CN1754984A - 加工薄膜的装置和加工薄膜的方法 - Google Patents

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Abstract

加工薄膜的装置和加工薄膜的方法。一种用于加工在基板上的薄膜的装置包括：其上布置有基板的台。气体保护机构面对所述基板。能量源利用从所述能量源发射的光通过所述气体保护机构的驻留空间照射所述基板的一部分。分配单元包括针形喷管，该针形喷管将反应气体向所述基板的所述部分喷注。

Description

加工薄膜的装置和加工薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种加工薄膜的装置和加工薄膜的方法。
背景技术
直到最近，显示器件还典型地使用阴极射线管(CRT)。目前，正在努力研究和开发各种类型的平板显示器作为CRT的替代品，例如液晶显示(LCD)器件、等离子体显示板(PDP)、场发射显示器和电致发光显示器(ELD)。
这些平板显示器在至少一个透明基板上具有发光层或偏光层。近来，由于高分辨率和显示移动图像的高的能力，有源矩阵型平板显示器(其中以矩阵形式来排列有多个薄膜晶体管(TFT))已得到广泛地应用。
该平板显示器包括多个薄膜。因此，通过重复进行薄膜淀积工艺和薄膜蚀刻工艺来制造平板显示器。在具有气密反应区的腔式薄膜加工装置中进行诸如淀积工艺和蚀刻工艺的薄膜加工工艺。
图1是用于根据现有技术的平板显示器的腔式薄膜加工装置的剖面图。
如图1所示，在腔式薄膜加工装置中，腔10限定了反应空间“A”，并且将基板2布置在其中。反应气体在反应空间“A”中流动，然后将其激活，从而进行薄膜加工处理。为了激活反应气体并且增加处理速度，产生诸如高温和真空的反应条件，或者与所述反应条件一起生成等离子体。图1的装置是等离子体增强型化学气相淀积(PECVD)装置。在PEVCD装置中，通过使用射频(RF)电压利用激活为等离子体状态的反应气体来进行薄膜淀积工艺。
为了进行这一工艺，在腔10中布置了彼此面对的上电极部分20和下电极部分30，以及在该上电极部分20与下电极部分30之间布置有基板2。上电极部分20包括背板22和位于该背板22下方的有孔喷嘴板(showerhead plate)24。对背板22提供射频(RF)高压，由此将其用作一个电极，以生成并保持等离子体。有孔喷嘴板24具有多个喷注孔26，以便将外部反应的气体喷注到反应空间“A”中。喷注孔26全部都布置在有孔喷嘴板24中，并且是上下开放的。下电极部分30包括接受器(susceptor)32，并且通过移动装置34上下移动。接受器32用作卡盘(chuck)，以支承基板2和其他电极来生成并保持等离子体。
沿着腔10的底面外周部分布置有多个排气口14，以利用外部抽吸系统(未示出)来排出反应空间“A”中的气体。
将基板2传送到腔10中并且放置在接受器32上，然后移动装置向上移动，以使得基板2以预定的距离与有孔喷嘴板24面对。然后，向背板22提供射频(RF)高压，并且通过喷注孔26喷注反应气体。因此，在反应空间“A”中反应气体被激活，由此生成并保持等离子体，从而在基板2上淀积薄膜。
如上所述，腔式薄膜处理装置使用限定了气密反应空间“A”(其中装载有基板2)的腔10，并且利用充足的手段来激活反应气体，以进行对应工艺。
然而，大尺寸的基板对于腔式装置是有问题的。换句话说，平板显示器的尺寸近来得到了增加，并且将基板2用作裸基板或母基板，通过将基板2切割构成平板显示器的单元来提高制造的效率。例如，基板2具有大约几个平方米(m2)的尺寸。因此，为了装入大尺寸的基板2，腔10的尺寸要根据基板2的尺寸而增大。相应地，由该腔式装置占用的空间也增大。
为了解决这些问题，已经建议了一种气体保护式薄膜加工装置。图2是根据现有技术的气体保护式薄膜加工装置的剖面图。
如图2所示，气体保护式薄膜加工装置使用激光诱导化学气相淀积法。换句话说，使用照射到基板2的一部分的光和在大气压力下提供给基板2的被照射部分的反应气体来进行薄膜加工。
气体保护式装置包括：其中放置有基板2的台50，在该台50之上的气体保护机构60，和在该气体保护机构60上的能量源72。
台50上下和左右(即水平地和垂直地)移动。气体保护机构60具有上下开口的驻留空间62，其布置在对应于能量源72的气体保护机构60的中心位置处。驻留空间62的上开口部分通过透明窗口64来遮盖。激光束通过透明窗口64和驻留空间62来照射基板2的一部分。提供给驻留空间62的外部反应气体流入到基板2的被照射部分。在气体保护机构60的面对基板2的后表面上布置有多个排气槽68，以排出残余在基板2上的反应气体。供气通道66与驻留空间62相连，以提供反应气体。排气通道70与排气槽68相连，以将残余的反应气体排到外部。
将基板2放置在台50上，并且移动台50以与气体保护机构60和能量源72相对准。然后，来自能量源72的激光束照射基板2的一部分，并且将反应气体提供给驻留空间62。通过激光束激活反应气体，从而在基板2的被照射部分处进行诸如淀积或蚀刻的薄膜加工处理。沿着移动台50的实线来进行薄膜加工处理。
然而，现有技术的气体保护式薄膜加工装置存在涉及到薄膜的均匀性的问题。由于在大气压力下进行该薄膜加工处理，所以大多数反应气体没有被用于加工薄膜而是被排出，从而增加了生产损耗。稳定地提供并排出反应气体也是困难的。因此降低了处理速率。在气体保护式薄膜加工装置中，由于在大气压力下进行该薄膜加工工艺，所以与腔式薄膜加工装置相比，保持用于提供并排出反应气体的恒定压力是有问题的，从而恶化了薄膜的均匀性。
此外，由于上述原因，台的移动速度受到了限制，从而降低了处理速率。例如，当利用现有技术的薄膜加工装置进行修补处理以连接破损的薄膜图案时，激光束的照射范围(即聚焦区域)大约是300μm2，而该台的移动速度大约是3到10μm/sec。因此，一个基板的总的处理时间(即总的循环周期(TACT))增大。
此外，现有技术的气体保护式薄膜加工装置具有根据大尺寸的基板移动的大尺寸台。该薄膜加工装置具有复杂的结构并且生成诸如微粒的杂质。因此，可能会污染基板，并且使薄膜的纯度和均匀性劣化。
附图说明
将附图包括在说明书中，用来提供对本发明进一步理解，将附图并入构成该说明书一部分，附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是用于根据现有技术的平板显示器的腔式薄膜加工装置的剖面图；
图2是根据现有技术的气体保护式薄膜加工装置的剖面图；
图3是根据本发明实施例的气体保护式薄膜加工装置的剖面图；
图4是根据本发明实施例的气体保护式薄膜加工装置的气体保护机构和分配单元的剖面图；
图5是根据本发明实施例的气体保护式薄膜加工装置的气体保护机构的后表面的立体图；
图6A和图6B是示出了根据本发明实施例的气体保护机构的旋转的示意性平面图。
具体实施方式
现在将详细地对本发明的示意性实施例(其在附图中示出)进行说明。
图3是根据本发明实施例的气体保护式薄膜加工装置的剖面图。该根据本发明实施例的薄膜加工装置不仅适用于平板显示器，而且还适用于包括诸如半导体器件的薄膜的装置。该加工薄膜的工艺包括与在基板上形成薄膜相关的工艺，诸如淀积、蚀刻等。
如图3所示，该薄膜加工装置包括其上布置有基板102的台110，布置在基板102之上并面对基板102的气体保护机构120，以及位于气体保护机构120上方的能量源140。
台110可以是固定的，并且可以将其上的基板102称为大尺寸裸基板或母基板，其在划片(scribing)工艺中被切割为多个块(单元)。
气体保护机构120与基板102隔开几个微米到几百个微米的距离。气体保护机构120可以由铝(Al)制成，并且具有圆带形状或多边带形状。驻留空间122布置在气体保护机构120的中心位置处。驻留空间122上下是开口的，并且通过透明窗口124遮盖驻留空间122的上开口部分。透明窗口124可以由石英制成。在气体保护机构120的后表面中布置有多个排气槽128。排气槽128与排气通道130相连，并且通过排气通道130彼此相连。诸如真空泵的外部抽吸系统与排气通道130相连。因此，外部抽吸系统通过排气槽128和排气通道130排出反应气体。
在透明窗口124上且与其对应地布置能量源140。能量源140产生通过透明窗口124和驻留空间122来照射基板102的一部分的光。可以将激光束、紫外(UV)射线、射频(RF)射线或u波射线用作所述光。所述光的波长和强度可以是固定的或是可调整的。而且，可以通过使用一个陕缝(未示出)来控制所述光的照射范围。
在所示出的实施例中，保护层120连同能量源140上下和左右(即水平和垂直于所述基板102)移动，并且台110是固定的。因此，与现有技术相比较，所示出的气体保护式装置可以以低功率进行操作，并且具有简单的结构，还可以减少微粒的产生。
另外，气体保护机构120和能量源140可以相对于台110移动。换句话说，气体保护机构120和能量源140可以固定而台110可以移动，或气体保护机构120和能量源140可以移动且台110也可以移动。
此外，在所示出的实施例中，通过分配单元150直接将反应气体提供给基板102的照射部分。
参照图3到5更加详细地描述了根据该实施例的气体保护式薄膜加工装置。
图4是根据本发明实施例的气体保护式薄膜加工装置的气体保护机构和分配单元的剖面图，而图5是根据本发明实施例的气体保护式薄膜加工装置的气体保护机构的后表面的立体图。
如图3到5中所示，气体保护机构120包括在气体保护机构120的中心位置处的驻留空间122、透明窗口124，以及用于排出残余在基板102上的反应气体的排气孔128和排气通道130。
将分配单元150布置为集中地将反应气体喷注到基板102的照射部分。该分配单元150包括被插入到气体保护机构120的内部且探入到基板102的照射部分的针形喷管(pin nozzle)152。
针形喷管152从驻留空间122周围的气体保护机构120的内表面开始分叉，并且可以由陶瓷材料制成。针形喷管152具有锥形形状，以使得针形喷管152的直径从布置在气体保护机构120中的一端到面对基板102的另一端逐渐地变细。针形喷管152的另一端可以具有大约10μm到50μm的第一直径“1”，而针形喷管152的另一端可以具有大约100μm到500μm的第二直径“2”。在一个实施例中，第二直径对第一直径的比可以大约是10。针形喷管152以相对于基板102的一个斜角从气体保护机构120伸出。针形喷管152的另一端比气体保护机构120更接近于台110，并且基本上可以布置在驻留空间122的中心。
在气体保护机构120中布置有供气通道126，以将外部反应气体提供给针形喷管152。该供气通道126与存储反应气体的第一储备箱“T1”相连。
如上所述，根据本发明实施例的气体保护式装置包括具有存储反应气体的第一储备箱“T1”的分配单元150，在气体保护机构120中的用于提供反应气体的供气通道126，以及探入到基板102中并且集中地将所述反应气体喷注到基板102的光照射部分的针形喷管152。
在供气通道126与针形喷管152之间的连接部分处布置有第一O形环166。该第一O形环166用作密封件，以防止反应气体泄漏到驻留空间122的外部。该第一O形环166可以由高防化材料制成，该材料在第一O形环166暴露于反应气体时不容易被腐蚀。例如第一O形环166可以由对反应气体具有耐受性的含氟弹性体(FKM)(例如氟橡胶、karlez和chemrez)制成。
当将基板102放置在台110上时，将气体保护机构120和能量源140移动到与基板102相对准。然后，从能量源140产生光，并且所述光通过透明窗口124和驻留空间122照射到基板102的一部分。同时，将存储在第一储备箱“T1”中的反应气体通过供气通道126提供给针形喷管152，并且将提供给针形喷管152的反应气体喷注到基板102的照射部分。通过所述光来激活被喷注的反应气体，以淀积薄膜或对先前淀积在基板102上的薄膜进行蚀刻。
此外，气体保护机构120和能量源140二者沿着实线移动并进行薄膜加工处理。在薄膜加工处理过程中，通过排气孔128和排气通道130连续地排出残余在基板102上的反应气体。朝着与气体保护机构120的移动方向相反的方向喷注来自针形喷管152的反应气体，以均匀地加工薄膜。换句话说，在与薄膜加工方向相反的方向上喷注反应气体。为此，使针形喷管152在与气体保护机构120的移动方向相反的方向上探入。
如上所述，气体保护机构120沿着X方向和与基板102水平的Y方向移动，以加工在整个基板102上的薄膜。同样，针形喷管152以与气体保护机构120的移动方向相反的方向喷注反应气体。因此，气体保护机构120可以根据气体保护机构120的移动方向的变化而旋转，以与气体保护机构120的移动方向相反的方向喷注反应气体。气体保护机构120相对于驻留空间122旋转。参见图5、6A和6B更加详细地说明了气体保护机构120的这种旋转。
图6A和图6B是示出了根据本发明实施例的气体保护机构的旋转的示意性平面图。在图6A和图6B中，以简明的方式示出了针形喷管和基板。
如图5和图6A所示，气体保护机构120沿着正X方向移动，并且进行薄膜加工处理，而针形喷管152将反应气体朝着负X方向喷注到基板102中。在进行了沿着X方向的薄膜加工处理之后，气体保护机构120可以将移动方向改变90度，以沿着正Y方向进行薄膜加工处理。当改变移动方向时，气体保护机构120旋转90度，以朝着负Y方向喷注反应气体。换句话说，气体保护机构120的旋转角可以对应于气体保护机构120的移动方向的变化角度。
可以在台110的下面布置诸如电荷耦合器件(CCD)的监控设备142。监控设备142实时显示薄膜加工的结果，使得可以容易地察觉到薄膜加工的异常。
在根据所示实施例的气体保护式装置中，由于将光和反应气体集中地提供给基板102的一部分，所以可以增加处理速率，还可以将残余的反应气体减到最少。
为了保持所提供和排出的反应气体的恒定压力(这与薄膜加工的均匀性密切相关)，分配单元150还包括：插入在第一储备箱“T1”与供气通道126之间的圆柱容器156、表示圆柱容器156的内部压力的压力计162和存储提供给圆柱容器156的惰性气体的第二储备箱“T2”。
更加详细地是，气体保护机构120中的供气通道126通过第一供应管154与圆柱容器156相连。在圆柱容器156中限定了缓冲区“B”。缓冲区“B”通过第二供应管158与第一储备箱“T1”相连。同样，缓冲区“B”通过第三供应管160与第二储备箱“T2”相连。
因此，第一储备箱“T1”中的反应气体通过圆柱容器156的缓冲区“B”，然后通过第一供应管154和供气通道126提供给针形喷管152，接着被喷注到基板102的一部分中。如果需要的话，将第二储备箱“T2”中的惰性气体提供给圆柱容器156的缓冲区“B”。换句话说，将惰性气体用作调整反应气体压力和浓度的体气(bulk gas)。可以使用氩(Ar)、氦(He)和氮气(N2)作为惰性气体。
此外，在圆柱容器156中，可以布置活塞157来调整缓冲区“B”的压力。通过气动压力操作活塞157前后移动，以改变缓冲区“B”的体积。因此，活塞157调整了通过针形喷管152喷注的反应气体的压力。对于气动压力，可以使用第二储备箱“T2”中的惰性气体。
由于压力计162表明了缓冲区“B”的内部压力，所以可以容易地调整从第二储备箱“T2”中供应的惰性气体的量以及活塞157的移动范围。因此，可以容易地调整通过针形喷管152喷注的反应气体的压力。
换句话说，为了提高薄膜加工处理的速度，反应气体的压力增大，同时气体保护机构120和能量源140的移动速度也增大。为了降低薄膜加工处理的速度，反应气体的压力降低，同时气体保护机构120和能量源140的移动速度也降低。以这种方式，可以容易地调整薄膜加工处理的速度。因此，可以有效地获得薄膜加工处理的均匀性。在其他实施例中，反应气体的压力可能增大而气体保护机构和能量源140的速度降低，或者反应气体的压力可能降低而气体保护机构和能量源140的速度增大。
可以将第二O形环164布置在气体保护机构120与透明窗口124之间的接触部分处。围绕在透明窗口124外周的第二O形环164用作密封件，以防止反应气体泄漏到外部，类似于第一O形环166。第二O形环164可以由与第一O形环166相同的材料(诸如含氟弹性体(FKM))制成。
在上面说明的实施例中，主要以利用气体保护式薄膜加工装置说明了作为薄膜加工处理的薄膜淀积处理和薄膜蚀刻处理。然而，利用气体保护式薄膜加工装置，可以在无反应气体的情况下仅通过使用来自能量源的光来去除先前淀积在基板上的隔离体，并且可以在薄膜加工处理之前进行这种去除处理，以暴露在隔离体下的薄膜图案。此外，利用气体保护式薄膜加工装置可以进行修补处理，以连接破裂的薄膜图案或断开异常电短接的薄膜图案。
如上所述，在气体保护式薄膜加工装置中，不考虑在大气压力下进行薄膜加工的情形，可以稳定地提供并排出反应气体，并且可以使未使用的排出的反应气体达到最小。换句话说，由于集中地将反应气体喷注到基板的光照射部分，所以大多数反应气体被用于薄膜加工。因此，能够获得薄膜加工的均匀性，能够将生产损耗降到最低，并且可以提高处理的速度。
此外，通过使用圆柱容器，可以容易地保持所提供并排出的反应气体的恒定压力。因此，可以调整处理速度并且能够获得均匀的薄膜加工。因此，小尺寸的气体保护机构和能量源是可拆卸的。因此，气体保护式薄膜加工装置可能具有简单的结构。同样，可以减少微粒的生成，从而可以防止基板被污染，并且能够改善所加工的薄膜的纯度。从而可以极大地提高生产率，因此能够生产包括高质量的薄膜的装置。
对本领域的普通技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明的用于加工薄膜的装置以及加工薄膜的方法进行各种修改和变型。例如，还可以将本发明应用于其他的电子或显示器件。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物范围内的本发明的修改和变型。
本发明要求于2004年8月27日提交的韩国专利申请No.P2004-0067917的优先权益，通过引用将其并入本文。

Claims (43)

1、一种用于加工基板的装置，包括：
台，其适合于容纳基板；
气体保护机构，其面对基板并且具有驻留空间；
能量源，其被布置为使得从所述能量源发射的光通过所述驻留空间照射所述基板的一部分；以及
分配单元，其包括针形喷管，通过该针形喷管将反应气体向所述基板的所述部分喷注。
2、根据权利要求1所述的装置，其中所述针形喷管被插入到所述气体保护机构中，并且具有锥形形状，使得在所述气体保护机构中的针形喷管的一端具有第一直径，而所述针形喷管的面对所述基板的另一端具有小于所述第一直径的第二直径。
3、根据权利要求2所述的装置，其中所述第一直径与第二直径的比大约为10。
4、根据权利要求2所述的装置，其中所述第一直径大约为100μm到500μm，而所述第二直径大约为10μm到50μm。
5、根据权利要求1所述的装置，其中所述分配单元还包括存储反应气体的第一储备箱，以及在所述气体保护机构中且连接所述针形喷管与第一储备箱的供气通道。
6、根据权利要求5所述的装置，其中所述分配单元还包括插入在所述第一储备箱与供气通道之间的圆柱容器，所述圆柱容器具有用于调整所述反应气体压力的缓冲区。
7、根据权利要求6所述的装置，其中所述分配单元还包括在所述圆柱容器中的活塞，所述活塞移动以调整所述反应气体的压力。
8、根据权利要求5所述的装置，其中所述分配单元还包括用于存储提供给所述圆柱容器的惰性气体以调整所述反应气体压力的第二储备箱。
9、根据权利要求1所述的装置，其中所述气体保护机构可与所述能量源一起移动。
10、根据权利要求9所述的装置，其中所述气体保护机构可旋转与所述气体保护机构移动方向的变化角度相对应的一个角度。
11、根据权利要求9所述的装置，其中所述反应气体的喷注方向与所述气体保护机构的移动方向相反。
12、根据权利要求9所述的装置，其中所述反应气体的喷注压力随着所述气体保护机构的移动速度的增大而增大，并且所述反应气体的喷注压力随着所述气体保护机构移动速度的降低而降低。
13、根据权利要求1所述的装置，其中所述气体保护机构还包括遮盖所述驻留空间的上开口部分的透明窗口。
14、根据权利要求1所述的装置，其中所述气体保护机构还包括在面对所述基板的表面上的多个排气槽，以及在与所述排气槽相连的气体保护机构中的排气通道。
15、根据权利要求5所述的装置，还包括在所述针形喷管与供气通道之间的连接部分处的密封件。
16、根据权利要求1所述的装置，还包括实时提供薄膜加工结果的监控设备。
17、一种在基板上加工薄膜的方法，包括以下步骤：
将基板放置在台上；
利用来自能量源的光照射所述基板的一部分；以及
通过针形喷管将反应气体喷注到所述基板的被照射部分，以使得通过所述光来激活所述反应气体以加工所述薄膜。
18、根据权利要求17所述的方法，其中所述光通过气体保护机构的驻留空间来照射所述基板的所述部分。
19、根据权利要求18所述的方法，其中所述气体保护机构可与所述光源一起移动。
20、根据权利要求19所述的方法，还包括步骤：将所述气体保护机构向所述基板的移动方向旋转变化的角度，并且对所述气体保护机构旋转与所述变化角度相对应的角度。
21、根据权利要求19所述的方法，其中所述反应气体的喷注方向与所述气体保护机构的移动方向相反。
22、根据权利要求19所述的方法，还包括如下步骤：随着所述气体保护机构移动速度的增大而增大所述反应气体的喷注压力，并且随着所述气体保护机构移动速度的降低而降低所述反应气体的喷注压力。
23、根据权利要求17所述的方法，还包括调整在缓冲区中的所述反应气体的喷注压力。
24、根据权利要求23所述的方法，其中通过移动活塞以改变所述缓冲区的体积来调整所述反应气体的喷注压力。
25、根据权利要求23所述的方法，其中通过向所述缓冲区提供惰性气体来调整所述反应气体的喷注压力。
26、根据权利要求17所述的方法，还包括排出残余的反应气体。
27、根据权利要求17所述的方法，还包括实时地提供薄膜加工的结果。
28、一种用于加工基板的装置，包括：
台，其适合于容纳基板；
气体保护机构，其面对基板并且具有驻留空间；
能量源，其被布置为使得从所述能量源发射的光通过所述驻留空间照射所述基板的一部分；以及
分配单元，适合于向所述台的所述部分喷注反应气体，所述分配单元包括供气通道和喷注口，所述喷注口从所述气体保护机构伸向所述台，并且具有横截面积基本上小于所述供气通道的横截面积的一端。
29、根据权利要求28所述的装置，其中所述喷注口以相对于所述台的倾斜角从所述气体保护机构伸向所述台。
30、根据权利要求28所述的装置，其中所述分配单元还包括存储反应气体的第一储备箱，以及连接所述喷注口与所述第一储备箱的供气通道。
31、根据权利要求30所述的装置，其中所述分配单元还包括插入在所述第一储备箱与所述供气通道之间的圆柱容器，所述圆柱容器具有用于调整所述反应气体压力的缓冲区。
32、根据权利要求31所述的装置，其中所述分配单元还包括所述圆柱容器中的活塞，所述活塞移动以调整所述反应气体的压力。
33、根据权利要求30所述的装置，其中所述分配单元还包括存储提供给所述圆柱容器的惰性气体以调整所述反应气体的压力的第二储备箱。
34、根据权利要求28所述的装置，其中所述气体保护机构可与所述能量源一起移动。
35、根据权利要求34所述的装置，其中所述气体保护机构可旋转与所述气体保护机构的移动方向的变化角度相对应的角度。
36、根据权利要求34所述的装置，其中所述反应气体的喷注方向与所述气体保护机构的移动方向相反。
37、根据权利要求34所述的装置，其中所述反应气体的喷注压力随着所述气体保护机构移动速度的增大而增大，并且所述反应气体的喷注压力随着所述气体保护机构的移动速度的降低而降低。
38、根据权利要求28所述的装置，其中所述气体保护机构还包括遮盖所述驻留空间的上开口部分的透明窗口。
39、根据权利要求28所述的装置，其中所述气体保护机构还包括：在面对所述台的表面上的多个排气槽，以及在与所述排气槽相连的气体保护机构中的排气通道。
40、根据权利要求28所述的装置，还包括在所述喷注口与所述供气通道之间的连接部分处的密封件。
41、根据权利要求28所述的装置，还包括布置在所述台下方的监控设备。
42、根据权利要求28所述的装置，其中所述喷注口的所述端比所述气体保护机构更接近于所述台。
43、根据权利要求28所述的装置，其中所述喷注口的所述端基本上被布置在所述驻留空间的中心。
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