JP2004031603A - レーザｃｖｄ装置、レーザｃｖｄ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザＣＶＤにより形成した膜と被成膜面との密着性を高め、形成された膜自体にクラックが発生するのを抑制できるレーザＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板１０に供給する第１の手段２、３と、レーザ光を照射する手段と、外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段とを備え、基板に外気から遮断して供給された成膜ガスをレーザ光の照射により活性化する第２の手段４、５、６とを有し、基板１０を移動して第１の手段２、３により基板１０の被成膜面を前処理し、その後基板１０を移動して第２の手段４、５、６により被成膜面に成膜することを特徴としている。
【選択図】 図１
【解決手段】アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板１０に供給する第１の手段２、３と、レーザ光を照射する手段と、外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段とを備え、基板に外気から遮断して供給された成膜ガスをレーザ光の照射により活性化する第２の手段４、５、６とを有し、基板１０を移動して第１の手段２、３により基板１０の被成膜面を前処理し、その後基板１０を移動して第２の手段４、５、６により被成膜面に成膜することを特徴としている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザ化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、レーザＣＶＤ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法に係り、詳しくは、微細な箇所に選択的に成膜し、或いはフォトマスクのパターンの欠損（欠陥）や液晶表示装置の基板に形成された配線や絶縁膜の欠損を修正することが可能なレーザＣＶＤ装置、レーザＣＶＤ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、微細な箇所に選択的に成膜することが可能なレーザＣＶＤ装置及びレーザＣＶＤ法が知られており、フォトマスクのパターンの欠損や液晶表示装置の基板に形成された配線や絶縁膜の欠損を修正する用途に用いられている。
レーザＣＶＤ法については、特開昭６３−１６４２４０号公報、特開昭６３−６５０７７号公報、特開昭６４−４７０３２号公報、特開平３−１６６３７６号公報、米国特許４８０１３５２号公報に記載されている。
このうち、特開昭６３−１６４２４０号公報、特開昭６３−６５０７７号公報、特開昭６４−４７０３２号公報、特開平３−１６６３７６号公報に記載のレーザＣＶＤ方法は、いずれも減圧されたチャンバ内で行われる。これに対して、米国特許４８０１３５２号公報に記載のレーザＣＶＤ方法は、大気中で行われる。
【０００３】
被成膜基板が大型化している今日、米国特許４８０１３５２号公報に記載のレーザＣＶＤ方法は、他の装置と異なり、被成膜基板を収納して減圧するチャンバが不要なため、大掛かりな装置を必要とせず、さらにスループットの向上を図ることができるという点で有用な方法といえる。その装置は、基板の載置台と、基板の載置台上に設けられた、外気から遮断して基板表面に成膜ガスを供給するガスウインドウポートと、基板表面にレーザ光を照射するレーザ光源とを備えている。ガスウインドウポートは、レーザ光を導入する窓と、成膜ガスを導入する成膜ガス導入ポートと、レーザ光の照射部の周囲で、かつレーザの照射部を中心とする同心円状の位置に配置した吸気ポートとを備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記レーザＣＶＤ装置を用いた場合、成膜前に基板の成膜面が大気に曝されるため、形成膜が被成膜面から剥がれたりする虞がある。特に、欠陥の修正のために局所的に成膜される場合被成膜面との接触面積が少なく、その虞が高い。また、膜自体にクラックが入ったりすることも多い。
【０００５】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、レーザＣＶＤにより形成した膜と被成膜面との密着性を高め、また、形成された膜自体にクラックが発生するのを抑制できるレーザＣＶＤ装置、レーザＣＶＤ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、レーザＣＶＤ装置に係り、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板に供給する第１の手段と、レーザ光を照射する手段、及び外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段を備え、外気から遮断して上記基板に供給された成膜ガスを上記レーザ光の照射により活性化する第２の手段とを有し、上記第１の手段により上記基板の被成膜面を前処理し、その後上記第２の手段により上記被成膜面に成膜することを特徴としている。
【０００７】
請求項２記載の発明は、パターン欠陥修正装置に係り、基板上に形成すべき正常なパターンに対して、一部或いは全部が欠けた欠陥パターンを有する基板を保持して移動可能な基板保持具と、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、上記基板保持具上の基板に供給する第１の手段と、レーザ光を照射する手段及び外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段を備え、上記基板保持具上の基板に外気から遮断して供給された成膜ガスを上記レーザ光の照射により活性化する第２の手段と、上記基板上の欠陥パターンの位置を特定し、記憶する手段と、制御手段とを有し、上記制御手段は、上記基板上の欠陥パターンの位置を特定し、記憶する第１の手順と、上記基板を保持した基板保持具の移動を制御して上記基板を上記第１の手段まで移動させる第２の手順と、上記第１の手段に上記前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、該プラズマ化した前処理ガスを上記基板上に供給する第３の手順と、上記基板の被成膜面を所定時間前処理する第４の手順と、上記基板を保持した基板保持具の移動を制御して上記基板を保持した基板保持具を上記第２の手段まで移動させる第５の手順と、上記第２の手段により上記成膜ガスを外気から遮断して上記基板上に供給する第６の手順と、上記基板上の所定箇所に上記レーザ光を照射して上記成膜ガスを活性化させ、上記活性化した成膜ガスにより上記基板上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる第７の手順とを行わせることを特徴としている。
【０００８】
請求項３記載の発明は、レーザＣＶＤ法に係り、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化する工程と、上記プラズマ化した前処理ガスを供給して基板の被成膜面に接触させて前処理する工程と、上記前処理後に、外気から遮断して基板の被成膜面に成膜ガスを供給する工程と、上記基板の被成膜面にレーザ光を照射して上記成膜ガスを活性化する工程と、上記活性化した成膜ガスにより上記基板の被成膜面に成膜する工程とを有することを特徴としている。
【０００９】
請求項４記載の発明は、請求項３記載のレーザＣＶＤ法に係り、上記前処理ガスは、空気、窒素、またはアルゴンのうち何れか一であることを特徴としている。
【００１０】
請求項５記載の発明は、請求項３又は４記載のレーザＣＶＤ法に係り、上記成膜ガスは、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６のうち何れか一であることを特徴としている。
【００１１】
請求項６記載の発明は、パターン欠陥修正方法に係り、基板上に形成すべき正常なパターンに対して、一部或いは全部が欠けた欠陥パターンを有する基板を準備する工程と、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化する工程と、上記プラズマ化した前処理ガスを供給して上記基板のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理する工程と、上記前処理後に、外気から遮断して基板の被成膜面に成膜ガスを供給する工程と、上記基板の被成膜面にレーザ光を照射して上記成膜ガスを活性化する工程と、上記活性化した成膜ガスにより上記基板上のパターンが欠けた箇所に選択的に成膜し、上記欠陥パターンを修正する工程とを有することを特徴としている。
【００１２】
請求項７記載の発明は、請求項６記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記前処理ガスは、空気、窒素、またはアルゴンのうち何れか一であることを特徴としている。
【００１３】
請求項８記載の発明は、請求項６又は７記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記成膜ガスは、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６のうち何れか一であることを特徴としている。
【００１４】
請求項９記載の発明は、請求項６乃至８の何れか一に記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記基板上に形成すべき正常なパターンは、マスク基板上に形成すべきマスクパターンであることを特徴としている。
【００１５】
請求項１０記載の発明は、請求項６乃至８の何れか一に記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記基板上に形成すべき正常なパターンは、絶縁膜或いは導電膜上に形成すべき配線パターンであることを特徴としている。
【００１６】
この発明のレーザＣＶＤ装置の構成によれば、空気や窒素やアルゴンなどの前処理ガスをアーク放電によりプラズマ化する第１の手段を有し、レーザ光による成膜手段である第２の手段により上記被成膜面に成膜する前に、第１の手段によりプラズマ化した前処理ガスを用いて基板の被成膜面を前処理している。
第２の手段は大気中で成膜が可能であるが、上述したように、成膜前に被成膜面が大気に曝されるため、形成された膜が被成膜面から剥がれたりする虞がある。これに対して、プラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理することで、被成膜面が改質され、さらにその処理効果を持続させることができる。このため、被成膜面の前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。
さらに、第１の手段はアーク放電を用いているため、大気中でプラズマ化を行うことが可能である。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板の大型化が推し進められている今日の状況でも、装置が大型化するのを回避することができる。
【００１７】
また、この発明のパターン欠陥修正装置の構成によれば、上記レーザＣＶＤ装置を制御する制御手段を有し、その制御手段により、適宜基板を移動させて、基板上の欠陥パターンの位置を特定して記憶し、第１の手段により前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、プラズマ化した前処理ガスを基板上に供給して基板の被成膜面を所定時間前処理し、続いて、第２の手段により成膜ガスを外気から遮断して基板上に供給し、基板上の所定箇所にレーザ光を照射して活性化した成膜ガスにより基板上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる手順とを行わせている。
これにより、欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高めることができる、前処理から欠陥パターンの修正までを行う小型の自動化装置を提供し得る。
【００１８】
また、この発明のレーザＣＶＤ法の構成によれば、成膜前にプラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理することにより、被成膜面が改質され、さらにその処理効果を持続させることができる。このため、被成膜面の前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。
また、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化して基板の被成膜面を前処理し、外気から遮断した状態でレーザ光により活性化した成膜ガスにより基板の被成膜面に成膜している。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができるため、基板が大口径化しても、この方法を行う装置はそれに対応させて大型化する必要はない。
【００１９】
また、この発明のパターン欠陥修正方法の構成によれば、基板上のパターンが欠けた箇所に修正パターンを成膜する前に、アーク放電によりプラズマ化した前処理ガスを基板上のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理している。従って、特に接触面積の小さい被成膜面が多い欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高め、形成膜が剥離するのを防止することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。
◇第１の実施の形態
まず、この発明の第１の実施の形態であるレーザＣＶＤ装置、及びそのレーザＣＶＤ装置に新たな構成要素を加えたパターン欠陥修正装置の構成について以下に説明する。
図１は、この発明の第１の実施の形態であるレーザＣＶＤ装置の構成要素を含むパターン欠陥修正装置を示す側面図、図２は、図１のパターン欠陥修正装置を構成するプラズマ照射ユニットの構成を示す側面図、図３は、図１のパターン欠陥修正装置を構成するレーザＣＶＤユニットのガスウインドウユニット部分の構成を示す側面図、また、図４は、制御手段１の具体的な制御機能について説明するフローチャートである。
【００２１】
図１に示すパターン欠陥修正装置は、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板１０表面に照射するプラズマ照射ユニット２と、プラズマ照射ユニット２に配管３ａを介して前処理ガスを供給するユニット３とを有する。プラズマ照射ユニット２と前処理ガスを供給するユニット３とが第１の手段を構成する。また、レーザ光の光源、及び顕微鏡で基板表面を観察する光学系を備えたレーザ照射顕微観察光学ユニット４と、外気から遮断して基板に成膜ガスを供給するガスウインドウユニット５と、ガスウインドウユニット５に配管６ａを介して成膜ガス及び被成膜面を外気から遮断するための制御ガスを供給するガス供給源、及びガスウインドウユニット５に配管６ｂを介して接続した排気手段を備えた給／排気ユニット６とを有する。レーザ照射顕微観察光学ユニット４と、ガスウインドウユニット５と、給／排気ユニット６とが第２の手段を構成する。さらに、基板１０を載置して平面内で自由に移動可能なＸ−Ｙステージ（基板保持具）７を有する。また、所望の処理を行うために、上記したパターン欠陥修正装置の構成要素を制御する制御ユニット１を有する。
【００２２】
次に、上記構成要素のうち、主要な構成要素に関し、その具体的な構成を説明する。まず、プラズマ照射ユニット２の具体的な構成を図２を参照して説明する。
プラズマ照射ユニット２は、図２に示すように、プラズマ生成室２１と、プラズマ生成室２１に前処理ガスを供給するガス導入口２２と、前処理ガスにアーク放電を起こさせる対の電極２３と、対の電極２３に放電電圧を供給する電源２４とを有する。また、プラズマ生成室２１のガス放出口には、電極２３と基板１０とをシールドし、電極２３と基板１０との間のアーク放電を防止する、複数のガス放出孔を備えた金網２５が設けられている。前処理ガスとして、空気、窒素、またはアルゴンなどが用いられる。
【００２３】
次に、ガスウインドウユニット５の具体的な構成を図３を参照して説明する。ガスウインドウユニット５は、図３に示すように、成膜ガスを閉じ込める室５１と、該室５１の上部に設けられたレーザ光源、及び光学系と該室５１とを仕切る透明な仕切り壁５２と、貫通孔を介して成膜ガスを閉じ込める室５１と繋がり、該室５１内の圧力を検出する圧力検出口５３と、貫通孔を介して成膜ガスを閉じ込める室５１と繋がり、該室５１内に成膜ガスを供給し、或いは室５１内を減圧する第１の給／排気口５４と、貫通孔を介してガスウインドウユニット５底面の給／排気溝５８に繋がり、ガスウインドウユニット５の底面と基板１０との間の隙間を通して室５１内にパージ用のガスを供給し、或いは該室５１内を排気する第２の給／排気口５５と、貫通孔を介してガスウインドウユニット５底面の給気溝５７に繋がり、外気を遮断するためのエアーカーテン用のガスを供給するガス供給口５６とを有する。成膜ガスとして、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６などが用いられる。また、パージ用のガスやエアーカーテン用のガスとして、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスが用いられる。
【００２４】
成膜前に、ガス供給口５６からエアーカーテン用のガスを供給するとともに第２の給／排気口５５からパージ用のガスを供給し、第１の給／排気口５４から排気する。これにより、パージ用のガスはガスウインドウユニット５の底面と基板１０との間の隙間を通して室５１内に送られ、室５１内はパージ用のガスで満たされる。
成膜時には、ガス供給口５６からエアーカーテン用のガスを供給するとともに第２の給／排気口５５から排気し、第１の給／排気口５４から室５１内に成膜ガスを供給する。これにより、成膜ガスは室５１内から底部を通り、更にガスウインドウユニット５の底面と基板１０表面の間の隙間を通って第２の給／排気溝５８から排気される。この状態で、基板１０の表面にレーザ光を照射すると、成膜ガスは外気から遮断された状態で活性化されて成膜が始まる。
【００２５】
次に、図４を参照して、制御ユニット１の機能について具体的に説明する。パターン欠陥修正装置の構成要素を制御して、図４に示す手順により、欠陥パターンの修正を行う。即ち、最初にＸ−Ｙステージ７に基板１０を載置し（ステップＳＴ１１（図４））、
（ｉ）基板１０上の欠陥パターンの位置を特定し、制御ユニット１内のメモリ（記憶装置）に記憶させる第１の手順を実行させ（ステップＳＴ１２）、
（ｉｉ） 欠陥パターンの位置情報に基づき、基板１０を保持したＸ−Ｙステージ７の移動を制御して基板１０をプラズマ照射ユニット２下まで移動させる第２の手順を実行させ（ステップＳＴ１３）、
（ｉｉｉ）プラズマ照射ユニット２及び前処理ガスを供給するユニット３を制御し、プラズマ照射ユニット２に前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、プラズマ化した前処理ガスを基板１０上に供給する第３の手順を実行させ（ステップＳＴ１４）、
（ｉｖ） プラズマ化した前処理ガスにより基板１０の被成膜面を所定時間前処理する第４の手順を実行させ（ステップＳＴ１５）、
（ｖ）基板１０を保持したＸ−Ｙステージ７の移動を制御して基板１０を保持したＸ−Ｙステージ７をガスウインドウユニット５まで移動させる第５の手順を実行させ（ステップＳＴ１６）、
（ｖｉ）ガスウインドウユニット５及び給／排気ユニット６を制御し、外気から遮断して成膜ガスを基板１０上に供給する第６の手順を実行させ（ステップＳＴ１７）、
（ｖｉｉ）基板１０上の所定箇所にレーザ光を照射して成膜ガスを活性化させ、活性化した成膜ガスにより基板１０上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる第７の手順を実行させる（ステップＳＴ１８）。
その後、他の修正箇所がないかどうかを確認し（ステップＳＴ１９）、修正箇所があれば、ステップＳＴ１２に戻って、（ｉ）の手順から同じようにして修正作業を行う。
【００２６】
このように、この発明の第１の実施の形態のパターン欠陥修正装置の構成によれば、プラズマ照射ユニット２と、前処理ガスを供給するユニット３とからなる第１の手段を有し、レーザ光による成膜手段である第２の手段により被成膜面に成膜する前に、第１の手段によりプラズマ化した前処理ガスを用いて基板１０の被成膜面を前処理している。
第２の手段は大気中で成膜が可能であり、第１の手段もアーク放電を用いているため、大気中でプラズマ化を行うことが可能である。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板の大口径化が推し進められている今日の状況でも、それに対応して装置が大型化するのを回避することができる。
【００２７】
また、パターン欠陥修正装置の構成要素を制御する制御ユニット１を有し、その制御ユニット１により、適宜基板１０を移動させて、基板１０上の欠陥パターンの位置を特定して記憶し、第１の手段により前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、プラズマ化した前処理ガスを基板１０上に供給して基板１０の被成膜面を所定時間前処理し、続いて、第２の手段により成膜ガスを外気から遮断して基板１０上に供給し、基板１０上の所定箇所にレーザ光を照射して活性化した成膜ガスにより基板１０上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる手順とを行わせている。
これにより、欠損箇所に形成した膜と基板１０の被成膜面との密着性を高めることができる、前処理からパターン欠陥の修正までを自動的に行う小型のパターン欠陥修正装置を提供し得る。
なお、レーザＣＶＤ装置は、プラズマ照射ユニット（第１の手段）２と、プラズマ照射ユニット２に前処理ガスを供給するユニット（第１の手段）３と、レーザ照射顕微観察光学ユニット（第２の手段）４と、ガスウインドウユニット（第２の手段）５と、給／排気ユニット（第２の手段）６とを備えていればよいが、レーザＣＶＤ装置も基本的にパターン欠陥修正装置の構成と同じ構成としてもよい。
【００２８】
◇第２の実施の形態
図５（ａ）、（ｂ）は、この発明の第２の実施の形態であるガラス基板上のＣｒ膜からなるマスクパターンの欠陥修正方法を説明する平面図である。
図５を参照してパターン欠陥修正方法について説明する。欠陥パターンの修正方法においては図１のパターン欠陥修正装置を用いる。
【００２９】
まず、図５（ａ）のように、石英基板６０上に一部欠けた箇所６１ｂを有する欠陥パターン６１ａが形成されたフォトマスクをパターン欠陥修正装置のＸ−Ｙステージ７上に載置し、真空チャックなどにより固定する。
次いで、制御ユニット１により、フォトマスクの欠陥座標データに基づいて、レーザ照射顕微観察光学ユニット４の観察視野に最初の欠陥位置が入るようにＸ−Ｙステージ７を移動させ、パターン６１ａの欠損箇所６１ｂを確認する。
次に、制御ユニット１により、欠損箇所６１ｂがプラズマ照射ユニット２の直下になるようにＸ−Ｙステージ７を移動させる。続いて、制御ユニット１により、前処理ガスの供給ユニット３を制御して前処理ガスをプラズマ照射ユニット２に供給するとともに、プラズマ照射ユニット２を制御して、電極２３に放電電圧を供給する。これにより、アーク放電により前処理ガスがプラズマ化する。そして、前処理ガスのラジカルが基板１０表面に供給され、基板１０表面に接触して前処理が行われる。この状態を凡そ３秒間継続する。
【００３０】
次いで、制御ユニット１により、フォトマスクの欠陥座標データに基づいて、レーザ照射顕微観察光学ユニット４の観察視野にパターン６１ａの欠損箇所６１ｂが入るようにＸ−Ｙステージ７を移動させ、欠損箇所６１ｂを確認する。
次に、制御ユニット１により、レーザ光の照射形状と照射位置を調整し、欠陥の修正が可能なような状態にする。
次いで、制御ユニット１により、給／排気ユニット６を制御してエアーカーテン用ガスを供給するとともに、流量６００ｓｃｃｍのＡｒキャリアガスにＣｒ（ＣＯ）６を含ませた成膜ガスをガスウインドウユニット５に供給する。これにより、エアーカーテン用ガスにより外気と遮断された状態でガスウインドウユニット５下の基板１０表面に成膜ガスが供給される。このとき、レーザ照射部でのガス圧力が０．３Ｔｏｒｒとなるように給・排気量を調整する。
【００３１】
続いて、制御ユニット１により、レーザ光源を制御してレーザ光を出射し、基板１０表面の欠損箇所に照射する。このとき、レーザ照射面積を２０μｍ２とし、Ｃｒパターンに照射ビームの半分を重ね合わせて照射し、順次成膜する。レーザ光は、Ｑｓｗ−Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光（波長３５５ｎｍ、パルス幅４０ｎｓ、繰り返し周波数８ｋＨｚ）を用い、レーザ照射時間を１．３秒とした。これにより、図５（ｂ）に示すように、欠損箇所６１ｂにＣｒ膜６１ｃが成膜されて欠陥パターンが修正される。
【００３２】
次に、上記のように形成したＣｒ膜に関し、形状、剥がれ、及びクラックについて調査した。比較のため、プラズマ前処理を行わないで成膜したＣｒ膜についても同様に調査した。この調査では、いずれも、レーザ照射強度をパラメータとした。
膜の形状の評価では、ＣＶＤＣｒ膜６１ｃがＣｒパターンから成長してレーザパターン照射通りに延びれば良とした。膜剥がれの評価では、パターン部もしくはガラス部のＣＶＤＣｒ膜６１ｃにめくれや剥がれが生じた場合に不良とした。膜のクラックの評価では、ＣＶＤＣｒ膜６１ｃの一部又は全体にヒビ割れやクラックが入った場合に不良とした。
調査結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
表１から分かるように、プラズマ前処理を行うことにより、膜の成長が促進されること、剥がれ、クラックの発生頻度を大幅に低減できることが分かった。また、この発明のＣＶＤＣｒ膜６１ｃでは、プラズマ前処理を行わないで成膜したＣＶＤＣｒ膜に比較して、レーザ照射強度の許容範囲を４倍程度広げられることが分かった。
さらに、ＣＶＤＣｒ膜６１ｃの表面が滑らかになり、遮光性の均一性も改善することができた。
【００３５】
これらの顕著な効果は、プラズマ前処理により、基板１０表面が活性化されて成膜ガスの吸着が促進され、またその効果が持続するためプラズマ前処理後多少大気に曝しても成膜を安定化できたこと、活性化された表面に成膜したことによりＣＶＤＣｒ膜６１ｃと基板１０との密着性を改善できたことに起因していると推測される。また、前処理により、基板１０表面の水分や油脂分などが除去され、清浄な表面を露出することができたことも成膜特性を改善できた要因と考えられる。
【００３６】
このように、第２の実施の形態のパターン欠陥修正方法の構成によれば、基板１０上のパターンが欠けた箇所に修正パターンを成膜する前に、アーク放電によりプラズマ化した前処理ガスを基板１０上のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理し、被成膜面を改質し、さらにその処理効果を持続させている。このため、被成膜面の前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成されたＣＶＤＣｒ膜６１ｃが剥がれるのを防止することができる。特に接触面積の小さい被成膜面が多い欠損箇所６１ｂに形成したＣＶＤＣｒ膜６１ｃと基板１０の被成膜面との密着性を高めることができる。
【００３７】
また、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化して基板１０の被成膜面を前処理し、外気から遮断した状態でレーザ光により活性化した成膜ガスにより基板１０の被成膜面に成膜している。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板１０が大口径化しても、この方法を行う装置は小型のまま維持できるとともに、スループットの向上を図ることができる。
【００３８】
◇第３の実施の形態
図６（ａ）、（ｂ）は、この発明の第３の実施の形態である液晶基板上に形成された配線パターンの断線欠陥の修正方法を説明する平面図、また、図７（ａ）、（ｂ）は、透明導電膜（ＩＴＯ膜）の段差部での成膜状態を比較して示す断面図である。
図６及び図７を参照してパターン欠陥修正方法について説明する。このパターン欠陥修正方法においては図１の欠陥修正装置を用いる。
まず、薄膜トランジスタがガラス基板上にマトリクス状に配置され、タングステン（Ｗ）膜からなる格子状の配線が形成された液晶基板を準備する。配線７１ａ、７１ｂは、図６（ａ）のように、透明導電膜（ＩＴＯ膜）７０上に形成され、一部が欠けて断線しているとする。
【００３９】
次に、液晶基板をパターン欠陥修正装置のＸ−Ｙステージ７上に載置し、真空チャックなどにより固定し、第２の実施の形態と同じ工程を経て、図６（ｂ）に示すように、欠陥パターン７１ａ、７１ｂの欠損箇所７１ｃにＣＶＤＷ膜を形成してパターン欠陥を修正し、正常な配線７１を形成することができる。
この場合、プラズマ前処理の条件は第２の実施の形態と同じとする。
一方、レーザＣＶＤの条件に関しては、成膜ガスとして、流量５０〜１００ｓｃｃｍのＷ（ＣＯ）６を用い、成膜時のレーザ照射部のガス圧力を０．５Ｔｏｒｒとした。また、レーザ光は、Ｑｓｗ−Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光（波長３５５ｎｍ、パルス幅６０ｎｓ、繰り返し周波数５ｋＨｚ）を用いた。また、レーザ照射面積を４μｍ２とし、レーザ照射パワーを３ｍＷとした。また、成膜時のＸ−Ｙステージの移動速度を５μｍ／ｓとした。
【００４０】
この第３の実施の形態でも、プラズマ前処理の有無、被成膜面の材料（ＩＴＯとＳｉＮ）、及び被成膜面の形状（段差を有する場合）による、成膜状態の違いについて調査した。
調査結果によれば、プラズマ前処理を行わなかった場合、かつ下地がＳｉＮ膜の場合、厚さ２００ｎｍのＷ膜が成長するのに対して、下地がＩＴＯ膜の場合、厚さ１００ｎｍのＷ膜が成長せず、直描方向へのＣＶＤ膜の成長が遅い傾向があった。このため、図７（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜８０の段差部８２で直描パターン８１ａが途切れる問題が１０％程度の頻度で発生した。このため、直描速度を３μｍ／ｓに低下させたところ、直描パターン８１の断線は回避できたが、新たに修正のスループットが低下するという問題を生じた。
【００４１】
一方、プラズマ前処理を行った場合で、下地がＳｉＮ膜とＩＴＯ膜の場合、ともに膜厚の差は生じず、膜厚は３００ｎｍに増加した。その上、図７（ａ）に示すように、段差部８２での直描パターン８１の断線も生じなかった。また、直描速度を７μｍ／ｓまで増加しても、膜厚２００ｎｍで安定した直描を実現することができた。
また、液晶基板のパターンの断線欠陥を修正する場合には、ＣＶＤ成膜による修正を行う前に、近接する欠陥場所の順にプラズマ前処理を施した後、近接する欠陥箇所から順次修正を行うなど手順を工夫することにより、プラズマ前処理に伴うスループットの低下を実用上問題のない範囲に抑制することができ、プラズマ前処理を行わなかった場合の１．５倍程度と高スループットを得ることができた上に、１００％の歩留まりを得ることができた。
【００４２】
以上、この発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があってもこの発明に含まれる。
例えば、上記実施の形態では、前処理ガスとして、空気、窒素、又は希ガスの少なくとも何れか一を用いているが、これらに限られない。
また、成膜ガスとしてＣｒ（ＣＯ）６、又はＷ（ＣＯ）６の何れか一を用いているが、これらに限られない。
また、プラズマ照射ユニットとして第１の実施の形態に示すものを用いているが、これに限られない。アーク放電によりプラズマを生成できる構成を有しているプラズマ照射ユニットであればよい。
また、レーザＣＶＤユニットとして第１の実施の形態に示すものを用いているが、これに限られない。大気中で成膜できる構成を有しているレーザＣＶＤユニットであればよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明のレーザＣＶＤ装置の構成によれば、空気や窒素やアルゴンなどの前処理ガスをアーク放電によりプラズマ化する第１の手段を有し、レーザ光による成膜手段である第２の手段により上記被成膜面に成膜する前に、第１の手段によりプラズマ化した前処理ガスを用いて基板の被成膜面を前処理している。
プラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理して改質することで、前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。さらに、第１の手段はアーク放電を用いているため、大気中でプラズマ化を行うことが可能である。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板が大口径化しつつある今日の状況でも、装置が大型化するのを回避することができる。
【００４４】
また、この発明のパターン欠陥修正装置の構成によれば、上記レーザＣＶＤ装置を制御する制御手段を有しているので、欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高めることができる、前処理からパターン欠陥の修正までを自動的に行う小型のパターン欠陥修正装置を提供し得る。
【００４５】
また、この発明のレーザＣＶＤ法の構成によれば、成膜前にプラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理することにより、被成膜面が改質され、さらにその処理効果を持続させることができる。このため、プラズマ前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。また、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができるので、スループットを向上させることができる。
【００４６】
また、この発明のパターン欠陥修正方法の構成によれば、基板上のパターンが欠けた箇所に修正パターンを成膜する前に、アーク放電によりプラズマ化した前処理ガスを基板上のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理している。従って、特に接触面積の小さい被成膜面が多い欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高め、膜剥がれを防止すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態である、レーザＣＶＤ装置の構成要素を含むパターン欠陥修正装置を示す側面図である。
【図２】図１のパターン欠陥修正装置を構成するプラズマ照射ユニットの構成を示す側面図である。
【図３】図１のパターン欠陥修正装置を構成するレーザＣＶＤユニットのガスウインドウユニット部分の構成を示す側面図である。
【図４】図１の制御ユニットの具体的な制御機能について説明するフローチャートである。
【図５】同図（ａ）、（ｂ）は、この発明の第２の実施の形態であるガラス基板上のＣｒ膜からなるマスクパターンの欠陥修正方法を説明する平面図である。
【図６】同図（ａ）、（ｂ）は、この発明の第３の実施の形態である液晶基板上に形成された配線パターンの断線欠陥の修正方法を説明する平面図である。
【図７】同図（ａ）、（ｂ）は、この発明の第３の実施の形態である透明導電膜（ＩＴＯ膜）の段差部での成膜状態を比較して示す断面図である。
【符号の説明】
１ 制御ユニット
２ プラズマ照射ユニット（第１の手段）
３ 前処理ガスを供給するユニット（第１の手段）
４ レーザ照射顕微観察光学ユニット（第２の手段）
５ ガスウインドウユニット（第２の手段）
６ 給／排気ユニット（第２の手段）
７ Ｘ−Ｙステージ（基板保持具）
１０ 基板
２１ プラズマ生成室
２２ ガス導入口
２３ 対の電極
３ａ、６ａ、６ｂ 配管
５１ 成膜ガスを閉じ込める室
５２ 仕切り壁
５３ 圧力検出口
５４ 第１の給／排気口
５５ 第２の給／排気口
５６ エアカーテン用ガス供給口
５７ エアカーテン用ガス放出溝
５８ 給／排気溝
６０ ガラス基板
６１ 正常なマスクパターン
６１ａ 欠陥パターン
６１ｂ、７１ｃ 欠損箇所
６１ｃ ＣＶＤＣｒ膜
７０、８０ 透明導電膜（ＩＴＯ膜、基板）
７１ 正常な配線パターン
７１ａ、７１ｂ 欠陥パターン
７１ｄ ＣＶＤＷ膜
８１、８１ａ 直描パターン
８２ 段差部
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザ化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、レーザＣＶＤ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法に係り、詳しくは、微細な箇所に選択的に成膜し、或いはフォトマスクのパターンの欠損（欠陥）や液晶表示装置の基板に形成された配線や絶縁膜の欠損を修正することが可能なレーザＣＶＤ装置、レーザＣＶＤ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、微細な箇所に選択的に成膜することが可能なレーザＣＶＤ装置及びレーザＣＶＤ法が知られており、フォトマスクのパターンの欠損や液晶表示装置の基板に形成された配線や絶縁膜の欠損を修正する用途に用いられている。
レーザＣＶＤ法については、特開昭６３−１６４２４０号公報、特開昭６３−６５０７７号公報、特開昭６４−４７０３２号公報、特開平３−１６６３７６号公報、米国特許４８０１３５２号公報に記載されている。
このうち、特開昭６３−１６４２４０号公報、特開昭６３−６５０７７号公報、特開昭６４−４７０３２号公報、特開平３−１６６３７６号公報に記載のレーザＣＶＤ方法は、いずれも減圧されたチャンバ内で行われる。これに対して、米国特許４８０１３５２号公報に記載のレーザＣＶＤ方法は、大気中で行われる。
【０００３】
被成膜基板が大型化している今日、米国特許４８０１３５２号公報に記載のレーザＣＶＤ方法は、他の装置と異なり、被成膜基板を収納して減圧するチャンバが不要なため、大掛かりな装置を必要とせず、さらにスループットの向上を図ることができるという点で有用な方法といえる。その装置は、基板の載置台と、基板の載置台上に設けられた、外気から遮断して基板表面に成膜ガスを供給するガスウインドウポートと、基板表面にレーザ光を照射するレーザ光源とを備えている。ガスウインドウポートは、レーザ光を導入する窓と、成膜ガスを導入する成膜ガス導入ポートと、レーザ光の照射部の周囲で、かつレーザの照射部を中心とする同心円状の位置に配置した吸気ポートとを備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記レーザＣＶＤ装置を用いた場合、成膜前に基板の成膜面が大気に曝されるため、形成膜が被成膜面から剥がれたりする虞がある。特に、欠陥の修正のために局所的に成膜される場合被成膜面との接触面積が少なく、その虞が高い。また、膜自体にクラックが入ったりすることも多い。
【０００５】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、レーザＣＶＤにより形成した膜と被成膜面との密着性を高め、また、形成された膜自体にクラックが発生するのを抑制できるレーザＣＶＤ装置、レーザＣＶＤ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、レーザＣＶＤ装置に係り、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板に供給する第１の手段と、レーザ光を照射する手段、及び外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段を備え、外気から遮断して上記基板に供給された成膜ガスを上記レーザ光の照射により活性化する第２の手段とを有し、上記第１の手段により上記基板の被成膜面を前処理し、その後上記第２の手段により上記被成膜面に成膜することを特徴としている。
【０００７】
請求項２記載の発明は、パターン欠陥修正装置に係り、基板上に形成すべき正常なパターンに対して、一部或いは全部が欠けた欠陥パターンを有する基板を保持して移動可能な基板保持具と、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、上記基板保持具上の基板に供給する第１の手段と、レーザ光を照射する手段及び外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段を備え、上記基板保持具上の基板に外気から遮断して供給された成膜ガスを上記レーザ光の照射により活性化する第２の手段と、上記基板上の欠陥パターンの位置を特定し、記憶する手段と、制御手段とを有し、上記制御手段は、上記基板上の欠陥パターンの位置を特定し、記憶する第１の手順と、上記基板を保持した基板保持具の移動を制御して上記基板を上記第１の手段まで移動させる第２の手順と、上記第１の手段に上記前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、該プラズマ化した前処理ガスを上記基板上に供給する第３の手順と、上記基板の被成膜面を所定時間前処理する第４の手順と、上記基板を保持した基板保持具の移動を制御して上記基板を保持した基板保持具を上記第２の手段まで移動させる第５の手順と、上記第２の手段により上記成膜ガスを外気から遮断して上記基板上に供給する第６の手順と、上記基板上の所定箇所に上記レーザ光を照射して上記成膜ガスを活性化させ、上記活性化した成膜ガスにより上記基板上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる第７の手順とを行わせることを特徴としている。
【０００８】
請求項３記載の発明は、レーザＣＶＤ法に係り、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化する工程と、上記プラズマ化した前処理ガスを供給して基板の被成膜面に接触させて前処理する工程と、上記前処理後に、外気から遮断して基板の被成膜面に成膜ガスを供給する工程と、上記基板の被成膜面にレーザ光を照射して上記成膜ガスを活性化する工程と、上記活性化した成膜ガスにより上記基板の被成膜面に成膜する工程とを有することを特徴としている。
【０００９】
請求項４記載の発明は、請求項３記載のレーザＣＶＤ法に係り、上記前処理ガスは、空気、窒素、またはアルゴンのうち何れか一であることを特徴としている。
【００１０】
請求項５記載の発明は、請求項３又は４記載のレーザＣＶＤ法に係り、上記成膜ガスは、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６のうち何れか一であることを特徴としている。
【００１１】
請求項６記載の発明は、パターン欠陥修正方法に係り、基板上に形成すべき正常なパターンに対して、一部或いは全部が欠けた欠陥パターンを有する基板を準備する工程と、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化する工程と、上記プラズマ化した前処理ガスを供給して上記基板のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理する工程と、上記前処理後に、外気から遮断して基板の被成膜面に成膜ガスを供給する工程と、上記基板の被成膜面にレーザ光を照射して上記成膜ガスを活性化する工程と、上記活性化した成膜ガスにより上記基板上のパターンが欠けた箇所に選択的に成膜し、上記欠陥パターンを修正する工程とを有することを特徴としている。
【００１２】
請求項７記載の発明は、請求項６記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記前処理ガスは、空気、窒素、またはアルゴンのうち何れか一であることを特徴としている。
【００１３】
請求項８記載の発明は、請求項６又は７記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記成膜ガスは、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６のうち何れか一であることを特徴としている。
【００１４】
請求項９記載の発明は、請求項６乃至８の何れか一に記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記基板上に形成すべき正常なパターンは、マスク基板上に形成すべきマスクパターンであることを特徴としている。
【００１５】
請求項１０記載の発明は、請求項６乃至８の何れか一に記載のパターン欠陥修正方法に係り、上記基板上に形成すべき正常なパターンは、絶縁膜或いは導電膜上に形成すべき配線パターンであることを特徴としている。
【００１６】
この発明のレーザＣＶＤ装置の構成によれば、空気や窒素やアルゴンなどの前処理ガスをアーク放電によりプラズマ化する第１の手段を有し、レーザ光による成膜手段である第２の手段により上記被成膜面に成膜する前に、第１の手段によりプラズマ化した前処理ガスを用いて基板の被成膜面を前処理している。
第２の手段は大気中で成膜が可能であるが、上述したように、成膜前に被成膜面が大気に曝されるため、形成された膜が被成膜面から剥がれたりする虞がある。これに対して、プラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理することで、被成膜面が改質され、さらにその処理効果を持続させることができる。このため、被成膜面の前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。
さらに、第１の手段はアーク放電を用いているため、大気中でプラズマ化を行うことが可能である。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板の大型化が推し進められている今日の状況でも、装置が大型化するのを回避することができる。
【００１７】
また、この発明のパターン欠陥修正装置の構成によれば、上記レーザＣＶＤ装置を制御する制御手段を有し、その制御手段により、適宜基板を移動させて、基板上の欠陥パターンの位置を特定して記憶し、第１の手段により前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、プラズマ化した前処理ガスを基板上に供給して基板の被成膜面を所定時間前処理し、続いて、第２の手段により成膜ガスを外気から遮断して基板上に供給し、基板上の所定箇所にレーザ光を照射して活性化した成膜ガスにより基板上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる手順とを行わせている。
これにより、欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高めることができる、前処理から欠陥パターンの修正までを行う小型の自動化装置を提供し得る。
【００１８】
また、この発明のレーザＣＶＤ法の構成によれば、成膜前にプラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理することにより、被成膜面が改質され、さらにその処理効果を持続させることができる。このため、被成膜面の前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。
また、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化して基板の被成膜面を前処理し、外気から遮断した状態でレーザ光により活性化した成膜ガスにより基板の被成膜面に成膜している。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができるため、基板が大口径化しても、この方法を行う装置はそれに対応させて大型化する必要はない。
【００１９】
また、この発明のパターン欠陥修正方法の構成によれば、基板上のパターンが欠けた箇所に修正パターンを成膜する前に、アーク放電によりプラズマ化した前処理ガスを基板上のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理している。従って、特に接触面積の小さい被成膜面が多い欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高め、形成膜が剥離するのを防止することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。
◇第１の実施の形態
まず、この発明の第１の実施の形態であるレーザＣＶＤ装置、及びそのレーザＣＶＤ装置に新たな構成要素を加えたパターン欠陥修正装置の構成について以下に説明する。
図１は、この発明の第１の実施の形態であるレーザＣＶＤ装置の構成要素を含むパターン欠陥修正装置を示す側面図、図２は、図１のパターン欠陥修正装置を構成するプラズマ照射ユニットの構成を示す側面図、図３は、図１のパターン欠陥修正装置を構成するレーザＣＶＤユニットのガスウインドウユニット部分の構成を示す側面図、また、図４は、制御手段１の具体的な制御機能について説明するフローチャートである。
【００２１】
図１に示すパターン欠陥修正装置は、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板１０表面に照射するプラズマ照射ユニット２と、プラズマ照射ユニット２に配管３ａを介して前処理ガスを供給するユニット３とを有する。プラズマ照射ユニット２と前処理ガスを供給するユニット３とが第１の手段を構成する。また、レーザ光の光源、及び顕微鏡で基板表面を観察する光学系を備えたレーザ照射顕微観察光学ユニット４と、外気から遮断して基板に成膜ガスを供給するガスウインドウユニット５と、ガスウインドウユニット５に配管６ａを介して成膜ガス及び被成膜面を外気から遮断するための制御ガスを供給するガス供給源、及びガスウインドウユニット５に配管６ｂを介して接続した排気手段を備えた給／排気ユニット６とを有する。レーザ照射顕微観察光学ユニット４と、ガスウインドウユニット５と、給／排気ユニット６とが第２の手段を構成する。さらに、基板１０を載置して平面内で自由に移動可能なＸ−Ｙステージ（基板保持具）７を有する。また、所望の処理を行うために、上記したパターン欠陥修正装置の構成要素を制御する制御ユニット１を有する。
【００２２】
次に、上記構成要素のうち、主要な構成要素に関し、その具体的な構成を説明する。まず、プラズマ照射ユニット２の具体的な構成を図２を参照して説明する。
プラズマ照射ユニット２は、図２に示すように、プラズマ生成室２１と、プラズマ生成室２１に前処理ガスを供給するガス導入口２２と、前処理ガスにアーク放電を起こさせる対の電極２３と、対の電極２３に放電電圧を供給する電源２４とを有する。また、プラズマ生成室２１のガス放出口には、電極２３と基板１０とをシールドし、電極２３と基板１０との間のアーク放電を防止する、複数のガス放出孔を備えた金網２５が設けられている。前処理ガスとして、空気、窒素、またはアルゴンなどが用いられる。
【００２３】
次に、ガスウインドウユニット５の具体的な構成を図３を参照して説明する。ガスウインドウユニット５は、図３に示すように、成膜ガスを閉じ込める室５１と、該室５１の上部に設けられたレーザ光源、及び光学系と該室５１とを仕切る透明な仕切り壁５２と、貫通孔を介して成膜ガスを閉じ込める室５１と繋がり、該室５１内の圧力を検出する圧力検出口５３と、貫通孔を介して成膜ガスを閉じ込める室５１と繋がり、該室５１内に成膜ガスを供給し、或いは室５１内を減圧する第１の給／排気口５４と、貫通孔を介してガスウインドウユニット５底面の給／排気溝５８に繋がり、ガスウインドウユニット５の底面と基板１０との間の隙間を通して室５１内にパージ用のガスを供給し、或いは該室５１内を排気する第２の給／排気口５５と、貫通孔を介してガスウインドウユニット５底面の給気溝５７に繋がり、外気を遮断するためのエアーカーテン用のガスを供給するガス供給口５６とを有する。成膜ガスとして、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６などが用いられる。また、パージ用のガスやエアーカーテン用のガスとして、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスが用いられる。
【００２４】
成膜前に、ガス供給口５６からエアーカーテン用のガスを供給するとともに第２の給／排気口５５からパージ用のガスを供給し、第１の給／排気口５４から排気する。これにより、パージ用のガスはガスウインドウユニット５の底面と基板１０との間の隙間を通して室５１内に送られ、室５１内はパージ用のガスで満たされる。
成膜時には、ガス供給口５６からエアーカーテン用のガスを供給するとともに第２の給／排気口５５から排気し、第１の給／排気口５４から室５１内に成膜ガスを供給する。これにより、成膜ガスは室５１内から底部を通り、更にガスウインドウユニット５の底面と基板１０表面の間の隙間を通って第２の給／排気溝５８から排気される。この状態で、基板１０の表面にレーザ光を照射すると、成膜ガスは外気から遮断された状態で活性化されて成膜が始まる。
【００２５】
次に、図４を参照して、制御ユニット１の機能について具体的に説明する。パターン欠陥修正装置の構成要素を制御して、図４に示す手順により、欠陥パターンの修正を行う。即ち、最初にＸ−Ｙステージ７に基板１０を載置し（ステップＳＴ１１（図４））、
（ｉ）基板１０上の欠陥パターンの位置を特定し、制御ユニット１内のメモリ（記憶装置）に記憶させる第１の手順を実行させ（ステップＳＴ１２）、
（ｉｉ） 欠陥パターンの位置情報に基づき、基板１０を保持したＸ−Ｙステージ７の移動を制御して基板１０をプラズマ照射ユニット２下まで移動させる第２の手順を実行させ（ステップＳＴ１３）、
（ｉｉｉ）プラズマ照射ユニット２及び前処理ガスを供給するユニット３を制御し、プラズマ照射ユニット２に前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、プラズマ化した前処理ガスを基板１０上に供給する第３の手順を実行させ（ステップＳＴ１４）、
（ｉｖ） プラズマ化した前処理ガスにより基板１０の被成膜面を所定時間前処理する第４の手順を実行させ（ステップＳＴ１５）、
（ｖ）基板１０を保持したＸ−Ｙステージ７の移動を制御して基板１０を保持したＸ−Ｙステージ７をガスウインドウユニット５まで移動させる第５の手順を実行させ（ステップＳＴ１６）、
（ｖｉ）ガスウインドウユニット５及び給／排気ユニット６を制御し、外気から遮断して成膜ガスを基板１０上に供給する第６の手順を実行させ（ステップＳＴ１７）、
（ｖｉｉ）基板１０上の所定箇所にレーザ光を照射して成膜ガスを活性化させ、活性化した成膜ガスにより基板１０上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる第７の手順を実行させる（ステップＳＴ１８）。
その後、他の修正箇所がないかどうかを確認し（ステップＳＴ１９）、修正箇所があれば、ステップＳＴ１２に戻って、（ｉ）の手順から同じようにして修正作業を行う。
【００２６】
このように、この発明の第１の実施の形態のパターン欠陥修正装置の構成によれば、プラズマ照射ユニット２と、前処理ガスを供給するユニット３とからなる第１の手段を有し、レーザ光による成膜手段である第２の手段により被成膜面に成膜する前に、第１の手段によりプラズマ化した前処理ガスを用いて基板１０の被成膜面を前処理している。
第２の手段は大気中で成膜が可能であり、第１の手段もアーク放電を用いているため、大気中でプラズマ化を行うことが可能である。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板の大口径化が推し進められている今日の状況でも、それに対応して装置が大型化するのを回避することができる。
【００２７】
また、パターン欠陥修正装置の構成要素を制御する制御ユニット１を有し、その制御ユニット１により、適宜基板１０を移動させて、基板１０上の欠陥パターンの位置を特定して記憶し、第１の手段により前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、プラズマ化した前処理ガスを基板１０上に供給して基板１０の被成膜面を所定時間前処理し、続いて、第２の手段により成膜ガスを外気から遮断して基板１０上に供給し、基板１０上の所定箇所にレーザ光を照射して活性化した成膜ガスにより基板１０上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる手順とを行わせている。
これにより、欠損箇所に形成した膜と基板１０の被成膜面との密着性を高めることができる、前処理からパターン欠陥の修正までを自動的に行う小型のパターン欠陥修正装置を提供し得る。
なお、レーザＣＶＤ装置は、プラズマ照射ユニット（第１の手段）２と、プラズマ照射ユニット２に前処理ガスを供給するユニット（第１の手段）３と、レーザ照射顕微観察光学ユニット（第２の手段）４と、ガスウインドウユニット（第２の手段）５と、給／排気ユニット（第２の手段）６とを備えていればよいが、レーザＣＶＤ装置も基本的にパターン欠陥修正装置の構成と同じ構成としてもよい。
【００２８】
◇第２の実施の形態
図５（ａ）、（ｂ）は、この発明の第２の実施の形態であるガラス基板上のＣｒ膜からなるマスクパターンの欠陥修正方法を説明する平面図である。
図５を参照してパターン欠陥修正方法について説明する。欠陥パターンの修正方法においては図１のパターン欠陥修正装置を用いる。
【００２９】
まず、図５（ａ）のように、石英基板６０上に一部欠けた箇所６１ｂを有する欠陥パターン６１ａが形成されたフォトマスクをパターン欠陥修正装置のＸ−Ｙステージ７上に載置し、真空チャックなどにより固定する。
次いで、制御ユニット１により、フォトマスクの欠陥座標データに基づいて、レーザ照射顕微観察光学ユニット４の観察視野に最初の欠陥位置が入るようにＸ−Ｙステージ７を移動させ、パターン６１ａの欠損箇所６１ｂを確認する。
次に、制御ユニット１により、欠損箇所６１ｂがプラズマ照射ユニット２の直下になるようにＸ−Ｙステージ７を移動させる。続いて、制御ユニット１により、前処理ガスの供給ユニット３を制御して前処理ガスをプラズマ照射ユニット２に供給するとともに、プラズマ照射ユニット２を制御して、電極２３に放電電圧を供給する。これにより、アーク放電により前処理ガスがプラズマ化する。そして、前処理ガスのラジカルが基板１０表面に供給され、基板１０表面に接触して前処理が行われる。この状態を凡そ３秒間継続する。
【００３０】
次いで、制御ユニット１により、フォトマスクの欠陥座標データに基づいて、レーザ照射顕微観察光学ユニット４の観察視野にパターン６１ａの欠損箇所６１ｂが入るようにＸ−Ｙステージ７を移動させ、欠損箇所６１ｂを確認する。
次に、制御ユニット１により、レーザ光の照射形状と照射位置を調整し、欠陥の修正が可能なような状態にする。
次いで、制御ユニット１により、給／排気ユニット６を制御してエアーカーテン用ガスを供給するとともに、流量６００ｓｃｃｍのＡｒキャリアガスにＣｒ（ＣＯ）６を含ませた成膜ガスをガスウインドウユニット５に供給する。これにより、エアーカーテン用ガスにより外気と遮断された状態でガスウインドウユニット５下の基板１０表面に成膜ガスが供給される。このとき、レーザ照射部でのガス圧力が０．３Ｔｏｒｒとなるように給・排気量を調整する。
【００３１】
続いて、制御ユニット１により、レーザ光源を制御してレーザ光を出射し、基板１０表面の欠損箇所に照射する。このとき、レーザ照射面積を２０μｍ２とし、Ｃｒパターンに照射ビームの半分を重ね合わせて照射し、順次成膜する。レーザ光は、Ｑｓｗ−Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光（波長３５５ｎｍ、パルス幅４０ｎｓ、繰り返し周波数８ｋＨｚ）を用い、レーザ照射時間を１．３秒とした。これにより、図５（ｂ）に示すように、欠損箇所６１ｂにＣｒ膜６１ｃが成膜されて欠陥パターンが修正される。
【００３２】
次に、上記のように形成したＣｒ膜に関し、形状、剥がれ、及びクラックについて調査した。比較のため、プラズマ前処理を行わないで成膜したＣｒ膜についても同様に調査した。この調査では、いずれも、レーザ照射強度をパラメータとした。
膜の形状の評価では、ＣＶＤＣｒ膜６１ｃがＣｒパターンから成長してレーザパターン照射通りに延びれば良とした。膜剥がれの評価では、パターン部もしくはガラス部のＣＶＤＣｒ膜６１ｃにめくれや剥がれが生じた場合に不良とした。膜のクラックの評価では、ＣＶＤＣｒ膜６１ｃの一部又は全体にヒビ割れやクラックが入った場合に不良とした。
調査結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
表１から分かるように、プラズマ前処理を行うことにより、膜の成長が促進されること、剥がれ、クラックの発生頻度を大幅に低減できることが分かった。また、この発明のＣＶＤＣｒ膜６１ｃでは、プラズマ前処理を行わないで成膜したＣＶＤＣｒ膜に比較して、レーザ照射強度の許容範囲を４倍程度広げられることが分かった。
さらに、ＣＶＤＣｒ膜６１ｃの表面が滑らかになり、遮光性の均一性も改善することができた。
【００３５】
これらの顕著な効果は、プラズマ前処理により、基板１０表面が活性化されて成膜ガスの吸着が促進され、またその効果が持続するためプラズマ前処理後多少大気に曝しても成膜を安定化できたこと、活性化された表面に成膜したことによりＣＶＤＣｒ膜６１ｃと基板１０との密着性を改善できたことに起因していると推測される。また、前処理により、基板１０表面の水分や油脂分などが除去され、清浄な表面を露出することができたことも成膜特性を改善できた要因と考えられる。
【００３６】
このように、第２の実施の形態のパターン欠陥修正方法の構成によれば、基板１０上のパターンが欠けた箇所に修正パターンを成膜する前に、アーク放電によりプラズマ化した前処理ガスを基板１０上のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理し、被成膜面を改質し、さらにその処理効果を持続させている。このため、被成膜面の前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成されたＣＶＤＣｒ膜６１ｃが剥がれるのを防止することができる。特に接触面積の小さい被成膜面が多い欠損箇所６１ｂに形成したＣＶＤＣｒ膜６１ｃと基板１０の被成膜面との密着性を高めることができる。
【００３７】
また、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化して基板１０の被成膜面を前処理し、外気から遮断した状態でレーザ光により活性化した成膜ガスにより基板１０の被成膜面に成膜している。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板１０が大口径化しても、この方法を行う装置は小型のまま維持できるとともに、スループットの向上を図ることができる。
【００３８】
◇第３の実施の形態
図６（ａ）、（ｂ）は、この発明の第３の実施の形態である液晶基板上に形成された配線パターンの断線欠陥の修正方法を説明する平面図、また、図７（ａ）、（ｂ）は、透明導電膜（ＩＴＯ膜）の段差部での成膜状態を比較して示す断面図である。
図６及び図７を参照してパターン欠陥修正方法について説明する。このパターン欠陥修正方法においては図１の欠陥修正装置を用いる。
まず、薄膜トランジスタがガラス基板上にマトリクス状に配置され、タングステン（Ｗ）膜からなる格子状の配線が形成された液晶基板を準備する。配線７１ａ、７１ｂは、図６（ａ）のように、透明導電膜（ＩＴＯ膜）７０上に形成され、一部が欠けて断線しているとする。
【００３９】
次に、液晶基板をパターン欠陥修正装置のＸ−Ｙステージ７上に載置し、真空チャックなどにより固定し、第２の実施の形態と同じ工程を経て、図６（ｂ）に示すように、欠陥パターン７１ａ、７１ｂの欠損箇所７１ｃにＣＶＤＷ膜を形成してパターン欠陥を修正し、正常な配線７１を形成することができる。
この場合、プラズマ前処理の条件は第２の実施の形態と同じとする。
一方、レーザＣＶＤの条件に関しては、成膜ガスとして、流量５０〜１００ｓｃｃｍのＷ（ＣＯ）６を用い、成膜時のレーザ照射部のガス圧力を０．５Ｔｏｒｒとした。また、レーザ光は、Ｑｓｗ−Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光（波長３５５ｎｍ、パルス幅６０ｎｓ、繰り返し周波数５ｋＨｚ）を用いた。また、レーザ照射面積を４μｍ２とし、レーザ照射パワーを３ｍＷとした。また、成膜時のＸ−Ｙステージの移動速度を５μｍ／ｓとした。
【００４０】
この第３の実施の形態でも、プラズマ前処理の有無、被成膜面の材料（ＩＴＯとＳｉＮ）、及び被成膜面の形状（段差を有する場合）による、成膜状態の違いについて調査した。
調査結果によれば、プラズマ前処理を行わなかった場合、かつ下地がＳｉＮ膜の場合、厚さ２００ｎｍのＷ膜が成長するのに対して、下地がＩＴＯ膜の場合、厚さ１００ｎｍのＷ膜が成長せず、直描方向へのＣＶＤ膜の成長が遅い傾向があった。このため、図７（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜８０の段差部８２で直描パターン８１ａが途切れる問題が１０％程度の頻度で発生した。このため、直描速度を３μｍ／ｓに低下させたところ、直描パターン８１の断線は回避できたが、新たに修正のスループットが低下するという問題を生じた。
【００４１】
一方、プラズマ前処理を行った場合で、下地がＳｉＮ膜とＩＴＯ膜の場合、ともに膜厚の差は生じず、膜厚は３００ｎｍに増加した。その上、図７（ａ）に示すように、段差部８２での直描パターン８１の断線も生じなかった。また、直描速度を７μｍ／ｓまで増加しても、膜厚２００ｎｍで安定した直描を実現することができた。
また、液晶基板のパターンの断線欠陥を修正する場合には、ＣＶＤ成膜による修正を行う前に、近接する欠陥場所の順にプラズマ前処理を施した後、近接する欠陥箇所から順次修正を行うなど手順を工夫することにより、プラズマ前処理に伴うスループットの低下を実用上問題のない範囲に抑制することができ、プラズマ前処理を行わなかった場合の１．５倍程度と高スループットを得ることができた上に、１００％の歩留まりを得ることができた。
【００４２】
以上、この発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があってもこの発明に含まれる。
例えば、上記実施の形態では、前処理ガスとして、空気、窒素、又は希ガスの少なくとも何れか一を用いているが、これらに限られない。
また、成膜ガスとしてＣｒ（ＣＯ）６、又はＷ（ＣＯ）６の何れか一を用いているが、これらに限られない。
また、プラズマ照射ユニットとして第１の実施の形態に示すものを用いているが、これに限られない。アーク放電によりプラズマを生成できる構成を有しているプラズマ照射ユニットであればよい。
また、レーザＣＶＤユニットとして第１の実施の形態に示すものを用いているが、これに限られない。大気中で成膜できる構成を有しているレーザＣＶＤユニットであればよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明のレーザＣＶＤ装置の構成によれば、空気や窒素やアルゴンなどの前処理ガスをアーク放電によりプラズマ化する第１の手段を有し、レーザ光による成膜手段である第２の手段により上記被成膜面に成膜する前に、第１の手段によりプラズマ化した前処理ガスを用いて基板の被成膜面を前処理している。
プラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理して改質することで、前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。さらに、第１の手段はアーク放電を用いているため、大気中でプラズマ化を行うことが可能である。従って、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができる。これにより、基板が大口径化しつつある今日の状況でも、装置が大型化するのを回避することができる。
【００４４】
また、この発明のパターン欠陥修正装置の構成によれば、上記レーザＣＶＤ装置を制御する制御手段を有しているので、欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高めることができる、前処理からパターン欠陥の修正までを自動的に行う小型のパターン欠陥修正装置を提供し得る。
【００４５】
また、この発明のレーザＣＶＤ法の構成によれば、成膜前にプラズマ化した前処理ガスで被成膜面を前処理することにより、被成膜面が改質され、さらにその処理効果を持続させることができる。このため、プラズマ前処理後、成膜前に被成膜面が大気に曝されたとしても、被成膜面に形成された膜が剥がれるのを防止することができる。また、前処理から成膜まで一連の処理を大気中で行うことができるので、スループットを向上させることができる。
【００４６】
また、この発明のパターン欠陥修正方法の構成によれば、基板上のパターンが欠けた箇所に修正パターンを成膜する前に、アーク放電によりプラズマ化した前処理ガスを基板上のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理している。従って、特に接触面積の小さい被成膜面が多い欠陥箇所に形成した膜と基板の被成膜面との密着性を高め、膜剥がれを防止すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態である、レーザＣＶＤ装置の構成要素を含むパターン欠陥修正装置を示す側面図である。
【図２】図１のパターン欠陥修正装置を構成するプラズマ照射ユニットの構成を示す側面図である。
【図３】図１のパターン欠陥修正装置を構成するレーザＣＶＤユニットのガスウインドウユニット部分の構成を示す側面図である。
【図４】図１の制御ユニットの具体的な制御機能について説明するフローチャートである。
【図５】同図（ａ）、（ｂ）は、この発明の第２の実施の形態であるガラス基板上のＣｒ膜からなるマスクパターンの欠陥修正方法を説明する平面図である。
【図６】同図（ａ）、（ｂ）は、この発明の第３の実施の形態である液晶基板上に形成された配線パターンの断線欠陥の修正方法を説明する平面図である。
【図７】同図（ａ）、（ｂ）は、この発明の第３の実施の形態である透明導電膜（ＩＴＯ膜）の段差部での成膜状態を比較して示す断面図である。
【符号の説明】
１ 制御ユニット
２ プラズマ照射ユニット（第１の手段）
３ 前処理ガスを供給するユニット（第１の手段）
４ レーザ照射顕微観察光学ユニット（第２の手段）
５ ガスウインドウユニット（第２の手段）
６ 給／排気ユニット（第２の手段）
７ Ｘ−Ｙステージ（基板保持具）
１０ 基板
２１ プラズマ生成室
２２ ガス導入口
２３ 対の電極
３ａ、６ａ、６ｂ 配管
５１ 成膜ガスを閉じ込める室
５２ 仕切り壁
５３ 圧力検出口
５４ 第１の給／排気口
５５ 第２の給／排気口
５６ エアカーテン用ガス供給口
５７ エアカーテン用ガス放出溝
５８ 給／排気溝
６０ ガラス基板
６１ 正常なマスクパターン
６１ａ 欠陥パターン
６１ｂ、７１ｃ 欠損箇所
６１ｃ ＣＶＤＣｒ膜
７０、８０ 透明導電膜（ＩＴＯ膜、基板）
７１ 正常な配線パターン
７１ａ、７１ｂ 欠陥パターン
７１ｄ ＣＶＤＷ膜
８１、８１ａ 直描パターン
８２ 段差部
Claims (10)
- アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、基板に供給する第１の手段と、
レーザ光を照射する手段、及び外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段を備え、外気から遮断して前記基板に供給された成膜ガスを前記レーザ光の照射により活性化する第２の手段とを有し、
前記第１の手段により前記基板の被成膜面を前処理し、その後前記第２の手段により前記被成膜面に成膜することを特徴とするレーザＣＶＤ装置。 - 基板上に形成すべき正常なパターンに対して、一部或いは全部が欠けた欠陥パターンを有する基板を保持して移動可能な基板保持具と、アーク放電により前処理ガスをプラズマ化し、前記基板保持具上の基板に供給する第１の手段と、レーザ光を照射する手段及び外気から遮断して成膜ガスを閉じ込める手段を備え、前記基板保持具上の基板に外気から遮断して供給された成膜ガスを前記レーザ光の照射により活性化する第２の手段と、前記基板上の欠陥パターンの位置を特定し、記憶する手段と、制御手段とを有し、
前記制御手段は、
前記基板上の欠陥パターンの位置を特定し、記憶する第１の手順と、
前記基板を保持した基板保持具の移動を制御して前記基板を前記第１の手段まで移動させる第２の手順と、
前記第１の手段に前記前処理ガスを供給してアーク放電によりプラズマ化させ、該プラズマ化した前処理ガスを前記基板上に供給する第３の手順と、
前記基板の被成膜面を所定時間前処理する第４の手順と、
前記基板を保持した基板保持具の移動を制御して前記基板を保持した基板保持具を前記第２の手段まで移動させる第５の手順と、
前記第２の手段により前記成膜ガスを外気から遮断して前記基板上に供給する第６の手順と、
前記基板上の所定箇所に前記レーザ光を照射して前記成膜ガスを活性化させ、前記活性化した成膜ガスにより前記基板上の所定箇所に所定膜厚で成膜させる第７の手順と
を行わせることを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - アーク放電により前処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記プラズマ化した前処理ガスを供給して基板の被成膜面に接触させて前処理する工程と、
前記前処理後に、外気から遮断して基板の被成膜面に成膜ガスを供給する工程と、
前記基板の被成膜面にレーザ光を照射して前記成膜ガスを活性化する工程と、
前記活性化した成膜ガスにより前記基板の被成膜面に成膜する工程と
を有することを特徴とするレーザＣＶＤ法。 - 前記前処理ガスは、空気、窒素、またはアルゴンのうち何れか一であることを特徴とする請求項３記載のレーザＣＶＤ法。
- 前記成膜ガスは、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６のうち何れか一であることを特徴とする請求項３又は４記載のレーザＣＶＤ法。
- 基板上に形成すべき正常なパターンに対して、一部或いは全部が欠けた欠陥パターンを有する基板を準備する工程と、
前記基板上の欠陥パターンの位置を確認する工程と、
アーク放電により前処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記プラズマ化した前処理ガスを供給して前記基板のパターンが欠けた箇所に接触させて前処理する工程と、
前記前処理後に、外気から遮断して基板の被成膜面に成膜ガスを供給する工程と、
前記基板の被成膜面にレーザ光を照射して前記成膜ガスを活性化する工程と、前記活性化した成膜ガスにより前記基板上のパターンが欠けた箇所に選択的に成膜し、前記欠陥パターンを修正する工程と
を有することを特徴とするパターン欠陥修正方法。 - 前記前処理ガスは、空気、窒素、またはアルゴンのうち何れか一であることを特徴とする請求項６記載のパターン欠陥修正方法。
- 前記成膜ガスは、Ｃｒ（ＣＯ）６またはＷ（ＣＯ） ６のうち何れか一であることを特徴とする請求項６又は７記載のパターン欠陥修正方法。
- 前記基板上に形成すべき正常なパターンは、マスク基板上に形成すべきマスクパターンであることを特徴とする請求項６乃至８の何れか一に記載のパターン欠陥修正方法。
- 前記基板上に形成すべき正常なパターンは、絶縁膜或いは導電膜上に形成すべき配線パターンであることを特徴とする請求項６乃至８の何れか一に記載のパターン欠陥修正方法。
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