WO2010010855A1 - 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010010855A1
WO2010010855A1 PCT/JP2009/062991 JP2009062991W WO2010010855A1 WO 2010010855 A1 WO2010010855 A1 WO 2010010855A1 JP 2009062991 W JP2009062991 W JP 2009062991W WO 2010010855 A1 WO2010010855 A1 WO 2010010855A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
anode
organic
layer
substrate
region
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/062991
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
近藤　邦夫
勘治朗 迫
克昌 廣瀬
Original Assignee
昭和電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 昭和電工株式会社 filed Critical 昭和電工株式会社
Priority to EP09800369.2A priority Critical patent/EP2315501B1/en
Priority to US13/054,887 priority patent/US8268650B2/en
Priority to JP2010521693A priority patent/JP5666300B2/ja
Publication of WO2010010855A1 publication Critical patent/WO2010010855A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing an organic electroluminescence (hereinafter also referred to as “organic EL”) element with a sealing member.
  • organic EL organic electroluminescence
  • the organic EL element with a sealing member is formed on a surface of a transparent substrate 1 by forming a laminated body in which a transparent anode 2, an organic EL layer 3, and a cathode 4 are laminated in this order.
  • a ceiling-like sealing member 6 is fixed on the substrate 1 with an adhesive a so as to cover the body. This adhesive is applied to the opening surface of the sealing member 6.
  • the organic EL element with a sealing member is produced by sealing a laminate including a transparent anode, an organic EL layer, and a cathode with the transparent substrate 1 and the sealing member 6 with an adhesive.
  • the organic EL element has a short life, and has a drawback that light emission performance such as light emission luminance and light emission uniformity deteriorates significantly after a certain period of time as compared with the initial stage.
  • Such deterioration of the light emitting performance is caused by moisture generated inside the sealing member 6 or moisture entering the inside of the organic EL element from the outside through the adhesive a, and thus the inside of the sealing member 6. It is known that this is because the organic EL element deteriorates. Therefore, the hygroscopic agent b is disposed between the organic EL element and the sealing member 6 or the like.
  • a transparent substrate is used as a method for preventing deterioration of the organic EL element caused by moisture generated inside the sealing member 6 or entering the sealing member 6 through the adhesive a.
  • a method for sealing an organic EL element characterized by treatment with atmospheric pressure plasma, is disclosed.
  • the film c such as the SiO 2 film on the surface of the substrate 1 is removed by atmospheric pressure plasma and the processing surface is roughened.
  • the treatment surfaces are roughened by being activated by atmospheric pressure plasma, and the treatment surfaces are brought into close contact with each other, thereby extending the life of the organic EL element.
  • the substrate 1 and the sealing member 6 are bonded to each other via an adhesive a provided in a region on the substrate 1 where the organic EL element is not formed. Glue. Therefore, in general, no organic EL element is formed near the outer periphery of the substrate 1.
  • the organic EL layer 3 is formed by vapor deposition of a low molecular compound
  • vapor deposition is performed using a vapor deposition mask, so that the organic EL layer 3 is organic only in the central portion of the substrate 1 avoiding the outer peripheral portion on the substrate 1.
  • a polymer compound eg, spin coating
  • the organic EL layer 3 is formed up to the outer peripheral portion of the substrate 1, the organic EL layer 3 formed on the outer peripheral portion of the substrate 1 is removed in order to apply the adhesive a. It was necessary to form an exposed portion.
  • Patent Document 2 after a liquid repellent portion is formed between a light emitting portion and a non-light emitting portion in a method for manufacturing an organic EL display device having a light emitting portion (organic EL element) and a non-light emitting portion on a substrate.
  • An organic EL display device wherein at least one of the organic layers is formed by a coating method, and the organic layer formed on the non-light-emitting portion outside the liquid repellent portion is wiped off with a solvent after the formation. According to this manufacturing method, the organic light emitting layer formed on the outer peripheral portion of the substrate 1 can be removed.
  • the surface treatment method using plasma under atmospheric pressure includes a direct method in which gas discharge is directly generated between an electrode and a material to be processed, and an excited active species by discharge between a power electrode and a ground electrode. And an indirect method in which a gas flow containing the gas is ejected onto the surface of the material to be processed.
  • the indirect method requires a higher output because the processing rate is lower than that of the direct method, but there is no risk of damage to the material to be processed due to charge-up or arc discharge, and a nozzle that ejects a gas flow.
  • a local surface treatment corresponding to the shape of the material to be processed and the limitation of the processing range can be performed.
  • This indirect plasma surface treatment method and apparatus used in the method are disclosed in, for example, Patent Documents 3 and 4.
  • the organic EL layer 3 that should remain may be damaged as a whole.
  • this method has a problem that a liquid repellent portion that is not originally required for the organic EL element must be formed between the light emitting portion and the non-light emitting portion, which complicates the process.
  • This invention is made
  • the present inventors have intensively studied to solve the above problems and completed the present invention.
  • the present invention relates to the following [1] to [5], for example.
  • a method for producing an organic electroluminescence element with a sealing member The organic electroluminescence element with the sealing member, A substrate, A sealing member bonded to the substrate and having an opening on the substrate side; An organic electroluminescent element having an anode, an organic electroluminescent layer including at least one light emitting layer, and a cathode formed on the substrate and housed in a sealed chamber defined by the substrate and the sealing member Become
  • the manufacturing method is A step of forming an organic electroluminescence layer in a region on the substrate with an anode having the substrate and the anode, the region including at least a region to be bonded to which the sealing member is bonded and a region inside the region (A) ), A step of removing at least a portion of the organic electroluminescence layer on the adherend region by plasma irradiation using a remote plasma method to expose the adherend region (B); Forming the cathode on the organic electroluminescence layer to complete the organic electroluminescence element; and bonding the sealing member
  • the step (A) is a region on the substrate with an anode, to which the sealing member is bonded, a region on the inside thereof, and the region on the anode and connected to an external power source. It is a step of forming an organic electroluminescence layer in a region including at least an external power connection region,
  • the step (B) at least a portion of the organic electroluminescent layer above the adherend region and a portion above the external power connection region are removed by plasma irradiation using a remote plasma method, and The method for producing an organic electroluminescence element with a sealing member according to any one of the above [1] to [4], which is a step of exposing the adhesion region and the external power supply connection region.
  • a part of the organic EL layer is easily removed to position the exposed portion of the substrate while suppressing damage to the organic EL layer of the light emitting portion. It can be formed selectively.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL element with a sealing member.
  • FIG. 2 shows an example of a method for producing an organic EL element with a sealing member of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of a substrate with an anode provided with an anode buffer layer and an organic EL layer.
  • FIG. 4 shows an example of a method for producing an organic EL element with a sealing member of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the relationship between the plasma irradiation mode and the damaged region 3 ′.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the relationship between the plasma irradiation mode and the damaged region 3 ′.
  • FIG. 7 shows an example of a method for producing an organic EL element with a sealing member of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic sectional view showing the relationship between the plasma irradiation mode and the damaged region 3 ′.
  • FIG. 9 (A) is a schematic plan view of the substrate with a light emitting layer used in Example 1
  • FIG. 9 (B) is a diagram schematically showing a plasma irradiation mode to the substrate with the light emitting layer.
  • FIG. 9C is a perspective view schematically showing a plasma irradiation form on the substrate with the light emitting layer.
  • FIG. 10A is a schematic cross-sectional view of the organic EL element with a sealing member manufactured in Example 1, and FIG.
  • FIG. 10B shows the organic EL element with a sealing member as viewed from the light emitting surface side. It is a schematic plan view in the case.
  • FIG. 11A is a schematic plan view of the substrate with a light emitting layer used in Example 2, and FIGS. 11B to 11E are views showing plasma irradiation modes to the substrate with the light emitting layer. is there.
  • FIG. 12A is a schematic cross-sectional view of an organic EL element with a sealing member manufactured in Example 2
  • FIG. 12B shows the organic EL element with a sealing member as viewed from the light emitting surface side.
  • FIG. 13A is a schematic plan view of a substrate with a light emitting layer used in Example 4, and FIG.
  • FIG. 13B is a diagram showing a plasma irradiation mode to the substrate with a light emitting layer.
  • FIG. 14A is a schematic cross-sectional view of an organic EL element with a sealing member manufactured in Example 4, and FIG. 14B shows the organic EL element with a sealing member as viewed from the light emitting surface side. It is a schematic plan view in the case.
  • FIG. 15A is a schematic plan view of a substrate with a light emitting layer used in Example 5, and FIG. 15B is a diagram showing a plasma irradiation mode to the substrate with a light emitting layer.
  • FIG. 16A is a schematic cross-sectional view of the organic EL element with a sealing member manufactured in Example 5, and FIG.
  • FIG. 16B shows the organic EL element with a sealing member as viewed from the light emitting surface side. It is a schematic plan view in the case.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of an example of a conventional organic EL element with a sealing member.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an organic EL element 10 with a sealing member manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • the organic EL element 10 with a sealing member is formed on a substrate 1 and a substrate 1.
  • a bonded sealing member 6 having an opening on the substrate 1 side, and an anode 2 formed on the substrate 1 and housed in a sealed chamber 7 defined by the substrate 1 and the sealing member 6; It comprises an organic EL layer 3 including at least one light emitting layer and an organic EL element 5 having a cathode 4.
  • the direction from the substrate 1 toward the anode 2 is referred to as “upper” for convenience.
  • the organic EL element 5 has a structure in which an organic EL layer 3 is sequentially provided between the anode 2 and the cathode 4 as 1) a light emitting layer / electron transport layer, 2) an anode buffer layer / a light emitting layer, and 3) an anode.
  • Buffer layer / light emitting layer / electron transport layer 4) anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, 5) anode buffer layer / hole transport compound, light emitting compound, electron transport compound included Light emitting layer, 6) Anode buffer layer / hole transporting compound, light emitting layer containing light emitting compound, 7) Anode buffer layer / light emitting compound, light emitting layer containing electron transporting compound, 8) Anode buffer layer / hole Examples thereof include an electron transporting compound, a light emitting layer containing a light emitting compound, and 9) an element structure provided with an anode buffer layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer. Further, the light emitting layer may be a single layer or may be present in two or more layers.
  • a compound composed of all or one of an electron transporting compound, a hole transporting compound, and a light emitting compound is an organic EL compound, and a layer is an organic EL compound layer. I will call it.
  • Substrate As the substrate 1, a known flexible material such as an insulating substrate transparent to the emission wavelength of the luminescent compound, for example, transparent plastic such as glass, PET (polyethylene terephthalate), and polycarbonate can be used. For example, if the substrate shape is a quadrangle, the length of the side is, for example, about 20 to 2000 mm, preferably about 100 to 1000 mm.
  • Anode As the anode 2, a conductive and light-transmitting layer typified by a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO) is most common.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium-zinc oxide
  • the light transmittance of the anode and the substrate is essential, but in applications where organic light emission is observed through top emission, that is, the upper electrode, the transparency of the anode is not necessary, and the work function is Any suitable material such as a metal or metal compound higher than 4.1 eV can be used as the anode.
  • the anode can also be selected from the group consisting of metal oxides, nitrides, selenides and sulfides.
  • a thin film having a thickness of 1 to 3 nm formed on the surface of ITO having good light transmittance so as not to impair the light transmittance can be used as the anode.
  • an electron beam evaporation method, a sputtering method, a chemical reaction method, a coating method, a vacuum evaporation method, or the like can be used as a film formation method on the surface of these anode materials.
  • the thickness of the anode is preferably 2 to 300 nm.
  • the ITO film formed on the glass substrate 1 is patterned and formed on an electrode having a predetermined shape by using a photolithography technique. In this way, a plurality of ITO electrodes 2 having a desired shape are formed on the surface of the glass substrate.
  • Anode surface treatment, anode buffer layer By treating the surface of the anode 2 (surface treatment), the performance of the overcoated layer (adhesion with the anode substrate, surface smoothness, reduction of hole injection barrier, etc.) may be improved.
  • the treatment method include high-frequency plasma treatment, sputtering treatment, corona treatment, UV ozone irradiation treatment, and oxygen plasma treatment.
  • the anode buffer layer 21 may be formed by this surface treatment, and the thickness thereof is preferably 0.2 to 30 nm, more preferably 0.2 to 10 nm.
  • the properties after the formation of the anode buffer layer include that it is not redissolved by coating a compound laminated on the anode buffer layer (hereinafter also referred to as “organic EL compound”), and is not scattered or diffused by a physical impact during the coating process. And having good adhesion to the luminescent compound and having an appropriate ionization potential.
  • a compound having a partial structure having a strong interaction with the organic EL compound is desirable.
  • the partial structure for example, a structure that appropriately includes an aromatic ring, an alkyl chain, fluorine, or the like that can be expected to have a hydrophobic interaction is particularly desirable.
  • an appropriate ionization potential is preferably 4.5 to 6.0 eV, more preferably 4.8 to 5.5 eV, although it depends on the type of organic EL compound used.
  • the anode buffer layer 21 can be formed by applying a water-repellent solution such as fluoroalkylsilane, or by a dry process such as radio frequency (RF) plasma treatment.
  • a water-repellent solution such as fluoroalkylsilane
  • RF radio frequency
  • high-frequency plasma treatment in which organic gas is deposited as a solid on a solid layer by applying glow discharge to the organic gas can provide a film having excellent adhesion and high durability.
  • a gaseous fluorocarbon is glow-discharged in RF plasma and brought into contact with the substrate, whereby an anode buffer layer (hereinafter also referred to as “fluorocarbon thin film”) made of fluorocarbon can be formed on the substrate.
  • the gaseous fluorocarbon can be selected from the group consisting of CF 4 , C 3 F 8 , C 4 F 10 , CHF 3 , C 2 F 4 and C 4 F 8 . This fluorocarbon thin film has water repellency.
  • Plasma is generated by applying (outputting) a radio frequency (RF) voltage at an appropriate power level in the apparatus cabinet.
  • RF radio frequency
  • the reaction temperature varies depending on parameters such as output, gas flow rate, and processing time, it is preferable to adjust the film thickness appropriately with good reproducibility by providing a temperature adjustment function in the apparatus cabinet.
  • the contact angle of the surface of the glass substrate 11 with the anode on which the thin film thus obtained, particularly the fluorocarbon thin film is formed varies from 30 ° to 170 °. This value is related to the luminous efficiency and durability of the organic EL device, and in order to improve them, it is preferably 40 ° to 150 °, more preferably 60 ° to 120 °.
  • the film can be formed by using a coating method such as a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method.
  • a coating method such as a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method.
  • the compound that can be used in the film formation by the wet process is not particularly limited as long as it is a compound having good adhesion to the organic EL compound contained in the anode surface and its upper layer, but the anode buffer that has been generally used so far Is more preferable.
  • examples thereof include conductive polymers such as PEDOT-PSS, which is a mixture of poly (3,4) -ethylenedioxythiophene and polystyrene sulfonate, and PANI, which is a mixture of polyaniline and polystyrene sulfonate.
  • an organic solvent such as toluene or isopropyl alcohol may be added to these conductive polymers.
  • the conductive polymer containing 3rd components may be sufficient.
  • the surfactant is, for example, selected from the group consisting of alkyl groups, alkylaryl groups, fluoroalkyl groups, alkylsiloxane groups, sulfates, sulfonates, carboxylates, amides, betaine structures, and quaternized ammonium groups.
  • Surfactants containing one kind of group are used, but fluoride-based nonionic surfactants can also be used.
  • the surface of the anode 2 may be treated by the following methods ( ⁇ 1) to ( ⁇ 11).
  • the alkaline solution contains alkali metal ions, and the molar concentration of the alkali metal ions in the alkaline solution is 0.1 to 10 times the molar concentration in terms of Si atom of the compound having the Si—O bond.
  • the surface treatment method for an anode 2 according to any one of the above ( ⁇ 1) to ( ⁇ 4).
  • the work function of the anode 2 such as ITO can be easily increased.
  • the organic EL element 10 with a sealing member including the anode 2 having a high work function can be easily manufactured by the surface treatment method ( ⁇ ) of the anode 2.
  • the light emission characteristics (light emission efficiency, life) of the organic EL element 10 with a sealing member can be improved by subjecting the anode 2 to a surface treatment method ( ⁇ ).
  • the wettability of the anode 2 that has been surface-treated by the surface treatment method ( ⁇ ) with respect to the solution for forming the light-emitting layer is improved, it is particularly uniform and highly smooth when the light-emitting layer is formed by a coating method.
  • a light emitting layer can be formed, and as a result, the organic EL element 10 with a sealing member having a high-quality light emitting surface free from luminance unevenness and defects and having no leakage current is provided.
  • the surface treatment method ( ⁇ ) is characterized in that it includes a contact step of bringing the anode 2 (usually the substrate 11 with an anode) into contact with an alkaline solution of a compound having a Si—O bond.
  • silicate is preferable, and at least one silicate selected from the group consisting of sodium silicate, potassium silicate, rubidium silicate, and lithium silicate (alkali silicate). Metal salts) are more preferred.
  • silicate selected from the group consisting of sodium silicate, potassium silicate, rubidium silicate, and lithium silicate (alkali silicate). Metal salts) are more preferred.
  • examples of the silicate include orthosilicate, metasilicate, polysilicate, and the like.
  • the silicate is preferably a silicate composed of chain silicate ions and alkali metal ions.
  • a silicate is used, although it depends on the molecular weight of the silicate ion, it does not gel, and the alkalinity has a viscosity (about 0.1 to 100 centipoise) excellent in operability when used in the contact step. A solution can be obtained.
  • a compound having a hydroxyl group and water are preferable, alcohol and water are more preferable, and water is particularly preferable. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the solvent solvates cations such as silicate ions and alkali metal ions, thereby Acid ions can be separated from each other, and a homogeneous solution can be obtained.
  • a silicate solution is preferable, an aqueous solution of an alkali metal salt of the silicate is more preferable, and a dilute aqueous solution of water glass is particularly preferable.
  • silicate ions can be separated from each other as described above.
  • the alkali metal ion and water are contained in the solution, the alkali metal ion is a strong acid and the water is a hard base based on Pearson's Hard Soft Base Principle. Solvated (hydrated) so that the silicate ions can be present stably in the solution.
  • the solution is an alkaline solution, and its pH at room temperature (25 ° C.) is usually 9 to 14, preferably 10 to 13. If the pH is too high, the anode 2 may corrode (dissolve). If the pH is too low, the solution gels or the concentration of ions derived from the compound having the Si—O bond such as silicate ions is low. For this reason, the contact treatment process may become unstable, for example, the degree of treatment changes during the contact treatment process.
  • the alkaline solution when the alkaline solution is left in the atmosphere at normal temperature and pressure, the carbon dioxide gas contained in the atmosphere dissolves in the alkaline solution. As a result, the pH of the alkaline solution gradually decreases although it is very slow. In order to prevent this, when the alkaline solution is stored for a long time, it is preferable to block contact with the atmosphere by storing it in a highly airtight container.
  • the concentration of the compound having the Si—O bond in the solution is usually 20% by mass or less, preferably 0.001 in terms of Si atoms. Is 15 to 15% by mass, more preferably 0.01 to 3% by mass, and still more preferably 0.05 to 1% by mass.
  • concentration is high, the time required for the contact step can be shortened, and when the concentration is low, the reproducibility and control of the contact step is facilitated and the contact step is stabilized.
  • the concentration is higher than this range, it may be difficult to reproduce and control the contact process, or it may be difficult to remove the solution from the surface of the anode 2 after the contact process is completed.
  • the concentration is lower than this range, the time required for the contact process becomes longer, or the influence of the change in the concentration of the solution during the contact process on the degree of the contact process becomes large, and the contact process becomes unstable. Sometimes.
  • the concentration of the alkali metal ion in the alkaline solution is preferably 0 in terms of the Si atom equivalent concentration of the compound having an Si—O bond (in the solution, when ionized to a silicate ion or the like). 1 to 10 times, more preferably 0.25 to 2 times. When the concentration is in this range, the silicate ions can be stably present in the solution with the alkali metal ions as counter ions of the silicate ions.
  • the viscosity of the solution is preferably a viscosity (about 0.1 to 100 centipoise) that allows the anode 2 to be immersed in the solution or sprayed to the anode 2.
  • the alkaline solution may further contain a surfactant.
  • a surfactant When a surfactant is used, the surface tension of the alkaline solution is lowered, and the alkaline solution is likely to be wetted by the anode 2, so that the contact treatment described above can be performed more uniformly.
  • a nonionic surfactant and / or a carboxylic acid surfactant is used as the surfactant.
  • nonionic surfactant examples include polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, and acylglycerin.
  • carboxylic acid surfactant examples include aliphatic monocarboxylate (fatty acid soap). Alkanoyl sarcosine and the like.
  • surfactants may be used alone or in combination of two or more.
  • the contact step is preferably performed by immersing the anode 2 or the substrate 11 with an anode to be processed in the solution or spraying the solution onto the anode 2 or the substrate 11 with an anode to be processed.
  • the contact step is performed by these methods, the entire surface of the anode 2 or the substrate 11 with the anode is processed simultaneously and uniformly.
  • the surface treatment of the anode 2 can be performed by controlling the concentration and temperature of the alkaline solution, the immersion time, and the stirring device. Reproducibility can be improved.
  • the contact process is performed by dipping, from the viewpoint of treating the surface of the anode 2 more evenly, the anode 2 is shaken during the dipping, the solution is stirred, the It is preferable to irradiate sound waves.
  • the contact process is performed by spraying the solution onto the anode 2 or the substrate 11 with anode
  • a member for spraying the solution is fixed, and the solution is sprayed while moving the anode 2 or the substrate 11 with anode against the member.
  • the anode 2 or the substrate 11 with anode can be processed continuously, and the large substrate 11 with anode can be easily processed.
  • the solution is sprayed on the whole of the anode 2, or the solution is sprayed using an ultrasonic nozzle.
  • the solution is sprayed using a two-fluid nozzle, or the solution is sprayed using a high-pressure nozzle.
  • the temperature of the solution is preferably 10 to 90 ° C, more preferably 25 to 60 ° C. If the temperature is higher than this range, the time required for the contact process becomes too short, it becomes difficult to reproduce the surface treatment of the anode 2, the surface of the anode 2 is corroded (dissolved), and the amount of evaporation of the solvent is large. The increase in concentration of the solution increases, and it may be difficult to uniformly treat the anode 2 within one anode or between a plurality of anodes. On the other hand, if the temperature is lower than this range, the time required for the contact process may become excessively long.
  • the time required for the contact step may be appropriately set in consideration of the solution concentration, the temperature in the contact step, and the like.
  • the contact step can be performed under atmospheric pressure, complicated operations such as use of a vacuum chamber are not required.
  • the work function of the anode 2 is increased.
  • “the work function is high” means “the absolute value of the work function is large”.
  • the surface treatment method ( ⁇ ) although depending on the surface state of the anode 2 before the surface treatment, for example, when the anode 2 is an ITO electrode, its work function (absolute value) is expressed as normal before contact—
  • the voltage can be increased from about 4.8 eV to ⁇ 5.0 eV or more, preferably from ⁇ 5.2 to ⁇ 6.0 eV.
  • the value of the work function is a value measured in the atmosphere by ultraviolet photoelectron spectroscopy.
  • the smoothness of the treated surface of the anode 2 can be improved.
  • the surface roughness (Ra) of the surface-treated ITO electrode is preferably 0.6 nm or less, more preferably 0.4 nm, although it depends on surface treatment conditions and the like. It is as follows.
  • the anode 2 having a rough surface when used, it is considered that a pinhole is formed in the light emitting layer by the convex portion on the surface of the anode 2, thereby causing a short circuit or a leakage current in the organic EL element 5. Since the surface of the anode 2 surface-treated with ( ⁇ ) is smooth, it is considered that the short circuit of the organic EL element 5 can be prevented and the leakage current can be reduced.
  • the organic EL element 5 When the anode 2 surface-treated by the surface treatment method ( ⁇ ) is used, the light emission efficiency of the organic EL element 5 can be increased, the light emission lifetime can be extended, and a uniform and highly smooth light-emitting layer can be formed. In addition, the organic EL element 5 having a high-quality light emitting surface free from luminance unevenness and defects and having no leakage current can be manufactured.
  • the mechanism of the surface treatment of the anode 2 by the surface treatment method ( ⁇ ) is not necessarily clear, but the present inventors consider that the anode 2 is surface-treated by the following mechanism, for example.
  • Silicate ions are present in the alkaline solution, and the silicate ions are adsorbed on the surface of the anode 2 so as to cover the entire surface, and are subjected to an oxidation-reduction reaction with the surface of the anode 2 or the atmosphere. It is considered that a thin film made of silicon oxide is formed on the surface of the anode 2 by reacting with carbonate ions derived from the above.
  • the work function of the anode 2 is increased by forming a thin film made of silicon oxide.
  • this thin film has a high insulating property, and this high insulating property is considered to contribute to an improvement in the light emission lifetime of the organic EL element ( J. Li et al., Synthetic Metals 151 (2005) 141-146).
  • the anode 2 that has been surface-treated by the surface treatment method ( ⁇ ) has higher wettability with respect to the polymer compound solution used for forming the organic EL layer 3 than the anode 2 that has not been surface-treated. Therefore, when the anode 2 surface-treated by the surface treatment method ( ⁇ ) is used, the polymer compound solution can be uniformly applied on the anode 2 to form a uniform organic EL layer 3.
  • the contact angle of the ITO electrode with water is about 10 to 90 ° before the surface treatment, but less than 10 ° after the surface treatment, depending on the conditions of the surface treatment. is there.
  • a brush cleaning method (a method of cleaning the anode 2 or the substrate 11 with an anode while rotating the anode 2 or the substrate 11 with an anode while rotating the anode 2 or a substrate 11 with an anode), a two-fluid cleaning method (Compressed air (pressurized to 0.2 to 1.0 MPa) and cleaning water (pressurized to 0.2 to 1.0 MPa) are simultaneously sprayed onto the anode 2 or the substrate 11 with an anode through a nozzle, and the anode 2 or the substrate 11 with an anode 11 ), Ultrasonic cleaning method (ultrasonic water is sprayed to the anode 2 or the substrate 11 with an anode from a nozzle provided with an ultrasonic transmitter inside, and the anode 2 or the substrate 11 with an anode is removed.
  • a brush cleaning method a method of cleaning the anode 2 or the substrate 11 with an anode while rotating the anode 2 or the substrate 11 with an anode while rotating the anode
  • a high-pressure jet cleaning method a method in which water pressurized to 0.2 to 10.0 MPa is sprayed onto the anode 2 or the substrate 11 with an anode to clean the anode 2 or the substrate 11 with an anode.
  • the solution can be removed more reliably.
  • the material of the brush used in the brush cleaning method include nylon, polyester resin, and polyvinyl alcohol resin.
  • the anode 2 or the substrate 11 with anode is previously brought into contact with water (eg, water is sprayed onto the anode 2 or the like, the anode 2 or the like into the water) Is preferably immersed).
  • water eg, water is sprayed onto the anode 2 or the like, the anode 2 or the like into the water
  • the surface treatment method ( ⁇ ) preferably further includes a heating step of heating the anode 2 to 60 to 250 ° C., preferably 80 to 200 ° C. after the cleaning step. This heating step is performed before the organic EL layer 3 is formed.
  • the heating means include infrared irradiation, hot air irradiation, halogen lamp irradiation, ultraviolet irradiation by a UV lamp, and the like.
  • the effect of the surface treatment of the anode 2 (for example, improvement of the light emission efficiency of the organic EL element 5) is further enhanced.
  • the mechanism for example, when water remains on a part of the anode 2 or a hydroxyl group ( ⁇ Si—OH) is formed by the contact step, the water or water derived from the hydroxyl group emits light over time.
  • the surface of the anode 2 is dehydrated by this heating process because it passes through the layer (organic EL layer 3) and degrades the cathode buffer layer composed of Ba, Ca, alkali metal, etc., and as a result, the luminous efficiency decreases. Therefore, it is conceivable that the cathode buffer layer is not deteriorated, and as a result, the light emission efficiency is improved.
  • the anode 2 or anode-provided substrate 11 does not contain moisture or organic matter immediately after the heat treatment. It is preferable to transfer to an atmosphere (for example, nitrogen, argon, dry air), and it is more preferable to perform the heat treatment in the atmosphere.
  • an atmosphere for example, nitrogen, argon, dry air
  • the surface treatment method ( ⁇ ) preferably further includes a UV irradiation step of irradiating the anode 2 with ultraviolet rays (wavelength region: 200 to 400 nm) after the cleaning step. This heating step is performed before the organic EL layer 3 is formed. If the surface treatment method ( ⁇ ) has the heating step, the UV irradiation step may be performed at any stage before, after and at the same time as the heating step.
  • UV light sources include high-pressure mercury lamps, medium-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, xenon lamps, metal halide lamps, and deuterium lamps.
  • the amount of ultraviolet irradiation is preferably 0.01 to 10 J / cm 2 in the irradiated object (anode 2 or substrate 11 with anode).
  • the amount of ultraviolet irradiation is preferably uniform over the entire surface of the anode 2 or the substrate 11 with an anode. If the entire surface cannot be irradiated with ultraviolet rays at once, the anode 2 or the substrate 11 with an anode or an ultraviolet light source is used. The entire surface may be irradiated by moving it.
  • Organic EL layer Examples of the light-emitting compound used for forming the light-emitting layer include low molecular light-emitting compounds and polymer light-emitting compounds described in Hiroshi Omori: Applied Physics, Vol. 70, No. 12, pages 1419-1425 (2001). Etc. can be illustrated. Among these, a polymer light emitting compound is preferable in that the device manufacturing process is simplified. Moreover, although both a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound can be used, a phosphorescent light emitting compound is preferable in terms of high luminous efficiency. Therefore, a phosphorescent polymer compound is particularly preferable.
  • N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′diamine TPD
  • 4,4′- Such as bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl ( ⁇ -NPD), 4,4 ′, 4 ′′ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA), etc.
  • Examples include triphenylamine derivatives, metal complexes of quinolinol derivatives such as tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum (III) (Alq3), oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, triazine derivatives, and the like.
  • the structure of the phosphorescent polymer compound is not particularly limited as long as it is a polymer compound that emits phosphorescence at room temperature.
  • specific polymer structures include conjugated polymer structures such as poly (p-phenylene) s, poly (p-phenylene vinylenes), polyfluorenes, polythiophenes, polyanilines, polypyrroles, polypyridines, etc.
  • a polymer structure in which a phosphorescent site (typically, a monovalent group or a divalent group of a transition metal complex or a rare earth metal complex described below can be exemplified) is bonded to the skeleton. .
  • the phosphorescent site may be incorporated into the main chain or into the side chain.
  • polymer structure of the phosphorescent polymer compound is a polymer having a non-conjugated polymer structure such as polyvinyl carbazole, polysilanes, polytriphenylamines, etc., and a phosphorescent site bonded thereto.
  • the structure can be mentioned.
  • the phosphorescent site may be incorporated into the main chain or into the side chain.
  • a dendrimer having a phosphorescent site can be mentioned.
  • the phosphorescent light emitting site may be incorporated in any of the central core, branched portion, and terminal portion of the dendrimer.
  • phosphorescence is emitted from a phosphorescent light emitting portion bonded to a conjugated or nonconjugated skeleton, but phosphorescence may be emitted from a conjugated or nonconjugated skeleton itself.
  • the phosphorescent polymer compound has a degree of freedom in material design, is relatively easy to obtain phosphorescence emission, is easy to synthesize, has high solubility in a solvent, and is easy to prepare a coating solution.
  • a polymer having a non-conjugated polymer structure as a skeleton and a phosphorescent site bonded thereto (hereinafter referred to as a non-conjugated phosphorescent polymer) is preferable.
  • the non-conjugated phosphorescent polymer is composed of a phosphorescent site and a carrier transporting site.
  • a typical polymer structure depending on the binding state of the phosphorescent site and the carrier transporting site, (1) When both the phosphorescent site and the carrier transporting site are in the main chain of the polymer, (2) the phosphorescent site is in the side chain of the polymer and the carrier transporting site is in the main chain of the polymer (3) when the phosphorescent moiety is in the main chain of the polymer and the carrier transporting moiety is in the side chain of the polymer, (4) both the phosphorescent moiety and the carrier transporting moiety are The case where it exists in a side chain can be illustrated.
  • the polymer structure may have a cross-linked structure, or a single polymer (homopolymer) or two kinds of compounds in which a hole transport compound, an electron transport compound, and a light emitting compound are not bonded to each other and are independent.
  • a polymer obtained by polymerizing may be used.
  • the polymerized compound may be one or more selected from three of a hole transport compound, an electron transport compound, and a light emitting compound, and the remaining compound may be a low molecule.
  • the non-conjugated phosphorescent polymer may have two or more types of phosphorescent sites (each may be in the main chain or in the side chain), and the carrier. Two or more kinds of transportable sites may be present (they may be in the main chain, in the side chain, or not bonded).
  • the weight average molecular weight of the non-conjugated phosphorescent polymer is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 10,000 to 500,000.
  • a monovalent group or a polyvalent group of a bivalent group or more that emits phosphorescence at room temperature can be used, and a monovalent group or divalent group of a transition metal complex or a rare earth metal complex can be used.
  • the transition metal used in the above transition metal complex includes the first transition element series of the periodic table, that is, Sc of atomic number 21 to Zn of 30 and the second transition element series, that is, Y of 48 of atomic number 39 to 48. Up to Cd, includes the third transition element series, that is, from Hf of atomic number 72 to Hg of 80.
  • the rare earth metal used in the rare earth metal complex includes a lanthanoid series in the periodic table, that is, La from atomic number 57 to 71 Lu.
  • halogen ligands nitrogen-containing heterocyclic ligands (phenylpyridine ligands, benzoquinoline ligands, quinolinol ligands, bipyridyl ligands, terpyridine ligands, phenanthroline ligands Ligand, etc.), diketone ligand (acetylacetone ligand, dipivaloylmethane ligand, etc.), carboxylic acid ligand (acetic acid ligand, etc.), phosphorus ligand (triphenylphosphine coordination) And the like, phosphite ligands, carbon monoxide ligands, isonitrile ligands, and cyano ligands.
  • the metal complex may contain a plurality of ligands in one complex.
  • a binuclear complex or a polynuclear complex can also be used as a metal complex.
  • a hole transporting property, an electron transporting property, or a bipolar monovalent group that transports both holes and electrons, or a polyvalent group having two or more divalent groups can be used.
  • the hole transporting carrier transporting site include carbazole, triphenylamine, N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′diamine (TPD) Examples of the monovalent group or the divalent group.
  • Examples of electron transporting carrier transporting sites include tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (III) (Alq 3 ) and other quinolinol derivative metal complexes, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, and triazine derivatives. And monovalent groups or divalent groups, boron compounds, and the like.
  • Examples of the bipolar carrier transporting site include a monovalent group or a divalent group of 4,4′-N, N′-dicarbazole-biphenyl (CBP).
  • the light emitting layer can be formed of only the phosphorescent polymer compound or the conjugated polymer.
  • the light emitting layer can be formed with a composition in which another carrier transporting compound is mixed to supplement the carrier transporting property of the phosphorescent polymer compound or the conjugated polymer. That is, when the phosphorescent polymer compound is hole transporting, the electron transporting compound can be mixed, and when the phosphorescent polymer compound is electron transporting, the hole transporting compound can be mixed. it can.
  • the carrier transporting compound to be mixed with the phosphorescent polymer compound may be either a low molecular compound or a polymer compound.
  • N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4 is used as a low molecular weight hole transporting compound that can be mixed with the phosphorescent polymer compound.
  • N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4 is used as a low molecular weight hole transporting compound that can be mixed with the phosphorescent polymer compound.
  • 4′diamine TPD
  • ⁇ -NPD 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • ⁇ -NPD 4,4 ′, 4 ′′ -tris (3-methylphenyl)
  • Examples of known hole transport compounds include triphenylamine derivatives such as (phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA).
  • a polymerized functional group is introduced into a polyvinylcarbazole or triphenylamine-based low-molecular compound to form a polymer.
  • a polymer compound having a triphenylamine skeleton disclosed in JP-A-8-157575 examples thereof include, for example, a polymer compound having a triphenylamine skeleton disclosed in JP-A-8-157575.
  • examples of low molecular weight electron transport compounds that can be mixed with the phosphorescent polymer compound include quinolinol derivative metal complexes such as tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (III) (Alq 3 ), Examples thereof include oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, and triazine derivatives.
  • a high molecular electron transporting compound that can be mixed with the phosphorescent high molecular weight compound a polymer obtained by introducing a polymerizable functional group into the low molecular weight electron transporting compound, For example, poly PBD disclosed in JP-A-10-1665 can be exemplified.
  • a composition obtained by mixing a polymer compound not directly related to the emission characteristics of the phosphorescent polymer compound And may be used as a light-emitting compound.
  • a polymer compound not directly related to the emission characteristics of the phosphorescent polymer compound may be used as a light-emitting compound.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • polycarbonate may be mixed in order to impart flexibility to the resulting film.
  • the thickness of the light emitting layer is preferably 1 nm to 1 ⁇ m, more preferably 5 nm to 300 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm.
  • N, N′-dimethyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4 ′ is used as the hole transport compound forming the hole transport layer.
  • a high molecular weight hole transport compound can also be used, which is a polymer obtained by introducing a polymerizable functional group into a triphenylamine low molecular weight compound, for example, disclosed in JP-A-8-157575.
  • examples thereof include polymer compounds having a triphenylamine skeleton, and polymer compounds such as polyparaphenylene vinylene and polydialkylfluorene.
  • These hole transport compounds can be used alone, but may be mixed or laminated with different hole transport compounds.
  • the thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm to 5 ⁇ m, more preferably 5 nm to 1 ⁇ m, and even more preferably 10 nm to 500 nm.
  • examples of the electron transport compound forming the electron transport layer include quinolinol derivative metal complexes such as tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (III) (Alq 3 ), oxadiazole derivatives, triazole Examples thereof include known low molecular weight electron transport compounds such as derivatives, imidazole derivatives and triazine derivatives.
  • Polymer electron transport compounds can also be used, and the above-described low molecular electron transport compounds are polymerized by introducing polymerizable functional groups, for example, disclosed in JP-A-10-1665. The poly PBD etc. which can be illustrated can be illustrated. These electron transport compounds can be used alone, but may be mixed or laminated with different electron transport compounds.
  • the thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 5 ⁇ m, more preferably 5 nm to 1 ⁇ m, and even more preferably 10 nm to 500 nm.
  • the phosphorescent polymer compound used in the light-emitting layer, the hole transport compound used in the hole transport layer, and the electron transport compound used in the electron transport layer are each formed as a single layer, or a polymer compound as a binder. Each layer can also be formed. Examples of the polymer compound used for this include polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide and the like.
  • the light emitting layer, the hole transport layer, and the electron transport layer are formed by a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, an ink jet method, a spin coating method, a dip coating method, a printing method, a spray method, a dispenser method, or the like. It is possible. In the case of a low molecular compound, resistance heating vapor deposition and electron beam vapor deposition are mainly used, and in the case of a high molecular compound, an ink jet method and a spin coating method are mainly used.
  • a part of the organic EL layer 3 formed on the anode-attached substrate 11 is selectively removed by a plasma treatment described later.
  • a hole blocking layer may be provided adjacent to the cathode side of the light emitting layer for the purpose of preventing holes from passing through the light emitting layer and efficiently recombining with electrons in the light emitting layer.
  • a compound having a deepest occupied orbital (HOMO) level than the light emitting compound can be used for the hole blocking layer, and examples thereof include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, phenanthroline derivatives, and aluminum complexes.
  • an exciton block layer may be provided adjacent to the cathode side of the light emitting layer for the purpose of preventing excitons (excitons) from being deactivated by the cathode metal.
  • a compound having a larger excitation triplet energy than the light emitting compound can be used, and examples thereof include triazole derivatives, phenanthroline derivatives, and aluminum complexes.
  • Cathode As the material of the cathode 4, a material having a low work function and being chemically stable is used, and examples of known cathode materials such as Al, MgAg alloy, Al and alkali metal alloys such as AlLi and AlCa, etc. However, in view of chemical stability, the work function is preferably 2.9 eV or more. As a film forming method of these cathode materials, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used. The thickness of the cathode is preferably 10 nm to 1 ⁇ m, and more preferably 50 to 500 nm.
  • a metal layer having a work function lower than that of the cathode 4 is adjacent to the cathode 4 and the cathode 4 as a cathode buffer layer. It may be inserted between the EL layers 3.
  • Low work function metals that can be used for such purposes include alkali metals (Na, K, Rb, Cs), alkaline earth metals (Sr, Ba), and rare earth metals (Pr, Sm, Eu, Yb). Etc.
  • An alloy or a metal compound can also be used as long as it has a work function lower than that of the cathode.
  • the thickness of the cathode buffer layer is preferably 0.05 to 50 nm, more preferably 0.1 to 20 nm, and still more preferably 0.5 to 10 nm.
  • the cathode buffer layer can be formed as a mixture of the low work function substance and the electron transport compound.
  • an electron transport compound used here the organic compound used for the above-mentioned electron transport layer can be used.
  • a co-evaporation method can be used as a film forming method.
  • various coating methods such as a spin coating method, a dip coating method, and a spray method are used in addition to the nozzle coating method according to the present invention when coating by a solution is possible. May be.
  • the thickness of the cathode buffer layer is preferably from 0.1 to 100 nm, more preferably from 0.5 to 50 nm, and even more preferably from 1 to 20 nm.
  • the organic EL element 10 is organically contained in a sealed chamber 7 defined by the substrate 1 and the sealing member 6 bonded to the substrate 1 and having an opening on the substrate 1 side. Since the EL element 5 is accommodated, the organic EL element 5 is stable in the long term.
  • the sealing member 6 a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, a metal plate, or the like can be used.
  • the sealing member 6 is made of a thermosetting resin or a photocurable resin with the substrate 1. Since the organic EL element 5 is accommodated in the sealed chamber 7 defined by bonding, it is easy to prevent the organic EL element 5 from being damaged.
  • an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the sealed chamber 7, the oxidation of the cathode 4 can be prevented, and a desiccant such as barium oxide is installed in the sealed chamber 7 in the manufacturing process. It becomes easy to suppress the adsorbed moisture from giving the organic EL element 5 a target.
  • FIG. 2 An example of the manufacturing method of the organic EL element 10 with a sealing member of this invention is shown.
  • the manufacturing method of the organic EL element 10 with a sealing member of the present invention is as follows.
  • the organic EL layer 3 is formed in a region on the substrate 11 with an anode having the substrate 1 and the anode 2 and including at least a region to be bonded 12 to which the sealing member 6 is bonded and a region inside thereof.
  • step (A) at least a region on the anode-attached substrate 11 having the substrate 1 and the anode 2 and a region to be bonded 12 to which the sealing member 6 is bonded and a region inside thereof are included.
  • the organic EL layer 3 is formed in the region.
  • step (B) at least a portion of the organic EL layer 3 above the adherend region 12 is removed by plasma irradiation using a remote plasma method to expose the adherend region 12.
  • the adherent region 12 Since the portion above the adherend region 12 is removed by irradiating the portion with plasma by a remote plasma method, the adherent region 12 is easily exposed while suppressing damage to the light emitting region 31. . Since the adherend region 12 is activated by plasma irradiation, the adhesiveness with the sealing member 6 is higher than when the organic EL layer 3 is removed with a solvent, for example.
  • the cathode is not deteriorated by the active gas species generated by the plasma irradiation.
  • a fluorocarbon thin film as an anode buffer layer 21 is formed under the organic EL layer 3, for example (FIG. 3)
  • the fluorocarbon thin film can be removed together with the organic EL layer 3.
  • a conventional well-known device for example, described in Patent Document 3 (Claim 13), opens toward a base end portion connected to a discharge gas supply source and an object to be processed.
  • a discharge tube made of a dielectric material that defines a gas flow path between the front end and the discharge tube, and arranged upstream and downstream of the gas flow path along the discharge tube.
  • a surface treatment apparatus having a power supply electrode and a ground electrode that cause gas discharge in the discharge gas under a nearby pressure can be used.
  • the organic EL layer 3 is formed also in a region including at least the external power supply connection region 13 connected to the external power supply 8, and in the step (B), at least the adherend in the organic EL layer 3. Even if the portion above the region 12 and the portion above the external power supply connection region 13 are removed by plasma irradiation using a remote plasma method, not only the region to be bonded 12 but also the external power supply connection region 13 may be exposed. Good.
  • the external power source 8 can be connected to the exposed external power source connection region 13 by a conventionally known method.
  • the discharge gas does not contain as much particulates as possible to contaminate the surface of the substrate 11 with the anode. Therefore, in order to remove the fine particles, the discharge gas is preferably supplied to the plasma generator through a filter. Further, as this filter, a filter capable of removing fine particles having a particle diameter of 0.05 ⁇ m or more is preferable.
  • N 2 , He, O 2 , Ar, CO 2 and air are preferable, and air, O 2 , Ar and CO 2 are particularly preferable.
  • a waste solvent may be generated or the vapor of the solvent may damage or contaminate the organic EL layer 3 around the removal portion.
  • a discharge is generated with respect to the anode 2 and the anode 2 is damaged, or a region to be left in the organic EL layer 3 is an electrode.
  • the plasma spreads to avoid an insulator inserted between them.
  • the plasma irradiation is performed by the remote method, problems such as a solvent exhaust or damage to the anode do not occur, and damage to the organic EL layer 3 remaining in the vicinity of the removal portion can be suppressed.
  • the plasma-irradiated portion of the organic EL layer 3 may be removed by continuously irradiating plasma so as to draw substantially the same shape as the region to be bonded 12.
  • a method of continuously irradiating plasma so as to draw substantially the same shape as the adherend region 12 (I) A method of fixing the substrate 11 with an anode on which the organic EL layer 3 is formed and moving the plasma irradiation part p1.
  • the plasma by the remote method may be irradiated perpendicularly to the in-plane direction of the organic EL layer 3, and tilted with respect to the in-plane direction of the organic EL layer 3 (tilt angle ⁇ ( ⁇ ⁇ 90 °)). It may be irradiated.
  • the direction of plasma irradiation can be changed by adjusting the angle of the plasma irradiation part (head) p1 of the plasma irradiation apparatus with respect to the organic EL layer 3.
  • Damaged region 3 'in the vicinity of the portion (remains without being removed by plasma irradiation, but decreases in emission luminance when functioning as a light emitting region (e.g., the luminance of the light emitting region 31 that emits light normally) 2), and also referred to as “damaged region 3 ′”), as shown in FIG. 5B, becomes wider in the front of the plasma irradiation direction and becomes narrower in the rear of the plasma irradiation direction. There is a tendency.
  • plasma is irradiated toward the outside of the bonded region 12, that is, the cathode 4 is laminated in the organic EL layer 3 to function as the light emitting region 31. It is preferable to irradiate the plasma so that the portion is behind the plasma irradiation direction.
  • plasma irradiation is performed by a method of moving the anode-attached substrate 11 on which the organic EL layer 3 is formed, if an automatic stage with a ⁇ axis is used, the plasma irradiation direction is set outside the adhesion region 12. Can be maintained in the orientation.
  • the damaged region 3 ′ is more than when the barrier 91 is not provided (FIG. 6B). Can be narrowed. A possible reason for this is that the air flow that damages the organic EL layer 3 is blocked by the barrier 91.
  • the barrier 91 any material can be used as long as it does not change or deform with respect to the heat generated by the plasma. Specifically, a glass plate, a metal plate (iron, stainless steel, aluminum, brass, copper, titanium), a ceramic plate (alumina, boron nitride), etc. are mentioned.
  • the organic EL element 10 with a sealing member As a manufacturing method of the organic EL element 10 with a sealing member, as shown in FIG. 7, a plurality of organic EL elements 5 are formed on one substrate 1, and each organic EL element 5 is sealed. There is a method of manufacturing a plurality of organic EL elements 10 with a sealing member by dividing the substrate together.
  • a plurality of barriers 91 may be provided as shown in FIG. 6C, and the plasma irradiation mode shown in FIG. 6C is particularly different from the organic EL layer 3 in the manufacturing method shown in FIG.
  • the portion above the region to be bonded 12 (the region to be bonded 12A in FIG. 7) between the regions where the organic EL elements are to be formed is removed by plasma irradiation by a remote plasma method, the damaged region 3 in each organic EL element 5 is removed. This is useful in that ′ can be narrowed.
  • the heat sink 92 when plasma is irradiated in a state where the substrate 11 with the anode on which the organic EL layer 3 is formed is placed on the heat sink 92, the heat sink 92 is not used (FIG. 8B). ) Can be made narrower. A possible reason for this is that the heat dissipation plate 92 suppresses heat generation in the portion of the organic EL layer 3 irradiated with plasma.
  • the heat radiating plate 92 any material having high thermal conductivity can be used. Specifically, a metal plate (aluminum, copper, iron, brass, titanium) or the like can be used.
  • step (C) the cathode 4 is formed on the organic EL layer 3 remaining on the inner region of the adherend region 12 to complete the organic EL element 5.
  • step (D) the sealing member 6 is bonded to the exposed region 12 to be exposed.
  • the portion of the organic EL layer 3 remaining outside the adherend region 12 may or may not be removed, and in the case of removal, as the removing means, the above-described plasma irradiation, dissolution by a solvent Etc.
  • the solvent after the reprecipitation purification operation was analyzed by high performance liquid chromatography, and it was confirmed that a substance having an absorption of 400 nm or more could not be detected in the solvent after the third reprecipitation purification. In this way, impurities in the phosphorescent polymer compound were removed. Thereafter, the phosphorescent polymer compound was vacuum dried at room temperature for 2 days. It was confirmed by high performance liquid chromatography (detection wavelength: 254 nm) that the purity of the obtained phosphorescent polymer compound exceeded 99.9%.
  • This phosphorescent polymer compound was dissolved in toluene in a nitrogen atmosphere to obtain a solution A.
  • Example 1 A substrate 11 with an anode in which a transparent ITO (indium tin oxide) anode 2 is formed on a glass substrate 1 (shape: 125 mm ⁇ 125 mm square) is ultrasonically cleaned using a commercially available detergent, and then with ultrapure water. Washed with running water. The contact angle of the anode surface with respect to water was 25 °.
  • ITO indium tin oxide
  • the substrate 11 with anode dried after liquid cleaning is mounted in a plasma generating device, oxygen gas is introduced into the device, an AC voltage is applied to the device, discharge is started, oxygen plasma is generated, and anode
  • the substrate 11 was irradiated, that is, the anode-treated substrate 11 was subjected to plasma treatment by a direct method.
  • the internal pressure of the apparatus was 2 Pa (adjusted by the oxygen gas flow rate), the input power was 100 W, and the treatment time (plasma irradiation time) was 40 seconds.
  • the substrate with anode 11 was plasma-treated under the same conditions as described above except that the gas to be introduced was switched from oxygen gas to CHF 3 gas.
  • the contact angle of water on the anode surface after the plasma treatment increased to 70 °, and it was confirmed that the substrate surface with the anode was water repellent.
  • the solution A obtained in Production Example 1 was applied to the entire anode-side surface of the substrate 11 with the anode after the plasma treatment by a spin coating method (rotation speed: 3000 rpm, rotation time: 30 seconds), and the pressure was reduced with a vacuum dryer.
  • the organic EL layer 3 was formed by drying for 1 hour at 100 ° C. in the dark.
  • the thickness of the organic EL layer 3 was 80 nm (step difference measurement, measuring device: atomic force microscope (manufactured by Keyence Corporation, model VN-8010)), and the contact angle with water was 100 °.
  • a substrate with an anode on which an organic EL layer 3 is formed (hereinafter also referred to as “substrate with a light emitting layer”) is placed on a three-axis automatic stage, and atmospheric pressure plasma irradiation by a remote plasma method is performed immediately above the organic EL layer 3.
  • the plasma irradiation part (head) p1 of the apparatus (PVA TePla America Plasma Pen) emits light so that the plasma emission direction is perpendicular to the in-plane direction of the substrate with the light emitting layer and the plasma irradiation port of the plasma irradiation part p1. It was fixed to the Z-axis of the 3-axis automatic stage so that the separation distance from the layered substrate was 1 mm.
  • Dry air is supplied to the atmospheric pressure plasma irradiation apparatus as discharge gas through a line filter (manufactured by IAC Corporation, hollow fiber line filter, model number: LF-8, pore size: 0.05 ⁇ m), and pressurized (0.6 9), and the X-axis and Y-axis of the three-axis automatic stage are moved at a speed of 40 mm / s, so that the sealing member 6 in the organic EL layer 3 is formed as shown in FIG. Plasma was continuously radiated so as to draw a square of about 40 mm in the order of a ⁇ b ⁇ c ⁇ d ⁇ a in the upper part of the bonded area 12 to be bonded.
  • a line filter manufactured by IAC Corporation, hollow fiber line filter, model number: LF-8, pore size: 0.05 ⁇ m
  • Plasma was continuously radiated so as to draw a square of about 40 mm in the order of a ⁇ b ⁇ c ⁇ d ⁇ a in the upper part
  • the contact angle of water on the surface of the exposed ITO anode 2 with respect to water was 10 °, and it was confirmed that the ITO anode 2 that was made water-repellent by the previous plasma treatment was made hydrophilic.
  • the substrate with the light emitting layer after the plasma irradiation is introduced into a vacuum deposition apparatus, and a cathode buffer layer (Sr, film thickness 8 nm) is formed on the portion of the organic EL layer 3 remaining inside the plasma irradiated portion.
  • the cathode 4 Al, film thickness 100 nm was formed, and the obtained organic EL element 5 was taken out from the vacuum deposition apparatus into a glove box in a nitrogen atmosphere.
  • UV curing is applied to the edge of the sealing cap 6 (a sealing plate having a thickness of 1.1 mm and having an opening having a depth of 0.5 mm, leaving an edge having a width of 1 mm on one surface).
  • the adhesive was applied uniformly.
  • This sealing cap is taken out from the atmospheric atmosphere into the previous glove box, and the sealing cap and the organic EL element 5 are bonded together so that the adhesive applied to the sealing cap and the adherend region 12 overlap.
  • the organic EL element 10 with a sealing member was produced by irradiating these with ultraviolet rays and curing the adhesive.
  • the external power source 8 was connected to the exposed external power source connection region 13 of the ITO anode 2 and energized to emit light from the organic EL element 10 with a sealing member.
  • the luminance of a portion 32 (FIG. 10) within a distance of about 7 mm from the exposed portion of the substrate 11 with anode is about 2/3 or less compared to the luminance near the center of the light emitting region 31. It was.
  • a flexible cable and an anisotropic conductive film were attached to the exposed external power connection region 13 as an adhesive.
  • the external power supply 8 was connected through a flexible cable, energized, and it was confirmed that the organic EL element 10 with a sealing member emits light as in the case where the flexible cable was not used.
  • the flexible cable was joined sufficiently without moving easily by hand.
  • the sealing cap and the substrate were pulled in the opposite direction in the plane of the substrate surface, the sealing cap was broken when it was pulled with a force of about 10 kg.
  • Example 2 the plasma irradiation part (head) p1 shown in Example 1 is inclined with respect to the organic EL layer 3 (inclination angle ⁇ ), and the separation distance between the plasma irradiation port and the substrate with the light emitting layer is set.
  • the organic EL element 10 with a sealing member was prepared in the same manner as in Example 1 except that plasma irradiation was performed as described below, with approximately 1 mm.
  • the inclination angle ⁇ of the plasma irradiation part p1 with respect to the organic EL layer 3 is set to 45 °.
  • the plasma irradiation part p1 was set. This posture was set as the initial posture of the plasma irradiation unit p1, and plasma was continuously irradiated from the point a to the point b while maintaining this posture.
  • the plasma was irradiated from the point a to the point b toward the inside of the organic EL layer 3.
  • plasma was continuously irradiated from point b to point c while maintaining the above-described posture of the plasma irradiation unit p1.
  • the substrate with the light emitting layer was moved from the point b to the point c so that the plasma irradiation part p1 followed the irradiated plasma p2.
  • plasma was continuously irradiated from point c to point d while maintaining the above-mentioned posture of the plasma irradiation unit p1. From point c to point d, as shown in FIG. 11D, plasma was irradiated outward from the organic EL layer 3.
  • the plasma was continuously irradiated from the point d to the point a while maintaining the above-mentioned posture of the plasma irradiation part p1.
  • the substrate with the light emitting layer was moved in the direction in which the plasma irradiation part p1 was away from the irradiated plasma p2.
  • the external power source 8 was connected to the external power source connection region 13 of the created organic EL element 10 with the sealing member, and it was confirmed that the organic EL element 5 emitted light when energized.
  • the portion 33 within a distance of about 12 mm forward from the plasma irradiation direction from the portion irradiated with plasma, and about 5 mm backward from the plasma irradiation portion in the plasma irradiation direction.
  • the brightness of the portion 34 (FIG. 12) within the distance was about 2/3 or less compared to the brightness near the center of the light emitting region 31.
  • An organic EL element 10 with a sealing member was produced in the same manner as in Example 1 except that the ⁇ axis of the 4-axis automatic stage was rotated so that this posture was maintained in the section.
  • the external power source 8 was connected to the external power source connection region 13 of the created organic EL element 10 with the sealing member, and it was confirmed that the organic EL element 5 emitted light when energized.
  • the luminance of a portion within a distance of about 5 mm from the exposed portion of the anode-attached substrate 11 was about 2/3 or less compared to the luminance near the center of the light emitting region 31.
  • Example 4 In Example 4, when the organic EL layer 3 is irradiated with plasma, the glass plate 91 (plate thickness 0.7 mm, height 10 mm) is formed on the organic EL layer 3 and inward of the portion irradiated with the plasma. ) Obliquely (tilt angle with respect to the organic EL layer 3: 45 °) (the distance from the position where the plasma on the organic EL layer 3 is irradiated to the position where the glass plate 91 and the organic EL layer 3 are in contact is about The organic EL element 10 with a sealing member was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness was 4 mm (FIG. 13B).
  • the external power source 8 was connected to the external power source connection region 13 of the created organic EL element 10 with the sealing member, and it was confirmed that the organic EL element 5 emitted light when energized.
  • the luminance of the portion 32 (FIG. 14) within the distance of about 4 mm from the exposed portion of the substrate 11 with the anode in the light emitting region 31 is about 2/3 or less compared to the luminance near the center of the light emitting region 31. It was.
  • Example 5 when the organic EL layer 3 is irradiated with plasma by the method of the third embodiment, a vacuum suction chuck plate 92 made of aluminum having a plate thickness of 10 mm is installed on the 4-axis automatic stage, and this vacuum suction chuck The substrate 1 is brought into close contact with the plate 92 (FIG. 15B); Example 3 except that the relative speed of the plasma irradiation part p1 with respect to the substrate with the light emitting layer was changed to 120 mm / s and a series of plasma irradiations from a ⁇ b ⁇ c ⁇ d ⁇ a was repeated four times.
  • the organic EL element 10 with a sealing member was produced by the method described above.
  • the external power source 8 was connected to the external power source connection region 13 of the created organic EL element 10 with the sealing member, and it was confirmed that the organic EL element 5 emitted light when energized.
  • the luminance of the portion 32 (FIG. 16) within the distance of about 2 mm from the exposed portion of the anode-equipped substrate 11 in the light emitting region 31 is about 2/3 or less compared to the luminance near the center of the light emitting region 31. It was.
  • Substrate 11 Substrate with anode 12: Bonded region 13: External power supply connection region 2: Anode 21: Anode buffer layer 3: Organic EL layer 4: Cathode 5: Organic EL element 6: Sealing member 7: Sealed chamber 8 : External power supply 10: Organic EL element with sealing member p1: Plasma irradiation part p2: Plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

［課題］有機ＥＬ素子の製造方法において、発光部の有機ＥＬ層にダメージを抑制しつつ容易に、有機ＥＬ層の一部を除去して位置選択的に基板の露出部を形成する技術を提供すること。 ［解決手段］封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板と陽極とを有する陽極付き基板の上の領域であって、封止部材が接着される被接着領域およびその内側の領域を少なくとも含む領域に有機ＥＬ層を形成する工程、前記有機ＥＬ層のうち、少なくとも前記被接着領域の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域を露出させる工程、前記有機ＥＬ層の上に陰極を形成して有機ＥＬ素子を完成させる工程、および露出された前記被接着領域に封止部材を接着する工程を含むことを特徴とする封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法。

Description

封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
　本発明は、封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」とも記す。）素子の製造方法に関する。
　一般に、封止部材付き有機ＥＬ素子は、図１７に示すように、透明基板１の表面に透明陽極２、有機ＥＬ層３および陰極４の順で積層されてなる積層体が形成され、この積層体を覆うようにして有天筒状の封止部材６が前記基板１上に接着剤ａで固定されてなる。この接着剤は、封止部材６の開口面に塗布されている。このように、封止部材付き有機ＥＬ素子は、透明陽極、有機ＥＬ層および陰極からなる積層体を透明基板１と封止部材６とで接着剤により封止することにより作製される。
　しかしながら、有機ＥＬ素子は、寿命が短く、一定期間を経ると、発光輝度、発光均一性等の発光性能が初期に比べて著しく劣化するという欠点がある。このような発光性能の劣化は、封止部材６の内側で生成された水分や、外部から接着剤ａを通って有機ＥＬ素子内部に侵入した水分が原因となって、封止部材６の内側の有機ＥＬ素子が劣化するからであると知られている。このため、有機ＥＬ素子と封止部材６との間等に吸湿剤ｂが配設されている。
　特許文献１には、水分が封止部材６の内側で生成したり、接着剤ａを通過して封止部材６内部に侵入することによる有機ＥＬ素子の劣化を防ぐための方法として、透明基板１と封止部材６とで封止する有機ＥＬ素子の封止方法において、その封止に先立って、上記透明基板１と封止部材６とが封止の際に当接する互いの面を、大気圧プラズマにより処理することを特徴とする有機ＥＬ素子の封止方法が開示されている。この方法によれば、透明基板１における処理面では、基板１表面のＳｉＯ2膜等の膜ｃが大気圧プラズマにより除去されるとともに処理面が粗面化され、封止部材における処理面では、大気圧プラズマにより活性化されるとともに処理面が粗面化され、これら処理面同士を接合させることにより、処理面は密着し、有機ＥＬ素子の寿命が延びると記載されている。
　前述したように、一般に、有機ＥＬ素子を封止する際には、基板１と封止部材６とを、基板１上の有機ＥＬ素子が形成されていない領域に設けられた接着剤ａを介して接着させる。したがって、一般には、基板１の外周部付近には有機ＥＬ素子を形成しない。
　しかしながら、有機ＥＬ層３を、低分子化合物を蒸着することによって形成する場合には、蒸着マスクを用いて蒸着を行うために、基板１上の外周部を避けて基板１の中央部のみに有機発光層を容易に形成できるが、有機ＥＬ層３を、高分子化合物を塗布する（例：スピンコート）によって形成する場合には、基板１上の外周部を避けて基板１の中央部のみに有機発光層を形成することは困難である。したがって、基板１の外周部にまで有機ＥＬ層３を形成した場合には、接着剤ａを塗るために、基板１の外周部上に形成された有機ＥＬ層３を除去して、基板１の露出部を形成する必要があった。
　特許文献２には、基板上に、発光部（有機ＥＬ素子）と非発光部とを有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、発光部と非発光部との間に撥液部を形成した後、有機層のうちの少なくとも１層を塗布法により形成し、撥液部よりも外側の非発光部に形成された有機層をその形成後に溶剤により拭き取り除去することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されており、この製造方法によれば、基板１の外周部上に形成された有機発光層を除去することができる。
　一方、大気圧下でのプラズマによる表面処理の方式には、電極と被処理材との間で直接気体放電を生じさせる直接方式と、電源電極と接地電極との間での放電により励起活性種を生成しかつこれを含むガス流を被処理材表面に噴出させる間接方式とがある。間接方式は、直接方式に比して処理レートが低いので高出力を要求される場合があるが、チャージアップあるいはアーク放電による被処理材の損傷のおそれが無く、しかもガス流を噴出させるノズルの形状を変えたりガスの流量を調整することによって、被処理材の形状や処理範囲の制限に対応した局所的な表面処理が可能である。この間接方式のプラズマによる表面処理方法および該方法に用いられる装置は、たとえば特許文献３、４などに開示されている。
　有機物をプラズマ照射により除去する技術としては、フォトリソグラフィにおいて、ドライエッチング後に基板上に残ったフォトレジストを除去するために、プラズマを発生させ、気相中で有機物であるフォトレジストを分解除去するプラズマアッシングが知られている（たとえば、特許文献５、特許文献６）。
特開２００４－１２７６６０号公報 特開２００４－１５２５１２号公報 特開平９－２３２２９３号公報 特開平１０－１９９６９７号公報 特開２００２－１５１４７６号公報 特開２００３－１９７３９７号公報
　特許文献１に記載の方法で基板をプラズマ処理する場合には、
　基板上に導電体（たとえば、電極）が存在するためにプラズマの放電状態が乱れ、そのためプラズマ処理面の状態にむらが生じたり、予定されていない部分までもがプラズマ処理されたりする；
　放電用の高圧電極の面積が処理対象の基板の面積とほぼ同じであるため、発生した活性ガス種（たとえば、オゾン）の行き場が失われ、この活性ガスによって、プラズマ処理が予定されていない発光層がダメージを受ける
などの問題がある。
　このため、残存させるべき有機ＥＬ層３が全体的に損傷を受ける場合がある。
　また、この方法では陰極形成後にプラズマ処理が行われるが、陰極が、プラズマ照射で発生する活性ガス種により劣化してしまうという問題があった。
　一方、特許文献２に記載された、有機層を溶剤により拭き取り除去するという方法では、有機ＥＬ素子が複数の有機層を備える場合に、有機層毎に溶剤を選択してこの除去工程を複数回繰り返さなければならないという問題や、有機ＥＬ素子が溶剤に不溶な膜（例えば、フッ化炭素膜などの陽極バッファー層）などを備える場合に、これらの膜を除去できないという問題があった。
　また、この方法には、発光部と非発光部との間に、有機ＥＬ素子には本来必要の無い撥液部を形成しなければならず、工程が複雑化するという問題もあった。
　本発明は、このような従来技術に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子の製造方法において、発光部の有機ＥＬ層へのダメージを抑制しつつ容易に、有機ＥＬ層の一部を除去して基板の露出部を位置選択的に形成する技術を提供することを目的としている。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究し、本発明を完成させた。本発明は、たとえば以下の［１］～［５］に関する。
　［１］　封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　前記封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子が、
　基板と、
　前記基板に接着された、基板側が開口された封止部材と、
　前記基板上に形成され、前記基板および前記封止部材によって画成された密閉室内に収容された、陽極、少なくとも１層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子と
からなり、
　前記製造方法が、
　前記基板と前記陽極とを有する陽極付き基板の上の領域であって、前記封止部材が接着される被接着領域およびその内側の領域を少なくとも含む領域に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程（Ａ）、
　前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち、少なくとも前記被接着領域の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域を露出させる工程（Ｂ）、
　前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に前記陰極を形成して前記有機エレクトロルミネッセンス素子を完成させる工程（Ｃ）、および
　露出された前記被接着領域に前記封止部材を接着する工程（Ｄ）
を含む
ことを特徴とする封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　［２］　前記陽極付き基板が、前記陽極の上に形成された陽極バッファー層をさらに有することを特徴とする前記［１］に記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　［３］　前記陽極バッファー層がフッ化炭素からなることを特徴とする前記［２］に記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　［４］　前記有機エレクトロルミネッセンス層が塗布法により形成されることを特徴とする前記［１］～［３］のいずれかに記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　［５］　前記工程（Ａ）が、前記陽極付き基板上の領域であって、前記封止部材が接着される被接着領域、その内側の領域および前記陽極上であって外部電源と接続される外部電源接続領域を少なくとも含む領域に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程であり、
　前記工程（Ｂ）が、前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち、少なくとも前記被接着領域の上の部分および前記外部電源接続領域の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域および前記外部電源接続領域を露出させる工程である
ことを特徴とする前記［１］～［４］のいずれかに記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　本発明によれば、封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法において、発光部の有機ＥＬ層へのダメージを抑制しつつ容易に、有機ＥＬ層の一部を除去して基板の露出部を位置選択的に形成することができる。
図１は、封止部材付き有機ＥＬ素子の概略断面図である。 図２は、本発明の封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す。 図３は、陽極バッファー層および有機ＥＬ層が設けられた陽極付き基板の一例の概略断面図である。 図４は、本発明の封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す。 図５は、プラズマの照射形態と損傷領域３′との関係を示す概略断面図である。 図６は、プラズマの照射形態と損傷領域３′との関係を示す概略断面図である。 図７は、本発明の封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す。 図８は、プラズマの照射形態と損傷領域３′との関係を示す概略断面図である。 図９（Ａ）は、実施例１で用いられた発光層付き基板の概略平面図であり、図９（Ｂ）は、該発光層付き基板へのプラズマ照射形態を概略的に示す図であり、図９（Ｃ）は、該発光層付き基板へのプラズマ照射形態を概略的に示す斜視図である。 図１０（Ａ）は、実施例１で製造された封止部材付き有機ＥＬ素子の概略断面図であり、図１０（Ｂ）は、この封止部材付き有機ＥＬ素子を発光面側から見た場合の概略平面図である。 図１１（Ａ）は、実施例２で用いられた発光層付き基板の概略平面図であり、図１１（Ｂ）～（Ｅ）は、該発光層付き基板へのプラズマ照射形態を示す図である。 図１２（Ａ）は、実施例２で製造された封止部材付き有機ＥＬ素子の概略断面図であり、図１２（Ｂ）は、この封止部材付き有機ＥＬ素子を発光面側から見た場合の概略平面図である。 図１３（Ａ）は、実施例４で用いられた発光層付き基板の概略平面図であり、図１３（Ｂ）は、該発光層付き基板へのプラズマ照射形態を示す図である。 図１４（Ａ）は、実施例４で製造された封止部材付き有機ＥＬ素子の概略断面図であり、図１４（Ｂ）は、この封止部材付き有機ＥＬ素子を発光面側から見た場合の概略平面図である。 図１５（Ａ）は、実施例５で用いられた発光層付き基板の概略平面図であり、図１５（Ｂ）は、該発光層付き基板へのプラズマ照射形態を示す図である。 図１６（Ａ）は、実施例５で製造された封止部材付き有機ＥＬ素子の概略断面図であり、図１６（Ｂ）は、この封止部材付き有機ＥＬ素子を発光面側から見た場合の概略平面図である。 図１７は、従来の封止部材付き有機ＥＬ素子の一例の概略断面図である。
　以下に、図面を参照しながら本発明の封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法をより詳細に説明する。
　　　　　　　　　　［封止部材付き有機ＥＬ素子］
　図１は、本発明の製造方法により製造される封止部材付き有機ＥＬ素子１０の構成の一例を示す断面図であり、この封止部材付き有機ＥＬ素子１０は、基板１と、基板１に接着された、基板１側が開口された封止部材６と、前記基板１上に形成され、前記基板１および前記封止部材６によって画成された密閉室７内に収容された、陽極２、少なくとも１層の発光層を含む有機ＥＬ層３および陰極４を有する有機ＥＬ素子５とからなる。
　なお、本明細書において、基板１から陽極２に向かう方向を便宜上「上」と記す。
　≪Ａ．素子構成≫
　この有機ＥＬ素子５の構成としては、陽極２と陰極４との間に順次、有機ＥＬ層３を含む層として１）発光層／電子輸送層、２）陽極バッファー層／発光層、３）陽極バッファー層／発光層／電子輸送層、４）陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、５）陽極バッファー層／正孔輸送性化合物、発光性化合物、電子輸送性化合物を含む発光層、６）陽極バッファー層／正孔輸送性化合物、発光性化合物を含む発光層、７）陽極バッファー層／発光性化合物、電子輸送性化合物を含む発光層、８）陽極バッファー層／正孔電子輸送性化合物、発光性化合物を含む発光層、９）陽極バッファー層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層を設けた素子構成などを挙げることができる。また、発光層は１層であってもよく、２層以上存在してもよい。
　なお、本明細書中においては、特に断りのない限り、電子輸送性化合物、正孔輸送性化合物、発光性化合物の全てあるいは一種類以上からなる化合物を有機ＥＬ化合物、また層を有機ＥＬ化合物層と呼ぶこととする。
　≪Ｂ．基板≫
　前記基板１としては、発光性化合物の発光波長に対して透明な絶縁性基板、たとえば、ガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリカーボネートを始めとする透明プラスチックなどの既知のフレキシブルな材料を使用できる。たとえば基板形状が四角形であるならば、その辺の長さは、たとえば２０～２０００ｍｍ程度、好ましくは１００～１０００ｍｍ程度である。
　≪Ｃ．陽極≫
　陽極２としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物に代表される導電性で光透過性の層が最も一般的である。有機発光を基板を通して観察する場合には、陽極および基板の光透過性は必須であるが、有機発光をトップエミッション、すなわち上部の電極を通して観察する用途では陽極の透過性は必要なく、仕事関数が4.1ｅＶよりも高い金属あるいは金属化合物のような適当な任意の材料を陽極として用いることができる。
　例えば、金、ニッケル、マンガン、イリジウム、モリブテン、パラジウム、白金などを組み合わせて、あるいは単一で用いることが可能である。この陽極は、金属の酸化物、窒化物、セレン化物及び硫化物からなる群より選ぶこともできる。また、光透過性の良好なＩＴＯの表面に、光透過性を損なわないように１～３ｎｍの薄い膜として、上記の金属を成膜したものも陽極として用いることができる。これらの陽極材料表面への成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学反応法、コーティング法、真空蒸着法などを用いることができる。陽極の厚さは２～３００ｎｍが好ましい。
　陽極２の具体的な例としてＩＴＯを用いて説明する。
　ガラス基板１上に成膜されたＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィー技術を用いて、所定の形状の電極にパターニング形成する。このようにして、ガラス基板の表面上には、所望の形状のＩＴＯ電極２が複数個形成される。
　≪Ｄ．陽極表面処理、陽極バッファー層≫
　陽極２の表面を処理（表面処理）することにより、オーバーコートされる層の性能（陽極基板との密着性、表面平滑性、正孔注入障壁の低減化など）を改善してもよい。処理する方法には高周波プラズマ処理を始めとしてスパッタリング処理、コロナ処理、ＵＶオゾン照射処理、または酸素プラズマ処理などがある。
　この処理の際にマスク等を使用すると、基板１の露出領域（陽極２が形成されていない領域）表面を処理せず、陽極２の表面のみを局所的に処理することができる。
　この表面処理により陽極バッファー層２１を形成してもよく、その厚さは、好ましくは０．２～３０ｎｍであり、より好ましくは０．２～１０ｎｍである。陽極バッファー層形成後の性質としては、陽極バッファー層上に積層される化合物（以下「有機ＥＬ化合物」ともいう。）の塗布により再溶解しないこと、塗布工程時の物理的衝撃により飛散、拡散しないこと、発光性化合物と良好な付着性を有すること、適切なイオン化ポテンシャルを有することが挙げられる。
　有機ＥＬ化合物との良好な付着性を有する化合物の例としては、有機ＥＬ化合物と強固な相互作用を有する部分構造を有する化合物が望ましい。部分構造としては、例えば、特に疎水性相互作用が期待できる芳香環、アルキル鎖、フッ素などを適宜含んでいる構造が望ましい。また、適切なイオン化ポテンシャルとしては、用いる有機ＥＬ化合物の種類にも依るが、4.5～6.0ｅＶが好ましく、4.8～5.5ｅＶが更に好ましい。
　陽極バッファー層２１は、フルオロアルキルシランなどのなどの撥水性の溶液を塗布して成膜するほか、高周波（ＲＦ）プラズマ処理などのドライプロセスによって成膜することが可能である。特に、有機物ガスにグロー放電を当てることによって有機物ガスが固層上に固体として析出する高周波プラズマ処理によれば、密着性に優れ、耐久性の高い膜が得られる。例えば、気体状のフルオロカーボンをＲＦプラズマ内でグロー放電させ、基板と接触させることにより、基板上にフルオロカーボンから成る陽極バッファー層（以下「フッ化炭素薄膜」ともいう。）を形成できる。気体状のフルオロカーボンは、ＣＦ4、Ｃ3Ｆ8，Ｃ4Ｆ10、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ4及びＣ4Ｆ8からなる群より選ぶことができる。このフッ化炭素薄膜は撥水性を有する。
　このフッ化炭素薄膜に封止部材を接着したり、外部電源を接続することは困難である。したがって、封止部材の接着箇所および外部電源の接続箇所のフッ化炭素薄膜を除去することが好ましい。
　プラズマの発生は、装置庫内に適切なパワーレベルで高周波（ＲＦ）電圧を印加（出力）することにより行われる。反応温度は、出力とガス流量、処理時間などのパラメータに依存して変化するが、装置庫内に温度調整機能を設けて適宜膜厚を再現性よく調整することが好ましい。このようにして得られる薄膜、特にフッ化炭素薄膜が表面に形成された陽極付きガラス基板１１表面の接触角は、３０°～１７０°まで変動する。この値は有機ＥＬ素子の発光効率および耐久性に関連があり、これらを良好にするためには、４０°～１５０°が好ましく、６０°～１２０°がさらに好ましい。
　陽極バッファー層をウェットプロセスにて塗布して作製する場合には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法などを用いて成膜することが出来る。
　上記ウェットプロセスによる成膜で用い得る化合物は、陽極表面とその上層に含まれる有機ＥＬ化合物に良好な付着性を有した化合物であれば特に制限はないが、これまで一般に用いられてきた陽極バッファーを適用することがより好ましい。例えば、ポリ（３，４）－エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸塩との混合物であるＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ、ポリアニリンとポリスチレンスルホン酸塩との混合物であるＰＡＮＩなどの導電性ポリマーを挙げることができる。さらに、これら導電性ポリマーにトルエン、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤を添加して用いてもよい。また、界面活性剤などの第三成分を含む導電性ポリマーでもよい。前記界面活性剤としては、例えばアルキル基、アルキルアリール基、フルオロアルキル基、アルキルシロキサン基、硫酸塩、スルホン酸塩、カルボキシレート、アミド、ベタイン構造、及び第４級化アンモニウム基からなる群から選択される１種の基を含む界面活性剤が用いられるが、フッ化物ベースの非イオン性界面活性剤も用い得る。
　（表面処理方法（α））
　また、たとえば以下の（α１）～（α１１）の方法によって陽極２の表面を処理してもよい。
　（α１）　陽極２と、Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物のアルカリ性溶液とを接触させる接触工程を含むことを特徴とする陽極２の表面処理方法。
　（α２）　前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物がケイ酸塩であることを特徴とする前記［ｓ１］に記載の陽極２の表面処理方法。
　（α３）　前記ケイ酸塩が、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸ルビジウムおよびケイ酸リチウムからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする前記（α２）に記載の陽極２の表面処理方法。
　（α４）　前記アルカリ性溶液が前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物をＳｉ原子換算で０．００１～１５質量％含むことを特徴とする前記（α１）～（α３）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　（α５）　前記アルカリ性溶液がアルカリ金属イオンを含み、該アルカリ性溶液中の該アルカリ金属イオンのモル濃度が、前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物のＳｉ原子換算モル濃度の０．１～１０倍であることを特徴とする前記（α１）～（α４）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　（α６）　前記アルカリ性溶液に前記陽極２を浸漬することにより前記接触工程を行うことを特徴とする前記（α１）～（α５）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　（α７）　前記アルカリ性溶液を前記陽極２に吹き付けることにより前記接触工程を行うことを特徴とする前記（α１）～（α５）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　（α８）　前記接触工程の後、陽極２を水で洗浄する洗浄工程をさらに含むことを特徴とする前記（α１）～（α７）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　（α９）　ブラシ洗浄法、二流体洗浄法、超音波洗浄法および高圧ジェット洗浄法からなる群から選ばれる少なくとも１つの方法により前記洗浄工程を行うことを特徴とする前記（α８）に記載の陽極２の表面処理方法。
　（α１０）　前記洗浄工程の後のいずれかの段階で陽極２を６０～２５０℃に加熱する加熱工程をさらに含むことを特徴とする前記（α１）～（α９）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　（α１１）　前記洗浄工程の後のいずれかの段階で陽極２に紫外線を照射するＵＶ照射工程をさらに含むことを特徴とする前記（α１）～（α１０）のいずれかに記載の陽極２の表面処理方法。
　これらの陽極２の表面処理方法（以下「表面処理方法（α）」とも記す。）によれば、ＩＴＯなどの陽極２の仕事関数を容易に高めることができる。
　陽極２を表面処理方法（α）によって、仕事関数の高い陽極２を備えた封止部材付き有機ＥＬ素子１０を、容易に製造することができる。
　陽極２を表面処理方法（α）によって、封止部材付き有機ＥＬ素子１０の発光特性（発光効率、寿命）を向上させることができる。
　陽極２を表面処理方法（α）によって、表面処理された陽極２の、発光層形成用溶液に対する濡れ性が向上するため、特に発光層を塗布法によって形成する場合に、均一で平滑性の高い発光層を形成することができ、その結果、輝度ムラや欠陥のない良質な発光面を有し漏れ電流の無い封止部材付き有機ＥＬ素子１０が提供される。
　＜接触工程＞
　前記表面処理方法（α）は、陽極２（通常は、陽極付き基板１１）と、Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物のアルカリ性溶液とを接触させる接触工程を含むことを特徴としている。
　前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物としては、ケイ酸塩が好ましく、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸ルビジウムおよびケイ酸リチウムからなる群から選ばれる少なくとも１種のケイ酸塩（ケイ酸のアルカリ金属塩）がさらに好ましい。前記化合物としてこれらの化合物を用いると、常温・常温付近で安定なアルカリ性溶液を得ることができる。
　また前記ケイ酸塩の態様としては、オルトケイ酸塩、メタケイ酸塩、ポリケイ酸塩などが挙げられる。
　前記ケイ酸塩としては、鎖状のケイ酸イオンとアルカリ金属イオンとからなるケイ酸塩が好ましい。このようなケイ酸塩を用いると、ケイ酸イオンの分子量などにもよるが、ゲル化せず、前記接触工程で用いる上で操作性に優れた粘度（0.1～100センチポアズ程度）を持つ前記アルカリ性溶液を得ることができる。
　前記溶液の溶媒としては、水酸基を有する化合物および水が好ましく、アルコールおよび水がさらに好ましく、水が特に好ましい。これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。溶媒としてこれらの化合物を用いると、たとえば前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物がケイ酸塩である場合には、溶媒が、前記ケイ酸イオンおよびアルカリ金属イオン等のカチオンを溶媒和することで、ケイ酸イオン同士を引き離すことができ、均質な溶液が得られる。
　前記溶液としては、ケイ酸塩の溶液が好ましく、前記のケイ酸塩のアルカリ金属塩の水溶液がさらに好ましく、水ガラスの希釈水溶液が特に好ましい。これらの溶液においては、特に溶媒が水の場合には、上述したようにケイ酸イオン同士を引き離すことができる。また、前記溶液中にアルカリ金属イオンおよび水が含まれる場合には、PearsonのHard Soft Acid Base Principleに基づくとアルカリ金属イオンは硬い酸であり、水は硬い塩基であるから、アルカリ金属イオンは強く溶媒和（水和）され、その結果、溶液中でケイ酸イオンは安定に存在することができる。
　また前記溶液はアルカリ性溶液であり、その室温（２５℃）でのｐＨは、通常９～１４、好ましくは１０～１３である。ｐＨが高すぎると陽極２が腐食（溶解）する場合があり、ｐＨが低すぎると、溶液がゲル化したり、ケイ酸イオン等の前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物に由来するイオンの濃度が低いために、接触処理工程中に処理の程度が変化するなど、接触処理工程が不安定になる場合がある。
　また前記アルカリ性溶液を常温常圧で大気中に放置した場合、大気に含まれる炭酸ガスが前記アルカリ性溶液に溶解する結果、非常に緩やかではあるが、前記アルカリ性溶液のｐＨが徐々に低下する。これを防止するために、前記アルカリ性溶液を長時間保存する場合は、気密性の高い容器に収容することで大気との接触を遮断することが好ましい。
　前記溶液中の前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物（または、前記溶液中で該化合物に由来するケイ酸イオン）の濃度は、Ｓｉ原子換算で、通常２０質量％以下であり、好ましくは０．００１～１５質量％であり、より好ましくは０．０１～３質量％であり、さらに好ましくは０．０５～１質量％である。前記濃度が高いと、前記接触工程に要する時間を短くすることができ、前記濃度が低いと前記接触工程の再現性および制御が容易になり前記接触工程が安定化する。一方、前記濃度がこの範囲より高いと、前記接触工程の再現および制御が困難となったり、前記接触工程終了後に陽極２の表面から前記溶液を除去することが困難になったりする場合があり、前記濃度がこの範囲よりも低いと、前記接触工程に要する時間が長くなったり、接触処理工程中の溶液の濃度変化が接触処理の程度に及ぼす影響が大きくなり、接触処理工程が不安定になったりする場合がある。
　前記アルカリ性溶液中の前記アルカリ金属イオンの濃度は、前記Ｓｉ－Ｏ結合を有する化合物（溶液中で、ケイ酸イオン等にイオン化している場合にはそのイオン）のＳｉ原子換算濃度の好ましくは０．１～１０倍、さらに好ましくは０．２５～２倍である。濃度がこの範囲にあると、アルカリ金属イオンがケイ酸イオンの対イオンとして、ケイ酸イオンを溶液中で安定に存在させることができる。
　前記溶液の粘度は、好ましくは、前記溶液に前記陽極２を浸漬したり、前記溶液を前記陽極２に吹き付けたりできる程度の粘度（０．１～１００センチポイズ程度）である。
　前記アルカリ性溶液は、界面活性剤をさらに含んでいても良い。界面活性剤を用いると、前記アルカリ性溶液の表面張力が低下し、前記アルカリ性溶液が前記陽極２に濡れやすくなるため、上述した接触処理をより均一に行うことができる。
　この界面活性剤としては、具体的には、非イオン系界面活性剤および／またはカルボン酸系界面活性剤が使用される。
　前記非イオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、アシルグリセリンなどが挙げられ、前記カルボン酸系界面活性剤としては、脂肪族モノカルボン酸塩（脂肪酸石けん）、アルカノイルサルコシンなどが挙げられる。
　これらの界面活性剤は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　前記接触工程は、好ましくは、前記溶液に処理対象である陽極２または陽極付き基板１１を浸漬することにより、または前記溶液を処理対象である陽極２または陽極付き基板１１に吹き付けることにより行われる。これらの方法で接触工程が行われると、陽極２または陽極付き基板１１の表面全体が同時にかつ均一に処理される。
　前記溶液に陽極２または陽極付き基板１１を浸漬することにより接触工程を行う場合には、前記アルカリ溶液の濃度および温度、浸漬の時間、ならびに攪拌装置を管理することで、陽極２の表面処理の再現性を高めることができる。
　浸漬により接触工程が行われる場合には、前記陽極２の表面を、より一層ムラ無く処理する観点から、浸漬の際に、前記陽極２を揺り動かしたり、前記溶液を攪拌したり、前記溶液に超音波を照射したりすることが好ましい。
　前記溶液を陽極２または陽極付き基板１１に吹き付けることにより接触工程を行う場合、溶液を吹き付けるための部材を固定し、この部材に対して陽極２または陽極付き基板１１を移動させながら前記溶液の吹き付けを行えば、陽極２または陽極付き基板１１を連続的に処理することができ、また、大型の陽極付き基板１１も容易に処理できる。
　吹き付けにより接触工程が行われる場合には、前記陽極２の表面を、より一層ムラ無く処理する観点から、前記陽極２の全体に前記溶液を吹き付けたり、超音波ノズルを用いて前記溶液を吹き付けたり、２流体ノズルを用いて前記溶液を吹き付けたり、高圧ノズルを用いて前記溶液を吹き付けたりすることが好ましい。
　前記溶液の温度は、好ましくは１０℃～９０℃であり、さらに好ましくは２５～６０℃である。温度がこの範囲よりも高いと、接触工程に要する時間が短くなり過ぎて、陽極２の表面処理の再現困難となったり、前記陽極２の表面が腐食（溶解）したり、溶媒の蒸発量が増えて前記溶液の濃度変化が大きくなり、陽極２を、一の陽極内で、また複数の陽極間で均一に表面処理することが困難となったりする場合がある。一方、温度がこの範囲よりも低いと、接触工程に要する時間が過度に長くなる場合がある。
　前記接触工程に要する時間は、溶液濃度や接触工程における温度などを考慮しつつ、適宜設定すればよい。
　前記接触工程は、大気圧下で行うことできるため、真空チャンバーの使用等の煩雑な操作を必要としない。
　表面処理方法（α）によれば、陽極２の仕事関数が高められる。ここで「仕事関数が高い」とは「仕事関数の絶対値が大きい」の意味である。
　表面処理方法（α）によれば、表面処理前の陽極２の表面状態にもよるが、たとえば陽極２がＩＴＯ電極である場合には、その仕事関数（絶対値）を、接触前の通常－４．８ｅＶ程度から、－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．２～－６．０ｅＶにまで高めることができる。
　なお、前記仕事関数の値は、大気中で紫外線光電子分光分析法により測定された値である。
　表面処理方法（α）によれば、陽極２の処理面の平滑性を高めることができる。たとえば陽極２がＩＴＯ電極である場合には、表面処理の条件等にもよるが、表面処理されたＩＴＯ電極の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．６ｎｍ以下、さらに好ましくは０．４ｎｍ以下である。
　また、表面が粗い陽極２を用いた場合には、陽極２表面の凸部によって発光層にピンホールが形成され、有機ＥＬ素子５にショートや漏れ電流を生じさせると考えられるところ、表面処理方法（α）で表面処理された陽極２の表面は平滑であるから、有機ＥＬ素子５のショートを防止し、かつ漏れ電流を低減できると考えられる。
　表面処理方法（α）によって表面処理された陽極２を用いると、有機ＥＬ素子５の発光効率を高め、発光寿命を延ばすことができ、また、均一で平滑性の高い発光層を形成することができ、輝度ムラや欠陥のない良質な発光面を有し漏れ電流の無い有機ＥＬ素子５を製造することができる。
　表面処理方法（α）による陽極２の表面処理のメカニズムは必ずしも明らかではないが、本発明者らは、たとえば以下のようなメカニズムにより陽極２が表面処理されると考えている。
　前記アルカリ溶液中にはケイ酸イオンが存在し、このケイ酸イオンが、陽極２の表面にその全体を覆うように吸着し、陽極２の表面との間で酸化還元反応することにより、または大気に由来する炭酸イオン等と反応することにより、陽極２の表面に酸化ケイ素からなる薄膜が形成されると考えられる。
　そして、この酸化ケイ素からなる薄膜が形成されることにより、陽極２の仕事関数が大きくなると考えられる。
　また、前記薄膜の形成により陽極２の表面の平滑度が大きくなるとも考えられる。
　陽極２の表面に前記の酸化ケイ素からなる薄膜が形成されると考えるならば、この薄膜は高い絶縁性を有し、この高い絶縁性が有機ＥＬ素子の発光寿命の向上に寄与すると考えられる（J. Li et al., Synthetic Metals 151 (2005) 141-146参照）。
　また表面処理方法（α）により表面処理された陽極２は、表面処理されていない陽極２よりも、有機ＥＬ層３の形成に用いられる高分子化合物溶液に対する濡れ性が高い。したがって、表面処理方法（α）により表面処理された陽極２を用いると、陽極２の上に高分子化合物溶液を均一に塗布し、均一な有機ＥＬ層３を形成することができる。
　陽極２がＩＴＯからなる場合、表面処理の条件などにもよるが、ＩＴＯ電極の水に対する接触角は、表面処理前は１０～９０°程度であるのに対し、表面処理後は１０°未満である。
　＜洗浄工程＞
　前記接触工程後の陽極２に残存する溶液を放置すると、陽極２の表面処理がさらに進行するために、また溶媒蒸発後に陽極２の表面に溶質が析出するために、有機ＥＬ素子５の電気的短絡、発光面の傷などが生じることがある。このため、表面処理方法（α）においては、前記接触工程の後に、陽極２を水で洗浄する洗浄工程をさらに設け、接触工程後の陽極２の表面から、前記溶液を除去することが好ましい。
　前記洗浄の方法としては、ブラシ洗浄法（陽極２または陽極付き基板１１に水をかけながら、該陽極２または陽極付き基板１１を、回転させたロール状ブラシで洗浄する方法）、二流体洗浄法（圧縮空気（0.2～1.0MPaに加圧）と洗浄水（0.2～1.0MPaに加圧）とを、ノズルを通じて同時に陽極２または陽極付き基板１１に噴射して、該陽極２または陽極付き基板１１を洗浄する方法）、超音波洗浄法（内部に超音波発信部を備えたノズルから超音波を帯びた水を陽極２または陽極付き基板１１に噴射して、該陽極２または陽極付き基板１１を洗浄する方法）および高圧ジェット洗浄法（0.2～10.0MPaに加圧した水を陽極２または陽極付き基板１１に噴射して、該陽極２または陽極付き基板１１を洗浄する方法）などが挙げられる。これらの方法により洗浄を行うと、前記溶液をより確実に除去することができる。前記ブラシ洗浄法に用いられるブラシの材質としてはナイロン、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂などが挙げられる。
　またブラシ洗浄法で洗浄する場合には、前記溶液をより確実に除去するために、陽極２または陽極付き基板１１をあらかじめ水と接触（例：陽極２等へ水を噴射、水中へ陽極２等を浸漬）させることが好ましい。
　＜加熱工程＞
　また、表面処理方法（α）は、前記洗浄工程の後に陽極２を６０～２５０℃、好ましくは８０～２００℃に加熱する加熱工程をさらに含むことが好ましい。この加熱工程は、有機ＥＬ層３を形成する以前に行われる。この加熱の手段としては、赤外線照射、温風照射、ハロゲンランプ照射、ＵＶランプなどによる紫外線照射などが挙げられる。
　この加熱工程を設けると、陽極２の表面処理による効果（たとえば、有機ＥＬ素子５の発光効率の向上）がさらに高められる。
　その機構としては、たとえば、前記の接触工程によって陽極２上の一部に水が残存、または水酸基（≡Ｓｉ－ＯＨ）が形成されると、この水または水酸基由来の水が、経時的に発光層（有機ＥＬ層３）を通過し、Ｂａ、Ｃａ、アルカリ金属などから構成される陰極バッファー層を劣化させ、その結果発光効率が低下すると考えられるところ、この加熱工程により陽極２の表面が脱水されるため、陰極バッファー層が劣化せず、その結果発光効率が向上することが考えられる。
　また、加熱工程を経た陽極２または陽極付き基板１１の表面に水分または有機物が吸着することを防止するために、陽極２または陽極付き基板１１を、加熱処理後速やかに、水分または有機物を含まない雰囲気（たとえば、窒素、アルゴン、乾燥空気）中に移すことが好ましく、加熱処理を該雰囲気中で行うことがさらに好ましい。
　＜ＵＶ照射工程＞
　また、表面処理方法（α）は、前記洗浄工程の後に陽極２に紫外線（波長領域：２００～４００ｎｍ）を照射するＵＶ照射工程をさらに含むことが好ましい。この加熱工程は、有機ＥＬ層３を形成する以前に行われる。表面処理方法（α）が前記加熱工程を有する場合であれば、ＵＶ照射工程は、該加熱工程の前、後および加熱工程と同時のいずれの段階で行われてもよい。
　紫外線の光源としては、高圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ジュウテリウムランプなどが挙げられる。
　紫外線照射量は、被照射体（陽極２または陽極付き基板１１）において、好ましくは０．０１～１０Ｊ／ｃｍ2である。
　紫外線照射量は、陽極２または陽極付き基板１１の全面に渡って均一に行うことが好ましく、一度に全面に紫外線を照射できない場合であれば、陽極２または陽極付き基板１１、あるいは紫外線の光源を移動させることにより全面への照射を行ってもよい。
　≪Ｅ．有機ＥＬ層≫
　前記発光層の形成に用いられる発光性化合物としては、大森裕：応用物理、第７０巻、第１２号、1419－1425頁（2001年）に記載されている低分子発光化合物及び高分子発光化合物などを例示することができる。この中でも、素子作製プロセスが簡素化される点で高分子系発光化合物が好ましい。また、蛍光発光化合物および燐光発光化合物のいずれも用いることができるが、発光効率が高い点で燐光発光化合物が好ましい。したがって、燐光発光性高分子化合物が特に好ましい。なお、この低分子発光化合物としては、Ｎ，Ｎ'－ジフェニル－Ｎ，Ｎ'－（３－メチルフェニル）－１，１'－ビフェニル－４，４'ジアミン（ＴＰＤ）、４，４'－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、４，４'，４''－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）などのトリフェニルアミン誘導体、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（III）（Ａｌｑ３）などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体などを例示することができる。
　前記燐光発光性高分子化合物としては、室温で燐光を発する高分子化合物であればその構造は特に限定はされない。具体的な高分子構造の例としては、ポリ（ｐ－フェニレン）類、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）類、ポリフルオレン類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリピロール類、ポリピリジン類などの共役系高分子構造を骨格とし、これに燐光発光部位（代表的なものとしては、後述の遷移金属錯体または希土類金属錯体の一価基または二価基を例示できる。）が結合した高分子構造を挙げることができる。これらの高分子構造において、燐光発光部位は主鎖に組み込まれていても側鎖に組み込まれていてもよい。
　燐光発光性高分子化合物の高分子構造の別の例としては、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン類、ポリトリフェニルアミン類などの非共役系高分子構造を骨格とし、これに燐光発光部位が結合した高分子構造を挙げることができる。これらの高分子構造において、燐光発光部位は主鎖に組み込まれていても側鎖に組み込まれていてもよい。
　燐光発光性高分子化合物の高分子構造のさらに別の例としては、燐光発光部位を有するデンドリマーを挙げることができる。この場合、燐光発光部位はデンドリマーの中心核、分岐部分、末端部分のいずれの部分に組み込まれていてもよい。
　また、上記の高分子構造においては、共役系または非共役系の骨格に結合した燐光発光部位から燐光が発するが、共役系または非共役系の骨格自体から燐光が発するものでもよい。
　前記燐光発光性高分子化合物としては、材料設計に自由度がある点、燐光発光を得ることが比較的容易な点、合成が容易な点、溶媒への溶解性が高く塗布溶液の調製が容易な点などから、非共役系高分子構造を骨格とし、これに燐光発光部位が結合した高分子（以下、非共役系燐光発光性高分子と呼ぶ。）が好ましい。
　非共役系燐光発光性高分子は、燐光発光性部位とキャリア輸送性部位から構成されるが、代表的な高分子構造として、燐光発光性部位とキャリア輸送性部位の結合状態によって、（１）燐光発光性部位とキャリア輸送性部位とが共に高分子の主鎖内にある場合、（２）燐光発光性部位は高分子の側鎖にありキャリア輸送性部位は高分子の主鎖内にある場合、（３）燐光発光性部位は高分子の主鎖内にあり、キャリア輸送性部位は高分子の側鎖にある場合、（４）燐光発光性部位とキャリア輸送性部位が共に高分子の側鎖にある場合を例示することができる。
　また、前記高分子構造は架橋構造を有していてもよいし、あるいは正孔輸送化合物、電子輸送化合物、発光化合物がそれぞれ結合せず独立した単一高分子（ホモポリマー）あるいは二種類の化合物が重合した高分子でもよい。さらに、高分子化されている化合物は、正孔輸送化合物、電子輸送化合物、及び発光化合物の３つから選ばれる１以上でよく、残りの化合物は低分子でも構わない。
　前記非共役系燐光発光性高分子は、燐光発光性部位として２種類以上のものを有していてもよく（それぞれ主鎖内にあっても側鎖にあってもよい。）、また、キャリア輸送性部位として２種類以上のものを有していてもよい（それぞれ主鎖内にあっても側鎖にあっても、あるいは結合していなくてもよい。）。
　前記非共役系燐光発光性高分子の重量平均分子量は、好ましくは1,000～1,000,000、より好ましくは10,000～500,000である。
　前記燐光発光性部位としては、室温で燐光を発光する化合物の一価基または二価基以上の多価基を用いることができるが、遷移金属錯体または希土類金属錯体の一価基または二価基が好ましい。上記の遷移金属錯体に使用される遷移金属は、周期律表の第一遷移元素系列、すなわち原子番号２１のＳｃから３０のＺｎまで、第二遷移元素系列、すなわち原子番号３９のＹから４８のＣｄまで、第三遷移元素系列、すなわち原子番号７２のＨｆから８０のＨｇまでを含む。また、上記の希土類金属錯体に使用される希土類金属は、周期律表のランタノイド系列すなわち原子番号５７のＬａから７１のＬｕまでを含む。
　また、上記の遷移金属錯体及び希土類金属錯体に使用できる配位子としては、G. Wilkinson(Ed.),Comprehensive Coordination Chemistry(Plenum Press,1987)、山本明夫「有機金属化学－基礎と応用－」（裳華房，1982）に記載の配位子などを例示することができる。中でも、ハロゲン配位子、含窒素ヘテロ環配位子（フェニルピリジン系配位子、ベンゾキノリン系配位子、キノリノール系配位子、ビピリジル系配位子、ターピリジン系配位子、フェナントロリン系配位子等）、ジケトン配位子（アセチルアセトン配位子、ジピバロイルメタン配位子等）、カルボン酸配位子（酢酸配位子等）、リン配位子（トリフェニルホスフィン系配位子等、亜リン酸エステル系配位子等）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、及びシアノ配位子が好ましい。金属錯体は、１つの錯体に複数の配位子を含んでいてもよい。また、金属錯体として、二核錯体あるいは多核錯体を使用することもできる。
　上記のキャリア輸送性部位として、ホール輸送性、電子輸送性、またはホール及び電子の両方を輸送するバイポーラー性の一価基または二価基以上の多価基を用いることができる。ホール輸送性のキャリア輸送部位としては、カルバゾール、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ'－ジフェニル－Ｎ，Ｎ'－（３－メチルフェニル）－１，１'－ビフェニル－４，４'ジアミン（ＴＰＤ）の一価基または二価基などを例示することができる。また、電子輸送性のキャリア輸送性部位としては、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（III）（Ａｌｑ3）などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体の一価基または二価基、ホウ素系化合物などを例示することができる。また、バイポーラー性のキャリア輸送部位としては、４，４'－Ｎ，Ｎ'－ジカルバゾール－ビフェニル（ＣＢＰ）の一価基または二価基などを例示することができる。
　前記発光層は、前記燐光発光性高分子化合物あるいは共役系高分子のみで形成することができる。また、燐光発光性高分子化合物あるいは共役系高分子のキャリア輸送性を補うために他のキャリア輸送性化合物を混合した組成物とて発光層を形成することもできる。すなわち、燐光発光性高分子化合物がホール輸送性の場合には電子輸送性化合物を混合することができ、燐光発光性高分子化合物が電子輸送性の場合にはホール輸送性化合物を混合することができる。ここで、燐光発光性高分子化合物に混合するキャリア輸送性化合物は低分子化合物及び高分子化合物のいずれでもよい。
　前記燐光発光性高分子化合物に混合することができる低分子のホール輸送性化合物としては、Ｎ，Ｎ'－ジフェニル－Ｎ，Ｎ'－（３－メチルフェニル）－１，１'－ビフェニル－４，４'ジアミン（ＴＰＤ）、４，４'－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、４，４'，４''－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）などのトリフェニルアミン誘導体を始めとする既知のホール輸送化合物を例示することができる。また、上記の燐光発光性高分子化合物に混合することができる高分子のホール輸送性化合物としては、ポリビニルカルバゾール、トリフェニルアミン系の低分子化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平８－１５７５７５号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物などを例示することができる。
　一方、上記の燐光発光性高分子化合物に混合することができる低分子の電子輸送性化合物としては、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（III）（Ａｌｑ3）などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体などを例示することができる。また、上記の燐光発光性高分子化合物に混合することができる高分子の電子輸送性化合物としては、上記の低分子の電子輸送性化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平１０－１６６５号公報に開示されているポリＰＢＤなどを例示することができる。
　また、上記の燐光発光性高分子化合物を成膜して得られる膜の物性等を改良する目的で、燐光発光性高分子化合物の発光特性に直接は関与しない高分子化合物を混合して組成物とし、これを発光化合物として用いてもよい。一例を挙げると、得られる膜に柔軟性を付与するために、ポリメチルメタクリレ－ト（ＰＭＭＡ）やポリカーボネートを混合してもよい。
　発光層の厚さは１ｎｍ～１μｍが好ましく、５ｎｍ～３００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍがより一層好ましい。
　本発明の有機ＥＬ素子において、ホール輸送層を形成するホール輸送化合物としては、Ｎ，Ｎ'－ジメチル－Ｎ，Ｎ'－（３－メチルフェニル）－１，１'－ビフェニル－４，４'ジアミン（ＴＰＤ）、４，４'－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、４，４'，４''－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）などのトリフェニルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾールなどの既知の低分子系ホール輸送化合物を例示することができる。
　また、高分子系ホール輸送化合物も使用することができ、トリフェニルアミン系の低分子化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平８－１５７５７５号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物、さらにポリパラフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレンなどの高分子化合物を例示することができる。これらのホール輸送化合物は単独で用いることもできるが、異なるホール輸送化合物と混合または積層して用いてもよい。ホール輸送層の厚さは１ｎｍ～５μｍが好ましく、５ｎｍ～１μｍがより好ましく、１０ｎｍ～５００ｎｍがより一層好ましい。
　本発明の有機ＥＬ素子において、電子輸送層を形成する電子輸送化合物としては、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（III）（Ａｌｑ3）などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体などの既知の低分子系電子輸送化合物を例示することができる。また、高分子系電子輸送化合物も使用することができ、上記の低分子の電子輸送性化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平１０－１６６５号公報に開示されているポリＰＢＤなどを例示することができる。これらの電子輸送化合物は単独で用いることもできるが、異なる電子輸送化合物と混合または積層して用いてもよい。電子輸送層の厚さとしては１ｎｍ～５μｍが好ましく、５ｎｍ～１μｍがより好ましく、１０ｎｍ～５００ｎｍがより一層好ましい。
　上記の発光層に用いられる燐光発光性高分子化合物、ホール輸送層に用いられるホール輸送化合物及び電子輸送層に用いられる電子輸送化合物は、それぞれ単独で各層を形成するほかに、高分子化合物をバインダとして各層を形成することもできる。これに使用される高分子化合物としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどを例示することができる。
　上記の発光層、ホール輸送層及び電子輸送層は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、インクジェット法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などにより形成することが可能である。低分子化合物の場合は主として抵抗加熱蒸着法及び電子ビーム蒸着法が用いられ、高分子化合物の場合は主にインクジェット法、スピンコート法が用いられる。
　陽極付き基板１１上に形成された上記有機ＥＬ層３の一部は、後述するプラズマ処理によって、位置選択的に除去される。
　また、ホールが発光層を通過することを抑え、発光層内で電子と効率よく再結合させる目的で、発光層の陰極側に隣接してホールブロック層を設けてもよい。このホールブロック層には発光化合物より最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位の深い化合物を用いることができ、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体などを例示することができる。
　さらに、励起子（エキシトン）が陰極金属で失活することを防ぐ目的で、発光層の陰極側に隣接してエキシトンブロック層を設けてもよい。このエキシトンブロック層には発光化合物より励起三重項エネルギーの大きな化合物を用いることができ、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体などを例示することができる。
　≪Ｆ．陰極≫
　前記陰極４の材料としては、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが使用され、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＡｌＬｉやＡｌＣａなどのＡｌとアルカリ金属の合金などの既知の陰極材料を例示することができるが、化学的安定性を考慮すると仕事関数は2.9ｅＶ以上であることが好ましい。これらの陰極材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いることができる。陰極の厚さは１０ｎｍ～１μｍが好ましく、５０～５００ｎｍがより好ましい。
　また、陰極４から有機ＥＬ層３への電子注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、陰極バッファー層として、陰極４より仕事関数の低い金属層を陰極４と陰極４に隣接する有機ＥＬ層３の間に挿入してもよい。このような目的に使用できる低仕事関数の金属としては、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）を、アルカリ土類金属（Ｓｒ、Ｂａ）を、希土類金属（Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ）等を挙げることができる。また、陰極より仕事関数の低いものであれば、合金または金属化合物も使用することができる。これらの陰極バッファー層の成膜方法としては、蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。陰極バッファー層の厚さは、好ましくは０．０５～５０ｎｍ、より好ましくは０．１～２０ｎｍ、さらに好ましくは０．５～１０ｎｍである。
　さらに、陰極バッファー層は、上記の低仕事関数の物質と電子輸送化合物の混合物として形成することもできる。なお、ここで用いられる電子輸送化合物としては前述の電子輸送層に用いられる有機化合物を用いることができる。この場合の成膜方法としては共蒸着法を用いることができる。また、溶液による塗布成膜が可能な場合は、本発明によるノズルコート法の他、全面塗布を行うのであれば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレー法、などのさまざまな成膜方法を用いても良い。この場合の陰極バッファー層の厚さは０．１～１００ｎｍが好ましく、０．５～５０ｎｍがより好ましく、１～２０ｎｍがより一層好ましい。
　≪Ｇ．封止部材≫
　本発明により製造される封止部材付き有機ＥＬ素子１０においては、基板１と、基板１に接着された、基板１側が開口された封止部材６とによって画成された密閉室７内に有機ＥＬ素子５が収容されているため、該有機ＥＬ素子５は長期的に安定する。
　封止部材６としては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属板などを用いることができ、該封止部材６を熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で基板１と貼り合わせて画成された密閉室７内に有機ＥＬ素子５が収容されるため、有機ＥＬ素子５がキズつくのを防ぐことが容易である。
　密閉室７に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極４の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を密閉室７内に設置することにより製造工程で吸着した水分が有機ＥＬ素子５にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。
　　　　　　　［封止部材付き有機ＥＬ素子の製造方法］
　図２に、本発明の封止部材付き有機ＥＬ素子１０の製造方法の一例を示す。この図に示されるように、本発明の封止部材付き有機ＥＬ素子１０の製造方法は、
　前記基板１と前記陽極２とを有する陽極付き基板１１の上の領域であって、前記封止部材６が接着される被接着領域１２およびその内側の領域を少なくとも含む領域に有機ＥＬ層３を形成する工程（Ａ）、
　前記有機ＥＬ層３のうち、少なくとも前記被接着領域１２の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域１２を露出させる工程（Ｂ）、
　前記有機ＥＬ層３の上に前記陰極４を形成して前記有機ＥＬ素子５を完成させる工程（Ｃ）、および
　露出された前記被接着領域１２に前記封止部材６を接着する工程（Ｄ）
を含んでいる。
　工程（Ａ）においては、前記基板１と前記陽極２とを有する陽極付き基板１１の上の領域であって、前記封止部材６が接着される被接着領域１２およびその内側の領域を少なくとも含む領域に有機ＥＬ層３を形成する。
　工程（Ｂ）においては、前記有機ＥＬ層３のうち、少なくとも前記被接着領域１２の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域１２を露出させる。
　前記被接着領域１２の上の部分の除去は、該部分へのリモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって行なわれるため、発光領域３１へのダメージを抑制しつつ容易に前記被接着領域１２が露出される。この被接着領域１２は、プラズマ照射によって活性化されているため、封止部材６との接着性が、たとえば溶剤により有機ＥＬ層３を除去した場合よりも高い。
　また、このプラズマの照射は陰極形成前に行なわれるため、陰極をプラズマ照射で発生する活性ガス種により劣化させることもない。さらに、有機ＥＬ層３の下にたとえば陽極バッファー層２１としてのフッ化炭素薄膜が形成されている場合（図３）には、このフッ化炭素薄膜を有機ＥＬ層３と共に除去することができる。
　リモートプラズマ方式によるプラズマの照射には、従来公知の装置、たとえば特許文献３（請求項１３）に記載された、放電ガスの供給源に接続される基端部と被処理物に向けて開口する先端部との間にガス流路を画定する誘電体材料からなる放電管と、前記放電管に沿って前記ガス流路の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記放電管内で大気圧又はその近傍の圧力下で前記放電ガスに気体放電を生じさせる電源電極及び接地電極とを有する表面処理装置などを用いることができる。
　図４に示すように、前記工程（Ａ）において、前記陽極付き基板１１上の領域であって、前記封止部材６が接着される被接着領域１２およびその内側の領域だけでなく、前記陽極２上であって外部電源８と接続される外部電源接続領域１３を少なくとも含む領域にも有機ＥＬ層３を形成し、前記工程（Ｂ）において、前記有機ＥＬ層３のうち、少なくとも前記被接着領域１２の上の部分および前記外部電源接続領域１３の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域１２だけでなく前記外部電源接続領域１３を露出させてもよい。露出された前記外部電源接続領域１３には、従来公知の方法で外部電源８を接続することができる。
　放電ガスには、陽極付き基板１１の表面を汚染する原因となる微粒子が極力含まれていないことが好ましい。したがって、この微粒子を除去するために、放電ガスは、フィルターを通してプラズマ発生装置に供給することが好ましい。また、このフィルターとしては、粒径０．０５μｍ以上の微粒子を除去できるフィルターが好ましい。
　放電ガスとしては、Ｎ2、Ｈｅ、Ｏ2、Ａｒ、ＣＯ2および空気が好ましく、空気、Ｏ2、ＡｒおよびＣＯ2が特に好ましい。
　従来技術においては、たとえば溶剤により有機ＥＬ層３の一部を除去する場合には、排溶剤が生じたり、溶剤の蒸気によって除去部周囲の有機ＥＬ層３を損傷または汚染させることがあり、直接方式によるプラズマの照射によって有機ＥＬ層３の一部を除去する場合には、陽極２に対して放電が発生して陽極２が損傷したり、有機ＥＬ層３のうち残存させるべき領域が、電極間に挿入される絶縁体を避けるように広がるプラズマによって損傷したりすることあった。
　一方、本発明ではリモート方式によるプラズマの照射を行なうため、排溶剤や陽極の損傷などの問題は生じず、また除去部近傍に残存する有機ＥＬ層３の損傷も抑制することができる。
　リモート方式によるプラズマの照射によって、封止部材６が接着される被接着領域１２を露出させるためには、有機ＥＬ層３のうち、封止部材６が接着される被接着領域１２の上の部分に対して、被接着領域１２と略同形状を描くように連続的にプラズマを照射することによって、有機ＥＬ層３のうちのプラズマが照射された部分を除去すればよい。被接着領域１２と略同形状を描くように連続的にプラズマを照射する方式としては、
　（i）有機ＥＬ層３が形成されてなる陽極付き基板１１を固定し、プラズマ照射部ｐ１を移動させる方式、
　（ii）プラズマ照射部ｐ１を固定し、有機ＥＬ層３が形成されてなる陽極付き基板１１を移動させる方式、および
　（iii）有機ＥＬ層３が形成されてなる陽極付き基板１１およびプラズマ照射部ｐ１の双方を移動させる方式
が挙げられる。
　リモート方式によるプラズマは、有機ＥＬ層３の面内方向に対して垂直に照射してもよく、有機ＥＬ層３の面内方向に対して傾斜させて（傾斜角α（α＜９０°））照射してもよい。プラズマの照射方向は、有機ＥＬ層３に対するプラズマ照射装置のプラズマ照射部（ヘッド）ｐ１の角度を調製することにより、変えることができる。
　図５（Ａ）に示すようにリモート方式によるプラズマを有機ＥＬ層３の面内方向に対して傾斜させて（傾斜角α（α＜９０°））照射した場合、有機ＥＬ層３のうち除去部近傍の損傷した領域３′（プラズマ照射によって除去されずに残存するが、発光領域として機能させた場合に発光輝度が低下する領域（発光輝度が、たとえば、正常に発光する発光領域３１の輝度の２／３以下になる領域）、以下「損傷領域３′」ともいう。）は、図５（Ｂ）に示すように、プラズマ照射方向の前方では広くなり、プラズマ照射方向の後方では狭くなる傾向にある。
　したがって、損傷領域３′を狭くするという観点からは、被接着領域１２の外側に向けてプラズマを照射すること、すなわち、有機ＥＬ層３のうち、陰極４が積層され、発光領域３１として機能させる部分がプラズマ照射方向の後方となるようにプラズマを照射することが好ましい。このようなプラズマ照射を、有機ＥＬ層３が形成されてなる陽極付き基板１１を移動させる方式により行なう場合には、θ軸付きの自動ステージを用いれば、プラズマ照射方向を被接着領域１２の外側向きに維持することができる。
　また、図６（Ａ）に示すように、プラズマ照射の際に有機ＥＬ層３上に障壁９１を設けておくと、障壁９１を設けない場合（図６（Ｂ））よりも損傷領域３′を狭くすることができる。この理由としては、障壁９１により、有機ＥＬ層３を損傷させる気流が遮断されることが考えられる。障壁９１としては、プラズマが発する熱に対して変質、変形しない材質であれば使用できる。具体的にはガラス板、金属板（鉄、ステンレス、アルミニウム、真鍮、銅、チタン）、セラミック板（アルミナ、窒化ホウ素）などが挙げられる。
　封止部材付き有機ＥＬ素子１０の製造方法として、図７に示すように、１つの基板１上に複数個の有機ＥＬ素子５を形成し、各有機ＥＬ素子５を封止し、封止部材ごと基板を分割して複数個の封止部材付き有機ＥＬ素子１０を製造するという方法がある。
　障壁９１は図６（Ｃ）に示すように複数個設けてもよく、この図６（Ｃ）に示すプラズマの照射形態は、特に図７に示す製造方法において、有機ＥＬ層３のうち、各有機ＥＬ素子形成予定領域の間の前記被接着領域１２（図７における被接着領域１２Ａ）の上の部分をリモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去する際に、各有機ＥＬ素子５における損傷領域３′を狭くできる点で有用である。
　図８（Ａ）に示すように、有機ＥＬ層３が形成された陽極付き基板１１を放熱板９２上に設置した状態でプラズマを照射すると、放熱板９２を用いない場合（図８（Ｂ））よりも損傷領域３′を狭くすることができる。この理由としては、放熱板９２により、有機ＥＬ層３のうちプラズマが照射された部分での発熱が抑制されることが考えられる。この放熱板９２としては、熱伝導の高い材料であれば使用でき、具体的には金属板（アルミニウム、銅、鉄、真鍮、チタン）などが挙げられる。
　工程（Ｃ）においては、前記被接着領域１２の内側の領域上に残存する前記有機ＥＬ層３の上に前記陰極４を形成して前記有機ＥＬ素子５を完成させる。
　工程（Ｄ）においては、露出された前記被接着領域１２に前記封止部材６を接着する。
　なお、前記有機ＥＬ層３のうち前記被接着領域１２の外側に残存する部分は除去してもしなくてもよく、除去する場合であれば、除去手段としては、前述したプラズマ照射、溶剤による溶解などが挙げられる。
　以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの記載により何ら制限されるものではない。
　［製造例１］
　（発光性高分子化合物の製造）
　以下のモノマー、重合性置換基を有するイリジウム錯体（下記式E－1で表される化合物）、正孔輸送性化合物（上記式E－2で表される化合物）、および電子輸送性化合物（上記式E－3で表される化合物）；
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
を共重合させて、燐光発光性高分子化合物を得た。脱水トルエン溶液に上記のモノマーを(E－1)：(E－2)：(E－3)＝1：4：5（モノマー仕込み重量比）および重合開始剤としてV-601（和光純薬工業製）で溶解させ、凍結脱気操作を行った後に真空密閉し、７０℃で100時間攪拌した。反応後、反応液をアセトン中に滴下して沈殿を生じさせ、さらにトルエン－アセトンでの再沈殿精製を3回繰り返して精製した。ここで、アセトンおよびトルエンは高純度グレード（和光純薬工業製）を蒸留したものを用いた。また、再沈殿精製操作後の溶剤は高速液体クロマトグラフィーで分析を行い、3回目の再沈殿精製後の溶剤中に400nm以上の吸収を有する物質が検出できないことを確認した。このようにして、燐光発光性高分子化合物中の不純物を取り除いた。その後、上記燐光発光性高分子化合物を、室温で2日間真空乾燥した。高速液体クロマトグラフィー（検出波長254nm）により、得られた燐光発光性高分子化合物の純度が99.9％を超えることを確認した。
　この燐光発光性高分子化合物を窒素雰囲気中でトルエンに溶解させ、溶液Ａを得た。
　［実施例１］
　透明ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）陽極２がガラス基板１（形状：１２５ｍｍ×１２５ｍｍの正方形）上に形成されてなる陽極付き基板１１を市販の洗剤を用いて超音波洗浄し、次いで超純水で流水洗浄した。陽極表面の水に対する接触角は２５°であった。
　液体洗浄後乾燥させた陽極付き基板１１を、プラズマ生成装置内に装着し、装置内に酸素ガスを導入し、装置に交流電圧を印加することで放電を開始し、酸素プラズマを生成させ、陽極基板１１に照射、すなわち陽極付き基板１１を直接方式によりプラズマ処理した。装置内圧力は２Ｐａ（酸素ガス流量で調整）、投入電力は１００Ｗで、処理時間（プラズマ照射時間）は４０秒間であった。
　次いで、導入するガスを酸素ガスからＣＨＦ3ガスに切り替えた以外は前記同様の条件により、陽極付き基板１１をプラズマ処理した。
　プラズマ処理後の陽極表面の水に対する接触角は７０°に上昇しており、陽極付き基板表面が撥水化されたことが確認された。
　プラズマ処理後の陽極付き基板１１の陽極側表面全体に、製造例１で得られた溶液Ａを、スピンコート法（回転数３０００ｒｐｍ、回転時間３０秒）により塗布し、真空乾燥機で減圧下、暗中１００℃で、一時間乾燥させて、有機ＥＬ層３を形成した。有機ＥＬ層３の膜厚は80nm（段差測定、測定装置：原子間力顕微鏡（キーエンス社製、型式VN-8010））、水に対する接触角は100°であった。
　次に、有機ＥＬ層３のうち、陽極付き基板１１上の、後述する封止部材６が接着される被接着領域１２の上の部分に、以下に説明するようにプラズマを照射した。
　まず、有機ＥＬ層３が形成されてなる陽極付き基板（以下「発光層付き基板」とも記す。）を３軸自動ステージに設置し、有機ＥＬ層３の直上にリモートプラズマ方式による大気圧プラズマ照射装置（PVA TePla America製Plasma Pen）のプラズマ照射部（ヘッド）ｐ１を、プラズマの放出方向が発光層付き基板の面内方向と垂直になるように、かつプラズマ照射部ｐ１のプラズマ照射口と発光層付き基板との離間距離が1mmとなるように、３軸自動ステージのZ軸に固定した。
　大気圧プラズマ照射装置へ、ラインフィルター（アイ・エイ・シー株式会社製、中空糸ラインフィルター、型番：ＬＦ－８、孔径：0.05μm）を通して、放電ガスとして乾燥空気を供給し、加圧（0.6MPa）下でプラズマを発生させ、３軸自動ステージのX軸およびY軸を速度40mm/sで動かすことにより、図９（Ａ）に示すように、有機ＥＬ層３のうち封止部材６が接着される被接着領域１２の上の部分にａ→ｂ→ｃ→ｄ→ａの順序で約40mm四方の正方形を描くように連続的にプラズマを照射した。
　この操作によって陽極付き基板１１上の有機ＥＬ層３のうちプラズマが照射された部分３′（線幅は約３ｍｍ）が除去され、陽極付き基板１１の被接着領域１２が露出したことを、目視により確認した。
　さらに、有機ＥＬ層３のうち外部電源接続領域１３上の部分にもプラズマを照射し、該外部電源接続領域１３が露出したことを、目視により確認した。
　露出したＩＴＯ陽極２表面の水に対する接触角は10°であり、先のプラズマ処理で撥水化したＩＴＯ陽極２が親水化されたことが確認された。
　次に、このプラズマ照射後の発光層付き基板を真空蒸着装置に導入し、有機ＥＬ層３のうち被プラズマ照射部の内側に残存する部分の上に、陰極バッファー層（Sr、膜厚8nm）を、続いて陰極４（Al、膜厚100nm）を形成し、得られた有機ＥＬ素子５を真空蒸着装置内から窒素雰囲気のグローブボックス内に取り出した。
　他方、封止キャップ６（厚さ1.1mmのガラス板であり、その一方の面に、幅1mmの縁部を残して深さ0.5mmの開口部を有する封止キャップ）の縁部に紫外線硬化性接着剤を均一に塗布した。
　この封止キャップを大気雰囲気から先のグローブボックス内に取り出し、封止キャップと前記有機ＥＬ素子５とを、封止キャップに塗布された接着剤と前記被接着領域１２とが重なり合うように張り合わせ、これらに紫外線を照射して接着剤を硬化させることにより、封止部材付き有機ＥＬ素子１０を作成した。
　ＩＴＯ陽極２の露出された外部電源接続領域１３に外部電源８を接続し、通電し、封止部材付き有機ＥＬ素子１０が発光することを確認した。
　発光領域３１のうち、陽極付き基板１１の露出部から約7mmの距離内にある部分３２（図１０）の輝度は、発光領域３１の中心付近の輝度と比較して約２／３以下であった。
　次に、露出された前記外部電源接続領域１３にフレキシブルケーブルを、異方性導電フィルム（ACF）を接着剤として貼り付けた。フレキシブルケーブルを通して外部電源８を接続し、通電し、フレキシブルケーブルを用いなかった場合と同様に封止部材付き有機ＥＬ素子１０が発光することを確認した。
　フレキシブルケーブルは、手で動かしても容易には外れることなく、十分に接合されていた。
　また、封止キャップと基板とを基板面の面内反対方向に引っ張り合ったところ、およそ10kg重の力で引っ張り合った時点で封止キャップが割れてしまった。
　［実施例２］
　実施例２では、実施例１に示したプラズマ照射部（ヘッド）ｐ１を有機ＥＬ層３に対して傾斜させた姿勢（傾斜角α）とし、プラズマ照射口と発光層付き基板との離間距離を略１ｍｍとして、以下に説明するようにプラズマ照射を行なった以外は実施例１と同様の方法で封止部材付き有機ＥＬ素子１０を作成した。
　プラズマ照射に際して、まず図１１（Ａ）に示す地点ａ－地点ｂ間の直線区間において、図１１（Ｂ）に示したように、プラズマ照射部ｐ１の有機ＥＬ層３に対する傾斜角αを４５°として、プラズマ照射部ｐ１をセットした。この姿勢をプラズマ照射部ｐ１の初期姿勢とし、この姿勢を保ったまま、地点ａから地点ｂまで連続的にプラズマを照射した。このように、地点ａから地点ｂにかけては、有機ＥＬ層３の内方に向かってプラズマを照射した。
　続いて、プラズマ照射部ｐ１の上記姿勢を保ったまま、地点ｂから地点ｃまで連続的にプラズマを照射した。地点ｂから地点ｃにかけては、図１１（Ｃ）に示したように、照射されたプラズマｐ２をプラズマ照射部ｐ１が後方から追うように、発光層付き基板を動かした。
　次いで、プラズマ照射部ｐ１の上記姿勢を保ったまま、地点ｃから地点ｄまで連続的にプラズマを照射した。地点ｃから地点ｄにかけては、図１１（Ｄ）に示したように、有機ＥＬ層３の外方に向かってプラズマを照射した。
　これに続いて、プラズマ照射部ｐ１の上記姿勢を保ったまま、地点ｄから地点ａまで連続的にプラズマを照射した。地点ｄから地点ａにかけては、図１１（Ｅ）に示したように、照射されたプラズマｐ２からプラズマ照射部ｐ１が遠ざかる方向に、発光層付き基板を動かした。
　このようにして、ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ａに至る一連のプラズマ照射を行うことにより、陽極付き基板１１の被接着領域１２を露出させた。
　作成された封止部材付き有機ＥＬ素子１０の外部電源接続領域１３に外部電源８を接続し、通電し、有機ＥＬ素子５が発光することを確認した。
　発光領域３１のうち、プラズマ照射された部分から、プラズマ照射方向の前方へ約12mmの距離内にある部分３３（図１２）、およびプラズマ照射された部分から、プラズマ照射方向の後方へ約5mmの距離内にある部分３４（図１２）の輝度は、発光領域３１の中心付近の輝度と比較して約２／３以下であった。
　［実施例３］
　実施例３では、４軸自動ステージを使用し、プラズマ照射部（ヘッド）ｐ１を、図１１（Ｄ）に示したように、有機ＥＬ層３に対して傾斜させた姿勢（傾斜角α＝４５°）かつプラズマが有機ＥＬ層３の外方に向かって照射される姿勢とし、地点ａから地点ｂまで、地点ｂから地点ｃまで、地点ｃから地点ｄまでおよび地点ｄから地点ａまでの各区間でこの姿勢が維持されるように４軸自動ステージのθ軸を回転させた以外は実施例１と同様の方法で封止部材付き有機ＥＬ素子１０を作成した。
　作成された封止部材付き有機ＥＬ素子１０の外部電源接続領域１３に外部電源８を接続し、通電し、有機ＥＬ素子５が発光することを確認した。
　発光領域３１のうち、陽極付き基板１１の露出部から約5mmの距離内にある部分の輝度は、発光領域３１の中心付近の輝度と比較して約２／３以下であった。
　［実施例４］
　実施例４では、有機ＥＬ層３にプラズマを照射する際に、有機ＥＬ層３上であって、プラズマが照射される部分よりも内方に、ガラス板９１（板厚0.7mm、高さ10mm）を斜め（有機ＥＬ層３に対する傾斜角：４５°）に配置した（有機ＥＬ層３上のプラズマが照射される位置からガラス板９１と有機ＥＬ層３とが接する位置までの距離は、約4mmとした。）以外は実施例１と同様の方法で封止部材付き有機ＥＬ素子１０を作製した（図１３（Ｂ））。
　作成された封止部材付き有機ＥＬ素子１０の外部電源接続領域１３に外部電源８を接続し、通電し、有機ＥＬ素子５が発光することを確認した。
　発光領域３１のうち、陽極付き基板１１の露出部から約4mmの距離内にある部分３２（図１４）の輝度は、発光領域３１の中心付近の輝度と比較して約２／３以下であった。
　［実施例５］
　実施例５では、実施例３の方法で有機ＥＬ層３にプラズマを照射する際に、４軸自動ステージの上に板厚10ｍｍのアルミニウム製の真空吸着チャックプレート９２を設置し、この真空吸着チャックプレート９２上に基板１を密着させたこと（図１５（Ｂ））、
　プラズマ照射部ｐ１の発光層付き基板に対する相対速度を120mm/sに変更したこと、および
　ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ａに至る一連のプラズマ照射を４回繰り返したこと
以外は実施例３と同様の方法で封止部材付き有機ＥＬ素子１０を作製した。
　作成された封止部材付き有機ＥＬ素子１０の外部電源接続領域１３に外部電源８を接続し、通電し、有機ＥＬ素子５が発光することを確認した。
　発光領域３１のうち、陽極付き基板１１の露出部から約2mmの距離内にある部分３２（図１６）の輝度は、発光領域３１の中心付近の輝度と比較して約２／３以下であった。
　１：基板
１１：陽極付き基板
１２：被接着領域
１３：外部電源接続領域
　２：陽極
２１：陽極バッファー層
　３：有機ＥＬ層
　４：陰極
　５：有機ＥＬ素子
　６：封止部材
　７：密閉室
　８：外部電源
１０：封止部材付き有機ＥＬ素子
ｐ１：プラズマ照射部
ｐ２：プラズマ

Claims (5)

  1. 　封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
    　前記封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子が、
    　基板と、
    　前記基板に接着された、基板側が開口された封止部材と、
    　前記基板上に形成され、前記基板および前記封止部材によって画成された密閉室内に収容された、陽極、少なくとも１層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子と
    からなり、
    　前記製造方法が、
    　前記基板と前記陽極とを有する陽極付き基板の上の領域であって、前記封止部材が接着される被接着領域およびその内側の領域を少なくとも含む領域に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程（Ａ）、
    　前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち、少なくとも前記被接着領域の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域を露出させる工程（Ｂ）、
    　前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に前記陰極を形成して前記有機エレクトロルミネッセンス素子を完成させる工程（Ｃ）、および
    　露出された前記被接着領域に前記封止部材を接着する工程（Ｄ）
    を含む
    ことを特徴とする封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  2. 　前記陽極付き基板が、前記陽極の上に形成された陽極バッファー層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  3. 　前記陽極バッファー層がフッ化炭素からなることを特徴とする請求項２に記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  4. 　前記有機エレクトロルミネッセンス層が塗布法により形成されることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  5. 　前記工程（Ａ）が、前記陽極付き基板上の領域であって、前記封止部材が接着される被接着領域、その内側の領域および前記陽極上であって外部電源と接続される外部電源接続領域を少なくとも含む領域に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程であり、
    　前記工程（Ｂ）が、前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち、少なくとも前記被接着領域の上の部分および前記外部電源接続領域の上の部分を、リモートプラズマ方式によるプラズマの照射によって除去して、前記被接着領域および前記外部電源接続領域を露出させる工程である
    ことを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
PCT/JP2009/062991 2008-07-22 2009-07-17 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 WO2010010855A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09800369.2A EP2315501B1 (en) 2008-07-22 2009-07-17 Method for manufacturing organic electroluminescence element provided with sealing member
US13/054,887 US8268650B2 (en) 2008-07-22 2009-07-17 Process for manufacturing sealed organic electroluminescence devices
JP2010521693A JP5666300B2 (ja) 2008-07-22 2009-07-17 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-188770 2008-07-22
JP2008188770 2008-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010010855A1 true WO2010010855A1 (ja) 2010-01-28

Family

ID=41570318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/062991 WO2010010855A1 (ja) 2008-07-22 2009-07-17 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8268650B2 (ja)
EP (1) EP2315501B1 (ja)
JP (1) JP5666300B2 (ja)
TW (1) TW201023672A (ja)
WO (1) WO2010010855A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150002812A (ko) * 2012-04-13 2015-01-07 오티아이 루미오닉스 인크. 기판의 작용화
US9698386B2 (en) 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US9853233B2 (en) 2012-04-13 2017-12-26 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
KR101594352B1 (ko) * 2013-03-07 2016-02-16 한국생산기술연구원 Shadow mask를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 유기 발광 소자.
US10461269B2 (en) 2013-12-20 2019-10-29 Molecular Glasses, Inc. Crosslinkable, /polymerizable and combinations thereof charge-transporting molecular glass mixtures, luminescent molecular glass mixtures, or combinations thereof for organic light emitting diodes and other organic electronics and photonics applications and method of making same
US10593886B2 (en) 2013-08-25 2020-03-17 Molecular Glasses, Inc. OLED devices with improved lifetime using non-crystallizable molecular glass mixture hosts
US9859505B2 (en) * 2013-08-25 2018-01-02 Molecular Glasses, Inc. Charge-transporting molecular glass mixtures, luminescent molecular glass mixtures, or combinations thereof or organic light emitting diodes and other organic electronics and photonics applications
CN111490185A (zh) 2013-12-26 2020-08-04 科迪华公司 电子装置的热加工
CN105637669B (zh) 2014-01-21 2017-11-03 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
KR102387300B1 (ko) * 2014-03-25 2022-04-14 몰레큘러 글래시스, 인코포레이티드 Oled 및 ode 용 파이-공액 반도체성 유기 유리 혼합물
KR102059313B1 (ko) 2014-04-30 2019-12-24 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS641665A (en) 1987-06-23 1989-01-06 Maruyama Mfg Co Ltd Steering method for self-running vehicle
JPH08157575A (ja) 1994-12-07 1996-06-18 Toppan Printing Co Ltd キャリア輸送性重合体
JPH09232293A (ja) 1995-12-19 1997-09-05 Seiko Epson Corp 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
JPH10199697A (ja) 1997-01-10 1998-07-31 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマによる表面処理装置
JP2002151476A (ja) 2000-11-14 2002-05-24 Sekisui Chem Co Ltd レジスト除去方法及びその装置
JP2003197397A (ja) 2001-10-15 2003-07-11 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2004127660A (ja) 2002-10-01 2004-04-22 Air Water Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法
JP2004152512A (ja) 2002-10-29 2004-05-27 Canon Electronics Inc 有機エレクトロルミネセンス表示装置、及びその製造方法
JP2005108575A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法並びに有機ｅｌ表示装置
JP2005276803A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器
JP2006210154A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法
JP2007095659A (ja) * 2005-09-02 2007-04-12 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法、および発光装置
WO2007097329A1 (ja) * 2006-02-22 2007-08-30 Tokyo Electron Limited 成膜装置および発光素子の製造方法
JP2007242436A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH101665A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JP3948082B2 (ja) * 1997-11-05 2007-07-25 カシオ計算機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4077704B2 (ja) * 2001-09-27 2008-04-23 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP4217045B2 (ja) * 2002-09-27 2009-01-28 積水化学工業株式会社 樹脂組成物の除去方法
WO2004096451A1 (ja) * 2003-04-25 2004-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. パターンの作製方法及び液滴吐出装置
TWI238449B (en) * 2003-06-06 2005-08-21 Pioneer Corp Organic semiconductor device and method of manufacture of same
JP4591222B2 (ja) * 2005-06-09 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び画像形成装置
US7485580B2 (en) 2005-09-20 2009-02-03 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate
TWI270316B (en) * 2005-12-02 2007-01-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Methods for fabricating an organic electro-luminescence device and a carbon-enriched film
JP4950673B2 (ja) * 2007-01-10 2012-06-13 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS641665A (en) 1987-06-23 1989-01-06 Maruyama Mfg Co Ltd Steering method for self-running vehicle
JPH08157575A (ja) 1994-12-07 1996-06-18 Toppan Printing Co Ltd キャリア輸送性重合体
JPH09232293A (ja) 1995-12-19 1997-09-05 Seiko Epson Corp 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
JPH10199697A (ja) 1997-01-10 1998-07-31 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマによる表面処理装置
JP2002151476A (ja) 2000-11-14 2002-05-24 Sekisui Chem Co Ltd レジスト除去方法及びその装置
JP2003197397A (ja) 2001-10-15 2003-07-11 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2004127660A (ja) 2002-10-01 2004-04-22 Air Water Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法
JP2004152512A (ja) 2002-10-29 2004-05-27 Canon Electronics Inc 有機エレクトロルミネセンス表示装置、及びその製造方法
JP2005108575A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法並びに有機ｅｌ表示装置
JP2005276803A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器
JP2006210154A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法
JP2007095659A (ja) * 2005-09-02 2007-04-12 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法、および発光装置
WO2007097329A1 (ja) * 2006-02-22 2007-08-30 Tokyo Electron Limited 成膜装置および発光素子の製造方法
JP2007242436A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Comprehensive Coordination Chemistry", 1987, PLENUM PRESS
AKIO YAMAMOTO; YUKI KINZOKU KAGAKU; KISO TO OYO: "Organic Metal Chemistry -Fundamentals and Applications", 1982, SHOKABO PUBLISHING CO., LTD.
J. LI ET AL., SYNTHETIC METALS, vol. 151, 2005, pages 141 - 146
See also references of EP2315501A4
YUTAKA OMORI; OYO BUTSURI, APPLIED PHYSICS, vol. 70, no. 12, 2001, pages 1419 - 1425

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150002812A (ko) * 2012-04-13 2015-01-07 오티아이 루미오닉스 인크. 기판의 작용화
JP2015522707A (ja) * 2012-04-13 2015-08-06 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 基板の官能基化
US9698386B2 (en) 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US9853233B2 (en) 2012-04-13 2017-12-26 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US10290833B2 (en) 2012-04-13 2019-05-14 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
KR102074255B1 (ko) * 2012-04-13 2020-02-06 오티아이 루미오닉스 인크. 기판의 작용화

Also Published As

Publication number Publication date
EP2315501A1 (en) 2011-04-27
US20110129951A1 (en) 2011-06-02
JP5666300B2 (ja) 2015-02-12
US8268650B2 (en) 2012-09-18
EP2315501A4 (en) 2012-01-18
JPWO2010010855A1 (ja) 2012-01-05
TW201023672A (en) 2010-06-16
EP2315501B1 (en) 2013-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5666300B2 (ja) 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TWI364233B (en) Light emitting device, electronic equipment and apparatus for manufacturing the same
JP5026533B2 (ja) 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR101156014B1 (ko) 유기전계발광소자의 제조방법
TWI470850B (zh) 製造有機發光裝置之方法和用於有機發光裝置之溶液
JP2006332036A (ja) 表示装置の製造方法
KR20020028228A (ko) 전도성 폴리머 버퍼층을 갖는 대영역 유기 전자 소자 및그 제조 방법
JP5165193B2 (ja) 有機発光素子及びその製造方法
WO2012111595A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法
JP5513496B2 (ja) 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003217845A (ja) 発光装置の作製方法
US8016629B2 (en) Method of producing a display device
KR101207073B1 (ko) 유기 전자 장치의 제작 동안 유기층을 제거하는 방법 및이러한 방법에 의해 형성된 유기 전자 장치
TWI391024B (zh) Display method of display device
JP4767725B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2011043210A1 (ja) 電界発光素子、電界発光素子の製造方法、表示装置および照明装置
TW201031262A (en) Organic electroluminescent device, display device, and lighting device
JP4976820B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR20140089233A (ko) 유기발광소자의 제조방법
JP2007235073A (ja) 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法、ならびに前記有機ｅｌ発光素子を含む有機ｅｌディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09800369

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010521693

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009800369

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13054887

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE