JP3211548B2 - 誘電体バリア放電蛍光ランプ - Google Patents

誘電体バリア放電蛍光ランプ

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JP3211548B2
JP3211548B2 JP8265794A JP8265794A JP3211548B2 JP 3211548 B2 JP3211548 B2 JP 3211548B2 JP 8265794 A JP8265794 A JP 8265794A JP 8265794 A JP8265794 A JP 8265794A JP 3211548 B2 JP3211548 B2 JP 3211548B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光ランプに係わり、
特に、ファクシミリや液晶表示のバックライト等の情報
機器用の蛍光ランプに係わり、特に、誘電体バリア放電
によってエキシマ分子を形成し、該エキシマ分子から放
射される光を利用するいわゆる誘電体バリア放電を紫外
線源とする誘電体バリア放電蛍光ランプの改良に関す
る。
【0002】
【従来の技術】本発明に関連した技術としては、例え
ば、日本国公開特許公報平2ー7353号があり、そこ
には、放電容器にエキシマ分子を形成する放電用ガスを
充填し、誘電体バリア放電(別名オゾナイザ放電あるい
は無声放電。電気学会発行改定新版「放電ハンドブッ
ク」平成1年6月再販7刷発行第263ページ参照)に
よってエキシマ分子を形成せしめ、該エキシマ分子から
放射される光で蛍光体を励起するランプ、すなわち誘電
体バリア放電蛍光ランプについて記載されており、該放
電容器は円筒状であり、該放電容器の少なくとも一部は
該誘電体バリア放電の誘電体を兼ねており、該誘電体は
光透過性であり、該誘電体の少なくとも一部に導電性網
状電極が設けられた誘電体バリア放電蛍光ランプ構造が
記載されている。また、誘電体バリア放電用の電極が金
属であり、該金属電極が放電用ガスに接触している構成
の誘電体バリア放電ランプについては、米国特許第51
73638号に記載されている。上記のような誘電体バ
リア放電蛍光ランプは、従来のアーク放電もしくはグロ
ー放電を利用した蛍光ランプには無い種々の特長を有し
ているため有用である。しかし、上記のような誘電体バ
リア放電蛍光ランプは、形状が必ずしもコンパクトでな
く、また、コンパクトな形状にするとランプへの注入電
力が不十分になって光出力が不十分になったり、あるい
は放電が不安定になって光出力が不安定になるという問
題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、コン
パクトで、光出力が十分に大きく、かつ、安定である誘
電体バリア放電蛍光ランプを提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、少
なくとも、光透過性で、細長い管状で、誘電体バリア放
電の誘電体を兼ねた放電容器と、該放電容器の内面の少
なくとも一部に設けた蛍光体塗布膜と、該放電容器の外
面の少なくとも一部に設けた誘電体バリア放電を行うた
めの外側電極と、該放電容器の内側に配置された、長さ
Lと外径Dの比の値L/Dが30以上の細長い内側電極
と、該誘電体と内側電極との間に充填された該誘電体バ
リア放電によってエキシマ分子を形成する放電用ガスか
らなる誘電体バリア放電を利用した概略管状の誘電体バ
リア放電蛍光ランプであって、該内側電極の一端は該放
電容器の一端に気密に取り付けられ且つ放電容器の外部
に引き出されており、更に、該放電容器の他端に排気管
の残部があり、該内側電極の他端が該残部にゆるく保持
されてなることを特徴とする。
【0005】
【0006】さらに、該誘電体バリア放電蛍光ランプを
該放電容器の円周外面の一部に長手方向に沿って設け
た、スリット状に光を取り出す部分を有するアパーチャ
形蛍光ランプにすること、さらに、該光取り出し部分の
外面に、該外側電極と電気的に接続され、かつ、光透過
性である部材を設けた構成にすること、該外側電極を該
放電容器の外面の一部分に設置し、該光取り出し部分を
該外側電極の反対側の位置に設け、かつ、該内側電極を
該放電容器の中心軸よりも該光取り出し部分に接近させ
て設けた構成にしたこと、あるいは、該外側電極を該放
電容器の外面の一部分に設置し、該光取り出し部分を該
外側電極の反対側の位置に設け、かつ、該内側電極を該
放電容器の中心軸よりも該光取り出し部分から遠ざけて
設けた構成にしたことによって本発明の目的はよりいっ
そう達成される。
【0007】また、該放電容器が円筒であり、該内側電
極が丸棒あるいは円管状の金属であり、該放電容器の内
径を、該内側電極の外径の3倍から40倍の範囲に構成
すること、該外側電極を該放電容器の全外周面にわたっ
て設け、かつ、 該内側電極の中心軸と該放電容器の中
心軸との距離を該内側電極の外径以上離して設置した構
成にしたこと、該外側電極をシームレスの円筒状金網で
構成にしたことによって本発明の目的はよりいっそう達
成される。
【0008】
【作用】ファクシミリや液晶表示のバックライト等の情
報機器用の蛍光ランプの重要な性能として、機器全体を
コンパクトにするために、コンパクト性が要求される。
すなわち、外径が小さく、有効発光長に対する全長の割
合が小さい事が要求される。しかし、従来の誘電体バリ
ア放電蛍光ランプは、形状をコンパクトにすることが困
難で、また、コンパクトな形状に出来たとしてもランプ
への注入電力が不十分になって光出力が不十分になった
り、あるいは放電が不安定になって光出力が不安定にな
るという問題があった。
【0009】以下、従来の誘電体バリア放電蛍光ランプ
の概略図を図12に示して、上記した問題点を説明す
る。放電容器1はガラス製で、内側管22、外側管23
を同軸に配置して中空円筒状にしたものである。外側管
23および内側管22の内面には、蛍光体100が塗布
されている。また、外側管23の外面には光透過性の誘
電体バリア放電用の電極24が、内側管22の外面には
アルミニウムの蒸着によって形成した光反射膜を兼ねた
誘電体バリア放電用の電極25がそれぞれ設けられてい
る。放電容器の一端には、ゲッタ27を収納するゲッタ
室26が設けられている。アルミニウムの蒸着によって
形成した電極25を機械的、化学的に保護するために、
電極25の上に窒化ほう素からなる保護膜28が設けら
れている。誘電体バリア放電は、該「放電ハンドブッ
ク」に記載されているように、プラズマの直径が非常に
小さく、かつ、放電の持続時間が非常に短い微小な放電
プラズマ(以後これをマイクロプラズマと記す)の多数
の集まりである。放電空間29に、誘電体バリア放電に
よってエキシマ分子を形成する放電用ガスを充填し、交
流電源21によって電極24,25に電圧を印加する
と、放電空間に多数のマイクロプラズマが安定に発生
し、エキシマ光が放出され、該蛍光体がエキシマ光によ
って励起されて可視光を放出する。
【0010】しかし、図12から明らかなように、先ず
第一に、電極24,25の間に二枚の誘電体22,23
が存在し、かつ、電極25の保護膜28が設けられてい
るので、該蛍光ランプを細径化するのが著しく困難であ
る。第二に、細径化出来としても内側管22の放電空間
に面した表面積が小さくなるため、放電空間への電力注
入量が減少し、その結果、光出力が低下するという欠点
が生じる。第三に、放電容器内に金属が存在しないため
ゲッタを固定することが出来ないので、ゲッタを収納す
るためのゲッタ収納室を放電空間とは別に設ける必要が
あり、ランプの全長が長くなる等の問題が生じる。
【0011】本発明の原理を説明するまえに、まず、一
般的な誘電体バリア放電の概要について説明する。数十
トール以上の中気圧アーク放電ランプや高圧アーク放電
ランプなどの通常の放電においては放電空間に放電プラ
ズマが一条だけ存在し、電極面上には一個の小さな電極
輝点が生じている。すなわち、電極の面積を大きくして
も、実質的に電極としての役割をしている部分は非常に
小さい部分である。他方、該放電ハンドブックに記載さ
れているように、誘電体バリア放電においては、その放
電路に誘電体が挿入されているので、この誘電体が放電
プラズマが一条に収斂するのを阻止するので、放電空間
に多条の放電プラズマが存在し、電極の広い面積にわた
って多数の電極輝点が均一に存在することになる。誘電
体バリア放電ランプにおいてエキシマ光が高効率で放出
される原因の一つは、上記した多条の放電プラズマの存
在である。放電路に誘電体が挿入されている場合におけ
る放電空間への電力の注入は、大雑把には、放電空間に
印加される電圧、すなわち、放電維持電圧と、該誘電体
における電圧降下の比に、すなわち、放電プラズマのイ
ンピーダンスと誘電体のインピーダンスの比にほぼ比例
する。放電空間を挟んで二枚の誘電体が存在する構成の
誘電体バリア放電ランプにおいては、放電プラズマが一
条に収斂するのを阻止する効果が大きいので、多条の放
電プラズマが安定に存在し、その結果、安定な光出力が
得られるが、他方、誘電体が二枚存在するので、放電空
間に電力が注入されにくく、その結果、光出力が十分に
得られないという欠点が生じる。これに対して、一枚の
誘電体だけを有する誘電体バリア放電ランプ、すなわ
ち、一つの電極が放電用ガスに接している構造の誘電体
バリア放電ランプにおいては、放電空間への電力注入が
容易になるという利点が生じるが、他方、放電プラズマ
が一条に収斂するのを阻止する効果が小さいので、一時
的に、放電用ガスに接している金属電極上の一点に放電
が集中して、その結果、放電が不安定で光出力が不安定
になっり、エキシマ光の放射効率が低下するなどの不利
点が生じる。
【0012】本発明者等は、少なくとも、光透過性で、
細長い管状で、誘電体バリア放電の誘電体を兼ねた放電
容器と、該放電容器の内面の少なくとも一部に設けた蛍
光体塗布膜と、該放電容器の外面の少なくとも一部に設
けた誘電体バリア放電を行うための外側電極と、該放電
容器の内側に配置された細長い内側電極と、該放電容器
に充填された該誘電体バリア放電によってエキシマ分子
を形成する放電用ガスからなる誘電体バリア放電を利用
した概略管状である蛍光ランプにおいて、放電用ガスと
してキセノンガス、もしくは塩素と希ガスの混合ガスを
使用して、該内側電極の形状を変化させて、放電プラズ
マが一条に収斂する現象について検討を行った。その結
果、該内側電極を細長い金属棒あるいは細長い金属管で
構成すると、該内側電極が放電用ガスに接していても、
放電プラズマが一条に収斂する現象が発生しにくい事を
発見した。ここで言う「細長い」の意味は、金属棒ある
いは金属管の誘電体バリア放電用電極として動作してい
る部分の長さと平均的な外径の比が大きいことで、特
に、この比が30以上において放電プラズマが一条に収
斂する現象が発生しにくい。
【0013】すなわち、少なくとも、光透過性で、細長
い管状で、誘電体バリア放電の誘電体を兼ねた放電容器
と、該放電容器の内面の少なくとも一部に設けた蛍光体
塗布膜と、該放電容器の外面の少なくとも一部に設けた
誘電体バリア放電を行うための外側電極と、該放電容器
の内側に配置された細長い内側電極と、該放電容器に充
填された該誘電体バリア放電によってエキシマ分子を形
成する放電用ガスからなる誘電体バリア放電を利用した
概略管状である蛍光ランプにおいて、該内側電極を細長
い金属棒あるいは細長い金属管で構成し、かつ、該内側
電極が放電用ガスに接するように構成すると、先ず第一
に、放電プラズマが一条に収斂する現象が発生しにく
く、従って光出力の変動が少なく、第二に、放電路中に
挿入されている誘電体が1枚に減少し、かつ、保護膜2
8も不要になるので、ランプの細径化が容易に実現で
き、第三に、誘電体が1枚に減少したので表面積の小さ
な細長い内側電極を使用しても放電空間に十分に電力が
注入でき、従って光出力が十分に大きく、かつ、光出力
が安定でコンパクトな誘電体バリア放電蛍光ランプが得
られる。
【0014】さらに、蛍光体から放出された可視光は蛍
光体膜で反射を繰り返した後に蛍光ランプから放出され
るが、本発明のように、内側電極として細い金属棒ある
いは細長い金属管を使用すると、内側電極による可視光
の吸収が少なく、従って高い発光効率の蛍光ランプを得
ることが出来る。
【0015】ゲッタを該内側電極に取り付けると、別に
ゲッタ収納室あるいはゲッタを取り付けるための別な部
材を設ける必要がないため、コンパトな蛍光ランプが得
られる。
【0016】該細長い金属棒あるいは細長い金属管の一
端を、該放電容器の一端に気密に取り付けかつ放電容器
の外部に引き出す構成にし、他端は該放電容器内にある
ように構成すると、第一に、電極リード線が一端にのみ
存在するのでコンバクト化が可能になり、第二に、誘電
体バリア放電ランプを点灯するには高電圧が必要であ
り、高電圧が印加される電極リード線等の安全対策が必
要であるが、上記の内側電極の方を高電圧にすることに
より、絶縁対策が一端ですみ、さらにコンパクトな誘電
体バリア放電蛍光ランプが得られる。
【0017】該細長い金属棒あるいは細長い金属管の他
端を該放電容器の他端にゆるく保持する構成にすると、
第一に、製造が容易になり、第二に、該細長い金属電極
として、放電容器の熱膨張率と異なる熱膨張率を有する
金属を使用することが可能になり、例えばゲッタ材であ
る金属を電極として使用することが可能になり、長寿命
化等の対策の自由度が大きくなるという利点が生じる。
該細長い金属棒あるいは細長い金属管の他端を該放電容
器の他端にゆるく保持する部材を該誘電体バリア放電蛍
光ランプの排気管の残部と兼用させると、製造がさらに
容易になり、かつ、安価になるという利点が生じる。
【0018】放電容器の外面の一部に設けたスリット状
の光取り出し部分から光を取り出す方式のアパーチャ形
蛍光ランプは、放電容器の外面の全外周面からほぼ均一
に可視光が放出される通常の蛍光ランプに比較し、蛍光
体から放出された可視光が蛍光体膜で数多く反射された
のちに光取り出し部分から放出されるので、さらにコン
パクトで高出力となるなど特徴がある。従って、放電容
器内に設けられた電極を小さくすることがさらに重要で
あり、かつ、大きな電力を注入する必要がある。該内側
電極が細長い金属棒あるいは細長い金属管からなり、該
内側電極が放電用ガスに接している構成を特徴とした誘
電体バリア放電蛍光ランプは、アパーチャ形の蛍光ラン
プに構成する事によって、上記した特長がより一層発揮
できる。
【0019】該光取り出し部分の外面に、該外側電極と
電気的に接続され、かつ、光透過性である部材を設けた
構成にすると、誘電体バリア放電によって発生した電磁
雑音電波が光取り出し部分から漏れるのを防止出来ると
いう利点が生じる。該誘電体バリア放電蛍光ランプにお
いて、該外側電極を該放電容器の外周面の一部分に設置
し、該光取り出し部分を該外側電極の反対側の位置に設
け、かつ、該内側電極を該放電容器の中心軸よりも該光
取り出し部分から離れて設けた構成にすると、該内側電
極が光取り出し部分から離れているので光の取り出し効
率が高くなり、かつ、該外側電極と該内側電極の距離が
短くなるので、放電始動電圧が低下するという利点が生
じる。該誘電体バリア放電蛍光ランプにおいて、該外側
電極を該放電容器の外周面の一部分に設置し、該光取り
出し部分を該外側電極の反対側の位置に設け、かつ、該
内側電極を該放電容器の中心軸よりも該光取り出し部分
に近づけて設けた構成にすると、該外側電極と該内側電
極間の距離が大きくなり、従って放電空間を大きくでき
るので、より細い放電容器で大きな光出力が得られると
いう利点が生じる。
【0020】該放電容器が円筒であり、該内側電極が丸
棒あるいは円管状の金属である該誘電体バリア放電蛍光
ランプにおいては、該円筒状の放電容器の内径が、丸棒
あるいは円管状の金属からなる該内側電極の外径の3倍
未満においては、内側電極による可視光の吸収が無視で
きななり、また、該内側電極の外径の40倍を越えた領
域においては、外側電極と内側電極との電極面積のアン
バランスにより放電が不安定になると言う欠点が生じ
た。即ち、該放電容器が円筒であり、該内側電極が丸棒
あるいは円管状の金属であり、該放電容器の内径を、該
内側電極の外径の3倍から40倍の範囲に構成すること
により、発光効率が十分で、かつ、光出力の安定な誘電
体バリア放電蛍光ランプが得られる。
【0021】該放電容器が円筒であり、該内側電極が丸
棒あるいは円管状の金属である該誘電体バリア放電蛍光
ランプにおいて、該外側電極を該放電容器の全外周面に
渡って設け、かつ、該内側電極の中心軸と該放電容器の
中心軸との距離を該内側電極の外径以上離して設置した
構成にすると、該内側電極と該外側電極間の距離が短く
なるので、放電始動電圧が低くなり、従って点灯用電源
が簡略になるという利点が生じる。放電始動電圧低下の
効果は、該内側電極の中心軸と該放電容器の中心軸との
距離が該内側電極の外径以上において著しい。
【0022】該外側電極をシームレスの円筒状金網で構
成すると、平板状の金網を巻きつけて円筒状に構成した
場合に生じる金網の縁の重なり部分が無いので、誘電体
バリア放電蛍光ランプの外径が小さくなるという利点が
生じる。
【0023】
【実施例】第1の誘電体バリア放電蛍光ランプを、図1
に示す。放電容器1は、内径5mm、全長200mmの
ソーダ石灰ガラス管で、その一端11には内側電極5が
気密にとりつけられ、他端12は気密に閉鎖されてい
る。放電容器1の外面には外側電極4としてシームレス
のステンレス円筒金網を設け、内面には蛍光体100と
して緑色に発光するLaPO4 :CeTbを塗布し
た。蛍光体100は、他端12の内部にも塗布されてい
る。内側電極5は、熱膨張率がソーダ石灰ガラスに近い
鉄とニッケルの合金からなる直径1mmの無空棒で、該
放電容器1と同軸に、かつ、内側電極の他端6が放電容
器内に存在する状態で、該放電容器の一端11に気密に
取り付けた。内側電極の一端は放電容器1の外側に引き
出され、電源21に接続される。放電容器1には一端1
1付近に設けた排気管より、放電用ガスとしてキセノン
を30kPa封入した。3は、排気管の残部である。外
側電極4と内側電極5の間に電源21によって20kH
z,3kVの高周波電圧を印加したところ、安定な誘電
体バリア放電が発生し、その結果、波長172nmに最
大値を有する真空紫外線が効率よく放射され、蛍光体1
00が発光した。この実施例の誘電体バリア放電蛍光ラ
ンプの特長を纏めると、先ず第一に、放電プラズマが一
条に収斂する現象が発生しにくく、従って光出力の変動
が少なく、第二に、内側電極が直径1mmと細いためラ
ンプの細径化が容易に実現でき、第三に、表面積の小さ
な細長い内側電極は放電用ガスに接しているので、放電
空間に十分に電力が注入でき、従って光出力が十分に大
きく、第四に放電容器1の他端12まで発光するのでラ
ンプの有効発光長の割合が大きくなり、従って、光出力
が大きく、かつ、安定でコンパクトな誘電体バリア放電
蛍光ランプが得られた。
【0024】第2の誘電体バリア放電蛍光ランプを、図
2に示す。内側電極5は管状であり、その両端は、放電
容器1の両端11,12に気密に固定封止されている。
この場合、電極が中空なので重量が小さくなるという利
点が生じる。また、内側電極5の一部の表面にジルコニ
ウムとチタンの合金である粉末ゲッタ2が塗布されてい
る。本実施例においては、ゲッタを設けたにもかかわら
ずランプが大きくならず、かつ、内側電極が中空管状な
ので重量が小さくなるという利点が生じる。
【0025】第三の誘電体バリア放電蛍光ランプを、図
3に示す。本実施例のランプの構造は、第一の実施例の
ランプ構造に加えて、該内側電極5の他端6を該放電容
器1の他端12に埋め込んで固定したものである。放電
容器1と内側電極5の中心軸を正確に合致させやすく、
ばらつきの少ないランプが得られる、内側電極5の両端
が固定されているので機械的な強度が大きいなどの利点
が生じる。
【0026】第四の誘電体バリア放電蛍光ランプを、図
4に示す。本実施例のランプの構造は、第一の実施例の
ランプ構造に加えて、ランプの全長が300mmと長
く、かつ、該内側電極5の他端6を該放電容器1の他端
12に設けられた窪み7に挿入し、ゆるく保持したもの
であり、また、ゲッタ2が内側電極5の表面全体に塗布
されている。本実施例においては、ランプの製造が容易
になり、さらに、内側電極5と放電容器1の熱膨張率が
少々異なったとしても、その差が窪み7で吸収されるの
で、ランプの全長が300mmと長いにも係わらず、信
頼性の高い誘電体バリア放電蛍光ランプが得られた。
【0027】本発明の第1の実施例の誘電体バリア放電
蛍光ランプを、図5に示す。本実施例のランプの構造
は、第四の実施例のランプ構造における窪み7を、該誘
電体バリア放電蛍光ランプの排気管の残部3と兼用させ
たもので、製造がさらに容易になり、かつ、安価になる
という利点が生じる。
【0028】本発明の第2の実施例の誘電体バリア放電
蛍光ランプの断面図を、図6に示す。本実施例のランプ
は、第五の実施例の該誘電体バリア放電蛍光ランプにお
ける放電容器1を中空楕円筒にした構成で、第五の実施
例の利点に加えて、薄形の誘電体バリア放電蛍光ランプ
が得られるという利点が生じる。
【0029】本発明の第3の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプの断面図を、図7に示す。本実
施例のランプにおいては、放電容器1の外周面の一部に
アルミニウムからなる光反射板を兼ねた外側電極8が設
けらており、放電容器1の内周面の一部に該外側電極8
と対接して蛍光体100が設けられており、該外側電極
8と蛍光体100が設けられていない管壁部分が、光取
り出し部分9になっている構成である。この部分9が、
ランプの長手方向に沿ってスリット状に伸びている。放
電容器1内に設けられた内側電極5が細く、かつ、大き
な電力を注入することが出来るので、コンパクトで光出
力の大きなアパーチャ形の誘電体バリア放電蛍光ランプ
を得ることが出来る。
【0030】本発明の第4の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプの断面図を、図8に示す。本実
施例のランプ構造は、第七の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプの放電容器1を中空楕円筒にし
て、光取り出し部分9を長軸方向の管壁に設けた構成で
ある。光取り出し部分9に対して放電空間を大きくとれ
るので、より高輝度のアパーチャ形誘電体バリア放電蛍
光ランプが得られる。
【0031】本発明の第5の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプは、第八の実施例のアパーチャ
形誘電体バリア放電蛍光ランプの光取り出し部分9を放
電容器1の短軸方向の管璧に設けた構成である。放電容
器1の厚みに対して光取り出し部分9を大きくとれると
いう利点が生じる。すなわち、より薄型のアパーチャ形
誘電体バリア放電蛍光ランプが得られる。
【0032】本発明の第6の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプの断面図を、図9に示す。本実
施例のランプにおいては、放電容器1の内周面の一部に
ピロ燐酸カルシウムからなる光反射膜10と、該光反射
膜10の上に蛍光体100が設けられており、該光反射
膜10が設けられていない管壁部分が、光取り出し部分
9になっており、さらに、放電容器1の外面全周にシー
ムレスの円筒状金属網からなる外側電極4を設けた構成
である。すなわち、外側電極4の光取り出し部分9の外
面に存在する部分は、該外側電極と電気的に接続され、
かつ、網であるから光透過性である部材に相当し、従っ
て、誘電体バリア放電によって発生した電磁雑音電波が
光取り出し部分9から漏れるのを防止出来るという利点
が生じる。
【0033】本発明の第7の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプの断面図を、図10に示す。本
実施例のランプの構造は、内側電極5を該放電容器1の
中心軸Xよりも該光取り出し部分9に接近させて設けた
こと以外は第七の実施例と同一構造である。このような
構造によって、該外側電極と該内側電極との間の距離が
長くなるので、ランプへの入力が大きくなり、従って、
光出力が大きくなるという利点が生じる。
【0034】本発明の第8の実施例のアパーチャ形誘電
体バリア放電蛍光ランプの断面図を、図11に示す。本
実施例のランプの構造は、内側電極5を該放電容器1の
中心軸Xよりも該光取り出し部分9から遠ざけて設けた
こと以外は第七の実施例と同一構造である。このような
構造によって、該外側電極と該内側電極との間の距離が
短くなったので、放電始動電圧が低下し、かつ、該内側
電極5が該光取り出し部分9から離れているので、光の
取り出し効率が増大し、高効率であるという利点が生じ
る。
【0035】本発明の第9の実施例の誘電体バリア放電
蛍光ランプは、第一の実施例の誘電体バリア放電蛍光ラ
ンプにおける内側電極5を放電容器1の中心軸より1.
5mmずらして設置した構成である。この実施例におい
ては放電開始電圧が低くなるという利点が生じる。
【0036】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、コン
パクトで、光出力が十分に大きく、かつ、安定である誘
電体バリア放電蛍光ランプをを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】誘電体バリア放電蛍光ランプの説明図である。
【図2】誘電体バリア放電蛍光ランプの他の説明図であ
る。
【図3】誘電体バリア放電蛍光ランプの他の説明図であ
る。
【図4】誘電体バリア放電蛍光ランプの他の説明図であ
る。
【図5】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの実施例
の説明図である。
【図6】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの他の実
施例の説明図であって、該ランプの長手方向に垂直な断
面を示す。
【図7】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの他の実
施例の説明図であって、該ランプの長手方向に垂直な断
面を示す。
【図8】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの他の実
施例の説明図であって、該ランプの長手方向に垂直な断
面を示す。
【図9】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの他の実
施例の説明図であって、該ランプの長手方向に垂直な断
面を示す。
【図10】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの他の
実施例の説明図であって、該ランプの長手方向に垂直な
断面を示す。
【図11】本発明の誘電体バリア放電蛍光ランプの他の
実施例の説明図であって、該ランプの長手方向に垂直な
断面を示す。
【図12】従来の誘電体バリア放電蛍光ランプの説明図
である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−63756(JP,A) 特開 平2−309552(JP,A) 特開 平3−201358(JP,A) 特開 平4−223039(JP,A) 特開 平5−190150(JP,A) 特開 平5−190152(JP,A) 特開 昭53−146480(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 65/04 H01J 65/00

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光透過性で、細長い管状で、誘電体バリ
    ア放電の誘電体を兼ねた放電容器と、該放電容器の内面
    の少なくとも一部に設けた蛍光体塗布膜と、該放電容器
    の外面の少なくとも一部に設けた誘電体バリア放電を行
    うための外側電極と、該放電容器の内側に配置された、
    長さLと外径Dの比の値L/Dが30以上の細長い内側
    電極と、該誘電体と内側電極との間に充填された該誘電
    体バリア放電によってエキシマ分子を形成する放電用ガ
    スからなる誘電体バリア放電を利用した概略管状の誘電
    体バリア放電蛍光ランプであって、該内側電極の一端は
    該放電容器の一端に気密に取り付けられ且つ放電容器の
    外部に引き出されており、更に、該放電容器の他端に排
    気管の残部があり、該内側電極の他端が該残部にゆるく
    保持されてなることを特徴とした誘電体バリア放電蛍光
    ランプ。
  2. 【請求項2】 該放電容器の長手方向に沿ってスリット
    状に光を取り出す部分を有するアパーチャ形蛍光ランプ
    であることを特徴とした請求項1に記載の誘電体バリア
    放電蛍光ランプ。
  3. 【請求項3】 該放電容器のスリット状の光取り出し部
    分の外面に、該外側電極と電気的に接続されかつ光透過
    性である部材を設けた構成にしたことを特徴とした請求
    に記載の誘電体バリア放電蛍光ランプ。
  4. 【請求項4】 該放電容器のスリット状の光取り出し部
    分と対向する部分の外面に外側電極を設け、かつ、該内
    側電極を該放電容器の中心軸よりも光取り出し部分に接
    近させて設けた構成にしたことを特徴とした請求項
    記載の誘電体バリア放電蛍光ランプ。
  5. 【請求項5】 該放電容器のスリット状の光取り出し部
    分と対向する部分の外面に外側電極を設け、かつ、該内
    側電極を該放電容器の中心軸よりも光取り出し部分から
    遠ざけて設けた構成にしたことを特徴とした請求項
    記載の誘電体バリア放電蛍光ランプ。
  6. 【請求項6】 該放電容器が円筒であり、その内径をR
    とした時、R/Dの値を3から40の範囲に規定したこ
    とを特徴とした請求項に記載の誘電体バリア放電蛍光
    ランプ。
  7. 【請求項7】 該外側電極を該放電容器の外面の全周に
    わたって設け、かつ、該内側電極の中心軸と該放電容器
    の中心軸との距離を該内側電極の外径以上離して設置し
    た構成にしたことを特徴とした請求項に記載の誘電体
    バリア放電蛍光ランプ。
  8. 【請求項8】 該外側電極がシームレスの円筒状金網か
    らなる事を特徴とした請求項1、請求項、請求項
    よび請求項に記載の誘電体バリア放電蛍光ランプ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3648145A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-06 Xylem Europe GmbH Vacuum ultraviolet excimer lamp with an inner axially symmetric wire electrode
EP3648143A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-06 Xylem Europe GmbH Vacuum ultraviolet excimer lamp with a thin wire inner electrode

Families Citing this family (396)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283092A (ja) * 1996-04-19 1997-10-31 Stanley Electric Co Ltd 蛍光ランプ
US5998921A (en) * 1997-03-21 1999-12-07 Stanley Electric Co., Ltd. Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode
JP3218561B2 (ja) * 1997-06-27 2001-10-15 スタンレー電気株式会社 蛍光ランプ
JPH1125921A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Stanley Electric Co Ltd 蛍光ランプ
EP1111656A4 (en) 1999-06-07 2007-03-28 Toshiba Lighting & Technology DISCHARGE TUBES, DISCHARGE TUBES DEVICE AND IMAGE READER
EP1146544A4 (en) * 1999-09-22 2004-06-23 Harison Toshiba Lighting Corp FLUORESCENT LAMP
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5316317B2 (ja) * 2009-09-01 2013-10-16 ウシオ電機株式会社 液晶パネルの製造方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
JP6186677B2 (ja) * 2012-08-06 2017-08-30 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN120591748A (zh) 2018-06-27 2025-09-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
CN113363196A (zh) 2020-03-04 2021-09-07 Asm Ip私人控股有限公司 用于反应器系统的对准夹具
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
US12057314B2 (en) 2020-05-15 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
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USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3648145A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-06 Xylem Europe GmbH Vacuum ultraviolet excimer lamp with an inner axially symmetric wire electrode
EP3648143A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-06 Xylem Europe GmbH Vacuum ultraviolet excimer lamp with a thin wire inner electrode
WO2020094657A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-14 Xylem Europe Gmbh Vacuum ultraviolet excimer lamp with a thin wire inner electrode
WO2020094659A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-14 Xylem Europe Gmbh Vacuum ultraviolet excimer lamp with an inner axially smmetric wire electrode
EP3648143B1 (en) * 2018-11-05 2021-05-19 Xylem Europe GmbH Vacuum ultraviolet excimer lamp with a thin wire inner electrode

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