WO2022035099A1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2022035099A1
WO2022035099A1 PCT/KR2021/009850 KR2021009850W WO2022035099A1 WO 2022035099 A1 WO2022035099 A1 WO 2022035099A1 KR 2021009850 W KR2021009850 W KR 2021009850W WO 2022035099 A1 WO2022035099 A1 WO 2022035099A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
chamber
supplied
unit
supply unit
Prior art date
Application number
PCT/KR2021/009850
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
황철주
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Publication of WO2022035099A1 publication Critical patent/WO2022035099A1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing processes such as a deposition process and an etching process on a substrate.
  • a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate.
  • a deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, an etching process for selectively removing the thin film from the exposed portion to form a pattern, etc.
  • the treatment process takes place.
  • a processing process for such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus includes a chamber providing a processing space, a support part for supporting a substrate, a gas injection part for spraying gas, and a gas supply part for supplying gas to the gas injection part.
  • the gas supply unit supplies gas to the gas injection unit
  • the gas injection unit injects gas toward the support unit. Accordingly, a processing process for the substrate supported by the support is performed.
  • the substrate processing apparatus in order to increase the throughput of the processing process for the substrate, the substrate processing apparatus according to the related art is implemented to include a plurality of the chambers.
  • the substrate processing apparatus according to the prior art includes a plurality of gas supply units to supply gas to the gas injection units disposed in the chambers. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to the prior art, there is a problem in that the construction cost for building the gas supply units and the management cost for managing the gas supply units increase.
  • the present invention has been devised to solve the above-described problems, and to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing construction costs and management costs for increasing the throughput of a processing process for a substrate.
  • the present invention may include the following configuration.
  • a substrate processing apparatus includes a first chamber in which a first processing process for a substrate is performed; a second chamber in which a second processing process for the substrate is performed; a first gas injection unit for injecting gas into the first chamber; a second gas injection unit for injecting gas into the second chamber; a gas supply unit for supplying gas; and a path change unit configured to change the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first gas injection unit and the second gas injection unit, respectively.
  • the substrate processing method according to the present invention can perform a processing process on a substrate using a substrate processing apparatus having a first chamber in which a first processing process is performed on a substrate and a second chamber in which a second processing process is performed on the substrate. there is.
  • a substrate processing method includes the steps of changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first chamber; performing the first processing process using the gas supplied to the first chamber; changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the second chamber; and performing the second treatment process using the gas supplied to the second chamber.
  • a substrate processing method includes the steps of: changing the direction of the first gas so that the first gas of a first gas supply unit is supplied to the first chamber; performing the first treatment process using a first gas in the first chamber; The direction of the first gas is changed so that the first gas of the first gas supply unit is supplied to the second chamber, and the second gas of the second gas supply unit is supplied to the first chamber. changing direction; and performing the first processing process using the second gas in the first chamber and performing the second processing process using the first gas in the second chamber.
  • a substrate processing method comprises a first chamber in which a first processing process is performed on a substrate, a second chamber in which a second processing process is performed on a substrate, a first gas supply unit supplying a first gas, and a second gas.
  • a processing process on the substrate may be performed using a substrate processing apparatus having a second gas supply unit supplying the second gas and a third gas supply unit supplying the third gas.
  • the method for processing a substrate includes: supplying, by the first gas supply unit, the first gas to the first chamber; supplying the first gas to the second chamber by the first gas supply unit, and supplying the third gas to the first chamber by the third gas supply unit; supplying the second gas to the first chamber by the second gas supply unit, and supplying the third gas to the second chamber by the third gas supply unit; supplying the second gas to the second chamber by the second gas supply unit, and supplying the third gas to the first chamber by the third gas supply unit; and supplying, by the third gas supply unit, the third gas to the second chamber.
  • the present invention is implemented so that the gas supply unit is commonly used in performing the first processing process in the first chamber and the second processing process in the second chamber. Accordingly, the present invention can lower the construction cost for building the gas supply unit and the management cost for managing the gas supply unit. In addition, since the present invention can reduce the area occupied by the gas supply unit in the installation space, it can contribute to improving the space utilization for the installation space.
  • the present invention is implemented to easily and accurately control the flow rate of gas supplied to each of the first chamber and the second chamber.
  • the present invention is implemented so that each of the first gas injection unit and the second gas injection unit injects gas with a sufficient injection pressure. Accordingly, according to the present invention, the quality of the substrates on which the first and second processing processes have been completed can be improved by using the gas injected with a sufficient flow rate and injection pressure.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic block diagram showing a comparative example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • 4 to 7 are schematic flowcharts of a substrate processing method according to the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic flowchart of a substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 1 performs a processing process on a substrate.
  • the substrate may be a glass substrate, a silicon substrate, a metal substrate, or the like.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process of depositing a thin film on the substrate, an etching process of removing a portion of the thin film deposited on the substrate, and the like.
  • a deposition process of depositing a thin film on the substrate
  • an etching process of removing a portion of the thin film deposited on the substrate, and the like.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs other processing processes such as the etching process. It will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains to derive an embodiment.
  • the substrate processing apparatus 1 may include a first chamber 2 , a second chamber 3 , a gas supply unit 4 , and a path change unit 5 .
  • the first chamber 2 provides a first processing space 20 .
  • a first processing process such as a deposition process and an etching process for the substrate may be performed.
  • the first processing space 20 may be disposed inside the first chamber 2 .
  • An exhaust port (not shown) for exhausting gas from the first processing space 20 may be coupled to the first chamber 2 .
  • a first gas injection unit 21 may be installed in the first chamber 2 .
  • the first gas injection unit 21 injects gas into the first chamber 2 .
  • the first gas injection unit 21 may be connected to the gas supply unit 4 . Accordingly, the first gas injection unit 21 may inject the gas supplied from the gas supply unit 4 into the first chamber 2 .
  • a first support part 22 may be installed in the first chamber 2 .
  • the first support part 22 supports the substrate.
  • the first support part 22 may support one substrate or a plurality of substrates. When a plurality of substrates are supported by the second support unit 32 , a first processing process may be performed on the plurality of substrates at once.
  • the first support part 22 may be coupled to the first chamber 2 so as to be disposed inside the first chamber 2 .
  • the first support part 22 may be disposed to face the first gas injection part 21 . Accordingly, the first gas injection unit 21 may inject the gas supplied from the gas supply unit 4 toward the first support unit 22 .
  • the first gas injection unit 21 may be coupled to the first lead 2a.
  • the first lead 2a may be disposed inside the first chamber 2 .
  • the second chamber 3 provides a second processing space 30 .
  • a second processing process such as a deposition process and an etching process for the substrate may be performed.
  • the second processing process and the first processing process may be the same process.
  • the second processing process and the first processing process may be different processes.
  • the second processing space 30 may be disposed inside the second chamber 3 .
  • An exhaust port (not shown) for exhausting gas from the second processing space 30 may be coupled to the second chamber 3 .
  • a second gas injection unit 31 may be installed in the second chamber 3 .
  • the second gas injection unit 31 injects gas into the second chamber 3 .
  • the second gas injection unit 31 may be connected to the gas supply unit 4 . Accordingly, the second gas injection unit 31 may inject the gas supplied from the gas supply unit 4 into the second chamber 3 .
  • a second support part 32 may be installed in the second chamber 3 .
  • the second support part 32 supports the substrate.
  • the first support part 22 may support one substrate or a plurality of substrates. When a plurality of substrates are supported by the second support part 32 , a second processing process may be performed on the plurality of substrates at once.
  • the second support part 32 may be coupled to the first chamber 2 so as to be disposed inside the first chamber 2 .
  • the second support part 32 may be disposed to face the second gas injection part 31 . Accordingly, the second gas injection unit 31 may inject the gas supplied from the gas supply unit 4 toward the second support unit 32 .
  • the second gas injection unit 31 may be coupled to the second lead 3a.
  • the second lead 3a may be disposed inside the second chamber 3 .
  • the gas supply unit 4 supplies gas.
  • the gas is used in the first processing process and the second processing process.
  • the gas may be a process gas such as a source gas or a reaction gas, or a purge gas for purging the process gas.
  • the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 are supplied by the path change unit 5 .
  • ) may be supplied as any one selected from
  • the gas supply unit performs the first processing process in the first chamber 2 and the second processing process in the second chamber 3 .
  • (4) can be used in common. Accordingly, in comparison with the comparative example in which gas supply units are individually provided for each of the chambers, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention has a construction cost for building the gas supply unit 4 and the gas supply unit 4 . management costs can be lowered. In addition, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the area occupied by the gas supply unit 4 in the installation space when compared to the comparative example, it can contribute to improving the space utilization for the installation space.
  • the gas supply unit 4 may include a plurality of storage tanks for storing gases.
  • the gas supply unit 4 may supply a gas selected from among the gases stored in the storage tanks according to a preset process sequence.
  • the gas supply unit 4 may include a plurality of valves for selectively supplying gas.
  • the path change unit 5 changes the direction of the gas supplied by the gas supply unit 4 .
  • the gas of the gas supply unit 4 may be supplied to the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31, respectively. there is.
  • the gas of the gas supply unit 4 may be alternately supplied to the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 by the path change unit 5 .
  • the gas of the gas supply unit 4 may be alternately supplied to the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can achieve the following effects.
  • the gas supply unit 4 supplies gas to both the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 without the path change unit 5 .
  • the gas of the gas supply unit 4 is divided and supplied into the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 . Accordingly, in the comparative example, it is difficult to accurately control each of the flow rate of the gas supplied to the first gas injection unit 21 and the flow rate of the gas supplied to the second gas injection unit 31 .
  • the gas of the gas supply unit 4 is supplied to the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 using the path change unit 5, respectively, the Each of the flow rate of the gas supplied to the first gas injection unit 21 and the flow rate of the gas supplied to the second gas injection unit 31 can be easily and accurately adjusted.
  • the gas of the gas supply unit 4 is divided and supplied to the first chamber 2 through the first gas injection unit 21 , and also through the second gas injection unit 31 . It is supplied to the second chamber (3). Accordingly, the comparative example reduces the flow rate of the gas injected by the first gas injection unit 21 and the flow rate of the gas injected by the second gas injection unit 31, so that the first gas injection unit 21 Reduces the injection pressure of the gas injected and the injection pressure of the gas injected by the second gas injection unit 31 . Accordingly, in the comparative example, the quality of the substrates on which the first processing process and the second processing process have been completed may be deteriorated due to the gas injected with a low flow rate and injection pressure.
  • the gas of the gas supply unit 4 is passed through the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 to the first chamber using the path change unit 5 .
  • (2) and the second chamber (3) are alternately supplied, so that each of the first gas injection unit 21 and the second gas injection unit 31 can be implemented to inject gas with sufficient injection pressure.
  • the path change unit 5 may be implemented using a three-way valve.
  • the substrate processing apparatus 1 may include a control unit 6 .
  • the control unit 6 controls the path change unit 5 .
  • the control unit 6 may change the direction of the gas supplied by the gas supply unit 4 by controlling the path change unit 5 .
  • the control unit 6 may control the path change unit 5 according to process information preset according to process conditions of each of the first processing process and the second processing process.
  • the process information includes a flow rate of gas to be supplied to the first gas injection unit to perform the first processing process, a flow rate of gas to be supplied to the second gas injection unit to perform the second processing process;
  • the time for supplying gas to each of the first gas injection unit and the second gas injection unit, etc., may be preset by an operator.
  • the substrate processing apparatus 1 may be implemented to supply a mixed gas in which the first gas and the second gas are mixed to the first chamber 2 and the second chamber 3 , respectively.
  • the gas supply unit 4 may supply a mixed gas.
  • the path change unit 5 may change the direction of the mixed gas so that the mixed gas is supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3 , respectively.
  • the first gas may be a source gas
  • the second gas may be a reaction gas.
  • a treatment process by chemical vapor deposition (CVD) may be performed in each of the first chamber 2 and the second chamber 3 .
  • a purge gas is supplied to the first chamber 2 and the second chamber Each may be supplied to the chamber (3). Accordingly, after the mixed gas is injected into each of the first chamber 2 and the second chamber 3 , the process of spraying the purge gas may be repeatedly performed.
  • the first gas and the second gas are respectively supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3 in a state in which they are not mixed. It may be implemented as much as possible.
  • the gas supply unit 4 and the path change unit 5 may be implemented as follows.
  • the gas supply unit 4 may include a first gas supply unit 4a and a second gas supply unit 4b.
  • the first gas supply unit 4a may supply the first gas.
  • the second gas supply unit 4b may supply the second gas.
  • the first gas may be a source gas, and the second gas may be a reaction gas.
  • the path change unit 5 may include a first change unit (5a) and a second change unit (5b).
  • the first changing unit 5a changes the direction of the first gas so that the first gas of the first gas supply unit 4a is supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3, respectively.
  • the first changing unit 5a may be connected to each of the first gas supply unit 4a, the first chamber 2 and the second chamber 3 .
  • the first change unit 5a may be implemented using a three-way valve. Since the first change unit 5a is implemented to be substantially identical to the path change unit 5 described above, a detailed description thereof will be omitted.
  • the second changing unit 5b is configured to change the direction of the second gas so that the second gas of the second gas supply unit 4b is supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3, respectively.
  • the second changing unit 5b may be connected to the second gas supply unit 4b, the first chamber 2, and the second chamber 3, respectively.
  • the second changing unit 5b and the first changing unit 5a may be connected to the first chamber 2 and the second chamber 3 independently of each other, respectively.
  • the second change unit 5b may be implemented using a three-way valve. Since the second change unit 5b is implemented to substantially match the path change unit 5 described above, a detailed description thereof will be omitted.
  • the first changing unit 5a and the second changing unit 5b are The direction of the first gas and the direction of the second gas may be changed so that the first gas and the second gas are supplied to the first chamber 2 . Accordingly, in the first chamber 2 , a first treatment process by chemical vapor deposition (CVD) may be performed using the first gas and the second gas. And, the first changing unit (5a) and the second changing unit (5b) are the direction of the first gas and the second so that the first gas and the second gas are supplied to the second chamber (3). You can change the direction of the gas. Accordingly, in the second chamber 3 , a second treatment process by chemical vapor deposition (CVD) may be performed using the first gas and the second gas.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the gas supply unit 4 may include a third gas supply unit 4c.
  • the third gas supply unit 4c supplies a purge gas.
  • the third gas supply unit 4c is connected to the first chamber 2 and the The purge gas may be supplied to each of the second chambers 3 .
  • the third gas supply unit (4c) is supplied to each of the first and second chambers (2) and (3) through at least one of the first changing unit (5a) and the second changing unit (5b). A purge gas may be supplied.
  • the first change unit (5a) may change the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3, respectively.
  • the first changing unit 5a is implemented to change the direction of the first gas and the direction of the purge gas.
  • the second change unit ( 5b) may change the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3, respectively.
  • the second changing unit 5b is implemented to change the direction of the second gas and the direction of the purge gas.
  • the third gas supply unit 4c supplies a purge gas to each of the first and second chambers 2 and 3 through both the first changing unit 5a and the second changing unit 5b.
  • the first changing unit (5a) and the second changing unit (5b) of the purge gas so that the purge gas is respectively supplied to the first chamber (2) and the second chamber (3), respectively direction can be changed.
  • the path change unit 5 may include a third change unit 5c.
  • the third changing unit 5c may change the direction of the purge gas so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3, respectively. .
  • the third changing unit 5c may change the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber 2 .
  • a second processing process may be performed in the second chamber 3 .
  • the third changing unit 5c may change the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber 3 .
  • a first processing process may be performed in the first chamber 2 .
  • the third change unit 5c may be implemented using a three-way valve. Since the third changing unit 5c is implemented to be substantially identical to the above-described path changing unit 5, a detailed description thereof will be omitted.
  • the first changing unit 5a changes the direction of the first gas while supplying the first gas to the first chamber 2 by changing can supply
  • the second changing unit 5b changes the second gas
  • the second gas may be supplied to the first chamber 2 by changing the direction of .
  • a treatment process by atomic layer deposition (ALD) is performed in each of the first chamber 2 and the second chamber 3 , and the purge gas is supplied to each of the first chamber 2 and the second chamber 3 .
  • the first changing unit 5a, the second changing unit 5b, and the third changing unit 5c may operate as follows.
  • the second changing unit 5b controls the second gas
  • the second gas may be supplied to the second chamber 3 by changing the direction of .
  • At least one of the first changing unit 5a, the second changing unit 5b, and the third changing unit 5c changes the direction of the purge gas to supply the purge gas to the first chamber 2 ) and the second chamber 3 may be respectively supplied.
  • the second changing unit 5b controls the second gas
  • the second gas may be supplied to the first chamber 2 by changing the direction of .
  • At least one of the first changing unit 5a, the second changing unit 5b, and the third changing unit 5c changes the direction of the purge gas so that the purge gas is transferred to the first chamber ( 2) and the second chamber 3 may be supplied respectively.
  • a first processing process by atomic layer deposition (ALD) is performed, and in the second chamber 3, a second processing process by atomic layer deposition (ALD) can be performed.
  • ALD atomic layer deposition
  • the substrate processing method according to the present invention includes a first chamber 2 in which a first processing process is performed on a substrate and a second chamber 3 in which a second processing process is performed on the substrate.
  • a processing process for the substrate is performed using the substrate processing apparatus 1 .
  • the substrate processing method according to the present invention may be performed by the above-described substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
  • the substrate processing method according to the present invention may include the following steps.
  • the direction of the gas is changed so that the gas is supplied to the first chamber 2 (S10).
  • the path changing unit 5 changes the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit 4 is supplied to the first chamber 2, so that the gas is transferred to the first chamber 2 ) can be supplied.
  • the path change unit 5 may change the direction of the gas according to the control of the control unit 6 .
  • the first gas injection unit 21 injects the gas supplied from the gas supply unit 4 and the path change unit 5 toward the substrate supported by the first support unit 22. can be done
  • This step ( S30 ) may be performed by the path changing unit 5 changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit 4 is supplied to the second chamber 3 .
  • the path change unit 5 may supply the gas to the second chamber 3 by changing the direction of the gas under the control of the control unit 6 .
  • the second gas injection unit 31 injects the gas supplied from the gas supply unit 4 and the path change unit 5 toward the substrate supported by the second support unit 32. can be done
  • the first processing process is performed in the first chamber 2 and the second processing process is performed in the second chamber 3 . It can be implemented to make this happen.
  • the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) and the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) are alternately performed.
  • the operation of supplying the gas of the gas supply unit 4 to the first chamber 2 and the operation of supplying the gas of the gas supply unit 4 to the second chamber 3 may be alternately performed.
  • the substrate processing method according to the present invention can easily and accurately control the flow rate of the gas supplied to the first chamber 2 and the flow rate of the gas supplied to the second chamber 3 , respectively.
  • the substrate processing method according to the present invention is implemented to inject gas with sufficient injection pressure to each of the first chamber 2 and the second chamber 3, using the gas injected with a sufficient flow rate and injection pressure The quality of the substrates on which the first processing process and the second processing process have been completed may be improved.
  • the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) is by supplying the gas to the first chamber 2 while blocking the gas supply to the second chamber 3 .
  • the flow rate and injection pressure of the gas injected by the first gas injection unit 21 can be increased based on the gas supply amount of the gas supply unit 4 , so that the first It is possible to further improve the quality of the substrates that have been processed.
  • Changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber ( S10 ) may be performed by supplying all of the gas to the first chamber 2 .
  • the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) is by supplying the gas to the second chamber 3 while blocking the gas supply to the first chamber 2 can be done Accordingly, the substrate processing method according to the present invention can increase the flow rate and injection pressure of the gas injected by the second gas injection unit 31 based on the gas supply amount of the gas supply unit 4, so that the second It is possible to further improve the quality of the substrates that have been processed.
  • Changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber ( S30 ) may be performed by supplying all of the gas to the second chamber 3 .
  • the substrate processing method according to the present invention may be implemented to supply a mixed gas in which the first gas and the second gas are mixed to the first chamber 2 and the second chamber 3 , respectively.
  • the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber ( S10 ) may be performed by changing the direction of the mixed gas so that the mixed gas is supplied to the first chamber 2 .
  • the step (S20) of performing the first treatment process in the first chamber may be accomplished by performing the first treatment process by chemical vapor deposition using the mixed gas injected into the first chamber 2 . there is.
  • Changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber ( S30 ) may be performed by changing the direction of the mixed gas so that the mixed gas is supplied to the second chamber 3 .
  • the step of performing the second treatment process in the second chamber ( S40 ) may be accomplished by performing a second treatment process by chemical vapor deposition using the mixed gas injected into the second chamber 3 . there is.
  • the substrate processing method according to the present invention in the substrate processing method according to the present invention, the first gas and the second gas are respectively supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3 in a state in which they are not mixed.
  • a processing process by chemical vapor deposition (CVD) is performed.
  • the substrate processing method according to the present invention can be implemented as follows.
  • the step (S10) of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber is performed in such a way that the first gas and the second gas are supplied to the first chamber 2 .
  • This may be accomplished by changing the direction and the direction of the second gas.
  • the first changing unit 5a changes the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber 2
  • the second gas is supplied to the first chamber 2 .
  • the second changing unit 5b may change the direction of the second gas so as to be possible.
  • the step of performing the first processing process in the first chamber ( S20 ) is performed by chemical vapor deposition (CVD) using the first gas and the second gas in the first chamber 2 . 1 It can be achieved by performing a treatment process.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the first gas and the second gas are supplied to the second chamber 3 .
  • This may be accomplished by changing the direction and the direction of the second gas.
  • the first changing unit 5a changes the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber 3
  • the second gas is supplied to the second chamber 3 .
  • the second changing unit 5b may change the direction of the second gas so as to be possible. Accordingly, performing the second processing process in the second chamber (S40) is performed by chemical vapor deposition (CVD) using the first gas and the second gas in the second chamber 3 . 2 It can be achieved by performing a treatment process.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the substrate processing method according to the present invention may include supplying a purge gas to the first chamber (S50) and supplying the purge gas to the second chamber (S60).
  • the step (S50) of supplying the purge gas to the first chamber may be performed after the step (S20) of performing the first processing process in the first chamber.
  • the third changing unit 5c performs the purge gas so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the first chamber 2 .
  • the step of supplying the purge gas to the first chamber (S50) includes changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) and performing a second processing process in the second chamber. It may be performed while step S40 is being performed.
  • the step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) may be performed after the step (S40) of performing the second treatment process in the second chamber.
  • the third changing unit 5c performs the purge gas so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the second chamber 3 .
  • the step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) includes changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) and performing a first processing process in the first chamber. It may be performed while (S20) is made.
  • the first gas and the second gas are respectively supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3 in a state in which they are not mixed.
  • ALD atomic layer deposition
  • the first gas is alternately supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3
  • the second gas is supplied to the first chamber 2 and It may be implemented to alternately supply to the second chamber 3 .
  • the substrate processing method according to the present invention can be implemented as follows.
  • changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) includes changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber (S11) can do.
  • the step (S11) of changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber is performed by the first changing unit 5a so that the first gas is supplied to the first chamber 2 This may be accomplished by changing the direction of the first gas. Accordingly, a first processing process using the first gas may be performed in the first chamber 2 (S21). When the first gas is the source gas, an adsorption process of adsorbing the source gas to the substrate may be performed in the first chamber 2 during the first processing process.
  • changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) includes changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber (S31); and changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the first chamber (S32).
  • the step (S31) of changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber is performed by the first changing unit 5a so that the first gas is supplied to the second chamber 3
  • This may be accomplished by changing the direction of the first gas.
  • a second treatment process using the first gas may be performed in the second chamber 3 ( S41 ).
  • an adsorption process of adsorbing the source gas to the substrate may be performed in the second chamber 3 during the second processing process.
  • Changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the first chamber (S32) is performed by the second changing unit 5b so that the second gas is supplied to the first chamber 2 This may be accomplished by changing the direction of the second gas. Accordingly, a first processing process using the second gas may be performed in the first chamber 2 (S42).
  • the second gas is a reactive gas
  • a deposition process in which a thin film is deposited by reacting a source gas adsorbed on a substrate with a reactive gas during the first processing process may be performed in the first chamber 2 .
  • Changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the first chamber (S32) and changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber (S31) ) can be done simultaneously.
  • the simultaneous occurrence includes not only the case where each of the start time and the end time is exactly the same, but also the case where each of the start time and the end time is different within a predetermined range.
  • the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) includes the step of changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the second chamber (S12). may include
  • the step (S12) of changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the second chamber is performed by the second changing unit 5b so that the second gas is supplied to the second chamber 3
  • This may be accomplished by changing the direction of the second gas.
  • a second treatment process using the second gas may be performed in the second chamber 3 (S22).
  • the second gas is a reactive gas
  • a deposition process in which a thin film is deposited by reacting a source gas adsorbed on a substrate with a reactive gas during the second processing process may be performed in the second chamber 3 .
  • Changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the second chamber (S12) and changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber (S11) ) can be done simultaneously.
  • the simultaneous occurrence includes not only the case where each of the start time and the end time is exactly the same, but also the case where each of the start time and the end time is different within a predetermined range.
  • the step of supplying the purge gas to the first chamber (S50) and the step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) may be implemented as follows.
  • the step of supplying the purge gas to the first chamber (S50) includes performing the first processing process using the first gas in the first chamber (S21) and the second chamber using the second gas. It may be performed after the step (S22) of performing the second treatment process is performed.
  • the direction of the purge gas is changed so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51), and the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S51). It may include a step (S52) of changing the .
  • Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51) includes the third changing unit so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the first chamber 2 (5c) can be achieved by changing the direction of the purge gas.
  • Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S52) includes the third changing unit so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the second chamber 3 (5c) can be achieved by changing the direction of the purge gas.
  • Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S52) may be performed after the step (S51) of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber is performed. there is. Accordingly, in the step of supplying the purge gas to the first chamber ( S50 ), the direction of the purge gas is changed so that the purge gas is alternately supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3 .
  • the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S52) the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51) is may be done.
  • the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S52) and the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51) may be performed simultaneously.
  • the step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) includes changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber (S31) and the second gas is supplied to the first chamber It can be performed after the step (S32) of changing the direction of the second gas to be supplied to the
  • the supplying of the purge gas to the second chamber (S60) includes changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S61), and the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber. It may include a step (S62) of changing the .
  • Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S61) includes the third changing unit so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the first chamber 2 (5c) can be achieved by changing the direction of the purge gas.
  • the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S62) is performed by the third changing unit so that the purge gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the second chamber 3 .
  • (5c) can be achieved by changing the direction of the purge gas.
  • Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S62) may be performed after the step (S61) of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber is performed. there is. Accordingly, in the step of supplying the purge gas to the second chamber ( S60 ), the direction of the purge gas is changed so that the purge gas is alternately supplied to the first chamber 2 and the second chamber 3 .
  • step (S62) of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S61) may be done.
  • the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S62) and the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S61) may be performed simultaneously.
  • the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention is to perform a processing process on the substrate.
  • the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention may be performed through the above-described substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
  • a substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention may include the following steps.
  • the first gas is supplied to the first chamber 2 (S100).
  • This step (S100) may be accomplished by supplying the first gas of the first gas supply unit 4a to the first chamber 2 .
  • the first changing unit 5a may change the direction of the first gas so that the first gas of the first gas supply unit 4a is supplied to the first chamber 2 .
  • the first gas may be a source gas. Accordingly, an adsorption process using the source gas may be performed in the first chamber 2 .
  • the first gas is supplied to the second chamber 3 and the third gas is supplied to the first chamber 2 ( S200 ).
  • the first gas supply unit (4a) supplies the first gas to the second chamber (3)
  • the third gas supply unit (4c) supplies the first gas to the first chamber (2).
  • This may be accomplished by supplying the third gas.
  • the first changing unit 5a may change the direction of the second gas so that the first gas of the first gas supply unit 4a is supplied to the second chamber 3 .
  • the third changing unit 5c may change the direction of the third gas so that the third gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the first chamber 2 .
  • the third gas may be a purge gas. Accordingly, an adsorption process using the source gas may be performed in the second chamber 3 , and a purge process of purging the first gas may be performed in the first chamber 2 .
  • the second gas is supplied to the first chamber 2 and the third gas is supplied to the second chamber 3 ( S300 ).
  • the second gas supply unit (4b) supplies the second gas to the first chamber (2)
  • the third gas supply unit (4c) supplies the second chamber (3) to the second chamber (3).
  • This may be accomplished by supplying the third gas.
  • the second changing unit 5b may change the direction of the second gas so that the second gas of the second gas supply unit 4b is supplied to the first chamber 2
  • the third changing unit 5c may change the direction of the third gas so that the third gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the second chamber 3 .
  • the second gas may be a reaction gas. Accordingly, a deposition process using the reaction gas may be performed in the first chamber 2 , and a purge process of purging the first gas may be performed in the second chamber 3 .
  • the second gas is supplied to the second chamber 3 and the third gas is supplied to the first chamber 2 (S400).
  • the second gas supply unit 4b supplies the second gas to the second chamber 3
  • the third gas supply unit 4c enters the first chamber 2 .
  • This may be accomplished by supplying the third gas.
  • the second changing unit 5b may change the direction of the second gas so that the second gas of the second gas supply unit 4b is supplied to the second chamber 3 .
  • the third changing unit 5c may change the direction of the third gas so that the third gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the first chamber 2 . Accordingly, a deposition process using the reaction gas may be performed in the second chamber 3 , and a purge process of purging the second gas may be performed in the first chamber 2 .
  • the third gas is supplied to the second chamber 3 (S500).
  • This step ( S500 ) may be accomplished by the third gas supply unit ( 4c ) supplying the third gas to the second chamber ( 3 ).
  • the third changing unit 5c may change the direction of the third gas so that the third gas of the third gas supply unit 4c is supplied to the second chamber 3 . Accordingly, a purge process of purging the second gas may be performed in the second chamber 3 .
  • the step of supplying the first gas to the first chamber (S100) while the step of supplying the third gas to the second chamber (S500) is performed (S100) can be made.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버; 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버; 상기 제1챔버에 가스를 분사하는 제1가스분사부; 상기 제2챔버에 가스를 분사하는 제2가스분사부; 가스를 공급하는 가스공급부; 및 상기 가스공급부의 가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 경로변경부를 포함하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 처리공간을 제공하는 챔버, 기판을 지지하는 지지부, 가스를 분사하는 가스분사부, 및 상기 가스분사부에 가스를 공급하는 가스공급부를 포함한다. 상기 가스공급부가 상기 가스분사부로 가스를 공급하면, 상기 가스분사부는 상기 지지부를 향해 가스를 분사한다. 이에 따라, 상기 지지부에 지지된 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.
여기서, 기판에 대한 처리공정의 처리량을 높이기 위해, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 챔버를 복수개 구비하도록 구현되었다. 이 경우, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 챔버들에 배치된 가스분사부들에 가스를 공급하기 위해 복수개의 가스공급부를 구비하였다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 가스공급부들을 구축하기 위한 구축비용과 상기 가스공급부들을 관리하기 위한 관리비용이 상승하는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 대한 처리공정의 처리량을 높이기 위한 구축비용과 관리비용을 줄일 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버; 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버; 상기 제1챔버에 가스를 분사하는 제1가스분사부; 상기 제2챔버에 가스를 분사하는 제2가스분사부; 가스를 공급하는 가스공급부; 및 상기 가스공급부의 가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 경로변경부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버와 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버를 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계; 상기 제1챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계; 및 상기 제2챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계; 상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하고, 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계; 및 상기 제1챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하고 상기 제2챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버, 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버, 제1가스를 공급하는 제1가스공급유닛, 제2가스를 공급하는 제2가스공급유닛, 및 제3가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계; 상기 제1가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 상기 제2가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 상기 제2가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 및 상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 제1챔버에서의 제1처리공정 및 제2챔버에서의 제2처리공정을 수행함에 있어서 가스공급부가 공용으로 사용되도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 가스공급부를 구축하기 위한 구축비용과 가스공급부를 관리하기 위한 관리비용을 낮출 수 있다. 또한, 본 발명은 설치공간에서 가스공급부가 차지하는 면적을 줄일 수 있으므로, 해당 설치공간에 대한 공간활용도를 향상시키는데 기여할 수 있다.
본 발명은 제1챔버와 제2챔버 각각에 공급되는 가스의 유량을 용이하면서도 정확하게 조절할 수 있도록 구현된다. 또한, 본 발명은 제1가스분사부와 제2가스분사부 각각이 충분한 분사압력으로 가스를 분사하도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 충분한 유량과 분사압력으로 분사된 가스를 이용하여 제1처리공정과 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 비교예를 나타낸 개략적인 블록도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 블록도
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판처리방법의 개략적인 순서도
도 8은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 순서도
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판은 유리기판, 실리콘기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하나, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1챔버(2), 제2챔버(3), 가스공급부(4), 및 경로변경부(5)를 포함할 수 있다.
<제1챔버>
도 1을 참고하면, 상기 제1챔버(2)는 제1처리공간(20)을 제공하는 것이다. 상기 제1처리공간(20)에서는 상기 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1처리공간(20)은 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1챔버(2)에는 상기 제1처리공간(20)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다.
상기 제1챔버(2)에는 제1가스분사부(21)가 설치될 수 있다.
상기 제1가스분사부(21)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제1가스분사부(21)는 상기 가스공급부(4)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1가스분사부(21)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제1챔버(2)의 내부에 분사할 수 있다.
상기 제1챔버(2)에는 제1지지부(22)가 설치될 수 있다.
상기 제1지지부(22)는 상기 기판을 지지하는 것이다. 상기 제1지지부(22)는 하나의 기판을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판을 지지할 수도 있다. 상기 제2지지부(32)에 복수개의 기판이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판에 대한 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1지지부(22)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치되도록 상기 제1챔버(2)에 결합될 수 있다.
상기 제1지지부(22)는 상기 제1가스분사부(21)에 대해 대향되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스분사부(21)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제1지지부(22)를 향해 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사부(21)는 제1리드(2a)에 결합될 수도 있다. 상기 제1리드(2a)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다.
<제2챔버>
도 1을 참고하면, 상기 제2챔버(3)는 제2처리공간(30)을 제공하는 것이다. 상기 제2처리공간(30)에서는 상기 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 제2처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2처리공정과 상기 제1처리공정은 서로 동일한 공정일 수 있다. 상기 제2처리공정과 상기 제1처리공정은 서로 다른 공정일 수도 있다. 상기 제2처리공간(30)은 상기 제2챔버(3)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2챔버(3)에는 상기 제2처리공간(30)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다.
상기 제2챔버(3)에는 제2가스분사부(31)가 설치될 수 있다.
상기 제2가스분사부(31)는 상기 제2챔버(3)의 내부에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제2가스분사부(31)는 상기 가스공급부(4)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2가스분사부(31)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제2챔버(3)의 내부에 분사할 수 있다.
상기 제2챔버(3)에는 제2지지부(32)가 설치될 수 있다.
상기 제2지지부(32)는 상기 기판을 지지하는 것이다. 상기 제1지지부(22)는 하나의 기판을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판을 지지할 수도 있다. 상기 제2지지부(32)에 복수개의 기판이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판에 대한 제2처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2지지부(32)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치되도록 상기 제1챔버(2)에 결합될 수 있다.
상기 제2지지부(32)는 상기 제2가스분사부(31)에 대해 대향되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2가스분사부(31)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제2지지부(32)를 향해 분사할 수 있다. 상기 제2가스분사부(31)는 제2리드(3a)에 결합될 수도 있다. 상기 제2리드(3a)는 상기 제2챔버(3)의 내부에 배치될 수 있다.
<가스공급부>
도 1을 참고하면, 상기 가스공급부(4)는 가스를 공급하는 것이다. 상기 가스는 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정에 사용되는 것이다. 예컨대, 상기 가스는 소스가스, 반응가스 등과 같은 공정가스, 공정가스를 퍼지하기 위한 퍼지가스 등일 수 있다. 상기 가스공급부(4)가 공급한 가스는 상기 경로변경부(5)로 공급된 후에, 상기 경로변경부(5)에 의해 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31) 중에서 선택된 어느 하나로 공급될 수 있다. 상기 경로변경부(5)에 의해 상기 제1가스분사부(21)로 가스가 공급되면, 상기 제1가스분사부(21)가 상기 제1지지부(22)를 향해 가스를 분사함에 따라 상기 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 경로변경부(5)에 의해 상기 제2가스분사부(31)로 가스가 공급되면, 상기 제2가스분사부(31)가 상기 제2지지부(32)를 향해 가스를 분사함에 따라 상기 제2처리공정이 이루어질 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1챔버(2)에서의 상기 제1처리공정 및 상기 제2챔버(3)에서의 상기 제2처리공정을 수행함에 있어서 상기 가스공급부(4)가 공용으로 사용될 수 있다. 따라서, 상기 챔버들마다 개별적으로 가스공급부들을 구비하는 비교예와 대비할 때, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스공급부(4)를 구축하기 위한 구축비용과 상기 가스공급부(4)를 관리하기 위한 관리비용을 낮출 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 비교예와 대비할 때 설치공간에서 상기 가스공급부(4)가 차지하는 면적을 줄일 수 있으므로, 해당 설치공간에 대한 공간활용도를 향상시키는데 기여할 수 있다.
상기 가스공급부(4)가 2종류 이상의 가스를 공급하는 경우, 상기 가스공급부(4)는 가스를 저장하는 복수개의 저장탱크를 포함할 수 있다. 상기 가스공급부(4)는 상기 저장탱크들에 저장된 가스 중에서 기설정된 공정순서에 따라 선택된 가스를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급부(4)는 가스의 선택적 공급을 위한 복수개의 밸브(Valve)를 포함할 수 있다.
<경로변경부>
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 경로변경부(5)는 상기 가스공급부(4)가 공급한 가스의 방향을 변경하는 것이다. 상기 경로변경부(5)가 상기 가스의 방향을 변경함에 따라, 상기 가스공급부(4)의 가스는 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 각각 공급될 수 있다. 이 경우, 상기 경로변경부(5)에 의해, 상기 가스공급부(4)의 가스는 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 교번적으로 공급될 수도 있다. 예컨대, 상기 제1가스분사부(21)에 상기 가스가 공급된 후에 상기 제2가스분사부(31)에 상기 가스가 공급되고, 다시 상기 제1가스분사부(21)에 상기 가스가 공급되는 순서로 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 교번적으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.
첫째, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 경로변경부(5) 없이 상기 가스공급부(4)가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31) 모두에 가스를 공급하는 비교예의 경우, 상기 가스공급부(4)의 가스는 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)로 나누어져 공급된다. 이에 따라, 비교예는 상기 제1가스분사부(21)에 공급되는 가스의 유량과 상기 제2가스분사부(31)에 공급되는 가스의 유량 각각을 정확하게 조절하기 어렵다.
이와 달리, 실시예는 상기 경로변경부(5)를 이용하여 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 각각 공급되므로, 상기 제1가스분사부(21)에 공급되는 가스의 유량과 상기 제2가스분사부(31)에 공급되는 가스의 유량 각각을 용이하면서도 정확하게 조절할 수 있다.
둘째, 비교예는 상기 가스공급부(4)의 가스가 나누어져서 상기 제1가스분사부(21)를 통해 상기 제1챔버(2)에 공급됨과 아울러 상기 제2가스분사부(31)를 통해 상기 제2챔버(3)로 공급된다. 이에 따라, 비교예는 상기 제1가스분사부(21)가 분사하는 가스의 유량과 상기 제2가스분사부(31)가 분사하는 가스의 유량을 감소시키므로, 상기 제1가스분사부(21)가 분사하는 가스의 분사압력과 상기 제2가스분사부(31)가 분사하는 가스의 분사압력을 감소시킨다. 따라서, 비교예는 낮은 유량과 분사압력으로 분사된 가스로 인해 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질이 저하될 수 있다.
이에 반해, 실시예는 상기 경로변경부(5)를 이용하여 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)를 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)로 교번적으로 공급되므로, 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31) 각각이 충분한 분사압력으로 가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 따라서, 실시예는 충분한 유량과 분사압력으로 분사된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 향상시킬 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다.
<제어부>
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제어부(6)를 포함할 수 있다.
상기 제어부(6)는 상기 경로변경부(5)를 제어하는 것이다. 상기 제어부(6)는 상기 경로변경부(5)를 제어함으로써, 상기 가스공급부(4)가 공급한 가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정 각각의 공정조건에 따라 기설정된 공정정보에 따라 상기 경로변경부(5)를 제어할 수 있다. 상기 공정정보는 상기 제1처리공정을 수행하기 위해 상기 제1가스분사부에 공급해야 하는 가스의 유량, 상기 제2처리공정을 수행하기 위해 상기 제2가스분사부에 공급해야 하는 가스의 유량, 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부 각각에 가스를 공급하는 시간 등으로, 작업자에 의해 미리 설정될 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1가스와 제2가스가 혼합된 혼합가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급부(4)는 혼합가스를 공급할 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 상기 혼합가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 혼합가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스이고, 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다. 이 경우, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서는 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)에 의한 처리공정이 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 혼합가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급한 후에, 퍼지가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급할 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 혼합가스가 분사된 이후에 상기 퍼지가스가 분사되는 공정이 반복적으로 이루어질 수 있다.
도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되지 않은 상태로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 가스공급부(4)와 상기 경로변경부(5)는 다음과 같이 구현될 수 있다.
상기 가스공급부(4)는 제1가스공급유닛(4a), 및 제2가스공급유닛(4b)을 포함할 수 있다. 상기 제1가스공급유닛(4a)은 상기 제1가스를 공급할 수 있다. 상기 제2가스공급유닛(4b)은 상기 제2가스를 공급할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스이고, 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다.
상기 경로변경부(5)는 제1변경유닛(5a), 및 제2변경유닛(5b)을 포함할 수 있다.
상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a), 상기 제1챔버(2), 및 상기 제2챔버(3) 각각에 연결될 수 있다. 상기 제1변경유닛(5a)은 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 제1변경유닛(5a)은 상술한 상기 경로변경부(5)와 대략 일치하게 구현되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b)의 제2가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b), 상기 제1챔버(2), 및 상기 제2챔버(3) 각각에 연결될 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)과 상기 제1변경유닛(5a)은 서로 독립적으로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 연결될 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)은 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)은 상술한 상기 경로변경부(5)와 대략 일치하게 구현되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서 화학기상증착(CVD)에 의한 처리공정이 이루어지는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)에 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)에 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제2처리공정이 이루어질 수 있다.
상기 가스공급부(4)는 제3가스공급유닛(4c)을 포함할 수 있다. 상기 제3가스공급유닛(4c)은 퍼지가스를 공급하는 것이다.
상기 제1챔버(2)에서의 제1처리공정과 상기 제2챔버(3)에서의 제2처리공정이 완료되면, 상기 제3가스공급유닛(4c)은 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급할 수 있다. 상기 제3가스공급유닛(4c)은 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b) 중에서 적어도 하나를 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급할 수도 있다.
상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1변경유닛(5a)을 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 이 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있도록 구현된다.
상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제2변경유닛(5b)을 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 이 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있도록 구현된다.
상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b) 모두를 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b)은 각각 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다.
상기 경로변경부(5)는 제3변경유닛(5c)을 포함할 수 있다.
상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1챔버(2)에서의 제1처리공정이 완료되면, 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)에 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1챔버(2)에 상기 퍼지가스가 공급되는 동안, 상기 제2챔버(3)에서는 제2처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2챔버(3)에서의 제2처리공정이 완료되면, 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)에 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제2챔버(3)에 상기 퍼지가스가 공급되는 동안, 상기 제1챔버(2)에서는 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상술한 상기 경로변경부(5)와 대략 일치하게 구현되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서 원자층증착(ALD, Atomic Layer Deposition)에 의한 처리공정이 이루어지는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제1챔버(2)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 제2가스를 상기 제2챔버(3)로 공급할 수 있다. 그리고, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제2챔버(3)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 상기 제2가스를 상기 제1챔버(2)로 공급할 수 있다.
상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서 원자층증착(ALD)에 의한 처리공정이 이루어지고 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제1변경유닛(5a), 상기 제2변경유닛(5b), 및 상기 제3변경유닛(5c)은 다음과 같이 동작할 수 있다.
우선, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제1챔버(2)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 상기 제2가스를 상기 제2챔버(3)로 공급할 수 있다.
다음, 상기 제1변경유닛(5a), 상기 제2변경유닛(5b), 및 상기 제3변경유닛(5c) 중에서 적어도 하나가 상기 퍼지가스의 방향을 변경하여 퍼지가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급할 수 있다.
다음, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제2챔버(3)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 상기 제2가스를 상기 제1챔버(2)로 공급할 수 있다.
다음, 상기 제1변경유닛(5a), 상기 제2변경유닛(5b), 및 상기 제3변경유닛(5c) 중에서 적어도 하나가 상기 퍼지가스의 방향을 변경하여 상기 퍼지가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 원자층증착(ALD)에 의한 제1처리공정이 이루어지고, 상기 제2챔버(3)에서는 원자층증착(ALD)에 의한 제2처리공정이 이루어질 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버(2)와 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버(3)를 갖는 기판처리장치(1)를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1)를 통해 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다.
우선, 가스가 제1챔버(2)로 공급되도록 가스의 방향을 변경한다(S10). 이러한 단계(S10)는 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 경로변경부(5)가 상기 가스의 방향을 변경함으로써, 상기 가스를 상기 제1챔버(2)로 공급할 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 상기 가스의 방향을 변경할 수 있다.
다음, 제1챔버(2)에서 제1처리공정을 수행한다(S20). 이러한 단계(S20)는 상기 제1가스분사부(21)가 상기 가스공급부(4)와 상기 경로변경부(5)로부터 공급된 가스를 상기 제1지지부(22)에 지지된 기판을 향해 분사함으로써 이루어질 수 있다.
다음, 가스가 제2챔버(3)로 공급되도록 가스의 방향을 변경한다(S30). 이러한 단계(S30)는 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 경로변경부(5)가 상기 가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 상기 가스의 방향을 변경함으로써, 상기 가스를 상기 제2챔버(3)로 공급할 수 있다.
다음, 제2챔버(3)에서 제2처리공정을 수행한다(S40). 이러한 단계(S40)는 상기 제2가스분사부(31)가 상기 가스공급부(4)와 상기 경로변경부(5)로부터 공급된 가스를 상기 제2지지부(32)에 지지된 기판을 향해 분사함으로써 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 단계들을 반복적으로 수행햄으로써, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1챔버(2)에서 상기 제1처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제2챔버(3)에서 상기 제2처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다.
여기서, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10) 및 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 교번적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 가스공급부(4)의 가스를 상기 제1챔버(2)로 공급하는 작업과 상기 가스공급부(4)의 가스를 상기 제2챔버(3)로 공급하는 작업이 교번적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1챔버(2)에 공급되는 가스의 유량과 상기 제2챔버(3)에 공급되는 가스의 유량 각각을 용이하면서도 정확하게 조절할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 충분한 분사압력으로 가스를 분사하도록 구현되므로, 충분한 유량과 분사압력으로 분사된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는 상기 제2챔버(3)로의 가스 공급을 차단시키면서 상기 가스를 상기 제1챔버(2)로 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 가스공급부(4)의 가스 공급량을 기준으로 하여 상기 제1가스분사부(21)가 분사하는 가스의 유량과 분사압력을 높일 수 있으므로, 상기 제1처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 더 향상시킬 수 있다. 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는 상기 가스의 전부를 상기 제1챔버(2)로 공급함으로써 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 상기 제1챔버(2)로의 가스 공급을 차단시키면서 상기 가스를 상기 제2챔버(3)로 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 가스공급부(4)의 가스 공급량을 기준으로 하여 상기 제2가스분사부(31)가 분사하는 가스의 유량과 분사압력을 높일 수 있으므로, 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 더 향상시킬 수 있다. 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 상기 가스의 전부를 상기 제2챔버(3)로 공급함으로써 이루어질 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 제1가스와 제2가스가 혼합된 혼합가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는, 상기 혼합가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 혼합가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)는, 상기 제1챔버(2)에 분사된 혼합가스를 이용하여 화학기상증착에 의한 제1처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는, 상기 혼합가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 혼합가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)는, 상기 제2챔버(3)에 분사된 혼합가스를 이용하여 화학기상증착에 의한 제2처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되지 않은 상태로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급하도록 구현됨으로써, 화학기상증착(CVD)에 의한 처리공정이 수행되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같이 구현될 수 있다.
우선, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이는 상기 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함과 아울러 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)는, 상기 제1챔버(2)에서 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제1처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다.
다음, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이는 상기 제1가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함과 아울러 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)는, 상기 제2챔버(3)에서 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제2처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50), 및 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)에 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)와 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)가 이루어지는 동안 수행될 수도 있다.
상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)에 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)와 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)가 이루어지는 동안 수행될 수도 있다.
도 1 내지 도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되지 않은 상태로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 구현됨으로써, 원자층증착(ALD)에 의한 처리공정이 수행되도록 구현될 수도 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급하고, 상기 제2가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급하도록 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같이 구현될 수 있다.
우선, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)를 포함할 수 있다.
상기 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)는 상기 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서 제1가스를 이용한 제1처리공정이 이루어질 수 있다(S21). 상기 제1가스가 소스가스인 경우, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1처리공정 중에서 기판에 소스가스를 흡착시키는 흡착공정이 이루어질 수 있다.
다음, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31), 및 상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32)를 포함할 수 있다.
상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31)는 상기 제1가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서 제1가스를 이용한 제2처리공정이 이루어질 수 있다(S41). 상기 제1가스가 소스가스인 경우, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제2처리공정 중에서 기판에 소스가스를 흡착시키는 흡착공정이 이루어질 수 있다.
상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32)는 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서 제2가스를 이용한 제1처리공정이 이루어질 수 있다(S42). 상기 제2가스가 반응가스인 경우, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1처리공정 중에서 기판 상에 흡착된 소스가스와 반응가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어질 수 있다.
상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32) 및 상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31)는 동시에 이루어질 수도 있다. 여기서, 동시에 이루어진다는 것은 시작시점과 종료시점 각각이 정확하게 동일한 경우뿐만 아니라 소정 범위 내에서 시작시점과 종료시점 각각이 차이가 있는 경우도 포함되는 것이다.
여기서, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는, 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12)를 포함할 수 있다.
상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12)는 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서 제2가스를 이용한 제2처리공정이 이루어질 수 있다(S22). 상기 제2가스가 반응가스인 경우, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제2처리공정 중에서 기판 상에 흡착된 소스가스와 반응가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어질 수 있다.
상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12) 및 상기 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)는 동시에 이루어질 수도 있다. 여기서, 동시에 이루어진다는 것은 시작시점과 종료시점 각각이 정확하게 동일한 경우뿐만 아니라 소정 범위 내에서 시작시점과 종료시점 각각이 차이가 있는 경우도 포함되는 것이다.
한편, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 기판이 로딩된 공정 초기에는, 상기 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)만 수행되고, 상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12)가 수행되지 않을 수 있다. 상기 제1가스로 먼저 상기 기판에 대한 처리공정을 수행한 후에, 상기 제2가스로 상기 기판에 대한 처리공정을 수행하기 위함이다.
여기서, 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50), 및 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 다음과 같이 구현될 수 있다.
상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S21)와 상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S22)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51), 및 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)는 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 한편, 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)가 수행된 이후에 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)가 이루어질 수도 있다. 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52) 및 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)는 동시에 이루어질 수도 있다.
상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31)와 상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61), 및 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)는 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 한편, 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)가 수행된 이후에 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)가 이루어질 수도 있다. 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62) 및 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)는 동시에 이루어질 수도 있다.
도 1, 도 3, 및 도 8을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1)를 통해 수행될 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다.
우선, 상기 제1챔버(2)로 상기 제1가스를 공급한다(S100). 이러한 단계(S100)는 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급됨으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 소스가스를 이용한 흡착공정이 이루어질 수 있다.
다음, 상기 제2챔버(3)로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제1챔버(2)로 제3가스를 공급한다(S200). 이러한 단계(S200)는 상기 제1가스공급유닛(4a)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1챔버(2)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3가스는 퍼지가스일 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 소스가스를 이용한 흡착공정이 이루어지고, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.
다음, 상기 제1챔버(2)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급한다(S300). 이러한 단계(S300)는 상기 제2가스공급유닛(4b)이 상기 제1챔버(2)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b)의 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 반응가스를 이용한 증착공정이 이루어지고, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제1가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.
다음, 상기 제2챔버(3)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제1챔버(2)로 상기 제3가스를 공급한다(S400). 이러한 단계(S400)는 상기 제2가스공급유닛(4b)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1챔버(2)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b)의 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 반응가스를 이용한 증착공정이 이루어지고, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제2가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.
다음, 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급한다(S500). 이러한 단계(S500)는 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제2가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.
한편, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 기판이 로딩된 직후에 해당하는 공정 초기에는, 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계(S100)만 수행되고, 상기 제2챔버(3)에는 가스가 공급되지 않을 수 있다. 그리고, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각으로부터 기판이 언로딩되기 직전에 해당하는 공정 말기에는, 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계(S500)만 수행되고, 상기 제1챔버(2)에는 가스가 공급되지 않을 수 있다. 또한, 상기 공정 초기와 상기 공정 말기 사이의 공정 중기에는, 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계(S500)가 이루어지는 동안 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계(S100)가 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 위치한 기판에 대해 제1가스, 제3가스, 제2가스, 및 제3가스가 순차적으로 분사되는 사이클이 반복적으로 수행될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버;
    기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버;
    상기 제1챔버에 가스를 분사하는 제1가스분사부;
    상기 제2챔버에 가스를 분사하는 제2가스분사부;
    가스를 공급하는 가스공급부; 및
    상기 가스공급부의 가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 경로변경부를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 경로변경부는 상기 가스의 방향을 변경하여 상기 가스를 상기 제1가스분사부로 공급하고, 상기 가스의 방향을 변경하여 상기 가스를 상기 제2가스분사부로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가스공급부는 제1가스를 공급하는 제1가스공급유닛, 및 제2가스를 공급하는 제2가스공급유닛을 포함하고,
    상기 경로변경부는 상기 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 제1변경유닛, 및 상기 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 제2변경유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스공급부는 퍼지가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 포함하고,
    상기 경로변경부는 상기 제3가스공급유닛의 퍼지가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경하는 제3변경유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 가스공급부는 퍼지가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 포함하고,
    상기 제1변경유닛은 상기 제1가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경하며,
    상기 제2변경유닛은 상기 제2가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버와 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버를 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계;
    상기 제1챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계; 및
    상기 제2챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계 및 상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 교번적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 상기 제2챔버로의 가스 공급을 차단시키면서 상기 가스를 상기 제1챔버로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 제1가스와 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경하고,
    상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 이후에, 퍼지가스를 상기 제1챔버로 공급하는 단계; 및
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 후에, 상기 퍼지가스를 상기 제2챔버로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버와 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버를 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계;
    상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하고, 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계; 및
    상기 제1챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하고 상기 제2챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계, 및 상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계는 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계가 이루어지는 동안 수행되며,
    상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계가 이루어지는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계와 상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 이후에, 퍼지가스를 상기 제1챔버와 상기 제2챔버로 공급하는 단계; 및
    상기 제1챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하고 상기 제2챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 이후에, 상기 퍼지가스를 상기 제1챔버와 상기 제2챔버로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버, 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버, 제1가스를 공급하는 제1가스공급유닛, 제2가스를 공급하는 제2가스공급유닛, 및 제3가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    상기 제1가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계;
    상기 제1가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계;
    상기 제2가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계;
    상기 제2가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 및
    상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계가 이루어지는 동안 상기 제1가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계가 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
PCT/KR2021/009850 2020-08-12 2021-07-29 기판처리장치 및 기판처리방법 WO2022035099A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0100919 2020-08-12
KR1020200100919A KR20220020527A (ko) 2020-08-12 2020-08-12 기판처리장치 및 기판처리방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022035099A1 true WO2022035099A1 (ko) 2022-02-17

Family

ID=80247159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2021/009850 WO2022035099A1 (ko) 2020-08-12 2021-07-29 기판처리장치 및 기판처리방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20220020527A (ko)
TW (1) TW202217054A (ko)
WO (1) WO2022035099A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003074800A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Tokyo Electron Ltd 流体制御装置及び熱処理装置と流体制御方法
KR20100067644A (ko) * 2010-05-28 2010-06-21 주성엔지니어링(주) 배치 방식 반도체 제조 장치
KR20120134816A (ko) * 2011-06-03 2012-12-12 주성엔지니어링(주) 가스 공급 방법
KR20150108781A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법
US20180046206A1 (en) * 2016-08-13 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a process chamber

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003074800A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Tokyo Electron Ltd 流体制御装置及び熱処理装置と流体制御方法
KR20100067644A (ko) * 2010-05-28 2010-06-21 주성엔지니어링(주) 배치 방식 반도체 제조 장치
KR20120134816A (ko) * 2011-06-03 2012-12-12 주성엔지니어링(주) 가스 공급 방법
KR20150108781A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 시스템-공유하는 다수의 반응 챔버들에서의 균일한 프로세싱을 수행하는 방법
US20180046206A1 (en) * 2016-08-13 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a process chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220020527A (ko) 2022-02-21
TW202217054A (zh) 2022-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013095030A1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2013180451A1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2020159091A1 (ko) 기판 건조 챔버
WO2022035099A1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2018021654A1 (ko) 박막 증착 방법
WO2016171452A1 (ko) 기판처리장치 및 챔버 세정방법
WO2022260473A1 (ko) 배리어층의 형성 방법
WO2013191414A1 (ko) 기판처리장치
WO2014185626A1 (en) Gas sprayer and thin film depositing apparatus having the same
WO2020138970A2 (ko) 기판처리장치
WO2021002590A1 (ko) 기판처리장치용 가스공급장치 및 기판처리장치
WO2017222350A1 (ko) 원자층 증착 장비 가스 모듈, 원자층 증착 장비 및 그를 이용한 원자층 증착 방법
WO2021006676A1 (ko) 기판처리장치
WO2022071689A1 (ko) 기판처리방법
WO2020189892A1 (ko) 기판 건조 챔버
WO2020235822A1 (ko) 플라즈마와 증기를 이용한 건식 세정 장치
WO2017188546A1 (ko) 박막 증착 방법
WO2023146194A1 (ko) 기판처리장치 및 금속산화물반도체 제조방법
WO2018038547A1 (ko) 원자층 증착 장비 및 그를 이용한 원자층 증착 방법
WO2020235823A1 (ko) 플라즈마와 증기를 이용한 건식 세정 방법
WO2022085990A1 (ko) 기판처리장치
WO2018038375A1 (ko) 원자층 증착 장비 및 그를 이용한 원자층 증착 방법
WO2020036261A1 (ko) 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
WO2010087638A2 (ko) 배치식 기판처리 장치
WO2015142131A1 (ko) 멀티형 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21856105

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21856105

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1