JPH0734936Y2 - 処理液蒸気供給装置 - Google Patents
処理液蒸気供給装置Info
- Publication number
- JPH0734936Y2 JPH0734936Y2 JP297590U JP297590U JPH0734936Y2 JP H0734936 Y2 JPH0734936 Y2 JP H0734936Y2 JP 297590 U JP297590 U JP 297590U JP 297590 U JP297590 U JP 297590U JP H0734936 Y2 JPH0734936 Y2 JP H0734936Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubbling
- treatment liquid
- vapor
- chamber
- chambers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【考案の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 この考案は半導体ウエハやフォトマスク用ガラス基板等
（以下単に基板と称する）を表面処理チャンバで表面処
理する際に用いられる処理液蒸気の供給装置に関するも
のである。
（以下単に基板と称する）を表面処理チャンバで表面処
理する際に用いられる処理液蒸気の供給装置に関するも
のである。
《従来の技術》 この種の処理液蒸気供給装置としては、従来より例えば
第２図に示すものがある。
第２図に示すものがある。
それは、バブリングタンク101内に処理液102を貯溜し、
処理液102中に発泡管105を浸漬して発泡管105に窒素ガ
スN2を供給し、バブリング室104に連通する蒸気取出口1
06より処理液102の飽和蒸気を取り出し、複数の表面処
理チャンバ115…へ処理液蒸気を流量調節弁112…で流量
調節可能に供給するように構成されている。
処理液102中に発泡管105を浸漬して発泡管105に窒素ガ
スN2を供給し、バブリング室104に連通する蒸気取出口1
06より処理液102の飽和蒸気を取り出し、複数の表面処
理チャンバ115…へ処理液蒸気を流量調節弁112…で流量
調節可能に供給するように構成されている。
なお、第２図中符号111・114は電磁開閉弁である。
また、上記表面処理チャンバ115としては、例えば基板
の表面にフォトレジスト膜を形成するのに先立ち、フォ
トレジスト膜の付着強化処理を行うものがある。この場
合、処理液102としては、有機クロルミランあるいはヘ
キサメチルジシラザン（以下HMDSと称する）等の付着強
化処理液が用いられる。
の表面にフォトレジスト膜を形成するのに先立ち、フォ
トレジスト膜の付着強化処理を行うものがある。この場
合、処理液102としては、有機クロルミランあるいはヘ
キサメチルジシラザン（以下HMDSと称する）等の付着強
化処理液が用いられる。
《考案が解決しようとする課題》 上記従来例のものは、単一のバブリング室104より処理
液蒸気を取り出して複数の表面処理チャンバ115…へ並
列的に供給するように構成されているため、下記のよう
な難点がある。
液蒸気を取り出して複数の表面処理チャンバ115…へ並
列的に供給するように構成されているため、下記のよう
な難点がある。
イ．各表面処理チャンバ115内では基板の均一な表面処
理を成しうるように、所定時間に亙って一定流量の処理
液蒸気を連続的に供給する必要があるが、一方では、各
表面処理チャンバ115への処理液蒸気の供給を個別に流
量調節し、あるいは個別に供給制御する必要があり、複
数の表面処理チャンバ115の内のいずれか一つについ
て、流量調節したり供給制御するときには、その都度バ
ブリング室104内の内圧が変動するため、その他の表面
処理チャンバへ処理液蒸気を安定供給することができ
ず、基板の表面処理における歩留まりの低下をもたら
す。
理を成しうるように、所定時間に亙って一定流量の処理
液蒸気を連続的に供給する必要があるが、一方では、各
表面処理チャンバ115への処理液蒸気の供給を個別に流
量調節し、あるいは個別に供給制御する必要があり、複
数の表面処理チャンバ115の内のいずれか一つについ
て、流量調節したり供給制御するときには、その都度バ
ブリング室104内の内圧が変動するため、その他の表面
処理チャンバへ処理液蒸気を安定供給することができ
ず、基板の表面処理における歩留まりの低下をもたら
す。
ロ．かかる弊害を解消するには、バブリング室104内の
内圧を十分高く設定し、蒸気取出口196に接続した並列
配管の各流量調節弁112や電磁開閉弁114を個別に制御す
ればよいが、バブリング室104内の内圧を十分高くする
には窒素ガスN2を多量に供給しなければならず、窒素ガ
ス及び処理液が多量に消費される。
内圧を十分高く設定し、蒸気取出口196に接続した並列
配管の各流量調節弁112や電磁開閉弁114を個別に制御す
ればよいが、バブリング室104内の内圧を十分高くする
には窒素ガスN2を多量に供給しなければならず、窒素ガ
ス及び処理液が多量に消費される。
ハ．しかも、蒸気取出口106の下流側に流量調節弁112を
設ける場合には、流量調節弁112内で処理液の飽和蒸気
が結露するため、それが液滴となって表面処理チャンバ
115内へ供給され、基板の歩留まり低下をもたらす。
設ける場合には、流量調節弁112内で処理液の飽和蒸気
が結露するため、それが液滴となって表面処理チャンバ
115内へ供給され、基板の歩留まり低下をもたらす。
ニ．上記イ〜ハの弊害を解消するには、複数のバブリン
グタンク101…を並設し、各表面処理チャンバ115…へ処
理液蒸気を個別に供給することも考えられるが、その場
合には処理液102の補充管理等が煩雑になる。
グタンク101…を並設し、各表面処理チャンバ115…へ処
理液蒸気を個別に供給することも考えられるが、その場
合には処理液102の補充管理等が煩雑になる。
本考案はこのような事情を考慮したもので、上記イ〜ニ
に記載した難点を解消して、基板の表面処理における歩
留まり向上を図ることを技術課題とする。
に記載した難点を解消して、基板の表面処理における歩
留まり向上を図ることを技術課題とする。
《課題を解決するための手段》 本考案は上記課題を解決するものとして、以下のように
構成される。
構成される。
即ち、バブリングタンク内に処理液を貯溜し、処理液中
に発泡管を浸漬して発泡管に窒素ガスを供給し、バブリ
ング室に連通する蒸気取出口より処理液の飽和蒸気を取
り出し、複数の表面処理チャンバへ処理液蒸気を流量調
節可能に供給するように構成した処理液蒸気供給装置に
おいて、バブリングタンク内を仕切壁で区画して複数の
バブリング室を気密に形成するとともに、各仕切壁に処
理液の流通口を開口し、各バブリング室内にそれぞれ発
泡管と蒸気取出口を設け、窒素ガスを各発泡管へ個別に
供給するように構成したことを特徴とするものである。
に発泡管を浸漬して発泡管に窒素ガスを供給し、バブリ
ング室に連通する蒸気取出口より処理液の飽和蒸気を取
り出し、複数の表面処理チャンバへ処理液蒸気を流量調
節可能に供給するように構成した処理液蒸気供給装置に
おいて、バブリングタンク内を仕切壁で区画して複数の
バブリング室を気密に形成するとともに、各仕切壁に処
理液の流通口を開口し、各バブリング室内にそれぞれ発
泡管と蒸気取出口を設け、窒素ガスを各発泡管へ個別に
供給するように構成したことを特徴とするものである。
《作用》 本考案では、単一のバブリングタンク内に仕切壁で区画
した複数のバブリング室がそれぞれ気密に形成されてお
り、各バブリング室内の内圧をそれほど高く設定する必
要がない。従って、一つのバブリング室の内圧の変動
が、その他のバブリング室の内圧に直接影響を及ぼすこ
とはない。
した複数のバブリング室がそれぞれ気密に形成されてお
り、各バブリング室内の内圧をそれほど高く設定する必
要がない。従って、一つのバブリング室の内圧の変動
が、その他のバブリング室の内圧に直接影響を及ぼすこ
とはない。
これにより、各バブリング室に設けた発泡管にそれぞれ
流量調節弁を介在させ、窒素ガスを個別に流量制御した
場合でも、他のバブリング室の内圧に変動を生じること
はなく、各バブリング室の蒸気取出口より適宜処理液蒸
気を送り出して表面処理チャンバへ供給することができ
る。
流量調節弁を介在させ、窒素ガスを個別に流量制御した
場合でも、他のバブリング室の内圧に変動を生じること
はなく、各バブリング室の蒸気取出口より適宜処理液蒸
気を送り出して表面処理チャンバへ供給することができ
る。
また、各仕切壁には処理液の流通口が開口されており、
複数のバブリング室の内のいずれか一つに処理液を補充
すれば、その流通口より他のバブリング室へ処理液がゆ
きわたるので、各バブリング室について個別に処理液の
補充管理等をする必要がない。
複数のバブリング室の内のいずれか一つに処理液を補充
すれば、その流通口より他のバブリング室へ処理液がゆ
きわたるので、各バブリング室について個別に処理液の
補充管理等をする必要がない。
《実施例》 第１図は本考案の一実施例を示す処理液蒸気供給装置の
縦断面図である。
縦断面図である。
この処理液蒸気供給装置は、フォトレジスト膜の付着強
化処理液として前記HMDSを用いるものであり、バブリン
グタンク１内に処理液２としてHMDSを貯溜し、バブリン
グタンク１を複数の仕切壁３・３で区画して複数のバブ
リング室４…を気密形成するとともに、各仕切壁３に処
理液２の流通口3aを開口し、各バブリング室４内にそれ
ぞれ発泡管５と蒸気取出口６を設け、窒素ガスN2を各ガ
ス管10…を介して各発泡管５へ個別に供給するととも
に、各蒸気取出口６…より蒸気配管13…を介して表面処
理チャンバ15…へ処理液蒸気を個別に供給するように構
成されている。なお、第１図中符号７はバブリングタン
ク１を密閉する上蓋、11、14は電磁開閉弁、12はガス管
10に設けられた流量調節弁である。
化処理液として前記HMDSを用いるものであり、バブリン
グタンク１内に処理液２としてHMDSを貯溜し、バブリン
グタンク１を複数の仕切壁３・３で区画して複数のバブ
リング室４…を気密形成するとともに、各仕切壁３に処
理液２の流通口3aを開口し、各バブリング室４内にそれ
ぞれ発泡管５と蒸気取出口６を設け、窒素ガスN2を各ガ
ス管10…を介して各発泡管５へ個別に供給するととも
に、各蒸気取出口６…より蒸気配管13…を介して表面処
理チャンバ15…へ処理液蒸気を個別に供給するように構
成されている。なお、第１図中符号７はバブリングタン
ク１を密閉する上蓋、11、14は電磁開閉弁、12はガス管
10に設けられた流量調節弁である。
以下、上記処理液蒸気供給装置の動作について簡単に説
明する。
明する。
まず、バブリングタンク１内に処理液２を貯溜して上蓋
７を密閉する。上蓋７にはそれぞれ複数の発泡管５…及
び蒸気取出口６…が付着されており、上蓋７を閉じると
発泡管５…は処理液２中へ浸漬し、仕切壁３・３によっ
て複数のバブリング室４…がそれぞれ気密に形成され
る。このため、各バブリング室４…内の内圧をそれほど
高く設定する必要がない。従って、一つのバブリング室
の内圧の変動がその他のバブリング室の内圧に直接影響
を及ぼすことはなく、この状態で各表面処理チャンバ15
…へ処理液蒸気を個別に供給することができる。
７を密閉する。上蓋７にはそれぞれ複数の発泡管５…及
び蒸気取出口６…が付着されており、上蓋７を閉じると
発泡管５…は処理液２中へ浸漬し、仕切壁３・３によっ
て複数のバブリング室４…がそれぞれ気密に形成され
る。このため、各バブリング室４…内の内圧をそれほど
高く設定する必要がない。従って、一つのバブリング室
の内圧の変動がその他のバブリング室の内圧に直接影響
を及ぼすことはなく、この状態で各表面処理チャンバ15
…へ処理液蒸気を個別に供給することができる。
つまり、それぞれ流量調節弁12…を介して窒素ガスN2を
個別に流量制御する場合でも、他のバブリング室４の内
圧に変動を生じることはなく、各バブリング室４…の蒸
気取出口６…より適宜処理液蒸気を取り出して表面処理
チャンバ15…へ供給することができる。
個別に流量制御する場合でも、他のバブリング室４の内
圧に変動を生じることはなく、各バブリング室４…の蒸
気取出口６…より適宜処理液蒸気を取り出して表面処理
チャンバ15…へ供給することができる。
また、処理液２を補充する場合には、上蓋７を開けてバ
ブリング室４…の内のいずれか一つに補充すれば、仕切
壁３…の流通口3a…より他のバブリング室４へ処理液が
ゆきわたるので、各バブリング室４…について個別に処
理液の補充管理等をする必要はない。
ブリング室４…の内のいずれか一つに補充すれば、仕切
壁３…の流通口3a…より他のバブリング室４へ処理液が
ゆきわたるので、各バブリング室４…について個別に処
理液の補充管理等をする必要はない。
なお、上記実施例ではフォトレジスト膜の付着強化処理
用の処理液蒸気供給装置として例示したが、本考案はこ
れに限るものではなく、処理液蒸気を供給する装置に広
く適用し得る。
用の処理液蒸気供給装置として例示したが、本考案はこ
れに限るものではなく、処理液蒸気を供給する装置に広
く適用し得る。
また、上記実施例では各発泡管にそれぞれ流量調節弁を
設け、窒素ガス流量を個別に制御するものについて例示
したが、流量調節弁は必ずしも必要でなく、例えば各ガ
ス管にそれぞれ窒素ガス供給手段を接続し、各供給手段
に付与する圧力を調節することにより制御することも可
能である。
設け、窒素ガス流量を個別に制御するものについて例示
したが、流量調節弁は必ずしも必要でなく、例えば各ガ
ス管にそれぞれ窒素ガス供給手段を接続し、各供給手段
に付与する圧力を調節することにより制御することも可
能である。
《考案の効果》 以上の説明で明らかなように、本考案ではバブリングタ
ンク内を仕切壁で区画して複数のバブリング室を気密に
形成するとともに、各仕切壁に処理液の流通口を開口
し、各バブリング室内にそれぞれ発泡管と蒸気取出口を
設け、窒素ガスを各発泡管へ個別に供給するように構成
したので下記のような効果を奏する。
ンク内を仕切壁で区画して複数のバブリング室を気密に
形成するとともに、各仕切壁に処理液の流通口を開口
し、各バブリング室内にそれぞれ発泡管と蒸気取出口を
設け、窒素ガスを各発泡管へ個別に供給するように構成
したので下記のような効果を奏する。
イ．複数のバブリング室をそれぞれ気密に形成したの
で、各バブリング室の内圧をそれほど高く設定する必要
がない。従って、各バブリング室に設けた発泡管にそれ
ぞれ流量調節弁を介在させて窒素ガスを個別に流量制御
した場合でも、他のバブリング室の内圧に変動を生じる
ことはなく、処理液蒸気を表面処理チャンバへ安定供給
することができる。これにより、基板の表面処理工程に
おける歩留まりを向上させることができる。
で、各バブリング室の内圧をそれほど高く設定する必要
がない。従って、各バブリング室に設けた発泡管にそれ
ぞれ流量調節弁を介在させて窒素ガスを個別に流量制御
した場合でも、他のバブリング室の内圧に変動を生じる
ことはなく、処理液蒸気を表面処理チャンバへ安定供給
することができる。これにより、基板の表面処理工程に
おける歩留まりを向上させることができる。
ロ．各バブリング室の内圧を十分高く設定する必要はな
いので、従来例のように窒素ガスを多量に供給しなくて
済む。これにより、窒素ガスや処理液の消費量を節約す
ることができる。
いので、従来例のように窒素ガスを多量に供給しなくて
済む。これにより、窒素ガスや処理液の消費量を節約す
ることができる。
ハ．しかも、流量調節弁をガス供給側に設けることがで
きるので、従来例のように流量調節弁内で飽和蒸気が結
露するおそれもない。
きるので、従来例のように流量調節弁内で飽和蒸気が結
露するおそれもない。
ニ．各仕切壁には処理液の流通口が開口されており、複
数のバブリング室の内のいずれか一つに処理液を補充す
れば、その流通口より他のバブリング室へ処理液がゆき
わたるので、各バブリング室について個別に処理液の補
充管理等をする必要がなく便利である。
数のバブリング室の内のいずれか一つに処理液を補充す
れば、その流通口より他のバブリング室へ処理液がゆき
わたるので、各バブリング室について個別に処理液の補
充管理等をする必要がなく便利である。
第１図は本考案の一実施例を示す処理液蒸気供給装置の
縦断面図、第２図は従来例を示す第１図相当図である。 １……バブリングタンク、２……処理液、３……仕切
壁、3a……処理液の流通口、４……バブリング室、５…
…発泡管、６……蒸気取出口、15……表面処理チャン
バ。
縦断面図、第２図は従来例を示す第１図相当図である。 １……バブリングタンク、２……処理液、３……仕切
壁、3a……処理液の流通口、４……バブリング室、５…
…発泡管、６……蒸気取出口、15……表面処理チャン
バ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 樋本 政弘 京都府京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日本スクリーン製造株式会社洛西工場 内 (56)参考文献 特開 昭61−183195（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−75217（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−181339（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】バブリングタンク内に処理液を貯溜し、処
理液中に発泡管を浸漬して発泡管に窒素ガスを供給し、
バブリング室に連通する蒸気取出口より処理液の飽和蒸
気を取り出し、複数の表面処理チャンバへ処理液蒸気を
流量調節可能に供給するように構成した処理液蒸気供給
装置において、 バブリングタンク内を仕切壁で区画して複数のバブリン
グ室を気密に形成するとともに、各仕切壁に処理液の流
通口を開口し、各バブリング室内にそれぞれ発泡管と蒸
気取出口を設け、窒素ガスを各発泡管へ個別に供給する
ように構成したことを特徴とする処理液蒸気供給装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP297590U JPH0734936Y2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 処理液蒸気供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP297590U JPH0734936Y2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 処理液蒸気供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0396357U JPH0396357U (ja) | 1991-10-02 |
| JPH0734936Y2 true JPH0734936Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31506818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP297590U Expired - Lifetime JPH0734936Y2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 処理液蒸気供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734936Y2 (ja) |
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101191028B1 (ko) | 2007-07-20 | 2012-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템 |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US9384987B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US9412564B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9790595B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11970766B2 (en) | 2023-01-17 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6301867B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-03-28 | 東芝メモリ株式会社 | 気化システム |
| JP6695701B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2020-05-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液気化装置と基板処理装置 |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP297590U patent/JPH0734936Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101191028B1 (ko) | 2007-07-20 | 2012-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 약액 기화 탱크 및 약액 처리 시스템 |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US9384987B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9790595B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9412564B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11970766B2 (en) | 2023-01-17 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0396357U (ja) | 1991-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0734936Y2 (ja) | 処理液蒸気供給装置 | |
| US6432205B1 (en) | Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same | |
| US7294208B2 (en) | Apparatus for providing gas to a processing chamber | |
| US5989345A (en) | Process-gas supply apparatus | |
| US7025337B2 (en) | Method for maintaining a constant level of fluid in a liquid vapor delivery system | |
| US5832177A (en) | Method for controlling apparatus for supplying steam for ashing process | |
| US10287682B2 (en) | Substrate processing apparatus, gas supply method, substrate processing method, and film forming method | |
| US5098741A (en) | Method and system for delivering liquid reagents to processing vessels | |
| KR102025979B1 (ko) | 처리액 기화 장치와 기판 처리 장치 | |
| US20050181129A1 (en) | Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases | |
| US5733375A (en) | Apparatus for supplying a treatment material | |
| US4591464A (en) | Method and apparatus for evaporating a liquid organic metal | |
| JP2004031782A (ja) | 有機金属ガス供給装置 | |
| JP3259940B2 (ja) | 処理ガスの供給装置 | |
| EP0504420A1 (en) | Steam supplier | |
| JPH0582451A (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| JPH02307892A (ja) | 薄膜の製造方法およびその装置 | |
| KR100261567B1 (ko) | 반도체 유기금속 화학증착장비용 엘디에스의 자동 리필장치 | |
| KR100864646B1 (ko) | 가스 공급 장치 | |
| JPH02214536A (ja) | 液体原料気化装置 | |
| JPH062142A (ja) | 液体蒸気原料の供給装置 | |
| KR100536172B1 (ko) | 습식 세정 장치 | |
| JPH05283340A (ja) | 液体原料気化供給装置 | |
| TW202343625A (zh) | 流體供給系統、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法暨程式 | |
| JPH06302581A (ja) | 気相分解方法および分解装置 |