JP2011149046A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011149046A JP2011149046A JP2010010481A JP2010010481A JP2011149046A JP 2011149046 A JP2011149046 A JP 2011149046A JP 2010010481 A JP2010010481 A JP 2010010481A JP 2010010481 A JP2010010481 A JP 2010010481A JP 2011149046 A JP2011149046 A JP 2011149046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- laser
- vicinity
- gas
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 112
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 115
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】より確実かつ効率的にCVD加工を行う加工部分近傍を加熱する。
【解決手段】レーザCVD加工を行うレーザ加工装置１０１において、エアヒータ１６５は、ガスウインドウ１６１を介して、基板１３１に薄膜を形成する加工部分近傍を加熱するための熱風を加工部分近傍に送る。ガスウインドウ１６１は、ガス吸気排気ユニット１６４からの原料ガスを給排気することにより、加工部分近傍のCVD空間を原料ガス雰囲気に保つ。レーザユニット１６３は、レーザ照射観察ユニット１６２およびガスウインドウ１６１を介して、レーザパルスを加工部分に照射する。本発明は、例えば、レーザリペア装置に適用できる。
【選択図】図４
【解決手段】レーザCVD加工を行うレーザ加工装置１０１において、エアヒータ１６５は、ガスウインドウ１６１を介して、基板１３１に薄膜を形成する加工部分近傍を加熱するための熱風を加工部分近傍に送る。ガスウインドウ１６１は、ガス吸気排気ユニット１６４からの原料ガスを給排気することにより、加工部分近傍のCVD空間を原料ガス雰囲気に保つ。レーザユニット１６３は、レーザ照射観察ユニット１６２およびガスウインドウ１６１を介して、レーザパルスを加工部分に照射する。本発明は、例えば、レーザリペア装置に適用できる。
【選択図】図４
Description
本発明は、レーザ加工装置に関し、特に、レーザCVD（Chemical Vapor Deposition）加工を行うレーザ加工装置に関する。
従来、レーザCVD（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、LCD（Liquid Crystal Display）パネルや有機EL（Electro-Luminescence）パネルなどのディスプレイパネルに使用される基板の配線の欠陥を修正するレーザ加工装置が普及している（例えば、特許文献１参照）。
レーザCVD法を用いたレーザ加工装置では、基板上の配線を修正する部分近傍に原料ガスを供給するとともに、その基板上の修正部分にレーザ光を照射し、レーザ光のエネルギーにより活性化した原料ガスを膜として修正部分に堆積することにより、基板上の配線が修正される。しかしながら、原料ガスを基板表面に供給したときに、レーザ光を照射していない部分においても、原料ガスと基板の温度差により原料ガスが再結晶化し、再結晶化により生成された異物が配線の欠陥部分となり、基板の品質を低下させる。
そこで、原料ガスに含まれる原料物質が基板上で再結晶するのを防止するために、所定の温度（例えば、４０℃前後）以上に基板を温めた状態でレーザCVD加工（以下、単にCVD加工とも称する）が行われる。例えば、従来のレーザ加工装置では、図１に示されるように、基板２１が載置されるガラス載物台１１の裏面に透明フィルムヒータ１２を貼付し、基板２１の加工面が所定の温度以上になるように、透明フィルムヒータ１２によりガラス載物台１１全体を加熱する。そして、基板２１全体を下から温めた状態で、上方からレーザパルスを基板２１に照射し、CVD加工を行う。
しかしながら、透明フィルムヒータ１２は断線が発生しやすく、断線が発生する度に修理または交換する必要があり、費用や手間がかかる上に、修理または交換が完了するまで作業が停止してしまう。一方、断線が発生しにくくなるように透明フィルムヒータ１２の温度を下げてしまうと、原料ガスに含まれる原料物質の再結晶が発生しやすくなってしまう。
また、透明フィルムヒータ１２によりガラス載物台１１全体を加熱すると、不要な部分まで加熱されるため、ガラス載物台１１の周辺の部品や機器に熱による悪影響を与えてしまう恐れがある。
さらに、ディスプレイパネルの大型化に伴い、ガラス載物台１１および透明フィルムヒータ１２も大型化する傾向にあり、高価になるとともに、保管作業や保管場所の確保が困難になってきている。
また、基板２１をガラス載物台１１から持ち上げるために設けられているリフタ用の穴（不図示）など、ガラス載物台１１に透明フィルムヒータ１２を貼付できない部分がある場合があり、その部分で加熱不足が発生する恐れがある。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、より確実かつ効率的にCVD加工を行う加工部分近傍を加熱できるようにするものである。
本発明の第１のレーザ加工装置は、加工部分近傍を加熱するための熱風を送る送風手段と、原料ガスを給排気することにより加工部分近傍を原料ガス雰囲気に保つ供給手段と、加工部分にレーザ光を照射する照射手段と、送風手段、供給手段、および、照射手段を制御する制御手段とを備える。
本発明の第１のレーザ加工装置においては、熱風により加工部分近傍が温められ、加工部分近傍が原料ガス雰囲気に保たれ、加工部分にレーザ光が照射され、加工部分に薄膜が形成される。
従って、より確実かつ効率的にCVD加工を行う加工部分近傍を加熱することができる。
このレーザ加工装置は、例えば、レーザリペア装置により構成される。この送風手段は、例えば、１５０℃〜３００℃の熱風を吹き出すエアヒータにより構成される。この供給手段は、例えば、クロムカルボニルガスからなる原料ガスを供給するガスウインドウなどにより構成される。この照射手段は、例えば、レーザパルスを射出するレーザユニットにより構成される。この制御手段は、例えば、CPUなどからなる制御装置により構成される。
この制御手段には、送風手段により加工部分近傍を所定の時間加熱した後、供給手段により原料ガス雰囲気を生成し、照射手段により加工部分にレーザ光を照射するように制御させることができる。
これにより、加工部分近傍の雰囲気をほぼ同じに保つことができ、加工ムラの発生を防止することができる。
送風手段からの熱風と供給手段からの原料ガスとは、異なる位置から加工部分近傍に供給されるようにすることができる。
これにより、熱風および原料ガスを加工部分近傍に確実に供給することができる。
本発明の第２のレーザ加工装置は、送風手段と、原料ガスに含まれる原料物質が再結晶を開始する温度より高い温度に設定されるとともに、送風手段からの風を加工部分近傍に送り、原料ガスを給排気することにより加工部分近傍を原料ガス雰囲気に保つ供給手段と、加工部分にレーザ光を照射する照射手段と、送風手段、供給手段、および、照射手段を制御する制御手段とを備える。
本発明の第２のレーザ加工装置においては、送風手段からの風が熱せられて加工部分近傍に送られ、加工部分近傍が温められるとともに、加工部分近傍が原料ガス雰囲気に保たれ、加工部分にレーザ光が照射され、加工部分に薄膜が形成される。
従って、より確実かつ効率的にCVD加工を行う加工部分近傍を加熱することができる。
このレーザ加工装置は、例えば、レーザリペア装置により構成される。この送風手段は、例えば、ファンなどの送風機、または、エアヒータなどにより構成される。この供給手段は、例えば、クロムカルボニルガスからなる原料ガスを供給するガスウインドウなどにより構成される。この照射手段は、例えば、レーザパルスを射出するレーザユニットにより構成される。この制御手段は、例えば、CPUなどからなる制御装置により構成される。
この制御手段には、送風手段および供給手段により加工部分近傍に所定の時間送風した後、供給手段により原料ガス雰囲気を生成し、照射手段により加工部分にレーザ光を照射するように制御させるようにすることができる。
これにより、加工部分近傍の雰囲気をほぼ同じに保つことができ、加工ムラの発生を防止することができる。
この送風手段には、加工部分近傍を加熱するための熱風を送らせるようにすることができる。
これにより、より早く加工部分の近傍を所定の温度以上に加熱することができる。
本発明の第１の装置または第２の装置によれば、より確実かつ効率的にCVD加工を行う加工部分近傍を加熱することができる。
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．変形例１
１．実施の形態
２．変形例１
＜実施の形態＞
［レーザ加工装置の構成例］
図２は、本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態の外観の構成例を示す斜視図である。
［レーザ加工装置の構成例］
図２は、本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態の外観の構成例を示す斜視図である。
図２のレーザ加工装置１０１は、LCDパネルや有機ELパネルなどのディスプレイパネルに使用される基板の配線の欠陥等の修正を行うレーザリペア装置である。例えば、レーザ加工装置１０１は、レーザ誘起プラズマにより基板の余分なパターンを除去するZAP加工、および、レーザCVD法により基板の欠落しているパターンを形成するCVD加工を行う。レーザ加工装置１０１は、基台１１１、ガラス載物台１１２ａ乃至１１２ｄ、レール部材１１３ａ，１１３ｂ、コラム１１４、およびヘッド１１５を含むように構成される。
なお、以下、コラム１１４の長手方向をｘ軸方向または左右方向と称し、レール部材１１３ａ，１１３ｂの長手方向をｙ軸方向または前後方向と称し、ｘ軸およびｙ軸に垂直な方向をｚ軸方向または上下方向と称する。
基台１１１の上面の左右の両端には、レール部材１１３ａ，１１３ｂが設けられている。また、レール部材１１３ａとレール部材１１３ｂの間には、長手方向がｙ軸方向と一致する板状のガラス載物台１１２ａ乃至１１２ｄが、所定の間隔で基台１１１の上面に設けられている。
ガラス載物台１１２ａ乃至１１２ｄの上には、図３に示されるように、加工対象となる基板１３１が載置される。このとき、図３に示されるように、例えば、基板１３１を運搬するオートローダのアーム１３２を、各ガラス載物台の間の溝に挿入することにより、容易に基板１３１をガラス載物台１１２ａ乃至１１２ｄに設置したり、ガラス載物台１１２ａ乃至１１２ｄから撤去したりすることが可能である。
なお、以下、ガラス載物台１１２ａ乃至１１２ｄを個々に区別する必要がない場合、単にガラス載物台１１２と称する。
レール部材１１３ａ，１１３ｂの上面には、それぞれｙ軸方向に延びるレールが設けられている。また、レール部材１１３ａとレール部材１１３ｂの間には、コラム１１４が架けられており、コラム１１４の下面の長手方向の両端が、レール部材１１３ａ，１１３ｂの上面のレールに嵌め合わされている。そして、図示せぬアクチュエータなどを用いて、レール部材１１３ａ，１１３ｂの上面のレールに従って、コラム１１４をｙ軸方向に移動させることが可能である。
また、コラム１１４の前面および上面にはレールが設けられており、逆Ｌ字型のヘッド１１５が、コラム１１４の前面および上面のレールに嵌め合わされている。そして、図示せぬアクチュエータなどを用いて、コラム１１４の前面および上面のレールに従って、ヘッド１１５をｘ軸方向に移動させることが可能である。
ヘッド１１５には、図４を参照して後述する加工ユニット１５１が設けられている。より具体的には、加工ユニット１５１の各部は、ヘッド１１５に内蔵されたり、ヘッド１１５の下面に取り付けられたりしている。そして、加工ユニット１５１は、図示せぬアクチュエータなどにより、ｚ軸方向に移動させることが可能である。また、上述したように、コラム１１４をｙ軸方向に移動させたり、ヘッド１１５をｘ軸方向に移動させたりすることにより、加工ユニット１５１をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させることが可能である。
また、基台１１１には、コラム１１４、ヘッド１１５、および加工ユニット１５１の移動を制御したり、加工ユニット１５１の動作を制御したりする制御部１５２（図４）が内蔵されている。
なお、以下、場所を移動しない基台１１１、ガラス載置台１１２、およびレール部材１１３ａ，１１３ｂをまとめて固定部１０１Ａと称し、場所を移動するコラム１１４、およびヘッド１１５をまとめて可動部１０１Ｂと称する。
［加工ユニットの構成例］
図４は、加工ユニット１５１の構成例を示すブロック図である。加工ユニット１５１は、ガスウインドウ１６１、レーザ照射観察ユニット１６２、レーザユニット１６３、ガス吸気排気ユニット１６４、エアヒータ１６５、およびエアヒータ制御ユニット１６６を含むように構成される。
図４は、加工ユニット１５１の構成例を示すブロック図である。加工ユニット１５１は、ガスウインドウ１６１、レーザ照射観察ユニット１６２、レーザユニット１６３、ガス吸気排気ユニット１６４、エアヒータ１６５、およびエアヒータ制御ユニット１６６を含むように構成される。
ガスウインドウ１６１は、ガラス載物台１１２に載置されている基板１３１の上方に、基板１３１とわずかな間隔を置いて配置される。なお、ガスウインドウ１６１と基板１３１との間の距離は、加工ユニット１５１をｚ軸方向に移動させることにより調整することができる。詳細は図５および図６を参照して後述するが、ガスウインドウ１６１は、ガス吸気排気ユニット１６４から供給される原料ガスおよびパージガス、並びに、エアヒータ１６５から供給される熱風を、基板１３１のレーザパルスが照射される部分（以下、レーザ照射部と称する）近傍に供給する導入口を有している。また、ガスウインドウ１６１は、原料ガスおよびパージガスを外部に漏れ出さないように吸い込む吸い込み口を備えている。
ガスウインドウ１６１の直上には、レーザ照射観察ユニット１６２が設置されている。レーザ照射観察ユニット１６２は、レーザパルスのパルスエネルギーを変えるアッテネータ（不図示）、レーザパルスのビーム形状を変化させる可変アパーチャ機構（不図示）、対物レンズを上下させて焦点位置を調整する機構（不図示）、および、基板１３１のレーザ照射部近傍を観察するための顕微鏡機構（不図示）などを有している。
レーザユニット１６３は、例えば、ZAP加工用のレーザパルス（以下、ZAPレーザパルスと称する）、および、CVD加工用のレーザパルス（以下、CVDレーザパルスと称する）を射出するレーザ光源をそれぞれ備えている。そして、レーザユニット１６３から射出されたレーザパルスは、レーザ照射観察ユニット１６２およびガスウインドウ１６１を介して、基板１３１に照射される。なお、上述したように、コラム１１４およびヘッド１１５の移動に合わせて加工ユニット１５１をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させることにより、基板１３１のレーザ照射部の位置を調整することができる。
なお、例えば、Nd:YLFレーザの第３高調波（波長351nm）で、繰返し周波数が30Hz、時間幅が20ピコ秒のレーザパルスが、ZAPレーザパルスとして用いられ、Nd:YLFレーザの第３高調波（波長349nm）で、繰返し周波数が4kHz、時間幅が30ナノ秒のレーザパルスが、CVDレーザパルスとして用いられる。
ガス吸気排気ユニット１６４は、原料ガス、パージガスを必要なタイミングでガスウインドウ１６１に供給し、かつ、ガスウインドウ１６１から吸引された排気ガスの無害化処理を行う機構などを備える。なお、原料ガスには、例えば、クロムカルボニルガスが用いられ、パージガスには、例えば、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが用いられる。
エアヒータ１６５は、エアヒータ制御ユニット１６６の制御の基に、必要なタイミングで、ガスウインドウ１６１を介して、所定の温度（例えば、１５０〜３００℃）の熱風を基板１３１のレーザ照射部近傍に供給する。
エアヒータ制御ユニット１６６は、制御部１５２の制御の基に、エアヒータ１６５から熱風を吹き出すタイミング、および、熱風の温度等を制御する。
また、制御部１５２は、レーザ加工装置１０１の可動部１０１Ｂの各部の動作を制御する。例えば、制御部１５２は、図示せぬアクチュエータなどを介して、コラム１１４のｙ軸方向の移動、ヘッド１１５のｘ軸方向の移動、および、加工ユニット１５１のｚ軸方向の移動を制御する。また、例えば、制御部１５２は、レーザ照射観察ユニット１６２の照明、アパーチャ、アッテネータの減衰率などを制御する。さらに、例えば、制御部１５２は、レーザユニット１６３から射出されるレーザパルスのパルスエネルギー、繰返し周波数、時間幅（パルス幅）、および射出タイミング等を制御する。また、例えば、制御部１５２は、ガス吸気排気ユニット１６４のガス開閉弁（不図示）の開閉タイミング等の制御を行う。さらに、例えば、制御部１５２は、エアヒータ制御ユニット１６６を介して、エアヒータ１６５から熱風を吹き出すタイミングおよび熱風の温度等を制御する。
［ガスウインドウの構成例］
次に、図５および図６を参照して、ガスウインドウ１６１の構成例について説明する。図５は、ガスウインドウ１６１を横から見た断面図であり、図６は、ガスウインドウ１６１の下面の平面図である。ガスウインドウ１６１は、円盤状のウインドウポート２０１および円盤状の窓２０２により構成される。
次に、図５および図６を参照して、ガスウインドウ１６１の構成例について説明する。図５は、ガスウインドウ１６１を横から見た断面図であり、図６は、ガスウインドウ１６１の下面の平面図である。ガスウインドウ１６１は、円盤状のウインドウポート２０１および円盤状の窓２０２により構成される。
ウインドウポート２０１の中央には、ガス導入空間部２０１Ａが形成されている。ガス導入空間部２０１Ａは、ウインドウポート２０１の下面から所定の高さまでは径が一定であり、途中から上面部に向かってテーパ状に径が広がっている。また、ウインドウポート２０１の上面には、レーザユニット１６３からのレーザパルスを導入するための窓２０２が、ガス導入空間部２０１Ａの上端の開口を覆うように設けられている。
窓２０２のすぐ下方には、パージガス導入口２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２が、基板１３１の上面に対して平行で、かつ、互いに対向するように設けられている。ガス吸気排気ユニット１６４から供給されるパージガスは、パージガス導入口２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２を介して、ガス導入空間部２０１Ａの側面から吹き出し、そのパージガスにより窓２０２の曇りが防止される。また、ガス導入空間部２０１Ａの側面から吹き出したパージガスは、窓２０２の直下で２つの流れがぶつかり、ガス導入空間部２０１Ａの下方に向かって、ほぼ基板１３１の面に対して垂直に下降する。
ガス導入空間部２０１Ａの径が一定となる領域には、原料ガス導入口２０１Ｃが、基板１３１の面に平行に設けられている。ガス吸気排気ユニット１６４から供給される原料ガスは、原料ガス導入口２０１Ｃを介して、ガス導入空間部２０１Ａの側面から吹き出し、パージガスの流れに混じって、基板１３１の上面へほぼ垂直に下降する流れとなり、ウインドウポート２０１と基板１３１との間のCVD空間２１１に拡散する。このCVD空間２１１は、基板１３１のレーザ照射部近傍、すなわち、レーザパルスおよび原料ガスにより基板１３１に薄膜を形成する部分近傍に接している。
ウインドウポート２０１の下面のガス導入空間部２０１Ａの下端の開口の周りには、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３が設けられている。エアヒータ１６５から供給される熱風は、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出し、CVD空間２１１に拡散する。
ウインドウポート２０１の下面の送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３の外側には、ガス導入空間部２０１Ａの下端の開口の周囲を取り囲むようにリング状の排気口２０１Ｅが形成されている。さらに、排気口２０１Ｅを取り囲むようにリング状の排気口２０１Ｆが形成されている。そして、ガス導入空間部２０１Ａから吹き出されたパージガスおよび原料ガス、並びに、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出された熱風を含む空気が、これらの排気口２０１Ｅ，２０１Ｆに吸い込まれ、排気口２０１Ｅ，２０１Ｆに設けられている図示せぬ吸い込み口からガス吸気排気ユニット１６４に送られる。このように、排気口２０１Ｅ，２０１Ｆから空気を吸い込むことにより、CVD空間２１１を外部から遮断するドーナツ状のガスカーテンシールド部２１２が形成され、ガスカーテンシールド部２１２により原料ガスが外部に漏れることが防止される。そして、CVD空間２１１が原料ガス雰囲気に保たれる。
また、ウインドウポート２０１は、制御部１５２の制御の基に、図示せぬヒータなどにより原料ガスに含まれる原料物質が再結晶を開始する温度より高い温度（例えば、６５〜７０℃）に設定される。
［リペア処理］
次に、図７のフローチャートを参照して、レーザ加工装置１０１により実行されるリペア処理について説明する。なお、このフローチャートは、基板１３１のある部分の加工が終了した後から、次の部分の加工が終了するまでの処理の流れを示している。
次に、図７のフローチャートを参照して、レーザ加工装置１０１により実行されるリペア処理について説明する。なお、このフローチャートは、基板１３１のある部分の加工が終了した後から、次の部分の加工が終了するまでの処理の流れを示している。
ステップＳ１において、制御部１５２は、加工ユニット１５１をｚ軸方向に上昇させる。例えば、基板１３１の加工を行うとき、基板１３１とガスウインドウ１６１との間の距離は、約0.5mm程度に設定されている。そして、制御部１５２は、加工ユニット１５１を次の加工位置に移動させるために、基板１３１とガスウインドウ１６１との間の距離が2〜3mm程度に広がるように、加工ユニット１５１をｚ軸方向に上昇させる。
ステップＳ２において、ガス吸気排気ユニット１６４は、制御部１５２の制御の基に、原料ガスの供給を停止する。なお、原料ガスの供給がすでに停止されている場合には、ステップＳ２の処理はスキップされる。なお、パージガスの供給は継続される。
ステップＳ３において、エアヒータ１６５は、制御部１５２およびエアヒータ制御ユニット１６６の制御の基に、熱風の供給を開始する。これにより、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３からの熱風の吹出しが開始され、基板１３１の送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３に近い部分が加熱される。
ステップＳ４において、レーザ加工装置１０１は、加工ユニット１５１を移動する。すなわち、制御部１５２は、ヘッド１１５のｘ軸方向の位置およびコラム１１４のｙ軸方向の位置を制御し、次の加工位置まで加工ユニット１５１を移動させる。
ステップＳ５において、制御部１５２は、基板１３１とガスウインドウ１６１との間の距離が0.5mm程度まで近づくように、加工ユニット１５１をｚ軸方向に下降させる。
ステップＳ６において、制御部１５２は、熱風の供給時間をタイマにセットする。すなわち、制御部１５２は、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出される熱風により、CVD空間２１１に接している領域を含む基板１３１の加工面の領域の温度を、原料ガスに含まれる原料物質が再結晶しない温度（例えば、４０℃前後）以上にするために必要な時間をタイマにセットする。
ステップＳ７において、レーザ加工装置１０１は、加工準備を開始する。例えば、レーザ照射観察ユニット１６２は、制御部１５２の制御の基に、レーザユニット１６３から射出されるレーザパルスの焦点位置が、基板１３１の加工面に合うように対物レンズの焦点位置を調整する。また、制御部１５２は、レーザパルスのパルスエネルギー、アッテネータによるレーザパルスの減衰率の値、スリットの大きさなど、図示せぬ入力部を介してユーザにより入力される加工条件に関する設定を取得し、その設定に基づいて、レーザ照射観察ユニット１６２およびレーザユニット１６３を制御する。さらに、制御部１５２は、図示せぬ入力部を介してユーザにより入力される、CVD加工およびZAP加工を行う位置の詳細な情報を取得する。
ステップＳ８において、エアヒータ１６５は、制御部１５２およびエアヒータ制御ユニット１６６の制御の基に、ステップＳ６においてセットされたタイマが満了した時点で、熱風の供給を停止する。このように、原料ガスの供給前に熱風を停止し、原料ガス供給中に熱風を送らないようにすることにより、加工中のCVD空間２１１内の雰囲気をほぼ同じに保つことができ、加工ムラの発生を防止することができる。
ステップＳ９において、ガス吸気排気ユニット１６４は、制御部１５２の制御の基に、原料ガスの供給を開始する。これにより、原料ガスが、ガス導入空間部２０１Ａの下端から吹き出し、ウインドウポート２０１と基板１３１との間のCVD空間２１１に拡散する。
ステップＳ１０において、レーザ加工装置１０１は、CVD加工を行う。具体的には、制御部１５２は、ヘッド１１５のｘ軸方向の位置およびコラム１１４のｙ軸方向の位置を制御しながら、レーザユニット１６３からのレーザパルスの射出を制御し、ステップＳ７において設定された基板１３１のCVD加工を行う部分に、レーザパルスを照射させる。これにより、基板１３１のレーザパルスが照射された部分に、原料ガスに含まれる原料物質による薄膜が形成され、新たなパターンが形成される。
ステップＳ１１において、ガス吸気排気ユニット１６４は、制御部１５２の制御の基に、原料ガスの供給を停止する。
ステップＳ１２において、レーザ加工装置１０１は、ZAP加工を行う。具体的には、制御部１５２は、ヘッド１１５のｘ軸方向の位置およびコラム１１４のｙ軸方向の位置を制御しながら、レーザユニット１６３からのレーザパルスの射出を制御し、ステップＳ７において設定された基板１３１のZAP加工を行う部分に、レーザパルスを照射させる。これにより、基板１３１のレーザパルスが照射された部分のパターンが除去される。
なお、ZAP加工を行う必要がない場合には、ステップＳ１１およびステップＳ１２の処理はスキップされる。また、まだ加工する部分が残っている場合、またステップＳ１から処理が実行される。
以上のようにして、より確実かつ効率的に基板のCVD加工を行う部分近傍を加熱することができる。
すなわち、透明フィルムヒータを用いないので、透明フィルムヒータの断線等による修理や交換をする必要がなく、それにかかる費用や手間を削減したり、作業の停滞を防止したりすることができる。
また、CVD加工を行う部分近傍のみを加熱するので、加熱に必要なエネルギーを削減できるとともに、不要な部分を加熱することにより、周辺の部品や機器に熱による悪影響を与えることを防止できる。
さらに、基板を加熱するための部品を小型化できるとともに、加工対象となる基板の大きさによって交換する必要がなく、コストを削減できるとともに、保守品の保管が容易になる。
また、加工ユニット１５１の移動範囲内であれば、基板の全ての部分を漏れなく加熱することができ、加熱不足の発生を防止することができる。
＜２．変形例＞
以上の説明では、エアヒータ１６５から所定の温度以上の熱風を供給する例を示した。しかし、上述したようにウインドウポート２０１が高い温度（６５〜７０℃）に設定されているので、エアヒータ１６５から周囲の温度と同じ風を供給し、ウインドウポート２０１の送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出すようにするだけで、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３からは熱風が吹き出されるようになる。そして、その熱風により基板１３１を加熱するようにすることも可能である。
以上の説明では、エアヒータ１６５から所定の温度以上の熱風を供給する例を示した。しかし、上述したようにウインドウポート２０１が高い温度（６５〜７０℃）に設定されているので、エアヒータ１６５から周囲の温度と同じ風を供給し、ウインドウポート２０１の送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出すようにするだけで、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３からは熱風が吹き出されるようになる。そして、その熱風により基板１３１を加熱するようにすることも可能である。
また、図５および図６に示したパージガス導入口、原料ガス導入口、および、送風口の数は、その一例であり、必要に応じて増減することが可能である。
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
１０１ レーザ加工装置
１１２ａ乃至１１２ｄ ガラス載物台
１１３ａ，１１３ｂ レール部材
１１４ コラム
１１５ ヘッド
１３１ 基板
１５１ 加工ユニット
１５２ 制御部
１６１ ガスウインドウ
１６２ レーザ照射観察ユニット
１６３ レーザユニット
１６４ ガス吸気排気ユニット
１６５ エアヒータ
１６６ エアヒータ制御ユニット
２０１ ウインドウポート
２０１Ａ ガス導入空間部
２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２ パージガス導入口
２０１Ｃ 原料ガス導入口
２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３ 送風口
２０１Ｅ，２０１Ｆ 排気口
２１１ CVD空間
２１２ ガスカーテンシールド部
１１２ａ乃至１１２ｄ ガラス載物台
１１３ａ，１１３ｂ レール部材
１１４ コラム
１１５ ヘッド
１３１ 基板
１５１ 加工ユニット
１５２ 制御部
１６１ ガスウインドウ
１６２ レーザ照射観察ユニット
１６３ レーザユニット
１６４ ガス吸気排気ユニット
１６５ エアヒータ
１６６ エアヒータ制御ユニット
２０１ ウインドウポート
２０１Ａ ガス導入空間部
２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２ パージガス導入口
２０１Ｃ 原料ガス導入口
２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３ 送風口
２０１Ｅ，２０１Ｆ 排気口
２１１ CVD空間
２１２ ガスカーテンシールド部
Claims (6)
- 加工部分近傍を加熱するための熱風を送る送風手段と、
原料ガスを給排気することにより前記加工部分近傍を前記原料ガス雰囲気に保つ供給手段と、
前記加工部分にレーザ光を照射する照射手段と、
前記送風手段、前記供給手段、および、前記照射手段を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記制御手段は、前記送風手段により前記加工部分近傍を所定の時間加熱した後、前記供給手段により前記原料ガス雰囲気を生成し、前記照射手段により前記加工部分にレーザ光を照射するように制御する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 - 前記送風手段からの熱風と前記供給手段からの前記原料ガスとは、異なる位置から前記加工部分近傍に供給される
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 - 送風手段と、
原料ガスに含まれる原料物質が再結晶を開始する温度より高い温度に設定されるとともに、前記送風手段からの風を加工部分近傍に送り、前記原料ガスを給排気することにより前記加工部分近傍を前記原料ガス雰囲気に保つ供給手段と、
前記加工部分にレーザ光を照射する照射手段と、
前記送風手段、前記供給手段、および、前記照射手段を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記制御手段は、前記送風手段および前記供給手段により前記加工部分近傍に所定の時間送風した後、前記供給手段により前記原料ガス雰囲気を生成し、前記照射手段により前記加工部分にレーザ光を照射するように制御する
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザ加工装置。 - 前記送風手段は、前記加工部分近傍を加熱するための熱風を送る
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010010481A JP5476519B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | レーザ加工装置 |
| TW100101923A TWI421142B (zh) | 2010-01-20 | 2011-01-19 | 雷射加工裝置 |
| KR1020110005304A KR101302903B1 (ko) | 2010-01-20 | 2011-01-19 | 레이저 가공 장치 |
| CN201110022015.4A CN102191486B (zh) | 2010-01-20 | 2011-01-20 | 激光加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010010481A JP5476519B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | レーザ加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011149046A true JP2011149046A (ja) | 2011-08-04 |
| JP5476519B2 JP5476519B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=44536294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010010481A Active JP5476519B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | レーザ加工装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5476519B2 (ja) |
| KR (1) | KR101302903B1 (ja) |
| CN (1) | CN102191486B (ja) |
| TW (1) | TWI421142B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013181182A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Omron Corp | レーザ加工装置 |
| JP2017110286A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | チャム エンジニアリング カンパニー リミテッド | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103014672B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 镀膜方法及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1161413A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-05 | Nec Corp | レーザｃｖｄ装置及び方法 |
| JP2001207267A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Nec Corp | レーザリペア方法および装置 |
| JP2010001560A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-01-07 | Philtech Inc | 膜形成方法および膜形成装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2658431B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | レーザｃｖｄ装置 |
| JP3036687B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | レーザｃｖｄ装置 |
| JP4018841B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2007-12-05 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化器及び気化供給方法 |
| JP4334308B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2009-09-30 | オムロンレーザーフロント株式会社 | 配線修正装置 |
| JP2005105381A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Hitachi Ltd | 電子線応用装置 |
| JP2006049384A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Laserfront Technologies Inc | ガントリー型ｘｙステージ |
-
2010
- 2010-01-20 JP JP2010010481A patent/JP5476519B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-19 TW TW100101923A patent/TWI421142B/zh active
- 2011-01-19 KR KR1020110005304A patent/KR101302903B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-20 CN CN201110022015.4A patent/CN102191486B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1161413A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-05 | Nec Corp | レーザｃｖｄ装置及び方法 |
| JP2001207267A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Nec Corp | レーザリペア方法および装置 |
| JP2010001560A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-01-07 | Philtech Inc | 膜形成方法および膜形成装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013181182A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Omron Corp | レーザ加工装置 |
| JP2017110286A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | チャム エンジニアリング カンパニー リミテッド | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102191486B (zh) | 2014-04-30 |
| KR20110085923A (ko) | 2011-07-27 |
| CN102191486A (zh) | 2011-09-21 |
| TWI421142B (zh) | 2014-01-01 |
| JP5476519B2 (ja) | 2014-04-23 |
| KR101302903B1 (ko) | 2013-09-06 |
| TW201132441A (en) | 2011-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5994090B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| WO2011037167A1 (ja) | 脆性ワークの切断方法及び切断装置 | |
| JP5476519B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2002131888A (ja) | パターン修正方法及びパターン修正装置 | |
| KR101442952B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
| KR101363905B1 (ko) | 포토마스크 수정 방법 및 레이저 가공 장치 | |
| CN107154368B (zh) | 准分子激光退火装置用基板支撑模块 | |
| JP4556618B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP3525841B2 (ja) | レーザリペア方法および装置 | |
| JP2014019937A (ja) | レーザ加工装置 | |
| TWI491574B (zh) | 脆性工件之切斷方法及切斷裝置 | |
| KR101820098B1 (ko) | 증착 장치 및 증착 방법 | |
| JP2006263805A (ja) | レーザエッチング装置 | |
| JP2006253285A (ja) | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 | |
| TWI735692B (zh) | 臭氧處理裝置及臭氧處理方法 | |
| JP2006108271A (ja) | アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換するための方法および装置 | |
| JP2004139126A (ja) | レーザリペア方法および装置 | |
| JP4285210B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| TW201830358A (zh) | 配線修正裝置及配線修正方法 | |
| JP2016219656A (ja) | 光処理装置および光処理方法 | |
| WO2016125433A1 (ja) | 光処理装置および光処理方法 | |
| TW202236555A (zh) | 紫外線固化元件、基底處理設備以及基底處理方法 | |
| JP2005144527A (ja) | レーザ加工物の製造方法およびレーザ加工装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120227 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130913 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130918 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130918 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131121 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20131121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131226 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5476519 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |