JP2008311037A - 面発光体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記工程(A)〜(D)を含むことを特徴とする。
(A)基板1の上面に基板電極2と端子電極3とを形成する工程
(B)前記基板1の上面の前記基板電極2と端子電極3に亘る領域に有機物層4を積層して形成する工程
(C)前記有機物層4のうち端子電極3に積層された部分13を除去する工程
(D)前記有機物層4の上面から前記端子電極3の上面に亘って対電極5を積層して形成する工程
【選択図】図1
Description
(A)基板1の上面に基板電極2と端子電極3とを形成する工程。
(B)前記基板1の上面の前記基板電極2と端子電極3に亘る領域に有機物層4を積層して形成する工程。
(C)前記有機物層4のうち端子電極3に積層された部分13を除去する工程。
(D)前記有機物層4の上面から前記端子電極3の上面に亘って対電極5を積層して形成する工程。
(E)上記有機物層4の上面の、工程(C)で除去される部分13を除く領域に無機導電体層7を積層して形成する工程。
本実施形態の一例を図1に示す。
まず、基板1の上面に基板電極2と端子電極3とを形成する。この基板電極2と端子電極3とは基板1上の同一面上に間隔をあけて形成される。このとき例えば基板1上にパターンマスク等を用いて蒸着法や塗布法等により互いに分離した基板電極2と端子電極3とを形成することができる。またITO等の導電性金属膜が予め形成された基板1における前記導電性金属膜の一部をエッチング処理等で除去することで基板電極2と端子電極3とを形成することもできる。
次に、図1(a)に示すように、基板1上の基板電極2の上面から端子電極3の上面に亘る領域に有機物層4を積層して形成する。図示の例では、正孔注入層9、正孔輸送層10、発光層6、電子輸送層11を、順次積層して形成している。このとき、基板1上の基板電極2及び端子電極3が形成されている面の全面に亘って有機物層4を形成することができる。有機物層4は既述のように塗布法や蒸着法等の適宜の手法で形成することができるが、このとき有機物層4は基板1上の全面に形成することができるので、パターンマスクを使用する必要はない。このため、パターンマスクを使用する場合の弊害、すなわちパターンマスクに堆積した有機物による装置内の汚染やこの有機物等の粉塵が有機物層4に付着することによる素子特性への悪影響の発生を、防止することができるようになる。
次に、図1(b)のように、有機物層4のうち端子電極3に積層された部分13を除去する。これにより端子電極3の上面を露出させる。このとき有機物層4の端子電極3上にある領域を全部除去しても良く、また当該領域の一部を除去せずに残存させても良い。また基板電極2上では有機物層4を除去せずに残存させるものであるが、基板電極2上で有機物層4を一部除去することで、例えば基板電極2の一部を接続用の端子として外部に露出させるようにしても良い。
次に、図1(d)に示すように、有機物層4の上面から端子電極3の表面に亘って対電極5を積層して形成し、有機EL素子Aを得ることができる。このとき対電極5は有機物層4の上面から、この有機物層4の側面を介して端子電極3の上記露出した上面に至るように形成される。対電極5は既述のように塗布法や蒸着法等の適宜の手法で形成することができる。
本実施形態の一例を図2に示す。
本実施形態における工程(A)及び工程(B)は、図2(a)に示すように第一の実施形態と同様である。
本実施形態では、工程(B)の後(基板1上の基板電極2の上面から端子電極3の上面に亘る領域に有機物層4を積層して形成した後)、工程(C)の前(有機物層4のうち端子電極3に積層された部分13を除去する前)に、図2(b)に示すように有機物層4の上面の、工程(C)で除去される部分13を除く領域に無機導電体層7を積層して形成する工程(E)を追加する。
次に、第一の実施形態の場合と同様に、図2(c)に示すように有機物層4のうち端子電極3に積層された部分13を除去する。このとき有機物層4における前記除去すべき部分13以外の領域は、工程(E)において無機導電体にて覆われて保護されている。このため、有機物層4を除去する際に有機物等の粉塵が飛散しても、この粉塵が有機物層4の上面に付着することがなくなる。
次に、第一の実施形態の場合と同様に、図4(d)に示すように有機物層4の上面から端子電極3の表面に亘って対電極5を積層して形成することで、有機EL素子Aが得られる。このとき、有機物層4の上面に予め形成されている無機導電体層7は、対電極5の一部となる。従って、工程(C)において無機導電体層7に有機物等の粉塵が付着しても、この粉塵は対電極5内に混入された状態になるだけで、有機EL素子Aの素子特性に悪影響を及ぼすようなことはない。
上記第一及び第二の実施形態では、基板電極2と対電極5との間に一層の有機物層4を設けているが、複数層の有機物層4を形成する場合にも、本発明は適用し得る。その一例を図3に示す。
本実施形態における工程(A)は、第一及び第二の実施形態と同様である。
次に、図3(a)〜(c)に示すように、基板1の表面の基板電極2と端子電極3に亘る領域に有機物層4を積層して形成する。このとき、二層の有機物層4a,4bを順次積層して形成するものであり、且つ一層目の有機物層4aを形成した後、二層目の有機物層4bを形成する前に、この二つの有機物層4の間に介在する中間層8を形成する。
次に、第一の実施形態,2の場合と同様に、図3(d)に示すように有機物層4のうち端子電極3に積層された部分13を除去する。このとき有機物層4における前記除去すべき部分13以外の領域には、一層目の有機物層4aと二層目の有機物層4bとの間に中間層8が介在しているが、有機物層4における前記除去すべき部分13には、中間層8が介在していない。このため、有機物層4のみが除去されることとなる。
次に、第一の実施形態の場合と同様に、図3(e)に示すように有機物層4の上面から端子電極3の表面に亘って対電極5を積層して形成する。
1 基板
2 基板電極
3 端子電極
4 有機物層
5 対電極
6 発光層
7 無機導電体層
8 中間層
13 部分
Claims (4)
- 基板の上面に基板電極、発光層を含む有機物層、及び対向する対電極がこの順に積層された面発光体を製造する方法であって、下記工程(A)〜(D)を含むことを特徴とする面発光体の製造方法。
(A)基板の上面に基板電極と端子電極とを形成する工程
(B)前記基板の上面の前記基板電極と端子電極に亘る領域に有機物層を積層して形成する工程
(C)前記有機物層のうち端子電極に積層された部分を除去する工程
(D)前記有機物層の上面から前記端子電極の上面に亘って対電極を積層して形成する工程 - 上記工程(B)の後、工程(C)の前に、下記工程(E)を含むことを特徴とする請求項1に記載の面発光体の製造方法。
(E)上記有機物層の上面の、工程(C)で除去される部分を除く領域に無機導電体層を積層して形成する工程 - 上記工程(C)における有機物層を除去する手段が、プラズマ照射、レーザ光照射、イオンビーム照射及び電子ビーム照射から選択されるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光体の製造方法。
- 上記工程(C)における有機物層の除去を、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の面発光体の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041685A (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-28 | V Technology Co Ltd | 真空蒸着方法、真空蒸着装置、有機el表示装置の製造方法及び有機el表示装置 |
JP2014143086A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006231A (ja) * | 2002-04-10 | 2004-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2007500919A (ja) * | 2003-07-22 | 2007-01-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機電子デバイス製造の際の有機層の除去方法およびその方法によって形成される有機電子デバイス |
WO2007029523A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Pioneer Corporation | 被エッチング材の製造方法 |
-
2007
- 2007-06-13 JP JP2007156680A patent/JP2008311037A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004006231A (ja) * | 2002-04-10 | 2004-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2007500919A (ja) * | 2003-07-22 | 2007-01-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機電子デバイス製造の際の有機層の除去方法およびその方法によって形成される有機電子デバイス |
WO2007029523A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Pioneer Corporation | 被エッチング材の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041685A (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-28 | V Technology Co Ltd | 真空蒸着方法、真空蒸着装置、有機el表示装置の製造方法及び有機el表示装置 |
JP2014143086A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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