JP2007088113A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することで、リーク電流特性とカバリッジ性の改善を可能とする。
【解決手段】トレンチ12の内面に形成された第1電極21と、前記第1電極21表面に形成されたキャパシタ絶縁膜22と、前記キャパシタ絶縁膜22を介して前記第1電極21表面に形成された第2電極23とを備えたトレンチキャパシタ1を有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜22をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】トレンチ12の内面に形成された第1電極21と、前記第1電極21表面に形成されたキャパシタ絶縁膜22と、前記キャパシタ絶縁膜22を介して前記第1電極21表面に形成された第2電極23とを備えたトレンチキャパシタ1を有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜22をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、深いトレンチを有するトレンチキャパシタのキャパシタ絶縁膜を、膜中の不純物濃度が低くカバリッジ性に優れたハフニウムシリケート膜で形成することが容易な半導体装置の製造方法に関するものである。
デバイスの微細化に伴い、ゲート絶縁膜およびキャパシタ絶縁膜の材料として高誘電率(High−k)膜の適用が検討されている。High−k膜の多くは金属酸化物またはそのシリケートであるが、その中でも耐熱性と高誘電率を合わせ持つHfSiONは有望な候補である。各種成膜方法の内、原子層蒸着(ALD:Atomic Layer Deposition)法により膜厚・組成の高度な制御が可能である(例えば、特許文献1参照。)。High−k材料では膜中不純物によるトラップ準位を介したリークが発生することが分かっており、原料起因の不純物(炭素(C)、水素(H)、塩素(Cl)など)濃度を低減することが極めて重要であるが、成膜後の改質処理により不純物を十分に除去することは難しい。したがって、成膜の段階で膜中の不純物濃度を十分に低減しておくことが重要である。
一方、近年のキャパシタは微細化を目的として、シリンダー形状やディープトレンチ(DT)形状など、立体構造にすることで十分な表面積を確保し、データ保持特性を維持している。したがって、立体構造に対して良好なステップカバレッジで絶縁膜を形成する技術が必要となっている。
ALD法では一般に低温ほど気相反応が抑制されるため、良好なカバレッジ特性が得られるが、カバリッジと膜中の不純物濃度とがトレードオフの関係にあるため、両者を満足するプロセス条件を見出すことは困難である。
解決しようとする問題点は、ALD法は、低温プロセスであるため、不純物の少ない緻密な膜を得ることが難しい点である。
ALD法では一般に低温ほど気相反応が抑制されるため、良好なカバレッジ特性が得られるが、カバリッジと膜中の不純物濃度とがトレードオフの関係にある。このようなALD法による高誘電体キャパシタ絶縁膜の成膜を可能にすることを課題とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチの内面に形成された第1電極と、前記第1電極表面に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜を介して前記第1電極表面に形成された第2電極とを備えたトレンチキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチキャパシタのキャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜で形成することから、膜中の炭素(C)等の不純物濃度を低減することができるようになり、またハフニウムシリケート膜の基板温度および成膜圧力を調整することにより、トレンチキャパシタを形成する際のカバリッジが良好なものとして成膜することが可能になる。このように、炭素(C)等の不純物濃度を低減することで、リーク電流の発生レベルをキャパシタ絶縁膜として許容できるレベル以下にすることが可能になる。
例えば、ハフニウム原料にHf[N(CH3)(C2H5)]4を用い、シリコン原料にSi[N(CH3)(C2H5)]4を用いてHfSiOxを成膜する場合に、膜中に成膜原料中に含まれる炭素の一部が残留することは避けられず、この残留炭素(C)がリーク電流に寄与するトラップ準位を生成する。本発明ではこれらの原料と酸化剤にオゾン(O3)を用いた成膜方法で、膜中の不純物濃度を十分に低減し、リーク電流をキャパシタ絶縁膜として許容範囲に収めることができる。
また、表面積の大きな立体キャパシタに原子層蒸着法により成膜を行う場合には、プリカーサを十分に供給するとともに、気相中での熱分解や残留ガスとの反応を抑制することで、表面への吸着反応を促進することが必要である。本発明では、ハフニウム原料にHf[N(CH3)(C2H5)]4を用い、シリコン原料にSi[N(CH3)(C2H5)]4を用いてHfSiOxを成膜する場合に、成膜雰囲気の圧力、基板温度の範囲を特定することによりに、表面積の大きな例えばトレンチ形状でも十分なカバレッジ特性が得られる。
本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチキャパシタのキャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜で形成するため、膜中の炭素(C)等の不純物濃度を低減することができ、また基板温度および成膜圧力を調整することにより、良好なカバリッジを有する成膜ができるので、トレンチキャパシタのリーク電流レベルを許容できるレベルに低減すことができるという利点がある。
本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を、図1の製造工程断面図によって説明する。なお、図1は模式的に描いているため、縦横の縮尺比は一致させていない。
図1(1)に示すように、半導体基板(もしくは半導体層)11にキャパシタを形成するためのトレンチ12を形成する。このトレンチ12の形成方法は既存の種々の方法がある。その形成方法の一例として、半導体基板(もしくは半導体層)11表面に酸化膜13、窒化膜14を順に形成する。その後、通常のリソグラフィー技術によって、トレンチを形成するために用いるマスク層(図示せず)を形成した後、それをエッチングマスクに用いて、エッチングにより上記窒化膜14、酸化膜13に開口部15を形成する。さらに上記マスク層、窒化膜14をエッチングマスクに用いて、半導体基板11をエッチングし、上記トレンチ12を形成する。上記エッチング加工には、反応性イオンエッチングを行う。このときのトレンチ12は、例えば5.0μmから8.0μmの範囲の深さを有し、半導体基板11表面での開口は数十nmから250nmの範囲を有する。したがって、アスペクト比が40以上のトレンチが形成されることになる。
その後、例えば薬液処理によって、上記マスク層を除去する。その結果、窒化シリコン膜14表面が露出される。
次に、図1(2)に示すように、プレート側の電極形成として、トレンチ12内を洗浄する。その後、例えば気相拡散により、ヒ素(As)もしくはリン(P)をトレンチ12内部の半導体基板11にドーピングして第1電極(プレート電極)21を形成する。
次に、図1(3)に示すように、上記トレンチ12の内面にキャパシタ絶縁膜22を形成する。
次いで、図1(4)に示すように、上記トレンチ12内部に上記キャパシタ絶縁膜22を介して第2電極(ノード電極)23を形成する。この第2電極23は例えば伝導型不純物を含んだアモルファスシリコンもしくはポリシリコンで形成することができる。もしくは金属電極で形成してもよい。このようにして、第1電極21、キャパシタ絶縁膜22、第2電極23からなるキャパシタ1が形成される。
次に、上記キャパシタ絶縁膜22の形成方法を以下に詳述する。このキャパシタ絶縁膜22は、ハフニウムシリケート(HfSiOx)膜で形成される。このハフニウムシリケート膜の成膜方法には、原子層蒸着法(以下ALD法という、ALDはAtomic Layer Depositionの略)を用いる。このALD法には、ハフニウム原料とシリコン原料とを同時に成膜雰囲気に導入して1サイクルでHfSiOx膜を成膜する方法と、酸化ハフニウム(HfO2)薄膜と酸化シリコン(SiO2)薄膜とを交互に積層して成膜する方法とがある。本発明では、前者の成膜方法を採用する。
ハフニウム(Hf)原料には、四塩化ハフニウム:HfCl4、テトラキスアセチルアセトンアトハフニウム:Hf(C5H7O2)4、テトラキスジエチルアミノハフニウム:Hf[N(C2H5)2]4、テトラキスジメチルアミノハフニウム:Hf[N(CH3)2]4、テトラ−t−ブトキシハフニウム:Hf[O(t−C4H9)]4、テトラキスメチルエチルアミノハフニウム:Hf[N(CH3)(C2H5)]4を用いることができる。本例では、一例としてHf{N(CH3)(C2H5)}4を用いた。
またシリコン(Si)原料には、四塩化ケイ素:SiCl4、六塩化二ケイ素:Si2Cl6、テトラキスジメチルアミノシリコン:Si[N(CH3)2]4、ジメチルジシロキサン:[(CH3)2SiH]2O、トリジメチルアミノシラン:SiH[N(CH3)2]3、テトラキスメチルエチルアミノシリコン:Si[N(CH3)(C2H5)]4を用いることができる。本例では、一例としてSi{N(CH3)(C2H5)}4を用いた。
また、酸化剤には、オゾン:O3、酸素:O2、水(水蒸気):H2Oおよび重水:D2O等を用いることができる。本例では、一例としてO3を用いた。
また、パージガスにはアルゴン(Ar)を用いることができる。なお、パージガスには、アルゴンの他の希ガス、窒素ガス等を用いることができるが、パージ効率、コスト等を考慮するとアルゴンを用いることが好ましい。
上記ハフニウム原料、シリコン原料、酸化剤を用いたALD法における成膜時の成膜雰囲気(例えばチャンバ内)へのガス供給の基本サイクルは、ハフニウム原料ガスおよびシリコン原料ガスの導入、パージガスの導入による残留ガス(ハフニウム原料ガスおよびシリコン原料ガス)の気相反応を抑制、酸化性ガスの導入、パージガスの導入による残留ガス(酸化性ガス)の気相反応を抑制の順となる。本例の酸化工程では濃度250g/m3程度のオゾン(O3)を、酸素(O2)をキャリアガスとして350cm3/min程度の流量で1秒〜5秒流通させる。
上記ALD法では、プロセス中の基板温度と成膜雰囲気(例えばチャンバ内)の圧力を調整することによって、オゾン(O3)による酸化力を調整することができる。例えば、高温・高圧のプロセスとすることでオゾン(O3)の酸化力を高め、HfSiOx膜中の残留不純物濃度を低減することができる。
一例として、基板温度を変化させてHfSiOxを成膜したときの膜中の炭素(C)濃度の変化について、図2によって説明する。図2は、基板温度をパラメータとして、縦軸にHfSiOx膜中の残留炭素(C)濃度を示し、横軸に深さを示す。
図2に示すように、基板温度を高くすることによって、HfSiOx膜中の残留炭素(C)濃度が低減されることがわかる。
また、昇温脱離ガス分析法(TDS:Thermal Desorption Spectroscopy)で得たHfSiOx膜中の分子量(M/e=28:C2H4に相当)のスペクトルを、図3に示す。図3の縦軸は検出強度を示し、横軸は基板温度を示す。
図3に示すように、330℃付近でC2H4に相当する有機物の脱離が確認された。したがって、膜中の残留カーボン濃度を十分に低減するためにはALDプロセス中の基板温度を330℃以上の高温にすることが望ましいことがわかる。
次に、成膜雰囲気の圧力を一定にしたときのリーク電流と酸化膜換算膜厚(EOT:Equivalent Oxide Thickness)との関係を図4によって説明する。図4では、縦軸にリーク電流を示し、横軸に酸化膜換算膜厚を示す。
図4に示すように、成膜雰囲気の圧力を一定(例えば267Pa)にすると、同一酸化膜換算膜厚では、基板温度が低くなるほど、リーク電流が大きくなる傾向にあることがわかる。
また、基板温度を一定(例えば380℃)にしたときのリーク電流と酸化膜換算膜厚(EOT)との関係を図5によって説明する。図5では、縦軸にリーク電流を示し、横軸に酸化膜換算膜厚を示す。
図5に示すように、基板温度を一定(例えば380℃)にすると、同一酸化膜換算膜厚では、成膜雰囲気の圧力が低くなるほど、リーク電流が大きくなる傾向にあることがわかる。また図5からわかるように、成膜雰囲気の圧力が267Paよりも低くなると、急激にリーク電流が増大することがわかる。したがって、成膜雰囲気の圧力は267Pa以上が好ましい。
次に、ハフニウムとシリコンの組成比を一定(例えばHf/(Hf+Si)=50%)にして、リーク電流およびカバリッジと成膜雰囲気の圧力との関係を図6によって説明する。図6では、左縦軸にリーク電流を示し、右縦軸にカバリッジを示し、横軸に成膜雰囲気の圧力を示す。
図6に示すように、成膜雰囲気の圧力が267Pa以上であればリーク電流は低く抑えられているが、267Paよりも低くなるとリーク電流が大きくなることがわかる。これは、成膜雰囲気の圧力が267Paよりも低いと膜中残留不純物が増加し易くなることに起因している。また、成膜雰囲気の圧力が533Paよりも高くなると、急激にカバリッジが悪化し、成膜雰囲気の圧力が667Paになるとカバリッジが50%になり、800Paになると全くカバリッジが得られないことがわかる。すなわち、トレンチ低部に成膜ができない状態になる。これは、成膜雰囲気の圧力が667Paよりも高くなると成膜がCVD反応となることに起因している。以上を総合すると、良好な電気特性とカバリッジを得るには、成膜雰囲気の圧力は267Pa以上667Pa以下が好ましく、より好ましくは267Pa以上533Pa以下である。なお、図6でのカバリッジ特性はアスペクト比が50程度のいわゆるディープトレンチに対するカバリッジ特性である。
さらに、ハフニウムとシリコンの組成比を一定(例えばHf/(Hf+Si)=50%)にして、リーク電流およびカバリッジと基板温度との関係を図7に示した。図7では、左縦軸にリーク電流を示し、右縦軸にカバリッジを示し、横軸に基板温度を示す。
図7に示すように、基板温度が330℃以上であればリーク電流は低く抑えられているが、330℃よりも低くなるとリーク電流が大きくなることがわかる。これは、基板温度が330℃よりも低いと膜中残留不純物、特に炭素(C)が増加し易くなることに起因している。また、基板温度が400℃よりも高くなると、急激にカバリッジが悪化することがわかる。これは、基板温度が400℃よりも高くなるとプリカーサが熱分解を起こし、成膜プロセスが原子層蒸着ではなく、CVDになることに起因している。以上を総合すると、良好な電気特性とカバリッジを得るには、基板温度は330℃以上400℃以下が好ましい。なお、図7でのカバリッジ特性はアスペクト比が50程度のいわゆるディープトレンチに対するカバリッジ特性である。
一方、ディープトレンチ(DT)形状で良好なカバレッジを得るにはプリカーサの供給を十分に行うとともに、プリカーサの気相反応を抑制することが重要となる。上記説明したように、ALD処理中の基板温度を高温にし過ぎるとプリカーサの熱分解が生じ、最表面への吸着反応が阻害されるため、良好なカバレッジ特性を得るうえで上限の基板温度が存在することは、上記図7によってもわかるが、図8に示す堆積速度とサイクル時間(パルス時間)との関係からも明らかになっている。この図8は、ALDプロセス中のウエハ温度を変化させた時の1サイクルあたりのプリカーサ供給量に対する成膜レートの挙動を示す図面である。
図8に示すように、基板温度を380℃、400℃にした場合には、一定の堆積速度で堆積が行われていることがわかる。これは、純粋なALD反応が行われている状態であり、1サイクルあたりのプリカーサ供給量を増加させても、成膜レートは一定の値で飽和する傾向を示す。一方、基板温度を420℃にすると、プリカーサ供給量を増加させた時に、成膜レートの上昇が確認された。これはプリカーサの熱分解により成膜される成分が含まれていることを意味している。すなわち、原子層蒸着反応から化学的気相成長(CVD)反応に成膜反応が移行したためである。このような状態になると、プリカーサが熱分解を起こし、最表面への吸着反応が阻害されるため、良好なカバレッジ特性を得ることが困難になる。例えば、アスペクト比50程度のディープトレンチ(DT)形状に成膜を行うと、420℃のプロセスではトレンチ底部に全く成膜されないのに対し、400℃以下のプロセスでは底部にまでHfSiOxが成膜されていることが確認された。この点からも、基板温度は400℃以下が好ましいことがわかる。また、400℃であっても、成膜雰囲気の圧力が667Paを超えるとCVD反応が起こる。この点からも、上記説明したように、成膜雰囲気の圧力は267Pa(=0.27kPa)以上667Pa(=0.67kPa)以下が好ましく、より好ましくは267Pa以上533Pa(=0.53kPa)以下である。
したがって、ディープトレンチ(DT)形状のようなアスペクト比・表面積が大きい構造に成膜を行う場合にはALDプロセス中の基板温度を400℃以下にする必要がある。リーク電流の制約とあわせるとALDプロセス中の基板温度は330℃〜400℃の範囲にする必要がある。
またプリカーサの供給量としては、Hf[N(CH3)(C2H5)]4は、その蒸気圧を4.0Pa以上、および流量を0.1cm3/min以上とする必要があり、Si[N(CH3)(C2H5)]4は、その蒸気圧を3.10Pa以上、および流量を4.1cm3/min以上とする必要がある。本例では原料の供給系にバブラーを用いて、キャリアガスをアルゴン(Ar)とするが、この供給量はHf[N(CH3)(C2H5)]4のバブラー温度を70℃、Ar流量を50cm3/min、Si[N(CH3)(C2H5)]4のバブラー温度を60℃、Ar流量を50cm3/minとした場合に相当する。
上記説明では、一例として、ハフニウム組成比が50%の場合について示した。例えば、ハフニウム組成比を高めると、図7、図8中のカバリッジを示す線は、低温、低圧力方向にシフトし、図7、図8中のリーク電流を示す線は、低リーク方向にシフトする。また、ハフニウム組成比を低くすると、図7、図8中のカバリッジを示す線は、基板温度、成膜雰囲気の圧力が高くなる方向にシフトし、図7、図8中のリーク電流を示す線は、リーク電流が高くなる方向にシフトする。しかしながら、ハフニウム組成比が30%以上70%以下程度の範囲であれば、ALDプロセス中の基板温度は330℃〜400℃の範囲が好ましく、成膜雰囲気の圧力は267Pa以上667Pa以下が好ましく、より好ましくは267Pa以上533Pa以下である。
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、キャパシタ絶縁膜をHfSiOxで成膜する際に、ハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより、膜中の炭素(C)等の不純物濃度を低減することができるようになり、またハフニウムシリケート膜の基板温度および成膜圧力を調整することにより、トレンチキャパシタを形成する際のカバリッジが良好なものとして成膜することが可能になる。このように、炭素(C)等の不純物濃度を低減することで、リーク電流の発生レベルをキャパシタ絶縁膜として許容できるレベル以下にすることが可能になる。すなわち、膜中不純物濃度の低減とトレンチ形状のような立体構造へのカバレッジ特性の改善を両立させることができる。その結果、例えばアスペクト比50程度のいわゆるディープトレンチ(DT)キャパシタにおいても安定したDRAM動作に必要とされるキャパシタ容量30fF/cell以上、リーク電流1fF/cell以下を満足することができる。また、ディープトレンチ(DT)キャパシタ絶縁膜の既存材料をより誘電率の高いHfSiONに置き換えることも可能となり、さらなる微細化につながる。
なお、上記ALD法におけるハフニウム原料には、上記記載した他に、一例として、テトラメトキシハフニウム:Hf(OCH3)4、テトラエトキシハフニウム:Hf(OC2H5)4、テトラ−i−プロポキシハフニウム:Hf(O−i−C3H7)4、テトラ−n−ブトキシハフニウム:Hf(O−n−C4H9)4、テトラキスジエチルアミノハフニウム:Hf〔N(C2H5)2〕4、テトラ−1−メトキシ−2−プロポキシハフニウム:Hf〔OC(CH3)2−CH2OCH3〕4等の物質を用いることもできる。
また、上記ALD法におけるシリコン原料には、上記記載した他に、一例として、ジメチルジメトキシシラン:Si(CH3)2(OCH3)2、ジメチルジエトキシシラン:Si(CH3)2(OC2H5)2、メチルトリメトキシシラン:SiCH3(OCH3)3、メチルトリエトキシシラン:SiCH3(OC2H5)3、テトラメチルシラン:Si(CH3)4、ヘキサメチルジシラン:〔Si(CH3)3〕2O、ヘキサメチルジシラザン:(CH3)3SiNHSi(CH3)3等の物質を用いることもできる。
1…キャパシタ、12…トレンチ、21…第1電極、22…キャパシタ絶縁膜、23…第2電極
Claims (4)
- トレンチの内面に形成された第1電極と、
前記第1電極表面に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜を介して前記第1電極表面に形成された第2電極とを備えたトレンチキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、
前記キャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハフニウムシリケート膜を成膜する原子層蒸着法において、
ハフニウム原料に、化学式Hf[N(CH3)(C2H5)]4、HfCl4、Hf(C5H7O2)4、Hf[N(C2H5)2]4、Hf[N(CH3)2]4およびHf[O(t−C4H9)2]4で表す物質のうちのいずれかを用い、
シリコン原料に、化学式SiCl4、Si2Cl6、Si[N(CH3)2]4、[(CH3)2SiH]2O、SiH[N(CH3)2]3およびSi[N(CH3)(C2H5)]4で表す物質のうちのいずれかを用い、
酸化剤に、化学式O3、H2OおよびD2Oで表す物質のうちのいずれか用いる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記原子層蒸着法における成膜雰囲気の圧力が267Pa以上667Pa以下に設定されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記原子層蒸着法における前記ハフニウムシリケード膜が成膜される基板の温度が330℃あ以上400℃以下に設定されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170439A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | ゲート絶縁膜の形成方法 |
JP2009545138A (ja) * | 2006-07-21 | 2009-12-17 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 金属シリケート膜のald |
US8557713B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and method of forming the same |
US9234275B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-01-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus of forming metal compound film, and electronic product |
WO2022107768A1 (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | 株式会社Adeka | 薄膜の製造方法 |
WO2022107769A1 (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | 株式会社Adeka | 薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (365)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US20080274615A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Vaartstra Brian A | Atomic Layer Deposition Methods, Methods of Forming Dielectric Materials, Methods of Forming Capacitors, And Methods of Forming DRAM Unit Cells |
JP2008283051A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
US7923373B2 (en) | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
US8388851B2 (en) | 2008-01-08 | 2013-03-05 | Micron Technology, Inc. | Capacitor forming methods |
US8076237B2 (en) * | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for 3D interconnect |
US7759193B2 (en) * | 2008-07-09 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a plurality of capacitors |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8071452B2 (en) * | 2009-04-27 | 2011-12-06 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides |
US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP5462885B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US8518788B2 (en) | 2010-08-11 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a plurality of capacitors |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9076680B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-07-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry, methods of forming capacitors, and methods of forming integrated circuitry comprising an array of capacitors and circuitry peripheral to the array |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US8946043B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
TWI622664B (zh) | 2012-05-02 | 2018-05-01 | Asm智慧財產控股公司 | 相穩定薄膜,包括該薄膜之結構及裝置,及其形成方法 |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US8652926B1 (en) | 2012-07-26 | 2014-02-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20140147984A1 (en) * | 2012-11-27 | 2014-05-29 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and method of fabricating through silicon via structure |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
CN108448008B (zh) * | 2018-04-12 | 2020-05-01 | 昆山梦显电子科技有限公司 | Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
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CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6190988B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Method for a controlled bottle trench for a dram storage node |
DE10014920C1 (de) * | 2000-03-17 | 2001-07-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators |
US6844604B2 (en) * | 2001-02-02 | 2005-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dielectric layer for semiconductor device and method of manufacturing the same |
US20040012043A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Gealy F. Daniel | Novel dielectric stack and method of making same |
JP2004104025A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | 膜形成方法 |
KR100463633B1 (ko) | 2002-11-12 | 2004-12-29 | 주식회사 아이피에스 | 하프늄 화합물을 이용한 박막증착방법 |
TW200506093A (en) | 2003-04-21 | 2005-02-16 | Aviza Tech Inc | System and method for forming multi-component films |
WO2004094695A2 (en) | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Genus, Inc. | Transient enhanced atomic layer deposition |
JP2005209774A (ja) | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100568448B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 감소된 불순물을 갖는 고유전막의 제조방법 |
-
2005
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Cited By (7)
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JP2009545138A (ja) * | 2006-07-21 | 2009-12-17 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 金属シリケート膜のald |
JP2009170439A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | ゲート絶縁膜の形成方法 |
US8557713B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and method of forming the same |
US8970014B2 (en) | 2008-05-23 | 2015-03-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices with dielectric layers |
US9234275B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-01-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus of forming metal compound film, and electronic product |
WO2022107768A1 (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | 株式会社Adeka | 薄膜の製造方法 |
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