WO2022071689A1 - 기판처리방법 - Google Patents

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WO2022071689A1
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gas
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진세환
노재성
손청
윤홍민
윤홍수
장윤주
조병하
조지현
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주성엔지니어링(주)
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing method for performing processing processes such as a deposition process and an etching process for a substrate.
  • a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate.
  • a deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, an etching process for selectively removing the thin film from the exposed portion to form a pattern, etc. The treatment process takes place.
  • a processing process for such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus includes a chamber providing a processing space, a support part for supporting a substrate, and a gas injection part for spraying gas toward the support part.
  • the substrate processing apparatus performs a processing process on the substrate using the source gas and the reaction gas injected by the gas injection unit.
  • the present invention has been devised to solve the above problems, and relates to a substrate processing method capable of performing a processing process for manufacturing a device having various characteristics, such as a device having a multi-thin film structure, a doping device, and the like.
  • the present invention may include the following configuration.
  • the substrate processing method is a substrate processing method for performing a processing process on a substrate in a processing space divided into a first processing region and a second processing region.
  • a substrate supported by a support is located in the first processing region, , performing a first processing process on the substrate in the first processing region; when the first processing process is completed, rotating the support part to move the substrate to the second processing area; and performing a second processing process on the substrate in the second processing region when the substrate supported by the support is located in the second processing region.
  • the performing the first processing process comprises: injecting a first source gas into the first processing region; and injecting a second source gas to the first processing region.
  • the performing the second processing process comprises: injecting a first reaction gas into the second processing region; and injecting a second reaction gas to the second processing region.
  • the performing the second processing process comprises: injecting a first reaction gas into the second processing region; and generating plasma in the second processing region.
  • performing the first processing process may include injecting a mixed gas obtained by mixing two or more types of source gases to the first processing region.
  • a mixed gas obtained by mixing two or more types of reaction gases may be injected into the second treatment region.
  • the substrate processing method is a substrate processing method for performing a processing process on a substrate in a processing space divided into a first processing region and a second processing region.
  • a substrate supported by a support is located in the first processing region, performing a first processing process using the first source gas by injecting a first source gas into the first processing region; when the first processing process using the first source gas is completed, rotating the support part to move the substrate to the second processing area;
  • a second processing process using the first reaction gas is performed by injecting a first reaction gas into the second processing region performing; when the second processing process using the first reaction gas is completed, rotating the support part to move the substrate to the first processing area;
  • a second source gas different from the first source gas is injected into the first processing region to form the second source gas performing a first treatment process using when the first processing
  • the present invention is implemented so that the time for each of the treatment process using the source gas and the treatment process using the reaction gas can be adjusted, so that the incubation time required for thin film growth in each of the treatment process using the source gas and the treatment process using the reaction gas. time) can be adjusted. Accordingly, the present invention can perform a processing process for manufacturing a device having various characteristics, such as a device having a multi-thin film structure, a doping device, and the like.
  • the present invention may be implemented such that a processing region in which each of a processing process using a source gas and a processing process using a reaction gas is performed is spatially separated. Accordingly, the present invention can increase the cleaning cycle for the inside of the chamber, thereby reducing cleaning cost and increasing the productivity of the substrate on which the processing process has been completed by increasing the operation rate.
  • FIG. 1 is a schematic exploded perspective view showing an example of a substrate processing apparatus for performing a substrate processing method according to the present invention
  • FIG. 2 is a schematic side cross-sectional view of the substrate processing apparatus taken along line I-I of FIG. 1 ;
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a support part in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
  • FIG. 4 is a schematic flowchart of a substrate processing method according to the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic flowchart of a first processing step in the substrate processing method according to the present invention.
  • FIG. 6 is a timing diagram illustrating a gas injection section in embodiments of a first processing process in a substrate processing method according to the present invention
  • FIG. 7 is a schematic flowchart of a second processing step in the substrate processing method according to the present invention.
  • FIG. 8 is a timing diagram illustrating a gas injection section in embodiments of a second processing process in a substrate processing method according to the present invention.
  • FIG. 9 is a timing diagram illustrating a gas injection section and a substrate movement section in a substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention.
  • the substrate processing method according to the present invention is to perform a processing process for the substrate (S).
  • the substrate S may be a silicon substrate, a glass substrate, a metal substrate, or the like.
  • the substrate processing method according to the present invention may perform a deposition process of depositing a thin film on the substrate S, an etching process of removing a portion of the thin film deposited on the substrate S, and the like.
  • the substrate processing method according to the present invention will be described based on an embodiment in which the deposition process is performed, but from this, an embodiment in which the substrate processing method according to the present invention performs another processing process such as the etching process. It will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains.
  • the substrate processing method according to the present invention may be performed by the substrate processing apparatus 1 .
  • the substrate processing apparatus 1 Before describing the embodiment of the substrate processing method according to the present invention, the substrate processing apparatus 1 will be described in detail as follows.
  • the substrate processing apparatus 1 may include a chamber 2 , a support part 3 , a gas injection part 4 , and a gas supply part 5 .
  • the chamber 2 provides a processing space 100 .
  • processing processes such as a deposition process and an etching process for the substrate S may be performed.
  • the processing space 100 may be divided into a first processing region 110 and a second processing region 120 inside the chamber 2 .
  • a third processing region 130 may be positioned between the first processing region 110 and the second processing region 120 .
  • the support part 3 and the gas injection part 4 may be installed in the chamber 2 .
  • a first exhaust port 21 and a second exhaust port 22 may be coupled to the chamber 2 .
  • the first exhaust port 21 may be connected to the first processing region 110 . Accordingly, the gas located in the first processing region 110 may be exhausted to the outside of the chamber 2 through the first exhaust port 21 .
  • the first exhaust port 21 may be connected to the second processing region 120 . Accordingly, the gas located in the second processing region 120 may be exhausted to the outside of the chamber 2 through the second exhaust port 22 .
  • the support part 3 may be installed inside the chamber 2 .
  • the support part 3 may support one substrate S or a plurality of substrates S1 , S2 , S3 , and S4 (shown in FIG. 3 ).
  • a portion of the support part 3 may be Located in the processing region 110 , another part of the support part 3 is positioned in the second processing zone 120 , and another part of the support part 3 is positioned in the third processing zone 130 .
  • the support part 3 may rotate about a support shaft 30 (shown in FIG. 3 ) of the support part 3 in the chamber 2 .
  • the substrate S supported on the support part 3 may be moved to different processing areas within the chamber 2 .
  • some of the plurality of substrates S1 , S2 , S3 , and S4 pass through the third processing region 310 in the first processing region 110 to the second It moves to the processing region 120 , and moves from the second processing region 120 to the third processing region 130 and back to the first processing region 110 .
  • the rotation of the support part 3 may be repeatedly made to stop and rotate. Accordingly, the substrate S supported by the support part 3 may move between the different processing areas while repeating stop and movement.
  • the support part 3 may be rotated about the support shaft 30 by the rotation part 6 . Rotation and stopping with respect to the support part 3 can be repeatedly made by the rotation part 6 .
  • the gas injection unit 4 injects gas toward the support unit 3 .
  • the gas injection unit 4 may be connected to the gas supply unit 5 . Accordingly, the gas injection unit 4 may inject the gas supplied from the gas supply unit 5 toward the support unit 3 .
  • the gas injection part 4 may be disposed to face the support part 3 .
  • the processing space 100 may be disposed between the gas injection part 4 and the support part 3 .
  • the gas injection unit 4 may be coupled to the chamber lid 20 .
  • the chamber lid 20 may be coupled to the chamber 2 so as to cover an upper portion of the chamber 2 .
  • the gas injection unit 4 may include a first injection unit 41 and a second injection unit 42 .
  • the first injection unit 41 injects gas into the first processing region 110 .
  • the first processing region 110 may correspond to a part of the processing space 100 .
  • the first injection unit 41 may be disposed to be spaced upward from the support part 3 .
  • the first processing region 110 may be a region between the first spray unit 41 and the support part 3 .
  • the first injection unit 41 may inject at least one type of source gas to the first processing region 110 .
  • the first injection unit 41 may inject a purge gas into the first processing region 110 .
  • the purge gas may be an inert gas such as argon (Ar).
  • the second injection unit 42 injects gas into the second processing region 120 .
  • the second processing region 120 may correspond to a part of the processing space 100 .
  • the second injection unit 42 may be disposed to be spaced upward from the support part 3 .
  • the second processing region 120 may be a region between the second spray unit 42 and the support part 3 .
  • the second injection unit 42 may inject at least one type of reaction gas to the second processing region 120 .
  • the second injection unit 42 may inject a purge gas into the second processing region 120 .
  • the gas injection unit 4 may further include a third injection unit 43 .
  • the third injection unit 43 injects gas into the third processing region 130 .
  • the third processing region 130 may correspond to a part of the processing space 100 .
  • the third processing region 130 may be a region between the first processing region 110 and the second processing region 120 .
  • the third injection unit 43 may be disposed to be spaced upward from the support part 3 .
  • the third injection unit 43 may be disposed between the first injection unit 41 and the second injection unit 42 .
  • the third injection unit 43 may inject the partition gas into the third processing region 130 .
  • the compartment gas may be an inert gas such as argon (Ar).
  • Ar argon
  • the gas supply unit 5 supplies gas to the gas injection unit 4 .
  • the gas supply unit 5 may supply gas to each of the first injection unit 41 and the second injection unit 42 .
  • the gas supply unit 5 may also supply gas to the third injection unit 43 .
  • the gas supply unit 5 may be installed inside the chamber 2 or outside the chamber 2 .
  • the gas supply unit 5 may include a first supply unit 51 and a second supply unit 52 .
  • the first supply unit 51 may supply at least one type of source gas to the first injection unit 41 .
  • the first supply unit 51 may supply a purge gas to the first injection unit 41 .
  • the first supply unit 51 may supply at least one type of source gas and a purge gas to the first injection unit 41 according to a preset process sequence.
  • the second supply unit 52 may supply at least one type of reaction gas to the second injection unit 42 .
  • the second supply unit 52 may supply a purge gas to the second injection unit 42 .
  • the second supply unit 52 may supply at least one type of reaction gas and a purge gas to the second injection unit 42 according to a preset process sequence.
  • the gas supply unit 5 may further include a third supply unit 53 .
  • the third supply unit 53 may supply the partition gas to the third injection unit 43 .
  • the third supply unit 53 may supply the partition gas to the third injection unit 43 intermittently or continuously while the processing process for the substrate S is performed.
  • the substrate processing method according to the present invention may be performed using the substrate processing apparatus 1 as described above, but the present invention is not limited thereto, and the substrate processing method according to the present invention may be performed using a substrate processing apparatus implemented differently.
  • the substrate processing method according to the present invention may include the following steps.
  • a first processing process is performed in the first processing area (S10).
  • the step (S10) of performing this first processing process is to be performed in a state in which the substrate S supported by the support part 3 is located in the first processing region 110 and the rotation of the support part 3 is stopped.
  • performing the first processing process ( S10 ) is performed by the first injection unit 41 in the first processing region 110 . This may be accomplished by injecting gas into the processing region 110 .
  • the first injection unit 41 may inject at least one type of source gas to the first processing region 110 .
  • the first injection unit 41 may spray a purge gas to the first processing region 110 after injecting the source gas to the first processing region 110 .
  • the substrate is moved from the first processing region to the second processing region (S20).
  • the step of moving the substrate from the first processing region to the second processing region (S20) may be performed after the first processing process is completed through the step of performing the first processing process (S10).
  • the step of moving the substrate from the first processing region to the second processing region ( S20 ) is when the rotating unit 6 rotates the supporting unit 3 around the supporting shaft 30 . This can be done by rotating.
  • the rotation unit 6 may stop the rotation of the support unit 3 .
  • the substrate S located in the first processing region 110 passes through the third processing region 130 to the second processing region. It can be achieved by rotating the support (3) to move to (120).
  • a purge gas may be injected to the substrate S by the third injection unit 43 .
  • a second processing process is performed in the second processing area (S30).
  • the step (S30) of performing this second processing process is performed in a state in which the substrate S supported by the support part 3 is located in the second processing region 120 and the rotation of the support part 3 is stopped.
  • performing the second processing process ( S30 ) is performed by the second injection unit 42 in the second processing region 120 . This may be accomplished by injecting gas into the processing region 120 .
  • the second injection unit 42 may inject at least one type of reaction gas to the second processing region 120 .
  • the second injection unit 42 may spray the purge gas to the second processing region 120 after the reaction gas is injected into the second processing region 120 .
  • the substrate is moved from the second processing region to the first processing region (S40).
  • the step of moving the substrate from the second processing region to the first processing region ( S40 ) may be performed after the second processing process is completed through the step of performing the second processing process ( S30 ).
  • the step of moving the substrate from the second processing region to the first processing region (S40) is performed in which the rotating unit 6 rotates the supporting unit 3 around the supporting shaft 30. This can be done by rotating.
  • the rotation unit 6 may stop the rotation of the support unit 3 .
  • the substrate S located in the second processing region 120 passes through the third processing region 130 to the first processing region. It can be achieved by rotating the support (3) to move to (110).
  • a purge gas may be injected to the substrate S by the third injection unit 43 .
  • the substrate processing method according to the present invention is implemented so that the first processing process and the second processing process can be performed while the substrate supported by the support part 3 is stopped. Accordingly, in the substrate processing method according to the present invention, since the time for each of the first processing process and the second processing process can be adjusted, the culture time required for thin film growth in each of the first processing process and the second processing process (Incubation Time) can be adjusted. Therefore, the substrate processing method according to the present invention can perform a processing process for manufacturing a device having various characteristics, such as a device having a multi-thin film structure, a doping device, and the like.
  • the first processing region 110 in which the first processing process is performed and the second processing region 120 in which the second processing process is performed can be spatially separated by the partition gas. , it is possible to prevent the inside of the chamber 2 from being contaminated due to the reaction of the source gas and the reaction gas. Therefore, since the substrate processing method according to the present invention can increase the cleaning cycle for the inside of the chamber 2, not only can the cleaning cost be reduced, but also the productivity of the substrate on which the processing process has been completed can be increased by increasing the operation rate. .
  • the substrate processing method according to the present invention may include various embodiments with respect to the step (S10) of performing the first processing process.
  • Embodiments of the step (S10) of performing the first processing process will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6 .
  • the horizontal axis means time.
  • the first embodiment of performing the first processing process may include injecting a first source gas (S11) and injecting a second source gas (S12).
  • the step of injecting the first source gas ( S11 ) may be performed by injecting the first source gas into the first processing region 110 .
  • the step (S11) of injecting the first source gas may be performed by the first injection unit 41 .
  • the step (S11) of injecting the first source gas may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the step of injecting the second source gas ( S12 ) may be performed by injecting the second source gas into the first processing region 110 .
  • the spraying of the second source gas (S12) may be performed after the spraying of the first source gas (S12) is performed.
  • the step (S12) of injecting the second source gas may be performed by the first injection unit 41 .
  • the step (S12) of injecting the second source gas may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the injecting of the second source gas (S12) may be performed by injecting the second source gas different from the first source gas.
  • the substrate processing method according to the present invention may be implemented to perform a processing process for manufacturing devices having various characteristics, such as doped devices.
  • the first embodiment of the step S10 of performing the first processing process is implemented to inject different source gases, so that multiple metal components may be included in the film.
  • a metal film containing one or more metals from among hafnium (Hf), zirconium (Zr), yttrium (Y), and magnesium (Mg) is formed.
  • the injecting of the second source gas (S12) may be performed by injecting the same second source gas as the first source gas.
  • a thin film having a dense structure can be formed on the substrate S by repeatedly performing an adsorption process using the same type of source gas.
  • Performing the first treatment process (S10) may include spraying a purge gas (S13).
  • the spraying of the purge gas ( S13 ) may be performed by spraying the purge gas into the first processing region 110 .
  • the spraying of the purge gas ( S13 ) may be performed by the first spraying unit 41 .
  • the spraying of the purge gas (S13) may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the spraying of the purge gas (S13) may be performed after the spraying of the first source gas (S11) is performed and before the spraying of the second source gas (S12) is performed. That is, the spraying of the purge gas (S13) may be performed between the spraying of the first source gas (S11) and the spraying of the second source gas (S12). Accordingly, in the substrate processing method according to the present invention, after purging the first source gas that has not been adsorbed on the substrate S using the purge gas, the second source gas is sprayed in the first processing process. The quality of this finished substrate can be improved.
  • the first source gas and the second source gas may be formed of the same source gas, and thus the same source gas in the same space. It may be implemented to continuously spray. Since the source gas serves as a seed for the deposition of the lower seed film, the first embodiment of the step S10 of performing the first processing process is the adsorption of the source material through the injection of the source gas and By continuously purging through the injection of the purge gas, it is possible to increase the density of the metal seed by well adsorbing the source material.
  • the step of spraying the first source gas (S11) may be performed by spraying the first source gas during the first source injection time.
  • the injecting of the second source gas (S12) may be performed by injecting the second source gas during the second source injection time.
  • the first source injection time and the second source injection time may be implemented to be the same.
  • the substrate processing method according to the present invention may be implemented such that the adsorption process using the first source gas and the adsorption process using the second source gas are performed for the same time.
  • the second embodiment of the step (S10) of performing the first processing process is compared with the first embodiment of the step (S10) of the above-described first processing process, the first source injection time and the There is a difference in that the two source injection times are implemented differently.
  • the first source injection time may be shorter than the second source injection time. Accordingly, in the substrate processing method according to the present invention, the adsorption process using the first source gas may be implemented for a shorter time than the adsorption process using the second source gas.
  • the third embodiment of the step (S10) of performing the first processing process is compared with the first embodiment of the step (S10) of the above-described first processing process, the first source injection time and the second There is a difference in that the two source injection times are implemented differently.
  • the first source injection time may be longer than the second source injection time. Accordingly, in the substrate processing method according to the present invention, the adsorption process using the first source gas may be implemented for a longer period of time than the adsorption process using the second source gas.
  • the first source gas and the second source gas may be formed of the same source gas. Accordingly, the second embodiment and the third embodiment of performing the first processing process ( S10 ) may be implemented to continuously inject the same source gas in the same space. Accordingly, in the second and third embodiments of the step (S10) of performing the first processing process, the adsorption of the source material through the injection of the source gas and the purging through the injection of the purge gas are continuously performed. , it is possible to increase the density of the metal seed by making the source material adsorb well.
  • the first source gas and the second source gas may be formed of different source gases. Accordingly, the second embodiment and the third embodiment of the step (S10) of performing the first processing process may allow multiple metal components to be included in the film.
  • the second and third embodiments of the step S10 of performing the first treatment process one or more metals from hafnium (Hf), zirconium (Zr), yttrium (Y), and magnesium (Mg) are included.
  • a metal film can be formed.
  • the first source gas and the second source gas composed of different source gases are injected with the different first sources. It may be implemented to spray during time and the second source injection time. Accordingly, the second embodiment and the third embodiment of the step S10 of performing the first processing process can increase the ratio of a desired metal in the film, and increase the accuracy of adjusting the ratio of the metal included in the film. can be improved
  • the fourth embodiment of the step (S10) of performing the first processing process is a third source gas in comparison with the first to third embodiments of the step (S10) of the above-described first processing process It may further include the step of spraying (S14).
  • the injecting of the third source gas ( S14 ) may be performed by injecting the third source gas into the first processing region 110 .
  • the injecting of the third source gas (S14) may be performed after the injecting of the second source gas (S12) is performed.
  • the step (S14) of injecting the third source gas may be performed by the first injection unit 41 .
  • the step (S14) of injecting the third source gas may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the injecting of the third source gas (S14) may be performed by injecting the third source gas different from each of the first source gas and the second source gas.
  • a composite film by doping may be formed. Accordingly, the substrate processing method according to the present invention can be implemented to perform a processing process for manufacturing devices having more various characteristics.
  • the injecting of the third source gas (S14) may be performed by injecting the same third source gas as at least one of the first source gas and the second source gas.
  • a thin film having a dense structure can be formed on the substrate S by repeatedly performing an adsorption process using the same type of source gas.
  • the purge gas is performed between the step of spraying the second source gas (S12) and the step of spraying the third source gas (S14).
  • the step of spraying (S13') may be additionally made.
  • the first source gas, the second source gas, and the third source gas may be made of the same source gas, and thus It may be implemented to continuously inject the same source gas in the same space. Therefore, in the fourth embodiment of the step (S10) of performing the first processing process, the adsorption of the source material through the injection of the source gas and the purging through the injection of the purge gas are continuously performed, whereby the adsorption of the source material is performed. By making this well, the density of the metal seed can be increased.
  • the first source gas, the second source gas, and the third source gas may be formed of different source gases. Accordingly, in the fourth embodiment of the step S10 of performing the first processing process, a plurality of metal components may be included in the film.
  • a metal film containing one or more metals from among hafnium (Hf), zirconium (Zr), yttrium (Y), and magnesium (Mg) is formed.
  • the step (S10) of performing the first processing process may be implemented in an embodiment including the step of spraying the source gas four or more times.
  • the step (S13) of spraying the purge gas may be performed between the steps of spraying the source gas.
  • a fifth embodiment of the step (S10) of performing the first processing process may include only the step (S11) of injecting the first source gas.
  • the step of injecting the first source gas ( S11 ) may be performed by injecting a mixed gas obtained by mixing two or more types of source gases as the first source gas to the first processing region 110 .
  • the substrate processing method according to the present invention may include various embodiments with respect to the step (S30) of performing the second processing process.
  • Embodiments of the step (S30) of performing the second processing process will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 8 .
  • the horizontal axis means time.
  • the first embodiment of the step (S30) of performing the second processing process may include a step of spraying a first reaction gas (S31), and a step of spraying a second reaction gas (S32).
  • the step of injecting the first reaction gas ( S31 ) may be performed by injecting the first reaction gas into the second processing region 120 .
  • the step of injecting the first reaction gas (S31) may be performed by the second injection unit 42.
  • the step of injecting the first reaction gas (S31) may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the step of spraying the second reaction gas ( S32 ) may be performed by spraying the second reaction gas into the second processing region 120 .
  • the spraying of the second reaction gas (S32) may be performed after the spraying of the first reaction gas (S12) is performed.
  • Injecting the second reaction gas (S32) may be performed by the second injection unit (42).
  • the step of injecting the second reaction gas (S32) may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the spraying of the second reaction gas (S32) may be performed by injecting the second reaction gas different from the first reaction gas.
  • a composite film by doping may be formed.
  • the substrate processing method according to the present invention may be implemented to perform a processing process for manufacturing devices having various characteristics, such as doped devices.
  • the step of injecting the second reaction gas (S32) may be performed by injecting the same second reaction gas as the first reaction gas.
  • a thin film having a dense structure can be formed on the substrate S by repeatedly performing a deposition process using the same type of reactive gas.
  • the first embodiment of the step (S30) of performing the second treatment process is implemented to inject the reaction gas a plurality of times through the injection of the first reaction gas and the second reaction gas, thereby improving the film quality.
  • Performing the second treatment process (S30) may include spraying a purge gas (S33).
  • the spraying of the purge gas ( S33 ) may be performed by spraying the purge gas into the second processing region 120 .
  • the step of spraying the purge gas ( S33 ) may be performed by the second spraying unit 42 .
  • the spraying of the purge gas (S33) may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the spraying of the purge gas (S33) may be performed after the spraying of the first reaction gas (S31) is performed and before the spraying of the second reaction gas (S32) is performed. That is, the step of spraying the purge gas (S33) may be performed between the step of spraying the first reaction gas (S31) and the step of spraying the second reaction gas (S32). Accordingly, in the substrate processing method according to the present invention, the second reaction gas is sprayed after purging the first reaction gas that has not been deposited on the substrate S using the purge gas, and thus the second processing process is performed. The quality of this finished substrate can be improved.
  • the step of injecting the first reaction gas (S31) may be performed by injecting the first reaction gas during the first reaction injection time.
  • the step of injecting the second reaction gas (S32) may be performed by injecting the second reaction gas for a second reaction injection time.
  • the first reaction injection time and the second reaction injection time may be implemented to be identical to each other.
  • the substrate processing method according to the present invention may be implemented such that the deposition process using the first reaction gas and the deposition process using the second reaction gas are performed for the same time.
  • the first reaction injection time and the second reaction injection time may be implemented to be different from each other. In this case, the deposition process using the first reaction gas and the deposition process using the second reaction gas may be implemented for different times.
  • a second embodiment of the performing the second processing process (S30) is a step of injecting the second reaction gas in comparison with the first embodiment of the performing the second processing process (S30)
  • the step (S34) of generating plasma is performed instead of (S32).
  • the generating of the plasma ( S34 ) may be performed by generating a plasma in the second processing region 120 .
  • the generating of the plasma ( S34 ) may be performed by the second injection unit 42 .
  • the second injection unit 42 may generate plasma in the second processing region 120 using a plasma electrode and a ground electrode. In this case, the second injection unit 42 may inject the generated gas for plasma generation to the second processing region 120 .
  • the density of the thin film formed by the deposition process using the first reaction gas is obtained by performing the step (S34) of generating the plasma. can be increased, and step coverage can be improved.
  • the plasma treatment since the plasma treatment can be performed immediately after the film is formed, impurities included in the metal film can be removed as well as of the film. density can be increased.
  • the third embodiment of the step (S30) of performing the second treatment process is the step of injecting a third reaction gas in comparison with the first embodiment of the step (S30) of the above-described second treatment process (S30) S35) may be further included.
  • the step of injecting the third reaction gas ( S35 ) may be performed by injecting the third reaction gas into the second processing region 120 .
  • the injection of the third reaction gas (S35) may be performed after the injection of the second reaction gas (S32) is performed.
  • the injection of the third reaction gas (S35) may be performed by the second injection unit (42).
  • the injection of the third reaction gas (S35) may be performed in a state in which the rotation of the support part 3 is stopped.
  • the step of injecting the third reaction gas (S35) may be performed by injecting the third reaction gas different from each of the first reaction gas and the second reaction gas.
  • a composite film by doping may be formed. Accordingly, the substrate processing method according to the present invention can be implemented to perform a processing process for manufacturing devices having more various characteristics.
  • the spraying of the third reaction gas (S35) may be performed by injecting the same third reaction gas as at least one of the first reaction gas and the second reaction gas.
  • a thin film having a dense structure can be formed on the substrate S by repeatedly performing a deposition process using the same type of reactive gas.
  • the third embodiment of the step (S30) of performing the second processing process is to inject the reaction gas a plurality of times through the injection of the first reaction gas, the second reaction gas, and the third reaction gas.
  • the purge gas is performed between the step of spraying the second reaction gas (S32) and the step of spraying the third reaction gas (S35).
  • the step of spraying (S33') may be additionally made.
  • the step (S30) of performing the second treatment process may be implemented in an embodiment including the step of spraying the reaction gas four or more times.
  • the step (S33) of spraying the purge gas may be performed between the steps of spraying the reaction gas.
  • a fourth embodiment of the step (S30) of performing the second treatment process may include only the step (S31) of injecting the first reaction gas.
  • the step of injecting the first reaction gas ( S31 ) may be performed by injecting a mixed gas obtained by mixing two or more types of reaction gas as the first reaction gas to the second processing region 120 .
  • any one of the first to fifth embodiments of the step (S10) of performing the first processing process and the second step of performing the second processing process (S30) may be implemented by combining any one of the first to fourth embodiments.
  • performing the second processing process (S30) includes only the step (S31) of spraying the first reaction gas, but may be implemented to spray one type of reaction gas to the second processing region 120 .
  • the step of performing the first processing process (S10) includes only the step (S11) of spraying the first source gas, but may be implemented to spray one type of source gas to the first processing region 110 .
  • the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention may include the following steps.
  • the horizontal axis means time.
  • a first processing process using the first source gas is performed.
  • the first source gas is injected into the first processing region 110 to generate the first source gas. It can be achieved by performing the first treatment process used.
  • the first source gas may be injected into the first processing region 110 by the first injection unit 41 . While performing the first processing process using the first source gas is performed, the support part 3 may be maintained in a stationary state.
  • the substrate is moved to the second processing region 120 .
  • the support part 3 is rotated to move the substrate S from the first processing region 110 to the second processing region 120 . This can be done by moving When the substrate S is positioned in the second processing region 120 , the rotation of the support part 3 may be stopped. While the substrate S moves from the first processing region 110 to the second processing region 120 , the substrate S may pass through the third processing region 130 .
  • a second treatment process using the first reaction gas is performed.
  • the first reaction gas is injected into the second processing region 120 to generate the first reaction gas. It can be achieved by performing the second treatment process used.
  • the first reaction gas may be injected into the second processing region 120 by the second injection unit 42 . While performing the second processing process using the first reaction gas is performed, the support part 3 may be maintained in a stationary state.
  • the substrate is moved to the first processing region 110 .
  • the support part 3 is rotated to move the substrate S from the second processing region 120 to the first processing region 110 . This can be done by moving When the substrate S is positioned in the first processing region 110 , the rotation of the support part 3 may be stopped. While the substrate S moves from the second processing region 120 to the first processing region 110 , the substrate S may pass through the third processing region 130 .
  • a first processing process using the second source gas is performed.
  • the second source gas is injected into the first processing region 110 to generate the second source gas. It can be achieved by performing the first treatment process used.
  • the second source gas and the first source gas may be different types of source gases.
  • the second source gas may be injected into the first processing region 110 by the first injection unit 41 . While performing the first processing process using the second source gas is performed, the support part 3 may be maintained in a stationary state.
  • the substrate is moved to the second processing region 120 .
  • the support part 3 is rotated to move the substrate S from the first processing region 110 to the second processing region 120 . This can be done by moving
  • a second treatment process using the second reaction gas is performed.
  • a second reaction gas is injected into the second processing region 120 to generate the second reaction gas. It can be achieved by performing the second treatment process used.
  • the second reaction gas and the first reaction gas may be different types of reaction gases.
  • the second reaction gas may be injected into the second processing region 120 by the second injection unit 42 . While performing the second treatment process using the second reaction gas is performed, the support part 3 may be maintained in a stationary state.
  • the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention includes a first processing process using the first source gas, a second processing process using the first reaction gas, and a second processing process using the second source gas. , and a second treatment process using the second reaction gas is implemented to be sequentially performed. Accordingly, in the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention, a first thin film using the first source gas and the first reaction gas, and a second thin film using the second source gas and the second reaction gas can be implemented to form Accordingly, the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention can perform a processing process for manufacturing a device having various characteristics, such as a device having a multi-thin film structure.
  • the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention includes a first processing process using the first source gas and a second processing process using the first reaction gas in a state where the substrate supported by the support part 3 is stopped. It is implemented so that the processing process, the second processing process using the second source gas, and the second processing process using the second reaction gas can be sequentially performed. Accordingly, in the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention, the incubation time required for thin film growth can be adjusted in each of the first processing process and the second processing process.
  • the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention may move the substrate to the first processing region 110 .
  • the support part 3 is rotated to move the substrate S from the second processing region 120 to the first processing region 110 . This can be done by moving When the substrate S is positioned in the first processing region 110 , the first processing process using the first source gas may be performed again. Accordingly, by repeatedly performing the above-described process, the substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention may perform the processing process on the substrate (S).

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Abstract

본 발명은 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로, 지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에서 기판에 대한 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 및 상기 지지부에 지지된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에서 기판에 대한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하는 기판처리방법에 관한 것이다.

Description

기판처리방법
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.
이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다. 기판처리장치는 처리공간을 제공하는 챔버, 기판을 지지하는 지지부, 및 상기 지지부를 향해 가스를 분사하는 가스분사부를 포함한다. 기판처리장치는 상기 가스분사부가 분사한 소스가스와 반응가스를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행한다.
최근에는 다중박막구조를 갖는 소자, 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자에 대한 수요가 증가하고 있는데, 종래에는 상기 가스분사부가 항상 일정하게 가스를 분사함과 아울러 상기 지지부가 소정의 회전속도로 정지 없이 연속적으로 회전하면서 처리공정을 수행하도록 구현되었다. 따라서, 종래에는 다중박막구조를 갖는 소자, 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제고하기 위한 처리공정을 수행하기 어려운 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 다중박막구조를 갖는 소자, 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행할 수 있는 기판처리방법에 관한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로, 지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에서 기판에 대한 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 및 상기 지지부에 지지된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에서 기판에 대한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하는 단계; 및 상기 제1처리영역에 제2소스가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하는 단계; 및 상기 제2처리영역에 제2반응가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하는 단계; 및 상기 제2처리영역에 플라즈마를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1처리영역에 두 종류 이상의 소스가스를 혼합한 혼합가스를 분사할 수 있다. 상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 두 종류 이상의 반응가스를 혼합한 혼합가스를 분사할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로, 지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하여 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정이 수행된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하여 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행하는 단계; 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제1처리영역으로 이동시키는 단계; 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정이 수행된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에 상기 제1소스가스와 상이한 제2소스가스를 분사하여 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제1처리영역으로 이동시키는 단계; 및 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정이 수행된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에 상기 제1반응가스와 상이한 제2반응가스를 분사하여 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 소스가스를 이용한 처리공정과 반응가스를 이용한 처리공정 각각이 이루어지는 시간을 조절할 수 있도록 구현됨으로써, 소스가스를 이용한 처리공정과 반응가스를 이용한 처리공정 각각에서 박막 성장에 필요한 배양시간(Incubation Time)을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명은 다중박막구조를 갖는 소자, 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행할 수 있다.
본 발명은 소스가스를 이용한 처리공정과 반응가스를 이용한 처리공정 각각이 이루어지는 처리영역이 공간적으로 분리되도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명은 챔버의 내부에 대한 세정주기를 늘릴 수 있으므로, 세정비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 가동률 증대를 통해 처리공정이 완료된 기판의 생산성을 증대시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리방법을 수행하기 위한 기판처리장치의 일례를 나타낸 개략적인 분해사시도
도 2는 도 1의 I-I 선을 기준으로 하는 기판처리장치의 개략적인 측단면도
도 3은 도 1의 기판처리장치에 있어서 지지부의 개략적인 평면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리방법의 개략적인 순서도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서 제1처리공정의 개략적인 순서도
도 6은 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서 제1처리공정의 실시예들에서 가스의 분사구간을 나타낸 타이밍도
도 7은 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서 제2처리공정의 개략적인 순서도
도 8은 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서 제2처리공정의 실시예들에서 가스의 분사구간을 나타낸 타이밍도
도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법에 있어서 가스의 분사구간과 기판의 이동구간을 나타낸 타이밍도
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판(S)은 실리콘기판, 유리기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법이 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하나, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리방법이 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.
본 발명에 따른 기판처리방법은 기판처리장치(1)에 의해 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법의 실시예를 설명하기에 앞서, 상기 기판처리장치(1)에 관해 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 기판처리장치(1)는 챔버(2), 지지부(3), 가스분사부(4), 및 가스공급부(5)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 챔버(2)는 처리공간(100)을 제공하는 것이다. 상기 처리공간(100)에서는 상기 기판(S)에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 처리공간(100)은 상기 챔버(2)의 내부에서 제1처리영역(110)과 제2처리영역(120)으로 나뉘어질수 있다. 상기 제1처리영역(110)과 상기 제2처리영역(120)으 사이에는 제3처리영역(130)이 위치할 수도 있다. 상기 챔버(2)에는 상기 지지부(3)와 상기 가스분사부(4)가 설치될 수 있다. 상기 챔버(2)에는 제1배기구(21)와 제2배기구(22)가 결합될 수 있다. 상기 제1배기구(21)는 상기 제1처리영역(110)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1처리영역(110)에 위치한 가스는 상기 제1배기구(21)를 통해 상기 챔버(2)의 외부로 배기될 수 있다. 상기 제1배기구(21)는 상기 제2처리영역(120)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2처리영역(120)에 위치한 가스는 상기 제2배기구(22)를 통해 상기 챔버(2)의 외부로 배기될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 지지부(3)는 상기 챔버(2)의 내부에 설치될 수 있다. 상기 지지부(3)는 하나의 기판(S)을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판(S1, S2, S3, S4)(도 3에 도시됨)을 지지할 수도 있다. 상기 처리공간(100)이 상기 제1처리영역(110), 상기 제2처리영역(120), 및 상기 제3처리영역(130)을 포함하는 경우, 상기 지지부(3)의 일부는 상기 제1처리영역(110)에 위치하고, 상기 지지부(3)의 다른 일부는 상기 제2처리영역(120)에 위치하며, 상기 지지부(3)의 또 다른 일부는 상기 제3처리영역(130)에 위치할 수 있다. 상기 지지부(3)에 복수개의 기판(S1, S2, S3, S4)이 지지된 경우, 상기 복수개의 기판(S1, S2, S3, S4) 중에서 일부는 상기 제1처리영역(110)에 위치하고, 다른 일부는 상기 제2처리영역(120)에 위치하도록 상기 지지부(3)에 의해서 지지될 수 있다.
상기 지지부(3)는 상기 챔버(2) 내에서 상기 지지부(3)의 지지축(30, 도 3에 도시됨)을 중심으로 회전할 수 있다. 상기 지지부(3)의 회전에 의해서 상기 지지부(3)에 지지된 상기 기판(S)은 상기 챔버(2) 내에서 각기 다른 처리영역으로 이동할 수 있다. 상기 지지부(3)가 회전할 때, 상기 복수개의 기판(S1, S2, S3, S4) 중에서 일부의 기판은 상기 제1처리영역(110)에서 상기 제3처리영역(310)을 거쳐 상기 제2처리영역(120)으로 이동하고, 상기 제2처리영역(120)에서 상기 제3처리영역(130)을 거쳐 다시 상기 제1처리영역(110)으로 이동할 수 있다. 상기 지지부(3)의 회전은 정지와 회전이 반복적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)은 정지와 이동을 반복하면서 상기 각기 다른 처리영역 간에 이동할 수 있다. 상기 지지부(3)는 회전부(6)에 의해 상기 지지축(30)을 중심으로 회전될 수 있다. 상기 회전부(6)에 의해 상기 지지부(3)에 대한 회전과 정지가 반복적으로 이루어질 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 가스분사부(4)는 상기 지지부(3)를 향해 가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(4)는 가스공급부(5)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스분사부(4)는 상기 가스공급부(5)로부터 공급된 가스를 상기 지지부(3)를 향해 분사할 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 상기 지지부(3)에 대향되게 배치될 수 있다. 상기 가스분사부(4)와 상기 지지부(3)의 사이에는 상기 처리공간(100)이 배치될 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 챔버리드(20)에 결합될 수도 있다. 상기 챔버리드(20)는 상기 챔버(2)의 상부를 덮도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다.
상기 가스분사부(4)는 제1분사유닛(41), 및 제2분사유닛(42)을 포함할 수 있다.
상기 제1분사유닛(41)은 상기 제1처리영역(110)에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제1처리영역(110)은 상기 처리공간(100)의 일부에 해당할 수 있다. 상기 제1분사유닛(41)은 상기 지지부(3)로부터 상측으로 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1처리영역(110)은 상기 제1분사유닛(41)과 상기 지지부(3) 사이의 영역일 수 있다. 상기 제1분사유닛(41)은 상기 제1처리영역(110)에 적어도 한 종류의 소스가스를 분사할 수 있다. 상기 제1분사유닛(41)은 상기 제1처리영역(110)에 퍼지가스를 분사할 수도 있다. 퍼지가스는 아르곤(Ar) 등과 같은 불활성가스일 수 있다.
상기 제2분사유닛(42)은 상기 제2처리영역(120)에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제2처리영역(120)은 상기 처리공간(100)의 일부에 해당할 수 있다. 상기 제2분사유닛(42)은 상기 지지부(3)로부터 상측으로 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2처리영역(120)은 상기 제2분사유닛(42)과 상기 지지부(3) 사이의 영역일 수 있다. 상기 제2분사유닛(42)은 상기 제2처리영역(120)에 적어도 한 종류의 반응가스를 분사할 수 있다. 상기 제2분사유닛(42)은 상기 제2처리영역(120)에 퍼지가스를 분사할 수도 있다.
상기 가스분사부(4)는 제3분사유닛(43)을 더 포함할 수도 있다.
상기 제3분사유닛(43)은 상기 제3처리영역(130)에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제3처리영역(130)은 상기 처리공간(100)의 일부에 해당할 수 있다. 상기 제3처리영역(130)은 상기 제1처리영역(110)과 상기 제2처리영역(120) 사이의 영역일 수 있다. 상기 제3분사유닛(43)은 상기 지지부(3)로부터 상측으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제3분사유닛(43)은 상기 제1분사유닛(41)과 상기 제2분사유닛(42)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3분사유닛(43)은 상기 제3처리영역(130)에 구획가스를 분사할 수 있다. 구획가스는 아르곤(Ar) 등과 같은 불활성가스일 수 있다. 상기 제3분사유닛(43)이 상기 제3처리영역(130)에 구획가스를 분사함에 따라, 상기 제1처리영역(110)과 상기 제2처리영역(120)은 서로 간에 가스가 혼합되지 않도록 공간적으로 분리될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 가스공급부(5)는 상기 가스분사부(4)에 가스를 공급하는 것이다. 상기 가스공급부(5)는 상기 제1분사유닛(41), 및 상기 제2분사유닛(42) 각각에 가스를 공급할 수 있다. 상기 가스공급부(5)는 상기 제3분사유닛(43)도 가스를 공급할 수도 있다. 상기 가스공급부(5)는 상기 챔버(2)의 내부 또는 상기 챔버(2)의 외부에 설치될 수 있다.
상기 가스공급부(5)는 제1공급유닛(51), 및 제2공급유닛(52)을 포함할 수 있다.
상기 제1공급유닛(51)은 상기 제1분사유닛(41)에 적어도 한 종류의 소스가스를 공급할 수 있다. 상기 제1공급유닛(51)은 상기 제1분사유닛(41)에 퍼지가스를 공급할 수도 있다. 이 경우, 상기 제1공급유닛(51)은 기설정된 공정순서에 따라 적어도 한 종류의 소스가스와 퍼지가스를 상기 제1분사유닛(41)에 공급할 수 있다.
상기 제2공급유닛(52)은 상기 제2분사유닛(42)에 적어도 한 종류의 반응가스를 공급할 수 있다. 상기 제2공급유닛(52)은 상기 제2분사유닛(42)에 퍼지가스를 공급할 수도 있다. 이 경우, 상기 제2공급유닛(52)은 기설정된 공정순서에 따라 적어도 한 종류의 반응가스와 퍼지가스를 상기 제2분사유닛(42)에 공급할 수 있다.
상기 가스공급부(5)는 제3공급유닛(53)을 더 포함할 수도 있다.
상기 제3공급유닛(53)은 상기 제3분사유닛(43)에 구획가스를 공급할 수 있다. 상기 제3공급유닛(53)은 상기 기판(S)에 대한 처리공정이 이루어지는 동안 간헐적으로 또는 지속적으로 상기 제3분사유닛(43)에 구획가스를 공급할 수 있다.
이와 같은 기판처리장치(1)를 이용하여 본 발명에 따른 기판처리방법이 수행될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 본 발명에 따른 기판처리방법은 다르게 구현된 기판처리장치를 이용하여 수행될 수도 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다.
우선, 제1처리영역에서 제1처리공정을 수행한다(S10). 이러한 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)는 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하여 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다. 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하면, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)는 상기 제1분사유닛(41)이 상기 제1처리영역(110)에 가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사유닛(41)은 적어도 한 종류의 소스가스를 상기 제1처리영역(110)에 분사할 수 있다. 상기 제1처리영역(110)에 소스가스가 분사됨에 따라, 상기 제1처리영역(110)에서는 상기 기판(S) 상에 소스물질이 흡착되는 흡착공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1분사유닛(41)은 상기 제1처리영역(110)에 소스가스를 분사한 후에 상기 제1처리영역(110)에 퍼지가스를 분사할 수도 있다.
다음, 제1처리영역에서 제2처리영역으로 기판을 이동시킨다(S20). 이러한 제1처리영역에서 제2처리영역으로 기판을 이동시키는 단계(S20)는, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)를 통해 상기 제1처리공정이 완료된 이후에 수행될 수 있다. 상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 제1처리영역에서 제2처리영역으로 기판을 이동시키는 단계(S20)는 상기 회전부(6)가 상기 지지부(3)를 상기 지지축(30)을 중심으로 회전시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1처리영역(110)에 위치한 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에 위치하면, 상기 회전부(6)는 상기 지지부(3)의 회전을 정지시킬 수 있다. 상기 제1처리영역에서 제2처리영역으로 기판을 이동시키는 단계(S20)는 상기 제1처리영역(110)에 위치한 기판(S)이 상기 제3처리영역(130)을 거쳐 상기 제2처리영역(120)으로 이동하도록 상기 지지부(3)를 회전시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제3처리영역(130)을 통과할 때, 상기 기판(S)에는 상기 제3분사유닛(43)에 의해 퍼지가스가 분사될 수 있다.
다음, 제2처리영역에서 제2처리공정을 수행한다(S30). 이러한 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)는 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에 위치하여 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다. 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에 위치하면, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)는 상기 제2분사유닛(42)이 상기 제2처리영역(120)에 가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사유닛(42)은 적어도 한 종류의 반응가스를 상기 제2처리영역(120)에 분사할 수 있다. 상기 제2처리영역(120)에 반응가스가 분사됨에 따라, 상기 제2처리영역(120)에서는 상기 기판(S) 상에 흡착된 소스물질과 반응가스의 반응을 통해 박막이 증착되는 증착공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2분사유닛(42)은 상기 제2처리영역(120)에 반응가스를 분사한 후에 상기 제2처리영역(120)에 퍼지가스를 분사할 수도 있다.
다음, 제2처리영역에서 제1처리영역으로 기판을 이동시킨다(S40). 이러한 제2처리영역에서 제1처리영역으로 기판을 이동시키는 단계(S40)는, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)를 통해 상기 제2처리공정이 완료된 이후에 수행될 수 있다. 상기 제2처리공정이 완료되면, 상기 제2처리영역에서 제1처리영역으로 기판을 이동시키는 단계(S40)는 상기 회전부(6)가 상기 지지부(3)를 상기 지지축(30)을 중심으로 회전시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2처리영역(120)에 위치한 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하면, 상기 회전부(6)는 상기 지지부(3)의 회전을 정지시킬 수 있다. 상기 제2처리영역에서 제1처리영역으로 기판을 이동시키는 단계(S40)는 상기 제2처리영역(120)에 위치한 기판(S)이 상기 제3처리영역(130)을 거쳐 상기 제1처리영역(110)으로 이동하도록 상기 지지부(3)를 회전시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제3처리영역(130)을 통과할 때, 상기 기판(S)에는 상기 제3분사유닛(43)에 의해 퍼지가스가 분사될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 지지부(3)에 지지된 기판이 정지된 상태에서 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정을 수행할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정 각각이 이루어지는 시간을 조절할 수 있으므로, 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정 각각에서 박막 성장에 필요한 배양시간(Incubation Time)을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 다중박막구조를 갖는 소자, 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1처리공정이 이루어지는 제1처리영역(110)과 상기 제2처리공정이 이루어지는 제2처리영역(120)이 구획가스에 의해 공간적으로 분리될 수 있으므로, 소스가스와 반응가스의 반응으로 인해 상기 챔버(2)의 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 챔버(2)의 내부에 대한 세정주기를 늘릴 수 있으므로, 세정비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 가동률 증대를 통해 처리공정이 완료된 기판의 생산성을 증대시킬 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)에 대해 여러 가지 실시예를 포함할 수 있다. 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 실시예들에 대해 도 1 내지 도 6을 참고하여 상세히 설명한다. 도 6에서 가로축은 시간을 의미한다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예는, 제1소스가스를 분사하는 단계(S11), 및 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)를 포함할 수 있다.
상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)는 상기 제1처리영역(110)에 제1소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)는 상기 제1분사유닛(41)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 상기 제1처리영역(110)에 제2소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S12)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 상기 제1분사유닛(41)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 상기 제1소스가스와 상이한 상기 제2소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 다른 종류의 소스가스를 이용한 흡착공정이 순차적으로 이루어짐으로써, 도핑에 의한 복합막이 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예는 서로 상이한 소스가스를 분사하도록 구현됨으로써, 막 내에 다중의 금속 성분이 포함되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예는 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 마그네슘(Mg) 중에서 하나 이상의 금속이 포함된 금속막을 형성할 수 있다.
상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 상기 제1소스가스와 동일한 상기 제2소스가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 동일한 종류의 소스가스를 이용한 흡착공정이 반복적으로 이루어짐으로써, 치밀한 구조를 갖는 박막이 형성될 수 있다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)는 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)를 포함할 수 있다. 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)는 상기 제1처리영역(110)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)는 상기 제1분사유닛(41)에 의해 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)는 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)가 수행된 이후이면서 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)가 수행되기 이전에 이루어질 수 있다. 즉, 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)는 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)와 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)의 사이에 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 퍼지가스를 이용하여 상기 기판(S) 상에 흡착되지 못한 제1소스가스를 퍼지한 이후에 상기 제2소스가스를 분사함으로써, 상기 제1처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예는 상기 제1소스가스와 상기 제2소스가스가 서로 동일한 소스가스로 이루어질 수 있고, 이에 따라 동일 공간에서 동일한 소스가스를 연속 분사하도록 구현될 수 있다. 소스가스가 하부 시드(Seed) 막의 증착을 위한 시드(Seed) 역할을 하는 것이므로, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예는 소스가스의 분사를 통한 소스물질의 흡착과 퍼지가스의 분사를 통한 퍼지가 연속적으로 이루어지도록 구현됨으로써, 소스물질의 흡착이 잘 이루어지도록 하여 금속 시드(Seed)의 밀도를 높일 수 있다.
이러한 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예에 있어서, 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)는 제1소스분사시간동안 상기 제1소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)는 제2소스분사시간동안 상기 제2소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1소스분사시간과 상기 제2소스분사시간은 서로 동일하게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1소스가스를 이용한 흡착공정과 상기 제2소스가스를 이용한 흡착공정이 서로 동일한 시간동안 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예는, 상술한 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예와 대비하여 상기 제1소스분사시간과 상기 제2소스분사시간이 서로 상이하게 구현되는 점에서 차이가 있다. 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예는 상기 제1소스분사시간이 상기 제2소스분사시간에 비해 더 짧게 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1소스가스를 이용한 흡착공정이 상기 제2소스가스를 이용한 흡착공정에 비해 더 짧은 시간동안 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제3실시예는, 상술한 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예와 대비하여 상기 제1소스분사시간과 상기 제2소스분사시간이 서로 상이하게 구현되는 점에서 차이가 있다. 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제3실시예는 상기 제1소스분사시간이 상기 제2소스분사시간에 비해 더 길게 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1소스가스를 이용한 흡착공정이 상기 제2소스가스를 이용한 흡착공정에 비해 더 긴 시간동안 이루어지도록 구현될 수 있다.
한편, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예에 있어서, 상기 제1소스가스와 상기 제2소스가스는 서로 동일한 소스가스로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예는 동일 공간에서 동일한 소스가스를 연속 분사하도록 구현될 수 있다. 따라서, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예는 소스가스의 분사를 통한 소스물질의 흡착과 퍼지가스의 분사를 통한 퍼지가 연속적으로 이루어지도록 구현됨으로써, 소스물질의 흡착이 잘 이루어지도록 하여 금속 시드(Seed)의 밀도를 높일 수 있다.
한편, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예에 있어서, 상기 제1소스가스와 상기 제2소스가스는 서로 상이한 소스가스로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예는 막 내에 다중의 금속 성분이 포함되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예는 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 마그네슘(Mg) 중에서 하나 이상의 금속이 포함된 금속막을 형성할 수 있다.
또한, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예는 서로 상이한 소스가스로 이루어진 상기 제1소스가스와 상기 제2소스가스를 서로 상이한 상기 제1소스분사시간과 상기 제2소스분사시간 동안 분사하도록 구현될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제2실시예와 제3실시예는 막 내에 원하는 금속의 비율을 높일 수 있고, 막 내에 포함된 금속의 비율에 대한 조절의 정확성을 향상시킬 수 있다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는, 상술한 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예 내지 제3실시예와 대비하여 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)를 더 포함할 수 있다.
상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)는 상기 제1처리영역(110)에 제3소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)는 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)는 상기 제1분사유닛(41)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)는 상기 제1소스가스와 상기 제2소스가스 각각과 상이한 상기 제3소스가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 다른 종류의 소스가스를 이용한 흡착공정이 순차적으로 이루어짐으로써, 도핑에 의한 복합막이 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 더 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다.
상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)는 상기 제1소스가스와 상기 제2소스가스 중에서 적어도 하나와 동일한 상기 제3소스가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 동일한 종류의 소스가스를 이용한 흡착공정이 반복적으로 이루어짐으로써, 치밀한 구조를 갖는 박막이 형성될 수 있다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는, 상기 제2소스가스를 분사하는 단계(S12)와 상기 제3소스가스를 분사하는 단계(S14)의 사이에 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13')가 추가로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는 상기 제1소스가스, 상기 제2소스가스, 및 상기 제3소스가스가 서로 동일한 소스가스로 이루어질 수 있고, 이에 따라 동일 공간에서 동일한 소스가스를 연속 분사하도록 구현될 수 있다. 따라서, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는 소스가스의 분사를 통한 소스물질의 흡착과 퍼지가스의 분사를 통한 퍼지가 연속적으로 이루어지도록 구현됨으로써, 소스물질의 흡착이 잘 이루어지도록 하여 금속 시드(Seed)의 밀도를 높일 수 있다.
한편, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는 상기 제1소스가스, 상기 제2소스가스, 및 상기 제3소스가스가 서로 상이한 소스가스로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는 막 내에 다중의 금속 성분이 포함되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제4실시예는 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 마그네슘(Mg) 중에서 하나 이상의 금속이 포함된 금속막을 형성할 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)는 소스가스를 분사하는 단계를 4번 이상 포함하는 실시예로 구현될 수도 있다. 이 경우, 소스가스를 분사하는 단계들 사이에 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S13)가 이루어질 수 있다.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제5실시예는, 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)만을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)는 두 종류 이상의 소스가스를 혼합한 혼합가스를 상기 제1소스가스로 하여 상기 제1처리영역(110)에 분사함으로써 이루어질 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)에 대해 여러 가지 실시예를 포함할 수 있다. 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 실시예들에 대해 도 1 내지 도 8을 참고하여 상세히 설명한다. 도 8에서 가로축은 시간을 의미한다.
상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예는, 제1반응가스를 분사하는 단계(S31), 및 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)를 포함할 수 있다.
상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)는 상기 제2처리영역(120)에 제1반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 상기 제2처리영역(120)에 제2반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S12)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 상기 제1반응가스와 상이한 상기 제2반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 다른 종류의 반응가스를 이용한 증착공정이 순차적으로 이루어짐으로써, 도핑에 의한 복합막이 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 도핑소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다.
상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 상기 제1반응가스와 동일한 상기 제2반응가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 동일한 종류의 반응가스를 이용한 증착공정이 반복적으로 이루어짐으로써, 치밀한 구조를 갖는 박막이 형성될 수 있다.
이와 같이, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예는 상기 제1반응가스와 상기 제2반응가스의 분사를 통해 반응가스를 복수회 분사하도록 구현됨으로써, 막질을 향상시킬 수 있다.
상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)는 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)를 포함할 수 있다. 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)는 상기 제2처리영역(120)에 퍼지가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)는 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)가 수행된 이후이면서 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)가 수행되기 이전에 이루어질 수 있다. 즉, 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)는 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)와 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)의 사이에 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 퍼지가스를 이용하여 상기 기판(S) 상에 증착되지 못한 제1반응가스를 퍼지한 이후에 상기 제2반응가스를 분사함으로써, 상기 제2처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
이러한 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예에 있어서, 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)는 제1반응분사시간동안 상기 제1반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)는 제2반응분사시간동안 상기 제2반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1반응분사시간과 상기 제2반응분사시간은 서로 동일하게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1반응가스를 이용한 증착공정과 상기 제2반응가스를 이용한 증착공정이 서로 동일한 시간동안 이루어지도록 구현될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제1반응분사시간과 상기 제2반응분사시간은 서로 상이하게 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1반응가스를 이용한 증착공정과 상기 제2반응가스를 이용한 증착공정이 서로 상이한 시간동안 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제2실시예는, 상술한 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예와 대비하여 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)를 대신하여 플라즈마를 생성하는 단계(S34)가 수행되는 점에서 차이가 있다. 상기 플라즈마를 생성하는 단계(S34)는 상기 제2처리영역(120)에 플라즈마를 생성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 플라즈마를 생성하는 단계(S34)는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 수행될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제2분사유닛(42)은 플라즈마전극과 접지전극을 이용하여 상기 제2처리영역(120)에 플라즈마를 생성할 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사유닛(42)은 플라즈마의 생성을 위한 생성가스를 상기 제2처리영역(120)에 분사할 수 있다. 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제2실시예는 상기 플라즈마를 생성하는 단계(S34)를 수행함으로써, 상기 제1반응가스를 이용한 증착공정에 의해 형성된 박막의 덴스(Dense)를 높일 수 있고, 스텝 커버리지(Step Coverage)를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제2실시예는 막 형성 직후에 상기 플라즈마를 이용한 처리를 수행할 수 있으므로, 금속막에 포함되어 있던 불순물을 제거할 수 있을 뿐만 아니라 막의 밀도를 높일 수 있다.
상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제3실시예는, 상술한 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예와 대비하여 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)를 더 포함할 수 있다.
상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)는 상기 제2처리영역(120)에 제3반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)는 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)는 상기 지지부(3)의 회전이 정지된 상태에서 이루어질 수 있다.
상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)는 상기 제1반응가스와 상기 제2반응가스 각각과 상이한 상기 제3반응가스를 분사함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 다른 종류의 반응가스를 이용한 증착공정이 순차적으로 이루어짐으로써, 도핑에 의한 복합막이 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 더 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행하도록 구현될 수 있다.
상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)는 상기 제1반응가스와 상기 제2반응가스 중에서 적어도 하나와 동일한 상기 제3반응가스를 분사함으로써 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 기판(S)에는 서로 동일한 종류의 반응가스를 이용한 증착공정이 반복적으로 이루어짐으로써, 치밀한 구조를 갖는 박막이 형성될 수 있다.
이와 같이, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제3실시예는 상기 제1반응가스, 상기 제2반응가스, 및 상기 제3반응가스의 분사를 통해 반응가스를 복수회 분사하도록 구현됨으로써, 막질을 향상시킬 수 있다.
상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제3실시예는, 상기 제2반응가스를 분사하는 단계(S32)와 상기 제3반응가스를 분사하는 단계(S35)의 사이에 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33')가 추가로 이루어질 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)는 반응가스를 분사하는 단계를 4번 이상 포함하는 실시예로 구현될 수도 있다. 이 경우, 반응가스를 분사하는 단계들 사이에 상기 퍼지가스를 분사하는 단계(S33)가 이루어질 수 있다.
상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제4실시예는, 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)만을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)는 두 종류 이상의 반응가스를 혼합한 혼합가스를 상기 제1반응가스로 하여 상기 제2처리영역(120)에 분사함으로써 이루어질 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예 내지 제5실시예 중에서 어느 하나 및 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예 내지 제4실시예 중에서 어느 하나가 조합됨으로써 구현될 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)의 제1실시예 내지 제5실시예 중에서 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)는 상기 제1반응가스를 분사하는 단계(S31)만을 포함하되, 한 종류의 반응가스를 상기 제2처리영역(120)에 분사하도록 구현될 수도 있다. 한편, 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S30)의 제1실시예 내지 제4실시예 중에서 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S10)는 상기 제1소스가스를 분사하는 단계(S11)만을 포함하되, 한 종류의 소스가스를 상기 제1처리영역(110)에 분사하도록 구현될 수도 있다.
도 1 내지 도 3, 및 도 9를 포함하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다. 도 9에서 가로축은 시간을 의미한다.
우선, 제1소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행한다. 이러한 단계는 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하면, 상기 제1처리영역(110)에 제1소스가스를 분사하여 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1소스가스는 상기 제1분사유닛(41)에 의해 상기 제1처리영역(110)에 분사될 수 있다. 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계가 이루어지는 동안, 상기 지지부(3)는 정지된 상태로 유지될 수 있다.
다음, 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 기판을 상기 제2처리영역(120)으로 이동시킨다. 이러한 단계는 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부(3)를 회전시켜서 상기 기판(S)을 상기 제1처리영역(110)에서 상기 제2처리영역(120)으로 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에 위치하면, 상기 지지부(3)의 회전이 정지될 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에서 상기 제2처리영역(120)으로 이동하는 과정에서, 상기 기판(S)은 상기 제3처리영역(130)을 통과할 수 있다.
다음, 제1반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행한다. 이러한 단계는 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에 위치하면, 상기 제2처리영역(120)에 제1반응가스를 분사하여 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1반응가스는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 상기 제2처리영역(120)에 분사될 수 있다. 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어지는 동안, 상기 지지부(3)는 정지된 상태로 유지될 수 있다.
다음, 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정이 완료되면, 상기 기판을 상기 제1처리영역(110)으로 이동시킨다. 이러한 단계는 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정이 완료되면, 상기 지지부(3)를 회전시켜서 상기 기판(S)을 상기 제2처리영역(120)에서 상기 제1처리영역(110)으로 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하면, 상기 지지부(3)의 회전이 정지될 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에서 상기 제1처리영역(110)으로 이동하는 과정에서, 상기 기판(S)은 상기 제3처리영역(130)을 통과할 수 있다.
다음, 제2소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행한다. 이러한 단계는 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하면, 상기 제1처리영역(110)에 제2소스가스를 분사하여 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2소스가스와 상기 제1소스가스는 서로 다른 종류의 소스가스일 수 있다. 상기 제2소스가스는 상기 제1분사유닛(41)에 의해 상기 제1처리영역(110)에 분사될 수 있다. 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계가 이루어지는 동안, 상기 지지부(3)는 정지된 상태로 유지될 수 있다.
다음, 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 기판을 상기 제2처리영역(120)으로 이동시킨다. 이러한 단계는 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부(3)를 회전시켜서 상기 기판(S)을 상기 제1처리영역(110)에서 상기 제2처리영역(120)으로 이동시킴으로써 이루어질 수 있다.
다음, 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행한다. 이러한 단계는 상기 지지부(3)에 지지된 기판(S)이 상기 제2처리영역(120)에 위치하면, 상기 제2처리영역(120)에 제2반응가스를 분사하여 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2반응가스와 상기 제1반응가스는 서로 다른 종류의 반응가스일 수 있다. 상기 제2반응가스는 상기 제2분사유닛(42)에 의해 상기 제2처리영역(120)에 분사될 수 있다. 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어지는 동안, 상기 지지부(3)는 정지된 상태로 유지될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정, 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정, 상기 제2소스가스를 이용한 제2처리공정, 및 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 순차적으로 수행할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 제1소스가스와 상기 제1반응가스를 이용한 제1박막, 및 상기 제2소스가스와 상기 제2반응가스를 이용한 제2박막을 형성할 수 있도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 다중박막구조를 갖는 소자 등과 같이 다양한 특성을 갖는 소자를 제조하기 위한 처리공정을 수행할 수 있다. 또한, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 지지부(3)에 지지된 기판이 정지된 상태에서 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정, 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정, 상기 제2소스가스를 이용한 제2처리공정, 및 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 순차적으로 수행할 수 있도록 구현된다. 따라서, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정 각각에서 박막 성장에 필요한 배양시간(Incubation Time)을 조절할 수 있다.
상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정이 완료되면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 기판을 상기 제1처리영역(110)으로 이동시킬 수 있다. 이러한 단계는 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정이 완료되면, 상기 지지부(3)를 회전시켜서 상기 기판(S)을 상기 제2처리영역(120)에서 상기 제1처리영역(110)으로 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 기판(S)이 상기 제1처리영역(110)에 위치하면, 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계에서부터 다시 수행할 수 있다. 이에 따라, 상술한 공정을 반복적으로 수행함으로써, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (16)

  1. 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에서 기판에 대한 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 지지부에 지지된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에서 기판에 대한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 제1처리공정을 수행하는 단계는,
    상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하는 단계; 및
    상기 제1처리영역에 제2소스가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1처리영역에 퍼지가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1처리영역에 제3소스가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1처리영역에 제2소스가스를 분사하는 단계는, 상기 제1소스가스와 상이한 상기 제2소스가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1처리영역에 제2소스가스를 분사하는 단계는, 상기 제1소스가스와 동일한 상기 제2소스가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하는 단계는 제1소스분사시간동안 상기 제1소스가스를 분사하고,
    상기 제1처리영역에 제2소스가스를 분사하는 단계는 상기 제1소스분사시간과 상이한 제2소스분사시간동안 상기 제2소스가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하는 단계는 제1소스분사시간동안 상기 제1소스가스를 분사하고,
    상기 제1처리영역에 제2소스가스를 분사하는 단계는 상기 제1소스분사시간과 동일한 제2소스분사시간동안 상기 제2소스가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에서 기판에 대한 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 지지부에 지지된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에서 기판에 대한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는,
    상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하는 단계; 및
    상기 제2처리영역에 제2반응가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 퍼지가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2처리영역에 제2반응가스를 분사하는 단계는 상기 제1반응가스와 상이한 제2반응가스를 분사하고,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 상기 제1반응가스, 상기 제2반응가스 각각과 상이한 제3반응가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에서 기판에 대한 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 지지부에 지지된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에서 기판에 대한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 제1처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1처리영역에 두 종류 이상의 소스가스를 혼합한 혼합가스를 분사하며,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제2처리영역에 두 종류 이상의 반응가스를 혼합한 혼합가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에 제1소스가스를 분사하여 상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계;
    상기 제1소스가스를 이용한 제1처리공정이 수행된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하여 상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제1처리영역으로 이동시키는 단계;
    상기 제1반응가스를 이용한 제2처리공정이 수행된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에 상기 제1소스가스와 상이한 제2소스가스를 분사하여 상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제1처리영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 제2소스가스를 이용한 제1처리공정이 수행된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에 상기 제1반응가스와 상이한 제2반응가스를 분사하여 상기 제2반응가스를 이용한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  16. 제1처리영역과 제2처리영역으로 나누어진 처리공간에서 기판에 대한 처리공정을 수행하는 기판처리방법으로,
    지지부에 지지된 기판이 상기 제1처리영역에 위치하면, 상기 제1처리영역에서 기판에 대한 제1처리공정을 수행하는 단계;
    상기 제1처리공정이 완료되면, 상기 지지부를 회전시켜서 상기 기판을 상기 제2처리영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 지지부에 지지된 기판이 상기 제2처리영역에 위치하면, 상기 제2처리영역에서 기판에 대한 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 제2처리공정을 수행하는 단계는,
    상기 제2처리영역에 제1반응가스를 분사하는 단계; 및
    상기 제2처리영역에 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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