KR101071136B1 - 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 - Google Patents
평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101071136B1 KR101071136B1 KR1020040067917A KR20040067917A KR101071136B1 KR 101071136 B1 KR101071136 B1 KR 101071136B1 KR 1020040067917 A KR1020040067917 A KR 1020040067917A KR 20040067917 A KR20040067917 A KR 20040067917A KR 101071136 B1 KR101071136 B1 KR 101071136B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- thin film
- film processing
- reaction gas
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 23
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001483 mobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 평판표시장치용 기판의 박막처리장치에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 박막을 증착하거나 또는 기 증착된 박막을 식각하는 등의 박막처리 공정을 수행하기 위하여 밀폐된 고유의 반응공간을 요구하는 종래의 챔버형 박막처리장치와 달리 대기 개방된 상태에서 기판 국소적인 부분의 박막처리 공정을 수행할 수 있는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치에 관한 것이다.
구체적으로 본 발명은 기판이 안착되는 스테이지와; 상기 기판 상부로 위치되며 일 지점에 상하 관통 개구된 리텐션영역, 상기 리텐션영역 상단을 밀폐하는 투명윈도우, 상기 투명윈도우 하단의 상기 기판 일 지점으로 외부의 반응가스를 집중 분사하는 디스펜스유닛, 상기 기판과 대면되는 배면에 형성된 다수의 흡입홀, 상기 다수의 흡입홀을 내부로 연통시켜 잉여의 상기 반응가스를 흡입 배출하는 가스배출유로가 구비된 가스쉴드와; 상기 가스쉴드 상부로 위치되어 상기 투명윈도우를 통해서 상기 기판 일 지점으로 소정의 광 또는 파장 에너지를 조사하는 에너지소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치를 제공한다.
가스쉴드, 리텐션영역, 디스펜스유닛, 핀노즐
Description
도 1은 일반적인 챔버형 박막처리장치에 대한 개략구조도.
도 2는 일반적인 가스쉴드형 박막처리장치의 단면구조도.
도 3은 본 발명에 따른 가스쉴드형 박막처리장치에 대한 단면구조도.
도 4는 본 발명에 따른 가스쉴드형 박막처리장치의 가스쉴드 및 디스펜스유닛에 대한 세부단면도.
도 5는 본 발명에 따른 가스쉴드형 박막처리장치의 가스쉴드의 저면투시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
102 : 기판 110 : 스테이지
120 : 가스쉴드 122 : 리텐션영역
124 : 투명윈도우 126 : 가스공급유로
128 : 흡입홀 130 : 가스배출유로
140 : 에너지소스 142 : 감지소자
150 : 디스펜스유닛 152 : 핀노즐
154 : 제 1 공급관 156 : 실린더탱크
157 : 피스톤 158 : 제 2 공급관
160 : 제 3 공급관 162 : 압력게이지
B : 버퍼영역 T1 : 제 1 저장탱크
T2 : 제 2 저장탱크
본 발명은 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치에 관한 것으로, 좀더 자세하게는 평판표시장치의 제조를 위해 기판 상에 박막을 증착하거나 또는 기(旣) 증착된 박막을 식각하는 등의 박막처리 공정을 수행하기 위하여 밀폐된 고유의 반응공간을 요구하는 종래의 챔버형 박막처리장치와 달리 대기 개방된 상태에서 기판 국소적인 부분의 박막처리 공정을 수행할 수 있는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치에 관한 것이다.
사회가 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전하고 있다.
이에 부응하여 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 보유한 여러 가지 다양한 종류의 평판표시장치(Flat Panel Display device : FPD)가 소개되어 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)을 대체하고 있는데, 이러한 평판표 시장치의 구체적인 예로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD) 등을 들 수 있다.
이들 평판표시장치는 통상 유리와 같은 적어도 하나 이상의 투명 절연 기판 상에 발광 또는 편광 물질층을 개재하여 구성되는데, 최근에는 특히 화상표현의 최소 단위인 화소(pixel)를 행렬방식으로 배열한 후 이들 각 화소를 독립적으로 제어할 수 있도록 박막트랜지스터(Thin-Film Transistor : TFT)를 일대일 대응 구비시킨 능동행렬방식(Active Matrix)이 해상도 및 동영상 구현능력이 뛰어나 각광받고 있다.
이 경우 평판표시장치 제조공정에는 기판을 대상으로 소정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정 및 이를 목적하는 형태로 패터닝(patterning)하기 위한 식각공정이 수차례 반복하여 포함되며, 이 같은 박막증착 및 식각 등의 박막처리공정은 통상 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버형 박막처리장치에서 진행되어 왔다.
이에 첨부된 도 1은 일반적인 평판표시장치의 제조를 위한 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 보이는 바와 같이 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 챔버(10)를 필수적인 구성요소로 하며, 이의 내부로는 처리대상물인 기판(2)이 실장된다.
그리고 상기 기판(2)이 실장된 챔버(10)의 반응영역(A) 내로 소정의 반응가스를 유입시킨 후 이를 활성화 시켜 목적하는 박막처리공정을 진행한다.
이때 반응가스의 활성화 및 공정속도의 향상을 위해서 챔버(10)의 반응영역(A) 내로는 고온, 진공 등의 고유한 반응환경이 조성되거나 또는 이와 함께 플라즈마가 생성되는데, 보이는 도 1은 일례로 RF(Radio Frequence) 고전압을 이용하여 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 상태에서 박막증착공정을 진행하는 플라즈마 화학기상증착, 이른바 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)에 해당되는 도면이다.
이를 위해 나타낸 바와 같이 챔버(10) 내부에는 기판(2)을 사이에 두고 상하로 대면되는 상, 하부전극부(20,30)가 구비되며, 이중 상부전극부(20)는 RF 고전압이 인가되어 플라즈마의 생성 및 유지에 있어 실질적인 일 전극 역할을 하는 백킹플레이트(22)와, 이의 하단으로 구비되며 외부의 반응가스가 반응영역(A) 내로 균일 분사되도록 다수의 분사홀(26)이 전 면적에 걸쳐 상하로 투공된 샤워헤드플레이트(24)를 포함한다.
그리고 하부전극부(30)는 기판(2)을 지지하는 척(chuck)의 역할과 함께 플라즈마의 생성 및 유지를 위한 또 다른 전극으로 작용되는 서셉터(32)를 포함하며, 이는 외부의 구동어셈블리(34)에 의해 상하 승강이 가능하도록 이루어져 있다.
더불어 챔버(10)의 바닥면 가장자리를 따라서는 복수개의 배기포트(14)가 마련되어 외부의 흡기시스템(미도시)을 통해서 내부 반응영역(A)을 배기할 수 있도록 이루어지는 바, 기판(2)이 챔버(10) 내로 반입되어 서셉터(32) 상에 안착되면 구동어셈블리(34)가 상승하여 기판(2)을 샤워헤드플레이트(24)와 소정 간격으로 대면시키고, 이어서 백킹플레이트(22)에 RF 고전압이 인가됨과 동시에 샤워헤드플레이트 (24)의 분사홀(26)을 통해서 반응가스가 분사된다. 그 결과 반응영역(A) 내에는 반응가스가 활성화되어 플라즈마가 생성 및 유지되고 이를 통해 기판(2) 상에 박막이 증착된다.
한편, 앞서의 예에서와 같이 일반적인 챔버형 박막처리장치는 공통적으로 기판(2)이 실장되는 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 챔버(10)를 필수적으로 요구하며, 이의 내부로 공급된 반응가스를 적절한 수단으로 활성화시켜 목적하는 공정을 수행한다.
하지만 이 같은 일반적인 챔버형 박막처리장치는 몇 가지 치명적인 단점을 나타내고 있는데, 이는 평판표시장치의 대면적화와 밀접한 관련이 있다.
즉, 최근 들어 각종 평판표시장치는 갈수록 그 사이즈(size)가 확대되는 추세에 있으며 제조효율의 향상을 위하여 이의 제조공정에 이용되는 기판(2)은 후속의 절단공정에서 수개의 셀(cell) 별로 절단되어 각각 평판표시장치를 구성하는 대면적의 이른바 베어(bare) 또는 마더(mother)기판인 바, 일례로 액정표시장치의 경우 상기 기판(2)의 크기는 통상 수㎡에 달하고 있다.
따라서 이 같은 대면적 기판(2)이 실장될 수 있도록 챔버(10) 또한 날이 갈수록 대형화되어야 하고, 그 결과 불필요하게 넓은 설치면적을 요구하므로 여러 가지 제약이 나타나고 있는 실정이다.
이 같은 문제점을 해결하기 위하여 밀폐된 고유의 반응공간을 요구하는 종래의 챔버형 박막처리장치와 달리 대기환경 하에서 기판(2) 국소적인 부분으로의 박막증착 내지는 기(旣) 증착된 박막의 식각 등과 같은 박막처리를 진행할 수 있는 가스쉴드형 박막처리장치가 소개된 바 있는데, 이의 개략적인 단면구조를 도 2에 나타내었다.
보이는 바와 같이 일반적인 가스쉴드형 박막처리장치는 대기압 하에서 레이저빔과 같은 소정의 광 또는 파장 에너지를 기판(2)의 국소적인 부분으로 조사하면서 상기 에너지 조사부위로 소정의 반응가스를 공급하여 목적하는 박막처리공정을 수행하는 것으로, 그 원리는 간단하게 레이저 국소증착법(laser-induced chemical vapour deposition method)을 응용한 것이다.
좀더 자세히, 기존의 가스쉴드형 박막처리장치는 기판(2)이 안착되는 바닥면의 스테이지(50) 및 이의 상부로 위치되는 블록 형태의 가스쉴드(60)를 포함하며, 이 같은 가스쉴드(60) 상부로 에너지소스(72)가 구비되어 있다.
이때 스테이지(50)는 상하좌우로의 이동이 가능하며, 가스쉴드(60)에는 에너지소스(72)와 대응되는 대략의 중심 부분에 리텐션(retention)영역(62)이 상하로 관통 개구되어 있고, 이의 상면은 쿼츠 등의 투명윈도우(64)로 밀폐되는 바, 에너지소스(72)로부터 발생된 레이저 등은 투명윈도우(64) 및 리텐션영역(62)을 통해서 하단의 기판(2) 일 지점으로 조사된다. 그리고 리텐션영역(62)으로는 외부의 반응가스가 공급되어 기판(2)의 레이저빔 초점 부위로 유입되는 반면 기판(2)과 대면하는 가스쉴드(60)의 배면 리텐션영역(62) 외측으로는 다수의 흡입홀(68)이 내삽 형성되어 기판(2) 상에 잔류되는 잉여의 반응가스를 외부로 흡기 배출한다.
이에 미설명 부호 66은 외부의 반응가스를 리텐션영역(62)으로 공급하기 위하여 가스쉴드(60) 내부로 형성된 가스공급유로(66)를 나타내고, 도면부호 70은 잉 여의 반응가스를 외부로 배출시키기 위하여 다수의 흡입홀(68)을 연통시켜 외부로 연결하는 가스쉴드(60) 내부의 가스배출유로(70)를 나타내고 있다.
따라서 이 같은 가스쉴드형 박막처리장치의 스테이지(50) 상에 기판(2)이 안착되면 상기 스테이지(50)가 이동하여 목적하는 위치로 정렬된 후, 에너지소스(72)로부터 레이저빔 등이 기판(2)으로 조사됨과 동시에 리텐션영역(62)으로 외부의 반응가스가 공급된다. 그리고 이 같은 반응가스는 레이저빔 등에 의해 활성화되어 기판(2) 국소적인 위치로 박막 증착되거나 또는 식각이 진행되는 바, 스테이지(50)의 이동에 의해 이 같은 박막처리공정은 연속적인 선 형태로 이루어진다.
하지만 이 같은 일반적인 가스쉴드형 박막처리장치 또한 몇 가지 문제점을 나타내고 있는데, 대기압 하에서 공정을 진행함에 따라 박막처리에 기여하지 못한 채 유실되는 반응가스의 양이 많으며, 반응가스의 안정적인 공급 및 배출이 어려운 단점과 더불어 이로 인해 공정속도가 크게 저하되는 한계가 있다.
즉, 일반적인 평판표시장치의 제조공정에 있어 박막의 균일도는 매우 중요한 요건인데, 상술한 일반적인 가스쉴드형 박막처리장치는 외기에 노출된 대기압 상태에서 공정을 수행하므로 챔버형 박막처리장치에 비해 반응가스의 공급 및 배출에 대한 정압유지가 불리하며 그 결과 박막 균일도가 저하되는 단점을 나타낸다. 아울러 반응가스의 상당량이 미처 해당공정에 기여하지 못하고 유실되고, 이로 인해 박막처리의 균일도 저하와 공정손실이 심화된다.
더불어 상기와 같은 이유로 인하여 스테이지(50)의 이동속도에 제한이 가해지고 이는 결국 공정속도 저하로 나타나는 바, 일례로 일반적인 가스쉴드형 박막처 리장치를 이용하여 끊어진 박막패턴을 연결하는 리페어(repair) 공정을 수행할 경우에 레이저빔의 조사범위, 즉 초점영역의 크기는 대략 300㎛2 정도에 달하지만 이동속도는 3~10㎛/sec에 머무르며 그 결과 하나의 기판에 대한 총 공정 소요시간, 즉 TACT(Total Around Cycle Time)이 지나치게 긴 문제점이 있다.
또한 기판(2) 면적이 확대됨에 따라 상대적으로 대형의 스테이지(50)가 이동되는 기존의 방식에서는 장치적 구성이 복잡하고 파티클(particle) 등의 불순물 발생가능성이 크며, 이로 인해 기판(2)이 오염되거나 박막의 순도 내지는 균일도가 저하되는 문제점이 나타난다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 대기환경 하에서 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리공정을 진행하되 특히 이때 동원되는 반응가스의 공급 및 배출에 대한 정압유지가 가능하며, 더 나아가 상기 공급된 반응가스의 대부분을 박막처리에 기여할 수 있도록 함으로서 보다 균일한 박막처리 공정을 수행할 수 있는 평판표시장치 제조용 기판의 박막처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
아울러 본 발명은 상대적으로 대형의 스테이지를 고정시키면서도 연속적인 공정진행이 가능하여, 보다 안정적이고 신뢰성 있는 박막처리를 수행함과 동시에 공정속도를 크게 향상시킬 수 있는 평판표시장치의 제조를 위한 박막처리장치를 제 공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 기판이 안착되는 스테이지와; 상기 기판 상부로 위치되며 일 지점에 상하 관통 개구된 리텐션영역, 상기 리텐션영역 상단을 밀폐하는 투명윈도우, 상기 투명윈도우 하단의 상기 기판 일 지점으로 외부의 반응가스를 집중 분사하는 디스펜스유닛, 상기 기판과 대면되는 배면에 형성된 다수의 흡입홀, 상기 다수의 흡입홀을 내부로 연통시켜 잉여의 상기 반응가스를 흡입 배출하는 가스배출유로가 구비된 가스쉴드와; 상기 가스쉴드 상부로 위치되어 상기 투명윈도우를 통해서 상기 기판 일 지점으로 소정의 광 또는 파장 에너지를 조사하는 에너지소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치를 제공한다.
이때 상기 소정의 광 또는 파장 에너지는 레이저, UV, RF, u-wave 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 스테이지는 고정되고, 상기 가스쉴드 및 에너지소스는 상기 기판 상부에서 함께 상하좌우로 이동되는 것을 특징으로 하며, 상기 가스쉴드의 이동속도가 빠를 경우 상기 반응가스의 분사압력이 높고, 상기 가스쉴드의 이동속도가 느릴 경우 상기 반응가스의 분사압력이 낮은 것을 특징으로 한다.
아울러 상기 가스쉴드는 상기 리텐션영역을 중심으로 적어도 90도 이상 회전 가능한 것을 특징으로 하며, 상기 디스펜스유닛은 상기 반응가스를 저장하는 제 1 저장탱크와; 상기 가스쉴드로부터 상기 기판 일 지점을 향해 돌출되어 상기 제 1 저장탱크의 상기 반응가스를 분사하는 핀노즐을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 핀노즐은 세라믹재질로 이루어지며, 상기 기판 일 지점을 향할수록 직경이 줄어드는 테이퍼 형상으로 말단 직경이 10 내지 50㎛인 것을 특징으로 하며, 상기 핀노즐은 상기 리텐션영역 내 측면으로부터 돌출되어 상기 가스쉴드의 이동 반대방향으로 상기 반응가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 디스펜스유닛은 상기 제 1 저장탱크와 상기 핀노즐을 연결하도록 상기 가스쉴드 내부로 형성된 가스공급유로를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 가스공급유로와 상기 핀노즐의 연결부위를 실링하는 오링을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 디스펜스유닛은 상기 반응가스가 경유되는 버퍼영역을 정의한 상태로 상기 제 1 저장탱크와 상기 가스공급유로 사이에 부설되며, 상기 버퍼영역의 내부압력을 제어하는 피스톤이 실장된 실린더탱크와; 상기 버퍼영역의 압력을 표시하는 압력게이지를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러 상기 디스펜스유닛은 상기 버퍼영역으로 공급되는 불활성기체를 저장하는 제 2 저장탱크를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
첨부된 도 3은 본 발명에 따른 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 이의 활용분야는 일반적인 경우와 동일하게 평판표시장치용 기판의 박막처리를 위한 것인 바, 구체적인 예로서 소정의 광 또는 파장의 에너지로 반응가스를 활성화시키고 이를 이용하여 기판(102) 국소적인 위치 에 박막을 증착하거나 또는 기(旣) 증착된 박막을 식각하기 위한 것이다.
이를 위한 장치적 구성으로서 본 발명에 따른 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치는 기판(102)이 안착되는 바닥면의 스테이지(110)와, 이러한 스테이지(110)의 기판(102) 상에 대면 설치된 블록 형상의 가스쉴드(120)와, 이의 상단으로 구비된 에너지소스(140)를 포함한다.
좀더 자세히, 먼저 본 발명에서 스테이지(110)는 고정된 상태를 유지하며, 이의 상부로 안착되는 기판(102)은 후속의 절단공정에서 다수의 조각으로 잘려 각각 평판표시장치를 구성하는 소위 대면적의 베어 또는 마더기판일 수 있다.
그리고 가스쉴드(120)는 기판(102) 일부와 수 내지 수백 ㎛의 간격을 두고 대면되는 원형 또는 이와 유사한 다각형의 입방체 형상으로, 가공성이 뛰어난 알루미늄(Al) 재질로 제작될 수 있고 대략 중심 부분의 일 지점에는 리텐션영역(122)이 상하로 관통 개구되어 있으며, 이러한 리텐션영역(122) 상면은 쿼츠 등의 절연성 투명윈도우(124)로 밀폐되어 있다. 또한 이러한 가스쉴드(120)의 배면에는 다수의 흡입홀(128)이 내삽 형성되어 있고, 이들은 가스쉴드(120) 내부의 가스배출유로(130)에 의해 상호 연통되어 외부의 진공펌프와 같은 흡기기스템(미도시)에 연결된다.
이때 본 발명에서 상기 가스쉴드(120)는 후술하는 에너지소스(140)와 함께 정지된 스테이지(110)의 기판(102) 상부에서 상하좌우로 이동이 가능하다.
다음으로 이 같은 가스쉴드(120) 상부 특히 투명윈도우(124)에 대응되는 위치로는 에너지소스(140)가 구비되어 소정의 광 또는 파장을 발생시킴으로서 투명윈 도우(124) 및 리텐션영역(122)을 통해서 기판(102) 국소적인 일 지점으로 조사하는데, 이때 사용되는 에너지는 목적하는 용도에 따라 레이저, UV, RF, u-wave 중에서 선택될 수 있다. 그리고 비록 구체적으로 나타내지는 않았지만 상기 에너지소스가 발생시킨 레이저, UV, RF, u-wave 등은 필요에 따라 세기 및 파장이 조절될 수 있으며, 슬릿(slit) 등을 이용하여 에너지의 조사범위를 자유로이 제어하는 것도 가능함은 당업자에게는 자명한 사실이다.
한편, 본 발명에 따른 기판의 박막처리장치는 일반적인 경우와 달리 스테이지(110)가 고정되는 반면 가스쉴드(120) 및 그 상부의 에너지소스(140)가 상하좌우로 함께 이동하는 것을 특징으로 하는 바, 스테이지(110)가 이동되는 종래와 비교하여 상대적으로 적은 동력으로도 구동이 가능하고 이를 위한 장치적 구성이 간단하며 파티클 등의 발생가능성이 작은 것을 특징으로 한다. 그러나 목적에 따라서는 가스쉴드(120) 및 그 상부의 에너지소스(140)가 정지된 상태로 스테이지(110)가 이동되는 것도 가능함은 물론이다.
이와 더불어 공정진행을 위한 반응가스가 리텐션영역(122)으로 공급되지 않고 별도의 디스펜스유닛(150)을 통해서 기판(102) 상의 일 지점, 즉 소정 광 또는 파장 에너지가 조사된 부분으로만 집중 공급되는 것이 일반적인 경우와 상이하다.
즉, 첨부된 도 4는 상술한 본 발명에 따른 평판표시장치용 기판의 박막처리장치 중 가스쉴드(120) 및 이에 부설된 디스펜스유닛(150) 만을 한정하여 보다 상세하게 나타낸 단면도이고, 도 5는 기판(102)과 대면되는 가스쉴드(120) 배면을 나타낸 투시도로서, 이를 앞서의 도 3과 함께 참조하면, 나타낸 바와 같이 본 발명에 따른 가스쉴드(120)는 일 지점에 상하 관통 개구된 리텐션영역(122), 상기 리텐션영역(122) 상단을 밀폐하는 투명윈도우(124)를 포함하며, 상기 가스쉴드(120) 배면에는 다수의 흡입홀(128)이 형성되어 내부의 가스배출유로(130)를 통해서 외부로 연통되어 있다.
더불어 이와 별도로 투명윈도우(124)와 대면되는 기판(102)의 일 지점으로 외부의 반응가스를 집중 분사하는 디스펜스유닛(150)이 부설되어 있는 바, 상기 디스펜스유닛(150)에는 가스쉴드(120)로부터 기판(102) 일 지점을 향해 돌출된 핀노즐(152)을 포함한다.
이 같은 핀노즐(152)은 나타낸 바와 같이 바람직하게는 가스쉴드(120)의 리텐션영역(122) 내측으로부터 분기된 세라믹재질로 이루어지며, 기판(102)을 향해 갈수록 가늘어져 말단 부분 최소 직경(φ1)이 대략 10 내지 50㎛ 정도의 테이퍼형상인 것을 특징으로 한다. 그리고 상기 핀노즐(152)의 시작부분, 즉 최대 직경(φ2)은 이의 약 10배에 달하는 100 내지 500㎛ 정도가 가장 알맞다.
아울러 이 같은 핀노즐(152)을 통해서 외부의 반응가스가 기판(102) 일 지점에 분사되도록 가스쉴드(120) 내부로는 가스공급유로(126)가 형성되어 있고, 이는 반응가스를 저장하는 외부의 제 1 저장탱크(T1)에 연결되어 있다.
따라서 본 발명에 따른 기판의 박막처리장치는 반응가스를 저장하는 제 1 저장탱크(T1), 이의 반응가스가 공급되도록 가스쉴드(120) 내부로 형성된 가스공급유로(126) 및 이와 연통된 상태로 리텐션영역(122) 내측면으로부터 기판(102)을 향해 하방 돌출되어 기판(102) 에너지 조사부위로 반응가스를 집중 분사하는 핀노즐 (152)로 구성된 디스펜스유닛(150)이 별도로 구비되어 있다.
이때 도시된 바와 같이 가스공급유로(126)와 핀노즐(152)의 연결부위로는 오링(166)을 개재하여 반응가스가 외부 또는 리텐션영역(122)으로 새어나오지 않도록 실링하는 것이 바람직한데, 이러한 오링(166)은 유독성의 반응가스에 노출되어도 쉽게 부식되지 않도록 내화학성이 큰 재질이 이용되는 것이 적합하며, 구체적으로는 불화고무인 바이톤, 칼레즈(Karlez), 케머즈(chemrez) 등이 사용될 수 있다.
이에 최초 기판(102)이 스테이지(110) 상에 안착되면 가스쉴드(120) 및 에너지소스(140)가 함께 이동하여 목적하는 위치로 정렬되고, 이어서 에너지소스(140)로부터 소정의 광 또는 파장 에너지가 발생되어 투명윈도우(124) 및 리텐션영역(122)을 통해 기판(102) 국소적인 위치로 조사된다. 이와 동시에 제 1 저장탱크(T1)의 반응가스는 가스공급유로(126)와 핀노즐(152)을 통해서 기판(102) 에너지조사 부위인 일 지점으로 집중 분사되는 바, 그 결과 반응가스는 소정의 광 또는 파장 에너지에 의해 활성화되어 해당 부분에 박막으로 증착되거나 또는 기 증착된 박막을 식각하게 된다.
그리고 목적에 따라 가스쉴드(120) 및 에너지소스(140)가 함께 이동하면서 연속적인 선 형태로 박막처리공정을 진행하게 되고, 이 과정 중에 기판(102) 상에 잔류된 반응가스 등은 가스쉴드 배면의 흡입홀(128) 및 내부의 가스배출유로(130)를 통해서 지속적으로 배기되는 것이다.
이때 특히 핀노즐(152)로부터 분사되는 반응가스는 가스쉴드(120)의 이동방향과 반대되는 방향을 향해 분사되는 것이 균일한 박막처리 결과를 얻을 수 있어 바람직한 바, 이를 위해 가스쉴드(120)는 리텐션영역(122)을 기준으로 적어도 90도 회전 가능한 것을 특징으로 한다. 더불어 필요에 따라 스테이지(110) 후단으로는 CCD(charge coupled device) 등의 촬상장치 같은 감지소자(142)가 구비될 수 있으며, 이는 기판(102)의 박막처리 결과를 실시간으로 표시하여 이상유무를 용이하게 감지할 수 있도록 한다.
이에 본 발명에 따른 박막처리장치는 기판(102) 상의 국소적인 위치로만 에너지 및 반응가스를 집중 공급하는 방식을 채택함에 따라 공정속도의 향상 및 잉여의 반응가스 양을 최소한으로 줄일 수 있다.
한편, 이 같은 본 발명에 있어서 반응가스의 공급 및 배출의 정압유지는 박막처리의 균일도와 직결되는 중요한 문제로서, 이를 위해 제 1 저장탱크(T1)와 가스공급유로(126) 사이에 부설되는 실린더탱크(156) 및 이의 내부압력을 표시하는 압력게이지(162) 그리고 상기 실린더탱크(156)로 공급되는 불활성기체를 별도 저장하는 제 2 저장탱크(T2)가 추가적으로 구비될 수 있다.
좀더 자세히, 본 발명의 바람직한 일 양태에 따르면 가스쉴드(120)의 가스공급유로(126)는 제 1 공급관(154)을 통해서 실린더탱크(156)에 연결되는데, 상기 실린더탱크(156) 내부로는 버퍼영역(B)이 정의되어 있으며 이 같은 버퍼영역(B)과 연통되는 제 2 공급관(158)이 제 1 저장탱크(T1)에 연결되고, 이와 별도로 상기 버퍼영역(B)과 연통되는 제 3 공급관(160)이 제 2 저장탱크(T2)에 연결되어 있다.
따라서 제 1 저장탱크(T1) 내의 반응가스는 실린더탱크(156)의 버퍼영역(B)을 경유한 후 제 1 공급관(154) 및 가스쉴드(120) 내부의 가스공급유로(126)를 거 쳐 핀노즐(152)를 통해 기판(102) 일 지점으로 분사되며, 제 2 저장탱크(T2) 내의 불활성 가스는 필요에 따라 실린더탱크(156)의 버퍼영역(B)으로 적정량이 공급되어 반응가스의 공급압력을 조절하고 농도를 조절하는 등의 벌크가스의 역할을 하게 된다.
이 경우 보다 바람직하게는 실린더탱크(156) 내부로는 버퍼영역(B)의 압력을 조절하는 피스톤(157)이 내장될 수 있는데, 이는 불활성기체 등의 공압에 의해 작동되어 핀노즐(152)로 분사되는 반응가스의 압력을 적절하게 조절하게 된다. 이때 사용되는 공압은 제 2 저장탱크(T2) 내부의 불활성 기체가 사용될 수 있다.
그리고 이 같은 실린더탱크(156)에는 압력게이지(162)가 부설되어 버퍼영역(B)의 내부압력을 외부로 표시하며, 따라서 관리자는 압력게이지(162)를 관찰하면서 제 2 저장탱크(T2)의 불활성기체 공급량 내지는 피스톤(157)의 이동정도를 조절함으로서 핀노즐(152)을 분사되는 반응가스의 압력을 쉽게 조절할 수 있다.
즉, 구체적인 예로서 공정속도를 향상시키고자 할 경우에 핀노즐(152)을 통해 분사되는 반응가스의 압력을 높임과 동시에 가스쉴드(120) 및 이의 상단에 부설된 에너지소스(140)의 이동속도를 빠르게 하고, 반대로 공정속도를 낮추고자 할 경우에 핀노즐(152)을 통해 분사되는 반응가스의 압력을 낮춤과 동시에 가스쉴드(120) 및 이의 상단에 부설된 에너지소스(140)의 이동속도를 느리게 함으로서 조절 가능한 바, 본 발명에 따른 기판의 박막처리장치는 이들 모두의 경우 각각에서 균일한 박막처리결과를 얻을 수 있다. 더불어 필요에 따라서는 반응가스의 분사압력을 높이면서 가스쉴드(120) 및 이의 상단에 부설된 에너지소스(140)의 이동속 도를 느리게 하는 것도 가능하며, 이의 반대 경우도 얼마든지 가능하다.
그리고 미설명 부호 164는 리텐션영역(122) 상단에 개재된 투명윈도우(124) 가장자리를 실링하기 위한 별도의 또 다른 오링을 나타낸 것으로, 이를 통해 반응가스의 외부 누출을 방지하는 역할을 하며, 따라서 일례로 앞서 설명한 바와 같이 내화학성이 강한 불화고무 재질이 사용될 수 있다.
한편, 이상에서는 본 발명에 따른 박막처리장치를 이용하여 박막의 증착 내지는 식각과 같은 과정을 주로 설명하였는데, 목적에 따라 반응가스의 공급없이 소정 밀도 및 세기의 에너지를 기판(102)으로 조사하여 기(旣) 증착된 절연막 등을 제거할 수 있고, 이를 직접적인 박막처리 이전에 선행하여 하지의 박막패턴을 외부로 노출시킬 수 있음은 당업자에게는 자명한 사실이다. 더불어 이 경우에 본 발명에 따른 박막처리장치는 단선된 박막패턴을 연결하거나 또는 불필요하게 합선된 박막패턴을 서로 단락시키는 리페어용으로 사용될 수 있음은 물론이다.
이상에서 설명한 본 발명에 따른 평판표시장치를 위한 기판의 박막처리장치는 대기압 하에서 공정을 진행함에도 불구하고 반응가스의 안정적인 공급 및 배출이 가능하고, 더불어 불필요하게 손실되는 반응가스의 양을 최소한으로 하는 장점이 있다. 즉, 본 발명에서는 에너지가 조사되는 기판상의 일 지점으로만 반응가스를 집중적으로 분사 공급함에 따라 반응가스의 대부분을 박막처리에 기여토록 하여 보다 균일한 박막처리가 가능하며 더 나아가 불필요한 공정손실을 최소화하는 바, 그 결과 공정속도를 향상시킬 수 있는 잇점이 있다. 더불어 실린더탱크 등을 동원하여 반응가스의 공급 및 배출에 대한 정압유지가 용이하므로 목적에 따라 공정속도를 조절하는 것이 가능하며, 그럼에도 불구하고 항상 균일한 박막처리결과를 얻을 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명은 스테이지 대신 상대적으로 소형의 가스쉴드 및 에너지소스가 이동되는 방식을 채택하여 장치적 구성이 간단하며, 파티클(particle) 등의 불순물 발생가능성을 크게 줄여 기판의 오염을 방지함과 동시에 처리박막의 순도를 향상시키는 잇점이 있다. 그 결과 TACT를 줄여 생산성을 크게 향상시킬 수 있고, 보다 개선된 평판표시장치의 제조가 가능하다.
Claims (12)
- 기판이 안착되는 스테이지와;상기 기판 상부로 위치되며 일 지점에 상하 관통 개구된 리텐션영역, 상기 리텐션영역 상단을 밀폐하는 투명윈도우, 상기 투명윈도우 하단의 상기 기판 일 지점으로 외부의 반응가스를 집중 분사하는 디스펜스유닛, 상기 기판과 대면되는 배면에 형성된 다수의 흡입홀, 상기 다수의 흡입홀을 내부로 연통시켜 잉여의 상기 반응가스를 흡입 배출하는 가스배출유로가 구비된 가스쉴드와;상기 가스쉴드 상부로 위치되어 상기 투명윈도우를 통해서 상기 기판 일 지점으로 소정의 광 또는 파장 에너지를 조사하는 에너지소스를 포함하며, 상기 가스쉴드의 이동속도가 빠를 경우 상기 반응가스의 분사압력이 높고, 상기 가스쉴드의 이동속도가 느릴 경우 상기 반응가스의 분사압력이 낮은 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 소정의 광 또는 파장 에너지는 레이저, UV, RF, u-wave 중 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 스테이지는 고정되고, 상기 가스쉴드 및 에너지소스는 상기 기판 상부 에서 함께 상하좌우로 이동되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 삭제
- 제 3항에 있어서,상기 가스쉴드는 상기 리텐션영역을 중심으로 적어도 90도 이상 회전 가능한 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 5항에 있어서,상기 디스펜스유닛은 상기 반응가스를 저장하는 제 1 저장탱크와;상기 가스쉴드로부터 상기 기판 일 지점을 향해 돌출되어 상기 제 1 저장탱크의 상기 반응가스를 분사하는 핀노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 6항에 있어서,상기 핀노즐은 세라믹재질로 이루어지며, 상기 기판 일 지점을 향할수록 직경이 줄어드는 테이퍼 형상으로 말단 직경이 10 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 6항 또는 제 7항 중 어느 하나의 선택된 항에 있어서,상기 핀노즐은 상기 리텐션영역 내 측면으로부터 돌출되어 상기 가스쉴드의 이동 반대방향으로 상기 반응가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 8항에 있어서,상기 디스펜스유닛은 상기 제 1 저장탱크와 상기 핀노즐을 연결하도록 상기 가스쉴드 내부로 형성된 가스공급유로를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 9항에 있어서,상기 가스공급유로와 상기 핀노즐의 연결부위를 실링하는 오링을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 10항에 있어서,상기 디스펜스유닛은 상기 반응가스가 경유되는 버퍼영역을 정의한 상태로 상기 제 1 저장탱크와 상기 가스공급유로 사이에 부설되며, 상기 버퍼영역의 내부압력을 제어하는 피스톤이 실장된 실린더탱크와;상기 버퍼영역의 압력을 표시하는 압력게이지를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
- 제 11항에 있어서,상기 디스펜스유닛은 상기 버퍼영역으로 공급되는 불활성기체를 저장하는 제 2 저장탱크를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040067917A KR101071136B1 (ko) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 |
TW094128525A TWI336735B (en) | 2004-08-27 | 2005-08-19 | Apparatus for treating thin film and method of treating thin film |
US11/221,007 US20060068121A1 (en) | 2004-08-27 | 2005-08-24 | Apparatus for treating thin film and method of treating thin film |
CNB2005100959565A CN100564589C (zh) | 2004-08-27 | 2005-08-26 | 用于加工基板的装置和在基板上加工薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040067917A KR101071136B1 (ko) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060019303A KR20060019303A (ko) | 2006-03-03 |
KR101071136B1 true KR101071136B1 (ko) | 2011-10-10 |
Family
ID=36099501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040067917A KR101071136B1 (ko) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060068121A1 (ko) |
KR (1) | KR101071136B1 (ko) |
CN (1) | CN100564589C (ko) |
TW (1) | TWI336735B (ko) |
Families Citing this family (348)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100909959B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2009-07-30 | 참앤씨(주) | Lcd 패널 리페어 장치 및 방법 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US8664627B1 (en) * | 2012-08-08 | 2014-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for supplying gas with flow rate gradient over substrate |
CN102828166B (zh) * | 2012-08-24 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 化学气相沉积维修设备 |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
USD739077S1 (en) | 2013-04-19 | 2015-09-15 | Elc Management Llc | Lipstick bullet |
USD741004S1 (en) | 2013-04-19 | 2015-10-13 | Elc Management Llc | Lipstick bullet |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200022682A (ko) * | 2018-08-23 | 2020-03-04 | 세메스 주식회사 | 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR102310047B1 (ko) * | 2019-06-07 | 2021-10-08 | 참엔지니어링(주) | 증착 장치 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8611397D0 (en) * | 1986-05-09 | 1986-06-18 | Neotronics Ltd | Gas sensor |
US5273849A (en) * | 1987-11-09 | 1993-12-28 | At&T Bell Laboratories | Mask repair |
JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
US5103102A (en) * | 1989-02-24 | 1992-04-07 | Micrion Corporation | Localized vacuum apparatus and method |
US5683547A (en) * | 1990-11-21 | 1997-11-04 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused energy beam |
JP3310136B2 (ja) * | 1994-09-17 | 2002-07-29 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置 |
JP3109508B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2000-11-20 | 日本電気株式会社 | 薄膜形成装置 |
US6743736B2 (en) * | 2002-04-11 | 2004-06-01 | Micron Technology, Inc. | Reactive gaseous deposition precursor feed apparatus |
-
2004
- 2004-08-27 KR KR1020040067917A patent/KR101071136B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-08-19 TW TW094128525A patent/TWI336735B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-08-24 US US11/221,007 patent/US20060068121A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-26 CN CNB2005100959565A patent/CN100564589C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100564589C (zh) | 2009-12-02 |
CN1754984A (zh) | 2006-04-05 |
TW200607884A (en) | 2006-03-01 |
KR20060019303A (ko) | 2006-03-03 |
US20060068121A1 (en) | 2006-03-30 |
TWI336735B (en) | 2011-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101071136B1 (ko) | 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치 | |
US8158012B2 (en) | Film forming apparatus and method for manufacturing light emitting element | |
KR101415131B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제작방법 | |
EP1384796A2 (en) | Organic film formation apparatus | |
JP3602847B2 (ja) | 有機elディスプレイ製造装置及び有機elディスプレイの製造方法 | |
KR100761100B1 (ko) | 유기발광소자의 증착막 형성방법 및 장치 | |
KR101069195B1 (ko) | 평판표시장치의 제조를 위한 대기개방형 박막처리장치 및이를 이용한 박막처리방법 | |
KR101221949B1 (ko) | 대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해완성된 리페어라인 및 상기 리페어라인이 구비된평판표시장치용 기판 | |
KR20150053593A (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
KR101232089B1 (ko) | 직립장식 증착장치 | |
KR101062682B1 (ko) | 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는 플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법 | |
KR20150133076A (ko) | 박막 증착 인라인 시스템 | |
KR101081742B1 (ko) | 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법 | |
KR101062683B1 (ko) | 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는 플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법 | |
KR101063197B1 (ko) | 액정표시장치 제조용 플라즈마 화학기상증착장치 | |
US20050045275A1 (en) | Plasma treatment apparatus and surface treatment apparatus of substrate | |
KR101087624B1 (ko) | 평판표시장치의 제조를 위한 플라즈마 화학기상증착장치 | |
KR20150065401A (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
KR100495872B1 (ko) | 유기발광소자 제조용 섀도우마스크 고정방법 및 이를적용한 장치 | |
KR100756227B1 (ko) | 평판 표시 소자 제조에 사용되는 상압 플라즈마 식각 장치 | |
KR100805323B1 (ko) | 유기 박막 증착 장치 | |
KR100979920B1 (ko) | 액정표시장치용 증착 장치 | |
KR20060077363A (ko) | 대기개방형 박막처리장치 및 이를 이용한 평판표시장치용기판의 박막처리방법 | |
JP2000250424A (ja) | 基板表面処理装置、電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法 | |
JP2004296183A (ja) | 有機または無機el用パターニングの形成方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150818 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160816 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170816 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 8 |