JP4725085B2 - 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法 - Google Patents

非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法

Info

Publication number
JP4725085B2
JP4725085B2 JP2004340860A JP2004340860A JP4725085B2 JP 4725085 B2 JP4725085 B2 JP 4725085B2 JP 2004340860 A JP2004340860 A JP 2004340860A JP 2004340860 A JP2004340860 A JP 2004340860A JP 4725085 B2 JP4725085 B2 JP 4725085B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amorphous carbon
film
gas
carbon film
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2004340860A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005187318A (ja
Inventor
和之 中西
正 大島
英雄 長谷川
広行 森
崇 伊関
英男 太刀川
宗久 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Toyota Central R&D Labs Inc
Priority to JP2004340860A priority Critical patent/JP4725085B2/ja
Priority to US11/002,125 priority patent/US7455824B2/en
Publication of JP2005187318A publication Critical patent/JP2005187318A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4725085B2 publication Critical patent/JP4725085B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

本発明は、非晶質炭素、その非晶質炭素を被膜として用いた非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜を成膜する方法に関する。
炭素は、埋設量がほぼ無限であり、かつ無害であることから資源問題および環境問題の面からも極めて優れた材料である。炭素材料は、原子間の結合形態が多様で、ダイヤモンドやダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブなど、様々な結晶構造が知られている。中でも、非晶質構造を有するダイヤモンドライクカーボン（非晶質炭素）は、耐摩耗性、固体潤滑性などの機械的特性に優れ、絶縁性、可視光／赤外光透過率、低誘電率、酸素バリア性などを合わせ持つ機能性材料として注目されており、各産業分野への応用が期待されている。
非晶質炭素は、その特性を向上させるために、これまで、様々な組成の非晶質炭素や非晶質炭素膜の成膜方法が研究されている。たとえば、特許文献１では、炭素を主成分とし３０ａｔ％以下の珪素を含む非晶質炭素膜と、その製造方法が開示されている。特許文献１の非晶質炭素膜は、ビッカース硬さがＨｖ４５００以上の高い硬度をもつ硬質膜で、優れた耐摩耗性を示す。
特開平６−１０１０４７号公報
ところで、非晶質炭素膜の絶縁性や耐食性などをもつ保護膜としての耐久性や機能を向上させるためには、ある程度の膜厚の非晶質炭素膜が必要とされる。しかしながら、特許文献１に開示されているような高硬度の非晶質炭素膜は、通常、その弾性率も高い。そのため、非晶質炭素膜の膜厚を厚くすると、膜の内部応力が高くなり、膜の剥離や破損が生じるという問題があるので、厚くても３μｍ程度が限度である。特に、弾性率の低い基材に硬質の非晶質炭素を成膜した場合には、基材の変形に膜が追従できず、膜の剥離や破損の発生が顕著である。
つまり、低弾性率を有する軟質な非晶質炭素であれば、耐久性を保持できる程度の厚さで非晶質炭素膜を基材に成膜しても、基材との密着性を確保できることが判明した。
したがって、本発明は、低弾性率を有する軟質な非晶質炭素、また、その非晶質炭素を被膜した非晶質炭素被膜部材、および、非晶質炭素膜の成膜方法を提供することを目的とする。
本発明は、プラズマＣＶＤ法によって導電性の基材の表面の少なくとも一部に形成される非晶質炭素であって、
成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に前記基材が互いに対向する状態で複数の該基材を配置すると共に、隣接する２個の該基材の負グローが互いに重なるように、水素含有量が６０ａｔ％以上である処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して得られ、
炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、該炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合にｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が１０ａｔ％以上８５ａｔ％以下であり、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａでビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００であることを特徴とする。
本発明の非晶質炭素は、前記炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合に、ｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が２０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることが好ましい。また、全体を１００ａｔ％とした場合に、珪素を５０ａｔ％以下含むのが好ましい。
本発明の非晶質炭素被膜部材は、導電性の基材と、プラズマＣＶＤ法によって該基材の表面の少なくとも一部に形成された被膜と、からなり、
成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に前記基材が互いに対向する状態で複数の該基材を配置すると共に、隣接する２個の該基材の負グローが互いに重なるように、水素含有量が６０ａｔ％以上である処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して得られ、
前記被膜は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、該炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合にｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が１０ａｔ％以上８５ａｔ％以下であり、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａでビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００である非晶質炭素からなることを特徴とする。
前記被膜は、膜厚が０．１〜２００μｍであるのが好ましい。さらに、前記非晶質炭素は、全体を１００ａｔ％とした場合に、珪素を５０ａｔ％以下含むのが好ましい。また、前記炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合に、ｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が２０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることが好ましい。
本発明の非晶質炭素膜の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法によって導電性の基材の表面の少なくとも一部に、炭素を主成分とし水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含む非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の成膜方法であって、
成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に前記基材が互いに対向する状態で複数の該基材を配置すると共に、隣接する２個の該基材の負グローが互いに重なるように、水素含有量が６０ａｔ％以上である処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して行うことを特徴とする。
前記負グローの重なった部分のプラズマ発光強度は、重ならない部分のプラズマ発光強度の７倍以上であることが望ましい。そして、負グローが互いに重なるように、前記基材の表面から前記負グローまでのシース幅は、隣接する２個の前記基材の対向面間の間隔の４分の１以上で隣接する２個の前記基材の対向面間の間隔以下とするのが望ましい。また、前記処理ガス圧力の範囲は１３〜１３３０Ｐａとし、隣接する２個の前記基材の対向面間の間隔は２〜６０ｍｍであるのが望ましい。
隣接する２個の前記基材の一方は、導電性で表裏面を貫通する複数の通孔をもつ部材から構成してもよい。この際、前記複数の通孔をもつ部材において、前記通孔は内部で負グローが重なり合う大きさが望ましい。また、前記複数の通孔をもつ部材は、金網を用いることができる。
前記処理ガスは、炭化水素ガスからなる、または、炭化水素ガスと、水素ガスおよび希ガスのうちのいずれか一種以上を含む希釈ガスと、の混合ガスからなるのが望ましい。また、前記処理ガスは、炭化水素ガスならびに少なくとも珪素を含む有機金属含有ガスおよびハロゲン化合物のうちのいずれか１種以上を含む原料ガスからなる、または、該原料ガスと、水素ガスおよび希ガスのうちのいずれか一種以上を含む希釈ガスと、の混合ガスからなるのが望ましい。この際、前記有機金属含有ガスは、テトラメチルシランおよびシランであるのが望ましい。また、前記ハロゲン化合物は、四塩化シリコンであるのが望ましい。
本発明の非晶質炭素は、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、有機成分のＣ−Ｈ結合を多く含む非晶質炭素であり、低い弾性率（弾性率が４０〜１５０ＧＰａ）を有し、軟質である。
本発明の非晶質炭素被膜部材は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含む非晶質炭素からなり、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａである軟質な被膜を有する。そのため、非晶質炭素被膜部材が変形しても、その変形に追従して被膜も変形し易いため、被膜に内部応力が発生して破壊されることが低減される。
さらに、被膜のビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００であると、被膜が基材から剥離することや破損を低減できると共に、被膜を固定した面を摺動面とする場合に、相手材の損傷を防ぐことができる。
また、本発明の非晶質炭素被膜部材は、被膜の膜厚を０．１〜２００μｍとしてもよい。本発明の非晶質炭素被膜部材において、非晶質炭素からなる被膜は、弾性率が低い、もしくは弾性率および硬度が低いので、通常以上に厚く成膜しても、被膜の剥離や破損が少ない。
本発明の非晶質炭素膜の成膜方法は、隣接する２個の基材の負グローが互いに重なるように処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して成膜処理を行うことにより、負グローの重なり部分に低電圧で高電流密度の放電が発生する。低電圧で高電流密度の放電においては、成膜中のイオンからの衝撃による膜の損傷が少なくなるため、軟質で欠陥の少ない非晶質炭素膜が得られる。
以下に、本発明の非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法の実施の形態を説明する。
［非晶質炭素］
本発明の非晶質炭素は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａであることを特徴とする。本発明の非晶質炭素には、一般的な非晶質炭素よりも多くの水素が含まれる。水素量が多い非晶質炭素は、有機成分であるＣ−Ｈ結合を多く含むため、弾性率が４０〜１５０ＧＰａの低い弾性率を示す軟質な非晶質炭素である。水素量が少ないと非晶質炭素の柔軟性が損なわれ、また、水素量が多すぎると非晶質炭素の合成が困難となる。本発明の非晶質炭素の好ましい水素量は、３５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
また、主成分の炭素には、化学結合における原子軌道の違いにより、ｓｐ2混成軌道を持つ炭素（Ｃｓｐ2）、ｓｐ3混成軌道を持つ炭素（Ｃｓｐ3）がある。本明細書では、ｓｐ2混成軌道を作って結合する炭素を、「ｓｐ2混成軌道を持つ炭素」または「Ｃｓｐ2」と称す。同様に、ｓｐ3混成軌道を作って結合する炭素を、「ｓｐ3混成軌道を持つ炭素」または「Ｃｓｐ3」と称す。
一般的には、Ｃｓｐ2のみからなるグラファイトと、Ｃｓｐ3のみからなるダイヤモンドとが良く知られている。グラファイトは、隣接する炭素原子がｓｐ2混成軌道により同一平面内で三方向に共有結合して炭素六員環層を形成し、この炭素六員環層が積層してなる。グラファイトは、炭素六員環層内にＣｓｐ2による炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ結合）を持つ。一方、ダイヤモンドは、隣接する炭素原子がｓｐ3混成軌道により四方向（正四面体の中心から各頂点へ向かう方向）に共有結合し、これが三次元に連なった構造を持つ。ダイヤモンドは、Ｃｓｐ3による炭素−炭素結合（Ｃ−Ｃ結合）を持つ。
本発明者は、炭素を主成分とする非晶質炭素について鋭意研究を重ねた結果、非晶質炭素から形成された被膜の硬さ等は、全炭素におけるＣｓｐ2とＣｓｐ3との割合により変化するという知見を得た。例えば、Ｃｓｐ3の割合が多くなると、ｓｐ3混成軌道による立体的なネットワークにより、被膜は硬くなる。これにより、被膜の内部応力は大きくなり、膜厚を厚くした場合には被膜の剥離や破損が生じ易い。
これに対して、本発明の非晶質炭素には、水素が比較的多量に含まれる。このため、Ｃｓｐ3によるＣ−Ｃ結合は、水素原子（Ｈ）により分断、終端化され、Ｃ−Ｈ結合となる。その結果、本発明の非晶質炭素は、応力に対して変形し易くなり、低弾性率を示す。これより、本発明の非晶質炭素によれば、内部応力の小さな被膜を形成することができ、厚膜化が可能となる。また、Ｃｓｐ3によるＣ−Ｃ結合では、すべての電子が共有結合で拘束されている。このため、Ｃｓｐ3の割合が多くなると、本発明の非晶質炭素は、高い絶縁性を示す。なお、Ｃ−Ｈ結合による分子の終端化を定量することは難しい。よって、本明細書では、Ｃ−Ｈ結合による分子の終端化を、非晶質炭素の弾性率、硬さにより判断している。例えば、水素が多量に含まれていても、Ｃ−Ｈ結合による分子の終端化が生じず、水素原子がＣ−Ｈ結合を生じずに存在している場合には、非晶質炭素の弾性率、硬さは低下しない。
本発明の非晶質炭素におけるＣｓｐ3量は、例えば、全炭素量を１００ａｔ％とした場合の１０ａｔ％以上であることが好ましい。２０ａｔ％以上とするとより好適である。一方、硬さを小さくするという観点から、Ｃｓｐ3量を８５ａｔ％以下とすることが好ましい。５０ａｔ％以下とするとより好適である。なお、本発明の非晶質炭素を構成する炭素は、Ｃｓｐ2とＣｓｐ3との二種類であると考えられる。したがって、本発明の非晶質炭素の好適なＣｓｐ2量は、全炭素量を１００ａｔ％とした場合の１５ａｔ％以上９０ａｔ％以下となる。
Ｃｓｐ2、Ｃｓｐ3の定量法としては、例えば、ラマン散乱法、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）等が挙げられる。しかし、これらの方法では、Ｃｓｐ2、Ｃｓｐ3を正確に定量することはできない。したがって、本明細書では、Ｃｓｐ2、Ｃｓｐ3の定量法として、多くの有機材料の構造規定において最も定量性の高い核磁気共鳴法（ＮＭＲ）を採用する。Ｃｓｐ2量、Ｃｓｐ3量の測定には、固体ＮＭＲで定量性のあるマジックアングルスピニングを行う高出力デカップリング法（ＨＤ−ＭＡＳ）を用いた。具体的には、非晶質炭素膜の13Ｃ ＮＭＲスペクトルによりＣｓｐ2、Ｃｓｐ3に起因するピークを特定し、それぞれのピークとベースラインとにより囲まれる部分の面積比から、全炭素におけるＣｓｐ2、Ｃｓｐ3の割合を算出した。なお、Ｃ−Ｈ結合については、ＦＴ−ＩＲを用いて測定することができる。
また、本発明の非晶質炭素は、ビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００であるのが好ましく、さらに好ましくはＨｖ７００〜１２００である。水素量の多い非晶質炭素は、有機成分であるＣ−Ｈ結合を多く含むため、低い硬度を示す軟質な非晶質炭素である。
さらに、本発明の非晶質炭素は、全体を１００ａｔ％とした場合に、珪素を５０ａｔ％以下含むものでもよい。珪素を５０ａｔ％以下含む非晶質炭素は、金属基材の表面に非晶質炭素膜として成膜された場合に、優れた密着性を示す。ところが、珪素を多く含む非晶質炭素は、硬質な非晶質炭素となる。そのため、非晶質炭素の柔軟性を損なわずに金属基材との密着性を向上させたい場合は、珪素の含有量を３０ａｔ％以下とするとよい。また、高い密着性を確保するためには、珪素の含有量を３ａｔ％以上とするとよい。特に、５ａｔ％以上とすると好適である。
［非晶質炭素被膜部材］
本発明の非晶質炭素被膜部材は、導電性の基材と、その基材の表面の少なくとも一部に固定した被膜と、からなる。そして、被膜は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａである非晶質炭素からなる。なお、被膜は、前述した本発明の非晶質炭素からなる被膜である。
基材は、導電性をもつ導電性材料からなれば特に限定はない。また、基材の形状にも特に限定はない。但し、被膜の成膜時に昇温するため、低融点、高蒸気圧な元素を含まない組成が好ましい。例えば、基材は、鉄、アルミニウム、銅、チタン、マグネシウム、または、それらの合金などの金属材料からなるのが好ましい。
被膜は、基材の表面の少なくとも一部に固定される。被膜は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａである非晶質炭素からなる、低弾性率で軟質の被膜である。被膜が４０〜１５０ＧＰａの低弾性率であると、基材に弾性変形や熱膨張収縮などが発生しても、基材の変形に追従して被膜も変形しやすい。そのため、被膜に内部応力が発生して破壊され、被膜が破損したり基材から剥離することが低減される。特に、軟質な基材に非晶質炭素膜の被膜を固定した場合には、効果的に被膜の剥離や破損の発生を防止できる。
上述したように、被膜中のＣｓｐ3量は、全炭素量を１００ａｔ％とした場合の１０ａｔ％以上であることが好ましい。２０ａｔ％以上とするとより好適である。一方、硬さを小さくするという観点から、Ｃｓｐ3量を８５ａｔ％以下とすることが好ましい。５０ａｔ％以下とするとより好適である。
被膜は、ビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００であるのが好ましい。ビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００で低硬度であると、基材に弾性変形や熱膨張収縮などが発生しても、基材の変形に追従して被膜も変形しやすい。そのため、被膜に内部応力が発生して破壊され、被膜が破損したり基材から剥離することが低減される。さらに、被膜を固定した面を摺動面とする場合には、相手材の損傷を低減することができる。
本発明の非晶質炭素被膜部材において、被膜の弾性率は４０〜１５０ＧＰａであるが、より好ましくは６０〜１２０ＧＰａである。また、被膜のビッカース硬さはＨｖ４００〜１５００であるのが好ましく、より好ましくはＨｖ７００〜１２００である。被膜の弾性率や硬度が高すぎると、上記の被膜の特性が低くなる。また、被膜の弾性率や硬度が低すぎると、負荷に対する強度や耐摩耗性などの特性が低下するので好ましくない。
また、非晶質炭素被膜部材に衝撃力が加わっても、被膜が軟質であると被膜が変形し易く、被膜が変形することにより衝撃を受ける面積が増加し、面圧が低下する。その結果、非晶質炭素被膜部材が受ける最大衝撃力が小さくなり、非晶質炭素被膜部材が破壊されることが低減される。すなわち、本発明の非晶質炭素被膜部材は、優れた耐衝撃性を有する被膜部材である。
また、被膜は、膜厚が０．１〜２００μｍであるのが好ましい。特に、膜厚が１〜１００μｍの厚膜な被膜は、耐久性や保護膜としての機能に優れる。本発明の非晶質炭素被膜部材において、被膜は軟質であるので、厚膜の被膜であっても被膜が破損したり剥離することが少ない。
さらに、非晶質炭素は、体積抵抗率が１０8 〜１０12Ω・ｃｍ、また、強酸・強アルカリに対して安定である、という性質を有する。そのため、本発明の非晶質炭素被膜部材は、絶縁性や耐食性を有する被膜部材である。特に、被膜の欠陥面積率が１０-4以下であるのが好ましく、この場合、優れた絶縁性や耐食性を有する被膜部材となる。なお、本発明の非晶質炭素被膜部材において、本発明の非晶質炭素からなる被膜が低い欠陥面積率をもつ理由は、［非晶質炭素膜の成膜方法］の欄で後述する。本発明の非晶質炭素被膜部材を絶縁性被膜部材として用いる場合は、基材の体積抵抗率が１０8 Ω・ｃｍ以下であるのが好ましい。
さらに、非晶質炭素の被膜は、全体を１００ａｔ％とした場合に、珪素を５０ａｔ％以下含むのが好ましい。珪素を含む非晶質炭素被膜は、金属製の基材に成膜された場合に、密着性が向上する。ところが、珪素を多く含む非晶質炭素は、硬質な非晶質炭素となる。そのため、非晶質炭素被膜の柔軟性を損なわずに金属基材との密着性を向上させたい場合は、珪素の含有量を３０ａｔ％以下とするとよい。また、上述したように、珪素の含有量は３ａｔ％以上、特に、５ａｔ％以上とするとよい。
本発明の非晶質炭素被膜部材は、上述したように、非晶質炭素膜の絶縁性、耐食性、耐衝撃性により、各種保護膜として適用される。具体的な用途としては、パワーデバイス等の絶縁ヒートシンク材、ポンプや配管などの耐食部品、ギアやピストンリング等の機械摺動部品、などが挙げられる。
なお、本発明の非晶質炭素被膜部材は、以下に述べる成膜方法により非晶質炭素の被膜を基材に形成して得られる。
［非晶質炭素膜の成膜方法］
本発明の非晶質炭素膜の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法によって導電性の基材の表面の少なくとも一部に非晶質炭素膜を形成する。この際、成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に、基材が互いに対向する状態で複数の基材を配置すると共に、隣接する２個の基材の負グローが互いに重なるように、処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して行う。
プラズマＣＶＤ法では、プラス極とマイナス極の二つの電極の間に電力を加えることによって、グロー放電が生じる。このグロー放電を利用して、電極間に導入した処理ガスを活性化して、マイナス電位側の電極（基材）に薄膜を堆積させる。
基材は、導電性をもつ導電性材料からなれば特に限定はない。導電性材料は、体積抵抗率が１０6 Ω・ｃｍ以下であるのが望ましい。また、基材の形状にも特に限定はないため、各種部材に成膜が可能である。
基材は、成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に固定される。この際、基材は、基材が互いに対向する状態で配置される。そして、基材は、マイナス極に結線された基材保持具に、基材の少なくとも一部が接触するようにして固定される。なお、基材保持具は、導電性材料からなれば、その形状に特に限定はない。そのため、基材を載置できる平板状のほか、基材の少なくとも一部を固定できる固定具を有する形状でもよい。
基材は、基材が互いに対向する状態で配置されれば、配置の形式に特に限定はないが、基材が板状であれば、複数の基材は基材保持部材に厚さ方向に平行かつ積層状態で配置されるのが望ましい。基材を厚さ方向に平行かつ積層状態で配置すると、複数枚の基材を成膜炉内に配置できるため、一度の成膜処理で多数の基材に成膜が可能となる。したがって、処理コストも低減される。
また、隣接する２個の基材の一方は、導電性で表裏面を貫通する複数の通孔をもつ部材としてもよい。複数の通孔をもつ部材を用いることにより、処理ガスが通孔を通過できるため、処理ガスの基材への供給が良好となり、基材周辺の処理ガスの濃度の不均一が少なくなる。その結果、非晶質炭素膜の膜厚および組成を均一なものとすることができる。したがって、複数の通孔をもつ部材の使用は、特に、大面積の基材表面に非晶質炭素膜を形成する場合に効果的である。
複数の通孔をもつ部材は、基材と同様で、導電性をもつ導電性材料からなれば特に限定はない。したがって、金網やパンチングメタルなどが望ましい。また、基材が板状であれば、隣接する２個の基材の一方が複数の通孔をもつ部材であっても、複数の基材は基材保持部材に厚さ方向に平行かつ積層状態で配置されるのが望ましい。この際、基材と、複数の通孔をもつ部材と、が交互に配置されるとよい。基材と複数の通孔をもつ部材とを交互に配置することにより、基板と複数の通孔をもつ部材との対向面間の間隔をシース幅に合わせて狭くして成膜操作を行う場合でも、複数の通孔をもつ部材を介して隣接する２個の基材の対向面間の間隔は実質的に広くなり、かつ、処理ガスが通孔を通過するため、処理ガスの基材への供給が良好となる。その結果、均一な成膜が可能となる。また、基材の成膜面全体を覆うように複数の通孔をもつ部材を配置してもよい。
互いに対向する状態で配置された基材は、複数の基材のうち隣接する２個の基材の負グローが互いに重なるように、処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作することにより、シース幅を調整して成膜処理を行う。
ここで、一般的に「シース」とは、陰極（基材）を覆うプラズマの「さや」であり、陰極表面から負グローまでの発光の弱い領域を指す。シースでは、急激な電位降下が生じ、正イオンは陰極に向けて加速され、陰極に衝突する。この衝突によって陰極から放出する電子（二次電子）は、シースの電位勾配によって加速され、シースから負グロー域へ入射し、気体分子を電離または励起させる。そして、気体分子の電離により正イオンと電子が生じ、放電が維持される。励起された気体分子は、基底状態に戻るときに発光（グロー）する。この発光が負グローである。シースの発光が弱いのは、電子が気体分子に衝突しても、気体分子を励起できるエネルギーにまで十分加速されていないからである。すなわち、本明細書の「シース幅」とは、基材表面から負グローまでの発光の弱い領域の幅である。そして、シースは、基材の外面に沿って、外面から一定の幅（シース幅Ｓ）をもって発生する（図４参照）。なお、負グローについては、「改訂新版放電ハンドブック」（電気学会著、オーム社出版）の第１１１頁に記載があるように周知である。
通常、低圧気体中で成膜中に、基材の表面が大きなイオン衝撃を受けると、基材表面から成膜された膜を構成する原子が再び気体中に飛散する。そのため、イオン衝撃の大きい条件で成膜された非晶質炭素膜は、イオン衝撃を受けることにより、成膜中の膜表面から軟質な部分が叩き出され（スパッタリング）、硬質な部分が残り、硬質な非晶質炭素膜となる。そのため、水素を含む非晶質膜を成膜する場合には、イオン衝撃によりＣ−Ｈ結合からなる有機的で軟質な部分は残らず、水素量の少ない硬質な非晶質炭素膜となる。ところが、隣接する２個の基材の負グローが互いに重なるようにすると、負グローの重なり部分に低電圧で高電流密度の放電が発生する。低電圧で高電流密度の放電においては、イオン衝撃が小さくなるため、膜の軟質な部分への衝撃が少なくなる。その結果、軟質な膜を成膜することが可能となると考えられる。さらに、成膜中の膜の損傷が少なくなる結果、欠損の少ない緻密な膜を成膜することができる。この膜は、０．１μｍ程度の薄い膜であっても欠陥面積率が１０-4以下であるため、優れた保護膜として利用できる。また、成膜中の膜のスパッタリングが少なくなる結果、高速成膜が可能となる。したがって、本発明の非晶質炭素膜の成膜方法によれば、軟質で欠損の少ない非晶質炭素膜、たとえば本発明の非晶質炭素被膜部材の被膜、を高速成膜できる。
また、シース幅が、隣接する２個の基材の対向面間の間隔の４分の１以上で隣接する２個の基材の対向面間の間隔以下であるのが望ましく、この場合、シースは基材の外面に沿って均一にグロー放電でき、かつ、隣接する負グローが重なり合うため、良好な成膜が可能となる。逆に、シース幅が隣接する２個の基材の対向面間の間隔以上であると、負グローが基材の対向面間に沿って形成されなくなり、望ましくない。グロー放電の構造は、上述したように、陰極（基材）の周りにシースが形成され、さらにシースの外側に負グローが形成される。したがって、シース幅が基材の対向面間の間隔以上であると、負グローが形成されなくなる。対向面間で負グローが形成されないと、気体分子の励起・分離・解離などの活性化が弱まり、成膜速度が低下する。
なお、理由は明らかではないが、隣接する２個の基材の対向面間では、シースは、シース同士が接近すると歪む傾向にある。シースが歪むことにより、シース幅が狭くなる現象が生じ、その結果、シースの外側に位置する負グローが良好に重なり合う。
さらに、シース幅は、より好ましくは、隣接する２個の前記基材の対向面間の間隔の２分の１以上で隣接する２個の基材の対向面間の間隔以下である。シース幅が隣接する２個の前記基材の対向面間の間隔の２分の１以上であれば、隣接するシースがより接近し、負グローの重なり合った部分が著しく明るくなり、原料ガスの気体分子が活性化され、より良好な成膜が可能となる。
複数の基材は、隣接する２個の基材の対向面間の間隔を２〜６０ｍｍの範囲で配置するのが好ましい。間隔が２ｍｍ以下であると、シースの重なりが強くなり、成膜条件によっては、グロー放電が局所的に強くなったり不安定になったりすることがある。また、６０ｍｍ以上では、安定したグロー放電は得られるものの、負グローの重なる部分が減少する、または、重ならない場合があるため、成膜条件によっては適さない場合がある。２個の基材の対向面間の間隔は、好ましくは２〜６０ｍｍ、より好ましくは３〜４０ｍｍ、さらに好ましくは５〜３０ｍｍである。この際、シース幅は、１〜６０ｍｍ、好ましくは１．５〜４０ｍｍ、さらに好ましくは２．５〜３０ｍｍである。そして、上記シース幅となるように、処理ガス圧力の範囲を１３〜１３３０Ｐａ、より好ましくは６６．５〜１０６４Ｐａ、さらに好ましくは１３３〜７９８Ｐａに調整する。
なお、隣接する２個の基材の一方が複数の通孔をもつ部材である場合は、隣接する基材の負グローと、複数の通孔をもつ部材の負グローと、が互いに重なり合うようにするが、同時に、通孔の内部でも負グローが重なり合うのが望ましい。たとえば、通孔が円形であれば、シース幅は、好ましくは通孔の直径の４分の１以上、より好ましくは半径以上である。すなわち、基材と複数の通孔をもつ部材の面間の間隔以下とし、かつ、通孔の内部でも負グローが重なり合うようにすることで、通孔の部分と対向する基材表面部分でも負グローが重なり合うため、基材全体として低電圧で高電流密度な放電が得られる。
負グローの重なった部分のプラズマ発光強度は、重ならない部分のプラズマ発光強度の１．５倍以上であることが望ましい。こうすることで、成膜速度を向上させることができる。７倍以上とすると、成膜速度がより速くなり、厚膜の非晶質炭素膜を実用的な時間で得ることができる。
また、成膜温度は、５００℃以下が望ましく、より望ましくは２００〜４５０℃である。成膜温度が５００℃を超えると、基材に到達した成膜活性種が再び雰囲気中へ離脱する確率が高くなるため、成膜速度が遅くなる。加えて、成膜中のイオンからの衝撃が大きくなり、成膜中の膜の損傷が増加するので望ましくない。また、成膜温度が低いと、微小なアークが生じるため、安定なグロー放電が困難となるので望ましくない。なお、成膜温度とは、成膜中の基材の表面の温度である。
処理ガスには、水素を多く含むガスを用いるとよい。具体的には、処理ガスの水素含有量を６０ａｔ％以上とすることにより、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含む非晶質炭素膜を形成することができる。
例えば、処理ガスは、炭化水素ガスからなる、または、炭化水素ガスと、水素および希ガスのうちのいずれか一種以上を含む希釈ガスと、の混合ガスからなるのが望ましい。そして、珪素を含む非晶質炭素膜を得たい場合には、炭化水素ガスならびに少なくとも珪素を含む有機金属含有ガスおよびハロゲン化合物のうちのいずれか１種以上を含む原料ガスからなる、または、その原料ガスと、水素および希ガスのうちのいずれか一種以上を含む希釈ガスと、の混合ガスからなる処理ガスを用いるのが望ましい。処理ガスは、得られる非晶質炭素膜の組成が所望の組成となるように、その種類や混合比または流量比を適宜選択すればよい。
この際、炭化水素ガスは、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼン、ヘキサンおよびその他の（Ｃm Ｈn ）の炭化水素ガスであるのが望ましい。また、有機金属含有ガスは、テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ：ＴＭＳ）およびシランであるのが望ましい。また、ハロゲン化合物は、四塩化シリコンであるのが望ましい。
そして、希釈ガスは、原子量がＡｒよりも軽いもの、具体的にはＨ，Ｈｅ，Ｎｅ等であるのが望ましい。原子量がＡｒよりも軽い希釈ガスを用いると、膜が受けるイオン衝撃が小さくなるため、成膜中の膜の損傷が低減され、軟質で欠陥の少ない膜を高速成膜できる。したがって、希釈ガスは、水素ガスのみや、水素とヘリウムを主体とする混合ガスなどが望ましい。
なお、本発明の非晶質炭素膜の成膜方法は、本発明の非晶質炭素被膜部材の製造方法として好適である。
以下に、本発明の非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法の実施例を図面を用いて説明する。はじめに、非晶質炭素膜の成膜装置について説明する。
（成膜装置）
図１（および図５）は非晶質炭素膜の成膜装置の概略説明図である。
非晶質炭素膜の成膜装置は、円筒状でステンレス製のチャンバー１１を成膜炉として用い、排気通路１２によりチャンバー１１と連通する排気系１３を有する。排気系１３は、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプからなり、排気通路１２に配した排気調整バルブ１５を開閉することによりチャンバー１１内の処理圧力を調整する。
チャンバー１１内には、プラズマ電源１６のマイナス極に通電された陰極２０とガス供給手段３０が配設される。
陰極２０は、プラズマ電源１６のマイナス極に連結された支持台２１と、非晶質炭素膜が表面に成膜される平板基材２２と、からなる。支持台２１は、ステンレス鋼製の円板状で、円筒状のチャンバー１１と同軸的に、チャンバー１１の底部に固定される。なお、支持台２１には、平板基材２２が任意の配置状態で保持される。
本成膜装置は、ガス供給手段３０を有する。ガス供給手段３０は、原料ガスと希釈ガスとの混合ガスを任意の流量比でチャンバー１１に供給する。混合ガスは、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３３により流量を調整後、ガス供給バルブ３４を経てガス供給管３５によりチャンバー１１の内部に供給される。そして、ガス供給管３５には、その長さ方向に等間隔で複数の孔が開けられている。ガス供給管３５は、チャンバー１１の中心部に位置するように設置され、支持台２１に保持された平板基材２２に均一に混合ガスが供給される。
プラズマ電源１６のプラス極は、チャンバー１１およびアースに結線され、チャンバー１１の壁面が接地電極（陽極）となる。
（実施例１）
実施例１の非晶質炭素被膜部材を、図１および図２を用いて説明する。なお、図２は、本実施例における成膜中のグロー放電の様子を模式的に表した図であって、図１のＸ−Ｘ’での断面図である。
上記の構成の非晶質炭素膜の成膜装置を作動させて、平板基材２２の表面に、非晶質炭素膜を成膜した。本実施例では、平板基材２２として、純アルミ製の平板基材（２２ｍｍ×３９ｍｍ×３ｍｍ）を４枚用いた。これらの平板基材２２は、図１および図２に示すように、厚さ方向に平行かつ積層状態となるように並列配置され、支持台２１に固定された。固定は、支持台２１の表面に、等間隔で互いに平行となるように形成された深さ１ｍｍの溝部（図示せず）に平板基材２２を嵌め込んで行った。なお、隣接する２個の平板基材２２の対向面間の間隔Ｄは、それぞれ１０ｍｍとした。
次に、成膜手順を説明する。まず、排気系１３によりチャンバー１１内を到達真空度が１×１０-2Ｐａまで排気した。つぎに、ガス供給バルブ３４を開け、水素ガス（希釈ガス）の流量をＭＦＣ３３で調整し、チャンバー１１内に供給した。その後、排気調整バルブ１５の開度を調整し、チャンバー１１内の処理ガス圧を３７０Ｐａとした。
そして、プラズマ電源１６により陰極２０に−１００Ｖの電圧を印加した。電圧を印加すると、陰極２０の周辺にグロー放電が生じ、放電電力を調整（約−２５０Ｖ，０．２Ａ）し、このグロー放電により、平板基材２２を３００℃に加熱した。なお、基材の温度の測定には、放射温度計を用いた。平板基材２２が３００℃に到達したら、原料ガスであるメタンとＴＭＳを所定の流量で供給し、平板基材２２の表面に非晶質炭素膜を成長させた。なお、炭化水素ガスのみで成膜を行う場合は、希釈ガスが導入された状態で平板基板が処理温度に到達するまで放電により加熱する。その後、希釈ガスの供給を停止し、炭化水素ガスを供給すればよい。
また、本実施例では、混合ガスの流量は、メタン：５０ｓｃｃｍ、ＴＭＳ：１ｓｃｃｍ、水素ガス：６０ｓｃｃｍとした。なお、６時間の放電（成膜温度３００℃）により、平板基材２２の表面に膜厚１２μｍの非晶質炭素膜が得られた。
そして、実施例１で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．１とした。
（実施例２）
平板基材２２をステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）とした他は実施例１と同様に、平板基材２２の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、６時間の成膜（成膜温度３００℃）で、平板基材２２の表面に膜厚１６μｍの膜が得られた。
そして、実施例２で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．２とした。
ここで、実施例１および２の成膜中のグロー放電の様子を図２に示す。実施例１および２では、陰極２０の周囲にシース２５および負グロー２４が形成された。平板基材２２には、平板基材２２に沿って一定のシース幅（Ｓ＝５ｍｍ）を有するシース２５が形成された。平板基材２２の対向面間には、対向する平板基板２２の互いの負グローが重なり合って、他の場所に形成される負グロー２４より明るい負グローの重なり２６が形成された。この際、対向面間では、負グローの重なり２６によって、シース２５が歪み、シース幅が狭くなるように観察された。
（実施例３）
平板基材２２をアルミニウム合金２０１７（２２ｍｍ×３９ｍｍ×３ｍｍ）とし、成膜温度を５００℃とした他は実施例１と同様に、平板基材２２表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、２．５時間の成膜で、平板基材２２の表面に膜厚２２μｍの膜が得られた。
そして、実施例３で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．３とした。
実施例３の成膜中のグロー放電の様子を図３に示す。実施例３では、陰極２０の周囲にシース２５および負グロー２４が形成された。平板基材２２には、平板基材２２に沿って一定のシース幅（Ｓ＝１０ｍｍ）を有するシース２５が形成された。平板基板２２の対向面間には、対向する平板基板２２の互いの負グローが重なり合って、他の場所に形成される負グロー２４より明るい負グローの重なり２６が形成された。２６で示す部分は、他の部分よりも著しく明るい放電である。この際、対向面間では、負グローの重なり２６によって、シース２５が歪み、シース幅が狭くなるように観察された。
（比較例１）
本比較例では、平板基材２２として、アルミニウム合金２０１７（２２ｍｍ×３９ｍｍ×３ｍｍ）を４枚用いた。これらの平板基材２２は、図４に示すように、厚さ方向に平行かつ並列状態で配置され、この状態で支持台２１に固定した。この際、隣接する２個の平板基材２２の対向面間の間隔Ｄは、それぞれ６０ｍｍとした。
また、混合ガスとして、メタン、ＴＭＳ、水素ガス、アルゴンガスを用いた他は、実施例１と同様にして成膜を行った。混合ガスの流量は、メタン：５０ｓｃｃｍ、ＴＭＳ：１ｓｃｃｍ、水素ガス：３０ｓｃｃｍ、アルゴンガス：３０ｓｃｃｍとした。なお、２時間の成膜（成膜温度３００℃）で、平板基材２２の表面に膜厚３μｍの膜が得られた。
そして、比較例１で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．４とした。
（比較例２）
平板基材２２をステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）とした他は比較例１と同様に、平板基材２２表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、２時間の成膜（成膜温度３００℃）で、平板基材２２の表面に膜厚３μｍの膜が得られた。
そして、比較例２で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．５とした。
（比較例３）
成膜時間を４時間とした他は比較例１と同様に、平板基材２２表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、４時間の成膜（成膜温度３００℃）で、平板基材２２の表面に膜厚５μｍの膜が得られた。
そして、比較例３で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．６とした。
ここで、比較例１〜３の成膜中のグロー放電の様子を図４に示す。比較例１〜３では、陰極２０の周囲にシース２５および負グロー２４が形成された。平板基材２２には、平板基材２２に沿ってシース幅Ｓが５ｍｍのシース２５が形成された。シース２５の外側に形成される負グロー２４は、隣接する負グローとは重なり合わなかった。
なお、本比較例において、膜厚を厚くするために、成膜時間を４時間以上とした場合には、絶縁性である非晶質炭素膜に放電維持電流が流れなくなり、放電が不安定となると共に、微小なアーク放電が発生した。その結果、非晶質炭素膜にアーク放電による膜の損傷や破壊が発生した。
（実施例４）
実施例４の非晶質炭素被膜部材を、図５〜図７を用いて説明する。なお、図６は、図５における基材の配置状態を上方から見た平面図である。また、図７は、本実施例における成膜中のグロー放電の様子を模式的に表した図であって、図６のＹ−Ｙ’での断面図である。
本実施例では、平板基材２２として、シリコンウエハー（φ４インチ、厚さ５２５μｍ、１００Ω・ｃｍ）からなる基板２２２と、ステンレス製のメッシュ２２０（線径：０．４５ｍｍ、線間隔：１．７ｍｍ）を用いた。基板２２２は支持台２１に載置される。また、メッシュ２２０は、コ字型に折り曲げられており、基板２２２の表面から面間Ｄを１０ｍｍに保って配置される。
次に、実施例１と同様の手順で、非晶質膜を成膜した。この際のグロー放電の様子を図７に示す。本実施例では、陰極２０の周囲にシース２５が形成された。基板２２２には、基板２２２の外面に沿ってシース幅Ｓが５ｍｍのシース２５が形成された。また、メッシュ２２０には、メッシュを構成するステンレス線に沿ってシース幅Ｓが５ｍｍのシース２５が形成された。したがって、メッシュ２２０の格子状の空間内で、負グローが重なり合った。そして、基板２２２とメッシュ２２０の間でもシース２５が接近し、負グローの重なり２６が形成された。なお、２時間の放電（成膜温度３００℃）により、平板基材２２の表面に膜厚４μｍの非晶質炭素膜が得られた。
そして、実施例４で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．７とした。
（実施例５）
原料ガスとしてメタン、希釈ガスとして水素ガス、を用いた他は、実施例１と同様にして成膜を行った。混合ガスの流量は、メタン：５０ｓｃｃｍ、水素ガス：６０ｓｃｃｍ、処理ガス圧を３００Ｐａとした他は実施例１と同様に平板基材２２表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、６時間の成膜で、平板基材２２の表面に膜厚８μｍの膜が得られた。
そして、実施例５で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材をＮｏ．８とした。
実施例５のグロー放電の様子を図２に示す。実施例５では、陰極２０の周囲にシース２５が形成された。平板基材２２には、平板基材２２に沿って一定のシース幅（Ｓ＝５ｍｍ）を有するシース２５が形成され、平板基材２２の対向面間では、負グローの重なり２６が形成された。
〈評価〉
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８の非晶質炭素被膜部材に対して、非晶質炭素膜の水素および珪素の含有量、弾性率、ビッカース硬さ、および、欠陥面積率を測定した。水素の量は弾性反跳粒子検出法（ＥＲＤＡ）、珪素の量はＥＰＭＡ（electron probe microanalyser）により測定した。弾性率およびビッカース硬さは、ナノインデンターを用いた試験により求めた。欠陥面積率は、電気化学的測定法である、臨界不動態電流密度（ＣＰＣＤ）法により、基材まで貫通する非晶質炭素膜のピンホール型欠陥の面積率を測定した。測定結果を表１に示す。表１では、非晶質炭素膜の組成として、水素および珪素についてだけ示している。残りの組成は炭素である。例えば、ＮＯ．１の非晶質炭素膜の組成は、炭素５１ａｔ％、水素３８ａｔ％、珪素１１ａｔ％である。
また、Ｎｏ．３，４，６，７については、絶縁特性を調べた。絶縁特性は、非晶質炭素膜の膜厚方向に直流電圧を印加することにより、リーク電流を検出し、絶縁破壊耐電圧を得た。図８は、測定装置の概略図である。非晶質炭素膜Ｆの表面には、導電ペーストを用いてφ６ｍｍの電極Ｅを作成する。この電極Ｅより直流電圧を印加し、カーブトレーサーＴによりリーク電流を検出する。なお、Ｎｏ．３，４，６の非晶質炭素被膜部材は、基材の両面に非晶質炭素膜が成膜されるため、片側面を研磨することにより非晶質炭素膜を除去して測定を行った。測定結果を図９に示す。
Figure 0004725085
実施例１〜５では、成膜中のグロー放電に、負グローの重なり２６が形成された。そのため、非晶質炭素膜が剥離することなく高速で成膜された。そして、Ｎｏ．１〜３およびＮｏ．７，Ｎｏ．８の非晶質炭素膜は、弾性率が１５０ＧＰａ以下、ビッカース硬さがＨｖ１５００以下の軟質膜であった。また、実施例２で得られた非晶質炭素部材Ｎｏ．２は、欠陥面積率が１０-6の緻密な膜であった。また、Ｎｏ．１およびＮｏ．４の非晶質炭素膜のＣｓｐ3量を、ＮＭＲを用いて測定した。その結果、Ｎｏ．１は３６ａｔ％、Ｎｏ．４は２８ａｔ％となった。Ｎｏ．１の非晶質炭素膜は、Ｎｏ．４の非晶質炭素膜に比べて水素量が多く、かつ、Ｃｓｐ3の割合も多い。このため、弾性率が低く、ビッカース硬さが小さい軟質膜となった。
さらに、比較例１および３では絶縁破壊が生じたが（絶縁破壊耐電圧はＮｏ．４：２５Ｖ，Ｎｏ．６：２００Ｖ）、実施例３（Ｎｏ．３）では１２００Ｖの高電圧を印加しても絶縁破壊しなかった。さらに、膜厚が４μｍのＮｏ．７（実施例４）の非晶質炭素部材においても、膜厚が５μｍのＮｏ．６（比較例３）に比べ、絶縁特性の向上が見られた。（以上図９参照）
（比較例４）
実施例１において、処理ガス圧を１０Ｐａとして成膜を行った。この際、成膜時間を３時間とした。シース幅および非晶質炭素膜の膜厚を表２に示す。そして、比較例４で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材を、Ｎｏ．９とした。
本比較例においても、平板基材２２に沿ってシースが形成される。しかしながら、表２に示すように、シース幅（１５ｍｍ）が平板基材の対向面間の間隔（１０ｍｍ）以上であるため、平板基材２２の対向面間には負グローが形成されなかった。そのため、膜厚は０．５μｍ以下となった。
（実施例６）
実施例１において、処理ガス圧を１３３，２６６，４００，５３３Ｐａとして成膜を行った。この際、成膜時間を３時間とした。各処理ガス圧のシース幅および非晶質炭素膜の膜厚を表２に示す。そして、実施例６で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材を、それぞれＮｏ．１０〜１３とした。
実施例６では、成膜中のグロー放電に、負グローの重なり合いが形成された。そのため、非晶質炭素膜が剥離することなく高速で成膜された。そして、Ｎｏ．１０〜１３の非晶質炭素膜は、弾性率が１５０ＧＰａ以下で水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下、珪素を１０〜１３ａｔ％含む、軟質な膜であった。
なお、本実施例において、処理ガス圧が１３３Ｐａで６時間成膜すると、膜厚が５０μｍの非晶質炭素膜が得られた。この非晶質炭素膜は、水素を３８ａｔ％、珪素を９ａｔ％含み、ヤング率は６０ＧＰａ、ビッカース硬さはＨｖ７００であった。
（比較例５）
実施例１において、処理ガス圧を８００Ｐａおよび９３３Ｐａとして成膜を行った。この際、成膜時間を３時間とした。各処理ガス圧のシース幅および非晶質炭素膜の膜厚を表２に示す。そして、比較例５で得られた非晶質炭素膜を有する非晶質炭素被膜部材を、それぞれＮｏ．１４，Ｎｏ．１５とした。
比較例５では、成膜中に隣接する負グローは重なり合わず、得られた非晶質炭素膜は、弾性率が１５０ＧＰａを超える硬質な膜であった。
Figure 0004725085
（実施例７）
平板基材２２をアルミニウム合金２０１７（２２ｍｍ×３９ｍｍ×３ｍｍ）とし、原料ガスとしてヘキサンおよびＴＭＳ、希釈ガスとして水素ガスを用い、実施例１と同様にして成膜を行った。本実施例では、混合ガスの流量を、ヘキサン：２０ｓｃｃｍ、ＴＳＭ：２ｓｃｃｍ、水素ガス：１００ｓｃｃｍとし、処理ガス圧を４００Ｐａ、成膜温度を３００℃とした。
本実施例の成膜中のグロー放電では、前出図２に示すように、平板基材２２の対向面間に、対向する平板基板２２の互いの負グローが重なり合って、他の場所に形成される負グロー２４より明るい負グローの重なり２６が形成された。負グローを重ねることにより放電が安定し、低電圧高電流密度のグロー放電となった。ここで、負グローの重なり２６と、重なっていない部分の負グロー２４のプラズマ発光強度を測定した。プラズマ発光強度の測定は、波長範囲２００〜９６０ｎｍのプラズマモニターを用い、最も発光強度の強い水素からの放射光で比較した。その結果、負グローの重なり２６のプラズマ発光強度は、重なっていない部分の負グロー２４のプラズマ発光強度の約８倍であった。
本実施例では、６時間の成膜で、膜厚１７μｍの非晶質炭素膜が得られた。得られた非晶質炭素膜の水素量は約４２ａｔ％、珪素量は１０ａｔ％、弾性率は６０ＧＰａ、ビッカース硬さはＨｖ７００であった。さらに、得られた非晶質炭素膜の絶縁特性を上記同様に調べたところ、１２００Ｖの高電圧を印加しても、絶縁破壊しなかった。
〈Ｃ−Ｈ結合について〉
成膜方法および膜組成の異なる二種類の非晶質炭素膜について、Ｃ−Ｈ結合を評価した。一方は、アルミニウム合金２０１７製の基材（１００ｍｍ×５０ｍｍ×１．５ｍｍ）表面に、実施例１と同様にして成膜した非晶質炭素膜である（試料１）。非晶質炭素膜の水素量は約３８ａｔ％、珪素量は１１ａｔ％、弾性率は８４ＧＰａである。
他方は、同様の成膜装置に、アルミニウム合金２０１７製の基材（２００ｍｍ×１００ｍｍ×１．５ｍｍ）を１枚単独で配置して成膜した非晶質炭素膜（試料２）である。原料ガスとしてメタンおよびＴＭＳ、希釈ガスとして水素ガスおよびアルゴンガスを用い、各ガスの流量を、メタン：５０ｓｃｃｍ、ＴＳＭ：１ｓｃｃｍ、水素ガス：３０ｓｃｃｍ、アルゴンガス：３０ｓｃｃｍとした。また、処理ガス圧を３７０Ｐａ、成膜温度を３００℃とした。非晶質炭素膜の水素量は約２８ａｔ％、珪素量は１２ａｔ％、弾性率は１９０ＧＰａである。
Ｃ−Ｈ結合の評価には、ＦＴ−ＩＲを用いた。試料１、２の両非晶質炭素膜を粉末状にし、各粉末０．５ｇと臭化カリウム粉末２００ｍｇとを混合してペレット状にした。これをＦＴ−ＩＲ分析し、各試料におけるＣ−Ｈ結合の吸光度を測定した。結果を表３に示す。
Figure 0004725085
表３に示すように、試料１の吸光度は、試料２のそれと比較して５〜１４倍となった。これより、水素量が多く低弾性率の本発明の非晶質炭素には、Ｃ−Ｈ結合が多いことがわかる。
〈プラズマ発光強度について〉
上述した成膜装置を用い、水素ガス雰囲気で、アルミニウム合金２０１７製の基材（２２ｍｍ×３９ｍｍ×３ｍｍ）を種々の配置形態で３００℃になるよう放電させ、その際、基材表面に発生したプラズマを測定した。プラズマの測定には、プラズマプロセスモニタ「Ｃ７４６０」（浜松ホトニクス社製）を使用した。測定条件は、測定波長：２００〜９５０ｎｍ、測定エリア：φ３ｍｍ、露光時間：０．１秒、積算回数：１０回とした。そして、波長２００〜９６０ｎｍでの光強度の積分値をプラズマ発光強度と規定した。
また、同様の配置形態で、メタン、ＴＭＳ、水素ガスを所定の流量で供給し、基材の表面に非晶質炭素膜を成長させた。成膜温度は３００℃、処理ガス圧は３７０Ｐａ、成膜時間は３時間とした。図１０に、各配置形態でのプラズマ発光強度、および形成された非晶質炭素膜の膜厚を示す。図１０中、「ＨＣ１０」は、２枚の基材を１０ｍｍの間隔で対向させて配置した場合を示し、「ＨＣ２０」は、２枚の基材を２０ｍｍの間隔で対向させて配置した場合を示し、「ｎｏｒｍａｌ」は、基材を１枚単独で配置した場合を示す。また、白丸印は発光強度を、黒丸印は膜厚を示す。
図１０に示すように、「ＨＣ１０」、「ＨＣ２０」のプラズマ発光強度は、「ｎｏｒｍａｌ」のプラズマ発光強度に対して、それぞれ２０倍以上、７倍以上となった。このように、複数の基材を所定の間隔で対向させて配置することにより、各基材の負グローが互いに重なり合い、高電流密度の放電が実現できる。また、「ｎｏｒｍａｌ」の膜厚は３．０μｍであったのに対して、「ＨＣ１０」の膜厚は２４．２μｍ、「ＨＣ２０」の膜厚は９．３μｍとなった。つまり、発光強度が強い程、成膜速度は速くなり、膜厚が厚くなった。
本実施例の非晶質炭素膜の成膜装置の概略説明図であって、実施例１〜３、実施例５および実施例６での基材の配置状態を示している。 実施例１，２および５における成膜中のグロー放電の様子を模式的に表した図であって、図１のＸ−Ｘ’での断面図である。 実施例３における成膜中のグロー放電の様子を模式的に表した図であって、図１のＸ−Ｘ’での断面図である。 比較例１〜３において、成膜中のグロー放電の様子を模式的に表した図である。 本実施例の非晶質炭素膜の成膜装置の概略説明図であって、実施例４での基材の配置状態を示している。 実施例４において、基材の配置状態を図５の上方から見た平面図である。 実施例４において、成膜中のグロー放電の様子を模式的に表した図であって、図５のＹ−Ｙ’での断面図である。 絶縁特性の測定装置の概略図である。 絶縁特性を示すグラフであって、印加電圧に対するリーク電圧の変化を示すグラフである。 基材の間隔とプラズマ発光強度および膜厚との関係を示すグラフである。
符号の説明
１１：チャンバー（成膜炉）
１６：プラズマ電源
２１：支持台（基材保持具）
２２：平板基材（基材）
２２０：メッシュ
２２２：基板（基材）
２４：負グロー
２５：シース
２６：負グローの重なり

Claims (18)

  1. プラズマＣＶＤ法によって導電性の基材の表面の少なくとも一部に形成される非晶質炭素であって、
    成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に前記基材が互いに対向する状態で複数の該基材を配置すると共に、隣接する２個の該基材の負グローが互いに重なるように、水素含有量が６０ａｔ％以上である処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して得られ、
    炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、該炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合にｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が１０ａｔ％以上８５ａｔ％以下であり、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａでビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００であることを特徴とする非晶質炭素。
  2. 前記炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合に、ｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が２０ａｔ％以上５０ａｔ％以下である請求項１記載の非晶質炭素。
  3. 全体を１００ａｔ％とした場合に、珪素を５０ａｔ％以下含む請求項１記載の非晶質炭素。
  4. 導電性の基材と、プラズマＣＶＤ法によって該基材の表面の少なくとも一部に形成された被膜と、からなり、
    成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に前記基材が互いに対向する状態で複数の該基材を配置すると共に、隣接する２個の該基材の負グローが互いに重なるように、水素含有量が６０ａｔ％以上である処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して得られ、
    前記被膜は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含み、該炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合にｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が１０ａｔ％以上８５ａｔ％以下であり、かつ、弾性率が４０〜１５０ＧＰａでビッカース硬さがＨｖ４００〜１５００である非晶質炭素からなることを特徴とする非晶質炭素被膜部材。
  5. 前記炭素の全体量を１００ａｔ％とした場合に、ｓｐ３混成軌道を持つ炭素量が２０ａｔ％以上５０ａｔ％以下である請求項４記載の非晶質炭素被膜部材。
  6. 前記被膜は、膜厚が０．１〜２００μｍである請求項４記載の非晶質炭素被膜部材。
  7. 前記非晶質炭素は、全体を１００ａｔ％とした場合に、珪素を５０ａｔ％以下含む請求項４記載の非晶質炭素被膜部材。
  8. プラズマＣＶＤ法によって導電性の基材の表面の少なくとも一部に、炭素を主成分とし水素を３０ａｔ％を超え６０ａｔ％以下含む非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の成膜方法であって、
    成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具に前記基材が互いに対向する状態で複数の該基材を配置すると共に、隣接する２個の該基材の負グローが互いに重なるように、水素含有量が６０ａｔ％以上である処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して行うことを特徴とする非晶質炭素膜の成膜方法。
  9. 前記負グローの重なった部分のプラズマ発光強度は、重ならない部分のプラズマ発光強度の７倍以上である請求項８記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  10. 前記基材の表面から前記負グローまでのシース幅は、隣接する２個の該基材の対向面間の間隔の４分の１以上で隣接する２個の該基材の対向面間の間隔以下とする請求項８記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  11. 前記処理ガス圧力の範囲は１３〜１３３０Ｐａとし、隣接する２個の前記基材の対向面間の間隔は２〜６０ｍｍである請求項８記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  12. 隣接する２個の前記基材の一方は、導電性で表裏面を貫通する複数の通孔をもつ部材からなる請求項８記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  13. 前記複数の通孔をもつ部材は、該通孔の内部で負グローが重なり合う請求項１２記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  14. 前記処理ガスは、炭化水素ガスからなる、または、該炭化水素ガスと、水素ガスおよび希ガスのうちのいずれか一種以上を含む希釈ガスと、の混合ガスからなる請求項８記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  15. 前記処理ガスは、炭化水素ガスならびに少なくとも珪素を含む有機金属含有ガスおよびハロゲン化合物のうちのいずれか１種以上を含む原料ガスからなる、または、該原料ガスと、水素ガスおよび希ガスのうちのいずれか一種以上を含む希釈ガスと、の混合ガスからなる請求項８記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  16. 前記有機金属含有ガスは、テトラメチルシランおよびシランである請求項１５記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  17. 前記ハロゲン化合物は、四塩化シリコンである請求項１５記載の非晶質炭素膜の成膜方法。
  18. 前記被膜は、欠陥面積率が１０ −４ 以下である請求項４〜７のいずれかに記載の非晶質炭素被膜部材。
JP2004340860A 2003-12-04 2004-11-25 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法 Active JP4725085B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004340860A JP4725085B2 (ja) 2003-12-04 2004-11-25 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法
US11/002,125 US7455824B2 (en) 2003-12-04 2004-12-03 Amorphous carbon, amorphous-carbon coated member, and process for forming amorphous carbon film

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003406306 2003-12-04
JP2003406306 2003-12-04
JP2004340860A JP4725085B2 (ja) 2003-12-04 2004-11-25 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005187318A JP2005187318A (ja) 2005-07-14
JP4725085B2 true JP4725085B2 (ja) 2011-07-13

Family

ID=34703264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004340860A Active JP4725085B2 (ja) 2003-12-04 2004-11-25 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7455824B2 (ja)
JP (1) JP4725085B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101446002B1 (ko) 2012-04-20 2014-09-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체

Families Citing this family (376)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7537835B2 (en) * 2001-09-27 2009-05-26 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho High friction sliding member
JPWO2004053984A1 (ja) * 2002-12-09 2006-04-13 株式会社豊田中央研究所 半導体素子放熱部材およびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
JP5508657B2 (ja) * 2005-03-15 2014-06-04 株式会社ジェイテクト 非晶質炭素被膜部材
JP4876464B2 (ja) * 2005-07-19 2012-02-15 株式会社豊田中央研究所 低摩擦摺動部材
JP2007100135A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 耐食性部材
WO2007136131A1 (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ
US20070286954A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Methods for low temperature deposition of an amorphous carbon layer
US7867578B2 (en) * 2006-06-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage
US20080153311A1 (en) * 2006-06-28 2008-06-26 Deenesh Padhi Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage
JP5200371B2 (ja) * 2006-12-01 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、半導体装置及び記憶媒体
US7820534B2 (en) * 2007-08-10 2010-10-26 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP5200847B2 (ja) * 2008-06-13 2013-06-05 セイコーエプソン株式会社 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びそれらの製造方法並びに液滴吐出装置
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US7842622B1 (en) * 2009-05-15 2010-11-30 Asm Japan K.K. Method of forming highly conformal amorphous carbon layer
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5321576B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-23 株式会社豊田中央研究所 配向性非晶質炭素膜およびその形成方法
KR20130115085A (ko) 2010-04-30 2013-10-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 스택 결함을 위한 비결정질 탄소 증착 방법
US8361906B2 (en) 2010-05-20 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Ultra high selectivity ashable hard mask film
JP5286528B2 (ja) * 2010-10-01 2013-09-11 トーカロ株式会社 半導体加工装置用部材の製造方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5637119B2 (ja) * 2011-11-14 2014-12-10 トヨタ自動車株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US9103021B2 (en) 2011-11-17 2015-08-11 Apple Inc. Amorphous diamond-like carbon coatings for increasing the thermal conductivity of structural frames in portable electronic devices
JP5860972B2 (ja) * 2011-11-29 2016-02-16 シーアン ジアオトン ユニバーシティー ダイヤモンドライクカーボン
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8679987B2 (en) * 2012-05-10 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Deposition of an amorphous carbon layer with high film density and high etch selectivity
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
KR101439131B1 (ko) * 2012-09-21 2014-09-11 현대자동차주식회사 흡배기 밸브용 코팅재 및 이의 제조방법
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9589799B2 (en) * 2013-09-30 2017-03-07 Lam Research Corporation High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN112041481A (zh) * 2018-05-03 2020-12-04 应用材料公司 用于进行图案化的高品质c膜的脉冲等离子体(dc/rf)沉积
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
WO2020243342A1 (en) 2019-05-29 2020-12-03 Lam Research Corporation High selectivity, low stress, and low hydrogen diamond-like carbon hardmasks by high power pulsed low frequency rf
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110610984B (zh) * 2019-09-23 2023-04-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种突触晶体管及其制备方法
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180073A (ja) * 1986-02-03 1987-08-07 Ricoh Co Ltd 非晶質炭素膜およびその製造方法
JPH09326114A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
JPH10308646A (ja) * 1996-07-18 1998-11-17 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波素子
JPH1192934A (ja) * 1997-09-17 1999-04-06 Daido Steel Co Ltd 硬質炭素厚膜及びその製造方法
JPH11512634A (ja) * 1995-10-03 1999-11-02 アドバンスト・リフラクトリー・テクノロジーズ・インコーポレイテッド ダイヤモンド状ナノコンポジットフィルムを用いて精密エッジを保護する方法
JP2000129280A (ja) * 1998-10-26 2000-05-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 硬質非晶質炭素分散複合材料
JP2001148112A (ja) * 1992-11-19 2001-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 情報記録再生装置
JP2002115061A (ja) * 2001-07-30 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ダイヤモンド状炭素膜の作製方法
JP2003501555A (ja) * 1999-06-08 2003-01-14 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム ドープダイヤモンド状カーボン皮膜
JP2003013226A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Nec Corp 超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法
JP2003027237A (ja) * 2002-05-10 2003-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素または炭素を主成分とする膜
WO2003029685A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Element coulissant a coefficient de frottement eleve
JP2003181185A (ja) * 2001-12-14 2003-07-02 Brother Ind Ltd ミシン
WO2004053984A1 (ja) * 2002-12-09 2004-06-24 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 半導体素子放熱部材およびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
JP2004263292A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Toyoda Mach Works Ltd アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2971928B2 (ja) 1989-12-28 1999-11-08 株式会社豊田中央研究所 潤滑性を有する硬質非晶質炭素―水素―珪素薄膜、表面に該薄膜を有する鉄系金属材料、およびその製造方法
AU631037B2 (en) * 1989-12-28 1992-11-12 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Hard and lubricant thin film of amorphous carbon-hydrogen-silicon, iron base metallic material coated therewith, and the process for producing the same
JP3105962B2 (ja) * 1991-09-20 2000-11-06 株式会社豊田中央研究所 固体潤滑性を有する非晶質薄膜およびその製造方法
JP2592392B2 (ja) 1993-03-30 1997-03-19 株式会社 半導体エネルギー研究所 珪素を含む炭素被膜の作製方法
JP4793531B2 (ja) * 2001-07-17 2011-10-12 住友電気工業株式会社 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材
JP4360082B2 (ja) * 2001-12-17 2009-11-11 住友電気工業株式会社 非晶質炭素被膜の製造方法及び非晶質炭素被覆摺動部品

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180073A (ja) * 1986-02-03 1987-08-07 Ricoh Co Ltd 非晶質炭素膜およびその製造方法
JP2001148112A (ja) * 1992-11-19 2001-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 情報記録再生装置
JPH11512634A (ja) * 1995-10-03 1999-11-02 アドバンスト・リフラクトリー・テクノロジーズ・インコーポレイテッド ダイヤモンド状ナノコンポジットフィルムを用いて精密エッジを保護する方法
JPH09326114A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
JPH10308646A (ja) * 1996-07-18 1998-11-17 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波素子
JPH1192934A (ja) * 1997-09-17 1999-04-06 Daido Steel Co Ltd 硬質炭素厚膜及びその製造方法
JP2000129280A (ja) * 1998-10-26 2000-05-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 硬質非晶質炭素分散複合材料
JP2003501555A (ja) * 1999-06-08 2003-01-14 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム ドープダイヤモンド状カーボン皮膜
JP2003013226A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Nec Corp 超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法
JP2002115061A (ja) * 2001-07-30 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ダイヤモンド状炭素膜の作製方法
WO2003029685A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Element coulissant a coefficient de frottement eleve
JP2003181185A (ja) * 2001-12-14 2003-07-02 Brother Ind Ltd ミシン
JP2003027237A (ja) * 2002-05-10 2003-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素または炭素を主成分とする膜
WO2004053984A1 (ja) * 2002-12-09 2004-06-24 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 半導体素子放熱部材およびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
JP2004263292A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Toyoda Mach Works Ltd アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101446002B1 (ko) 2012-04-20 2014-09-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체

Also Published As

Publication number Publication date
US7455824B2 (en) 2008-11-25
JP2005187318A (ja) 2005-07-14
US20050142361A1 (en) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4725085B2 (ja) 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法
JP5630931B2 (ja) 非晶質炭素被膜部材の製造方法
US7833626B2 (en) Amorphous carbon film, process for forming the same, and high wear-resistant sliding member with amorphous carbon film provided
JP5508657B2 (ja) 非晶質炭素被膜部材
US8445077B2 (en) Method of producing coated member
JP4558549B2 (ja) 被覆部材の製造方法
WO2007119715A1 (ja) 軟ｘ線発生装置および除電装置
EP3968352A1 (en) Electron emitting element and electron microscope
Chaus et al. Improving the mechanical property of amorphous carbon films by silicon doping
JP2002327271A (ja) 導電性硬質炭素皮膜
JP2010248572A (ja) チタン系材料、その製造方法及び燃料電池用セパレータ
WO2015121944A1 (ja) ピストンリングとその製造方法
Mariano et al. Magnetic-field enhanced plasma immersion ion implantation and deposition (PIII&D) of diamond-like carbon films inside tubes
JP4365501B2 (ja) 硬質炭素積層膜とその形成方法
JP5295102B2 (ja) 導電性保護膜及びその製造方法
JP4720052B2 (ja) 非晶質炭素被膜の形成装置及び形成方法
Avasthi Effects and uses of ion beams with diamond, DLC and fullerene films
CN108486546A (zh) 一种bdd膜电极材料及其制备方法
JP2018053307A (ja) 摺動部材およびその製造方法
JP2001335932A (ja) 低温プラズマによる固体表面処理制御方法
JP2007100135A (ja) 耐食性部材
WO2022049245A1 (en) Doped dlc for bipolar plate (bpp)
Rashid et al. Manufacturing and Characterization of a Carbon-Based Amorphous (a-CN X) Coating Material
JPH0987847A (ja) 硬質炭素被膜の形成方法と耐摩耗性部品
Niiranen Electrically Modified Quartz Crystal Microbalance to Study Surface Chemistry Using Plasma Electrons as Reducing Agents

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060307

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090319

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100311

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110328

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4725085

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350