KR20120090349A - 화학기상증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것으로, 챔버 및 상기 챔버로 적어도 하나 이상의 반응 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 상기 가스 공급부는 캐리어 가스의 이동 경로를 형성하는 적어도 두 개의 런라인 및 상기 각각의 런라인으로 서로 다른 반응 가스를 제공하는 반응 가스 공급부를 포함하고, 상기 반응 가스 공급부는 3족 유기 금속물 소스, 5족 화합물 소스 및 n형 도펀트 소스를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치에 의해 달성될 수 있다.
본 발명에 의할 경우, 화학기상증착장치의 가스 공급부를 용도에 맞도록 컴팩트하게 구성할 수 있어, 설치시 필요한 공간을 줄일 수 있고 제작에 소요되는 비용을 줄일 수 있다.

Description

화학기상증착장치{A chemical vapor deposition apparatus}
본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 유기물을 이용하여 증착 공정을 수행하는 화학기상증착장치에 관한 것이다.
화학기상증착장치는 기판인 웨이퍼 상에 원하는 박막을 증착시키는 장치이다. 이 화학기상증착장치 중에서 금속 유기물 화학기상증착장치는 3족 화합물과 5족 화합물을 포함하는 반응 가스를 챔버 내부로 공급하여 에피택셜층(epitaxial layer)을 성장시킨다.
최근 들어 금속 유기물 화학기상증착장치는 질화물층 반도체 발광 다이오드의 에피택셜층(epitaxial layer) 성장에 널리 이용되고 있다. 따라서, 사파이어(sapphire) 등의 기판을 화학기상증착장치에 투입시킨 상태에서 기판 상에 다양한 종류의 박막을 연속적으로 성장시킨다.
이러한 화학기상증착장치는 박막 성장시 사용되는 반응 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비한다. 다만, 종래의 화학기상증착장치는 하나의 챔버 내측에서 다양한 종류의 박막이 성장되기 때문에, 화학기상증착장치의 가스 공급부는 다양한 종류의 반응 가스 소스를 구비할 수밖에 없고, 반응 가스가 공급되는 유로 구조 또한 복잡한 문제점이 있었다. 나아가, 기판 상에 단일 종류의 박막을 설치하고자 하는 경우에도 사용하지 않은 반응 가스 소스까지도 제어되어야 하는 단점이 있었다.
본 발명의 목적은 종래의 가스 공급부의 구조를 단순화시켜 단일한 종류의 박막 성장에 최적화된 가스 공급부를 구비하는 화학기상증착장치를 제공하기 위함이다.
전술한 본 발명의 목적은 챔버 및 상기 챔버로 적어도 하나 이상의 반응 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 상기 가스 공급부는 캐리어 가스의 이동 경로를 형성하는 적어도 두 개의 런라인 및 상기 각각의 런라인으로 서로 다른 반응 가스를 제공하는 반응 가스 공급부를 포함하고, 상기 반응 가스 공급부는 3족 유기 금속물 소스, 5족 화합물 소스 및 n형 도펀트 소스를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치에 의해 달성될 수 있다.
본 발명에 의할 경우, 화학기상증착장치의 가스 공급부를 용도에 맞도록 컴팩트하게 구성할 수 있어, 설치시 필요한 공간을 줄일 수 있고 제작에 소요되는 비용을 줄일 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성도이고,
도 2는 도 1의 가스공급부의 구성을 개략적으로 도시한 블럭도이다.
이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상증착장치에 대해 구체적으로 설명하도록 한다. 본 실시예에서는 n형 도펀트로 도핑된 n형 질화물층을 성장시키는 유기 금속물 화학기상증착장치를 일 예로써 설명한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, p형 질화물층을 성장시키는 유기 금속물 화학기상증착장치 또는 도핑되지 않은 질화물층을 성장시키는 유기 금속물 화학기상증착장치에 적용할 수 있음을 앞서 밝혀둔다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성도이다. 본 실시예에 따른 화학기상증착장치는 도 1에 도시된 바와 같이 에피택셜(epitaxial) 공정이 수행되는 챔버(100)를 구비한다. 챔버(100)에는 챔버(100) 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스공급부(200)의 제1 런라인(210)과 제2 런라인(211)이 연결된다.
그리고 챔버(100)의 일측에는 챔버(100)에서 가스가 배기되는 배기부(300)가 연결된다. 배기부(300)는 배기가스의 정화를 위한 가스 스크러버(미도시)와 펌프(미도시) 등을 포함한다. 그리고, 배기부(300)에는 가스공급부(200)의 벤트 라인(220)이 연결된다.
한편, 챔버(100) 내부 상측에는 서로 다른 종류의 반응 가스들을 챔버(100) 내부로 분리하여 분사하는 샤워헤드(110)가 구비된다. 샤워헤드(110)의 몸체(111) 내부 최 상측에는 제1 반응가스를 공급하는 제1 가스 챔버(112)를 구비한다. 제1 가스 챔버(112)의 하부에는 제2 반응가스를 공급하는 제2 가스 챔버(114)가 구비된다. 그리고, 제2 가스 챔버(114)의 하부에는 냉각수가 수용되는 냉각 챔버(116)가 구비된다.
그리고, 몸체(111)에는 다수의 가스 공급관(113, 115)이 삽입 설치된다. 가스 공급관(113, 115)은 제1 가스 공급관(115)과 제2 가스 공급관을 포함하여 구성된다. 제1 가스 공급관(113)은 제1 가스 챔버(112)에 입구가 연통되고, 제2 가스 챔버(114)와 냉각 챔버(116)를 관통하며, 출구가 몸체(111)의 하면으로 노출된다. 그리고, 제2 가스 공급관(115)은 제2 가스 챔버(114)에 입구가 연통되고 , 냉각 챔버(116)를 관통하며, 출구가 몸체(111)의 하면으로 노출된다.
한편, 챔버(100)의 샤워헤드(110) 하부에는 서셉터(120)가 구비된다. 서셉터(120)에는 다수개의 기판(S)이 안착된다. 기판(S)은 에피택셜 공정이 수행되는 사파이어 기판일 수 있다.
서셉터(120)의 하부에는 회전축(160)이 구비되고, 회전축(160) 하단에는 모터(170)가 장착된다. 따라서 서셉터(120)는 공정 중에 회전할 수 있도록 설치된다.
챔버(100) 내부의 서셉터(120) 하부에는 서셉터(120)를 가열하는 히터(130)가 설치된다. 히터(130)는 복수개로 구비될 수 있다. 히터(130)는 서셉터(120)에 안착된 기판을 최대 600℃ ~ 1,300℃의 고온으로 가열할 수 있다. 히터(130)는 텅스텐 히터 또는 RF 히터 등으로 실시될 수 있다.
서셉터(120)와 히터(130)의 측부에는 챔버(100)의 바닥까지 연장되는 격벽(미도시)이 형성된다. 그리고 격벽과 챔버(100)의 내벽 사이에는 "J" 형태의 라이너(140)(Liner)가 설치될 수 있다. 이러한 라이너(140)는 쿼츠(quartz) 재질로 구성될 수 있으며, 챔버(100)와 격벽에 파티클이 증착되는 것을 차단하여 챔버(100)와 격벽을 보호한다.
챔버(100)의 하부 일측에는 배기구(180)가 형성된다. 배기구(180)는 라이너(140)에 형성된 홀(미도시)과 연통된다. 배기구(180)에는 외부로 연장되는 배기관(190)이 설치된다. 배기관(190)은 배기부(300)와 연결된다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상증착장치에서 가스공급부의 구성을 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 가스 공급부(200)는 n형 질화물층 성장 공정에 필요한 반응 가스의 소스를 구비하는 반응 가스 공급부(280)를 구비한다. 여기서, 반응가스 공급부(280)는 3족 유기 금속물 소스(281), 5족 화합물 소스(282) 및 n형 도펀트 소스(283)를 포함할 수 있다.
여기서, 3족 유기 금속물 소스(281)는 트리메틸 갈륨(trimethyle galium, TMGa) 소스를 이용한다. 5족 화합물 소스(282)는 암모니아(NH3) 가스를 이용한다. 그리고, n형 도펀트 소스(283)는 실란 가스(SiH4, silane)를 이용한다.
이러한 반응 가스 공급부(280)는 화학기상증착장치에서 수행하는 공정 내용에 따라, 앞서 밝힌 소스와 다른 종류의 소스를 포함하도록 구성될 수 있다.
한편, 3족 유기 금속물 소스(281), 5족 화합물 소스(282) 및 n형 도펀트 소스(283)로부터 공급되는 각각의 반응 가스들은 런라인(210, 211)을 통해 챔버(100)의 샤워헤드(110)로 공급된다. 런라인(210, 211)의 일단에는 캐리어 가스를 공급하는 런라인 가스 공급부(230)가 설치된다. 이때, 런라인 가스 공급부(230)는 질소(N2) 가스공급원 및 수소(H2) 가스 공급원을 구비한다. 따라서, 공정 내용에 따라 질소 가스 또는 수소 가스가 캐리어 가스로서 런라인(210, 211)에 공급되고, 반응 가스 공급원(280)으로부터 제공되는 반응 가스들은 캐리어 가스에 의해 챔버(100)의 샤워헤드(110)로 공급된다.
구체적으로, 런라인(210, 211)은 제1 가스 챔버(112)로 연결되는 제1 런라인(210) 및 제2 가스 챔버(114)로 연결되는 제2 런라인(211)을 포함하여 구성된다. 여기서, 5족 화합물 소스(282) 및 n형 도펀트 소스(283)는 제1 런라인(210)과 연결되어, 제1 가스 챔버(112)로 공급된다. 그리고, 3족 유기 금속물 소스(281)는 제2 런라인(211)과 연결되어 제2 가스 챔버(114)로 공급된다. 여기서, 각 반응 가스간의 반응성을 고려하여, 각 반응 가스의 소스가 연결되는 런라인을 설계할 수 있다.
한편, 런라인(210, 211)을 통해 반응 가스가 공급되는 동안 챔버(100) 내부의 설정 압력을 유지할 수 있도록, 배기부(300)에는 별도의 벤트 라인(220)이 연결된다. 벤트 라인(220)의 전단에는 벤트라인 가스 공급부(240)가 구비된다. 벤트라인 가스 공급부(240)는 런라인 가스 공급부(230)와 마찬가지로, 수소 또는 질소 등의 캐리어 가스를 벤트 라인(220)으로 공급한다.
이때, 반응 가스 공급부(280)의 각각의 소소는 런라인(210, 211) 뿐 아니라 벤트 라인(220)에도 각각 연결될 수 있다. 따라서, 해당 반응 가스가 필요한 공정 중에는 각각의 반응 가스가 런라인(210, 211)을 통해 샤워헤드(110)로 공급되고, 해당 반응가스가 필요하지 않은 공정 중에는 벤트 라인(220)을 통해 배기구(180)로 배기된다.
그런데, 챔버(100) 내부의 압력을 일정하게 유지하기 위해서는 런라인(210, 211)의 압력과 벤트 라인(220)의 압력이 동일하게 유지되어야 한다. 따라서, 반응 가스가 런라인(210, 211) 또는 벤트 라인(220)에 공급됨에 따라, 반응 가스로 인해 발생하는 압력차를 보상하기 위한 압력 유지용 가스 공급부(250)를 더 구비한다.
이와 같은 구조로 구성되는 가스 공급부(200)는 반응가스 공급부(280), 압력 유지용 가스 공급부(250), 런라인 가스 공급부(230), 그리고 벤트라인 가스 공급부(240)에 각각 설치되어 가스의 유량 및 압력을 조절하는 유량 제어기(290)(MFC; mass flow controller)를 구비한다.
그리고, 벤트 라인(220)과 런라인(210, 211) 사이에는 반응 가스와 압력 유지용 가스의 공급을 제어할 수 있도록 다수의 3방향 밸브(260, 261, 262, 270, 271, 272)가 설치된다. 압력 유지용 가스 공급부(250)에서 연장된 유로는 반응 가스 공급부(280)의 반응 가스 소스(281, 282, 283)의 숫자만큼 분기된 분기유로(251, 252, 253)를 구비한다. 그리고, 각각의 분기유로 끝단에는 3방향 밸브인 압력 유지용 가스 공급부측 밸브(261, 262, 263)가 설치된다. 이 압력 유지용 가스 공급부측 밸브(261, 262, 263)의 나머지 두 개의 유로 중 하나는 제1 런라인(210) 또는 제2 런라인(211)에 연결되고 나머지 하나의 유로는 벤트 라인(220)에 연결된다.
또한, 각각의 반응가스 공급부(280)의 각 소스(281, 282, 283)로부터 연장된 유로의 끝단에는 3방향 밸브인 반응가스 공급부측 밸브(271, 272, 273)가 설치된다. 이 반응 가스 공급부측 밸브(271, 272, 273)의 나머지 두 개의 유로 중 하나는 제1 런라인(210) 또는 제2 런라인(211)에 연결되고, 나머지 하나의 유로는 벤트 라인(220)에 연결된다.
그리고, 하나의 압력 유지용 가스 공급부측 밸브와 하나의 반응가스 공급부측 밸브는 서로 연동하도록 구성된다.
예를 들어, 반응 가스 공급부측 밸브(271, 272, 273) 중 하나 또는 다수개가 런라인(210, 211) 방향으로 개방되어 반응 가스가 런라인(210, 211)으로 유입되면, 이와 대응되는 압력 유지용 가스 공급부측 밸브(261, 262, 263)가 벤트 라인(220) 방향으로 개방되어 압력 유지용 가스는 벤트 라인(220)으로 유입된다. 그리고, 반응 가스 공급부측 밸브(271, 272, 273)가 벤트 라인(220) 방향으로 개방되면, 반대로 압력 유지용 가스측 밸브(261, 262, 263)는 런 라인(210, 211) 방향으로 개방된다.
따라서, 반응 가스와 압력 유지용 가스를 각각 런라인(210, 211) 및 벤트 라인(220)에 교차 공급하여, 런라인(210, 211) 및 벤트 라인(220)의 압력을 동일하게 유지할 수 있다.
전술한 바와 같이, 화학 기상증착장치의 가스 전달부는 상기와 같은 구조로 구성되어, 챔버(100)의 샤워헤드(110)로 반응 가스를 공급한다. 이 때, 각각의 반응 가스 소스(281, 282, 283)마다 대응되는 런라인(210, 211)으로 연결되는 관, 벤트 라인(220)으로 연결되는 관, 이와 대응되는 압력 유지용 가스 공급부(250)의 분지관, 다수개의 유량 제어기(290) 및 3방향 밸브(261, 262, 263, 271, 272, 273)가 필요하다. 따라서, 가스 공급부의 구성 및 이에 대한 제어가 복잡할 수 밖에 없다.
다만, 본 발명에서는 한 종류의 질화물층을 구성할 수 있도록 최소한의 반응 가스 소스만을 구비하도록 설계되므로, 구성을 컴팩트하게 개선할 수 있고 제어가 용이하다.
한편, 본 실시예에서는 n형 질화물층을 성장시키는 화학기상증착장치를 일 예로 설명하였으나, 이는 일 예에 불과하며 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이 이외에도, n형 도펀트 소스 대신 p형 도펀트 소스를 구비하는 p형 질화물층을 성장시키는 화학기상증착장치에 적용하는 것도 가능하고, n형 도펀트 소스 대신 인듐 등의 3족 유기 금속물 소스를 구비하여 활성층의 다중 우물 구조를 성장시키는 화학기상증착장치에 적용하는 것도 가능하다.
100 : 챔버 110 : 샤워헤드
200 : 가스공급부 280 : 반응 가스 공급부
281 : 3족 유기금속물 소스 282 : 5족 화합물 소스
283 : n형 도펀트 소스

Claims (1)

  1. 챔버; 및
    상기 챔버로 적어도 하나 이상의 반응 가스를 공급하는 가스 공급부;를 포함하고,
    상기 가스 공급부는 캐리어 가스의 이동 경로를 형성하는 적어도 두 개의 런라인 및 상기 각각의 런라인으로 서로 다른 반응 가스를 제공하는 반응 가스 공급부를 포함하고,
    상기 반응 가스 공급부는 3족 유기 금속물 소스, 5족 화합물 소스 및 n형 도펀트 소스를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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