CN1752279A - 用于处理薄膜的装置和薄膜的处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于基板处理的装置，包括适于容纳基板的工作台；与所述基板相对并具有保持空间的气体护罩，所述气体护罩包括：顶层板；底层板，与所述基板相对并具有多个环绕所述保持空间的泵孔；以及中层板，位于所述顶层板和所述底层板之间并具有连通到所述保持空间的第一气体通道和连通到所述多个泵孔的第二气体通道；能量源，与所述顶层板相对使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到基板的一部分；反应气提供装置，连接到所述第一气体通道；以及压力调节装置，连接到所述第二气体通道。

Description

用于处理薄膜的装置和薄膜的处理方法
本申请要求享有2004年9月23日在韩国递交的申请号为P2004-0076582的申请的权益，在此引用其作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于处理薄膜的装置以及一种薄膜的处理方法。
背景技术
至今，显示器件通常仍采用阴极射线管(CRT)。目前，正投入了大量精力用于研究和开发不同类型的平板显示器，如液晶显示(LCD)器件、等离子显示板(PDP)、场发射显示器、以及电致发光显示器(ELD)，作为CRT的替代产品。
这些平板显示器件在至少一个透明基板上具有光发射层或光极化层。近来，一种其中以矩阵方式排列了多个薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型平板显示器，由于其高分辨率和对于运动图像的高显示能力已经被越来越广泛地使用。
平板显示器包括多层薄膜。因此，通过重复进行薄膜沉积工序、光刻工序以及薄膜蚀刻工序来制造平板显示器。而且，当通过这种方法形成的薄膜图案存在诸如开路和短路的瑕疵时，还需进行用于修复这种薄膜图案瑕疵的工序。
在具有密封反应区的腔室型(chamber type)薄膜处理装置中进行如沉积工序、蚀刻工序和修复工序的薄膜处理工序。然而，对于腔室型装置大尺寸基板会存在问题。换句话说，由于如今平板显示器的尺寸已经增大，腔室的尺寸也根据基板的尺寸而增大。特别是，平板显示器近来已经使用具有约几个平方米(m2)大小的基板。因此，增加了腔室型装置所占据的空间。
为解决这个问题，取代需要大尺寸的密封反应空间的腔室型装置，提出了一种用于在大气条件下处理基板的一部分的气体护罩(gas shield)型薄膜处理装置。
图1为根据现有技术的气体护罩型薄膜处理装置的截面图。
如图1所示，气体护罩型薄膜处理装置使用激光诱导化学气相沉积方法。换句话说，通过使用光照射基板2的一部分以及在大气压力下施加到基板2的被照射部分上的反应气(reaction gas)的光解作用进行薄膜处理。
气体护罩型装置包括放置基板2的工作台10、工作台10上方的气体护罩20、以及气体护罩20上方的能量源40。
工作台10通过使用操作组件(未示出)上/下移动和左/右移动，即水平移动和垂直移动。气体护罩20具有保持空间22，该保持空间上下开口，并设置在与能量源40相对应的气体护罩20的中间部分。保持空间22的上开口部分由透明窗24遮蔽。激光束“L”通过透明窗24和保持空间22照射到基板2的一部分上。供气通道26形成在气体护罩20中并且连接到保持空间22以提供反应气。供气通道26通过供气管52连接到气体提供装置50。在气体护罩20的背面并且面对基板2形成多个排气槽28和排气槽32以排出基板2上剩余的反应气。排气通道30和排气通道34形成在气体护罩20中并连接到对应的排气槽28和排气槽32。而且，排气通道30和排气通道34通过排气管56连接到压力调节装置54。能量源40产生诸如激光束“L”的光。激光束“L”穿过透明窗24和保持空间22并且聚焦在基板2的一部分上。
基板2放置在工作台10上，并且工作台10移动以将能量源40和气体护罩20与基板2对准。随后，从能量源40发出的激光束“L”聚焦在基板2的一部分上，并且反应气通过供气管52和供气通道26提供到保持空间22并流入到基板2的聚焦部分。该反应气在基板2的聚焦部分被激光束“L”激活，并由此在基板2的一部分进行如沉积和蚀刻的薄膜处理。在薄膜处理过程中，排气通道30和排气通道34以及排气管56通过压力调节装置54处于负压状态下，以防止有毒的反应气和气态副产品外泄。因此，剩余反应气和气态副产品通过排气槽28和排气槽32不断排出。
通过上面所述的工序，现有技术的气体护罩型装置在大气条件下对基板的一部分进行薄膜处理。然而，现有技术的气体护罩型装置存在一些问题。
由于薄膜处理在大气压力下进行，大量的反应气被浪费而没有用于薄膜处理。换句话说，由于气体供应和气体排出是同时进行的，大量的反应气被浪费而没有用于薄膜处理。因此，降低了薄膜处理的速度和效率。进一步说，工作台的移动速度有限。例如，当进行连接开路的薄膜图案的修复工序时，激光束的照射范围，即聚焦区域约为300μm2，然而工作台的移动速度约为3到10μm/sec。因此，用于一块基板的全部工序时间，即整轮循环时间(TACT)，很长。
进一步说，反应气的供气压力和排气压力根据基板的位置而不同，从而降低了薄膜处理的均匀性。换句话说，在现有技术的气体护罩型装置中，由于在大气压下进行薄膜处理，与腔室型薄膜处理装置相比，保持反应气的供气压力和排气压力的压力恒定是有问题的。特别是，由于从各排气槽28和排气槽32到压力调节装置54的距离不同，因此反应气的排出压力根据排气槽的位置而不同。因此降低了薄膜处理的均匀性。
进一步说，现有技术的气体护罩型装置占据了大量面积。换句话说，在气体护罩20中供气通道26设置在与排气通道30和排气通道34不同的高度，因而气体护罩20在某种程度上具有必需的厚度。而且，排气槽28和排气槽32包括环绕保持空间22设置的第一槽28和环绕第一槽28设置的第二槽32，从而排气通道30和排气通道34彼此独立。因此，气体护罩20具有较大的厚度和体积。
进一步说，由于气体护罩20的大尺寸，工作台10为了减少如微粒的杂质产生以及简化操作为可移动的。因此，装置所占据的面积约为基板2尺寸的两倍。
进一步的，供气通道26中的反应气以及排气通道30和排气通道34中的剩余反应气在相应的气体通道26、30和34中冷却或凝结。因此，冷却或凝结的反应气充当了微粒并因此污染基板2或堵塞气体通道26、30和34。
发明内容
本发明提出了一种用于薄膜处理的装置和方法，其改善了薄膜处理的均匀性，减少了装置所占据的面积并且防止了基板的污染和气体通道的堵塞。
作为例子，如具体和广泛描述的，一种用于处理基板上的薄膜的装置包括适于容纳基板的工作台；面对所述基板并具有保持空间的气体护罩，所述气体护罩包括：顶层板；底层板，面对所述基板并具有位于所述保持空间周围的多个泵孔；以及中层板，位于所述顶层板和所述底层板之间并具有连通所述保持空间的第一气体通道和连通所述多个泵孔的第二气体通道；能量源，面对所述上层板使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到基板的一部分；连接到所述第一气体通道的反应气提供装置；以及连接到所述第二气体通道的压力调节装置。
另一方面，一种基板上薄膜的处理方法包括：放置所述基板到工作台上；利用能量源发出的光通过气体护罩的保持空间照射基板的一部分；通过所述保持空间为所述基板的一部分提供反应气；以及在所述气体护罩和所述基板之间环绕所述保持空间形成气幕。
另一方面，一种用于处理基板上的薄膜的装置，包括：适于容纳基板的工作台，面对所述基板的气体护罩，所述气体护罩具有保持空间并且具有其中设置有不相连的第一气体通道、第二气体通道和第三气体通道的多层板，所述各气体通道均具有供气体进入的进气气门和供气体排出的排气气门；能量源，与所述顶层板相对使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到基板的一部分上；连接到所述第一气体通道的反应气提供装置；以及分别连接到所述第二气体通道和所述第三气体通道的可独立操作的压力调节装置。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意在对本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
本申请所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包括在该申请中并且作为本申请的一部分，示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1为根据现有技术的气体护罩型薄膜处理装置的截面图；
图2为根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的截面图；
图3为根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的分解透视图；
图4A为根据本发明实施方式的中层板的正面的平面图；
图4B为根据本发明实施方式的中层板的背面的平面图；
图4C为根据本发明实施方式的中层板的第一通道和第二通道连接结构的示意图；
图5为根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的操作流程图；以及
图6为根据本发明实施方式的当第一吸排气泵注入惰性气体并且第二吸排气泵抽出惰性气体时的气流的概念截面图。
具体实施方式
现在具体描述本发明的优选实施方式，它们的实施例示于附图中。
图2为根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的截面图。根据本发明实施方式的薄膜处理装置不仅适用于平板显示器也适用于诸如半导体器件的包含薄膜的器件。薄膜处理工序包括如沉积、蚀刻、修复等涉及到在基板上形成薄膜的工序。
如图2所示，薄膜处理装置包括放置基板102的工作台100，放置在基板102上方并面对基板102的气体护罩200，以及气体护罩200上方的能量源300。工作台通过使用如马达和汽缸的操作组件可以上/下移动和左/右移动，即水平移动和垂直移动。同样，在气体护罩200和能量源300通过使用操作组件可以相对基板102上/下移动和左/右移动，即水平移动和垂直移动时，可以固定工作台100。
气体护罩200与基板102分隔开几毫米到几百毫米之间。气体护罩200可以用铝(Al)制造，并且具有圆带状(circle-banded shape)或多边带形状(polygon-banded shape)。保持空间202设置在气体护罩200的中间部分。保持空间202可以具有约2mm到5mm的宽度。保持空间202上下开口，并且保持空间202的上开口部分通过透明窗204遮蔽。透明窗204可以由石英制造。可以使用非反射平面透镜作为透明窗204。
在气体护罩200中，形成连接供气装置402与保持空间202的第一气体通道，以及连接多个泵孔272和274与压力调节装置的第二气体通道。泵孔272和274形成在气体护罩200的背面。
通过上下开口的保持空间202，能量源300发射出的激光束“L”通过透明窗204和保持空间202照射在基板102的一部分上。能量源300可以发射如紫外线(UV)射线、射频(RF)射线或u波射线以及激光束“L”，或可以仅发射上述射线来代替激光束“L”。
在本发明的实施方式中，气体护罩200包括相堆叠的多个板210、230、270和280。因此，第一气体通道和第二气体通道形成在板210、230、270和280中。下文中，将参照图2和图3详细说明具有多层板210、230、270和280的气体护罩200。
图3为根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的分解透视图。
如图2和图3所示，气体护罩200包括至少三层板，即顶层板210、底层板270以及位于顶层板210和底层板270之间的中层板230。顶层板210是邻近能量源300的气体护罩200的顶部，并且在顶层板210上适配安装有透明窗204。底层板270为气体护罩200的底部面对基板102，并且在底层板270上形成有上下开口的泵孔272和泵孔274。中间板230包括第一气体通道232和第二气体通道240。第一气体通道232与保持空间202相连通，而第二气体通道240与泵孔272和泵孔274相连通。
第一气体通道232形成在中间板230的正面并且具有槽状。第二气体通道240形成在中间板230的正面和背面并且具有槽状。正面的第二气体通道240与背面的第二气体通道240通过上下开口的多个连接孔247和连接孔257相连通。下文中，将参考图2到图4C详细说明中层板230。
图4A为根据本发明实施方式的中层板的正面的平面图，图4B为根据本发明实施方式的中层板的背面的平面图，以及图4C为根据本发明实施方式的中层板的第一通道和第二通道连接结构的示意图。
如图2到图4C所示，第一气体通道232形成在中间板230的正面。第二气体通道240包括形成在中间板230正面以及背面的第一气体子通道244和第二气体子通道254。第一气体子通道244和第二气体子通道254彼此独立。第一气体子通道244包括分别形成在中间板230正面和背面的第一正面气体子通道246和第一背面气体子通道248，同时第二气体子通道254包括分别形成在中间板230正面和背面的第二正面气体子通道256和第二背面气体子通道258。第一正面气体子通道246与第一背面气体子通道248通过多个第一连接孔247相连通，同时第二正面气体子通道256与第二背面气体子通道258通过多个第二连接孔257相连通。第一背面气体子通道248具有环绕保持空间202的断开的环状，而第二背面气体子通道258具有环绕第一背面气体子通道248的断开的环状。第一背面气体子通道248和第二背面气体子通道258的每一个均被分为多个部分。然而，第一背面气体子通道248的多个分开的部分通过第一连接孔247和第一正面气体子通道246彼此相连通，而第二背面气体子通道258的多个分开的部分通过第二连接孔257和第二正面气体子通道256彼此相连通。各正面气体子通道246和正面气体子通道256可以与相应的背面气体子通道248和背面气体子通道258具有不同的槽状。
第三气体通道260可以形成在中间板230的正面并且具有槽状。第三气体通道260连接到惰性气体提供装置(未示出)，并且因此通过第三气体通道260向保持空间202提供来自惰性气体提供装置的惰性气体。
所述第一气体通道232连接到反应气提供装置402，而第二气体通道240连接到压力调节装置。具体的说，压力调节装置包括分别与第一气体子通道244相连通的第一吸排气泵404和与第二气体子通道254相连通的第二吸排气泵406。吸排气泵404或吸排气泵406通过气体通道有选择地抽气或排气。因此，各第一吸排气泵404和第二吸排气泵406向各第一子通道244和第二子通道254提供负压或惰性气体。为了抽气或排气，吸排气泵404和吸排气泵406可以包括彼此并联的吸气装置(sucking device)和排气装置(blowingdevice)。
如图2和图3所示，顶层板210覆盖中层板230的上表面。因此，设置在中层板230正面的第一气体通道232、各第一正面气体子通道246和第二正面气体子通道256以及第三气体通道260被封闭而不具有一个开口的上部分。顶层板210包括与第一气体通道232连通的第一气门孔212、与第一正面气体子通道246连通的第二气门孔214以及与第二正面气体子通道256连通的第三气门孔216。第一气门孔212连接到反应气提供装置402，第二气门孔214连接到第一吸排气泵404，并且第三气门孔216连接到第二吸排气泵406。第一气门孔212、第二气门孔214和第三气门孔216的每个还可以具有多个开口。另外，顶层板210还可以包括连通第三气体通道260的第四气门孔218。第一气门孔212、第二气门孔214、第三气门孔216和第四气门孔218为上下开口。
底层板270附着于中层板230的背面。底层板270包括多个上下开口的第一泵孔272和第二泵孔274。第一泵孔272与第一背面气体子通道248的多个分开的部分相对应并与其连通，第二泵孔274与第二背面气体子通道258的多个分开的部分相对应并与其连通。因此，第一泵孔272环绕保持空间202形成并且具有断开的环状，第二泵孔274环绕环状的第一泵孔272形成并且具有断开的环状。换句话说，第一泵孔272彼此分开，同时第二泵孔274彼此分开。
如上所述，第一气门孔212通过第一气体通道232连接到保持空间202。第二气门孔214通过第一正面气体子通道246、第一连接孔247以及第一背面气体子通道248连接到第一泵孔272。第三气门孔216通过第二正面气体子通道256、第二连接孔257和第二背面气体子通道258连接到第二泵孔274。第四气门孔218通过第三气体通道260连接到保持空间202。
在本发明的实施方式中，气体护罩200还可以包括加热板280。尽管在图3中加热板280设置在顶层板210和中层板230之间，加热板280也可以设置在不同的位置，例如，中层板230和底层板270之间。加热板280对通过气体通道和孔的气体进行加热，以防止气体冷却和凝结。为了保持气体在气体护罩200中流动，加热板280还具有用于气体流动的结构。当加热板280设置在顶层板210和中层板230之间时，加热板280可以包括与第一气门孔212连通的第一内孔282、与第二气门孔214连通的第二内孔284、与第三气门孔216连通的第三内孔286以及与第四气门孔218连通的第四内孔288。另外，当加热板280设置在中层板230和底层板270之间时，加热板280可以具有连接第一背面气体子通道248和第一泵孔272的内孔，以及连接第二背面气体子通道258和第二泵孔274的内孔。
进一步的，虽然未示出，可以在顶层板和210和中层板230之间以及中层板230和底层板270之间的外围部分的周围设置O型环。
下文中，将参照图2至图5说明根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的操作。
图5为根据本发明实施方式的气体护罩型薄膜处理装置的操作流程图。
如图2至图5所示，在第一步骤(ST1)中，基板102放置到工作台100上。基板102可以为要沉积薄膜的基板或者预先已经沉积了薄膜的基板。
随后，在第二步骤(ST2)中，移动气体护罩200和能量源300以与基板102对准。随后，在第三步骤(ST3)中，能量源300产生激光束“L”，并且激光束“L”聚焦并照射在基板102的一部分上。
随后，在第四步骤(ST4)中，从反应气提供装置402给第一气门孔212提供反应气。提供给第一气门孔212的反应气经过第一气体通道232到保持空间202，随后反应气流入到基板102的聚焦部分。
其间，在第四步骤(ST4)之前和第三步骤(ST3)之后，可以增加其它步骤。例如，第一附加步骤(STA1)，仅在没有反应气时激光束“L”可以照射到基板102的一部分以对基板102的一部分进行预加热，或者可以进行辐射(zapping)工序来去除预先沉积的最顶层绝缘层。另外，如第二附加步骤(STA2)所示，可以向保持空间202提供惰性气体以净化保持空间202和将被处理的基板102的那部分，或者在惰性气体随着反应气一起提供时使惰性气体充当缓冲气体。利用惰性气体的净化可以在第三步骤(ST3)之前和第二步骤(ST2)之后进行。惰性气体从惰性气体提供装置(未示出)提供到第四气门孔218，随后经过第三气体通道260提供到保持空间202。
在第四步骤(ST4)中，在提供反应气的同时，第一吸排气泵404和第二吸排气泵406可以工作。第一吸排气泵404和第二吸排气泵406的操作可以相反地工作(一个抽气而另一个排气)或者相同地工作(都为抽气或都为排气)。
例如，第一吸排气泵404通过排气操作注入惰性气体，而第二吸排气泵406可以通过吸气操作抽出惰性气体，反之亦然。由于第一吸排气泵404和第二吸排气泵406以彼此相反的吸气和排气方式工作，因此将保持空间202下方的空间与外部隔离。因此，大部分的反应气被用于薄膜处理而没有浪费。换句话说，为了防止反应气的浪费，在提供反应气的同时，第一泵孔272和第二泵孔274彼此相反地吸入和排出气体。
图6为根据本发明实施方式的当第一吸排气泵注入惰性气体同时第二吸排气泵抽出惰性气体时的气流的概念截面图。
如图6所示，第一泵孔272注入惰性气体，从而惰性气体充当了气幕(gaseous curtain)以防止反应气外泄浪费。因此，反应气大部分都被限制在气幕所包围的空间中并用于薄膜处理。第二泵孔274吸出大部分的惰性气体。
另外，与图6的操作相反，当第一泵孔272吸出惰性气体而第二泵孔274注入惰性气体时，尽管少量的反应气通过第一泵孔272吸出，然而大部分反应气被用于薄膜处理。因而，可以提高反应气的利用率。
另外，第一泵孔272和第二泵孔274可以仅以吸气或排气方式运行。
通过激光束“L”激活由于第一泵孔272和第二泵孔274的工作而提供到基板102的一部分的反应气，从而进行薄膜处理。
作为第五步骤(ST5)，通过气体护罩200和能量源300的移动，可沿着连续线进行薄膜处理。
作为第六步骤(ST6)，当薄膜处理结束时，通过第一泵孔272和第二泵孔274吸出剩余的反应气，以防止有毒的反应气外泄。
其间，由于加热板280在薄膜处理期间对经过其的气体进行加热，因而防止了经过气体护罩200中如通道和孔的气体通路的气体冷却或凝结。
在本发明的实施方式中，可以调整第一气体通道232和第二气体通道240、第一连接孔247和第二连接孔257、以及第一气门孔212和第二气门孔214的形状和容量，使得第一泵孔272和第二泵孔274均匀地注入和吸出惰性气体而不论其位于何处。
如上所述，保持空间下方的用于薄膜处理的空间与外界隔离。因此，大部分反应气被用于薄膜处理，从而提高了薄膜处理的速度和效率。
进一步说，不论位置如何，可以通过第一泵孔和第二泵孔均匀调整吸气压力和排气压力。因此，提高了薄膜处理的均匀性。
进一步说，可以减少气体护罩型薄膜处理装置的尺寸。换句话说，顶层板和底层板仅具有能覆盖中层板的正面和背面的厚度即可，同时中层板仅具有能形成用作气体通道的槽的厚度即可。因此，气体护罩可以具有较小的尺寸，从而气体护罩型装置也具有较小的尺寸。
进一步说，由于气体护罩和能量源尺寸小并且可以移动，可以减少如微粒的杂质并且简化结构。如果固定工作台，那么装置所占据的面积基本上为基板的尺寸。
进一步说，在气体护罩中插入了加热板。因此，防止了在气体护罩中流动的气体冷却或凝结。同时，防止了基板的污染和装置的问题。
对于本领域的普通技术人员来说，显然可以在不脱离本发明精神和范围的前提下对本发明的用于薄膜处理的装置和薄膜处理方法做出各种改进和变型。例如，本发明可以应用于其它显示器件。因而，本发明的范围覆盖了本发明的改进和变型，只要它们属于所附权利要求及其等效物的范围即可。

Claims (38)

1、一种用于处理基板上的薄膜的装置，包括：
工作台，适于容纳所述基板；
气体护罩，与所述基板相对并具有保持空间，所述气体护罩包括：
顶层板；
底层板，与所述基板相对并具有位于所述保持空间周围的多个泵孔；以及
中层板，位于所述顶层板和所述底层板之间并具有与所述保持空间连通的第一气体通道和与所述多个泵孔连通的第二气体通道；
能量源，面对所述上层板使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到基板的一部分；
反应气提供装置，连接到所述第一气体通道；以及
压力调节装置，连接到所述第二气体通道。
2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一气体通道在所述中层板的正面具有槽状，而所述第二气体通道包括分别在所述中层板的正面和背面具有槽状的正面气体通道和背面气体通道。
3、根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述中层板还具有连接所述正面气体通道和所述背面气体通道的连接孔。
4、根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述正面气体通道和所述背面气体通道的槽状不同。
5、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个泵孔包括多个环绕所述保持空间的第一泵孔和多个环绕所述第一泵孔的第二泵孔。
6、根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二气体通道包括与所述第一泵孔连通的第一气体子通道和与所述第二泵孔连通的第二气体子通道。
7、根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一泵孔具有环状并且所述第二泵孔具有环状。
8、根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述压力调节装置包括连接到所述第一气体子通道的第一吸排气泵以及连接到所述第二气体子通道的第二吸排气泵。
9、根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一吸排气泵向所述第一气体子通道提供负压或惰性气体，而所述第二吸排气泵向所述第二气体子通道提供负压或惰性气体。
10根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述顶层板具有连接所述第一气体通道和所述反应气提供装置的第一气门孔，连接所述第一气体子通道和所述第一吸排气泵的第二气门孔，以及连接所述第二气体子通道和所述第二吸排气泵的第三气门孔。
11、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括惰性气体提供装置，其中所述中层板还具有连接到所述惰性气体提供装置并且与所述保持空间连通的第三气体通道。
12、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体护罩在顶层板和中层板之间以及中层板和底层板之间的至少一个位置还包括加热板。
13、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括适用于顶层板并且遮蔽保持空间上部分的透明窗。
14、一种用于处理基板上的薄膜的方法，包括：
将所述基板放置到工作台上；
利用来自能量源的光，通过气体护罩的保持空间照射基板的一部分；
通过所述保持空间为所述基板的一部分提供反应气；以及
在所述气体护罩和所述基板之间环绕所述保持空间形成气幕。
15、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成所述气幕包括通过述环绕所述保持空间的气体护罩中的多个第一泵孔注入惰性气体。
16、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括通过环绕所述保持空间的气体护罩中的多个第二泵孔吸出所述惰性气体。
17、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二泵孔至少部分地环绕所述第一泵孔。
18、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一泵孔至少部分地环绕所述第二泵孔。
19、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括在薄膜处理结束后，通过所述第一泵孔和所述第二泵孔吸出所述剩余反应气。
20、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在利用光照射所述基板的一部分之前，提供惰性气体到所述保持空间，以净化所述保持空间和所述基板。
21、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在提供所述反应气之前利用光对所述基板预加热。
22、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在提供反应气之前去除先前在基板上形成的隔离层。
23、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在薄膜处理期间沿连续线移动所述气体护罩和能量源。
24、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括和反应气一起提供惰性气体到所述保持空间。
25、一种用于处理基板上的薄膜的装置，包括：
工作台，适于容纳所述基板；
气体护罩，面对所述基板，所述气体护罩具有保持空间并且具有其中设置有不相连的第一气体通道、第二气体通道和第三气体通道的多层板，所述各气体通道具有供气体进入的进气气门和供气体排出的排气气门；
能量源，面对所述顶层板使得从其中发出的光通过所述保持空间照射到所述基板的一部分；
反应气提供装置，连接到所述第一气体通道；以及
可独立操作的压力调节装置，分别连接到所述第二气体通道和所述第三气体通道。
26、根据权利要求25所述的装置，其特征在于，所述第一气体通道、所述第二气体通道和所述第三气体通道的进气气门设置在所述气体护罩的顶部。
27、根据权利要求25所述的装置，其特征在于，所述气体护罩还包括顶层板、中层板和底层板，各层板至少包括槽或与所述槽相连的孔之一。
28、根据权利要求27所述的装置，其特征在于，所述中层板在相反的表面包括不同的槽。
29、根据权利要求28所述的装置，其特征在于，所述中层板各表面上的至少一个槽至少部分地环绕同一表面上的另一个槽。
30、根据权利要求27所述的装置，其特征在于，所述底层板包括环绕所述保持空间形成在同心环形中的槽。
31、根据权利要求30所述的装置，其特征在于，一个同心环形中的槽与另一个同心环形中的槽不相连。
32、根据权利要求27所述的装置，其特征在于，顶层板和底层板仅具有覆盖中层板的厚度，而中层板的厚度足够在中层板中形成用作气体通道的槽。
33、根据权利要求25所述的装置，其特征在于，所述压力调节装置向所述气体通道提供负压或者惰性气体。
34、根据权利要求25所述的装置，其特征在于，还包括惰性气体提供装置以及气体护罩中的第四气体通道，所述惰性气体提供装置连接到所述第四气体通道。
35、根据权利要求34所述的装置，其特征在于，所述反应气提供装置和所述惰性气体提供装置通过第一板上的不同进气门导入所述多层板，并且通过第二板上的不同槽连接到所述保持空间。
36、根据权利要求25所述的装置，其特征在于，至少一个所述板为加热板。
37、根据权利要求36所述的装置，其特征在于，所述加热板设置在顶层板和中层板之间以及中层板和底层板之间的至少一个位置。
38、根据权利要求25所述的装置，其特征在于，所述装置所占据的面积为基板的尺寸。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107043920A (zh) * 2016-02-08 2017-08-15 伊利诺斯工具制品有限公司 用于金属在表面上的局部沉积的方法和系统

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103370774B (zh) * 2011-02-21 2016-08-24 应用材料公司 在激光处理系统中的周围层气流分布
KR102136825B1 (ko) 2011-11-17 2020-07-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
CN102828166B (zh) * 2012-08-24 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 化学气相沉积维修设备
KR101876960B1 (ko) * 2017-03-14 2018-07-10 주식회사 에이치비테크놀러지 박막형성 장치
WO2020010051A1 (en) * 2018-07-06 2020-01-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for linear scan physical vapor deposition with reduced chamber footprint
CN110929407B (zh) * 2019-11-29 2021-06-08 清华大学 一种供暖用屏蔽电泵的能效评价方法
US11850458B2 (en) * 2021-04-19 2023-12-26 Kidde Technologies, Inc. Flow control device for particle concentration measurement sensor

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4801352A (en) * 1986-12-30 1989-01-31 Image Micro Systems, Inc. Flowing gas seal enclosure for processing workpiece surface with controlled gas environment and intense laser irradiation
DE4011933C2 (de) * 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür
KR0158780B1 (ko) * 1994-12-22 1998-11-16 가네꼬 히사시 화학 증착법에 의한 박막형성 방법 및 장치
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JPH09115854A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Hitachi Ltd レーザ照射加工装置
JPH10280152A (ja) 1997-04-14 1998-10-20 Nec Corp チャンバレスレーザｃｖｄ装置
JP3036687B2 (ja) 1997-05-23 2000-04-24 日本電気株式会社 レーザｃｖｄ装置
JP3109508B2 (ja) * 1999-03-24 2000-11-20 日本電気株式会社 薄膜形成装置
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
JP2004031603A (ja) 2002-06-25 2004-01-29 Nec Corp レーザｃｖｄ装置、レーザｃｖｄ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法
JP4289906B2 (ja) * 2003-02-28 2009-07-01 キヤノン株式会社 露光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107043920A (zh) * 2016-02-08 2017-08-15 伊利诺斯工具制品有限公司 用于金属在表面上的局部沉积的方法和系统
US10865477B2 (en) 2016-02-08 2020-12-15 Illinois Tool Works Inc. Method and system for the localized deposit of metal on a surface

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