TWI652845B - 用於電子裝置膠封的設備與技術 - Google Patents

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TWI652845B TW106120173A TW106120173A TWI652845B TW I652845 B TWI652845 B TW I652845B TW 106120173 A TW106120173 A TW 106120173A TW 106120173 A TW106120173 A TW 106120173A TW I652845 B TWI652845 B TW I652845B
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賈斯汀 默克
寇諾F 馬狄剛
伊莉亞 沃斯凱
尤金 拉賓歐維奇
那喜德 哈爾吉
克里斯多夫 布雀能
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美商凱特伊夫公司
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Abstract

用於製造發光裝置(例如,有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)裝置)的設備與技術包含利用具有受控環境的一或更多個模組。該受控環境被維持在為約大氣壓力的壓力處或者大氣壓力以上。該些模組會被排列成用以提供各種處理區域並且用以達成印刷或沉積一OLED裝置的一或更多個經圖樣化有機層,例如,一OLED裝置的一有機膠封層(Organic Encapsulation Layer,OEL)。於一範例中,一基板的均勻支撐能夠至少部分利用一氣體緩衝墊來提供,例如,在構成一OEL製作製程的印刷作業、固持作業、或是固化作業的一或更多項作業期間。於另一範例中,基板的均勻支撐能夠利用一分散式真空區域來提供,例如,由一多孔媒介來提供。

Description

用於電子裝置膠封的設備與技術
本發明關於用於電子裝置膠封的設備與技術。
優先權主張
本專利申請案主張下面每一案的優先權權利:(1)2014年1月21日提申的美國臨時專利申請案序號第61/929,668號,標題為「利用惰性環境的顯示裝置製作系統與技術(DISPLAY DEVICE FABRICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES USING INERT ENVIRONMENT)」;(2)2014年2月26日提申的美國臨時專利申請案序號第61/945,059號,標題為「利用惰性環境的顯示裝置製作系統與技術(DISPLAY DEVICE FABRICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES USING INERT ENVIRONMENT)」;(3)2014年3月4日提申的美國臨時專利申請案序號第61/947,671號,標題為「利用惰性環境的顯示裝置製作系統與技術(DISPLAY DEVICE FABRICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES USING INERT ENVIRONMENT)」;(4)2014年4月30日提申的美國臨時專利申請案序號第61/986,868號,標題為「用於製作噴墨印刷膠封層的系統與方法(Systems and Methods for the Fabrication of Inkjet Printed Encapsulation Layers)」;以及(5)2014年5月23日提申的美國臨時專利申請案序號第62/002,384號,標題為「利用惰性環境的顯示裝置製作系統與技術 (DISPLAY DEVICE FABRICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES USING INERT ENVIRONMENT)」。本文以引用的方式將前述每一案完整併入。
相關專利案之交叉參考
本專利申請案和下面的專利案有關:美國專利公開案第US 2013/0252533 A1號(Mauck等人所提申),標題為「氣體圍體組裝件與系統(GAS ENCLOSURE ASSEMBLY AND SYSTEM)」;美國專利公開案第US 2013/0206058 A1號(Mauck等人所提申),標題為「氣體圍體組裝件與系統(GAS ENCLOSURE ASSEMBLY AND SYSTEM)」;以及美國專利案第US 8,383,202號(Somekh等人所提申),標題為「用於裝載鎖定式印刷的方法與設備(METHOD AND APPARATUS FOR LOAD-LOKED PRINTING)」。本文以引用的方式將前述每一案完整併入。
電子裝置(例如,光電子裝置)能夠利用有機材料來製作,明確地說,利用薄膜處理技術。此些有機光電子裝置的體積小,因為它們有相對既薄且平面的結構,並且會提供增強的電力效率以及增強的視覺效能,例如,相較於其它顯示器技術。不同於競爭技術,於特定的範例中,此些裝置會有機械彈性(舉例來說,可摺疊或者可彎曲)或是透光性。舉例來說,有機光電子裝置的應用包含通用的照明、作為背光照明源、或是作為電致發光顯示器中的像素光源或其它元件。其中一類的有機光電子裝置包含有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)裝置,其能夠利用電致發光有機材料(例如,舉例來說,小分子材料、聚合物材料、螢光材料、或是磷光材料)來產生光。
於其中一種方式中,OLED裝置能夠利用熱蒸發技術透過在一基板上真空沉積一系列有機薄膜而被部分製作。然而,依此方式的真空處理:(1)相對複雜,通常涉及一大型真空反應室與抽吸子系統,以便維持此真空;(2)相對浪費有機原料,因為此系統中的大部分材料通常被沉積在內部的壁部與固定配件上,因此,被浪費的材料通常多於被沉積在該基板上的材料;以及(3)難以維持,例如,其涉及頻繁地停止操作該真空沉積治具,以便打開並且清潔該些壁部與固定配件,除去累積的廢料。再者,在OLED應用中還會希望以某種圖樣來沉積該些有機膜。
於另一種方式中,一毯覆塗層會被沉積在該基板上方並且會考量使用光微影術來達成所希望的圖樣化。但是,於各種應用中,且尤其是針對OLED材料,此些光微影術製程卻會破壞被沉積的有機膜或是下方的有機膜。當使用真空沉積技術時,一種所謂的蔽蔭遮罩(shadowmask)會被用來直接圖樣化被沉積層。此些情況中的蔽蔭遮罩包括一實體模板,其通常被製造成一具有用於該些沉積區域之多個削除部的金屬平板。該蔽蔭遮罩通常會在沉積之前先被放置靠近或接觸該基板,並且對齊該基板,在沉積期間保持在正確的地方,並且接著在沉積之後被移除。此種透過蔽蔭遮罩的直接圖樣化會為基於真空的沉積技術增加許多複雜性,其通常涉及額外的機制與固定作用來相對於該基板精確地搬運與定位該遮罩,從而進一步增加廢料(肇因於被沉積在該蔽蔭遮罩上的材料浪費),並且進一步提高為連續性清潔及置換該些蔽蔭遮罩本身而需要的維修需求。蔽蔭遮罩技術通常還涉及相對薄的遮罩以達成顯示器應用所需要的像素規模圖樣化,並且此些薄遮罩在大面積上機械性並不穩定,從而限制能夠被處理的基板的最 大尺寸。改善可縮放性仍是OLED製造的主要挑戰,因此,此些縮放性方面的限制會很顯著。
OLED裝置中所使用的有機材料通常還非常容易受到曝露於各種周遭材料(例如,氧、臭氧、或是水)中的影響。舉例來說,一OLED裝置的各種內層(例如,其包含一電子注入或傳輸層、一電洞注入或傳輸層、一阻隔層、或是一發光層)之中所使用的有機材料容易遭受各式各樣損毀機制的破壞。此損毀會至少部分因將化學活性污染物或是電氣/光學活性污染物併入至該裝置結構之中(併入於每一個膜的本體材料裡面或是併入在整個裝置堆疊中的層間介面處)而被驅動產生。化學活性污染物會隨著時間經過而在該膜之中觸發一會損毀該膜材料的化學反應。此些化學反應會簡單隨著時間經過而發生,不需要任何其它觸發;或者,舉例來說,能夠因周遭光學能量或是被注入的電氣能量而被觸發。電氣或光學活性污染物會在操作期間為被引進該裝置之中或是在該裝置之中被產生的電氣能量或光學能量創造寄生的電氣或光學路徑。此些路徑會導致光輸出的抑制或是產生不正確的光輸出(舉例來說,錯誤頻譜的光輸出)。損毀或是損失可能呈現一獨特的OLED顯示元件的失效,在一OLED元件陣列的一部分中出現「黑色」光點,出現可見的瑕疵或是損失電氣或光學效率,或是在該OLED元件陣列的不同受影響區域中的顏色描繪精確性、對比、或是亮度中發生不必要的偏差。
一OLED裝置中的一或更多層能夠利用印刷技術來製作(舉例來說,沉積或是圖樣化)。舉例來說,一有機材料(例如,舉例來說,電洞 注入材料、電洞傳輸材料、發光材料、電子傳輸材料、電洞阻隔材料、或是電子注入材料)會被溶解或是懸浮在一載體流體(舉例來說,溶劑)之中,並且包含該有機材料的一OLED裝置的一層會藉由對該載體流體進行噴墨印刷以及接續的蒸發而被形成,以便提供一經圖樣化的層。舉例來說,一有機材料(例如,一有機薄膜膠封材料)會以某種圖樣被噴墨印刷在一基板上作為一液體的有機化合物混合物,該經圖樣化的有機層會塗佈被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分並且接著經由一固化製程(例如,藉由UV 照射)而固化,以便誘發一交聯反應,從而形成一經圖樣化的固體層。於另一種方式中,一固相的有機材料會被熱蒸發,以便經由噴射而沉積在一基板上。於又一種方式中,有機材料會被溶解或是懸浮在一載體流體之中,並且包含該有機材料的OLED裝置的一層會藉由從一噴嘴處滴塗一連續的流體串流於一基板上用以形成一直線(所謂的「噴嘴印刷(nozzle printing)」或「噴嘴噴射(nozzle jet)」)並且接著蒸發該載體而被形成,以便提供一經線圖樣化的層。此些方式通常會被稱為有機「印刷」技術,例如,其能夠利用一印刷系統來實施。
除了其它以外,本案發明人還發現,印刷技術與其它處理作業能夠利用具有圍體的系統來實行,該些圍體被配置成用以提供一受控環境,例如,包含包括會與被沉積在正在被處理之基板上或是構成該基板的一或更多種物種有最小反應或是沒有反應之氣體(此氣體具有指定的純度)的大氣環境。此純度還會包含受控的其它物種(例如,氧或水)最大不純濃度,以便防止OLED裝置在製作期間遭到損毀或者抑制或阻止缺陷發生。其能夠提供微粒控制,例如,在該受控環境裡面保持一指定的微粒位準。 圍體的排列會包含讓個別的模組具有單獨維持的受控環境,或者,該些模組中的一或更多者會與其它模組共用一受控環境。諸如氣體淨化、溫度控制、溶劑削減、或是微粒控制的設施都能夠在多個模組之間被共用,或者能夠以專用的方式來提供。
正在被製作的OLED裝置,例如,包含許多OLED裝置的基板,會被傳輸至其它製作設備,例如,利用下面之中的一或更多者:裝載模組(舉例來說,「裝載鎖定器」)、包含一搬運器的傳輸模組、或是利用諸如墮性或其它非反應氣體簾幕以及閘門排列的技術。依此方式能夠傳輸正在被製作的一個別基板,而不必實質上改變封閉式模組的環境或是不需要清除該些封閉式模組。舉例來說,該些封閉式模組的環境會受到控制,例如,用以提供少於百萬分之100個氧以及少於百萬分之100個水蒸氣的環境。本案發明人還發現,使用裝載鎖定式配置能夠整合含有直線元件的受控大氣以及其它製作製程(例如,露天(open-air)製程或真空製程),而不必實質上改變一個別模組裡面的受控環境(舉例來說,非反應受控的環境以及微粒受控的環境),或者,不需要耗時的清除每一個封閉式模組之中的非反應氣體體積。
除了其它以外,本案發明人還發現,在一基板的主動區域沒有受到連續且均勻支撐的地方會有問題出現,該些地方會在處理期間或之後呈現不均勻性或可見的缺陷。舉例來說,該基板會受到一運用真空或機械性夾鉗作用的機械性夾頭支撐,用以在處理期間將該基板固持在正確地方。於其中一種方式中,當處理基板時會在該基板的中央區域中使用起模針(lift pin)來相對於該夾頭升起或降下該基板,以便幫助進行裝載與卸載。 於真空夾頭的情況中,該些基板的中央區域中的真空孔洞或溝槽通常係被用來將該基板往下固持在正確地方。於此方式中,當使用此些通常可利用的支撐技術時在該夾頭的中央區域中因而會有孔洞或溝槽並且此些孔洞或溝槽會代表不均勻支撐的區域。沒有理論限制,舉例來說,此些缺陷咸信與該基板的表面中或是與要被沉積或處置的塗層或膜層反向的表面中的不均勻熱輪廓或不均勻靜電場輪廓相關聯。本案發明人已經發現,有許多不同專門的均勻支撐技術能夠被用來達成均勻、無缺陷的塗層,例如,其包含避免在該基板中此些主動區域上的區域中或是與此些主動區域反向的區域中進行不均勻支撐。
舉例來說,除了其它以外,本案發明人還發現,基板能夠至少部分利用一氣體緩衝墊(gas cushion)來均勻地支撐,例如,在一印刷作業或是其它處理的一或更多者期間,例如,在一固化模組中進行紫外線處置之前或期間。利用此氣體緩衝墊能夠增強該基板上的一塗層或膜層的均勻性,例如,藉由減少或最小化水波紋(mura)或是其它可見的缺陷。依此方式,舉例來說,一有機的薄膜膠封層會被印刷或處置,例如,利用在該基板中發光裝置所在的主動區域上或是與發光裝置所在的主動區域的反向區域中包含一氣體緩衝墊的支撐技術。此外,或者取而代之的係,該基板亦能夠藉由下面一或更多種方式而被均勻地支撐:該些主動區域裡面的均勻實體接觸;或是藉由該主動區域外面的不均勻實體接觸,舉例來說,一真空夾頭能夠被配置成使得所有的真空溝槽與孔洞以及起模針孔洞都被侷限在該些主動區域的外面。或者,該基板能夠藉由必須保有高水平塗佈均勻性的主動區域裡面的均勻實體接觸而被均勻地支撐以及藉由該主動區域外面或 是必須保有高水平塗佈均勻性的主動區域裡面的不均勻實體接觸而被支撐(舉例來說,作為測試裝置或是使用在較低等級的產品中)。或者(甚至,除此之外),藉由利用一分散式真空區域來保留基板能夠避免使用真空溝槽與孔洞,從而避免或減少在一或更多個主動區域中支撐該基板的結構的熱特徵與電氣特徵中的不連續性,至少少於真空保留機制。
於一範例中,本發明揭示一種用於在基板上提供塗層的塗佈系統,其包含:一封閉式印刷系統,其被配置成用以沉積一經圖樣化的有機層在一基板上,該經圖樣化的有機層會塗佈被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分;一封閉式固化模組,其包含一紫外線處置區域,該區域被配置成用以容納一基板並且被配置成用以對該經圖樣化的有機層提供紫外線處置;以及一封閉式基板傳輸模組,其被配置成用以從不同於該封閉式印刷系統或該封閉式固化模組中一或更多者之環境的大氣環境中接收該基板。該經圖樣化的有機層會在該基板的一第一側佔據該基板的一沉積區域;以及該封閉式固化模組會被配置成用以利用一氣體緩衝墊在該紫外線處置區域中均勻地支撐該基板,該氣體緩衝墊被提供於和該第一側反向的該基板的第二側,該氣體緩衝墊被建立在該基板與一夾頭之間。
於一範例中,本發明揭示一種技術,例如,一種方法,其包含:將一基板從一無機薄膜膠封系統處傳輸至一有機薄膜膠封系統的傳輸模組;將該基板傳輸至一封閉式印刷系統,該封閉式印刷系統被配置成用以沉積一經圖樣化有機層在該基板的第一側中的一沉積區域之中,該經圖樣化有機層會塗佈被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分;利用一第一氣體緩衝墊在該封閉式印刷系統中均勻地支撐該基板,該第一氣體緩 衝墊被提供於和該沉積區域反向的該基板的第二側;利用該封閉式印刷系統印刷單體於該基板的該沉積區域上方;將該基板從該封閉式印刷系統處傳輸至該傳輸模組;將該基板從該傳輸模組處傳輸至一封閉式固化模組;利用一第二氣體緩衝墊在該封閉式固化模組中均勻地支撐該基板,該第二氣體緩衝墊被提供於和該第一側反向的該基板的第二側;以及在該封閉式固化模組中處置該單體膜層,以便在該沉積區域中提供一沒有水波紋的聚合化有機層。
於一範例中,本發明揭示一種技術,例如,一種方法,其包含:將一基板從一無機薄膜膠封系統處傳輸至一有機薄膜膠封系統的傳輸模組;將該基板傳輸至一封閉式印刷系統,該封閉式印刷系統被配置成用以沉積一經圖樣化有機層在該基板的第一側中的一沉積區域之中,該經圖樣化有機層會塗佈被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分;利用一第一均勻支撐體在該封閉式印刷系統中均勻地支撐該基板,該第一均勻支撐體被提供於和該沉積區域反向的該基板的第二側;利用該封閉式印刷系統印刷單體於該基板的該沉積區域上方;將該基板從該封閉式印刷系統處傳輸至該傳輸模組;將該基板從該傳輸模組處傳輸至一封閉式固化模組;利用一第二均勻支撐體在該封閉式固化模組中均勻地支撐該基板,該第二均勻支撐體被提供於和該第一側反向的該基板的第二側;以及在該封閉式固化模組中處置該單體膜層,以便在該沉積區域中提供一沒有水波紋的聚合化有機層。該第一均勻支撐區或第二均勻支撐區中的一或更多者會包含一與該基板實體接觸的分散式真空區域或是一氣體緩衝墊。
於一範例中,本發明揭示一種用於在基板上提供塗層的塗佈 系統,其包含:一封閉式印刷系統,其被配置成用以沉積一經圖樣化的有機層在一基板上,該經圖樣化的有機層會塗佈正在被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分,該封閉式第一印刷系統被配置成用以提供一第一處理環境;一封閉式固化模組,其包含一由多個紫外線處置區域組成的堆疊配置,該些紫外線處置區域彼此偏移並且每一個紫外線處置區域被配置成用以容納一基板,該封閉式固化模組被配置成用以提供一第二處理環境;一封閉式基板傳輸模組,其包括一反應室,該反應室被配置成用以從不同於該封閉式印刷系統或該封閉式固化模組中一或更多者之環境的大氣環境中接收該基板。該些第一處理環境與第二處理環境會包含位在或接近大氣壓力的受控環境並且被建立成用以維持在微粒污染位準極限、水蒸氣含量極限、以及氧含量極限的指定極限以下。
本文中所述的系統與技術能夠用於支援製造各種不同的電子裝置配置,例如,其包含一或更多個光電子裝置。舉例來說,一平板顯示裝置至少部分能夠利用本文中所述的系統或技術來製作。此平板顯示裝置會包含一有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)平板顯示器。數個OLED平板顯示器能夠在一基板(或是「母」玻璃(mother glass))上被處理。本文中使用「基板」一詞或是「正在被製作的基板」一語通常係指能夠包含一OLED裝置的在製組裝件(an assembly in-process)。本文中的範例未必受限於一特殊的面板幾何形狀或尺寸。舉例來說,此些系統與技術能夠用於支援在具有2代(「Gen 2」)尺寸的基板上製作顯示裝置,例如,具有維度為約37公分(cm)乘約47cm之矩形幾何形狀的基板。本文中所述的系統亦能夠用於較大型的基板幾何形狀,例如,支援在具有3.5代(「Gen 3.5」) 基板尺寸的基板上製作顯示裝置,例如,具有維度為約61公分(cm)乘約72cm之矩形幾何形狀的基板。本文中所述的系統亦能夠用於更大型的基板幾何形狀,例如,支援在具有對應於「Gen 5.5」之基板尺寸的基板上製作顯示裝置,例如,具有維度為約130cm乘150cm,或者,具有維度為約195cm乘225cm的「Gen 7」或「Gen 7.5」基板。舉例來說,一「Gen 7」或「Gen 7.5」基板能夠被單體裁切(舉例來說,切割或者分割)成八個42英吋(對角線維度)或是六個47英吋(對角線維度)的平板顯示器。一「Gen 8」基板會包含約216cm乘246cm的維度。一「Gen 8.5」基板會包含約220cm乘250cm的維度,並且每一個基板能夠被單體裁切以提供六個55英吋或是八個46英吋的平板顯示器。
利用本文中所述的系統與技術亦能夠支援超過Gen 8.5的維度。舉例來說,具有維度為約285cm乘305cm的「Gen 10」基板或是更大型的基板亦能夠至少部分利用本文中所述的系統與技術來製作。雖然通常可應用於玻璃基板,不過,本文中所述的面板尺寸亦能夠應用於適合用在顯示裝置製作之任何材料的基板,尤其是包含利用印刷技術來形成一或更多層的OLED顯示器製作。舉例來說,各式各樣的玻璃基板材料皆能夠被使用,並且亦能夠使用各式各樣的聚合物基板材料,舉例來說,聚醯亞胺。
此概述的用意在於提供本專利申請案之主旨的概述。其並沒有提供本發明之獨有或竭盡性解釋的用意。本文中包含詳細說明以提供和本專利申請案有關的進一步資訊。
100‧‧‧氣體圍體組裝件
130‧‧‧氣體淨化迴路
131‧‧‧出口線路
132‧‧‧溶劑移除器件
133‧‧‧入口線路
134‧‧‧氣體淨化系統
140‧‧‧熱調節系統
141‧‧‧流體出口線路
142‧‧‧冷凝器
142A‧‧‧冷凝器
142B‧‧‧冷凝器
143‧‧‧流體入口線路
300‧‧‧高壓氣體再循環系統
502‧‧‧氣體圍體系統
503‧‧‧氣體圍體系統
504‧‧‧氣體圍體系統
505‧‧‧系統
910‧‧‧線性紫外線光源配置
910A‧‧‧紫外線光源
910N‧‧‧紫外線光源
912‧‧‧紫外線光源組裝件
914‧‧‧氣填空間
915‧‧‧風箱
916‧‧‧視窗
917‧‧‧光學感測器
917A‧‧‧光學感測器
917N‧‧‧光學感測器
918‧‧‧基板或外殼
920‧‧‧夾頭
922‧‧‧紫外線發射射束
1000A‧‧‧系統
1000B‧‧‧系統
1005‧‧‧氣體圍體組裝件
1100‧‧‧裝載模組
1100A‧‧‧裝載模組
1100B‧‧‧裝載模組
1101‧‧‧輸入或輸出模組
1200‧‧‧處理模組
1200A‧‧‧處理模組
1200B‧‧‧處理模組
1300‧‧‧處理模組
1300A‧‧‧處理模組
1300B‧‧‧處理模組
1400‧‧‧傳輸模組
1400A‧‧‧傳輸模組
1400B‧‧‧傳輸模組
1410‧‧‧搬運器
1410A‧‧‧搬運器
1410B‧‧‧搬運器
1411‧‧‧搬運器
1420‧‧‧末端效應器
1422‧‧‧末端效應器
1430‧‧‧運輸器
1500‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
1500A‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
1500B‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
1500C‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
1500F‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
1500N‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
1502A‧‧‧熱交換器
1502B‧‧‧熱交換器
1502C‧‧‧熱交換器
1503A‧‧‧過濾器
1503B‧‧‧過濾器
1710A‧‧‧紫外線發光二極體(UV:LED)光源
1710N‧‧‧紫外線發光二極體(UV:LED)光源
1718‧‧‧基板
1810A‧‧‧紫外線發光二極體(UV:LED)
1812‧‧‧外殼
1815A‧‧‧風扇
1815B‧‧‧風扇
1815C‧‧‧風扇
1815D‧‧‧風扇
1824A‧‧‧短柱
1824B‧‧‧短柱
1824C‧‧‧短柱
1824D‧‧‧短柱
1906‧‧‧多孔媒介
2000‧‧‧印刷系統
2000A‧‧‧印刷系統
2000B‧‧‧印刷系統
2100‧‧‧第一區
2101‧‧‧區域
2106A‧‧‧高壓氣體埠口
2106N‧‧‧高壓氣體埠口
2120‧‧‧固定配件
2124A‧‧‧第一區域
2124B‧‧‧第二區域
2124N‧‧‧第N區域
2150‧‧‧印刷系統基底
2200‧‧‧印刷區
2206A‧‧‧多孔區域
2206B‧‧‧多孔區域
2206C‧‧‧多孔區域
2206D‧‧‧多孔區域
2220‧‧‧夾頭
2224A‧‧‧已伸出的起模針
2224B‧‧‧已縮回的起模針
2250‧‧‧基板漂浮平台印刷區
2300‧‧‧第二區
2301A‧‧‧第一區
2301B‧‧‧第二區
2301N‧‧‧第N區
2302‧‧‧固化模組
2304A‧‧‧高壓氣體
2304B‧‧‧高壓氣體
2306A‧‧‧埠口
2310A‧‧‧紫外線光源
2310B‧‧‧紫外線光源
2312‧‧‧機械止動器
2316‧‧‧(未定義)
2320A‧‧‧夾頭
2320B‧‧‧夾頭
2320N‧‧‧夾頭
2324‧‧‧接針
2328‧‧‧紫外線發射
2420A‧‧‧夾頭配置
2420B‧‧‧夾頭配置
2420C‧‧‧夾頭配置
2440‧‧‧路徑
2732‧‧‧搬運器
2734‧‧‧軌道
3000A‧‧‧系統
3000B‧‧‧系統
3200‧‧‧外部氣體迴路
3201‧‧‧非反應氣體源
3202‧‧‧機械式閥門
3203‧‧‧乾淨乾燥空氣(CDA)源
3204‧‧‧機械式閥門
3206‧‧‧機械式閥門
3208‧‧‧機械式閥門
3210‧‧‧外殼氣體線路
3212‧‧‧低消耗歧管線路
3214‧‧‧跨線路第一區段
3215‧‧‧低消耗歧管
3216‧‧‧第一流動接合點
3218‧‧‧第二流動接合點
3220‧‧‧壓縮器氣體線路
3222‧‧‧乾淨乾燥空氣(CDA)線路
3224‧‧‧高消耗歧管線路
3225‧‧‧高消耗歧管
3226‧‧‧第三流動接合點
3228‧‧‧跨線路第二區段
3230‧‧‧閥門
3250‧‧‧壓縮器迴路
3252‧‧‧氣體圍體組裝件出口
3254‧‧‧線路
3256‧‧‧閥門
3258‧‧‧檢查閥門
3260‧‧‧壓力受控旁通迴路
3261‧‧‧閥門
3262‧‧‧壓縮器
3263‧‧‧閥門
3264‧‧‧蓄能器
3266‧‧‧背壓力調節器
3268‧‧‧蓄能器
3270‧‧‧真空系統
3272‧‧‧線路
3274‧‧‧閥門
3280‧‧‧風箱迴路
3282‧‧‧風箱外殼
3283‧‧‧隔離閥門
3284‧‧‧風箱
3284A‧‧‧風箱
3284B‧‧‧風箱
3285‧‧‧檢查閥門
3286‧‧‧可調整閥門
3287‧‧‧隔離閥門
3288‧‧‧熱交換器
3290‧‧‧真空風箱
3292‧‧‧線路
3294‧‧‧閥門
3301‧‧‧出入口
3350‧‧‧巢室
4000‧‧‧基板
4000A‧‧‧基板
4000B‧‧‧基板
4000C‧‧‧基板
4002‧‧‧中央區域
4002A‧‧‧顯示區域
4002B‧‧‧顯示區域
4002C‧‧‧顯示區域
4002D‧‧‧顯示區域
4004‧‧‧周圍區域
4006A‧‧‧基板
4006B‧‧‧基板
4006C‧‧‧基板
4008‧‧‧溝槽
4012‧‧‧真空溝槽
4014‧‧‧真空埠口
4016‧‧‧起模針
4018‧‧‧缺陷
4022‧‧‧缺陷
4024‧‧‧缺陷
4026‧‧‧缺陷
5201‧‧‧導管
5201A‧‧‧導管
5201B‧‧‧導管
5201C‧‧‧導管
5201D‧‧‧導管
5600‧‧‧氣體控制器
5650‧‧‧溫度控制器
8314‧‧‧固化模組
8315‧‧‧紫外線處置系統
8316‧‧‧二維光源陣列配置
8317‧‧‧二維光源陣列配置
8318‧‧‧二維光源陣列外殼配置
8500‧‧‧處理模組
8700‧‧‧溫度控制器
8701‧‧‧溫度監視器
8701A‧‧‧溫度監視器
8701B‧‧‧溫度監視器
圖1A大體上顯示能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的至少一部分的平面圖的範例,例如,其包含一印刷系統與一固化模組。
圖1B與圖1C大體上顯示能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的至少一部分的立方圖的範例,例如,其包含一印刷系統與一固化模組。
圖2A大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置(舉例來說,一OLED裝置)的系統的至少一部分的平面圖的範例。
圖2B大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置(舉例來說,一OLED裝置)的系統的至少一部分的立方圖。
圖3A大體上顯示一系統的至少一部分的立方圖,例如,其包含一印刷系統以及其它模組。
圖3B大體上顯示一系統的至少一部分的平面圖,例如,其會包含一印刷系統以及其它模組。
圖3C大體上顯示一系統的至少一部分的平面圖的進一步範例,例如,其會包含一印刷系統以及其它模組。
圖4A與圖4B所示的係包含形成一發光裝置的有機薄膜膠封層(Organic Thin-Film Encapsulation Layer,OTFEL)(舉例來說,一OLED裝置的OEL)的技術,例如,方法。
圖5大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置的紫外線處置系統的一部分的示意圖範例。
圖6大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置的紫外線處置系統的示意 圖範例。
圖7A與圖7B大體上顯示能夠包含一線性紫外線光源配置的紫外線處置系統的至少一部分的範例,例如,其能夠被用來製造一發光裝置。
圖8A與圖8B大體上顯示能夠包含一線性紫外線光源配置與一光偵測器的紫外線處置系統的至少一部分的範例。
圖9大體上顯示能夠包含一由多個紫外線光源所組成的二維陣列配置的紫外線處置系統的一部分的示意圖範例,例如,其能夠被用來製造一發光裝置。
圖10大體上顯示一由多個紫外線光源所組成的二維陣列配置的範例,例如,其能夠作為一紫外線處置系統的一部分。
圖11大體上顯示用於一紫外線光源陣列的外殼配置的範例,例如,其能夠被併入成為一紫外線處置系統的一部分。
圖12大體上顯示一表示被傳遞之紫外線能量之不均勻性的強度關係圖的解釋性範例,例如,其能夠被用來建立一反向濾波器或正規化濾波器配置。
圖13A與圖13B大體上顯示一夾頭配置的解釋性範例,在圖13A中顯示包含接觸一基板的埠口或溝槽,例如,在沉積、固持、材料流動或散佈、或是固化製程的一或更多者期間,而在圖13B中則顯示該基板的一層之中的對應可見不均勻性(舉例來說,「水波紋」)。
圖14A、圖14B、圖14C、以及圖14D包含一基板的各種區域的解釋性範例,以及對應的固定配件,例如,夾頭或是末端效應器(end effector),其包含一或更多個高壓氣體埠口、真空埠口、或是真空區域。
圖15A與圖15B大體上顯示一夾頭配置的解釋性範例,其會包含一或更多個機械性支撐接針以及一或更多個真空區域的組合。
圖16A與圖16B和圖13A與圖13B形成對照,其包含一夾頭配置的解釋性範例,在圖16A中包含被配置成用以建立一高壓氣體緩衝墊的埠口以便支撐一基板,例如,在沉積(舉例來說,印刷)、固持、或是固化製程的一或更多者期間,而在圖16B中則顯示最終基板中的對應均勻性。
圖16C與圖16D和圖13A與圖13B形成對照,其大體上顯示一夾頭配置的解釋性範例,其包含一多孔媒介,例如,用以在沉積(舉例來說,印刷)、固持、材料流動或散佈、或是固化製程的一或更多者期間建立一分散式真空或是高壓氣體緩衝墊,例如,從而提供如圖16E中所示的最終基板中的均勻性。
圖16E大體上顯示一最終基板的解釋性範例,例如,其能夠利用如圖16C或圖16D中所示的夾頭配置來提供。
圖17大體上顯示一種氣體淨化技術的概略代表圖,其能夠配合本文中所述之一或更多個其它範例的一部分或全部來使用,例如,用以在用於製造一發光裝置(舉例來說,一OLED裝置)的圍體外殼製作設備中建立或維持一受控的環境。
圖18A與圖18B大體上顯示一種用於整合及控制非反應氣體源與乾淨乾燥空氣(Clean Dry Air,CDA)源的氣體圍體系統的範例,例如,其能夠被用來建立本文中其它地方所述之其它範例中所表示的受控環境,並且例如,其能夠包含一用於一漂浮平台的高壓氣體供應器。
圖19A與圖19B大體上顯示一種用於整合及控制非反應氣體源與乾淨 乾燥空氣(CDA)源的氣體圍體系統的範例,例如,其能夠被用來建立本文中其它地方所述之其它範例中所表示的受控環境,並且例如,其能夠包含一風箱迴路(blower loop),舉例來說,用以提供用於一漂浮平台的高壓氣體以及至少部分真空。
圖19C大體上顯示一種用於整合及控制一或更多個氣體源或空氣源的系統的進一步範例,例如,用以建立被併入作為一漂浮運輸系統之一部分的漂浮控制地帶。
圖20A、圖20B、以及圖20C大體上顯示一種能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的至少一部分的視圖,例如,其包含一傳輸模組。
圖21A與圖21B大體上顯示一種能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的一部分的視圖,例如,其能夠包含一由多個基板處理區域所組成的堆疊配置。
圖22A大體上顯示一種能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的一部分,例如,其包含一被耦合至其它反應室或模組的傳輸模組。
圖22B大體上顯示一搬運器配置,例如,其能夠被用來在圖22A中所示的模組裡面操縱一基板。
在該些圖式中未必依照比例繪製,不同圖式中的相同元件符號可以描述相同的器件。有不同字母字尾的相同元件符號可以代表相同器件的不同實例。該些圖式大體上透過範例來圖解本文件中所討論的各種實施例,而並沒有限制意義。
圖1A大體上顯示能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統1000A的至少一部分的平面圖的範例,例如,其包含一印刷系統2000與一處理模組1300。舉例來說,系統1000A能夠被用來在含有一或更多個電子裝置的基板上形成一有機薄膜膠封層(OTFEL)。
和本文中所述的其它範例雷同,系統1000A會包含一印刷系統2000(舉例來說,用以在一基板上「印刷」或是沉積一膜膠封層)。系統1000A會包含一傳輸模組1400。一或更多個處理模組,例如,處理模組1300,會被耦合至該傳輸模組1400。如本文中所述的其它範例,印刷系統2000、傳輸模組1400、以及處理模組1300中的每一者皆被封閉,例如,以便提供位在約大氣壓力處或是大氣壓力以上的受控環境(舉例來說,具有一或更多種雜質物種之指定最大位準的氮氣環境)。基板會被傳輸至系統1000A或是自系統1000A處被傳輸,例如,利用裝載模組1100。依此方式,系統1000A之一或更多個其它部分中的個別受控環境便能夠被維持而不會有污染或者不需要再將一基板傳輸至系統1000A之中或者從系統1000A處傳輸出來期間對此些受控環境進行完整清除。處理模組1300會被配置成用以實施其中一種或是各式各樣的處理作業,例如,下面之中的一或更多者:固持作業、固化作業(舉例來說,利用熱或是曝露於紫外線輻射中,用以處置一基板)、緩衝作業、或是一或更多種其它作業。
圖1A的系統1000A能夠為單機型,或者,能夠整合其它元件,例如,本文中其它範例中所示。圖1A的系統1000A能夠以群集模式或 者單排模式來集合操作。舉例來說,在群集模式中,多塊基板會從裝載模組1100處被裝載與卸載。舉例來說,於單排模式中,多塊基板會被裝載至印刷系統2000的左側之中並且從裝載模組1100處被卸載。
圖1B與圖1C大體上顯示能夠被用來製造一電子發光裝置(舉例來說,一OLED裝置)的系統1000A的至少一部分的正面立方圖與後面立方圖的範例,例如,用於根據如圖4A或4B中所示之技術來製作一OLED裝置的OTFEL。系統1000A包含一裝載模組1100,用以將一或更多個基板傳輸至系統1000A的一或更多個部分裡面的一受控環境之中或是自該受控環境中傳輸出去,例如,利用位在傳輸模組1400中的搬運器。
系統1000A會包含一印刷系統2000,例如,具有一運輸機延伸通過一第一區2100、一印刷區2200、以及一第二區2300,雷同於本文中所述的其它印刷系統範例。要被處理的基板會被佇列或者會被固持用以提供一指定的固持持續時間長度,以便讓印刷系統2000流出或是散佈要被沉積在該基板上的有機材料。舉例來說,一第一模組1200、一第二模組1300、或是一第三模組8500中的一或更多者能夠在印刷之前或是印刷之後被用來固持一或更多個基板。該一或更多個模組1200、1300、或是8500的配置能夠至少部分利用關於該基板面板尺寸的資訊來指定。
如一解釋性範例,在Gen 3.5基板幾何形狀或是1/4 Gen 5基板幾何形狀中的有機膠封層(OEL)製作的配置中,該第一模組1200能夠作為一膠封層固持模組與一固化模組,例如,用以利用本文中其它地方所述之技術中的一或更多項技術(例如,利用氣體緩衝墊或是利用該基板中會形成發光裝置的「主動」區域內的均勻實體接觸的其它方式均勻地支撐該基板) 提供該基板均勻的支撐。除了其它以外,本案發明人還發現,下面所述的均勻支撐技術(其包含在印刷作業、固持作業、或是固化作業中的一或更多者期間的氣體漂浮(或者,該些「主動」區域內的均勻實體接觸))會抑制或阻止在OEL製作製程中形成可見的不均勻現象(舉例來說,水波紋)。
第二模組1300能夠作為一重新配向模組。該重新配向模組會提供一體積,其中,一搬運器能夠翻轉或旋轉正在被製作的基板。第三模組8500會包含一固持模組,例如,用以將多塊基板以堆疊配置的方式儲存在環境受到控制的區域之中,例如,本文中其它地方的範例中的圖解顯示(舉例來說,如圖21A或圖21B中所示)。於另一範例中,例如,針對較大型的基板幾何形狀,該第三模組8500能夠被配置成用以提供一重新配向模組,該第一處理模組1200能夠被配置成用以提供一膠封固化模組,並且該第二處理模組1300能夠被配置成一具有一或更多個環境受控區域的固持或緩衝模組。亦能夠使用其它配置,例如,如圖2A或圖2B的範例中圖解顯示,例如,其能夠用於大型面板幾何形狀或者用以增加總產量。
該系統的一或更多個封閉部分裡面的受控環境會包含諸如下面一或更多者的規格:(1)針對直徑大於或等於二微米的微粒有優於Class 10的微粒控制,(2)少於百萬分之10個水與氧或者少於百萬分之1個水與氧,或是(3)周遭氣體環境的溫度控制為正負攝氏2度裡面。
圖1A與1B雖然顯示單一處理模組1200被耦合至傳輸模組1400A;不過,亦可採用其它配置。圖2A大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統1000B的至少一部分的平面圖的範例,例如,其包含一印刷系統2000、第一處理模組1200A 與第二處理模組1200B、以及第三處理模組1300;而圖2B大體上顯示系統1000B的至少一部分的立方圖的解釋性範例。
系統1000B會包含第一傳輸模組1400A與第二傳輸模組1400B,其被耦合至印刷系統2000。一或更多個其它模組會被耦合至該印刷系統2000,例如,經由第一傳輸模組1400A或第二傳輸模組1400B。舉例來說,第一處理模組1200A會被耦合至第一傳輸模組1400A,以及第二處理模組1200B與第三處理模組1300會被耦合至第二傳輸模組1400B。
該些第一處理模組1200A、第二處理模組1200B、或是第三處理模組1300會包含一固持或緩衝模組、一固化模組、或是一或更多個其它模組。該些第一處理模組、第二處理模組、或是第三處理模組中的一或更多者會包含一堆疊配置,例如,圖5、圖21A、或是圖21B的範例中所示。除了簡單地固持基板以達基板流動管理的目的以外,例如,固持基板維持一段時間週期直到另一模組準備接收該基板為止或是提供一地方來固持有缺陷或已毀壞的基板直到它們能夠被移除為止,亦能夠使用一固持或緩衝模組來固持基板維持一段時間週期作為功能性製程流程的一部分。
舉例來說,在印刷作業之後,該基板會被固持在一固持模組之中,例如,用以為要被印刷在該基板上的有機材料提供一指定的散佈或流動持續時間長度,例如,在形成一有機膠封層的製程期間。此固持作業會有一指定的持續時間長度。於另一範例中,該基板會被固持(舉例來說,維持一指定的持續時間長度)在一固化模組之中,例如,在對該基板進行紫外線處置或熱處置之前。此定時的固持作業能夠被實施用以讓該基板從其中一種狀態演變為另一種狀態。舉例來說,在一液體材料會被沉積在該基 板上的印刷作業之後並且在用以形成一固體膜的固化作業之前,一具有指定持續時間長度的定時固持作業可以用來在透過一固化作業(例如,包含熱處置或光學處置的固化作業)固定該膜之前讓該液體流動、沉澱、乾燥、或是前面三者的任何組合。
該些第一處理模組1200A、第二處理模組1200B、或是第三處理模組1300會包含一真空烘乾模組,例如,其會容納單一基板或是多個基板(例如,堆疊配置),如圖21A或圖21B中所示。此真空烘乾模組能夠用於烘乾(在周遭壓力以下的壓力處)一液體材料,例如,該液體材料能夠透過印刷被沉積在該基板上。於一範例中,系統1000B會包含一如上面所述之用以提供各項功能的固持模組以及一分開的真空烘乾模組。或者(甚至除以之外),系統1000B會包含一固持模組,其被配置成用以在特定的持續時間長度期間於周遭壓力處或是於大約周遭壓力處提供固持或緩衝,並且用以在其它持續時間長度提供真空烘乾。
系統1000B會被封閉,例如,具有一受控的處理環境。此受控的處理環境能夠被建立成用以維持在微粒污染位準、水蒸氣含量、氧含量、以及有機蒸氣含量的一或更多者的指定極限以下。舉例來說,該受控的處理環境會配合利用系統1000B被沉積在正在被處理之基板上的物種而包含指定為最小值或沒有反應能力的氮氣或另一氣體或多種氣體混合。如下面的其它範例所述,此受控的處理環境至少部分能夠利用一包含在系統1000B之各個部分裡面或是被耦合至系統1000B之各個部分的氣體淨化系統來建立(舉例來說,如圖17、圖18A、圖18B、圖19A、圖19B、或是圖19C中所示)。該受控環境的微粒位準同樣會受到控制,例如,利用被耦合至系 統1000B或是位在系統1000B的一或更多個模組裡面的設備,如本文中其它範例中的顯示與說明。
於一解釋性的範例中,該些第一處理模組1200A、第二處理模組1200B、或是第三處理模組1300、印刷系統2000、或是傳輸模組1400A中的一或更多者會包含一由一共用的氣體淨化設施、單一專屬氣體淨化設施、或是各自和系統1000B之不同部分相關聯的多個專屬氣體淨化設施所建立的受控環境。舉例來說,不同的模組會包含閘門或閥門調節,例如,以便以可控制的方式和系統1000B的其它部分隔離而使得各種作業可在標稱的系統作業期間或是在維修期間被實施,而不需要清除系統1000B的整個受控環境或者使得系統1000B的整個受控環境受到污染。
系統1000B會包含一或更多個裝載模組,例如,第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B中的一或更多者,例如,以便為正在被處理的一或更多個基板提供進入點(point-of-entry)或是出口點(point-of-exit)。該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B能夠為固定式或可移除式,例如,將系統1000B直接耦合至一製造線中的其它設備,或者,提供一能夠被輸送至其它設備或是從其它設備處被輸送過來的可移除組裝件。舉例來說,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B中的一或更多者會被配置成用以將基板傳輸至和系統1000B裡面的環境不同的環境或是從和系統1000B裡面的環境不同的環境處將基板傳輸出來。
舉例來說,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B能夠被耦合至一真空源或是一清除源或是兩者,並且能夠被配置成用以獨立地密封通往系統1000B的介面埠口以及通往先前環境或下一個環境(該環 境可能為和另一個封閉式處理模組相關聯的周遭環境或受控環境)的介面埠口。依此方式,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B能夠在內部將自己密封,並且在不相容於系統1000B的環境及相容於系統1000B的環境之間來轉換裝載模組1100A或1100B的內部環境(舉例來說,當透過介面埠口曝露至系統1000B之位在大約大氣壓力處或是在大氣壓力以上的受控環境會實質上保持系統1000B中的受控環境的品質)。同樣地,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B亦能夠被用來傳輸基板至適合其它處理的環境(舉例來說,位在或接近大氣壓力但是組成不同於該受控環境的第二環境,或是真空環境)。依此方式,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B會在系統1000B的受控環境與其它設備之間提供一傳輸導管。
如上面提及,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B會包含一種永久性附接的配置或是一種載運車或其它可輸送的配置。一正在被製作的基板能夠經由一埠口被擺放在系統1100A或1000B的其中一者裡面,例如,利用位在系統1000B裡面的搬運器或是利用位在其它地方的一或更多個搬運器(例如,位在第一傳輸模組1400A裡面或其它地方的第一搬運器(舉例來說,機器人)或是位在第二傳輸模組1400B裡面或其它地方的第二搬運器)。
於一範例中,一裝載模組(舉例來說,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B)接著會具備一非反應的大氣或是「充填」一經淨化的氣體流,例如,其包含一或更多項清除作業,以便準備該裝載模組(舉例來說,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B)的一內部區域而曝露於該封閉式系統1000B的多個內部部分。舉例來說,該第一裝載模組或第 二裝載模組中的一或更多者的一內部區域會至少部分被排空或清除,用以避免污染超過系統1000B之其它部分所定義的一封閉區域裡面之受控處理環境的微粒污染位準、水蒸氣含量、氧含量、臭氧含量、以及有機蒸氣含量的指定極限。
同樣地,在經過系統1000B的處理之後,一正在被處理的基板會被放置在該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B之中。於一解釋例中,該裝載模組(舉例來說,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B)會與系統1000B中其它地方的一非反應氣體環境隔離,例如,被耦合至一真空源以便被排空而在真空條件下進行後續的處理,或者,用以在真空條件、周遭環境條件、或是其它靜態受控環境下將正在被製作的基板輸送至其它設備或是進行處理。於一進一步的解釋例中,該第一裝載模組1100A或第二裝載模組1100B中的其中一者會被配置成用以提供該基板給該系統1000B裡面的受控處理環境,舉例來說,其並不會將該封閉區域裡面的一反應物種的濃度提高超過百萬分之1000個,或者,同樣地,不會提高該些周遭微粒位準超過一指定數額,或者,不會在該基板上的每平方公尺基板面積中沉積超過指定數量之具有指定尺寸的微粒。
於一範例中,該第一裝載模組1100A會藉由一埠口(舉例來說,其包含一具有實質上氣體不可滲透密封的實體閘門)或氣體簾幕被耦合至傳輸模組1400A。當該埠口打開時,位在第一傳輸模組1400A之中的一搬運器會進入該第一裝載模組1100A的一內部。該搬運器會包含一具有各種自由度的自動組裝件,例如,用以利用一末端效應器來操縱一基板。此末端效應器會包含一托盤或框架,其被配置成用以藉由重力來支撐該基板, 或者,該末端效應器會牢牢地抓握、夾鉗、或是以其它方式保留該基板,例如,以便將該基板從面朝上或面朝下的配置重新配向為一或更多個其它配置。亦能夠使用其它末端效應器配置,例如,其包含氣動式或真空操作的特徵元件,用以致動該末端效應器的多個部分或是保留該基板。下面會說明包含搬運器的傳輸模組的進一步解釋性範例以及各種末端效應器配置。
系統1000B能夠統整操作在所謂的「群集」模式以及「線性」模式(或是「單排」模式)中,此兩種操作模式主要差異由在群集模式中基板在相同的反應室中前後流動,而在「線性」模式或是「單排」模式中基板係從其中一個反應室中流出進入一不同的反應室。本文中所述的主要內容能夠被併入或是使用於「群集」配置以及「線性」或「單排」配置兩者之中。
於一範例中,該第一傳輸模組1400A會定位一基板使其被放置在一印刷系統的輸入圍體區2100之中,例如,被放置在一運輸機上。該運輸機會將該基板定位在該印刷模組裡面的一指定位置處,例如,利用一或更多個實體機械式接觸或是利用氣體緩衝墊以可控制的方式來漂浮該基板(舉例來說,「空氣軸承(air bearing)」平台配置)。漂浮控制地帶的一解釋性範例圖解在圖19C中,例如,其能夠被併入以進行漂浮類型的運輸。
系統1000B的一印刷機區2200會被用來在製作期間以可控制的方式沉積一或更多個膜層於該基板上。該印刷機區2200還會被耦合至該印刷模組的一輸出圍體區2300。該運輸會沿著該印刷模組的輸入圍體區2100、印刷機區2200、以及輸出圍體區2300延伸,並且基板4000會在單一 沉積作業期間在各種沉積任務中於必要時被重新定位。輸入圍體區2100、印刷機區2200、以及輸出圍體區2300裡面的受控環境能夠被共同分享。
印刷機區2200會包含一或更多個印刷頭(舉例來說,噴嘴印刷類型、熱噴射類型、或是噴墨類型),它們被耦合至或是橫跨一頂上式滑動架,例如,被配置成用以在該基板的一「面朝上」配置中沉積一或更多個膜層在該基板上。此些層會包含下面之中的一或更多者,舉例來說:電子注入或傳輸層、一電洞注入或傳輸層、一阻隔層、或是一發光層。此些材料會提供一或更多個有電氣功能的層。如本文中所述的其它範例中所述,其它材料(例如,單體材料或聚合物材料)亦能夠利用印刷技術被沉積,例如,用以為正在被製作的基板提供一或更多個膠封層。
在沉積一或更多層於基板4000上之後,系統1000會包含一第二傳輸模組1400B,例如,其包含一雷同於第一搬運器1410A的第二搬運器1410B。基板4000能夠由第二搬運器1410B來操縱,例如,利用該印刷模組的輸出圍體區2300來接取。一第二處理模組1300(例如,具有一受控環境)會被耦合至該第二傳輸模組1400B,例如,用以提供一具有一或更多個環境受控區域的緩衝區或是用以提供支援製作的一或更多個其它功能。該系統會包含一第二裝載模組1100B,例如,雷同於第一裝載模組1100A。該第二裝載模組能夠被用來將基板傳輸至系統1000外面,例如,在牽涉到該印刷模組的一或更多項沉積作業之後或是在其它處理之後。
根據不同的範例,該第一處理模組1200或第二處理模組1300能夠提供其它處理,例如,用於烘乾或是用於溶劑蒸發。其它範例會包含紫外線曝光、基板固持(舉例來說,用以在印刷之前及固化之後幫助進 行材料流動或散佈)、重新配向(舉例來說,用以旋轉基板4000)、固持、或是緩衝貯存(舉例來說,將在製基板儲存在受控環境中,例如,以佇列的方式)。
在印刷作業或其它處理作業(例如,基板固持(舉例來說,用以幫助進行材料流動或散佈)或是膜固化)中的一或更多者期間利用氣體緩衝墊配置來均勻地支撐該基板能夠減少或抑制在該基板的主動區域中形成可見的缺陷(舉例來說,「水波紋」)。舉例來說,此些主動區域能夠被定義為該基板中要製作或膠封發光電子裝置的區域的部分。
圖3A大體上顯示一系統3000A的至少一部分的立方圖以及圖3B大體上顯示一系統3000A的至少一部分的平面圖,例如,其包含一第一印刷系統2000A、一第二印刷系統2000B、以及其它模組,該系統能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)。
系統3000A會包含一第一印刷系統2000A,例如,配合本文中其它範例所述的印刷系統。為提供高總產量、冗餘性、或是多重處理作業中的一或更多者,系統3000A會包含其它印刷系統,例如,一第二印刷系統2000B。系統3000A還會包含一或更多個其它模組,例如,第一處理模組1200或第二處理模組1300。
如上面提及,該第一處理模組1200或第二處理模組1300能夠用於下面之中的一或更多者:固持一基板(舉例來說,用以幫助流動或散佈被沉積的材料層,例如,用以達到一更平坦或更均勻的膜)或是固化(舉例來說,透過UV光照射)一材料層(例如,由該第一印刷系統2000A或第二印刷系統2000B中的一或更多者所沉積)。舉例來說,如本文中其它地方所述, 一利用該第一處理模組1200或第二處理模組1300來流動或散佈或者固化的材料層會包含一膠封層(例如,一透過曝露於紫外光而被固化或處置之包括一有機膠封劑的薄膜層)的一部分。該第一處理模組1200或第二處理模組1300能夠被配置成用以固持基板,如上面所述,例如,以堆疊配置的方式。或者(除此之外),處理模組1300亦能夠被配置成用以真空烘乾一或更多個基板,例如,以堆疊配置的方式。於該第一處理模組1200或第二處理模組1300中的一或更多者充當同時用於一塊以上基板的真空烘乾模組的情況中,該堆疊配置會在單一反應室中包含多條烘乾狹縫;或是,在一由多個隔離反應室組成的堆疊中包含多條烘乾狹縫,每一個反應室都會有單一烘乾狹縫。又,於另一配置中,該第一處理模組1200或第二處理模組1300中的一或更多者會被配置成用以固持基板而另一處理模組會被附接至傳輸模組1400A用以真空烘乾一或更多個基板。舉例來說,第一印刷機2000A與第二印刷機2000B能夠被用來在該基板上沉積相同層,或者,印刷機2000A與2000B能夠被用來在該基板上沉積不同的層。
系統3000A會包含一輸入或輸出模組1101(舉例來說,一「裝載模組」),例如,其能夠當作裝載鎖定器或是其它模組,俾使得可以將一基板4000傳輸至系統3000A的一或更多個反應室的一內部之中或是將一基板4000傳輸至系統3000A的一或更多個反應室的一內部之外,以便實質上防止中斷在系統3000A的一或更多個圍體裡面所保持的受控環境。舉例來說,配合圖3A以及本文中所述的其它範例,「實質上防止中斷」係指防止提高一反應物種的濃度一指定的數額,例如,防止在傳輸一基板4000至該一或更多個圍體之中或外面的傳輸作業期間或之後於該一或更多個圍體裡 面增加此物種超過百萬分之10個、百萬分之100個、或者百萬分之1000個。一傳輸模組1400B(例如,其會包含一搬運器1410B)能夠在各種作業之前、期間、或是之後被用來操縱基板4000。能夠用於傳輸模組1400B的一種配置的範例圖解顯示在圖22A與22B中。一或更多個額外的搬運器亦能夠被併入,例如,用以提供一基板給該輸入或輸出模組1101或者從該輸入或輸出模組1101處接收一基板。
圖3C大體上顯示一系統3000B的至少一部分的平面圖的進一步範例,例如,其能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,有機發光二極體(OLED)裝置)。在圖3C中,第一印刷系統2000A與第二印刷系統2000B能夠以雷同於圖3A、3B之範例的方式來排列(舉例來說,用以沉積不同層或相同層於一基板上)。系統3000B能夠對照於系統3000A的範例來擴充,例如,包含第一處理模組1200A與第二處理模組1200B以及第三處理模組1300A與第四處理模組1300B。於一解釋性的範例中,該些處理模組1200A、1200B、1300A、或是1300B會包含被配置成用以提供紫外線處置的固化模組或者能夠被配置成用以在其它地方所述的任何固持功能中固持一或更多個基板。亦可以採用其它排列。舉例來說,圖3A、3B、以及3C的範例大體上雖然圖解一種能夠包含兩個印刷系統2000A與2000B的配置;不過,亦能夠包含兩個以上的印刷系統。同樣地,亦能夠包含額外的(或是較少的)處理模組。
圖4A與圖4B所示的係包含形成一發光裝置的有機薄膜膠封層(OTFEL)(舉例來說,一OLED裝置的OEL)的技術,例如,方法。於圖4A的範例4100中,在4200處,基板會從一無機薄膜膠封(ITFE)系統處被傳 輸至一有機薄膜膠封(OTFE)系統的一傳輸反應室,例如,如配合本文中其它範例所示與所述的系統。該基板能夠傳輸自一不同於該傳輸模組之受控環境的環境處,例如,利用裝載模組(舉例來說,「裝載鎖定器」)。在4300處,該基板會被傳輸至一封閉式印刷系統,例如,至少部分利用一位在該傳輸模組裡面或是位在該封閉式印刷系統裡面的搬運器機器人。在4400處,該基板會在該印刷系統中受到均勻的支撐,例如,利用用以在印刷作業或其它作業期間減少或阻止形成可見缺陷或「水波紋」的技術與設備。
舉例來說,此支撐會包含一夾頭配置(舉例來說,一平面式夾頭或托盤),例如,被配置成用以在該基板中已於其上形成主動裝置(例如,發光電子裝置)的區域或反向區域中提供均勻的實體接觸。然而,這會出現各式各樣的挑戰,因為通常可取得的夾頭通常會在該基板的中央區域中提供孔洞,用以讓起模針能夠經由該些孔洞來抬昇與降低該基板,以便幫助進行裝載作業與卸載作業。此些孔洞會代表與該基板不均勻實體接觸的區域。於真空夾頭的範例中可能還會有溝槽或孔洞,經由該些溝槽或孔洞會提供真空吸力,其會將該基板固持在正確的地方,並且一般來說,此些溝槽或孔洞特徵元件中的一部分會被放置在該基板的中央區域中,以便達到所希望的保持固定(hold-down)效果。
除了其它以外,本案發明人還發現一支撐夾頭(或是用以支撐該基板的系統的其它部分)能夠被配置成用以定位夾頭特徵元件,以便最小化或消弭它們對目標塗佈圖樣的影響。於一範例中,該夾頭會進一步在該基板中已形成諸如發光電子裝置之主動裝置的區域以外的特定區域或反向區域中或者在已形成諸如發光裝置之主動裝置但是沒有嚴格的均勻性需 求(舉例來說,僅用於測試的裝置或者被製造並當成次級產品販售的裝置)的區域或反向區域中提供不均勻的實體接觸。於此範例中,發光電子裝置僅係作為其中一種解釋性範例,相同的支撐結構配置能夠套用於任何主動式電子裝置、光學裝置、或光電子裝置,其中,該主動區域能夠代表正在被膠封的裝置的所在區域。
上面提及之用以在非主動區域中實體支撐該基板的方式雖然具有簡單且相對低成本的好處,但是,於大部分的實例中,其缺點係,此方式使得該基板的中央區域的多個部分無法作為頂規品質的均勻塗層,從而降低該系統的有效生產能力。本案發明人還發現,此缺點能夠藉由使用一分散式真空區域(例如,一藉以提供真空吸力的連續性多孔媒介)取代多個獨特的真空溝槽或孔洞來解決。和該些起模針相關聯的夾頭中的剩餘孔洞會被限制在該基板的周圍或是主動區域的周圍中的一或更多者(其包含和定義該基板的周圍或是該基板的主動區域的周圍的表面反向的區域)。
或者,舉例來說,除了其它以外,本案發明人還發現能夠至少部分利用一氣體緩衝墊來均勻地支撐基板,例如,在一印刷作業或其它處理(例如,在一固化模組中進行紫外線處置之前或期間)的一或更多者期間。利用此氣體緩衝墊能夠提高該基板上的塗層或膜層的均勻性。舉例來說,藉由將該基板漂浮在一實體基板支撐表面之上,該基板會在所有的受支撐區域中看見一均勻的氣體並且比較不會受到用於起模針的孔洞或是可能出現在實體基板支撐表面中的其它局部特徵元件的影響。於此漂浮支撐範例中,該基板的中央區域中的起模針能夠被併入於該支撐機制之中,而不會影響該些區域中的膜均勻性,因為該基板在處理(例如,印刷、固持、 或是固化)期間並沒有實體接觸已伸出或被收回的起模針並且係由氣體緩衝墊來支撐。此外,或者取而代之的係,該基板會因侷限在此些主動區域外面的區域(例如,在基板周圍或是主動區域之間的周圍等一或更多者中的區域)的實體接觸而進一步均勻地受到支撐或保留。依此方式,全部的基板區域都會提供一非常均勻的塗層並且能夠以有生產力的方式被使用,可能的例外係,在該基板邊緣處為將該基板限制在或是固持在該漂浮平面中的正確地方而被實體接觸的排除地帶。
在4500處,一有機材料(例如,單體)會被印刷在該基板的一目標沉積區域之中,例如,其包含用以形成一有機膠封層的單體。「沉積區域」一詞大體上表示該有機膠封層正在被形成的區域。在4600處,該基板會從該印刷系統被傳輸至該傳輸模組。於一範例中,該基板會在印刷之後被保留在該封閉式印刷系統之中維持一段指定的固持持續時間長度,以便藉由該印刷系統流動或散佈被沉積的有機材料在該基板上。在4700處,該基板會從該傳輸模組被傳輸至一固化模組。
在4800處,該基板會在該固化系統之中受到支撐,例如,在一或更多個指定的區域中受到均勻地支撐。支撐該基板的方式能夠雷同於或是異於在4500處的印刷作業期間所使用的基板支撐技術。然而,一般來說,該基板支撐同樣能夠在印刷作業、固化作業、或是固持作業期間(舉例來說,在固化之前的材料流動或是散佈期間)於要備均勻塗佈的主動區域裡面提供均勻的支撐,例如,透過均勻的實體接觸(舉例來說,真空夾頭,例如,用以提供一分散式真空區域)或是氣體漂浮。舉例來說,一被配置成至少部分利用一氣體緩衝墊來支撐該基板的夾頭。該固化模組會被配置成 用以在4900處處置該已印刷的有機材料,例如,用以提供一沒有水波紋的OTFE層。舉例來說,該固化模組會被配置成用以為一已印刷的單體層提供光學處置,例如,紫外光處置,以便聚合或是固化該單體層。
圖4B所示的係另一範例4150,例如,用以提供一沒有水波紋的OTFE層。在4200處,如在圖4A的範例中,一基板會從一ITFE系統處被傳輸至一ITFE系統的傳輸反應室。在4350處,該基板會被傳輸至一印刷系統的基板支撐系統,例如,用以至少在該基板的一或更多個主動區域中提供該基板均勻的支撐。此基板支撐系統會包含如上面提及的設備與技術,用以在諸如印刷或固持的一或更多項作業期間幫助抑制或阻止水波紋形成(舉例來說,在固化之前,以便幫助被沉積材料的散佈或流動)。舉例來說,該基板支撐系統會包含一漂浮平台配置,例如,其具有包含下面一或更多者的各種漂浮控制地帶,以便提供用以支撐該基板的氣體緩衝墊:氣動供應式氣體緩衝墊;或是,氣動式與至少部分真空供應區的組合。於另一範例中會使用一分散式真空區域,例如,用以至少在該基板的一或更多個主動區域中提供該基板均勻的支撐。在4550處,一單體會被印刷在一目標沉積區域上方。
在4600處,該基板會從該印刷系統處被傳輸至該傳輸反應室,例如,利用一位在該傳輸反應室中的搬運器,如上面配合圖4A所提。在4750處,該基板會從該傳輸反應室處被傳輸至一OTFE固化模組的基板支撐系統。該基板支撐系統會包含一夾頭,其被配置成用以支撐該基板,俾使得能夠在固持作業或固化作業的一或更多者期間抑制或阻止水波紋形成。舉例來說,如其它範例中所述,該基板會在印刷之後以及由固化模組 進行處置之前(例如,在紫外線處置之前)被固持一段指定的持續時間長度。在4950處,該單體層會被固化(例如,利用由該固化模組所提供的紫外線處置),例如,以便提供一沒有水波紋的OTFE層。
配合圖4A與4B所提的基板支撐技術雖然大體上係在固化模組或印刷系統的內文中被引述;然而,此些技術亦能夠配合被配置成用以操縱該基板的搬運器機器人的末端效應器配置來使用。舉例來說,一搬運器機器人會包含一末端效應器配置,例如,用以提供一基板的支撐,同時防止和該基板的第一側上的主動區域或是與該第一側反向的該基板的第二側中的對應部分有不均勻的直接實體接觸。
圖5大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置的紫外線處置系統的一部分的示意圖範例。圖5的範例會包含能夠結合本文中其它範例的設備或者會包含利用能夠結合本文中其它範例的技術,例如,上面所述的範例(舉例來說,用以提供一有機膠封層製作系統或是用以對基板實施處理的其它系統,例如,包含一或更多個OLED裝置的基板)。圖5的系統會包含一具有受控環境(例如,一非反應氣體環境)的圍體,例如,其包含一傳輸模組1400。該傳輸模組會包含一搬運器1411,例如,其被耦合至一末端效應器1422,用以操縱一或更多塊基板,例如,第一基板4000A、第二基板4000B、或是第三基板4000C。於一解釋性的範例中,該系統會包含一固化模組2302。該固化模組亦能夠被用來固持基板,例如,以便幫助一基板從其中一種處理狀態演變為另一種處理狀態(舉例來說,用以散佈或流動被沉積的材料);或是提供緩衝而佇列貯存基板。除此之外,甚至或者,其它處理模組亦能夠提供固持或緩衝功能。該些環境受控的區域會包含下面之 中的一或更多者:指定的氣體純度、溫度、或是微粒位準。
圖5的範例的各種區域裡面的氣體會橫向循環跨越一基板的表面,例如,用以提供一實質上層流輪廓(laminar flow profile)。除此之外,或者取而代之的係,一或更多個風扇過濾單元(Fan Filter Unit,FFU),例如,FFU 1500,會提供一由上往下的流動輪廓,例如,經由一或更多根導管(例如,導管5201)而重新獲得氣體。如其它範例中,一溫度控制器5650會被耦合至該系統的一或更多個其它部分,例如,被耦合至位在該FFU 1500上或裡面的熱交換器。依此方式,傳輸模組1400(或是該系統的其它部分)裡面的溫度便能夠受到控制。該系統會包含或者會被耦合至一氣體淨化系統,例如,其包含一氣體控制器5600,其被配置成用以監視或控制該受控環境的氣體純度位準。諸如固持模組或固化模組2302的模組會包含分離的氣體淨化迴路;或者,此些模組會與傳輸模組1400共用一受控環境以及淨化設施。
固化模組2302會包含一或更多個照射燈,例如,一紫外光燈。此些照射燈能夠被放置在該固化模組2302裡面;或是被放置在該反應室外面,例如,經由一石英(或是其它UV可穿透的)視窗被光學耦合至該反應室。
一般來說,在該些熱受控區域中一或更多個基板會受到一夾頭配置的支撐,例如,其包含一平板、框架、或是托盤。如本文中其它範例中所提及,此平板、框架、或是托盤會包含一或更多根可縮回的起模針(舉例來說,接針2324)。如其它範例中,該一或更多根可縮回的接針或是其它機械式支撐特徵元件會被放置在該基板周邊的區域中或是該基板上的顯示裝置之間的區域中。同樣地,一真空夾頭亦能夠支撐該基板。一真空夾頭 會配備多個真空埠口以及一真空供應器,其能夠以可控制的方式被開啟與關閉,以便在一處理作業期間在基板的背側提供真空吸力,用以在該處理作業期間改善該基板的穩定性或是該基板與該夾頭之間的熱接觸。於不同的範例中會提供一非真空夾頭來取代真空夾頭,並且該基板會主要藉由重力與摩擦力,或是主要藉由機械式夾鉗作用,被固持在正確的地方。基板能夠被放置在各種位置或是從各種位置處被移除,例如,利用一搬運器1411的末端效應器1422。
諸如起模針的一或更多根接針會被用來抬昇該基板,以便讓該末端效應器接取,如下面的進一步說明。如上面提及,該固化模組2302亦能夠被用來幫助被沉積在該基板上的膜層的散佈或流動,例如,用以達成一更平坦且均勻的塗層(舉例來說,利用一印刷模組所印刷的OEL層),例如,利用重力、旋轉該基板等一或更多種方式,或是在固持作業、材料流動或散佈作業、或是固化作業等一或更多種作業期間利用一或更多個真空埠口來進一步平坦化該基板。然而,本案發明人已經發現,在固持、材料流動或散佈、或是紫外線處置等一或更多者期間利用一具有大型埠口的真空夾頭會導致不必要的可見缺陷或是「水波紋」。圖5中所示的配置能夠幫助生產一有機薄膜膠封層,同時阻止或抑制水波紋形成。
如本文中其它地方的範例中所提及,一紫外線發射源會被使用,例如,用以處置被沉積在正在被製作的基板上的一或更多層。舉例來說,紫外線發射能夠被用來聚合或是處置一被沉積在正在該基板上的有機層,例如,用以使用在和製造一平板顯示器組裝件(例如,其包含OLED顯示器組裝件)有關的一或更多個製程之中。雷同於本文中所述其它範例的觀 點,圖5的系統會包含一或更多個封閉區域(舉例來說,「巢室」或反應室),例如,第一區2301A、第二區2301B、以及「第N區」2301N。舉例來說,本發明雖然包含三個區域(舉例來說,如圖5中的圖解顯示);不過,於其它範例中,亦能夠包含其它數量的區域。該些區域會沿著該系統的一垂直軸被配向成一「堆疊式」配置,例如圖5中的圖解顯示。
於一解釋性的範例中,例如,在沉積一有機層於一基板上之後會實施材料流動或散佈作業,例如,用以改善一塗層的平坦性或均勻性。該材料流動或散佈作業的持續時間長度通常會大於紫外線處置作業的持續時間長度。據此,於其中一種方式中會使用個別的固持模組,例如,和固化模組2302分離並且被排列成堆疊配置,每一個區域則被配置成如圖21A或21B中所示般地容納一基板。於此方式中,該材料流動或散佈作業能夠繼續進行,而不會限制接取或是阻礙一分離的紫外線處置區域。然而,如本文中其它地方的範例中的討論,亦能夠使用多個紫外線光源,此包含使用低成本的光源。依此方式,閒置紫外線光源的總產量衝擊並不會使得無法在固持作業及紫外線處置作業中使用相同的「巢室」或區域(舉例來說,2301A至2301N),因為有多個區域被配置成用以提供紫外線處置,從而會提高總產量。此方式還能夠提供該些紫外線光源的冗餘性,俾使得即使有一特殊的紫外線光源故障或是正在進行維修,處理仍然能夠繼續進行。此方式的又一項好處係,該基板會經歷一材料流動或散佈作業用以散佈或流動一被印刷的有機層(舉例來說,用以改善平坦性或均勻性),並且該基板會被處置(例如,接收紫外線處置)而不需要從該巢室處移動該基板。
於圖5的範例中,一第一紫外線光源2310A(舉例來說,一 紫外線發射陣列)會提供具有指定波長範圍的紫外線發射2328至一第一基板4000A。該紫外線發射會被耦合至該封閉區域2310A的一內部,例如,經由一視窗2310A(舉例來說,一石英視窗或是一包含正規化濾波器或是其它濾波器或塗層的組裝件)。如圖6、圖7A、圖7B、圖8A、或是圖8B的範例中,區域2301A裡面的環境會受到控制並且會與一含有該第一紫外線光源2310A的外殼隔離。在第二封閉區域2310B中,第二基板4000B會被固持一段指定的持續時間長度,例如,用以進行材料流動或散佈或者等待其它製程的可利用性。在該指定的固持持續時間長度期間,一第二紫外線光源2310B會被禁能。
於本文中其它地方的範例中會使用一夾頭,例如,接觸一基板的至少一部分,以便達成下面的一或更多者:運輸該基板、支撐該基板、或是保留該基板。除了其它以外,本案發明人還發現,在某些作業或材料系統中,例如,和用於流動或散佈一被沉積的有機層有關的作業或材料系統,當基板4000A以不均勻的方式被支撐時,可見的缺陷會在該基板的顯示區域中被誘發。舉例來說,和已縮回的起模針相關聯的夾頭中的接針、支撐框架、孔洞或是在基板4000A下方的夾頭中的真空孔徑會如圖15A與15B中的圖解顯示般地在最終的裝置中誘發可見的缺陷。
沒有理論限制,此些缺陷咸信會肇因於導熱係數的局部變異,舉例來說,其會在一材料流動或散佈作業期間於基板4000A的溫度中產生局部性梯度;或者,肇因於該基板4000A與該系統的其它部分之間的靜電互動,例如,其會受到該基板4000A與該系統的其它部分之間的接觸的影響。於一範例中,會在該基板的一局部區域中維持一指定的溫度均勻 性,舉例來說,俾使得相鄰於該局部區域或是在該局部區域裡面的溫度偏差會受到限制。舉例來說,跨越該基板的一顯著溫度變化雖然能夠被忍受;但是,此變化要有有限的梯度,俾使得該溫度在該基板中的小幅距離中不會有顯著的變化。依此方式能夠避免在最終顯示器的可見特徵中出現突然的改變,並且此些梯度變化比較不會被注意到或者比較不會偵測到。
如其它地方提及,於其中一種方式中,在該基板的發光區域或顯示區域外面的區域能夠被用來支撐基板4000A(舉例來說,如圖14A、圖14B、或是圖14C中的圖解顯示)。然而,因為基板4000A中大部分通常都有包含發光區域或是實際顯示區域的一部分,所以,僅在此些區域的周圍處支撐該基板並不實際,因為此支撐會在基板4000A的其它地方誘發不可接受的機械作用力或應力,其可能會扭曲或折斷該基板4000A。
據此,本案發明人還發現,基板4000A能夠藉由一夾頭2320A來支撐,例如,在紫外線處置作業期間,例如,至少部分利用一高壓氣體2304A來提供一氣體緩衝墊。根據不同的範例,基板4000A能夠藉由高壓氣體2304A的受控排列方式而受到特別的支撐,例如,用以「漂浮」該基板4000A。於另一範例中,基板4000A能夠利用該基板的主動區域或是由不均勻性所誘發的缺陷會被視為不可接受的區域下方的一均勻真空區域來支撐。可縮回的起模針能夠被放置在該基板的周圍處,或者,被放置在主動區域之間,例如,用以幫助裝載或卸載該基板,例如,如圖15A或15B中的圖解顯示。
於另一種方式中,基板4000A會受到一施加在該基板4000A之第一表面上的高壓氣體2304A的支撐,並且一反向作用力會被提供,例 如,由接觸該基板4000A之反向面或是被排列成用以在一或更多個位置處橫向接觸該基板的機械止動器2312來提供。一般來說,於使用一氣體緩衝墊來支撐該基板的範例中,該基板會受到一氣體緩衝墊的支撐,該氣體緩衝墊被提供在和包含該些主動區域或是該有機膠封層之表面反向的該基板的一表面中,例如,於「面朝上」的範例中,該有機膠封係在該基板的頂端表面而該氣體緩衝墊則被提供在一底部表面。
一第二夾頭2320B會被提供作為第二巢室(舉例來說,區域2301B)的一部分,並且一第「N」夾頭2320N會被提供作為第「N」巢室(舉例來說,區域2301N)的一部分。同樣地,一抬昇搬運器1411(或是如本文中其它範例中所述的搬運器機器人)會包含一包含高壓氣體配置的平台(或是一對應的末端效應器1422),以便至少部分利用該高壓氣體來支撐一基板。一運輸器1430或是其它設備同樣會包含此高壓氣體配置,俾使得一基板(舉例來說,基板4000C)會沿著一路徑2440從位在該系統中其它地方(或是位在該系統外部)的區域2101處被運輸至一所希望的巢室,例如,區域2301N。舉例來說,運輸器1430、末端效應器1422、或是第一夾頭2320A至第「N」夾頭2320N中的一或更多者會各自定義一「漂浮地帶」。於該些漂浮地帶的一或更多者之中,例如,在由第一夾頭2320A所建立的地帶中,一由多個埠口(例如,埠口2306A)所組成的配置(舉例來說,陣列)會被用來建立一氣體緩衝墊,用以部分或完全支撐該基板4000A。
於基板4000A單獨由該氣體緩衝墊支撐的範例中,正氣壓與真空的組合會經由該埠口配置被施加。具有壓力與真空兩種控制的此地帶會在夾頭2320A與一基板之間有效地提供一流體彈簧(fluidic spring)。正向 壓力與真空控制的組合能夠提供一具有雙向剛性的流體彈簧。存在於該基板(舉例來說,基板4000A)與一表面(舉例來說,第一夾頭2320A)之間的間隙會被稱為「飛行高度(fly height)」,並且此高度能夠藉由控制該些正向壓力與真空埠口狀態而受到控制或者被建立。依此方式,基板配向會受到謹慎的控制,例如,在固持作業、材料流動或散佈作業、或是紫外線處置作業等一或更多項作業之中。
在其它地方會提供僅有壓力的漂浮地帶,例如,在飛行高度不需要受到精確控制的地方,例如,在運輸器1430中或是在其它地方。一「過渡」地帶會被提供在壓力噴嘴或面積與真空噴嘴或面積的比例逐漸增加或降低的地方,例如,在運輸器1430中、在平台1422中、或是在其它地方。於一解釋性的範例中,在一壓力-真空地帶、一過渡地帶、以及一僅有壓力的地帶之間會有基本上均勻的高度,俾使得該三個地帶基本上會在公差內置於其中一個平面中。一基板在其它地方位於僅有壓力的地帶上方的飛行高度會大於一基板在壓力-真空地帶上方的飛行高度,例如,以便允許有足夠的高度俾使得一基板不會於僅有壓力的地帶中碰撞漂浮平台。於一解釋性的範例中,一OLED面板基板在僅有壓力的地帶上方的飛行高度介於約150微米(μ)至約300μ之間,在壓力-真空地帶上方的飛行高度介於約30μ至約50μ之間。於一解釋性的範例中,運輸器1430、平台1422、或是夾頭2320A至2320N中的一或更多個部分會包含一由NewWay® Air Bearings公司(位於美國賓夕凡尼亞州的阿斯頓)所提供的「空氣軸承」組裝件。一基板之氣體加壓式支撐的範例雖然配合圖5來討論;不過,此些技術亦能夠與其它的運輸方式或支撐方式來一起使用或者取代其它的運輸方式或支撐 方式,例如,配合本文中所述的其它系統範例以及如配合圖19c的討論。
於一範例中,機械式保留技術(例如,接針或框架)能夠被用來在一基板受到氣體緩衝墊支撐時限制該基板的橫向平移。此些保留技術會包含利用有彈簧的結構,例如,用以在該基板被保留時減少加諸在該基板側邊上的瞬間作用力;此作法在一橫向平移的基板上有高作用力影響並且保留構件會導致基板碎裂甚至災難式的破損時會有好處。
區域2301A至2301N中的每一者會共用一或更多個氣體淨化迴路,或者,每一個區域亦能夠由一個別的氣體淨化迴路來服務。同樣地,一或更多個FFU會被放置用以提供一平行於該些區域2301A至2301N的每一者之中的基板的一表面的層流氣流。該些區域2301A至2301N會各自包含一閥門或閘門,例如,用以將每一個封閉式區域2301A至2301N的受控環境與傳輸模組1400隔離,或者相互隔離每一個封閉式區域2301A至2301N的受控環境。舉例來說,紫外線光源2310A至2310N並不需要被容納在與區域2301A至2301N的的內部隔離的圍體之中。舉此,例如,在維修期間,一特殊區域會有自己的受控環境,其會利用一閥門或閘門而與其餘的封閉式區域隔離。
在封閉式傳輸模組1400裡面或是該系統的其它部分裡面的溫度會如本文中其它範例中的廣泛說明般地受到控制,例如,利用溫度控制器5650。該溫度控制器5650會被耦合至該FFU 1500或是在其它地方被耦合至一或更多個FFU。例如,該溫度控制器5650或是其它技術會被用來控制由夾頭2320A至2320N、平台1422、或是運輸器1430中的一或更多者所供應的氣體的溫度。如配合圖6、圖7A、圖7B、圖8A、或是圖8B所提及, 紫外線光源2310A至2310N中的一或更多者能夠利用液體或是循環氣體來冷卻,例如,其包含與該系統的其它部分隔離的一或更多個冷卻迴路。
圖6大體上顯示能夠被用來製造一發光裝置的紫外線處置系統的一部分的示意圖範例。該處置系統能夠被併入作為本文中所述之其它系統或技術的一部分,例如,用於作為一固化模組(或者,舉例來說,用於作為一組合的固化與固持模組)。該紫外線處置系統會包含一紫外線光源組裝件912,例如,其被配置成用以將紫外線能量耦合至一基板4000的一表面。如其它範例中,一固化模組8314會包含一受控環境,例如,由一或更多個氣體淨化迴路所提供並且被耦合至一或更多個風扇過濾單元(FFU),例如,用以提供一具有指定最大微粒位準或是反應污染物位準的環境。
基板4000能夠被裝載至該固化模組8314之中或是從反應室8314處被移除,例如,例用搬運器1410以及末端效應器1420,其能夠從一相鄰的傳輸模組1400處或是經由另一反應室或組裝件(例如,裝載鎖定器)來接取該固化模組8314。一夾頭920會被用來支撐該基板4000,例如,利用實體接觸或真空來固持該基板於正確的地方或者利用其它範例中所提及的氣體緩衝墊配置。亦能夠使用一或更多個起模針,例如,用以抬昇該基板4000,俾使得該基板4000能夠被末端效應器1420操縱,例如,圖15A或15B中的圖解顯示。
一紫外線光源陣列(紫外線光源910A至910N)會提供紫外線能量,例如,其包含選擇自約350奈米至約400奈米的範圍中的波長。舉例來說,能夠使用約385奈米或約395奈米的波長。該些光源會包含各式各樣的配置,例如,利用相對少量的高功率光源,如圖7A的範例中所示;或者, 利用一由多個相對低功率光源所組成的陣列,如圖9、圖10、或圖11中的圖解顯示。該些光源會包含一般可取得的紫外線發射器,例如,紫外線發射發光二極體(Ultra Violet-emitting Light-Emitting Diode,UV LED)或是一或更多個基於水銀的裝置(例如,一或更多個水銀弧光源)。
於一範例中,該紫外線光源組裝件912的一基板或外殼918能夠被液體冷卻或是空氣冷卻。舉例來說,一氣填空間(plenum)914會被提供,例如,其具有一或更多個風箱(例如,風箱915),用以強制空氣跨越或通過該紫外線光源組裝件912的一部分。舉例來說,此冷卻迴路會與該固化模組8314或該傳輸模組1400裡面的受控環境分離。光源910A至910N周圍的環境會包含固化模組8314受控環境;或者,光源910A至910N周圍的環境會形成一分離的圍體,例如,具有一視窗916,用以讓紫外線能量從該光源圍體處通往該固化模組8314。依此方式,維修該光源圍體便不需要干擾該固化模組8314裡面的受控環境。
如下面範例中的討論,視窗916並不需要均勻地透射。舉例來說,該視窗會包含光學元件或是被耦合至光學元件,用以聚合、發散、或是準直該紫外線能量。於另一範例中,視窗916會包含在該視窗的區域中以指定方式改變的透射特徵,例如,用以反向或是補償在基板4000的平面中(例如,在該基板的指定區域裡面)被傳遞的紫外線能量的不均勻功率密度。於圖6的範例中所示的視窗以及該些紫外線光源910A至910N雖然被排列成平面的配置;但是,亦可以使用其它配置,例如,圓柱形配置、拋物線配置、或是球形配置。於一範例中,該些紫外線光源910A至910N能夠被用來處置一或更多個有機材料層,以便將正在被製作的有機發光二極 體(OLED)顯示裝置膠封成為該基板4000的一部分。此處置大體上包含在基板4000的一指定區域上於指定範圍的波長裡面提供指定劑量的紫外線能量並且具有指定的均勻性。
一處置製程通常會制定所希望的紫外線曝光劑量或劑量範圍,例如,指定每單位面積中的能量(舉例來說,每平方公分的焦耳數)。例如,既量能夠藉由以入射功率密度乘以曝光持續時間長度來算出。在強度(舉例來說,入射功率)與曝光持續時間長度之間會有所取捨。舉例來說,使用一相對高功率的光源並且利用比較短的曝光持續時間長度便能夠達成所希望的UV劑量,其好處係縮短處理時間。然而,此高功率UV照射卻可能破壞或毀損該顯示器組裝件的其它部分,所以,由該紫外線光源在該基板處所提供的功率密度為有限制存在,例如,用以避免發生此破壞或毀損。
如上面提及,被傳遞的紫外線能量的均勻性同樣會受到控制,例如,用以避免在基板4000的一表面上的有機膠封層特徵中發生變化。於其中一範例中,此均勻性會指定入射功率或是被傳遞的UV劑量,例如,在基板4000的一指定固化區域上從最高至最低入射功率或劑量的數值不超過20%的變化,或者,在基板4000的該指定固化區域上從最高至最低入射功率或劑量的數值不超過50%的變化,或者,在基板4000的該指定固化區域上從最高至最低入射功率或劑量的數值不超過10%的變化。
各種UV光源配置皆能夠用於該些光源910A至910N。舉例來說,一線性陣列光源或「條狀」光源能夠如圖7A的配置8315中所示般地使用。此條狀配置會包含一精確反射器,例如,用以將該紫外線能量聚焦或是準直在朝向基板4000的方向中。於另一範例中,此條狀配置會包含 一擴散器或透射式濾波器中的一或更多者,例如,配合本文中其它範例的討論。
亦能夠使用二維陣列配置,例如,圖9、圖10、或是圖11的配置8316至8318中的圖解顯示。其能夠使用一稀疏的高強度光源陣列,例如,其能夠提供圖12的範例中所示的功率密度,例如,其包含一或更多個反射器。此些光源配置中的一或更多者能夠以機械方式固定,或者,能夠被掃描跨越該基板的一表面。於此些範例中,基板4000或是光源910A至910N中的任一者或兩者會被掃描。舉例來說,光源910A至910N會被固定,並且基板4000會被重新定位,例如,用以在基板4000以及光源910A至910N之間創造相對運動,以便達到掃描目的。
圖7A、圖7B、圖8A、以及圖8B大體上顯示能夠包含一線性紫外線光源配置910的紫外線處置系統8315的一部分的範例,例如,其能夠被用來製造一發光裝置。該線性陣列910會在至少其中一軸中被掃描,用以跨越基板4000的一指定區域(例如,於一單體已經被沉積並且要被固化或者要利用該紫外光進行其它處置的區域中)掃過一紫外線發射射束922。此掃描能夠經由重新定位該基板4000或該線性陣列910中的任一者或兩者來達成,例如,在紫外線處置期間。一視窗916會被使用,例如,當該線性陣列910被放置在一與容納該基板4000的反應室8314分離的圍體之中時。此視窗916會包含或者會被耦合至光學元件或是一濾波器中的一或更多者,例如,下面配合圖12或是其它範例的討論。
該線性陣列910能夠提供較少紫外線光源的優點(舉例來說,於一解釋性的範例中,約5個至10個LED光源)。但是,此線性陣列 910卻可能會導致額外的系統複雜性,其中,必須使用機械性掃描來提供基板4000之全部指定固化區域的曝光。機械性掃描能夠部分藉由指定該線性陣列910至少和該基板的其中一軸一樣寬或式一樣長而被簡化,俾使得僅要在正交軸(舉例來說,此軸如圖7A與8A中的箭頭所示)中使用掃描。依此方式,當僅在單一軸中掃描該線性陣列910「龍門」,基板4000的完整寬度或長度便能夠利用UV輻射來處置,例如,圖7A、圖7B、圖8A、以及圖8B的圖解顯示。該線性陣列910會包含一精確反射器配置,如上面提及。於一解釋性的範例中可以向Phoseon Techonology(位於美國奧勒岡州的希爾斯伯勒)取得供應波長為或接近395nm的高功率UV LED光條,例如,其包含一反射器配置用以增強被該線性陣列910照射的場域的均勻性。除了此精確反射器之外,亦能夠使用一濾波器或擴散器中的一或更多者,或者,亦能夠使用一濾波器或擴散器中的一或更多者來取代此精確反射器,例如,被靜態配置在視窗916附近或者被併入成為該視窗916的一部分。於另一範例中,一濾波器或擴散器中的一或更多者會被併入成為該線性陣列910組裝件的一部分,例如,被機械式掃描為該線性陣列910的一部分。於一範例中,由該線性UV光源所供應的功率密度介於20mW/cm2與400mW/cm2之間。
本案發明人還發現,紫外線照射的均勻性會因一或更多個紫外線光源的損毀或失效而受到影響。於圖8A與8B的圖解中,一光學感測器917(例如,一紫外線敏感式測光計)能夠被用來監視該線性陣列910的健康狀態。舉例來說,該光學感測器917能夠在一平行於該線性陣列910的軸中被機械式掃描,俾使得能夠取得關於被併入在該線性陣列910中的一或 更多個光學光源之狀態的資訊。於另一範例中,該光學感測器917會包含沿著一平行於該線性陣列910的軸被擺放的多個感測器,例如,用以消弭機械式掃描該光學感測器917的需求。亦能夠使用其它光學感測器配置,例如,配合下面其它範例所提及的配置。如本文中所討論的其它範例中,一或更多個孔徑能夠被提供在反應室8314之中,例如,用以提供一用於風扇或風扇過濾單元的安置位置,或者,用以提供一作為要在該反應室8314裡面被使用的非反應氣體之入口或出口的位置,例如,以便幫助將一導管耦合至該反應室8314。
與基板4000的一面朝上部分相隔的線性陣列910光源高度能夠以「H」來表示,介於由該陣列910所發射的光學能量與該基板之間的相對速度能夠以「V」來表示。該速度能夠藉由相對於該基板4000來移動該陣列910(舉例來說,以機械方式來掃描該陣列)或是相對於該陣列來移動該基板4000中的一或更多者而建立,例如,藉由將該基板漂浮在一氣體緩衝墊上或是藉由移動支撐該基板的夾頭920。被照射的寬度能夠以「W」來表示,此寬度會隨著H增加而增加並且隨著H縮減而縮減。為達劑量模擬的目的,陣列910的寬度會乘以該被照射的寬度W,用以估算被陣列910照射的基板4000的面積。
一般來說,有鑒於本文中所述範例能夠提供的基板4000的大型尺寸,總產量係一重要考量因素。據此,其中一項目的會係以在短時間或最小時間數額中傳遞適當劑量的方式來提供一紫外線劑量,其亦能夠經由減少或最小化曝光於來自該光源的能量或是僅經由減少或最小化該基板被處理的時間而降低破壞基板4000之其它部分的可能性。然而,在不同 的處理參數之間會有所取捨,俾使得速度、能量劑量、以及光源光度H通常不能任意建立。
圖9大體上顯示能夠包含一由多個紫外線光源910A至910N所組成的二維陣列配置8316的紫外線處置系統的一部分的示意圖範例,例如,其能夠作為用來處置一基板4000的一指定區域的紫外線處置系統的一部分。對照於配合圖7A、圖7B、圖8A、以及圖8B所述的解釋性範例,其會使用一由多個低功率紫外線光源所組成的稠密二維陣列。此些低功率光源會包含低功率UV LED,它們通常比水銀弧光裝置更為成本低廉並且可靠。此些低功率UV LED亦能夠用於大型基板4000幾何形狀(舉例來說,超過1米乘1米),例如,由於通常要使用大量的裝置來覆蓋該龐大的基板4000面積,所以,高功率UV LED的成本會過高。
相較於其它方式,由數百個獨特發射器所組成的稠密陣列會在該基板4000表面提供高均勻性的傳遞功率。剩餘的不均勻性則能夠利用介於該陣列8316與該基板4000之間的一擴散板或其它濾波器或光學元件來解決。如圖8A或8B的範例中,該些紫外線光源910A至910N中一或更多者的損毀或失效會導致一不均勻的紫外線曝光場域。此不均勻的場域會在該基板4000的一或更多層之中導致可見的缺陷或不必要的變化。據此,一或更多個光學感測器917A至917N(舉例來說,測光感測器)會被用來感測此損毀或失效。如圖9的圖解中所示,該些光學感測器917A至917N中的每一者會,但是未必,被對齊以便提供與一特殊列或行以及一對應光學感測器位置中的一光學光源1:1的對應關係,俾使得一獨特光學光源的失效能夠被偵測到。於另一方式中會使用空間平均或空間累積的指定強度作為合格/ 不合格準則(go/no criterion),並且會使用較少的感測器。一獨特光學光源的失效降低在該些光學感測器的一或更多者處被偵測到的平均強度或累積強度,例如,從而引發進行該光學光源陣列的修理或置換或者暫止進一步的處理。
舉例來說,該由多個紫外線光源910A至910N所組成的陣列8316或是該些光學感測器917A中的一或更多者會被機械式掃描,例如,用以取樣該些紫外線光源910A至910N的輸出。倘若有一被偵測到的損毀或失效的話,進一步的處理則會暫止直到該陣列8316被修理或置換為止。於一範例中,該陣列8316會在光源910A至910N之間包含冗餘光源。倘若有損毀或失效的話,一或更多個有缺陷光源之組合的使用會受到抑制,並且會使用其它冗餘紫外線光源的組合來取代。
圖10大體上顯示一由多個UV LED光源1710A至1710N所組成的二維陣列配置8317的範例,例如,其能夠作為用以處置一基板4000的一指定區域的紫外線處置系統的一部分。圖10中所示的二維陣列8317能夠不需要使用精確反射器,因為此陣列通常在所希望的方向中提供UV輻射,而不需要使用大型反射器。使用低功率UV LED亦允許精確控制強度(經由責任循環調變或是電流調變)以及曝光持續時間長度,例如,允許將持續時間長度控制為約20毫秒的精確度。該陣列8317的一基板1718會包含一沉熱材料,例如,用以幫助將熱耦合遠離陣列8317中的獨特光源1710A至1710N。基板1718會包含或者會被耦合至一結構性支撐框架。該些獨特光源1710A至1710N會各自包含一透鏡結構,例如,用以為該些獨特光源1710A至1710N提供一聚合、發散、或是準直的紫外線射束。
圖11大體上顯示用於一紫外線光源陣列的外殼配置8318的範例,例如,其能夠被併入成為一紫外線處置系統的一部分。該外殼會包含強制性空氣循環,例如,利用如孔徑1815A至1815D所示的一或更多個風扇。一UV LED陣列(例如,UV LED 1810A)會被併入於一外殼1812裡面。其會包含一或更多個對齊或支撐短柱,例如,短柱1824A至1824D中的一或更多者。
圖12大體上顯示一表示對應於與該些UV光源與該基板相隔一已知距離的被傳遞紫外線能量之不均勻性的強度關係圖的解釋性範例。此強度關係圖能夠被用來建立一反向濾波器或正規化濾波器配置。於其中一種方式中,例如,圖7A中的圖解顯示,會連同一反射器一起使用少量的固定式高功率照射燈,例如,用以照射基板4000之所希望的固化區域。然而,機械方面雖然簡單,但是,此方式卻有缺點。
舉例來說,在圖12的解釋性範例中使用四個高功率LED來照射約0.650公尺乘約0.725公尺的面積。此方式能夠提供相對高入射功率的區域以及相對低入射功率的區域(例如,圖12中的關係圖的中央)。藉由提高光源的密度能夠增加均勻性,但是付出的成本係要使用較大數量的獨特高功率LED。除了其它以外,本案發明人還發現,和強度映圖有關的資訊(例如,圖12中的關係圖所示)能夠被用來建立一反向濾波器,用以在一所希望的固化區域上方提供一均勻的強度或功率分佈,同時仍可使用一稀疏UV光源陣列或是相對少量的UV光源。
舉例來說,圖12中的關係圖能夠被正規化於一最小強度區域並且接著該關係圖會被反向。該經反向的代表圖能夠被用來建立一透射 式濾波器,藉以讓圖12中的該關係圖的該些最小強度區域相對於其它區域會有最小、較小、甚至沒有任何濾波作用,並且該些較大強度區域會經由該濾波器被過濾以便成比例地減少該些較大強度區域中的能量的透射並且將它們的透射整平為雷同於該些最小強度區域的數值。依此方式會在該基板上達成均勻的區域照射。此反向與透射並不需要持續地改變,並且於某些範例中,所有的區域會被過濾為相同的程度。於一範例中,一透射式濾波器會包含一由不透明的材料所製成的半色調或其它抖色(dithering)圖樣(舉例來說,一由多點或是其它區域所組成的陣列),例如,用以跨越該濾波器的一表面提供一對應於一UV光源之反向強度圖樣的透射強度範圍。
該透射式濾波器能夠如其它範例中的討論被併入成為一視窗的一部分,或者能夠被耦合至一視窗。舉例來說,一吸收塗層能夠被圖樣化在一撓性膜上或是一剛性媒介上,例如,玻璃或石英。於一解釋性的範例中,該透射式濾波器在一介於該基板4000與該些UV光源之間的指定位置處被耦合至一石英視窗或是一透明的支撐板。於另一解釋性的範例中,該透射式濾波器被圖樣化在一膜上並且在一介於該基板4000與該些UV光源之間的指定位置處受到一框架的結構性支撐。
於另一種方式中(或者結合上面所述的透射式濾波器方式)會利用一擴散器來提供一更均勻的照射場域。一擴散器會比一具有不透光區域的透射式濾波器更為有效。透射式濾波器會出現效率不佳係因為該照射場域中的較明亮區域(舉例來說,「熱點」)通常會被該透射式濾波器反射或吸收,例如,以便達成該基板的照射均勻性。相反地,一擴散器能夠利用折射、繞射、或是散射中的一或更多者藉由重新導向傳播光而幫助提供 更均勻的照射,例如,其包括半透明的材料。
舉例來說,在圖7A、圖7B、圖8A、以及圖8B的一或更多者之中或是在本文中的其它範例中的視窗區域916會包含一擴散器,例如,其包含一雷同於上面配合該透射式濾波器所討論之範例的平板或膜。舉例來說,一擴散器能夠包含一全像壓印式的平板或膜。此擴散器能夠使用在該UV光源為靜態的範例中(舉例來說,如圖9、圖10、或是圖11中所示的陣列光源)。此擴散器亦能夠使用在該UV光源以該基板為基準被機械式掃描或者反之該基板以該UV光源為基準被機械式掃描的範例中(舉例來說,圖7A、圖7B、圖8A、或是圖8B)。擴散器的範例會包含一或更多個光管理膜,例如,其能夠向WaveFront Technology公司(位於美國加州的派拉蒙)取得,例如,其能夠包含一包含全像記錄式表面起伏微結構的微擴散器。亦能夠使用其它擴散器技術,例如,舉例來說,其能夠包含微珠結構或是稜形結構。於另一範例中會使用一均質性擴散器,例如,可向Luminit,LLC(位於美國加州的托蘭斯)取得。
例如,相較於獨特UV光源(舉例來說,LED)被安置為與基板有大幅的分離距離並且使用大型的反射器來幫助準直或提供一更均勻的照射場域的方式,此擴散器排列能夠藉由消弭大型反射器並且壓縮該些UV光源與基板之間的距離而提供一種更為節省空間的UV曝光設備。於一解釋性的範例中,一擴散器會提供大於百分之80的透射效率,或是,大於百分之90的透射效率,例如,用以提供具有優於15%之場均勻性的UV照射(舉例來說,其具有從定義該場域的指定區域的最低強度部分至定義該場域的指定區域的最高強度部分的強度變化不大於15%的均勻性)。
圖13A與圖13B大體上顯示一夾頭配置2420A的解釋性範例,在圖13A中其包含接觸一基板4006A的埠口或溝槽,例如,在沉積、固持、材料流動或散佈、或是固化製程的一或更多者期間,而在圖13B中則顯示該基板的一層之中的對應可見不均勻性(舉例來說,「水波紋」)。在圖13A的範例中,該夾頭2420A會包含下面的一或更多者:一溝槽4008(舉例來說,其被耦合至一真空或是被併入用以達成另一目的)、一已縮回的起模針4016、一大型真空埠口4014、一真空溝槽4012、或是一或更多個其它特徵元件。於一解釋性的範例中,該夾頭2420A會被用來在處理期間保留一基板4006A,例如:在沉積一有機薄膜膠封劑期間;或是在其它作業期間,例如,用以流動或散佈一被沉積的膠封層(舉例來說,以便達成一更均勻或平坦的塗層);或是在此膠封層的熱處置或紫外線處置期間。在圖13B中,基板4006A上的最終層均勻性會呈現可見的缺陷,例如,對應於溝槽4016的缺陷4018、對應於已縮回起模針4016的缺陷4026、對應於真空溝槽4012的缺陷4022、以及對應於真空埠口4014的缺陷4024。此些缺陷會呈現具有不同顏色均勻性的彩虹顏色干擾圖樣,從而創造如圖13B中所示形狀的可見外形;或者會呈現陰影,在此些區域之中會顯示不一致的亮度或顏色描繪。沒有理論限制,此些變化咸信至少部分肇因於與基板2420A接觸的熱環境變化,甚至此些變化會配合與該基板中反向於沉積側的側(舉例來說,背側)產生接觸的特徵元件而發生。如上面的討論,除了其它以外,本案發明人還發現,此水波紋能夠利用各種均勻支撐技術(例如,下面以及本文中其它地方所述的技術)來加以抑制或阻止。
使用均勻支撐技術來抑制水波紋同樣能夠有利於降低其它 損毀源,例如,微粒污染。此損毀會至少部分因將化學污染物或是電氣/光學污染物併入至該裝置結構之中(併入於每一個膜的本體材料裡面或是併入在整個裝置堆疊中的層間介面處)而被驅動產生。化學活性污染物會隨著時間經過而在該膜之中觸發一會損毀該膜材料的化學反應。此些化學反應會簡單隨著時間經過而發生,不需要任何其它觸發;或者,舉例來說,能夠因周遭光學能量或是被注入的電氣能量而被觸發。電氣或光學活性污染物會在操作期間為被引進該裝置之中或是在該裝置之中被產生的電氣能量或光學能量創造寄生的電氣或光學路徑。此些路徑會導致光輸出的抑制或是產生不正確的光輸出(舉例來說,錯誤頻譜的光輸出)。損毀或是損失可能呈顯一獨特的OLED顯示元件的失效,在一OLED元件陣列的一部分中出現「黑色」光點,出現可見的瑕疵或是損失電氣或光學效率,或是在該OLED元件陣列的不同受影響區域中的顏色描繪精確性、對比、或是亮度中發生不必要的偏差。
圖14A、圖14B、圖14C、以及圖14D包含一基板的各種區域的解釋性範例,以及對應的固定配件,例如,夾頭或是末端效應器,其包含一或更多個高壓氣體埠口、真空埠口、或是真空區域。如其它地方提及,一基板4000包含一玻璃材料或是一或更多種其它材料。一般來說,為生產平板顯示器,該基板4000會包含能夠從該基板4000處被裁切下來的單一大型顯示器或是二或更多個較小的顯示器。於圖14A的解釋性範例中顯示四個顯示區域4002A、4002B、4002C、以及4002D。舉例來說,此些區域會被稱為「主動」區域或是「發光區域」。此範例中所使用的「主動」一詞並沒有隱喻此些區域在處理期間會真實地發光,取而代之的係表示會包含 被配置成用以發光之裝置的區域或者表示形成一顯示器中可讓末端使用者看見的發光部分或透射部分的區域。一般來說,區域4002A至4002D中的可見缺陷被視為無法被末端使用者接受,且據此,會使用各種技術來提高該些區域4002A至4002D的可見均勻性。亦可以採用基板4000的其它平板配置變化例。舉例來說,一基板4000會包含單一顯示器或是一OLED裝置陣列。於其它範例中,該基板4000會被分割為兩個、四個、或是八個區域,例如,用以建立對應的支撐周長或者具有如本文中其它範例中所提及的對應分散式多孔媒介區域。於其它光學裝置、電氣裝置、或是光電子裝置在該基板上並且正在被塗佈的其它製造範例中,「主動」的定義會調整為適合涵蓋對應於該些裝置的區域。
於基板4000由直接實體接觸來支撐的範例中,支撐在顯示區域4002A至4002D的每一者裡面會很均勻並且在區域4004裡面會不均勻,該區域4004延伸圍繞整個基板4000的周圍並且延伸至介於顯示區域4002A至4002D的每一者之間的內部空間之中。此區域4004會被稱為「禁用(keep out)」區域,其表示該顯示器的發光元件或主動元件應該避開此些不均勻的支撐區域(反之亦然)。舉例來說,一或更多根「起模針」會如圖14A中的圖解顯示般地被放置在一區域中,例如,被放置在一第一區域2124A中、一第二區域2124B中(舉例來說,在介於顯示區域4002A與4002B之間的位置中)、以及一「第N」區域2124N中,並且在該基板下降至該夾頭上且此些起模針因而位於已縮回位置之後,該起模針會縮進去的孔洞將代表一該基板的實體支撐中的一間隙區域。或者,甚至除此之外,該陣列中的該些位置中的一或更多個位置會取而代之地包含一真空埠口,例如,用以 保留該基板於正確的地方並且將其固持為平坦並且和該夾頭表面保持水平的實體接觸。舉例來說,一或更多根起模針能夠被用來在處理之前或之後以一夾頭為基準來抬昇或降下該基板,並且一或更多個真空埠口能夠被用來在處理期間保留該基板。
如其它範例中,該基板能夠由一氣體緩衝墊來支撐。舉例來說,在圖14A中,該夾頭可以包括一由多個小型壓力孔徑所組成的連續陣列或者一連續的多孔平板,用以提供一該基板能夠漂浮於其上的連續高壓氣體流。多個孔洞仍會針對起模針被提供在該夾頭表面之中(該些起模針被縮回時會座落於該夾頭表面底下),例如,舉例來說,2124A與2124B,但是,因為該基板漂浮在該夾頭表面之上,所以,出現在此些孔洞上方的塗層之中的水波紋或不均勻性會減少甚至消失。依此方式,即使介於區域4002A至4002D之間的內部區域亦可以作為主動區域,改善生產能力並且因而促成製造一較大型的連續主動式裝置。又,如其它範例中,亦能夠使用高壓氣體埠口與真空埠口的組合,例如,圖14B至14D的解釋性範例中所示。舉例來說,在圖14B的俯視圖或是圖14C的側視圖中,基板4000能夠由一或更多個真空埠口(舉例來說,圓形埠口或狹縫)來保留,例如,在如圖14B的區域4004中所示的區域2124A至2124N之中。此區域4004會再次包含一基板4000的周圍。於一解釋性的範例中,在特定處理作業期間介於該基板4000與任何固定配件之間的實體接觸通常會侷限於此周圍區域4004,例如,在下面的一或更多項作業期間:沉積作業(舉例來說,印刷一材料於基板4000上)、固持作業、材料流動或散佈作業、或是熱處置或紫外線處置作業。此些作業能夠被併入為一薄膜膠封(Thin Film Encapsulation,TFE)製程的 至少一部分,其中,該基板4000可以容許產生瑕疵或可見缺陷。
舉例來說,此區域4004會從該基板的邊緣處向內延伸100毫米或200毫米。於其它地方,該基板至少部分會在區域4002中利用一或更多個高壓氣體埠口2106A至2106N來支撐。真空埠口與高壓氣體埠口的此種組合能夠避免施加過度的應力於一大型基板4000上,因為該基板實體上會在周圍區域4004中受到支撐並且在中央區域4002中至少部分受到高壓氣體支撐。依此方式,該基板4000究竟包含正在被製作的單一大型顯示器或者包含數個較小型的顯示器並不重要。所以,其能夠在各式各樣不同的顯示器配置中使用一共同的固定配件2120配置,因為此固定配件2120能夠僅限於接觸該基板4000的周圍區域4004,同時利用高壓氣體來支撐該基板4000的其它地方(舉例來說,中央)。於該固定配件2120充當一夾頭的範例中,區域2124A至2124N中的一或更多者會包含一起模針取代一真空埠口,或者,除了包含一真空埠口之外還包含一起模針,例如,以便抬昇該基板4000用以在該基板底下產生空間以便讓一搬運器來操縱。此外,一高壓氣體流會在該些氣體埠口2106A至2106N中的一或更多者處被調制,例如,以便幫助支撐或抬昇該基板用以達到操縱的目的或是在操縱期間幫助支撐或抬昇該基板。於另一種方式中,氣體埠口2106A至2106N的組合能夠被用來幫助「漂浮」該基板以便運輸至其它設備,如其它範例中所提及。
圖14D大體上顯示高壓氣體埠口與真空埠口的組合並不需要侷限於如圖14B中所示的靜態夾頭配置。舉例來說,一搬運器的末端效應器會包含高壓氣體埠口2106A至2106N以及區域2124A至2124N中的真空埠口的組合。圖14C的側視圖亦能夠描述圖14D中所示的叉狀末端效應 器配置的多個「尖叉」中其中一者的側視圖。此末端效應器能夠被用來操縱基板4000,而不會在區域4004以外的區域中實體接觸該基板4000。
或者,或是除了上面的範例以外,亦能夠建立一分散式真空區域,例如,對齊圖14A至14C的區域4002A至4002D或是4002中的一或更多者,例如,在圖15A與15B的解釋性範例中所顯示與討論般,用以幫助保留且維持基板4000的平面配置。如下面的討論,此分散式真空區域會包含利用一多孔式材料,例如,碳質或是陶瓷材料、燒結玻璃、或是某種其它材料,例如,其會包含直徑小於1微米甚至小於0.5微米的細孔尺寸。此小型細孔尺寸能夠抑制可見水波紋的形成,如果在區域4002A至4002D中使用大型真空埠口的話便會出現可見的水波紋,如上面配合圖14A與14B以及本文中其它地方的討論。於另一範例中,例如,配合圖5所提,一由高壓氣體所建立的氣體緩衝墊能夠被用來至少部分支撐該基板,例如,在顯示區域4002A至4002D裡面,以便避免在固持、材料流動或散佈作業、或是紫外線處置作業期間或是在其它生產製程期間形成可見的缺陷。此範例大體上圖解在圖16A與16B之中。
圖15A與圖15B大體上顯示一夾頭配置的解釋性範例,其會包含一或更多個機械性支撐接針以及一或更多個真空區域的組合。雷同於圖14A的範例以及本文中其它地方所討論的其它範例,一夾頭2220會包含一或更多個機械性支撐接針(舉例來說,其包含一已伸出的起模針2224A)。該些機械性支撐接針會包含一伸出配置以及一縮回配置,例如,氣動式啟動、液壓式啟動、或是電氣啟動。如配合圖14A以及其它地方的討論,於基板透過實體接觸受到支撐的情況中,該些機械性支撐接針能夠被 放置在一或更多個顯示器的主動區域以外的區域之中(反之,利用漂浮支撐機制的其中一項好處係即使在起模針孔洞的上方仍然能夠達到沒有水波紋的塗層)。於圖15A的範例中,該些機械性支撐接針(其包含已伸出的起模針2224A)能夠大體上圖解一種伸出配置,例如,垂直移洞一基板4000。此配置能夠在該基板4000底下產生一間隙,例如,用以讓一或更多個末端效應器(例如,叉狀末端效應器1420)來操縱該基板。該末端效應器1420會包含溝槽、狹縫、其它特徵元件,或者,會經過尺寸與形狀設計用以在該些機械性支撐接針處於已伸出配置中時避免干擾該些接針中的一或更多者。
在基板4000被操縱至正確的地方之後,該一或更多根機械性支撐接針會被縮回,例如,縮回至齊平於夾頭2220的一表面或是在與夾頭2220的一表面齊平以下的位置,例如,如圖15B中所示,其包含一已縮回的起模針2224B。於某些範例中,該基板4000會被進一步處理,而不作進一步保留或固定。然而,在特定的作業期間,例如,在基板4000上進行一有機膠封層的沉積、固持作業、材料流動/散佈作業、或是其它處置(舉例來說,紫外線處置)期間會使用到真空部或分散式真空區域中的一或更多者,例如,用以幫助維持該基板於平面的配置中。舉例來說,一或更多個分散式(舉例來說,多孔)真空區域會被併入成為夾頭2220的一部分,例如,其包含區域2206A、2206B、2206C、以及2206D。不同於較大的真空埠口或是機械性支撐接針,此些區域2206A至2206D能夠被放置在基板4000中正在製作「主動」或是「發光」區域的部分的正下方。此些分散式真空區域能夠減少或抑制正在被沉積在或是正在被形成在基板4000上的一或更多層之中的可見缺陷,因為此些分散式真空區域會避免由其它類型結構所呈現 的驟然熱特徵(舉例來說,熱傳導係數)變化,例如,上面配合圖13A與13B的討論。沒有理論限制,利用本文中所示的夾頭結構(例如,由多孔媒介所提供的分散式真空區域)咸信亦能夠提高被沉積在基板4000上的一塗層或膜層的均勻性,例如,以便在基板4000與該些多孔區域2206A、2206B、2206C、以及2206D之間提供一均勻的靜電耦合或靜電場。
如上面所提及,於其中一種方式中,諸如起模針或真空埠口的機械式特徵元件雖然會被侷限於被併入在基板4006A之中的獨特顯示器的主動區域或發光區域周圍的區域。然而,此方式仍會有缺點。舉例來說,倘若處理設備要被使用於多種基板形狀、尺寸、以及顯示器配置的話,可能需要相依於「禁用」區域的排列對夾頭2420A進行治具改變。圖16A與16B和圖13A與13B形成對照,其大體上圖解一夾頭2420B配置的範例,在圖16A中包含被配置成用以建立一高壓氣體緩衝墊的埠口以便支撐一基板,例如,在沉積、固持作業、材料散佈或流動作業、或是固化製程的一或更多者期間,而在圖16B中則顯示最終基板中的對應均勻性。於此方式中,因為基板4006B在各種製程期間不需要接觸夾頭2420B的熱量不均勻的特徵元件,所以,如圖16B中所示的基板4006B能夠避免由圖13A所示的特徵元件所產生的大型且極為可見的水波紋。其亦能夠使用不同的埠口配置,例如,在區域2406A中有第一埠口密度並且在區域2406B中有第二埠口密度。如本文中其它範例中所提及,飛行高度「h」能夠利用真空埠口以及高壓氣體埠口的組合來建立,例如,建立在由區域2406A與2406B所組成的陣列中。舉例來說,於每一列埠口之中,該些埠口會被交替排列為真空埠口或高壓氣體埠口。依此方式便能夠精確地控制高度h並且以該夾 頭表面為基準的基板z維度能夠穩定。如本文中的其它範例,亦能夠使用機械式固定與高壓氣體的組合。舉例來說,基板4006B的橫向運動(舉例來說,在平行於該夾頭的一表面的方向中)會受到限制,例如,藉由使用一或更多個橫向止動器或凸塊。
圖16C與16D和圖13A與13B形成對照,其大體上顯示一夾頭配置的範例,其包含一多孔媒介1906,例如,用以在沉積、固持作業、材料散佈或流動作業、或是固化製程的一或更多者期間建立一分散式真空(在圖16C中),例如,從而提供如圖16E中所示的最終基板中的均勻性。如配合本文中其它範例所提,一多孔媒介1906「平板」(例如,被耦合至一夾頭2420C或是被併入為一夾頭2420C的一部分)會提供一「分散式」真空,用以在處理期間牢牢地固持基板4006C;或者,提供一高壓氣體緩衝墊用以支撐該基板4006C,例如,不需要使用如圖13A中所示的大型孔徑,並且讓如圖16E中所示的基板4006C減少或最小化水波紋或其它可見缺線的形成。如配合本文中其它範例所提,一多孔媒介1906「平板」(例如,被耦合至一夾頭2420C或是被併入為一夾頭2420C的一部分)會提供一「分散式」壓力,用以在處理期間均勻地漂浮基板4006C,例如,不需要使用如圖16A中所示的獨特孔徑。
如配合圖15A、16C、16D所提的多孔媒介1906或是如本文中其它地方所提的雷同的分散式壓力或真空區域能夠向Nano TEM Co.,Ltd.(位於日本的新潟縣)取得,例如,其具有佔據全部基板4006C的指定實體維度,或者佔據該基板的指定區域(例如,顯示區域或是顯示區域外面的區域)。此多孔媒介會包含一指定細孔尺寸,用以在一指定區域上方提供一 所希望的真空固持作用力,同時減少或消弭水波紋或其它可見缺陷形成,例如,在固持作業、固化作業、材料散佈或流動作業期間。如上面提及,沒有理論限制,利用一多孔媒介咸信能夠提高基板4006C上的一塗層或膜層的均勻性,例如,藉由減少或最小化和跨越該基板表面或是與該塗層或膜層反向的表面的不均勻熱輪廓或靜電場輪廓相關聯的水波紋或其它可見缺陷。或者,一多孔媒介能夠被耦合至一氣動式供應器,例如,用以提供一氣體緩衝墊;或者,各種多孔媒介區域能夠分別被耦合至一氣動式供應器與一真空供應器,用以提供一具有受控「飛行高度」的氣體緩衝墊,例如,在如圖19C中所提及的一或更多個指定地帶中。當此多孔媒介被用來提供一分散式真空用以將該基板保持固定在該夾頭表面上時,供起模針使用的孔洞的存在仍會提供不均勻性,並且因而會包含擺放此些孔洞,俾便防止影響該基板的主動區域。當此多孔媒介被用來提供一分散式壓力供應用以漂浮該基板在該夾頭表面的上方時,供起模針使用(或是供已回縮的起模針使用)的孔洞的存在則未必會造成不均勻性,所以,該基板面積中會有較大的部分可作為主動區域。
在圖5、圖6、圖14A、圖14B、圖14C、圖14D、圖15A、圖16A、圖16B、圖16C、圖16D的範例中以及本文中其它範例所討論的夾頭配置能夠被使用在各式各樣的作業中。舉例來說,此些夾頭配置能夠被併入為一封閉式印刷模組、一固持模組、一傳輸模組、一固化模組(例如,其包含一或更多個紫外線處置區域)的一部分,或者,被併入在被配置成用以實施此些作業之組合的模組之中,例如,被併入在具有指定微粒污染位準與指定反應物種污染位準的環境裡面。
如本文中所示與所述的其它範例中,在系統1000A、1000B、3000A、或3000B、或是其它範例中所示之模組的一或更多者能夠包含共用或專屬的氣體淨化與監視設施、溫度控制設施、或是微粒控制設施。舉例來說,每一個模組都會包含一或更多個氣體淨化迴路、風扇過濾單元、或是溫度控制器。在一個別模組中的受控環境會接續於(舉例來說,流體性耦合)一鄰近模組;或者,該些模組亦能夠包含彼此隔離的受控環境,例如,以便強化控制一特殊模組的氣體純度、溫度、微粒位準、或是維修。
為冗餘性或維修的目的,系統會包含閥門或閘門,例如,用以隔離一或更多個模組中的環境以及一或更多個其它模組中的環境,以便幫助維修溫度控制系統、氣體淨化系統、溶劑消減系統、或是微粒控制系統,而不需要傾卸(dumping)或清除(purging)其它模組中所含的受控環境,或者,不需要實質改變其它模組中所含的環境。
在本文件中其它地方所討論的製作系統裡面或周圍的環境會包含經過選擇的照射,以便避免或抑制在製作中所使用的材料或是正在被製作的裝置的損毀。另外,在本文件中所述的各種範例會提到充滿氣體的圍體,例如,以便提供一具有下面中一或更多者的受控環境:指定的溫度、指定的雜質位準、或是指定的微粒位準。
根據各種範例能夠在照明元件中使用不同的光源來照射本文中所示與所述的系統的內部部分或是用以照射其它區域,例如,以便讓作業員或是機器視覺系統看見該系統的一部分。數個或是一群照明元件能夠以各式各樣的方式被選定,用以使用在本文中其它地方所示與所述的系統裡面或周圍。舉例來說,一或更多個照明元件能夠被平坦安置,或者以 可調整的方式來安置而提供各式各樣照明位置或是照射角度。照明元件的擺放不需要限制在天花板位置,並且此些照明元件能夠被放置在本文中所示與所述的系統的其它內表面或外表面。
該些照明元件會包括任何數量、類型、組合的照明光,舉例來說,鹵素光、白光、白熱光、弧光燈泡、或是發光二極體或裝置(Light Emitting Diode,OLED)。於一解釋性的範例中,一照明元件會包含從1個LED至約100個LED,從約10個LED至約50個LED,或是大於100個LED。LED或是其它照明裝置會發射可見顏色頻譜中的任何顏色或顏色組合、可見顏色頻譜外面的任何顏色或顏色組合、或是前面的組合。
能夠被使用在OLED裝置製作中(例如,在印刷系統中)的某些材料會受到某些光波長的影響。據此,被安裝在一OLED製作系統之中或是被用來照射一OLED製作系統的照明元件的光波長會經過選擇,以便在處理期間抑制或消弭材料損毀。舉例來說,可以使用4X冷白色LED、4X黃色LED、或是它們的任何組合。4X冷白色LED的範例會包含位於美國加州桑尼維爾的IDEC股份公司所販售的零件編號LF1B-D4S-2THWW4。4X黃色LED的範例會包含同樣由IDEC股份公司所販售的零件編號LF1B-D4S-2SHY6。LED或是其它照明元件能夠被定位在或是吊掛在一OLED製作系統之中的天花板框架的任何內部部分上或另一表面的任何位置。照明元件並不受限於LED,並且亦能夠使用其它類型的照明元件或照明元件組合。
圖17大體上顯示一種氣體淨化技術的概略代表圖,其能夠配合本文中所述之一或更多個其它範例的一部分或全部來使用,例如,用 以在用於製造一發光裝置(舉例來說,一OLED裝置)的圍體外殼製作設備中建立或維持一受控的環境。舉例來說,一氣體圍體系統502會包含一氣體圍體組裝件100(具有受控環境的圍體)、一與該氣體圍體組裝件100進行流體交流的氣體淨化迴路130、以及一熱調節系統140(舉例來說,如本文中其它範例中所稱的溫度控制器)。
系統502會包含一高壓氣體再循環系統300,其能夠供應用於操作各種裝置(例如,一基板漂浮平台或是其它高壓氣體裝置)的氣體,例如,用於一OLED印刷系統之中。該高壓氣體再循環系統300能夠包含或使用一壓縮器、一風箱、或是兩者。除此之外,該氣體圍體系統502還會有一位於氣體圍體系統502內部的循環與過濾系統(舉例來說,如本文中其它範例中所述的一或更多個風扇過濾單元(FFU))。
一或更多條導管或擋板會分離經由該氣體淨化迴路130旋環的非反應氣體和在一氣體圍體組裝件的各種實施例中的內部被過濾與循環的非反應氣體。舉例來說,該氣體淨化迴路130會包含一來自該一氣體圍體組裝件100的出口線路131。一溶劑移除器件132會被提供用於進行溶劑消減,並且要被淨化的氣體會從該溶劑移除器件132處被傳送至一氣體淨化系統134。經過溶劑淨化的氣體以及其它反應氣體物種(例如,臭氧、氧氣、以及水蒸氣中的一或更多者)會循環回到該氣體圍體組裝件100,例如,經由入口線路133。
氣體淨化迴路130會包含適當的導管與連接線,例如,用以介接監視裝置或控制裝置。舉例來說,臭氧感測器、氧氣感測器、水蒸氣感測器、或是溶劑蒸氣感測器均會被併入。一氣體循環單元(例如,風扇、 風箱、或是其它配置)會被分開提供或是,舉例來說,被整合至氣體淨化系統134之中,例如,以便經由氣體淨化迴路130來循環氣體。於圖17的圖式中所示的溶劑移除器件132與氣體淨化系統134雖然為分開的單元;然而,該溶劑移除器件132與氣體淨化系統134亦能夠被容納在一起成為單一單元。
圖17的氣體淨化迴路130將溶劑移除器件132放置在氣體淨化系統134的上游,俾使得循環自氣體圍體組裝件100的氣體會通過溶劑移除器件132,例如,透過一出口線路131。於一範例中,該溶劑移除器件132會包含一溶劑陷捕系統,其係以吸收通過該溶劑移除器件132的氣體中的溶劑蒸氣為基礎。舉例來說,一或更多個吸附劑(例如,活性炭(activated charcoal)、分子篩(molecular sieve)、或是類似物)床能夠有效地移除各式各樣的有機溶劑蒸氣。於另一範例中能夠使用冷陷捕技術作為該溶劑移除器件132的一部分,用以移除溶劑蒸氣。感測器(例如,臭氧感測器、氧氣感測器、水蒸氣感測器、以及溶劑蒸氣感測器)能夠被用來監視從連續循環通過一氣體圍體系統(例如,氣體圍體系統502)的氣體中移除此些物種的結果。舉例來說,取自此些感測器或其它裝置的資訊會表示吸附劑(例如,活性碳(activated carbon)、分子篩、或是類似物)何時可發揮作用或者何時變成比較沒有作用,俾使得,舉例來說,該或該些吸附劑床能夠被再生或是被置換。
分子篩的再生會涉及加熱該分子篩、讓該分子篩接觸一構形氣體、前述的組合、或是類似的作法。舉例來說,被配置成用以陷捕各種物種(其包含臭氧、氧氣、水蒸氣、或是溶劑)的分子篩能夠藉由加熱以及曝露於一構形氣體而被再生。於一解釋性的範例中,此構形氣體會包含氫氣, 舉例來說,包括約96%氮氣與約4%氫氣的構形氣體,該些百分率為體積百分率或重量百分率。活性炭的物理性再生能夠在一受控環境下利用加熱程序來完成。
舉例來說,氣體淨化迴路130的氣體淨化系統134的一部分會包含能夠向位於美國新罕布夏州史塔森的MBRAUN公司或是位於美國麻薩諸塞州艾姆斯伯里的Innovative Technology購得的系統。該氣體淨化系統134能夠被用來淨化氣體圍體系統502中的一或更多種氣體,舉例來說,用以淨化一氣體圍體組裝件裡面的整個氣體大氣。如上面提及,為將氣體循環通過氣體淨化迴路130,舉例來說,該氣體淨化系統134會具有一氣體循環單元,例如,風扇或風箱。一氣體淨化系統會相依於圍體的體積來選擇或配置,該圍體能夠定義的用於移動一非反應氣體通過一氣體淨化系統的體積流速。於一解釋性的範例中,一具有一氣體圍體組裝件的氣體圍體系統會包含約4立方公尺的體積並且能夠使用每小時會移動約84立方公尺的氣體淨化系統。於另一解釋性的範例中,一具有一氣體圍體組裝件的氣體圍體系統會包含約10立方公尺的體積並且能夠使用每小時會移動約155立方公尺的氣體淨化系統。於又一解釋性的範例中,一氣體圍體組裝件的體積介於約52立方公尺至約114立方公尺之間並且能夠使用一個以上的氣體淨化系統。
氣體過濾器、烘乾機、或是其它淨化裝置亦能夠被併入在該氣體淨化系統134之中。舉例來說,一氣體淨化系統134能夠包含二或更多個淨化裝置,例如,平行配置或是被排列成讓該些裝置中的其中一者能夠離線進行維修並且一或更多個其它裝置能夠被用來繼續進行系統作業而不 會中斷。舉例來說,該氣體淨化系統134會包括一或更多個分子篩,例如,至少一第一分子篩與一第二分子篩,俾使得,當該些分子篩中的其中一者充滿雜質時或者被視為操作效率不足時,該系統能夠在再生該已飽和或沒有效率的分子篩時切換至另一分子篩。一控制單元會被提供用以:決定每一個分子篩的操作效率;在不同的分子篩操作之間進行切換;再生一或更多個分子篩;或者前述之組合。如前面提及,分子篩能夠被再生並且再利用。
圖17的熱調節系統140會包含至少一冷凝器142,其會具有:一流體出口線路141用以將一冷卻劑循環送入一氣體圍體組裝件之中;以及一流體入口線路143用以將該冷卻劑循環送回該冷凝器。至少一流體冷凝器142會被提供用以冷卻氣體圍體系統502裡面的氣體大氣。舉例來說,該流體冷凝器142能夠傳遞已冷卻的流體至該圍體裡面的熱交換器,氣體會於該處通過該圍體內部的一過濾系統上方。至少一流體冷凝器還會配合氣體圍體系統502被提供,用以冷卻從氣體圍體系統502裡面所包圍的設備處釋放的熱量。於一解釋性的範例中,一流體冷凝器亦會被提供給氣體圍體系統502使用,用以冷卻從一OLED印刷系統處釋放的熱量。該熱調節系統140會包含熱交換裝置或珀爾帖裝置(Peltier device)並且會有各種冷卻容量。舉例來說,一冷凝器會提供從約2千瓦(kW)至約20kW容量的冷卻容量。根據各種範例,該氣體圍體系統502會有複數個流體冷凝器,其能夠冷凝器一或更多種流體。一流體冷凝器能夠使用各種流體作為熱傳輸媒介,舉例來說,水、抗凍劑、致冷劑、或是它們的組合。無滲漏的固鎖連接線會被用來連接該些相關聯的導管與系統器件。
上面的範例雖然提及冷卻容量以及冷凝應用;不過,上面的範例亦能夠套用至包含將基板緩衝儲存於受控環境中的應用中,或者套用至循環氣體會被維持在雷同於該系統之其它部分的溫度處的應用中,例如,用以避免來自正在被製作之基板的不必要熱傳輸或者用以避免中斷跨越一基板或多個基板之間的溫度均勻性。
圖18A與18B大體上顯示一種用於整合及控制非反應氣體源與乾淨乾燥空氣(CDA)源的氣體圍體系統的範例,例如,其能夠被用來建立本文中其它地方所述之其它範例中所表示的受控環境,並且例如,其能夠包含一用於一漂浮平台的高壓氣體供應器。圖19A與圖19B大體上顯示一種用於整合及控制非反應氣體源與乾淨乾燥空氣(CDA)源的氣體圍體系統的範例,例如,其能夠被用來建立本文中其它地方所述之其它範例中所表示的受控環境,並且例如,其能夠包含一風箱迴路,舉例來說,用以提供用於一漂浮平台的高壓氣體以及至少部分真空。圖19C大體上顯示一種用於整合及控制一或更多個氣體源或空氣源的系統的進一步範例,例如,用以建立被併入作為一漂浮運輸系統之一部分的漂浮控制地帶。
本文中所述的各種範例包含會受到環境控制的封閉式模組。圍體組裝件以及對應的支撐設備會被稱為「氣體圍體系統」並且此些圍體組裝件能夠以波狀外形的方式(contoured fashion)來建構,其會縮減或最小化一氣體圍體組裝件的內部體積,並且同時提供用於容納OLED製作系統器件(例如,本文中所述的沉積(舉例來說,印刷)模組、固持模組、裝載模組、或是處置模組)之各種覆蓋範圍的工作體積。舉例來說,根據本教示內容的波狀外形氣體圍體組裝件的氣體圍體體積在本教示內容的氣體圍體 組裝件的各種範例中會介於約6m3至約95m3之間,舉例來說,用以覆蓋從Gen 3.5至Gen 10的基板尺寸。舉例來說,根據本教示內容的波狀外形氣體圍體組裝件的各種範例的氣體圍體體積為,但是並不限制在,介於約15m3至約30m3之間,舉例來說,其可用於Gen 5.5至Gen 8.5基板尺寸或是其它基板尺寸的OLED印刷。一輔助圍體的各種範例能夠被建構為氣體圍體組裝件的一區段,並且輕易地和氣體循環與過濾器件以及淨化器件整合在一起,以便形成一能夠維持受控環境(實質上為低微粒的環境)的氣體圍體系統,以供需要此環境的製程來使用。
如圖18A與圖19A中所示,一氣體圍體系統的各種範例會包含一高壓非反應氣體再循環系統。一高壓氣體再循環迴路的各種範例能夠運用一壓縮器、一風箱、以及它們的組合。根據本教示內容已經解決數項工程難題,以便在一氣體圍體系統中提供高壓氣體再循環系統的各種範例。首先,在一沒有高壓非反應氣體再循環系統的氣體圍體系統的典型操作下,一氣體圍體系統會保持在相對於一外部壓力為略微正值的內部壓力下(舉例來說,在大氣壓力之上),以便萬一任何裂縫出現在一氣體圍體系統中的話可以防止外面氣體或空氣進入內部。舉例來說,在典型的操作下,於本教示內容的氣體圍體系統的各種範例中,一氣體圍體系統的內部會保持在相對於該圍體系統外部之周遭大氣的某個壓力處,舉例來說,至少2mbarg,舉例來說,在至少4mbarg的壓力處、在至少6mbarg的壓力處、在至少8mbarg的壓力處、或者在更高的壓力處。
於一氣體圍體系統裡面保持一高壓氣體再循環系統會很困難,因為其會為保持一氣體圍體系統的略正內部壓力而呈現動態且不間斷 的平衡動作,同時持續地引進高壓氣體於一氣體圍體系統之中。進一步言之,各種裝置與設備的不同需求會在本教示內容的各種氣體圍體組裝件與系統中產生不規則的壓力輪廓。於此些條件下為被保持在相對於外部環境為略正壓力處的氣體圍體系統維持動態壓力平衡能夠提供一不間斷OLED製作製程的完整性。在一氣體圍體系統的各種範例中,根據本教示內容的一高壓氣體再循環系統會包含一能夠運用下面之中至少其中一者的高壓氣體迴路的各種範例:壓縮器、蓄能器、風箱、以及它們的組合。一包含高壓氣體迴路之各種範例的高壓氣體再循環系統的各種範例會有一經過特殊設計的壓力受控旁通迴路,其能夠在本教示內容的一氣體圍體系統中提供一非反應氣體的內部壓力於一穩定、已定義的數值處。於一氣體圍體系統的各種範例中,一高壓氣體再循環系統會被配置成用以在一高壓氣體迴路的蓄能器中的氣體的壓力超過事先設定的臨界壓力時透過一壓力受控旁通迴路來再循環高壓氣體。舉例來說,該臨界壓力會落在介於約25psig至約200psig之間的範圍裡面,或者更明確地說,落在介於約75psig至約125psig之間的範圍裡面,或者更明確地說,落在介於約90psig至約95psig之間的範圍裡面。就此方面來說,本教示內容之具有配有經過特殊設計的壓力受控旁通迴路之各種範例的高壓氣體再循環系統的氣體圍體系統會在一隔離密封的氣體圍體中維持一高壓氣體再循環系統平衡。
根據本教示內容,各種裝置與設備會被設置在一氣體圍體系統的內部並且與一高壓氣體再循環系統的各種範例進行流體交流。在本教示內容的一氣體圍體與系統的各種範例中,使用各種氣動式操作裝置與設備會提供低微粒產生效能並且會有低維修。舉例來說,能夠被設置在一氣 體圍體系統的內部並且與各種高壓氣體迴路進行流體交流的示範性裝置與設備會包含,但是並不限制於,下面之中的一或更多者:氣動式機器人、基板漂浮平台、空氣軸承、空氣套管(air bushing)、壓縮氣體治具、氣動式啟動器、以及前述的組合。一基板漂浮平台以及空氣軸承能夠用於根據本教示內容之氣體圍體系統的各種範例來操作OLED印刷系統的各項觀點中。舉例來說,一運用空氣軸承技術的基板漂浮平台能夠被用來將一基板輸送至一印刷頭反應室中的正確位置並且在一OLED印刷製程期間支撐一基板。
舉例來說,如圖18A、圖18B、圖19A、以及圖19B中所示,氣體圍體系統503以及氣體圍體系統504的不同範例會有外部氣體迴路3200,用以整合並且控制一非反應氣體源3201與乾淨乾燥空氣(CDA)源3203,以便使用在操作氣體圍體系統503與氣體圍體系統504的不同觀點中。氣體圍體系統503與氣體圍體系統504亦能夠包含一內部微粒過濾與氣體循環系統的各種範例以及一外部氣體淨化系統的各種範例,如先前所述。一氣體圍體系統的此些範例會包含一用以淨化一氣體中的各種反應物種的氣體淨化系統。非反應氣體的某些常用的非限制性範例會包含氮氣、任何貴重氣體(noble gas)、以及它們的組合。根據本教示內容的一氣體淨化系統的各種範例會保持各種反應物種(其包含各種反應大氣氣體,例如,水蒸氣、氧氣、臭氧、以及有機溶劑蒸氣)中的每一種物種在1000ppm或更低的位準處,舉例來說,保持在100ppm或是更低位準處、保持在10ppm或是更低位準處、保持在1.0ppm或是更低位準處、或是保持在0.1ppm或是更低位準處。除了用於整合與控制氣體源3201與CDA源3203的外部迴路3200之外,氣體圍體系統503與氣體圍體系統504還會有壓縮器迴路3250,其 能夠供應用以操作會被設置在氣體圍體系統503與氣體圍體系統504的內部之中的各種裝置與設備的氣體。一真空系統3270亦會被提供,例如,用以在閥門3274處於張開位置中時經由線路3272來與氣體圍體組裝件1005進行交流。
圖18A的壓縮器迴路3250會包含壓縮器3262、第一蓄能器3264、以及第二蓄能器3268,它們被配置成用以進行流體交流。壓縮器3262會被配置成用以將從氣體圍體組裝件1005處收回的氣體壓縮至所希望的壓力。壓縮器迴路3250的一入口側會經由線路3254(其具有閥門3256與檢查閥門3258)透過氣體圍體組裝件出口3252與氣體圍體組裝件1005進行流體交流。壓縮器迴路3250會透過外部氣體迴路3200在壓縮器迴路3250的出口側與氣體圍體組裝件1005進行流體交流。蓄能器3264會被設置在壓縮器3262與壓縮器迴路3250和外部氣體迴路3200的接面之間並且會被配置成用以產生5psig或更高的壓力。第二蓄能器3268會位在壓縮器迴路3250之中,用以抑制因壓縮器活塞在約60Hz處的循環運動所導致的波動。在壓縮器迴路3250的各種範例中,第一蓄能器3264會有介於約80加侖與約160加侖之間的容量,而第二蓄能器會有介於約30加侖與約60加侖之間的容量。根據氣體圍體系統503的各種範例,壓縮器3262能夠為一零侵入壓縮器(zero ingress compressor)。各種類型的零侵入壓縮器在操作時不會洩漏大氣氣體至本教示內容的一氣體圍體系統的各種範例之中。舉例來說,一零侵入壓縮器的各種範例能夠在運用需要使用壓縮氣體之各種裝置與設備的OLED製作製程期間持續地運轉。
蓄能器3264會被配置成用以接收與蓄積來自壓縮器3262的 壓縮氣體。蓄能器3264能夠於必要時在氣體圍體組裝件1005之中供應該壓縮氣體。舉例來說,蓄能器3264能夠提供氣體用以維持用於氣體圍體組裝件1005之各種器件(例如,但是並不限制於,下面之中的一或更多者:氣動式機器人、基板漂浮平台、空氣軸承、空氣套管、壓縮氣體治具、氣動式啟動器、以及前述的組合)的壓力。如圖18A中所示,在氣體圍體系統503中,氣體圍體組裝件1005會將一OLED印刷系統2000封閉於其中。如圖18A中的概略描繪,印刷系統2000會由印刷系統基底2150來支撐,其可能為一花崗岩階臺。印刷系統基底2150會支撐一基板支撐設備,例如,夾頭,舉例來說,但是並不限制於,真空夾頭、具有壓力埠口的基板漂浮夾頭、以及具有真空埠口與壓力埠口的基板漂浮夾頭。於本教示內容的各種範例中,一基板支撐設備能夠為一基板漂浮平台,例如,基板漂浮平台印刷區2250。基板漂浮平台印刷區2250能夠被用來無摩擦支撐一基板。除了低微粒產生漂浮平台之外,為無摩擦Y軸運輸一基板,印刷系統2000會有一運用空氣套管的Y軸運動系統。
除此之外,印刷系統2000還會有至少一X,Z軸攜載組裝件,其具有由一低微粒產生X軸空氣套管組裝件所提供的運動控制。舉例來說,一低微粒產生運動系統(例如,X軸空氣套管組裝件)的各種器件能夠被用來取代各種低微粒產生線性機械式軸承系統。在本教示內容的氣體圍體與系統的各種範例中,各式各樣氣動式操作裝置與設備的使用能夠提供低微粒產生效能並且會有低維修。壓縮器迴路3250會被配置成用以持續性供應高壓氣體給氣體圍體系統503的各種裝置與設備。除了供應高壓氣體之外,噴墨印刷系統2000的基板漂浮平台印刷區2250(其運用空氣軸承技術) 還會運用真空系統3270,其會在閥門3274處於張開位置中時經由線路3272來與氣體圍體組裝件1005進行交流。
根據本教示內容的一高壓氣體再循環系統會具有如圖18A中所示之用於壓縮器迴路3250的壓力受控旁通迴路3260,其係用來在使用期間補償變動的高壓氣體需求,從而提供本教示內容之氣體圍體系統的各種範例的動態平衡。在根據本教示內容之氣體圍體系統的各種範例中,一旁通迴路會在蓄能器3264中維持一恆定壓力,而不會中斷或改變圍體1005中的壓力。旁通迴路3260在旁通迴路的入口側具有第一旁通入口閥門3261,除非旁通迴路3260被使用,否則該第一旁通入口閥門3261會閉合。旁通迴路3260還會有背壓力調節器3266,其會在第二閥門3263閉合時被使用。旁通迴路3260會具有第二蓄能器3268,其被設置在旁通迴路3260的出口側。於運用零侵入壓縮器的壓縮器迴路3250的範例中,旁通迴路3260能夠補償在使用氣體圍體系統期間會隨著時間流逝所出現的小幅壓力偏移。當旁通入口閥門3261處於張開位置中時,旁通迴路3260會在旁通迴路3260的入口側來與壓縮器迴路3250進行流體交流。當旁通入口閥門3261張開時,倘若在氣體圍體組裝件1005的內部裡面不需要來自壓縮器迴路3250的氣體的話,經由旁通迴路3260分流的氣體會被再循環至該壓縮器。壓縮器迴路3250會被配置成用以在蓄能器3264中的氣體的壓力超過一事先設定的臨界壓力時經由旁通迴路3260來分流氣體。蓄能器3264的事先設定臨界壓力在每分鐘至少約1立方英尺(1cfm)的流速處會介於約25psig至約200psig之間,或者,在每分鐘至少約1立方英尺(1cfm)的流速處會介於約50psig至約150psig之間,或者,在每分鐘至少約1立方英尺(1cfm)的流速處 會介於約75psig至約125psig之間,或者,在每分鐘至少約1立方英尺(1cfm)的流速處會介於約90psig至約95psig之間。
壓縮器迴路3250的各種範例能夠運用零侵入壓縮器以外的各式各樣壓縮器,例如,變動速度壓縮器或是能夠被控制為處在開啟狀態或關閉狀態的壓縮器。如本文中前面的討論,一零侵入壓縮器確保沒有任何大氣反應物種會被引進一氣體圍體系統之中。就此來說,防止大氣反應物種被引進一氣體圍體系統之中的任何壓縮器配置皆能夠用於壓縮器迴路3250。根據各種範例,舉例來說,氣體圍體系統503的壓縮器3262會被容納在,但是並不限制於,一隔離密封的外殼之中。該外殼內部會被配置成用以和一氣體源(舉例來說,和形成氣體圍體組裝件1005的氣體大氣相同的氣體)進行流體交流。在壓縮器迴路3250的各種範例中,壓縮器3262會被控制在一恆定的速度,以便保持恆定的壓力。於沒有運用零侵入壓縮器的壓縮器迴路3250的其它範例中,壓縮器3262會在抵達最大臨界壓力時被關閉並且在抵達最小臨界壓力時被開啟。
在圖19A的氣體圍體系統504中顯示運用真空風箱3290的風箱迴路3280,其用來操作噴墨印刷系統2000的基板漂浮平台印刷區2250,它們都被容納在氣體圍體組裝件1005之中。如本文中前面針對壓縮器迴路3250的討論,風箱迴路3280會被配置成用以持續供應高壓氣體給印刷系統2000的基板漂浮平台印刷區2250。
運用高壓氣體再循環系統的氣體圍體系統的各種範例會有運用各式各樣高壓氣體源(例如,至少下面的其中一者:壓縮器、風箱、以及它們的組合)的各種迴路。在圖19A的氣體圍體系統504中,壓縮器迴路 3250會與外部氣體迴路3200進行流體交流,其會被用來供應氣體給高消耗歧管3225以及低消耗歧管3215。在如圖19A的氣體圍體系統504中所示之根據本教示內容的氣體圍體系統的各種範例中,高消耗歧管3225能夠被用來供應氣體給各種裝置與設備,例如,但是並不限制於,下面之中的一或更多者:基板漂浮平台、氣動式機器人、空氣軸承、空氣套管、壓縮氣體治具、以及前述的組合。在根據本教示內容的氣體圍體系統的各種範例中,低消耗歧管3215能夠被用來供應氣體給各種裝置與設備,例如,但是並不限制於,下面之中的一或更多者:隔離器、氣動式啟動器、以及前述的組合。
在圖19A與19B的氣體圍體系統504的各種範例中,一風箱迴路3280會被用來供應高壓氣體給基板漂浮平台印刷區2250的各種範例。除了供應高壓氣體之外,OLED噴墨印刷系統2000的基板漂浮平台印刷區2250(其運用空氣軸承技術)還會運用風箱真空3290,其會在閥門3294處在張開位置中時經由線路3292來與氣體圍體組裝件1005進行交流。風箱迴路3280的外殼3282會維持:第一風箱3284用以供應一高壓氣體源給基板漂浮平台印刷區2250;以及第二風箱3290,用以充當基板漂浮平台印刷區2250的真空源,其被容納在氣體圍體組裝件1005的一氣體環境之中。舉例來說,使得風箱適合作為基板漂浮平台之各種範例的高壓氣體源或真空源的屬性包含,但是並不限制於:高可靠度;低維修;變動速度控制;以及各種範圍的流動體積,其各種範例能夠提供介於約100m3/h至約2,500m3/h之間的體積流動。除此之外,風箱迴路3280的各種範例還會具有位在風箱迴路3280之入口端的第一隔離閥門3283、檢查閥門3285、以及位在風箱迴 路3280之出口端的第二隔離閥門3287。風箱迴路3280的各種範例會具有:可調整閥門3286,舉例來說,其能夠為,但是並不限制於,閘門、蝴蝶狀閥門、針狀閥門、或是球狀閥門;以及熱交換器3288,用以將從風箱迴路3280至基板漂浮平台印刷區2250的氣體維持在所希望的溫度處。
圖19A描繪同樣顯示在圖18A中的外部氣體迴路3200,用於整合及控制使用在圖18A的氣體圍體系統503與圖19A的氣體圍體系統504的各種操作觀點中的氣體源3201與乾淨乾燥空氣(CDA)源3203。圖18A與圖19A的外部氣體迴路3200會包含至少四個機械式閥門。此些閥門包含第一機械式閥門3202、第二機械式閥門3204、第三機械式閥門3206、以及第四機械式閥門3208。此些不同的閥門位在允許控制一非反應氣體源與一空氣(例如,乾淨乾燥空氣(CDA))源兩者的不同流動線路中的多個位置處。根據本教示內容,一非反應氣體能夠為在事先設定的條件下不會進行化學反應的任何氣體。非反應氣體的某些常用的非限制性範例會包含氮氣、任何貴重氣體、以及它們的組合。一外殼氣體線路3210會延伸自一外殼氣體源3201。外殼氣體線路3210會繼續直線延伸成為低消耗歧管線路3212,其會與低消耗歧管3215進行流體交流。一跨線路第一區段3214延伸自一第一流動接合點3216,其位在外殼氣體線路3210、低消耗歧管線路3212、以及跨線路第一區段3214的相交處。跨線路第一區段3214會延伸至一第二流動接合點3218。一壓縮器氣體線路3220延伸自壓縮器迴路3250的蓄能器3264並且終止於第二流動接合點3218。一CDA線路3222延伸自一CDA源3203並且延續成為高消耗歧管線路3224,其會與高消耗歧管3225進行流體交流。一第三流動接合點3226被定位在一跨線路第二區段3228、乾淨乾燥空 氣線路3222、以及高消耗歧管線路3224的相交處。跨線路第二區段3228從第二流動接合點3218處延伸至第三流動接合點3226。各種高消耗的器件會在維修期間藉由高消耗歧管3225被供應CDA。利用閥門3204、3208、以及3230來隔離該壓縮器能夠防止反應物種(例如,臭氧、氧氣、以及水蒸氣)污染該壓縮器與蓄能器裡面的氣體。
對照於圖18A與19A,圖18B與19B大體上顯示一種配置,其中,在氣體圍體組裝件1005內部的氣體的壓力會維持在一所希望或指定的範圍裡面,例如,利用一被耦合至壓力監視器P的閥門,其中,該閥門允許利用取自該壓力監視器的資訊讓氣體被排出至另一圍體、系統、或是在該氣體圍體組裝件1005周圍的區域。此氣體會在本文中所述的其它範例中被取回並且重新處理。如上面提及,此調節能夠幫助保持一氣體圍體系統之略為正值的內部壓力,因為高壓氣體亦會同時被引進至該氣體圍體系統之中。各種裝置與設備的不同需求會在本教示內容的各種氣體圍體組裝件與系統中產生不規則的壓力輪廓。據此,圖18B與19B中所示的方式能夠配合本文中所述的其它方式來使用或者被用來取代本文中所述的其它方式,例如,用以幫助維持被固定在相對於該圍體周圍之環境為略正壓力處的一氣體圍體系統的動態壓力平衡。
圖19C大體上顯示一種用於整合及控制一或更多個氣體源或空氣源的系統505的進一步範例,例如,用以建立被併入作為一漂浮運輸系統之一部分的漂浮控制地帶。雷同於圖19A與19B的範例,圖19C大體上顯示一漂浮平台印刷區2250。除此之外,在圖19C的解釋性範例中還顯示一輸入區2100與一輸出區2300。區域2100、2200、2300被稱為輸入、 印刷、以及輸出僅係為達解釋的目的。此些區域能夠被用於其它處理步驟中,例如,運輸一基板或是在一或更多個其它模組中固持、烘乾、或固化一基板的一或更多項作業期間支撐該基板。於圖19C的圖例中,一第一風箱3284A被配置成用以在一漂浮平台設備中的輸入區2100或輸出區2300的一或更多區域中提供高壓氣體。此高壓氣體會受到溫度控制,例如,利用一被耦合至一第一熱交換器1502A的第一冷凝器142A。此高壓氣體能夠利用一第一過濾器1503A來過濾。一溫度監視器8701A會被耦合至該第一冷凝器142(或是其它溫度控制器)。
同樣地,一第二風箱3284B會被耦合至該基漂浮平台的印刷區2200。一分離的冷凝器142B會被耦合至一包含一第二熱交換器1502B與一第二過濾器1503B的迴路。一第二溫度監視器8701B會被用來對第二風箱3284B所提供的高壓氣體的溫度提供獨立調節。於此解釋性的範例中,輸入區2100與輸出區2300被供應正值壓力,但是,印刷區2200則包含使用正值壓力與真空控制的組合在該基板位置的上方提供精確的控制。舉例來說,利用正值壓力與真空控制的此種組合,該基板便能夠在由該印刷區2200所定義的地帶中由系統504所提供的漂浮氣體緩衝墊來完全控制。該真空能夠由第三風箱3290來建立,例如,亦能夠由風箱外殼3282裡面的第一風箱3284A與第二風箱3284B的組成氣體的至少一部分來提供。
圖20A、圖20B、以及圖20C大體上顯示一種能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的至少一部分的視圖,例如,其包含一傳輸模組。一系統的各種圍體裡面的受控環境會包含一受控的微粒位準。微粒能夠因使用空氣循環單元與過濾器(例如, 其能夠被稱為風扇過濾單元(FFU)而減少或最小化。一FFU陣列能夠被放置在該基板於處理期間所橫越的路徑中。該些FFU不需要提供空氣流的往下流動方向。舉例來說,一FFU或通風管能夠被定位成用以在跨越該基板的一表面的橫向方向中提供一實質上層流。該橫向方向中的此層流能夠增強或者另外提供微粒控制。
在圖20A、圖20B、以及圖20C的範例中,一或更多個風扇過濾單元(FFU),例如,FFU 1500A至1500F,會被用來幫助維持傳輸模組1400A裡面的環境,其具有受控的微粒或污染物位準。多條導管(例如,第一導管5201A與第二導管5201B)會被使用,例如,用以提供如圖20B與圖20C的往下流動範例中所示的一回流空氣路徑。一受控溫度會至少部分利用一溫度控制器8700來維持,例如,其被耦合至一或更多個熱交換器1502。一或更多個溫度監視器,例如,溫度監視器8701,會被放置在指定的位置中(舉例來說,被放置在一基板或末端效應器上或附近),用以提供回授以幫助維持一基板或一基板附近的區域於一指定的溫度範圍內。於一範例中,如下面的討論,該溫度監視器能夠為一非接觸式感測器,例如,紅外線溫度監視器,其被配置成用以提供表示被該感測器取樣到的表面溫度的資訊。亦可以採用其它配置,例如,其會包含將該熱交換器放置在該反應室的一下方部分中的回流空氣導管裡面或附近,如圖21B中的圖解顯示。
在圖20C中,圓形大體上表示搬運器1410的移動的外圍極限,並且在角邊中所示的區域能夠作為導管5201A、5201B、5201C、或5201D,例如,用以提供要從該傳輸模組1400A的底部處被捕捉並且接著被重新循環或洗滌的已淨化氣體(舉例來說,氮氣)的回流路徑,例如,以便經由位於 該傳輸模組1400A的頂端的一或更多個FFU 1500A至1500F重新注入。
圖21A與圖21B大體上顯示一種系統的一部分的視圖,例如,其能夠包含一由多個基板4000處理區域所組成的堆疊配置。處理模組1200的一部分會包含一或更多個出入口或艙門,例如,出入口3301。舉例來說,此些出入口會被機械式或電氣式互扣,俾使得除非該系統中或裡面其它地方的對應出入口被閉合,否則可由一製作系統的外部進入的一出入口便無法被打開。舉例來說,當處理模組1200和一惰性環境或是一製作系統的其它封閉式部分中的受控環境隔離時,出入口3301能夠被用來實施維修。
如上面提及,此微粒或污染物受控環境能夠至少部分利用一或更多個FFU 1500來維持。於圖21B的範例中使用一跨流配置,例如,用以跨越能夠包含一基板的一或更多個巢室3350中的每一者維持一實質上層流氣體(舉例來說,非反應氣體)。一熱交換器1502能夠,但是未必需要,被放置在FFU 1500附近或是成為FFU 1500的一部分散式真空區域。舉例來說,熱交換器1502能夠被放置在一基板搬運區域底下,例如,其被併入在一回流導管5201裡面或是被併入成為一回流導管5201的一部分。溫度能夠由一溫度控制器8700來控制,例如,其被耦合至一溫度感測器8701。導管5201的多個部分的彎曲輪廓能夠至少部分利用一計算流體動態技術來規定,例如,用以在維持處理模組1200裡面的指定流動特徵(舉例來說,層流)。
除了佇列儲存基板之外(或者取代佇列儲存基板),例如,在下一個模組準備接收此些基板之前,該處理模組1200還會在功能方面加入基板製作製程,舉例來說,提供烘乾功能或是固持該基板維持一段指定的 持續時間長度(或者直到滿足指定的準則為止),以便讓該基板從其中一種狀態演變為另一種狀態。於固持以達演變該基板之目的的情況中,舉例來說,該基板會被固持以便讓一液體沉澱或流動。於此演變期間,該基板的溫度能夠經由跨越該基板表面控制性地施加溫度受控的氣體流來控制,例如,層流,其能夠被提供用以流動跨越該基板的平面,如圖21B中所示。
一般來說,該固持模組溫度不需要和其它系統模組(舉例來說,該印刷模組或是該基板搬運模組)中或周圍的環境的溫度相同。於另一範例中,該基板會靜置在一溫度受控的氣體緩衝墊上(雷同於本文中所述的其它範例,例如,在印刷作業、固持作業、或是固化作業(此固化作業包含紫外線處置)的一或更多項作業中利用一漂浮氣體緩衝墊支撐基板的範例中)。
於一處理模組1200中烘乾一基板的情況中,該受控環境會透過蒸氣陷捕系統或氣體再循環與淨化系統來連續性移除已蒸發的蒸氣,並且該烘乾製程會經由跨越該基板表面控制性地施加氣體流而進一步受到控制,例如,層流,其能夠被提供用以流動跨越該基板的平面,如圖21B中所示。於一範例中,該處理模組1200包含一烘乾模組,並且一系統的其它部分會被配置成用以至少部分排空或清除該烘烤模組裡面的大氣,用以幫助進行烘乾作業,例如,在一印刷作業之後。
圖22A大體上顯示一種能夠被用來製造一電子裝置(舉例來說,一有機發光二極體(OLED)裝置)的系統的一部分,例如,其包含一被耦合至其它反應室或模組的傳輸模組。圖22B大體上顯示一搬運器配置,例如,其能夠被用來在圖22A中所示的模組裡面操縱一基板。
如圖20A的範例中所示,傳輸模組1400B會包含一或更多個風扇過濾單元(FFU),例如,FFU 1500A至1500N(舉例來說,14個FFU)。圖22B大體上顯示一搬運器2732配置,例如,其能夠被用來在圖21A中所示的模組1400B裡面操縱一基板4000。對照於圖21A的傳輸模組1400A的搬運器1410A,圖22B的搬運器1410B大體上顯示,例如,一軌道2734或鐵軌配置能夠被用來在一軸線中線性平移該搬運器2732。依此方式,各式各樣的其它反應室或模組便能夠被耦合至傳輸模組1400B,例如,以群集配置的方式,而不需要每一個其它模組或反應室以從單點處輻射向外的方式被耦合。如圖20C的範例中,一或更多條導管會在搬運器1410B的賽車軌道狀運動範圍外面的一區域中被放置在傳輸模組1400B的多個部分之中。舉例來說,此些位置能夠被用來提供回流導管將一氣體(舉例來說,氮氣)從該傳輸模組1400B的一下方部分處朝上帶至位於如其它範例中所示之FFU陣列上方的氣填空間。
圖20C或22B中所示的搬運器的一末端效應器會包含一均勻的基板支撐系統(雷同於本文中其它地方所述的夾頭與末端效應器配置的各種範例),例如,用以幫助形成一沒有水波紋的有機膠封層。
各種註解與範例
範例1會包含或使用本發明主要內容(例如,用於實施動作的設備、方法、構件;或是包含指令的裝置可讀取媒體,該些指令被該裝置實施時能夠讓該裝置實施動作),例如,其會包含或使用一種用於在基板上提供塗層的塗佈系統,該系統包括:一封閉式印刷系統,其被配置成用以沉積一經圖樣化的有機層在一基板上,該經圖樣化的有機層會塗佈被製 作在該基板上的一發光裝置的至少一部分;一封閉式固化模組,其包含一紫外線處置區域,該區域被配置成用以容納一基板並且被配置成用以對該經圖樣化的有機層提供紫外線處置;以及一封閉式基板傳輸模組,其被配置成用以從不同於該封閉式印刷系統或該封閉式固化模組中一或更多者之環境的大氣環境中接收該基板。於範例1中,該經圖樣化的有機層會在該基板的一第一側佔據該基板的一沉積區域;以及該封閉式固化模組會被配置成用以利用一氣體緩衝墊在該紫外線處置區域中均勻地支撐該基板,該氣體緩衝墊被提供於和該第一側反向的該基板的第二側,該氣體緩衝墊被建立在該基板與一夾頭之間。
範例2會包含或者會視情況結合範例1的主要內容,以便視情況包含一位在該基板的該第一側的沉積區域,其重疊該基板中包括該發光裝置的主動區域,且其中,該氣體緩衝墊被提供於和該主動區域反向的該基板的第二側。
範例3會包含或者會視情況結合範例2的主要內容,以便視情況包含一夾頭,其被配置成用以利用與和該第一側反向的該基板的第二側的實體接觸來支撐該基板,其中,該實體接觸係在一對應於該主動區域外面的某個區域的區域之中。
範例4會包含或者會視情況結合範例1至3的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一夾頭,其包括一多孔陶瓷材料,且其中,該氣體緩衝墊係藉由強制氣體通過該多孔陶瓷材料所建立,用以支撐位於該多孔陶瓷材料上方的該基板的第二側。
範例5會包含或者會視情況結合範例1至4的其中一者或任 何組合的主要內容,以便視情況包含一利用高壓氣體所建立的氣體緩衝墊。
範例6會包含或者會視情況結合範例1至5的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一利用一高壓氣體區域與至少一部分真空區域之組合所建立的氣體緩衝墊。
範例7會包含或者會視情況結合範例6的主要內容,以便視情況包含高壓氣體或排空氣體的至少其中一者,其被用來建立會被取回並且再循環的氣體緩衝墊。
範例8會包含或者會視情況結合範例1至7的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一經圖樣化的有機層,其包括一膠封結構的至少一部分,該基板包括一玻璃薄板與多個發光裝置,該膠封結構係被建立用以密封該些發光裝置的至少一部分,避免曝露於抵頂該玻璃薄板的周遭空氣,該封閉式固化模組被配置成用以:(1)在散佈該經圖樣化有機層的持續時間長度中固持該基板為靜止,用以覆蓋該些發光裝置,以及(2)提供紫外線處置,而不需要在固持作業與紫外線處置作業之間進一步移動該基板。
範例9會包含或者會視情況結合範例1至8的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含該固化模組的一紫外線處置區域,其包括一龍門安置紫外線(UV)光源,該龍門被配置成用以在固化期間相對於該基板來輸送該UV光源。
範例10會包含或者會視情況結合範例1至9的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一封閉式印刷系統與該封閉式固化模組,其被配置成用以提供受控處理環境於大氣壓力處或附近並且被建立 成用以維持在微粒污染位準、水蒸氣含量、以及氧含量的指定極限以下。
範例11會包含或者會視情況結合範例1至10的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含:一沉積區域,其包含一長度維度與一寬度維度;以及一紫外線處置區域,其包括一包含一UV發射器陣列的紫外線(UV)光源,該陣列在至少其中一個維度中的跨距大於該長度維度或該寬度維度中的至少其中一個維度。
範例12會包含或者會視情況結合範例11的主要內容,以便視情況包含一延伸在兩個維度中的UV發射器陣列。
範例13會包含或者會視情況結合範例11的主要內容,以便視情況包含一包括一發光二極體陣列的UV發射器陣列。
範例14會包含或者會視情況結合範例1至13的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一紫外線處置區域,其包括一紫外線(UV)光源與一擴散器,該擴散器被配置成用以跨越利用該UV光源來處置的沉積區域的面積而正規化該UV光源的強度。
範例15會包含或者會視情況結合範例1至14的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一封閉式固化模組,其被配置成用以控制該基板的溫度,俾使得維持跨越該沉積區域的指定溫度均勻性。
範例16會包含或者會視情況結合範例1至15的其中一者或任何組合的主要內容,以便包含本發明主要內容(例如,用於實施動作的設備、方法、構件;或是包含指令的機器可讀取媒體,該些指令被該機器實施時能夠讓該機器實施動作),例如,其會包含提供一塗層,其包括:將一基板從一無機薄膜膠封系統處傳輸至一有機薄膜膠封系統的傳輸模組;將 該基板傳輸至一封閉式印刷系統,該封閉式印刷系統被配置成用以沉積一經圖樣化有機層在該基板的第一側中的一沉積區域之中,該經圖樣化有機層會塗佈被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分;利用一第一氣體緩衝墊在該封閉式印刷系統中均勻地支撐該基板,該第一氣體緩衝墊被提供於和該沉積區域反向的該基板的第二側;利用該封閉式印刷系統印刷單體於該基板的該沉積區域上方;將該基板從該封閉式印刷系統處傳輸至該傳輸模組;將該基板從該傳輸模組處傳輸至一封閉式固化模組;利用一第二氣體緩衝墊在該封閉式固化模組中均勻地支撐該基板,該第二氣體緩衝墊被提供於和該第一側反向的該基板的第二側;以及在該封閉式固化模組中處置該單體膜層,以便在該沉積區域中提供一沒有水波紋的聚合化有機層。
範例17會包含或者會視情況結合範例16的主要內容,以便視情況包含一位在該基板的該第一側的沉積區域,其重疊該基板中包括該發光裝置的主動區域,且其中,該第一氣體緩衝墊或第二氣體緩衝墊的至少其中一者被提供於和該主動區域反向的該基板的第二側。
範例18會包含或者會視情況結合範例17的主要內容,以便視情況包含在該封閉式印刷系統中支撐該基板或是在該封閉式固化模組中支撐該基板的至少其中一者,其包含利用與和該第一側反向的該基板的第二側的實體接觸,其中,該實體接觸係在一對應於該主動區域外面的某個區域的區域之中。
範例19會包含或者會視情況結合範例16至18的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含處置該單體層,其包含提供紫外 線處置。
範例20會包含或者會視情況結合範例19的主要內容,以便視情況包含在沉積該單體層之後並且在紫外線處置之前於該封閉式固化模組中固持該基板一段指定的持續時間長度。
範例21會包含或者會視情況結合範例16至20的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含將該基板從該無機薄膜膠封系統處傳輸至該有機薄膜沉積系統的傳輸模組,其包含從不同於該印刷系統或該固化模組中一或更多者之環境的大氣環境中接收該基板。
範例22會包含或者會視情況結合範例16至21的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含該第一氣體緩衝墊或第二氣體緩衝墊的至少其中一者,其係利用一多孔陶瓷材料藉由強制氣體通過該多孔陶瓷材料所建立,用以支撐位於該多孔陶瓷材料上方的該基板的第二側。
範例23會包含或者會視情況結合範例16至22的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含利用高壓氣體來建立該第一氣體緩衝墊或第二氣體緩衝墊的至少其中一者。
範例24會包含或者會視情況結合範例16至22的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含利用一高壓氣體區域與至少一部分真空區域之組合來建立該第一氣體緩衝墊或第二氣體緩衝墊的至少其中一者。
範例25會包含或者會視情況結合範例16至24的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含該封閉式印刷系統與該封閉式固化模組,用以提供受控處理環境於大氣壓力處或附近並且被建立成用以維 持在微粒污染位準、水蒸氣含量、以及氧含量的指定極限以下。
範例26會包含或者會視情況結合範例1至25的其中一者或任何組合的主要內容,以便包含本發明主要內容(例如,用於實施動作的設備、方法、構件;或是包含指令的機器可讀取媒體,該些指令被該機器實施時能夠讓該機器實施動作),例如,其會包含一種用於在基板上提供塗層的塗佈系統,該系統包括:一封閉式印刷系統,其被配置成用以沉積一經圖樣化的有機層在一基板上,該經圖樣化的有機層會塗佈正在被製作在該基板上的一發光裝置的至少一部分,該封閉式第一印刷系統被配置成用以提供一第一處理環境;一封閉式固化模組,其包含一由多個紫外線處置區域組成的堆疊配置,該些紫外線處置區域彼此偏移並且每一個紫外線處置區域被配置成用以容納一基板,該封閉式固化模組被配置成用以提供一第二處理環境;以及一封閉式基板傳輸模組,其包括一反應室,該反應室被配置成用以從不同於該封閉式印刷系統或該封閉式固化模組中一或更多者之環境的大氣環境中接收該基板。於範例26中,該些第一處理環境與第二處理環境包括位在或接近大氣壓力的受控環境並且被建立成用以維持在微粒污染位準極限、水蒸氣含量極限、以及氧含量極限的指定極限以下。
範例27會包含或者會視情況結合範例26的主要內容,以便視情況包含被配置成用以固持該基板一段指定持續時間長度的該些紫外線處置區域中的個別紫外線處置區域。
範例28會包含或者會視情況結合範例26或27的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含被配置成用以在沉積該經圖樣化有機層之後並且在紫外線處置之前固持該基板一段指定的持續時間長度的 該些紫外線處置區域中的個別紫外線處置區域。
範例29會包含或者會視情況結合範例26至28的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一封閉式固持模組,其被配置成用以提供一第三處理環境,該第三處理環境包括位在或接近大氣壓力的受控環境並且被建立成用以維持在微粒污染位準極限、水蒸氣含量極限、以及氧含量極限的指定極限以下,該封閉式固持模組被配置成用以在該基板從該印刷系統或是從其它地方的一或更多者處被傳輸至該封閉式固持模組的時候固持該基板。
範例30會包含或者會視情況結合範例26至29的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一被配向成面朝上配置的基板,以便沉積該經圖樣化有機層在該基板的面朝上表面上。
範例31會包含或者會視情況結合範例26至30的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一不同於包括真空的該印刷系統或該固化模組中一或更多者之環境的大氣環境。
範例32會包含或者會視情況結合範例26至31的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一基板裝載模組,其被配置成用以將該基板運送至大氣壓力以上的環境並且用以提供該基板給該傳輸模組。
範例33會包含或者會視情況結合範例26至32的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一印刷系統,其包括一噴墨印刷系統。
範例34會包含或者會視情況結合範例26至33的其中一者 或任何組合的主要內容,以便視情況包含第一處理環境與第二處理環境,其包含被指定為與被沉積在該基板上的物種有最小反應或沒有任何反應的非反應氣體。
範例35會包含或者會視情況結合範例26至34的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含第一處理環境與第二處理環境,其包括在大氣壓力以上的氮氣。
範例36會包含或者會視情況結合範例26至35的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含第一處理環境與第二處理環境,其被建立成用以維持少於百萬分之100個氧以及少於百萬分之100個水蒸氣的環境。
範例37會包含或者會視情況結合範例26至36的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含一至少部分利用多個風扇過濾單元來控制的微粒污染位準,該多個風扇過濾單元位於該基板所橫越的一路徑中或附近。
範例38會包含或者會視情況結合範例26至37的其中一者或任何組合的主要內容,以便視情況包含實質上相同的第一處理環境與第二處理環境。
本文中所述的每一個非限制性範例能夠各自獨立,或者,能夠以各種排列方式來結合或者結合其它範例中的一或更多者。
上面的詳細說明包含參考形成詳細說明之一部分的隨附圖式。該些圖式透過圖例來顯示能夠實行本發明的實施例。此些實施例在本文中亦稱為「範例」。此些範例還會包含本文中已示或已述以外的元件。然 而,本案發明人亦設計其中僅提供本文中已示或已述元件的範例。又,本案發明人亦設計利用本文中已示或已述元件(或是其一或更多項觀點)之任何組合或排列的範例,其係關於一特殊的範例(或是其一或更多項觀點),或是關於本文中已示或已述的其它範例(或是其一或更多項觀點)。倘若本文件以及以引用的方式併入的任何文件之間有不一致的用法的話,以本文件中的用法為主。
如專利文件中所常見,本文件中使用「一」一詞來包含一或一個以上,和「至少其中一」或「一或更多個」的任何其它實例或用法無關。本文件中使用「或」一詞來表示非排斥性,或者,除非另外表示,否則「A或B」包含「係A非B」、「係B非A」、以及「A與B」。本文件中使用「包含(including)」以及「在…之中(in which)」等用詞作為「包括(comprising)」以及「其中(wherein)」等個別用詞的普通英語等效用詞。另外,在下面的申請專利範圍中,「包含」以及「包括」等用詞為開放式,也就是,包含某一專利項中此用詞後面所列以外元件的系統、裝置、物品、成分、公式、或是製程仍被視為落在該專利項的範疇裡面。又,在下面的申請專利範圍中,「第一」、「第二」、以及「第三」、…等僅係作為標記,而沒有對它們的目標物加諸數值要求的用意。
本文中所述的方法範例至少部分能夠為機器式施行或者電腦式施行。某些範例會包含一由指令來編碼的電腦可讀取媒體或是機器可讀取媒體,該些指令可操作用以配置一電子裝置來實施如上面範例中所述的方法。此些方法的一施行方式會包含程式碼(code),例如,微程式碼、組合語言程式碼、高階語言程式碼、或是類似物。此程式碼會包含用以實施 各種方法的電腦可讀取指令。該程式碼可以形成電腦程式產品的一部分。進一步言之,於一範例中,該程式碼能夠被有形地儲存在一或更多個揮發性、非暫時性、或是非揮發性的有形電腦可讀取媒體中,例如,在執行或是其它時間期間。此些有形電腦可讀取媒體的範例會包含,但是並不限制於,硬碟、抽取式磁碟、抽取式光碟(舉例來說,小型碟片與數位視訊碟片)、卡式磁帶、記憶卡或記憶棒、隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)、唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)、以及類似物。
上面說明的用意僅為解釋性,而沒有限制意義。舉例來說,上面所述的範例(或是其一或更多項觀點)可以彼此結合使用。熟習本技術的人士瀏覽上面說明時亦能夠使用其它實施例。本發明遵照37 C.F.R.§1.72(b)來提供【發明內容】,以便讓讀者快速確認技術性揭示內容的本質。應該瞭解的係,【發明內容】之提出並非用來詮釋或限制申請專利範圍的範疇或意義。另外,在上面的【實施方式】中,為達簡化揭示之目的,不同的特點可能會被聚集在一起。此種方法不應被詮釋為未主張的已揭特點為任何專利項的必要特點。確切地說,本發明的主要內容可能少於一特殊已揭實施例的所有特點。因此,下面的申請專利範圍會以引用的方式被併入【實施方式】之中成為範例或實施例,每一個專利申請項各自代表一分開的實施例,並且此些實施例能夠以各種組合或排列方式來相互組合。本發明的範疇應該參考隨附的申請專利範圍以及此些申請專利範圍之等效範圍的完整範疇來決定。

Claims (19)

  1. 一種用於在基板上提供塗層的塗佈系統,該塗佈系統包括:噴墨印刷系統,其被配置成用以沉積有機材料在該基板上;以及固化模組,其包含光學固化區域組成的堆疊配置,其中,該光學固化區域彼此偏移並且該光學固化區域中的每一個經尺寸設計以接收該基板來固化該有機材料,以形成有機層在該基板上所製作的發光裝置的至少一部分上方;其中,該噴墨印刷系統和該固化模組中的每一者被放置在圍體以提供位在或接近大氣壓力的受控處理環境。
  2. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,在該基板被接收在該光學固化區域的任一個中時,該固化模組被配置成用以固持該基板一段指定持續時間長度。
  3. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該固化模組被配置成用以在沉積該有機材料之後且在光學固化該有機材料以形成該有機層之前固持該基板一段指定持續時間長度。
  4. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該受控處理環境包括受控氣體環境,該受控氣體環境與被沉積在該基板上的該有機材料沒有反應。
  5. 根據申請專利範圍第4項的塗佈系統,其中,該受控氣體環境包括氮。
  6. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該受控處理環境將反應物種保持在指定極限處或在指定極限以下。
  7. 根據申請專利範圍第6項的塗佈系統,其中,該反應物種包括臭氧、氧氣、水蒸氣和有機溶劑蒸氣中的至少一者。
  8. 根據申請專利範圍第7項的塗佈系統,其中,該指定極限是100ppm。
  9. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該受控處理環境包括被保持在指定極限處或在指定極限以下的微粒污染。
  10. 根據申請專利範圍第9項的塗佈系統,其中,該微粒污染的指定極限與針對直徑大於或等於2微米的顆粒而言的10級規範(Class 10 specification)相比更好。
  11. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,進一步包括基板傳輸模組,其包括反應室,該反應室被配置成用以從與該噴墨印刷系統和該固化模組組成的該受控處理環境不同的大氣環境接收該基板。
  12. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該噴墨印刷系統進一步包括基板支撐設備以在該基板和該基板支撐設備之間建立高壓氣體緩衝墊。
  13. 根據申請專利範圍第12項的塗佈系統,其中,該基板支撐設備包括多孔陶瓷材料。
  14. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該固化模組進一步包括基板支撐設備以在該基板和該基板支撐設備之間建立高壓氣體緩衝墊。
  15. 根據申請專利範圍第14項的塗佈系統,其中,該基板支撐設備包括多孔陶瓷材料。
  16. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該噴墨印刷系統被進一步配置以沉積該有機材料以在該基板上以一圖案形成該有機層。
  17. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,進一步包括氣體再循環系統,其包括高壓氣體迴路,該高壓氣體迴路可操作地耦合以將高壓氣體供應至該噴墨印刷系統和該固化模組中的至少一個的氣動部件。
  18. 根據申請專利範圍第17項的塗佈系統,其中,該高壓氣體迴路包括該壓力受控旁通迴路,該壓力受控旁通迴路被配置以補償被供應至該氣動部件的變動的該高壓氣體的需求,以將該受控處理環境保持在大氣壓力或接近大氣壓力。
  19. 根據申請專利範圍第1項的塗佈系統,其中,該固化模組進一步包括紫外光能量源,用以發射紫外光來固化被沉積在位於該光學固化區域的一者中的該基板上的該有機材料。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10468279B2 (en) 2013-12-26 2019-11-05 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
EP3624175B1 (en) 2014-01-21 2021-12-22 Kateeva, Inc. Method for electronic device encapsulation
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
KR102390045B1 (ko) 2014-04-30 2022-04-22 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
KR20200008041A (ko) * 2014-11-26 2020-01-22 카티바, 인크. 환경적으로 제어되는 코팅 시스템
EP3328650A4 (en) * 2015-07-31 2019-03-27 Kateeva, Inc. INK DISPENSING SYSTEMS AND METHODS
US10180248B2 (en) 2015-09-02 2019-01-15 ProPhotonix Limited LED lamp with sensing capabilities
CN107331230A (zh) * 2016-10-28 2017-11-07 湖南机电职业技术学院 一种面向金属片状工艺品加工的智能制造产学研平台
EP3361316A1 (de) 2017-02-14 2018-08-15 VAT Holding AG Pneumatische stifthubvorrichtung und pneumatischer hubzylinder
CN109817841B (zh) * 2017-12-04 2020-11-03 苏州迈创信息技术有限公司 一种用于输送oled面板的制造设备
KR102059127B1 (ko) * 2018-03-02 2019-12-24 주식회사 아이엔티코리아 공정챔버의 압력 관리장치
CN108465621B (zh) * 2018-04-28 2019-07-30 江苏灵氟隆环境工程有限公司 一种滤袋针眼涂胶装置及其涂胶方法
CN111483235A (zh) * 2019-06-21 2020-08-04 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件的喷墨印刷方法和喷墨印刷装置
CN117983435A (zh) * 2020-01-21 2024-05-07 株式会社 尼康 成膜装置、成膜方法、导电膜的制造装置和制造方法
JP7106607B2 (ja) * 2020-08-06 2022-07-26 芝浦メカトロニクス株式会社 有機膜形成装置
CN111967108A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 广西玉柴机器股份有限公司 一种发动机模块化油底壳设计方法及系统
CN112151418B (zh) * 2020-09-11 2024-04-05 安徽龙芯微科技有限公司 一种硅基转接板的封装机构及其封装方法
US20220143657A1 (en) * 2020-11-06 2022-05-12 Jelight Company, Inc. Ultraviolet specimen cleaning apparatus
CN113347834B (zh) * 2021-06-17 2023-06-20 广州国显科技有限公司 亮度补偿装置及亮度补偿设备

Family Cites Families (394)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3251139A (en) 1965-03-10 1966-05-17 Us Dynamics Mfg Corp Dynamic insulating systems
US3632374A (en) 1968-06-03 1972-01-04 Eastman Kodak Co Method of making photographic elements
US4003786A (en) 1975-09-16 1977-01-18 Exxon Research And Engineering Company Thermal energy storage and utilization system
US4226897A (en) 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
JPS57135184A (en) 1981-02-17 1982-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Printer
US4409889A (en) 1981-11-02 1983-10-18 Burleson Maurice L Modular clean room
NL8203318A (nl) 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
US5202659A (en) 1984-04-16 1993-04-13 Dataproducts, Corporation Method and apparatus for selective multi-resonant operation of an ink jet controlling dot size
JPS6144034A (ja) 1984-08-07 1986-03-03 Omron Tateisi Electronics Co 車両のスイツチ制御装置
JPS6172947A (ja) 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4721121A (en) 1984-11-16 1988-01-26 Adams Charles R Combination pressing comb dryer and blow dryer
JPH037588Y2 (zh) 1985-12-13 1991-02-25
US4676144A (en) 1985-12-30 1987-06-30 Smithkline Beckman Corporation Clean room system
US4751531A (en) 1986-03-27 1988-06-14 Fuji Xerox Co., Ltd. Thermal-electrostatic ink jet recording apparatus
JPH0790665B2 (ja) 1986-08-27 1995-10-04 株式会社日立製作所 熱転写方法及びこれに用いる熱転写用インクシート
DE3715533C2 (de) 1987-05-09 1997-07-17 Krieger Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Schwebendführen von Materialbahnen
US5041161A (en) 1988-02-24 1991-08-20 Dataproducts Corporation Semi-solid ink jet and method of using same
US5065169A (en) 1988-03-21 1991-11-12 Hewlett-Packard Company Device to assure paper flatness and pen-to-paper spacing during printing
US5141918A (en) 1988-04-22 1992-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate
JP2575205B2 (ja) 1989-01-13 1997-01-22 キヤノン株式会社 インクタンク
DE3901042A1 (de) 1989-01-14 1990-07-26 Nukem Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2836749B2 (ja) 1989-05-09 1998-12-14 株式会社リコー 液体噴射記録ヘッド
US5029518A (en) 1989-10-16 1991-07-09 Clean Air Technology, Inc. Modular clean room structure
KR960007979B1 (ko) 1991-04-17 1996-06-17 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 클리인공간시스템
JP2943427B2 (ja) 1991-08-16 1999-08-30 富士電機株式会社 モータの可逆運転装置
JPH05218176A (ja) 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5314377A (en) 1992-10-05 1994-05-24 Airo Clean Inc. Clean air isolation enclosure
US6189989B1 (en) 1993-04-12 2001-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Embroidering using ink jet printing apparatus
US5896154A (en) 1993-04-16 1999-04-20 Hitachi Koki Co., Ltd. Ink jet printer
DK85093D0 (da) 1993-07-16 1993-07-16 Landsforeningen Til Kraeftens Method and apparatus for performing operations
US5344365A (en) * 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
US5405710A (en) 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5623292A (en) 1993-12-17 1997-04-22 Videojet Systems International, Inc. Temperature controller for ink jet printing
US5633133A (en) 1994-07-14 1997-05-27 Long; David M. Ligation with hammerhead ribozymes
US5801721A (en) 1994-09-09 1998-09-01 Signtech U.S.A. Ltd. Apparatus for producing an image on a first side of a substrate and a mirror image on a second side of the substrate
US5574485A (en) 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
JPH08118641A (ja) 1994-10-20 1996-05-14 Canon Inc インクジェットヘッド、インクジェットヘッドカートリッジ、インクジェット装置およびインクが再注入されたインクジェットヘッドカートリッジ用インク容器
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP3575103B2 (ja) 1995-02-17 2004-10-13 ソニー株式会社 記録方法
US5651625A (en) 1995-04-10 1997-07-29 Security Operating Systems, Inc. Printer enclosure and controller unit
US6086196A (en) 1995-04-14 2000-07-11 Sony Corporation Printing device
KR100310249B1 (ko) 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US6586763B2 (en) 1996-06-25 2003-07-01 Northwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP3460500B2 (ja) 1997-03-14 2003-10-27 株式会社荏原製作所 気体の清浄装置とそれを用いた密閉空間の清浄方法及び密閉空間
US5956051A (en) 1997-05-29 1999-09-21 Pitney Bowes Inc. Disabling a mailing machine when a print head is not installed
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US6095630A (en) 1997-07-02 2000-08-01 Sony Corporation Ink-jet printer and drive method of recording head for ink-jet printer
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US20030166104A1 (en) 1997-09-18 2003-09-04 Genentech, Inc. Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
KR100232852B1 (ko) 1997-10-15 1999-12-01 윤종용 잉크젯 프린터 헤드 및 이의 제조방법
US6086679A (en) 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
US6453810B1 (en) 1997-11-07 2002-09-24 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for dispensing material in a printer
US5947022A (en) 1997-11-07 1999-09-07 Speedline Technologies, Inc. Apparatus for dispensing material in a printer
US6065825A (en) 1997-11-13 2000-05-23 Eastman Kodak Company Printer having mechanically-assisted ink droplet separation and method of using same
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6326224B1 (en) 1998-04-27 2001-12-04 Motorola, Inc. Method of purifying a primary color generated by an OED
US6089282A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Aeronex, Inc. Method for recovery and reuse of gas
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6086195A (en) 1998-09-24 2000-07-11 Hewlett-Packard Company Filter for an inkjet printhead
GB9822963D0 (en) 1998-10-20 1998-12-16 Agner Erik Improvements in or relating to chromatography
TW442891B (en) 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
US6250747B1 (en) 1999-01-28 2001-06-26 Hewlett-Packard Company Print cartridge with improved back-pressure regulation
JP2000223548A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Toshiba Corp 表示装置の製造装置
US6228171B1 (en) 1999-01-29 2001-05-08 Tokyo Electron Ltd. Heat processing apparatus
IES20000264A2 (en) * 1999-04-07 2000-11-15 Mv Res Ltd A system and method for the inspection of dielectric materials
US6203151B1 (en) 1999-06-08 2001-03-20 Hewlett-Packard Company Apparatus and method using ultrasonic energy to fix ink to print media
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6444400B1 (en) 1999-08-23 2002-09-03 Agfa-Gevaert Method of making an electroconductive pattern on a support
JP2001107272A (ja) 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
US6312083B1 (en) 1999-12-20 2001-11-06 Xerox Corporation Printhead assembly with ink monitoring system
US6276782B1 (en) 2000-01-11 2001-08-21 Eastman Kodak Company Assisted drop-on-demand inkjet printer
US6375304B1 (en) 2000-02-17 2002-04-23 Lexmark International, Inc. Maintenance mist control
JP2004502923A (ja) 2000-02-22 2004-01-29 ジェノスペクトラ,インコーポレイティド マイクロアレイの製造方法と製造装置
JP2001298068A (ja) 2000-04-18 2001-10-26 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 局所清浄化法及び局所清浄化加工処理装置
JP2001326162A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Canon Inc 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
US6604810B1 (en) 2000-05-23 2003-08-12 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead capping arrangement
US6663219B2 (en) 2000-06-01 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Inkjet recording apparatus
KR100408269B1 (ko) 2000-07-20 2003-12-01 삼성전자주식회사 잉크제트 프린트헤드
US6755519B2 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Creo Inc. Method for imaging with UV curable inks
JP2002069650A (ja) 2000-08-31 2002-03-08 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置並びに半導体装置の製造方法及び装置
JP2002093878A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US6781684B1 (en) 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
US6601936B2 (en) 2000-11-14 2003-08-05 Cypress Semiconductor Corp. Real time adaptive inkjet temperature regulation controller
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
DE10061628B4 (de) 2000-12-11 2006-06-08 Leica Microsystems Wetzlar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ergreifen und Transportieren von Wafern
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
ATE402017T1 (de) 2001-02-09 2008-08-15 Seiko Epson Corp Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung, steuerungs- und tintennachfüllsverfahren in der vorrichtung ausgeführt, tintenversorgungssystem in der vorrichtung, und verwaltungsverfahren der von dem system versorgt tintenmenge
US6629756B2 (en) 2001-02-20 2003-10-07 Lexmark International, Inc. Ink jet printheads and methods therefor
US6688798B2 (en) 2001-02-27 2004-02-10 Incumed, Inc. Adjustable locking mount and methods of use
KR100746828B1 (ko) * 2001-05-15 2007-08-07 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 소자의 봉지장치 및 방법
US6472962B1 (en) 2001-05-17 2002-10-29 Institute Of Microelectronics Inductor-capacitor resonant RF switch
JP2003007800A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003017543A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
US6824262B2 (en) 2001-08-10 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Ink set and ink jet recording method
US6878636B2 (en) 2001-08-27 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Method for enhancing substrate processing
US7404862B2 (en) 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
WO2003025245A1 (en) 2001-09-14 2003-03-27 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US6644149B2 (en) 2001-09-17 2003-11-11 Newfrey Llc Extraction tool for tanged helically coiled inserts with improved removability
JP2003088798A (ja) * 2001-09-19 2003-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベーク装置及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US6733734B2 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Matheson Tri-Gas Materials and methods for the purification of hydride gases
US6460972B1 (en) 2001-11-06 2002-10-08 Eastman Kodak Company Thermal actuator drop-on-demand apparatus and method for high frequency
JP3868280B2 (ja) 2001-12-04 2007-01-17 株式会社美和製作所 有機電界発光素子の製造装置
US6939212B1 (en) 2001-12-21 2005-09-06 Lam Research Corporation Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
JP2003257654A (ja) * 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
TWI222423B (en) 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
JP4066661B2 (ja) 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造装置および液滴吐出装置
US6582875B1 (en) 2002-01-23 2003-06-24 Eastman Kodak Company Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP3979113B2 (ja) 2002-02-12 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7081912B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-25 Seiko Epson Corporation Optical writing head such as organic EL array exposure head, method of manufacturing the same, and image forming apparatus using the same
JP2003270417A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Fuji Xerox Co Ltd 屈折率周期構造体およびその製造方法
JP3925257B2 (ja) 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP3979135B2 (ja) 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置
US7133905B2 (en) 2002-04-09 2006-11-07 Akamai Technologies, Inc. Method and system for tiered distribution in a content delivery network
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP4543617B2 (ja) 2002-04-22 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置
US7427329B2 (en) * 2002-05-08 2008-09-23 Asm International N.V. Temperature control for single substrate semiconductor processing reactor
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
DE10224128A1 (de) 2002-05-29 2003-12-18 Schmid Rhyner Ag Adliswil Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen
JP4354675B2 (ja) 2002-06-04 2009-10-28 ローツェ株式会社 薄板状電子部品クリーン移載装置および薄板状電子製品製造システム
CN100375925C (zh) 2002-06-10 2008-03-19 精工爱普生株式会社 调色剂的制造方法、调色剂及调色剂制造装置
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6705608B2 (en) 2002-07-01 2004-03-16 Heidelberger Druckmaschinen Ag Sheet material conveying apparatus with adjustable top grippers for pockets
US7008209B2 (en) 2002-07-03 2006-03-07 Therics, Llc Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US20040009304A1 (en) 2002-07-09 2004-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ogh Process and tool with energy source for fabrication of organic electronic devices
US6811896B2 (en) 2002-07-29 2004-11-02 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with thick (100 to 250 nanometers) porphyrin buffer layer
JP3690380B2 (ja) 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4008387B2 (ja) 2002-08-02 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
US7086917B2 (en) 2002-08-12 2006-08-08 National Research Council Of Canada Photoresist mask/smoothing layer ensuring the field homogeneity and better step-coverage in OLED displays
US20060008491A1 (en) 2002-09-03 2006-01-12 Leach David N Eremophilone and eremophilone derivatives for pest control
US20040050325A1 (en) 2002-09-12 2004-03-18 Samoilov Arkadii V. Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system
JP4440523B2 (ja) 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機el表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
JP2004146369A (ja) 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
US6911671B2 (en) 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
GB0222360D0 (en) 2002-09-26 2002-11-06 Printable Field Emitters Ltd Creating layers in thin-film structures
TW555652B (en) 2002-10-25 2003-10-01 Ritdisplay Corp Ink jet printing device and method
US6666548B1 (en) 2002-11-04 2003-12-23 Eastman Kodak Company Method and apparatus for continuous marking
JP4313026B2 (ja) 2002-11-08 2009-08-12 株式会社ヒラノテクシード 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機elパネルの製造装置及び製造方法
WO2004045252A1 (ja) * 2002-11-11 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置の作製方法
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US6896346B2 (en) 2002-12-26 2005-05-24 Eastman Kodak Company Thermo-mechanical actuator drop-on-demand apparatus and method with multiple drop volumes
US6861800B2 (en) 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP2004247111A (ja) 2003-02-12 2004-09-02 Seiko Epson Corp 長尺体配設構造、液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
KR100505061B1 (ko) 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
JP2004253332A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toshiba Corp 塗布用基板、インク塗布システム及びその塗布方法並びにそれを用いたデバイス製造装置
JP2004291456A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置用チューブ、液滴吐出装置
JP4294360B2 (ja) 2003-04-11 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 ニス塗布方法、ニス塗布装置および印刷機
US20040206307A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4407164B2 (ja) 2003-06-03 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置およびこれを備えたワーク処理設備
JP3544543B2 (ja) * 2003-08-04 2004-07-21 株式会社リコー 液状樹脂噴射装置及び樹脂構造物
US7077019B2 (en) 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US6917159B2 (en) 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP2005074299A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp ドラフトチャンバ、ヘッド洗浄設備、ヘッド保管設備および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
US20050079278A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Burrows Paul E. Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
KR101035850B1 (ko) * 2003-11-17 2011-05-19 삼성전자주식회사 박막 형성용 프린팅 설비
MXPA06005649A (es) 2003-11-18 2006-08-17 3M Innovative Properties Co Dispositivos electroluminiscentes y metodos para su fabricacion incluyendo un elemento de conversion de color.
US7759127B2 (en) 2003-12-05 2010-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Organic materials able to detect analytes
US7792489B2 (en) * 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP4801346B2 (ja) * 2003-12-26 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI225008B (en) 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
JP2005218899A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Toshiba Corp 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置
CN101189271A (zh) 2004-02-13 2008-05-28 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 制造微流体设备的功能材料和新型方法
KR100590545B1 (ko) 2004-02-27 2006-06-19 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트헤드의 구동 방법
US7061586B2 (en) * 2004-03-02 2006-06-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7410240B2 (en) 2004-03-04 2008-08-12 Fujifilm Corporation Inkjet recording head and inkjet recording apparatus
JP2005254038A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Neomax Co Ltd リニアモータ駆動ステージ及びそれを用いた機能性薄膜用製造装置、並びにz軸リニアモータ
WO2005086588A2 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact thermal platforms
GB2412088B (en) 2004-03-19 2007-09-19 Zipher Ltd Liquid supply system
JP4423082B2 (ja) 2004-03-29 2010-03-03 京セラ株式会社 ガスノズルおよびその製造方法とそれを用いた薄膜形成装置
CN1938447B (zh) 2004-03-29 2010-06-09 大见忠弘 成膜装置及成膜方法
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
JP4767251B2 (ja) * 2004-04-14 2011-09-07 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法
US7354845B2 (en) 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
US7247394B2 (en) 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
JP2006002972A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd クリーンルーム、局所クリーン化システム、その使用方法及びクリーンルームセキュリティシステム
TWI250559B (en) 2004-07-09 2006-03-01 Innolux Display Corp Coating apparatus and coating method using the same
JP4805555B2 (ja) 2004-07-12 2011-11-02 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
KR100659057B1 (ko) 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
US7431435B2 (en) 2004-08-06 2008-10-07 Matthew Grant Lopez Systems and methods for varying dye concentrations
JP4802467B2 (ja) 2004-09-09 2011-10-26 ブラザー工業株式会社 インクジェットプリンタ
JP2006085933A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
KR100718555B1 (ko) * 2004-10-11 2007-05-15 두산디앤디 주식회사 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치
JP2006120382A (ja) 2004-10-20 2006-05-11 Seiko Epson Corp 有機el装置の製造装置及び方法、並びに電気光学装置及び電子機器
US7374984B2 (en) 2004-10-29 2008-05-20 Randy Hoffman Method of forming a thin film component
KR100668309B1 (ko) 2004-10-29 2007-01-12 삼성전자주식회사 노즐 플레이트의 제조 방법
US7657368B2 (en) 2004-11-08 2010-02-02 General Motors Company System and method for large route data handling within a telematics communication system
WO2006052919A1 (en) 2004-11-08 2006-05-18 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
KR20060044265A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US20080308037A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for thermal jet printing
JP4459037B2 (ja) 2004-12-01 2010-04-28 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド
US7288469B2 (en) 2004-12-03 2007-10-30 Eastman Kodak Company Methods and apparatuses for forming an article
JP4691975B2 (ja) 2004-12-08 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 ワークギャップ調整方法、ワークギャップ調整装置、液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
CN101095084A (zh) 2004-12-14 2007-12-26 拉多韦有限公司 形成用于光刻转印的准直uv光线的方法和设备
KR100629599B1 (ko) * 2004-12-17 2006-09-27 엘지전자 주식회사 실링제 경화 장치
US7883832B2 (en) 2005-01-04 2011-02-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for direct referencing of top surface of workpiece during imprint lithography
KR100685806B1 (ko) 2005-01-17 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
JP4413789B2 (ja) 2005-01-24 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および塗布処理装置
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7406761B2 (en) 2005-03-21 2008-08-05 Honeywell International Inc. Method of manufacturing vibrating micromechanical structures
DE202005005902U1 (de) 2005-04-07 2005-06-16 M + W Zander Facility Engineering Gmbh Gerät zur Handhabung und/oder Behandlung von Erzeugnissen
JP4642533B2 (ja) 2005-04-08 2011-03-02 キヤノン株式会社 画像形成システムおよび該システムの記録制御方法
US7910166B2 (en) 2005-04-26 2011-03-22 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US8007927B2 (en) 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
US20070021050A1 (en) 2005-06-16 2007-01-25 Kennedy Michael A System for providing and managing a laminar flow of clean air
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US20070026151A1 (en) * 2005-07-13 2007-02-01 Higginson John A Fluid Deposition Cluster Tool
CN101243543A (zh) * 2005-07-13 2008-08-13 富士胶片迪麦提克斯公司 流体沉积组合设备工具
JP2007030464A (ja) 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Holdings Corp 画像形成装置
WO2007016688A1 (en) 2005-08-02 2007-02-08 New Way Machine Components, Inc. A method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner
JP2007050565A (ja) 2005-08-16 2007-03-01 Fujifilm Corp インク供給装置、インクジェット記録装置及びインクカートリッジ
EP1757373B1 (en) 2005-08-24 2012-04-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US20070059459A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Haixin Yang Ink jet printable hydrogel for sensor electrode applications
JP2007076168A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp 液体吐出ヘッド及び画像形成装置
US7857121B2 (en) 2005-09-15 2010-12-28 Coreflow Scientific Solutions Ltd. System and method for enhancing conveying performance of conveyors
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100710482B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-24 두산디앤디 주식회사 Rgb 패턴 형성용 질소 인클루저 및 질소가스 회수방법
US20070098891A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
US7657390B2 (en) 2005-11-02 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Reclaiming substrates having defects and contaminants
US7677690B2 (en) 2005-11-22 2010-03-16 Fujifilm Corporation Liquid ejection apparatus and liquid agitation method
US20070134512A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
KR100916966B1 (ko) * 2005-12-28 2009-09-14 주식회사 에이디피엔지니어링 엘씨디 제조 장치
KR20070079834A (ko) 2006-02-03 2007-08-08 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP4926530B2 (ja) 2006-04-27 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 シール部材、減圧容器、減圧処理装置、減圧容器のシール機構、および減圧容器の製造方法
KR20070106472A (ko) 2006-04-29 2007-11-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 분사 메커니즘을 갖는 파킹 구조물을 사용하여 잉크젯 인쇄헤드를 유지하기 위한 방법 및 장치
TW200803606A (en) 2006-06-13 2008-01-01 Itc Inc Ltd The fabrication of full color OLED panel using micro-cavity structure
KR100790557B1 (ko) 2006-06-23 2008-01-02 세메스 주식회사 선입선출을 하는 버퍼 시스템
JP5144041B2 (ja) * 2006-07-26 2013-02-13 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2008047340A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5148088B2 (ja) 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US7690881B2 (en) 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US7524226B2 (en) 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
KR100739309B1 (ko) 2006-10-13 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
US20080156679A1 (en) * 2006-12-08 2008-07-03 Bonora Anthony C Environmental isolation system for flat panel displays
KR101308750B1 (ko) 2006-12-26 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
WO2009030981A2 (en) 2006-12-28 2009-03-12 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (oled) structures
CN100553013C (zh) * 2006-12-29 2009-10-21 清华大学 一种有机电致发光器件
KR101098859B1 (ko) 2007-02-21 2011-12-26 울박, 인크 표시 장치, 표시 장치용 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20080206036A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US20080259101A1 (en) 2007-03-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing the number of print passes in flat panel display manufacturing
US20080238310A1 (en) 2007-03-30 2008-10-02 Forrest Stephen R OLED with improved light outcoupling
US20090326703A1 (en) 2007-04-30 2009-12-31 Presley Bryan S Integrated miniature microelectronic device factory
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
WO2008142966A1 (ja) 2007-05-16 2008-11-27 Ulvac, Inc. 有機el装置の製造装置
US7612971B2 (en) 2007-06-15 2009-11-03 General Electric Company Micro-electromechanical system based switching in heating-ventilation-air-conditioning systems
US7966743B2 (en) 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP4400656B2 (ja) 2007-08-02 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US9023249B2 (en) 2010-05-06 2015-05-05 Immunolight, Llc Adhesive bonding composition and method of use
US20090056116A1 (en) * 2007-08-07 2009-03-05 Micro Foundry Inc. Integrated miniature device factory
KR100899423B1 (ko) 2007-08-16 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4561795B2 (ja) 2007-08-30 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 吸引装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
US8398770B2 (en) 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
JP2009112889A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Nakan Corp 液状原料塗工装置、液状原料塗工方法、およびそれを用いた基体
KR101404546B1 (ko) 2007-11-05 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4600483B2 (ja) 2008-01-28 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el装置の製造方法
US20090220680A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 Winters Dustin L Oled device with short reduction
JP2009248918A (ja) 2008-04-10 2009-10-29 Autonetworks Technologies Ltd 画像表示装置、画像表示方法及びコンピュータプログラム
EP2283934B1 (en) 2008-04-22 2018-11-28 Vladislav Yurievich Mirchev Method for curing a substance, device for carrying out said method and ink
US20090295857A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Ink jet printing apparatus
KR101005880B1 (ko) 2008-06-04 2011-01-06 세메스 주식회사 컨베이어 타입의 다단 베이크 유닛을 구비하는 기판 처리장치 및 그의 처리 방법
JP5658858B2 (ja) 2008-06-10 2015-01-28 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US20090308860A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Short thermal profile oven useful for screen printing
US8899171B2 (en) * 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8383202B2 (en) * 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US20100018548A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Applied Materials, Inc. Superimposition of rapid periodic and extensive post multiple substrate uv-ozone clean sequences for high throughput and stable substrate to substrate performance
US20090324368A1 (en) 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
WO2010010855A1 (ja) * 2008-07-22 2010-01-28 昭和電工株式会社 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4954162B2 (ja) 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
KR20100026655A (ko) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
JP4720890B2 (ja) 2008-09-26 2011-07-13 ブラザー工業株式会社 液体吐出装置
JP2010134315A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Seiko Epson Corp 液状体吐出装置
KR101052886B1 (ko) * 2008-12-31 2011-07-29 엘아이지에이디피 주식회사 자외선 경화장치
US20120056923A1 (en) 2009-01-05 2012-03-08 Kateeva, Inc. Control systems and methods for thermal-jet printing
US20100188457A1 (en) 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
KR101574147B1 (ko) 2009-01-20 2015-12-04 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 헤드 및 그 잉크 공급 방법
US20100195083A1 (en) 2009-02-03 2010-08-05 Wkk Distribution, Ltd. Automatic substrate transport system
CN102349132B (zh) 2009-03-09 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
JP2010231001A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Toppan Printing Co Ltd パターン形成体の製造方法および製造装置、カラーフィルタの製造方法、インクジェット印刷装置
CN102414863B (zh) 2009-05-01 2015-06-03 卡帝瓦公司 用于有机蒸汽印刷的方法和设备
JP2010267399A (ja) 2009-05-12 2010-11-25 Panasonic Corp 塗布装置
CN201446232U (zh) 2009-07-10 2010-05-05 西北工业大学 一种封闭循环净化惰性气氛控制装置
US8714731B2 (en) 2009-07-31 2014-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet ink and intermediate transfer medium for inkjet printing
JP5421687B2 (ja) * 2009-08-04 2014-02-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板の分断方法および分断用テーブル
AU2010283968B2 (en) 2009-08-21 2013-11-28 Memjet Technology Limited Continuous web printer with short media feed path
GB0914856D0 (en) 2009-08-25 2009-09-30 Ark Therapeutics Ltd Compounds
JP2011065967A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 有機el用加熱乾燥装置
KR101104185B1 (ko) 2009-10-09 2012-01-09 주식회사 프로텍 웨이퍼 후면 코팅 장치
US8967772B2 (en) 2009-10-22 2015-03-03 Memjet Technology Ltd. Inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators
JP2011088101A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置
US20110097494A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism
JP5548426B2 (ja) 2009-10-29 2014-07-16 株式会社日立製作所 インクジェット塗布装置及び方法
KR101995704B1 (ko) 2009-11-20 2019-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101099729B1 (ko) 2009-11-25 2011-12-28 세메스 주식회사 선회류 유닛을 이용한 에어 플로팅 스테이지 장치
US20110293818A1 (en) 2009-11-27 2011-12-01 Kateeva Inc. Method and Apparatus for Depositing A Film Using A Rotating Source
JP5577685B2 (ja) * 2009-12-15 2014-08-27 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明
US20110148985A1 (en) 2009-12-23 2011-06-23 Ulvac, Inc. Parallel motion system for industrial printing
KR101099555B1 (ko) 2010-01-12 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5423706B2 (ja) 2010-03-15 2014-02-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機el照明、及び有機el表示装置
CN102821869B (zh) 2010-03-26 2015-06-24 夏普株式会社 成膜装置和成膜方法
JP2011225355A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム
JP5062339B2 (ja) 2010-05-12 2012-10-31 パナソニック株式会社 インクジェット装置
US9150034B2 (en) 2010-05-17 2015-10-06 Memjet Technology Ltd. Apparatus for assisting printing having proximal wick
UY33403A (es) 2010-06-17 2011-12-30 Novartis Ag Compuestos orgánicos con novedosas isoxazolinas, sus n-óxidos, s-óxidos y sales
US20110318503A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
KR101208262B1 (ko) 2010-06-30 2012-12-04 (주)에이티엘 글래스 검사 장치
WO2012001741A1 (ja) 2010-06-30 2012-01-05 パナソニック株式会社 有機el表示パネルとその製造方法
WO2012003440A2 (en) 2010-07-01 2012-01-05 The Regents Of The University Of Michigan Gas cushion control of ovjp print head position
JP2012024731A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Seiko Epson Corp 紫外線照射装置、液滴吐出装置
KR101137700B1 (ko) 2010-09-01 2012-04-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
JP2012074370A (ja) 2010-09-03 2012-04-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN201812332U (zh) 2010-09-27 2011-04-27 杭州杰马电子有限公司 自助式银行回单打印机
JP5560155B2 (ja) 2010-09-30 2014-07-23 富士フイルム株式会社 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
WO2012050131A1 (ja) 2010-10-13 2012-04-19 株式会社朋インターナショナル 水電解処理装置
KR101182172B1 (ko) * 2010-10-18 2012-09-12 에이피시스템 주식회사 플렉서블 액정 디스플레이 제조장치
EP2638396B1 (en) 2010-11-12 2017-03-01 incellDX, Inc. Methods and systems for predicting whether a subject has a cervical intraepithelial neoplasia (cin) lesion from a suspension sample of cervical cells
WO2012075384A2 (en) 2010-12-04 2012-06-07 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of forming same
US9487010B2 (en) * 2010-12-15 2016-11-08 Electronics For Imaging, Inc. InkJet printer with controlled oxygen levels
KR101114916B1 (ko) 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5716752B2 (ja) 2010-12-27 2015-05-13 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
JP2012170846A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP5741078B2 (ja) * 2011-03-09 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 印刷装置
KR101807196B1 (ko) * 2011-05-18 2017-12-12 주식회사 탑 엔지니어링 평판디스플레이용 패널이송장치
US8414688B1 (en) 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
US9012892B2 (en) * 2011-06-21 2015-04-21 Kateeva, Inc. Materials and methods for controlling properties of organic light-emitting device
JP5520258B2 (ja) 2011-06-29 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 色素吸着装置及び色素吸着方法
US20130005076A1 (en) 2011-06-29 2013-01-03 Kateeva, Inc. Thermal jet printhead
KR101864055B1 (ko) 2011-07-01 2018-06-01 카티바, 인크. 잉크로부터 캐리어 액체 증기를 분리하기 위한 장치 및 방법
KR101903921B1 (ko) * 2011-08-09 2018-10-02 카티바, 인크. 하향 인쇄 장치 및 방법
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
CN102983289B (zh) * 2011-09-06 2016-12-21 应用材料公司 用于无掩模封装的方法
CN102328317A (zh) 2011-09-08 2012-01-25 杭州泰林生物技术设备有限公司 一种软舱体隔离器
CN103843146B (zh) 2011-09-29 2016-03-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP2013109836A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機elパネルの製造方法及び有機elパネルの封止装置
DE102012100825A1 (de) * 2011-12-01 2013-06-06 solar-semi GmbH Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats und Verfahren hierzu
KR20230069251A (ko) * 2011-12-22 2023-05-18 카티바, 인크. 가스 엔클로저 시스템
CN106274054B (zh) * 2011-12-22 2018-04-17 科迪华公司 气体封闭系统
KR20130079682A (ko) * 2011-12-30 2013-07-11 엘아이지에이디피 주식회사 전자종이 표시소자 제조방법 및 제조장치
US9449825B2 (en) * 2012-02-03 2016-09-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
TWI629743B (zh) 2012-02-10 2018-07-11 布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
JP5874427B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-02 セイコーエプソン株式会社 部品検査装置、及び、ハンドラー
JP2013206858A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Shibaura Mechatronics Corp 紫外線硬化膜の形成方法及び装置
US8840218B2 (en) 2012-05-02 2014-09-23 Eastman Kodak Company Multi-zone condensation control method
JP5304922B1 (ja) 2012-05-09 2013-10-02 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
JP5830440B2 (ja) * 2012-06-20 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6181358B2 (ja) 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機el素子の有機機能膜の積層体の製造方法
JP5529220B2 (ja) 2012-08-16 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造方法
KR20220124282A (ko) 2012-11-30 2022-09-13 카티바, 인크. 산업용 프린팅 시스템의 유지 방법
CN105818540B (zh) 2012-12-19 2018-06-05 科迪华公司 气体封闭组件和系统
US9033480B2 (en) 2013-03-06 2015-05-19 E I Du Pont De Nemours And Company System and process for liquid replenishment for a printing apparatus for depositing a liquid composition on a backplane
KR102470120B1 (ko) 2013-03-13 2022-11-22 카티바, 인크. 가스 인클로저 시스템 및 보조 인클로저를 이용하는 방법
JP6328434B2 (ja) 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP2014191337A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Toppan Printing Co Ltd 画像表示体および物品
JP5880485B2 (ja) 2013-05-13 2016-03-09 住友金属鉱山株式会社 成膜装置およびこれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法
US10468279B2 (en) 2013-12-26 2019-11-05 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
EP3624175B1 (en) 2014-01-21 2021-12-22 Kateeva, Inc. Method for electronic device encapsulation
KR102390045B1 (ko) 2014-04-30 2022-04-22 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
KR101749973B1 (ko) * 2014-05-23 2017-06-23 엠에스티코리아(주) Oled 봉지용 박막 경화 시스템
EP3170211B1 (en) 2014-07-18 2019-04-17 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing cross-flow gas circulation and filtration
JP2019505750A (ja) 2015-11-16 2019-02-28 カティーバ, インコーポレイテッド 基板の熱処理のためのシステムおよび方法
KR20180121907A (ko) 2016-03-08 2018-11-09 가부시끼 가이샤 나노템 반송용 패드 및 그것을 이용하는 반송 장치, 반송 방법
JP6968243B2 (ja) 2016-10-14 2021-11-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6122201B1 (ja) 2016-10-28 2017-04-26 中島 秀夫 車椅子の人の介護補助力を測定できるリハビリ歩行器。

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