KR20150108781A - 가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법 - Google Patents

가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150108781A
KR20150108781A KR1020150036819A KR20150036819A KR20150108781A KR 20150108781 A KR20150108781 A KR 20150108781A KR 1020150036819 A KR1020150036819 A KR 1020150036819A KR 20150036819 A KR20150036819 A KR 20150036819A KR 20150108781 A KR20150108781 A KR 20150108781A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction chambers
line
reaction
chambers
Prior art date
Application number
KR1020150036819A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102362025B1 (ko
Inventor
에이이치로 시바
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. filed Critical 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Publication of KR20150108781A publication Critical patent/KR20150108781A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102362025B1 publication Critical patent/KR102362025B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Abstract

다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법은, (a) 단계들이 행해지는 반응 챔버들의 순서에 따라 각각의 반응 챔버에서 단계들에 의해 구성된 사이클을 행하는 단계; 그 후, (b) 단계들이 행해지는 반응 챔버들의 직전의 순서를 변경한 후에 각각의 반응 챔버에서 단계들을 행하는 단계; 그 후, (c) 타겟 처리가 다수의 반응 챔버들에서 완료될 때까지 프로세스 (b) 를 반복하는 단계를 포함한다. 각각의 반응 챔버에서 기판 상에서 행해진 타겟 처리는 동일하다.

Description

가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법{METHOD FOR PERFORMING UNIFORM PROCESSING IN GAS SYSTEM-SHARING MULTIPLE REACTION CHAMBERS}
본 발명은 일반적으로, 가스 공급 시스템을 공유하는 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법에 관한 것이다.
프로세싱된 웨이퍼들의 스루풋 (throughput) 을 증가시키기 위해, 다수의 웨이퍼들이 반응 챔버 내에 로딩되고, 배치 (batch) 프로그램들을 실행함으로써, 동시에 프로세싱된다. 그러나, 배치 프로그램들을 이용하여 높은 정밀도로 프로세싱을 수행하는 것은 어렵다. 다른 한편으로, 단일 웨이퍼가 반응 챔버에 로딩되고 프로세싱되는 경우, 프로세스는 높은 정밀도로 제어될 수 있지만, 스루풋은 악화된다. 단일-웨이퍼 프로세싱 타입의 다수의 반응 챔버들이 조합되고, 다수의 반응 챔버들을 동시에 동작시킴으로써 프로세스 가스 공급 시스템을 공유하는 경우, 스루풋은 증가될 수 있다. 그러나, 다수의 반응 챔버들이 액체 전구체 (liquid precursor) 를 함유하는 공통의 보틀 (저장소) 이 제공된 공통 프로세스 가스 공급 시스템을 공유하고, 기화된 전구체가 다수의 반응 챔버들에 동시에 공급될 때, 보틀 (bottle) 로부터 각각의 반응 챔버까지의 파이프 길이에 있어서의 차이들, 각각의 반응 챔버에 대한 공급 라인의 컨덕턴스 (conductance) 에 있어서의 차이들, 등으로 인해, 기화된 전구체를 모든 다수의 반응 챔버들에 동일하게 공급하는 것이 어려워서, 증착 레이트 (deposition rate), 필름 균일성 (film uniformity), 필름 조성 (film composition), 등의 측면들에서 반응 챔버들 사이에서 변동들을 생성한다. 단일-웨이퍼 프로세싱 타입의 다수의 반응 챔버들에서 상기 변동 문제는 다수의 반응 챔버들에서의 프로세스를 연속으로 행함으로써, 즉 다수의 반응 챔버들에서의 프로세스를 소정의 지연을 갖고 연속으로 시작함으로써 (기화된 전구체를 다수의 반응 챔버들에 시프팅된 타이밍에서 연속으로 공급함으로써) 대폭 완화될 수 있고, 여기서 프로세스는 다수의 반응 챔버들에서 다수의 웨이퍼들을 프로세싱하기 위해 연속으로 반복된다. 상기 순차적인 프로세스는 전구체가 상대적으로 낮은 증기 압력을 가질 경우, 즉 전구체의 분량 (quantity) 이 상대적으로 낮을 경우에 다수의 반응 챔버들 사이에서 필름 품질에서의 변동들을 감소시키기 위해 양호하게 작동하고, 이에 따라 전구체는 가스 공급 시스템으로부터 용이하게 퍼지 (purge) 될 수 있다.
그러나, 전구체 가스가 높은 증기 압력을 가질 경우 (예를 들어 트리메틸 포스페이트 (trimethyl phosphate), TMPI 가 25 ℃ 에서 2.27 kPa 의 증기 압력을 가지는 반면에, 비스디에틸아미노실란 (bisdiethylaminosilance), BDEAS 가 25 ℃ 에서 0.436 kPa 의 증기 압력을 가짐), 전구체의 분량이 크고, 즉 가스 공급 시스템으로부터 가스를 완전히 퍼지하는 것이 어렵다. 본 발명자들은, 가스 공급 시스템을 공유하는 다수의 반응 챔버들의 병렬 순환 프로세싱 시스템에서 높은 증기 압력을 갖는 전구체를 이용할 때, 반응 챔버들 사이에서의 필름 속성들의 변동들은 반응 챔버들이 프로세싱을 시작하였던 순서에 따라 발생하였다는 점을 발견하였다.
관련된 기술에 관한 문제들 및 해결책들의 임의의 논의는 전적으로 본 발명에 대한 상황을 제공하는 목적들을 위해 이 개시물에 포함되었고, 논의 중의 임의의 것 또는 전부가 발명이 행해졌을 때에 알려졌다고 인정하는 것으로 받아들여지지 않아야 한다.
일부 실시형태들은 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법을 제공하고, 상기 방법은: (a) 단계들이 행해지는 반응 챔버들의 순서에 따라 각각의 반응 챔버에서 단계들에 의해 구성된 사이클을 행하는 단계; 그 후, (b) 단계들이 행해지는 반응 챔버들의 직전의 순서를 변경한 후에 각각의 반응 챔버에서 단계들을 행하는 단계; 그 후, (c) 타겟 처리가 다수의 반응 챔버들에서 완료될 때까지 프로세스 (b) 를 반복하는 단계로서, 각각의 반응 챔버에서 기판 상에서 행해진 상기 타겟 처리는 동일한, 상기 프로세스 (b) 를 반복하는 단계를 포함한다. 상기 프로세스들 (a) 내지 (c) 는 동작의 원리를 변경하지 않으면서 2 개 또는 3 개 이상의 반응 챔버들을 포함하는 시스템에 동일하게 적용할 수 있다. 또한 상기 프로세스들 (a) 내지 (c) 는 하나의 사이클, 즉 하나의 순환 프로세스 단위에서 2 개보다 많은 단계들을 포함하는 프로세스 레시피 (process recipe) 에 동일하게 적용할 수 있다.
상기에서, 반응 챔버들이 동일한 타겟 처리 동안의 프로세싱을 위해 이용되는 순서를 변경함으로써, 예를 들어 필름 속성들의 변동들이 효과적으로 억제될 수 있다. 프로세싱의 순서를 변경하는 것은, 전구체 가스 및/또는 반응물 가스가 공급되는 반응 챔버들의 순서를 변경하는 것, RF 전력이 인가되는 반응 챔버들의 순서를 변경하는 것, 및/또는 퍼지가 행해지는 반응 챔버들의 순서를 변경하는 것을 포함한다. 이 변경들은 독립적으로 행해질 수 있고, 단계들 중의 일부는 동시에 행해질 수 있다. 예를 들어 프로세스 가스가 공급되는 반응 챔버들의 순서는 변경되는 반면에, RF 전력은 모든 반응 챔버들에 동시에 인가된다. 일부 실시형태들에서, 반복 프로세스들은 도핑된 필름, 금속 필름, 또는 SiO 필름을 형성하거나, 필름을 트리밍 (trimming) 또는 에칭 (etching) 하기 위한 프로세스들이다. 일부 실시형태들에서, 반응 챔버들 사이의 필름 속성들의 변동들은 하나의 사이클에서의 단계가 행해지는 반응 챔버들의 순서를 변경함으로써 제어될 수 있으므로, 반응 챔버들의 다운스트림 (downstream) 에서의 필름 속성들의 변동들을 표시하는 파라미터들을 검사함으로써, 그리고 파라미터들을 제어 유닛으로 다시 공급함으로써, 적절한 순서가 결정될 수 있고 프로세싱은 결정된 순서를 이용하여 수행될 수 있으며, 이것에 의해 모든 반응 챔버들에서 프로세싱의 균일성을 개선시킬 수 있다. 상기 피드백 제어는 연속적으로 수행될 수 있다.
발명의 양태들 및 관련된 기술에 비해 달성된 장점들을 요약하는 목적들을 위해, 발명의 어떤 목적들 및 장점들이 이 개시물에서 설명된다. 물론, 이러한 모든 목적들 또는 장점들이 발명의 임의의 특별한 실시형태에 따라 반드시 달성되지 않을 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 예를 들어 당업자들은 본원에서 교시 또는 제안될 수도 있는 바와 같은 다른 목적들 또는 장점들을 반드시 달성하지 않고도, 본원에서 교시된 바와 같은 하나의 장점 또는 장점들의 그룹을 달성하거나 최적화하는 방식으로 발명이 구체화 또는 수행될 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
이 발명의 추가의 양태들, 특징들 및 장점들은 뒤따르는 상세한 설명으로부터 분명해질 것이다.
이 발명의 이러한 그리고 다른 특징들은 발명을 제한하는 것이 아니라 예시하도록 의도되는 바람직한 실시형태들의 도면들을 참조하여 지금부터 설명될 것이다. 도면들은 예시적인 목적들을 위해 대폭 간략화되고 반드시 척도에 맞지는 않는다.
도 1 은 본 발명의 실시형태가 적용되는 이중-챔버 (dual-chamber) 플라즈마-강화 원자층 증착 (plasma-enhanced atomic layer deposition; PEALD) 장치의 개략도이다.
도 2 는 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 3 은 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 4 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 5 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 6 은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 7 은 비교 실시형태에 따라 삼중-챔버 (triple-chamber) PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 8 은 본 발명의 실시형태에 따라 삼중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 9 는 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 상세한 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 10 은 본 발명의 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 상세한 프로세스 시퀀스를 예시한다.
도 11 은 본 발명의 실시형태가 적용되는 이중-챔버 PEALD 장치의 개략도이다.
도 12 는 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 1 을 예시한다.
도 13 은 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 2 를 예시한다.
도 14 는 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 3 및 단계 5 를 예시한다.
도 15 는 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 4 및 단계 6 를 예시한다.
도 16 은 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 7 을 예시한다.
도 17 은 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치의 각각의 반응 챔버에서 증착되었던 깊이 방향에서 인 실리콘 유리 (phosphorus silicon glass; PSG) 필름의 인 농도를 도시하는 그래프이다.
도 18 은 본 발명의 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치의 각각의 반응 챔버에서 증착되었던 깊이 방향에서 인 실리콘 유리 (PSG) 필름의 인 농도를 도시하는 그래프이다.
도 19 는 필름이 실시예 1 에서 증착되었던 조건들을 도시한다.
이 개시물에서, "가스 (gas)" 는 기화된 고체 및/또는 액체를 포함할 수도 있고, 단일 가스 또는 가스들의 혼합물에 의해 구성될 수도 있다. 마찬가지로, 관사 "a" 또는 "an" 은 종 (species) 또는 다수의 종들을 포함하는 속 (genus) 을 지칭한다. 이 개시물에서, 샤워헤드를 통해 반응 챔버로 도입된 프로세스 가스는 전구체, 반응물 가스 (reactant gas), 및 퍼지 가스 (purge gas) 로 이루어질 수도 있거나, 이들로 필수적으로 구성될 수도 있거나, 또는 이들로 구성될 수도 있다. 전구체 및 반응물 가스는 여기된 상태 (excited state) 에서 서로 반응할 수 있고, 또 다른 가스, 또는 희가스 (rare gas) 와 같은 캐리어 가스와 함께 도입될 수 있다. 프로세스 가스 이외의 가스, 즉 샤워헤드를 통과하지 않으면서 도입된 가스는 예를 들어 희가스와 같은 밀봉 가스 (seal gas) 를 포함하는 반응 공간을 밀봉하기 위해 이용될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, "필름" 은 전체 타겟 또는 관련된 표면을 커버하기 위해 실질적으로 핀홀 (pinhole) 들 없이 두께 방향에 수직인 방향으로 연속적으로 연장되는 층, 또는 간단하게 타겟 또는 관련된 표면을 커버하는 층을 지칭한다.
이 개시물에서, "이중 챔버들" 은, 서로에 대해 근접하게 배치되며, 예를 들어 위치적으로, 구조적으로, 기능적으로, 및/또는 동작적으로 서로 분리 또는 격리되는 것으로 실질적으로 보이는 웨이퍼들을 프로세싱하기 위한 2 개의 섹션들 또는 격실 (compartment) 들을 지칭하고, 이것은 나란하게 또는 수직으로 서로에 대해 연결된 2 개의 별도의 챔버들뿐만 아니라, 하나의 공통의 챔버에서 나란하게 또는 수직으로 배치된 2 개의 격리된 영역들을 포함한다. 이 개시물에서, "모듈" 은 웨이퍼-핸들링 (wafer-handling) 메인 챔버에 탈착가능하게 부착가능한 표준화된 유닛을 지칭한다.
이 개시물에서, 임의의 정의된 의미들은 일부 실시형태들에서 정상적이고 관례적인 의미들을 반드시 제외하지는 않는다.
또한 이 개시물에서, 작동가능한 범위는 일상적인 작업에 기초하여 결정될 수 있으므로, 변수의 임의의 2 개의 수들은 변수의 작동가능한 범위를 구성할 수 있고, 표시된 임의의 범위들은 종점 (endpoint) 들을 포함하거나 제외할 수도 있다. 추가적으로, 표시된 변수들의 임의의 값들은 (그것들이 "약" 으로 표시되지는 아닌지의 여부에 관계없이) 정밀한 값들 또는 근사 값들을 지칭할 수도 있으며 등가물들을 포함할 수도 있고, 일부 실시형태들에서, 평균, 중간, 대표, 다수 등을 지칭할 수도 있다.
조건들 및/또는 구조들이 특정되지 않은 본 개시물에서, 당업자는 본 개시물을 고려하여, 일상적인 실험의 사항으로서 이러한 조건들 및/또는 구조들을 용이하게 제공할 수 있다.
개시된 실시형태들의 전부에서, 실시형태에서 이용된 임의의 엘리먼트는 의도된 목적들을 위해 본원에서 명시적으로, 반드시, 또는 본질적으로 개시된 것들을 포함하는 그와 등가인 임의의 엘리먼트들로 대체될 수 있다. 또한 본 발명은 장치들 및 방법들에 동일하게 적용될 수 있다.
실시형태들은 바람직한 실시형태들에 대해 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 바람직한 실시형태들에 제한되지 않는다.
실시형태는 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스를 공유하는 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법을 제공하고, 각각의 반응 챔버는 가스 주입구 라인을 갖고, 이 가스 주입구 라인을 통해, 제 1 가스 소스로부터의 제 1 가스, 제 2 가스 소스로부터의 제 2 가스, 및 퍼지 가스가 반응 챔버 내로 도입되고, 여기서 각각의 반응 챔버에서 행해진 타겟 처리는 동일하고, 상기 방법은: (i) 제 1 가스가 다수의 반응 챔버들 중 하나로, 그 후 다수의 반응 챔버들 중 다른 것으로 공급되는 공급 순서로, 각각의 가스 주입구 라인들을 통해 다수의 반응 챔버들로 제 1 가스를 공급하는 단계; (ii) 제 2 가스가 다수의 반응 챔버들 중 하나로, 그 후 다수의 반응 챔버들 중 다른 것으로 공급되는 공급 순서로, 각각의 가스 주입구 라인들을 통해 다수의 반응 챔버들로 제 2 가스를 공급하는 단계; (iii) 다수의 반응 챔버들 및 가스 주입구 라인들로부터 각각 제 1 가스 및 제 2 가스를 퍼지하도록, 제 1 가스의 공급 후마다 및 제 2 가스의 공급 후마다 각각의 가스 주입구 라인들을 통해 다수의 반응 챔버들로 퍼지 가스를 공급하는 단계, 및 (iv) 다수의 반응 챔버들에서 타겟 처리를 완료하기 위해 단계들 (i) 내지 (iii) 을 연속적으로 반복하는 단계로서, 여기서 제 1 가스 또는 제 2 가스 중 적어도 하나의 공급 순서는 제 1 가스 또는 제 2 가스 중 적어도 하나의 공급이 반복될 때에 변경되는, 상기 단계들 (i) 내지 (iii) 을 연속적으로 반복하는 단계를 포함한다. 이 개시물에서, "연속적으로" 는 진공을 깨뜨리는것 없이, 시각표 (timeline) 로서 중단 없이, 처리 조건들을 변경시키는것 없이, 또는 그 직후를 지칭한다.
다수의 반응 챔버들은 나란하게 또는 수직으로 배치된 2 개 또는 3 개 이상의 반응 챔버들일 수도 있다. 예를 들어 모듈일 수도 있는 이중 챔버 반응기가 이용될 수도 있다. 다수의 반응 챔버들은 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스를 공유하고, 각각의 반응 챔버는 가스 주입구 라인을 갖고, 이 가스 주입구 라인을 통해, 제 1 가스 소스로부터의 제 1 가스, 제 2 가스 소스로부터의 제 2 가스, 및 캐리어 가스 (또한 퍼지 가스로서 기능함) 는 반응 챔버 내로 도입된다. 가스 공급 시스템의 적어도 일부는 다수의 반응 챔버들에 의해 공유되므로, 가스 소스로부터 각각의 반응 챔버로의 파이프 길이에 있어서의 차이들 및 파이프의 컨덕턴스 (conductance) 에 있어서의 차이들로 인해 가스를 다수의 반응 챔버들에 동시에 공급할 때 다수의 반응 챔버들로의 가스 흐름을 균등하게 분할함에 있어서 문제가 발생할 수도 있다. 따라서, 통상적으로, 가스 흐름을 다수의 경로들로 분할하지 않고 가스가 연속으로 다수의 반응 챔버들에 공급된다. 그러나, 가스를 연속으로 공급할 때에도, 흐름 경로는 다수의 반응 챔버들 사이에서 상이하여, 다수의 반응 챔버들 사이에서의 불균일한 가스 공급을 초래한다.
일부 실시형태들에서, 다수의 반응 챔버들은 배기 시스템을 공유하고, 각각의 반응 챔버의 압력은 배기 시스템을 이용하여 제어된다.
일부 실시형태들에서, 다수의 반응 챔버들은 또 다른 가스 라인을 각각 포함하고, 이 또 다른 가스 라인을 통해, 첨가 가스 (additive gas) 또는 비활성 가스 (inert gas) 가 다수의 반응 챔버들에 공급된다.
통상적으로, 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스가, 기화된 가스들이 각각 제 1 가스 및 제 2 가스인 액체 화합물들을 각각 저장하는 보틀들을 포함할 때, 일부의 전구체들 및 반응물들이 높은 증기 압력을 가지므로, 다수의 반응 챔버들 사이의 가스 흐름에 있어서의 차이는 더욱 문제시 될 수도 있고, 이에 따라 화합물들의 분량은 높으며, 즉 다수의 반응 챔버들로부터 이 화합물들을 균등하게 퍼지하는 것이 용이하지 않다. 일부 실시형태들에서는, 제 1 가스 소스로부터의 제 1 가스 라인이 분기되어 다수의 반응 챔버들의 가스 주입구 라인들 각각에 연결되고, 제 2 가스 소스로부터의 제 2 가스 라인이 분기되어 다수의 반응 챔버들의 가스 주입구 라인들 각각에 연결되고, 여기서 제 1 가스 및 퍼지 가스는 제 1 가스 라인, 그로부터 분기된 라인들, 및 다수의 반응 챔버들의 가스 주입구 라인들을 통해 다수의 반응 챔버들에 도입되는 한편, 제 2 가스 및 퍼지 가스는 제 2 가스 라인, 그로부터 분기된 라인들, 및 다수의 반응 챔버들의 가스 주입구 라인들을 통해 다수의 반응 챔버들에 도입되고, 여기서 각각의 분기된 라인에는 밸브가 제공된다. 상기에서, 단계들 (i) 내지 (iii) 에서 정의된 가스 흐름들은 각각의 밸브를 이용하여 효과적으로 제어될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 퍼지 가스는 제 1 가스 라인을 통해 단독으로 또는 제 1 가스와 함께 연속적으로 흐르는 한편, 퍼지 가스는 제 2 가스 라인을 통해 단독으로 또는 제 2 가스와 함께 연속적으로 흐른다. 제 1 가스, 제 1 가스와 연관된 퍼지 가스, 제 2 가스, 및 제 2 가스와 연관된 퍼지 가스는 각각의 반응 챔버의 가스 주입구 라인을 통과하므로, 가스 흐름 스위칭 유닛이 요구된다. 가스 흐름 스위칭 유닛에서는, 각각의 가스가 유닛을 통과하는 루트 (route) 가 각각의 반응 챔버에 대해 상이하다. 따라서, 각각의 가스가 공급되는 반응 챔버들의 프로세스 순서가 고정될 때, 반응 챔버들 사이의 가스 흐름에 있어서의 차이가 또한 고정된다. 위에서 설명된 단계들 (i) 내지 (iv) 를 행함으로써, 반응 챔버들 사이의 가스 흐름에 있어서의 차이가 최소화될 수 있다.
각각의 반응 챔버에서 행해진 타겟 처리는 동일하다. 일부 실시형태들에서, 타겟 처리에 대한 반복 프로세스들은 도핑된 필름, 금속 필름, 또는 SiO 필름을 형성하거나, 필름을 트리밍 (trimming) 또는 에칭하기 위한 프로세스들이다. 가스들의 수, 가스의 타입, 유량 (flow rate), 가스 여기 방법, 온도, 압력, 등은 타겟 처리에 따라 결정될 수 있다. 당업자는 일상적인 실험의 사항으로서 이러한 조건들을 용이하게 제공할 수 있다.
일부 실시형태들에서, 하나의 사이클은 단계들 (i) 내지 (iii) 으로 이루어지고, 단계 (iv) 에서는, 사이클이 반복되며, 여기서 제 1 가스 또는 제 2 가스 중 적어도 하나의 공급 순서는 사이클마다 변경된다. 일부 실시형태들에서, 제 2 가스의 공급 순서는 사이클마다 변경되는 한편, 제 1 가스의 공급 순서는 변경되지 않는다. 다른 실시형태들에서, 제 1 가스 및 제 2 가스의 각각의 공급 순서는 사이클마다 변경된다. 일부 실시형태들에서, 하나의 사이클은 단계들 (i) 내지 (iii) 으로 이루어지고, 단계 (ii) 는 사이클에서 반복되고, 여기서 제 2 가스의 공급 순서는 단계 (ii) 가 사이클에서 반복될 때에 변경되고, 상기 사이클은 단계 (iv) 에서 반복된다. 일부 실시형태들에서, 제 1 가스의 공급 레이트 (supply rate) 는 제 2 가스의 공급 레이트보다 2 배 이상 더 높다.
일부 실시형태들에서, 방법은 (iiia) 단계 (iii) 후마다 다수의 반응 챔버들에 RF 전력을 인가하는 단계를 더 포함한다. RF 전력은 다수의 반응 챔버들에 순차적으로 또는 동시에 인가될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 다수의 반응 챔버들은 RF 전력을 생성하는 RF 생성기를 공유한다. 일부 실시형태들에서, 타겟 처리는 플라즈마-강화 원자층 증착 (PEALD) 에 의한 필름의 증착이다. 대안적으로, 타겟 처리는 열적 ALD, 라디칼-강화 ALD, 순환 CVD, 또는 임의의 다른 순환 프로세싱에 의해 행해질 수도 있고, 여기서 사이클은 예를 들어 타겟 처리를 완료하기 위해 20 내지 300 회 (통상적으로, 50 내지 200 회) 반복된다.
또 다른 양태에서, 실시형태는 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법을 제공하고, 상기 방법은: (a) 단계들이 행해지는 반응 챔버들의 순서에 따라 각각의 반응 챔버에서 단계들에 의해 구성된 사이클을 행하는 단계; 그 후, (b) 단계들이 행해지는 반응 챔버들의 직전의 순서를 변경한 후에 각각의 반응 챔버에서 단계들을 행하는 단계; 그 후, (c) 타겟 처리가 다수의 반응 챔버들에서 완료될 때까지 프로세스 (b) 를 반복하는 단계로서, 각각의 반응 챔버에서 기판 상에서 행해진 상기 타겟 처리는 동일한, 상기 프로세스 (b) 를 반복하는 단계를 포함한다.
일부 실시형태들에서, 단계들은 제 1 가스를 공급하는 단계 및 제 2 가스를 공급하는 단계를 포함한다. 일부 실시형태들에서, 제 1 및 제 2 가스들은 제 1 공통 가스 주입구 라인을 통해 반응 챔버들 중 하나에 공급되고, 제 1 및 제 2 가스들은 제 2 공통 가스 주입구 라인을 통해 반응 챔버들 중의 또 다른 하나에 공급되고, 여기서 제 1 가스는, 분기되어 제 1 및 제 2 공통 가스 주입구 라인들에 연결되는 제 1 가스 라인에 공급되고, 제 2 가스는, 분기되어 제 1 및 제 2 공통 가스 주입구 라인들에 연결되는 제 2 가스 라인에 공급된다.
또 다른 실시형태는 제 1 반응 챔버 및 제 2 반응 챔버에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법을 제공하고, 여기서 각각의 반응 챔버에서 기판 상에서 행해진 타겟 처리는 동일하고, 여기서 타겟 처리는 이 시퀀스에서 단계 A 및 단계 B 를 반복함으로써 행해지고, 여기서 제 1 반응 챔버에서 행해지는 단계들 A 및 B 는 단계들 A1 및 B1 로서 지칭되고, 제 2 반응 챔버에서 행해지는 단계들 A 및 B 는 단계들 A2 및 B2 로서 지칭되고, 상기 방법은: (a) 단계들 A1, A2, B1, 및 B2 를 이 순서로 행하는 단계; 그 후, (b) 직전의 순서를 변경한 후에 단계들을 행하는 단계; 그 후, (c) 타겟 처리가 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 완료될 때까지 프로세스 (b) 를 반복하는 단계를 포함한다.
실시형태들은 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 도면들은 본 발명을 제한하도록 의도된 것은 아니다.
도 1 은 본 발명의 실시형태가 적용되는 이중-챔버 플라즈마-강화 원자층 증착 (PEALD) 장치의 개략도이다. 장치는 바람직하게는, 본 발명의 실시형태에서 이용될 수 있는, 이하에 설명된 시퀀스들을 행하도록 프로그래밍된 제어부들과 함께, 플라즈마 반응기 및 흐름 제어 밸브들을 조합한다. 이 도면에서, 반응 챔버 (1; RC1) 및 반응 챔버 (2; RC2) 는 나란하게 제공되고 모듈을 구성한다. 반응 챔버들 (1, 2) 은 보틀 (7; 제 1 가스 소스) 및 보틀 (8; 제 2 가스 소스) 과, 또한 배기 펌프 (4) 에 연결된 자동 압력 제어기 (3) 를 공유한다. 또한 반응 챔버들 (1, 2) 은 RF 생성기 (14) 를 공유한다. 제 1 가스가 반응 챔버 (1) 또는 반응 챔버 (2) 에 공급될 때, 캐리어 가스 (예를 들어 Ar) 는 질량 흐름 제어기 (5) 를 통해, 제 1 가스에 대한 액체를 함유하며 히터가 구비되어 있는 보틀 (7) 에 제공되고, 여기서 밸브 (v2) 는 개방되는 반면에, 밸브 (v1) 는 폐쇄된다. 캐리어 가스는 보틀 (7) 로 들어가고, 제 1 가스에 대한 기화된 액체와 함께, 그로부터 밸브 (v3) 를 경유하여 제 1 가스 라인 (9) 으로 흘러나간다. 제 1 가스는 활성 재료 (제 1 가스에 대한 기화된 액체) 및 캐리어 가스의 혼합물에 의해 구성된다. 제 1 가스 라인 (9) 은 반응 챔버 (1) 에 연결된 가스 주입구 라인 (17) 과, 반응 챔버 (2) 에 연결된 가스 주입구 라인 (19) 으로 분기된다. 제 1 가스는 가스 라인 (9) 및 가스 주입구 라인 (17) 사이에 제공된 밸브 (v7) 를 경유하여 가스 라인 (9) 및 가스 주입구 라인 (17) 을 통해 흐르고 (가스 라인 (9) 및 가스 주입구 라인 (19) 사이에 제공된 밸브 (v8) 는 폐쇄됨), 반응 챔버 (1) 로 들어간다. 밸브 (v7) 가 폐쇄되고 밸브 (v8) 가 개방될 때, 제 1 가스는 밸브 (v8) 를 경유하여 가스 라인 (9) 및 가스 주입구 라인 (19) 을 통해 흐르고, 반응 챔버 (2) 로 들어간다. 밸브 (v1) 가 개방되고 밸브 (v2) 가 폐쇄될 때, 캐리어 가스만 가스 라인 (9) 을 통해 흐르고 제 1 가스와 동일한 루트를 경유하여 반응 챔버 (1 또는 2) 로 들어가고, 여기서 캐리어 가스는 퍼지 가스로서 기능한다.
제 2 가스가 반응 챔버 (1) 또는 반응 챔버 (2) 에 공급될 때, 캐리어 가스 (예를 들어 Ar) 는 질량 흐름 제어기 (6) 를 통해, 제 2 가스에 대한 액체를 함유하며 히터가 구비되어 있는 보틀 (8) 에 제공되고, 여기서 밸브 (v5) 는 개방되는 한편, 밸브 (v4) 는 폐쇄된다. 캐리어 가스는 보틀 (8) 로 들어가고, 제 2 가스에 대한 기화된 액체와 함께, 그로부터 밸브 (v6) 를 경유하여 제 2 가스 라인 (10) 으로 흘러나간다. 제 2 가스는 활성 재료 (제 2 가스에 대한 기화된 액체) 및 캐리어 가스의 혼합물에 의해 구성된다. 제 1 가스 라인 (9) 에서와 같이, 제 2 가스 라인 (10) 은 반응 챔버 (1) 에 연결된 가스 주입구 라인 (17) 과, 반응 챔버 (2) 에 연결된 가스 주입구 라인 (19) 으로 분기되고, 여기서 제 1 및 제 2 가스 라인들 (9, 10) 은 가스 주입구 라인들 (17, 19) 을 공유한다. 제 2 가스는 가스 라인 (10) 및 가스 주입구 라인 (17) 사이에 제공된 밸브 (v9) 를 경유하여 가스 라인 (10) 및 가스 주입구 라인 (17) 을 통해 흐르고 (가스 라인 (10) 및 가스 주입구 라인 (19) 사이에 제공된 밸브 (v10) 는 폐쇄됨), 반응 챔버 (1) 로 들어간다. 밸브 (v9) 가 폐쇄되고 밸브 (v10) 가 개방될 때, 제 2 가스는 밸브 (v10) 를 경유하여 가스 라인 (10) 및 가스 주입구 라인 (19) 을 통해 흐르고, 반응 챔버 (2) 로 들어간다. 밸브 (v4) 가 개방되고 밸브 (v5) 가 폐쇄될 때, 캐리어 가스만 가스 라인 (10) 을 통해 흐르고 제 2 가스와 동일한 루트를 경유하여 반응 챔버 (1 또는 2) 로 들어가고, 여기서 캐리어 가스는 퍼지 가스로서 기능한다.
추가적으로, 제 1 및 제 2 가스들과는 별도로, 산소, 아르곤, 및 헬륨은 예를 들어 각각 산소 질량 흐름 제어기 (11), 아르곤 질량 흐름 제어기 (12), 및 헬륨 질량 흐름 제어기 (13) 로부터 가스 라인 (16) 을 경유하여, 필요할 경우에는 각각 가스 라인들 (18 및 20) 을 통해 반응 챔버 (1 및 2) 로 공급될 수 있다. 또한 RF 전력은 RF 생성기 (14) 로부터 각각의 정합 박스 (matching box; MB) 들을 경유하여 스위치 (15) 를 이용하여 반응 챔버 (1 또는 2) 에 인가될 수 있다. 반응 챔버들 (1 및 2) 에서의 압력은 자동 압력 제어기 (3) 에 의해 제어된다.
도 1 은 2 개의 보틀들 (7, 8), 하나의 RF 생성기 (14), 하나의 자동 압력 제어기 (3), 하나의 펌프 (4), 및 4 개의 가스 라인들 (17, 18, 19, 20) 을 포함하는 장치를 예시하지만, 장치는 하나의 원격 플라즈마 유닛을 더 포함할 수 있다. 또한 장치는 하나 이상의 추가적인 반응 챔버들, 하나 이상의 보틀들, 및 2 개 이상의 가스 라인들을 더 포함할 수 있다. RF 생성기는 각각의 반응 챔버에 별도로 연결될 수 있다. 열적 순환 프로세싱 (thermal cyclic processing) 을 위한 장치에 대하여, RF 생성기는 설치되지 않는다.
당업자는 장치가 본원의 다른 곳에서 설명된 증착 및 반응기 세정 프로세스들이 행해지게 하도록 프로그래밍되거나 그렇지 않고 구성된 하나 이상의 제어기(들) (도시되지 않음) 를 포함하는 것을 인식할 것이다. 당업자에 의해 인식되는 바와 같이, 제어기 (들) 는 다양한 전원들, 가열 시스템들, 펌프들, 로봇들, 및 반응기의 가스 흐름 제어기들 또는 밸브들과 통신된다.
상기에서, 밸브들 (v7, v8, v9, 및 v10) 을 포함하는 구역은 가스 라인들 (9, 10) 및 가스 주입구 라인들 (17, 19) 사이에 제공된 가스 흐름 스위칭 유닛을 구성한다. 밸브들 (v1 내지 v6) 과 연관된 밸브들 (v7 내지 v10) 을 조작함으로써, 어느 가스가 어느 반응 챔버에 공급되는지가 제어될 수 있고, 또한 가스가 공급되는 반응 챔버들 (1, 2) 의 순서가 제어될 수 있다.
도 11 내지 도 16 은 본 발명의 실시형태에 따라 가스 흐름 스위칭 유닛이 2 개의 반응 챔버들 사이에서 불균등한 흐름을 어떻게 야기시키는지를 예시한다. 도 11 은 본 발명의 실시형태가 적용되는 이중-챔버 PEALD 장치의 개략도이다. 도면에서, 이점 쇄선 (two-dot chain line) 은 온도 제어를 위한 가열 엘리먼트가 구비된 부분을 나타내고, 파선은 가열 엘리먼트 없이 열-절연 재료 (heat-insulating material) 로 커버된 부분을 나타낸다. 이 도면에서, 장치는 액체 재료 (예를 들어 인 도펀트) 를 함유하는 보틀 (BLT1; 43) 을 포함하는 보틀 유닛 (45); 액체 재료 (예를 들어 Si-함유 전구체) 를 함유하는 보틀 (BLT2; 44) 을 포함하는 보틀 유닛 (46); 가스 흐름을 스위칭하기 위한 보틀-통합 가스 시스템 유닛 (Bottle IGS Unit; 47); 제 1 반응 챔버 (RC1; 41); 제 2 반응 챔버 (RC2; 42); RF 생성기 (50); 및 원격 플라즈마 유닛 (49) 을 포함한다. 가스는 가스 주입구 라인 (51) 을 통해 제 1 반응 챔버 (41) 로 흐르는 반면에, 가스는 가스 주입구 라인 (52) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 로 흐르고, 가스는 밸브 (v40) 를 갖는 배기 라인 (66) 을 통해 각각의 반응 챔버 (41, 42) 의 반응 공간으로부터, 그리고 밸브 (v39) 를 갖는 배기 라인 (65) 을 통해 각각의 반응 챔버 (41, 42) 의 저부로부터 배출된다. 배기 라인 (65) 은 배기 라인 (66) 에 병합되고, 다음으로, 가스들은 자동 압력 제어기 (48) 를 통해 배출된다. 프로세스 가스는 가스 라인 (62) 을 통해 가스 주입구 라인 (51) 에 공급되고, 프로세스 가스는 가스 라인 (61) 을 통해 가스 주입구 라인 (52) 에 공급된다. 가스는 라인 (67) 을 통해 원격 플라즈마 유닛 (49) 에 공급되어 여기되고, 다음으로, 각각 밸브들 (v37 및 v38) 을 통해 가스 주입구 라인들 (51, 52) 에 공급된다. 첨가 가스, 비활성 가스 등은 파선들로 표기된 라인들을 통해 가스 주입구 라인들 (51, 52) 에 공급된다. RF 전력은 RF 전력 생성기 (50) 로부터 각각의 반응 챔버 (41, 42) 에 인가된다. 통합 가스 시스템 (47) 은 가스 흐름을 스위칭하기 위한 유닛이고, 여기서 제 1 캐리어 가스는 가스 라인 (59) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 에 공급되고, 제 2 캐리어 가스는 가스 라인 (60) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 에 공급된다. 제 1 캐리어 가스는 통합 가스 시스템 (47) 으로부터 압력 트랜스듀서 (pressure transducer; 53) 를 갖는 가스 라인 (55) 을 통해 보틀 유닛 (45) 으로 흘러나가고, 가스는 보틀 유닛 (45) 으로부터 가스 라인 (56) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 내로 흐른다. 제 2 캐리어 가스는 통합 가스 시스템 (47) 으로부터 압력 트랜스듀서 (54) 를 갖는 가스 라인 (58) 을 통해 보틀 유닛 (46) 으로 흘러나가고, 가스는 보틀 유닛 (46) 으로부터 가스 라인 (57) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 내로 흐른다. 프로세스 가스는 통합 가스 시스템 (47) 으로부터 가스 라인 (62) 을 통해 제 1 반응 챔버 (41) 를 향해 흘러나가는 한편, 프로세스 가스는 통합 가스 시스템 (47) 으로부터 가스 라인 (61) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 를 향해 흘러나간다. 액체 재료는 라인 (64) 을 통해 보틀 (43) 에 공급되고, 또 다른 액체 재료는 라인 (63) 을 통해 보틀 (44) 에 공급된다. 당업자는 장치가 본원의 다른 곳에서 설명된 증착 및 반응기 세정 프로세스들이 행해지게 하도록 프로그래밍되거나 그렇지 않고 구성된 하나 이상의 제어기(들) (도시되지 않음) 를 포함하는 것을 인식할 것이다. 당업자에 의해 인식되는 바와 같이, 제어기 (들) 는 다양한 전원들, 가열 시스템들, 펌프들, 로봇들, 및 반응기의 가스 흐름 제어기들 또는 밸브들과 통신된다.
도 12 는 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 1 을 예시한다. 단계 1 에서, 제 1 캐리어 가스 (두꺼운 실선에 의해 표현됨) 는 가스 라인 (59) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 내로 흐르고, 그로부터 밸브 (v26) 를 갖는 라인 (68) 및 밸브 (v28) 를 갖는 라인 (71) 을 경유하여 가스 라인 (61) 을 통해 흘러나가고, 여기서 밸브 (v24), 밸브 (v25), 및 밸브 (v27) 는 폐쇄된다. 다음으로, 제 1 캐리어 가스는 가스 주입구 라인 (52) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급된다. 제 2 캐리어 가스 (두꺼운 파선에 의해 표현됨) 는 가스 라인 (60) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 내로 흐르고, 그로부터 밸브 (v33) 를 경유하여 가스 라인 (58) 을 통해 보틀 유닛 (46) 으로 흘러나가고, 여기서 밸브 (v31) 는 폐쇄된다. 제 2 캐리어 가스는 밸브 (v35) 를 경유하여 보틀 (44) 로 들어가고, 그로부터 (원형 점들을 갖는 두꺼운 점선에 의해 표현된 전구체로서의) 기화된 전구체와 함께 밸브 (v34) 를 경유하여 가스 라인 (57) 을 통해 배출되고, 여기서 밸브 (v36) 는 폐쇄된다. 전구체는 밸브 (v32) 를 경유하여 가스 라인 (57) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 내로 흐르고, 그로부터 라인 (69) 및 밸브 (v29) 를 갖는 라인 (70) 을 경유하여 가스 라인 (62) 을 통해 흘러나가고, 여기서 밸브 (v30) 는 폐쇄된다. 다음으로, 전구체는 가스 주입구 라인 (51) 을 통해 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급된다.
도 13 은 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 2 를 예시한다. 단계 2 에서, 밸브 (v27) 는 개방되는 한편, 밸브 (v28) 는 폐쇄되어, 제 1 캐리어 가스는 가스 라인 (70), 가스 라인 (62), 및 가스 주입구 라인 (51) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 대신에 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급된다. 또한 밸브 (v30) 는 개방되는 한편, 밸브 (v29) 는 폐쇄되어, 전구체는 가스 라인 (71), 가스 라인 (61), 및 가스 주입구 라인 (52) 을 통해 제 1 반응 챔버 (41) 대신에 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급된다.
도 14 는 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 3 을 예시한다. 단계 3 에서, 밸브 (v26) 는 폐쇄되는 한편, 밸브 (v24) 는 개방되어, 제 1 캐리어 가스는 통합 가스 시스템 (47) 으로부터 밸브 (v24) 를 경유하여 가스 라인 (55) 을 통해 보틀 유닛 (45) 으로 흘러나간다. 제 1 캐리어 가스는 밸브 (v21) 를 경유하여 보틀 (43) 로 들어가고, 그로부터 (정사각형 점들을 갖는 두꺼운 점선에 의해 표현된 도펀트로서의) 기화된 도펀트와 함께 밸브 (v22) 를 경유하여 가스 라인 (56) 을 통해 배출되고, 여기서 밸브 (v23) 는 폐쇄된다. 도펀트는 밸브 (v25) 를 경유하여 가스 라인 (56) 을 통해 통합 가스 시스템 (47) 내로 흐르고, 그로부터 라인 (68) 및 밸브 (v27) 를 갖는 라인 (70) 을 경유하여 가스 라인 (62) 을 통해 흘러나가고, 여기서 밸브 (v28) 는 폐쇄된다. 다음으로, 도펀트는 가스 주입구 라인 (51) 을 통해, 제 2 반응 챔버 (42) 대신에 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급된다. 또한 밸브 (v31) 는 개방되는 한편, 밸브 (v33) 는 폐쇄되어, 제 2 캐리어 가스는 가스 라인 (69), 밸브 (v30) 를 갖는 가스 라인 (71), 가스 라인 (61), 및 가스 주입구 라인 (52) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급된다.
도 15 는 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 4 를 예시한다. 단계 4 에서, 밸브 (v27) 는 폐쇄되는 한편, 밸브 (v28) 는 개방되어, 도펀트는 가스 라인 (71), 가스 라인 (61), 및 가스 주입구 라인 (52) 을 통해, 제 1 반응 챔버 (41) 대신에 제 2 챔버 (42) 에 공급된다. 또한 밸브 (v30) 는 폐쇄되는 한편, 밸브 (v29) 는 개방되어, 제 2 캐리어 가스는 가스 라인 (70), 가스 라인 (62), 및 가스 주입구 라인 (51) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 대신에 제 1 반응 챔버 (41) 에 퍼지 가스로서 공급된다.
단계 5 는 도 14 에서 예시된 단계 3 과 실질적으로 동일하여, 도펀트는 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급되는 한편, 퍼지 가스는 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급된다.
단계 6 은 도 15 에서 예시된 단계 4 와 실질적으로 동일하여, 도펀트는 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급되는 한편, 퍼지 가스는 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급된다.
도 16 은 본 발명의 실시형태에 따라 도 11 에서 예시된 이중-챔버 PEALD 장치에서의 프로세스 시퀀스의 단계 7 을 예시한다. 단계 6 에서, 밸브 (v26) 는 개방되는 한편, 밸브 (v24) 는 폐쇄되어, 제 1 캐리어 가스는 가스 라인 (68), 가스 라인 (71), 및 가스 라인 (61), 및 가스 주입구 라인 (52) 을 통해 제 2 반응 챔버 (42) 에 퍼지 가스로서 공급된다.
상기에서, 도펀트 가스는 전구체보다 더 높은 증기 압력을 갖고, 이에 따라 전구체를 퍼지하는 것보다 반응 챔버로부터 도펀트를 퍼지하는 것이 더욱 어렵다. 단계 3 (도 14) 에서는, 도펀트가 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급되고, 단계 4 (도 15) 에서는, 퍼지 가스가 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급된다. 즉 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급된 가스는 도펀트로부터 퍼지 가스로 변경된다. 제 1 캐리어 가스를 이용함으로써 도펀트가 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급되는 한편, 퍼지 가스는 제 2 캐리어 가스이므로, 상기 변경 (제 1 반응 챔버에서 도펀트로부터 퍼지 가스로 변경함) 은 이용된 캐리어 가스를 제 1 캐리어 가스로부터 제 2 캐리어 가스로 스위칭함으로써 달성되고, 즉 도펀트가 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급될 때에는, 밸브 (v27) 를 갖는 가스 라인 (70) 의 제 1 절반이 이용되는 한편 (도 14), 퍼지 가스가 제 1 반응 챔버 (41) 에 공급될 때에는, 밸브 (v29) 를 갖는 가스 라인 (70) 의 제 2 절반이 이용되고 (도 15), 이에 따라 가스 라인 (70) 의 상이한 부분들이 이용된다.
대조적으로, 단계 6 (도 15) 에서는, 도펀트가 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급되고, 단계 7 (도 16) 에서는, 퍼지 가스가 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급된다. 즉 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급된 가스는 도펀트로부터 퍼지 가스로 변경된다. 제 1 캐리어 가스를 이용함으로써 도펀트가 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급되는 한편, 퍼지 가스는 또한 제 1 캐리어 가스이므로, 상기 변경 (제 2 반응 챔버에서 도펀트로부터 퍼지 가스로 변경함) 은 가스 흐름 통로를 동일한 제 1 캐리어 가스를 이용하여 보틀 (43) 을 통과하는 통로로부터 보틀 (43) 을 우회하는 통로로 스위칭함으로써 달성되고, 즉 도펀트가 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급될 때에는, 밸브 (v28) 를 갖는 가스 라인 (71) 의 제 1 절반이 이용되고 (도 15), 또한 퍼지 가스가 제 2 반응 챔버 (42) 에 공급될 때에는, 밸브 (v28) 를 갖는 가스 라인 (71) 의 제 1 절반이 이용되고 (도 16), 이에 따라 가스 라인 (71) 의 동일한 부분이 이용된다. 상기 이유로, 제 2 반응 챔버 (42) 가 도펀트가 공급된 후에 퍼지될 때, 퍼지 가스는 가스 라인 (71) 에 남겨진 일부의 잔여 도펀트를 제 2 반응 챔버 (42) 로 운반한다. 이것은 제 2 반응 챔버에서만 발생한다 (공급 순서가 변경될 때, 상기 문제는 제 1 반응 챔버에서만 발생함). 그 결과, 제 1 및 제 2 반응 챔버들 사이의 필름 속성들의 편차들이 발생한다.
일부 실시형태들에서는, 가스가 공급되는 반응 챔버들의 순서를 변경함으로써, 상기 문제가 효과적으로 해결될 수 있다.
도 2 는 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. A, B, 및 C 는 프로세스 A (예를 들어 가스 공급), 프로세스 B (예를 들어 가스 공급), 및 프로세스 C (예를 들어 RF 인가) 를 각각 나타낸다. 이 시퀀스에서, A, A, B, C, B, 및 C 에 의해 구성된 사이클은 반응 챔버 (1; RC1) 와, 그 다음으로 반응 챔버 (2; RC2) 로부터 항상 시작한다. 따라서, 상기 논의된 문제, 즉 반응 챔버들 사이의 필름 속성들의 편차들이 발생한다. 도 3 은 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. 이 시퀀스에서, 사이클은 제 2 반응 챔버와, 그 다음으로 제 1 반응 챔버로부터 항상 시작하고, 이에 따라 동일한 문제가 발생한다.
도 4 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. A, B, 또는 C 이외의 공백 정사각형은 특정 처리 없이 퍼지하는 것을 나타낸다. 이 시퀀스에서, 첫 번째로는, 사이클이 제 1 반응 챔버로부터 시작하지만, 두 번째로는, 사이클이 제 2 반응 챔버로부터 시작하며, 즉 사이클이 처음에 시작하는 반응 챔버들의 순서가 사이클마다 변경된다. 즉 사이클은 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 교대로 시작한다. 사이클을 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 교대로 시작함으로써, 반응기-대-반응기 편차의 문제가 효과적으로 해결될 수 있다.
도 5 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. 이 시퀀스에서, 프로세스 A 는 제 1 반응 챔버로부터 항상 시작되지만, 프로세스 B 및 C 는 제 2 및 제 1 반응 챔버들로부터 교대로 시작한다. 사이클의 일부만을 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 교대로 시작함으로써, 반응기-대-반응기 편차의 문제가 효과적으로 해결될 수 있다.
도 6 은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. 이 시퀀스에서, 프로세스 C 는 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 동시에 행해지고, 프로세스 A 는 제 1 및 제 2 반응 챔버들로부터 교대로 시작되고, 프로세스 B 는 또한 제 1 및 제 2 반응 챔버들로부터 교대로, 그러나 프로세스 A 와는 독립적으로 시작된다. 사이클의 부분들을 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 교대로 그리고 독립적으로 시작함으로써 (또한 사이클의 일부를 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 동시에 시작함), 반응기-대-반응기 편차의 문제가 효과적으로 해결될 수 있다.
도 7 은 비교 실시형태에 따라 삼중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. A, B, C, 및 D 는 프로세스 A (예를 들어 가스 공급), 프로세스 B (예를 들어 가스 공급), 프로세스 C (예를 들어 가스 공급), 및 프로세스 D (예를 들어 RF 인가) 를 각각 나타낸다. 이 시퀀스에서, A, A, B, D, C, B, D, 및 C 에 의해 구성된 사이클은 반응 챔버 (1; RC1) 와, 그 다음으로 반응 챔버 (2; RC2) 및 반응 챔버 (3; RC3) 로부터 항상 시작한다. 따라서, 상기 논의된 문제, 즉 반응 챔버들 사이의 필름 속성들의 편차들이 발생한다. 도 8 은 본 발명의 실시형태에 따라 삼중-챔버 PEALD 장치에 적용된 개략적인 프로세스 시퀀스를 예시한다. 이 시퀀스에서, 첫 번째로는, 사이클이 제 1 반응 챔버로부터 시작하지만, 두 번째로는, 사이클이 제 3 반응 챔버로부터 시작하며, 즉 사이클이 처음에 시작하는 반응 챔버들의 순서가 사이클마다 변경된다. 즉 사이클은 제 1 및 제 3 반응 챔버들에서 교대로 시작한다. 사이클을 제 1 및 제 3 반응 챔버들에서 교대로 시작함으로써, 반응기-대-반응기 편차의 문제가 효과적으로 해결될 수 있다.
도 9 는 비교 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 상세한 프로세스 시퀀스를 예시한다. 이 상세한 시퀀스는 도 2 에서 예시된 개략적인 시퀀스에 대응한다. 이 시퀀스에서, 공백 (번호 없음) 은 스위칭 밸브들 없는 퍼지를 나타내고, "1" 은 스위칭 밸브들에 의한 퍼지 (0.1 sec) 를 나타내고; "2" 는 SiO 전구체의 공급 (0.3 sec) 을 나타내고; "3" 은 SiO 전구체의 퍼지 (0.9 sec) 를 나타내고; "4" 는 P (인) 도펀트의 공급 (0.3 sec) 을 나타내고; "5" 는 P 도펀트의 퍼지 (0.1 sec) 를 나타내고; "6" 은 RF 전력의 인가 (0.2 sec) 를 나타낸다. 이 시퀀스에서, 제 1 반응 챔버 (상부 시퀀스) 에서는, 프로세스 4 (P 도펀트의 공급) 후에, 퍼지하는 것 (프로세스 5) 이 동일한 캐리어 가스를 이용하여 시작하고, 이에 따라 일부의 잔여 도펀트가 제 1 반응 챔버 내로 도입될 수도 있다. 그러나, 동일한 캐리어 가스를 이용하여 퍼지하는 것은 0.4 초 동안만 지속되고, 그 후에, 캐리어 가스는 잔여 도펀트를 함유하지 않는 상이한 캐리어 가스로 스위칭된다. 대조적으로, 제 2 반응 챔버 (하부 시퀀스) 에서는, 프로세스 4 (두 번째 발생) 후에, 퍼지하는 것 (프로세스 5) 이 동일한 캐리어 가스를 이용하여 시작하고, 상기 프로세스 5 동안에는 캐리어 가스 스위칭이 전혀 행해지지 않으므로, 1.0 초 동안에 지속된다. 따라서, 제 1 반응 챔버에서보다 제 2 반응 챔버에서 더 많은 잔여 도펀트가 도입될 수도 있어서, 반응기-대-반응기 편차들을 야기시킬 수도 있다.
도 10 은 본 발명의 실시형태에 따라 이중-챔버 PEALD 장치에 적용된 상세한 프로세스 시퀀스를 예시한다. 이 상세한 시퀀스는 도 4 에서 예시된 개략적인 시퀀스에 대응한다. 이 시퀀스에서, 사이클은 제 1 및 제 2 반응 챔버들에서 교대로 시작하고, 이에 따라 상기 문제는 효과적으로 해결될 수 있다.
일부 실시형태들에서는, 미국 특허 출원 공개 제 2014/0033978 호에 개시된 가스 공급 시스템이 이용될 수 있고, 그 개시내용은 전체적으로 참조를 위해 본원에 편입된다.
일부 실시형태들에서, 반응 챔버들 사이의 필름 속성들의 변동들은 하나의 사이클에서의 적어도 하나의 단계가 행해지는 반응 챔버들의 순서를 변경함으로써 제어될 수 있으므로, 반응 챔버들의 다운스트림 (downstream) 에서의 필름 속성들의 변동들을 표시하는 파라미터들을 검사함으로써, 그리고 파라미터들을 제어 유닛으로 다시 공급함으로써, 적절한 순서가 결정될 수 있고 프로세싱은 결정된 순서를 이용하여 수행될 수 있으며, 이것에 의해, 모든 반응 챔버들에서 프로세싱의 균일성을 개선시킬 수 있다. 상기 피드백 제어는 연속적으로 수행될 수 있다. 예를 들어 반응 챔버의 다운스트림에 설치된 SPOES (Self Plasma (자체 플라즈마) OES, 제품명, 대한민국의 Manoteck Inc. 에 의해 판매됨) 또는 자체 플라즈마 감시 센서는 상기 목적을 위해 이용될 수 있다.
실시예 1
인 실리콘 유리 (phosphorous silicon glass; PSG) 필름은 도 1 에서 예시된 PEALD 장치를 이용하여 도 19 에서 도시된 조건들 하에서 PEALD 에 의해 기판 (Φ 300 mm) 상에 형성되었다. PEALD 의 사이클들의 시퀀스는 도 9 (비교 실시예) 및 도 10 (실시예 1) 에서 도시된 것이었다. 전구체로서, 비스디에틸아미노실란 (bisdiethylaminosilane; BDEAS) 이 이용되었고, 도펀트로서, 트리메틸포스파이트 (trimethylphosphite; TMPI) 가 이용되었으며, 여기서 도펀트의 증기 압력은 전구체의 증기 압력보다 약 3.5 배 더 높았다.
도 17 은 비교 실시예에 따라 각각의 반응 챔버에서 증착되었던 깊이 방향에서의 인 실리콘 유리 (PSG) 필름의 인 농도를 도시하는 그래프이다. STD RC1 및 STD RC2 는 비교 실시예에서 제 1 반응 챔버 및 제 2 반응 챔버를 나타낸다. 도 18 은 비교 실시예에 따라 각각의 반응 챔버에서 증착되었던 깊이 방향에서의 인 실리콘 유리 (PSG) 필름의 인 농도를 도시하는 그래프이다. ALT RC1 및 ALT RC2 는 실시예 1 에서 제 1 반응 챔버 및 제 2 반응 챔버를 나타낸다. 이 도면들로부터 알 수 있는 바와 같이, 사이클이 실시예 1 에서 제 1 및 제 2 반응 챔버들로부터 교대로 시작되지 않았을 때에는, 제 1 및 제 2 반응 챔버들 사이의 필름에서의 도펀트의 농도에서의 상당한 편차가 검출되지 않았던 한편, 사이클이 제 1 반응 챔버로부터 항상 시작되었을 때에는, 제 1 및 제 2 반응 챔버들 사이의 필름에서의 도펀트의 농도에서의 상당한 편차들이 검출되었다 (a 및 b 참조).
많은 그리고 다양한 수정들은 본 발명의 사상으로부터 이탈하지 않으면서 행해질 수 있다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 그러므로, 본 발명의 형태들은 오직 예시적이며, 본 발명의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아니라는 것이 명료하게 이해되어야 한다.

Claims (20)

  1. 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스를 공유하는 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법으로서,
    각각의 반응 챔버는 가스 주입구 라인을 갖고, 상기 가스 주입구 라인을 통해, 상기 제 1 가스 소스로부터의 제 1 가스, 상기 제 2 가스 소스로부터의 제 2 가스, 및 퍼지 가스가 상기 반응 챔버 내로 도입되고, 각각의 반응 챔버에서 행해진 타겟 처리는 동일하고,
    상기 방법은,
    (i) 상기 제 1 가스가 상기 다수의 반응 챔버들 중 하나로, 그 후 상기 다수의 반응 챔버들 중 다른 것으로 공급되는 공급 순서로, 상기 각각의 가스 주입구 라인들을 통해 상기 다수의 반응 챔버들로 상기 제 1 가스를 공급하는 단계;
    (ii) 상기 제 2 가스가 상기 다수의 반응 챔버들 중 하나로, 그 후 상기 다수의 반응 챔버들 중 다른 것으로 공급되는 공급 순서로, 상기 각각의 가스 주입구 라인들을 통해 상기 다수의 반응 챔버들로 상기 제 2 가스를 공급하는 단계;
    (iii) 상기 다수의 반응 챔버들 및 상기 가스 주입구 라인들로부터 각각 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 퍼지하도록, 상기 제 1 가스의 공급 후마다 및 상기 제 2 가스의 공급 후마다 각각의 가스 주입구 라인들을 통해 상기 다수의 반응 챔버들로 상기 퍼지 가스를 공급하는 단계, 및
    (iv) 상기 다수의 반응 챔버들에서 상기 타겟 처리를 완료하기 위해 단계들 (i) 내지 (iii) 을 연속적으로 반복하는 단계로서, 상기 제 1 가스 또는 상기 제 2 가스 중 적어도 하나의 공급 순서는 상기 제 1 가스 또는 상기 제 2 가스 중 상기 적어도 하나의 공급이 반복될 때에 변경되는, 상기 단계들 (i) 내지 (iii) 을 연속적으로 반복하는 단계를 포함하는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    하나의 사이클은 단계들 (i) 내지 (iii) 으로 이루어지고, 단계 (iv) 에서는 상기 사이클이 반복되며, 상기 제 1 가스 또는 상기 제 2 가스 중 적어도 하나의 공급 순서는 사이클마다 변경되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 가스의 공급 순서는 사이클마다 변경되는 한편, 상기 제 1 가스의 공급 순서는 변경되지 않는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 각각의 공급 순서는 사이클마다 변경되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    하나의 사이클은 단계들 (i) 내지 (iii) 으로 이루어지고, 단계 (ii) 는 상기 사이클에서 반복되며, 상기 제 2 가스의 공급 순서는 단계 (ii) 가 상기 사이클에서 반복되는 경우 변경되고, 상기 사이클은 단계 (iv) 에서 반복되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    (iiia) 단계 (iii) 후마다 상기 다수의 반응 챔버들에 RF 전력을 인가하는 단계를 더 포함하는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    RF 전력은 상기 다수의 반응 챔버들에 순차적으로 또는 동시에 인가되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 다수의 반응 챔버들은 RF 전력을 생성하는 RF 생성기를 공유하는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 타겟 처리는 플라즈마-강화 원자층 증착 (plasma-enhanced atomic layer deposition; PEALD) 에 의한 필름의 증착인, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 가스의 공급 레이트 (supply rate) 는 상기 제 2 가스의 공급 레이트보다 2 배 이상 더 높은, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 소스 및 상기 제 2 가스 소스는 액체 화합물들을 각각 저장하는 보틀들을 포함하고, 상기 액체 화합물들의 기화된 가스들이 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스인, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 소스로부터의 제 1 가스 라인이 분기되어 상기 다수의 반응 챔버들의 상기 가스 주입구 라인들 각각에 연결되고, 상기 제 2 가스 소스로부터의 제 2 가스 라인이 분기되어 상기 다수의 반응 챔버들의 상기 가스 주입구 라인들 각각에 연결되며, 상기 제 1 가스 및 상기 퍼지 가스는 상기 제 1 가스 라인, 상기 제 1 가스 라인으로부터 분기된 라인들, 및 상기 다수의 반응 챔버들의 상기 가스 주입구 라인들을 통해 상기 다수의 반응 챔버들에 도입되는 한편, 상기 제 2 가스 및 상기 퍼지 가스는 상기 제 2 가스 라인, 상기 제 2 가스 라인으로부터 분기된 라인들, 및 상기 다수의 반응 챔버들의 상기 가스 주입구 라인들을 통해 상기 다수의 반응 챔버들에 도입되며, 각각의 분기된 라인에는 밸브가 제공되고, 단계들 (i) 내지 (iii) 에서 정의된 가스 흐름들은 각각의 밸브를 이용하여 제어되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스는 상기 제 1 가스 라인을 통해 단독으로 또는 상기 제 1 가스와 함께 연속적으로 흐르는 한편, 상기 퍼지 가스는 상기 제 2 가스 라인을 통해 단독으로 또는 상기 제 2 가스와 함께 연속적으로 흐르는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 반응 챔버들은 2 개의 반응 챔버들인, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 반응 챔버들은 배기 시스템을 공유하고, 각각의 반응 챔버의 압력은 상기 배기 시스템을 이용하여 제어되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 반응 챔버들은 또 다른 가스 라인을 각각 포함하고, 상기 또 다른 가스 라인을 통해, 첨가 가스 (additive gas) 또는 비활성 가스 (inert gas) 가 상기 다수의 반응 챔버들에 공급되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  17. 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법으로서,
    (a) 단계들이 행해지는 상기 반응 챔버들의 순서에 따라 각각의 반응 챔버에서 상기 단계들에 의해 구성된 사이클을 행하는 단계; 그 후,
    (b) 상기 단계들이 행해지는 상기 반응 챔버들의 직전의 순서를 변경한 후에 각각의 반응 챔버에서 상기 단계들을 행하는 단계; 그 후,
    (c) 타겟 처리가 상기 다수의 반응 챔버들에서 완료될 때까지 프로세스 (b) 를 반복하는 단계로서, 각각의 반응 챔버에서 기판 상에서 행해진 상기 타겟 처리는 동일한, 상기 프로세스 (b) 를 반복하는 단계를 포함하는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 단계들은 제 1 가스를 공급하는 단계 및 제 2 가스를 공급하는 단계를 포함하는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가스들은 제 1 공통 가스 주입구 라인을 통해 상기 반응 챔버들 중 하나에 공급되고, 상기 제 1 및 제 2 가스들은 제 2 공통 가스 주입구 라인을 통해 상기 반응 챔버들 중의 또 다른 하나에 공급되며, 상기 제 1 가스는, 분기되어 상기 제 1 및 제 2 공통 가스 주입구 라인들에 연결되는 제 1 가스 라인에 공급되고, 상기 제 2 가스는, 분기되어 상기 제 1 및 제 2 공통 가스 주입구 라인들에 연결되는 제 2 가스 라인에 공급되는, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 타겟 처리는 플라즈마-강화 원자층 증착 (PEALD) 에 의한 필름의 증착인, 다수의 반응 챔버들에서 균일한 프로세싱을 수행하는 방법.
KR1020150036819A 2014-03-18 2015-03-17 가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법 KR102362025B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/218,374 US9447498B2 (en) 2014-03-18 2014-03-18 Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US14/218,374 2014-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150108781A true KR20150108781A (ko) 2015-09-30
KR102362025B1 KR102362025B1 (ko) 2022-02-10

Family

ID=54141538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150036819A KR102362025B1 (ko) 2014-03-18 2015-03-17 가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9447498B2 (ko)
JP (1) JP6516517B2 (ko)
KR (1) KR102362025B1 (ko)
TW (1) TWI670390B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170131259A (ko) * 2016-05-20 2017-11-29 램 리써치 코포레이션 고체 전구체 및 액체 전구체를 위한 증기 전달 방법 및 장치
WO2021096907A1 (en) * 2019-11-12 2021-05-20 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods
WO2022035099A1 (ko) * 2020-08-12 2022-02-17 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2023146194A1 (ko) * 2022-01-27 2023-08-03 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 금속산화물반도체 제조방법

Families Citing this family (336)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
JP5947435B1 (ja) 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) * 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
WO2018150536A1 (ja) 2017-02-17 2018-08-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
CN107400878A (zh) * 2017-07-26 2017-11-28 北京芯微诺达科技有限公司 一种原子层沉积设备的进气系统及其方法
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
JP6925196B2 (ja) * 2017-07-31 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
TWI802439B (zh) 2017-10-27 2023-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有空間分離的單個晶圓處理環境
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN109778143B (zh) * 2017-11-14 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 一种沉积系统及其气体传输方法
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7144531B2 (ja) 2018-04-28 2022-09-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ガスのパルスに基づく共用前駆体分配システム及び使用方法
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP6896682B2 (ja) * 2018-09-04 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7412257B2 (ja) * 2019-12-20 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20220118535A (ko) * 2020-04-20 2022-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공유 가스 전달 및 배기 시스템을 갖는 다중-열 cvd 챔버들
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US20220025517A1 (en) * 2020-07-27 2022-01-27 Enchip Enterprise Llc Semiconductor Processing System, and Control Assembly and Method Thereof
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
CN113394135A (zh) * 2021-05-14 2021-09-14 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆湿法刻蚀设备
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003505874A (ja) * 1999-06-15 2003-02-12 ミッドウエスト リサーチ インスティチュート 多結晶シリコン被膜成長の方法およびその装置
US6638839B2 (en) * 2001-07-26 2003-10-28 The University Of Toledo Hot-filament chemical vapor deposition chamber and process with multiple gas inlets
US20070054499A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Terasemicon Co., Ltd. Apparatus and method for forming polycrystalline silicon thin film

Family Cites Families (1177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3089507A (en) 1963-05-14 Air eject system control valve
US2161626A (en) 1937-09-25 1939-06-06 Walworth Patents Inc Locking device
US2745640A (en) 1953-09-24 1956-05-15 American Viscose Corp Heat exchanging apparatus
US3094396A (en) 1959-07-07 1963-06-18 Continental Can Co Method of and apparatus for curing internal coatings on can bodies
US2990045A (en) 1959-09-18 1961-06-27 Lipe Rollway Corp Thermally responsive transmission for automobile fan
US3232437A (en) 1963-03-13 1966-02-01 Champlon Lab Inc Spin-on filter cartridge
US4393013A (en) 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US3833492A (en) 1971-09-22 1974-09-03 Pollution Control Ind Inc Method of producing ozone
US3862397A (en) 1972-03-24 1975-01-21 Applied Materials Tech Cool wall radiantly heated reactor
US3854443A (en) 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
US3887790A (en) 1974-10-07 1975-06-03 Vernon H Ferguson Wrap-around electric resistance heater
SE393967B (sv) 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4054071A (en) 1975-06-17 1977-10-18 Aetna-Standard Engineering Company Flying saw with movable work shifter
DE2610556C2 (de) 1976-03-12 1978-02-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum Verteilen strömender Medien über einen Strömungsquerschnitt
US4194536A (en) 1976-12-09 1980-03-25 Eaton Corporation Composite tubing product
US4181330A (en) 1977-03-22 1980-01-01 Noriatsu Kojima Horn shaped multi-inlet pipe fitting
US4176630A (en) 1977-06-01 1979-12-04 Dynair Limited Automatic control valves
US4145699A (en) 1977-12-07 1979-03-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Superconducting junctions utilizing a binary semiconductor barrier
US4389973A (en) 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US4322592A (en) 1980-08-22 1982-03-30 Rca Corporation Susceptor for heating semiconductor substrates
US4479831A (en) 1980-09-15 1984-10-30 Burroughs Corporation Method of making low resistance polysilicon gate transistors and low resistance interconnections therefor via gas deposited in-situ doped amorphous layer and heat-treatment
US4436674A (en) 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
US4414492A (en) 1982-02-02 1983-11-08 Intent Patent A.G. Electronic ballast system
US4401507A (en) 1982-07-14 1983-08-30 Advanced Semiconductor Materials/Am. Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions
US4512113A (en) 1982-09-23 1985-04-23 Budinger William D Workpiece holder for polishing operation
US4499354A (en) 1982-10-06 1985-02-12 General Instrument Corp. Susceptor for radiant absorption heater system
US4570328A (en) 1983-03-07 1986-02-18 Motorola, Inc. Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode
JPS6050923A (ja) 1983-08-31 1985-03-22 Hitachi Ltd プラズマ表面処理方法
USD288556S (en) 1984-02-21 1987-03-03 Pace, Incorporated Ornamental design for a frame of circuit elements utilized to replace damaged elements on printed circuit boards
US4735259A (en) 1984-02-21 1988-04-05 Hewlett-Packard Company Heated transfer line for capillary tubing
JPH0752718B2 (ja) 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US4653541A (en) 1985-06-26 1987-03-31 Parker Hannifin Corporation Dual wall safety tube
US4789294A (en) 1985-08-30 1988-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Wafer handling apparatus and method
KR940000915B1 (ko) 1986-01-31 1994-02-04 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 표면 처리방법
US4654226A (en) 1986-03-03 1987-03-31 The University Of Delaware Apparatus and method for photochemical vapor deposition
US4722298A (en) 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
US4718637A (en) 1986-07-02 1988-01-12 Mdc Vacuum Products Corporation High vacuum gate valve having improved metal vacuum joint
US4681134A (en) 1986-07-23 1987-07-21 Paris Sr Raymond L Valve lock
US5183511A (en) 1986-07-23 1993-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photo CVD apparatus with a glow discharge system
US4882199A (en) 1986-08-15 1989-11-21 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a metal coating on a substrate
US4753192A (en) 1987-01-08 1988-06-28 Btu Engineering Corporation Movable core fast cool-down furnace
JPH0344472Y2 (ko) 1987-02-10 1991-09-18
US4976996A (en) 1987-02-17 1990-12-11 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof
US4821674A (en) 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4780169A (en) 1987-05-11 1988-10-25 Tegal Corporation Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus
US4827430A (en) 1987-05-11 1989-05-02 Baxter International Inc. Flow measurement system
US5221556A (en) 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
NO161941C (no) 1987-06-25 1991-04-30 Kvaerner Eng Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs.
US5062386A (en) 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
USD327534S (en) 1987-07-30 1992-06-30 CLM Investments, Inc. Floor drain strainer
US4854263B1 (en) 1987-08-14 1997-06-17 Applied Materials Inc Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films
US4756794A (en) 1987-08-31 1988-07-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Atomic layer etching
JPH0648217B2 (ja) 1987-12-24 1994-06-22 川惣電機工業株式会社 溶融金属の連続測温装置
US5028366A (en) 1988-01-12 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Water based mold release compositions for making molded polyurethane foam
FR2628985B1 (fr) 1988-03-22 1990-12-28 Labo Electronique Physique Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots
US4978567A (en) 1988-03-31 1990-12-18 Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same
JP2859632B2 (ja) 1988-04-14 1999-02-17 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US4857382A (en) 1988-04-26 1989-08-15 General Electric Company Apparatus and method for photoetching of polyimides, polycarbonates and polyetherimides
JPH01296613A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Nec Corp ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法
US5178682A (en) 1988-06-21 1993-01-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor
US4986215A (en) 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
JP2918892B2 (ja) 1988-10-14 1999-07-12 株式会社日立製作所 プラズマエッチング処理方法
US4837185A (en) 1988-10-26 1989-06-06 Intel Corporation Pulsed dual radio frequency CVD process
US5119760A (en) 1988-12-27 1992-06-09 Symetrix Corporation Methods and apparatus for material deposition
JPH0834187B2 (ja) 1989-01-13 1996-03-29 東芝セラミックス株式会社 サセプタ
US5194401A (en) 1989-04-18 1993-03-16 Applied Materials, Inc. Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures
JP2543224B2 (ja) 1989-04-25 1996-10-16 松下電子工業株式会社 半導体装置とその製造方法
US5192717A (en) * 1989-04-28 1993-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a polycrystalline semiconductor film by microwave plasma chemical vapor deposition method
US5360269A (en) 1989-05-10 1994-11-01 Tokyo Kogyo Kabushiki Kaisha Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple
US4987856A (en) 1989-05-22 1991-01-29 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. High throughput multi station processor for multiple single wafers
US5060322A (en) 1989-07-27 1991-10-29 Delepine Jean C Shower room and ceiling element, especially for a shower room
US5013691A (en) 1989-07-31 1991-05-07 At&T Bell Laboratories Anisotropic deposition of silicon dioxide
JPH0734936Y2 (ja) 1990-01-16 1995-08-09 大日本スクリーン製造株式会社 処理液蒸気供給装置
JPH03277774A (ja) 1990-03-27 1991-12-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光気相反応装置
DE4011933C2 (de) 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür
US5167716A (en) 1990-09-28 1992-12-01 Gasonics, Inc. Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer
JP2780866B2 (ja) 1990-10-11 1998-07-30 大日本スクリーン製造 株式会社 光照射加熱基板の温度測定装置
TW214599B (ko) 1990-10-15 1993-10-11 Seiko Epson Corp
JPH04115531U (ja) 1991-03-25 1992-10-14 ノリタケダイヤ株式会社 ワイヤーソー用ジヨイントパイプ
JP3323530B2 (ja) 1991-04-04 2002-09-09 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US5116018A (en) 1991-04-12 1992-05-26 Automax, Inc. Lockout modules
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
US5104514A (en) 1991-05-16 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Protective coating system for aluminum
JP3040212B2 (ja) 1991-09-05 2000-05-15 株式会社東芝 気相成長装置
US5430011A (en) 1991-09-17 1995-07-04 Sumitomi Electric Industries, Ltd. Crystal compensated superconducting thin film formed of oxide superconductor material
JP3140111B2 (ja) 1991-11-19 2001-03-05 オリンパス光学工業株式会社 高倍率顕微鏡対物レンズ
US5199603A (en) 1991-11-26 1993-04-06 Prescott Norman F Delivery system for organometallic compounds
US5455069A (en) 1992-06-01 1995-10-03 Motorola, Inc. Method of improving layer uniformity in a CVD reactor
JP3502096B2 (ja) 1992-06-22 2004-03-02 ラム リサーチ コーポレイション プラズマ処理装置内の残留物を除去するためのプラズマクリーニング方法
US5534072A (en) 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
JP3148004B2 (ja) 1992-07-06 2001-03-19 株式会社東芝 光ｃｖｄ装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US5601641A (en) 1992-07-21 1997-02-11 Tse Industries, Inc. Mold release composition with polybutadiene and method of coating a mold core
KR100304127B1 (ko) 1992-07-29 2001-11-30 이노마다 시게오 가반식 밀폐 컨테이너를 사용한 전자기판 처리시스템과 그의 장치
US5271967A (en) 1992-08-21 1993-12-21 General Motors Corporation Method and apparatus for application of thermal spray coatings to engine blocks
US5326427A (en) 1992-09-11 1994-07-05 Lsi Logic Corporation Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation
JPH06295862A (ja) 1992-11-20 1994-10-21 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器
IT1257434B (it) 1992-12-04 1996-01-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Generatore di vapori per impianti di deposizione chimica da fase vapore
US5382311A (en) 1992-12-17 1995-01-17 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
JPH0653210U (ja) 1992-12-28 1994-07-19 株式会社三田 脱輪救助プレート
US5421893A (en) 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
DE4311197A1 (de) 1993-04-05 1994-10-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
US5404082A (en) 1993-04-23 1995-04-04 North American Philips Corporation High frequency inverter with power-line-controlled frequency modulation
US5354580A (en) 1993-06-08 1994-10-11 Cvd Incorporated Triangular deposition chamber for a vapor deposition system
JPH0799162A (ja) 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Ｃｖｄリアクタ装置
ATE174842T1 (de) 1993-06-28 1999-01-15 Canon Kk Wärmeerzeugender, tano.8 enthaltender widerstand, substrat mit diesem wärmeerzeugenden widerstand für flüssigkeitsstrahlkopf, flüssigkeitsstrahlkopf mit diesem substrat, und gerät für einen flüssigkeitsstrahl mit diesem flüssigkeitsstrahlkopf
US5997768A (en) 1993-06-29 1999-12-07 Ciba Specialty Chemicals Corporation Pelletization of metal soap powders
US5415753A (en) 1993-07-22 1995-05-16 Materials Research Corporation Stationary aperture plate for reactive sputter deposition
US6122036A (en) 1993-10-21 2000-09-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JP2682403B2 (ja) 1993-10-29 1997-11-26 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5413813A (en) 1993-11-23 1995-05-09 Enichem S.P.A. CVD of silicon-based ceramic materials on internal surface of a reactor
US5616947A (en) 1994-02-01 1997-04-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device having an MIS structure
US5681779A (en) 1994-02-04 1997-10-28 Lsi Logic Corporation Method of doping metal layers for electromigration resistance
US5589002A (en) 1994-03-24 1996-12-31 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing
JP3211548B2 (ja) 1994-03-30 2001-09-25 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電蛍光ランプ
JPH07283149A (ja) 1994-04-04 1995-10-27 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
US5531835A (en) 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
WO1995034916A1 (fr) 1994-06-15 1995-12-21 Seiko Epson Corporation Fabrication d'un equipement a semi-conducteurs a couches minces, equipement a semi-conducteurs a couches minces, afficheur a cristaux liquides et equipement electronique
US5504042A (en) 1994-06-23 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Porous dielectric material with improved pore surface properties for electronics applications
JP2709568B2 (ja) 1994-06-30 1998-02-04 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 ダウンフロー型スピンドライヤ
US5838029A (en) 1994-08-22 1998-11-17 Rohm Co., Ltd. GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate
US5730801A (en) 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
JP3632256B2 (ja) 1994-09-30 2005-03-23 株式会社デンソー 窒化シリコン膜を有する半導体装置の製造方法
JP2845163B2 (ja) 1994-10-27 1999-01-13 日本電気株式会社 プラズマ処理方法及びその装置
FI97730C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
JPH08181135A (ja) 1994-12-22 1996-07-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP3151118B2 (ja) 1995-03-01 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5518549A (en) 1995-04-18 1996-05-21 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor and baffle therefor
JP3360098B2 (ja) 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US5852879A (en) 1995-04-26 1998-12-29 Schumaier; Daniel R. Moisture sensitive item drying appliance
SE506163C2 (sv) 1995-04-27 1997-11-17 Ericsson Telefon Ab L M Anordning vid ett kiselsubstrat med ett urtag för upptagande av ett element jämte förfarande för framställande av en dylik anordning
US5683517A (en) 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with programmable reactant gas distribution
US6190634B1 (en) 1995-06-07 2001-02-20 President And Fellows Of Harvard College Carbide nanomaterials
JPH08335558A (ja) 1995-06-08 1996-12-17 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
JP3380091B2 (ja) 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
US20020114886A1 (en) 1995-07-06 2002-08-22 Applied Materials, Inc. Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process
NO953217L (no) 1995-08-16 1997-02-17 Aker Eng As Metode og innretning ved rörbunter
US6113702A (en) 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
US5801104A (en) 1995-10-24 1998-09-01 Micron Technology, Inc. Uniform dielectric film deposition on textured surfaces
KR100201386B1 (ko) 1995-10-28 1999-06-15 구본준 화학기상증착장비의 반응가스 분사장치
US5736314A (en) 1995-11-16 1998-04-07 Microfab Technologies, Inc. Inline thermo-cycler
US5796074A (en) 1995-11-28 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Wafer heater assembly
JPH09172055A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
KR100267418B1 (ko) 1995-12-28 2000-10-16 엔도 마코토 플라스마처리방법및플라스마처리장치
US5679215A (en) 1996-01-02 1997-10-21 Lam Research Corporation Method of in situ cleaning a vacuum plasma processing chamber
US5632919A (en) 1996-01-25 1997-05-27 T.G.M., Inc. Temperature controlled insulation system
SE9600705D0 (sv) 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
US5837320A (en) 1996-02-27 1998-11-17 The University Of New Mexico Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands
US5732744A (en) 1996-03-08 1998-03-31 Control Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and supporting semiconductor process gas delivery and regulation components
DE19609678C2 (de) 1996-03-12 2003-04-17 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung mit streifenförmigen, parallel verlaufenden Gräben und vertikalen MOS-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung
USD380527S (en) 1996-03-19 1997-07-01 Cherle Velez Sink drain shield
US5819434A (en) 1996-04-25 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Etch enhancement using an improved gas distribution plate
US5920798A (en) 1996-05-28 1999-07-06 Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. Method of preparing a semiconductor layer for an optical transforming device
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US5993916A (en) 1996-07-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Method for substrate processing with improved throughput and yield
US5827757A (en) 1996-07-16 1998-10-27 Direct Radiography Corp. Fabrication of large area x-ray image capturing element
US5781693A (en) 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween
US5724748A (en) 1996-07-24 1998-03-10 Brooks; Ray G. Apparatus for packaging contaminant-sensitive articles and resulting package
KR0183912B1 (ko) * 1996-08-08 1999-05-01 김광호 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법
US5916365A (en) 1996-08-16 1999-06-29 Sherman; Arthur Sequential chemical vapor deposition
JP3122618B2 (ja) 1996-08-23 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US6347636B1 (en) 1996-11-13 2002-02-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US5836483A (en) 1997-02-05 1998-11-17 Aerotech Dental Systems, Inc. Self-regulating fluid dispensing cap with safety pressure relief valve for dental/medical unit fluid bottles
US6367410B1 (en) 1996-12-16 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system
US5953635A (en) 1996-12-19 1999-09-14 Intel Corporation Interlayer dielectric with a composite dielectric stack
US6035101A (en) 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6461982B2 (en) 1997-02-27 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming a dielectric film
JP3752578B2 (ja) 1997-04-21 2006-03-08 株式会社フジキン 流体制御器用加熱装置
US6026762A (en) 1997-04-23 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems
JP3230051B2 (ja) 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
JPH1144799A (ja) 1997-05-27 1999-02-16 Ushio Inc 光路分割型紫外線照射装置
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US5968275A (en) 1997-06-25 1999-10-19 Lam Research Corporation Methods and apparatus for passivating a substrate in a plasma reactor
US6531193B2 (en) 1997-07-07 2003-03-11 The Penn State Research Foundation Low temperature, high quality silicon dioxide thin films deposited using tetramethylsilane (TMS) for stress control and coverage applications
US6576064B2 (en) 1997-07-10 2003-06-10 Sandia Corporation Support apparatus for semiconductor wafer processing
US6024799A (en) 1997-07-11 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition manifold
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
US6083321A (en) 1997-07-11 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Fluid delivery system and method
US5975492A (en) 1997-07-14 1999-11-02 Brenes; Arthur Bellows driver slot valve
US6099596A (en) 1997-07-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Wafer out-of-pocket detection tool
US6013553A (en) 1997-07-24 2000-01-11 Texas Instruments Incorporated Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
KR100385946B1 (ko) 1999-12-08 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자
US7393561B2 (en) 1997-08-11 2008-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films
JP3317209B2 (ja) 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6161500A (en) 1997-09-30 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions
US5908672A (en) 1997-10-15 1999-06-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer
DE69838484T2 (de) 1997-11-03 2008-06-26 Asm America Inc., Phoenix Hochtemperatur-prozesskammer mit langer lebensdauer
JP3050193B2 (ja) 1997-11-12 2000-06-12 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP2099061A3 (en) 1997-11-28 2013-06-12 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for low contamination, high throughput handling of workpieces for vacuum processing
US6248168B1 (en) 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
KR100249391B1 (ko) 1997-12-30 2000-03-15 김영환 가열장치
USD409894S (en) 1997-12-30 1999-05-18 Mcclurg Ben B Sheet rock plug
US6125789A (en) 1998-01-30 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor
TW437017B (en) 1998-02-05 2001-05-28 Asm Japan Kk Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof
US6383955B1 (en) 1998-02-05 2002-05-07 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6413583B1 (en) 1998-02-11 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound
US6050506A (en) 1998-02-13 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition
US6015465A (en) 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
US6218288B1 (en) 1998-05-11 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Multiple step methods for forming conformal layers
KR100309918B1 (ko) 1998-05-16 2001-12-17 윤종용 광시야각액정표시장치및그제조방법
JP3208376B2 (ja) 1998-05-20 2001-09-10 株式会社半導体プロセス研究所 成膜方法及び半導体装置の製造方法
JPH11343571A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Ngk Insulators Ltd サセプター
JPH11354637A (ja) 1998-06-11 1999-12-24 Oki Electric Ind Co Ltd 配線の接続構造及び配線の接続部の形成方法
US6086677A (en) 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6148761A (en) 1998-06-16 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Dual channel gas distribution plate
US6302964B1 (en) 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP2963443B1 (ja) 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
KR20000002833A (ko) 1998-06-23 2000-01-15 윤종용 반도체 웨이퍼 보트
US6232248B1 (en) 1998-07-03 2001-05-15 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-processing method for performing reformation and crystallization
JP2000040728A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Nippon Asm Kk ウェハ搬送機構
US20010001384A1 (en) 1998-07-29 2001-05-24 Takeshi Arai Silicon epitaxial wafer and production method therefor
US6190732B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate
USD451893S1 (en) 1998-10-15 2001-12-11 Meto International Gmbh Arrangement of aluminum foil coils forming an inductor of a resonant frequency identification element
US6454860B2 (en) 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
JP2000150617A (ja) 1998-11-17 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
JP2000183346A (ja) 1998-12-15 2000-06-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US6129954A (en) 1998-12-22 2000-10-10 General Electric Company Method for thermally spraying crack-free mullite coatings on ceramic-based substrates
US6137240A (en) 1998-12-31 2000-10-24 Lumion Corporation Universal ballast control circuit
KR100331544B1 (ko) 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
TW455912B (en) 1999-01-22 2001-09-21 Sony Corp Method and apparatus for film deposition
US6044860A (en) 1999-02-01 2000-04-04 Spx Corporation Adjustable lockout device for knife gate valves
US6374831B1 (en) 1999-02-04 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Accelerated plasma clean
AU3229600A (en) 1999-02-12 2000-08-29 Gelest, Inc. Chemical vapor deposition of tungsten nitride
IT1308606B1 (it) 1999-02-12 2002-01-08 Lpe Spa Dispositivo per maneggiare substrati mediante un istema autolivellante a depressione in reattori epistassiali ad induzione con suscettore
US6250250B1 (en) 1999-03-18 2001-06-26 Yuri Maishev Multiple-cell source of uniform plasma
JP3398936B2 (ja) 1999-04-09 2003-04-21 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理装置
US6326597B1 (en) 1999-04-15 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Temperature control system for process chamber
KR100347379B1 (ko) * 1999-05-01 2002-08-07 주식회사 피케이엘 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치
JP3072989B1 (ja) 1999-05-14 2000-08-07 日本エー・エス・エム株式会社 半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置における成膜方法
JP4294791B2 (ja) 1999-05-17 2009-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
JP3668079B2 (ja) 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 プラズマプロセス装置
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
FR2795745B1 (fr) 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
JP3252835B2 (ja) 1999-07-02 2002-02-04 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2001023955A (ja) 1999-07-07 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
EP1077479A1 (en) 1999-08-17 2001-02-21 Applied Materials, Inc. Post-deposition treatment to enchance properties of Si-O-C low K film
US6579833B1 (en) 1999-09-01 2003-06-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens
US6429146B2 (en) 1999-09-02 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Wafer planarization using a uniform layer of material and method and apparatus for forming uniform layer of material used in semiconductor processing
JP2001077088A (ja) 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6511539B1 (en) 1999-09-08 2003-01-28 Asm America, Inc. Apparatus and method for growth of a thin film
US6355153B1 (en) 1999-09-17 2002-03-12 Nutool, Inc. Chip interconnect and packaging deposition methods and structures
US6420792B1 (en) 1999-09-24 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer edge marking
US6740853B1 (en) 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US6475276B1 (en) 1999-10-15 2002-11-05 Asm Microchemistry Oy Production of elemental thin films using a boron-containing reducing agent
JP4209057B2 (ja) 1999-12-01 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
KR100369324B1 (ko) 1999-12-02 2003-01-24 한국전자통신연구원 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법
FI118804B (fi) 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
JP2001176952A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Mach Co Ltd ウェーハ位置ずれ検出装置
JP3810604B2 (ja) 1999-12-21 2006-08-16 Ｓｍｃ株式会社 ゲートバルブ
US6576062B2 (en) 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
KR100767762B1 (ko) 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치
US6541367B1 (en) 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6475930B1 (en) 2000-01-31 2002-11-05 Motorola, Inc. UV cure process and tool for low k film formation
US6436819B1 (en) 2000-02-01 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Nitrogen treatment of a metal nitride/metal stack
US6521046B2 (en) 2000-02-04 2003-02-18 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Chamber material made of Al alloy and heater block
US6372583B1 (en) 2000-02-09 2002-04-16 Intel Corporation Process for making semiconductor device with epitaxially grown source and drain
US6407435B1 (en) 2000-02-11 2002-06-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multilayer dielectric stack and method
US6573030B1 (en) 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
TW476996B (en) * 2000-02-28 2002-02-21 Mitsubishi Material Silicon Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
AU2001245388A1 (en) 2000-03-07 2001-09-17 Asm America, Inc. Graded thin films
US6759098B2 (en) 2000-03-20 2004-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials
US6576300B1 (en) 2000-03-20 2003-06-10 Dow Corning Corporation High modulus, low dielectric constant coatings
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
US6913796B2 (en) 2000-03-20 2005-07-05 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing process for porous low-k materials
US6598559B1 (en) 2000-03-24 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Temperature controlled chamber
AU2001247685A1 (en) 2000-03-30 2001-10-15 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system
JP2001342570A (ja) 2000-03-30 2001-12-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2001345263A (ja) 2000-03-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
FI117979B (fi) 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US6329297B1 (en) 2000-04-21 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Dilute remote plasma clean
US6635117B1 (en) 2000-04-26 2003-10-21 Axcelis Technologies, Inc. Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
KR100367662B1 (ko) 2000-05-02 2003-01-10 주식회사 셈테크놀러지 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치
DE10021871A1 (de) 2000-05-05 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht in einem elektronischen Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements mit einer Barriereschicht
JP3448737B2 (ja) 2000-05-25 2003-09-22 住友重機械工業株式会社 ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック
KR100406173B1 (ko) 2000-06-13 2003-11-19 주식회사 하이닉스반도체 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록
US6863019B2 (en) 2000-06-13 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas
US6461435B1 (en) 2000-06-22 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Showerhead with reduced contact area
KR100467366B1 (ko) 2000-06-30 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법
US6874480B1 (en) 2000-07-03 2005-04-05 Combustion Dynamics Corp. Flow meter
WO2002008487A1 (en) 2000-07-24 2002-01-31 The University Of Maryland, College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
US7223676B2 (en) 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US7166524B2 (en) 2000-08-11 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant
US6784108B1 (en) 2000-08-31 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Gas pulsing for etch profile control
USD449873S1 (en) 2000-09-22 2001-10-30 James Bronson Garbage disposal strainer and splash guard
US6494065B2 (en) 2000-09-26 2002-12-17 Babbitt Steam Specialty Company Valve lockout/tag out system
AU146326S (en) 2000-09-29 2001-12-18 American Standard Int Inc Faucet
US6370796B1 (en) 2000-09-29 2002-04-16 Sony Corporation Heater block cooling system for wafer processing apparatus
US6578893B2 (en) 2000-10-02 2003-06-17 Ajs Automation, Inc. Apparatus and methods for handling semiconductor wafers
JP2002110570A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
US6660660B2 (en) 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
US7204887B2 (en) 2000-10-16 2007-04-17 Nippon Steel Corporation Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace
TW548239B (en) 2000-10-23 2003-08-21 Asm Microchemistry Oy Process for producing aluminium oxide films at low temperatures
JP4156788B2 (ja) 2000-10-23 2008-09-24 日本碍子株式会社 半導体製造装置用サセプター
US6688784B1 (en) 2000-10-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure
US6824665B2 (en) 2000-10-25 2004-11-30 Shipley Company, L.L.C. Seed layer deposition
US6445574B1 (en) 2000-10-30 2002-09-03 Motorola, Inc. Electronic device
JP2002158178A (ja) 2000-11-21 2002-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6689220B1 (en) 2000-11-22 2004-02-10 Simplus Systems Corporation Plasma enhanced pulsed layer deposition
US6613695B2 (en) 2000-11-24 2003-09-02 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition
US20020064592A1 (en) 2000-11-29 2002-05-30 Madhav Datta Electroless method of seed layer depostion, repair, and fabrication of Cu interconnects
EP1351283A4 (en) 2000-12-05 2006-01-25 Tokyo Electron Ltd METHOD AND DEVICE FOR TREATING AN ARTICLE TO BE TREATED
KR100385947B1 (ko) 2000-12-06 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법
US6413321B1 (en) 2000-12-07 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle contamination on wafer backside during CVD process
US20020076507A1 (en) 2000-12-15 2002-06-20 Chiang Tony P. Process sequence for atomic layer deposition
JP5068402B2 (ja) 2000-12-28 2012-11-07 公益財団法人国際科学振興財団 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法
US6398184B1 (en) 2000-12-29 2002-06-04 General Signal Corporation Lock device and lock method for knife gate valves
US7172497B2 (en) 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
US6583048B2 (en) 2001-01-17 2003-06-24 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
US7087482B2 (en) 2001-01-19 2006-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming material using atomic layer deposition and method of forming capacitor of semiconductor device using the same
JP4644943B2 (ja) 2001-01-23 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3626933B2 (ja) 2001-02-08 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の製造方法
WO2002080244A2 (en) 2001-02-12 2002-10-10 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US20020108670A1 (en) 2001-02-12 2002-08-15 Baker John Eric High purity chemical container with external level sensor and removable dip tube
US6613656B2 (en) 2001-02-13 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Sequential pulse deposition
US6632478B2 (en) 2001-02-22 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film
JP4487135B2 (ja) 2001-03-05 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 流体制御装置
US6716571B2 (en) 2001-03-28 2004-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Selective photoresist hardening to facilitate lateral trimming
US6521295B1 (en) 2001-04-17 2003-02-18 Pilkington North America, Inc. Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby
US6482331B2 (en) 2001-04-18 2002-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for preventing contamination in a plasma process chamber
KR100798179B1 (ko) 2001-04-27 2008-01-24 교세라 가부시키가이샤 웨이퍼 가열장치
US20030019428A1 (en) 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US6528430B2 (en) 2001-05-01 2003-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3
US6864041B2 (en) 2001-05-02 2005-03-08 International Business Machines Corporation Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching
US6627268B1 (en) 2001-05-03 2003-09-30 Novellus Systems, Inc. Sequential ion, UV, and electron induced chemical vapor deposition
JP2002343790A (ja) 2001-05-21 2002-11-29 Nec Corp 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
US6528767B2 (en) 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
US7037574B2 (en) 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US6472266B1 (en) 2001-06-18 2002-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to reduce bit line capacitance in cub drams
US6391803B1 (en) 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6420279B1 (en) 2001-06-28 2002-07-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate
JP3708031B2 (ja) 2001-06-29 2005-10-19 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置および処理方法
TW539822B (en) 2001-07-03 2003-07-01 Asm Inc Source chemical container assembly
WO2003007357A1 (fr) 2001-07-10 2003-01-23 Tokyo Electron Limited Procede de gravure a sec
KR100400044B1 (ko) 2001-07-16 2003-09-29 삼성전자주식회사 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드
US6677254B2 (en) 2001-07-23 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom
EP1460678A4 (en) 2001-07-31 2010-01-06 Air Liquide CLEANING METHOD AND APPARATUS AND METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING
US6531412B2 (en) 2001-08-10 2003-03-11 International Business Machines Corporation Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications
JP2003059999A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 処理システム
US6820570B2 (en) 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
JP2003060076A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
US6521547B1 (en) 2001-09-07 2003-02-18 United Microelectronics Corp. Method of repairing a low dielectric constant material layer
US6756318B2 (en) 2001-09-10 2004-06-29 Tegal Corporation Nanolayer thick film processing system and method
US6541370B1 (en) 2001-09-17 2003-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Composite microelectronic dielectric layer with inhibited crack susceptibility
US6607976B2 (en) 2001-09-25 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Copper interconnect barrier layer structure and formation method
US20030059535A1 (en) 2001-09-25 2003-03-27 Lee Luo Cycling deposition of low temperature films in a cold wall single wafer process chamber
US6720259B2 (en) 2001-10-02 2004-04-13 Genus, Inc. Passivation method for improved uniformity and repeatability for atomic layer deposition and chemical vapor deposition
US6960537B2 (en) 2001-10-02 2005-11-01 Asm America, Inc. Incorporation of nitrogen into high k dielectric film
KR100431658B1 (ko) 2001-10-05 2004-05-17 삼성전자주식회사 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치
DE60203413T2 (de) 2001-10-26 2006-04-20 Applied Materials, Inc., Santa Clara Gaszuführvorrichtung zur abscheidung von atomaren schichten
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
AU2002343583A1 (en) 2001-10-29 2003-05-12 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
KR100760291B1 (ko) 2001-11-08 2007-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
KR20030039247A (ko) 2001-11-12 2003-05-17 주성엔지니어링(주) 서셉터
JP2005510082A (ja) 2001-11-16 2005-04-14 トリコン ホールディングス リミティド 低ｋ誘電層の形成
US6926774B2 (en) 2001-11-21 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Piezoelectric vaporizer
USD461233S1 (en) 2001-11-29 2002-08-06 James Michael Whalen Marine deck drain strainer
KR100446619B1 (ko) 2001-12-14 2004-09-04 삼성전자주식회사 유도 결합 플라즈마 장치
JP3891267B2 (ja) 2001-12-25 2007-03-14 キヤノンアネルバ株式会社 シリコン酸化膜作製方法
EP1475828A4 (en) 2002-01-15 2012-02-22 Tokyo Electron Ltd CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND DEVICE FOR FORMING SILICON-BASED INSULATING FILM
KR100979575B1 (ko) 2002-01-17 2010-09-01 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법
US6760981B2 (en) 2002-01-18 2004-07-13 Speedline Technologies, Inc. Compact convection drying chamber for drying printed circuit boards and other electronic assemblies by enhanced evaporation
US20030141820A1 (en) 2002-01-30 2003-07-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate processing
US6899507B2 (en) 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
DE10207131B4 (de) 2002-02-20 2007-12-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bildung einer Hartmaske in einer Schicht auf einer flachen Scheibe
US6734090B2 (en) 2002-02-20 2004-05-11 International Business Machines Corporation Method of making an edge seal for a semiconductor device
TW200305228A (en) 2002-03-01 2003-10-16 Hitachi Int Electric Inc Heat treatment apparatus and a method for fabricating substrates
KR100449028B1 (ko) 2002-03-05 2004-09-16 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 박막 형성방법
EP1485513A2 (en) 2002-03-08 2004-12-15 Sundew Technologies, LLC Ald method and apparatus
JP2003264186A (ja) 2002-03-11 2003-09-19 Asm Japan Kk Ｃｖｄ装置処理室のクリーニング方法
US6825134B2 (en) 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
US6800134B2 (en) 2002-03-26 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods and atomic layer deposition methods
JP4099092B2 (ja) 2002-03-26 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ
JP4128383B2 (ja) 2002-03-27 2008-07-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4959921B2 (ja) 2002-03-28 2012-06-27 プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ 二酸化珪素ナノラミネートの蒸着
JP4106948B2 (ja) 2002-03-29 2008-06-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の跳上り検出装置、被処理体の跳上り検出方法、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6594550B1 (en) 2002-03-29 2003-07-15 Asm America, Inc. Method and system for using a buffer to track robotic movement
US6710312B2 (en) 2002-04-12 2004-03-23 B H Thermal Corporation Heating jacket assembly with field replaceable thermostat
US7988833B2 (en) 2002-04-12 2011-08-02 Schneider Electric USA, Inc. System and method for detecting non-cathode arcing in a plasma generation apparatus
US6846515B2 (en) 2002-04-17 2005-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US8293001B2 (en) 2002-04-17 2012-10-23 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
US7045430B2 (en) 2002-05-02 2006-05-16 Micron Technology Inc. Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics
JP2003324072A (ja) 2002-05-07 2003-11-14 Nec Electronics Corp 半導体製造装置
US7122844B2 (en) 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
US6682973B1 (en) 2002-05-16 2004-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Formation of well-controlled thin SiO, SiN, SiON layer for multilayer high-K dielectric applications
KR100466818B1 (ko) 2002-05-17 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 절연막 형성 방법
US7195693B2 (en) 2002-06-05 2007-03-27 Advanced Thermal Sciences Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US20060014384A1 (en) 2002-06-05 2006-01-19 Jong-Cheol Lee Method of forming a layer and forming a capacitor of a semiconductor device having the same layer
JP2004014952A (ja) 2002-06-10 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
US6858547B2 (en) 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US7601225B2 (en) 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
JP3670628B2 (ja) * 2002-06-20 2005-07-13 株式会社東芝 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法
US20040018750A1 (en) 2002-07-02 2004-01-29 Sophie Auguste J.L. Method for deposition of nitrogen doped silicon carbide films
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6976822B2 (en) 2002-07-16 2005-12-20 Semitool, Inc. End-effectors and transfer devices for handling microelectronic workpieces
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7357138B2 (en) 2002-07-18 2008-04-15 Air Products And Chemicals, Inc. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
KR100447284B1 (ko) 2002-07-19 2004-09-07 삼성전자주식회사 화학기상증착 챔버의 세정 방법
JP5005170B2 (ja) 2002-07-19 2012-08-22 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法
TW200427858A (en) 2002-07-19 2004-12-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high k dielectric films
US7294582B2 (en) 2002-07-19 2007-11-13 Asm International, N.V. Low temperature silicon compound deposition
CN101109470A (zh) 2002-07-19 2008-01-23 诚实公司 液体流动控制器和精密分配设备及系统
WO2004010467A2 (en) 2002-07-19 2004-01-29 Aviza Technology, Inc. Low temperature dielectric deposition using aminosilane and ozone
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7223323B2 (en) 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
KR100464855B1 (ko) 2002-07-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법
AU2003254266A1 (en) 2002-07-30 2004-02-16 Asm America, Inc. Sublimation system employing carrier gas
DE10235427A1 (de) 2002-08-02 2004-02-12 Eos Gmbh Electro Optical Systems Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von dreidimensionalen Objekten mittels eines generativen Fertigungsverfahrens
US7153542B2 (en) 2002-08-06 2006-12-26 Tegal Corporation Assembly line processing method
KR100480610B1 (ko) 2002-08-09 2005-03-31 삼성전자주식회사 실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법
JP4034145B2 (ja) 2002-08-09 2008-01-16 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
TW200408323A (en) 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high k metal oxides
TW200408015A (en) 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high K metal silicates
US6649921B1 (en) 2002-08-19 2003-11-18 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation
US20040036129A1 (en) 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US6967154B2 (en) 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US6794284B2 (en) 2002-08-28 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes
CN1682084A (zh) 2002-09-10 2005-10-12 Fsi国际公司 具有受热盖的热处理设备
US7011299B2 (en) 2002-09-16 2006-03-14 Matheson Tri-Gas, Inc. Liquid vapor delivery system and method of maintaining a constant level of fluid therein
KR100497748B1 (ko) 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
US7411352B2 (en) 2002-09-19 2008-08-12 Applied Process Technologies, Inc. Dual plasma beam sources and method
JP2004128019A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Applied Materials Inc プラズマ処理方法及び装置
JP2004127957A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法と半導体装置
JP2004134553A (ja) 2002-10-10 2004-04-30 Sony Corp レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
EP1408140A1 (en) 2002-10-11 2004-04-14 STMicroelectronics S.r.l. A high-density plasma process for depositing a layer of Silicon Nitride
KR100460841B1 (ko) 2002-10-22 2004-12-09 한국전자통신연구원 플라즈마 인가 원자층 증착법을 통한 질소첨가 산화물박막의 형성방법
KR100520902B1 (ko) 2002-11-20 2005-10-12 주식회사 아이피에스 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
KR100496265B1 (ko) 2002-11-29 2005-06-17 한국전자통신연구원 반도체 소자의 박막 형성방법
TW200410337A (en) 2002-12-02 2004-06-16 Au Optronics Corp Dry cleaning method for plasma reaction chamber
US6858524B2 (en) 2002-12-03 2005-02-22 Asm International, Nv Method of depositing barrier layer for metal gates
US7122414B2 (en) 2002-12-03 2006-10-17 Asm International, Inc. Method to fabricate dual metal CMOS devices
US6895158B2 (en) 2002-12-09 2005-05-17 Eastman Kodak Company Waveguide and method of smoothing optical surfaces
US7092287B2 (en) 2002-12-18 2006-08-15 Asm International N.V. Method of fabricating silicon nitride nanodots
AU2003301074A1 (en) 2002-12-20 2004-07-22 Brooks Automation, Inc. System and method for on-the-fly eccentricity recognition
USD486891S1 (en) 2003-01-21 2004-02-17 Richard W. Cronce, Jr. Vent pipe protective cover
USD497977S1 (en) 2003-01-22 2004-11-02 Tour & Andersson Ab Sealing ring membrane
US7122222B2 (en) 2003-01-23 2006-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof
US20040144980A1 (en) 2003-01-27 2004-07-29 Ahn Kie Y. Atomic layer deposition of metal oxynitride layers as gate dielectrics and semiconductor device structures utilizing metal oxynitride layers
US7129165B2 (en) 2003-02-04 2006-10-31 Asm Nutool, Inc. Method and structure to improve reliability of copper interconnects
US7163721B2 (en) 2003-02-04 2007-01-16 Tegal Corporation Method to plasma deposit on organic polymer dielectric film
JP4402044B2 (ja) 2003-02-06 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US6876017B2 (en) 2003-02-08 2005-04-05 Intel Corporation Polymer sacrificial light absorbing structure and method
TWI338323B (en) 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices
US20040168627A1 (en) 2003-02-27 2004-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Atomic layer deposition of oxide film
US6930059B2 (en) 2003-02-27 2005-08-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition
US7091453B2 (en) 2003-02-27 2006-08-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus by means of light irradiation
US7098149B2 (en) 2003-03-04 2006-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US7192892B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited dielectric layers
JP2004273766A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Watanabe Shoko:Kk 気化装置及びそれを用いた成膜装置並びに気化方法及び成膜方法
JP4369203B2 (ja) 2003-03-24 2009-11-18 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
JP2004294638A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト材料およびレジストパターン形成方法
US7393207B2 (en) 2003-03-26 2008-07-01 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer support tool for heat treatment and heat treatment apparatus
US7208389B1 (en) 2003-03-31 2007-04-24 Novellus Systems, Inc. Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7037376B2 (en) 2003-04-11 2006-05-02 Applied Materials Inc. Backflush chamber clean
US7077973B2 (en) 2003-04-18 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Methods for substrate orientation
TW200506093A (en) 2003-04-21 2005-02-16 Aviza Tech Inc System and method for forming multi-component films
US7221553B2 (en) 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20040261712A1 (en) 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
US7601223B2 (en) 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7033113B2 (en) 2003-05-01 2006-04-25 Shell Oil Company Mid-line connector and method for pipe-in-pipe electrical heating
US6939817B2 (en) 2003-05-08 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Removal of carbon from an insulative layer using ozone
US7265061B1 (en) 2003-05-09 2007-09-04 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for UV exposure of low dielectric constant materials for porogen removal and improved mechanical properties
EP1623454A2 (en) 2003-05-09 2006-02-08 ASM America, Inc. Reactor surface passivation through chemical deactivation
US8512798B2 (en) 2003-06-05 2013-08-20 Superpower, Inc. Plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system
US7141500B2 (en) 2003-06-05 2006-11-28 American Air Liquide, Inc. Methods for forming aluminum containing films utilizing amino aluminum precursors
US7589003B2 (en) 2003-06-13 2009-09-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law GeSn alloys and ordered phases with direct tunable bandgaps grown directly on silicon
US7598513B2 (en) 2003-06-13 2009-10-06 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law SixSnyGe1-x-y and related alloy heterostructures based on Si, Ge and Sn
WO2004114368A2 (en) 2003-06-13 2004-12-29 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University METHOD FOR PREPARING GE1-x-ySnxEy (E=P, As, Sb) SEMICONDUCTORS AND RELATED Si-Ge-Sn-E AND Si-Ge-E ANALOGS
US7192824B2 (en) 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
KR20050001793A (ko) 2003-06-26 2005-01-07 삼성전자주식회사 단원자층 증착 공정의 실시간 분석 방법
US7547363B2 (en) 2003-07-08 2009-06-16 Tosoh Finechem Corporation Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof
US7055875B2 (en) 2003-07-11 2006-06-06 Asyst Technologies, Inc. Ultra low contact area end effector
JP4298421B2 (ja) 2003-07-23 2009-07-22 エスペック株式会社 サーマルプレートおよび試験装置
US6909839B2 (en) 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US7122481B2 (en) 2003-07-25 2006-10-17 Intel Corporation Sealing porous dielectrics with silane coupling reagents
US7399388B2 (en) 2003-07-25 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Sequential gas flow oxide deposition technique
WO2005017963A2 (en) 2003-08-04 2005-02-24 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition on germanium
JP2005072405A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法
KR100901892B1 (ko) 2003-09-03 2009-06-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 구조체
US7335277B2 (en) 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
US7235482B2 (en) 2003-09-08 2007-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a contact interconnection layer containing a metal and nitrogen by atomic layer deposition for deep sub-micron semiconductor technology
KR100551138B1 (ko) 2003-09-09 2006-02-10 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 균일한 플라즈마 발생을 위한 적응형 플라즈마 소스
US7414281B1 (en) 2003-09-09 2008-08-19 Spansion Llc Flash memory with high-K dielectric material between substrate and gate
US7132201B2 (en) 2003-09-12 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Transparent amorphous carbon structure in semiconductor devices
KR100938534B1 (ko) 2003-09-19 2010-01-25 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US6911399B2 (en) 2003-09-19 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method of controlling critical dimension microloading of photoresist trimming process by selective sidewall polymer deposition
JP4524554B2 (ja) 2003-09-25 2010-08-18 信越化学工業株式会社 γ，δ−不飽和カルボン酸及びそのシリルエステルの製造方法、カルボキシル基を有する有機ケイ素化合物及びその製造方法
US7156380B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
US7205247B2 (en) 2003-09-30 2007-04-17 Aviza Technology, Inc. Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric
US6875677B1 (en) 2003-09-30 2005-04-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films
US20050069651A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing system
US6974781B2 (en) 2003-10-20 2005-12-13 Asm International N.V. Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD
KR20060096445A (ko) 2003-10-29 2006-09-11 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 박막 성장용 반응 시스템
US7329947B2 (en) 2003-11-07 2008-02-12 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Heat treatment jig for semiconductor substrate
US8313277B2 (en) 2003-11-10 2012-11-20 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US7071118B2 (en) 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
US20050153571A1 (en) 2003-11-17 2005-07-14 Yoshihide Senzaki Nitridation of high-k dielectric films
KR100550641B1 (ko) 2003-11-22 2006-02-09 주식회사 하이닉스반도체 산화하프늄과 산화알루미늄이 혼합된 유전막 및 그 제조방법
JP4725085B2 (ja) 2003-12-04 2011-07-13 株式会社豊田中央研究所 非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法
US7143897B1 (en) 2003-12-09 2006-12-05 H20 International, Inc. Water filter
US7431966B2 (en) 2003-12-09 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate
KR100549273B1 (ko) 2004-01-15 2006-02-03 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치의 기판홀더
JP4513329B2 (ja) 2004-01-16 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7071051B1 (en) 2004-01-20 2006-07-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming a thin, high quality buffer layer in a field effect transistor and related structure
US7354847B2 (en) 2004-01-26 2008-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of trimming technology
JP4833859B2 (ja) 2004-01-30 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 流体用ギャップを有する基板ホルダとこの基板ホルダの製造方法
DE102004005385A1 (de) 2004-02-03 2005-10-20 Infineon Technologies Ag Verwendung von gelösten Hafniumalkoxiden bzw. Zirkoniumalkoxiden als Precursoren für Hafniumoxid- und Hafniumoxynitridschichten bzw. Zirkoniumoxid- und Zirkoniumoxynitridschichten
US20050181535A1 (en) 2004-02-17 2005-08-18 Yun Sun J. Method of fabricating passivation layer for organic devices
US7088003B2 (en) 2004-02-19 2006-08-08 International Business Machines Corporation Structures and methods for integration of ultralow-k dielectrics with improved reliability
US20050187647A1 (en) 2004-02-19 2005-08-25 Kuo-Hua Wang Intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool
US20050214458A1 (en) 2004-03-01 2005-09-29 Meiere Scott H Low zirconium hafnium halide compositions
US20060062910A1 (en) 2004-03-01 2006-03-23 Meiere Scott H Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US7407893B2 (en) 2004-03-05 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Liquid precursors for the CVD deposition of amorphous carbon films
US7079740B2 (en) 2004-03-12 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Use of amorphous carbon film as a hardmask in the fabrication of optical waveguides
KR100538096B1 (ko) 2004-03-16 2005-12-21 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법을 이용하는 커패시터 형성 방법
US7582555B1 (en) 2005-12-29 2009-09-01 Novellus Systems, Inc. CVD flowable gap fill
US7524735B1 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Novellus Systems, Inc Flowable film dielectric gap fill process
US20050214457A1 (en) 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
US20050221618A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Amrhein Frederick J System for controlling a plenum output flow geometry
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
US20050227502A1 (en) 2004-04-12 2005-10-13 Applied Materials, Inc. Method for forming an ultra low dielectric film by forming an organosilicon matrix and large porogens as a template for increased porosity
US7273526B2 (en) 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US7785672B2 (en) 2004-04-20 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films
US20060019502A1 (en) 2004-07-23 2006-01-26 Park Beom S Method of controlling the film properties of a CVD-deposited silicon nitride film
JP4317871B2 (ja) 2004-04-21 2009-08-19 株式会社日立国際電気 熱処理装置
USD553104S1 (en) 2004-04-21 2007-10-16 Tokyo Electron Limited Absorption board for an electric chuck used in semiconductor manufacture
US7708859B2 (en) 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
US7049247B2 (en) 2004-05-03 2006-05-23 International Business Machines Corporation Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US20060019033A1 (en) 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
US7271093B2 (en) 2004-05-24 2007-09-18 Asm Japan K.K. Low-carbon-doped silicon oxide film and damascene structure using same
JP2005340251A (ja) 2004-05-24 2005-12-08 Shin Etsu Chem Co Ltd プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置
US20050266173A1 (en) 2004-05-26 2005-12-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of distributed plasma processing system for conformal ion stimulated nanoscale deposition process
US7580388B2 (en) 2004-06-01 2009-08-25 Lg Electronics Inc. Method and apparatus for providing enhanced messages on common control channel in wireless communication system
US7651583B2 (en) 2004-06-04 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate
US7132360B2 (en) 2004-06-10 2006-11-07 Freescale Semiconductor, Inc. Method for treating a semiconductor surface to form a metal-containing layer
US7396743B2 (en) 2004-06-10 2008-07-08 Singh Kaushal K Low temperature epitaxial growth of silicon-containing films using UV radiation
KR100589062B1 (ko) 2004-06-10 2006-06-12 삼성전자주식회사 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법
JP4534619B2 (ja) 2004-06-21 2010-09-01 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体シリコン基板用熱処理治具
CN101133475B (zh) 2004-07-09 2012-02-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 带有反射器的uvc/vuv电介质阻挡放电灯
US7422653B2 (en) 2004-07-13 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Single-sided inflatable vertical slit valve
US7094442B2 (en) 2004-07-13 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Methods for the reduction and elimination of particulate contamination with CVD of amorphous carbon
KR100578819B1 (ko) 2004-07-15 2006-05-11 삼성전자주식회사 원자층 적층 방법과 이를 이용한 게이트 구조물의 제조방법 및 커패시터의 제조 방법
US20060016783A1 (en) 2004-07-22 2006-01-26 Dingjun Wu Process for titanium nitride removal
US20060021703A1 (en) 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US20090107404A1 (en) 2004-07-30 2009-04-30 Katten Muchin Rosenman Llp Epitaxial reactor with susceptor controlled positioning
US7470633B2 (en) 2004-08-09 2008-12-30 Asm Japan K.K. Method of forming a carbon polymer film using plasma CVD
KR101071136B1 (ko) 2004-08-27 2011-10-10 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치의 제조를 위한 기판의 박막처리장치
ITMI20041677A1 (it) 2004-08-30 2004-11-30 E T C Epitaxial Technology Ct Processo di pulitura e processo operativo per un reattore cvd.
DE102004042431B4 (de) 2004-08-31 2008-07-03 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabeschichtung von Werkstücken mit spektraler Auswertung der Prozessparameter und Verwendung der Vorrichtung
US8158488B2 (en) 2004-08-31 2012-04-17 Micron Technology, Inc. Method of increasing deposition rate of silicon dioxide on a catalyst
US7910288B2 (en) 2004-09-01 2011-03-22 Micron Technology, Inc. Mask material conversion
US7253084B2 (en) 2004-09-03 2007-08-07 Asm America, Inc. Deposition from liquid sources
US20060137609A1 (en) 2004-09-13 2006-06-29 Puchacz Jerzy P Multi-single wafer processing apparatus
US20060060930A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Metz Matthew V Atomic layer deposition of high dielectric constant gate dielectrics
DE102005045081B4 (de) 2004-09-29 2011-07-07 Covalent Materials Corp. Suszeptor
US7241475B2 (en) 2004-09-30 2007-07-10 The Aerospace Corporation Method for producing carbon surface films by plasma exposure of a carbide compound
US6874247B1 (en) 2004-10-12 2005-04-05 Tsang-Hung Hsu Toothbrush dryer
US20060257563A1 (en) 2004-10-13 2006-11-16 Seok-Joo Doh Method of fabricating silicon-doped metal oxide layer using atomic layer deposition technique
CN101645394A (zh) 2004-10-19 2010-02-10 佳能安内华股份有限公司 基板支撑、运送用托盘
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7163900B2 (en) 2004-11-01 2007-01-16 Infineon Technologies Ag Using polydentate ligands for sealing pores in low-k dielectrics
JP2006135161A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Canon Inc 絶縁膜の形成方法及び装置
JP4435666B2 (ja) 2004-11-09 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法、成膜方法
US7678682B2 (en) 2004-11-12 2010-03-16 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films
TWI538013B (zh) 2004-11-18 2016-06-11 尼康股份有限公司 A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method
KR100773755B1 (ko) 2004-11-18 2007-11-09 주식회사 아이피에스 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법
EP1953794B1 (en) 2004-11-24 2012-02-01 Oerlikon Solar AG, Trübbach Vacuum processing chamber for very large area substrates
US20060113806A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Asm Japan K.K. Wafer transfer mechanism
US20060113675A1 (en) 2004-12-01 2006-06-01 Chung-Liang Chang Barrier material and process for Cu interconnect
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7290813B2 (en) 2004-12-16 2007-11-06 Asyst Technologies, Inc. Active edge grip rest pad
US7396732B2 (en) 2004-12-17 2008-07-08 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) Formation of deep trench airgaps and related applications
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
JP4560681B2 (ja) 2004-12-24 2010-10-13 ミネベア株式会社 多灯式放電灯点灯装置
JP2006186271A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Sharp Corp 気相成長装置および成膜済基板の製造方法
US20060205223A1 (en) 2004-12-30 2006-09-14 Smayling Michael C Line edge roughness reduction compatible with trimming
US7846499B2 (en) 2004-12-30 2010-12-07 Asm International N.V. Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
US7598516B2 (en) 2005-01-07 2009-10-06 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
KR101463581B1 (ko) 2005-01-18 2014-11-20 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 박막 성장용 반응 시스템
KR100640550B1 (ko) 2005-01-26 2006-10-31 주식회사 아이피에스 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법
US7135402B2 (en) 2005-02-01 2006-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy
US7298009B2 (en) 2005-02-01 2007-11-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor method and device with mixed orientation substrate
KR20070108918A (ko) 2005-02-22 2007-11-13 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 원자층 증착을 위한 표면의 플라즈마 전처리
JP4764028B2 (ja) 2005-02-28 2011-08-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
US7629267B2 (en) 2005-03-07 2009-12-08 Asm International N.V. High stress nitride film and method for formation thereof
US6972478B1 (en) 2005-03-07 2005-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit and method for its manufacture
US7314835B2 (en) 2005-03-21 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7422636B2 (en) 2005-03-25 2008-09-09 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination
US20060226117A1 (en) 2005-03-29 2006-10-12 Bertram Ronald T Phase change based heating element system and method
JP2008536318A (ja) 2005-04-07 2008-09-04 アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド 多層多成分高ｋ膜及びそれを堆積させる方法
US7479198B2 (en) 2005-04-07 2009-01-20 Timothy D'Annunzio Methods for forming nanofiber adhesive structures
KR100640640B1 (ko) 2005-04-19 2006-10-31 삼성전자주식회사 미세 피치의 하드마스크를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법
JP4694878B2 (ja) 2005-04-20 2011-06-08 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US7160819B2 (en) 2005-04-25 2007-01-09 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method to perform selective atomic layer deposition of zinc oxide
US8137465B1 (en) 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
US20060251827A1 (en) 2005-05-09 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Tandem uv chamber for curing dielectric materials
US7875556B2 (en) 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US7312162B2 (en) 2005-05-17 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition
US20060260545A1 (en) 2005-05-17 2006-11-23 Kartik Ramaswamy Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system
US7422775B2 (en) 2005-05-17 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing
US7109098B1 (en) 2005-05-17 2006-09-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing
US20070155138A1 (en) 2005-05-24 2007-07-05 Pierre Tomasini Apparatus and method for depositing silicon germanium films
US7732342B2 (en) 2005-05-26 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Method to increase the compressive stress of PECVD silicon nitride films
KR100997868B1 (ko) 2005-05-31 2010-12-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
WO2006134930A1 (ja) 2005-06-13 2006-12-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
US20060278524A1 (en) 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
JP4853857B2 (ja) 2005-06-15 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法，コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板処理装置
JP4753173B2 (ja) 2005-06-17 2011-08-24 株式会社フジキン 流体制御装置
JP2007005582A (ja) 2005-06-24 2007-01-11 Asm Japan Kk 基板搬送装置及びそれを搭載した半導体基板製造装置
US7575990B2 (en) 2005-07-01 2009-08-18 Macronix International Co., Ltd. Method of forming self-aligned contacts and local interconnects
EP1907599A2 (en) 2005-07-08 2008-04-09 Aviza Technology, Inc. Method for depositing silicon-containing films
US20070010072A1 (en) 2005-07-09 2007-01-11 Aviza Technology, Inc. Uniform batch film deposition process and films so produced
WO2007007995A1 (en) 2005-07-09 2007-01-18 Bang-Kwon Kang Surface coating method for hydrophobic and superhydrophobic treatment in atmospheric pressure plasma
US7762755B2 (en) 2005-07-11 2010-07-27 Brooks Automation, Inc. Equipment storage for substrate processing apparatus
JP2009500869A (ja) 2005-07-11 2009-01-08 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド オンザフライ（ｏｎｔｈｅｆｌｙ）ワークピースセンタリングを備えた装置
US7314838B2 (en) 2005-07-21 2008-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a high density dielectric film by chemical vapor deposition
JP2007035747A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
JP2007035899A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハプローバ用ウエハ保持体及びそれを搭載したウエハプローバ
TWI313486B (en) 2005-07-28 2009-08-11 Nuflare Technology Inc Position measurement apparatus and method and writing apparatus and method
US20070028842A1 (en) 2005-08-02 2007-02-08 Makoto Inagawa Vacuum chamber bottom
US20090045829A1 (en) 2005-08-04 2009-02-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with same
US20070037412A1 (en) 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Electron Limited In-situ atomic layer deposition
US7429532B2 (en) 2005-08-08 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask
US7323401B2 (en) 2005-08-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask
US7312148B2 (en) 2005-08-08 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing
US7335611B2 (en) 2005-08-08 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer
US7718225B2 (en) 2005-08-17 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Method to control semiconductor film deposition characteristics
USD557226S1 (en) 2005-08-25 2007-12-11 Hitachi High-Technologies Corporation Electrode cover for a plasma processing apparatus
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7393736B2 (en) 2005-08-29 2008-07-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
JP2007088113A (ja) 2005-09-21 2007-04-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7691204B2 (en) 2005-09-30 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation
US7785658B2 (en) 2005-10-07 2010-08-31 Asm Japan K.K. Method for forming metal wiring structure
US7691205B2 (en) 2005-10-18 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-supporting device
US7994721B2 (en) 2005-10-27 2011-08-09 Luxim Corporation Plasma lamp and methods using a waveguide body and protruding bulb
US7906910B2 (en) 2005-10-27 2011-03-15 Luxim Corporation Plasma lamp with conductive material positioned relative to RF feed
US7638951B2 (en) 2005-10-27 2009-12-29 Luxim Corporation Plasma lamp with stable feedback amplification and method therefor
DE102005051994B4 (de) 2005-10-31 2011-12-01 Globalfoundries Inc. Verformungsverfahrenstechnik in Transistoren auf Siliziumbasis unter Anwendung eingebetteter Halbleiterschichten mit Atomen mit einem großen kovalenten Radius
JP4940635B2 (ja) 2005-11-14 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
KR100660890B1 (ko) 2005-11-16 2006-12-26 삼성전자주식회사 Ａｌｄ를 이용한 이산화실리콘막 형성 방법
GB2432363B (en) 2005-11-16 2010-06-23 Epichem Ltd Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition
US20070116873A1 (en) 2005-11-18 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
US7629277B2 (en) 2005-11-23 2009-12-08 Honeywell International Inc. Frag shield
US20070125762A1 (en) 2005-12-01 2007-06-07 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
JP4666496B2 (ja) 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
US7592251B2 (en) 2005-12-08 2009-09-22 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum titanium oxide films
US7381644B1 (en) 2005-12-23 2008-06-03 Novellus Systems, Inc. Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask
JP4629574B2 (ja) 2005-12-27 2011-02-09 日本発條株式会社 基板支持装置と、その製造方法
KR101296911B1 (ko) 2005-12-28 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 그의 정전기량 검출장치 및검출방법
TWI284390B (en) 2006-01-10 2007-07-21 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of charge store device
US8088248B2 (en) 2006-01-11 2012-01-03 Lam Research Corporation Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system
JP2007191792A (ja) 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
US20070173071A1 (en) 2006-01-20 2007-07-26 International Business Machines Corporation SiCOH dielectric
US20080254220A1 (en) 2006-01-20 2008-10-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8673413B2 (en) 2006-01-27 2014-03-18 Tosoh Finechem Corporation Method for packing solid organometallic compound and packed container
JP4854317B2 (ja) 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US8057603B2 (en) 2006-02-13 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Method of cleaning substrate processing chamber, storage medium, and substrate processing chamber
US20070207275A1 (en) 2006-02-21 2007-09-06 Applied Materials, Inc. Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films
US7740705B2 (en) 2006-03-08 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system
US7794546B2 (en) 2006-03-08 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Sealing device and method for a processing system
US7460003B2 (en) 2006-03-09 2008-12-02 International Business Machines Corporation Electronic fuse with conformal fuse element formed over a freestanding dielectric spacer
US7494882B2 (en) 2006-03-10 2009-02-24 Texas Instruments Incorporated Manufacturing a semiconductive device using a controlled atomic layer removal process
KR20070093493A (ko) 2006-03-14 2007-09-19 엘지이노텍 주식회사 서셉터 및 반도체 제조장치
US8268078B2 (en) 2006-03-16 2012-09-18 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system
US20070218200A1 (en) 2006-03-16 2007-09-20 Kenji Suzuki Method and apparatus for reducing particle formation in a vapor distribution system
US7566891B2 (en) 2006-03-17 2009-07-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for treating a substrate with UV radiation using primary and secondary reflectors
US7410915B2 (en) 2006-03-23 2008-08-12 Asm Japan K.K. Method of forming carbon polymer film using plasma CVD
US20070234955A1 (en) 2006-03-29 2007-10-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing carbon monoxide poisoning at the peripheral edge of a substrate in a thin film deposition system
JP2007266464A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US8951478B2 (en) 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US7780865B2 (en) 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US20070237697A1 (en) 2006-03-31 2007-10-11 Tokyo Electron Limited Method of forming mixed rare earth oxide and aluminate films by atomic layer deposition
US20070287301A1 (en) 2006-03-31 2007-12-13 Huiwen Xu Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics
US7396491B2 (en) 2006-04-06 2008-07-08 Osram Sylvania Inc. UV-emitting phosphor and lamp containing same
US7902074B2 (en) 2006-04-07 2011-03-08 Micron Technology, Inc. Simplified pitch doubling process flow
US20070248767A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Asm Japan K.K. Method of self-cleaning of carbon-based film
US7410852B2 (en) 2006-04-21 2008-08-12 International Business Machines Corporation Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate field effect transistors
FR2900276B1 (fr) 2006-04-25 2008-09-12 St Microelectronics Sa Depot peald d'un materiau a base de silicium
US8231799B2 (en) 2006-04-28 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone
US7537804B2 (en) 2006-04-28 2009-05-26 Micron Technology, Inc. ALD methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form materials over substrates
US7875312B2 (en) 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US7790634B2 (en) 2006-05-30 2010-09-07 Applied Materials, Inc Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
JP2009539237A (ja) 2006-06-02 2009-11-12 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 新規なチタン、ジルコニウムおよびハフニウム前駆体をベースとするｈｉｇｈ−ｋ誘電体フィルムを形成する方法および半導体製造におけるそれらの使用
US20070277735A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Nima Mokhlesi Systems for Atomic Layer Deposition of Oxides Using Krypton as an Ion Generating Feeding Gas
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7691757B2 (en) 2006-06-22 2010-04-06 Asm International N.V. Deposition of complex nitride films
US7554103B2 (en) 2006-06-26 2009-06-30 Applied Materials, Inc. Increased tool utilization/reduction in MWBC for UV curing chamber
US7867578B2 (en) 2006-06-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage
US20080153311A1 (en) 2006-06-28 2008-06-26 Deenesh Padhi Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage
US7416989B1 (en) 2006-06-30 2008-08-26 Novellus Systems, Inc. Adsorption based material removal process
WO2008004278A1 (fr) 2006-07-04 2008-01-10 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Procédé et dispositif de concentration / dilution de gaz spécifique
JP4193883B2 (ja) 2006-07-05 2008-12-10 住友電気工業株式会社 有機金属気相成長装置
KR100799735B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-01 삼성전자주식회사 금속 산화물 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR100791334B1 (ko) 2006-07-26 2008-01-07 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법
FR2904328B1 (fr) 2006-07-27 2008-10-24 St Microelectronics Sa Depot par adsorption sous un champ electrique
US7749879B2 (en) 2006-08-03 2010-07-06 Micron Technology, Inc. ALD of silicon films on germanium
US7514375B1 (en) 2006-08-08 2009-04-07 Novellus Systems, Inc. Pulsed bias having high pulse frequency for filling gaps with dielectric material
GB0615722D0 (en) 2006-08-08 2006-09-20 Boc Group Plc Apparatus for conveying a waste stream
US8080282B2 (en) 2006-08-08 2011-12-20 Asm Japan K.K. Method for forming silicon carbide film containing oxygen
TW200814131A (en) 2006-08-11 2008-03-16 Schott Ag External electrode fluorescent lamp with optimized operating efficiency
WO2008020267A2 (en) 2006-08-16 2008-02-21 Freescale Semiconductor, Inc. Etch method in the manufacture of an integrated circuit
KR100753020B1 (ko) 2006-08-30 2007-08-30 한국화학연구원 원자층 증착법을 이용한 비휘발성 부유 게이트 메모리소자를 위한 나노적층체의 제조방법
US7611980B2 (en) 2006-08-30 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures
US7690881B2 (en) 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
JP4943780B2 (ja) 2006-08-31 2012-05-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20080057659A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
US7605030B2 (en) 2006-08-31 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates
US7544604B2 (en) 2006-08-31 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Tantalum lanthanide oxynitride films
JP4762835B2 (ja) 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
USD613829S1 (en) 2006-09-13 2010-04-13 Hayward Industries, Inc. Circular suction outlet assembly cover
US7789965B2 (en) 2006-09-19 2010-09-07 Asm Japan K.K. Method of cleaning UV irradiation chamber
US7976898B2 (en) 2006-09-20 2011-07-12 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
JP2008074963A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Fujifilm Corp 組成物、膜、およびその製造方法
US7718553B2 (en) 2006-09-21 2010-05-18 Asm Japan K.K. Method for forming insulation film having high density
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
WO2008039943A2 (en) 2006-09-27 2008-04-03 Vserv Tech Wafer processing system with dual wafer robots capable of asynchronous motion
TWI462179B (zh) 2006-09-28 2014-11-21 Tokyo Electron Ltd 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置
US7476291B2 (en) 2006-09-28 2009-01-13 Lam Research Corporation High chamber temperature process and chamber design for photo-resist stripping and post-metal etch passivation
DE102006046374B4 (de) 2006-09-29 2010-11-11 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Reduzieren der Lackvergiftung während des Strukturierens von Siliziumnitridschichten in einem Halbleiterbauelement
US7767262B2 (en) 2006-09-29 2010-08-03 Tokyo Electron Limited Nitrogen profile engineering in nitrided high dielectric constant films
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
USD593969S1 (en) 2006-10-10 2009-06-09 Tokyo Electron Limited Processing chamber for manufacturing semiconductors
KR101480971B1 (ko) 2006-10-10 2015-01-09 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 전구체 전달 시스템
CN100451163C (zh) 2006-10-18 2009-01-14 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器
JP2008108991A (ja) 2006-10-27 2008-05-08 Daihen Corp ワーク保持機構
US7851232B2 (en) 2006-10-30 2010-12-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing
US7611751B2 (en) 2006-11-01 2009-11-03 Asm America, Inc. Vapor deposition of metal carbide films
US7888273B1 (en) 2006-11-01 2011-02-15 Novellus Systems, Inc. Density gradient-free gap fill
US7727864B2 (en) 2006-11-01 2010-06-01 Asm America, Inc. Controlled composition using plasma-enhanced atomic layer deposition
JP2008117903A (ja) 2006-11-02 2008-05-22 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7955516B2 (en) 2006-11-02 2011-06-07 Applied Materials, Inc. Etching of nano-imprint templates using an etch reactor
WO2008056295A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Nxp B.V. A semiconductor device and a method of manufacturing thereof
US7776395B2 (en) 2006-11-14 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials
US7749574B2 (en) 2006-11-14 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Low temperature ALD SiO2
US7671134B2 (en) 2006-11-15 2010-03-02 Brady Worldwide, Inc. Compositions with improved adhesion to low surface energy substrates
US7976634B2 (en) 2006-11-21 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems
US20080124946A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films
US7807575B2 (en) 2006-11-29 2010-10-05 Micron Technology, Inc. Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices
US20080178805A1 (en) 2006-12-05 2008-07-31 Applied Materials, Inc. Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode
WO2008073763A2 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Innovalight, Inc. Methods for creating a densified group iv semiconductor nanoparticle thin film
US7960236B2 (en) 2006-12-12 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Phosphorus containing Si epitaxial layers in N-type source/drain junctions
DE102007003416A1 (de) 2007-01-16 2008-07-17 Hansgrohe Ag Duschvorrichtung
DE102007002962B3 (de) 2007-01-19 2008-07-31 Qimonda Ag Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht und zum Herstellen eines Kondensators
JP5109376B2 (ja) 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
US20080191193A1 (en) 2007-01-22 2008-08-14 Xuegeng Li In situ modification of group iv nanoparticles using gas phase nanoparticle reactors
US7550090B2 (en) 2007-01-23 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Oxygen plasma clean to remove carbon species deposited on a glass dome surface
US7833353B2 (en) 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
US20080173239A1 (en) 2007-01-24 2008-07-24 Yuri Makarov Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor
US20080179715A1 (en) 2007-01-30 2008-07-31 Micron Technology, Inc. Shallow trench isolation using atomic layer deposition during fabrication of a semiconductor device
JP2008192643A (ja) 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US7500397B2 (en) 2007-02-15 2009-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films
JP2008202107A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4805862B2 (ja) 2007-02-21 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法
US20080207007A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
DE102007009914B4 (de) 2007-02-28 2010-04-22 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Halbleiterbauelement in Form eines Feldeffekttransistors mit einem Zwischenschichtdielektrikumsmaterial mit erhöhter innerer Verspannung und Verfahren zur Herstellung desselben
US20080216077A1 (en) 2007-03-02 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Software sequencer for integrated substrate processing system
US20080220619A1 (en) 2007-03-09 2008-09-11 Asm Japan K.K. Method for increasing mechanical strength of dielectric film by using sequential combination of two types of uv irradiation
US7833913B2 (en) 2007-03-20 2010-11-16 Tokyo Electron Limited Method of forming crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based films
US7763869B2 (en) 2007-03-23 2010-07-27 Asm Japan K.K. UV light irradiating apparatus with liquid filter
US7435987B1 (en) 2007-03-27 2008-10-14 Intel Corporation Forming a type I heterostructure in a group IV semiconductor
US7651961B2 (en) 2007-03-30 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
US8235001B2 (en) 2007-04-02 2012-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US20080241384A1 (en) 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
KR100829759B1 (ko) 2007-04-04 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 카바이드 유도 탄소를 이용한 카본나노튜브 혼성체, 이를포함하는 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자방출 소자
US8357214B2 (en) * 2007-04-26 2013-01-22 Trulite, Inc. Apparatus, system, and method for generating a gas from solid reactant pouches
US7575968B2 (en) 2007-04-30 2009-08-18 Freescale Semiconductor, Inc. Inverse slope isolation and dual surface orientation integration
US7713874B2 (en) 2007-05-02 2010-05-11 Asm America, Inc. Periodic plasma annealing in an ALD-type process
JP5103056B2 (ja) 2007-05-15 2012-12-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20080299326A1 (en) 2007-05-30 2008-12-04 Asm Japan K.K. Plasma cvd apparatus having non-metal susceptor
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US7807578B2 (en) 2007-06-01 2010-10-05 Applied Materials, Inc. Frequency doubling using spacer mask
US8142606B2 (en) 2007-06-07 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same
US20080302303A1 (en) 2007-06-07 2008-12-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a uniform silicon film with flow gradient designs
KR101101785B1 (ko) 2007-06-08 2012-01-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 패터닝 방법
JP4427562B2 (ja) 2007-06-11 2010-03-10 株式会社東芝 パターン形成方法
USD575713S1 (en) 2007-06-21 2008-08-26 Ratcliffe Peter W Vehicle accessory
US8017182B2 (en) 2007-06-21 2011-09-13 Asm International N.V. Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD
CN100590804C (zh) 2007-06-22 2010-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 原子层沉积方法以及形成的半导体器件
US20090000550A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Applied Materials, Inc. Manifold assembly
US20090033907A1 (en) 2007-07-05 2009-02-05 Nikon Corporation Devices and methods for decreasing residual chucking forces
US7501292B2 (en) 2007-07-19 2009-03-10 Asm Japan K.K. Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate
JP4900110B2 (ja) 2007-07-20 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 薬液気化タンク及び薬液処理システム
US7720560B2 (en) 2007-07-26 2010-05-18 International Business Machines Corporation Semiconductor manufacturing process monitoring
US8008166B2 (en) 2007-07-26 2011-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a substrate surface
US8004045B2 (en) 2007-07-27 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for producing the same
US20090041984A1 (en) 2007-08-10 2009-02-12 Nano Terra Inc. Structured Smudge-Resistant Coatings and Methods of Making and Using the Same
US20090041952A1 (en) 2007-08-10 2009-02-12 Asm Genitech Korea Ltd. Method of depositing silicon oxide films
US7745352B2 (en) 2007-08-27 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process
US8440259B2 (en) 2007-09-05 2013-05-14 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
US20100255625A1 (en) 2007-09-07 2010-10-07 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma
CA122619S (en) 2007-10-09 2010-01-27 Silvano Breda Shower strainer
JP5347294B2 (ja) 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP4986784B2 (ja) 2007-09-18 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP5236983B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体
US20090085156A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Gilbert Dewey Metal surface treatments for uniformly growing dielectric layers
US8041450B2 (en) 2007-10-04 2011-10-18 Asm Japan K.K. Position sensor system for substrate transfer robot
US7776698B2 (en) 2007-10-05 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Selective formation of silicon carbon epitaxial layer
US20090090382A1 (en) 2007-10-05 2009-04-09 Asm Japan K.K. Method of self-cleaning of carbon-based film
JP2009091848A (ja) 2007-10-11 2009-04-30 Kiyoshi Hanadate 軸材
US20090095221A1 (en) 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas concentric injection showerhead
US7803722B2 (en) 2007-10-22 2010-09-28 Applied Materials, Inc Methods for forming a dielectric layer within trenches
US7867923B2 (en) 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7541297B2 (en) 2007-10-22 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill
US7939447B2 (en) 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US7615831B2 (en) 2007-10-26 2009-11-10 International Business Machines Corporation Structure and method for fabricating self-aligned metal contacts
CA123273S (en) 2007-11-19 2010-01-27 Silvano Breda Shower strainer
CA123272S (en) 2007-11-19 2010-01-27 Silvano Breda Shower strainer
US8272516B2 (en) 2007-11-19 2012-09-25 Caterpillar Inc. Fluid filter system
US8021723B2 (en) 2007-11-27 2011-09-20 Asm Japan K.K. Method of plasma treatment using amplitude-modulated RF power
CN101878518B (zh) 2007-11-28 2012-04-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 电介质阻挡放电灯
US8060252B2 (en) 2007-11-30 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. High throughput method of in transit wafer position correction in system using multiple robots
US7651959B2 (en) 2007-12-03 2010-01-26 Asm Japan K.K. Method for forming silazane-based dielectric film
US20090139657A1 (en) 2007-12-04 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Etch system
US8440569B2 (en) 2007-12-07 2013-05-14 Cadence Design Systems, Inc. Method of eliminating a lithography operation
US8003174B2 (en) 2007-12-13 2011-08-23 Asm Japan K.K. Method for forming dielectric film using siloxane-silazane mixture
CN101896992B (zh) 2007-12-17 2013-01-30 株式会社Orc制作所 放电灯
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US7998875B2 (en) 2007-12-19 2011-08-16 Lam Research Corporation Vapor phase repair and pore sealing of low-K dielectric materials
US8501637B2 (en) 2007-12-21 2013-08-06 Asm International N.V. Silicon dioxide thin films by ALD
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
KR101013413B1 (ko) 2008-01-07 2011-02-14 한국과학기술연구원 플라즈마 표면 처리를 이용한 투명 기체 차단 필름의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 기체 차단 필름
US7935940B1 (en) 2008-01-08 2011-05-03 Novellus Systems, Inc. Measuring in-situ UV intensity in UV cure tool
US20090203197A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Hiroji Hanawa Novel method for conformal plasma immersed ion implantation assisted by atomic layer deposition
GB0802486D0 (en) 2008-02-12 2008-03-19 Gilbert Patrick C Warm water economy device
US20090214777A1 (en) 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
KR100968132B1 (ko) 2008-02-29 2010-07-06 (주)얼라이드 테크 파인더즈 안테나 및 이를 구비한 반도체 장치
USD585968S1 (en) 2008-03-06 2009-02-03 West Coast Washers, Inc. Pipe flashing
EP2099067A1 (en) 2008-03-07 2009-09-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Process for adjusting the friction coefficient between surfaces of two solid objects
US7816278B2 (en) 2008-03-28 2010-10-19 Tokyo Electron Limited In-situ hybrid deposition of high dielectric constant films using atomic layer deposition and chemical vapor deposition
US20090246399A1 (en) 2008-03-28 2009-10-01 Asm Japan K.K. Method for activating reactive oxygen species for cleaning carbon-based film deposition
US8252114B2 (en) 2008-03-28 2012-08-28 Tokyo Electron Limited Gas distribution system and method for distributing process gas in a processing system
USD590933S1 (en) 2008-03-31 2009-04-21 Mcp Industries, Inc. Vent cap device
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US7963736B2 (en) 2008-04-03 2011-06-21 Asm Japan K.K. Wafer processing apparatus with wafer alignment device
US20090250955A1 (en) 2008-04-07 2009-10-08 Applied Materials, Inc. Wafer transfer blade
WO2009129391A2 (en) 2008-04-17 2009-10-22 Applied Materials, Inc. Low temperature thin film transistor process, device property, and device stability improvement
US20090269506A1 (en) 2008-04-24 2009-10-29 Seiji Okura Method and apparatus for cleaning of a CVD reactor
US8252194B2 (en) 2008-05-02 2012-08-28 Micron Technology, Inc. Methods of removing silicon oxide
US7632549B2 (en) 2008-05-05 2009-12-15 Asm Japan K.K. Method of forming a high transparent carbon film
US8076237B2 (en) 2008-05-09 2011-12-13 Asm America, Inc. Method and apparatus for 3D interconnect
US20090286402A1 (en) 2008-05-13 2009-11-19 Applied Materials, Inc Method for critical dimension shrink using conformal pecvd films
US8277670B2 (en) 2008-05-13 2012-10-02 Lam Research Corporation Plasma process with photoresist mask pretreatment
US8333842B2 (en) 2008-05-15 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching semiconductor wafers
US8298628B2 (en) 2008-06-02 2012-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature deposition of silicon-containing films
WO2009146744A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler
JP2009295932A (ja) 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8726837B2 (en) 2008-06-23 2014-05-20 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber vision and monitoring system
US8702867B2 (en) 2008-07-08 2014-04-22 Jusung Engineering Co., Ltd. Gas distribution plate and substrate treating apparatus including the same
JP5183336B2 (ja) 2008-07-15 2013-04-17 富士フイルム株式会社 表示装置
US8058138B2 (en) 2008-07-17 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Gap processing
USD614593S1 (en) 2008-07-21 2010-04-27 Asm Genitech Korea Ltd Substrate support for a semiconductor deposition apparatus
USD609652S1 (en) 2008-07-22 2010-02-09 Tokyo Electron Limited Wafer attracting plate
CN104277144A (zh) 2008-07-31 2015-01-14 卢布里佐尔公司 共聚物及其润滑组合物
WO2010017136A1 (en) 2008-08-04 2010-02-11 Amir Dassoud Dabiran Microchannel plate photocathode
KR20100015213A (ko) 2008-08-04 2010-02-12 삼성전기주식회사 Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
US20110220874A1 (en) 2008-08-08 2011-09-15 Tobias Hanrath Inorganic Bulk Multijunction Materials and Processes for Preparing the Same
US8129555B2 (en) 2008-08-12 2012-03-06 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same
KR101017170B1 (ko) 2008-08-13 2011-02-25 주식회사 동부하이텍 백 메탈 공정챔버
JP5338335B2 (ja) 2008-08-13 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 搬送容器の開閉装置及びプローブ装置
US8263502B2 (en) 2008-08-13 2012-09-11 Synos Technology, Inc. Forming substrate structure by filling recesses with deposition material
US8147648B2 (en) 2008-08-15 2012-04-03 Lam Research Corporation Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus
US20100055442A1 (en) 2008-09-03 2010-03-04 International Business Machines Corporation METHOD OF PE-ALD OF SiNxCy AND INTEGRATION OF LINER MATERIALS ON POROUS LOW K SUBSTRATES
JP2010087467A (ja) 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
USD643055S1 (en) 2008-09-11 2011-08-09 Asm Japan K.K. Heater block for use in a semiconductor processing tool
US9711373B2 (en) 2008-09-22 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices
DE102008049353A1 (de) 2008-09-29 2010-04-08 Vat Holding Ag Vakuumventil
US20100081293A1 (en) 2008-10-01 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film
USD609655S1 (en) 2008-10-03 2010-02-09 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck
CN103337453B (zh) 2008-10-07 2017-10-24 应用材料公司 用于从蚀刻基板有效地移除卤素残余物的设备
KR101627297B1 (ko) 2008-10-13 2016-06-03 한국에이에스엠지니텍 주식회사 플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법
CN102187432B (zh) 2008-10-14 2013-07-31 应用材料公司 利用等离子体增强化学气相沉积来沉积共形无定形碳膜层的方法
WO2010044978A1 (en) 2008-10-15 2010-04-22 Arizona Board of Regents, a body corporate acting for and on behalf of Arizona State University Hybrid group iv/iii-v semiconductor structures
US7745346B2 (en) 2008-10-17 2010-06-29 Novellus Systems, Inc. Method for improving process control and film conformality of PECVD film
JP2010097834A (ja) 2008-10-17 2010-04-30 Ushio Inc バックライトユニット
WO2010062582A2 (en) 2008-10-27 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Vapor deposition method for ternary compounds
JP5062143B2 (ja) 2008-11-10 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8647722B2 (en) 2008-11-14 2014-02-11 Asm Japan K.K. Method of forming insulation film using plasma treatment cycles
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP2010153769A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板位置検出装置、基板位置検出方法、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
US20100130017A1 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Axcelis Technologies, Inc. Front end of line plasma mediated ashing processes and apparatus
US8138676B2 (en) 2008-12-01 2012-03-20 Mills Robert L Methods and systems for dimmable fluorescent lighting using multiple frequencies
WO2010065473A2 (en) 2008-12-01 2010-06-10 Applied Materials, Inc. Gas distribution blocker apparatus
US8252659B2 (en) 2008-12-02 2012-08-28 Imec Method for producing interconnect structures for integrated circuits
JP5390846B2 (ja) 2008-12-09 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法
US20100151206A1 (en) 2008-12-11 2010-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material
KR20100075070A (ko) 2008-12-24 2010-07-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US20100176513A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 International Business Machines Corporation Structure and method of forming metal interconnect structures in ultra low-k dielectrics
JP5846917B2 (ja) 2009-01-11 2016-01-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を移動させるシステム、装置、および方法
US8151814B2 (en) 2009-01-13 2012-04-10 Asm Japan K.K. Method for controlling flow and concentration of liquid precursor
USD606952S1 (en) 2009-01-16 2009-12-29 Asm Genitech Korea Ltd. Plasma inducing plate for semiconductor deposition apparatus
US8591659B1 (en) 2009-01-16 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Plasma clean method for deposition chamber
US8142862B2 (en) 2009-01-21 2012-03-27 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US7919416B2 (en) 2009-01-21 2011-04-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US7972980B2 (en) 2009-01-21 2011-07-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US8680650B2 (en) 2009-02-03 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Capacitor structures having improved area efficiency
US8307472B1 (en) 2009-02-04 2012-11-13 Thomas Jason Saxon Light emitting diode system
CN102308380B (zh) 2009-02-04 2014-06-04 马特森技术有限公司 用于径向调整衬底的表面上的温度轮廓的静电夹具系统及方法
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
US20120003500A1 (en) 2009-02-16 2012-01-05 Mitsubishi Plastics, Inc. Process for producing multilayered gas-barrier film
JP5221421B2 (ja) 2009-03-10 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及びプラズマ処理装置
US8703624B2 (en) 2009-03-13 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric films comprising silicon and methods for making same
WO2010109848A1 (ja) 2009-03-26 2010-09-30 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5292160B2 (ja) 2009-03-31 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 ガス流路構造体及び基板処理装置
US8284601B2 (en) 2009-04-01 2012-10-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising three-dimensional memory cell array
US8197915B2 (en) 2009-04-01 2012-06-12 Asm Japan K.K. Method of depositing silicon oxide film by plasma enhanced atomic layer deposition at low temperature
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5338443B2 (ja) 2009-04-14 2013-11-13 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハの製造方法
CN102414794B (zh) 2009-04-21 2015-01-28 应用材料公司 改良膜厚度不均匀性与粒子表现的cvd设备
US8071452B2 (en) 2009-04-27 2011-12-06 Asm America, Inc. Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides
JP5136574B2 (ja) 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7842622B1 (en) 2009-05-15 2010-11-30 Asm Japan K.K. Method of forming highly conformal amorphous carbon layer
US8004198B2 (en) 2009-05-28 2011-08-23 Osram Sylvania Inc. Resetting an electronic ballast in the event of fault
US20100317198A1 (en) 2009-06-12 2010-12-16 Novellus Systems, Inc. Remote plasma processing of interface surfaces
USD652896S1 (en) 2009-06-17 2012-01-24 Neoperl Gmbh Faucet stream former
US7825040B1 (en) 2009-06-22 2010-11-02 Asm Japan K.K. Method for depositing flowable material using alkoxysilane or aminosilane precursor
KR101110080B1 (ko) 2009-07-08 2012-03-13 주식회사 유진테크 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법
US20110006406A1 (en) 2009-07-08 2011-01-13 Imec Fabrication of porogen residues free and mechanically robust low-k materials
JP2011023718A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Asm Japan Kk ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法
IN2012DN00642A (ko) 2009-07-17 2015-08-21 Mitsui Chemicals Inc
US8071451B2 (en) 2009-07-29 2011-12-06 Axcelis Technologies, Inc. Method of doping semiconductors
US8741788B2 (en) 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101031226B1 (ko) 2009-08-21 2011-04-29 에이피시스템 주식회사 급속열처리 장치의 히터블록
USD634719S1 (en) 2009-08-27 2011-03-22 Ebara Corporation Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus
US20110117728A1 (en) 2009-08-27 2011-05-19 Applied Materials, Inc. Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean
US20110183079A1 (en) 2009-08-31 2011-07-28 Penn State Research Foundation Plasma enhanced atomic layer deposition process
JP5457109B2 (ja) 2009-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN203225233U (zh) 2009-09-10 2013-10-02 朗姆研究公司 一种陶瓷侧气体喷射器
US20110061810A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
EP2306497B1 (en) 2009-10-02 2012-06-06 Imec Method for manufacturing a low defect interface between a dielectric and a III/V compound
US8173554B2 (en) 2009-10-14 2012-05-08 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film having Si-N bonds by modified peald method
US8415259B2 (en) 2009-10-14 2013-04-09 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by modified PEALD method
US8465791B2 (en) 2009-10-16 2013-06-18 Msp Corporation Method for counting particles in a gas
US20110097901A1 (en) 2009-10-26 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly
JP5451324B2 (ja) 2009-11-10 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8854734B2 (en) 2009-11-12 2014-10-07 Vela Technologies, Inc. Integrating optical system and methods
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
CN102074462B (zh) 2009-11-19 2014-02-26 罗门哈斯电子材料有限公司 形成电子器件的方法
KR20110055912A (ko) 2009-11-20 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
AU329418S (en) 2009-11-23 2010-01-29 Pusher tool
US20110139748A1 (en) 2009-12-15 2011-06-16 University Of Houston Atomic layer etching with pulsed plasmas
US8328494B2 (en) 2009-12-15 2012-12-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. In vacuum optical wafer heater for cryogenic processing
US20110159202A1 (en) 2009-12-29 2011-06-30 Asm Japan K.K. Method for Sealing Pores at Surface of Dielectric Layer by UV Light-Assisted CVD
USD653734S1 (en) 2010-01-08 2012-02-07 Bulk Tank, Inc. Screened gasket
US20110183269A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hongbin Zhu Methods Of Forming Patterns, And Methods For Trimming Photoresist Features
US8480942B2 (en) 2010-01-27 2013-07-09 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method of forming a patterned layer of a material on a substrate
JP5258981B2 (ja) 2010-02-05 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板保持具及び基板搬送装置及び基板処理装置
KR101080604B1 (ko) 2010-02-09 2011-11-04 성균관대학교산학협력단 원자층 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법
US8293658B2 (en) 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
US8241991B2 (en) 2010-03-05 2012-08-14 Asm Japan K.K. Method for forming interconnect structure having airgap
FR2957716B1 (fr) 2010-03-18 2012-10-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de finition d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant
US8709551B2 (en) 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
US8252691B2 (en) 2010-04-14 2012-08-28 Asm Genitech Korea Ltd. Method of forming semiconductor patterns
US8728956B2 (en) 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
CZ303655B6 (cs) 2010-04-16 2013-01-30 Skutchanová@Zuzana Zpusob výroby brousicího povrchu skleneného kosmetického prípravku
US8707754B2 (en) 2010-04-30 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for calibrating flow controllers in substrate processing systems
US8721798B2 (en) 2010-04-30 2014-05-13 Applied Materials, Inc. Methods for processing substrates in process systems having shared resources
US20110265951A1 (en) 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
US20110294075A1 (en) 2010-05-25 2011-12-01 United Microelectronics Corp. Patterning method
US8912353B2 (en) 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
JP5525339B2 (ja) 2010-06-10 2014-06-18 ナブテスコ株式会社 ロボットアーム
US9443753B2 (en) 2010-07-30 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber
US8669185B2 (en) 2010-07-30 2014-03-11 Asm Japan K.K. Method of tailoring conformality of Si-containing film
US8357608B2 (en) 2010-08-09 2013-01-22 International Business Machines Corporation Multi component dielectric layer
US9449858B2 (en) 2010-08-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
US8685845B2 (en) 2010-08-20 2014-04-01 International Business Machines Corporation Epitaxial growth of silicon doped with carbon and phosphorus using hydrogen carrier gas
US8945305B2 (en) 2010-08-31 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Methods of selectively forming a material using parylene coating
EP2426233B1 (en) 2010-09-03 2013-05-01 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Use of dialkyl monoalkoxy aluminum for the growth of Al2O3 thin films for photovoltaic applications
US8394466B2 (en) 2010-09-03 2013-03-12 Asm Japan K.K. Method of forming conformal film having si-N bonds on high-aspect ratio pattern
US8192901B2 (en) 2010-10-21 2012-06-05 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate-holding tool
USD654884S1 (en) 2010-10-21 2012-02-28 Tokyo Electron Limited Top plate for reactor for manufacturing semiconductor
US8845806B2 (en) 2010-10-22 2014-09-30 Asm Japan K.K. Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions
CN103180932A (zh) 2010-10-27 2013-06-26 应用材料公司 用于控制光刻胶线宽粗糙度的方法及设备
CN103168344A (zh) 2010-11-03 2013-06-19 应用材料公司 用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
US8470187B2 (en) 2010-11-05 2013-06-25 Asm Japan K.K. Method of depositing film with tailored comformality
KR20140138328A (ko) 2010-11-05 2014-12-03 비코 에이엘디 인코포레이티드 다중 플라즈마 챔버를 구비한 라디칼 반응기
US20120121823A1 (en) 2010-11-12 2012-05-17 Applied Materials, Inc. Process for lowering adhesion layer thickness and improving damage resistance for thin ultra low-k dielectric film
KR101801409B1 (ko) 2010-12-20 2017-12-20 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단
JP5735304B2 (ja) 2010-12-21 2015-06-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法およびガス供給管
US8314034B2 (en) 2010-12-23 2012-11-20 Intel Corporation Feature size reduction
JP2012138500A (ja) 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP5675331B2 (ja) 2010-12-27 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 トレンチの埋め込み方法
US8901016B2 (en) 2010-12-28 2014-12-02 Asm Japan K.K. Method of forming metal oxide hardmask
JP5573666B2 (ja) 2010-12-28 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置及び成膜装置
FR2970110B1 (fr) 2010-12-29 2013-09-06 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'une couche de dielectrique polycristalline
TWI553146B (zh) * 2010-12-30 2016-10-11 應用材料股份有限公司 使用微波電漿之薄膜沉積
JP5609663B2 (ja) 2011-01-18 2014-10-22 旭硝子株式会社 ガラス基板保持手段、およびそれを用いたｅｕｖマスクブランクスの製造方法
US8465811B2 (en) 2011-01-28 2013-06-18 Asm Japan K.K. Method of depositing film by atomic layer deposition with pulse-time-modulated plasma
JP2012164736A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20120263876A1 (en) 2011-02-14 2012-10-18 Asm Ip Holding B.V. Deposition of silicon dioxide on hydrophobic surfaces
US8563443B2 (en) 2011-02-18 2013-10-22 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen
US8329599B2 (en) 2011-02-18 2012-12-11 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen
CN202259160U (zh) 2011-02-21 2012-05-30 盛陶盟(香港)有限公司 陶瓷玻璃合成电极及其荧光灯
US8735299B2 (en) 2011-03-03 2014-05-27 Tokyo Electron Limited Semiconductor device manufacturing method and computer-readable storage medium
US8466411B2 (en) 2011-03-03 2013-06-18 Asm Japan K.K. Calibration method of UV sensor for UV curing
JP5820731B2 (ja) 2011-03-22 2015-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および固体原料補充方法
JP5203482B2 (ja) 2011-03-28 2013-06-05 株式会社小松製作所 加熱装置
EP2691977B1 (en) 2011-03-31 2019-06-05 IMEC vzw Method for growing a monocrystalline tin-containing semiconductor material
US8900402B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
US8298951B1 (en) 2011-04-13 2012-10-30 Asm Japan K.K. Footing reduction using etch-selective layer
KR20130137043A (ko) 2011-04-15 2013-12-13 다즈모 가부시키가이샤 웨이퍼 교환 장치 및 웨이퍼 지지용 핸드
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
US8492170B2 (en) 2011-04-25 2013-07-23 Applied Materials, Inc. UV assisted silylation for recovery and pore sealing of damaged low K films
US8592005B2 (en) 2011-04-26 2013-11-26 Asm Japan K.K. Atomic layer deposition for controlling vertical film growth
USD655055S1 (en) 2011-04-28 2012-02-28 Carolyn Grace Toll Pet outfit
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US20120304935A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 Oosterlaken Theodorus G M Bubbler assembly and method for vapor flow control
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US8927318B2 (en) 2011-06-14 2015-01-06 International Business Machines Corporation Spalling methods to form multi-junction photovoltaic structure
US9175392B2 (en) 2011-06-17 2015-11-03 Intermolecular, Inc. System for multi-region processing
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US8962400B2 (en) 2011-07-07 2015-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-situ doping of arsenic for source and drain epitaxy
US20130014697A1 (en) 2011-07-12 2013-01-17 Asm Japan K.K. Container Having Multiple Compartments Containing Liquid Material for Multiple Wafer-Processing Chambers
JP5940342B2 (ja) 2011-07-15 2016-06-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法、ならびに記憶媒体
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US8617411B2 (en) 2011-07-20 2013-12-31 Lam Research Corporation Methods and apparatus for atomic layer etching
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8778448B2 (en) 2011-07-21 2014-07-15 International Business Machines Corporation Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys
US8551892B2 (en) 2011-07-27 2013-10-08 Asm Japan K.K. Method for reducing dielectric constant of film using direct plasma of hydrogen
US20130048606A1 (en) 2011-08-31 2013-02-28 Zhigang Mao Methods for in-situ chamber dry clean in photomask plasma etching processing chamber
US20130217239A1 (en) 2011-09-09 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Flowable silicon-and-carbon-containing layers for semiconductor processing
US20130217241A1 (en) 2011-09-09 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Treatments for decreasing etch rates after flowable deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing layers
US20130064973A1 (en) 2011-09-09 2013-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chamber Conditioning Method
US20130217240A1 (en) 2011-09-09 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Flowable silicon-carbon-nitrogen layers for semiconductor processing
US20130217243A1 (en) 2011-09-09 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Doping of dielectric layers
US20130068970A1 (en) 2011-09-21 2013-03-21 Asm Japan K.K. UV Irradiation Apparatus Having UV Lamp-Shared Multiple Process Stations
JP5549655B2 (ja) 2011-09-26 2014-07-16 株式会社安川電機 ハンドおよびロボット
US8993072B2 (en) 2011-09-27 2015-03-31 Air Products And Chemicals, Inc. Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9644796B2 (en) 2011-09-29 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
US8569184B2 (en) 2011-09-30 2013-10-29 Asm Japan K.K. Method for forming single-phase multi-element film by PEALD
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
TWI606136B (zh) 2011-11-04 2017-11-21 Ａｓｍ國際股份有限公司 沉積摻雜氧化矽的方法以及用於沉積摻雜氧化矽至基板上的原子層沉積製程
US8927059B2 (en) 2011-11-08 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Deposition of metal films using alane-based precursors
US20130122712A1 (en) 2011-11-14 2013-05-16 Jong Mun Kim Method of etching high aspect ratio features in a dielectric layer
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US10276410B2 (en) 2011-11-25 2019-04-30 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate support device
US8633115B2 (en) 2011-11-30 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods for atomic layer etching
USD691974S1 (en) 2011-12-22 2013-10-22 Tokyo Electron Limited Holding pad for transferring a wafer
WO2013095651A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Intel Corporation Non-planar gate all-around device and method of fabrication thereof
US8883028B2 (en) 2011-12-28 2014-11-11 Lam Research Corporation Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems
USD676943S1 (en) 2012-01-11 2013-02-26 Bill Kluss Pipe end cap
US20130183814A1 (en) 2012-01-13 2013-07-18 Applied Materials, Inc. Method of depositing a silicon germanium tin layer on a substrate
USD665055S1 (en) 2012-01-24 2012-08-07 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP5601331B2 (ja) 2012-01-26 2014-10-08 株式会社安川電機 ロボットハンドおよびロボット
US8728955B2 (en) 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
JP5912637B2 (ja) 2012-02-17 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
US20130224964A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Asm Ip Holding B.V. Method for Forming Dielectric Film Containing Si-C bonds by Atomic Layer Deposition Using Precursor Containing Si-C-Si bond
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
KR102140719B1 (ko) 2012-03-09 2020-08-03 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 디스플레이 디바이스를 위한 배리어 물질
US8912101B2 (en) 2012-03-15 2014-12-16 Asm Ip Holding B.V. Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD
USD715410S1 (en) 2012-03-21 2014-10-14 Blucher Metal A/S Roof drain
US9082684B2 (en) 2012-04-02 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Method of epitaxial doped germanium tin alloy formation
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9460912B2 (en) 2012-04-12 2016-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films
US8535767B1 (en) 2012-04-18 2013-09-17 Asm Ip Holding B.V. Method for repairing damage of dielectric film by hydrocarbon restoration and hydrocarbon depletion using UV irradiation
US8647439B2 (en) 2012-04-26 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Method of epitaxial germanium tin alloy surface preparation
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8785215B2 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Asm Ip Holding B.V. Method for repairing damage of dielectric film by cyclic processes
US9337018B2 (en) 2012-06-01 2016-05-10 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors
US20130330911A1 (en) 2012-06-08 2013-12-12 Yi-Chiau Huang Method of semiconductor film stabilization
US8722546B2 (en) 2012-06-11 2014-05-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon-containing dielectric film by cyclic deposition with side wall coverage control
US9984866B2 (en) 2012-06-12 2018-05-29 Component Re-Engineering Company, Inc. Multiple zone heater
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9023737B2 (en) 2012-07-11 2015-05-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal, homogeneous dielectric film by cyclic deposition and heat treatment
US8784950B2 (en) 2012-07-16 2014-07-22 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum oxide film using Al compound containing alkyl group and alkoxy or alkylamine group
US9938303B2 (en) 2012-07-20 2018-04-10 American Air Liquide, Inc. Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US8911826B2 (en) * 2012-08-02 2014-12-16 Asm Ip Holding B.V. Method of parallel shift operation of multiple reactors
US8664627B1 (en) 2012-08-08 2014-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for supplying gas with flow rate gradient over substrate
US8912070B2 (en) 2012-08-16 2014-12-16 The Institute of Microelectronics Chinese Academy of Science Method for manufacturing semiconductor device
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8742668B2 (en) 2012-09-05 2014-06-03 Asm Ip Holdings B.V. Method for stabilizing plasma ignition
KR102296150B1 (ko) 2012-09-07 2021-08-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 멀티-챔버 진공 시스템 확인 내에서의 다공성 유전체, 폴리머-코팅된 기판들 및 에폭시의 통합 프로세싱
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US20140077240A1 (en) 2012-09-17 2014-03-20 Radek Roucka Iv material photonic device on dbr
US8921207B2 (en) 2012-09-24 2014-12-30 Asm Ip Holding B.V., Inc. Tin precursors for vapor deposition and deposition processes
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
JP6042160B2 (ja) 2012-10-03 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9353441B2 (en) 2012-10-05 2016-05-31 Asm Ip Holding B.V. Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus
US20140099798A1 (en) 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP2014086472A (ja) 2012-10-19 2014-05-12 Sinfonia Technology Co Ltd クランプ装置及びワーク搬送ロボット
JP5960028B2 (ja) 2012-10-31 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20140116335A1 (en) 2012-10-31 2014-05-01 Asm Ip Holding B.V. UV Irradiation Apparatus with Cleaning Mechanism and Method for Cleaning UV Irradiation Apparatus
US9105587B2 (en) 2012-11-08 2015-08-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor structures with sulfur dioxide etch chemistries
US8784951B2 (en) 2012-11-16 2014-07-22 Asm Ip Holding B.V. Method for forming insulation film using non-halide precursor having four or more silicons
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20140182053A1 (en) 2012-12-29 2014-07-03 Alexander Yeh Industry Co., Ltd. Pullable drain plug
US9018093B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming layer constituted by repeated stacked layers
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
KR20140102782A (ko) 2013-02-14 2014-08-25 삼성전자주식회사 웨이퍼 이송용 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치
USD723153S1 (en) 2013-03-08 2015-02-24 Olen Borkholder Recess ceiling fan bezel
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8841182B1 (en) 2013-03-14 2014-09-23 Asm Ip Holding B.V. Silane and borane treatments for titanium carbide films
US9666702B2 (en) 2013-03-15 2017-05-30 Matthew H. Kim Advanced heterojunction devices and methods of manufacturing advanced heterojunction devices
JP6096547B2 (ja) 2013-03-21 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワープレート
USD734377S1 (en) 2013-03-28 2015-07-14 Hirata Corporation Top cover of a load lock chamber
US8864202B1 (en) 2013-04-12 2014-10-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Spring retained end effector contact pad
US9142393B2 (en) 2013-05-23 2015-09-22 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process
US9365924B2 (en) 2013-05-23 2016-06-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film by plasma-assisted deposition using two-frequency combined pulsed RF power
USD726365S1 (en) 2013-05-29 2015-04-07 Sis Resources Ltd. Mouthpiece plug for electronic cigarette
US9245740B2 (en) 2013-06-07 2016-01-26 Dnf Co., Ltd. Amino-silyl amine compound, method for preparing the same and silicon-containing thin-film using the same
US9117657B2 (en) 2013-06-07 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for filling recesses using pre-treatment with hydrocarbon-containing gas
US9123510B2 (en) 2013-06-12 2015-09-01 ASM IP Holding, B.V. Method for controlling in-plane uniformity of substrate processed by plasma-assisted process
US20140367043A1 (en) 2013-06-17 2014-12-18 Applied Materials, Inc. Method for fast and repeatable plasma ignition and tuning in plasma chambers
EP3014651B8 (en) 2013-06-26 2018-12-26 Applied Materials, Inc. Methods of depositing a metal alloy film
US9677176B2 (en) 2013-07-03 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum, dual-temperature showerhead
USD705745S1 (en) 2013-07-08 2014-05-27 Witricity Corporation Printed resonator coil
JP5861676B2 (ja) 2013-07-08 2016-02-16 株式会社安川電機 吸着構造、ロボットハンドおよびロボット
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US8940646B1 (en) * 2013-07-12 2015-01-27 Lam Research Corporation Sequential precursor dosing in an ALD multi-station/batch reactor
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9190263B2 (en) 2013-08-22 2015-11-17 Asm Ip Holding B.V. Method for forming SiOCH film using organoaminosilane annealing
US9136108B2 (en) 2013-09-04 2015-09-15 Asm Ip Holding B.V. Method for restoring porous surface of dielectric layer by UV light-assisted ALD
USD716742S1 (en) 2013-09-13 2014-11-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus
USD724553S1 (en) 2013-09-13 2015-03-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus
US10312127B2 (en) 2013-09-16 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Compliant robot blade for defect reduction
CN105556654B (zh) 2013-09-26 2019-07-26 应用材料公司 用于传送基板的气动终端受动器装置、基板传送系统与方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9029272B1 (en) 2013-10-31 2015-05-12 Asm Ip Holding B.V. Method for treating SiOCH film with hydrogen plasma
USD739222S1 (en) 2013-11-13 2015-09-22 Jeff Chadbourne Two-piece magnetic clamp
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10431489B2 (en) 2013-12-17 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation
US9698035B2 (en) 2013-12-23 2017-07-04 Lam Research Corporation Microstructures for improved wafer handling
USD720838S1 (en) 2014-02-04 2015-01-06 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD726884S1 (en) 2014-02-04 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Heater block
USD732145S1 (en) 2014-02-04 2015-06-16 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD724701S1 (en) 2014-02-04 2015-03-17 ASM IP Holding, B.V. Shower plate
US9370863B2 (en) 2014-02-04 2016-06-21 Asm Ip Holding B.V. Anti-slip end-effector for transporting workpiece
USD732644S1 (en) 2014-02-04 2015-06-23 Asm Ip Holding B.V. Top plate
USD725168S1 (en) 2014-02-04 2015-03-24 Asm Ip Holding B.V. Heater block
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US20150267295A1 (en) 2014-03-19 2015-09-24 Asm Ip Holding B.V. Removable substrate tray and assembly and reactor including same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9343350B2 (en) 2014-04-03 2016-05-17 Asm Ip Holding B.V. Anti-slip end effector for transporting workpiece using van der waals force
US9663857B2 (en) 2014-04-07 2017-05-30 Asm Ip Holding B.V. Method for stabilizing reaction chamber pressure
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US9464352B2 (en) 2014-05-02 2016-10-11 Asm Ip Holding B.V. Low-oxidation plasma-assisted process
TWI518751B (zh) 2014-05-14 2016-01-21 國立清華大學 成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法
USD743513S1 (en) 2014-06-13 2015-11-17 Asm Ip Holding B.V. Seal ring
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003505874A (ja) * 1999-06-15 2003-02-12 ミッドウエスト リサーチ インスティチュート 多結晶シリコン被膜成長の方法およびその装置
US6638839B2 (en) * 2001-07-26 2003-10-28 The University Of Toledo Hot-filament chemical vapor deposition chamber and process with multiple gas inlets
US20070054499A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Terasemicon Co., Ltd. Apparatus and method for forming polycrystalline silicon thin film

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170131259A (ko) * 2016-05-20 2017-11-29 램 리써치 코포레이션 고체 전구체 및 액체 전구체를 위한 증기 전달 방법 및 장치
WO2021096907A1 (en) * 2019-11-12 2021-05-20 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods
US11798820B2 (en) 2019-11-12 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods
WO2022035099A1 (ko) * 2020-08-12 2022-02-17 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2023146194A1 (ko) * 2022-01-27 2023-08-03 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 금속산화물반도체 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP6516517B2 (ja) 2019-05-22
TW201546323A (zh) 2015-12-16
TWI670390B (zh) 2019-09-01
US20150267297A1 (en) 2015-09-24
KR102362025B1 (ko) 2022-02-10
US9447498B2 (en) 2016-09-20
JP2015179843A (ja) 2015-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102362025B1 (ko) 가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법
CN106591801B (zh) 利用peald在凹槽中沉积介电膜的方法
KR102172822B1 (ko) 펄싱된 원격 플라즈마 방법 및 시스템
KR20200027430A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US8911826B2 (en) Method of parallel shift operation of multiple reactors
KR20170074193A (ko) 고상 확산 공정을 위한 실리콘 산화물 캡층의 형성 방법
JP2015061075A (ja) プラズマアシストプロセスにより酸化膜を生成する方法
KR20150060592A (ko) 원자층 증착에 의해 컨포멀 질화, 산화 또는 탄화된 유전체 막을 형성하는 방법
KR20160088818A (ko) 플라즈마 강화 원자 층 식각의 방법
CN104916569A (zh) 立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法
US7129189B1 (en) Aluminum phosphate incorporation in silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD)
JP6319171B2 (ja) 成膜装置
KR20150118552A (ko) Cvd-반응기에서의 배기 가스 정화를 위한 장치 및 방법
KR20180114925A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
TW201736634A (zh) 混合氣體複數系統供給體系及利用該體系的基板處理裝置
US20170107615A1 (en) Gas-phase deposition process
US10676823B2 (en) Processing method and processing apparatus
US9920425B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
KR102656744B1 (ko) 배면 보우 보상 증착의 스테이션-대-스테이션 (station-to-station) 제어
US20230212747A1 (en) Apparatus and Methods for Self-Assembled Monolayer (SAM) Deposition in Semiconductor Equipment
JP2008506617A5 (ko)
KR101062457B1 (ko) 화학기상증착장치와 이를 위한 가스 공급방법
KR102663011B1 (ko) 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조체
KR20230173597A (ko) 개선된 배기 구조를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220136149A (ko) 중간 처리 공정으로 실리콘 질화물을 증착하기 위한 방법 및 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant