JP4976820B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
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また、陽極電極の表面に有機物が存在する状態で陽極電極を酸または酸化剤を含有する液体によって処理することによって、有機物は陽極電極と電荷移動錯体を形成するものであり、陽極電極へのホール注入特性が向上して発光特性や寿命特性を向上させることができるものである。
また請求項2の発明は、請求項1において、前記有機物は、80℃以上のガラス転移温度を有するか、ガラス転移温度を有さないものであることを特徴とするものである。
30mm角の大きさのガラス基板の表面に、図2のような2mm幅で厚み1100ÅのITOが陽極電極として成膜されたITO付きガラス基板を用意し、この基板を湿式洗浄した。この基板表面の炭素元素濃度は約12質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。尚、表面の有機物の評価は、オージェ電子分光装置により表面の炭素元素濃度を測定して行なった。
上記の陽極電極付き基板Aを、30分間UV/O3処理した。処理後の基板表面の炭素元素濃度は1%以下であり、陽極電極の表面の有機物がかなり良好に除去されたことを示唆していると考えられる。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、陽極電極の上に膜厚10ÅのNPDを成膜した。尚、NPDのガラス転移温度は85℃前後である。
上記の陽極電極付き基板Bを、空気中に1時間放置した。この処理後の基板表面の炭素元素濃度は約9質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。
上記の陽極電極付き基板Aを関東化学製臭素水(鹿特級)に2分間浸漬した。次に基板上の液滴をN2流を当てることによって除去し、この後、基板を真空中、120℃で10分間ベークした。
上記の陽極電極付き基板Aを関東化学製臭素水(鹿特級)に2分間浸漬した。次に基板上の液滴をN2流を当てることによって除去し、この後、基板を乾燥空気中、120℃で10分ベークした。
上記の陽極電極付き基板Aを関東化学製臭素水(鹿特級)に2分間浸漬した。次に基板上の液滴をN2流を当てることによって除去した。
上記の陽極電極付き基板Bを関東化学製臭素水(鹿特級)に2分間浸漬した。次に基板上の液滴をN2流を当てることによって除去し、この後、基板を真空中、120℃で10分ベークした。
上記の陽極電極付き基板Cを関東化学製臭素水(鹿特級)に2分間浸漬した。次に基板上の液滴をN2流を当てることによって除去し、この後、基板を真空中、120℃で10分ベークした。
上記の陽極電極付き基板Bをヨウ素のイソプロピルアルコール溶液(濃度75質量%)に5分間浸漬した。次いで基板上の液滴をN2流を当てることによって除去し、この後、基板を真空中、100℃で10分ベークした。
上記の陽極電極付き基板Bをシャーレ中に入れ、基板の近傍に関東化学製臭素水を1mL滴下した後に速やかにフタをし、10分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。
上記の陽極電極付き基板Bを、関東化学製臭化水素酸に1分間浸漬した後に、基板上の液滴をN2流を当てることによって除去した。次いで基板を真空下120℃で10分間ベークした。
上記の陽極電極付き基板A上に、膜厚10ÅのAlqを成膜した。これを塩素水(関東化学(株)製、濃度0.3質量%)に1分間浸漬し、次いで真空下120℃で10分間ベークした。尚、Alqのガラス転移温度は140℃前後である。
上記の陽極電極付き基板A上に、膜厚10ÅのDNTPD[化1]を成膜した。これをヨウ素のイソプロピルアルコール溶液(濃度75%)に1分間浸漬し、次いで真空下100℃で10分間ベークした。DNTPDのガラス転移温度は105度前後である。
上記の陽極電極付き基板Dを関東化学製臭素水(鹿特級)に2分間浸漬した。次に基板上の液滴をN2流を当てることによって除去し、この後、基板を真空中、120℃で10分ベークした。
上記のようにして得た陽極電極付き基板B、H、Kの陽極電極の表面状態を、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製のプローブ顕微鏡「SPI4000」と「SPA−300HV」を用い、形状および位相評価で比較した。なお位相評価とは、カンチレバーを共振振動させるために入力する信号と、実質的なカンチレバーの振動信号との位相のずれを検出することにより、形状像評価と同時に基板の表面物性の分布を知ることのできる評価方法である。位相のずれは、吸着力や粘弾性のような表面物性の差に敏感に反応して生じるものであり、位相のずれの分布で表面物性の分布を知ることが可能である。また、位相分布が広い場合、表面に異なる表面物性を有する部位が存在していることを、位相分布が狭い場合には表面物性が面内で類似であることを意味している。
島津製作所製「ESCA−1000」を用いて、陽極電極の表面上の臭素量の評価を行った。ここでは束縛エネルギーが180〜210eVの範囲に現れる臭素の3p軌道のピークを用い、臭素量の比較を行った。測定条件は両試料に対して同一であり、ピークの強度から陽極電極上の臭素量の比較を行うことができる。図8(a)に臭素のガスによって処理を行った陽極電極付き基板Kの、図8(b)に臭素水によって処理を行った陽極電極付き基板Hの測定結果を示す。
陽極電極付き基板Eを用い、この基板Eを真空蒸着装置にセットし、1×10−4Pa以下の減圧雰囲気下で、ホール輸送層として、α−NPDを500Åの膜厚で蒸着した。次に有機発光層として、Alqにルブレンを7質量%ドープした材料を500Åの膜厚で蒸着し、電子輸送層としてAlqを200Åの膜厚で、電子注入層としてLiFを5Åの膜厚で蒸着し、最後に陰極電極としてアルミニウムを800Åの膜厚で形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。有機エレクトロルミネッセンス素子の構造は図2の通りである(実施例2以降も同じ)。
陽極電極付き基板Fを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Hを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Iを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Jを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Lを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Mを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Nを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Oを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Aを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Bを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Cを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Dを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Gを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Kを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Eを用い、ホール輸送層としてα−NPDを成膜した後に、真空中、75℃で10分間ベークするようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
脱気・脱水したクロロホルムに溶解したα−NPDを無水窒素雰囲気下で陽極電極付き基板E上に50Å厚で塗布した。次いで、この基板を真空蒸着装置に搬送し、ホール輸送層としてα−NPDを450Åの膜厚で蒸着して成膜し、ホール輸送層を形成した。後のプロセスは実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
実施例11と同様に陽極電極付き基板E上にα−NPDを塗布して成膜した後、真空中、75℃で10分間ベークした。後は実施例11と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
実施例11で調製したα−NPDのクロロホルム溶液に、脱水酸素ガスを3分間吹き込んで酸素を含有させた。これを用いて、後は実施例12と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
2 陰極電極
3 有機発光層
9 有機層
Claims (6)
- 陽極電極と陰極電極の間に有機発光層を備えて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子に於いて、陽極電極は、この陽極電極上に有機物が存在する状態で酸または酸化剤を含有する液体で処理された後に、真空下もしくは酸化性の気体を含む雰囲気下で、前記液体の沸点以上の温度で加熱処理されたものであり、陽極電極上に電荷移動錯体が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機物は、80℃以上のガラス転移温度を有するか、ガラス転移温度を有さないものであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 陽極電極と陰極電極の間に有機発光層を備えて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたって、陽極電極を酸または酸化剤を含有する液体で処理した後、真空下もしくは酸化性の気体を含む雰囲気下で、前記液体の沸点以上の温度で加熱処理する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記陽極電極上に形成される有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機層のうち、少なくとも陽極に接する有機層を塗布法によって形成することを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 陽極電極を酸または酸化剤を含有する液体で処理し、有機層を形成した後に前記加熱処理を行なうにあたって、加熱処理を行なう段階で形成されている有機層のガラス転移温度のうち最も低いガラス転移温度以下の温度で熱処理することを特徴とする請求項3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 陽極電極上に有機物が存在する状態で、陽極電極を酸または酸化剤を含有する液体で処理することを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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