JPH10280152A - チャンバレスレーザｃｖｄ装置 - Google Patents
チャンバレスレーザｃｖｄ装置Info
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- JPH10280152A JPH10280152A JP9551597A JP9551597A JPH10280152A JP H10280152 A JPH10280152 A JP H10280152A JP 9551597 A JP9551597 A JP 9551597A JP 9551597 A JP9551597 A JP 9551597A JP H10280152 A JPH10280152 A JP H10280152A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造や、液晶ディスプレイの製造に用
いられるフォトマスクの欠陥修正装置や、液晶基板の配
線修正に用いられるレーザＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 ガス導入部１０が、基板８上のレーザ光
照射部１３の近傍を覆うように設けられ、レーザ光照射
に向けて原料ガスを吹き出すノズル９と、基板８に向か
い合う面に、レーザ光照射部１３を中心とする同心円上
に設けられたパージガス吸い込み口６と、パージガス吸
い込みロ６の外側に設けられたパージガス吹き出しロ７
とを有し、パージガス吹き出し口７とパージガス吸い込
み口６とが、窓４の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面
内に薄い窓パージガス流を形成するように、垂直な面内
に対向して設ける。
いられるフォトマスクの欠陥修正装置や、液晶基板の配
線修正に用いられるレーザＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 ガス導入部１０が、基板８上のレーザ光
照射部１３の近傍を覆うように設けられ、レーザ光照射
に向けて原料ガスを吹き出すノズル９と、基板８に向か
い合う面に、レーザ光照射部１３を中心とする同心円上
に設けられたパージガス吸い込み口６と、パージガス吸
い込みロ６の外側に設けられたパージガス吹き出しロ７
とを有し、パージガス吹き出し口７とパージガス吸い込
み口６とが、窓４の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面
内に薄い窓パージガス流を形成するように、垂直な面内
に対向して設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造や、液
晶ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの欠陥
修正装置や、液晶基板の配線修正に用いられるレーザＣ
ＶＤ装置に関する。
晶ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの欠陥
修正装置や、液晶基板の配線修正に用いられるレーザＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上の欠陥を修正するレーザＣ
ＶＤ装置は、レーザ光源，レーザ照射機能と顕微鏡機能
とを備える照射光学系，ＣＶＤ原料ガスを供給する原料
ガス供給ユニット，排気ガスを無害化する排気ユニッ
ト，基板を保持するＸ−Ｙステージ，これら各ユニット
の動作を制御する制御ユニット，原料ガスを基板上の照
射部に導くガス導入系からなっている。装置の小型化
と、照射部の雰囲気の置換に要する時間の短縮との効果
に優れるガス導入部の形態として、基板とガス導入部の
間の間隙のガス流を制御することによる原料ガスの閉じ
込めと、周囲雰囲気からの空気の混入とを防ぐガスカー
テン方式の局所的なガス閉じ込め機構、通称チャンバレ
スガス導入機構が知られている。
ＶＤ装置は、レーザ光源，レーザ照射機能と顕微鏡機能
とを備える照射光学系，ＣＶＤ原料ガスを供給する原料
ガス供給ユニット，排気ガスを無害化する排気ユニッ
ト，基板を保持するＸ−Ｙステージ，これら各ユニット
の動作を制御する制御ユニット，原料ガスを基板上の照
射部に導くガス導入系からなっている。装置の小型化
と、照射部の雰囲気の置換に要する時間の短縮との効果
に優れるガス導入部の形態として、基板とガス導入部の
間の間隙のガス流を制御することによる原料ガスの閉じ
込めと、周囲雰囲気からの空気の混入とを防ぐガスカー
テン方式の局所的なガス閉じ込め機構、通称チャンバレ
スガス導入機構が知られている。
【０００３】この方法を、原料ガスがレーザ光の照射に
より光分解する反応を用いるレーザＣＶＤ反応に用いる
場合の構成例が、たとえば、特開平１−５０２１４９号
公報に記述されている。このガス導入系のガスの流し方
は以下の様である。
より光分解する反応を用いるレーザＣＶＤ反応に用いる
場合の構成例が、たとえば、特開平１−５０２１４９号
公報に記述されている。このガス導入系のガスの流し方
は以下の様である。
【０００４】ガス導入部は、原料ガスをレーザ光照射部
に向かって吹き出すノズルと、基板と対向する面のレー
ザ光照射部の周囲の円周に内側から順に溝状のガス吸い
込み口とパージガスの吹き出し口を設け、このガス導入
部を基板に対して椀を伏せた様な形状に配置される。一
方、光ＣＶＤ反応による窓や対物レンズの曇りを防ぐた
めに窓パージガスが導入されるが、この場合のガスのパ
ージは、窓側から、基板に向かって、つまりレーザ導入
光軸に沿う方向にガスを流すようガス系を構成すること
によって実現されていた。原料ガスはノズルによりレー
ザ光照射部に吹き出すことで供給され、使用済の原料ガ
スは、吸い込み口により回収される。一方、吸い込み口
の外側のパージガス出口は、ガス導入部の周囲から空気
が基板との間隙を通って入り込み、堆積膜の膜質の劣化
を防止するガスカーテン機能に用いられる。
に向かって吹き出すノズルと、基板と対向する面のレー
ザ光照射部の周囲の円周に内側から順に溝状のガス吸い
込み口とパージガスの吹き出し口を設け、このガス導入
部を基板に対して椀を伏せた様な形状に配置される。一
方、光ＣＶＤ反応による窓や対物レンズの曇りを防ぐた
めに窓パージガスが導入されるが、この場合のガスのパ
ージは、窓側から、基板に向かって、つまりレーザ導入
光軸に沿う方向にガスを流すようガス系を構成すること
によって実現されていた。原料ガスはノズルによりレー
ザ光照射部に吹き出すことで供給され、使用済の原料ガ
スは、吸い込み口により回収される。一方、吸い込み口
の外側のパージガス出口は、ガス導入部の周囲から空気
が基板との間隙を通って入り込み、堆積膜の膜質の劣化
を防止するガスカーテン機能に用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術に
は以下に示す欠点があった。
は以下に示す欠点があった。
【０００６】レーザ光照射部ではノズルから吹き出した
原料ガスと、窓パージ用のパージガスが混合され、ガス
濃度が低下するため、早い堆積速度を得ることが困難で
あった。
原料ガスと、窓パージ用のパージガスが混合され、ガス
濃度が低下するため、早い堆積速度を得ることが困難で
あった。
【０００７】この対策としては、パージガスとの混合に
よるガス濃度低下を原料ガスの高濃度化することによっ
て補償することが考えられる。しかし、欠陥修正用途に
用いられるレーザＣＶＤ装置に使われる昇華性の原料で
ある金属カルポニルが、室温での蒸気庄が低く、原料濃
度を高めると、原料吹き出しノズル部で原料の凝縮が起
りやすく実用性が低下するという欠点を生じていた。
よるガス濃度低下を原料ガスの高濃度化することによっ
て補償することが考えられる。しかし、欠陥修正用途に
用いられるレーザＣＶＤ装置に使われる昇華性の原料で
ある金属カルポニルが、室温での蒸気庄が低く、原料濃
度を高めると、原料吹き出しノズル部で原料の凝縮が起
りやすく実用性が低下するという欠点を生じていた。
【０００８】また、半導体用フォトマスクの修正の応用
で必要となる非常に微少なパターンの修正を行うために
は、高ＮＡ（開口数）の高倍率対物レンズの使用が不可
欠となるが、これらの高ＮＡレンズは、対物レンズの作
動距離が、２ｍｍ程度以下と小さく、窓のパージ効果を
保つために必要な光軸方向の窓と基板との分離距離を確
保することができず、窓曇りを避けられないという問題
があった。
で必要となる非常に微少なパターンの修正を行うために
は、高ＮＡ（開口数）の高倍率対物レンズの使用が不可
欠となるが、これらの高ＮＡレンズは、対物レンズの作
動距離が、２ｍｍ程度以下と小さく、窓のパージ効果を
保つために必要な光軸方向の窓と基板との分離距離を確
保することができず、窓曇りを避けられないという問題
があった。
【０００９】従って、本発明の目的は、半導体製造や、
液晶ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの欠
陥修正装置や、液晶基板の配線修正に用いられるレーザ
ＣＶＤ装置を提供することにある。
液晶ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの欠
陥修正装置や、液晶基板の配線修正に用いられるレーザ
ＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、レーザ光源と、ステージ上に配置した基
板上の所望の位置にレーザ光を照射するための照射観察
ユニットと、基板上のレーザ光照射部にＣＶＤ原料ガス
を供給するガス供給ユニットと、ガス供給ユニットから
ガスを導入するガス導入部と、レーザ光を導入する窓と
を備えたチャンバレスレーザＣＶＤ装置において、ガス
導入部が、基板上のレーザ光照射部の近傍を覆うように
設けられ、レーザ光照射に向けて原料ガスを吹き出すノ
ズルと、基板に向かい合う面に、レーザ光照射部を中心
とする同心円上に設けられたパージガス吸い込み口と、
吸い込みロの外側に設けられたパージガス吹き出しロと
を有し、パージガス吹き出し口とパージガス吸い込み口
とが、窓の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面内に、薄
い窓パージガス流を形成するように、垂直な面内に対向
して設けられたことを特徴とする。
に、本発明は、レーザ光源と、ステージ上に配置した基
板上の所望の位置にレーザ光を照射するための照射観察
ユニットと、基板上のレーザ光照射部にＣＶＤ原料ガス
を供給するガス供給ユニットと、ガス供給ユニットから
ガスを導入するガス導入部と、レーザ光を導入する窓と
を備えたチャンバレスレーザＣＶＤ装置において、ガス
導入部が、基板上のレーザ光照射部の近傍を覆うように
設けられ、レーザ光照射に向けて原料ガスを吹き出すノ
ズルと、基板に向かい合う面に、レーザ光照射部を中心
とする同心円上に設けられたパージガス吸い込み口と、
吸い込みロの外側に設けられたパージガス吹き出しロと
を有し、パージガス吹き出し口とパージガス吸い込み口
とが、窓の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面内に、薄
い窓パージガス流を形成するように、垂直な面内に対向
して設けられたことを特徴とする。
【００１１】また、ガス導入部を、ガスを排気する排気
ユニットに接続するのが好ましい。
ユニットに接続するのが好ましい。
【００１２】さらに、ガス供給ユニット，排気ユニッ
ト，Ｘ−Ｙステージ，レーザ光を、制御ユニットにより
制御するのが好ましい。
ト，Ｘ−Ｙステージ，レーザ光を、制御ユニットにより
制御するのが好ましい。
【００１３】またさらに、窓の材質が、レーザ光に対し
て透明なフィルムであると好ましい。
て透明なフィルムであると好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】図１は、本発明のチャンバレスレーザＣＶ
Ｄ装置の一実施例のガス導入部の構造を示す断面図であ
り、半導体フォトマスクの白欠陥修正に適用した場合を
示す。白欠陥修正とは、基板上の透明欠陥（白欠陥）部
に透明物質を付着させて欠陥を修正することである。
Ｄ装置の一実施例のガス導入部の構造を示す断面図であ
り、半導体フォトマスクの白欠陥修正に適用した場合を
示す。白欠陥修正とは、基板上の透明欠陥（白欠陥）部
に透明物質を付着させて欠陥を修正することである。
【００１６】まず、図１を参照にして、ガス導入部１０
の構造を説明する。ガス導入部１０は、基板８の上に間
隔を置いて配置される。ガス導入部１０には、ほぼ中央
部にレーザ光を導入する窓４と、窓４への原料ガスの付
着を防止するための窓パージガスを導入する窓パージガ
ス入口５と、吸い込んだ窓パージガスを排気ユニット１
６（図３を参照）に導く窓パージガス出口２と、原料ガ
スをレーザ照射部１３に吹き出すノズル９と、周囲から
の空気混入を防ぐためのパージガス吹き出し口７と、使
用済の原料ガスおよびパージガスを吸い込むパージガス
吸い込み口６とが設けられている。パージガス吹き出し
口７は、図１の断面の手前側にもあり、光軸に対して対
称方向からガスを吹き出す構造になっている。溝状の吸
い込みロ６は、幅２ｍｍで、光軸中心から半径３０ｍｍ
の位置に設けている。ノズル９の内径は２ｍｍである。
の構造を説明する。ガス導入部１０は、基板８の上に間
隔を置いて配置される。ガス導入部１０には、ほぼ中央
部にレーザ光を導入する窓４と、窓４への原料ガスの付
着を防止するための窓パージガスを導入する窓パージガ
ス入口５と、吸い込んだ窓パージガスを排気ユニット１
６（図３を参照）に導く窓パージガス出口２と、原料ガ
スをレーザ照射部１３に吹き出すノズル９と、周囲から
の空気混入を防ぐためのパージガス吹き出し口７と、使
用済の原料ガスおよびパージガスを吸い込むパージガス
吸い込み口６とが設けられている。パージガス吹き出し
口７は、図１の断面の手前側にもあり、光軸に対して対
称方向からガスを吹き出す構造になっている。溝状の吸
い込みロ６は、幅２ｍｍで、光軸中心から半径３０ｍｍ
の位置に設けている。ノズル９の内径は２ｍｍである。
【００１７】図２は、図１に示すガス導入部の平面図で
ある。パージガス導入ロ１１および吸い込みガス排気口
１２は、それぞれ円形の溝上に設けられ、吸い込みを光
軸中心に対して対称に行うために、二つの円形溝上の六
箇所に一対一対応して設けられ、それぞれを、原料ガス
供給ユニット２０および排気ユニット１６に接続してい
る（図３を参照）。なお原料ガス供給ユニット２０およ
び排気ユニット１６との接続配管は、ガス導入部１０の
構成をわかりやすく示すために配管２１とした。
ある。パージガス導入ロ１１および吸い込みガス排気口
１２は、それぞれ円形の溝上に設けられ、吸い込みを光
軸中心に対して対称に行うために、二つの円形溝上の六
箇所に一対一対応して設けられ、それぞれを、原料ガス
供給ユニット２０および排気ユニット１６に接続してい
る（図３を参照）。なお原料ガス供給ユニット２０およ
び排気ユニット１６との接続配管は、ガス導入部１０の
構成をわかりやすく示すために配管２１とした。
【００１８】図３は、本発明のチャンバレスレーザＣＶ
Ｄ装置全体の構成を示すブロック図である。この装置
は、基板を保持するためにＸ−Ｙステージ１８を配置
し、Ｘ−Ｙステージ１８上に５インチ角の半導体フォト
マスク基板からなる基板８を配置し、その上にガス導入
部１０をかぶさるように間隔を置いて配置する。基板８
とガス導入部１０の間隙の間隔は０．５ｍｍ、ガス導入
部のほぼ中央に設けられた窓４（図１を参照）と基板８
との間隔は１．３ｍｍである。ガス導入部１０は、ガス
供給ユニット２０と排気ユニット１６とに接続されてい
る。ガス導入部１０に接続するガス配管には、原料ガス
としてのＣｒ（ＣＯ）6 ，原料ガスを輸送するキャリア
ガスとしてのアルゴンガス，窓パージガスがあり、ガス
導入部１０と基板８との間より空気が入り込むことを防
止するためのパージガス用のアルゴンガスの配管がガス
供給ユニット２０と接続され、吸い込み口６（図１を参
照）より吸い込まれる排気ガスの出口である吸い込みガ
ス排気口１２（図２を参照）、および窓パージガス出口
２からの配管は、排気ユニット１６に接続されている。
ＱｓｗＮｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光源からなるレ
ーザ光源１４の出射光はミラー１５で反射され、照射観
察ユニット１７に入射する。照射観察ユニット１７は、
レーザ光をアパーチャにより整形し、基板８上の所望部
に所望の形状の照射パターンを形成すると同時に、レー
ザ光照射部のパターンを観察する機能を有する。照射観
察ユニット１７の出射側に配置する対物レンズ３（図１
を参照）は、倍率が１００倍で、作動距離が２．２ｍｍ
である。ガス供給ユニット２０、排気ユニット１６、Ｘ
−Ｙステージ１８、レーザ光源１４の動作は、制御ユニ
ット１９により制御される構成となっている。
Ｄ装置全体の構成を示すブロック図である。この装置
は、基板を保持するためにＸ−Ｙステージ１８を配置
し、Ｘ−Ｙステージ１８上に５インチ角の半導体フォト
マスク基板からなる基板８を配置し、その上にガス導入
部１０をかぶさるように間隔を置いて配置する。基板８
とガス導入部１０の間隙の間隔は０．５ｍｍ、ガス導入
部のほぼ中央に設けられた窓４（図１を参照）と基板８
との間隔は１．３ｍｍである。ガス導入部１０は、ガス
供給ユニット２０と排気ユニット１６とに接続されてい
る。ガス導入部１０に接続するガス配管には、原料ガス
としてのＣｒ（ＣＯ）6 ，原料ガスを輸送するキャリア
ガスとしてのアルゴンガス，窓パージガスがあり、ガス
導入部１０と基板８との間より空気が入り込むことを防
止するためのパージガス用のアルゴンガスの配管がガス
供給ユニット２０と接続され、吸い込み口６（図１を参
照）より吸い込まれる排気ガスの出口である吸い込みガ
ス排気口１２（図２を参照）、および窓パージガス出口
２からの配管は、排気ユニット１６に接続されている。
ＱｓｗＮｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光源からなるレ
ーザ光源１４の出射光はミラー１５で反射され、照射観
察ユニット１７に入射する。照射観察ユニット１７は、
レーザ光をアパーチャにより整形し、基板８上の所望部
に所望の形状の照射パターンを形成すると同時に、レー
ザ光照射部のパターンを観察する機能を有する。照射観
察ユニット１７の出射側に配置する対物レンズ３（図１
を参照）は、倍率が１００倍で、作動距離が２．２ｍｍ
である。ガス供給ユニット２０、排気ユニット１６、Ｘ
−Ｙステージ１８、レーザ光源１４の動作は、制御ユニ
ット１９により制御される構成となっている。
【００１９】以上のような構造のガス導入部１０を用い
て、本発明のチャンバレスレーザＣＶＤ装置の効果を実
験により検証した。実験でのレーザ光照射条件は以下の
通りである。繰り返し２ｋＨｚ、パルス幅を５０ｎｓ、
照射強度を５０ｋＷ／ｃｍ2、照射ビーム形状を５μｍ
角、堆積時間を３〜１０秒の範囲にして、ガス流量を変
えた場合の窓の曇りの程度、堆積速度の変化を評価し
た。なお、原料ガスのＣｒ（ＣＯ）6 のガス濃度は、ノ
ズル９の出口で０．１Ｔｏｒｒとした。なお上記の条件
は、空気の混入がない場合に金属光沢がありフォトマス
ク用に必要な遮光性の取れる堆積膜を得られる条件であ
る。
て、本発明のチャンバレスレーザＣＶＤ装置の効果を実
験により検証した。実験でのレーザ光照射条件は以下の
通りである。繰り返し２ｋＨｚ、パルス幅を５０ｎｓ、
照射強度を５０ｋＷ／ｃｍ2、照射ビーム形状を５μｍ
角、堆積時間を３〜１０秒の範囲にして、ガス流量を変
えた場合の窓の曇りの程度、堆積速度の変化を評価し
た。なお、原料ガスのＣｒ（ＣＯ）6 のガス濃度は、ノ
ズル９の出口で０．１Ｔｏｒｒとした。なお上記の条件
は、空気の混入がない場合に金属光沢がありフォトマス
ク用に必要な遮光性の取れる堆積膜を得られる条件であ
る。
【００２０】次に、欠陥の修正を行う場合の手順を以下
に説明する。まず、図３において、Ｘ−Ｙステージ１８
上に基板８を置いた後、基板８上の欠陥修正位置が照射
観察ユニットの修正位置になるようＸ−Ｙステージ１８
を移動させる。次にガス供給ユニット２０より、パージ
ガスおよび窓パージガスをガス導入部１０に導入する。
レーザ光照射部の空気がアルゴンガスに置換されるのに
要する時間（およそ３秒）経過後に、排気ユニット１６
により、図２の吸い込みガス排気口１２および窓パージ
ガス出口２から排気を開始し、同時に原料ガスの供給を
開始する。原料ガスを流した状態で、所定強度のレーザ
光を基板に照射してＣＶＤを起こすことができる。パー
ジガスのガス流量は１リットル／分、窓パージガスの流
量は入口側，吸入側共１リットル／分とし、原料ガスの
流量は１００ｓｃｃｍ、吸い込み口からの吸入量は０．
７リットル／分とした。
に説明する。まず、図３において、Ｘ−Ｙステージ１８
上に基板８を置いた後、基板８上の欠陥修正位置が照射
観察ユニットの修正位置になるようＸ−Ｙステージ１８
を移動させる。次にガス供給ユニット２０より、パージ
ガスおよび窓パージガスをガス導入部１０に導入する。
レーザ光照射部の空気がアルゴンガスに置換されるのに
要する時間（およそ３秒）経過後に、排気ユニット１６
により、図２の吸い込みガス排気口１２および窓パージ
ガス出口２から排気を開始し、同時に原料ガスの供給を
開始する。原料ガスを流した状態で、所定強度のレーザ
光を基板に照射してＣＶＤを起こすことができる。パー
ジガスのガス流量は１リットル／分、窓パージガスの流
量は入口側，吸入側共１リットル／分とし、原料ガスの
流量は１００ｓｃｃｍ、吸い込み口からの吸入量は０．
７リットル／分とした。
【００２１】上述した条件によりＣＶＤを行った所、堆
積時間１．５秒でフォトマスクの修正に必要な遮光性の
膜を形成することができたのに対し、窓パージガス出口
を塞いで、従来の窓パージの方法でＣＶＤを行うと、遮
光性のある膜を形成するのに必要な時間が１０秒と修正
のスループットに影響する時間にまで増大した。このこ
とは、従来の窓パージ方法では、ノズル９より吹き出さ
れる原料ガスが窓パージガスと混合されて、レーザ光照
射部の原料ガス濃度が低下することので薄められること
を示している。また、窓パージガス出口を塞いで従来の
窓パージ方法と同じ構成を取った場合、窓と基板の間隔
が小さすぎるために、レーザ光照射時間が３０分で、目
に見えるほどの窓の量りが生じた。一方、窓パージをレ
ーザ照射光軸に垂直な面内の薄い層流のガスで行う本発
明の構成では、レーザ照射時間が５０時間経過しても窓
の曇りが生じなかった。
積時間１．５秒でフォトマスクの修正に必要な遮光性の
膜を形成することができたのに対し、窓パージガス出口
を塞いで、従来の窓パージの方法でＣＶＤを行うと、遮
光性のある膜を形成するのに必要な時間が１０秒と修正
のスループットに影響する時間にまで増大した。このこ
とは、従来の窓パージ方法では、ノズル９より吹き出さ
れる原料ガスが窓パージガスと混合されて、レーザ光照
射部の原料ガス濃度が低下することので薄められること
を示している。また、窓パージガス出口を塞いで従来の
窓パージ方法と同じ構成を取った場合、窓と基板の間隔
が小さすぎるために、レーザ光照射時間が３０分で、目
に見えるほどの窓の量りが生じた。一方、窓パージをレ
ーザ照射光軸に垂直な面内の薄い層流のガスで行う本発
明の構成では、レーザ照射時間が５０時間経過しても窓
の曇りが生じなかった。
【００２２】次に本発明の他の一実施例として、窓材
を、透明なフィルムによって行う場合について説明す
る。ガス導入部の構成は図１と同様であるが、窓材とし
て、５μｍ厚のペリクルフィルムを用い、ガス導入部１
０の上板の下面にフィルムを貼り付ける構成を用いる。
ガス導入部１０の上板の切りかきサイズを対物レンズの
外形よりも大きくすることにより、対物レンズ３と基板
のレーザ光照射部１３との間隔を１．５ｍｍにまで短縮
することができるので、対物レンズとしてより開口数の
高い高分解能のレンズを適用することが可能となり、加
工修正の精度を改善することができる。
を、透明なフィルムによって行う場合について説明す
る。ガス導入部の構成は図１と同様であるが、窓材とし
て、５μｍ厚のペリクルフィルムを用い、ガス導入部１
０の上板の下面にフィルムを貼り付ける構成を用いる。
ガス導入部１０の上板の切りかきサイズを対物レンズの
外形よりも大きくすることにより、対物レンズ３と基板
のレーザ光照射部１３との間隔を１．５ｍｍにまで短縮
することができるので、対物レンズとしてより開口数の
高い高分解能のレンズを適用することが可能となり、加
工修正の精度を改善することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によるチャンバレスレーザＣＶＤ
装置によれば、レーザ光照射部での原料ガスを高く保つ
ことができるので、修正時間を大幅に短縮することがで
き、修正装置のスループットを高速にできるという効果
を奏する。
装置によれば、レーザ光照射部での原料ガスを高く保つ
ことができるので、修正時間を大幅に短縮することがで
き、修正装置のスループットを高速にできるという効果
を奏する。
【００２４】また、高い加工分解能で、作動距離の短い
高倍率の対物レンズを使用しても、窓曇りを生じること
がないので、高精度かつ、高スループットが得られ、窓
交換の必要がない優れたチャンバレスレーザＣＶＤ装置
を提供することができる。
高倍率の対物レンズを使用しても、窓曇りを生じること
がないので、高精度かつ、高スループットが得られ、窓
交換の必要がない優れたチャンバレスレーザＣＶＤ装置
を提供することができる。
【図１】本発明のレーザＣＶＤ装置の一実施例のガス導
入部の構造を示す断面図である。
入部の構造を示す断面図である。
【図２】図１に示すガス導入部の平面図である。
【図３】本発明のレーザＣＶＤ装置の一実施例の全体の
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
１ 原料ガス入口 ２ 窓パージガス出口 ３ 対物レンズ ４ 窓 ５ 窓パージガス入口 ６ パージガス吸い込み口 ７ パージガス吹き出し口 ８ 基板 ９ ノズル １０ ガス導入部 １１ パージガス導入ロ １２ 吸い込みガス排気ロ １３ 光照射部 １４ レーザ光源 １５ ミラー １６ 排気ユニット １７ 照射観察ユニット １８ Ｘ−Ｙステージ １９ 制御ユニット ２０ 原料ガス供給ユニット ２１ 配管
Claims (4)
- 【請求項１】レーザ光源と、Ｘ−Ｙステージ上に配置し
た基板上の所望の位置にレーザ光を照射するための照射
観察ユニットと、基板上のレーザ光照射部にＣＶＤ原料
ガスを供給するガス供給ユニットと、前記ガス供給ユニ
ットからガスを導入するガス導入部と、前記レーザ光を
導入する窓とを備えたチャンバレスレーザＣＶＤ装置に
おいて、 前記ガス導入部が、 前記基板上の前記レーザ光照射部の近傍を覆うように設
けられ、 レーザ光照射に向けて前記原料ガスを吹き出すノズル
と、 前記基板に向かい合う面に、前記レーザ光照射部を中心
とする同心円上に設けられたパージガス吸い込み口と、 前記吸い込みロの外側に設けられたパージガス吹き出し
ロとを有し、 前記パージガス吹き出し口とパージガス吸い込み口と
が、前記窓の内側のレーザ光導入光軸に垂直な面内に薄
い窓パージガス流を形成するように、前記垂直な面内に
対向して設けられたことを特徴とするチャンバレスレー
ザＣＶＤ装置。 - 【請求項２】前記ガス導入部を、ガスを排気する排気ユ
ニットに接続することを特徴とする、請求項１に記載の
チャンバレスレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項３】前記ガス供給ユニット，前記排気ユニッ
ト，前記Ｘ−Ｙステージ，前記レーザ光を、制御ユニッ
トにより制御することを特徴とする、請求項２に記載の
チャンバレスＣＶＤ装置。 - 【請求項４】前記窓の材質が、レーザ光に対して透明な
フィルムであることを特徴とする、請求項１〜３のいず
れかに記載のチャンバレスレーザＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9551597A JPH10280152A (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | チャンバレスレーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9551597A JPH10280152A (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | チャンバレスレーザｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10280152A true JPH10280152A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=14139715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9551597A Pending JPH10280152A (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | チャンバレスレーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10280152A (ja) |
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1997
- 1997-04-14 JP JP9551597A patent/JPH10280152A/ja active Pending
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