 2010-06-30 2012-06-05 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof
US8187936B2 (en) 2010-06-30 2012-05-29 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof
US8928061B2 (en) 2010-06-30 2015-01-06 SanDisk Technologies, Inc. Three dimensional NAND device with silicide containing floating gates
US9397093B2 (en) 2013-02-08 2016-07-19 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device with semiconductor, metal or silicide floating gates and method of making thereof
US9159739B2 (en) 2010-06-30 2015-10-13 Sandisk Technologies Inc. Floating gate ultrahigh density vertical NAND flash memory
US10128261B2 (en) 2010-06-30 2018-11-13 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
KR20120002832A (ko) * 2010-07-01 2012-01-09 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그의 형성방법
KR20120003351A (ko) * 2010-07-02 2012-01-10 삼성전자주식회사 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 그 동작방법
US8237213B2 (en) * 2010-07-15 2012-08-07 Micron Technology, Inc. Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and the formation thereof
KR101756227B1 (ko) 2010-08-13 2017-07-10 삼성전자 주식회사 수직 채널 패턴을 포함하는 반도체 소자
KR101735810B1 (ko) 2010-08-20 2017-05-16 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
JP5349423B2 (ja) * 2010-08-20 2013-11-20 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR101770613B1 (ko) * 2010-08-25 2017-08-23 삼성전자 주식회사 셀 스트링 및 그를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 제조방법
KR101755234B1 (ko) 2010-08-26 2017-07-07 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR101660262B1 (ko) 2010-09-07 2016-09-27 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자의 제조 방법
KR101763420B1 (ko) 2010-09-16 2017-08-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
JP5269022B2 (ja) * 2010-09-22 2013-08-21 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR101825539B1 (ko) 2010-10-05 2018-03-22 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법
US20120086072A1 (en) * 2010-10-11 2012-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory device and related method of manufacture
KR101209003B1 (ko) * 2010-10-14 2012-12-06 주식회사 유진테크 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치
KR101175148B1 (ko) * 2010-10-14 2012-08-20 주식회사 유진테크 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치
KR101762823B1 (ko) 2010-10-29 2017-07-31 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 제조 방법
KR101760658B1 (ko) 2010-11-16 2017-07-24 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR101744127B1 (ko) * 2010-11-17 2017-06-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR101149619B1 (ko) * 2010-11-19 2012-05-25 에스케이하이닉스 주식회사 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101805769B1 (ko) 2010-11-29 2017-12-08 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자의 제조 방법
CN102544049B (zh) * 2010-12-22 2014-04-16 中国科学院微电子研究所 三维半导体存储器件及其制备方法
KR101692432B1 (ko) * 2010-12-23 2017-01-17 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
KR101703106B1 (ko) 2011-01-04 2017-02-06 삼성전자주식회사 부분-이레이즈 동작을 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 장치와 상기 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 장치들
US8441855B2 (en) 2011-01-14 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Strings of memory cells having string select gates, memory devices incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
US8681555B2 (en) 2011-01-14 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Strings of memory cells having string select gates, memory devices incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
JP2012151187A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置の製造方法
US8759895B2 (en) 2011-02-25 2014-06-24 Micron Technology, Inc. Semiconductor charge storage apparatus and methods
US8721337B2 (en) 2011-03-08 2014-05-13 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing virtual landscaping
US9224166B2 (en) 2011-03-08 2015-12-29 Bank Of America Corporation Retrieving product information from embedded sensors via mobile device video analysis
US9317835B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Populating budgets and/or wish lists using real-time video image analysis
US9317860B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Collective network of augmented reality users
US8922657B2 (en) 2011-03-08 2014-12-30 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing security
US8873807B2 (en) 2011-03-08 2014-10-28 Bank Of America Corporation Vehicle recognition
US8718612B2 (en) 2011-03-08 2014-05-06 Bank Of American Corporation Real-time analysis involving real estate listings
US9773285B2 (en) 2011-03-08 2017-09-26 Bank Of America Corporation Providing data associated with relationships between individuals and images
US8445347B2 (en) * 2011-04-11 2013-05-21 Sandisk Technologies Inc. 3D vertical NAND and method of making thereof by front and back side processing
KR101855324B1 (ko) 2011-05-04 2018-05-09 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
KR20130005430A (ko) * 2011-07-06 2013-01-16 에스케이하이닉스 주식회사 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
KR101964085B1 (ko) * 2011-07-26 2019-07-31 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
JP5593283B2 (ja) * 2011-08-04 2014-09-17 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
KR20130017347A (ko) 2011-08-10 2013-02-20 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR101845954B1 (ko) * 2011-08-23 2018-05-18 에스케이하이닉스 주식회사 수직 구조의 메모리셀을 구비한 비휘발성메모리장치 및 그 제조 방법
US8912589B2 (en) 2011-08-31 2014-12-16 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses including strings of memory cells formed along levels of semiconductor material
KR20130024303A (ko) * 2011-08-31 2013-03-08 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US20130161629A1 (en) * 2011-12-27 2013-06-27 Applied Materials, Inc. Zero shrinkage smooth interface oxy-nitride and oxy-amorphous-silicon stacks for 3d memory vertical gate application
KR101907069B1 (ko) * 2011-12-28 2018-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
TWI467666B (zh) * 2011-12-28 2015-01-01 Univ Nat Chiao Tung 具有奈米線通道之半導體元件的製程及藉此形成之半導體元件
KR20130102893A (ko) 2012-03-08 2013-09-23 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8878278B2 (en) * 2012-03-21 2014-11-04 Sandisk Technologies Inc. Compact three dimensional vertical NAND and method of making thereof
EP3166147A3 (en) * 2012-03-29 2017-08-16 Cypress Semiconductor Corporation Method of ono integration into logic cmos flow
US20130256777A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seagate Technology Llc Three dimensional floating gate nand memory
CN104350603B (zh) * 2012-03-31 2017-09-15 赛普拉斯半导体公司 非易失性电荷俘获存储器件和逻辑cmos器件的集成
KR20130113212A (ko) * 2012-04-05 2013-10-15 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8847302B2 (en) 2012-04-10 2014-09-30 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device with low capacitance and silicided word lines
KR20130123165A (ko) * 2012-05-02 2013-11-12 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9606730B2 (en) 2012-05-04 2017-03-28 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory
US8828884B2 (en) 2012-05-23 2014-09-09 Sandisk Technologies Inc. Multi-level contact to a 3D memory array and method of making
JP2014003232A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US8658499B2 (en) 2012-07-09 2014-02-25 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device and method of charge trap layer separation and floating gate formation in the NAND device
KR101989514B1 (ko) 2012-07-11 2019-06-14 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101990904B1 (ko) * 2012-07-17 2019-06-19 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자
KR102003526B1 (ko) * 2012-07-31 2019-07-25 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
JP5996324B2 (ja) * 2012-08-07 2016-09-21 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
US8614126B1 (en) 2012-08-15 2013-12-24 Sandisk Technologies Inc. Method of making a three-dimensional memory array with etch stop
KR20140028969A (ko) * 2012-08-31 2014-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102015578B1 (ko) 2012-09-11 2019-08-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법
JP5922542B2 (ja) 2012-09-19 2016-05-24 東京エレクトロン株式会社 積層膜の形成方法およびその形成装置
US9129861B2 (en) 2012-10-05 2015-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device
US9287167B2 (en) 2012-10-05 2016-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical type memory device
KR102031187B1 (ko) 2012-10-05 2019-10-14 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
US9076824B2 (en) 2012-11-02 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods
US8940592B2 (en) * 2013-01-11 2015-01-27 Micron Technology, Inc. Memories and methods of forming thin-film transistors using hydrogen plasma doping
KR101421879B1 (ko) * 2013-01-15 2014-07-28 한양대학교 산학협력단 반도체 메모리 소자 및 그의 제조 방법
US8946807B2 (en) 2013-01-24 2015-02-03 Micron Technology, Inc. 3D memory
KR102089532B1 (ko) 2013-02-06 2020-03-16 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US8865530B2 (en) * 2013-03-08 2014-10-21 International Business Machines Corporation Extremely thin semiconductor on insulator (ETSOI) logic and memory hybrid chip
US8930866B2 (en) * 2013-03-11 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of converting between non-volatile memory technologies and system for implementing the method
US9230987B2 (en) 2014-02-20 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Multilevel memory stack structure and methods of manufacturing the same
US9515080B2 (en) 2013-03-12 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Vertical NAND and method of making thereof using sequential stack etching and landing pad
US9449982B2 (en) 2013-03-12 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Method of making a vertical NAND device using a sacrificial layer with air gap and sequential etching of multilayer stacks
US8946023B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Sandisk Technologies Inc. Method of making a vertical NAND device using sequential etching of multilayer stacks
US9698153B2 (en) 2013-03-12 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Vertical NAND and method of making thereof using sequential stack etching and self-aligned landing pad
US9202931B2 (en) 2013-03-14 2015-12-01 Conversant Intellectual Property Management Inc. Structure and method for manufacture of memory device with thin silicon body
US9184175B2 (en) 2013-03-15 2015-11-10 Micron Technology, Inc. Floating gate memory cells in vertical memory
US9276011B2 (en) 2013-03-15 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Cell pillar structures and integrated flows
US9064970B2 (en) 2013-03-15 2015-06-23 Micron Technology, Inc. Memory including blocking dielectric in etch stop tier
KR102059525B1 (ko) 2013-03-19 2019-12-27 삼성전자주식회사 보호 패턴을 가진 수직 셀형 반도체 소자
JP6013313B2 (ja) 2013-03-21 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 積層型半導体素子の製造方法、積層型半導体素子、及び、その製造装置
US9093480B2 (en) 2013-04-01 2015-07-28 Sandisk Technologies Inc. Spacer passivation for high aspect ratio etching of multilayer stacks for three dimensional NAND device
US9099496B2 (en) 2013-04-01 2015-08-04 Sandisk Technologies Inc. Method of forming an active area with floating gate negative offset profile in FG NAND memory
KR101511421B1 (ko) 2013-04-03 2015-04-10 한양대학교 산학협력단 다층 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
US9437606B2 (en) 2013-07-02 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Method of making a three-dimensional memory array with etch stop
US9252151B2 (en) * 2013-07-08 2016-02-02 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device with birds beak containing floating gates and method of making thereof
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
US9275909B2 (en) 2013-08-12 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating semiconductor structures
US9230980B2 (en) 2013-09-15 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device
US9496274B2 (en) 2013-09-17 2016-11-15 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional non-volatile memory device
US9023719B2 (en) 2013-09-17 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. High aspect ratio memory hole channel contact formation
KR102094472B1 (ko) * 2013-10-08 2020-03-27 삼성전자주식회사 반도체 장치
US9508736B2 (en) * 2013-10-17 2016-11-29 Cypress Semiconductor Corporation Three-dimensional charge trapping NAND cell with discrete charge trapping film
US9437604B2 (en) 2013-11-01 2016-09-06 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses having strings of memory cells including a metal source
KR102039708B1 (ko) 2013-11-13 2019-11-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
CN103594475B (zh) * 2013-11-18 2016-08-24 唐棕 半导体器件及其制造方法
KR102139944B1 (ko) * 2013-11-26 2020-08-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
US9449983B2 (en) 2013-12-19 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof
US9230905B2 (en) 2014-01-08 2016-01-05 Sandisk 3D Llc Trench multilevel contact to a 3D memory array and method of making thereof
US9276134B2 (en) 2014-01-10 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Field effect transistor constructions and memory arrays
US10360983B2 (en) 2014-02-03 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of programming the same
KR102116668B1 (ko) 2014-02-04 2020-05-29 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 불 휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102069274B1 (ko) 2014-02-05 2020-01-22 삼성전자주식회사 메모리 제어 방법
KR102225989B1 (ko) 2014-03-04 2021-03-10 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
US9343507B2 (en) 2014-03-12 2016-05-17 Sandisk 3D Llc Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode
KR102233808B1 (ko) * 2014-03-14 2021-03-30 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 테이블 관리 방법
KR102222463B1 (ko) 2014-03-14 2021-03-03 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 타이머 설정 방법 및 구동 방법들
KR102116674B1 (ko) 2014-03-21 2020-06-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9331088B2 (en) 2014-03-25 2016-05-03 Sandisk 3D Llc Transistor device with gate bottom isolation and method of making thereof
US9224747B2 (en) 2014-03-26 2015-12-29 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device with shared word line steps
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
US9552991B2 (en) 2014-04-30 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Trench vertical NAND and method of making thereof
KR102248267B1 (ko) 2014-04-30 2021-05-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 및 읽기 방법들
US9331094B2 (en) 2014-04-30 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. Method of selective filling of memory openings
KR102135181B1 (ko) * 2014-05-12 2020-07-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
KR102285994B1 (ko) 2014-05-13 2021-08-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102210964B1 (ko) 2014-05-13 2021-02-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법
KR102174030B1 (ko) 2014-05-13 2020-11-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 읽기 방법
US9673209B2 (en) 2014-05-16 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device and method for fabricating the same
KR102192539B1 (ko) * 2014-05-21 2020-12-18 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 프로그램 방법
US10257192B2 (en) 2014-05-29 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage system and method for performing secure write protect thereof
US9548313B2 (en) * 2014-05-30 2017-01-17 Sandisk Technologies Llc Method of making a monolithic three dimensional NAND string using a select gate etch stop layer
KR102200489B1 (ko) 2014-05-30 2021-01-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치
KR102218722B1 (ko) 2014-06-09 2021-02-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102148389B1 (ko) 2014-06-11 2020-08-27 삼성전자주식회사 오버 라이트 동작을 갖는 메모리 시스템 및 그에 따른 동작 제어방법
US9472560B2 (en) 2014-06-16 2016-10-18 Micron Technology, Inc. Memory cell and an array of memory cells
US20150371925A1 (en) * 2014-06-20 2015-12-24 Intel Corporation Through array routing for non-volatile memory
KR20160000512A (ko) * 2014-06-24 2016-01-05 삼성전자주식회사 메모리 장치
US9768270B2 (en) 2014-06-25 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Method of selectively depositing floating gate material in a memory device
US9379124B2 (en) 2014-06-25 2016-06-28 Sandisk Technologies Inc. Vertical floating gate NAND with selectively deposited ALD metal films
US9455263B2 (en) 2014-06-27 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device with channel contacting conductive source line and method of making thereof
US9397107B2 (en) 2014-06-30 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Methods of making three dimensional NAND devices
US9305932B2 (en) 2014-06-30 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Methods of making three dimensional NAND devices
KR102234273B1 (ko) * 2014-07-02 2021-04-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
KR20160005264A (ko) 2014-07-04 2016-01-14 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 읽기 방법들
KR102247087B1 (ko) 2014-07-08 2021-05-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US9177966B1 (en) 2014-07-08 2015-11-03 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND devices with air gap or low-k core
KR102243497B1 (ko) 2014-07-22 2021-04-23 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102179270B1 (ko) 2014-07-23 2020-11-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US9378826B2 (en) 2014-07-23 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same
US9570460B2 (en) 2014-07-29 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Spacer passivation for high-aspect ratio opening film removal and cleaning
KR102116671B1 (ko) 2014-07-30 2020-06-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드 라인 구동 방법
US9904651B2 (en) 2014-07-31 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Operating method of controller for setting link between interfaces of electronic devices, and storage device including controller
KR102147970B1 (ko) 2014-08-05 2020-08-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 기반의 스토리지 디바이스의 복구 방법 및 상기 스토리지 디바이스를 포함하는 전자 시스템의 동작 방법
KR102238579B1 (ko) 2014-08-06 2021-04-09 삼성전자주식회사 메모리 장치의 프로그램 방법
US9356031B2 (en) 2014-08-11 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND string memory devices with voids enclosed between control gate electrodes
US9136130B1 (en) 2014-08-11 2015-09-15 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND string with discrete charge trap segments
KR102318561B1 (ko) 2014-08-19 2021-11-01 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법
US9583539B2 (en) 2014-08-19 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Word line connection for memory device and method of making thereof
US9230983B1 (en) 2014-08-20 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Metal word lines for three dimensional memory devices
KR20160022637A (ko) 2014-08-20 2016-03-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리 소자의 제조 방법
KR102192895B1 (ko) 2014-08-21 2020-12-21 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102235492B1 (ko) 2014-08-25 2021-04-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법
KR102189440B1 (ko) 2014-08-25 2020-12-14 삼성전자주식회사 에러 정정 디코더를 포함하는 스토리지 장치 및 에러 정정 디코더의 동작 방법
US9601502B2 (en) 2014-08-26 2017-03-21 Sandisk Technologies Llc Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure
US9576975B2 (en) 2014-08-26 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Monolithic three-dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof
US9236392B1 (en) 2014-08-26 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Multiheight electrically conductive via contacts for a multilevel interconnect structure
US9691884B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 Sandisk Technologies Llc Monolithic three dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof
US9230974B1 (en) 2014-08-26 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Methods of selective removal of blocking dielectric in NAND memory strings
US9401309B2 (en) 2014-08-26 2016-07-26 Sandisk Technologies Llc Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure
WO2016031014A1 (ja) 2014-08-28 2016-03-03 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
US9904626B2 (en) 2014-08-29 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor system and system on chip
KR102157863B1 (ko) 2014-09-01 2020-09-22 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
KR102272238B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102290448B1 (ko) 2014-09-04 2021-08-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리의 동작 방법
KR102245825B1 (ko) 2014-09-04 2021-04-30 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102150251B1 (ko) 2014-09-05 2020-09-02 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102330391B1 (ko) 2014-09-11 2021-11-24 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템의 가비지 컬렉션 방법
JP6203152B2 (ja) 2014-09-12 2017-09-27 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置の製造方法
KR102268296B1 (ko) 2014-09-15 2021-06-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
JP6509514B2 (ja) * 2014-09-17 2019-05-08 東芝メモリ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR102249172B1 (ko) 2014-09-19 2021-05-11 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
CN104241204B (zh) * 2014-09-23 2017-09-29 武汉新芯集成电路制造有限公司 3d nand闪存的形成方法
US9666590B2 (en) 2014-09-24 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc High stack 3D memory and method of making
US9515085B2 (en) 2014-09-26 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Vertical memory device with bit line air gap
KR102128406B1 (ko) 2014-09-26 2020-07-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102248835B1 (ko) 2014-09-29 2021-05-10 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102235516B1 (ko) 2014-09-30 2021-04-05 삼성전자주식회사 이레이즈 컨트롤 유닛을 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법
KR20160039739A (ko) 2014-10-01 2016-04-12 삼성전자주식회사 하드 마스크막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9159829B1 (en) 2014-10-07 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Recessed transistors containing ferroelectric material
KR102233074B1 (ko) 2014-10-08 2021-03-30 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 신뢰성 검증 방법
KR102149674B1 (ko) 2014-10-13 2020-09-01 삼성전자주식회사 에러 정정 디코더 및 에러 정정 디코더의 동작 방법
US9368509B2 (en) * 2014-10-15 2016-06-14 Sandisk Technologies Inc. Three-dimensional memory structure having self-aligned drain regions and methods of making thereof
US9798657B2 (en) 2014-10-15 2017-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof
US9305934B1 (en) 2014-10-17 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device containing peripheral devices on epitaxial semiconductor pedestal
KR102358463B1 (ko) 2014-10-20 2022-02-07 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102293136B1 (ko) 2014-10-22 2021-08-26 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102238717B1 (ko) 2014-10-27 2021-04-09 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR102275543B1 (ko) * 2014-10-27 2021-07-13 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR20160049200A (ko) 2014-10-27 2016-05-09 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치의 작동 방법, 이를 포함하는 모바일 컴퓨팅 장치, 및 이의 작동 방법
KR101730991B1 (ko) 2014-10-28 2017-04-28 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102358053B1 (ko) 2014-10-28 2022-02-04 삼성전자주식회사 복수의 불휘발성 메모리 칩들을 포함하는 스토리지 장치
KR102248207B1 (ko) 2014-10-30 2021-05-06 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9230979B1 (en) 2014-10-31 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. High dielectric constant etch stop layer for a memory structure
KR102290974B1 (ko) 2014-11-07 2021-08-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 그것들을 포함하는 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR102292183B1 (ko) 2014-11-07 2021-08-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리의 동작 방법 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치의 동작 방법
KR102268187B1 (ko) 2014-11-10 2021-06-24 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 제조 방법
KR102258117B1 (ko) 2014-11-10 2021-05-31 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법
US9236396B1 (en) 2014-11-12 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device and method of making thereof
US9305849B1 (en) 2014-11-12 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Method of making a three dimensional NAND device
KR102222594B1 (ko) 2014-11-13 2021-03-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것의 소거 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
US9698152B2 (en) 2014-11-13 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structure with multi-component contact via structure and method of making thereof
KR101678933B1 (ko) 2014-11-18 2016-12-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102237563B1 (ko) 2014-11-21 2021-04-07 삼성전자주식회사 테스트 시간을 감축하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
KR20160061704A (ko) 2014-11-24 2016-06-01 삼성전자주식회사 페이지 상태 알림 기능이 있는 메모리 장치
KR102397016B1 (ko) 2014-11-24 2022-05-13 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR102291505B1 (ko) 2014-11-24 2021-08-23 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US9496419B2 (en) 2014-11-25 2016-11-15 Sandisk Technologies Llc Ruthenium nucleation layer for control gate electrodes in a memory structure
US9698223B2 (en) 2014-11-25 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Memory device containing stress-tunable control gate electrodes
US9570455B2 (en) 2014-11-25 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Metal word lines for three dimensional memory devices
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102245822B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR20160064364A (ko) * 2014-11-27 2016-06-08 삼성전자주식회사 패스트 오픈을 위한 어드레스 맵 운영방법 및 그에 따른 메모리 시스템
KR102229024B1 (ko) 2014-12-03 2021-03-17 삼성전자주식회사 스스로 에러를 검출하고 로그를 저장할 수 있는 데이터 저장 장치와 이를 포함하는 시스템
US9793288B2 (en) 2014-12-04 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions
US9553100B2 (en) 2014-12-04 2017-01-24 Sandisk Techologies Llc Selective floating gate semiconductor material deposition in a three-dimensional memory structure
US9754956B2 (en) 2014-12-04 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Uniform thickness blocking dielectric portions in a three-dimensional memory structure
KR102152285B1 (ko) 2014-12-08 2020-09-04 삼성전자주식회사 스트레서를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
KR102259943B1 (ko) 2014-12-08 2021-06-04 삼성전자주식회사 멀티 플래인을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치
KR102282138B1 (ko) * 2014-12-09 2021-07-27 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR102307633B1 (ko) 2014-12-10 2021-10-06 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR102324819B1 (ko) 2014-12-12 2021-11-11 삼성전자주식회사 포토레지스트용 고분자, 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102211868B1 (ko) 2014-12-15 2021-02-04 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102282952B1 (ko) 2014-12-15 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 동작 방법
KR102282947B1 (ko) 2014-12-15 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102295208B1 (ko) 2014-12-19 2021-09-01 삼성전자주식회사 프로그램 영역을 동적으로 할당하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102282962B1 (ko) 2014-12-22 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
TW201624623A (zh) * 2014-12-25 2016-07-01 力晶科技股份有限公司 非揮發性記憶體及其製造方法
KR102292641B1 (ko) 2014-12-30 2021-08-23 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 그 동작 방법 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102254100B1 (ko) 2015-01-05 2021-05-20 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법
KR102219759B1 (ko) 2015-01-09 2021-02-25 삼성전자주식회사 저장 장치, 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102272248B1 (ko) 2015-01-09 2021-07-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102271462B1 (ko) 2015-01-13 2021-07-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 및 그것의 프로그램 방법
KR102295223B1 (ko) 2015-01-13 2021-09-01 삼성전자주식회사 속도 모드 관리자를 포함하는 저장 장치 및 사용자 장치
KR102226370B1 (ko) 2015-01-13 2021-03-15 삼성전자주식회사 집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치
KR102250423B1 (ko) 2015-01-13 2021-05-12 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102333743B1 (ko) 2015-01-21 2021-12-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102336455B1 (ko) 2015-01-22 2021-12-08 삼성전자주식회사 집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치
KR102391678B1 (ko) 2015-01-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 서스테인드 상태 가속 방법
KR102277521B1 (ko) 2015-01-23 2021-07-16 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 리드 리클레임 및 읽기 방법
KR102320955B1 (ko) 2015-02-02 2021-11-05 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102333738B1 (ko) 2015-02-03 2021-12-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US10741572B2 (en) 2015-02-04 2020-08-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having multilayer word lines containing selectively grown cobalt or ruthenium and method of making the same
US9780182B2 (en) 2015-02-04 2017-10-03 Sandisk Technologies Llc Molybdenum-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
US9984963B2 (en) 2015-02-04 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
KR102336443B1 (ko) 2015-02-04 2021-12-08 삼성전자주식회사 가상화 기능을 지원하는 스토리지 장치 및 사용자 장치
US9419058B1 (en) 2015-02-05 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Memory device with comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers and method of making thereof
US9356034B1 (en) 2015-02-05 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Multilevel interconnect structure and methods of manufacturing the same
KR20160097608A (ko) 2015-02-09 2016-08-18 삼성전자주식회사 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102270101B1 (ko) 2015-02-10 2021-06-29 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR102396422B1 (ko) 2015-02-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치
US10403363B2 (en) 2015-02-11 2019-09-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory and storage device including nonvolatile memory
US9484296B2 (en) 2015-02-12 2016-11-01 Sandisk Technologies Llc Self-aligned integrated line and via structure for a three-dimensional semiconductor device
KR102235521B1 (ko) 2015-02-13 2021-04-05 삼성전자주식회사 특정 패턴을 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
US9583615B2 (en) 2015-02-17 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Vertical transistor and local interconnect structure
KR102239356B1 (ko) 2015-02-17 2021-04-13 삼성전자주식회사 클록 제어 유닛 또는 전원 제어 유닛을 포함하는 저장 장치와 메모리 시스템, 그리고 그것의 동작 방법
US9698202B2 (en) 2015-03-02 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory
KR102355580B1 (ko) 2015-03-02 2022-01-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102302231B1 (ko) 2015-03-05 2021-09-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR102222444B1 (ko) 2015-03-05 2021-03-04 삼성전자주식회사 전력 상태 정보를 사용하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102301772B1 (ko) 2015-03-09 2021-09-16 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 가비지 컬렉션 방법
KR102398213B1 (ko) 2015-03-09 2022-05-17 삼성전자주식회사 저장 장치, 그것을 포함하는 호스트 시스템, 및 그것의 맵 테이블 업데이트 방법
US9553105B2 (en) 2015-03-10 2017-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials
US9870945B2 (en) 2015-03-10 2018-01-16 Sandisk Technologies Llc Crystalline layer stack for forming conductive layers in a three-dimensional memory structure
US9524983B2 (en) 2015-03-10 2016-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical memory devices
US9859297B2 (en) 2015-03-10 2018-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US10147735B2 (en) * 2015-03-13 2018-12-04 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and production method thereof
KR102403202B1 (ko) 2015-03-13 2022-05-30 삼성전자주식회사 메타 데이터 관리자를 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법
CN104701323B (zh) * 2015-03-16 2017-12-19 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种存储结构
KR102392821B1 (ko) 2015-03-16 2022-05-02 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102506135B1 (ko) 2015-03-16 2023-03-07 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치와 이를 포함하는 데이터 처리 시스템
US11011531B2 (en) 2015-03-17 2021-05-18 Micron Technology, Inc. Replacement control gate methods and apparatuses
US9530788B2 (en) 2015-03-17 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Metallic etch stop layer in a three-dimensional memory structure
KR102371557B1 (ko) 2015-03-20 2022-03-07 삼성전자주식회사 호스트 장치, 그것과 복수의 장치들을 갖는 호스트 시스템 및 그것의 인터페이스 링크 레이어 구성 방법
KR102291518B1 (ko) 2015-03-20 2021-08-20 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102333478B1 (ko) 2015-03-31 2021-12-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
US9799671B2 (en) 2015-04-07 2017-10-24 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts
KR102291803B1 (ko) * 2015-04-07 2021-08-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 사용자 시스템의 동작 방법
KR102365269B1 (ko) 2015-04-13 2022-02-22 삼성전자주식회사 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법
US9477408B1 (en) 2015-04-14 2016-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory systems having improved out-of-order execution of commands and methods for operating the same
KR102432268B1 (ko) 2015-04-14 2022-08-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법.
KR102316441B1 (ko) 2015-04-14 2021-10-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102291806B1 (ko) 2015-04-20 2021-08-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102401486B1 (ko) 2015-04-22 2022-05-24 삼성전자주식회사 콘택 구조물을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법.
KR20160126330A (ko) 2015-04-23 2016-11-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이를 포함하는 3차원 반도체 패키지
US9601508B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Sandisk Technologies Llc Blocking oxide in memory opening integration scheme for three-dimensional memory structure
US9397046B1 (en) 2015-04-29 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Fluorine-free word lines for three-dimensional memory devices
US9627403B2 (en) 2015-04-30 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Multilevel memory stack structure employing support pillar structures
KR102298661B1 (ko) 2015-04-30 2021-09-07 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 초기화 방법
US9666281B2 (en) 2015-05-08 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional P-I-N memory device and method reading thereof using hole current detection
US10074661B2 (en) 2015-05-08 2018-09-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional junction memory device and method reading thereof using hole current detection
KR102282139B1 (ko) 2015-05-12 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20160133688A (ko) 2015-05-13 2016-11-23 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102393976B1 (ko) 2015-05-20 2022-05-04 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
KR102291309B1 (ko) 2015-05-20 2021-08-20 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102415401B1 (ko) 2015-05-21 2022-07-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
WO2016190036A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
JP2016225614A (ja) * 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9608000B2 (en) 2015-05-27 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Devices and methods including an etch stop protection material
US9443861B1 (en) 2015-05-28 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Fluorine-blocking insulating spacer for backside contact structure of three-dimensional memory structures
US9859422B2 (en) 2015-05-28 2018-01-02 Sandisk Technologies Llc Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same
KR102450553B1 (ko) 2015-06-04 2022-10-05 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것을 내장한 메인 보드 및 그것의 자가 진단 방법
KR102266733B1 (ko) 2015-06-05 2021-06-22 삼성전자주식회사 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법
KR102267041B1 (ko) 2015-06-05 2021-06-22 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
US9799402B2 (en) 2015-06-08 2017-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and program method thereof
US10048878B2 (en) 2015-06-08 2018-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory module and storage system having the same
US10261697B2 (en) 2015-06-08 2019-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method of storage device
US10152413B2 (en) 2015-06-08 2018-12-11 Samsung Electronics Co. Ltd. Nonvolatile memory module and operation method thereof
KR102461453B1 (ko) 2015-06-10 2022-11-02 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR102302433B1 (ko) 2015-06-10 2021-09-16 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법
US9589981B2 (en) 2015-06-15 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Passive devices for integration with three-dimensional memory devices
US9646981B2 (en) 2015-06-15 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Passive devices for integration with three-dimensional memory devices
US9419012B1 (en) 2015-06-19 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structure employing air gap isolation
US9356043B1 (en) 2015-06-22 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage
US9613977B2 (en) 2015-06-24 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices
KR102447471B1 (ko) 2015-06-24 2022-09-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US10622368B2 (en) 2015-06-24 2020-04-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with semicircular metal-semiconductor alloy floating gate electrodes and methods of making thereof
KR102268699B1 (ko) 2015-06-29 2021-06-28 삼성전자주식회사 저장 장치의 동작 방법, 호스트 장치의 동작 방법, 그리고 저장 장치 및 호스트 장치를 포함하는 사용자 시스템의 동작 방법
KR102345597B1 (ko) 2015-06-30 2022-01-03 삼성전자주식회사 더미 워드 라인을 갖는 3차원 플래시 메모리 장치
KR102294848B1 (ko) 2015-06-30 2021-08-31 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치
KR102445662B1 (ko) 2015-07-01 2022-09-22 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR102398167B1 (ko) 2015-07-02 2022-05-17 삼성전자주식회사 사용자 장치, 그것의 패스워드 설정 방법, 그리고 그것의 패스워드를 설정하고 확인하는 동작 방법
KR102293078B1 (ko) 2015-07-06 2021-08-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
TWI582962B (zh) * 2015-07-06 2017-05-11 Toshiba Kk Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
KR102403253B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102392685B1 (ko) 2015-07-06 2022-04-29 삼성전자주식회사 배선 구조체를 갖는 반도체 소자
US10078448B2 (en) 2015-07-08 2018-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic devices and memory management methods thereof
KR102373542B1 (ko) 2015-07-09 2022-03-11 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US9530785B1 (en) 2015-07-21 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices having a single layer channel and methods of making thereof
KR102415385B1 (ko) 2015-07-22 2022-07-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치
US9627399B2 (en) 2015-07-24 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with metal and silicide control gates
US9853211B2 (en) 2015-07-24 2017-12-26 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device
US10134982B2 (en) 2015-07-24 2018-11-20 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
KR102381343B1 (ko) 2015-07-27 2022-03-31 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
KR102336458B1 (ko) 2015-07-30 2021-12-08 삼성전자주식회사 고속으로 결함 비트 라인을 검출하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 테스트 시스템
KR102274038B1 (ko) 2015-08-03 2021-07-09 삼성전자주식회사 백업 기능을 갖는 메모리 모듈
KR102385908B1 (ko) 2015-08-11 2022-04-13 삼성전자주식회사 스토리지 장치로부터 데이터를 검색하는 방법
KR102437779B1 (ko) 2015-08-11 2022-08-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102396435B1 (ko) 2015-08-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 버퍼 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 포함하는 컴퓨팅 장치의 동작 방법
KR102352316B1 (ko) 2015-08-11 2022-01-18 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판
KR102311916B1 (ko) 2015-08-17 2021-10-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR102480016B1 (ko) 2015-08-18 2022-12-21 삼성전자 주식회사 다수의 맵핑 단위를 이용하는 불휘발성 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR102295058B1 (ko) 2015-08-19 2021-08-31 삼성전자주식회사 반도체 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법
US9905462B2 (en) * 2015-08-20 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102447476B1 (ko) 2015-08-20 2022-09-27 삼성전자주식회사 암복호 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 암복호 방법
US9449987B1 (en) 2015-08-21 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors
KR102313017B1 (ko) 2015-08-21 2021-10-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 쓰기를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US9543318B1 (en) 2015-08-21 2017-01-10 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors
KR102326018B1 (ko) 2015-08-24 2021-11-12 삼성전자주식회사 메모리 시스템
KR102309841B1 (ko) 2015-08-24 2021-10-12 삼성전자주식회사 표면 실장 기술의 적용에 따른 메모리 셀의 문턱 전압 산포 변화 복구 기능을 갖는 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법
KR102393323B1 (ko) 2015-08-24 2022-05-03 삼성전자주식회사 재사용 주기를 이용하여 사용자 데이터를 쓰기 위한 워드라인을 결정하는 저장 장치의 동작 방법
KR102456104B1 (ko) 2015-08-24 2022-10-19 삼성전자주식회사 데이터 신뢰성에 따라 동작 조건을 변경하는 저장 장치의 동작 방법
KR102295528B1 (ko) 2015-08-25 2021-08-30 삼성전자 주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템, 상기 메모리 장치의 동작 방법 및 상기 메모리 시스템의 동작 방법
US9853043B2 (en) 2015-08-25 2017-12-26 Sandisk Technologies Llc Method of making a multilevel memory stack structure using a cavity containing a sacrificial fill material
US9502471B1 (en) 2015-08-25 2016-11-22 Sandisk Technologies Llc Multi tier three-dimensional memory devices including vertically shared bit lines
KR102408613B1 (ko) 2015-08-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 메모리 모듈의 동작 방법, 및 메모리 모듈을 제어하는 프로세서의 동작 방법, 및 사용자 시스템
KR102321745B1 (ko) 2015-08-27 2021-11-05 삼성전자주식회사 동적 랜덤 액세스 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 모듈
KR102365114B1 (ko) 2015-08-28 2022-02-21 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102437416B1 (ko) 2015-08-28 2022-08-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102401600B1 (ko) 2015-08-31 2022-05-25 삼성전자주식회사 데이터 양에 기초하여 복수의 데이터 스트림을 관리하도록 구성되는 스토리지 장치
KR102333746B1 (ko) 2015-09-02 2021-12-01 삼성전자주식회사 재사용 주기에 따라 마모도를 관리하는 저장 장치의 동작 방법
KR102387956B1 (ko) 2015-09-09 2022-04-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
US9780104B2 (en) 2015-09-10 2017-10-03 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
KR102430561B1 (ko) 2015-09-11 2022-08-09 삼성전자주식회사 듀얼 포트 디램을 포함하는 메모리 모듈
KR102427262B1 (ko) 2015-09-11 2022-08-01 삼성전자주식회사 랜덤 액세스 메모리 장치들 및 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 저장 장치
KR20170032502A (ko) 2015-09-14 2017-03-23 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 인터럽트 발생 방법
US9589982B1 (en) * 2015-09-15 2017-03-07 Macronix International Co., Ltd. Structure and method of operation for improved gate capacity for 3D NOR flash memory
KR102435863B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것을 포함하는 서버 시스템의 매칭 키 검색 방법
KR102324797B1 (ko) 2015-09-17 2021-11-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102461150B1 (ko) 2015-09-18 2022-11-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR20170036878A (ko) 2015-09-18 2017-04-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
US9646975B2 (en) 2015-09-21 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Lateral stack of cobalt and a cobalt-semiconductor alloy for control gate electrodes in a memory structure
US9806089B2 (en) 2015-09-21 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Method of making self-assembling floating gate electrodes for a three-dimensional memory device
US9576966B1 (en) 2015-09-21 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
KR20170034984A (ko) 2015-09-21 2017-03-30 삼성전자주식회사 더미 웨이퍼, 박막 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
KR102451170B1 (ko) 2015-09-22 2022-10-06 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102422087B1 (ko) 2015-09-23 2022-07-18 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법
KR102333220B1 (ko) 2015-09-24 2021-12-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
US9842907B2 (en) 2015-09-29 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Memory device containing cobalt silicide control gate electrodes and method of making thereof
KR102472561B1 (ko) 2015-10-01 2022-12-01 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
US11070380B2 (en) 2015-10-02 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Authentication apparatus based on public key cryptosystem, mobile device having the same and authentication method
US9698151B2 (en) 2015-10-08 2017-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical memory devices
US20170104000A1 (en) 2015-10-13 2017-04-13 Joo-Hee PARK Vertical memory devices
KR20170045445A (ko) 2015-10-16 2017-04-27 삼성전자주식회사 충전 노드를 충전하는 구동 회로
KR102571561B1 (ko) 2015-10-19 2023-08-29 삼성전자주식회사 3차원 반도체 소자
KR102316279B1 (ko) 2015-10-19 2021-10-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 에스에스디
KR102424720B1 (ko) 2015-10-22 2022-07-25 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법
KR102349729B1 (ko) 2015-10-23 2022-01-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102379167B1 (ko) 2015-10-26 2022-03-25 삼성전자주식회사 레지스터 세트들을 포함하는 반도체 장치와 이를 포함하는 데이터 저장 장치
US9620512B1 (en) 2015-10-28 2017-04-11 Sandisk Technologies Llc Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device
US9659955B1 (en) 2015-10-28 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Crystalinity-dependent aluminum oxide etching for self-aligned blocking dielectric in a memory structure
KR102453709B1 (ko) 2015-10-29 2022-10-12 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
US9793139B2 (en) 2015-10-29 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Robust nucleation layers for enhanced fluorine protection and stress reduction in 3D NAND word lines
KR102358691B1 (ko) 2015-10-30 2022-02-07 삼성전자주식회사 저장 장치의 요청 방법 및 호스트의 커맨드 발행 방법
US9899399B2 (en) 2015-10-30 2018-02-20 Sandisk Technologies Llc 3D NAND device with five-folded memory stack structure configuration
US9601586B1 (en) 2015-11-02 2017-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions
KR102377469B1 (ko) 2015-11-02 2022-03-23 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102306853B1 (ko) 2015-11-02 2021-10-01 삼성전자주식회사 호스트 장치가 스토리지 장치를 제어하는 방법 및 호스트 장치와 스토리지 장치를 포함하는 메모리 시스템
KR102377453B1 (ko) 2015-11-05 2022-03-23 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US9899529B2 (en) * 2015-11-09 2018-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method to make self-aligned vertical field effect transistor
KR102450555B1 (ko) 2015-11-09 2022-10-05 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR102435027B1 (ko) 2015-11-09 2022-08-23 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102485088B1 (ko) 2015-11-10 2023-01-05 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법
US9672091B2 (en) 2015-11-10 2017-06-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and debugging method thereof
KR20170056072A (ko) 2015-11-12 2017-05-23 삼성전자주식회사 멀티 플레인을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치
KR102401254B1 (ko) 2015-11-12 2022-05-24 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102406267B1 (ko) 2015-11-19 2022-06-08 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102424702B1 (ko) 2015-11-19 2022-07-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
US9917100B2 (en) 2015-11-20 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US9831266B2 (en) 2015-11-20 2017-11-28 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US9799670B2 (en) 2015-11-20 2017-10-24 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device containing dielectric pillars for a buried source line and method of making thereof
KR102470606B1 (ko) 2015-11-26 2022-11-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US10346097B2 (en) 2015-11-26 2019-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device
KR102533229B1 (ko) 2015-11-27 2023-05-17 삼성전자주식회사 상대 주소를 사용하는 메모리 장치의 접근 방법
US10303372B2 (en) 2015-12-01 2019-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and operation method thereof
KR102387973B1 (ko) 2015-12-01 2022-04-19 삼성전자주식회사 이중화 저장 장치, 그것을 포함한 서버 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102437591B1 (ko) 2015-12-03 2022-08-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102451154B1 (ko) 2015-12-07 2022-10-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
JP2017107938A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
KR102365171B1 (ko) 2015-12-10 2022-02-21 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102473209B1 (ko) 2015-12-14 2022-12-02 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US10019367B2 (en) 2015-12-14 2018-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module, computing system having the same, and method for testing tag error thereof
KR102449337B1 (ko) 2015-12-14 2022-10-04 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR102491651B1 (ko) 2015-12-14 2023-01-26 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 모듈, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 동작 방법
KR102473167B1 (ko) 2015-12-18 2022-12-02 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102435873B1 (ko) 2015-12-18 2022-08-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 리드 리클레임 방법
KR102500821B1 (ko) 2015-12-29 2023-02-17 삼성전자주식회사 복수의 회로들 및 복수의 회로들을 연결하는 버스를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법
US10229051B2 (en) 2015-12-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device including nonvolatile memory device and controller, operating method of storage device, and method for accessing storage device
KR102362239B1 (ko) 2015-12-30 2022-02-14 삼성전자주식회사 디램 캐시를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 캐시 관리 방법
KR102318415B1 (ko) 2016-01-11 2021-10-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102459077B1 (ko) 2016-01-12 2022-10-27 삼성전자주식회사 비선형 필터링 방식을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법
KR102466412B1 (ko) 2016-01-14 2022-11-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US10128264B2 (en) 2016-01-21 2018-11-13 SK Hynix Inc. Semiconductor device
CN105702621B (zh) * 2016-01-27 2018-10-19 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种形成硅外延层的方法
US9589839B1 (en) 2016-02-01 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Method of reducing control gate electrode curvature in three-dimensional memory devices
KR20170091833A (ko) 2016-02-01 2017-08-10 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9754820B2 (en) 2016-02-01 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing an aluminum oxide etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof
US9847105B2 (en) 2016-02-01 2017-12-19 Samsung Electric Co., Ltd. Memory package, memory module including the same, and operation method of memory package
KR20170094815A (ko) 2016-02-11 2017-08-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 읽기 방법
US9673213B1 (en) 2016-02-15 2017-06-06 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with peripheral devices under dummy dielectric layer stack and method of making thereof
KR102523141B1 (ko) 2016-02-15 2023-04-20 삼성전자주식회사 휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 불휘발성 메모리 모듈
KR102609130B1 (ko) 2016-02-17 2023-12-05 삼성전자주식회사 읽기 전압 서치 유닛을 포함하는 데이터 저장 장치
US9721663B1 (en) 2016-02-18 2017-08-01 Sandisk Technologies Llc Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array
US9595535B1 (en) 2016-02-18 2017-03-14 Sandisk Technologies Llc Integration of word line switches with word line contact via structures
KR102444238B1 (ko) 2016-02-26 2022-09-16 삼성전자주식회사 메모리 장치의 프로그램 방법 및 이를 적용하는 메모리 시스템
US9679907B1 (en) 2016-02-29 2017-06-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with charge-trapping-free gate dielectric for top select gate electrode and method of making thereof
US10073732B2 (en) 2016-03-04 2018-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Object storage system managing error-correction-code-related data in key-value mapping information
KR102549605B1 (ko) 2016-03-04 2023-06-30 삼성전자주식회사 Raid 스토리지 장치의 리커버리 방법
US10141327B2 (en) * 2016-03-18 2018-11-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10355015B2 (en) 2016-03-23 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND memory device with common bit line for multiple NAND strings in each memory block
US10224104B2 (en) 2016-03-23 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND memory device with common bit line for multiple NAND strings in each memory block
KR102514521B1 (ko) 2016-03-23 2023-03-29 삼성전자주식회사 페이지 버퍼를 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법
US9711530B1 (en) 2016-03-25 2017-07-18 Sandisk Technologies Llc Locally-trap-characteristic-enhanced charge trap layer for three-dimensional memory structures
US10481799B2 (en) 2016-03-25 2019-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage device and method including receiving an external multi-access command and generating first and second access commands for first and second nonvolatile memories
US9812463B2 (en) 2016-03-25 2017-11-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing vertically isolated charge storage regions and method of making thereof
KR20170112289A (ko) 2016-03-31 2017-10-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법
KR102549611B1 (ko) 2016-04-01 2023-06-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 이벤트 통지 방법
KR102414186B1 (ko) 2016-04-04 2022-06-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102512819B1 (ko) 2016-04-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 딜레이 코드를 발생하는 전압 모니터
DE102017106713B4 (de) 2016-04-20 2025-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Rechensystem, nichtflüchtiges Speichermodul und Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung
KR102570367B1 (ko) 2016-04-21 2023-08-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법
KR102585221B1 (ko) 2016-04-21 2023-10-05 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법
KR102628239B1 (ko) 2016-05-02 2024-01-24 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치 및 호스트 장치를 포함하는 컴퓨팅 장치의 동작 방법
KR102422478B1 (ko) 2016-05-10 2022-07-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법
KR102571497B1 (ko) 2016-05-10 2023-08-29 삼성전자주식회사 멀티 스택 칩 패키지를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102636039B1 (ko) 2016-05-12 2024-02-14 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 및 카피백 방법
US9728547B1 (en) 2016-05-19 2017-08-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof
JP6310500B2 (ja) * 2016-05-25 2018-04-11 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
EP3252651A1 (en) 2016-05-30 2017-12-06 Samsung Electronics Co., Ltd Computing system having an on-the-fly encryptor and an operating method thereof
US10705894B2 (en) 2016-05-30 2020-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device for authenticating application and operating method thereof
KR102600997B1 (ko) * 2016-06-02 2023-11-14 삼성전자주식회사 메모리 장치
US10433196B2 (en) 2016-06-08 2019-10-01 Bank Of America Corporation System for tracking resource allocation/usage
US10178101B2 (en) 2016-06-08 2019-01-08 Bank Of America Corporation System for creation of alternative path to resource acquisition
US10291487B2 (en) 2016-06-08 2019-05-14 Bank Of America Corporation System for predictive acquisition and use of resources
US10581988B2 (en) 2016-06-08 2020-03-03 Bank Of America Corporation System for predictive use of resources
US10129126B2 (en) 2016-06-08 2018-11-13 Bank Of America Corporation System for predictive usage of resources
US9985046B2 (en) 2016-06-13 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature
US10121794B2 (en) 2016-06-20 2018-11-06 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having epitaxial germanium-containing vertical channel and method of making thereof
KR102606497B1 (ko) 2016-06-27 2023-11-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법
KR102661936B1 (ko) 2016-06-27 2024-04-30 삼성전자주식회사 저장 장치
US10355139B2 (en) 2016-06-28 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with amorphous barrier layer and method of making thereof
US10361213B2 (en) 2016-06-28 2019-07-23 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device containing multilayer wordline barrier films and method of making thereof
KR102560229B1 (ko) 2016-06-29 2023-07-27 삼성전자주식회사 전자 시스템 및 이의 동작 방법
US9978768B2 (en) 2016-06-29 2018-05-22 Sandisk Technologies Llc Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films
KR102606490B1 (ko) 2016-06-30 2023-11-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치
KR102609177B1 (ko) 2016-07-04 2023-12-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102656168B1 (ko) 2016-07-06 2024-04-11 삼성전자주식회사 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템
US9659866B1 (en) 2016-07-08 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structures with low source line resistance
US10381372B2 (en) 2016-07-13 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Selective tungsten growth for word lines of a three-dimensional memory device
US10529620B2 (en) 2016-07-13 2020-01-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing word lines formed by selective tungsten growth on nucleation controlling surfaces and methods of manufacturing the same
KR102589918B1 (ko) 2016-07-19 2023-10-18 삼성전자주식회사 저밀도 패리티 체크 디코더 및 그것을 포함하는 저장 장치
US9748266B1 (en) 2016-07-20 2017-08-29 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof
KR102567224B1 (ko) 2016-07-25 2023-08-16 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
KR102545166B1 (ko) 2016-07-26 2023-06-19 삼성전자주식회사 파일을 안전하게 삭제하는 호스트, 스토리지 시스템 및 호스트의 동작방법
KR102696801B1 (ko) 2016-07-27 2024-08-20 삼성전자주식회사 수직형 메모리 소자 및 이의 제조방법
KR102743928B1 (ko) 2016-08-04 2024-12-18 삼성전자주식회사 저장 장치, 그것을 테스트 하는 테스트 시스템 및 방법
KR102650333B1 (ko) 2016-08-10 2024-03-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US9824966B1 (en) 2016-08-12 2017-11-21 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing a lateral source contact and method of making the same
KR102675911B1 (ko) 2016-08-16 2024-06-18 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR102708739B1 (ko) 2016-08-19 2024-09-24 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9805805B1 (en) 2016-08-23 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with charge carrier injection wells for vertical channels and method of making and using thereof
KR102614083B1 (ko) 2016-08-31 2023-12-18 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102708774B1 (ko) 2016-09-01 2024-09-24 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 카피백 방법
KR102621467B1 (ko) 2016-09-05 2024-01-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 온도 조절 방법
KR102696971B1 (ko) 2016-09-06 2024-08-21 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법
KR102573921B1 (ko) 2016-09-13 2023-09-04 삼성전자주식회사 바이러스/멀웨어로부터 안전한 저장 장치, 그것을 포함한 컴퓨팅 시스템 및 그것의 방법
KR102734647B1 (ko) 2016-09-23 2024-11-28 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
KR102545165B1 (ko) 2016-09-23 2023-06-19 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
KR102742690B1 (ko) 2016-09-27 2024-12-17 삼성전자주식회사 직렬로 연결되는 스토리지 장치들 중 직접 연결되지 않은 스토리지 장치로의 바이패스 경로를 제공하도록 구성되는 전자 장치, 그것에 포함되는 스토리지 장치, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것을 이용하여 통신하는 방법
KR102646895B1 (ko) 2016-09-29 2024-03-12 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
US10050054B2 (en) 2016-10-05 2018-08-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having drain select level isolation structure and method of making thereof
KR102727616B1 (ko) 2016-10-07 2024-11-07 삼성전자주식회사 유기 금속 전구체, 이를 이용한 막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR102863841B1 (ko) 2016-10-19 2025-09-26 삼성전자주식회사 컴퓨팅 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102653233B1 (ko) 2016-10-25 2024-03-29 삼성전자주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
KR102609348B1 (ko) 2016-10-26 2023-12-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9881929B1 (en) 2016-10-27 2018-01-30 Sandisk Technologies Llc Multi-tier memory stack structure containing non-overlapping support pillar structures and method of making thereof
KR102653139B1 (ko) 2016-10-28 2024-04-02 삼성전자주식회사 복수의 입출력 유닛들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102660729B1 (ko) 2016-10-28 2024-04-26 삼성전자주식회사 전원 잡음을 검출하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US9929174B1 (en) 2016-10-28 2018-03-27 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having non-uniform spacing among memory stack structures and method of making thereof
KR102519458B1 (ko) 2016-11-01 2023-04-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US10020363B2 (en) 2016-11-03 2018-07-10 Sandisk Technologies Llc Bulb-shaped memory stack structures for direct source contact in three-dimensional memory device
KR102633031B1 (ko) * 2016-11-04 2024-02-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자
KR102703983B1 (ko) 2016-11-07 2024-09-10 삼성전자주식회사 Raid 방식으로 데이터를 저장하는 스토리지 장치
KR102579879B1 (ko) 2016-11-14 2023-09-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 독출 방법
KR102851374B1 (ko) 2016-11-15 2025-08-26 삼성전자주식회사 트레이스 데이터를 생성하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
US9972640B1 (en) * 2016-11-17 2018-05-15 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof
US11644992B2 (en) 2016-11-23 2023-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage system performing data deduplication, method of operating storage system, and method of operating data processing system
KR102656190B1 (ko) 2016-11-24 2024-04-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법
US9991277B1 (en) 2016-11-28 2018-06-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with discrete self-aligned charge storage elements and method of making thereof
KR102673490B1 (ko) 2016-11-28 2024-06-11 삼성전자주식회사 부분 읽기 동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102671472B1 (ko) 2016-11-28 2024-06-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
KR102680418B1 (ko) 2016-11-29 2024-07-03 삼성전자주식회사 컨트롤러 및 컨트롤러와 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 스토리지 장치
US9876031B1 (en) 2016-11-30 2018-01-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having passive devices at a buried source line level and method of making thereof
KR102784728B1 (ko) 2016-11-30 2025-03-21 삼성전자주식회사 재분배기를 포함하는 메모리 시스템
KR102738076B1 (ko) 2016-11-30 2024-12-05 삼성전자주식회사 루프 상태 정보를 생성하는 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102766341B1 (ko) 2016-11-30 2025-02-12 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR102697451B1 (ko) 2016-12-06 2024-08-22 삼성전자주식회사 내부 신호 라인들을 테스트하는 멀티 칩 패키지
KR102487553B1 (ko) 2016-12-07 2023-01-11 삼성전자주식회사 리페어 가능한 휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
KR102728512B1 (ko) 2016-12-09 2024-11-12 삼성전자주식회사 반도체 소자
US10056399B2 (en) 2016-12-22 2018-08-21 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices containing inter-tier dummy memory cells and methods of making the same
US10032908B1 (en) 2017-01-06 2018-07-24 Sandisk Technologies Llc Multi-gate vertical field effect transistor with channel strips laterally confined by gate dielectric layers, and method of making thereof
US10396145B2 (en) 2017-01-12 2019-08-27 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
KR102719623B1 (ko) 2017-01-13 2024-10-18 삼성전자주식회사 트레이닝 동작을 수행하는 메모리 시스템
KR102713411B1 (ko) 2017-01-18 2024-10-08 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR102680415B1 (ko) 2017-02-14 2024-07-03 삼성전자주식회사 지문 인식 센서를 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10115735B2 (en) 2017-02-24 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Semiconductor device containing multilayer titanium nitride diffusion barrier and method of making thereof
KR102399356B1 (ko) 2017-03-10 2022-05-19 삼성전자주식회사 기판, 기판의 쏘잉 방법, 및 반도체 소자
US9960180B1 (en) 2017-03-27 2018-05-01 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with partially discrete charge storage regions and method of making thereof
KR102267046B1 (ko) 2017-03-29 2021-06-22 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 배드 블록 지정 방법
US10381090B2 (en) 2017-03-31 2019-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Operation method of nonvolatile memory device and storage device
US10229749B2 (en) 2017-03-31 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory storage system
US20180331117A1 (en) 2017-05-12 2018-11-15 Sandisk Technologies Llc Multilevel memory stack structure with tapered inter-tier joint region and methods of making thereof
KR102351649B1 (ko) 2017-06-07 2022-01-17 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10224340B2 (en) 2017-06-19 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having discrete direct source strap contacts and method of making thereof
US10438964B2 (en) 2017-06-26 2019-10-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having direct source contact and metal oxide blocking dielectric and method of making thereof
KR101818675B1 (ko) * 2017-06-29 2018-01-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그의 형성방법
KR102387461B1 (ko) 2017-07-24 2022-04-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 이의 동작 방법
KR101985590B1 (ko) 2017-07-28 2019-06-03 한양대학교 산학협력단 집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
KR101983452B1 (ko) * 2017-07-31 2019-09-10 한양대학교 산학협력단 에어 갭을 포함하는 3차원 소자 및 그 제조 방법
KR102395190B1 (ko) 2017-07-31 2022-05-06 삼성전자주식회사 호스트와 인터페이스를 수행하는 스토리지 장치, 호스트 및 스토리지 장치의 동작방법
KR102631353B1 (ko) 2017-08-17 2024-01-31 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102293069B1 (ko) 2017-09-08 2021-08-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치, 제어기, 그리고 스토리지 장치의 동작 방법
US10453798B2 (en) 2017-09-27 2019-10-22 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with gated contact via structures and method of making thereof
US10115459B1 (en) 2017-09-29 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Multiple liner interconnects for three dimensional memory devices and method of making thereof
KR102440227B1 (ko) 2017-10-11 2022-09-05 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 수직형 메모리 장치의 제조 방법
KR102336662B1 (ko) 2017-10-12 2021-12-07 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11158381B2 (en) 2017-10-12 2021-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and operating method thereof
KR102384773B1 (ko) 2017-10-12 2022-04-11 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 컴퓨팅 시스템, 그리고 그것의 디버깅 방법
KR102631350B1 (ko) 2017-10-12 2024-01-31 삼성전자주식회사 메모리 플레인들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102384864B1 (ko) 2017-11-03 2022-04-08 삼성전자주식회사 불량 스트링을 리페어하는 방법 및 불휘발성 메모리 장치
KR102505240B1 (ko) 2017-11-09 2023-03-06 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102477267B1 (ko) 2017-11-14 2022-12-13 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102408621B1 (ko) 2017-11-20 2022-06-15 삼성전자주식회사 커패시터를 포함하는 불휘발성 메모리 장치
KR20190060527A (ko) 2017-11-24 2019-06-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법
US10229931B1 (en) 2017-12-05 2019-03-12 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing fluorine-free tungsten—word lines and methods of manufacturing the same
KR102408858B1 (ko) 2017-12-19 2022-06-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11823888B2 (en) 2017-12-20 2023-11-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory stack with pads connecting peripheral and memory circuits
KR102534838B1 (ko) 2017-12-20 2023-05-22 삼성전자주식회사 3차원 구조를 갖는 메모리 장치
KR102514772B1 (ko) 2017-12-28 2023-03-28 삼성전자주식회사 비동기적 동작 수행이 가능한 비휘발성 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 이의 동작 수행 방법
US10373969B2 (en) 2018-01-09 2019-08-06 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including partially surrounding select gates and fringe field assisted programming thereof
CN110033799B (zh) 2018-01-12 2025-07-11 三星电子株式会社 基于屏障命令按顺序存储数据的存储设备
US10510738B2 (en) 2018-01-17 2019-12-17 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having support-die-assisted source power distribution and method of making thereof
US10283493B1 (en) 2018-01-17 2019-05-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing bonded memory die and peripheral logic die and method of making thereof
KR102611634B1 (ko) 2018-01-22 2023-12-08 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102518371B1 (ko) 2018-02-02 2023-04-05 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
KR102631939B1 (ko) 2018-02-07 2024-02-02 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
US10256247B1 (en) 2018-02-08 2019-04-09 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with silicided word lines, air gap layers and discrete charge storage elements, and method of making thereof
KR102509909B1 (ko) 2018-03-09 2023-03-15 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
US10615123B2 (en) 2018-03-14 2020-04-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing compositionally graded word line diffusion barrier layer for and methods of forming the same
US10770459B2 (en) 2018-03-23 2020-09-08 Sandisk Technologies Llc CMOS devices containing asymmetric contact via structures
US10355017B1 (en) 2018-03-23 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc CMOS devices containing asymmetric contact via structures and method of making the same
KR102617353B1 (ko) 2018-03-27 2023-12-26 삼성전자주식회사 복수의 수직 채널 구조체들을 갖는 3차원 메모리 장치
KR102656172B1 (ko) 2018-03-28 2024-04-12 삼성전자주식회사 가상 스트림들과 물리 스트림들을 맵핑하기 위한 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
CN110321297B (zh) 2018-03-28 2024-11-22 三星电子株式会社 用于将虚拟流映射到物理流上的存储装置及其操作方法
US10453856B1 (en) 2018-03-28 2019-10-22 Macronix International Co., Ltd. Low resistance vertical channel 3D memory
KR102612406B1 (ko) 2018-04-06 2023-12-13 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
US10515810B2 (en) 2018-04-10 2019-12-24 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned di-silicon silicide bit line and source line landing pads in 3D vertical channel memory
KR102508529B1 (ko) 2018-04-12 2023-03-09 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 초기화 정보를 읽는 방법
US10756186B2 (en) 2018-04-12 2020-08-25 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including germanium-containing vertical channels and method of making the same
KR102541615B1 (ko) 2018-04-13 2023-06-09 삼성전자주식회사 리소그래피용 기판 처리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10381322B1 (en) 2018-04-23 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing self-aligned interlocking bonded structure and method of making the same
KR102603916B1 (ko) 2018-04-25 2023-11-21 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치
US10971490B2 (en) * 2018-05-15 2021-04-06 International Business Machines Corporation Three-dimensional field effect device
US10490667B1 (en) 2018-05-15 2019-11-26 International Business Machines Corporation Three-dimensional field effect device
US10381362B1 (en) * 2018-05-15 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including inverted memory stack structures and methods of making the same
KR102619625B1 (ko) 2018-05-18 2024-01-02 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR102581331B1 (ko) 2018-05-31 2023-09-25 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US11227660B2 (en) 2018-05-31 2022-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device and operating method thereof
KR102606826B1 (ko) 2018-06-08 2023-11-27 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 소거 방법
US11081186B2 (en) 2018-06-08 2021-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and erasing method of the same
KR102543224B1 (ko) 2018-06-08 2023-06-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제조 방법
KR102387960B1 (ko) 2018-07-23 2022-04-19 삼성전자주식회사 컨트롤러 및 그것의 동작 방법
WO2020077185A1 (en) * 2018-10-13 2020-04-16 Applied Materials, Inc. Stacked transistor device
KR102467312B1 (ko) 2018-10-15 2022-11-14 삼성전자주식회사 고전압 스위치 회로 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
KR102645142B1 (ko) 2018-10-25 2024-03-07 삼성전자주식회사 예측된 유효 페이지들을 이용하여 가비지 콜렉션을 수행하는 스토리지 장치들, 방법들 및 불휘발성 메모리 장치들
KR102659570B1 (ko) 2018-10-29 2024-04-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 방법
KR102686917B1 (ko) 2018-10-31 2024-07-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법, 이를 수행하는 스토리지 장치 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
KR102686924B1 (ko) 2018-11-12 2024-07-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법, 이를 수행하는 스토리지 장치 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR102599117B1 (ko) 2018-11-14 2023-11-06 삼성전자주식회사 블록들의 온 셀 카운트들을 모니터링하고 저장하는 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR102599123B1 (ko) 2018-11-14 2023-11-06 삼성전자주식회사 인공 신경망 모델에 기초하여 읽기 레벨들을 추론하는 스토리지 장치 및 인공 신경망 모델의 학습 방법
KR102693311B1 (ko) 2018-12-20 2024-08-09 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
JP7270740B2 (ja) 2018-12-20 2023-05-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ３ｄｎａｎｄ応用のためのメモリセルの製造
US11127760B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Vertical transistor fabrication for memory applications
KR102707679B1 (ko) 2019-02-13 2024-09-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US10879260B2 (en) 2019-02-28 2020-12-29 Sandisk Technologies Llc Bonded assembly of a support die and plural memory dies containing laterally shifted vertical interconnections and methods for making the same
US11031071B2 (en) 2019-03-05 2021-06-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and storage device including nonvolatile memory device
KR102723534B1 (ko) 2019-03-05 2024-10-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102795971B1 (ko) 2019-03-26 2025-04-17 삼성전자주식회사 평행 구조를 포함하는 반도체 메모리 장치
KR102671402B1 (ko) 2019-04-16 2024-05-31 삼성전자주식회사 문턱전압 산포 특성을 향상한 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR102741559B1 (ko) * 2019-06-17 2024-12-13 삼성전자주식회사 정보 저장 패턴을 포함하는 반도체 소자
KR102777313B1 (ko) 2019-06-18 2025-03-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 액세스 방법
KR102850764B1 (ko) 2019-06-20 2025-08-25 삼성전자주식회사 맵핑 정보를 축약하는 플래시 변환 계층 구조를 이용하여 메모리 리소스를 관리하는 데이터 저장 장치
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances
US11367493B2 (en) 2019-07-18 2022-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices and program methods thereof
KR102772629B1 (ko) 2019-07-18 2025-02-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102795719B1 (ko) 2019-07-19 2025-04-16 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
KR102672984B1 (ko) 2019-07-26 2024-06-11 삼성전자주식회사 선택된 메모리 셀에 대한 인접성에 따라 비선택된 메모리 셀들을 제어하는 메모리 장치, 및 그것을 동작하는 방법
EP3771986B1 (en) 2019-08-01 2021-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device, memory system comprising the same, and operation method thereof
KR102864978B1 (ko) 2019-08-01 2025-09-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102714211B1 (ko) 2019-08-01 2024-10-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR20210020689A (ko) 2019-08-16 2021-02-24 삼성전자주식회사 추론에 기초하여 요청을 처리하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR102814246B1 (ko) 2019-08-26 2025-05-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11158379B2 (en) 2019-08-26 2021-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device
KR102802194B1 (ko) * 2019-08-27 2025-04-30 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그 동작 방법
US11069417B2 (en) 2019-08-27 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory system and method of operating the same
US11348848B2 (en) 2019-08-30 2022-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor die, semiconductor wafer, semiconductor device including the semiconductor die and method of manufacturing the semiconductor device
KR102795986B1 (ko) * 2019-08-30 2025-04-17 삼성전자주식회사 반도체 다이 및 반도체 웨이퍼
US11217283B2 (en) 2019-09-03 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-chip package with reduced calibration time and ZQ calibration method thereof
KR20210027896A (ko) 2019-09-03 2021-03-11 삼성전자주식회사 캘리브레이션 시간을 줄일 수 있는 멀티 칩 패키지 및 그것의 zq 캘리브레이션 방법
KR102716680B1 (ko) 2019-09-20 2024-10-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
US11545341B2 (en) 2019-10-02 2023-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same
KR102868894B1 (ko) 2019-10-02 2025-10-02 삼성전자주식회사 메타 데이터를 관리하는 스토리지 시스템, 스토리지 시스템을 제어하는 호스트 시스템 및 스토리지 시스템의 동작방법
KR102729184B1 (ko) 2019-10-11 2024-11-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR102869767B1 (ko) 2019-10-15 2025-10-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 가비지 컬렉션 방법
JP7674057B2 (ja) 2019-10-16 2025-05-09 三星電子株式会社 不揮発性メモリ装置
US11282827B2 (en) 2019-10-16 2022-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device having stacked structure with spaced apart conductive layers
KR102741124B1 (ko) 2019-10-16 2024-12-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
KR102838205B1 (ko) 2019-10-21 2025-07-25 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 셀들을 포함하는 컴퓨팅 장치
US11270759B2 (en) 2019-10-21 2022-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory device and computing device including flash memory cells
KR102832599B1 (ko) 2019-11-15 2025-07-14 삼성전자주식회사 메모리 기반의 뉴로모픽 장치
US11309032B2 (en) 2019-11-26 2022-04-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device
US11181962B2 (en) 2019-11-27 2021-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Portable storage devices and methods of operating portable storage devices
EP3832653A3 (en) 2019-12-04 2021-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device
KR102768154B1 (ko) 2019-12-04 2025-02-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
KR102872609B1 (ko) * 2019-12-09 2025-10-17 에스케이하이닉스 주식회사 강유전층을 구비하는 비휘발성 메모리 장치
DE102020126869B4 (de) 2019-12-26 2024-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Speichervorrichtung und Betriebsverfahren für eine Speichervorrichtung
US11289502B2 (en) * 2019-12-26 2022-03-29 Macronix International Co., Ltd. Memory device and method for fabricating the same
KR102254032B1 (ko) * 2019-12-26 2021-05-20 한양대학교 산학협력단 정공 주입 소거 방식을 지원하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
KR102884317B1 (ko) 2019-12-26 2025-11-12 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102766361B1 (ko) 2019-12-26 2025-02-12 삼성전자주식회사 미리 정의된 시간을 사용한 스토리지 장치의 작업 스케쥴링 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
KR102758685B1 (ko) 2019-12-27 2025-01-22 삼성전자주식회사 씨오피 구조를 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 패키지
KR102766339B1 (ko) 2020-01-03 2025-02-12 삼성전자주식회사 네트워크 기반 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
EP3848787B1 (en) 2020-01-10 2024-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device configured to change power state based on reference clock from host device
KR102781941B1 (ko) 2020-01-16 2025-03-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US11309014B2 (en) 2020-01-21 2022-04-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device transmitting small swing data signal and operation method thereof
KR102826143B1 (ko) 2020-01-21 2025-06-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 및 그것의 프로그램 방법
EP3863017B1 (en) 2020-02-06 2023-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method of storage device
US11508451B2 (en) 2020-02-06 2022-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device that determines write area of read reclaim operation based on estimated read count of reclaim area and operating method of the storage device
KR20210101982A (ko) 2020-02-11 2021-08-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102837839B1 (ko) 2020-03-02 2025-07-25 삼성전자주식회사 배드 블록 검출 시간을 단축하기 위한 메모리 장치 및 방법
KR102769617B1 (ko) 2020-04-22 2025-02-17 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR102777277B1 (ko) 2020-04-28 2025-03-10 삼성전자주식회사 데이터의 안전한 폐기 기능을 제공하는 스토리지 장치 및 그 동작방법
KR20210135376A (ko) 2020-05-04 2021-11-15 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11776954B2 (en) 2020-05-22 2023-10-03 Tokyo Electron Limited Semiconductor apparatus having a silicide between two devices
US11561912B2 (en) 2020-06-01 2023-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Host controller interface using multiple circular queue, and operating method thereof
KR20210149521A (ko) 2020-06-02 2021-12-09 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR20210151581A (ko) 2020-06-05 2021-12-14 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치
US11675531B2 (en) 2020-06-17 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device for high speed link startup and storage system including the same
US11502128B2 (en) * 2020-06-18 2022-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device and method of forming the same
KR102808550B1 (ko) 2020-06-24 2025-05-16 삼성전자주식회사 집적회로 장치 및 이의 제조 방법
KR20210158579A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 삼성전자주식회사 용량 확장성을 가지는 스토리지 시스템 및 그 구동 방법
US12219778B2 (en) 2020-06-29 2025-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Multi-gate selector switches for memory cells and methods of forming the same
KR102805363B1 (ko) 2020-07-09 2025-05-12 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 및 이를 포함하는 스토리지 장치, 및 메모리 시스템
US11594293B2 (en) 2020-07-10 2023-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device with conditional skip of verify operation during write and operating method thereof
KR102732908B1 (ko) 2020-07-10 2024-11-21 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 데이터 소거 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
DE102021103872A1 (de) 2020-07-13 2022-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nichtflüchtige speichervorrichtung, die eine hocheffiziente e/a-schnittstelle unterstützt
KR102793251B1 (ko) 2020-07-17 2025-04-08 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
US11714561B2 (en) 2020-07-17 2023-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. System, device and method for writing data to protected region
KR102820746B1 (ko) 2020-07-24 2025-06-13 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US11450386B2 (en) 2020-07-30 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device performing two-way channel precharge
KR102876507B1 (ko) 2020-08-10 2025-10-23 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20220020143A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 삼성전자주식회사 오버라이트 처리를 수행하는 스토리지 시스템, 스토리지 시스템을 제어하는 호스트 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법
KR102780227B1 (ko) 2020-08-11 2025-03-14 삼성전자주식회사 메모리 시스템, 이의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 장치
KR20220020717A (ko) 2020-08-12 2022-02-21 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 이들을 포함하는 메모리 시스템
KR20220020636A (ko) 2020-08-12 2022-02-21 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR20220021753A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리의 파워 로스 프로텍션 영역에 저장된 온 셀 카운트를 복원하여 읽기 동작을 수행하는 스토리지 장치
KR102797518B1 (ko) 2020-08-18 2025-04-18 삼성전자주식회사 멀티 페이지 데이터를 프로그램하기 위한 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR20220026432A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 삼성전자주식회사 고속 링크 스타트업을 수행하는 스토리지 장치 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220027550A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 온도 보상을 수행하는 메모리 장치 및 그 동작방법
US11625297B2 (en) 2020-08-28 2023-04-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method thereof
KR20220029233A (ko) 2020-09-01 2022-03-08 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20220032288A (ko) 2020-09-07 2022-03-15 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR102787325B1 (ko) 2020-09-11 2025-03-27 삼성전자주식회사 멀티 레벨 신호 생성을 위한 송신기 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR20220034341A (ko) 2020-09-11 2022-03-18 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 메모리 컨트롤러의 구동방법
KR20220037184A (ko) 2020-09-17 2022-03-24 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법
KR20220037618A (ko) 2020-09-18 2022-03-25 삼성전자주식회사 시간 분할 샘플링 페이지 버퍼를 이용하여 읽기 동작을 수행하는 스토리지 장치
KR20220039908A (ko) 2020-09-21 2022-03-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
EP3979250B1 (en) 2020-09-21 2024-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. 3d nonvolatile memory device including channel short circuit detection
KR102881083B1 (ko) * 2020-09-23 2025-11-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템
KR102868896B1 (ko) 2020-09-24 2025-10-02 삼성전자주식회사 펌웨어 업데이트를 수행하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
KR102809903B1 (ko) 2020-09-29 2025-05-22 삼성전자주식회사 메모리 소자
US11756592B2 (en) 2020-09-29 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device supporting DBI interface and operating method of memory device
US12205852B2 (en) 2020-09-29 2025-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Test method of storage device implemented in multi-chip package (MCP) and method of manufacturing an MCP including the test method
KR20220043763A (ko) 2020-09-29 2022-04-05 삼성전자주식회사 컬럼 리페어를 위한 메모리 장치
KR102810181B1 (ko) 2020-09-29 2025-05-20 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 리셋 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR102870771B1 (ko) 2020-10-08 2025-10-14 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러, 스토리지 시스템 및 그 동작방법
KR20220048303A (ko) 2020-10-12 2022-04-19 삼성전자주식회사 크레딧을 이용하는 호스트 장치와 스토리지 장치의 동작 방법
WO2022080842A1 (ko) * 2020-10-13 2022-04-21 한양대학교 산학협력단 3차원 플래시 메모리, 그 제조 방법 및 그 동작 방법
KR20220049652A (ko) 2020-10-14 2022-04-22 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR102827119B1 (ko) 2020-10-14 2025-06-27 삼성전자주식회사 메모리 장치, 호스트 장치 및 이들을 포함하는 메모리 시스템
KR102883710B1 (ko) 2020-10-15 2025-11-11 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR20220050683A (ko) 2020-10-16 2022-04-25 삼성전자주식회사 고효율 입출력 인터페이스를 지원하는 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR20220052018A (ko) 2020-10-20 2022-04-27 삼성전자주식회사 스토리지 시스템
KR102872022B1 (ko) 2020-10-22 2025-10-17 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR20220054493A (ko) 2020-10-23 2022-05-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR102756806B1 (ko) 2020-10-26 2025-01-20 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
KR20220056729A (ko) 2020-10-28 2022-05-06 삼성전자주식회사 커맨드 스케줄링을 수행하는 컨트롤러, 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 컨트롤러의 동작 방법
EP3992971B1 (en) 2020-10-28 2025-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device
KR102824298B1 (ko) 2020-10-28 2025-06-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20220056919A (ko) 2020-10-28 2022-05-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR20220057834A (ko) 2020-10-30 2022-05-09 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 대용량 데이터 저장 시스템
KR102855201B1 (ko) 2020-10-30 2025-09-03 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 시스템
KR20220058753A (ko) 2020-10-30 2022-05-10 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 갖는 저장 장치 및 그것의 리드 방법
US11887684B2 (en) 2020-10-30 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device
KR20220060572A (ko) 2020-11-04 2022-05-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR102772242B1 (ko) 2020-11-11 2025-02-25 삼성전자주식회사 메모리 장치의 임피던스 조정 회로 및 임피던스 조정 방법
KR20220065296A (ko) 2020-11-13 2022-05-20 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 블록 내구성 측정 방법 및 이를 이용한 스토리지 장치의 웨어 레벨링 방법
KR20220067572A (ko) 2020-11-16 2022-05-25 삼성전자주식회사 메모리 패키지 및 이를 포함하는 저장 장치
KR102873067B1 (ko) 2020-11-17 2025-10-16 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 이들의 동작 방법
US11789652B2 (en) 2020-11-18 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and storage system including the same
KR20220068540A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 메모리 칩 및 주변 회로 칩을 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치의 제조 방법
KR20220069543A (ko) 2020-11-20 2022-05-27 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220070613A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 호스트 장치, 메모리 장치의 구동 방법 및 메모리 시스템
KR102836045B1 (ko) 2020-11-27 2025-07-18 삼성전자주식회사 백그라운드 트레이닝을 수행하는 수신기, 이를 포함하는 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 수신 방법
KR102832034B1 (ko) 2020-11-30 2025-07-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 데이터 기입 방법, 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 및 이를 이용한 메모리 시스템의 구동 방법
KR20220086286A (ko) 2020-12-16 2022-06-23 삼성전자주식회사 보호 영역에 데이터를 기입하기 위한 시스템, 장치 및 방법
KR20220087297A (ko) 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 처리 코드를 실행하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
KR20220087231A (ko) 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 저전력 소모를 위하여 클럭 스위칭하는 장치, 메모리 콘트롤러, 메모리 장치, 메모리 시스템 및 방법
KR102869771B1 (ko) 2020-12-17 2025-10-13 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그의 동작 방법
KR20220090885A (ko) 2020-12-23 2022-06-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 잔여 수명 예측 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20220092021A (ko) 2020-12-24 2022-07-01 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220093982A (ko) 2020-12-28 2022-07-05 삼성전자주식회사 파편화율을 이용하는 메모리 컨트롤러, 및 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
KR20220094726A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 비휘발성 메모리 장치 및 그 스토리지 장치
KR20220096077A (ko) 2020-12-30 2022-07-07 삼성전자주식회사 Ecc 데이터를 이용하여 신뢰성 검사를 수행하는 스토리지 장치
KR20220101349A (ko) 2021-01-11 2022-07-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
US11875036B2 (en) 2021-01-13 2024-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Computing system including host and storage system and having increased write performance
KR20220103227A (ko) 2021-01-14 2022-07-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR20220105940A (ko) 2021-01-21 2022-07-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR20220105890A (ko) 2021-01-21 2022-07-28 삼성전자주식회사 커맨드가 삽입된 데이터를 공유된 채널 양방향으로 전송할 수 있는 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220106307A (ko) 2021-01-22 2022-07-29 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그 구동 방법
KR20220107486A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 메모리 시스템
KR20220120967A (ko) 2021-02-24 2022-08-31 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러, 그 동작방법
US11636912B2 (en) 2021-04-06 2023-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. ECC buffer reduction in a memory device
KR20220144093A (ko) 2021-04-19 2022-10-26 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치와 호스트 장치의 구동 방법
KR102863527B1 (ko) 2021-04-29 2025-09-22 삼성전자주식회사 이상 전압 감지 장치, 스토리지 장치 및 차량
US11652148B2 (en) 2021-05-13 2023-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of selective film deposition and semiconductor feature made by the method
KR102317788B1 (ko) 2021-05-14 2021-10-26 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR102854443B1 (ko) 2021-05-17 2025-09-03 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR102344380B1 (ko) 2021-06-02 2021-12-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220164852A (ko) 2021-06-04 2022-12-14 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102818415B1 (ko) 2021-06-04 2025-06-10 삼성전자주식회사 호스트 장치 및 메모리 장치의 구동 방법, 호스트 장치와 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
KR20220167979A (ko) 2021-06-15 2022-12-22 삼성전자주식회사 물리적 복제 방지 기능을 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102434036B1 (ko) 2021-06-17 2022-08-19 삼성전자주식회사 보조 전원 장치의 수명을 위한 충전 전압 제어 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20230001182A (ko) 2021-06-28 2023-01-04 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20230007041A (ko) 2021-07-05 2023-01-12 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 디버깅 로그 관리 방법
KR20230007806A (ko) 2021-07-06 2023-01-13 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20230011747A (ko) 2021-07-14 2023-01-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
DE102021118788A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. VERFAHREN UND STRUKTUREN FÜR VERBESSERTEN FERROELEKTRISCHEN DIREKTZUGRIFFSSPEICHER (FeRAM)
KR20230014928A (ko) * 2021-07-21 2023-01-31 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템
KR20230018215A (ko) 2021-07-29 2023-02-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR102374076B1 (ko) 2021-07-29 2022-03-14 삼성전자주식회사 보조 전원 장치의 불량 방지 회로를 포함하는 스토리지 장치 및 보조 전원 장치의 제어 방법
KR102430495B1 (ko) 2021-08-04 2022-08-09 삼성전자주식회사 저장 장치, 호스트 장치 및 그것의 데이터 전송 방법
KR20230021199A (ko) 2021-08-04 2023-02-14 삼성전자주식회사 모드 설정을 지원하는 니어-메모리를 포함하는 전자 장치, 및 이의 동작 방법
KR20230023113A (ko) 2021-08-09 2023-02-17 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20230023101A (ko) 2021-08-09 2023-02-17 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102519664B1 (ko) 2021-08-31 2023-04-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR102855685B1 (ko) 2021-09-06 2025-09-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 신뢰성 열화 감소 방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치
KR20230044882A (ko) 2021-09-27 2023-04-04 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이의 프로그램 방법
KR20230046007A (ko) 2021-09-29 2023-04-05 삼성전자주식회사 수직 채널 구조물을 포함하는 메모리 장치
KR20230050549A (ko) 2021-10-07 2023-04-17 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR20230049982A (ko) 2021-10-07 2023-04-14 삼성전자주식회사 멀티 레벨 신호 수신을 위한 파이프라인 방식의 수신기 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20230050995A (ko) 2021-10-08 2023-04-17 삼성전자주식회사 프로그래밍 동안 목표 상태의 검증 동작의 시작점 및 종료점을 결정하는 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR20230053926A (ko) 2021-10-15 2023-04-24 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 전자 장치
KR20230055270A (ko) 2021-10-18 2023-04-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20230056315A (ko) 2021-10-20 2023-04-27 삼성전자주식회사 멀티 레벨 신호 수신을 위한 수신기 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20230056453A (ko) 2021-10-20 2023-04-27 삼성전자주식회사 결함을 검출하는 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR20230058230A (ko) 2021-10-22 2023-05-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그 동작 방법
KR20230059911A (ko) 2021-10-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230059909A (ko) 2021-10-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230059910A (ko) 2021-10-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230061029A (ko) 2021-10-28 2023-05-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR102385572B1 (ko) 2021-11-02 2022-04-13 삼성전자주식회사 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230063386A (ko) 2021-11-02 2023-05-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20230063508A (ko) 2021-11-02 2023-05-09 삼성전자주식회사 멀티 테넌시를 지원하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
CN117222229A (zh) * 2021-11-03 2023-12-12 长江存储科技有限责任公司 三维存储装置及其制造方法
KR102855161B1 (ko) 2021-11-04 2025-09-03 삼성전자주식회사 메모리 장치, 호스트 장치 및 메모리 장치의 구동 방법
US11972111B2 (en) 2021-11-09 2024-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof
CN116107496A (zh) 2021-11-09 2023-05-12 三星电子株式会社 存储器系统和操作存储器控制器的方法
CN118235532A (zh) * 2021-11-09 2024-06-21 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 半导体内存装置及半导体内存装置的制造方法
US12242758B2 (en) 2021-11-09 2025-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and an operating method of a storage controller thereof
US12211559B2 (en) 2021-11-10 2025-01-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Page buffer circuit and memory device including the same
EP4181135A1 (en) 2021-11-10 2023-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device having multistack memory block and method of operating the same
CN116110473A (zh) 2021-11-10 2023-05-12 三星电子株式会社 存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法
US12125541B2 (en) 2021-11-10 2024-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of programming non-volatile memory device
US12190942B2 (en) 2021-11-11 2025-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and operating method with operational amplifier having feedback path
KR102641756B1 (ko) 2021-11-11 2024-02-29 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US12316736B2 (en) 2021-11-11 2025-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Device for supporting homomorphic encryption operation and operating method thereof
US12231531B2 (en) 2021-11-11 2025-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Homomorphic encryption system for supporting approximate arithmetic operation and method of operating the same
KR20230068683A (ko) 2021-11-11 2023-05-18 삼성전자주식회사 서스펜드 동작 검사 방법
US12204445B2 (en) 2021-11-12 2025-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating a storage device using multi-level address translation and a storage device performing the same
US12211553B2 (en) 2021-11-15 2025-01-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage system and operating method of storage controller
US20230154542A1 (en) 2021-11-15 2023-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and erase method thereof
US11966608B2 (en) 2021-11-15 2024-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory controller with improved data reliability and memory system including the same
US12056351B2 (en) 2021-11-15 2024-08-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Data management system using bitmap based trim command
US12061808B2 (en) 2021-11-15 2024-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device for tuning an interface with a host
EP4180970B1 (en) 2021-11-15 2025-01-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device operating in zone unit and data processing system including the same
KR20230072318A (ko) 2021-11-17 2023-05-24 삼성전자주식회사 웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 스토리지 장치 및 그의 제조 방법
US12014772B2 (en) 2021-11-17 2024-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage controller and storage device including the same
KR20230074890A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 장치
KR20230075164A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 삼성전자주식회사 수직형 구조를 가지는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR20230075014A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11841767B2 (en) 2021-11-24 2023-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Controller controlling non-volatile memory device, storage device including the same, and operating method thereof
US11929762B2 (en) 2021-11-24 2024-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Low density parity check decoder and storage device
KR20230076656A (ko) 2021-11-24 2023-05-31 삼성전자주식회사 워드라인 전압 기울기를 조절하는 메모리 장치 및 그 동작방법
US12230328B2 (en) 2021-11-25 2025-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
US12165734B2 (en) 2021-11-29 2024-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and storage device
KR20230080766A (ko) 2021-11-30 2023-06-07 삼성전자주식회사 메모리 장치에 대한 메모리 컨트롤러
KR102481649B1 (ko) 2021-12-01 2022-12-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20230082377A (ko) 2021-12-01 2023-06-08 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러 및 메모리 시스템
US11736098B2 (en) 2021-12-03 2023-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory package, semiconductor device, and storage device
US12147706B2 (en) 2021-12-03 2024-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device controlled by temperature dependent operation commands
EP4195209A1 (en) 2021-12-07 2023-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory
KR20230092226A (ko) 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 전자 시스템의 동작 방법
KR20230092227A (ko) 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 멀티코어 프로세서 및 스토리지 장치
US12333152B2 (en) 2021-12-20 2025-06-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device
KR20230096304A (ko) 2021-12-23 2023-06-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 리프로그램 방법, 프로그램 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
EP4207199A3 (en) 2021-12-28 2023-08-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system
KR20230105274A (ko) * 2022-01-03 2023-07-11 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20230106920A (ko) 2022-01-07 2023-07-14 삼성전자주식회사 스토리지 시스템 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
KR20230106915A (ko) 2022-01-07 2023-07-14 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법, 및 스토리지 장치
US12217804B2 (en) 2022-01-18 2025-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device including combined sensing node and cache read method thereof
US20230255036A1 (en) 2022-02-10 2023-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device
US20230267975A1 (en) 2022-02-18 2023-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device
KR20230144897A (ko) 2022-04-08 2023-10-17 삼성전자주식회사 펄스 스킵 기능과 온-타임 제어 기능을 포함하는 dc-dc 컨버터, 및 이를 포함하는 전자 장치들
KR20230161236A (ko) 2022-05-18 2023-11-27 삼성전자주식회사 임베디드 저장 장치, 그것을 갖는 호스트 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102697634B1 (ko) 2022-06-07 2024-08-23 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 전자 시스템
KR20240004062A (ko) 2022-07-04 2024-01-11 삼성전자주식회사 메모리 장치의 동작 방법, 반도체 장치 및 메모리 장치의 테스트 방법
KR20240020093A (ko) 2022-08-05 2024-02-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20240030248A (ko) 2022-08-30 2024-03-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR20240030819A (ko) 2022-08-31 2024-03-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR20240040507A (ko) 2022-09-21 2024-03-28 삼성전자주식회사 스토리지 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법
KR20240044119A (ko) 2022-09-28 2024-04-04 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20240048306A (ko) 2022-10-06 2024-04-15 삼성전자주식회사 G-ldpc 인코더, g-ldpc 인코딩 방법 및 스토리지 장치
KR20240048893A (ko) 2022-10-07 2024-04-16 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR20240054079A (ko) 2022-10-18 2024-04-25 삼성전자주식회사 에러 정정을 수행하는 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US20240160794A1 (en) 2022-11-10 2024-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device
KR20240068346A (ko) 2022-11-10 2024-05-17 삼성전자주식회사 센서 정보를 이용한 스토리지 장치의 데이터 백업 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20240094058A (ko) 2022-11-18 2024-06-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 스토리지 장치
KR20240078045A (ko) 2022-11-25 2024-06-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR20240077792A (ko) 2022-11-25 2024-06-03 삼성전자주식회사 프로그램 서스펜션 제어를 이용한 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20240079650A (ko) 2022-11-29 2024-06-05 삼성전자주식회사 다이렉트 스토리지 기능을 지원하는 스토리지 장치 및 스토리지 시스템
KR20240083705A (ko) 2022-12-05 2024-06-12 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
US12444468B2 (en) 2022-12-13 2025-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device having asymmetric page buffer array architecture
KR20240100083A (ko) 2022-12-22 2024-07-01 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR20240106189A (ko) 2022-12-29 2024-07-08 삼성전자주식회사 메모리 장치의 동작 방법 및 이를 수행하는 메모리 장치
KR20240107941A (ko) 2022-12-30 2024-07-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
CN118284055A (zh) * 2022-12-30 2024-07-02 长江存储科技有限责任公司 存储器件、存储系统及其形成方法
KR20240112645A (ko) 2023-01-12 2024-07-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작방법
KR20240117723A (ko) 2023-01-26 2024-08-02 삼성전자주식회사 어드레스-딜레이 맵핑을 이용한 트레이닝 동작을 수행하는 메모리 패키지 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US20240264766A1 (en) 2023-02-02 2024-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and an operating method of a storage controller
KR20240126281A (ko) 2023-02-13 2024-08-20 삼성전자주식회사 누설 검출 동작을 수행하는 메모리 장치
KR20240129924A (ko) 2023-02-21 2024-08-28 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR20240129923A (ko) 2023-02-21 2024-08-28 삼성전자주식회사 상이한 문턱 전압을 갖는 스트링 선택 트랜지스터들을 포함하는 메모리 장치 및 메모리 장치의 동작 방법
KR20240139909A (ko) 2023-03-15 2024-09-24 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러 및 상기 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR20240140367A (ko) 2023-03-16 2024-09-24 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치, 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR20240142207A (ko) 2023-03-21 2024-09-30 삼성전자주식회사 직접 메모리 접근을 제공하는 스토리지 장치, 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20240145238A (ko) 2023-03-27 2024-10-07 삼성전자주식회사 Esd 다이오드를 포함하는 반도체 장치
US12267086B2 (en) 2023-05-11 2025-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. High throughput polar codeword decoding by decoding bch sub-code in polar code structure
EP4471774A1 (en) 2023-05-30 2024-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory device
CN119323020A (zh) 2023-07-17 2025-01-17 三星电子株式会社 存储系统及其操作方法
US12388468B2 (en) 2023-08-08 2025-08-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Generalized hierarchical concatenated codes with fixed dimension and code length
KR20250041242A (ko) 2023-09-18 2025-03-25 삼성전자주식회사 스토리지 시스템 및 이를 포함하는 데이터 센터
KR20250062533A (ko) 2023-10-31 2025-05-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20250071741A (ko) 2023-11-15 2025-05-22 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR20250075347A (ko) 2023-11-21 2025-05-28 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법 및 호스트의 동작 방법
KR20250118679A (ko) 2024-01-30 2025-08-06 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 스토리지 장치
KR20250140377A (ko) 2024-03-18 2025-09-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법 및 스토리지 시스템
US20250370638A1 (en) 2024-05-28 2025-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Dynamic online code-rate allocation according to wordline noise for adapative ecc in ssd/ufs
US20250372155A1 (en) 2024-06-04 2025-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Fast programming scheme for power loss protection - a machine learning based algorithm
US20250379598A1 (en) 2024-06-05 2025-12-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Adaptive generalized concatenated codes for low power ecc with varying overhead
US20250384949A1 (en) 2024-06-12 2025-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Equalizer with tunable configuration according to ecc output

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3651689B2 (ja) * 1993-05-28 2005-05-25 株式会社東芝 Ｎａｎｄ型不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US6664143B2 (en) * 2000-11-22 2003-12-16 North Carolina State University Methods of fabricating vertical field effect transistors by conformal channel layer deposition on sidewalls
US6406962B1 (en) * 2001-01-17 2002-06-18 International Business Machines Corporation Vertical trench-formed dual-gate FET device structure and method for creation
KR100401130B1 (ko) * 2001-03-28 2003-10-10 한국전자통신연구원 수직형 채널을 가지는 초미세 ｍｏｓ 트랜지스터 제조방법
JP3459240B2 (ja) * 2001-06-22 2003-10-20 富士雄 舛岡 半導体記憶装置
KR100457227B1 (ko) 2001-12-29 2004-11-16 동부전자 주식회사 플레시 이이피롬셀 및 그 제조방법
US6544824B1 (en) * 2002-01-03 2003-04-08 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form a vertical transistor by first forming a gate/spacer stack, then using selective epitaxy to form source, drain and channel
KR100553687B1 (ko) * 2003-05-29 2006-02-24 삼성전자주식회사 축소가능한 2개의 트랜지스터 기억 소자 및 그 형성방법
US7098502B2 (en) * 2003-11-10 2006-08-29 Freescale Semiconductor, Inc. Transistor having three electrically isolated electrodes and method of formation
US7241654B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-10 Micron Technology, Inc. Vertical NROM NAND flash memory array
US7053447B2 (en) 2004-09-14 2006-05-30 Infineon Technologies Ag Charge-trapping semiconductor memory device
KR100674952B1 (ko) 2005-02-05 2007-01-26 삼성전자주식회사 3차원 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법
US7378707B2 (en) * 2005-05-26 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Scalable high density non-volatile memory cells in a contactless memory array
US20070034922A1 (en) * 2005-08-11 2007-02-15 Micron Technology, Inc. Integrated surround gate multifunctional memory device
KR100682537B1 (ko) * 2005-11-30 2007-02-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
JP4822841B2 (ja) 2005-12-28 2011-11-24 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
JP5016832B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US7631150B2 (en) 2006-09-29 2009-12-08 Broadcom Corporation Memory management in a shared memory system
US7368347B2 (en) * 2006-10-03 2008-05-06 Spansion Llc Dual bit flash memory devices and methods for fabricating the same
KR100889361B1 (ko) * 2006-10-17 2009-03-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법
US7781827B2 (en) * 2007-01-24 2010-08-24 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device with a vertical MOSFET including a superlattice and related methods
KR100881825B1 (ko) * 2007-07-27 2009-02-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.

Also Published As

Publication number Publication date
US8236650B2 (en) 2012-08-07
JP2009117843A (ja) 2009-05-28
US20120292686A1 (en) 2012-11-22
KR20090047614A (ko) 2009-05-13
KR101226685B1 (ko) 2013-01-25
CN101483194B (zh) 2012-08-29
US20100112769A1 (en) 2010-05-06
US7679133B2 (en) 2010-03-16
US8492828B2 (en) 2013-07-23
US20090121271A1 (en) 2009-05-14
CN101483194A (zh) 2009-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5484711B2 (ja) 垂直型半導体素子及びその製造方法
CN111048469B (zh) 半导体器件
KR101736982B1 (ko) 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
EP2253014B1 (en) Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar
KR101941734B1 (ko) 콤팩트한 3차원 수직 nand 및 이의 제조 방법
US8765551B2 (en) Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same
KR101623546B1 (ko) 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8853767B2 (en) Three dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same
KR102408657B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US20150263038A1 (en) Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US20140162440A1 (en) Semiconductor memory devices and methods of forming the same
US8587045B2 (en) Nonvolatile memory device and method of forming the same
KR20160095281A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US20170033119A1 (en) Vertical Non-Volatile Semiconductor Devices
KR20110012806A (ko) 수직 채널 구조의 플래쉬 메모리 소자
US8648409B2 (en) Non-volatile memory device and method for fabricating the same
KR20130095499A (ko) 비휘발성 메모리 장치, 그 동작 방법 및 그 제조 방법
US20070165455A1 (en) NAND-type non-volatile memory devices having a stacked structure and associated methods of forming and operating the same
TW202143436A (zh) 記憶體裝置及形成記憶體裝置之方法
KR20170000462A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8187967B2 (en) Method of manufacturing a non-volatile memory device
CN101188239A (zh) 半导体器件及其形成方法
CN113921529A (zh) 半导体存储器件
US7982246B2 (en) Selection transistor
KR20080033051A (ko) 3차원 어레이 구조를 갖는 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110928

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120829

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130627

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131022

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5484711

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250