KR100520902B1 - 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 - Google Patents

알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100520902B1
KR100520902B1 KR10-2002-0072380A KR20020072380A KR100520902B1 KR 100520902 B1 KR100520902 B1 KR 100520902B1 KR 20020072380 A KR20020072380 A KR 20020072380A KR 100520902 B1 KR100520902 B1 KR 100520902B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
ozone
sccm
thin film
tma
Prior art date
Application number
KR10-2002-0072380A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040043921A (ko
Inventor
박영훈
안철현
임홍주
이상규
배장호
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR10-2002-0072380A priority Critical patent/KR100520902B1/ko
Priority to US10/716,950 priority patent/US20040101622A1/en
Publication of KR20040043921A publication Critical patent/KR20040043921A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100520902B1 publication Critical patent/KR100520902B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616—Deposition of Al2O3
    • H01L21/3162—Deposition of Al2O3 on a silicon body

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법은 기판(w) 상에 Al2O3 박막을 증착하는 ALD 박막증착단계(S2);를 포함하며, ALD 박막증착단계(S2)는, 제1분사홀(14a)들을 통하여 적어도 100g/㎤ 이상의 농도와 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 제1반응가스인 오존을 분사하고, 동시에 제2분사홀(14b)들을 통하여 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 분사하는 오존 피딩단계(S1)와; 오존의 공급을 중단하고 제1분사홀(14a)들을 통하여 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 제1분사홀(14a)들로 분사하며, 동시에 오존 피딩단계(S1)에서와 동일한 불활성가스를 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하는 오존 퍼지단계(S2)와; 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 캐리어가스에 의하여 이송되는 제2반응가스인 TMA를 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하고, 동시에 제1분사홀(14a)들로 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 분사하는 TMA 피딩단계(S3)와; TMA 의 공급을 중단하고 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 캐리어가스를 제2분사홀(14b)을 통하여 분사하며, 동시에 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 불활성가스를 제1분사홀(14a)들로 분사하는 TMA 퍼지단계(S4);로 구성되는 ALD 싸이클을 적어도 2 회 이상 수행한다.

Description

알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법{Method for depositing thin film on wafer using Aluminum compound}
본 발명은 박막증착방법에 관한 것으로서, 상세하게는 오존과 TMA(TriMethylAluminum)를 이용하여 기판에 알루미늄 산화막을 증착하기 위한 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법에 관한 것이다.
알루미늄 산화막의 증착은 웨이퍼와 같은 기판이 수납된 반응용기내로 오존과 TMA 를 교호적으로 피딩 및 퍼지하는 ALD 공정을 통하여 원자층 단위로 이루어지며, 이에 관련된 기술은 본 출원인이 1999년 경에 출원한 출원번호 1999-058541 에 기재되어 있다. 알루미늄 산화막을 증착하는데 있어, 반도체 소자의 수율을 높이거나 품질을 높이기 위하여 기판상에 증착되는 알루미늄 산화막은 보다 균일한 두께를 가지며 순도가 좋아야 한다. 따라서, 보다 나은 두께 균일성과 순도를 구현할 수 있는 다양한 공정조건들을 찾기 위하여 다양한 연구가 이루어지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 요구를 반영하기 위하여 창출된 것으로서, 기판상에 증착되는 알루미늄 산화막의 두께 균일성 및 전기적 특성을 더욱 개선할 수 있는 알루미늄화합물을 이용한 박막증착방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법은,웨이퍼블럭(15)이 내장되는 리엑터블럭(12)과; 상기 리엑터블럭(12)을 덮어 소정의 압력이 일정하게 유지되도록 하는 탑리드(13)와; 상기 탑리드(13)의 하부에 설치되는 것으로서, 가스공급부(20)로부터 유입되는 제1반응가스를 상기 기판(w)의 상부로 분사하는 다수의 제1분사홀(14a)과, 상기 가스공급부(20)로부터 유입되는 제2반응가스를 상기 기판(w)의 상부로 분사하는 다수의 제2분사홀(14b)이 형성된 샤워헤드(14);를 포함하는 반응용기(10)를 이용하여 상기 기판(w)상에 알루미늄 산화막(Al2O3)을 증착하기 위하여, 기판의 온도를 적어도 250℃ 이상으로 유지될 수 있도록 온도설정된 웨이퍼블럭(15) 상에 기판(w)을 안착시키는 기판안착단계(S1)와; 제1반응가스와 제2반응가스를 교호적으로 상기 기판(w) 상에 분사하여 Al2O3 박막을 증착하는 ALD 박막증착단계(S2);를 포함하고, 상기 ALD 박막증착단계(S2)는,상기 제1분사홀(14a)들을 통하여 적어도 100g/㎤ 이상의 농도와 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 제1반응가스인 오존을 분사하고, 동시에 상기 제2분사홀(14b)들을 통하여 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 분사하는 오존 피딩단계(S1)와; 상기 오존의 공급을 중단하고 상기 제1분사홀(14a)들을 통하여 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 상기 제1분사홀(14a)들로 분사하며, 동시에 상기 오존 피딩단계(S1)에서와 동일한 상기 불활성가스를 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하는 오존 퍼지단계(S2)와; 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 캐리어가스에 의하여 이송되는 제2반응가스인 TMA를 상기 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하고, 동시에 상기 제1분사홀(14a)들로 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 분사하는 TMA 피딩단계(S3)와; 상기 TMA 의 공급을 중단하고 상기 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 상기 캐리어가스를 상기 제2분사홀(14b)을 통하여 분사하며, 동시에 상기 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 상기 불활성가스를 상기 제1분사홀(14a)들로 분사하는 TMA 퍼지단계(S4);로 구성되는 ALD 싸이클을 적어도 2 회 이상 수행하며, 상기 오존 피딩,퍼지단계(S1)(S2)는, 0.1초 ∼ 4초 범위내로 설정되고, 상기 TMA 피딩,퍼지단계(S3)(S4)는 0.1초 ∼ 3초 범위내로 설정되며, 상기 반응용기(10)로 유입되는 모든 가스의 흐름을 차단함으로써 이루어지는 vacuum 퍼지단계를 상기 ALD 싸이클내에 모든 단계들(S1, S2, S3, S4) 사이의 임의의 경계에서 선별적으로 수행하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 샤워헤드(14)에 유입되는 불활성가스를 상기 기판(w)의 외주측(리엑터블럭의 내측벽)으로 분사하는 가스커튼홀(14d)들이 형성되어 있고, 상기 ALD 박막증착단계가 진행되는 동안에 상기 가스커튼홀(14d)을 통하여 상기 기판(w) 외주측으로 적어도 50sccm 이상의 불활성가스를 분사하는 것이 바람직하다.
한편, vacuum 퍼지단계는 0.1초 ∼ 4 초 범위내에서 수행될 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 알루미늄화합물을 이용한 박막증착방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 박막증착방법을 수행하는 박막증착장치의 구성도이고, 도 2는 도 1의 박막증착장치를 이용한 박막증착방법의 실시예를 그래프로 도시한 도면이다. 도면을 참조하면 알루미늄화합물을 이용한 박막증착방법을 구현하는 박막증착장치는, 적어도 하나 이상의 웨이퍼나 글라스와 같은 기판(w)이 수납되는 반응용기(10)와, 반응용기로 반응가스를 공급하기 위한 가스공급부(20)를 포함한다.
반응용기(10)는, 적어도 하나 이상의 웨이퍼나 글라스와 같은 기판이 안착되는 웨이퍼블럭(15)이 내장되는 리엑터블럭(12)과, 리엑터블럭(12)을 덮어 소정의 압력이 일정하게 유지되도록 하는 탑리드(13)와, 탑리드(13)의 하부에 설치되는 것으로서, 유입되는 제1반응가스를 기판(w)의 상부로 분사하는 다수의 제1분사홀(14a)과, 유입되는 제2반응가스를 기판(w)의 상부로 분사하는 다수의 제2분사홀(14b)과, 유입되는 커튼가스(불활성가스)를 상기 기판(w)의 외주측(리엑터블럭의 내측벽)으로 분사하는 다수의 가스커튼홀(14d)이 형성된 샤워헤드(14)를 포함한다.
가스공급부(20)는, 제1분사홀(14a)과 연결된 제1가스라인(200)으로 제1반응가스인 오존(03)을 공급하기 위한 제1반응가스공급부(210)와, 제1가스라인(200)으로 오존을 퍼지하기 위한 오존퍼지가스(불활성가스)를 공급하는 오존퍼지가스공급부(220)와, 제2분사홀(14b)과 연결된 제2가스라인(300)으로 제2반응가스인 TMA(TriMethylAluminum) 가스를 공급하기 위한 제2반응가스공급부(310)와, 제2가스라인(300)으로 메인퍼지가스(불활성가스)를 공급하는 메인퍼지가스공급부(320)와, 가스커튼홀(14d)과 연결된 커튼가스라인(400)으로 리엑터블럭(12) 내벽에 가스커튼을 형성하기 위한 커튼가스(불활성가스)를 공급하는 커튼가스공급부(410)를 포함한다.
제1반응가스공급부(210)는, 오존(03)을 발생하는 오존생성유닛(211)과, 오존생성유닛(211)에서 발생된 오존의 흐름량을 제어하는 오존MFC(212)와, 오존MFC(212)에서 제1가스라인(200)으로의 오존의 흐름을 온/오프하는 오존피딩밸브(V4)와, 오존MFC(212)에서 반응용기(10)를 경유하지 않고 배기라인(500)으로 오존의 흐름을 온/오프하는 오존피딩바이패스밸브(V5)를 포함한다. 오존생성유닛(211)은 MFC 및 밸브(V1)(V2)를 경유하여 유입되는 산소(O2) 및 질소(N2)로부터 오존을 발생시키는 오존생성기(211a)를 가지며, 오존생성유닛(211)으로부터 과다하게 발생되는 오존은 오존바이패스밸브(V3)를 통한 후 오존제거기(214)를 거쳐 대기로 배기된다.
오존퍼지가스공급부(220)는, 유입되는 오존퍼지가스(불활성가스)의 흐름량을 제어하는 오존퍼지가스MFC(222)와, 오존퍼지가스MFC(222)에서 제1가스라인(200)으로의 오존퍼지가스의 흐름을 온/오프하는 오존퍼지밸브(V6)와, 오존퍼지가스MFC(222)에서 반응용기(10)를 경유하지 않고 배기라인(500)으로의 오존퍼지가스의 흐름을 온/오프하는 오존퍼지바이패스밸브(V7)를 포함한다.
제2반응가스공급부(310)는 액상원료 버블링기로서, 제2반응가스의 액상 원료인 TMA 가 수용된 캐니스터(311)와, 캐니스터(311)로 유입되는 캐리어가스(불활성가스)의 흐름량을 제어하는 캐리어가스MFC(312)와, 캐니스터(311)에서 제2가스라인(300)으로의 TMA 가스의 흐름을 온/오프하는 TMA피딩밸브(V9)와, 캐니스터(311)에서 반응용기(10)를 경유하지 않고 배기라인(500)으로의 TMA 가스의 흐름을 온/오프하는 TMA바이패스밸브(V10)와, 캐리어가스MFC(312)를 경유한 캐리어가스를 제2가스라인(300)으로 직접 흐르게 하기 위한 캐니스터바이패스밸브(V11)를 포함한다. 캐리어가스MFC(312)와 캐니스터(311) 사이, 그리고 캐니스터(311)와 제2가스라인(300) 사이에는 각각 밸브(V12)(V13)가 설치되고, 밸브(V12)(V13)와 캐니스터(311) 사이에 3 개에 매뉴얼밸브(M1)(M2)(M3)가 설치된다. 이때, TMA 를 공급하는 캐니스터는 25℃ ∼ 40℃ 로 유지되며, 500 cc 에서 3000 cc 이하의 용적을 가진다. 본 실시예에서, 캐니스터의 온도는 25℃ 이고 용적은 1000 cc 로 하였다.
메인퍼지가스공급부(320)는, 유입되는 메인퍼지가스(불활성가스)의 흐름량을 제어하는 메인퍼지가스MFC(322)와, 메인퍼지가스MFC(322)에서 제2가스라인(300)으로의 메인퍼지가스의 흐름을 온/오프하는 메인퍼지밸브(V14)와, 메인퍼지가스MFC(322)에서 반응용기(10)를 경유하지 않고 배기라인(500)으로의 메인퍼지가스의 흐름을 온/오프하는 메인퍼지바이패스밸브(V15)를 포함한다.
커튼가스공급부(410)는, 유입되는 커튼가스(불활성가스)의 흐름량을 제어하는 커튼가스MFC(412)와, 커튼가스MFC(412)에서 커튼가스라인(400)으로의 커튼가스의 흐름을 온/오프하는 커튼가스밸브(V17)와, 커튼가스MFC(412)에서 반응용기(10)를 경유하지 않고 배기라인(500)으로의 커튼가스의 흐름을 온/오프하는 커튼가스바이패스밸브(V18)를 포함한다.
여기서, 가스들의 흐름량 제어는 MFC 를 통하여 수행하였으나 이는 일 실시예에 불과하고, 니들밸브를 통하여 흐름량을 제어할 수 있음은 물론이다.
다음, 상기한 박막증착장치를 이용하여 기판상에 Al2O3 박막을 증착하는 박막증착방법을 설명한다.
알루미늄화합물을 이용하여 기판(w)상에 Al2O3 박막을 증착하기 위하여, 웨이퍼블럭(15) 상에 기판(w)을 안착시키는 기판안착단계(S1)와, Al2O3 박막증착을 위한 반응가스들을 기판(w) 상에 분사하여 박막을 증착하는 박막증착단계(S2)를 포함한다.
기판안착단계(S1)는 로봇암(미도시)이 이송모듈(미도시)에서 기판을 취출하여 반응용기(10)로 유입시킨 후 웨이퍼블럭(15) 상에 안착시킴으로써 이루어지고, 이 단계에서 기판(w)의 예열이 함께 이루어진다. 웨이퍼블럭(15)에 의하여 기판은 적어도 250℃ 이상으로 가열된다. 본 실시예에서 사용된 기판은 300mm 직경을 가지는 웨이퍼이다.
박막증착단계(S2)는, 오존피딩단계(S1) →오존퍼지단계(S2) →TMA 피딩단계(S3) →TMA 퍼지단계(S4)로 구성되는 ALD 싸이클을 1 회 이상 반복 수행함으로써 이루어진다. 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.
오존피딩단계(S1)는, 오존 MFC(212)에 의하여 소정 흐름량으로 제어된 오존을 오존피딩밸브(V4) → 제1가스라인(200) → 제1분사홀(14a)들을 통하여 기판(w) 상으로 분사하며, 동시에 메인퍼지가스MFC(322)에 의하여 소정의 흐름량으로 제어된 메인퍼지가스(불활성가스)를 메인퍼지밸브(V14) → 제2가스라인(300) → 제2분사홀(14b)을 통하여 기판(w) 상으로 분사하는 단계이다. 이때, 오존은 100g/㎤ 이상의 농도와 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지며, 메인퍼지가스는 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가진다. 본 실시예에서, 상기 오존과 메인퍼지가스는 각각 300 sccm 의 흐름량을 가진다.
오존퍼지단계(S2)는, 오존의 공급을 중단하고 오존퍼지가스MFC(222)에 의하여 소정의 흐름량으로 제어된 오존퍼지가스(불활성가스)를 오존퍼지밸브(V6) → 제1가스라인(200) →제1분사홀(14a)들을 통하여 반응용기(10) 내로 분사하고, 동시에 오존피딩단계(S1)에서와 동일한 메인퍼지가스를 제2분사홀(14b)을 통하여 기판(w) 상으로 분사하는 단계이다. 이때, 오존퍼지가스는 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가진다. 본 실시예에서, 오존퍼지가스는 300 sccm 의 흐름량을 가진다.
TMA 피딩단계(S3)는, 캐리어가스MFC(312)에 의하여 소정의 흐름량으로 제어된 캐리어가스(불활성가스)를 캐니스터(311)를 경유케 한 후, 캐리어가스에 의하여 이송되는 TMA 가스를 TMA피딩밸브(V9) → 제2가스라인(300) →제2분사홀(14b)들을 통하여 기판(w) 상으로 분사하고, 동시에 제1분사홀(14a)들로 오존퍼지가스를 분사하는 단계이다. 이때, 캐리어가스는 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지며, 오존퍼지가스는 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가진다. 본 실시예에서, 캐리어가스는 300 sccm 의 흐름량을 가지며, 오존퍼지가스 역시 300 sccm 의 흐름량을 가진다.
TMA 퍼지단계(S4)는, TMA 의 공급을 중단하고 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 캐리어가스를 캐니스터(311)를 경유하지 않고 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하며, 동시에 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 오존퍼지가스를 제1분사홀(14a)들을 통하여 분사하는 단계이다.
박막증착이 진행되는 동안에, 커튼가스MFC(412)에 의하여 소정의 흐름량으로 제어된 커튼가스(불활성가스)는 커튼가스밸브(V17) → 커튼가스라인(400) →가스커튼홀(14d)들을 통하여 기판(w)의 외주측으로 분사하는 것이 바람직하다. 이때, 커튼가스는 50sccm 이상의 흐름량을 가지도록 하는데, 본 실시예에서는 450 sccm 의 흐름량을 가지도록 한다. 커튼가스는 반응용기 내부에 가스커튼을 형성하며, 가스커튼이 형성됨으로써 박막이 반응용기 내측벽 표면에 증착되는 것을 최소화할 수 있고 따라서 반응용기의 클리닝주기를 늘릴 수 있다.
또한, 오존 피딩,퍼지단계(S1)(S2)는 각기 0.1초에서 4초 이내의 시간동안 지속시킨다. 본 실시예의 오존 피딩단계(S1)는 2초로 하였고, 오존 퍼지단계(S2)는 4초로 하였다. 또, TMA 피딩,퍼지단계(S3)(S4)는 0.1초 ∼ 3초 범위내로 설정되었다. 본 실시예의 TMA 피딩(S3)은 0.2초로 하였고, TMA 퍼지(S4)는 1초로 하였다.
이와 같이, 박막증착단계(S2)는, 오존피딩단계(S1)와, 오존퍼지단계(S2)와, TMA 피딩단계(S3)와, TMA 퍼지단계(S4)가 하나의 ALD 싸이클을 이루며, 상기한 싸이클을 원하는 산화막의 두께를 얻을 때까지 반복한다.
도 3은 본 발명의 박막증착방법에 있어서, 오존을 대량으로 플로우시키는 조건 레시피에서 두께 선형성을 나타낸 것이다. 이때 사용된 오존의 흐름량은 670 sccm 이였다. 이와 같이 많은 오존을 플로우시킴에도 불구하고 과거의 500 sccm 이하로 오존을 플로우시키는 공정조건에 비하여 뒤떨어지지 않는 두께 선형 제어성을 보이고 있음을 알수 있다.
도 4는 본 발명의 ALD 박막증착방법에 있어서, 다른 공정인자를 모두 유지한 상태에서 오존의 흐름량을 증가시켰을 때 두께 개선 효과를 도시한 도면이다. 여기서는 오존의 흐름량이 300 sccm 일때와 670 sccm 일때를 비교하였다. 상기한 데이터를 얻기 위하여, 대략 78회의 ALD 싸이클을 통하여 기판에 막막을 증착하고, 이후에 임의의 13 포인트에서의 박막의 두께를 측정하였다.
도면에 도시된 바와 같이, 300 sccm 에서 임의의 13 포인트 지점에서 얻어진 두께의 평균값은 64.9 Å 이었고, 이때 최고 두께와 최저 두께의 차이는 3.3 Å 이었다. 한편, 670 sccm 에서는 13 포인트 지점에서 얻어진 두께의 평균값은 61.7 Å이었고 이때 최고 두께와 최고 두께의 차이는 0.61 Å이었다.
상기한 데이터를 통하여 오존의 흐름량이 670 sccm 이었을 때의 박막의 평균두께(61.7Å)는 300sccm 이었을 때의 박막의 평균두께(64.9Å)보다 약간 작아짐을 알 수 있다. 그러나, 두께의 차이는 오히려 670 sccm 일 경우에 0.61 Å 이고, 300 sccm 일 때 3.3 Å으로서, 보다 많은 오존을 플로우시킬 때 작아짐을 알 수 있었다. 이는 오존 흐름량을 대폭 상승시킴으로써 다른 어떤 인자를 교정할 때보다도 더 우세한 두께 균일성 개선 효과를 얻었음을 보여주고 있다.
도 5는 도 1의 박막증착장치를 이용한 박막증착방법의 다른 실시예를 그래프로 도시한 도면으로서, 도 5에서는 vacuum 퍼지를 적용한 박막증착공정이 개시되어 있다.
제1반응가스공급부(210)에서 오존이 발생되는 상태에서 오존바이패스밸브(V3)와 오존생성유닛(211)의 밸브(V1, V2)를 제외한 가스공급부(20) 내의 모든 밸브를 닫음으로써 실시되는 vacuum 퍼지단계를 수행한다. vacuum 퍼지단계는 상기한 오존 피딩단계(S1), 오존 퍼지단계(S2), TMA 피딩단계(S3), TMA 퍼지단계(S4) 사이의 임의의 경계에서 선별적으로 수행한다. 본 실시예에서는 오존 퍼지단계(S2)와 TMA 피딩단계(S3) 사이의 경계에서 수행한다. 이 경우, 박막증착공정은 오존피딩(S1) → 오존퍼지(S2) → vacuum 퍼지(V.P) → TMA 피딩(S3) → TMA 퍼지(S4) → vacuum 퍼지(V.P) 순으로 진행된다. 이는 오존 피딩 → 오존퍼지 → TMA 피딩 → TMA 퍼지로 이루어지는 불활성가스만을 이용한 박막증착방법과 대비된다.
vacuum 퍼지시에는 반응용기에 연결된 가스라인들상에서 최후단 밸브들만 닫는 것이 아니라, 제1밸브(V1) 및 제2밸브(V2) 그리고 오존바이패스밸브(V3)를 제외한 모든 밸브를 닫음으로써 반응용기(10)로 유입되는 모든 가스의 흐름을 차한다. 이는 가스라인을 통한 반응가스 플로우가 재개되었을 때 국부적인 가스압 축적에 의한 플로우 요동을 막기 위한 것이다. 오존바이패스밸브(V3)를 열어두는 것은 반응용기로의 오존흐름의 요동을 줄이는데 더 유리하기 때문이다. 이때, vacuum 퍼지는 0.1초 ∼ 4 초 범위내로 설정되며, 본 실시예에서는 1 초로 설정되었다.
본 실시예에서, 반응용기는 사이드 플로우(Side Flow) 타입일 수 도 있고 샤워헤드 타입일 수 도 있다. 상기한 vacuum 퍼지의 활용은 샤워헤드 타입일 때 더 큰 효과를 볼 수 있는데, 그 효과는 스텝커버리지, 박막의 순도, 그리고 두께 제어 선형성(Linearity)등에 나타난다. 이는 통상의 샤워헤드 타입의 반응용기 증착실 볼륨이 사이드 플로우 타입의 반응용기의 증착실 볼륨보다 더 크기 때문이다.
적절한 vacuum 퍼지를 이용할 경우에, 불활성가스만을 이용할 경우보다 퍼지 효율을 높일 수 있다. 이를 위하여, 샤워헤드 타입에 있어 TMA 가스 분사전에 먼저 분사된 오존은 기판상에서 물론이거니와 샤워헤드 내부 볼륨내에서도 빠르게 퍼지되어야 한다. 그래야만 기상반응이 최대한 배제되고 포화표면 반응만이 기판상에 일어날 수 있기 때문이다.
그러나 실상 TMA 가스가 기판상에 분사될 때 오존은 기판 표면상에만 흡착되어 있지 않고 기판상 공간 그리고 샤워헤드 내부 볼륨에도 여전히 존재하고 있다. 따라서, 불필요한 반응가스를 다음 반응가스 유입전에 보다 깨끗하고도 효율적으로 배기라인으로 빠져나가게 하기 위하여 vacuum 퍼지를 추가로 이용하는 것이다.
한편, 퍼지 효율만을 고려하여 반응가스 퍼지를 vacuum 퍼지만으로 실시하기보다는 퍼지가스의 유입과 더불어 퍼지를 실시할 필요가 있다. 그것은 박막두께의 균일성, 박막의 조성 제어등과 같은 요소를 고려해야 하기 때문이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 ALD 박막증착방법에 따르면, 상기한 오존의 흐름량을 이용함으로써 기판상에 두께 균일성 및 순도가 더욱 우수한 알루미늄 산화막을 증착할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 박막증착방법을 수행하는 박막증착장치의 구성도,
도 2는 도 1의 박막증착장치를 이용한 박막증착방법의 일 실시예를 그래프로 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 박막증착방법에 있어서, 박막의 증착 선형성을 보이는 그래프,
도 4는 본 발명의 박막증착방법에 있어서, 오존의 흐름량 증가에 따른 두께 개선 효과를 도시한 도면.
도 5는 도 1의 박막증착장치를 이용한 박막증착방법의 다른 실시예를 그래프로 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 ... 반응용기 12 ... 리엑터블럭
13 ... 탑리드 14 ... 샤워헤드
14a ... 제1분사홀 14b ... 제2분사홀
14d ... 가스커튼홀 15 ... 웨이퍼블럭
20 ... 가스공급부 200 ... 제1가스라인
210 ... 제1반응가스공급부 220 ... 오존퍼지가스공급부
300 ... 제2가스라인 310 ... 제2반응가스공급부
320 ... 메인퍼지가스공급부 400 ... 커튼가스라인
410 ... 커튼가스공급부 500 ... 배기라인

Claims (4)

  1. 웨이퍼블럭(15)이 내장되는 리엑터블럭(12)과; 상기 리엑터블럭(12)을 덮어 소정의 압력이 일정하게 유지되도록 하는 탑리드(13)와; 상기 탑리드(13)의 하부에 설치되는 것으로서, 가스공급부(20)로부터 유입되는 제1반응가스를 상기 기판(w)의 상부로 분사하는 다수의 제1분사홀(14a)과, 상기 가스공급부(20)로부터 유입되는 제2반응가스를 상기 기판(w)의 상부로 분사하는 다수의 제2분사홀(14b)이 형성된 샤워헤드(14);를 포함하는 반응용기(10)를 이용하여 상기 기판(w)상에 알루미늄 산화막(Al2O3)을 증착하기 위하여,
    기판의 온도를 적어도 250℃ 이상으로 유지될 수 있도록 온도설정된 웨이퍼블럭(15) 상에 기판(w)을 안착시키는 기판안착단계(S1)와; 제1반응가스와 제2반응가스를 교호적으로 상기 기판(w) 상에 분사하여 Al2O3 박막을 증착하는 ALD 박막증착단계(S2);를 포함하고, 상기 ALD 박막증착단계(S2)는,
    상기 제1분사홀(14a)들을 통하여 적어도 100g/㎤ 이상의 농도와 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 제1반응가스인 오존을 분사하고, 동시에 상기 제2분사홀(14b)들을 통하여 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 분사하는 오존 피딩단계(S1)와;
    상기 오존의 공급을 중단하고 상기 제1분사홀(14a)들을 통하여 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 상기 제1분사홀(14a)들로 분사하며, 동시에 상기 오존 피딩단계(S1)에서와 동일한 상기 불활성가스를 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하는 오존 퍼지단계(S2)와;
    50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 캐리어가스에 의하여 이송되는 제2반응가스인 TMA를 상기 제2분사홀(14b)들을 통하여 분사하고, 동시에 상기 제1분사홀(14a)들로 50sccm 이상 1000sccm 이하의 흐름량을 가지는 불활성가스를 분사하는 TMA 피딩단계(S3)와;
    상기 TMA 의 공급을 중단하고 상기 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 상기 캐리어가스를 상기 제2분사홀(14b)을 통하여 분사하며, 동시에 상기 TMA 피딩단계(S3)에서와 동일한 상기 불활성가스를 상기 제1분사홀(14a)들로 분사하는 TMA 퍼지단계(S4);로 구성되는 ALD 싸이클을 적어도 2 회 이상 수행하며,
    상기 오존 피딩,퍼지단계(S1)(S2)는, 0.1초 ∼ 4초 범위내로 설정되고, 상기 TMA 피딩,퍼지단계(S3)(S4)는 0.1초 ∼ 3초 범위내로 설정되며,
    상기 반응용기(10)로 유입되는 모든 가스의 흐름을 차단함으로써 이루어지는 vacuum 퍼지단계를 상기 ALD 싸이클내에 모든 단계들(S1, S2, S3, S4) 사이의 임의의 경계에서 선별적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드(14)에 유입되는 불활성가스를 상기 기판(w)의 외주측(리엑터블럭의 내측벽)으로 분사하는 가스커튼홀(14d)들이 형성되어 있고,
    상기 ALD 박막증착단계가 진행되는 동안에 상기 가스커튼홀(14d)을 통하여 상기 기판(w) 외주측으로 적어도 50sccm 이상의 불활성가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 TMA 를 공급하는 캐니스터는 25℃ ∼ 40℃ 로 유지되며, 500 cc 에서 3000 cc 이하의 용적을 가지는 것을 특징으로 하는 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 vacuum 퍼지단계는 0.1초 ∼ 4 초 범위내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법.
KR10-2002-0072380A 2002-11-20 2002-11-20 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 KR100520902B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0072380A KR100520902B1 (ko) 2002-11-20 2002-11-20 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
US10/716,950 US20040101622A1 (en) 2002-11-20 2003-11-19 Method of depositing thin film using aluminum oxide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0072380A KR100520902B1 (ko) 2002-11-20 2002-11-20 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040043921A KR20040043921A (ko) 2004-05-27
KR100520902B1 true KR100520902B1 (ko) 2005-10-12

Family

ID=32322262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0072380A KR100520902B1 (ko) 2002-11-20 2002-11-20 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20040101622A1 (ko)
KR (1) KR100520902B1 (ko)

Families Citing this family (367)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050276922A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Henry Bernhardt Method of forming thin dielectric layers
KR100597322B1 (ko) * 2005-03-16 2006-07-06 주식회사 아이피에스 박막증착방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
TWI373868B (en) * 2009-02-16 2012-10-01 Univ Nat Taiwan Composite layer
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5520552B2 (ja) 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
CN104267754B (zh) * 2014-09-24 2017-10-24 中国核动力研究设计院 反应堆入口压力智能调节系统及其控制方法
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10927459B2 (en) * 2017-10-16 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for atomic layer deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102536220B1 (ko) * 2018-03-30 2023-05-26 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록매체
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112802734A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 长春长光圆辰微电子技术有限公司 硅片单侧膜淀积的方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2024090226A1 (ja) * 2022-10-25 2024-05-02 東洋紡株式会社 膜形成装置、積層体製造方法、及び半導体デバイス製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010065160A (ko) * 1999-12-29 2001-07-11 박종섭 반도체 소자의 알루미늄 옥사이드 박막 형성 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576053B1 (en) * 1999-10-06 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming thin film using atomic layer deposition method
KR100436941B1 (ko) * 2000-11-07 2004-06-23 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치 및 그 방법
US7037574B2 (en) * 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010065160A (ko) * 1999-12-29 2001-07-11 박종섭 반도체 소자의 알루미늄 옥사이드 박막 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20040101622A1 (en) 2004-05-27
KR20040043921A (ko) 2004-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100520902B1 (ko) 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
US12025484B2 (en) Thin film forming method
US20050223982A1 (en) Apparatus and method for depositing thin film on wafer using remote plasma
EP1641031B1 (en) Deposition of TiN films in a batch reactor
US6451119B2 (en) Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition
US7927662B2 (en) CVD method in vertical CVD apparatus using different reactive gases
US7981815B2 (en) Semiconductor device producing method and substrate processing apparatus
US8598047B2 (en) Substrate processing apparatus and producing method of semiconductor device
US7771535B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
TWI523104B (zh) 半導體裝置的製造方法、基板處理方法及基板處理裝置
KR100463633B1 (ko) 하프늄 화합물을 이용한 박막증착방법
KR20020002579A (ko) 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법
US20060078678A1 (en) Method of forming a thin film by atomic layer deposition
KR20050100610A (ko) 박막의 층간 증착을 위한 방법 및 장치
KR102478562B1 (ko) 종형 열처리 장치
US7018469B2 (en) Atomic layer deposition methods of forming silicon dioxide comprising layers
KR102112703B1 (ko) 플라즈마 방식에 의한 박막 증착 방법
US11786946B2 (en) Cleaning method and film forming apparatus
JP6604801B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR19990074809A (ko) 박막 제조 방법
JP3968869B2 (ja) 成膜処理方法及び成膜処理装置
JP2007113103A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
KR100496903B1 (ko) Ａｌｄ 박막증착장치 및 그를 이용한 박막증착방법
KR100531464B1 (ko) 원자층 증착법을 이용한 하프니움산화막 형성방법
KR101301683B1 (ko) 질화막 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120914

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130904

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee