JP2015179843A - 複数の反応チャンバを共有するガスシステムで均一な処理を行う方法 - Google Patents
複数の反応チャンバを共有するガスシステムで均一な処理を行う方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015179843A JP2015179843A JP2015052198A JP2015052198A JP2015179843A JP 2015179843 A JP2015179843 A JP 2015179843A JP 2015052198 A JP2015052198 A JP 2015052198A JP 2015052198 A JP2015052198 A JP 2015052198A JP 2015179843 A JP2015179843 A JP 2015179843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chambers
- line
- reaction chamber
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 281
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 397
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 77
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 54
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 40
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 32
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 31
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 101100236208 Homo sapiens LTB4R gene Proteins 0.000 description 1
- 101001017969 Homo sapiens Leukotriene B4 receptor 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100033374 Leukotriene B4 receptor 1 Human genes 0.000 description 1
- 102100033375 Leukotriene B4 receptor 2 Human genes 0.000 description 1
- 101100437750 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) blt1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
Abstract
【課題】複数の反応チャンバで均一な処理を行うこと。【解決手段】複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法は、（ａ）ステップが行われる反応チャンバの順序に基づいて各反応チャンバでのステップにより構成されるサイクルを行うことと、（ｂ）ステップが行われる反応チャンバの直前の順序を変更した後に各反応チャンバでステップを行うことと、（ｃ）対象の処理が複数の反応チャンバで完了するまで処理（ｂ）を繰り返すことと、を備える。各反応チャンバの基板上で行われる対象の処理は、同一である。【選択図】図１
Description
本発明は、概して、ガス供給システムを共有する複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法に関するものである。
処理ウェーハのスループットを向上させるために、複数のウェーハは、反応チャンバに搬送され、バッチプログラムを実行することにより同時に処理される。しかし、バッチプログラムを用いて高い精度で処理を行うことは困難である。一方で、単一のウェーハが反応チャンバに搬送されて、処理される場合には、処理は高い精度で制御されることができるが、スループットが悪くなる。枚葉式の複数の反応チャンバが組み合わせられ、プロセスガス供給システムを共有する場合、複数の反応チャンバを同時に動作することにより、スループットを向上させることができる。しかし、複数の反応チャンバが、液体前駆体を含む共通容器（リザーバー）が設けられた共通のプロセスガス供給システムを共有し、かつ気化された前駆体が複数の反応チャンバに同時に供給されるとき、容器から各反応チャンバへの配管の長さの差や、各反応チャンバに対する供給ラインのコンダクタンスの差等のために、複数の反応チャンバ全てに対して、気化された前駆体を等しく供給することは困難であり、堆積速度、膜の均一性、膜の組成等について反応チャンバ間でばらつきを生じる。枚葉式の複数の反応チャンバの上記のばらつきの課題は、シーケンスで複数の反応チャンバにおけるプロセスを行うこと、すなわち、特定の遅延を有するシーケンスで複数の反応チャンバにおけるプロセスを開始する（タイミングをずらしたシーケンスで複数の反応チャンバに気化された前駆体を供給する）ことにより非常に緩和され、ここで、当該プロセスは、複数の反応チャンバで複数のウェーハを処理するためにシーケンスで繰り返される。前駆体が相対的に低い蒸気圧を有する場合、すなわち、前駆体の量が相対的に少なく、そのため、前駆体がガス供給システムから明らかにパージされることができる場合に、上記のシーケンス処理は、複数の反応チャンバ間の膜品質のばらつきを低減するために好適に機能する。
しかし、前駆体が高い蒸気圧を有する場合（例えば、リン酸トリメチル（ＴＭＰＩ）は、２５℃で２．２７ｋＰａの蒸気圧を有するが、ビスジエチルアミノシラン（ＢＤＥＡＳ）は、２５℃で０．４３６ｋＰａの蒸気圧を有する）には、前駆体の量は、多くなる、すなわち、ガス供給システムからのガスを完全にパージすることが困難になる。本発明者らは、ガス供給システムを共有する複数の反応チャンバの並列サイクル処理システムにおいて高い蒸気圧を有する前駆体を用いるときに、複数の反応チャンバ間の膜の特性のばらつきは、反応チャンバが処理を開始する順序に応じて発生することを見出した。
関連分野に関係する問題及び解決策の上記のいずれかの説明は、本発明についての関連性を提供する目的のためだけに本開示に含まれ、それらの説明のいずれか又は全ては本発明がなされた時点で知られていたことを認めるものと解釈されるべきではない。
一部の実施形態は、複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法を提供し、前記方法は、（ａ）ステップが行われる前記反応チャンバの順序に基づいて各反応チャンバでの前記ステップにより構成されるサイクルを行うことと、（ｂ）前記ステップが行われる反応チャンバの直前の順序を変更した後に各反応チャンバで前記ステップを行うことと、（ｃ）対象の処理が複数の前記反応チャンバで完了するまで処理（ｂ）を繰り返すことと、を備え、各反応チャンバの基板上で行われる前記対象の処理は、同一である。上記の処理（ａ）から（ｃ）は、動作原理を変更せずに、２又は３又はそれ以上の反応チャンバを含むシステムに等しく適用することができる。また、上記の処理（ａ）から（ｃ）は、１サイクルに２以上のステップ、すなわち、１サイクルプロセスユニットを含むプロセスレシピに等しく適用することができる。
上記では、同一の対象の処理時に、反応チャンバが処理に使用される順序を変更することにより、例えば、膜の特性のばらつきを効果的に抑制することができる。処理の順序を変更することは、前駆体ガス及び／又は反応ガスが供給される反応チャンバの順序を変更すること、ＲＦパワーが印加される反応チャンバの順序を変更すること、及び／又はパージが行われる反応チャンバの順序を変更することを含む。これらの変更は、独立して行われることができ、ステップの一部は、同時に行われることができる。例えば、プロセスガスが供給される反応チャンバの順序は、変更されるのに対して、ＲＦパワーは、全ての反応チャンバに同時に印加される。一部の実施形態では、プロセスを繰り返すことは、ドープされた膜、金属膜又はＳｉＯ膜を形成するためのものである、又は膜をトリミング又はエッチングするためのものである。一部の実施形態では、反応チャンバ間の膜特性のばらつきを、１つのサイクルが行われるステップでの反応チャンバの順序を変更することによって制御することができるため、反応チャンバの下流で膜特性のばらつきを示すパラメータをチェックし、当該パラメータをコントロールユニットへフィードバックすることにより、適切な順序を決定することができ、決定した順序を用いて処理を行うことができ、それによって、全てのチャンバでの処理の均一性を向上させることができる。上記のフィードバック制御は、連続的に行われることができる。
本発明の態様及び関連分野に対して達成された利点を要約する目的のために、本発明の特定の目的及び利点が本開示に記載されている。もちろん、全てのこのような目的又は利点は本発明の任意の特定の実施形態に従って達成され得ることを必ずしも必要としないことは理解される。したがって、例えば、当業者は、本明細書に教示又は示唆され得るような他の目的又は利点を必ずしも達成しなくても、本明細書に教示されている１つの利点又は１群の利点を達成又は最適化するように本発明が具現化され得るか又は実施され得ることを認識するであろう。
本発明のさらなる態様、特徴及び利点は以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
本発明のこれら及び他の特徴を好ましい実施形態の図面を参照して記載するが、それらは本発明を例示するためであり、本発明を限定するものではない。図面は、説明の都合上、非常に簡略化されており、必ずしも縮尺通りではない。
本開示において、「ガス」は、蒸発した固体及び／又は液体を含んでもよく、単一のガス又はガスの混合物により構成されてもよい。同様に、「一つ」の物品は、一つの種類又は複数の種類を含む属性を指す。本開示では、シャワーヘッドを通じて反応チャンバへ導入されるプロセスガスは、前駆体、反応ガス及びパージガスを含むか、実質的に前駆体、反応ガス及びパージガスからなるか、又は前駆体、反応ガス及びパージガスからなってもよい。前駆体及び反応ガスは、励起状態で互いに反応することができ、別のガス又は希ガスなどのキャリアガスと共に導入されることができる。プロセス以外のガス、すなわちシャワーヘッドを介する通過によらないで導入されるガスは、例えば、反応空間をシールするために使用されてもよく、それらのガスは希ガスなどのシールガスを含む。一部の実施形態では、「膜」は、ターゲットとなる表面もしくは対象となる表面全体を覆うためにピンホールを有さずに実質的に厚さ方向に垂直な方向に連続して延びる層、又はターゲットとなる表面もしくは対象となる表面を単に覆う層を指す。
本開示において、「デュアルチャンバ」は、互いに閉じて配置され、かつ、例えば、位置的、構造的、機能的及び／又は動作的に互いにほぼ離れた又は分離されたものに見える処理ウェーハ用の２つの部分又は区分を指し、これは、互いに並んで又は垂直に接続された２つの離れたチャンバだけではなく、１つの共通のチャンバにおいて並んで又は垂直に配置された２つの分離された領域も含むものである。本開示において、「モジュール」は、ウェーハハンドリングメインチャンバに取り外し可能に取り付けられる標準化されたユニットを指す。
本開示において、任意の定義された意味は、一部の実施形態において、通常及び慣例の意味を必ずしも除外しているわけではない。
さらに、本開示において、任意の２つの数の変数は、その変数の実行可能な範囲を構成でき、実行可能な範囲は通常作業に基づいて決定でき、示された任意の範囲はエンドポイントを含んでいてもよく、又は除外していてもよい。さらに、示された変数の任意の値（それらが「約」と共に示されているか否かに関わらず）は、正確な値又はおおよその値を指し、同値を含んでもよく、一部の実施形態において、平均値、中央値、代表値、多数値などを指してもよい。
条件及び／又は構造が特定されていない本開示において、当業者は、通常の実験として、本開示を考慮してそのような条件及び／又は構造を容易に得ることができる。
開示された実施形態の全てにおいて、一実施形態において使用されている任意の要素は、意図される目的のために本明細書に明確、必然的又は本質的に開示されている要素を含む、要素と等価の任意の要素と置き換えられてもよい。さらに、本発明は装置及び方法に同様に適用されてもよい。
実施形態は、好ましい実施形態に対して説明される。しかし、本発明は、好ましい実施形態に限定されない。
実施形態は、第１のガスソース及び第２のガスソースを共有する複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法を提供し、各反応チャンバは、第１のガスソースからの第１のガス、第２のガスソースからの第２のガス及びパージガスが反応チャンバへ導入されるガス入口ラインを有し、各反応チャンバで行われる対象の処理が同一であり、前記方法は、（ｉ）第１のガスが複数の反応チャンバの１つへ供給され、その後、複数の反応チャンバの別の１つへ供給される供給順序で、各ガス入口ラインを通じて第１のガスを複数の反応チャンバへ供給するステップと、（ｉｉ）第２のガスが複数の反応チャンバの１つへ供給され、その後、複数の反応チャンバの別の１つへ供給される供給順序で、各ガス入口ラインを通じて第２のガスを複数の反応チャンバへ供給するステップと、（ｉｉｉ）複数の反応チャンバ及びガス入口ラインから第１のガス及び第２のガスをそれぞれパージするように、第１のガスの各供給後及び第２のガスの各供給後に各ガス入口ラインを通じてパージガスを複数の反応チャンバへ供給するステップと、（ｉｖ）複数の反応チャンバにおける対象の処理を完了するためにステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）を連続的に繰り返すステップと、を備え、第１のガス又は第２のガスの少なくとも１つの供給順序は、第１のガス又は第２のガスの少なくとも１つの供給が繰り返されるときに変更される。本開示では、「連続的」とは、真空を中断しない、タイムラインとして中断しない、又は一部の実施形態では直後を意味する。
複数の反応チャンバは、並べて又は垂直に配置される２又は３又はそれ以上の反応チャンバであってもよい。例えば、モジュールであるデュアルチャンバリアクタが使用されてもよい。複数の反応チャンバは、第１のガスソース及び第２のガスソースを共有し、各反応チャンバは、第１のガスソースからの第１のガス、第２のガスソースからの第２のガス及びキャリアガス（パージガスとしても機能する）が反応チャンバへ導入されるガス入口ラインを有する。ガス供給システムの少なくとも一部が複数の反応チャンバによって共有されるため、ガスソースから各反応チャンバへの配管長さの差異及び配管のコンダクタンスの差異により、複数の反応チャンバに同時にガスを供給するときに、ガス流を複数の反応チャンバに均等に分割する際に問題が生じる。よって、典型的には、ガス流を複数の経路に分割せずに、ガスは、シーケンスで複数の反応チャンバに提供される。しかし、ガスをシーケンスで供給するときであっても、複数の反応チャンバ間で流路が異なり、複数の反応チャンバ間で非均一なガス供給をもたらす。
一部の実施形態では、複数の反応チャンバは、排気システムを共有し、各反応チャンバの圧力は、排気システムを用いて制御される。
一部の実施形態では、複数の反応チャンバは、それぞれ、添加ガス又は不活性ガスが複数の反応チャンバへ供給される別のガスラインを備える。
典型的には、第１のガスソース及び第２のガスソースは、液体化合物を蓄積する容器を含み、液体化合物の気化されたガスのそれぞれは、第１のガス及び第２のガスであり、一部の前駆体及び反応物質が高い蒸気圧を有するため、複数の反応チャンバ間のガス流の差は、より大きな問題となり、よって、化合物の量が多い場合には、複数の反応チャンバからのこれらの化合物を等しくパージすることは容易ではない。一部の実施形態では、第１のガスソースからの第１のガスラインは、複数の反応チャンバのガス入口ラインのそれぞれに分岐及び接続され、第２のガスソースからの第２のガスラインは、複数の反応チャンバのガス入口ラインのそれぞれに分岐及び接続され、第１のガス及びパージガスは、第１のガスライン、第１のガスラインから分岐されるライン及び複数の反応チャンバのガス入口ラインを通じて複数の反応チャンバへ導入され、第２のガス及びパージガスは、第２のガスライン、第２のガスラインから分岐されるライン及び複数の反応チャンバのガス入口ラインを通じて複数の反応チャンバへ導入され、分岐されるラインそれぞれには、バルブが設けられる。上記では、ステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）で定義されるガス流は、各バルブを用いて制御される。一部の実施形態では、パージガスは、第１のガスラインを通じてパージガスのみで又は第１のガスと共に連続的に流れ、パージガスは、第２のガスラインを通じてパージガスのみで又は第２のガスと共に連続的に流れる。第１のガス、第１のガスと関連付けられるパージガス、第２のガス、及び第２のガスと関連付けられるパージガスが、各反応チャンバのガス入口ラインをを通過するため、ガス流切り替えユニットが必要となる。ガス流切り替えユニットでは、各ガスがガス流切り替えユニットを通過する経路は、各反応チャンバごとに異なっている。よって、各ガスが供給される反応チャンバの処理順序が固定されるとき、反応チャンバ間のガス流の差も固定される。上述されたステップ（ｉ）から（ｉｖ）を行うことにより、反応チャンバ間のガス流の差は、最小限となりうる。
各反応チャンバで行われる対象の処理は、同一である。一部の実施形態では、対象の処理のためにプロセスを繰り返すことは、ドープされた膜、金属膜又はＳｉＯ膜を形成するためのものである、又は膜をトリミングする又はエッチングするためのものである。ガスの数、ガスのタイプ、流速、ガスの励起方法、温度、圧力等は、対象の処理に応じて決定されることができる。当業者は、通常の実験としてこのような条件を容易に提供することができる。
一部の実施形態では、ステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）を含む１つのサイクルを備え、ステップ（ｉｖ）においてサイクルは、繰り返され、第１のガス又は第２のガスの少なくとも１つの供給順序は、サイクルごとに変更される。一部の実施形態では、第２のガスの供給順序は、サイクルごとに変更されるが、第１のガスの供給順序は、変更されない。別の実施形態では、第１のガス及び第２のガスそれぞれの供給順序は、サイクルごとに変更される。一部の実施形態では、ステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）を含む１つのサイクルを備え、ステップ（ｉｉ）は、サイクルで繰り返され、第２のガスの供給順序は、ステップ（ｉｉ）がサイクルで繰り返されるときに変更され、サイクルは、ステップ（ｉｖ）で繰り返される。一部の実施形態では、第１のガスの供給速度は、第２のガスの供給速度の２倍以上である。
一部の実施形態では、前記方法は、各ステップ（ｉｉｉ）の後に複数の反応チャンバにＲＦパワーを印加するステップ（ｉｉｉａ）をさらに備える。ＲＦパワーは、連続的に又は同時に複数の反応チャンバに印加されうる。一部の実施形態では、複数の反応チャンバは、ＲＦパワーを生成するＲＦジェネレータを共有する。一部の実施形態では、対象の処理は、プラズマエンハンスト原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）による膜の堆積である。それに替えて、対象の処理は、熱ＡＬＤ、ラジカルエンハンストＡＬＤ、周期的ＣＶＤ又は他の周期的な処理によって行われてもよく、ここで、１つのサイクルは、例えば、対象の処理を完了するために、２０から３００回（典型的には、５０から２００回）繰り返される。
別の態様では、実施形態は、複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法を提供し、前記方法は、（ａ）ステップが行われる反応チャンバの順序に基づいて各反応チャンバでのステップにより構成されるサイクルを行うことと、（ｂ）ステップが行われる反応チャンバの直前の順序を変更した後に各反応チャンバでステップを行うことと、（ｃ）対象の処理が複数の反応チャンバで完了するまで処理（ｂ）を繰り返すことと、を備え、各反応チャンバの基板上で行われる対象の処理は、同一である。
一部の実施形態では、前記ステップは、第１のガスを供給するステップと、第２のガスを供給するステップと、を含む。一部の実施形態では、第１のガス及び第２のガスは、第１の共通ガス入口ラインを通じて反応チャンバの１つへ供給され、第１のガス及び第２のガスは、第２の共通ガス入口ラインを通じて反応チャンバの別の１つへ供給され、第１のガスは、第１及び第２の共通ガス入口ラインに分岐及び接続される第１のガスラインに供給され、第２のガスは、第１及び第２の共通ガス入口ラインに分岐及び接続される第２のガスラインに供給される。
別の実施形態は、第１の反応チャンバ及び第２の反応チャンバで均一な処理を行う方法を提供し、各反応チャンバ内の基板上で行われる対象の処理は同一であり、対象の処理は、このシーケンスでステップＡ及びステップＢを繰り返すことにより行われ、第１の反応チャンバで行われるステップＡ及びステップＢは、ステップＡ１及びステップＢ１と示され、第２の反応チャンバで行われるステップＡ及びステップＢは、ステップＡ２及びステップＢ２と示され、前記方法は、（ａ）ステップＡ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２の順序で行うこと、（ｂ）直前の順序を変更した後に前記ステップを行うこと、及び（ｃ）対象の処理が第１及び第２の反応チャンバで完了するまで処理（ｂ）を繰り返すことを含む。
実施形態は、図面を参照して説明される。しかし、本発明は、図面に限定されるものではない。
図１は、本発明の実施形態が適用されるデュアルチャンバプラズマエンハンスト原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）装置の模式図である。当該装置は、以下に説明されるシーケンスを行うようにプログラムされる制御装置と共に、プラズマリアクタ及びフローコントロールバルブを組み合わせ、これは、本発明の実施形態で使用されることができる。この図では、反応チャンバ１（ＲＣ１）及び反応チャンバ２（ＲＣ２）は、隣り合わせて設けられ、モジュールを構成する。反応チャンバ１，２は、容器７（第１のガスソース）と、容器８（第２のガスソース）と、排気ポンプ４と接続される自動圧力コントローラ３と、を共有する。さらに、反応チャンバ１，２は、ＲＦジェネレータ１４を共有する。第１のガスが反応チャンバ１又は反応チャンバ２に供給されるとき、キャリアガス（例えば、Ａｒ）は、マスフローコントローラ５を通じて容器７に提供され、容器７は、第１のガスのための液体を含み、かつヒータを備えており、バルブｖ２は開かれる一方で、バルブｖ１は閉じられる。キャリアガスは、容器７に入り、第１のガスのための気化された液体と共に、バルブｖ３を通じて第１のガスライン９へ流れる。第１のガスは、活性材料（第１のガスのための気化された液体）及びキャリアガスの混合物によって構成される。第１のガスライン９は、反応チャンバ１と接続されるガス入口ライン１７及び反応チャンバ２と接続されるガス入口ライン１９に分岐される。第１のガスは、ガスライン９とガス入口ライン１７との間に設けられたバルブｖ７を介してガスライン９及びガス入口ライン１７を通じて流れ、反応チャンバ１へ入る（ガスライン９とガス入口ライン１９との間に設けられたバルブｖ８は、閉じられる）。バルブｖ７が閉じられ、バルブｖ８が開かれたとき、第１のガスは、バルブｖ８を介してガスライン９及びガス入口ライン１９を通じて流れ、反応チャンバ２へ入る。バルブｖ１が開かれ、バルブｖ２が閉じられるとき、キャリアガスのみがガスライン９を通じて流れ、第１のガスと同一の経路を介して反応チャンバ１又は２へ入る。ここで、キャリアガスは、パージガスとして機能する。
第２のガスが反応チャンバ１又は反応チャンバ２に供給されるとき、キャリアガス（例えば、Ａｒ）は、マスフローコントローラ６を通じて容器８に提供され、容器８は、第２のガスのための液体を含み、かつヒータを備えており、バルブｖ５は開かれる一方で、バルブｖ４は閉じられる。キャリアガスは、容器８に入り、第２のガスのための気化された液体と共に、バルブｖ６を通じて第２のガスライン１０へ流出する。第２のガスは、活性材料（第２のガスのための気化された液体）及びキャリアガスの混合物によって構成される。第１のガスライン９と同様に、第２のガスライン１０は、反応チャンバ１と接続されるガス入口ライン１７及び反応チャンバ２と接続されるガス入口ライン１９に分岐され、第１及び第２のガスライン９，１０は、ガス入口ライン１７，１９を共有する。第２のガスは、ガスライン１０とガス入口ライン１７との間に設けられたバルブｖ９を介してガスライン１０及びガス入口ライン１７を通じて流れ、反応チャンバ１へ入る（ガスライン１０とガス入口ライン１９との間に設けられたバルブｖ１０は、閉じられる）。バルブｖ９が閉じられ、バルブｖ１０が開かれたとき、第２のガスは、バルブｖ１０を介してガスライン１０及びガス入口ライン１９を通じて流れ、反応チャンバ２へ入る。バルブｖ４が開かれ、バルブｖ５が閉じられるとき、キャリアガスのみがガスライン１０を通じて流れ、第２のガスと同一の経路を介して反応チャンバ１又は２へ入る。ここで、キャリアガスは、パージガスとして機能する。
また、第１及び第２のガスとは別に、酸素、アルゴン及びヘリウムは、例えば、酸素マスフローコントローラ１１、アルゴンマスフローコントローラ１２及びヘリウムマスフローコントローラ１３から、ガスライン１６を介し、必要に応じてガスライン１８及び２０をそれぞれ通じて、反応チャンバ１及び２へそれぞれ供給されることができる。さらに、ＲＦパワーは、各マッチングボックス（ＭＢ）を介したスイッチ１５を用いて、ＲＦジェネレータ１４から反応チャンバ１又は２へ印加されることができる。反応チャンバ１及び２の圧力は、自動圧力コントローラ３によって制御される。
図１は、２つの容器７及び８、１つのＲＦジェネレータ１４、１つの自動圧力コントローラ３、１つのポンプ４、及び４つのガスライン１７，１８，１９，２０を備える装置を示しているが、当該装置は、さらに、１つのリモートプラズマユニットを備えることができる。また、当該装置は、さらに、１以上の追加反応チャンバ、１以上の容器及び２以上のガスラインを備えることができる。ＲＦジェネレータは、別々に各反応チャンバと接続されることができる。熱サイクル処理のための装置に対しては、ＲＦジェネレータを搭載する必要はない。
当業者は、装置が、本明細書に記載される堆積及びリアクタ洗浄プロセスを行わせるようにプログラム又は構成される１以上のコントローラ（図示せず）を含むことを理解するであろう。コントローラは、当業者によって理解されるように、各種の電源、加熱システム、ポンプ、ロボット、及びガスフローコントローラ又はリアクタのバルブと通信する。
上記では、バルブｖ７，ｖ８，ｖ９及びｖ１０を含む領域は、ガスライン９，１０とガス入口ライン１７，１９との間に設けられたガス流切り替えユニットを構成する。バルブｖ１からｖ６と関連付けられるバルブｖ７からｖ１０を操作することにより、ガスが供給される反応チャンバが制御され、ガスが供給される反応チャンバ１及び２の順序も制御されることができる。
図１１から１６は、ガス流切り替えユニットが、本発明の実施形態に係る２つの反応チャンバ間で非均一な流れをどのように生じるかを示す。図１１は、本発明の実施形態が適用されるデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置の模式図である。図では、２点鎖線は、温度制御のための加熱素子を有する部分を示し、破線は、加熱素子のない断熱材料で覆われた部分を示す。この図では、装置は、液体材料（例えば、リンドーパント）を含む容器（ＢＬＴ１）４３を含む容器ユニット４５と、液体材料（例えば、Ｓｉ含有前駆体）を含む容器（ＢＬＴ２）４４を含む容器ユニット４６と、ガス流を切り替える容器集積ガスシステムユニット（Ｂｏｔｔｌｅ ＩＧＳ Ｕｎｉｔ）４７と、第１の反応チャンバ（ＲＣ１）４１と、第２の反応チャンバ（ＲＣ２）４２と、ＲＦジェネレータ５０と、リモートプラズマユニット４９と、を備える。ガスは、ガス入口ライン５１を通じて第１の反応チャンバ４１へ流れる一方で、ガスは、ガス入口ライン５２を通じて第２の反応チャンバ４２へ流れ、ガスは、各反応チャンバ４１，４２の反応空間からバルブｖ４０を有する排気ライン６６を通じて排出され、かつバルブｖ３９を有する排気ライン６５を通じて各反応チャンバ４１，４２の底部から排出される。排気ライン６５は、排気ライン６６へ併合され、ガスは、自動圧力コントローラ４８を通じて排出される。プロセスガスは、ガスライン６２を通じてガス入口ライン５１へ供給され、プロセスガスは、ガスライン６１を通じてガス入口ライン５２へ供給される。ガスは、ライン６７を通じてリモートプラズマユニット４９へ供給され、かつ励起され、その後、バルブｖ３７及びｖ３８を通じてガス入口ライン５１，５２へそれぞれ供給される。添加ガス、不活性ガス等は、破線で描かれたラインを通じてガス入口ライン５１，５２へ供給される。ＲＦパワーは、ＲＦパワージェネレータ５０から各反応チャンバ４１，４２へ印加される。集積ガスシステム４７は、ガス流を切り替えるためのユニットであり、ここで、第１のキャリアガスは、ガスライン５９を通じて集積ガスシステム４７へ供給され、第２のキャリアガスは、ガスライン６０を通じて集積ガスシステム４７へ供給される。第１のキャリアガスは、圧力トランスデューサ５３を有するガスライン５５を通じて、集積ガスシステム４７から容器ユニット４５へ流れ、ガスは、ガスライン５６を通じて、容器ユニット４５から集積ガスシステム４７へ流れる。第２のキャリアガスは、圧力トランスデューサ５４を有するガスライン５８を通じて、集積ガスシステム４７から容器ユニット４６へ流れ、ガスは、ガスライン５７を通じて、容器ユニット４６から集積ガスシステム４７へ流れる。プロセスガスは、ガスライン６２を通じて、集積ガスシステム４７から第１の反応チャンバ４１へ向かって流れる一方で、プロセスガスは、ガスライン６１を通じて、集積ガスシステム４７から第２の反応チャンバ４２へ向かって流出する。液体材料は、ライン６４を通じて容器４３へ供給され、別の液体材料は、ライン６３を通じて容器４４へ供給される。当業者は、装置が、本明細書に記載される堆積及びリアクタ洗浄プロセスを行わせるようにプログラム又は構成される１以上のコントローラ（図示せず）を含むことを理解するであろう。コントローラは、当業者によって理解されるように、各種の電源、加熱システム、ポンプ、ロボット、及びガス流コントローラ又はリアクタのバルブと通信する。
図１２は、本発明の実施形態に係る図１１に示されるデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置におけるプロセスシーケンスのステップ１を示す。ステップ１において、第１のキャリアガス（太い実線で示される）は、ガスライン５９を通じて集積ガスシステム４７へ流れ、そこからバルブｖ２６を有するライン６８及びバルブｖ２８を有するライン７１を介してガスライン６１を通じて流れ、ここで、バルブｖ２４、バルブｖ２５及びバルブｖ２７は閉じられる。第１のキャリアガスは、その後、ガス入口ライン５２を通じて第２の反応チャンバ４２へパージガスとして供給される。第２のキャリアガス（太い破線で示される）は、ガスライン６０を通じて集積ガスシステム４７へ流れ、そこからバルブｖ３３を介してガスライン５８を通じて容器４６へ流れ、ここで、バルブｖ３１は閉じられる。第２のキャリアガスは、バルブｖ３５を介して容器４４へ入り、バルブｖ３４を介してガスライン５７を通じて、気化された前駆体と共にそこから排出され（丸いドットを有する太いドット線により示される前駆体）、ここで、バルブｖ３６は閉じられる。前駆体は、バルブｖ３２を介してガスライン５７を通じて集積ガスシステム４７へ流れ、そこからバルブｖ２９を有するライン６９及びライン７０を介してガスライン６２を通じて流れ、ここで、バルブｖ３０は閉じられる。前駆体は、その後、ガス入口ライン５１を通じて第１の反応チャンバ４１へ供給される。
図１３は、本発明の実施形態に係る図１１に示されるデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置におけるプロセスシーケンスのステップ２を示す。バルブｖ２７は開かれる一方で、バルブｖ２８は閉じられ、第１のキャリアガスは、第２の反応チャンバ４２に替えて、ガスライン７０、ガスライン６２及びガス入口ライン５１を通じて第１の反応チャンバ４１へ供給される。また、バルブｖ３０が開かれる一方で、バルブｖ２９が閉じられ、前駆体は、第１の反応チャンバ４１に替えて、ガスライン７１、ガスライン６１及びガス入口ライン５２を通じて第２の反応チャンバ４２へ供給される。
図１４は、本発明の実施形態に係る図１１に示されるデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置におけるプロセスシーケンスのステップ３を示す。ステップ３において、バルブｖ２６は閉じられる一方で、バルブｖ２４は開かれ、第１のキャリアガスは、バルブｖ２４を介して集積ガスシステム４７からガスライン５５を通じて容器ユニット４５へ流れる。第１のキャリアガスは、バルブｖ２１を介して容器４３へ入り、バルブｖ２２を介するガスライン５６を通じて、気化されたドーパント（ドーパントは、正方形状ドットの太いドット線によって示される）と共にそこから排出される。ここで、バルブｖ２３は閉じられている。ドーパントは、バルブｖ２５を介するガスライン５６を通じて集積ガスシステム４７へ流れ込み、そこからライン６８を介するガスライン６２及びバルブｖ２７を有するライン７０を通じて流出する。ここで、バルブｖ２８は閉じられている。ドーパントは、その後、第２の反応チャンバ４２に替えて、ガス入口ライン５１を通じて第１の反応チャンバ４１に供給される。また、バルブｖ３１は開かれる一方で、バルブｖ３３は閉じられ、第２のキャリアガスは、ガスライン６９、バルブｖ３０を有するガスライン７１、ガスライン６１及びガス入口ライン５２を通じて第２の反応チャンバ４２へ供給される。
図１５は、本発明の実施形態に係る図１１に示されるデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置におけるプロセスシーケンスのステップ４を示す。ステップ４において、バルブｖ２７は閉じられる一方で、バルブｖ２８は開かれ、ドーパントは、第１の反応チャンバ４１に替えて、ガスライン７１、ガスライン６１及びガス入口ライン５２を通じて第２の反応チャンバ４２へ供給される。また、バルブｖ３０は閉じられる一方で、バルブｖ２９は開かれ、第２のキャリアガスは、第２の反応チャンバ４２に替えて、ガスライン７０、ガスライン６２及びガス入口ライン５１を通じて第１の反応チャンバ４１へパージガスとして供給される。
ステップ５は、図１４に示されるステップ３と実質的に同一であり、ドーパントは、第１の反応チャンバ４１へ供給される一方で、パージガスは、第２の反応チャンバ４２へ供給される。
ステップ６は、図１５に示されるステップ４と実質的に同一であり、ドーパントは、第２の反応チャンバ４２へ供給される一方で、パージガスは、第１の反応チャンバ４１へ供給される。
図１６は、本発明の実施形態に係る図１１に示されるデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置におけるプロセスシーケンスのステップ７を示す。ステップ７において、バルブｖ２６は開かれる一方で、バルブｖ２４は閉じられ、第１のキャリアガスは、ガスライン６８、ガスライン７１、ガスライン６１及びガス入口ライン５２を通じて第２の反応チャンバ４２へパージガスとして供給される。
上記では、ドーパントガスは、前駆体よりも高い蒸気圧を有するため、反応チャンバから前駆体をパージするよりも反応チャンバからドーパントをパージすることのほうが困難である。ステップ３（図１４）において、ドーパントは、第１の反応チャンバ４１へ供給され、ステップ４（図１５）において、パージガスは、第１の反応チャンバ４１へ供給される。つまり、第１の反応チャンバ４１へ供給されるガスは、ドーパントからパージガスへ変更される。第１のキャリアガスを用いることによりドーパントが第１の反応チャンバ４１に供給される一方で、パージガスが第２のキャリアガスであるため、上記の変更（第１の反応チャンバにおいてドーパントからパージガスへの変更）は、第１のキャリアガスから第２のキャリアガスへ使用するキャリアガスを切り替えることにより実現される、つまり、ドーパントが第１の反応チャンバ４１に供給されるとき、バルブｖ２７を有するガスライン７０の前半部分が使用される（図１４）一方で、パージガスが第１の反応チャンバ４１へ供給されるとき、バルブｖ２９を有するガスライン７０の後半部分が使用され（図５）、よって、ガスライン７０の異なる部分が使用される。
これに対して、ステップ６（図１５）において、ドーパントは、第２の反応チャンバ４２へ供給され、ステップ７（図１６）において、パージガスは、第２の反応チャンバ４２へ供給される。つまり、第２の反応チャンバ４２へ供給されるガスは、ドーパントからパージガスへ変更される。第１のキャリアガスを用いることによりドーパントが第２の反応チャンバ４２に供給される一方で、パージガスも第１のキャリアガスであるため、上記の変更（第２の反応チャンバにおいてドーパントからパージガスへの変更）は、同じ第１のキャリアガスを用いて、容器４３へ通じる１つの経路から容器４３への１つのバイパスへガス流経路を切り替えることにより実現される、つまり、ドーパントが第２の反応チャンバ４２へ供給されるとき、バルブｖ２８を有するガスライン７１の前半部分が使用され（図１５）、パージガスが第２の反応チャンバ４２へ供給されるとき、バルブｖ２８を有するガスライン７１の前半部分が使用され（図１６）、よって、ガスライン７１の同一部分が使用される。上記の理由のため、第２の反応チャンバ４２が、ドーパントの供給後にパージされるとき、パージガスは、ガスライン７１に残った残留ドーパントを第２の反応チャンバ４２へ運ぶ。これは、第２の反応チャンバのみで生じる（供給順序が変更されたとき、上記の問題は第１の反応チャンバのみで生じる）。その結果、膜の特性の偏りが第１及び第２の反応チャンバ間で生じる。
一部の実施形態では、ガスが供給される反応チャンバの順序を変更することにより、上記の問題を効果的に解決することができる。
図２は、比較のための実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。Ａ、Ｂ及びＣは、処理Ａ（例えば、ガス供給）、処理Ｂ（例えば、ガス供給）及び処理Ｃ（例えば、ＲＦ印加）をそれぞれ示す。このシーケンスでは、Ａ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｂ及びＣにより構成されるサイクルは、常に反応チャンバ１（ＲＣ１）から開始し、反応チャンバ２（ＲＣ２）へ続く。よって、上記の問題である反応チャンバ間の膜の特性に偏りが生じる。図３は、比較のための実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。このシーケンスでは、サイクルは、常に反応チャンバ２から開始し、反応チャンバ１へ続き、よって、同一の問題が生じる。
図４は、本発明の別の実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。Ａ、Ｂ又はＣ以外の空白のシーケンスは、特定の処理のないパージを示す。このシーケンスでは、初めに、サイクルを第１の反応チャンバから開始するが、次に、サイクルを第２の反応チャンバから開始する、つまり、初めにサイクルを開始する反応チャンバの順序は、サイクルごとに変更される。すなわち、サイクルは、第１の反応チャンバと第２の反応チャンバとで交互に開始される。サイクルを第１の反応チャンバと第２の反応チャンバとで交互に開始することにより、反応チャンバ間の偏りの問題を効果的に解決することができる。
図５は、本発明のさらに別の実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。このシーケンスでは、処理Ａは、常に第１の反応チャンバから開始されるが、処理Ｂ及びＣは、第２の反応チャンバと第１の反応チャンバとで交互に開始される。第１の反応チャンバと第２の反応チャンバとでサイクルの一部のみを交互に開始することにより、反応チャンバ間の偏りの問題を効果的に解決することができる。
図６は、本発明のさらに別の実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。このシーケンスでは、処理Ｃは、第１及び第２の反応チャンバで同時に行われ、処理Ａは、第１及び第２の反応チャンバで交互に開始され、処理Ｂも第１及び第２の反応チャンバで交互に開始されるが、処理Ａとは独立している。第１及び第２の反応チャンバでサイクルの一部を交互かつ独立に開始すること（また、第１及び第２の反応チャンバでサイクルの一部を同時に開始すること）により、反応チャンバ間の偏りの問題を効果的に解決することができる。
図７は、比較のための実施形態に係るトリプルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、処理Ａ（例えば、ガス供給）、処理Ｂ（例えば、ガス供給）、処理Ｃ（例えば、ガス供給ＲＦ印加）及び処理Ｄ（例えば、ＲＦ印加）をそれぞれ示す。このシーケンスでは、Ａ、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｃ、Ｂ、Ｄ及びＣにより構成されるサイクルは、常に反応チャンバ１（ＲＣ１）から開始し、反応チャンバ２（ＲＣ２）及び反応チャンバ３（ＲＣ３）へ続く。よって、上記で説明した問題である反応チャンバ間の膜特性の偏りが生じる。図８は、本発明の実施形態に係るトリプルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される概略的なプロセスシーケンスを示す。このシーケンスでは、初めに、サイクルを第１の反応チャンバから開始するが、次に、サイクルを第３の反応チャンバから開始する、つまり、サイクルが初めに開始する反応チャンバの順序は、サイクルごとに変更される。すなわち、サイクルは、第１の反応チャンバと第３の反応チャンバとで交互に開始される。サイクルを第１の反応チャンバと第３の反応チャンバとで交互に開始することにより、反応チャンバ間の偏りの問題を効果的に解決することができる。
図９は、比較のための実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される詳細なプロセスシーケンスを示す。この詳細なシーケンスは、図２に示される概略的なシーケンスに対応する。このシーケンスでは、（数字のない）空白は、バルブを切り替えずにパージすることを示し、「１」は、バルブの切り替えによるパージを示し（０．１秒）、「２」は、ＳｉＯ前駆体の供給を示し（０．３秒）、「３」は、ＳｉＯ前駆体のパージを示し（０．９秒）、「４」は、Ｐ（リン）ドーパントの供給を示し（０．３秒）、「５」は、Ｐドーパントのパージを示し（０．１秒）、「６」は、ＲＦパワーの印加を示す（０．２秒）。このシーケンスでは、第１の反応チャンバ（上側のシーケンス）では、処理４（Ｐドーパントの供給）の後、パージ（処理５）は、同一のキャリアガスを用いて開始し、よって、一部の残留ドーパントは、第１の反応チャンバへ導入される場合がある。しかし、同一のキャリアガスは、０．４秒のみ持続し、その後、キャリアガスは、残留ドーパントを含まない異なるキャリアガスへ切り替えられる。これに対して、第２の反応チャンバ（下側のシーケンス）では、処理４の後（２回目に発生）、パージ（処理５）は、同一のキャリアガスを用いて開始し、上記の処理５の間にキャリアガスの切り替えが行われないため、１．０秒持続する。これにより、より多くの残留ドーパントは、第１の反応チャンバよりも第２の反応チャンバへ導入され、反応チャンバ間の偏りを生じる。
図１０は、本発明の実施形態に係るデュアルチャンバＰＥＡＬＤ装置に適用される詳細なプロセスシーケンスを示す。この詳細なシーケンスは、図４に示される概略的なシーケンスに対応する。このシーケンスでは、サイクルを第１及び第２の反応チャンバで交互に開始し、これにより、上記の問題を効果的に解決することができる
一部の実施形態では、米国特許公開第２０１４／００３３９７８号に開示されるガス供給システムを使用することができ、その開示は、その全体が参照により本明細書に援用される。
一部の実施形態では、１つのサイクルが行われる少なくとも１つのステップにおける反応チャンバの順序を変更し、反応チャンバの下流の膜の特性のばらつきを示すパラメータをチェックし、コントロールユニットへパラメータをフィードバックすることにより、反応チャンバ間の膜の特性のばらつきを制御することができるため、適切な順序を決定し、決定した順序を用いて処理を行うことができ、それによって、全ての反応チャンバにおける処理の均一性を向上させることができる。上記のフィードバック制御は、同時に行われることができる。例えば、ＳＰＯＥＳ（Ｓｅｌｆ Ｐｌａｓｍａ ＯＥＳ，大韓民国のＭａｎｏｔｅｃｋ Ｉｎｃ．によって販売される製品名）又は反応チャンバの下流に搭載されるセルフプラズマモニタリングセンサは、上記の目的のために使用されることができる。
実施例１
リンシリコンガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ （ＰＳＧ））膜は、図１に示したＰＥＡＬＤ装置を用いて図１９に示される条件でＰＥＡＬＤによって基板（φ３００ｍｍ）に形成された。ＰＥＡＬＤのサイクルのシーケンスは、図９（比較例）及び図１０（実施例１）に示されるものであった。前駆体としてビスジエチルアミノシラン（ｂｉｓｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ（ＢＤＥＡＳ））を用い、ドーパントとして亜リン酸トリメチル（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉｔｅ（ＴＭＰＩ））を用いた。ここで、ドーパントの蒸気圧は、前駆体の蒸気圧の約３．５倍であった。
リンシリコンガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ （ＰＳＧ））膜は、図１に示したＰＥＡＬＤ装置を用いて図１９に示される条件でＰＥＡＬＤによって基板（φ３００ｍｍ）に形成された。ＰＥＡＬＤのサイクルのシーケンスは、図９（比較例）及び図１０（実施例１）に示されるものであった。前駆体としてビスジエチルアミノシラン（ｂｉｓｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ（ＢＤＥＡＳ））を用い、ドーパントとして亜リン酸トリメチル（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉｔｅ（ＴＭＰＩ））を用いた。ここで、ドーパントの蒸気圧は、前駆体の蒸気圧の約３．５倍であった。
図１７は、比較例に係る各反応チャンバで堆積された深さ方向におけるリンシリコンガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ （ＰＳＧ））膜のリン濃度を示すグラフである。ＳＴＤ ＲＣ１及びＳＴＤ ＲＣ２は、比較例における第１の反応チャンバ及び第２の反応チャンバを示す。図１８は、実施例１に係る各反応チャンバで堆積された深さ方向におけるリンシリコンガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ（ＰＳＧ））膜のリン濃度を示すグラフである。ＡＬＴ ＲＣ１及びＬＴ ＲＣ２は、実施例１における第１の反応チャンバ及び第２の反応チャンバを示す。これらの図から理解できるように、実施例１においてサイクルが第１及び第２の反応チャンバで交互に開始されるときには、第１の反応チャンバと第２の反応チャンバと間の膜のドーパントの濃度には、偏りがほとんど検出されなかった（ｃ及びｄ参照）が、サイクルが常に第１の反応チャンバから開始されるときには、第１の反応チャンバと第２の反応チャンバと間の膜のドーパントの濃度には、大きな偏りが検出された（ａ及びｂ参照）。
多数かつ様々な変更が本発明の趣旨から逸脱しない範囲でなされることが当業者によって理解されるであろう。よって、本発明の形態は、例示的なものであり、本発明の範囲を制限することを意図するものではないことが明確に理解されるべきである。
Claims (20)
- 第１のガスソース及び第２のガスソースを共有する複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法であって、各反応チャンバが、前記第１のガスソースからの第１のガス、前記第２のガスソースからの第２のガス及びパージガスが前記反応チャンバへ導入されるガス入口ラインを有し、各反応チャンバで行われる対象の処理が同一であり、前記方法は、
（ｉ）前記第１のガスが複数の前記反応チャンバの１つへ供給され、その後、複数の前記反応チャンバの別の１つへ供給される供給順序で、各ガス入口ラインを通じて前記第１のガスを複数の前記反応チャンバへ供給するステップと、
（ｉｉ）前記第２のガスが複数の前記反応チャンバの１つへ供給され、その後、複数の前記反応チャンバの別の１つへ供給される供給順序で、各ガス入口ラインを通じて前記第２のガスを複数の前記反応チャンバへ供給するステップと、
（ｉｉｉ）複数の前記反応チャンバ及び前記ガス入口ラインから前記第１のガス及び前記第２のガスをそれぞれパージするように、前記第１のガスの各供給後及び前記第２のガスの各供給後に各ガス入口ラインを通じて前記パージガスを複数の前記反応チャンバへ供給するステップと、
（ｉｖ）複数の前記反応チャンバにおける前記対象の処理を完了するためにステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）を連続的に繰り返すステップと、を備え、
前記第１のガス又は前記第２のガスの少なくとも１つの前記供給順序は、前記第１のガス又は前記第２のガスの少なくとも１つの供給が繰り返されるときに変更される、方法。 - ステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）を含む１つのサイクルを備え、ステップ（ｉｖ）において前記サイクルは、繰り返され、前記第１のガス又は前記第２のガスの少なくとも１つの前記供給順序は、前記サイクルごとに変更される請求項１に記載の方法。
- 前記第２のガスの前記供給順序は、前記サイクルごとに変更されるが、前記第１のガスの前記供給順序は、変更されない、請求項２に記載の方法。
- 前記第１のガス及び前記第２のガスそれぞれの前記供給順序は、前記サイクルごとに変更される請求項２に記載の方法。
- 前記ステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）を含む１つのサイクルを備え、前記ステップ（ｉｉ）は、前記サイクルで繰り返され、前記第２のガスの前記供給順序は、前記ステップ（ｉｉ）が前記サイクルで繰り返されるときに変更され、前記サイクルは、前記ステップ（ｉｖ）で繰り返される、請求項１に記載の方法。
- 各ステップ（ｉｉｉ）の後に複数の前記反応チャンバにＲＦパワーを印加するステップ（ｉｉｉａ）をさらに備える請求項１に記載の方法。
- 前記ＲＦパワーは、連続的に又は同時に複数の前記反応チャンバに印加される請求項６に記載の方法。
- 複数の前記反応チャンバは、前記ＲＦパワーを生成するＲＦジェネレータを共有する請求項６に記載の方法。
- 前記対象の処理は、プラズマエンハンスト原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）による膜の堆積である請求項６に記載の方法。
- 前記第１のガスの供給速度は、前記第２のガスの供給速度の２倍以上である請求項１に記載の方法。
- 前記第１のガスソース及び前記第２のガスソースは、液体化合物を蓄積する容器を含み、前記液体化合物の気化されたガスのそれぞれは、前記第１のガス及び前記第２のガスである、請求項１に記載の方法。
- 前記第１のガスソースからの第１のガスラインは、複数の前記反応チャンバの前記ガス入口ラインのそれぞれに分岐及び接続され、前記第２のガスソースからの第２のガスラインは、複数の前記反応チャンバの前記ガス入口ラインのそれぞれに分岐及び接続され、前記第１のガス及び前記パージガスは、前記第１のガスライン、前記第１のガスラインから分岐されるライン及び複数の前記反応チャンバの前記ガス入口ラインを通じて複数の前記反応チャンバへ導入され、前記第２のガス及び前記パージガスは、前記第２のガスライン、前記第２のガスラインから分岐されるライン及び複数の前記反応チャンバの前記ガス入口ラインを通じて複数の前記反応チャンバへ導入され、分岐されるラインそれぞれには、バルブが設けられ、前記ステップ（ｉ）から（ｉｉｉ）で定義されるガス流は、各バルブを用いて制御される、請求項１１に記載の方法。
- 前記パージガスは、前記第１のガスラインを通じて前記パージガスのみで又は前記第１のガスと共に連続的に流れ、前記パージガスは、前記第２のガスラインを通じて前記パージガスのみで又は前記第２のガスと共に連続的に流れる、請求項１２に記載の方法。
- 複数の前記反応チャンバは、２つの前記反応チャンバである請求項１に記載の方法。
- 複数の前記反応チャンバは、排気システムを共有し、各反応チャンバの圧力は、前記排気システムを用いて制御される、請求項１に記載の方法。
- 複数の前記反応チャンバは、それぞれ、添加ガス又は不活性ガスが複数の前記反応チャンバへ供給される別のガスラインを備える請求項１に記載の方法。
- 複数の反応チャンバで均一な処理を行う方法であって、
（ａ）ステップが行われる前記反応チャンバの順序に基づいて各反応チャンバでの前記ステップにより構成されるサイクルを行うことと、
（ｂ）前記ステップが行われる反応チャンバの直前の順序を変更した後に各反応チャンバで前記ステップを行うことと、
（ｃ）対象の処理が複数の前記反応チャンバで完了するまで処理（ｂ）を繰り返すことと、を備え、各反応チャンバの基板上で行われる前記対象の処理は、同一である、方法。 - 前記ステップは、第１のガスを供給するステップと、第２のガスを供給するステップと、を含む、請求項１７に記載の方法。
- 前記第１のガス及び前記第２のガスは、第１の共通ガス入口ラインを通じて前記反応チャンバの１つへ供給され、前記第１のガス及び前記第２のガスは、第２の共通ガス入口ラインを通じて前記反応チャンバの別の１つへ供給され、前記第１のガスは、前記第１及び第２の共通ガス入口ラインに分岐及び接続される第１のガスラインに供給され、前記第２のガスは、前記第１及び第２の共通ガス入口ラインに分岐及び接続される第２のガスラインに供給される、請求項１８に記載の方法。
- 前記対象の処理は、プラズマエンハンスト原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）による膜の堆積である請求項１７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/218,374 US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US14/218,374 | 2014-03-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015179843A true JP2015179843A (ja) | 2015-10-08 |
| JP6516517B2 JP6516517B2 (ja) | 2019-05-22 |
Family
ID=54141538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015052198A Active JP6516517B2 (ja) | 2014-03-18 | 2015-03-16 | 複数の反応チャンバを共有するガスシステムで均一な処理を行う方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9447498B2 (ja) |
| JP (1) | JP6516517B2 (ja) |
| KR (1) | KR102362025B1 (ja) |
| TW (1) | TWI670390B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019029524A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| KR20190094366A (ko) * | 2016-12-15 | 2019-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 구조물을 형성하는 방법 |
| JP2020038904A (ja) * | 2018-09-04 | 2020-03-12 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2021100093A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
Families Citing this family (334)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| JP5947435B1 (ja) | 2015-08-27 | 2016-07-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10087523B2 (en) * | 2016-05-20 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) * | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) * | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102151323B1 (ko) | 2017-02-17 | 2020-09-02 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램 |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| CN107400878A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-28 | 北京芯微诺达科技有限公司 | 一种原子层沉积设备的进气系统及其方法 |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| TWI729319B (zh) | 2017-10-27 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有空間分離的單個晶圓處理環境 |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| CN109778143B (zh) * | 2017-11-14 | 2021-05-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种沉积系统及其气体传输方法 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102443580B1 (ko) | 2018-04-28 | 2022-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 가스 펄싱 기반 공유 전구체 분배 시스템 및 사용 방법들 |
| TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) * | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TW202013553A (zh) | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
| KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
| KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11798820B2 (en) | 2019-11-12 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery systems and methods |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20220118535A (ko) * | 2020-04-20 | 2022-08-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공유 가스 전달 및 배기 시스템을 갖는 다중-열 cvd 챔버들 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US20220025517A1 (en) * | 2020-07-27 | 2022-01-27 | Enchip Enterprise Llc | Semiconductor Processing System, and Control Assembly and Method Thereof |
| KR20220020527A (ko) * | 2020-08-12 | 2022-02-21 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| CN113394135A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-09-14 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆湿法刻蚀设备 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| TW202331898A (zh) * | 2022-01-27 | 2023-08-01 | 南韓商周星工程股份有限公司 | 基板處理設備及製造金屬氧化物半導體的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296613A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Nec Corp | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法 |
| JP2002110570A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置用ガスラインシステム |
| JP2010538498A (ja) * | 2007-09-05 | 2010-12-09 | インターモレキュラー，インク． | 蒸気に基づく組合せ処理 |
| JP2012164736A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014033203A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Asm Ip Holding Bv | 複数のリアクタの並列シフト動作方法 |
Family Cites Families (1175)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3089507A (en) | 1963-05-14 | Air eject system control valve | ||
| US2161626A (en) | 1937-09-25 | 1939-06-06 | Walworth Patents Inc | Locking device |
| US2745640A (en) | 1953-09-24 | 1956-05-15 | American Viscose Corp | Heat exchanging apparatus |
| US3094396A (en) | 1959-07-07 | 1963-06-18 | Continental Can Co | Method of and apparatus for curing internal coatings on can bodies |
| US2990045A (en) | 1959-09-18 | 1961-06-27 | Lipe Rollway Corp | Thermally responsive transmission for automobile fan |
| US6482262B1 (en) | 1959-10-10 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Deposition of transition metal carbides |
| US3232437A (en) | 1963-03-13 | 1966-02-01 | Champlon Lab Inc | Spin-on filter cartridge |
| US4393013A (en) | 1970-05-20 | 1983-07-12 | J. C. Schumacher Company | Vapor mass flow control system |
| US3833492A (en) | 1971-09-22 | 1974-09-03 | Pollution Control Ind Inc | Method of producing ozone |
| US3862397A (en) | 1972-03-24 | 1975-01-21 | Applied Materials Tech | Cool wall radiantly heated reactor |
| US3854443A (en) | 1973-12-19 | 1974-12-17 | Intel Corp | Gas reactor for depositing thin films |
| US3887790A (en) | 1974-10-07 | 1975-06-03 | Vernon H Ferguson | Wrap-around electric resistance heater |
| SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| US4054071A (en) | 1975-06-17 | 1977-10-18 | Aetna-Standard Engineering Company | Flying saw with movable work shifter |
| DE2610556C2 (de) | 1976-03-12 | 1978-02-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum Verteilen strömender Medien über einen Strömungsquerschnitt |
| US4194536A (en) | 1976-12-09 | 1980-03-25 | Eaton Corporation | Composite tubing product |
| US4181330A (en) | 1977-03-22 | 1980-01-01 | Noriatsu Kojima | Horn shaped multi-inlet pipe fitting |
| US4176630A (en) | 1977-06-01 | 1979-12-04 | Dynair Limited | Automatic control valves |
| US4145699A (en) | 1977-12-07 | 1979-03-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Superconducting junctions utilizing a binary semiconductor barrier |
| US4389973A (en) | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| US4322592A (en) | 1980-08-22 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Susceptor for heating semiconductor substrates |
| US4479831A (en) | 1980-09-15 | 1984-10-30 | Burroughs Corporation | Method of making low resistance polysilicon gate transistors and low resistance interconnections therefor via gas deposited in-situ doped amorphous layer and heat-treatment |
| US4436674A (en) | 1981-07-30 | 1984-03-13 | J.C. Schumacher Co. | Vapor mass flow control system |
| US4414492A (en) | 1982-02-02 | 1983-11-08 | Intent Patent A.G. | Electronic ballast system |
| US4401507A (en) | 1982-07-14 | 1983-08-30 | Advanced Semiconductor Materials/Am. | Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions |
| US4512113A (en) | 1982-09-23 | 1985-04-23 | Budinger William D | Workpiece holder for polishing operation |
| US4499354A (en) | 1982-10-06 | 1985-02-12 | General Instrument Corp. | Susceptor for radiant absorption heater system |
| US4570328A (en) | 1983-03-07 | 1986-02-18 | Motorola, Inc. | Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode |
| JPS6050923A (ja) | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
| USD288556S (en) | 1984-02-21 | 1987-03-03 | Pace, Incorporated | Ornamental design for a frame of circuit elements utilized to replace damaged elements on printed circuit boards |
| US4735259A (en) | 1984-02-21 | 1988-04-05 | Hewlett-Packard Company | Heated transfer line for capillary tubing |
| JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US4653541A (en) | 1985-06-26 | 1987-03-31 | Parker Hannifin Corporation | Dual wall safety tube |
| US4789294A (en) | 1985-08-30 | 1988-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer handling apparatus and method |
| KR940000915B1 (ko) | 1986-01-31 | 1994-02-04 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 표면 처리방법 |
| US4654226A (en) | 1986-03-03 | 1987-03-31 | The University Of Delaware | Apparatus and method for photochemical vapor deposition |
| US4722298A (en) | 1986-05-19 | 1988-02-02 | Machine Technology, Inc. | Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers |
| US4718637A (en) | 1986-07-02 | 1988-01-12 | Mdc Vacuum Products Corporation | High vacuum gate valve having improved metal vacuum joint |
| US4681134A (en) | 1986-07-23 | 1987-07-21 | Paris Sr Raymond L | Valve lock |
| US5183511A (en) | 1986-07-23 | 1993-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photo CVD apparatus with a glow discharge system |
| US4882199A (en) | 1986-08-15 | 1989-11-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of forming a metal coating on a substrate |
| US4753192A (en) | 1987-01-08 | 1988-06-28 | Btu Engineering Corporation | Movable core fast cool-down furnace |
| JPH0344472Y2 (ja) | 1987-02-10 | 1991-09-18 | ||
| US4976996A (en) | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
| US4821674A (en) | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US4780169A (en) | 1987-05-11 | 1988-10-25 | Tegal Corporation | Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus |
| US4827430A (en) | 1987-05-11 | 1989-05-02 | Baxter International Inc. | Flow measurement system |
| US5221556A (en) | 1987-06-24 | 1993-06-22 | Epsilon Technology, Inc. | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems |
| NO161941C (no) | 1987-06-25 | 1991-04-30 | Kvaerner Eng | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. |
| US5062386A (en) | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
| USD327534S (en) | 1987-07-30 | 1992-06-30 | CLM Investments, Inc. | Floor drain strainer |
| US4854263B1 (en) | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| US4756794A (en) | 1987-08-31 | 1988-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Atomic layer etching |
| JPH0648217B2 (ja) | 1987-12-24 | 1994-06-22 | 川惣電機工業株式会社 | 溶融金属の連続測温装置 |
| US5028366A (en) | 1988-01-12 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Water based mold release compositions for making molded polyurethane foam |
| FR2628985B1 (fr) | 1988-03-22 | 1990-12-28 | Labo Electronique Physique | Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots |
| US4978567A (en) | 1988-03-31 | 1990-12-18 | Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. | Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same |
| JP2859632B2 (ja) | 1988-04-14 | 1999-02-17 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US4857382A (en) | 1988-04-26 | 1989-08-15 | General Electric Company | Apparatus and method for photoetching of polyimides, polycarbonates and polyetherimides |
| US5178682A (en) | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
| US4986215A (en) | 1988-09-01 | 1991-01-22 | Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. | Susceptor for vapor-phase growth system |
| JP2918892B2 (ja) | 1988-10-14 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理方法 |
| US4837185A (en) | 1988-10-26 | 1989-06-06 | Intel Corporation | Pulsed dual radio frequency CVD process |
| US5119760A (en) | 1988-12-27 | 1992-06-09 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
| JPH0834187B2 (ja) | 1989-01-13 | 1996-03-29 | 東芝セラミックス株式会社 | サセプタ |
| US5194401A (en) | 1989-04-18 | 1993-03-16 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures |
| EP0395358B1 (en) | 1989-04-25 | 2001-03-14 | Matsushita Electronics Corporation | Manufacturing method of a bipolar transistor |
| US5192717A (en) * | 1989-04-28 | 1993-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a polycrystalline semiconductor film by microwave plasma chemical vapor deposition method |
| US5360269A (en) | 1989-05-10 | 1994-11-01 | Tokyo Kogyo Kabushiki Kaisha | Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple |
| US4987856A (en) | 1989-05-22 | 1991-01-29 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | High throughput multi station processor for multiple single wafers |
| US5060322A (en) | 1989-07-27 | 1991-10-29 | Delepine Jean C | Shower room and ceiling element, especially for a shower room |
| US5013691A (en) | 1989-07-31 | 1991-05-07 | At&T Bell Laboratories | Anisotropic deposition of silicon dioxide |
| JPH0734936Y2 (ja) | 1990-01-16 | 1995-08-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液蒸気供給装置 |
| JPH03277774A (ja) | 1990-03-27 | 1991-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光気相反応装置 |
| DE4011933C2 (de) | 1990-04-12 | 1996-11-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür |
| US5167716A (en) | 1990-09-28 | 1992-12-01 | Gasonics, Inc. | Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer |
| JP2780866B2 (ja) | 1990-10-11 | 1998-07-30 | 大日本スクリーン製造 株式会社 | 光照射加熱基板の温度測定装置 |
| TW214599B (ja) | 1990-10-15 | 1993-10-11 | Seiko Epson Corp | |
| JPH04115531U (ja) | 1991-03-25 | 1992-10-14 | ノリタケダイヤ株式会社 | ワイヤーソー用ジヨイントパイプ |
| JP3323530B2 (ja) | 1991-04-04 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| US5116018A (en) | 1991-04-12 | 1992-05-26 | Automax, Inc. | Lockout modules |
| US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| US5104514A (en) | 1991-05-16 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Protective coating system for aluminum |
| JP3040212B2 (ja) | 1991-09-05 | 2000-05-15 | 株式会社東芝 | 気相成長装置 |
| US5430011A (en) | 1991-09-17 | 1995-07-04 | Sumitomi Electric Industries, Ltd. | Crystal compensated superconducting thin film formed of oxide superconductor material |
| JP3140111B2 (ja) | 1991-11-19 | 2001-03-05 | オリンパス光学工業株式会社 | 高倍率顕微鏡対物レンズ |
| US5199603A (en) | 1991-11-26 | 1993-04-06 | Prescott Norman F | Delivery system for organometallic compounds |
| US5455069A (en) | 1992-06-01 | 1995-10-03 | Motorola, Inc. | Method of improving layer uniformity in a CVD reactor |
| EP0647163B1 (en) | 1992-06-22 | 1998-09-09 | Lam Research Corporation | A plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber |
| US5534072A (en) | 1992-06-24 | 1996-07-09 | Anelva Corporation | Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates |
| JP3148004B2 (ja) | 1992-07-06 | 2001-03-19 | 株式会社東芝 | 光ｃｖｄ装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US5601641A (en) | 1992-07-21 | 1997-02-11 | Tse Industries, Inc. | Mold release composition with polybutadiene and method of coating a mold core |
| KR100304127B1 (ko) | 1992-07-29 | 2001-11-30 | 이노마다 시게오 | 가반식 밀폐 컨테이너를 사용한 전자기판 처리시스템과 그의 장치 |
| US5271967A (en) | 1992-08-21 | 1993-12-21 | General Motors Corporation | Method and apparatus for application of thermal spray coatings to engine blocks |
| US5326427A (en) | 1992-09-11 | 1994-07-05 | Lsi Logic Corporation | Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation |
| JPH06295862A (ja) | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
| IT1257434B (it) | 1992-12-04 | 1996-01-17 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Generatore di vapori per impianti di deposizione chimica da fase vapore |
| KR100238629B1 (ko) | 1992-12-17 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치 |
| JPH0653210U (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-19 | 株式会社三田 | 脱輪救助プレート |
| US5421893A (en) | 1993-02-26 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Susceptor drive and wafer displacement mechanism |
| DE4311197A1 (de) | 1993-04-05 | 1994-10-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle |
| US5404082A (en) | 1993-04-23 | 1995-04-04 | North American Philips Corporation | High frequency inverter with power-line-controlled frequency modulation |
| US5354580A (en) | 1993-06-08 | 1994-10-11 | Cvd Incorporated | Triangular deposition chamber for a vapor deposition system |
| JPH0799162A (ja) | 1993-06-21 | 1995-04-11 | Hitachi Ltd | Ｃｖｄリアクタ装置 |
| ATE174842T1 (de) | 1993-06-28 | 1999-01-15 | Canon Kk | Wärmeerzeugender, tano.8 enthaltender widerstand, substrat mit diesem wärmeerzeugenden widerstand für flüssigkeitsstrahlkopf, flüssigkeitsstrahlkopf mit diesem substrat, und gerät für einen flüssigkeitsstrahl mit diesem flüssigkeitsstrahlkopf |
| US5997768A (en) | 1993-06-29 | 1999-12-07 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | Pelletization of metal soap powders |
| US5415753A (en) | 1993-07-22 | 1995-05-16 | Materials Research Corporation | Stationary aperture plate for reactive sputter deposition |
| US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| JP2682403B2 (ja) | 1993-10-29 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5413813A (en) | 1993-11-23 | 1995-05-09 | Enichem S.P.A. | CVD of silicon-based ceramic materials on internal surface of a reactor |
| US5616947A (en) | 1994-02-01 | 1997-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having an MIS structure |
| US5681779A (en) | 1994-02-04 | 1997-10-28 | Lsi Logic Corporation | Method of doping metal layers for electromigration resistance |
| US5589002A (en) | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
| JP3211548B2 (ja) | 1994-03-30 | 2001-09-25 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電蛍光ランプ |
| JPH07283149A (ja) | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
| US5531835A (en) | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
| DE69531654T2 (de) | 1994-06-15 | 2004-07-29 | Seiko Epson Corp. | Verfahren zur herstellung eines dünnschicht-halbleiter-transistors |
| US5504042A (en) | 1994-06-23 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Porous dielectric material with improved pore surface properties for electronics applications |
| JP2709568B2 (ja) | 1994-06-30 | 1998-02-04 | 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 | ダウンフロー型スピンドライヤ |
| US5838029A (en) | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
| US5730801A (en) | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
| JP3632256B2 (ja) | 1994-09-30 | 2005-03-23 | 株式会社デンソー | 窒化シリコン膜を有する半導体装置の製造方法 |
| JP2845163B2 (ja) | 1994-10-27 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| FI97730C (fi) | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| JPH08181135A (ja) | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3151118B2 (ja) | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5518549A (en) | 1995-04-18 | 1996-05-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor and baffle therefor |
| JP3360098B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
| US5852879A (en) | 1995-04-26 | 1998-12-29 | Schumaier; Daniel R. | Moisture sensitive item drying appliance |
| SE506163C2 (sv) | 1995-04-27 | 1997-11-17 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning vid ett kiselsubstrat med ett urtag för upptagande av ett element jämte förfarande för framställande av en dylik anordning |
| US5683517A (en) | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with programmable reactant gas distribution |
| US6190634B1 (en) | 1995-06-07 | 2001-02-20 | President And Fellows Of Harvard College | Carbide nanomaterials |
| JPH08335558A (ja) | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
| JP3380091B2 (ja) | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
| US20020114886A1 (en) | 1995-07-06 | 2002-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process |
| NO953217L (no) | 1995-08-16 | 1997-02-17 | Aker Eng As | Metode og innretning ved rörbunter |
| US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| US5997588A (en) * | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
| US5801104A (en) | 1995-10-24 | 1998-09-01 | Micron Technology, Inc. | Uniform dielectric film deposition on textured surfaces |
| KR100201386B1 (ko) | 1995-10-28 | 1999-06-15 | 구본준 | 화학기상증착장비의 반응가스 분사장치 |
| US5736314A (en) | 1995-11-16 | 1998-04-07 | Microfab Technologies, Inc. | Inline thermo-cycler |
| US5796074A (en) | 1995-11-28 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer heater assembly |
| JPH09172055A (ja) | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Fujitsu Ltd | 静電チャック及びウエハの吸着方法 |
| KR100267418B1 (ko) | 1995-12-28 | 2000-10-16 | 엔도 마코토 | 플라스마처리방법및플라스마처리장치 |
| US5679215A (en) | 1996-01-02 | 1997-10-21 | Lam Research Corporation | Method of in situ cleaning a vacuum plasma processing chamber |
| US5632919A (en) | 1996-01-25 | 1997-05-27 | T.G.M., Inc. | Temperature controlled insulation system |
| SE9600705D0 (sv) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | Abb Research Ltd | A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device |
| US5837320A (en) | 1996-02-27 | 1998-11-17 | The University Of New Mexico | Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands |
| US5732744A (en) | 1996-03-08 | 1998-03-31 | Control Systems, Inc. | Method and apparatus for aligning and supporting semiconductor process gas delivery and regulation components |
| DE19609678C2 (de) | 1996-03-12 | 2003-04-17 | Infineon Technologies Ag | Speicherzellenanordnung mit streifenförmigen, parallel verlaufenden Gräben und vertikalen MOS-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung |
| USD380527S (en) | 1996-03-19 | 1997-07-01 | Cherle Velez | Sink drain shield |
| US5819434A (en) | 1996-04-25 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Etch enhancement using an improved gas distribution plate |
| US5920798A (en) | 1996-05-28 | 1999-07-06 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Method of preparing a semiconductor layer for an optical transforming device |
| US6342277B1 (en) | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| US5993916A (en) | 1996-07-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for substrate processing with improved throughput and yield |
| US5827757A (en) | 1996-07-16 | 1998-10-27 | Direct Radiography Corp. | Fabrication of large area x-ray image capturing element |
| US5781693A (en) | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
| US5724748A (en) | 1996-07-24 | 1998-03-10 | Brooks; Ray G. | Apparatus for packaging contaminant-sensitive articles and resulting package |
| KR0183912B1 (ko) * | 1996-08-08 | 1999-05-01 | 김광호 | 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법 |
| US5916365A (en) | 1996-08-16 | 1999-06-29 | Sherman; Arthur | Sequential chemical vapor deposition |
| JP3122618B2 (ja) | 1996-08-23 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5928389A (en) | 1996-10-21 | 1999-07-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool |
| US6347636B1 (en) | 1996-11-13 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces |
| US5855681A (en) | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
| US5836483A (en) | 1997-02-05 | 1998-11-17 | Aerotech Dental Systems, Inc. | Self-regulating fluid dispensing cap with safety pressure relief valve for dental/medical unit fluid bottles |
| US6367410B1 (en) | 1996-12-16 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system |
| US5953635A (en) | 1996-12-19 | 1999-09-14 | Intel Corporation | Interlayer dielectric with a composite dielectric stack |
| US6035101A (en) | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
| US6461982B2 (en) | 1997-02-27 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a dielectric film |
| JP3752578B2 (ja) | 1997-04-21 | 2006-03-08 | 株式会社フジキン | 流体制御器用加熱装置 |
| US6026762A (en) | 1997-04-23 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
| JP3230051B2 (ja) | 1997-05-16 | 2001-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理方法及びその装置 |
| JPH1144799A (ja) | 1997-05-27 | 1999-02-16 | Ushio Inc | 光路分割型紫外線照射装置 |
| US6201999B1 (en) | 1997-06-09 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool |
| US5968275A (en) | 1997-06-25 | 1999-10-19 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for passivating a substrate in a plasma reactor |
| US6531193B2 (en) | 1997-07-07 | 2003-03-11 | The Penn State Research Foundation | Low temperature, high quality silicon dioxide thin films deposited using tetramethylsilane (TMS) for stress control and coverage applications |
| US6576064B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Support apparatus for semiconductor wafer processing |
| US6083321A (en) | 1997-07-11 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Fluid delivery system and method |
| US6312525B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment |
| US6024799A (en) | 1997-07-11 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition manifold |
| US5975492A (en) | 1997-07-14 | 1999-11-02 | Brenes; Arthur | Bellows driver slot valve |
| US6099596A (en) | 1997-07-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detection tool |
| US6020243A (en) | 1997-07-24 | 2000-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium silicon-oxynitride gate dielectric |
| US6287965B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co, Ltd. | Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor |
| KR100385946B1 (ko) | 1999-12-08 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자 |
| US7393561B2 (en) | 1997-08-11 | 2008-07-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films |
| JP3317209B2 (ja) | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6161500A (en) | 1997-09-30 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions |
| US5908672A (en) | 1997-10-15 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer |
| EP1029109B1 (en) | 1997-11-03 | 2007-09-26 | ASM America, Inc. | Long life high temperature process chamber |
| JP3050193B2 (ja) | 1997-11-12 | 2000-06-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP2099061A3 (en) | 1997-11-28 | 2013-06-12 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for low contamination, high throughput handling of workpieces for vacuum processing |
| US6248168B1 (en) | 1997-12-15 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit |
| KR100249391B1 (ko) | 1997-12-30 | 2000-03-15 | 김영환 | 가열장치 |
| USD409894S (en) | 1997-12-30 | 1999-05-18 | Mcclurg Ben B | Sheet rock plug |
| US6125789A (en) | 1998-01-30 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor |
| US6383955B1 (en) | 1998-02-05 | 2002-05-07 | Asm Japan K.K. | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film |
| TW437017B (en) | 1998-02-05 | 2001-05-28 | Asm Japan Kk | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof |
| US6413583B1 (en) | 1998-02-11 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound |
| US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6050506A (en) | 1998-02-13 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition |
| US6015465A (en) | 1998-04-08 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Temperature control system for semiconductor process chamber |
| US6218288B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Multiple step methods for forming conformal layers |
| KR100309918B1 (ko) | 1998-05-16 | 2001-12-17 | 윤종용 | 광시야각액정표시장치및그제조방법 |
| JP3208376B2 (ja) | 1998-05-20 | 2001-09-10 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPH11343571A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Ngk Insulators Ltd | サセプター |
| JPH11354637A (ja) | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線の接続構造及び配線の接続部の形成方法 |
| US6086677A (en) | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| US6302964B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| US6148761A (en) | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
| JP2963443B1 (ja) | 1998-06-19 | 1999-10-18 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| KR20000002833A (ko) | 1998-06-23 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 보트 |
| US6232248B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-05-15 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-heat-processing method for performing reformation and crystallization |
| JP2000040728A (ja) | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Nippon Asm Kk | ウェハ搬送機構 |
| US20010001384A1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-24 | Takeshi Arai | Silicon epitaxial wafer and production method therefor |
| US6190732B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
| USD451893S1 (en) | 1998-10-15 | 2001-12-11 | Meto International Gmbh | Arrangement of aluminum foil coils forming an inductor of a resonant frequency identification element |
| US6454860B2 (en) | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| JP2000150617A (ja) | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置 |
| JP2000183346A (ja) | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6129954A (en) | 1998-12-22 | 2000-10-10 | General Electric Company | Method for thermally spraying crack-free mullite coatings on ceramic-based substrates |
| US6137240A (en) | 1998-12-31 | 2000-10-24 | Lumion Corporation | Universal ballast control circuit |
| KR100331544B1 (ko) | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
| TW455912B (en) | 1999-01-22 | 2001-09-21 | Sony Corp | Method and apparatus for film deposition |
| US6044860A (en) | 1999-02-01 | 2000-04-04 | Spx Corporation | Adjustable lockout device for knife gate valves |
| US6374831B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Accelerated plasma clean |
| IT1308606B1 (it) | 1999-02-12 | 2002-01-08 | Lpe Spa | Dispositivo per maneggiare substrati mediante un istema autolivellante a depressione in reattori epistassiali ad induzione con suscettore |
| AU3229600A (en) | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Gelest, Inc. | Chemical vapor deposition of tungsten nitride |
| US6250250B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-06-26 | Yuri Maishev | Multiple-cell source of uniform plasma |
| JP3398936B2 (ja) | 1999-04-09 | 2003-04-21 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置 |
| US6326597B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-12-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature control system for process chamber |
| KR100347379B1 (ko) * | 1999-05-01 | 2002-08-07 | 주식회사 피케이엘 | 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치 |
| JP3072989B1 (ja) | 1999-05-14 | 2000-08-07 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置における成膜方法 |
| JP4294791B2 (ja) | 1999-05-17 | 2009-07-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置 |
| JP3668079B2 (ja) | 1999-05-31 | 2005-07-06 | 忠弘 大見 | プラズマプロセス装置 |
| US6281098B1 (en) * | 1999-06-15 | 2001-08-28 | Midwest Research Institute | Process for Polycrystalline film silicon growth |
| US6821571B2 (en) | 1999-06-18 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc. | Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers |
| FR2795745B1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-08-03 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu |
| JP3252835B2 (ja) | 1999-07-02 | 2002-02-04 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2001023955A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| EP1077479A1 (en) | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Post-deposition treatment to enchance properties of Si-O-C low K film |
| US6579833B1 (en) | 1999-09-01 | 2003-06-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens |
| US6429146B2 (en) | 1999-09-02 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Wafer planarization using a uniform layer of material and method and apparatus for forming uniform layer of material used in semiconductor processing |
| JP2001077088A (ja) | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6511539B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
| US6355153B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-03-12 | Nutool, Inc. | Chip interconnect and packaging deposition methods and structures |
| US6420792B1 (en) | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| US6740853B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone resistance heater |
| JP4209057B2 (ja) | 1999-12-01 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| KR100369324B1 (ko) | 1999-12-02 | 2003-01-24 | 한국전자통신연구원 | 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법 |
| FI118804B (fi) | 1999-12-03 | 2008-03-31 | Asm Int | Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi |
| JP2001176952A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toshiba Mach Co Ltd | ウェーハ位置ずれ検出装置 |
| JP3810604B2 (ja) | 1999-12-21 | 2006-08-16 | Ｓｍｃ株式会社 | ゲートバルブ |
| US6576062B2 (en) | 2000-01-06 | 2003-06-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
| US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
| KR100767762B1 (ko) | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
| US6475930B1 (en) | 2000-01-31 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | UV cure process and tool for low k film formation |
| US6436819B1 (en) | 2000-02-01 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen treatment of a metal nitride/metal stack |
| US6521046B2 (en) | 2000-02-04 | 2003-02-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Chamber material made of Al alloy and heater block |
| US6372583B1 (en) | 2000-02-09 | 2002-04-16 | Intel Corporation | Process for making semiconductor device with epitaxially grown source and drain |
| US6407435B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-06-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multilayer dielectric stack and method |
| US6573030B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing an amorphous carbon layer |
| TW476996B (en) * | 2000-02-28 | 2002-02-21 | Mitsubishi Material Silicon | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| KR100803770B1 (ko) | 2000-03-07 | 2008-02-15 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. | 구배（ｇｒａｄｅｄ）박막 |
| US6576300B1 (en) | 2000-03-20 | 2003-06-10 | Dow Corning Corporation | High modulus, low dielectric constant coatings |
| US6558755B2 (en) | 2000-03-20 | 2003-05-06 | Dow Corning Corporation | Plasma curing process for porous silica thin film |
| US6759098B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials |
| US6913796B2 (en) | 2000-03-20 | 2005-07-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing process for porous low-k materials |
| US6598559B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled chamber |
| WO2001075188A2 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for gas injection |
| JP2001342570A (ja) | 2000-03-30 | 2001-12-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JP2001345263A (ja) | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6329297B1 (en) | 2000-04-21 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dilute remote plasma clean |
| US6635117B1 (en) | 2000-04-26 | 2003-10-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system |
| US6387207B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
| KR100367662B1 (ko) | 2000-05-02 | 2003-01-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치 |
| DE10021871A1 (de) | 2000-05-05 | 2001-11-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht in einem elektronischen Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements mit einer Barriereschicht |
| JP3448737B2 (ja) | 2000-05-25 | 2003-09-22 | 住友重機械工業株式会社 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
| US6863019B2 (en) | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
| KR100406173B1 (ko) | 2000-06-13 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록 |
| US6461435B1 (en) | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with reduced contact area |
| KR100467366B1 (ko) | 2000-06-30 | 2005-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법 |
| US6874480B1 (en) | 2000-07-03 | 2005-04-05 | Combustion Dynamics Corp. | Flow meter |
| WO2002008487A1 (en) | 2000-07-24 | 2002-01-31 | The University Of Maryland, College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
| US7223676B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
| US7166524B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
| US6784108B1 (en) | 2000-08-31 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Gas pulsing for etch profile control |
| USD449873S1 (en) | 2000-09-22 | 2001-10-30 | James Bronson | Garbage disposal strainer and splash guard |
| US6494065B2 (en) | 2000-09-26 | 2002-12-17 | Babbitt Steam Specialty Company | Valve lockout/tag out system |
| US6370796B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-16 | Sony Corporation | Heater block cooling system for wafer processing apparatus |
| AU146327S (en) | 2000-09-29 | 2001-12-18 | American Standard Int Inc | Faucet |
| US6578893B2 (en) | 2000-10-02 | 2003-06-17 | Ajs Automation, Inc. | Apparatus and methods for handling semiconductor wafers |
| US6660660B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
| US7204887B2 (en) | 2000-10-16 | 2007-04-17 | Nippon Steel Corporation | Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace |
| JP4156788B2 (ja) | 2000-10-23 | 2008-09-24 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用サセプター |
| TW548239B (en) | 2000-10-23 | 2003-08-21 | Asm Microchemistry Oy | Process for producing aluminium oxide films at low temperatures |
| US6824665B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-11-30 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer deposition |
| US6688784B1 (en) | 2000-10-25 | 2004-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure |
| US6445574B1 (en) | 2000-10-30 | 2002-09-03 | Motorola, Inc. | Electronic device |
| JP2002158178A (ja) | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US6689220B1 (en) | 2000-11-22 | 2004-02-10 | Simplus Systems Corporation | Plasma enhanced pulsed layer deposition |
| US6613695B2 (en) | 2000-11-24 | 2003-09-02 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition |
| US20020064592A1 (en) | 2000-11-29 | 2002-05-30 | Madhav Datta | Electroless method of seed layer depostion, repair, and fabrication of Cu interconnects |
| EP1351283A4 (en) | 2000-12-05 | 2006-01-25 | Tokyo Electron Ltd | METHOD AND DEVICE FOR TREATING AN ARTICLE TO BE TREATED |
| KR100385947B1 (ko) | 2000-12-06 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법 |
| US6413321B1 (en) | 2000-12-07 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle contamination on wafer backside during CVD process |
| US20020076507A1 (en) | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Chiang Tony P. | Process sequence for atomic layer deposition |
| JP5068402B2 (ja) | 2000-12-28 | 2012-11-07 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法 |
| US6398184B1 (en) | 2000-12-29 | 2002-06-04 | General Signal Corporation | Lock device and lock method for knife gate valves |
| US7172497B2 (en) | 2001-01-05 | 2007-02-06 | Asm Nutool, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structures |
| US6583048B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-06-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants |
| US7087482B2 (en) | 2001-01-19 | 2006-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming material using atomic layer deposition and method of forming capacitor of semiconductor device using the same |
| JP4644943B2 (ja) | 2001-01-23 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3626933B2 (ja) | 2001-02-08 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台の製造方法 |
| KR101027485B1 (ko) | 2001-02-12 | 2011-04-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정 |
| US20020108670A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-15 | Baker John Eric | High purity chemical container with external level sensor and removable dip tube |
| US6613656B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Sequential pulse deposition |
| US6632478B2 (en) | 2001-02-22 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film |
| JP4487135B2 (ja) | 2001-03-05 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
| US6716571B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-04-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective photoresist hardening to facilitate lateral trimming |
| US6521295B1 (en) | 2001-04-17 | 2003-02-18 | Pilkington North America, Inc. | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
| US6482331B2 (en) | 2001-04-18 | 2002-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for preventing contamination in a plasma process chamber |
| KR100798179B1 (ko) | 2001-04-27 | 2008-01-24 | 교세라 가부시키가이샤 | 웨이퍼 가열장치 |
| US20030019428A1 (en) | 2001-04-28 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
| US6528430B2 (en) | 2001-05-01 | 2003-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3 |
| US6864041B2 (en) | 2001-05-02 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching |
| US6627268B1 (en) | 2001-05-03 | 2003-09-30 | Novellus Systems, Inc. | Sequential ion, UV, and electron induced chemical vapor deposition |
| JP2002343790A (ja) | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nec Corp | 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6528767B2 (en) | 2001-05-22 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications |
| US7037574B2 (en) | 2001-05-23 | 2006-05-02 | Veeco Instruments, Inc. | Atomic layer deposition for fabricating thin films |
| US6472266B1 (en) | 2001-06-18 | 2002-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to reduce bit line capacitance in cub drams |
| US6391803B1 (en) | 2001-06-20 | 2002-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane |
| US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
| US6420279B1 (en) | 2001-06-28 | 2002-07-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate |
| JP3708031B2 (ja) | 2001-06-29 | 2005-10-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
| TW539822B (en) | 2001-07-03 | 2003-07-01 | Asm Inc | Source chemical container assembly |
| CN1277293C (zh) | 2001-07-10 | 2006-09-27 | 东京毅力科创株式会社 | 干蚀刻方法 |
| KR100400044B1 (ko) | 2001-07-16 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드 |
| US6677254B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-01-13 | Applied Materials, Inc. | Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom |
| US6638839B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-10-28 | The University Of Toledo | Hot-filament chemical vapor deposition chamber and process with multiple gas inlets |
| WO2003012843A1 (fr) | 2001-07-31 | 2003-02-13 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Procede et appareil de nettoyage et procede et appareil de gravure |
| US6531412B2 (en) | 2001-08-10 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications |
| JP2003059999A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| US6820570B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
| JP2003060076A (ja) | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6521547B1 (en) | 2001-09-07 | 2003-02-18 | United Microelectronics Corp. | Method of repairing a low dielectric constant material layer |
| US6756318B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-06-29 | Tegal Corporation | Nanolayer thick film processing system and method |
| US6541370B1 (en) | 2001-09-17 | 2003-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Composite microelectronic dielectric layer with inhibited crack susceptibility |
| US20030059535A1 (en) | 2001-09-25 | 2003-03-27 | Lee Luo | Cycling deposition of low temperature films in a cold wall single wafer process chamber |
| US6607976B2 (en) | 2001-09-25 | 2003-08-19 | Applied Materials, Inc. | Copper interconnect barrier layer structure and formation method |
| US6720259B2 (en) | 2001-10-02 | 2004-04-13 | Genus, Inc. | Passivation method for improved uniformity and repeatability for atomic layer deposition and chemical vapor deposition |
| US6960537B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
| KR100431658B1 (ko) | 2001-10-05 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치 |
| EP1444380B1 (en) | 2001-10-26 | 2005-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6902624B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-06-07 | Genus, Inc. | Massively parallel atomic layer deposition/chemical vapor deposition system |
| KR100760291B1 (ko) | 2001-11-08 | 2007-09-19 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 박막 형성 방법 |
| KR20030039247A (ko) | 2001-11-12 | 2003-05-17 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 |
| WO2003044843A2 (en) | 2001-11-16 | 2003-05-30 | Trikon Holdings Limited | Forming low k dielectric layers |
| US6926774B2 (en) | 2001-11-21 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Piezoelectric vaporizer |
| USD461233S1 (en) | 2001-11-29 | 2002-08-06 | James Michael Whalen | Marine deck drain strainer |
| KR100446619B1 (ko) | 2001-12-14 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 유도 결합 플라즈마 장치 |
| JP3891267B2 (ja) | 2001-12-25 | 2007-03-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | シリコン酸化膜作製方法 |
| KR100903484B1 (ko) | 2002-01-15 | 2009-06-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 실리콘 함유 절연막을 형성하는 ｃｖｄ 방법 및 장치 |
| CN101818334B (zh) | 2002-01-17 | 2012-12-12 | 松德沃技术公司 | Ald装置和方法 |
| US6760981B2 (en) | 2002-01-18 | 2004-07-13 | Speedline Technologies, Inc. | Compact convection drying chamber for drying printed circuit boards and other electronic assemblies by enhanced evaporation |
| US20030141820A1 (en) | 2002-01-30 | 2003-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate processing |
| US6899507B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-05-31 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections |
| US6734090B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | Method of making an edge seal for a semiconductor device |
| DE10207131B4 (de) | 2002-02-20 | 2007-12-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Bildung einer Hartmaske in einer Schicht auf einer flachen Scheibe |
| TW200305228A (en) | 2002-03-01 | 2003-10-16 | Hitachi Int Electric Inc | Heat treatment apparatus and a method for fabricating substrates |
| KR100449028B1 (ko) | 2002-03-05 | 2004-09-16 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 박막 형성방법 |
| EP1485513A2 (en) | 2002-03-08 | 2004-12-15 | Sundew Technologies, LLC | Ald method and apparatus |
| JP2003264186A (ja) | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Asm Japan Kk | Ｃｖｄ装置処理室のクリーニング方法 |
| US6800134B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods and atomic layer deposition methods |
| JP4099092B2 (ja) | 2002-03-26 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ |
| US6825134B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow |
| JP4128383B2 (ja) | 2002-03-27 | 2008-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| WO2003083167A1 (en) | 2002-03-28 | 2003-10-09 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates |
| JP4106948B2 (ja) | 2002-03-29 | 2008-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の跳上り検出装置、被処理体の跳上り検出方法、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6594550B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-07-15 | Asm America, Inc. | Method and system for using a buffer to track robotic movement |
| US7988833B2 (en) | 2002-04-12 | 2011-08-02 | Schneider Electric USA, Inc. | System and method for detecting non-cathode arcing in a plasma generation apparatus |
| US6710312B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-03-23 | B H Thermal Corporation | Heating jacket assembly with field replaceable thermostat |
| US8293001B2 (en) | 2002-04-17 | 2012-10-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
| US6846515B2 (en) | 2002-04-17 | 2005-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
| US7589029B2 (en) | 2002-05-02 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition and conversion |
| US7045430B2 (en) | 2002-05-02 | 2006-05-16 | Micron Technology Inc. | Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics |
| JP2003324072A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| US7122844B2 (en) | 2002-05-13 | 2006-10-17 | Cree, Inc. | Susceptor for MOCVD reactor |
| US6682973B1 (en) | 2002-05-16 | 2004-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Formation of well-controlled thin SiO, SiN, SiON layer for multilayer high-K dielectric applications |
| KR100466818B1 (ko) | 2002-05-17 | 2005-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 절연막 형성 방법 |
| US7195693B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-03-27 | Advanced Thermal Sciences | Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing |
| US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
| US20060014384A1 (en) | 2002-06-05 | 2006-01-19 | Jong-Cheol Lee | Method of forming a layer and forming a capacitor of a semiconductor device having the same layer |
| JP2004014952A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
| US7067439B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | ALD metal oxide deposition process using direct oxidation |
| US6858547B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming a gate dielectric |
| US7601225B2 (en) | 2002-06-17 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | System for controlling the sublimation of reactants |
| JP3670628B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2005-07-13 | 株式会社東芝 | 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法 |
| US20040018750A1 (en) | 2002-07-02 | 2004-01-29 | Sophie Auguste J.L. | Method for deposition of nitrogen doped silicon carbide films |
| US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US6976822B2 (en) | 2002-07-16 | 2005-12-20 | Semitool, Inc. | End-effectors and transfer devices for handling microelectronic workpieces |
| US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
| US7357138B2 (en) | 2002-07-18 | 2008-04-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
| US7297641B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-20 | Asm America, Inc. | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers |
| CN101109470A (zh) | 2002-07-19 | 2008-01-23 | 诚实公司 | 液体流动控制器和精密分配设备及系统 |
| KR100447284B1 (ko) | 2002-07-19 | 2004-09-07 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착 챔버의 세정 방법 |
| TW200427858A (en) | 2002-07-19 | 2004-12-16 | Asml Us Inc | Atomic layer deposition of high k dielectric films |
| CN1643674A (zh) | 2002-07-19 | 2005-07-20 | 阿维扎技术公司 | 使用氨基硅烷和臭氧的低温介电沉积 |
| US7294582B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-13 | Asm International, N.V. | Low temperature silicon compound deposition |
| US6921062B2 (en) | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
| US7223323B2 (en) | 2002-07-24 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-chemistry plating system |
| KR100464855B1 (ko) | 2002-07-26 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법 |
| EP1525337A2 (en) | 2002-07-30 | 2005-04-27 | ASM America, Inc. | Sublimation system employing carrier gas |
| DE10235427A1 (de) | 2002-08-02 | 2004-02-12 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von dreidimensionalen Objekten mittels eines generativen Fertigungsverfahrens |
| US7153542B2 (en) | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
| KR100480610B1 (ko) | 2002-08-09 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법 |
| JP4034145B2 (ja) | 2002-08-09 | 2008-01-16 | 住友大阪セメント株式会社 | サセプタ装置 |
| TW200408323A (en) | 2002-08-18 | 2004-05-16 | Asml Us Inc | Atomic layer deposition of high k metal oxides |
| TW200408015A (en) | 2002-08-18 | 2004-05-16 | Asml Us Inc | Atomic layer deposition of high K metal silicates |
| US6649921B1 (en) | 2002-08-19 | 2003-11-18 | Fusion Uv Systems, Inc. | Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation |
| US20040036129A1 (en) | 2002-08-22 | 2004-02-26 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions |
| US6967154B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
| US6794284B2 (en) | 2002-08-28 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes |
| US6884066B2 (en) | 2002-09-10 | 2005-04-26 | Fsi International, Inc. | Thermal process station with heated lid |
| US7011299B2 (en) | 2002-09-16 | 2006-03-14 | Matheson Tri-Gas, Inc. | Liquid vapor delivery system and method of maintaining a constant level of fluid therein |
| KR100497748B1 (ko) | 2002-09-17 | 2005-06-29 | 주식회사 무한 | 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법 |
| US7411352B2 (en) | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
| JP2004127957A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
| JP2004128019A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Applied Materials Inc | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2004134553A (ja) | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Sony Corp | レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6905737B2 (en) | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
| EP1408140A1 (en) | 2002-10-11 | 2004-04-14 | STMicroelectronics S.r.l. | A high-density plasma process for depositing a layer of Silicon Nitride |
| KR100460841B1 (ko) | 2002-10-22 | 2004-12-09 | 한국전자통신연구원 | 플라즈마 인가 원자층 증착법을 통한 질소첨가 산화물박막의 형성방법 |
| KR100520902B1 (ko) | 2002-11-20 | 2005-10-12 | 주식회사 아이피에스 | 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 |
| KR100496265B1 (ko) | 2002-11-29 | 2005-06-17 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자의 박막 형성방법 |
| TW200410337A (en) | 2002-12-02 | 2004-06-16 | Au Optronics Corp | Dry cleaning method for plasma reaction chamber |
| US7122414B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-10-17 | Asm International, Inc. | Method to fabricate dual metal CMOS devices |
| US6858524B2 (en) | 2002-12-03 | 2005-02-22 | Asm International, Nv | Method of depositing barrier layer for metal gates |
| US6895158B2 (en) | 2002-12-09 | 2005-05-17 | Eastman Kodak Company | Waveguide and method of smoothing optical surfaces |
| US7092287B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-08-15 | Asm International N.V. | Method of fabricating silicon nitride nanodots |
| WO2004059699A2 (en) | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Brooks Automation, Inc. | System and method for on-the-fly eccentricity recognition |
| USD486891S1 (en) | 2003-01-21 | 2004-02-17 | Richard W. Cronce, Jr. | Vent pipe protective cover |
| USD497977S1 (en) | 2003-01-22 | 2004-11-02 | Tour & Andersson Ab | Sealing ring membrane |
| US7122222B2 (en) | 2003-01-23 | 2006-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
| US20040144980A1 (en) | 2003-01-27 | 2004-07-29 | Ahn Kie Y. | Atomic layer deposition of metal oxynitride layers as gate dielectrics and semiconductor device structures utilizing metal oxynitride layers |
| US7129165B2 (en) | 2003-02-04 | 2006-10-31 | Asm Nutool, Inc. | Method and structure to improve reliability of copper interconnects |
| US7163721B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-01-16 | Tegal Corporation | Method to plasma deposit on organic polymer dielectric film |
| CN100429753C (zh) | 2003-02-06 | 2008-10-29 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 |
| US6876017B2 (en) | 2003-02-08 | 2005-04-05 | Intel Corporation | Polymer sacrificial light absorbing structure and method |
| TWI338323B (en) | 2003-02-17 | 2011-03-01 | Nikon Corp | Stage device, exposure device and manufacguring method of devices |
| US20040168627A1 (en) | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Atomic layer deposition of oxide film |
| US6930059B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-08-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition |
| US7091453B2 (en) | 2003-02-27 | 2006-08-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus by means of light irradiation |
| US7098149B2 (en) | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
| US7192892B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
| JP2004273766A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Watanabe Shoko:Kk | 気化装置及びそれを用いた成膜装置並びに気化方法及び成膜方法 |
| JP4369203B2 (ja) | 2003-03-24 | 2009-11-18 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
| JP2004294638A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト材料およびレジストパターン形成方法 |
| US7393207B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-07-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer support tool for heat treatment and heat treatment apparatus |
| US7208389B1 (en) | 2003-03-31 | 2007-04-24 | Novellus Systems, Inc. | Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation |
| US20040198069A1 (en) | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for hafnium nitride deposition |
| US7037376B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
| US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| TW200506093A (en) | 2003-04-21 | 2005-02-16 | Aviza Tech Inc | System and method for forming multi-component films |
| US7221553B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate support having heat transfer system |
| US20040261712A1 (en) | 2003-04-25 | 2004-12-30 | Daisuke Hayashi | Plasma processing apparatus |
| US7601223B2 (en) | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
| US7033113B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-04-25 | Shell Oil Company | Mid-line connector and method for pipe-in-pipe electrical heating |
| US6939817B2 (en) | 2003-05-08 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon from an insulative layer using ozone |
| US7265061B1 (en) | 2003-05-09 | 2007-09-04 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for UV exposure of low dielectric constant materials for porogen removal and improved mechanical properties |
| WO2004102648A2 (en) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| US7141500B2 (en) | 2003-06-05 | 2006-11-28 | American Air Liquide, Inc. | Methods for forming aluminum containing films utilizing amino aluminum precursors |
| US8512798B2 (en) | 2003-06-05 | 2013-08-20 | Superpower, Inc. | Plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system |
| US7589003B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-09-15 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law | GeSn alloys and ordered phases with direct tunable bandgaps grown directly on silicon |
| US7598513B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-10-06 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law | SixSnyGe1-x-y and related alloy heterostructures based on Si, Ge and Sn |
| WO2005015609A2 (en) | 2003-06-13 | 2005-02-17 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Sixsnyge1-x-y and related alloy heterostructures based on si, ge and sn |
| US7192824B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers |
| KR20050001793A (ko) | 2003-06-26 | 2005-01-07 | 삼성전자주식회사 | 단원자층 증착 공정의 실시간 분석 방법 |
| US7547363B2 (en) | 2003-07-08 | 2009-06-16 | Tosoh Finechem Corporation | Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof |
| US7055875B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-06-06 | Asyst Technologies, Inc. | Ultra low contact area end effector |
| JP4298421B2 (ja) | 2003-07-23 | 2009-07-22 | エスペック株式会社 | サーマルプレートおよび試験装置 |
| US6909839B2 (en) | 2003-07-23 | 2005-06-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material |
| US7399388B2 (en) | 2003-07-25 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Sequential gas flow oxide deposition technique |
| US7122481B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-10-17 | Intel Corporation | Sealing porous dielectrics with silane coupling reagents |
| KR20060054387A (ko) | 2003-08-04 | 2006-05-22 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 증착 전 게르마늄 표면 처리 방법 |
| JP2005072405A (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sony Corp | 薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| KR20060064067A (ko) | 2003-09-03 | 2006-06-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 기구의 방열 방법 |
| US7335277B2 (en) | 2003-09-08 | 2008-02-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus |
| US7235482B2 (en) | 2003-09-08 | 2007-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing a contact interconnection layer containing a metal and nitrogen by atomic layer deposition for deep sub-micron semiconductor technology |
| US7414281B1 (en) | 2003-09-09 | 2008-08-19 | Spansion Llc | Flash memory with high-K dielectric material between substrate and gate |
| KR100551138B1 (ko) | 2003-09-09 | 2006-02-10 | 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 | 균일한 플라즈마 발생을 위한 적응형 플라즈마 소스 |
| US7132201B2 (en) | 2003-09-12 | 2006-11-07 | Micron Technology, Inc. | Transparent amorphous carbon structure in semiconductor devices |
| KR100765681B1 (ko) | 2003-09-19 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| US6911399B2 (en) | 2003-09-19 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling critical dimension microloading of photoresist trimming process by selective sidewall polymer deposition |
| JP4524554B2 (ja) | 2003-09-25 | 2010-08-18 | 信越化学工業株式会社 | γ，δ−不飽和カルボン酸及びそのシリルエステルの製造方法、カルボキシル基を有する有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
| US7156380B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asm International, N.V. | Safe liquid source containers |
| US7205247B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-04-17 | Aviza Technology, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric |
| US6875677B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films |
| US20050069651A1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system |
| US6974781B2 (en) | 2003-10-20 | 2005-12-13 | Asm International N.V. | Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD |
| JP2007511902A (ja) | 2003-10-29 | 2007-05-10 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 薄膜成長用反応装置 |
| US7329947B2 (en) | 2003-11-07 | 2008-02-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor substrate |
| US8313277B2 (en) | 2003-11-10 | 2012-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
| US7071118B2 (en) | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
| US20050153571A1 (en) | 2003-11-17 | 2005-07-14 | Yoshihide Senzaki | Nitridation of high-k dielectric films |
| KR100550641B1 (ko) | 2003-11-22 | 2006-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화하프늄과 산화알루미늄이 혼합된 유전막 및 그 제조방법 |
| JP4725085B2 (ja) | 2003-12-04 | 2011-07-13 | 株式会社豊田中央研究所 | 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法 |
| US7431966B2 (en) | 2003-12-09 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate |
| US7143897B1 (en) | 2003-12-09 | 2006-12-05 | H20 International, Inc. | Water filter |
| KR100549273B1 (ko) | 2004-01-15 | 2006-02-03 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조장치의 기판홀더 |
| JP4513329B2 (ja) | 2004-01-16 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US7071051B1 (en) | 2004-01-20 | 2006-07-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming a thin, high quality buffer layer in a field effect transistor and related structure |
| US7354847B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of trimming technology |
| KR101118863B1 (ko) | 2004-01-30 | 2012-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유체 간극을 갖는 기판 홀더 및 그 기판 홀더를 제조하는방법 |
| DE102004005385A1 (de) | 2004-02-03 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Verwendung von gelösten Hafniumalkoxiden bzw. Zirkoniumalkoxiden als Precursoren für Hafniumoxid- und Hafniumoxynitridschichten bzw. Zirkoniumoxid- und Zirkoniumoxynitridschichten |
| US20050181535A1 (en) | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Yun Sun J. | Method of fabricating passivation layer for organic devices |
| US7088003B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for integration of ultralow-k dielectrics with improved reliability |
| US20050187647A1 (en) | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Kuo-Hua Wang | Intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool |
| US20060062910A1 (en) | 2004-03-01 | 2006-03-23 | Meiere Scott H | Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
| US20050214458A1 (en) | 2004-03-01 | 2005-09-29 | Meiere Scott H | Low zirconium hafnium halide compositions |
| WO2005087974A2 (en) | 2004-03-05 | 2005-09-22 | Applied Materials, Inc. | Cvd processes for the deposition of amorphous carbon films |
| US7079740B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Use of amorphous carbon film as a hardmask in the fabrication of optical waveguides |
| KR100538096B1 (ko) | 2004-03-16 | 2005-12-21 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법을 이용하는 커패시터 형성 방법 |
| US7524735B1 (en) | 2004-03-25 | 2009-04-28 | Novellus Systems, Inc | Flowable film dielectric gap fill process |
| US7582555B1 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-01 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
| US20050214457A1 (en) | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition of low dielectric constant films by N2O addition |
| US20050221618A1 (en) | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Amrhein Frederick J | System for controlling a plenum output flow geometry |
| US7585371B2 (en) | 2004-04-08 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon |
| US20050227502A1 (en) | 2004-04-12 | 2005-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming an ultra low dielectric film by forming an organosilicon matrix and large porogens as a template for increased porosity |
| US7273526B2 (en) | 2004-04-15 | 2007-09-25 | Asm Japan K.K. | Thin-film deposition apparatus |
| US20060019502A1 (en) | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Park Beom S | Method of controlling the film properties of a CVD-deposited silicon nitride film |
| US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| USD553104S1 (en) | 2004-04-21 | 2007-10-16 | Tokyo Electron Limited | Absorption board for an electric chuck used in semiconductor manufacture |
| WO2005104204A1 (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置 |
| US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
| US7049247B2 (en) | 2004-05-03 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| US20060019033A1 (en) | 2004-05-21 | 2006-01-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of hafnium-containing materials |
| US7271093B2 (en) | 2004-05-24 | 2007-09-18 | Asm Japan K.K. | Low-carbon-doped silicon oxide film and damascene structure using same |
| JP2005340251A (ja) | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置 |
| US20050266173A1 (en) | 2004-05-26 | 2005-12-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus of distributed plasma processing system for conformal ion stimulated nanoscale deposition process |
| US7580388B2 (en) | 2004-06-01 | 2009-08-25 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for providing enhanced messages on common control channel in wireless communication system |
| US7651583B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
| US7132360B2 (en) | 2004-06-10 | 2006-11-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for treating a semiconductor surface to form a metal-containing layer |
| KR100589062B1 (ko) | 2004-06-10 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법 |
| US7396743B2 (en) | 2004-06-10 | 2008-07-08 | Singh Kaushal K | Low temperature epitaxial growth of silicon-containing films using UV radiation |
| JP4534619B2 (ja) | 2004-06-21 | 2010-09-01 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体シリコン基板用熱処理治具 |
| EP1769522B1 (en) | 2004-07-09 | 2016-11-23 | Philips Lighting Holding B.V. | Uvc/vuv dielectric barrier discharge lamp with reflector |
| US7422653B2 (en) | 2004-07-13 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Single-sided inflatable vertical slit valve |
| US7094442B2 (en) | 2004-07-13 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Methods for the reduction and elimination of particulate contamination with CVD of amorphous carbon |
| KR100578819B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-05-11 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방법과 이를 이용한 게이트 구조물의 제조방법 및 커패시터의 제조 방법 |
| US20060016783A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Dingjun Wu | Process for titanium nitride removal |
| US20060021703A1 (en) | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| DE602004010190T2 (de) | 2004-07-30 | 2008-11-06 | Lpe S.P.A. | Epitaxiereaktor mit suszeptorgesteuerter positionierung |
| US7470633B2 (en) | 2004-08-09 | 2008-12-30 | Asm Japan K.K. | Method of forming a carbon polymer film using plasma CVD |
| KR101071136B1 (ko) | 2004-08-27 | 2011-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 |
| ITMI20041677A1 (it) | 2004-08-30 | 2004-11-30 | E T C Epitaxial Technology Ct | Processo di pulitura e processo operativo per un reattore cvd. |
| DE102004042431B4 (de) | 2004-08-31 | 2008-07-03 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabeschichtung von Werkstücken mit spektraler Auswertung der Prozessparameter und Verwendung der Vorrichtung |
| US8158488B2 (en) | 2004-08-31 | 2012-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing deposition rate of silicon dioxide on a catalyst |
| US7910288B2 (en) | 2004-09-01 | 2011-03-22 | Micron Technology, Inc. | Mask material conversion |
| US7253084B2 (en) | 2004-09-03 | 2007-08-07 | Asm America, Inc. | Deposition from liquid sources |
| US20060137609A1 (en) | 2004-09-13 | 2006-06-29 | Puchacz Jerzy P | Multi-single wafer processing apparatus |
| US20060060930A1 (en) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Metz Matthew V | Atomic layer deposition of high dielectric constant gate dielectrics |
| DE102005045081B4 (de) | 2004-09-29 | 2011-07-07 | Covalent Materials Corp. | Suszeptor |
| US7241475B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-07-10 | The Aerospace Corporation | Method for producing carbon surface films by plasma exposure of a carbide compound |
| US6874247B1 (en) | 2004-10-12 | 2005-04-05 | Tsang-Hung Hsu | Toothbrush dryer |
| US20060257563A1 (en) | 2004-10-13 | 2006-11-16 | Seok-Joo Doh | Method of fabricating silicon-doped metal oxide layer using atomic layer deposition technique |
| EP1811559A4 (en) | 2004-10-19 | 2010-04-21 | Canon Anelva Corp | SUBSTRATE HOLDING - / - TRANSFER CHARGER |
| US7790633B1 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-07 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
| US7163900B2 (en) | 2004-11-01 | 2007-01-16 | Infineon Technologies Ag | Using polydentate ligands for sealing pores in low-k dielectrics |
| JP2006135161A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Canon Inc | 絶縁膜の形成方法及び装置 |
| JP4435666B2 (ja) | 2004-11-09 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、成膜方法 |
| US7678682B2 (en) | 2004-11-12 | 2010-03-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films |
| TWI536429B (zh) | 2004-11-18 | 2016-06-01 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
| KR100773755B1 (ko) | 2004-11-18 | 2007-11-09 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법 |
| ES2301073T3 (es) | 2004-11-24 | 2008-06-16 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Camara de procesamiento al vacio para sustratos de area muy grande. |
| US20060113806A1 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Asm Japan K.K. | Wafer transfer mechanism |
| US20060113675A1 (en) | 2004-12-01 | 2006-06-01 | Chung-Liang Chang | Barrier material and process for Cu interconnect |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7290813B2 (en) | 2004-12-16 | 2007-11-06 | Asyst Technologies, Inc. | Active edge grip rest pad |
| US7396732B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-07-08 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) | Formation of deep trench airgaps and related applications |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| JP4560681B2 (ja) | 2004-12-24 | 2010-10-13 | ミネベア株式会社 | 多灯式放電灯点灯装置 |
| JP2006186271A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Sharp Corp | 気相成長装置および成膜済基板の製造方法 |
| KR20070107017A (ko) | 2004-12-30 | 2007-11-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 트리밍과 호환되는 라인 에지 조도 감소 방법 |
| US7846499B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-12-07 | Asm International N.V. | Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7598516B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-10-06 | International Business Machines Corporation | Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs |
| WO2006078666A2 (en) | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Asm America, Inc. | Reaction system for growing a thin film |
| KR100640550B1 (ko) | 2005-01-26 | 2006-10-31 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법 |
| US7135402B2 (en) | 2005-02-01 | 2006-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy |
| US7298009B2 (en) | 2005-02-01 | 2007-11-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor method and device with mixed orientation substrate |
| TW200634982A (en) | 2005-02-22 | 2006-10-01 | Asm Inc | Plasma pre-treating surfaces for atomic layer deposition |
| JP4764028B2 (ja) | 2005-02-28 | 2011-08-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| US7629267B2 (en) | 2005-03-07 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | High stress nitride film and method for formation thereof |
| US6972478B1 (en) | 2005-03-07 | 2005-12-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit and method for its manufacture |
| US7314835B2 (en) | 2005-03-21 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US7422636B2 (en) | 2005-03-25 | 2008-09-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination |
| US20060226117A1 (en) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Bertram Ronald T | Phase change based heating element system and method |
| JP2008536318A (ja) | 2005-04-07 | 2008-09-04 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 多層多成分高ｋ膜及びそれを堆積させる方法 |
| US7479198B2 (en) | 2005-04-07 | 2009-01-20 | Timothy D'Annunzio | Methods for forming nanofiber adhesive structures |
| KR100640640B1 (ko) | 2005-04-19 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 미세 피치의 하드마스크를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법 |
| JP4694878B2 (ja) | 2005-04-20 | 2011-06-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US7160819B2 (en) | 2005-04-25 | 2007-01-09 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to perform selective atomic layer deposition of zinc oxide |
| US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
| US20060251827A1 (en) | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Tandem uv chamber for curing dielectric materials |
| US7875556B2 (en) | 2005-05-16 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films |
| US7422775B2 (en) | 2005-05-17 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
| US7109098B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
| US7312162B2 (en) | 2005-05-17 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition |
| US20060260545A1 (en) | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Kartik Ramaswamy | Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system |
| US20070155138A1 (en) | 2005-05-24 | 2007-07-05 | Pierre Tomasini | Apparatus and method for depositing silicon germanium films |
| US7732342B2 (en) | 2005-05-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method to increase the compressive stress of PECVD silicon nitride films |
| JPWO2006129643A1 (ja) | 2005-05-31 | 2009-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP4813480B2 (ja) | 2005-06-13 | 2011-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
| US20060278524A1 (en) | 2005-06-14 | 2006-12-14 | Stowell Michael W | System and method for modulating power signals to control sputtering |
| JP4853857B2 (ja) | 2005-06-15 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法，コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板処理装置 |
| JP4753173B2 (ja) | 2005-06-17 | 2011-08-24 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
| JP2007005582A (ja) | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Asm Japan Kk | 基板搬送装置及びそれを搭載した半導体基板製造装置 |
| US7575990B2 (en) | 2005-07-01 | 2009-08-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method of forming self-aligned contacts and local interconnects |
| EP1907599A2 (en) | 2005-07-08 | 2008-04-09 | Aviza Technology, Inc. | Method for depositing silicon-containing films |
| US20070010072A1 (en) | 2005-07-09 | 2007-01-11 | Aviza Technology, Inc. | Uniform batch film deposition process and films so produced |
| CN101222983B (zh) | 2005-07-09 | 2012-09-05 | 康邦权 | 用于在常压等离子体中疏水和超疏水处理的表面涂覆方法 |
| JP2009500869A (ja) | 2005-07-11 | 2009-01-08 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | オンザフライ（ｏｎｔｈｅｆｌｙ）ワークピースセンタリングを備えた装置 |
| US7762755B2 (en) | 2005-07-11 | 2010-07-27 | Brooks Automation, Inc. | Equipment storage for substrate processing apparatus |
| US7314838B2 (en) | 2005-07-21 | 2008-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a high density dielectric film by chemical vapor deposition |
| JP2007035747A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
| JP2007035899A (ja) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハプローバ用ウエハ保持体及びそれを搭載したウエハプローバ |
| TWI313486B (en) | 2005-07-28 | 2009-08-11 | Nuflare Technology Inc | Position measurement apparatus and method and writing apparatus and method |
| US20070028842A1 (en) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Makoto Inagawa | Vacuum chamber bottom |
| US20090045829A1 (en) | 2005-08-04 | 2009-02-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with same |
| US20070037412A1 (en) | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | In-situ atomic layer deposition |
| US7429532B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask |
| US7323401B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask |
| US7312148B2 (en) | 2005-08-08 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing |
| US7335611B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer |
| US7718225B2 (en) | 2005-08-17 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Method to control semiconductor film deposition characteristics |
| USD557226S1 (en) | 2005-08-25 | 2007-12-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electrode cover for a plasma processing apparatus |
| US7402534B2 (en) | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
| US7393736B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics |
| JP4815600B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-11-16 | 株式会社テラセミコン | 多結晶シリコン薄膜製造方法及びその製造装置 |
| JP2007088113A (ja) | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20070065578A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Applied Materials, Inc. | Treatment processes for a batch ALD reactor |
| US7691204B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
| US7785658B2 (en) | 2005-10-07 | 2010-08-31 | Asm Japan K.K. | Method for forming metal wiring structure |
| US7691205B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-04-06 | Asm Japan K.K. | Substrate-supporting device |
| US7638951B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-12-29 | Luxim Corporation | Plasma lamp with stable feedback amplification and method therefor |
| US7906910B2 (en) | 2005-10-27 | 2011-03-15 | Luxim Corporation | Plasma lamp with conductive material positioned relative to RF feed |
| US7994721B2 (en) | 2005-10-27 | 2011-08-09 | Luxim Corporation | Plasma lamp and methods using a waveguide body and protruding bulb |
| DE102005051994B4 (de) | 2005-10-31 | 2011-12-01 | Globalfoundries Inc. | Verformungsverfahrenstechnik in Transistoren auf Siliziumbasis unter Anwendung eingebetteter Halbleiterschichten mit Atomen mit einem großen kovalenten Radius |
| JP4940635B2 (ja) | 2005-11-14 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体 |
| GB2432363B (en) | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
| KR100660890B1 (ko) | 2005-11-16 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | Ａｌｄ를 이용한 이산화실리콘막 형성 방법 |
| US20070116873A1 (en) | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating |
| US7629277B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-08 | Honeywell International Inc. | Frag shield |
| US20070125762A1 (en) | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
| JP4666496B2 (ja) | 2005-12-07 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
| US7592251B2 (en) | 2005-12-08 | 2009-09-22 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum titanium oxide films |
| US7381644B1 (en) | 2005-12-23 | 2008-06-03 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask |
| JP4629574B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-02-09 | 日本発條株式会社 | 基板支持装置と、その製造方法 |
| KR101296911B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 그의 정전기량 검출장치 및검출방법 |
| TWI284390B (en) | 2006-01-10 | 2007-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method of charge store device |
| US8088248B2 (en) | 2006-01-11 | 2012-01-03 | Lam Research Corporation | Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system |
| JP2007191792A (ja) | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Atto Co Ltd | ガス分離型シャワーヘッド |
| US20070173071A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | International Business Machines Corporation | SiCOH dielectric |
| US20080254220A1 (en) | 2006-01-20 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8673413B2 (en) | 2006-01-27 | 2014-03-18 | Tosoh Finechem Corporation | Method for packing solid organometallic compound and packed container |
| JP4854317B2 (ja) | 2006-01-31 | 2012-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| US8057603B2 (en) | 2006-02-13 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning substrate processing chamber, storage medium, and substrate processing chamber |
| US20070207275A1 (en) | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films |
| US7740705B2 (en) | 2006-03-08 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system |
| US7794546B2 (en) | 2006-03-08 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Sealing device and method for a processing system |
| US7460003B2 (en) | 2006-03-09 | 2008-12-02 | International Business Machines Corporation | Electronic fuse with conformal fuse element formed over a freestanding dielectric spacer |
| US7494882B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Manufacturing a semiconductive device using a controlled atomic layer removal process |
| KR20070093493A (ko) | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
| US20070218200A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Kenji Suzuki | Method and apparatus for reducing particle formation in a vapor distribution system |
| US8268078B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system |
| US7566891B2 (en) | 2006-03-17 | 2009-07-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for treating a substrate with UV radiation using primary and secondary reflectors |
| US7410915B2 (en) | 2006-03-23 | 2008-08-12 | Asm Japan K.K. | Method of forming carbon polymer film using plasma CVD |
| US20070234955A1 (en) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing carbon monoxide poisoning at the peripheral edge of a substrate in a thin film deposition system |
| JP2007266464A (ja) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US8951478B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Ampoule with a thermally conductive coating |
| US7780865B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
| US20070237697A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of forming mixed rare earth oxide and aluminate films by atomic layer deposition |
| US20070287301A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-12-13 | Huiwen Xu | Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics |
| US7396491B2 (en) | 2006-04-06 | 2008-07-08 | Osram Sylvania Inc. | UV-emitting phosphor and lamp containing same |
| US7902074B2 (en) | 2006-04-07 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Simplified pitch doubling process flow |
| US20070248767A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Asm Japan K.K. | Method of self-cleaning of carbon-based film |
| US7410852B2 (en) | 2006-04-21 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate field effect transistors |
| FR2900276B1 (fr) | 2006-04-25 | 2008-09-12 | St Microelectronics Sa | Depot peald d'un materiau a base de silicium |
| US8231799B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone |
| US7537804B2 (en) | 2006-04-28 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | ALD methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form materials over substrates |
| US7875312B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
| US7790634B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
| US7825038B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
| US20070277735A1 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Nima Mokhlesi | Systems for Atomic Layer Deposition of Oxides Using Krypton as an Ion Generating Feeding Gas |
| EP2029790A1 (en) | 2006-06-02 | 2009-03-04 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
| US8278176B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-10-02 | Asm America, Inc. | Selective epitaxial formation of semiconductor films |
| US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
| US7554103B2 (en) | 2006-06-26 | 2009-06-30 | Applied Materials, Inc. | Increased tool utilization/reduction in MWBC for UV curing chamber |
| US20080153311A1 (en) | 2006-06-28 | 2008-06-26 | Deenesh Padhi | Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage |
| US7867578B2 (en) | 2006-06-28 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage |
| US7416989B1 (en) | 2006-06-30 | 2008-08-26 | Novellus Systems, Inc. | Adsorption based material removal process |
| WO2008004278A1 (fr) | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Procédé et dispositif de concentration / dilution de gaz spécifique |
| JP4193883B2 (ja) | 2006-07-05 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
| KR100799735B1 (ko) | 2006-07-10 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 금속 산화물 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| KR100791334B1 (ko) | 2006-07-26 | 2008-01-07 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법 |
| FR2904328B1 (fr) | 2006-07-27 | 2008-10-24 | St Microelectronics Sa | Depot par adsorption sous un champ electrique |
| US7749879B2 (en) | 2006-08-03 | 2010-07-06 | Micron Technology, Inc. | ALD of silicon films on germanium |
| US7514375B1 (en) | 2006-08-08 | 2009-04-07 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed bias having high pulse frequency for filling gaps with dielectric material |
| US8080282B2 (en) | 2006-08-08 | 2011-12-20 | Asm Japan K.K. | Method for forming silicon carbide film containing oxygen |
| GB0615722D0 (en) | 2006-08-08 | 2006-09-20 | Boc Group Plc | Apparatus for conveying a waste stream |
| TW200814131A (en) | 2006-08-11 | 2008-03-16 | Schott Ag | External electrode fluorescent lamp with optimized operating efficiency |
| WO2008020267A2 (en) | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Etch method in the manufacture of an integrated circuit |
| US7611980B2 (en) | 2006-08-30 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures |
| KR100753020B1 (ko) | 2006-08-30 | 2007-08-30 | 한국화학연구원 | 원자층 증착법을 이용한 비휘발성 부유 게이트 메모리소자를 위한 나노적층체의 제조방법 |
| US7690881B2 (en) | 2006-08-30 | 2010-04-06 | Asm Japan K.K. | Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US20080241805A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-02 | Q-Track Corporation | System and method for simulated dosimetry using a real time locating system |
| US20080057659A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Micron Technology, Inc. | Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| JP4943780B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP4762835B2 (ja) | 2006-09-07 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
| USD613829S1 (en) | 2006-09-13 | 2010-04-13 | Hayward Industries, Inc. | Circular suction outlet assembly cover |
| US7789965B2 (en) | 2006-09-19 | 2010-09-07 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning UV irradiation chamber |
| US7976898B2 (en) | 2006-09-20 | 2011-07-12 | Asm Genitech Korea Ltd. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7718553B2 (en) | 2006-09-21 | 2010-05-18 | Asm Japan K.K. | Method for forming insulation film having high density |
| JP2008074963A (ja) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Fujifilm Corp | 組成物、膜、およびその製造方法 |
| US7723648B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system |
| US8137048B2 (en) | 2006-09-27 | 2012-03-20 | Vserv Technologies | Wafer processing system with dual wafer robots capable of asynchronous motion |
| US7476291B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-01-13 | Lam Research Corporation | High chamber temperature process and chamber design for photo-resist stripping and post-metal etch passivation |
| TWI462179B (zh) | 2006-09-28 | 2014-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置 |
| US7767262B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-08-03 | Tokyo Electron Limited | Nitrogen profile engineering in nitrided high dielectric constant films |
| DE102006046374B4 (de) | 2006-09-29 | 2010-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Reduzieren der Lackvergiftung während des Strukturierens von Siliziumnitridschichten in einem Halbleiterbauelement |
| KR101480971B1 (ko) | 2006-10-10 | 2015-01-09 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 전구체 전달 시스템 |
| USD593969S1 (en) | 2006-10-10 | 2009-06-09 | Tokyo Electron Limited | Processing chamber for manufacturing semiconductors |
| US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
| CN100451163C (zh) | 2006-10-18 | 2009-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器 |
| JP2008108991A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Daihen Corp | ワーク保持機構 |
| US7851232B2 (en) | 2006-10-30 | 2010-12-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing |
| US7611751B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-11-03 | Asm America, Inc. | Vapor deposition of metal carbide films |
| US7888273B1 (en) | 2006-11-01 | 2011-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Density gradient-free gap fill |
| US7727864B2 (en) | 2006-11-01 | 2010-06-01 | Asm America, Inc. | Controlled composition using plasma-enhanced atomic layer deposition |
| JP2008117903A (ja) | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7955516B2 (en) | 2006-11-02 | 2011-06-07 | Applied Materials, Inc. | Etching of nano-imprint templates using an etch reactor |
| US20100001409A1 (en) | 2006-11-09 | 2010-01-07 | Nxp, B.V. | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| US7749574B2 (en) | 2006-11-14 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature ALD SiO2 |
| US7776395B2 (en) | 2006-11-14 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials |
| US7671134B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-03-02 | Brady Worldwide, Inc. | Compositions with improved adhesion to low surface energy substrates |
| US7976634B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
| US20080124946A1 (en) | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films |
| US7807575B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices |
| US20080193673A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece using a mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode |
| US7521340B2 (en) | 2006-12-07 | 2009-04-21 | Innovalight, Inc. | Methods for creating a densified group IV semiconductor nanoparticle thin film |
| US7960236B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-06-14 | Applied Materials, Inc. | Phosphorus containing Si epitaxial layers in N-type source/drain junctions |
| DE102007003416A1 (de) | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Hansgrohe Ag | Duschvorrichtung |
| DE102007002962B3 (de) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht und zum Herstellen eines Kondensators |
| JP5109376B2 (ja) | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
| WO2008143716A2 (en) | 2007-01-22 | 2008-11-27 | Innovalight, Inc. | In situ modification of group iv nanoparticles using gas phase nanoparticle reactors |
| US7550090B2 (en) | 2007-01-23 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Oxygen plasma clean to remove carbon species deposited on a glass dome surface |
| US20080173239A1 (en) | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Yuri Makarov | Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor |
| US7833353B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-11-16 | Asm Japan K.K. | Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus |
| US20080179715A1 (en) | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Micron Technology, Inc. | Shallow trench isolation using atomic layer deposition during fabrication of a semiconductor device |
| JP2008192643A (ja) | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| US7500397B2 (en) | 2007-02-15 | 2009-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films |
| JP4805862B2 (ja) | 2007-02-21 | 2011-11-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008202107A (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US20080207007A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films |
| DE102007009914B4 (de) | 2007-02-28 | 2010-04-22 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Halbleiterbauelement in Form eines Feldeffekttransistors mit einem Zwischenschichtdielektrikumsmaterial mit erhöhter innerer Verspannung und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US20080216077A1 (en) | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Software sequencer for integrated substrate processing system |
| US20080220619A1 (en) | 2007-03-09 | 2008-09-11 | Asm Japan K.K. | Method for increasing mechanical strength of dielectric film by using sequential combination of two types of uv irradiation |
| US7833913B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-11-16 | Tokyo Electron Limited | Method of forming crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based films |
| US7763869B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-07-27 | Asm Japan K.K. | UV light irradiating apparatus with liquid filter |
| US7435987B1 (en) | 2007-03-27 | 2008-10-14 | Intel Corporation | Forming a type I heterostructure in a group IV semiconductor |
| US7651961B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films |
| US20080241384A1 (en) | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Asm Genitech Korea Ltd. | Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus |
| US8235001B2 (en) | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| KR100829759B1 (ko) | 2007-04-04 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카바이드 유도 탄소를 이용한 카본나노튜브 혼성체, 이를포함하는 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자방출 소자 |
| US8357214B2 (en) * | 2007-04-26 | 2013-01-22 | Trulite, Inc. | Apparatus, system, and method for generating a gas from solid reactant pouches |
| US7575968B2 (en) | 2007-04-30 | 2009-08-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Inverse slope isolation and dual surface orientation integration |
| US7713874B2 (en) | 2007-05-02 | 2010-05-11 | Asm America, Inc. | Periodic plasma annealing in an ALD-type process |
| JP5103056B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20080299326A1 (en) | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Asm Japan K.K. | Plasma cvd apparatus having non-metal susceptor |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US7807578B2 (en) | 2007-06-01 | 2010-10-05 | Applied Materials, Inc. | Frequency doubling using spacer mask |
| US20080302303A1 (en) | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for depositing a uniform silicon film with flow gradient designs |
| US8142606B2 (en) | 2007-06-07 | 2012-03-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same |
| KR101101785B1 (ko) | 2007-06-08 | 2012-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 패터닝 방법 |
| JP4427562B2 (ja) | 2007-06-11 | 2010-03-10 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| US8017182B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-09-13 | Asm International N.V. | Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD |
| USD575713S1 (en) | 2007-06-21 | 2008-08-26 | Ratcliffe Peter W | Vehicle accessory |
| CN100590804C (zh) | 2007-06-22 | 2010-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 原子层沉积方法以及形成的半导体器件 |
| US20090000550A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Applied Materials, Inc. | Manifold assembly |
| US20090033907A1 (en) | 2007-07-05 | 2009-02-05 | Nikon Corporation | Devices and methods for decreasing residual chucking forces |
| US7501292B2 (en) | 2007-07-19 | 2009-03-10 | Asm Japan K.K. | Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate |
| JP4900110B2 (ja) | 2007-07-20 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液気化タンク及び薬液処理システム |
| US8008166B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a substrate surface |
| US7720560B2 (en) | 2007-07-26 | 2010-05-18 | International Business Machines Corporation | Semiconductor manufacturing process monitoring |
| US8004045B2 (en) | 2007-07-27 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| US20090041984A1 (en) | 2007-08-10 | 2009-02-12 | Nano Terra Inc. | Structured Smudge-Resistant Coatings and Methods of Making and Using the Same |
| US20090041952A1 (en) | 2007-08-10 | 2009-02-12 | Asm Genitech Korea Ltd. | Method of depositing silicon oxide films |
| US7745352B2 (en) | 2007-08-27 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process |
| US20100255625A1 (en) | 2007-09-07 | 2010-10-07 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma |
| CA122619S (en) | 2007-10-09 | 2010-01-27 | Silvano Breda | Shower strainer |
| JP5347294B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP4986784B2 (ja) | 2007-09-18 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
| US20090085156A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Gilbert Dewey | Metal surface treatments for uniformly growing dielectric layers |
| JP5236983B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体 |
| US8041450B2 (en) | 2007-10-04 | 2011-10-18 | Asm Japan K.K. | Position sensor system for substrate transfer robot |
| US7776698B2 (en) | 2007-10-05 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Selective formation of silicon carbon epitaxial layer |
| US20090090382A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Asm Japan K.K. | Method of self-cleaning of carbon-based film |
| JP2009091848A (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Kiyoshi Hanadate | 軸材 |
| US20090095221A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas concentric injection showerhead |
| US7867923B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
| US7541297B2 (en) | 2007-10-22 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill |
| US7803722B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
| US7939447B2 (en) | 2007-10-26 | 2011-05-10 | Asm America, Inc. | Inhibitors for selective deposition of silicon containing films |
| US7615831B2 (en) | 2007-10-26 | 2009-11-10 | International Business Machines Corporation | Structure and method for fabricating self-aligned metal contacts |
| US8272516B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-09-25 | Caterpillar Inc. | Fluid filter system |
| CA123273S (en) | 2007-11-19 | 2010-01-27 | Silvano Breda | Shower strainer |
| CA123272S (en) | 2007-11-19 | 2010-01-27 | Silvano Breda | Shower strainer |
| US8021723B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-09-20 | Asm Japan K.K. | Method of plasma treatment using amplitude-modulated RF power |
| JP5314700B2 (ja) | 2007-11-28 | 2013-10-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 誘電バリア放電ランプ |
| US8060252B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | High throughput method of in transit wafer position correction in system using multiple robots |
| US7651959B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-01-26 | Asm Japan K.K. | Method for forming silazane-based dielectric film |
| US20090139657A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Etch system |
| US8440569B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-05-14 | Cadence Design Systems, Inc. | Method of eliminating a lithography operation |
| US8003174B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-08-23 | Asm Japan K.K. | Method for forming dielectric film using siloxane-silazane mixture |
| CN101896992B (zh) | 2007-12-17 | 2013-01-30 | 株式会社Orc制作所 | 放电灯 |
| US8092606B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
| JP5449189B2 (ja) | 2007-12-19 | 2014-03-19 | ラム リサーチ コーポレーション | ｌｏｗ−ｋ誘電体の気相修復及び細孔シーリング |
| US8501637B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-08-06 | Asm International N.V. | Silicon dioxide thin films by ALD |
| US7678715B2 (en) | 2007-12-21 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Low wet etch rate silicon nitride film |
| KR101013413B1 (ko) | 2008-01-07 | 2011-02-14 | 한국과학기술연구원 | 플라즈마 표면 처리를 이용한 투명 기체 차단 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 기체 차단 필름 |
| US7935940B1 (en) | 2008-01-08 | 2011-05-03 | Novellus Systems, Inc. | Measuring in-situ UV intensity in UV cure tool |
| US20090203197A1 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Hiroji Hanawa | Novel method for conformal plasma immersed ion implantation assisted by atomic layer deposition |
| GB0802486D0 (en) | 2008-02-12 | 2008-03-19 | Gilbert Patrick C | Warm water economy device |
| US20090214777A1 (en) | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Demetrius Sarigiannis | Multiple ampoule delivery systems |
| KR100968132B1 (ko) | 2008-02-29 | 2010-07-06 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | 안테나 및 이를 구비한 반도체 장치 |
| USD585968S1 (en) | 2008-03-06 | 2009-02-03 | West Coast Washers, Inc. | Pipe flashing |
| EP2099067A1 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Process for adjusting the friction coefficient between surfaces of two solid objects |
| US20090246399A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Asm Japan K.K. | Method for activating reactive oxygen species for cleaning carbon-based film deposition |
| US7816278B2 (en) | 2008-03-28 | 2010-10-19 | Tokyo Electron Limited | In-situ hybrid deposition of high dielectric constant films using atomic layer deposition and chemical vapor deposition |
| US8252114B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-08-28 | Tokyo Electron Limited | Gas distribution system and method for distributing process gas in a processing system |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| USD590933S1 (en) | 2008-03-31 | 2009-04-21 | Mcp Industries, Inc. | Vent cap device |
| US7963736B2 (en) | 2008-04-03 | 2011-06-21 | Asm Japan K.K. | Wafer processing apparatus with wafer alignment device |
| US20090250955A1 (en) | 2008-04-07 | 2009-10-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer transfer blade |
| WO2009129391A2 (en) | 2008-04-17 | 2009-10-22 | Applied Materials, Inc. | Low temperature thin film transistor process, device property, and device stability improvement |
| US20090269506A1 (en) | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Seiji Okura | Method and apparatus for cleaning of a CVD reactor |
| US8252194B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of removing silicon oxide |
| US7632549B2 (en) | 2008-05-05 | 2009-12-15 | Asm Japan K.K. | Method of forming a high transparent carbon film |
| US8076237B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for 3D interconnect |
| US8277670B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Plasma process with photoresist mask pretreatment |
| US20090286402A1 (en) | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc | Method for critical dimension shrink using conformal pecvd films |
| US8333842B2 (en) | 2008-05-15 | 2012-12-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching semiconductor wafers |
| US8298628B2 (en) | 2008-06-02 | 2012-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
| WO2009146744A1 (de) | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler |
| JP2009295932A (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8726837B2 (en) | 2008-06-23 | 2014-05-20 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber vision and monitoring system |
| US8702867B2 (en) | 2008-07-08 | 2014-04-22 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Gas distribution plate and substrate treating apparatus including the same |
| JP5183336B2 (ja) | 2008-07-15 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
| US8058138B2 (en) | 2008-07-17 | 2011-11-15 | Micron Technology, Inc. | Gap processing |
| USD614593S1 (en) | 2008-07-21 | 2010-04-27 | Asm Genitech Korea Ltd | Substrate support for a semiconductor deposition apparatus |
| USD609652S1 (en) | 2008-07-22 | 2010-02-09 | Tokyo Electron Limited | Wafer attracting plate |
| BRPI0916605A2 (pt) | 2008-07-31 | 2017-07-04 | Lubrizol Corp | novos copolimeros e composições lubrificantes destes |
| KR20100015213A (ko) | 2008-08-04 | 2010-02-12 | 삼성전기주식회사 | Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| US20100025796A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-04 | Amir Massoud Dabiran | Microchannel plate photocathode |
| CN102160188B (zh) | 2008-08-08 | 2016-10-26 | 康奈尔研究基金会股份有限公司 | 无机体相多结材料及其制备方法 |
| US8129555B2 (en) | 2008-08-12 | 2012-03-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same |
| KR101017170B1 (ko) | 2008-08-13 | 2011-02-25 | 주식회사 동부하이텍 | 백 메탈 공정챔버 |
| JP5338335B2 (ja) | 2008-08-13 | 2013-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送容器の開閉装置及びプローブ装置 |
| US8263502B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-09-11 | Synos Technology, Inc. | Forming substrate structure by filling recesses with deposition material |
| US8147648B2 (en) | 2008-08-15 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
| US20100055442A1 (en) | 2008-09-03 | 2010-03-04 | International Business Machines Corporation | METHOD OF PE-ALD OF SiNxCy AND INTEGRATION OF LINER MATERIALS ON POROUS LOW K SUBSTRATES |
| JP2010087467A (ja) | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| USD643055S1 (en) | 2008-09-11 | 2011-08-09 | Asm Japan K.K. | Heater block for use in a semiconductor processing tool |
| US9711373B2 (en) | 2008-09-22 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices |
| DE102008049353A1 (de) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Vat Holding Ag | Vakuumventil |
| US20100081293A1 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film |
| USD609655S1 (en) | 2008-10-03 | 2010-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| CN103346116B (zh) | 2008-10-07 | 2016-01-13 | 应用材料公司 | 用于从蚀刻基板有效地移除卤素残余物的设备 |
| KR101627297B1 (ko) | 2008-10-13 | 2016-06-03 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법 |
| CN102187432B (zh) | 2008-10-14 | 2013-07-31 | 应用材料公司 | 利用等离子体增强化学气相沉积来沉积共形无定形碳膜层的方法 |
| US20110254052A1 (en) | 2008-10-15 | 2011-10-20 | Arizona Board of Regents, a body corporate acting for and on behalf of Arizona State University | Hybrid Group IV/III-V Semiconductor Structures |
| US7745346B2 (en) | 2008-10-17 | 2010-06-29 | Novellus Systems, Inc. | Method for improving process control and film conformality of PECVD film |
| JP2010097834A (ja) | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Ushio Inc | バックライトユニット |
| CN102197459A (zh) | 2008-10-27 | 2011-09-21 | 应用材料股份有限公司 | 三元化合物的气相沉积方法 |
| JP5062143B2 (ja) | 2008-11-10 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US8647722B2 (en) | 2008-11-14 | 2014-02-11 | Asm Japan K.K. | Method of forming insulation film using plasma treatment cycles |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| JP2010153769A (ja) | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板位置検出装置、基板位置検出方法、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
| US20100130017A1 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Front end of line plasma mediated ashing processes and apparatus |
| US8138676B2 (en) | 2008-12-01 | 2012-03-20 | Mills Robert L | Methods and systems for dimmable fluorescent lighting using multiple frequencies |
| US9714465B2 (en) | 2008-12-01 | 2017-07-25 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution blocker apparatus |
| US8252659B2 (en) | 2008-12-02 | 2012-08-28 | Imec | Method for producing interconnect structures for integrated circuits |
| JP5390846B2 (ja) | 2008-12-09 | 2014-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法 |
| US20100151206A1 (en) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material |
| KR20100075070A (ko) | 2008-12-24 | 2010-07-02 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
| US8216380B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-07-10 | Asm America, Inc. | Gap maintenance for opening to process chamber |
| US20100176513A1 (en) | 2009-01-09 | 2010-07-15 | International Business Machines Corporation | Structure and method of forming metal interconnect structures in ultra low-k dielectrics |
| US20100178137A1 (en) | 2009-01-11 | 2010-07-15 | Applied Materials, Inc. | Systems, apparatus and methods for moving substrates |
| US8151814B2 (en) | 2009-01-13 | 2012-04-10 | Asm Japan K.K. | Method for controlling flow and concentration of liquid precursor |
| US8591659B1 (en) | 2009-01-16 | 2013-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Plasma clean method for deposition chamber |
| USD606952S1 (en) | 2009-01-16 | 2009-12-29 | Asm Genitech Korea Ltd. | Plasma inducing plate for semiconductor deposition apparatus |
| US7919416B2 (en) | 2009-01-21 | 2011-04-05 | Asm Japan K.K. | Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD |
| US7972980B2 (en) | 2009-01-21 | 2011-07-05 | Asm Japan K.K. | Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD |
| US8142862B2 (en) | 2009-01-21 | 2012-03-27 | Asm Japan K.K. | Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD |
| US8680650B2 (en) | 2009-02-03 | 2014-03-25 | Micron Technology, Inc. | Capacitor structures having improved area efficiency |
| CN102308380B (zh) | 2009-02-04 | 2014-06-04 | 马特森技术有限公司 | 用于径向调整衬底的表面上的温度轮廓的静电夹具系统及方法 |
| US8307472B1 (en) | 2009-02-04 | 2012-11-13 | Thomas Jason Saxon | Light emitting diode system |
| US8287648B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
| KR20110120290A (ko) | 2009-02-16 | 2011-11-03 | 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 | 가스 배리어성 적층 필름의 제조 방법 |
| JP5221421B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 |
| US8703624B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric films comprising silicon and methods for making same |
| US20120006489A1 (en) | 2009-03-26 | 2012-01-12 | Shogo Okita | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP5292160B2 (ja) | 2009-03-31 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス流路構造体及び基板処理装置 |
| US8284601B2 (en) | 2009-04-01 | 2012-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device comprising three-dimensional memory cell array |
| US8197915B2 (en) | 2009-04-01 | 2012-06-12 | Asm Japan K.K. | Method of depositing silicon oxide film by plasma enhanced atomic layer deposition at low temperature |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| JP5338443B2 (ja) | 2009-04-14 | 2013-11-13 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2010123877A2 (en) | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance |
| US8071452B2 (en) | 2009-04-27 | 2011-12-06 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides |
| JP5136574B2 (ja) | 2009-05-01 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US7842622B1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-30 | Asm Japan K.K. | Method of forming highly conformal amorphous carbon layer |
| US8004198B2 (en) | 2009-05-28 | 2011-08-23 | Osram Sylvania Inc. | Resetting an electronic ballast in the event of fault |
| US20100317198A1 (en) | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Novellus Systems, Inc. | Remote plasma processing of interface surfaces |
| USD652896S1 (en) | 2009-06-17 | 2012-01-24 | Neoperl Gmbh | Faucet stream former |
| US7825040B1 (en) | 2009-06-22 | 2010-11-02 | Asm Japan K.K. | Method for depositing flowable material using alkoxysilane or aminosilane precursor |
| US20110006406A1 (en) | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Imec | Fabrication of porogen residues free and mechanically robust low-k materials |
| KR101110080B1 (ko) | 2009-07-08 | 2012-03-13 | 주식회사 유진테크 | 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법 |
| JP2011023718A (ja) | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Asm Japan Kk | ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法 |
| CN102470637B (zh) | 2009-07-17 | 2016-04-06 | 三井化学株式会社 | 层合体及其制造方法 |
| US8071451B2 (en) | 2009-07-29 | 2011-12-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of doping semiconductors |
| US8741788B2 (en) | 2009-08-06 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
| US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
| US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| KR101031226B1 (ko) | 2009-08-21 | 2011-04-29 | 에이피시스템 주식회사 | 급속열처리 장치의 히터블록 |
| USD634719S1 (en) | 2009-08-27 | 2011-03-22 | Ebara Corporation | Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus |
| KR20120090996A (ko) | 2009-08-27 | 2012-08-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법 |
| WO2011026064A1 (en) | 2009-08-31 | 2011-03-03 | The Penn State Research Foundation | Improved plasma enhanced atomic layer deposition process |
| JP5457109B2 (ja) | 2009-09-02 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US9076634B2 (en) | 2009-09-10 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus |
| US20110061810A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
| EP2306497B1 (en) | 2009-10-02 | 2012-06-06 | Imec | Method for manufacturing a low defect interface between a dielectric and a III/V compound |
| US8415259B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-04-09 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by modified PEALD method |
| US8173554B2 (en) | 2009-10-14 | 2012-05-08 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film having Si-N bonds by modified peald method |
| US8465791B2 (en) | 2009-10-16 | 2013-06-18 | Msp Corporation | Method for counting particles in a gas |
| US20110097901A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly |
| JP5451324B2 (ja) | 2009-11-10 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US8854734B2 (en) | 2009-11-12 | 2014-10-07 | Vela Technologies, Inc. | Integrating optical system and methods |
| US8367528B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Cyclical epitaxial deposition and etch |
| EP2336824A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-06-22 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Methods of forming electronic devices |
| KR20110055912A (ko) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
| AU329418S (en) | 2009-11-23 | 2010-01-29 | Pusher tool | |
| US20110139748A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
| US8328494B2 (en) | 2009-12-15 | 2012-12-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In vacuum optical wafer heater for cryogenic processing |
| US20110159202A1 (en) | 2009-12-29 | 2011-06-30 | Asm Japan K.K. | Method for Sealing Pores at Surface of Dielectric Layer by UV Light-Assisted CVD |
| USD653734S1 (en) | 2010-01-08 | 2012-02-07 | Bulk Tank, Inc. | Screened gasket |
| US20110183269A1 (en) | 2010-01-25 | 2011-07-28 | Hongbin Zhu | Methods Of Forming Patterns, And Methods For Trimming Photoresist Features |
| US8480942B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-07-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of forming a patterned layer of a material on a substrate |
| KR101259862B1 (ko) | 2010-02-05 | 2013-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 보유지지구 및 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치 |
| KR101080604B1 (ko) | 2010-02-09 | 2011-11-04 | 성균관대학교산학협력단 | 원자층 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법 |
| US8293658B2 (en) | 2010-02-17 | 2012-10-23 | Asm America, Inc. | Reactive site deactivation against vapor deposition |
| US8241991B2 (en) | 2010-03-05 | 2012-08-14 | Asm Japan K.K. | Method for forming interconnect structure having airgap |
| FR2957716B1 (fr) | 2010-03-18 | 2012-10-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de finition d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant |
| US8709551B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-04-29 | Novellus Systems, Inc. | Smooth silicon-containing films |
| EP2378543B1 (en) | 2010-04-14 | 2015-05-20 | ASM Genitech Korea Ltd. | Method of forming semiconductor patterns |
| US8956983B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-02-17 | Novellus Systems, Inc. | Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition |
| US8728956B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal film deposition |
| CZ303655B6 (cs) | 2010-04-16 | 2013-01-30 | Skutchanová@Zuzana | Zpusob výroby brousicího povrchu skleneného kosmetického prípravku |
| US8707754B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for calibrating flow controllers in substrate processing systems |
| US20110265951A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Twin chamber processing system |
| US8721798B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Methods for processing substrates in process systems having shared resources |
| US20110294075A1 (en) | 2010-05-25 | 2011-12-01 | United Microelectronics Corp. | Patterning method |
| US8912353B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-12-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| JP5525339B2 (ja) | 2010-06-10 | 2014-06-18 | ナブテスコ株式会社 | ロボットアーム |
| US8669185B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-03-11 | Asm Japan K.K. | Method of tailoring conformality of Si-containing film |
| US9443753B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
| US9449858B2 (en) | 2010-08-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber |
| US8357608B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-01-22 | International Business Machines Corporation | Multi component dielectric layer |
| US8685845B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-04-01 | International Business Machines Corporation | Epitaxial growth of silicon doped with carbon and phosphorus using hydrogen carrier gas |
| US8945305B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of selectively forming a material using parylene coating |
| EP2426233B1 (en) | 2010-09-03 | 2013-05-01 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of dialkyl monoalkoxy aluminum for the growth of Al2O3 thin films for photovoltaic applications |
| US8394466B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-03-12 | Asm Japan K.K. | Method of forming conformal film having si-N bonds on high-aspect ratio pattern |
| US8192901B2 (en) | 2010-10-21 | 2012-06-05 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate-holding tool |
| USD654884S1 (en) | 2010-10-21 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Top plate for reactor for manufacturing semiconductor |
| US8845806B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-09-30 | Asm Japan K.K. | Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions |
| JP2013542613A (ja) | 2010-10-27 | 2013-11-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトレジスト線幅の荒れを制御するための方法及び装置 |
| WO2012061593A2 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films |
| CN103201408A (zh) | 2010-11-05 | 2013-07-10 | 思诺斯技术公司 | 具有多个等离子体室的游离基反应器 |
| US8470187B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-06-25 | Asm Japan K.K. | Method of depositing film with tailored comformality |
| US20120121823A1 (en) | 2010-11-12 | 2012-05-17 | Applied Materials, Inc. | Process for lowering adhesion layer thickness and improving damage resistance for thin ultra low-k dielectric film |
| KR101866622B1 (ko) | 2010-12-20 | 2018-06-11 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
| JP5735304B2 (ja) | 2010-12-21 | 2015-06-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法およびガス供給管 |
| US8314034B2 (en) | 2010-12-23 | 2012-11-20 | Intel Corporation | Feature size reduction |
| JP2012138500A (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Tokyo Electron Ltd | タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置 |
| JP5675331B2 (ja) | 2010-12-27 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | トレンチの埋め込み方法 |
| US8901016B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-12-02 | Asm Japan K.K. | Method of forming metal oxide hardmask |
| JP5573666B2 (ja) | 2010-12-28 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び成膜装置 |
| FR2970110B1 (fr) | 2010-12-29 | 2013-09-06 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de fabrication d'une couche de dielectrique polycristalline |
| TWI553146B (zh) * | 2010-12-30 | 2016-10-11 | 應用材料股份有限公司 | 使用微波電漿之薄膜沉積 |
| JP5609663B2 (ja) | 2011-01-18 | 2014-10-22 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板保持手段、およびそれを用いたｅｕｖマスクブランクスの製造方法 |
| US8465811B2 (en) | 2011-01-28 | 2013-06-18 | Asm Japan K.K. | Method of depositing film by atomic layer deposition with pulse-time-modulated plasma |
| US20120263876A1 (en) | 2011-02-14 | 2012-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of silicon dioxide on hydrophobic surfaces |
| US8329599B2 (en) | 2011-02-18 | 2012-12-11 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
| US8563443B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-10-22 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
| CN202259160U (zh) | 2011-02-21 | 2012-05-30 | 盛陶盟(香港)有限公司 | 陶瓷玻璃合成电极及其荧光灯 |
| US8466411B2 (en) | 2011-03-03 | 2013-06-18 | Asm Japan K.K. | Calibration method of UV sensor for UV curing |
| CN102655086B (zh) | 2011-03-03 | 2015-07-01 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| JP5820731B2 (ja) | 2011-03-22 | 2015-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および固体原料補充方法 |
| JP5203482B2 (ja) | 2011-03-28 | 2013-06-05 | 株式会社小松製作所 | 加熱装置 |
| US20140020619A1 (en) | 2011-03-31 | 2014-01-23 | Benjamin Vincent | Method for Growing a Monocrystalline Tin-Containing Semiconductor Material |
| US8900402B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources |
| US8298951B1 (en) | 2011-04-13 | 2012-10-30 | Asm Japan K.K. | Footing reduction using etch-selective layer |
| JPWO2012141067A1 (ja) | 2011-04-15 | 2014-07-28 | タツモ株式会社 | ウエハ交換装置およびウエハ支持用ハンド |
| US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
| US8492170B2 (en) | 2011-04-25 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | UV assisted silylation for recovery and pore sealing of damaged low K films |
| US8592005B2 (en) | 2011-04-26 | 2013-11-26 | Asm Japan K.K. | Atomic layer deposition for controlling vertical film growth |
| USD655055S1 (en) | 2011-04-28 | 2012-02-28 | Carolyn Grace Toll | Pet outfit |
| US8809170B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-08-19 | Asm America Inc. | High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process |
| US20120304935A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Oosterlaken Theodorus G M | Bubbler assembly and method for vapor flow control |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US8927318B2 (en) | 2011-06-14 | 2015-01-06 | International Business Machines Corporation | Spalling methods to form multi-junction photovoltaic structure |
| US9175392B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | System for multi-region processing |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US8962400B2 (en) | 2011-07-07 | 2015-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | In-situ doping of arsenic for source and drain epitaxy |
| US20130014697A1 (en) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Asm Japan K.K. | Container Having Multiple Compartments Containing Liquid Material for Multiple Wafer-Processing Chambers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| JP5940342B2 (ja) | 2011-07-15 | 2016-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法、ならびに記憶媒体 |
| US8617411B2 (en) | 2011-07-20 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for atomic layer etching |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US8778448B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-07-15 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys |
| US8551892B2 (en) | 2011-07-27 | 2013-10-08 | Asm Japan K.K. | Method for reducing dielectric constant of film using direct plasma of hydrogen |
| US20130048606A1 (en) | 2011-08-31 | 2013-02-28 | Zhigang Mao | Methods for in-situ chamber dry clean in photomask plasma etching processing chamber |
| US20130217240A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable silicon-carbon-nitrogen layers for semiconductor processing |
| US20130217243A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Doping of dielectric layers |
| US20130217239A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable silicon-and-carbon-containing layers for semiconductor processing |
| US20130064973A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chamber Conditioning Method |
| US20130217241A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Treatments for decreasing etch rates after flowable deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing layers |
| US20130068970A1 (en) | 2011-09-21 | 2013-03-21 | Asm Japan K.K. | UV Irradiation Apparatus Having UV Lamp-Shared Multiple Process Stations |
| JP5549655B2 (ja) | 2011-09-26 | 2014-07-16 | 株式会社安川電機 | ハンドおよびロボット |
| US8993072B2 (en) | 2011-09-27 | 2015-03-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| US9644796B2 (en) | 2011-09-29 | 2017-05-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for in-situ calibration of a flow controller |
| US8569184B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-10-29 | Asm Japan K.K. | Method for forming single-phase multi-element film by PEALD |
| US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
| US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| TWI606136B (zh) | 2011-11-04 | 2017-11-21 | Ａｓｍ國際股份有限公司 | 沉積摻雜氧化矽的方法以及用於沉積摻雜氧化矽至基板上的原子層沉積製程 |
| US8927059B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition of metal films using alane-based precursors |
| US20130122712A1 (en) | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Jong Mun Kim | Method of etching high aspect ratio features in a dielectric layer |
| US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
| US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
| US10276410B2 (en) | 2011-11-25 | 2019-04-30 | Nhk Spring Co., Ltd. | Substrate support device |
| US8633115B2 (en) | 2011-11-30 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Methods for atomic layer etching |
| USD691974S1 (en) | 2011-12-22 | 2013-10-22 | Tokyo Electron Limited | Holding pad for transferring a wafer |
| KR101650416B1 (ko) | 2011-12-23 | 2016-08-23 | 인텔 코포레이션 | 비평면 게이트 올어라운드 장치 및 그의 제조 방법 |
| US8883028B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems |
| USD676943S1 (en) | 2012-01-11 | 2013-02-26 | Bill Kluss | Pipe end cap |
| US20130183814A1 (en) | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a silicon germanium tin layer on a substrate |
| USD665055S1 (en) | 2012-01-24 | 2012-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| JP5601331B2 (ja) | 2012-01-26 | 2014-10-08 | 株式会社安川電機 | ロボットハンドおよびロボット |
| US8728955B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface |
| JP5912637B2 (ja) | 2012-02-17 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20130224964A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for Forming Dielectric Film Containing Si-C bonds by Atomic Layer Deposition Using Precursor Containing Si-C-Si bond |
| US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
| US10319862B2 (en) | 2012-03-09 | 2019-06-11 | Versum Materials Us, Llc | Barrier materials for display devices |
| US8912101B2 (en) | 2012-03-15 | 2014-12-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD |
| USD715410S1 (en) | 2012-03-21 | 2014-10-14 | Blucher Metal A/S | Roof drain |
| US9082684B2 (en) | 2012-04-02 | 2015-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method of epitaxial doped germanium tin alloy formation |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9460912B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films |
| US8535767B1 (en) | 2012-04-18 | 2013-09-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for repairing damage of dielectric film by hydrocarbon restoration and hydrocarbon depletion using UV irradiation |
| US8647439B2 (en) | 2012-04-26 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method of epitaxial germanium tin alloy surface preparation |
| US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
| US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
| US8785215B2 (en) | 2012-05-31 | 2014-07-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for repairing damage of dielectric film by cyclic processes |
| US9337018B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
| US20130330911A1 (en) | 2012-06-08 | 2013-12-12 | Yi-Chiau Huang | Method of semiconductor film stabilization |
| US8722546B2 (en) | 2012-06-11 | 2014-05-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon-containing dielectric film by cyclic deposition with side wall coverage control |
| US9984866B2 (en) | 2012-06-12 | 2018-05-29 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Multiple zone heater |
| US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
| US9023737B2 (en) | 2012-07-11 | 2015-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal, homogeneous dielectric film by cyclic deposition and heat treatment |
| US8784950B2 (en) | 2012-07-16 | 2014-07-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum oxide film using Al compound containing alkyl group and alkoxy or alkylamine group |
| KR20150036114A (ko) | 2012-07-20 | 2015-04-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | Ald/cvd 규소-함유 필름 애플리케이션을 위한 유기실란 전구체 |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
| US8664627B1 (en) | 2012-08-08 | 2014-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for supplying gas with flow rate gradient over substrate |
| US8912070B2 (en) | 2012-08-16 | 2014-12-16 | The Institute of Microelectronics Chinese Academy of Science | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US8742668B2 (en) | 2012-09-05 | 2014-06-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for stabilizing plasma ignition |
| KR102296150B1 (ko) | 2012-09-07 | 2021-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 멀티-챔버 진공 시스템 확인 내에서의 다공성 유전체, 폴리머-코팅된 기판들 및 에폭시의 통합 프로세싱 |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US20140077240A1 (en) | 2012-09-17 | 2014-03-20 | Radek Roucka | Iv material photonic device on dbr |
| US8921207B2 (en) | 2012-09-24 | 2014-12-30 | Asm Ip Holding B.V., Inc. | Tin precursors for vapor deposition and deposition processes |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| JP6042160B2 (ja) | 2012-10-03 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US20140099798A1 (en) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Asm Ip Holding B.V. | UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same |
| US9353441B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| JP2014086472A (ja) | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Sinfonia Technology Co Ltd | クランプ装置及びワーク搬送ロボット |
| US20140116335A1 (en) | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | UV Irradiation Apparatus with Cleaning Mechanism and Method for Cleaning UV Irradiation Apparatus |
| JP5960028B2 (ja) | 2012-10-31 | 2016-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US9105587B2 (en) | 2012-11-08 | 2015-08-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor structures with sulfur dioxide etch chemistries |
| US8784951B2 (en) | 2012-11-16 | 2014-07-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming insulation film using non-halide precursor having four or more silicons |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20140182053A1 (en) | 2012-12-29 | 2014-07-03 | Alexander Yeh Industry Co., Ltd. | Pullable drain plug |
| US9018093B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming layer constituted by repeated stacked layers |
| US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
| KR20140102782A (ko) | 2013-02-14 | 2014-08-25 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이송용 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치 |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| USD723153S1 (en) | 2013-03-08 | 2015-02-24 | Olen Borkholder | Recess ceiling fan bezel |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US9666702B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-30 | Matthew H. Kim | Advanced heterojunction devices and methods of manufacturing advanced heterojunction devices |
| JP6096547B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びシャワープレート |
| USD734377S1 (en) | 2013-03-28 | 2015-07-14 | Hirata Corporation | Top cover of a load lock chamber |
| US8864202B1 (en) | 2013-04-12 | 2014-10-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Spring retained end effector contact pad |
| US9142393B2 (en) | 2013-05-23 | 2015-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process |
| US9365924B2 (en) | 2013-05-23 | 2016-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film by plasma-assisted deposition using two-frequency combined pulsed RF power |
| USD726365S1 (en) | 2013-05-29 | 2015-04-07 | Sis Resources Ltd. | Mouthpiece plug for electronic cigarette |
| US9117657B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for filling recesses using pre-treatment with hydrocarbon-containing gas |
| US9245740B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-01-26 | Dnf Co., Ltd. | Amino-silyl amine compound, method for preparing the same and silicon-containing thin-film using the same |
| US9123510B2 (en) | 2013-06-12 | 2015-09-01 | ASM IP Holding, B.V. | Method for controlling in-plane uniformity of substrate processed by plasma-assisted process |
| US20140367043A1 (en) | 2013-06-17 | 2014-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method for fast and repeatable plasma ignition and tuning in plasma chambers |
| KR102298038B1 (ko) | 2013-06-26 | 2021-09-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 합금 막을 증착하는 방법들 |
| US9677176B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| JP5861676B2 (ja) | 2013-07-08 | 2016-02-16 | 株式会社安川電機 | 吸着構造、ロボットハンドおよびロボット |
| USD705745S1 (en) | 2013-07-08 | 2014-05-27 | Witricity Corporation | Printed resonator coil |
| US8940646B1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-27 | Lam Research Corporation | Sequential precursor dosing in an ALD multi-station/batch reactor |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
| US9190263B2 (en) | 2013-08-22 | 2015-11-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming SiOCH film using organoaminosilane annealing |
| US9136108B2 (en) | 2013-09-04 | 2015-09-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for restoring porous surface of dielectric layer by UV light-assisted ALD |
| USD724553S1 (en) | 2013-09-13 | 2015-03-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus |
| USD716742S1 (en) | 2013-09-13 | 2014-11-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus |
| US10312127B2 (en) | 2013-09-16 | 2019-06-04 | Applied Materials, Inc. | Compliant robot blade for defect reduction |
| WO2015048303A1 (en) | 2013-09-26 | 2015-04-02 | Applied Materials, Inc | Pneumatic end effector apparatus, substrate transportation systems, and methods for transporting substrates |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9029272B1 (en) | 2013-10-31 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treating SiOCH film with hydrogen plasma |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| USD739222S1 (en) | 2013-11-13 | 2015-09-22 | Jeff Chadbourne | Two-piece magnetic clamp |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US10431489B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation |
| US9698035B2 (en) | 2013-12-23 | 2017-07-04 | Lam Research Corporation | Microstructures for improved wafer handling |
| USD732145S1 (en) | 2014-02-04 | 2015-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD726884S1 (en) | 2014-02-04 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Heater block |
| US9370863B2 (en) | 2014-02-04 | 2016-06-21 | Asm Ip Holding B.V. | Anti-slip end-effector for transporting workpiece |
| USD732644S1 (en) | 2014-02-04 | 2015-06-23 | Asm Ip Holding B.V. | Top plate |
| USD720838S1 (en) | 2014-02-04 | 2015-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD725168S1 (en) | 2014-02-04 | 2015-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Heater block |
| USD724701S1 (en) | 2014-02-04 | 2015-03-17 | ASM IP Holding, B.V. | Shower plate |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US20150267295A1 (en) | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Asm Ip Holding B.V. | Removable substrate tray and assembly and reactor including same |
| US9343350B2 (en) | 2014-04-03 | 2016-05-17 | Asm Ip Holding B.V. | Anti-slip end effector for transporting workpiece using van der waals force |
| US9663857B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for stabilizing reaction chamber pressure |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US9464352B2 (en) | 2014-05-02 | 2016-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Low-oxidation plasma-assisted process |
| TWI518751B (zh) | 2014-05-14 | 2016-01-21 | 國立清華大學 | 成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法 |
| USD743513S1 (en) | 2014-06-13 | 2015-11-17 | Asm Ip Holding B.V. | Seal ring |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
-
2014
- 2014-03-18 US US14/218,374 patent/US9447498B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-12 TW TW104107876A patent/TWI670390B/zh active
- 2015-03-16 JP JP2015052198A patent/JP6516517B2/ja active Active
- 2015-03-17 KR KR1020150036819A patent/KR102362025B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296613A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Nec Corp | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法 |
| JP2002110570A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置用ガスラインシステム |
| JP2010538498A (ja) * | 2007-09-05 | 2010-12-09 | インターモレキュラー，インク． | 蒸気に基づく組合せ処理 |
| JP2012164736A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014033203A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Asm Ip Holding Bv | 複数のリアクタの並列シフト動作方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190094366A (ko) * | 2016-12-15 | 2019-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 구조물을 형성하는 방법 |
| JP2020516047A (ja) * | 2016-12-15 | 2020-05-28 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 基材上に構造を形成する方法 |
| JP7048611B2 (ja) | 2016-12-15 | 2022-04-05 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 基材上に構造を形成する方法 |
| KR102543288B1 (ko) * | 2016-12-15 | 2023-06-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 구조물을 형성하는 방법 |
| JP2019029524A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP2020038904A (ja) * | 2018-09-04 | 2020-03-12 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2021100093A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
| JP7412257B2 (ja) | 2019-12-20 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI670390B (zh) | 2019-09-01 |
| TW201546323A (zh) | 2015-12-16 |
| KR20150108781A (ko) | 2015-09-30 |
| KR102362025B1 (ko) | 2022-02-10 |
| JP6516517B2 (ja) | 2019-05-22 |
| US9447498B2 (en) | 2016-09-20 |
| US20150267297A1 (en) | 2015-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6516517B2 (ja) | 複数の反応チャンバを共有するガスシステムで均一な処理を行う方法 | |
| CN106591801B (zh) | 利用peald在凹槽中沉积介电膜的方法 | |
| TWI597382B (zh) | 多個反應器平行轉換操作的方法 | |
| JP6448502B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
| KR102423113B1 (ko) | 기상 화합물의 인시츄 형성을 위한 방법 및 시스템 | |
| JP7282130B2 (ja) | マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のｒｆ活性化方法 | |
| JP2015061075A (ja) | プラズマアシストプロセスにより酸化膜を生成する方法 | |
| US20100266765A1 (en) | Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate | |
| KR102339755B1 (ko) | Cvd-반응기에서의 배기 가스 정화를 위한 장치 및 방법 | |
| TWI737630B (zh) | 原子層沉積用之動態前驅物注入 | |
| CN104916569A (zh) | 立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法 | |
| JP6319171B2 (ja) | 成膜装置 | |
| US20170301539A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| KR101799190B1 (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
| JP2006257554A (ja) | 薄膜蒸着方法 | |
| JP2005197376A (ja) | 成膜装置と成膜方法 | |
| JP2023535548A (ja) | バブラを用いた濃度制御 | |
| KR20190101289A (ko) | 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 | |
| US9920425B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
| US20220349051A1 (en) | Reactor systems and methods for cleaning reactor systems | |
| KR20220098816A (ko) | 배면 보우 보상 증착의 스테이션-대-스테이션 (station-to-station) 제어 | |
| JP2008506617A5 (ja) | ||
| KR102656744B1 (ko) | 배면 보우 보상 증착의 스테이션-대-스테이션 (station-to-station) 제어 | |
| US20230212747A1 (en) | Apparatus and Methods for Self-Assembled Monolayer (SAM) Deposition in Semiconductor Equipment | |
| KR20210138508A (ko) | 바나듐 화합물들의 전달을 위한 방법들 및 시스템들 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190329 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190409 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190416 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6516517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |