KR101062457B1 - 화학기상증착장치와 이를 위한 가스 공급방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 화학기상증착장치는 챔버, 상기 챔버로부터 배출되는 가스를 배기하는 배기부, 상기 챔버로 공정 수행을 위하여 가스를 공급하기 위한 런라인과 상기 배기부로 상기 챔버로 공급되지 않는 가스를 배기하는 밴트라인을 구비하는 가스 공급부, 상기 가스 공급부는 상기 런라인 또는 상기 밴트라인으로 반응가스를 선택적으로 공급하는 반응가스 공급부와 상기 반응가스가 상기 런라인으로 공급되면 상기 밴트라인으로 압력 유지용 가스를 공급하고, 상기 밴트라인으로 상기 반응가스가 공급되면 상기 런라인으로 상기 압력 유지용 가스를 공급하는 압력 유지용 가스 공급부를 포함하는 것으로, 이에 따른 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 챔버 내부의 압력이 균일하게 유지될 수 있도록 하여 에피텍셜 공정 수행중 압력 변화에 의하여 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

화학기상증착장치와 이를 위한 가스 공급방법{Chemical Vapor Deposition apparatus and method of gas delivery thereof}
본 발명은 화학기상증착장치와 이를 위한 가스 공급방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 챔버로 공급되는 압력을 균일하게 유지될 수 있도록 하는 화학기상증착장치 및 이를 위한 가스 공급방법에 관한 것이다.
화학기상증착장치는 기판인 웨이퍼 상에 원하는 박막을 증착시키는 장치이다. 이 화학기상증착장치 중에서 금속 유기물 화학기상증착장치는 경우 3족과 5족 화학물을 챔버 내부로 공급하여 질화갈륨 박막을 성장시키는 장치이다. 이러한 금속 유기물 화학기상증착장치는 다층의 박막을 기판 상에 연속적으로 성장시킴에 따라 챔버로 공급되는 반응가스를 효과적으로 제어할 수 있어야 한다.
그런데 공정 수행중 반응가스만을 챔버 내부로 공급 또는 차단시키면 챔버 내부의 공정 공간의 압력이 변하게 된다. 이와 같이 공정 공간의 압력이 공정 수행중 변하게 되면 예측할 수 없는 공정 결과, 예를 들어 기판 상에 증착되는 박막의 두께가 기판의 위치마다 또는 기판마다 다르게 나타나는 문제점이 발생할 수 있기 때문에 고품질의 박막 증착 결과를 얻을 수 없는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 화학기상증착 공정 중에 챔버 내부로 반응가스의 공급하거나 차단하더라도 챔버 내부의 압력이 균일하게 유지될 수 있도록 하는 화학기상증착장치 및 이를 위한 가스 공급방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 화학기상증착장치는 챔버, 상기 챔버로부터 배출되는 가스를 배기하는 배기부, 상기 챔버로 공정 수행을 위하여 가스를 공급하기 위한 런라인과 상기 배기부로 상기 챔버로 공급되지 않는 가스를 배기하는 밴트라인을 구비하는 가스 공급부, 상기 가스 공급부는 상기 런라인 또는 상기 밴트라인으로 반응가스를 선택적으로 공급하는 반응가스 공급부와 상기 반응가스가 상기 런라인으로 공급되면 상기 밴트라인으로 압력 유지용 가스를 공급하고, 상기 밴트라인으로 상기 반응가스가 공급되면 상기 런라인으로 상기 압력 유지용 가스를 공급하는 압력 유지용 가스 공급부를 포함한다.
상기 가스 공급부는 상기 압력 유지용 가스의 공급 압력과 상기 반응가스의 공급 압력은 실질적으로 동일하게 유지되도록 하는 유량제어기를 포함할 수 있다.
상기 압력 유지용 가스는 비활성 가스일 수 있다. 상기 가스 공급부는 상기 압력 유지용 가스 공급부에서 공급되는 가스를 상기 런라인 또는 상기 밴트라인으로 선택적으로 공급하기 위한 압력 유지용 가스 공급부측 밸브와 상기 반응가스 공급부에서 공급되는 가스를 상기 런라인 가스 공급부 또는 상기 밴트라인 공급부로 선택적으로 공급하도록 하기 위한 반응가스 공급부측 밸브를 포함할 수 있다.
상기 반응가스 공급부는 복수개이고, 상기 압력 유지용 가스 공급부는 상기 반응가스 공급부의 개수만큼 복수개로 분기된 분기유로를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상증착장치의 가스 공급방법은 챔버 내부로 반응가스를 공급하기 위하여 상기 반응가스를 상기 챔버와 연결된 런라인을 통하여 공급함과 동시에 배기부와 연결된 밴트라인으로 상기 반응가스와 실질적으로 동일한 압력의 압력 유지용 가스를 공급하고, 상기 챔버 내부로 상기 반응가스의 공급을 차단하기 위하여 상기 반응가스를 상기 밴트라인으로 공급하고, 상기 압력 유지용 가스를 상기 런라인으로 공급한다. 상기 압력 유지용 가스는 비활성 가스일 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상증착장치 및 이를 위한 가스 공급방법은 챔버 내부의 압력이 균일하게 유지될 수 있도록 하여 에피텍셜 공정 수행중 압력 변화에 의하여 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상증착장치에서 가스공급부의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상증착방법을 도시한 도면이다.
도 4와 도 5는 본 실시예에 따른 화학기상증착방법에서 제 1반응가스의 공급방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 본 실시예에 따른 화학기상증착장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성도이다. 본 실시예에 따른 화학기상증착장치는 도 1에 도시된 바와 같이 에피텍셜 공정이 수행되는 챔버(100)를 구비한다. 챔버(100)에는 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하기 위한 가스공급부(200)의 제 1런라인(210)과 제 2런라인(211)이 연결된다.
그리고 챔버(100)의 가스 배출 측에는 챔버(100)로부터 배기되는 가스가 배기되는 배기부(300)가 연결된다. 배기부(300)는 배기가스의 정화를 위한 가스 스크러버(미도시)와 펌프(미도시) 등을 포함한다. 또한 배기부(300)에는 가스공급부(200)의 밴트라인(220)이 연결된다.
한편, 챔버(100)의 내부 상측에는 서로 다른 종류의 반응가스들을 챔버(100) 내부로 분리하여 분사하는 샤워헤드(110)가 구비된다. 샤워헤드(110)는 몸체(111)의 내부 최상측이 제 1런라인(210)이 연결되어 제 1반응가스를 공급하는 제 1층(112)으로 구비되고, 제 1층(112)의 하부가 제 2런라인(211)이 연결되어 제 2반응가스를 공급하는 제 2층(114)으로 구비된다. 그리고 제 2층(114)의 하부에는 냉각수가 공급되는 냉각층(116)이 구비된다.
또한 몸체(111)에는 다수의 가스 공급관(113)(115)이 삽입 설치된다. 여기서 제 3반응가스는 제 1반응가스 또는 제 2반응가스가 공급되는 제 1층(112) 또는 제 2층(114)에 연결될 수 있고, 필요에 따라 또 다른 반응가스가 제 1층 또는 제 2층에 선택적으로 연결될 수 있다.
가스 공급관(113)(115)은 제 1층(112)에 입구가 연통되어 제 2층(114)과 냉각층(116)을 관통하며 출구가 몸체(111)의 하측면으로 노출된 제 1가스 공급관(113)과 제 2층(114)에 입구가 연통되어 냉각층(116)을 관통하며 출구가 몸체(111)의 하측면으로 노출된 제 2가스 공급관(115)을 포함한다.
한편, 챔버(100)의 샤워헤드(110) 하부에는 서셉터(120)가 구비된다. 서셉터(120)에는 다수개의 기판(S)이 안착된다. 기판(S)은 에피텍셜 공정이 수행되는 웨이퍼일 수 있다.
서셉터(120)의 하부에는 회전축(160)이 구비되고, 챔버(100) 외부로 연장된 회전축(160)의 하단에는 모터(170)가 장착된다. 따라서 서셉터(120)는 공정 수행중에 회전할 수 있다.
챔버(100) 내부의 서셉터(120) 하부에는 서셉터(120)를 가열하는 히터(130)가 설치된다. 히터(130)는 복수개로 구비될 수 있다. 히터(130)는 서셉터(120)에 안착된 기판(S)을 최대 600℃ ~ 1,300℃ 로 가열할 수 있다. 히터(130)는 텅스텐 히터 또는 RF 히터 등으로 실시될 수 있다.
서셉터(120)와 히터(130)의 측부에는 챔버(100)의 바닥까지 연장된 격벽이 구비된다. 그리고 격벽과 챔버(100)의 내벽 사이에는 "J" 형태의 라이너(140)(Liner)가 설치될 수 있다. 이 라이너(140)는 챔버(100)와 격벽에 파티클이 증착되는 것을 차단하여 파티클에 의한 챔버(100)와 격벽을 보호하는 기능을 한다. 이 라이너(140)는 쿼츠(quartz)로 실시될 수 있다. 본 실시예에서 라이너(140)의 사용은 사용자가 선택할 수 있다.
챔버(100)의 하측부에는 배기구(180)가 형성된다. 배기구(180)는 라이너(140)에 형성된 홀과 연통된다. 배기구(180)에는 외부로 연장된 배기관(190)이 연결된다. 배기관(190)은 배기부(300)와 연결되어 있다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상증착장치에서 가스공급부의 구성을 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이 챔버(100)의 샤워헤드(110)에 가스를 공급하는 가스 공급부(200)는 공정 수행을 위한 반응가스인 제 1반응가스 공급부(280)와 제 2반응가스 공급부(281) 그리고 제 3반응가스 공급부(282)를 구비한다. 이 반응가스 공급부(280)(281)(282)는 공정 조건에 따라 보다 많은 종류와 수가 추가될 수 있다.
그리고 가스 공급부(200)는 제 1반응가스 공급부(250)와 제 2반응가스 공급부(251) 그리고 제 3반응가스 공급부(252)로부터 공급되는 반응가스들을 각각 챔버(100) 내부의 샤워헤드(110)로 이송하기 위하여 캐리어 가스를 공급하는 제 1런라인(210)과 제 2런라인(211)이 연결된 런라인 가스공급부(230)를 구비한다. 그리고 챔버(100) 내부의 설정 압력 유지를 위하여 배기부(300)와 연결된 밴트라인(220)을 구비하고, 이 밴트라인(220)으로 캐리어 가스를 공급하는 밴트라인 가스 공급부(240)를 구비한다.
또한 반응가스 공급부(280)(281)(282)와 교차하여 런라인(210) 또는 밴트라인(220)으로 반응가스 공급부(280)(281)(282)에서 공급되는 가스와 실질적으로 동일한 압력으로 가스를 공급하는 압력 유지용 가스 공급부(250)를 구비한다.
이와 같은 가스 공급부(200)는 각각의 반응가스 공급부, 압력 유지용 가스 공급부, 런라인 가스 공급부 그리고 밴트라인 가스 공급부 각각에 설치되어 가스의 유량 및 압력을 조절하는 유량제어기(290)(MFC; Mass flow controller)를 구비한다.
그리고 반응가스 공급부(280) 외에 압력 유지용 가스 공급부(250)와 런라인 가스 공급부(230) 그리고 밴트라인 가스 공급부(240)에서 공급하는 가스는 질소 또는 수소와 같은 비활성 가스가 사용될 수 있고, 또한 각각의 가스 공급부(230)(240)(250)(280)(281)(282)는 가스저장용기와 기타 유압제어장치들로 구성될 수 있다.
한편, 밴트라인(220)과 런라인(210)(211) 사이에는 반응가스와 압력 유지용 가스의 공급을 제어하기 위하여 다수의 3방향 밸브(260)(261)(262)(270)(271)(272)들이 설치된다. 압력 유지용 가스 공급부(250)에서 연장된 유로는 반응가스 공급부(280)(281)(282)의 숫자만큼 분기된 분기유로(251)(252)(253)를 구비하고, 이 각각의 분기유로(280)(281)(282)의 끝에는 3방향 밸브인 압력 유지용 가스 공급부측 밸브(260)(261)(262)가 설치된다. 이 압력 유지용 가스 공급부측 밸브(260)(261)(262)의 나머지 두 개의 유로중 하나는 제 1런라인(210) 또는 제 2런라인(211)에 연결되고, 나머지 하나의 유로는 밴트라인(220)에 연결된다.
또한, 각각의 반응가스 공급부(280)(281)(282)에서 연장된 유로의 끝단에는 3방밸브인 반응가스 공급부측 밸브(270)(271)(272)가 설치된다. 또한 이 반응가스 공급부측 밸브(270)(271)(272)의 나머지 두 개의 유로중 하나는 제 1런라인(210) 또는 제 2런라인(211)에 연결되고, 나머지 하나의 유로는 밴트라인(220)에 연결된다.
그리고 하나의 압력 유지용 가스 공급부측 밸브와 하나의 반응가스 공급부측 밸브는 서로 연동하도록 구성되는데, 예를 들어 압력 유지용 가스 공급부측 밸브가 압력 유지용 가스가 밴트라인으로 흐르도록 연결한다면, 반응가스 공급부측 밸브는 반응가스를 런라인으로 흐르도록 연결한다. 따라서 하나의 반응가스 공급부마다 2개의 3방향 밸브가 유로 상에서 연동되어 챔버(100) 내부로의 반응가스 공급이 제어되도록 구성된다.
이하에서는 본 실시예에 따른 화학기상증착방법에 대하여 설명한다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상증착방법을 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이 화학기상증착공정의 수행을 위하여 반응가스를 챔버(100) 내부에 런라인(210)을 통하여 공급하고(S10), 소정 공정이 완료된 후 다음 공정의 진행을 위하여 이전의 반응가스를 런라인(210)에서 밴트라인(220)으로 공급 방향을 전환하여 공급하고, 이와 동시에 반응가스의 공급 압력과 실질적으로 동일한 압력의 압력 유지용 가스를 런라인(210)으로 공급한다(S20).
이로 인하여 챔버(100) 내부의 압력은 샤워헤드(111)를 통하여 반응가스가 공급될 때와 압력 유지용 가스가 샤워헤드(111)로 공급될 때의 압력이 동일하게 유지된다. 그리고 압력 유지용 가스는 캐리어 가스와 동일한 종류의 가스가 사용된다.
이에 대하여 보다 구체적으로 하나의 반응가스를 챔버로 공급하는 방법에 대하여 도 4와 도 5를 참고하여 예시적으로 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이 하나의 제 1반응가스를 공정 수행을 위하여 챔버(100)로 공급할 때 제 1반응가스 공급부측 밸브(270)는 제 1반응가스 공급부(280)에서 제공되는 반응가스를 런라인(210)으로 연결하여 챔버(100)로 공급한다. 그리고 이때에 공급되는 제 1반응가스와 동일한 압력의 압력 유지용 가스는 제 1압력 유지용 가스 공급부측 밸브(260)에 의하여 밴트라인(220)으로 공급된다.
그리고 도 5에 도시된 반응가스를 챔버(100) 내부로 공급하지 않도록 하는 경우에는 제 1반응가스 공급부측 밸브(270)는 반응가스가 밴트라인(220)으로 진행하도록 경로를 바꾸고, 이와 동시에 제 1압력 유지용 가스 공급부측 밸브(260)는 압력 유지용 가스를 런라인(210)으로 공급하도록 경로를 바꾸어준다.
따라서 챔버(100)와 배기부(300)로 각각 제공되는 가스의 전체 압력은 비록 반응가스의 공급이 전환되더라도 가스의 성분만 다르고, 동일한 압력 및 유량으로 챔버(100)와 배기부(300)로 공급되므로 공정 수행을 위한 압력변화 등이 발생하지 않고, 항상 안정적인 공정 조건을 유지하도록 한다.
이하에서는 보다 구체적인 예로서 엘이디 제조를 위한 에피텍셜 공정을 수행하는 경우를 예시적으로 설명하기로 한다. 엘이디 제조를 위한 에피텍셜 공정에서는 5가지 이상의 반응가스가 사용되는데, 이들 각각의 반응가스들로는 트리메틸갈륨(TMG: Trimethylgallium), NH3, SiH4(또는 GeH4), 트리메틸인듐(TMI: trimethyl- indium), 비스클로로펜타-다이에닐마그네슘(Cp2Mg; bis-cyclopentadienyl magnesium) 등이 있다.
본 실시예에서는 제 1반응가스 공급부(280)의 제 1반응가스로 트리메틸갈륨을 예시하고, 제 2반응가스 공급부(281)의 제 2반응가스로는 NH3을 예시적으로 설명하며, 제 3반응가스 공급부(282)의 제 2반응가스는 실란 가스인 SiH4를 예시적으로 설명하기로 한다. 그리고 각각의 런라인 가스 공급부(230) 및 밴트라인 가스 공급부(240)의 캐리어 가스와 압력 유지용 가스 공급부(250)의 압력 유지용 가스는 질소 또는 수소 가스가 사용된다.
반응가스들이 공급되는 제 1런라인(210)과 제 2런라인(211)은 챔버(100)의 샤워헤드(110)의 상하층에 각각 연결되어 있고, 해당 반응가스가 공급되지 않는 동안에는 항상 압력 유지용 가스가 공급되도록 되어 있다.
엘이디 제조를 위한 에피텍셜 공정은 기판(S)에 대한 열처리 세정과, GaN 버퍼층, 언도핑 GaN층, n형 도핑층 그리고 활성층 그리고 p형 도핑층을 성장시키는 공정으로 진행된다. 이하에서는 n형 도핑층까지의 성장 과정에서의 각각의 가스 공급방법과 이를 통한 화학기상증착방법에 대하여 설명한다.
먼저 챔버(100) 내부로 제 1런라인(210)과 제 2런라인(211)을 통하여 캐리어 가스로써 수소 가스가 제공되고, 10분 ~ 20분 동안 기판(S)을 가열하여 열처리한다. 계속해서 수소 가스 분위기 상태에서 챔버(100) 내부로 제 1반응가스인 트리메틸갈륨이 제 1런라인(210)을 통하여 공급되고, 제 2반응가스인 암모니아 가스가 제 2런라인(211)을 통하여 투입되어 GaN 버퍼층과 언도핑 GaN 층을 성장시킨다.
이때 제 1압력 유지용 가스 공급부측 밸브(260)와 제 2압력 유지용 가스 공급부측 밸브(261)는 압력 유지용 가스를 밴트라인(220)으로 공급하고, 제 1반응가스 공급부측 밸브(270)와 제 2반응가스 공급부측 밸브(271)는 반응가스를 제 1런라인(210)과 제 2런라인(211)으로 각각 공급한다.
반면에 제 3압력 유지용 가스 공급부측 밸브(262)는 압력 유지용 가스를 제 1런라인(210)으로 공급하고, 제 3반응가스 공급부측 밸브(272)는 반응가스를 밴트라인(282)으로 공급한다. 이때 제 3반응가스는 배기부(300)를 통하여 버려진다.
이후 n형 도핑층을 언도핑 GaN층상에 성장시킨다. 이때에도 캐리어 가스는 수소가스를 사용한다. 그리고 챔버(100) 내부로는 수소 분위기 하에서 제 1반응가스로 트리메틸갈륨이 투입되고, 제 2반응가스로 암모니아 가스가 투입되며 제 3반응가스로는 도핑 가스인 실란(SiH4)가스가 투입된다.
이때 실란 가스가 투입되는 제 1런라인(210)에는 이미 압력 유지용 가스가 이전 공정부터 공급되고 있고, n형 도핑층을 형성하는 공정을 수행할 때에 제 3압력 유지용 가스 공급부측 밸브(262)는 압력 유지용 가스를 밴트라인(220)으로 공급하고, 동시에 제 3반응가스 공급부측 밸브(272)는 실란 가스를 제 1런라인(210)으로 공급한다. 이에 따라 챔버(100) 내부 및 배기부(300)에 대한 압력의 변화 없이 원하는 공정가스가 투입되도록 함으로써 효과적인 박막 성장이 가능하도록 한다.
그리고 이후의 활성층과 p형 도핑층을 형성하는 공정에서도 상기와 마찬가지로 이미 압력 유지용 가스들이 공급되고 있는 상태에서 해당 반응가스가 공급되는 공정 진행시에 압력 유지용 가스 공급부(250)와 반응가스 공급부(280)(281)(282)의 공급 경로를 전환시킴으로써 챔버(100) 내부로 공급되는 가스의 공급압력이나 유량의 실질적인 변화 없이 공정 변경이 가능하도록 함으로써 안정적인 공정 수행이 가능하도록 한다.
이상에서 설명한 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
200...가스 공급부
210..런라인
220...밴트라인
230...런라인 가스공급부
240...밴트라인 가스공급부

Claims (8)

  1. 챔버;
    상기 챔버로부터 가스를 배기하는 배기부;
    상기 챔버 내로 제1 반응가스를 공급하는 제1 런라인과,
    상기 챔버 내로 제2 반응가스를 공급하는 제2 런라인과,
    상기 제1 런라인 및 상기 제2 런라인과 상기 배기부를 연결하여 상기 제1 반응가스 및 상기 제2 반응가스 중 적어도 하나 이상이 상기 챔버 내로 공급되지 않도록 상기 배기부로 안내하는 밴트라인,
    상기 제1 런라인 또는 상기 밴트라인으로 상기 제1 반응가스를 선택적으로 공급하는 제1 반응가스 공급부와.
    상기 제2 런라인 또는 상기 밴트라인으로 상기 제2 반응가스를 선택적으로 공급하는 제2 반응가스 공급부와 ,
    상기 제1 반응가스가 상기 제1 런라인으로 공급되면 상기 밴트라인으로 압력 유지용 가스를 공급하고, 상기 밴트라인으로 상기 제1 반응가스가 공급되면 상기 제1 런라인으로 상기 압력 유지용 가스를 공급하며, 상기 제2 반응가스가 상기 제2 런라인으로 공급되면 상기 밴트라인으로 압력 유지용 가스를 공급하고, 상기 밴트라인으로 상기 제2 반응가스가 공급되면 상기 제2 런라인으로 상기 압력 유지용 가스를 공급하는 압력 유지용 가스 공급부를 구비하는 가스 공급부를 포함하는 화학기상증착장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가스 공급부는 상기 제1 반응가스 또는 제2 반응가스의 공급압력과 상기 압력 유지용 가스의 공급 압력이 동일하게 유지되도록 하는 유량제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 압력 유지용 가스는 비활성 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 가스 공급부는 상기 압력 유지용 가스 공급부에서 공급되는 가스를, 상기 제1 런라인 또는 상기 밴트라인으로 선택적으로 공급하기 위한 제1 압력 유지용 가스 공급부측 밸브와 상기 제2 런라인 또는 상기 밴트라인으로 선택적으로 공급하기 위한 제2 압력 유지용 가스 공급부측 밸브와,
    상기 제1 반응가스 공급부에서 공급되는 제1 반응가스를 상기 제1 런라인 가스 공급부 또는 상기 밴트라인 공급부로 선택적으로 공급하도록 하기 위한 제1 반응가스 공급부측 밸브와 상기 제2 반응가스 공급부에서 공급되는 제2 반응가스를 상기 제2 런라인 가스 공급부 또는 상기 밴트라인 공급부로 선택적으로 공급하도록 하기 위한 제2 반응가스 공급부측 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 제1 공정가스와 상기 제2 공정가스가 구분되는 유로를 통해 상기 챔버 내부로 분사되도록, 상기 제1 런라인과 연결되는 제1 가스 공급관과 상기 제2 런라인과 연결되는 제2 가스 공급관이 구비된 샤워헤드를 더 포함하는 화학기상증착장치.
  6. 챔버 내부로 제1 반응가스를 공급하기 위하여 상기 제1 반응가스를 상기 챔버와 연결된 제1 런라인을 통하여 공급함과 동시에 배기부와 연결된 밴트라인으로 상기 제1 반응가스와 동일한 압력의 압력 유지용 가스를 공급하고,
    상기 챔버 내부로 상기 제1 반응가스의 공급을 차단하기 위하여 상기 제1 반응가스를 상기 밴트라인으로 공급하고, 상기 압력 유지용 가스를 상기 제1 런라인으로 공급하며,
    상기 챔버 내부로 제2 반응가스를 공급하기 위하여 상기 제2 반응가스를 상기 챔버와 연결된 제2 런라인을 통하여 공급함과 동시에 상기 밴트라인으로 상기 제2 반응가스와 동일한 압력의 상기 압력 유지용 가스를 공급하고,
    상기 챔버 내부로 상기 제2 반응가스의 공급을 차단하기 위하여 상기 제2 반응가스를 상기 밴트라인으로 공급하고, 상기 압력 유지용 가스를 상기 제2 런라인으로 공급하는 화학기상증착장치의 가스 공급방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 압력 유지용 가스는 비활성 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 가스 공급방법.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 제1 공정가스와 상기 제2 공정가스가 구분되는 유로를 통해 상기 챔버 내부로 분사되도록, 상기 챔버 내부에 구비되며 상기 제1 런라인과 연결되는 제1 가스 공급관과 상기 제2 런라인과 연결되는 제2 가스 공급관이 구비된 샤워헤드를 더 포함하는 화학기상증착장치의 가스 공급방법.
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