JP2002062637A - レーザ修正方法および装置 - Google Patents
レーザ修正方法および装置Info
- Publication number
- JP2002062637A JP2002062637A JP2000250900A JP2000250900A JP2002062637A JP 2002062637 A JP2002062637 A JP 2002062637A JP 2000250900 A JP2000250900 A JP 2000250900A JP 2000250900 A JP2000250900 A JP 2000250900A JP 2002062637 A JP2002062637 A JP 2002062637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- substrate
- thin film
- pattern
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/1435—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor involving specially adapted flow control means
- B23K26/1438—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor involving specially adapted flow control means for directional control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/1462—Nozzles; Features related to nozzles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザ蒸散作用により欠陥部の膜を除去するレ
ーザ修正装置において、蒸散により生じた微粒子がマス
ク基板や対物レンズに再付着することを防止できるレー
ザ修正方法および装置を提供することにある。 【解決手段】レーザ光をマスク基板１上の所定の位置に
照射して、欠陥部の膜をレーザ蒸散作用により除去する
レーザ修正装置において、レーザ光を照射する対物レン
ズを、マスク基板の下方に配置し、かつ対物レンズとマ
スク基板の間に、レーザ照射部を頂点として、回転しな
がら下方に降下する渦巻き状の高速気流を形成し、加工
により生じた微粒子を高速気流に下流域に配置した吸い
込み口４に吸い込むことを特徴とする。
ーザ修正装置において、蒸散により生じた微粒子がマス
ク基板や対物レンズに再付着することを防止できるレー
ザ修正方法および装置を提供することにある。 【解決手段】レーザ光をマスク基板１上の所定の位置に
照射して、欠陥部の膜をレーザ蒸散作用により除去する
レーザ修正装置において、レーザ光を照射する対物レン
ズを、マスク基板の下方に配置し、かつ対物レンズとマ
スク基板の間に、レーザ照射部を頂点として、回転しな
がら下方に降下する渦巻き状の高速気流を形成し、加工
により生じた微粒子を高速気流に下流域に配置した吸い
込み口４に吸い込むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ修正方法並
びに装置に関し、とくに半導体用フォトマスクなど微細
なパターンが描画されている基板をレーザによって修正
する方法並びに装置に関する。
びに装置に関し、とくに半導体用フォトマスクなど微細
なパターンが描画されている基板をレーザによって修正
する方法並びに装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ修正装置では、基板に対し
て、上方にレーザ照射顕微光学系が配置され、レーザ光
を、基板に上方から照射して、欠陥部のＣｒ膜を蒸散除
去する手法が用いられている。この従来例としては、例
えば、特開昭５６−１１１２２７号公報の「絞り投影方
式のレーザ加工装置」によるものが知られている。この
方式では、通常の顕微鏡光学系にレーザ光を照射するレ
ーザ照射部を追加し、スリットで整形したレーザビーム
を対物レンズによって基板上方より照射して基板上面に
形成されたパターンにスリット像を結像照射することに
より、欠陥部を高精度に加工することができることが示
されている。また、特開平７−１０４４５９号公報の
「フォトマスクの欠陥修正方法及び修正装置」には、パ
ターン面を下向きに置き、レーザ光を上方の基板裏側か
ら基板を通してパターンに照射し、基板上のＣｒ膜を蒸
散除去する方法が記載されている。この発明では、基板
のパターン面を下向きにすることにより、蒸散した微粒
子が、重力によって下方に落下する結果、基板への微粒
子の再付着を低減できるという効果が記されている。ま
た、光軸上の基板下方に排気機構を設け、落下する微粒
子を吸引することが可能であると説明している。
て、上方にレーザ照射顕微光学系が配置され、レーザ光
を、基板に上方から照射して、欠陥部のＣｒ膜を蒸散除
去する手法が用いられている。この従来例としては、例
えば、特開昭５６−１１１２２７号公報の「絞り投影方
式のレーザ加工装置」によるものが知られている。この
方式では、通常の顕微鏡光学系にレーザ光を照射するレ
ーザ照射部を追加し、スリットで整形したレーザビーム
を対物レンズによって基板上方より照射して基板上面に
形成されたパターンにスリット像を結像照射することに
より、欠陥部を高精度に加工することができることが示
されている。また、特開平７−１０４４５９号公報の
「フォトマスクの欠陥修正方法及び修正装置」には、パ
ターン面を下向きに置き、レーザ光を上方の基板裏側か
ら基板を通してパターンに照射し、基板上のＣｒ膜を蒸
散除去する方法が記載されている。この発明では、基板
のパターン面を下向きにすることにより、蒸散した微粒
子が、重力によって下方に落下する結果、基板への微粒
子の再付着を低減できるという効果が記されている。ま
た、光軸上の基板下方に排気機構を設け、落下する微粒
子を吸引することが可能であると説明している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板上方からレーザ光を照射するレーザ修正方法では、
蒸散した微粒子が基板上に再付着し、新たな欠陥を生じ
させる場合があった。この傾向は、従来欠陥として測定
できず、また欠陥として実害のなかった０．１μｍ程度
の微粒子でも、近年の半導体プロセスの微細ルール化に
伴い、認識が可能となり、新たに欠陥として修正の必要
が出てきており大きな問題となっている。このため、微
粒子の付着をさらに低減することが必要となった。一
方、基板のパターン面を下向きにし、レーザ光を上方か
ら照射し欠陥を修正する方法では、観察光やレーザ光を
基板を通して照射するため、基板の平行平板収差によ
り、レーザ光の結像特性が劣化し、また、微小なパター
ンの観察に支障を来してしまう欠点がある。また、下方
側に吸引口を設けることにより、０．２μｍ以上の比較
的大きな微粒子はほぼ完全に基板への付着を避けられる
ものの、０． ２μｍ未満の微粒子では、発生した微粒
子が吸引の気流に乗るのに時間を要するために、一部の
微粒子が気流に乗り切れずに浮遊し、レーザ照射部の近
傍２０μｍ程度の範囲に再付着することが観測され、問
題点を残していた。
基板上方からレーザ光を照射するレーザ修正方法では、
蒸散した微粒子が基板上に再付着し、新たな欠陥を生じ
させる場合があった。この傾向は、従来欠陥として測定
できず、また欠陥として実害のなかった０．１μｍ程度
の微粒子でも、近年の半導体プロセスの微細ルール化に
伴い、認識が可能となり、新たに欠陥として修正の必要
が出てきており大きな問題となっている。このため、微
粒子の付着をさらに低減することが必要となった。一
方、基板のパターン面を下向きにし、レーザ光を上方か
ら照射し欠陥を修正する方法では、観察光やレーザ光を
基板を通して照射するため、基板の平行平板収差によ
り、レーザ光の結像特性が劣化し、また、微小なパター
ンの観察に支障を来してしまう欠点がある。また、下方
側に吸引口を設けることにより、０．２μｍ以上の比較
的大きな微粒子はほぼ完全に基板への付着を避けられる
ものの、０． ２μｍ未満の微粒子では、発生した微粒
子が吸引の気流に乗るのに時間を要するために、一部の
微粒子が気流に乗り切れずに浮遊し、レーザ照射部の近
傍２０μｍ程度の範囲に再付着することが観測され、問
題点を残していた。
【０００４】本発明の目的の一つは、レーザ光の結像特
性や微細パターンの観察性能を劣化させることなく、レ
ーザ照射により発生する微粒子の修正基板への再付着を
防止させることのできるレーザ修正方法及びレーザ修正
装置を提供することにある。本発明の他の目的は、レー
ザ修正方法により生じる微粒子が、対物レンズ等の光学
部品に付着することを避けるレーザ修正方法およびレー
ザ修正装置を提供することである。また、さらに他の目
的は、黒欠陥と白欠陥の両方に対応できるレーザ修正方
法およびレーザ修正装置を提供することである。
性や微細パターンの観察性能を劣化させることなく、レ
ーザ照射により発生する微粒子の修正基板への再付着を
防止させることのできるレーザ修正方法及びレーザ修正
装置を提供することにある。本発明の他の目的は、レー
ザ修正方法により生じる微粒子が、対物レンズ等の光学
部品に付着することを避けるレーザ修正方法およびレー
ザ修正装置を提供することである。また、さらに他の目
的は、黒欠陥と白欠陥の両方に対応できるレーザ修正方
法およびレーザ修正装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係わ
る発明のレーザ修正装置は、レーザ光源と、薄膜パター
ンが形成された基板上の前記パターンに存在する欠陥部
に前記レーザ光を照射するレーザ照射光学系と、前記基
板を移動させるＸ−Ｙステージを備え、前記欠陥部の前
記薄膜をレーザ蒸散作用により除去するレーザ修正装置
であって、下面に前記パターンを有する基板の下方にレ
ーザ光を照射する対物レンズを配置し、前記対物レンズ
と前記基板との間に前記基板下面に沿いかつ前記基板上
の前記レーザ照射部に向かって流れた後前記レーザ照射
部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転降下する渦巻
き状の気流を形成し、加工により生じた微粒子を含む前
記気流を下流域で排気する手段を備えたことを特徴とす
る。また、本発明の請求項２に係わる発明のレーザ修正
装置は、前記請求項１に係わる発明記載の前記基板下面
に沿いかつ前記基板上の前記レーザ照射部に向かう流れ
も、渦巻き状の流れであることを特徴とする。また、本
発明の請求項３に係わる発明のレーザ修正装置は、レー
ザ光源と、薄膜パターンが形成された基板上の前記パタ
ーンに存在する欠陥部に前記レーザ光を照射するレーザ
照射光学系と、前記基板を移動させるＸ−Ｙステージを
備え、薄膜パターンが形成された基板上の前記パターン
に存在する残留欠陥部にレーザ光を照射して、前記残留
欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去する第１
のレーザ修正方法と薄膜パターンが形成された基板上の
前記パターンに存在する欠損欠陥部に薄膜化学気相成長
用原料ガスとレーザ光を照射して、前記欠損欠陥部にレ
ーザ薄膜化学気相成長作用により薄膜を堆積させ、パー
ジガスにより残留する前記原料ガスを排出する第２のレ
ーザ修正方法とを単一の装置によって切り替えて行うこ
とを特徴とする。また、本発明の請求項４に係わる発明
のレーザ修正装置は、レーザ光源と、薄膜パターンが形
成された基板上の前記パターンに存在する欠陥部に前記
レーザ光を照射するレーザ照射光学系と、前記基板を移
動させるＸ−Ｙステージを備え、薄膜パターンが形成さ
れた基板上の前記パターンに存在する残留欠陥部にレー
ザ光を照射して、前記残留欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸
散作用により除去する第１のレーザ修正方法と薄膜パタ
ーンが形成された基板上の前記パターンに存在する欠損
欠陥部に薄膜化学気相成長用原料ガスとレーザ光を照射
して、前記欠損欠陥部にレーザ薄膜化学気相成長作用に
より薄膜を堆積させ、パージガスにより残留する前記原
料ガスを排出する第２のレーザ修正方法とを単一の装置
によって切り替えて行うレーザ修正装置であって、下面
に前記パターンを有する基板の下方にレーザ光を照射す
る対物レンズを配置し、前記第１のレーザ修正方法にお
いて、前記基板下面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射
部に向かって流れた後前記対物レンズと前記基板との間
にレーザ照射部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転
降下する渦巻き状の気流を形成し、加工により生じた微
粒子を含む前記気流を下流域で排気する手段を備えるこ
とを特徴とする。また、本発明の請求項５に係わる発明
のレーザ修正方法は、薄膜パターンが形成された基板上
の前記パターンに存在する欠陥部にレーザ光を照射し
て、前記欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去
するレーザ修正方法において、下面に前記パターンを有
する基板の下方にレーザ光を照射する対物レンズを配置
し、前記基板下面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射部
に向かって流れた後前記対物レンズと前記基板との間に
レーザ照射部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転降
下する渦巻き状の気流を形成し、加工により生じた微粒
子を含む前記気流を下流域で排気することを特徴とす
る。また、本発明の請求項６係わる発明のレーザ修正方
法は、前記請求項５に係わる発明記載の前記基板下面に
沿いかつ前記基板上のレーザ照射部に向かう流れも、渦
巻き状の流れであることを特徴とする。また、本発明の
請求項７係わる発明のレーザ修正方法は、薄膜パターン
が形成された基板上の前記パターンに存在する残留欠陥
部にレーザ光を照射して、前記残留欠陥部の前記薄膜を
レーザ蒸散作用により除去する第１のレーザ修正方法と
薄膜パターンが形成された基板上の前記パターンに存在
する欠損欠陥部に薄膜化学気相成長用原料ガスとレーザ
光を照射して、前記欠損欠陥部にレーザ薄膜化学気相成
長作用により薄膜を堆積させ、パージガスにより残留す
る前記原料ガスを排出する第２のレーザ修正方法とを単
一の装置によって切り替えて行うことを特徴とする。ま
た、本発明の請求項８に係わる発明のレーザ修正方法
は、薄膜パターンが形成された基板上の前記パターンに
存在する残留欠陥部にレーザ光を照射して、前記残留欠
陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去する第１の
レーザ修正方法と薄膜パターンが形成された基板上の前
記パターンに存在する欠損欠陥部に薄膜化学気相成長用
原料ガスとレーザ光を照射して、前記欠損欠陥部にレー
ザ薄膜化学気相成長作用により薄膜を堆積させ、パージ
ガスにより残留する前記原料ガスを排出する第２のレー
ザ修正方法とを単一の装置によって切り替えて行うレー
ザ修正方法であって、下面に前記パターンを有する基板
の下方にレーザ光を照射する対物レンズを配置し、前記
第１のレーザ修正方法において、前記基板下面に沿いか
つ前記基板上のレーザ照射部に向かって流れた後前記対
物レンズと前記基板との間にレーザ照射部を頂点とし下
方に半径を拡げながら回転降下する渦巻き状の気流を形
成し、加工により生じた微粒子を含む前記気流を下流域
で排気することを特徴とする。
る発明のレーザ修正装置は、レーザ光源と、薄膜パター
ンが形成された基板上の前記パターンに存在する欠陥部
に前記レーザ光を照射するレーザ照射光学系と、前記基
板を移動させるＸ−Ｙステージを備え、前記欠陥部の前
記薄膜をレーザ蒸散作用により除去するレーザ修正装置
であって、下面に前記パターンを有する基板の下方にレ
ーザ光を照射する対物レンズを配置し、前記対物レンズ
と前記基板との間に前記基板下面に沿いかつ前記基板上
の前記レーザ照射部に向かって流れた後前記レーザ照射
部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転降下する渦巻
き状の気流を形成し、加工により生じた微粒子を含む前
記気流を下流域で排気する手段を備えたことを特徴とす
る。また、本発明の請求項２に係わる発明のレーザ修正
装置は、前記請求項１に係わる発明記載の前記基板下面
に沿いかつ前記基板上の前記レーザ照射部に向かう流れ
も、渦巻き状の流れであることを特徴とする。また、本
発明の請求項３に係わる発明のレーザ修正装置は、レー
ザ光源と、薄膜パターンが形成された基板上の前記パタ
ーンに存在する欠陥部に前記レーザ光を照射するレーザ
照射光学系と、前記基板を移動させるＸ−Ｙステージを
備え、薄膜パターンが形成された基板上の前記パターン
に存在する残留欠陥部にレーザ光を照射して、前記残留
欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去する第１
のレーザ修正方法と薄膜パターンが形成された基板上の
前記パターンに存在する欠損欠陥部に薄膜化学気相成長
用原料ガスとレーザ光を照射して、前記欠損欠陥部にレ
ーザ薄膜化学気相成長作用により薄膜を堆積させ、パー
ジガスにより残留する前記原料ガスを排出する第２のレ
ーザ修正方法とを単一の装置によって切り替えて行うこ
とを特徴とする。また、本発明の請求項４に係わる発明
のレーザ修正装置は、レーザ光源と、薄膜パターンが形
成された基板上の前記パターンに存在する欠陥部に前記
レーザ光を照射するレーザ照射光学系と、前記基板を移
動させるＸ−Ｙステージを備え、薄膜パターンが形成さ
れた基板上の前記パターンに存在する残留欠陥部にレー
ザ光を照射して、前記残留欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸
散作用により除去する第１のレーザ修正方法と薄膜パタ
ーンが形成された基板上の前記パターンに存在する欠損
欠陥部に薄膜化学気相成長用原料ガスとレーザ光を照射
して、前記欠損欠陥部にレーザ薄膜化学気相成長作用に
より薄膜を堆積させ、パージガスにより残留する前記原
料ガスを排出する第２のレーザ修正方法とを単一の装置
によって切り替えて行うレーザ修正装置であって、下面
に前記パターンを有する基板の下方にレーザ光を照射す
る対物レンズを配置し、前記第１のレーザ修正方法にお
いて、前記基板下面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射
部に向かって流れた後前記対物レンズと前記基板との間
にレーザ照射部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転
降下する渦巻き状の気流を形成し、加工により生じた微
粒子を含む前記気流を下流域で排気する手段を備えるこ
とを特徴とする。また、本発明の請求項５に係わる発明
のレーザ修正方法は、薄膜パターンが形成された基板上
の前記パターンに存在する欠陥部にレーザ光を照射し
て、前記欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去
するレーザ修正方法において、下面に前記パターンを有
する基板の下方にレーザ光を照射する対物レンズを配置
し、前記基板下面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射部
に向かって流れた後前記対物レンズと前記基板との間に
レーザ照射部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転降
下する渦巻き状の気流を形成し、加工により生じた微粒
子を含む前記気流を下流域で排気することを特徴とす
る。また、本発明の請求項６係わる発明のレーザ修正方
法は、前記請求項５に係わる発明記載の前記基板下面に
沿いかつ前記基板上のレーザ照射部に向かう流れも、渦
巻き状の流れであることを特徴とする。また、本発明の
請求項７係わる発明のレーザ修正方法は、薄膜パターン
が形成された基板上の前記パターンに存在する残留欠陥
部にレーザ光を照射して、前記残留欠陥部の前記薄膜を
レーザ蒸散作用により除去する第１のレーザ修正方法と
薄膜パターンが形成された基板上の前記パターンに存在
する欠損欠陥部に薄膜化学気相成長用原料ガスとレーザ
光を照射して、前記欠損欠陥部にレーザ薄膜化学気相成
長作用により薄膜を堆積させ、パージガスにより残留す
る前記原料ガスを排出する第２のレーザ修正方法とを単
一の装置によって切り替えて行うことを特徴とする。ま
た、本発明の請求項８に係わる発明のレーザ修正方法
は、薄膜パターンが形成された基板上の前記パターンに
存在する残留欠陥部にレーザ光を照射して、前記残留欠
陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去する第１の
レーザ修正方法と薄膜パターンが形成された基板上の前
記パターンに存在する欠損欠陥部に薄膜化学気相成長用
原料ガスとレーザ光を照射して、前記欠損欠陥部にレー
ザ薄膜化学気相成長作用により薄膜を堆積させ、パージ
ガスにより残留する前記原料ガスを排出する第２のレー
ザ修正方法とを単一の装置によって切り替えて行うレー
ザ修正方法であって、下面に前記パターンを有する基板
の下方にレーザ光を照射する対物レンズを配置し、前記
第１のレーザ修正方法において、前記基板下面に沿いか
つ前記基板上のレーザ照射部に向かって流れた後前記対
物レンズと前記基板との間にレーザ照射部を頂点とし下
方に半径を拡げながら回転降下する渦巻き状の気流を形
成し、加工により生じた微粒子を含む前記気流を下流域
で排気することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の上記および他の目的、特
徴および利点を明確にすべく、添付した図面を参照しな
がら、本発明の実施の形態を以下に詳述する。
徴および利点を明確にすべく、添付した図面を参照しな
がら、本発明の実施の形態を以下に詳述する。
【０００７】図１に本発明の第一の実施形態のレーザ修
正装置の、レーザ光照射部付近を拡大し部分的に断面を
描いた構成図を示す。この構成は、半導体用フォトマス
クの黒欠陥を修正することを想定したレーザ修正装置で
ある。図において、Ｘ−Ｙステージ１０にパターン面を
下に向けてマスク基板１が固定されている。マスク基板
１の下にはステンレス等の金属で作られたウインドウポ
ート３および対物レンズ５が上から順に配置されてい
る。顕微観察照射光学系８は、上向きの対物レンズ５と
対物レンズを上げ下げする上下機構７と、レーザ光源９
からのレーザ光を導入するレーザ導入ポート１１を持
ち、レーザ光の照射機能並びにマスク基板の拡大像を観
察する光学系を内部に収納してマスク基板１の下側に配
置されている。ウインドウポート３の内面は、対物レン
ズ５のＮＡから決まる見込み角の範囲の外側に内壁が位
置するようにすり鉢状の内壁面と、鉢の広がりを終えた
円周上に円筒面が続く構造を持っている。そして、吸い
込み口４を円筒内面部に軸対称に４カ所有している。図
２に４つの吸い込み口４の中心を通る水平な切断面で切
ったウインドウポート３の断面図を示す。ウインドウポ
ート円筒内壁面に設けた吸い込み口４の空気の吸い込み
方向は、ウインドウポート内の内壁の周方向に沿った方
向になるように設けてある。このような構造に設けるこ
とによって、内側円筒側面部に位置する４つの吸い込み
口４に向かった、渦巻き状の高速気流がウインドウポー
ト内に形成される。図３にウインドウポート３の外面と
くにマスク基板１に対向する上面の構造を示す。金属面
の中心に円形開口を有し、そこに窓ガラス２がはめ込ま
れている。そして、窓ガラスの中心に、すなわち、マス
ク基板１上のレーザ照射部の真下に当たる位置に直径
０．５ｍｍの開口部６が開けられている。さらに、上面
の金属面には円形開口部６に向かった渦巻形状の複数の
突起１３が設けられている。この突起の高さは、０．１
ｍｍ程度である。この複数の突起の集団が成す形状は、
恰も複数の片を有する扇風機の羽根を回転軸に垂直に切
った断面の様である。図２及び図３の構造をもったウイ
ンドウポート３の吸い込みガス出口１２に吸引ポンプを
接続することによって。レーザ光をマスク基板上の欠陥
部に照射して発生する微粒子は以下のように除去され
る。マスク基板上１のレーザ照射部近傍では、ウインド
ウポート上面に作られた渦巻き状の突起の集団があるこ
とによって、マスク基板の外周側からレーザ照射部に向
かって渦を巻きながらウインドウポート３の窓ガラス２
の開口部６に向かって高速の気流が形成されるので、レ
ーザ照射によって生じた微粒子は、この気流に巻き込ま
れて開口部６を通ってウインドウポート内に強力に吸引
される。さらに、ウインドウポート３内では、渦巻き流
の半径が、下方に行くに従い大きくなる渦巻き状の流れ
により、微粒子は外周側に吹き寄せられて行き、最終的
に吸い込み口４に吸入され、吸い込みガス出口１２を通
って排出される。この構成によれば、マスク基板上のレ
ーザ照射によって発生する微粒子は、レーザ照射部近傍
の中心に向かう高速な水平流と開口に向かう下方流によ
って、開口部６に吸い取られるので、マスク基板への再
付着は大幅に抑制される。また、ウインドウポート３内
に吸入された微粒子は、渦状の流れにより、レーザ照射
部直下にある対物レンズの表面に微粒子が付着すること
が回避される。そして、対物レンズＮＡを考慮したすり
鉢形状並びに窓ガラス及びその中心に開けた開口部等の
ウインドウポート３の構造の工夫によって、対物レンズ
の観察性能やレーザ結像性能の低下を落とすことがない
ので、レーザ修正装置の加工精度と微細パターン観察性
能と微粒子除去性能を両立させた、高性能なレーザ修正
装置を提供することができる。
正装置の、レーザ光照射部付近を拡大し部分的に断面を
描いた構成図を示す。この構成は、半導体用フォトマス
クの黒欠陥を修正することを想定したレーザ修正装置で
ある。図において、Ｘ−Ｙステージ１０にパターン面を
下に向けてマスク基板１が固定されている。マスク基板
１の下にはステンレス等の金属で作られたウインドウポ
ート３および対物レンズ５が上から順に配置されてい
る。顕微観察照射光学系８は、上向きの対物レンズ５と
対物レンズを上げ下げする上下機構７と、レーザ光源９
からのレーザ光を導入するレーザ導入ポート１１を持
ち、レーザ光の照射機能並びにマスク基板の拡大像を観
察する光学系を内部に収納してマスク基板１の下側に配
置されている。ウインドウポート３の内面は、対物レン
ズ５のＮＡから決まる見込み角の範囲の外側に内壁が位
置するようにすり鉢状の内壁面と、鉢の広がりを終えた
円周上に円筒面が続く構造を持っている。そして、吸い
込み口４を円筒内面部に軸対称に４カ所有している。図
２に４つの吸い込み口４の中心を通る水平な切断面で切
ったウインドウポート３の断面図を示す。ウインドウポ
ート円筒内壁面に設けた吸い込み口４の空気の吸い込み
方向は、ウインドウポート内の内壁の周方向に沿った方
向になるように設けてある。このような構造に設けるこ
とによって、内側円筒側面部に位置する４つの吸い込み
口４に向かった、渦巻き状の高速気流がウインドウポー
ト内に形成される。図３にウインドウポート３の外面と
くにマスク基板１に対向する上面の構造を示す。金属面
の中心に円形開口を有し、そこに窓ガラス２がはめ込ま
れている。そして、窓ガラスの中心に、すなわち、マス
ク基板１上のレーザ照射部の真下に当たる位置に直径
０．５ｍｍの開口部６が開けられている。さらに、上面
の金属面には円形開口部６に向かった渦巻形状の複数の
突起１３が設けられている。この突起の高さは、０．１
ｍｍ程度である。この複数の突起の集団が成す形状は、
恰も複数の片を有する扇風機の羽根を回転軸に垂直に切
った断面の様である。図２及び図３の構造をもったウイ
ンドウポート３の吸い込みガス出口１２に吸引ポンプを
接続することによって。レーザ光をマスク基板上の欠陥
部に照射して発生する微粒子は以下のように除去され
る。マスク基板上１のレーザ照射部近傍では、ウインド
ウポート上面に作られた渦巻き状の突起の集団があるこ
とによって、マスク基板の外周側からレーザ照射部に向
かって渦を巻きながらウインドウポート３の窓ガラス２
の開口部６に向かって高速の気流が形成されるので、レ
ーザ照射によって生じた微粒子は、この気流に巻き込ま
れて開口部６を通ってウインドウポート内に強力に吸引
される。さらに、ウインドウポート３内では、渦巻き流
の半径が、下方に行くに従い大きくなる渦巻き状の流れ
により、微粒子は外周側に吹き寄せられて行き、最終的
に吸い込み口４に吸入され、吸い込みガス出口１２を通
って排出される。この構成によれば、マスク基板上のレ
ーザ照射によって発生する微粒子は、レーザ照射部近傍
の中心に向かう高速な水平流と開口に向かう下方流によ
って、開口部６に吸い取られるので、マスク基板への再
付着は大幅に抑制される。また、ウインドウポート３内
に吸入された微粒子は、渦状の流れにより、レーザ照射
部直下にある対物レンズの表面に微粒子が付着すること
が回避される。そして、対物レンズＮＡを考慮したすり
鉢形状並びに窓ガラス及びその中心に開けた開口部等の
ウインドウポート３の構造の工夫によって、対物レンズ
の観察性能やレーザ結像性能の低下を落とすことがない
ので、レーザ修正装置の加工精度と微細パターン観察性
能と微粒子除去性能を両立させた、高性能なレーザ修正
装置を提供することができる。
【０００８】以下に、さらに、半導体用フォトマスクの
レーザ修正装置に本発明を適用した場合についてより具
体的な実施例を用いて詳細に説明する。レーザ光源９
は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光源からなり、波
長３５５ｎｍ、パルス幅２５ｐｓ、１０Ｈｚのパルスレ
ーザ光を発生する。顕微観察照射光学系８は、最小移動
ピッチ０．０２μｍの上下機構７により支持されるＮＡ
０．９の高解像度紫外対物レンズ５と、レーザ照射光学
部、紫外線観察光学部からなる。ウインドウポート３
は、外形が、厚み６ｍｍ、直径６０ｍｍのステンレス構
造体に直径３ｍｍの窓ガラス２が接着されている。ウイ
ンドウポート３とマスク基板１の間隙幅は０．３ｍｍと
した。窓ガラス２の中心には直径０．５ｍｍの丸穴の開
口部６が開けられている。Ｘ−Ｙステージ１０は最小移
動量が０．０１μｍの微小送りの可能なステージで、こ
のＸ−Ｙステージ１０にパターン材料がＣｒで基材は石
英のマスク基板１を保持した。また、吸い込み口４への
空気の吸い込みは、吸い込みガス出口１２の下流側に、
微粒子フィルターと、流量調整バルブと、真空ポンプを
順に接続した排気ユニットにより吸い込み流量を調整で
きる構造とした。この構成において、吸い込みの有無に
よる微粒子除去の効果を検証した。最初に吸い込みを停
止させた状態で微粒子の付着状態を確認した。
レーザ修正装置に本発明を適用した場合についてより具
体的な実施例を用いて詳細に説明する。レーザ光源９
は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光源からなり、波
長３５５ｎｍ、パルス幅２５ｐｓ、１０Ｈｚのパルスレ
ーザ光を発生する。顕微観察照射光学系８は、最小移動
ピッチ０．０２μｍの上下機構７により支持されるＮＡ
０．９の高解像度紫外対物レンズ５と、レーザ照射光学
部、紫外線観察光学部からなる。ウインドウポート３
は、外形が、厚み６ｍｍ、直径６０ｍｍのステンレス構
造体に直径３ｍｍの窓ガラス２が接着されている。ウイ
ンドウポート３とマスク基板１の間隙幅は０．３ｍｍと
した。窓ガラス２の中心には直径０．５ｍｍの丸穴の開
口部６が開けられている。Ｘ−Ｙステージ１０は最小移
動量が０．０１μｍの微小送りの可能なステージで、こ
のＸ−Ｙステージ１０にパターン材料がＣｒで基材は石
英のマスク基板１を保持した。また、吸い込み口４への
空気の吸い込みは、吸い込みガス出口１２の下流側に、
微粒子フィルターと、流量調整バルブと、真空ポンプを
順に接続した排気ユニットにより吸い込み流量を調整で
きる構造とした。この構成において、吸い込みの有無に
よる微粒子除去の効果を検証した。最初に吸い込みを停
止させた状態で微粒子の付着状態を確認した。
【０００９】マスク基板へのレーザ光の照射サイズを５
μｍ角として、Ｃｒ膜を２ショットで完全に除去できる
加工条件で加工したところ、加工後のマスク基板１のレ
ーザ照射部周辺には、０．２μｍ以上の粒子の付着は見
られなかったが、レーザ照射部の周囲１５μｍの範囲
に、紫外線の透過率を８％程度減衰させる程度の再付着
が観測され、また、０．１μｍ程度の微粒子が１０数
個、０．２μｍ未満の微粒子が３個程度レーザ照射部近
傍に付着していた。一方、ガス吸い込み量を毎分５リッ
トルとした場合には、上記の加工条件と同じレーザ照射
条件で加工した後もレーザ光照射部周囲の透過率低下
が、測定限界の２％以下に抑えられ、かつ、０．１μｍ
以上の微粒子の再付着も観測されなかった。また、ガス
の吸い込みをしない場合と吸い込み量を毎分５リットル
とした場合では、微細パターンの観察性能にいかなる劣
化も観測されなかった。ただし吸い込み流量を毎分５０
リットル以上とすると、微細パターンの観察時に観察画
面が揺らぐ現象が観測された。対物レンズの上部空間で
の空気の揺らぎの影響が出たためと考えられる。実用的
には、毎分５リットルの吸い込みで十分な微粒子除去効
果があるので問題はなかった。また、渦流を形成した状
態では、数１００個の欠陥個所のレーザ加工後も対物レ
ンズ５の表面への微粒子の付着は観測されなかった。以
上、本発明の第１の実施形態のレーザ修正装置につい
て、修正対象を半導体集積回路用フォトマスクの場合に
ついて説明したが、液晶パネルの修正等にも適用できる
ことは言うまでもない。例えば配線を断線させるレーザ
修正装置では、蒸散した材料が、基板に再付着し、新た
に導電性欠陥を生じる場合があるので、本発明の微粒子
除去方法を適用すれば、欠陥修正の歩留まりをさらにあ
げることができる。次に、本発明の第２の実施形態につ
いて図面を参照して説明する。図４は、黒欠陥修正のレ
ーザ蒸散機能と、膜の不足している場所に膜を形成する
レーザＣＶＤ機能を持つ白欠陥修正の両方を併せ持った
レーザ修正装置の構成を示す図である。この図におい
て、レーザＣＶＤ機能を付加するために、図１の黒欠陥
修正装置に加えて、ウインドウポート３の内側から開口
部６に向けてＣＶＤ用原料ガスを吹き出す原料ガス吹き
出し口１５と、マスク基板１側に漏れ出た原料ガスを吸
い込む吸気溝１９と吸気口１８を、本発明のウインドウ
ポート３に追加する。レーザＣＶＤ時には、原料ガス供
給口１４に原料ガスボンベを接続し、さらに、ウインド
ウポート内の吸い込み口４から逆にアルゴンのパージガ
スを開口部に流すように、図１の吸い込みガス出口１２
をパージガス供給口１６として用いる。原料ガスとパー
ジガスを吸い込む吸気溝１９は、図５に断面図を示すよ
うに、ウインドウポート３の上面の周縁部に円周形状の
溝を設け、２つの吸気口１８から集中的に排気するよう
な構造としてある。このような構成にすると、黒欠陥修
正時と白欠陥修正時とでは、ガスの選択と方向を切り替
えることだけで、一台のレーザ修正装置に膜の除去と膜
の形成の両機能を持たせることができるので、レーザ修
正装置としての付加価値を大幅に高くできる利点があ
る。
μｍ角として、Ｃｒ膜を２ショットで完全に除去できる
加工条件で加工したところ、加工後のマスク基板１のレ
ーザ照射部周辺には、０．２μｍ以上の粒子の付着は見
られなかったが、レーザ照射部の周囲１５μｍの範囲
に、紫外線の透過率を８％程度減衰させる程度の再付着
が観測され、また、０．１μｍ程度の微粒子が１０数
個、０．２μｍ未満の微粒子が３個程度レーザ照射部近
傍に付着していた。一方、ガス吸い込み量を毎分５リッ
トルとした場合には、上記の加工条件と同じレーザ照射
条件で加工した後もレーザ光照射部周囲の透過率低下
が、測定限界の２％以下に抑えられ、かつ、０．１μｍ
以上の微粒子の再付着も観測されなかった。また、ガス
の吸い込みをしない場合と吸い込み量を毎分５リットル
とした場合では、微細パターンの観察性能にいかなる劣
化も観測されなかった。ただし吸い込み流量を毎分５０
リットル以上とすると、微細パターンの観察時に観察画
面が揺らぐ現象が観測された。対物レンズの上部空間で
の空気の揺らぎの影響が出たためと考えられる。実用的
には、毎分５リットルの吸い込みで十分な微粒子除去効
果があるので問題はなかった。また、渦流を形成した状
態では、数１００個の欠陥個所のレーザ加工後も対物レ
ンズ５の表面への微粒子の付着は観測されなかった。以
上、本発明の第１の実施形態のレーザ修正装置につい
て、修正対象を半導体集積回路用フォトマスクの場合に
ついて説明したが、液晶パネルの修正等にも適用できる
ことは言うまでもない。例えば配線を断線させるレーザ
修正装置では、蒸散した材料が、基板に再付着し、新た
に導電性欠陥を生じる場合があるので、本発明の微粒子
除去方法を適用すれば、欠陥修正の歩留まりをさらにあ
げることができる。次に、本発明の第２の実施形態につ
いて図面を参照して説明する。図４は、黒欠陥修正のレ
ーザ蒸散機能と、膜の不足している場所に膜を形成する
レーザＣＶＤ機能を持つ白欠陥修正の両方を併せ持った
レーザ修正装置の構成を示す図である。この図におい
て、レーザＣＶＤ機能を付加するために、図１の黒欠陥
修正装置に加えて、ウインドウポート３の内側から開口
部６に向けてＣＶＤ用原料ガスを吹き出す原料ガス吹き
出し口１５と、マスク基板１側に漏れ出た原料ガスを吸
い込む吸気溝１９と吸気口１８を、本発明のウインドウ
ポート３に追加する。レーザＣＶＤ時には、原料ガス供
給口１４に原料ガスボンベを接続し、さらに、ウインド
ウポート内の吸い込み口４から逆にアルゴンのパージガ
スを開口部に流すように、図１の吸い込みガス出口１２
をパージガス供給口１６として用いる。原料ガスとパー
ジガスを吸い込む吸気溝１９は、図５に断面図を示すよ
うに、ウインドウポート３の上面の周縁部に円周形状の
溝を設け、２つの吸気口１８から集中的に排気するよう
な構造としてある。このような構成にすると、黒欠陥修
正時と白欠陥修正時とでは、ガスの選択と方向を切り替
えることだけで、一台のレーザ修正装置に膜の除去と膜
の形成の両機能を持たせることができるので、レーザ修
正装置としての付加価値を大幅に高くできる利点があ
る。
【００１０】なお、本発明は上記各実施例に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適
宜変更され得ることは明らかである。
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適
宜変更され得ることは明らかである。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザ修
正装置は、微細パターンの観察性能を劣化させることな
く、レーザ照射により発生する微粒子の修正基板への再
付着を防止させることができる。また、レーザ修正方法
により生じる微粒子が、対物レンズ等の光学部品に付着
することを避けることができる。また、さらには、黒欠
陥と白欠陥の両方に対応することが可能である。
正装置は、微細パターンの観察性能を劣化させることな
く、レーザ照射により発生する微粒子の修正基板への再
付着を防止させることができる。また、レーザ修正方法
により生じる微粒子が、対物レンズ等の光学部品に付着
することを避けることができる。また、さらには、黒欠
陥と白欠陥の両方に対応することが可能である。
【図１】本発明の第一の実施形態の構成図である。
【図２】本発明の第一の実施形態を構成するウインドウ
ポートの水平断面の構造を示す図である。
ポートの水平断面の構造を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施形態を構成するウインドウ
ポートの上面構造を示す図である。
ポートの上面構造を示す図である。
【図４】本発明の第二の実施形態の構成図である。
【図５】本発明の第二の実施形態を構成するウインドウ
ポートの上面構造を示す図である。
ポートの上面構造を示す図である。
１ マスク基板 ２ 窓ガラス ３ ウインドウポート ４ 吸い込み口 ５ 対物レンズ ６ 開口部 ７ 上下機構 ８ 顕微観察照射光学系 ９ レーザ光源 １０ Ｘ−Ｙステージ １１ レーザ導入ポート １２ 吸い込みガス出口 １３ 突起 １４ 原料ガス供給口 １５ 原料ガス吹き出し口 １６ パージガス供給口 １８ 吸気口 １９ 吸気溝
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザ光源と、薄膜パターンが形成され
た基板上の前記パターンに存在する欠陥部に前記レーザ
光を照射するレーザ照射光学系と、前記基板を移動させ
るＸ−Ｙステージを備え、前記欠陥部の前記薄膜をレー
ザ蒸散作用により除去するレーザ修正装置であって、下
面に前記パターンを有する基板の下方にレーザ光を照射
する対物レンズを配置し、前記対物レンズと前記基板と
の間に前記基板下面に沿いかつ前記基板上の前記レーザ
照射部に向かって流れた後前記レーザ照射部を頂点とし
下方に半径を拡げながら回転降下する渦巻き状の気流を
形成し、加工により生じた微粒子を含む前記気流を下流
域で排気する手段を備えたことを特徴とするレーザ修正
装置。 - 【請求項２】 前記基板下面に沿いかつ前記基板上の前
記レーザ照射部に向かう流れも、渦巻き状の流れである
ことを特徴とする前記請求項１記載のレーザ修正装置。 - 【請求項３】 レーザ光源と、薄膜パターンが形成され
た基板上の前記パターンに存在する欠陥部に前記レーザ
光を照射するレーザ照射光学系と、前記基板を移動させ
るＸ−Ｙステージを備え、薄膜パターンが形成された基
板上の前記パターンに存在する残留欠陥部にレーザ光を
照射して、前記残留欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用
により除去する第１のレーザ修正方法と薄膜パターンが
形成された基板上の前記パターンに存在する欠損欠陥部
に薄膜化学気相成長用原料ガスとレーザ光を照射して、
前記欠損欠陥部にレーザ薄膜化学気相成長作用により薄
膜を堆積させ、パージガスにより残留する前記原料ガス
を排出する第２のレーザ修正方法とを単一の装置によっ
て切り替えて行うことを特徴とするレーザ修正装置。 - 【請求項４】 レーザ光源と、薄膜パターンが形成され
た基板上の前記パターンに存在する欠陥部に前記レーザ
光を照射するレーザ照射光学系と、前記基板を移動させ
るＸ−Ｙステージを備え、薄膜パターンが形成された基
板上の前記パターンに存在する残留欠陥部にレーザ光を
照射して、前記残留欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用
により除去する第１のレーザ修正方法と薄膜パターンが
形成された基板上の前記パターンに存在する欠損欠陥部
に薄膜化学気相成長用原料ガスとレーザ光を照射して、
前記欠損欠陥部にレーザ薄膜化学気相成長作用により薄
膜を堆積させ、パージガスにより残留する前記原料ガス
を排出する第２のレーザ修正方法とを単一の装置によっ
て切り替えて行うレーザ修正装置であって、下面に前記
パターンを有する基板の下方にレーザ光を照射する対物
レンズを配置し、前記第１のレーザ修正方法において、
前記基板下面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射部に向
かって流れた後前記対物レンズと前記基板との間にレー
ザ照射部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転降下す
る渦巻き状の気流を形成し、加工により生じた微粒子を
含む前記気流を下流域で排気する手段を備えることを特
徴とするレーザ修正装置。 - 【請求項５】 薄膜パターンが形成された基板上の前記
パターンに存在する欠陥部にレーザ光を照射して、前記
欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去するレー
ザ修正方法において、下面に前記パターンを有する基板
の下方にレーザ光を照射する対物レンズを配置し、前記
基板下面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射部に向かっ
て流れた後前記対物レンズと前記基板との間にレーザ照
射部を頂点とし下方に半径を拡げながら回転降下する渦
巻き状の気流を形成し、加工により生じた微粒子を含む
前記気流を下流域で排気することを特徴とするレーザ修
正方法。 - 【請求項６】 前記基板下面に沿いかつ前記基板上のレ
ーザ照射部に向かう流れも、渦巻き状の流れであること
を特徴とする前記請求項５記載のレーザ修正方法。 - 【請求項７】 薄膜パターンが形成された基板上の前記
パターンに存在する残留欠陥部にレーザ光を照射して、
前記残留欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去
する第１のレーザ修正方法と薄膜パターンが形成された
基板上の前記パターンに存在する欠損欠陥部に薄膜化学
気相成長用原料ガスとレーザ光を照射して、前記欠損欠
陥部にレーザ薄膜化学気相成長作用により薄膜を堆積さ
せ、パージガスにより残留する前記原料ガスを排出する
第２のレーザ修正方法とを単一の装置によって切り替え
て行うことを特徴とするレーザ修正方法。 - 【請求項８】 薄膜パターンが形成された基板上の前記
パターンに存在する残留欠陥部にレーザ光を照射して、
前記残留欠陥部の前記薄膜をレーザ蒸散作用により除去
する第１のレーザ修正方法と薄膜パターンが形成された
基板上の前記パターンに存在する欠損欠陥部に薄膜化学
気相成長用原料ガスとレーザ光を照射して、前記欠損欠
陥部にレーザ薄膜化学気相成長作用により薄膜を堆積さ
せ、パージガスにより残留する前記原料ガスを排出する
第２のレーザ修正方法とを単一の装置によって切り替え
て行うレーザ修正方法であって、下面に前記パターンを
有する基板の下方にレーザ光を照射する対物レンズを配
置し、前記第１のレーザ修正方法において、前記基板下
面に沿いかつ前記基板上のレーザ照射部に向かって流れ
た後前記対物レンズと前記基板との間にレーザ照射部を
頂点とし下方に半径を拡げながら回転降下する渦巻き状
の気流を形成し、加工により生じた微粒子を含む前記気
流を下流域で排気することを特徴とするレーザ修正方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250900A JP3479833B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | レーザ修正方法および装置 |
| TW090120588A TW498008B (en) | 2000-08-22 | 2001-08-21 | Laser correction method and apparatus |
| KR10-2001-0050462A KR100454173B1 (ko) | 2000-08-22 | 2001-08-21 | 레이저 수정방법 및 장치 |
| US09/934,429 US6678304B2 (en) | 2000-08-22 | 2001-08-21 | Laser correction method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250900A JP3479833B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | レーザ修正方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062637A true JP2002062637A (ja) | 2002-02-28 |
| JP3479833B2 JP3479833B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=18740396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000250900A Expired - Fee Related JP3479833B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | レーザ修正方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6678304B2 (ja) |
| JP (1) | JP3479833B2 (ja) |
| KR (1) | KR100454173B1 (ja) |
| TW (1) | TW498008B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6926801B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-08-09 | Laserfront Technologies, Inc. | Laser machining method and apparatus |
| JP2006122989A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | レーザ加工装置 |
| KR100890295B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2009-03-26 | 엑사이텍 리미티드 | 애블레이션을 위한 방법 및 장치 |
| US7629088B2 (en) | 2005-08-24 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repairing method and semiconductor device manufacturing method |
| US7727853B2 (en) | 2002-05-14 | 2010-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing method, manufacturing method of semiconductor device, and processing apparatus |
| JP2012168539A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-09-06 | Japan Display West Co Ltd | 欠陥修正装置 |
| CN105443658A (zh) * | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 本田技研工业株式会社 | 无级变速器用金属环的制造方法及其制造装置 |
| JP2020073718A (ja) * | 2017-03-02 | 2020-05-14 | ツェーエル・シュッツレヒツフェアヴァルトゥングス・ゲゼルシャフト・ミト・べシュレンクテル・ハフツング | 三次元の対象物の積層造形的な製造の為の装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| ATE534142T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-12-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum auftrennen eines substrats |
| TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| US7232715B2 (en) * | 2002-11-15 | 2007-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor film and semiconductor device and laser processing apparatus |
| JP4205486B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2009-01-07 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
| GB0412000D0 (en) * | 2004-05-28 | 2004-06-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Apparatus and method for extracting debris during laser ablation |
| US7863542B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-01-04 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
| JP2009166065A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Nippon Densan Corp | レーザ加工方法、軸受装置、スピンドルモータ、およびディスク駆動装置 |
| US8382939B2 (en) * | 2009-07-13 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing chamber with enhanced gas delivery |
| JP2011114844A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動片の製造方法及び圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計 |
| WO2013052262A1 (en) * | 2011-10-05 | 2013-04-11 | Applied Materials, Inc. | Particle control in laser processing systems |
| US8716625B2 (en) * | 2012-02-03 | 2014-05-06 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Workpiece cutting |
| EP2944413A1 (de) * | 2014-05-12 | 2015-11-18 | Boegli-Gravures S.A. | Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen |
| KR102410997B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2022-06-22 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 다이 레벨 레이저 리프트-오프 동안 기계적 손상을 감소시키기 위한 사파이어 콜렉터 |
| TWI561328B (en) * | 2014-09-03 | 2016-12-11 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Swirl jet flow auxiliary manufacturing device |
| KR102572643B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2023-08-31 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 다이 레벨의 레이저 리프트-오프 중에 기계적 손상을 줄이기 위한 사파이어 수집기 |
| TWI593496B (zh) * | 2015-12-01 | 2017-08-01 | 國立雲林科技大學 | 具有可調漩渦噴流位置之輔助加工系統及其操作方法 |
| US10497667B2 (en) * | 2017-09-26 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for bond wave propagation control |
| TWI803753B (zh) * | 2019-05-28 | 2023-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有背側泵送的熱處理腔室蓋 |
| KR102661809B1 (ko) * | 2022-02-08 | 2024-04-29 | 주식회사 시스템알앤디 | 레이저 가공에 이용되는 대물렌즈의 블로잉 장치 |
| CN115041841A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-09-13 | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 | 晶圆切割设备及晶圆切割方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561532A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Hitachi Ltd | Method and device for correcting white spot defect of photomask |
| JPS6336249A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Nec Corp | ホトマスク修正方式 |
| JPH0666882U (ja) * | 1993-03-03 | 1994-09-20 | 新日本製鐵株式会社 | レーザー加工装置 |
| JPH10280152A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-20 | Nec Corp | チャンバレスレーザｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111227A (en) | 1980-02-08 | 1981-09-02 | Hitachi Ltd | Laser working device with projection method using iris diaphragm |
| US4636403A (en) * | 1985-04-29 | 1987-01-13 | At&T Technologies, Inc. | Method of repairing a defective photomask |
| EP0268301B1 (en) * | 1986-11-20 | 1993-09-15 | Nec Corporation | Method and apparatus for writing a line on a patterned substrate |
| US5229081A (en) * | 1988-02-12 | 1993-07-20 | Regal Joint Co., Ltd. | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process |
| JPH0297945A (ja) | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | パターン修正方法およびそれに用いる修正装置 |
| US5155322A (en) * | 1990-05-17 | 1992-10-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Compact metallic bellows |
| JP3331596B2 (ja) | 1990-05-30 | 2002-10-07 | 株式会社日立製作所 | 微小部処理方法及びその装置 |
| JPH07104459A (ja) | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法及び修正装置 |
| JP2785803B2 (ja) * | 1996-05-01 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置 |
| JPH11145148A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Tdk Corp | 熱プラズマアニール装置およびアニール方法 |
| JP3388174B2 (ja) | 1998-03-17 | 2003-03-17 | シャープ株式会社 | 表示装置の欠陥修正装置 |
| JP2001158966A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Ebara Corp | 金属ないし金属化合物薄膜の作製方法 |
| US6444039B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-09-03 | Simplus Systems Corporation | Three-dimensional showerhead apparatus |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000250900A patent/JP3479833B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-21 TW TW090120588A patent/TW498008B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-21 US US09/934,429 patent/US6678304B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-21 KR KR10-2001-0050462A patent/KR100454173B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561532A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Hitachi Ltd | Method and device for correcting white spot defect of photomask |
| JPS6336249A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Nec Corp | ホトマスク修正方式 |
| JPH0666882U (ja) * | 1993-03-03 | 1994-09-20 | 新日本製鐵株式会社 | レーザー加工装置 |
| JPH10280152A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-20 | Nec Corp | チャンバレスレーザｃｖｄ装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7727853B2 (en) | 2002-05-14 | 2010-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing method, manufacturing method of semiconductor device, and processing apparatus |
| US6926801B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-08-09 | Laserfront Technologies, Inc. | Laser machining method and apparatus |
| KR100562818B1 (ko) * | 2002-05-22 | 2006-03-23 | 레이저프론트 테크놀로지스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 장치 |
| KR100890295B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2009-03-26 | 엑사이텍 리미티드 | 애블레이션을 위한 방법 및 장치 |
| JP2006122989A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | レーザ加工装置 |
| JP4556618B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | レーザ加工装置 |
| US7629088B2 (en) | 2005-08-24 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repairing method and semiconductor device manufacturing method |
| JP2012168539A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-09-06 | Japan Display West Co Ltd | 欠陥修正装置 |
| CN105443658A (zh) * | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 本田技研工业株式会社 | 无级变速器用金属环的制造方法及其制造装置 |
| JP2020073718A (ja) * | 2017-03-02 | 2020-05-14 | ツェーエル・シュッツレヒツフェアヴァルトゥングス・ゲゼルシャフト・ミト・べシュレンクテル・ハフツング | 三次元の対象物の積層造形的な製造の為の装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020023907A1 (en) | 2002-02-28 |
| KR100454173B1 (ko) | 2004-10-26 |
| TW498008B (en) | 2002-08-11 |
| JP3479833B2 (ja) | 2003-12-15 |
| US6678304B2 (en) | 2004-01-13 |
| KR20020015661A (ko) | 2002-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3479833B2 (ja) | レーザ修正方法および装置 | |
| US6926801B2 (en) | Laser machining method and apparatus | |
| TWI336277B (en) | Laser processing device, laser processing head and laser processing method | |
| US7863542B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method | |
| KR101299039B1 (ko) | 레이저 가공 장치, 레이저 가공 헤드 및 레이저 가공 방법 | |
| JP2009006350A (ja) | レーザ加工装置とその加工方法、デブリ回収機構とその回収方法、並びに表示パネルの製造方法 | |
| JP3479838B2 (ja) | パターン修正方法及びパターン修正装置 | |
| JPS62229956A (ja) | Ｉｃ素子における配線接続方法 | |
| JPH0425531B2 (ja) | ||
| JP3525841B2 (ja) | レーザリペア方法および装置 | |
| JP4543047B2 (ja) | 荷電ビーム装置および欠陥修正方法 | |
| JPH10280152A (ja) | チャンバレスレーザｃｖｄ装置 | |
| JPH116086A (ja) | レーザ光を用いた表面不要物除去装置 | |
| JP2004139126A (ja) | レーザリペア方法および装置 | |
| JP3036687B2 (ja) | レーザｃｖｄ装置 | |
| JP4292389B2 (ja) | 異物除去方法及び異物除去装置 | |
| JPH08222565A (ja) | 電子回路基板の金属膜形成方法及びその装置並びにその配線修正方法 | |
| JP2005254186A (ja) | 異物除去装置 | |
| GB2438527A (en) | Laser processing apparatus,laser processing head and laser processing method | |
| JP2005011947A (ja) | 基板乾燥方法及び装置 | |
| US7060397B2 (en) | EPL mask processing method and device thereof | |
| JP2005023376A (ja) | レーザｃｖｄ装置 | |
| JPH09147737A (ja) | プラズマディスプレイ用パネル基板の製造方法及びその製造装置 | |
| JPS6118130A (ja) | 異物除去方法 | |
| JP2004288860A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030902 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071010 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071010 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |