JP5027454B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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30mm角の大きさのガラス基板の表面に図2のような2mm幅で厚み1100ÅのITOが陽極電極として成膜されたITO付きガラス基板を用意し、この基板を湿式洗浄した(これを陽極電極付き基板Aとする)。そしてこの基板Aにおいて、陽極電極の水との接触角を測定したところ、約6°であった。また、基板表面の炭素元素濃度は約12質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。そして陽極電極の表面をステンレス製のニードルでスクラッチし、その後の段差を触針式表面形状測定器を用いて評価したが、50Å以上の膜があるという結果は得られなかった。従って、炭素元素濃度測定の結果を併せると、陽極電極の表面には50Å厚以下の有機膜が付着していると考えられる。
上記の陽極電極付き基板Aをシャーレ中に入れ、基板Aの近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、5分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。
上記の陽極電極付き基板Aをシャーレ中に入れ、基板Aの近傍に関東化学製臭化水素酸を1mL滴下した後に速やかにフタをし、5分間HBr蒸気に曝すことによって、HBrで表面処理した。このHBr処理後の基板表面の炭素元素濃度は約11質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。
上記の陽極電極付き基板Aを、40℃に加温した次亜塩素酸ナトリウムの9質量%水溶液に5分間浸漬した後に純水で洗浄し、さらに大気雰囲気下150℃で20分間ベークして、NaClOで表面処理した。この次亜塩素酸処理及びベークの後の基板表面の炭素元素濃度は約13質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。
上記の陽極電極付き基板Aを、過マンガン酸カリウムの2質量%水溶液に2分間浸漬した後に純水で洗浄し、さらに真空雰囲気下150℃で20分間ベークして、KMnO4で表面処理した。このKMnO4処理及びベーク後の基板表面の炭素元素濃度は約11質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。
上記の陽極電極付き基板Aを関東化学製臭素水(鹿特級)に1分間浸漬し、その後真空下120℃で10分間ベーク・乾燥して、Br2で表面処理した。このBr2処理後の基板表面の炭素元素濃度は約12質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した。この処理の後に測定した陽極電極の水との接触角は1°であった。この処理の後の基板表面の炭素元素濃度は1質量%以下であり、陽極電極の上には有機物がほとんど付着していないことを示唆していた。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、空気中に1時間放置した。このUV/O3・空気放置の処理をした後に測定した陽極電極の水との接触角は約6°であった。またこの処理後の基板表面の炭素元素濃度は約9質量%であり、陽極電極の表面の有機物の存在を示唆していた。さらに、この基板を関東化学製臭素水(鹿特級に1分間浸漬し、その後真空下120℃で10分間ベーク・乾燥してHBr処理した。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、陽極電極の上に膜厚10Åのα−NPB(4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル)(e-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd.製)を成膜した。そしてこれをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、1分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。このBr2処理後の基板の表面の炭素元素濃度は約80質量%であり、α−NPBが陽極電極を含む基板の表面をかなりの割合で覆っていることを示唆していた。また、FT−IRでの評価により、陽極電極の表面にα−NPBが存在していることを確認した。尚、α−NPBのガラス転移温度は95℃である。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、これをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、5分間Br2蒸気に曝すことによって、陽極電極をBr2で表面処理した。この後、陽極電極の上に膜厚10Åのα−NPBを成膜した。α−NPBの成膜は、α−NPBの1g/L濃度のクロロホルム溶液を基板の表面に8000rpmでスピンコートすることによって行なった。スピンコートを行なった後の陽極電極の水との接触角は約6°であった。そしてこの後、これをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、1分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、陽極電極の上に膜厚10ÅのAlqを成膜した。Alqの成膜を行なった後の陽極電極の水との接触角は約6°であった。そしてこれをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、1分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。尚、Alq3のガラス転移温度は140℃前後である。
上記の陽極電極付き基板Gをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、5分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、陽極電極の上に膜厚10ÅのTPDを成膜した。TPD成膜後の、陽極電極の水との接触角は約6°であった。そしてこれをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、1分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。尚、TPDのガラス転移温度は60℃前後である。
上記の陽極電極付き基板Aを、15分間UV/O3処理した後、陽極電極の上に膜厚10Åのデュポン社製「テフロン(登録商標)−AF」を蒸着して成膜した。「テフロン(登録商標)−AF」を成膜した後の、陽極電極の水との接触角は約160°であった。そしてこれをシャーレ中に入れ、基板の近傍に1mLの関東化学製臭素水(鹿特級)を滴下した後に速やかにフタをし、1分間Br2蒸気に曝すことによって、Br2で表面処理した。
上記の陽極電極付き基板Bと陽極電極付き基板GのITO面にそれぞれ、α−NPBを真空蒸着機で膜厚15Åに成膜した。
上記のα−NPBを成膜した陽極電極付き基板B,Gを、株式会社堀場製作所の蛍光分光装置「Fluorolog−3」を用いて評価した。測定の励起波長は340nmである。この結果、UV/O3処理した基板Gの上のα−NPBからは、ピーク波長が434nmのPLスペクトルが、Br2処理した基板Bの上のα−NPBからは、ピーク波長が436nmのPLスペクトルが得られた。
陽極電極付き基板Bを用い、この基板Bを真空蒸着装置にセットし、1×10−4Pa以下の減圧雰囲気下で、ホール輸送層として、α−NPBを500Åの膜厚で蒸着した。次に有機発光層として、Alqにルブレンを7質量%ドープした材料を500Åの膜厚で、電子輸送層としてAlqを200Åの膜厚で、電子注入層としてLiq(化1)を10Åの膜厚で蒸着し、最後に陰極電極としてアルミニウムを800Åの膜厚で形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。有機エレクトロルミネッセンス素子の構造は図2の通りである(実施例2以降も同じ)。
陽極電極付き基板Bを用い、この基板Bを真空蒸着装置にセットし、1×10−4Pa以下の減圧雰囲気下で、ホール注入層として、DNTPD(化2)を300Åの膜厚で、ホール輸送層として、α−NPBを200Åの膜厚で蒸着した。次に有機発光層として、Alqにルブレンを7質量%ドープした材料を500Åの膜厚で、電子輸送層としてAlqを200Åの膜厚で、電子注入層としてLiqを10Åの膜厚で蒸着し、最後に陰極電極としてアルミニウムを800Åの膜厚に形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Cを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Dを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Eを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Fを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Hを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Iを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Jを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Kを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Mを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Gを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Gを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Lを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
陽極電極付き基板Nを用いるようにした他は、実施例2と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
2 陰極電極
3 有機発光層
Claims (4)
- 陽極電極と陰極電極の間に有機発光層を備えて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子に於いて、陽極電極は、表面に80℃以上のガラス転移温度を有するか、ガラス転移温度を有さない有機物が存在し、且つ水との接触角が5°以上60°以下である表面に対し、酸または酸化剤で表面処理が施されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 陽極電極と陰極電極の間に有機発光層を備えて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子に於いて、陽極電極は、表面に電子供与の可能な有機物が存在し、且つ水との接触角が5°以上60°以下である表面に対し、酸または酸化剤で表面処理が施されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 陽極電極の表面の有機物の膜厚は50Å以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 陽極電極の表面の有機物の膜厚は20Å以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006175617A JP5027454B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006175617A JP5027454B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008004499A JP2008004499A (ja) | 2008-01-10 |
JP5027454B2 true JP5027454B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=39008705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006175617A Expired - Fee Related JP5027454B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5027454B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113358619B (zh) * | 2021-06-05 | 2023-05-19 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种用于半定量检测高锰酸钾溶液的荧光传感分析卡制备方法及应用 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2917795B2 (ja) * | 1994-02-04 | 1999-07-12 | 住友電気工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP3987770B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2007-10-10 | 松下電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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2006
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Publication number | Publication date |
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JP2008004499A (ja) | 2008-01-10 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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