KR20100081972A - 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100081972A
KR20100081972A KR1020107005948A KR20107005948A KR20100081972A KR 20100081972 A KR20100081972 A KR 20100081972A KR 1020107005948 A KR1020107005948 A KR 1020107005948A KR 20107005948 A KR20107005948 A KR 20107005948A KR 20100081972 A KR20100081972 A KR 20100081972A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spatial light
light
optical
light source
optical device
Prior art date
Application number
KR1020107005948A
Other languages
English (en)
Inventor
히로유키 히로타
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20100081972A publication Critical patent/KR20100081972A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70083Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70158Diffractive optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices

Abstract

조명 광학 장치(13)는 광원(12)으로부터 출력된 노광광(EL)을 피조사 물체(R)로 유도한다. 조명 광학 장치(13)는 어레이 형상으로 배열되는 복수의 공간 광 변조 부재(22)를 갖고 있으며, 각각의 공간 광 변조 부재(22)는 각각이 이동 가능 반사면을 갖고 있는 복수의 반사 광학 소자가 어레이 형상으로 배열되도록 구성된다. 공간 광 변조 부재 중 적어도 하나는 광원으로부터 출력된 광의 광로 내에 배치된다.

Description

조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법{ILLUMINATION OPTICAL APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 피조사 물체를 조사하기 위한 조명 광학 장치, 이 조명 광학 장치를 구비한 노광 장치 및 이 노광 장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로와 같은 마이크로 디바이스를 제조할 때에 사용되는 노광 장치로서, 예컨대 일본 특허 공개 공보 제 2002-353105 호에 기재된 종래 노광 장치가 제안되어 있다. 이 노광 장치는 기결정된 패턴이 형성되는 레티클과 같은 마스크를 조사하기 위한 조명 광학 장치, 및 이 조명 광학 장치를 이용해서 마스크를 조사함으로써 형성된 패턴 이미지를, 감광성 재료가 코팅된 웨이퍼 혹은 유리 플레이트와 같은 기판에 투영하기 위한 투영 광학 장치를 구비하고 있다.
조명 광학 장치는 마스크의 피조사면 상의 동공 휘도 분포(a pupil luminance distribution)를 조정하기 위한 공간 광 변조 부재를 구비하고 있다. 이 공간 광 변조 부재는 어레이 형상으로 배열된 복수의 반사 광학 소자를 구비하고 있고, 각각의 반사 광학 소자의 반사면에는 반사막이 코팅되어 있다. 각 반사 광학 소자는, 광원으로부터의 노광광이 그 반사면에 의해서 마스크를 향해서 각각 반사되도록 구성되어 있다.
또한, 각 반사 광학 소자는, 그 반사면으로의 노광광의 입사 방향에 대한 반사면의 경사각이 변경될 수 있도록 구성되어 있다. 노광광의 광축에 대한 반사면의 경사각을 반사 광학 소자마다 변경함으로써, 마스크의 피조사면 상에서의 동공 휘도 분포가 적절하게 조정되었다.
최근, 기판으로의 패턴 이미지의 투영의 효율화 및 정밀도의 향상을 도모하기 위해서, 노광광의 출력을 높이는 것이 강하게 요구되고 있다. 그러나, 공간 광 변조 부재를 구성하는 각 반사 광학 소자의 반사면을, 내구성이 비교적 높은 반사막으로 코팅하는 것이 매우 어렵다. 따라서, 이 반사면에는 내구성의 비교적 낮은 반사막이 코팅된다. 이 때문에, 광원으로부터 출력되는 노광광의 강도가 강할수록 반사막이 조기에 열화되거나, 각 반사 광학 소자의 구동 부분에 도달하는 광량이 더 많아지면 구동 부분의 파손을 초래하기 때문에, 공간 광 변조 부재의 수명은 더 짧아진다. 노광광의 강도가 비교적 강한 경우에는 노광광의 강도가 비교적 약한 경우에 비해서, 공간 광 변조 부재는 더 조기에 교체되어야 한다.
그러나 상술한 바와 같은 구성의 노광 장치에서는, 공간 광 변조 부재는 노광 장치의 구동이 일시 정지된 상태에서 교체되어야 한다. 따라서, 광원으로부터 출력되는 노광광의 강도가 강할수록, 공간 광 변조 부재의 교체 타이밍이 빨라지기 때문에, 노광광의 광로 내에 공간 광 변조 부재가 배치된 노광 장치에서는, 광원의 출력이 높아짐에 따라서, 마이크로 디바이스의 제조 효율이 저하될 염려가 있었다.
본 발명은 이러한 상황을 감안해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 광원으로부터 출력되는 광의 광로 내에 공간 광 변조 부재가 배치된 경우에도, 광원의 출력이 높아짐에 따라서 디바이스의 제조 효율의 향상에 공헌할 수 있는 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 조명 광학 장치는 광원으로부터 출력되어서 기결정된 광로를 따라서 이동하는 광을 피조사 물체로 유도하는 조명 광학 장치에 있어서, 각각이 이동 가능한 반사면을 갖는 복수의 반사 광학 소자가 어레이 형상으로 배열되는 복수의 공간 광 변조 부재를 포함하되, 공간 광 변조 부재 중 적어도 하나는 광로 내에 배치되어 있다.
상기 구성에서, 광원으로부터 출력된 광은 어레이 형상으로 배열된 복수의 공간 광 변조 부재에 의해서 피조사 물체로 유도된다. 이 때문에, 하나의 공간 광 변조 부재를 이용해서 광원으로부터 출력된 광이 피조사 물체로 유도되는 종래의 경우에 비해서, 사용되는 공간 광 변조 부재의 수가 증가하는 만큼, 노광 장치의 구동을 일시 정지시켜서 공간 광 변조 부재를 교체하는 타이밍을 늦출 수 있다. 따라서, 광원으로부터 출력되는 광의 광로 내에 공간 광 변조 부재가 배치된 경우에도, 광원의 출력이 높아짐에 따른 디바이스의 제조 효율의 향상에 공헌할 수 있다.
본 발명에 의하면, 광원의 출력이 높아짐에 따른 디바이스의 제조 효율의 향상에 우수하게 공헌할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 있어서의 노광 장치를 나타내는 개략 구성도,
도 2는 실시예 1에 있어서의 이동 가능 멀티-미러를 나타내는 개략 사시도,
도 3은 이동 가능 멀티-미러를 구성하는 미러 요소의 배열 형태를 나타내는 개략 사시도,
도 4는 미러 요소를 구동하는 구동부의 구성을 나타내는 개략 사시도,
도 5는 실시예 2에 있어서의 조명 광학 장치의 일부를 나타내는 개략 구성도,
도 6은 실시예 3에 있어서의 조명 광학 장치의 일부를 나타내는 개략 구성도,
도 7은 실시예 4에 있어서의 조명 광학 장치의 일부를 나타내는 개략 구성도,
도 8은 실시예 5에 있어서의 조명 광학 장치의 일부를 나타내는 개략 구성도,
도 9는 디바이스의 제조예의 흐름도,
도 10은 반도체 디바이스의 경우의 기판 처리에 관한 상세한 흐름도이다.
(실시예 1)
이하에, 본 발명의 구체적인 예로서, 실시예 1이 도 1 내지 도 4에 기초해서 설명될 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 노광 장치(11)는, 노광 광원(12)으로부터의 노광광(EL)이 공급되는 조명 광학 장치(13)와, 기결정된 패턴이 형성되는 레티클(R)(포토 마스크가 될 수도 있다)을 유지하는 레티클 스테이지(14)와, 투영 광학 장치(15)와, 표면에 레지스트와 같은 감광성 재료가 코팅된 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 스테이지(16)로 구성되어 있다. 노광 광원(12)은 예컨대 ArF 엑시머 레이저 광원으로 이루어져 있다. 노광 광원(12)으로부터 출력되는 노광광(EL)은 조명 광학 장치(13)를 통과함으로써 레티클(R) 상의 패턴을 균일하게 조명하도록 조정된다.
레티클 스테이지(14)는 후술하는 투영 광학 장치(15)의 물체면 측에, 이 레티클(R)의 탑재면이 투영 광학 장치(15)의 광축 방향과 거의 직교하도록 배치되어 있다. 이 투영 광학 장치(15)는, 내부가 질소와 같은 불활성 가스로 충전된 경통(17)을 구비하고, 이 경통(17) 내에는 도시하지 않은 복수의 렌즈가 노광광(EL)의 광로를 따라 배치되어 있다. 노광광(EL)으로 조명된 레티클(R) 상의 패턴의 이미지는 투영 광학 장치(15)를 통해서 기결정된 축소 배율로 축소된 상태로, 웨이퍼 스테이지(16) 상의 웨이퍼(W)에 투영 및 전사된다. 여기서 광로란 사용 상태에서, 광이 통과하는 것으로 의도되어 있는 경로를 나타내고 있다.
이하에서는 본 실시예의 조명 광학 장치(13)가 도 1에 기초해서 설명될 것이다.
조명 광학 장치(13)에는, 노광 광원(12)으로부터 출력된 노광광(EL)이 입사되는 릴레이 광학 장치(18)가 마련되어 있다. 이 릴레이 광학 장치(18)는 전형적으로는 노광 광원(12)측으로부터 광축(AX1)을 따라 차례로 배치된 제 1 포지티브 렌즈(19), 네거티브 렌즈(20) 및 제 2 포지티브 렌즈(21)로 이루어져 있다. 노광 광원(12)으로부터 릴레이 광학 장치(18)에 입사된 노광광(EL)은 그 단면 형상이 확장된 상태로 노광 광원(12)의 반대측으로 출력된다.
조명 광학 장치(13)에 있어서, 반사 광학 장치(23)는 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 복수(도 2에서는 15개만 도시)의 이동 가능 멀티-미러(22)가 어레이 형상으로 배열된 구성을 가지며, 이 반사 광학 장치(23)는 릴레이 광학 장치(18)에 있어서 노광 광원(12)의 반대측에 이동 불가능한 상태로 배치되어 있다. 이 반사 광학 장치(23)는 평판 형상의 베이스부(24)를 갖고 있고, 이 베이스부(24) 상에는, 각각이 3개의 이동 가능한 멀티-미러(22)가 X 방향으로 나란히 배치된 미러열이, Y 방향으로 5열로 형성되어 있다. 각 이동 가능 멀티-미러(22)에는 노광광(EL)을 반사할 수 있는 대략 직사각형 형상의 유효 영역(25)이 각각 형성되어 있고, 모든 이동 가능 멀티-미러(22)의 유효 영역(25) 각각에는 노광광(EL)이 입사된다. 상술한 이동 가능 멀티-미러(22)의 배열(즉, X 방향으로 3개이고, Y 방향으로 5개)은 일례일 뿐, 이동 가능 멀티-미러(22)의 배열 및 수는 상술한 배열과는 다른 배열 및 수여도 된다.
각 이동 가능 멀티-미러(22)에서 반사된 노광광(EL)은 각 이동 가능 멀티-미러(22)의 입사측의 광축(AX1)과 기결정된 각도를 이루는 광축(AX2)을 따라서 배치된 콘덴서 광학 장치(분포 형성 광학 장치)(26)를 통해서 옵티컬 인테그레이터(본 실시예에서는 프라이아이 렌즈)(27)로 들어간다. 한편, 콘덴서 광학 장치(26)의 전측 초점 위치는 각 이동 가능 멀티-미러(22)의 각 미러 요소가 위치되는 배열면(P1)의 근방에 위치되고, 콘덴서 광학 장치(26)의 후측 초점 위치는 옵티컬 인테그레이터(27)의 입사면 근방의 면 P2에 위치된다. 이 옵티컬 인테그레이터(27)는 복수(도 1에서는 5개만 도시)의 렌즈 요소(28)가 이차원적으로 배열된 구성을 갖고 있다. 옵티컬 인테그레이터(27)에 입사한 노광광(EL)은 렌즈 요소(28)에 의해 복수의 빔으로 분기된다. 그 결과, 옵티컬 인테그레이터(27)의 도 1에 있어서의 우측면(즉, 이미지 면)에는 다수의 광원 이미지가 형성되어 있다.
옵티컬 인테그레이터(27)로부터 출력된 노광광(EL), 즉 다수의 광원 이미지부터 출력된 빔으로 이루어진 노광광(EL)은 콘덴서 광학 장치(29)를 통과해서 중첩되어 집광되는 상태로 마스크 블라인드(30)를 조사한다. 마스크 블라인드(30)의 개구부(31)를 통과한 노광광(EL)은 콘덴서 광학 장치(32)를 통과해서 레티클(R)을 조사한다. 레티클(R) 상에서 노광광(EL)으로 조사되는 조사 영역의 동공 휘도 분포는 적절하게 조정된다.
본 실시예에서는, 옵티컬 인테그레이터(27)에 의해 형성되는 2차 광원을 광원으로서 이용해서, 조명 광학 장치(IL)의 피조사면에 배치되는 레티클(R)은 퀼러 조명(Kohler illumination)에 의해 조명된다. 이 때문에, 2차 광원이 형성되는 면 P3은 투영 광학 장치(PL)의 구경 조리개(AS)의 위치(P4)와 광학적으로 공액이여서, 2차 광원의 형성면 P3을 조명 광학 장치(IL)의 조명 동공면이라고 부를 수 있다. 전형적으로는, 피조사면(마스크(M)가 배치된 면, 혹은 조명 광학계가 투영 광학 장치(PL)를 포함하는 것으로 생각되는 경우에는 웨이퍼(W)가 배치되는 면)이 조명 동공면의 광학 퓨리에 변환 면이다.
본 실시예에서, 옵티컬 인테그레이터(27)의 출력측에는 노광광(EL)의 일부를 반사하기 위한 분기 미러가 마련되고, 노광량 센서(SE1)는 이 분기 미러에 의해 반사된 광을 수광하도록 마련되어 있다. 노광량은 노광량 센서(SE1)의 출력을 모니터함으로써 제어될 수 있다.
본 실시예에서, 웨이퍼 스테이지(16)에는 웨이퍼(W)에 도달하는 노광광의 동공 휘도 분포를 모니터하기 위한 동공 휘도 분포 검출부(SE2)가 마련되어 있다. 이 동공 휘도 분포 검출부의 구성은 예컨대 일본 특허 공개 공보 제 2006-59834호 및 이에 대응하는 미국 특허 공개 공보 제 2008/0030707호에 개시되어 있다. 미국 특허 공개 공보 제 2008/0030707호는 여기에 참조로서 포함된다.
이하에는 이동 가능 멀티-미러(22)의 구성이 도 2 내지 도 4에 기초해서 설명될 것이다.
도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 이동 가능 멀티-미러(22)는 반사면(34)에 반사막이 코팅되어 있으며, 평면으로 봤을 때 정사각형 형상인 미러 요소(33)를 복수 구비하고, 미러 요소(33)는 어레이 형상으로 배열된다. 반사 광학 장치(23)에서의 광량 손실을 줄이기 위해서, 이들 미러 요소(33)는 서로 인접하는 미러 요소(33) 사이의 간격을 가능한 한 작게 해서 배치된다. 각 미러 요소(33)는 노광광(EL)의 광로에 대한 경사각을 변경하도록 이동 가능하게 되어 있다. 이후의 기재에 있어서, "미러 요소(33)의 노광광(EL)의 광로에 대한 경사각"은 간단히 "미러 요소(33)의 경사각"이라고 하기로 한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 이동 가능 멀티-미러(22)의 미러 요소는 XY 평면 상에 위치된 배열면(P1)을 따라서 배치된다.
본 실시예의 반사 광학 장치(23)는, 복수 종류(본 실시예에서는 두 종류)의 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)로 이루어져 있다. 구체적으로는, 도 2에서 Y 방향으로 가장 가깝게 위치되는 미러열, 미러열 중 가운데 위치되는 미러열 및 가장 멀리 위치되는 미러열은 각각 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)를 구성하고, 나머지의 미러열은 각각 제 2 이동 가능 멀티-미러(22B)를 구성한다. 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)는 도 4에 나타낸 바와 같이, 제 1 축(S1)의 둘레를 회전 가능한 복수의 미러 요소(33)로 이루어져 있다. 한편, 제 2 이동 가능 멀티-미러(22B)는 제 1 축(S1)과는 대략 직교하는 제 2 축(S2)의 둘레를 회전 가능한 복수의 미러 요소(33)로 이루어져 있다. 제 1 축(S1)은 미러 요소(33)의 2개의 대각선 중 제 1 대각선에 상당하는 축이고, 제 2 축(S2)은 제 1 대각선과 직교하는 제 2 대각선에 상당하는 축이다.
이하 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)를 구성하는 미러 요소(33)의 구동부가 도 4에 기초해서 설명될 것이다. 제 2 이동 가능 멀티-미러(22B)를 구성하는 미러 요소(33)의 구동부는, 미러 요소(33)가 제 2 축(S2)의 둘레를 회전된다는 점을 제외하면, 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)를 구성하는 미러 요소(33)의 구동부와 동일한 구성을 갖기 때문에, 여기서는 그 설명은 생략한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)를 구성하는 미러 요소(33)의 구동부(35)에는, 미러 요소(33)의 형상에 대응한 정사각형 평판 형상의 베이스 부재(36)가 마련되어 있고, 상기 베이스 부재(36)의 네 모서리 중 제 1 축(S1) 상에 위치된 두 모서리에는 지주 부재(37)가 서 있다. 구동부(35)에는, 제 1 축(S1)의 연장 방향으로 연장하는 힌지 부재(38)가 마련되어 있고, 힌지 부재(38)는 제 1 축(S1)의 둘레를 회전 가능한 상태로 지주 부재(37) 상에 지지되어 있다. 힌지 부재(38)의 길이 방향으로 중심부에는 Z 방향으로 돌출하는 돌출부(39)가 마련되어 있고, 미러 요소(33)는 돌출부(39)를 통해서 힌지 부재(38)에 고정되어 있다.
힌지 부재(38)의 길이 방향에 있어서의 제 1 단부측 및 제 2 단부측 각각에는, 힌지 부재(38)로부터 제 1 축(S1)과 직교하는 두 방향으로 연장하는 제 1 전극부(40)가 형성되어 있다. 베이스 부재(36) 상에서 4개의 제 1 전극부(40)에 대응하는 각각의 위치에는 제 2 전극부(41)가 마련되어 있다. 서로 대응 관계에 있는 제 1 전극부(40)와 제 2 전극부(41)의 쌍 각각 사이에 전위차가 발생한 경우에는, 이들 전위차에 기초해서 작용하는 정전력(electrostatic forces)에 의해서, 힌지 부재(38)가 제 1 축(S1)의 둘레를 회전하고, 이로써 미러 요소(33)가 제 1 축(S1)의 둘레를 회전한다. 즉, 미러 요소(33)의 경사각은, 서로 대응 관계에 있는 각 전극부(40, 41)의 쌍 각각 사이의 전위차를 각각 조정함으로써 제어될 수 있다.
각 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)에 입사하는 노광광(EL)은, 광이 입사하는 각 미러 요소(33)의 경사각에 대응한 방향으로 각각 편향된다. 이 때, 분포 형성 광학 장치라고 볼 수 있는 콘덴서 광학 장치(26)가 입사광의 각도 정보를 위치 정보로 변환하는 기능을 갖고 있기 때문에, 각 미러 요소(33)의 경사각을 개별적으로 조정함으로써 옵티컬 인테그레이터(27)의 입사면 근방의 면 P2에 있어서의 노광광(EL)의 단면 형상이 임의의 크기 및 형상으로 변형된다. 콘덴서 광학 장치(26)는 이동 가능 멀티-미러(22A)를 통과한 노광광(EL)의 일부와, 이동 가능 멀티-미러(22B)를 통과한 노광광의 일부를, 면 P2에 있어서 적어도 일부분에 중첩시키고 있다. 복수의 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)로부터의 노광 빔이 중첩되기 때문에, 중첩 영역에서의 광 강도 균일성을 향상시킬 수 있다.
환언하면, 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)에 의해서 공간적으로 각도 변조된 광이 콘덴서 광학 장치(26)에 의해서 공간적으로 변조된 광으로 변환되어서, 면 P2에 원하는 광 강도 분포로 동공 강도 분포를 형성한다.
동공 강도 분포란, 조명 광학 장치의 조명 동공면 또는 이 조명 동공면과 광학적으로 공액인 면에서의 광 강도 분포(휘도 분포)이다. 옵티컬 인테그레이터(27)에 의한 파면 분할수(number of wavefront divisions)가 비교적 큰 경우, 옵티컬 인테그레이터(27)의 입사면 근방의 면 P2에 형성되는 전체적인 광 강도 분포와 2차 광원 전체의 전체적인 광 강도 분포(동공 강도 분포) 사이에는 높은 상관이 나타난다. 이 때문에, 옵티컬 인테그레이터(27)의 입사면 및 이 입사면과 광학적으로 공액인 면 P3, P4에 있어서의 광 강도 분포도, 동공 강도 분포라고 할 수 있다.
이런 식으로, 옵티컬 인테그레이터(27)의 후측 초점면이기도 한 면 P3에는, 단면 형상이 원하는 크기 및 형상으로 변형된 노광광(EL)과 거의 같은 광 강도 분포를 갖는 2차 광원이 형성된다. 또한, 옵티컬 인테그레이터(27)의 후측 초점면과 광학적으로 공액인 다른 조명 동공 위치, 즉 콘덴서 광학 장치(32)의 동공 위치 및 투영 광학 장치(PL)의 동공 위치에도, 면 P3에 형성되는 동공 강도 분포에 대응하는 광 강도 분포가 형성된다.
동공 강도 분포는, 일례로, 고리 형상 혹은 복수극 형상(2극 형상, 4극 형상 또는 다른 형상)의 광 강도 분포가 될 수 있다. 여기서, 고리 형상의 동공 강도 분포를 형성한 경우에는 고리 조명을, 복수극 형상의 동공 강도 분포를 형성한 경우에는 복수극 조명을 구현할 수 있다.
따라서, 본 실시예는 이하에 나타내는 효과를 달성할 수 있다.
(1) 노광 광원(12)으로부터 출력된 노광광(EL)은 반사 광학 장치(23)를 구성하는 모든 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)에 의해서 콘덴서 광학 장치(26) 측으로 반사되어 레티클(R)로 유도된다. 이 때문에, 노광 광원(12)으로부터의 노광광(EL)이 높은 출력을 가진 경우에도, 각 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)에 입사되는 노광광(EL)의 강도는 노광 광원(12)으로부터 출력된 모든 노광광(EL)이 하나의 이동 가능 멀티-미러(22)에 입사하는 종래의 경우에 비해서 낮다. 그 결과, 노광광(EL)이 입사되는 각 미러 요소(33)의 반사면 상의 반사막의 열화가 종래의 경우에 비해서 늦어져서, 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)의 수명이 연장된다. 즉, 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)를 교체하는 타이밍을 늦출 수 있다. 따라서, 노광 광원(12)으로부터 출력되는 노광광(EL)의 광로 내에 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)가 배치된 경우에도, 노광 광원(12)의 출력이 높아짐에 따른 반도체 소자의 제조 효율의 향상에 공헌할 수 있다.
(2) 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)를 구성하는 미러 요소(33)의 회전 방향은 제 2 이동 가능 멀티-미러(22B)를 구성하는 미러 요소(33)의 회전 방향과 다르다. 이 때문에, 반사 광학 장치(23)를 한 종류의 이동 가능 멀티-미러(22)(예컨대, 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A))만으로 구성한 경우에 비해서, 레티클(R)을 조사하는 노광광(EL)의 크기 및 형상을 변경할 때의 자유도는 높아질 수 있다.
(3) 배열면(P1)에 따른 면에서, 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)의 미러 요소(33) 이외의 부분(전형적으로는, 미러 요소(33) 사이의 간격)으로부터의, 그리고 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B)의 유효 영역(25) 이외의 영역으로부터의 0차 반사광 N이 콘덴서 광학 장치(26)의 입사 동공의 바깥쪽 영역을 향하도록, 배열면(P1)과 입사측 광축(AX1)이 이루는 각도 α 및 배열면(P1)과 출력측 광축(AX2)이 이루는 각도 β가 설정되어 있기 때문에, 0차 반사광이 동공 휘도 분포에 영향을 미치는 것을, 전형적으로는 0차 반사광이 광축(AX2) 근방의 위치에 광 스폿을 형성하는 것을 방지할 수 있다.
(실시예 2)
다음으로 본 발명의 실시예 2가 도 5에 따라서 설명될 것이다. 실시예 2는 노광 광원(12)과 반사 광학 장치(23) 사이에 배치되는 광학 소자가 실시예 1과 다르다. 따라서, 이하의 설명에서는 실시예 1과 다른 부분이 주로 설명될 것이며, 실시예 1과 같은 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명은 생략하는 것으로 한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 노광 광원(12)과 반사 광학 장치(23) 사이에는 광축(AX1)을 따라 배치된 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)이 마련되고, 이 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)은 노광 광원(12) 측에 배치되는 제 1 프리즘 부재(51)와, 반사 광학 장치(23) 측에 배치되는 제 2 프리즘 부재(52)로 구성되어 있다. 제 1 프리즘 부재(51)에 있어서, 노광 광원(12) 측에는 노광광(EL)의 광축과 직교하는 평면이 형성되고, 반사 광학 장치(23) 측에는 오목 형상의 굴절면(51a)이 형성되어 있다. 이 굴절면(51a)은 노광광(EL)의 광축과 직교하는 평면 형상의 중앙부와, 광축을 중심으로 하는 사각뿔 형상의 측면에 대응하는 둘레 각뿔부로 구성되어 있다.
제 2 프리즘 부재(52)에 있어서, 반사 광학 장치(23) 측에는 노광광(EL)의 광축과 직교하는 평면이 형성되고, 제 1 프리즘 부재(51) 측에는 이 제 1 프리즘 부재(51)의 굴절면(51a)의 형상에 대응하는 볼록 형상의 굴절면(52a)이 형성되어 있다. 이 굴절면(52a)은 노광광(EL)의 광축과 직교하는 평면 형상의 중앙부와, 광축을 중심으로 하는 사각뿔 형상의 측면에 대응하는 둘레 각뿔부로 구성되어 있다.
노광광(EL)의 광로 내에서 각 프리즘 부재(51, 52)를 기결정된 간격 h만큼 이격시킨 상태로 각각 배치한 경우, 노광 광원(12)으로부터 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)에 입사한 노광광(EL)은 복수의 빔으로 분기된다. 기결정된 간격 h는 각 빔의 진행 방향으로 이동 가능 멀티-미러(22)의 유효 영역(25)이 위치하도록 조정되어 있다. 이 때문에, 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)에 의해 분기된 빔은 어레이 형상으로 배열된 이동 가능 멀티-미러(22)의 각각의 유효 영역(25)에서 콘덴서 광학 장치(26) 쪽으로 반사된다.
따라서, 본 실시예는, 실시예 1의 (1) 및 (2)의 효과에 더해서 이하에 나타내는 효과를 달성할 수 있다.
(3) 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)에 의해서 분기된 각각 빔의 진행 방향으로는 이동 가능 멀티-미러(22)의 유효 영역(25)이 위치된다. 이 때문에, 반사 광학 장치(23)에 있어서의 이동 가능 멀티-미러(22)의 위치 이외의 위치 및 이동 가능 멀티-미러(22) 중 유효 영역(25) 이외의 부분에는 노광광(EL)이 거의 입사하지 않는다. 따라서, 반사 광학 장치(23)에서의 광량 손실을 저감할 수 있다. 또한, 반사 광학 장치(23)에 있어서의 이동 가능 멀티-미러(22)의 위치 이외의 위치 및 이동 가능 멀티-미러(22) 중 유효 영역(25) 이외의 부분에 노광광(EL)이 조사되는 것에 기초한 온도 상승에 기인한, 이동 가능 멀티-미러(22)의 열화의 촉진을 규제할 수 있다.
(4) 빔 분기부라고 볼 수 있는 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)과 각 이동 가능 멀티-미러(22A, 22B, 22C) 사이의 광로에 파워(초점 거리의 역수)를 가진 부재가 배치되어 있지 않기 때문에, 이동 가능 멀티-미러의 미러 요소에는 평행빔이라고 볼 수 있는 빔이 입사하며, 이로써 면 P2 상의 동공 휘도 분포의 제어성을 향상시킬 수 있다. 한편, 미러 요소에 입사하는 빔이 각도 분포를 가지는 경우에는, 콘덴서 광학 장치(26)를 통과한 미러 요소로부터의 광에 의해 면 P2에 형성되는 광 스폿이 넓어지고, 이는 동공 휘도 분포의 제어를 어렵게 한다.
본 실시예에서는, 상술한 구조는, 광원(12)으로부터 출력된 광의 광로의 축인 입사측 광축(AX1)이 복수의 이동 가능 멀티 미러(22) 중 이동 가능 멀티-미러(22a)가 배치된 제 1 위치와 다른 이동 가능 멀티-미러(22c)가 위치된 제 2 위치 사이에 놓인 구성이라고 볼 수 있다. 또한, 절두형 피라미드 액시콘 쌍(50)(빔 분기부)이 광축(AX1)을 포함하는 면에서(즉, 도면에서 XY 평면에서) 빔을 분기하는 구성으로도 볼 수 있다.
(실시예 3)
다음으로 본 발명의 실시예 3가 도 6에 따라서 설명될 것이다. 실시예 3은 노광광(EL)을 복수의 광로로 분기하기 위한 광학 소자가 실시예 2와 다르다. 따라서, 이하의 설명에서는 상기 각 실시예와 다른 부분이 주로 설명될 것이며, 상기 실시예와 같은 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명은 생략한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 노광 광원(12)과 반사 광학 장치(23) 사이에는 복수극 조명용(예컨대 4극 조명용) 회절 광학 소자(55)가 마련되어 있다. 이 회절 광학 소자(55)는 투과형 회절 광학 소자로, 투명한 기판에 노광광(EL)의 파장과 거의 동일한 피치로 레벨 차를 둠으로써 구성되어 있다. 이 회절 광학 소자(55)는 평행한 노광광(EL)이 입사된 경우에, 노광광(EL)을 복수(예컨대 4개)의 빔으로 분기하도록 구성되어 있다. 그 결과, 반사 광학 장치(23)에는 복수극(예컨대 4극)의 조사 영역이 형성된다. 회절 광학 소자(55)의 배치는 입사한 노광광(EL)을 분기시킴으로써 형성된 각 빔에 이동 가능 멀티-미러(22)의 유효 영역(25)이 위치하도록, 조정되어 있다.
회절 광학 소자(55)는 기결정된 거리만큼 이격된 복수의 영역 각각에 거의 균일한 조사 영역을 형성하기 위해서, 회절 광학 소자(55)의 면내에 복수의 파면 분할 영역을 갖고 있다. 복수의 파면 분할 영역 중 제 1 조에 속하는 파면 분할 영역은 자신에게 입사되는 노광광(EL)을 복수의 조사 영역 중 제 1 조사 영역을 향해서 출력한다.
이로써, 제 1 조사 영역은 제 1 조에 속하는 파면 분할 영역을 통과한 복수의 빔에 의해 중첩적으로 조사되어, 균일한 조도 분포를 갖는다. 마찬가지로, 복수의 파면 분할 영역 중 제 1 조와는 다른 제 2 조에 속하는 파면 분할 영역은, 자신에게 입사되는 노광광(EL)을 복수의 조사 영역 중 제 1 조사 영역과는 다른 제 2 조사 영역을 향해서 출력한다. 이로써, 제 2 조사 영역은 제 2 조에 속하는 파면 분할 영역을 통과한 복수의 빔에 의해 중첩적으로 조사되어, 균일한 조도 분포를 갖는다.
예컨대, 본 실시예의 회절 광학 소자(55)는 미국 특허 공보 제 5,850,300호에 개시되는 것이 될 수 있다. 미국 특허 공보 제 5,850,300 호는 여기에 참조로서 포함된다.
따라서, 본 실시예는 상기 실시예 2에 있어서의 (1) 내지 (4)의 효과에 더해서 이하에 나타내는 효과를 달성할 수 있다.
(5) 회절 광학 소자(55)가 광 강도 분포를 균일화시키기 때문에, 노광 광원(12)으로부터 출력된 광(EL)의 단면 내의 강도 분포가 불균일한 경우에도, 복수의 이동 가능 멀티-미러(22)에는 균일한 강도 분포의 광이 각각 조사된다. 이 때문에, 면 P2에 형성되는 동공 휘도 분포의 제어성을 향상시킬 수 있다. 한편, 이동 가능 멀티-미러(22)가 불균일한 강도 분포의 광으로 조사되는 경우에는, 이 강도 분포의 불균일성이 동공 휘도 분포에 영향을 미치므로, 이 불균일성을 고려해서 이동 가능 멀티-미러(22)의 각 미러 요소가 제어될 수 있다. 따라서, 제어가 복잡해진다.
(실시예 4)
이하에는 본 발명의 실시예 4가 도 7에 따라서 설명될 것이다. 실시예 4는 노광광(EL)을 복수의 광로로 분기시키기 위한 광학 소자가 실시예 2 및 실시예 3과 다르다. 따라서, 이하의 설명에서는, 상기 각 실시예와 다른 부분이 주로 설명될 것이며, 상기 각 실시예와 같은 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙이고 중복 설명은 생략한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 노광 광원(12)과 반사 광학 장치(23) 사이에는 플라이아이 렌즈(60)가 마련되어 있고, 이 플라이아이 렌즈(60)는 이차원적으로 배열된 복수(도 7에서는 4개만 도시)의 렌즈 요소(61)로 이루어져 있다. 플라이아이 렌즈(60)와 반사 광학 장치(23) 사이에는 릴레이 광학 장치(18A)가 배치되어 있고, 릴레이 광학 장치(18A)는 플라이아이 렌즈(60)로 분기된 복수의 빔을 이동 가능 멀티-미러(22)의 각 유효 영역(25)에 각각 재결상시킨다.
본 실시예의 반사 광학 장치(23)에 있어서, 이동 가능 멀티-미러(22)는, 플라이아이 렌즈(60)의 각 렌즈 요소(61)와 위치적으로 대응하도록 각각 배열되어 있다. 예컨대, 플라이아이 렌즈(60)가 X 방향으로 4개의 렌즈 요소가 배열되는 것인 경우, 반사 광학 장치(23)는 4개의 이동 가능 멀티-미러(22)가 X 방향을 따라 배열되도록 구성된다. 이와 같이 구성함으로써 상술한 실시예 2 및 실시예 3 각각과 같은 작용 효과를 달성할 수 있다.
각 이동 가능 멀티-미러(22)에 입사한 노광광(EL)은 대부분이 콘덴서 광학 장치(26)측으로 반사되지만, 나머지 부분(이하, 「복귀 광」이라고 한다)이 플라이아이 렌즈(60) 측으로 반사될 수 있다. 이러한 복귀 광은, 반사 광학 장치(23)와 플라이아이 렌즈(60) 사이에 배치된 릴레이 광학 장치(18A)에 의해서, 플라이아이 렌즈(60)로 입사되는 것이 규제된다. 이 때문에, 플라이아이 렌즈(60)의 이미지 면에 형성되는 다수의 광원 이미지가 복귀 광에 의해 산란되어 버리는 것이 억제될 수 있다. 상술한 바와 같이, 릴레이 광학 장치는 각 이동 가능 멀티-미러(22)로부터의 복귀 광이 빔 분기부에 입사하는 것을 규제하는 규제 부재라고 볼 수 있다.
(실시예 5)
본 발명의 실시예 5가 도 8에 따라서 설명될 것이다. 실시예 5는 반사 광학 장치(23)를 구성하는 이동 가능 멀티-미러(22) 중 일부의 이동 가능 멀티-미러(22)에만 노광광(EL)이 도달한다는 점이 실시예 1과 다르다. 따라서, 이하에서는 실시예 1과 다른 부분이 주로 설명될 것이며, 실시예 1과 같은 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙이고, 중복 설명은 생략한다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 조명 광학 장치(13)에는 반사 광학 장치(23)를 X 방향을 따라 이동시키기 위한 이동 기구(65)가 마련되어 있다. 반사 광학 장치(23)에는, 복수(도 8에서는 그 중 5개만 도시)의 이동 가능 멀티-미러(22)가 X 방향을 따라서 배치된다. 이들 이동 가능 멀티-미러(22) 중 일부의 이동 가능 멀티-미러(22)(예컨대 2개의 이동 가능 멀티-미러(22))에는 노광 광원(12)으로부터 출력된 노광광(EL)이 입사되는 반면, 나머지의 이동 가능 멀티-미러(22)에는 노광광(EL)이 입사되지 않는다.
노광광(EL)이 입사되는 이동 가능 멀티-미러(22)의 특성의 시간 경과에 따른 변화(예컨대, 반사막의 열화나 미러 요소(33)의 구동부(35)의 열화)에 기초해서, 웨이퍼(W)에 패턴 이미지를 형성하기 위한 노광광(EL)의 강도가 낮아지거나, 웨이퍼(W) 상에서의 동공 휘도 분포가 산란되는 경우에, 이동 기구(65)가 가동되어서, 지금까지 노광광(EL)이 유도되지 않은 이동 가능 멀티-미러(22)로 노광광(EL)을 유도한다.
예컨대, 모니터되는 노광량 센서(SE1)의 출력이 낮아진 경우나, 동공 휘도 분포 검출부(SE2)에 의해 계측된 동공 휘도 분포의 목표치로부터의 어긋남이 허용 범위로부터 벗어난 경우에는, 제어부(66)가 이동 가능 멀티-미러(22)의 교체를 지시하는 제어 신호를 이동 기구(65)로 전송한다.
상술한 바와 같이, 본 실시예의 노광 장치(11)를 통해서, 노광 광원(12)으로부터 출력된 노광광(EL)이 입사되는 이동 가능 멀티-미러(22)를 노광 장치(11)의 구동을 일시 정지시키지 않고도 다른 것으로 교체할 수 있다. 따라서, 노광 광원(12)으로부터 출력되는 노광광(EL)의 광로 내에 이동 가능 멀티-미러(22)가 배치된 경우에도, 노광 광원(12)의 출력이 높아짐에 따른 반도체 소자의 제조 효율의 향상에 공헌할 수 있다.
각 실시예는 후술하는 바와 같이 다른 실시예로 수정될 수도 있다.
각 실시예에 있어서, 반사 광학 장치(23)는 3종류 이상의 복수 종류의 이동 가능 멀티-미러(22, 22A, 22B)로 구성된 것일 수도 있다. 예컨대, 반사 광학 장치(23)는 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A) 및 제 2 이동 가능 멀티-미러(22B)에 더해서, 제 1 축(S1) 및 제 2 축(S2)과 교차하는 제 3 축(예컨대 X 방향으로 연장되는 축)의 둘레로 회전하는 미러 요소(33)로 이루어지는 제 3 이동 가능 멀티-미러를 구비한 구성이 될 수도 있다.
각 실시예에 있어서, 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A)는 제 1 축(S1)과 평행한 축 둘레로 회전 가능한 미러 요소(33)를 구비한 것이 될 수도 있다. 마찬가지로, 제 2 이동 가능 멀티-미러(22B)는 제 2 축(S2)과 평행한 축 둘레로 회전 가능한 미러 요소(33)를 구비한 것이 될 수도 있다.
각 실시예에 있어서, 제 1 축(S1)은 각각의 미러 요소(33)의 대각선을 따라 연장되는 것이 아니라, 예컨대 X 방향을 따라 연장하는 축이여도 된다. 이 경우, 제 2 축(S2)는 Y 방향을 따라 연장하는 축이여도 된다.
각 실시예에 있어서, 반사 광학 장치(23)는 한 종류의 이동 가능 멀티-미러(22)(예컨대 제 1 이동 가능 멀티-미러(22A))로 이루어지는 것이여도 된다.
실시예 5에 있어서, 노광광(EL)이 입사하는 이동 가능 멀티-미러(22)는 기설정된 시간 간격마다 변경될 수 있다.
실시예 5에 있어서, 노광광(EL)이 입사하는 이동 가능 멀티-미러(22)의 수는 2개 이외의 임의의 수(예컨대 1개 혹은 3개)여도 된다.
실시예 5에 있어서, 노광광(EL)이 입사하는 이동 가능 멀티-미러(22)가 변경된 경우, 이 장치는 노광광(EL)이 입사하는 이동 가능 멀티-미러(22) 중 적어도 하나만 변경하도록 구성될 수도 있다.
각 실시예에 있어서, 이동 가능 멀티-미러(22)는 서로 직교하는 축의 둘레로 회전 가능한(경사의 자유도가 2 자유도인) 미러 요소(33)를 구비한 것이여도 된다. 이러한 타입의 공간 광 변조 부재로서는 예컨대, 일본 특허 공개 공보(PCT 출원의 번역문) 평 10-503300 호 및 이에 대응하는 유럽 특허 공개 공보 제 779530 호, 일본 특허 공개 공보 제 2004-78136 호 및 이에 대응하는 미국 특허 공보 제 6,900,915호, 일본 특허 공개 공보(PCT 출원의 번역문) 제 2006-524349 호 및 이에 대응하는 미국 특허 공보 제 7,095,546 호 및 일본 특허 공개 공보 제 2006-113437 호에 개시된 것으로부터 선택될 수 있다. 유럽 특허 공개 공보 제 779530 호, 미국 특허 공보 제 6,900,915호 및 미국 특허 공보 제 7,095,546 호는 여기에 참조로서 포함된다.
각 실시예에 있어서, 이동 가능 멀티-미러(22)는 이차원적으로 배열된 미러 요소의 방향(기울기)을 개별적으로 제어 가능한 것이지만, 예컨대 이차원적으로 배열된 복수의 반사면의 높이(위치)를 개별적으로 제어 가능한 공간 광 변조 부재를 이용할 수도 있다. 이러한 공간 광 변조 부재는, 예컨대 일본 특허 공개 공보 평 6-281869 호 및 이에 대응하는 미국 특허 공보 제 5,312,513호, 및 일본 특허 공개 공보(PCT 출원의 번역문) 제 2004-520618호 및 이에 대응하는 미국 특허 공보 제6,885,493호의 도 1d에 개시된 것이 될 수 있다. 이들 공간 광 변조 부재는 이차원적인 높이 분포를 형성함으로써 입사광에 대해 회절면과 같은 작용을 할 수 있다. 미국 특허 공보 제 5,312,513 호 및 미국 특허 공보 제 6,885,493 호는 여기에 참조로서 포함된다.
각 실시예에 있어서, 이동 가능 멀티-미러(22)는, 예컨대, 일본 특허 공개 공보(PCT 출원의 번역문) 제 2006-513442 호 및 이에 대응하는 미국 특허 공보 제 6,891,655 호나, 일본 특허 공개 공보(PCT 출원의 번역문) 제 2005-524112 호 및 이에 대응하는 미국 특허 공개 공보 제 2005/0095749호의 개시에 따라서 수정될 수 있다. 미국 특허 공보 제 6,891,655 호 및 미국 특허 공개 공보 제 2005/0095749호는 여기에 참조로서 포함된다.
각 실시예에 있어서, 미국 특허 공개 공보 제 2006/0203214 호, 제 2006/0170901 호 및 제 2007/0146676 호에 개시된 이른바 편광식 조명 방법이 적용될 수도 있다. 미국 특허 공개 공보 제 2006/0203214 호, 제 2006/0170901 호 및 제 2007/0146676 호의 교시는 여기에 참조로서 포함된다.
각 실시예에 있어서, 노광 장치(11)는, 반도체 소자와 같은 마이크로 디바이스뿐만 아니라, 광 노광 장치, EUV 노광 장치, X선 노광 장치 및 전자선 노광 장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해서, 마더 레티클(a mother reticle)로부터 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등으로 회로 패턴을 전사하는 노광 장치가 될 수도 있다. 또한, 노광 장치(11)는 액정 표시 소자(LCD) 등을 포함하는 디스플레이의 제조에서, 디바이스 패턴을 유리 플레이트 상에 전사하는데 사용되는 노광 장치, 혹은 박막 자기 헤드 등의 제조에서 디바이스 패턴을 세라믹 웨이퍼 등에 전사하는 데 사용되는 노광 장치, 혹은 CCD와 같은 촬상 소자의 제조에 사용되는 노광 장치 등이 될 수 있다.
각 실시예의 조명 광학 장치(13)는 피조사 물체와 기판이 상대적으로 이동되는 상태에서 피조사 물체의 패턴을 기판에 전사하고, 기판을 순차적으로 스텝 이동시키도록 구성된 스캐닝 스테퍼에 탑재될 수도 있고, 피조사 물체와 기판이 정지된 상태에서 피조사 물체의 패턴을 기판에 전사하고, 기판을 순차적으로 스텝 이동시키는 스텝-앤드-리피트(step-and-repeat) 방식의 스테퍼에 탑재될 수도 있다.
각 실시예에 있어서, 노광 광원(12)은 예컨대 g선(436nm), i선(365nm), KrF 엑시머 레이저(248nm), F2 레이저(157nm), Kr2 레이저(146nm), Ar2 레이저(126nm) 등을 공급할 수 있는 노광 광원이 될 수도 있다. 노광 광원(12)은 DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저로부터 발진되는 적외선 영역 또는 가시 영역의 단일-파장 레이저광을, 예컨대 에르븀(또는 에르븀과 이테르븀 모두)이 도핑된 파이버 앰플리파이어(a fiber amplifier)로 증폭하고, 비선형 광학 결정을 이용하여 자외광으로 파장을 변환함으로써 획득한 고조파를 공급할 수도 있다.
이하에는, 본 발명의 실시예의 노광 장치(11)에 의한 디바이스의 제조 방법을 리소그래피 공정에서 사용하는 마이크로 디바이스의 제조 방법의 실시예가 설명될 것이다. 도 9는 마이크로 디바이스(IC나 LSI와 같은 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기 헤드, 마이크로 머신 등)의 제조예의 흐름도를 나타내는 도면이다.
첫번째로, 스텝 S101(설계 스텝)은 마이크로 디바이스의 기능 및 성능을 설계(예컨대, 반도체 디바이스의 회로 설계 등)하고, 이 기능을 실현하기 위한 패턴을 설계하는 것이다. 이어지는 스텝 S102(마스크 제작 스텝)은 설계한 회로 패턴이 형성될 마스크(레티클(R) 등)를 제작하는 것이다. 한편, 스텝 S103(기판 제조 스텝)은 실리콘, 유리, 세라믹과 같은 재료의 기판(실리콘 재료를 이용한 경우에는 웨이퍼(W)가 된다)을 제조하는 것이다.
다음 스텝 S104(기판 처리 스텝)은 스텝 S101~스텝 S103에서 준비한 마스크와 기판을 이용해서, 후술하는 바와 같이, 리소그래피 기술 등에 의해서 기판 상에 실제 회로 등을 형성하는 것이다. 다음 스텝 S105(디바이스 조립 스텝)은 스텝 S104에서 처리된 기판을 이용해서 디바이스를 조립하는 것이다. 필요에 따라서 이 스텝 S105은 다이싱 공정, 본딩 공정 및 패키징 공정(칩 봉입)과 같은 공정을 포함한다. 마지막 스텝 S106(검사 스텝)은 스텝 S105에서 제작된 마이크로 디바이스의 동작 확인 테스트 및 내구성 테스트와 같은 검사를 수행하는 것이다. 이러한 공정을 거친 후에 마이크로 디바이스가 완성되고 출시된다.
도 10은 반도체 디바이스의 경우에 있어서의 스텝 S104의 상세 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
스텝 S111(산화 스텝)은 기판의 표면을 산화시키는 것이다. 스텝 S112(CVD 스텝)은 기판 표면에 절연막을 형성하는 것이다. 스텝 S113(전극 형성 스텝)은 증착에 의해서 기판상에 전극을 형성하는 것이다. 스텝 S114(이온 주입 스텝)는 기판에 이온을 주입하는 것이다. 이상의 스텝 S111~스텝 S114 각각은 기판 처리의 각 스테이지의 전처리 공정을 이루며, 각 단계에서 필요한 처리에 따라서 선택되어 실행된다.
기판 처리의 스테이지에서, 상술한 전처리 공정이 완료된 이후에, 후술하는 바와 같이 후처리 공정이 실행된다. 이 후처리 공정에서, 첫번째 스텝 S115(레지스트 형성 스텝)은 기판에 감광성 재료를 도포하는 것이다. 이어지는 스텝 S116(노광 스텝)은 위에서 설명한 리소그래피 시스템(노광 장치(11))에 의해서 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하는 것이다. 다음 스텝 S117(현상 스텝)은, 스텝 S116에서 노광된 기판을 현상하여, 기판의 표면에 회로 패턴으로 이루어지는 마스크 층을 형성하는 것이다 이에 후속하는, 스텝 S118(에칭 스텝)에서, 레지스트가 잔존하는 부분 이외의 부분에서 노출된 부재가 에칭에 의해 제거된다. 다음 스텝 S119(레지스트 제거 스텝)은 에칭 이후에 불필요한 감광성 재료를 제거하는 것이다. 즉, 스텝 S118 및 스텝 S119은 마스크 층을 통해서 기판의 표면을 처리하는 것이다. 이들 전처리 공정과 후처리 공정을 반복해서 실행함으로써 기판상에 다중으로 회로 패턴이 형성된다.
이상 설명한 실시예는 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위해서 기재된 것으로, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것이 아니라는 점에 주의한다. 따라서, 실시예에 개시된 각 요소는 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하도록 의도되었다. 상기 실시예의 각 구성 요소 등은 임의의 조합 등으로 적용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 광원으로부터 출력되어서 기결정된 광로를 따라서 이동하는 광을 피조사 물체로 유도하는 조명 광학 장치에 있어서,
    각각이 이동 가능 반사면을 포함하는 복수의 반사 광학 소자가 어레이 형상으로 배열되어 있는 복수의 공간 광 변조 부재
    를 포함하며,
    상기 공간 광 변조 부재 중 적어도 하나는 상기 광로 내에 배치되는
    조명 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재는, 모든 공간 광 변조 부재가 상기 광로 내에 위치하도록 어레이 형상으로 배열되는 조명 광학 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광로 내에서, 상기 광원으로부터 출력되는 상기 광의 광축과 교차하는 방향으로 상기 공간 광 변조 부재를 이동시키는 이동 기구를 더 포함하는 조명 광학 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재가 배치되는 위치에 대해서, 상기 광원으로부터 먼 측에 배치되어서, 상기 공간 광 변조 부재를 통과한 광의 강도를 검출하는 광 강도 검출부와,
    상기 광 강도 검출부로부터의 출력에 기초해서 상기 이동 기구를 구동시키는 제어부
    를 더 포함하는 조명 광학 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재를 통과한 광을 집광하여, 상기 조명 광학 장치의 조명 동공(an illumination pupil)에 기결정된 광 강도 분포를 형성하는 분포 형성 광학 장치와,
    상기 조명 동공에 형성되는 상기 광 강도 분포를 검출하는 광 강도 분포 검출부와,
    상기 광 강도 분포 검출부로부터의 출력에 기초해서 상기 이동 기구를 구동시키는 제어부
    를 더 포함하는 조명 광학 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재보다 상기 광원 측에 배치되어서, 상기 광원으로부터 출력된 광을 복수의 빔으로 분기하는 빔 분기부를 더 포함하고,
    상기 각 공간 광 변조 부재는 상기 빔의 각 광로 내에 배치되는
    조명 광학 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재와 상기 빔 분기부와의 사이에 배치되어서, 상기 공간 광 변조 부재로부터의 복귀 광이 상기 빔 분기부로 입사하는 것을 규제하는 규제 부재를 더 포함하는 조명 광학 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 빔 분기부와 상기 공간 광 변조 부재 사이의 광로에는 파워를 가진 광학 부재는 배치되지 않는 조명 광학 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 공간 광 변조 부재는, 제 1 위치에 배치되는 제 1 공간 광 변조 부재와, 상기 제 1 위치와는 다른 제 2 위치에 배치되는 제 2 공간 광 변조 부재를 포함하고,
    상기 광원으로부터 출력되는 상기 광의 상기 광로의 축은 상기 제 1 위치와 제 2 위치 사이에 위치되는
    조명 광학 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재보다 상기 광원측에 배치되며, 상기 광원으로부터 출력된 광을 복수의 빔으로 분기하는 빔 분기부를 더 포함하고,
    상기 빔 분기부는 상기 광원으로부터 출력되는 상기 광의 상기 광로의 축을 포함하는 면 내에서 상기 광원으로부터 출력되는 상기 광을 상기 복수의 빔으로 분기하는
    조명 광학 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재를 통과한 광을 집광하여, 상기 조명 광학 장치의 조명 동공에 기결정된 광 강도 분포를 형성하는 분포 형성 광학 장치를 더 포함하는 조명 광학 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 공간 광 변조 부재는, 상기 복수의 반사 광학 소자 이외의 면 부분이면서, 상기 복수의 반사 광학 소자가 배열되는 배열면과 실질적으로 평행한 면 부분을 통과한 0차 광(zero-order light)이 상기 분포 형성 광학 장치의 입사 동공을 통과하지 않게 하도록 구성되는 조명 광학 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 분포 형성 광학 장치는, 상기 복수의 공간 광 변조 부재 중 하나를 통과한 빔의 적어도 일부와, 상기 복수의 공간 광 변조 부재 중 다른 하나를 통과한 빔의 적어도 일부를, 상기 조명 동공에 중첩시킬 수 있도록 구성되는 조명 광학 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사 광학 소자 각각은 상기 반사면에 입사하는 광의 광축에 대한 상기 반사면의 경사각을 변경시키기 위해서 이동 가능한 조명 광학 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조 부재 중 적어도 하나의 공간 광 변조 부재를 구성하는 상기 반사 광학 소자 각각은 제 1 축의 둘레 또는 상기 제 1 축과 평행한 축의 둘레를 회전 가능하고,
    상기 적어도 하나의 공간 광 변조 부재와는 다른 공간 광 변조 부재를 구성하는 상기 각 반사 광학 소자는 상기 제 1 축과 교차하는 제 2 축의 둘레 또는 상기 제 2 축과 평행한 축의 둘레를 회전 가능한
    조명 광학 장치.
  16. 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 기재된 조명 광학 장치와,
    기결정된 패턴이 형성되는 피조사 물체를 유지하는 유지 기구와,
    상기 광원으로부터 출력된 광이 상기 조명 광학 장치를 거쳐서 상기 피조사 물체로 유도될 때 형성되는 패턴 이미지를, 감광성 재료가 코팅된 기판 상에 투영하는 투영 광학 장치
    를 포함하는 노광 장치.
  17. 청구항 16에 기재된 노광 장치를 이용해서, 상기 기결정된 패턴을 상기 기판에 노광하는 노광 단계와,
    상기 노광 단계 이후에, 상기 기판을 현상해서 상기 기결정된 패턴에 대응하는 형상의 마스크 층을 상기 기판의 표면에 형성하는 현상 단계와,
    상기 현상 단계 이후에, 상기 마스크 층을 통해서 상기 기판의 표면을 처리하는 처리 단계
    를 포함하는 디바이스의 제조 방법.
  18. 광원으로부터 출력되어서 기결정된 광로를 따라서 이동하는 광을 피조사 물체로 유도하는 조명 광학 장치에 있어서,
    상기 광로에 배치되며, 각각이 이동 가능 반사면을 포함하는 복수의 반사 광학 소자가 어레이 형상으로 배열되어 있는 공간 광 변조 부재와,
    상기 광로에 배열된 회절 광학 소자
    를 포함하며,
    상기 광원으로부터의 광은 상기 공간 광 변조 부재와 상기 회절 광학 소자를 거쳐서 상기 피조사 물체에 도달하는
    조명 광학 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 회절 광학 소자 및 상기 공간 광 변조 부재는 일렬로 배열되는 조명 광학 장치.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 회절 광학 소자는 상기 광원과 상기 공간 광 변조 부재 사이에 배치되는 조명 광학 장치.
KR1020107005948A 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 KR20100081972A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-266691 2007-10-12
JP2007266691 2007-10-12

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20157005375A Division KR20150031493A (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100081972A true KR20100081972A (ko) 2010-07-15

Family

ID=40224031

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107005948A KR20100081972A (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR1020187034279A KR20180129981A (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
KR1020177015056A KR101924745B1 (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
KR20157005375A KR20150031493A (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187034279A KR20180129981A (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
KR1020177015056A KR101924745B1 (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
KR20157005375A KR20150031493A (ko) 2007-10-12 2008-10-10 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (3) US9097981B2 (ko)
EP (5) EP2518564A1 (ko)
JP (6) JP5267029B2 (ko)
KR (4) KR20100081972A (ko)
CN (3) CN101681117B (ko)
HK (3) HK1180775A1 (ko)
TW (1) TWI459149B (ko)
WO (1) WO2009048170A1 (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124179B1 (ko) 2003-04-09 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI612338B (zh) * 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI360837B (en) 2004-02-06 2012-03-21 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) * 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
CN101681125B (zh) 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101695034B1 (ko) * 2008-05-28 2017-01-10 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
WO2010145959A1 (en) * 2009-06-17 2010-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2011006522A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and method of measuring a parameter related to an optical surface contained therein
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5598733B2 (ja) 2009-12-23 2014-10-01 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2011102109A1 (ja) 2010-02-20 2011-08-25 株式会社ニコン 光源最適化方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、露光装置、リソグラフィシステム、及び光源評価方法、並びに光源変調方法
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5700272B2 (ja) * 2010-04-13 2015-04-15 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101154005B1 (ko) 2010-04-30 2012-06-07 에스케이하이닉스 주식회사 노광 장치의 회절광학소자 관리방법
JP2012004465A (ja) 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102011006100A1 (de) * 2011-03-25 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
US10120283B2 (en) * 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
TWI587002B (zh) 2011-06-13 2017-06-11 尼康股份有限公司 照明方法
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
US9732934B2 (en) 2011-10-28 2017-08-15 Nikon Corporation Illumination device for optimizing polarization in an illumination pupil
WO2013115208A1 (ja) * 2012-02-03 2013-08-08 株式会社ニコン 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102013201506A1 (de) * 2012-02-17 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013201509A1 (de) 2012-02-17 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
WO2015080057A1 (ja) 2013-11-27 2015-06-04 株式会社ニコン 空間光変調器、光描画装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP6269096B2 (ja) * 2014-01-21 2018-01-31 株式会社ニコン 顕微鏡装置および顕微鏡システム
CN107003616B (zh) * 2014-11-27 2021-11-30 卡尔蔡司Smt有限责任公司 包含多个单独可控的写入头的光刻设备
JPWO2017159693A1 (ja) * 2016-03-14 2019-01-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、リソグラフィ方法、並びにデバイス製造方法
JP6993100B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-13 オリンパス株式会社 観察装置および観察方法
CN110398880B (zh) * 2018-04-24 2021-09-28 台湾积体电路制造股份有限公司 曝光设备及曝光方法
CN111856745B (zh) * 2019-04-30 2023-03-17 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种光照射装置

Family Cites Families (904)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
JPS444993Y1 (ko) 1964-05-28 1969-02-24
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (ko) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd X線露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6426704U (ko) 1987-08-07 1989-02-15
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度xyステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (ko) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段6自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) * 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線miケーブルと中空心線miケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
US5153428A (en) * 1990-06-15 1992-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法,並びにデバイス製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (ko) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) * 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
JPH0513292A (ja) 1991-07-02 1993-01-22 Nikon Corp 露光装置
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Xy移動テーブル
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2599827Y2 (ja) 1992-10-01 1999-09-20 株式会社ニコン ペリクルフレーム
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06124872A (ja) 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp X線用多層膜ミラーおよびx線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
US5383000A (en) * 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
US5461410A (en) * 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Gray scale printing using spatial light modulators
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
US5815248A (en) * 1993-04-22 1998-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
EP0656555B1 (en) 1993-12-01 2003-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display for 3D images
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマx線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JPH07183201A (ja) 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
US5850300A (en) 1994-02-28 1998-12-15 Digital Optics Corporation Diffractive beam homogenizer having free-form fringes
US5610733A (en) * 1994-02-28 1997-03-11 Digital Optics Corporation Beam-homogenizer
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH07283119A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08313842A (ja) 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
KR100505202B1 (ko) * 1995-09-27 2005-11-25 칼 짜이스 에스엠테 아게 줌장치
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JP3601174B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ccdカメラの感度補正方法およびccdカメラ感度補正機能付lcdパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
SG102627A1 (en) 1996-11-28 2004-03-26 Nikon Corp Lithographic device
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線マスクフレームおよびx線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JPH113849A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1504799A (en) 1997-12-16 1999-07-05 Nikon Corporation Aligner, exposure method and method of manufacturing device
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
EP1083462A4 (en) 1998-03-26 2003-12-03 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
WO2000011706A1 (fr) 1998-08-18 2000-03-02 Nikon Corporation Illuminateur et appareil d'exposition a la projection
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121498A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nikon Corp 結像性能の評価方法及び装置
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
US6466304B1 (en) * 1998-10-22 2002-10-15 Asm Lithography B.V. Illumination device for projection system and method for fabricating
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
US6406148B1 (en) * 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JPH1198U (ja) 1999-02-08 1999-07-21 株式会社ニコン ペリクルフレ―ム
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
WO2000067303A1 (fr) 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
WO2001003170A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-11 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
KR100699241B1 (ko) 1999-09-20 2007-03-27 가부시키가이샤 니콘 패럴렐 링크기구, 노광장치 및 그의 제조방법, 그리고디바이스 제조방법
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
WO2001027978A1 (fr) 1999-10-07 2001-04-19 Nikon Corporation Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP2001135562A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Hitachi Ltd リソグラフィ装置
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
DE10010131A1 (de) 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001272764A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
JP2003532282A (ja) 2000-04-25 2003-10-28 エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド レチクル回折誘起バイアスのない光学縮小システム
DE60124524T2 (de) 2000-04-25 2007-03-08 Asml Holding, N.V. Optisches reduktionssystem mit kontrolle der belichtungspolarisation
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP4811623B2 (ja) 2000-06-14 2011-11-09 株式会社ニコン 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
KR20010112107A (ko) 2000-06-14 2001-12-20 시마무라 테루오 투영 광학계 및 해당 투영 광학계를 구비한 노광 장치
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
EP1312965B1 (en) 2000-08-18 2007-01-17 Nikon Corporation Optical element holding device
JP3645801B2 (ja) 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
KR20040007444A (ko) 2001-02-06 2004-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
JPWO2002080185A1 (ja) 2001-03-28 2004-07-22 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置,露光装置の調整方法,マイクロデバイスの製造方法
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124803A1 (de) 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP2002353105A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
KR100576746B1 (ko) 2001-06-01 2006-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
WO2002101804A1 (fr) 2001-06-11 2002-12-19 Nikon Corporation Dispositif d'exposition, procede de fabrication et element de passage de flux de stabilisation de temperature
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
KR20030036254A (ko) * 2001-06-13 2003-05-09 가부시키가이샤 니콘 주사노광방법 및 주사형 노광장치 그리고 디바이스 제조방법
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003059286A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
WO2003023832A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
SE0103006D0 (sv) 2001-09-10 2001-09-10 Micronic Lasersystems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
EP1300698B1 (en) 2001-10-01 2011-11-02 Sony Corporation Polarization selecting prism for a projection device
JP4082160B2 (ja) 2001-10-01 2008-04-30 ソニー株式会社 プリズム及び投影装置
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6577379B1 (en) * 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6577429B1 (en) * 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
WO2003075328A1 (fr) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2003085708A1 (ja) 2002-04-09 2005-08-18 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6894712B2 (en) * 2002-04-10 2005-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure head, exposure apparatus, and application thereof
JP2004006440A (ja) * 2002-04-10 2004-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd レーザ装置、露光ヘッド、及び露光装置
US6960035B2 (en) * 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
EP1499560B1 (en) 2002-04-29 2005-12-14 Micronic Laser Systems Ab Device for protecting a chip and method for operating a chip
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
DE60319462T2 (de) 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP4546019B2 (ja) * 2002-07-03 2010-09-15 株式会社日立製作所 露光装置
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP4214547B2 (ja) 2002-08-29 2009-01-28 株式会社オーク製作所 ビーム成形光学素子およびそれを備えたパターン描画装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
SE0202584D0 (sv) 2002-09-02 2002-09-02 Micronic Laser Systems Ab A Method and device for coherence reduction
US20050141583A1 (en) * 2002-09-02 2005-06-30 Torbjorn Sandstrom Method and device for coherence reduction
EP1395049A1 (en) 2002-09-02 2004-03-03 Sony International (Europe) GmbH Illumination unit for a projection system
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
KR100480620B1 (ko) * 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US6958867B2 (en) * 2002-09-30 2005-10-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method
JP2005018013A (ja) 2002-09-30 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置並びに露光方法
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
US6958806B2 (en) * 2002-12-02 2005-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003302830A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
CN1723384A (zh) 2003-01-15 2006-01-18 麦克罗尼克激光系统公司 检测缺陷像素的方法
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP4280509B2 (ja) * 2003-01-31 2009-06-17 キヤノン株式会社 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004266259A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
KR101381538B1 (ko) 2003-02-26 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Euv光学系及びeuv露光装置
SE0300516D0 (sv) 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
WO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Nikon Corporation 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2004094301A1 (en) 2003-04-24 2004-11-04 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI463533B (zh) 2003-05-23 2014-12-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
KR20110110320A (ko) 2003-05-28 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101265450B1 (ko) 2003-06-19 2013-05-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005024890A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Renesas Technology Corp 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005032909A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置
WO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Nikon Corporation フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101345020B1 (ko) 2003-08-29 2013-12-26 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
KR101159867B1 (ko) * 2003-09-12 2012-06-26 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투사 노출 장치용 조명 시스템
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
US7064880B2 (en) 2003-09-25 2006-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Projector and projection method
WO2005031292A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-07 Tidal Photonics, Inc. Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2005-04-21 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2005-04-21 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
EP1679738A4 (en) 2003-10-28 2008-08-06 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7148952B2 (en) 2003-10-31 2006-12-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
WO2005048326A1 (ja) 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
WO2005048325A1 (ja) 2003-11-17 2005-05-26 Nikon Corporation ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
KR101281397B1 (ko) 2003-12-15 2013-07-02 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
ATE467902T1 (de) 2004-01-05 2010-05-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005071717A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI360837B (en) 2004-02-06 2012-03-21 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination
US7557900B2 (en) 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
US20080151200A1 (en) 2004-02-19 2008-06-26 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
EP1727188A4 (en) 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005243870A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Pentax Corp パターン描画装置
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP4864869B2 (ja) * 2004-02-26 2012-02-01 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005309380A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2005302825A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Canon Inc 露光装置
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
KR101330370B1 (ko) 2004-04-19 2013-11-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7259827B2 (en) * 2004-07-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby
JPWO2006006730A1 (ja) 2004-07-15 2008-05-01 株式会社ニコン 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054328A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
WO2006019124A1 (ja) 2004-08-18 2006-02-23 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
JP4779973B2 (ja) 2004-09-01 2011-09-28 株式会社ニコン 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20070048722A (ko) 2004-09-10 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치 및 노광 장치
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
WO2006030727A1 (ja) 2004-09-14 2006-03-23 Nikon Corporation 補正方法及び露光装置
US7079225B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
EP1804279A4 (en) 2004-09-17 2008-04-09 Nikon Corp SUBSTRATE FOR EXPOSURE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
WO2006035775A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics K.K. 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
GB2419208A (en) * 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
US7177012B2 (en) 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
SG157357A1 (en) 2004-11-01 2009-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20070085214A (ko) 2004-11-11 2007-08-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 및 기판
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
US7333177B2 (en) * 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
WO2006064851A1 (ja) 2004-12-15 2006-06-22 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006171426A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系及びそれを用いた露光装置
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び軟x線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
KR20070090876A (ko) 2004-12-24 2007-09-06 가부시키가이샤 니콘 자기 안내 장치, 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의제조 방법
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
TWI453796B (zh) 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 偏光變更單元以及元件製造方法
US8053937B2 (en) 2005-01-21 2011-11-08 Nikon Corporation Linear motor, stage apparatus and exposure apparatus
JP2006208432A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
KR100664325B1 (ko) 2005-02-04 2007-01-04 삼성전자주식회사 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치
JP2006216917A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JPWO2006085626A1 (ja) * 2005-02-14 2008-06-26 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2008533728A (ja) 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機el素子の製造方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP4561425B2 (ja) * 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
US7548302B2 (en) 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317506B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4493538B2 (ja) * 2005-03-31 2010-06-30 富士通株式会社 波長選択スイッチ
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
EP1879219A4 (en) 2005-04-27 2012-08-08 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS AND FILM EVALUATION METHOD
US7400382B2 (en) * 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
EP1882895A4 (en) 2005-05-12 2012-06-27 Techno Dream 21 Co Ltd MEASURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SHAPING AND EQUIPMENT THEREFOR
JP4771753B2 (ja) * 2005-06-08 2011-09-14 新光電気工業株式会社 面光源制御装置および面光源制御方法
JP2006343023A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 冷却器
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
KR101302244B1 (ko) 2005-07-01 2013-09-02 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 및 시스템
JP4684774B2 (ja) 2005-07-05 2011-05-18 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置
JP2007027188A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Nano System Solutions:Kk 露光用照明光源の形成方法、露光用照明光源装置、露光方法及び露光装置
WO2007018127A1 (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
TW200719095A (en) 2005-11-09 2007-05-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP2007150295A (ja) * 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
TWI397945B (zh) 2005-11-14 2013-06-01 尼康股份有限公司 A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JPWO2007058188A1 (ja) 2005-11-15 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
JP5194799B2 (ja) 2005-12-06 2013-05-08 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2007066758A1 (ja) 2005-12-08 2007-06-14 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007178727A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Seiko Epson Corp 照明装置及びプロジェクタ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
US7532378B2 (en) * 2006-02-21 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device
JP2007258691A (ja) 2006-02-21 2007-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
CN101389982A (zh) 2006-02-27 2009-03-18 株式会社尼康 分色镜
JP2007234110A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20080108226A (ko) 2006-03-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4879619B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-22 オリンパス株式会社 レーザ加工装置
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
WO2008015973A1 (fr) 2006-08-02 2008-02-07 Nikon Corporation Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts
JP4883482B2 (ja) 2006-08-18 2012-02-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
WO2008041575A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Nikon Corporation Dispositif formant platine et dispositif d'exposition
KR100855628B1 (ko) * 2006-10-02 2008-09-03 삼성전기주식회사 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법
US7804603B2 (en) * 2006-10-03 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and method
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
TWI452437B (zh) 2006-11-27 2014-09-11 尼康股份有限公司 An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
WO2008078688A1 (ja) 2006-12-27 2008-07-03 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
JP4639338B2 (ja) * 2007-03-20 2011-02-23 国立大学法人 大分大学 胸部x線画像からのリブケイジ境界検出方法
US8937706B2 (en) * 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9250536B2 (en) * 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2008131928A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
KR101497886B1 (ko) 2007-05-09 2015-03-04 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
US8264584B2 (en) 2007-05-31 2012-09-11 Panasonic Corporation Image capturing apparatus, additional information providing server, and additional information filtering system
US7573564B2 (en) * 2007-06-26 2009-08-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors
JP5090803B2 (ja) * 2007-06-29 2012-12-05 株式会社オーク製作所 描画装置
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681125B (zh) * 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
WO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2009-12-23 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
WO2009157154A1 (ja) 2008-06-26 2009-12-30 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
WO2010001537A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017045064A (ja) 2017-03-02
JP5673715B2 (ja) 2015-02-18
HK1180775A1 (zh) 2013-10-25
EP2181360A1 (en) 2010-05-05
EP2515171B1 (en) 2017-08-30
CN103149807A (zh) 2013-06-12
US20150261096A1 (en) 2015-09-17
TW200916982A (en) 2009-04-16
HK1136648A1 (en) 2010-07-02
CN103149806B (zh) 2016-04-06
JP5267029B2 (ja) 2013-08-21
US10101666B2 (en) 2018-10-16
EP2515171A1 (en) 2012-10-24
KR20180129981A (ko) 2018-12-05
EP2518564A1 (en) 2012-10-31
JP2016035593A (ja) 2016-03-17
CN103149807B (zh) 2016-04-06
JP6525045B2 (ja) 2019-06-05
JP2015073129A (ja) 2015-04-16
KR20150031493A (ko) 2015-03-24
US20090128886A1 (en) 2009-05-21
WO2009048170A1 (en) 2009-04-16
TWI459149B (zh) 2014-11-01
CN101681117B (zh) 2014-05-14
HK1180776A1 (zh) 2013-10-25
CN101681117A (zh) 2010-03-24
CN103149806A (zh) 2013-06-12
JP5867576B2 (ja) 2016-02-24
JP2013138255A (ja) 2013-07-11
US20180314162A1 (en) 2018-11-01
EP2498132A1 (en) 2012-09-12
KR101924745B1 (ko) 2018-12-03
EP2527920A1 (en) 2012-11-28
JP2009111369A (ja) 2009-05-21
JP2018077494A (ja) 2018-05-17
KR20170065683A (ko) 2017-06-13
EP2527920B1 (en) 2017-08-30
US9097981B2 (en) 2015-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6525045B2 (ja) 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR100506497B1 (ko) 조명장치, 그것을 이용한 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR102170875B1 (ko) 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US20120015306A1 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004055856A (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
WO2013094733A1 (ja) 計測方法、メンテナンス方法及びその装置
JP5239829B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US9261695B2 (en) Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5239830B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
WO2014077404A1 (ja) 照明光学系及び照明方法、並びに露光方法及び装置
JP2013098208A (ja) 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、および照明方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101005568; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160926

Effective date: 20180807