JP4717813B2 - マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系 - Google Patents

マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系 Download PDF

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Description

本発明は、主光源からの光で照明視野を照明するためのマイクロリソグラフィ投影露光系のための照明系に関する。
半導体コンポーネントや他の微細構造コンポーネントのマイクロリソグラフィによる製造のための投影露光系の効率は、複数の投影対物レンズの複数の像の特性によって実質的に決定される。更に、この系で達成され得る像の品質とウェーハ処理量もまた、投影対物レンズの上流に配置された照明系の特性により実質的に決定される。これは、主光源例えばレーザーからの光を可能な限り高い効率で作成し、その工程で照明系の照明視野に可能な限り均一な強度分布を生成する能力を有さなければならない。更に、照明系の様々な照明モード(設定)を、例えばイメージされるべき複数の個別パターンの複数の構造に合わせて(例えば複数のマスク、複数のレチクルに)最適化する目的で、設定することが可能であるべきである。様々なコヒーレンス度や環状視野照明及び双極子又は四極子照明の異なる一般の設定の間で可能な設定が通常である。軸外れ斜照明のための一般的でない照明設定は、とりわけ2ビーム干渉を用いた焦点深さを増加させるため及び分解能を増加させるため、使用され得る。
EP 0 747 771は、ズームアキシコン対物レンズを有する照明系を記載しており、その物平面において二次元ラスタ構造の第1回折ラスタエレメントが配置されている。このラスタエレメントは、入射レーザー放射の幾何学光ガイダンスバルブ(又はエクステンデュー)を僅かに増加させるため及び結果がほぼ円形分布、環状分布又は四極子分布となるように光分布の形状を変化させるため、使用される。対物レンズの出口瞳孔に位置付けられる第2ラスタエレメントは、対応する光分布により照明され、矩形の光分布を形成し、その形状は後に続くロッド状光混合エレメントの入口表面に対応している。ズームアキシコンの調整により、照明の環状性と照らされた(照明された)領域の寸法が調整され得る。
EP 1 109 067(US 2001001247に対応する)は、照明系を記載しており、そこでは照明系の光パスでの異なる複数の回折光学エレメントの光学変化のための変化装置が設けられている。複数の回折光学エレメントを相互変化させることにより、様々な照明モードが設定され得る。この系はズームアキシコンモジュール無しで取り扱われる。
軸外れ照明を達成するための他の公知の可能性が、例えばUS 5,638,211、EP 500 393B1(US 5,305,054に対応する)、US 6,252,647又はUS 6,211,944に示されている。
複数の相互変化可能な光学エレメント(例えば複数の回折光学エレメント又は複数の空間フィルタ)で作用する複数の照明系の場合、異なる複数の照明モードを設定する目的で、異なる複数の照明設定の数は、異なる複数の変化可能なエレメントの数により制限される。適当な変化装置は構造的に複雑になり得る。
DE 199 44 760A1は、集積デジタルスクリーンイメージ工程(IDSI)での照明強度の変調を可能にする、プレートを印刷するための照明装置を開示している。この場合、光源からの光は複数のセルの二次元アレイを有するデジタル光変調器上に当たり、これは、特定パターンを感光物質上に偏向させる目的でコンピュータ制御された系を介して活性化及び非活性化され得る。1つの態様において、光変調器は、個別に駆動され得る多くの個別ミラーを有するマイクロミラー配置(デジタルミラー装置、DMD)を含む。印刷の間、感光材料の露光に使用されないこれらのミラーは、それらに当たる光ビームを感光材料から離れて偏向させるように傾斜される。この制御系を用いて、露光に使用される複数の個別ミラーの数は、こうして変化させられる。同様な系がWO 00/36470に開示されている。
EP 0 747 771 EP 1 109 067 US 2001001247 US 5,638,211 EP 500 393B1 US 5,305,054 US 6,252,647 US 6,211,944 DE 199 44 760A1 WO 00/36470 EP 0 747 772 US 5,523,193 US 5,691,541 US 5,870,176 US 6,060,224 N.Streibl「光学アレイ生成器によるビーム造形」J.Mod.Optics36(1989)第1559−1573頁 H.Dammann、K.Gortler「マルチフェーズホログラムを用いた高効率インライン多重イメージング」Optics第3段(1971)第312−314頁
本発明の目的は、単純な構成で異なる複数の照明モードを設定する際に多くの多様性を可能にするマイクロリソグラフィ投影露光系のための照明系を提供することである。
この目的を達成するため、本発明は請求項1の構成を有する照明系を提供する。有利な発展は従属する請求項に記載されている。全ての請求項の記載は、本明細書の一部を構成する。
単純な構成で異なる複数の照明モードを設定する際に多くの多様性が可能になる。
発明を実施するための形態
本発明による照明系は、光軸と、主光源からの光を受光するための及び照明系の瞳孔形状表面で様々に設定され得る二次元空間強度分布を生成するための光分布器を有する。光分布器は少なくとも1つの光学変調器を有していて光学変調器に入射する放射の角度分布を制御可能に変化させる。光学変調器は、いずれの場合もその設置位置の場所で放射の角度又は角度スペクトルの特定の変化を生み出すことが可能な個別に駆動され得る複数の個別エレメントのアレイを含むことが可能である。光学変調器は、角度変化の程度が場所の関数として設定され得るため、局所的に可変の光学変調器とも呼ばれる。アレイは好ましくは二次元であり、例えば複数の個別エレメントの複数の列及び行を有する。この場合、複数の個別エレメントは、全ての設定照明モードにおいて光学変調器の複数の個別エレメントに入射する光強度の全てが瞳孔形状表面の使用可能な領域に偏向されて照明視野の照明に寄与し得るように、好ましくは駆動される。光学変調器を用いて、光強度の場所に依存した再分布は、このようにして、入射光が「廃棄」されることなく達成され得る。そのため、原理的に大きな損失の無い、異なる複数の照明モードの様々な設定が可能である。
光学変調器に入射する光の小さい複数の部分を瞳孔形状表面の予め決定可能な領域に偏向させるという本発明の可能性の結果、実質的に所望の照明強度分布が瞳孔形状表面に設定され得る。これらは、一般的な照明設定の場合及び一般的でない軸外れタイプの照明や環状照明及び極性のある強度分布や例えば双極子照明又は四極子照明の場合、光軸の周りに中心付けられた、丸く本質的に円形の複数の異なる直径の複数の照明スポットを含む。もっとも、本発明による照明系で、例えば四極子より多い多極子例えば六極子照明で、これと異なる複数の強度分布もまた可能である。複数の強度分布は、光軸に関していずれの対称性をも有する必要が無い。
所望の強度分布が存在することになる照明系の瞳孔形状表面は、マイクロリソグラフィ投影露光系に包含される照明系において、後に続く投影対物レンズの瞳孔面と光学的に共役する位置及びこれに近い位置に位置付けられ得る。一般に瞳孔形状表面は、照明系の瞳孔表面に相当し又はその近傍に位置付けられ得る。もし介在された複数の光学コンポーネントが角度(複数の角度保持エレメント)を維持するように作動するなら、投影対物レンズの瞳孔における空間光分布は、こうして照明系の瞳孔形状表面における空間光分布(位置分布)により決定される。もし照明系が例えば光混合エレメント(光集積器)としてのフライアイコンデンサを含むなら、瞳孔形状表面はその入口側の近傍に位置付けられることが可能であり、又は後者と一致し得る。内部反射で作動する1又はそれより多いロッド状光集積器(ロッド集積器)を含む系の場合、瞳孔形状表面は、光集積器の入口表面に関してフーリエ変換された面として構成されることが可能であり、又はその近傍に位置付けられ得る。先述の古典的な光混合エレメントが存在しない系もまた可能である。ここで強度分布の均質化が、もし適当ならプリズム等を用いた複数の部分的なビームの適当な積み上げを用いて、実行され得る。
この出願の意味における「放射」及び「光」の用語は、広く解されるべきであり、とくに例えば約365nm、248nm、193nm、157nm又は126nmの波長での紫外領域からの電磁波をカバーするように意図される。更にカバーされるのは、極紫外線領域(EUV)、例えば20nm未満の波長の軟X線からの電磁波である。
1つの態様において、光学変調器は、ミラー配置に入射する放射の角度分布を変化させるための個別に制御可能な複数の個別ミラーのアレイを有するミラー配置として形成される。変調器の複数の個別エレメントを形成する複数の個別ミラーは、一次元又は二次元アレイのラスタの方式で配置され得る。もう1つの態様によれば、光学変調器は電気光学エレメントとして形成され、これは好ましくは制御可能な複数の回折格子の一次元又は二次元視野配置(アレイ)又は複数の音響光学エレメントの対応するアレイを含む。ラスタの方式で配置され従って複数のラスタエレメントとしても構成され得る複数の個別エレメントの各々は、ラスタエレメントの場所で放射出力の特定の角度又は角度スペクトルを導入し、概して入射する放射のビーム偏向、すなわち伝播方向の変化が導入される。複数の個別エレメントを電気的に駆動することにより、例えば、放射出力の角度分布が様々に設定され得る。
光変調器と瞳孔形状表面の間の空間は、レンズ又は他の像エレメントのような光学コンポーネントを無くすことができる。この場合、光変調器と瞳孔形状表面の間の距離を大きく選択して、瞳孔形状表面が光変調器の遠視野領域にあるようにするのが有益である。これらの状況のもと、所望の強度分布が瞳孔形状表面に自動的に確立される。
1つの態様において、入射角度分布を瞳孔形状表面の空間分布(位置空間における分布)に変換するための光学系が、光学変調器と瞳孔形状表面の間に設けられる。この光学系はこうしてフーリエ変換を実行して角度分布を瞳孔形状表面にするように意図される。この場合、それは個別光学エレメント、例えば固定焦点距離及びそれゆえ明示された倍率を備えたレンズとすることができる。フーリエ変換に使用される光学系は好ましくは様々に設定され得る焦点距離を有する。それはズーム対物レンズとして構成され得る。結果として、与えられた照明分布で、この照明分布で照らされ得る瞳孔形状表面の領域の寸法が、好ましくは連続的に、設定され得る。もし複数の円錐表面を備えたアキシコン系が光学変調器と瞳孔形状表面の間に設けられるなら、照明の環状視野特性(環状性)の所望のレベルが設定されることが、もし適当なら連続的に、アキシコン系を調節することにより可能である。1つの態様において、ズームアキシコン対物レンズは、その構造は例えばEP 0 747 772に記載されたズームアキシコン対物レンズの構成に対応し得るが、光学変調器と瞳孔形状表面の間に配置され得る。この場合、光学変調器はそこで示された第1回折ラスタエレメントの場所で使用され得る。EP 0 747 772の開示内容は、この詳細な説明の内容に参照されて包含される。
光学変調器は、反射で作動することが可能であり、偏向ミラーの方式で、例えば平均してほぼ90°の偏向(又はより小さな又はより大きな角度による偏向)を達成する目的で、光軸に関して斜めに整列され得る。
瞳孔形状表面に続く照明系の複数の光学コンポーネントの機能のため、もし放射線が瞳孔形状表面に入射する角度が可能な限り小さいと一般に有益である。この目的のため、より好ましい態様において、光軸と瞳孔形状表面の領域の角度分布の複数の光ビームの間の複数の角度が約5°より小さく、とくに約3°より小さくなるように、光学変調器と瞳孔形状表面の間の光学距離が大きくなるように選択する準備がなされる。選択された複数の角度が小さければ小さいほど、例えば照明された領域とその近傍の非照明となった領域の間の明/暗遷移で複数のフランクがより急勾配になり得る。
照明されるべき瞳孔形状表面の領域の様々な形状を微細に分割して詳細に設定することは、とくに複数の光混合エレメントとして1又はそれより多いフライアイコンデンサを使用する複数の系で、多くの利点があり得る。このような複数の系において、公知のように、もし「複数のハニカム」によって形成された複数の個別放射チャネルがいずれも完全に使用され又は全く使用されないなら、フライアイコンデンサの下流の強度分布の所望の平均化が達成され得る。他方で、部分的にのみ使用される放射チャネルからの放射は均一性を損なう。この理由のため、従来の系は、例えば照明領域のエッジで部分的に照明された複数のチャネルをブロックする目的で、複数のマスクで作動する。これは光損失につながり得る。
瞳孔形状表面が通常フライアイコンデンサの入口表面の領域か又はそこと光学的に共役した表面にある少なくとも1つのフライアイコンデンサを有する発明の態様において、明確に唯一完全に照明され及び完全に非照明となった複数のチャネル(又は複数のハニカム)が損害し及び部分的に照明された「複数のハニカム」が回避されるように、瞳孔形状表面の空間強度分布が制御され又は設定され得る。複数の個別チャネルをブロックするための複数の開口絞りの使用無しで済ますことが可能である。こうして、単純化された構成で、大幅に損失の無い照明制御が可能となる。
この目的のため、1つの態様において、光分布器は、光学変調器と瞳孔形状表面との間に光学的に配置された少なくとも1つの回折光学エレメントを含み、光学変調器から出た光を受光するとともに回折光学エレメントの構成により定義された評価関数による角度分布を導入することにより光を変調する。この構成ゆえに、光変調器により生成された光の角度分布は、光学的遠視野の回折光学エレメントにより生成された角度分布で光学的に折りたたまれる。
評価関数は、光学変調器の個別エレメントから出たビームが回折光学エレメントにより造形されてフライアイコンデンサの単独の光学チャネルや近傍の複数の光学チャネルの群の形状及び寸法に一致させるように構成して良い。とくに、回折光学エレメントの回折構造は、矩形の照明視野が光学変調器の単独の光学エレメントから出るビームから生成され得るように構成され得る。矩形形状は、フライアイコンデンサの単独の光学チャネルに合うように寸法決めされ得る。他の態様において、照明された領域は近隣の複数の光学チャネルの群をカバーするように寸法決めされ得る。
1つの態様によれば、回折光学エレメントは、回折光学エレメントの横断面を周期的に横断して反復する複数の回折構造を有するコンピュータ生成されたホログラム(CGH)として構成される。
もし光学変調器のミラー配置が使用されるなら、ミラー配置の複数の個別ミラーにより生成された複数の照明された表面の最小寸法は、例えば平坦な複数のミラーとして構成され得る複数の個別ミラーの寸法により通常実質的に決定される。平坦な複数のミラーとしてだけでなく有限のミラー焦点距離を有する複数の曲面ミラーとして形成された複数の個別ミラーにより生成された複数の光スポットの最小限度を減少させることができる。焦点距離は、複数の個別ミラーへ入射する放射が瞳孔形状表面に実質的に焦点合わせされた形状で入射するように寸法決めされ得る。結果として、瞳孔形状表面における様々な複数の空間強度分布の非常に区別された設定が可能である。
ミラー配置の複数の個別ミラーは、全て同じ形状及び寸法を有することが可能であり、これは製造の観点で有益となり得る。複数の個別ミラーが第1ミラー群と少なくとも第2ミラー群を含み、各々が1又はそれより多い個別ミラーを有し、複数のミラー群の複数の個別ミラーが異なる寸法及び/又は異なる形状及び/又は異なる曲率を有することも可能である。もし、例えば複数の個別ミラーの寸法が変更されるなら、これはミラー配置の複数の個別ミラーの間の仕事を分配するのに使用され得る。例えば、より大きな面積の複数の個別ミラーは、生成された複数の光スポットのより大きな面積を生成することが可能であり、他方でより小さな複数の個別ミラーは光分布の微細構造の生成を可能にする。
一般に、複数の個別ミラーは、いずれの場合も特定の基本光分布の生成器としてみなされることが可能であり、これらは、生成された複数の光分布が互いに対してずれることにより、照明系の瞳孔形状表面に所望の分布を形成するように組み立てられる。角度分布の多様性とそれゆえ瞳孔形状表面の光の複数のスポットのずれは、例えば、少なくとも1つの傾斜軸周りに複数の個別ミラーを適当に傾斜させることにより、達成され得る。
空間光分布の生成における更なる自由度は、回折光学構造又は個別ミラーから反射された放射の分布を形成するための同様な効果を有する構造を有する複数の個別ミラーの少なくとも幾つかにより生成され得る。結果として、この個別ミラーにより形成される「基本分布」は、依然として本来的に造形され得る。例えば、個別ミラーは、それが連続的である必要が無い光の複数のスポットからなり得る基本分布を生成するように構成され得る。
ミラー配置の複数の個別ミラーは、互いに直接結び付けられていて、それらが小平面の実質的に閉鎖された連続反射表面を形成するようになっている。隣接した複数の個別ミラーの相対移動を容易にする目的で、もし複数の個別ミラーの間に結果として狭い複数の非反射領域となる小さな複数の距離又はギャップがあるなら、有益である。とくにこのような態様において、もしミラー配置の前に光学装置に入射する放射をミラー配置の複数の個別ミラー上に集中させるための光学装置が配置されているなら有益である。光学装置は、複数の光学エレメントの二次元ラスタ配置又は回折光学アレイ生成器としてよい。このようにして、入射光は、例えばレーザーから、複数の個別ミラー上に焦点合わせされた形状で導かれることが可能であり、この手段によりミラー配置での反射損失が最小まで減少され得る。
二次元ラスタ配置は、例えばミラー配置の上流の大幅にコリメートされたビームパスに好ましくは配置された複数の望遠鏡レンズ系を有する二次元アレイを含み得る。ラスタ配置の複数の光学エレメントと後に続く複数の個別エレメントの間に1:1の関連がある。
とくに、異なる形状及び/又は寸法の複数の個別ミラーと共同して、ラスタ配置の複数の個別光学エレメントを異なるように構成することも同様に有益である。もし、例えば光源から来る拡幅されたビームの異なる寸法の複数の領域が焦点合わせされて複数の光ビームを形成し更に複数の個別ミラーに向けられるなら、ミラー配置の複数の個別ミラーにおける光エネルギーの多様性が達成され得る。このようにして、複数の個別基本光分布の放射エネルギー内容が変化され得る。同様な効果が、二次元ラスタ配置の上流及び/又は下流の適当な透過フィルタを用いて達成されることが可能であるが、光損失は許容されなければならないだろう。
もし回折光学アレイ生成器が使用されるなら、入射ビームをアレイタイプ光学変調器の複数の個別光学エレメントに集中された複数の光ビームに変換することが、単純な構成を備えた光学エレメントで達成され得る。1つの入射光フラックスから多くの別個の光フラックスを生成するのに適した複数の光学アレイ生成器は、例えばN.Streibl「光学アレイ生成器によるビーム造形」J.Mod.Optics36(1989)第1559−1573頁に記載されている。1つの態様において、いわゆる「ダマングリッド」として構成される光学アレイ生成器が使用される。この種の高効率マルチフェーズホログラムは、H.Dammann、K.Gortler「マルチフェーズホログラムを用いた高効率インライン多重イメージング」Optics第3段(1971)第312−314頁に記載されている。アレイタイプ光学変調器の複数の個別エレメントに光を集中させるための回折光学アレイ生成器を使用することは、低コストで高効率(低光損失)を提供する。
ミラー配置の複数の個別ミラーの構成及び/又は駆動のためには、先行技術からの公知概念に頼ることができ、各照明系への適合は恐らく寸法化に関してなされなければならないだろう。しばしばデジタルミラーアレイ(DMD)として構成される、個別に駆動され得る複数の個別ミラーを有する複数のミラー配置は、例えばマスクの無いリソグラフィのための系から公知である(例えば、US 5,523,193;US 5,691,541;US 5,870,176又はUS 6,060,224を参照)。
光学変調器により生成された出力放射を構成するための複数の個別ミラーの例を用いて説明された幾つかの手段が、制御可能な複数の回折格子を有する電気光学エレメント又は複数の音響光学エレメントで同じ効果を備えることも可能である。これらは、複数の個別エレメントを互いに対して傾斜させる可能性、複数の個別エレメントの適当な構成を用いて複数の個別エレメントから出力された光の基本分布に影響を与える可能性、又は制御可能な複数の回折格子又は複数の音響光学エレメントの効率的な使用のため対応する光学変調器の上流の複数の角度変化個別エレメント上に入射する放射を集中させるための複数の光学エレメントを提供する手段を含む。
とくに、マイクロリソグラフィのための照明系の態様において、照明視野に当たる照明の高レベルの均一性又は均質性を達成する目的で、照明系で光混合器を使用することが有益である。本発明による照明系において、複数のフライアイコンデンサを有する複数の光混合器及び1又はそれより多い集積ロッドを有する複数の光混合器の両方又はそれらの組み合わせが使用され得る。このような複数の光混合器は、屈折構成(透過物質からなる集積ロッド、複数のレンズエレメントを有するフライアイコンデンサ)において及び反射構成(内部反射の中空ロッド、複数の凹形ミラーを有するフライアイコンデンサ)において両方ともそれぞれ利用可能である。
本発明はまた、主光源からの光で照明視野を照明する方法に関し、照明視野はとくにマイクロリソグラフィ投影対物レンズの物平面又はそこと共役する面として構成される。照明方法は、光源と照明視野の間の光パスにある照明視野に入射する光の角度分布を変化させることを含む。この変化は、互いに独立に変化され得る少なくとも2つの個別エレメントを有する光学変調器にガイドされた主光源からの光によりもたらされ、これらの個別エレメントは互いに対して適切に設定されている。この設定は、例えば少なくとも1つの個別エレメントを他の個別エレメントに対して1又はそれより多い傾斜軸の周りで傾斜させ、又は複数の回折エレメントの複数の回折特性を変化させることを含み得る。その結果は、光調整器の下流で、複数の個別エレメントの相対的な設定に対応し、及び、後に続く複数の光学コンポーネントを用いて照明視野に入射する光の角度分布に変換される光の角度分布となる。光変調器による光出力は、好ましくは互いに独立して設定され得る光の、2よりかなり多い、例えば独立して設定され得る光の少なくとも10又は少なくとも50又は少なくとも100の、ビームを有する。
上記の及び更なる構成は、詳細な説明及び図面、請求項から明らかとなり、実行されるべき個別の構成は、いずれの場合もそれら自身で又は本発明及び他の分野における態様のサブコンビネーションの形で有利な及び本来的に保護が可能な態様を表す。
図1は、マイクロリソグラフィのための投影露光系の照明系10の一例を示し、これは、半導体コンポーネント又は他の微細構造コンポーネントの製造に使用されることが可能であり、分解能をマイクロメータの端数までダウンさせる目的で、深紫外からの光で作動する。使用される光源11は、約157nmの作動波長を有するFエキシマレーザーであり、その光ビームは、照明系の光軸12に関して共軸に整列されている。他の紫外光源、例えば193nmの作動波長を有するArFエキシマレーザー、248nmの作動波長を有するKrFエキシマレーザー又は365nm又は436nmの作動波長の水銀燈又は157nm未満の波長の光源が、同様に可能である。
光源11からの光は、まずレーザービームを拡幅するビーム拡大器13内に入射し、20mm×15mmの横断面を有するオリジナルビームプロファイルから、80mm×80mmの横断面を有する拡幅されたプロファイル14を生成する。この工程において、発散角度は、約4mrad×2mradから約1mrad×0.4mradに減少する。
ビーム拡大器の下流において、複数の望遠鏡レンズ系16の二次元ラスタ配置15が続いており、これは、拡幅されたビーム14から、規則正しく配置された相互に平行な複数のビーム17のセットを生成し、その各々は互いに横方向の間隔を有する。
複数のビーム17又は部分的な複数のビーム17に分割された光は、位置可変(又は空間可変)光変調器として役立つミラー配置20に衝突し、これは偏向ミラーの方式で光軸12に関して巨視的に約45°の角度で整列されていて、平均して光軸の90°の折りたたみを達成する。他の角度位置及び偏向角度もまた可能である。小さい角度の利点の1つは、後に続くズーム系の物平面がより有効に位置付けられることであり、こうしてズーム系のための費用が低減され得る。ミラー配置20は、多くの個別の小さな個別ミラー21を含み、これらはこの例においては平坦であり、これらは非常に小さい相互間隔で互いに直接隣接していて、ミラー配置20全体に対してファセット状(小表面)のミラー表面を与えている。個別ミラー21の各々は、他の個別ミラーとは独立して、互いに垂直に整列された2つの傾斜軸の周りに傾斜され得る。複数の個別ミラーの複数の傾斜動作は、対応する複数の個別の駆動部への複数の電気信号を介して制御装置22により制御され得る。ミラー配置20は、光分布器25の本質的な構成要素部分であり、ミラー配置に入射する放射の角度分布を詳細には局所的に分解された方式で変化させる目的で使用される。
ミラー配置20は、ズームアキシコン対物レンズ30の物平面の領域に配置され、これはその下流でビームパス内に配置され、その出口瞳孔31には回折光学ラスタエレメント32が配置される。出口瞳孔31は、ここで照明系の瞳孔形状表面とも呼ばれる。その上流の光パス内に配置された複数のコンポーネントは、この瞳孔形状表面において様々に設定され得る二次元空間強度分布を設定するために使用される。
詳細には、この基本構造は、例えば以下のように実行され得る。望遠鏡レンズアレイ15に衝突する拡幅されたレーザービーム14は、望遠鏡アレイの複数のセグメントにより多くの個別ビームに分割される。拡幅されたレーザービームの4mm×4mmのサブ領域は、この場合望遠鏡アレイの望遠鏡セグメントにより2mm×2mmの寸法を有するビーム17に縮小される。このようにして、20×20=400の部分的な複数のビーム又は複数のビーム17が生成される。これらは、ミラー配置の協働する複数の個別ミラー21に衝突し、これらはいずれの場合も平坦であり3mm×3mmの寸法を有する。複数の個別ミラーの各々は、4mm×4mmの正方形領域に位置付けられる。これらの複数の領域は、正方形グリッド上で互いにそばに位置付けられていて、全部で20×20=400の複数の個別ミラーがあるようになっている。
この態様において、望遠鏡レンズアレイ15とミラー配置20の間の軸方向間隔は、約100mmである。ミラー配置と瞳孔形状表面31の間の軸方向間隔は、そこに回折光学グリッドエレメント31が位置付けられるが、1000mmより大きい。瞳孔形状表面31で照らされた領域の最大直径は、約100mmになるように構成される。この幾何構造が与えられると、約2.9°より小さい値を有する比較的小さいビーム角度のみが瞳孔形状表面31に入る。これは、光軸の上に位置付けられた複数の個別ミラーが(図2)、瞳孔形状表面31の上半分にある光分布にのみ影響を与え、光軸の下に位置付けられた複数の個別ミラーがこの照明領域の下半分にのみ影響を与えるという仮定のもとで達成され得る。部分的なビーム又は個別のビームは、通常約1100mmの光パスで最大約1.1mmだけ拡幅される。この値は、個別ミラーから反射された個別のビームにより瞳孔形状表面31で生成された光のスポットの最小寸法を制限する。
瞳孔形状表面31の下流に配置された注入光学40(カップリングイン光学)は、強度分布の光を、合成石英ガラス(又はフッ化カルシウム)から製造されていて多重内面反射を用いて通過する光を混合して均質化するロッド状光集積器45の矩形の入口表面44に伝える。瞳孔形状表面31は、入口表面44に関してフーリエ変換された面として構成され、面31における空間強度分布がロッド入口44で角度分布に変換されるようになっている。ロッド45の出口表面46においてすぐに視野面47があり、そこに調節可能な視野絞りとして使用されるレチクルマスキング系(REMA)50が配置されている。後に続く対物レンズ55は、マスキング系50を有する中間視野面47を面65に投影し、これはここでレチクル面とも呼ばれる。レチクル面65にはレチクル66が配置されている。レチクルマスキング系の面47とレチクル面65は、照明系の照明視野が存在する面である。レチクル面65は、投影対物レンズ67の物平面と一致し、これはレチクルパターンをその像平面68に投影し、そこにフォトレジスト層で覆われたウェーハ69が配置される。対物レンズ55は、第1レンズ群56、複数のフィルタ又は複数の開口絞りが導入され得る中間瞳孔面57、第2及び第3レンズ群58、59及びそれらの間に位置付けられ大きな照明装置を水平に組み入れてレチクルを水平に載置することを可能にする偏向ミラー60を含む。
投影対物レンズ67とともに、照明系10は、レチクル66を投影対物レンズの物平面65に保持する調節可能なレチクルホルダと、電子コンポーネントの、そして光学回折エレメント及び他の微細構造部分のマイクロリソグラフィによる製造のための投影露光系の調節可能なウェーハホルダを形成する。照明系はウェーハステッパ及びウェーハスキャナの両方で使用され得る。
照明系は、それが完全なエテンデュー(幾何光ガイダンスバルブ)を多くのステージに導入するように構成される。放射の広範囲にわたる平行関係及び小さいビーム横断面のため、レーザーにより放出される光ビームは、非常に低いエテンデューを有し、これはビーム拡幅により及び望遠鏡アレイ15の助けによるビーム分割により増加されるだろう。複数の個別ミラー21の位置と結果として達成され得る角度分布に応じて、エテンデューは更にミラー配置20により増加され、放射の分布の形状もまた変化される。ズームアキシコン系30は、無限での投影のために構成されている。ズームアキシコン系30の前方焦点面の領域に配置された設備は、ズームアキシコン光学とともに、ズーム系の出口瞳孔31において可変寸法の二次元強度分布を作成し、これは瞳孔形状表面として役立つ。ここに配置される回折ラスタエレメント32は、矩形の放出特性を有し、エテンデューの主要な比率を生成し、かつ、注入光学40を介してエテンデューを視野寸法に、すなわちロッド集積器45の矩形入口表面44の形状に適合させる。
複数の個別ミラー21の複数の傾斜位置は、複数の適当な電気信号を介して制御装置22により設定され、複数の個別ミラーの所望の配向は、2軸周りの傾斜が起こり得るゆえに可能である。もっとも、複数の個別ミラーの各々の起こり得る設定の間、ミラー配置から反射された全ての放射が対物レンズ30に入り得るような小さい傾斜角度に、傾斜動作は機械的に又は電子的に制限されている。複数の個別ミラー21の傾斜を用いて、後者から生じた複数のビームは、瞳孔形状表面31(照明系の瞳孔面)の種々の位置に反射される。このようにして生成され得る複数の二次元光分布35の特性は、光の複数の個別スポットの寸法によってのみ原理的に制限される。生成され得る光の複数のスポットの所望の寸法が、例えば複数の個別ミラーの適当な曲率を用いて達成され得る。複数の個別ミラーを複数の順応ミラーとして構成することも考えられ、そこでは、ミラー表面の形状は、適当な複数のアクチュエータを介して例えばピエゾ電気的にある程度まで変化され得る。
ここで描かれた発明の適用において、瞳孔形状表面31(照明系の瞳孔面)における光の分布がレチクル面65においてマスク66の構造の関数として設定され得ることが決定的に重要である。複数の個別ミラーの適当な、コンピュータ制御された整列を用いて、全ての馴染みの二次元照明光分布が、第1瞳孔形状表面31、例えば従来の異なる直径、角度設定、四極子又は双極子設定の照明内に設定される事が可能である。他の系と異なり、他の所望の光分布を可変に瞳孔形状表面31内に設定することも更に可能である。これらの複数の設定の間の変化のために光学コンポーネントを置き換えすることは全く必要ない。とりわけ、瞳孔面31内の分布は、光損失を引き起こすフィルタ、開口絞り又は他のエレメントの助け無しで設定され得る。これはまた、使用される光混合エレメントがフライアイコンデンサとして構成される他の態様にもとくに適用され、その入口側は好ましくは瞳孔形状表面31の領域に配置される。瞳孔形状表面31に所望の光分布を実質的に設定する能力は、瞳孔楕円率又は偏光バランスのような幾つかの瞳孔特性に影響を与える目的でも使用され得る。これは、従来のレーザービームの強度分布がシャープな明−暗遷移の形状(トップヘッド関数の形状)を全く有さないため、非常に有利である。この態様において、光ビームが瞳孔面31に入る角度は、せいぜい約3°である。これは、ロッド集積器45の充填に積極的な効果がある。
照明系の単純化された態様が図3を用いて説明される。照明系100において、レーザー光源111からの光は、約25°の入射角度でミラー配置120に入射し、これは光軸112に関して斜めに整列されていて、個別に駆動されて2つの傾斜軸の周りにそれぞれ傾斜された多くの個別ミラー121を有する。ここで、ミラー配置のアタックの角度が放射方向に関して小さくなればなるほど、この態様における光損失が低くなる。なぜなら、複数の個別ミラーに放射が焦点合わせする手段がないからである。ミラー配置120は、位置可変光学変調器として使用され、この系の光分布器125を形成し、制御装置122により駆動され、照明系の瞳孔形状表面131から大きな距離へだてており、そこで所望の二次元強度分布が現れ、瞳孔形状表面131がミラー配置120の遠視野の領域にあるようになっている。この場合、瞳孔形状表面131の領域で、所望の強度分布が、レンズ又は同様な効果の光学を用いたフーリエ変換により空間分布に変換されなければならないミラー配置120からの角度分布出力なく、自動的に確立される。瞳孔形状表面131の下流に配置された視野レンズ140は、強度分布を後に続く視野面165に変換し、そこで例えば照明されるべきマスクが位置付けられ所望の方向から照明される。後に続く投影光学170は、投影対物レンズ170の像面180にある光電性コーティングで覆われたウェーハにレチクルのパターンを投影する。
図4における照明系210の構造は、図1に示された照明系の構造に由来し、その理由のため相互に対応する構成及びコンポーネントが200だけ増加された対応する参照符号を有する。図1による系との差異は、第1に位置可変光学変調器220の構造にあり、第2に光混合の概念にある。この点において、照明系210は特別な光混合エレメント無しで、すなわち集積ロッド又はフライアイコンデンサ無しで構成される。図1による態様におけるように、レーザー光源211からの光は、望遠鏡レンズ系のビーム拡大器213及び二次元ラスタ配置215を通った後、規則正しく配列された相互に平行な複数のビーム217のセットとして現れ、これらはいずれの場合も互いに横方向の間隔を有する。複数のビーム又は部分的な複数のビーム217は、いずれの場合も光学変調器220の複数の個別エレメント221に向けられている。後者は、電気光学エレメントとして構成され、多くの制御可能な反射回折格子221を有し、これらは光学変調器の複数の個別エレメントを形成し、二次元ラスタ又はグリッドに物理的に配置され、及び制御装置222によりそれらの回折特性に関して互いに独立に設定され変化され得る。複数の電気信号の助けにより、こうして光学変調器220からズームアキシコン対物レンズ230の方向に種々の方式で反射された放射の角度分布を設定可能である。もう1つの態様において、光学変調器の複数の個別エレメントが複数の音響光学エレメントにより形成される。
光学変調器220は、ズームアキシコン対物レンズ230の物平面の領域に嵌合され、その出口瞳孔231は照明系の瞳孔形状表面として構成される。瞳孔形状表面231において又はその近傍において、複数の回折又は屈折光学エレメントの二次元配置を有するラスタエレメント232が配置されていて、これはこの態様において複数の機能を有する。まず、ラスタエレメント232を用いて、到来する放射が、照明系の視野面250の領域にある次の注入光学240を通った後、矩形の照明視野を照らすように形成される。この場合矩形の放射特性を有するラスタエレメント232は、エテンデューの主要部分を生成し、これを視野面250内の所望の視野寸法及び視野形状に適合させ、これはレチクル面265と光学的に共役し、そこにレチクルマスク系が配置される。ラスタエレメント232は、プリズムアレイとして実行されることが可能であり、そこで二次元アレイに配置された複数の個別プリズムが、所望の視野面250を照らす目的で、局所的に決定された角度を導入する。注入光学240により行われたフーリエ変換は、ラスタエレメント232からの出口での各特定の角度が視野面250の位置に対応するという効果を有し、ラスタエレメントの位置、すなわち光軸212に対するその位置は、視野面250での照明角度を決定する。複数の個別ラスタエレメントを過ぎた複数のビームは、この場合視野面250に重ね合わされる。ラスタエレメントの適当な構成とその複数の個別エレメントを用いて、視野面250にある矩形の視野が実質的に均一に照らされ得る。ラスタエレメント232はこうして視野照明を均一化することにも役立ち、図1による態様の集積ロッド45のように、別個の光混合エレメント無しで済ますことができる。照明系の瞳孔形状表面231と出口面265(レチクル面)の間に別個の光混合エレメントが要求されないため、この種の照明系はとくにこの領域でコンパクトに構成され得る。
ラスタエレメント232のタイプの視野形状及び均一化エレメントは、下流に接続されたフーリエ光学と組み合わせて、第1に寸法及び形状を設定するため、第2にこの視野におおいて照明を均一化するために使用され、光学変調器としてのミラー配置と組み合わせて、もちろん図1による態様においても使用され得る。この場合、集積ロッド45無しで済ますことも可能である。第2に、図1によるミラー配置は、複数の制御可能な回折格子又は複数の光音響エレメントを有する電気光学―光学変調器によっても置き換えられ得る。図4による複数の反射回折格子の代替として、光学変調器における複数の透過回折格子の使用もまた可能である。
図5において、光混合エレメントとしてフライアイコンデンサ380を使用する照明系310のもう1つの態様が概念的に示されている。レーザー光源311から出射された直線偏光放射は、光分布器325により、フライアイコンデンサ380の入口側の近傍に配置された瞳孔形状表面331にある様々に選択可能な二次元強度分布に形成される。光分布器325は、ビーム拡大器313、第1回折光学エレメント(DOE1)315、位置可変(又は空間可変)光学変調器として役立つミラー配置320(これは光軸312に関して巨視的に約45°の角度で整列され、2つの相互に垂直な傾斜軸の周りに傾斜可能な多くの個別ミラー321を有する)、ミラー配置320の下流に配置された第2回折光学エレメント(DOE2)390、及び選択的に光学系330に入る放射の角度分布を瞳孔形状表面331の光の空間分布に変換するための光学系330を有する。
フライアイコンデンサ380は、第1シリンダ状レンズ383の第1ラスタ配置381と第2シリンダ状レンズ384を有する第2ラスタ配置382からなる。第1ラスタ配置381のレンズ383は、同一の屈折力及び矩形の横断面を有し、そこでシリンダ状レンズ383の矩形形状は照明されるべき照明視野351の矩形形状に対応している。それゆえ、複数の第1レンズ383は、「複数の視野ハニカム」とも命名される。複数のシリンダ状レンズ383は、実質的にその領域を満たす矩形のラスタに又は瞳孔形状表面331(これは照明系の瞳孔面として構成される)の互いにすぐ近傍に配置される。
複数の第1シリンダ状レンズ383は、面331に入射する光が、照明されるシリンダ状レンズ383の数に対応する光のビームの数に分割されるという効果を有し、そこで複数の光ビームが、これらの複数のシリンダ状レンズ383の焦点面にある照明系の視野面に焦点合わせされる。この視野面において、又はその近傍において、第2ラスタ配置382が、矩形の横断面と正の同一の屈折力の複数の第2シリンダ状レンズ384を有して位置付けられる。第1ラスタ配置381の各シリンダ状レンズ383は、光源311を第2ラスタ配置382のそれぞれの関連付けられた第2シリンダ状レンズ384に投影し、多くの第2光源が生成されるようになっている。第2ラスタ配置のシリンダ状レンズ384は、しばしば「瞳孔ハニカム」とも呼ばれる。第1及び第2ラスタ配置381、382の1対の相互に関連付けられた第1及び第2シリンダ状レンズ383、384は、光学チャネルを形成する。第1及び第2ラスタ配置381、382は、フライアイコンデンサ380を形成し、これは二次元アレイに配置された多くの光学チャネルを有する。
第2ラスタ配置382の複数のシリンダ状レンズ384は、それぞれの複数の第2光源の近傍に配置され、複数の矩形の第1シリンダ状レンズ383をフライアイコンデンサの下流に配置された視野レンズ385を介して照明系の中間視野面347に投影する。視野レンズ385は、焦点距離を連続的に変化させるように構成される。複数の第1シリンダ状レンズ(複数の視野ハニカム)383の複数の矩形の像は、この中間視野面に重ね合わされる。この重ね合わせは、この中間視野面の領域における光強度を均質化又は平均化させる効果を有し、これにより矩形の照明視野351の均質な照明が得られる。
上記された態様におけるように、レチクルマスキング系(REMA)350が調節可能な視野絞りとして役立つ中間視野面347に配置される。後に続く対物レンズ355は、中間面347を照明表面347に投影し、そこでレティキュール(マスク又はリソグラフィ原本)が位置付けられ得る。
この態様の1つの特徴的な構成は、ミラー配置320の上流に距離をおいて光源311とミラー配置320の間に配置された第1回折光学エレメント315である。回折光学エレメント315は、回折光学エレメントへ入射する放射をミラー配置の複数の個別ミラー321上に集中させるための光学アレイ生成器として構成されており、これにより複数の個別ミラー321の複数の使用可能なミラー表面の間の照明ギャップにより引き起こされるポテンシャル光損失が避けられ得る。第1回折光学エレメント315は、回折光学エレメントに当たる単一平行光ビームから、複数の個別ミラー321の数に対応する数の焦点合わせされた光ビーム317を生成する回折ファンアウトエレメントとして構成され、複数の光ビームが複数の個別ミラー321の光学活性領域に集中されるように方向付けられる(挿入図5(a)を参照)。複数の個別ミラー321のところに位置付けられる多くの回折次数を生成する「ダマン格子」の形状のファンアウトエレメントがこの目的のために使用される。図1に関して説明されたような望遠鏡レンズアレイが回折光学エレメント315の代わりに使用されて良いが、回折光学エレメントは望遠鏡レンズアレイと比較してより単純な構成ゆえに好ましいかもしれない。また設置空間が節約されるだろう。
複数の個別エレメントに入射する放射の角度又は角度スペクトルを個別に変化させるために駆動され得る複数の個別エレメントのアレイ構造を有する光学変調器の複数の個別エレメントに光を集中するための1又はそれより多い回折光学エレメントを使用することもまた、図4や複数の音響光学エレメントのアレイに関して記載されたような多くの制御可能な反射回折格子を有する電気光学エレメントのような他の複数の光学変調器に関して使用され得る。
光分布器325は、フライアイ集積器380に関しての使用にとくに適合され、フライアイ集積器380の入口で瞳孔形状表面331の照明を可能にし、フライアイコンデンサの複数の個別光学チャネルが実質的に完全に放射されるか実質的に放射されないようになっており、これにより光混合の高い均一性が最小の光損失で得られるようになっている。この効果は、後述のように、制御可能なミラー配置320とその下流でミラー配置と瞳孔形所表面331の間に配置された第2回折光学エレメント390の組み合わせ動作により得られる。ミラー配置320の複数の個別ミラー321により反射された複数の個別光ビーム317は、複数の個別ミラー321の配向に応じた光軸に対する複数の特定の角度を有する。これらの角度は、以下のように「オフセット角度」と呼ばれる。各オフセット角度は、ミラー配置の光学的遠視野の、すなわち瞳孔形状表面331の定義位置に対応する。第2回折光学エレメント390は、コンピュータ製ホログラム(CGH)として構成され、それが、光ビーム317により照明される回折光学エレメントの各位置において、光ビーム317の周りの定義された角度分布391を生成するようになっていて、そこでこの定義された角度分布は、瞳孔形状表面331においてフライアイコンデンサの入口側ラスタ配置383の単一レンズエレメント383の寸法及び形状に相当する。換言すれば、この態様において第2回折光学エレメント390により生成された角度分布391は、瞳孔形状表面331の矩形照明領域に対応する。ミラー配置320と第2回折光学エレメントの組み合わせ動作において、瞳孔形状表面331における単一光ビーム317に対応する照明領域の位置は、複数の個別ミラー321を所望の複数のオフセット角度に傾斜させることにより、制御されることが可能であり、照明された複数の領域の形状及び寸法は、回折光学エレメントにより本質的に形成される。
複数の個別ミラーの傾斜配向は制御装置332により個別に制御され得るため、フライアイコンデンサ380の複数の個別の光学チャネルは、光学チャネルが完全に照明されるか又は完全に除かれるように、選択的にアドレス指定され得る。この可能性を実証する目的で、図6はフライアイ集積器380の入口側の光軸312に沿った概略図を示しており、そこで第1ラスタ配置381の複数の矩形レンズ383を見ることができる。図6において、1つの特定の光学チャネル383i(すなわち1つの選択された視野ハニカム383i)が照明され(暗い領域)、他方で他の全ての光学チャネル383niが照明されていない。図7は、角度設定が複数の個別ミラー321の複数の傾斜角度を制御することにより得られ、本質的にリング形状の照明領域(複数の暗い領域)がフライアイコンデンサの入口表面に生成されるようになっていること示す。再び、第1ラスタ配置381の全ての矩形シリンダ状レンズ383はいずれも完全に照明(複数の暗い領域383i)され又は完全に非照明(複数の明るい領域383ni)となっている。図8は、従来の設定のための対応する例を示し、そこでは、フライアイコンデンサ380の入口側に照明された領域は(瞳孔形状表面331において)本質的に円形である。再び、照明された領域の巨視的に円形の形状が、フライアイコンデンサの複数の単一光学チャネルに対応する複数の小さな矩形に分割されていて、そこで光軸のまわりに中心付けられた多くの光学チャネル383iが完全に照明され、所望の領域の外側にある複数の光学チャネル383niが完全に非照明となっている。
第2回折光学エレメント390により生成された角度分布は、複数の視野ハニカム383を構成する複数のマイクロレンズの形状に適合される。この形状は、その結果、照明視野351の矩形形状の縮小形状である。複数の系をスキャンするのに使用される複数の照明系において、この形状はスリット形状の照明視野を得るための高い幅対高さアスペクト比を有する。矩形の照明視野の幅と高さの間の典型的なアスペクト比は、例えば2:1及び8:1の間の範囲にあってよい。他方、幾つかの照明設定において光軸の周りで本質的に対称な瞳孔形状表面381の二次元強度分布を得ることも有利かもしれない。これらの場合において、出口光ビーム391を形作ることを可能にする評価関数を有する複数の第2回折光学エレメント390を使用することが好ましく、フライアイコンデンサ380の入口側に照明された領域が各個別光ビーム317のための1より多い「ハニカム」を含むようになっている。図9は一例を示し、そこでは、光が第1ラスタ381iの6つの近接した矩形レンズ383のブロック又は群を覆って均一に近いアスペクト比でほぼ正方形形状の照明領域を得るように1つの個別ミラー321から出た光ビームが形成されるように、第2回折光学エレメント390が構成される。
図10は、光学変調器として役立つミラー配置420とそのミラー配置の下流の第2回折光学エレメント490を含む照明系のもう1つの態様の断面を概念的に示す。図10に描かれた断面の上流及び下流の構成は、図5に示された照明系に類似して又は同一に構成されて良い。この態様は、例えばレーザーにより提供される直線偏光に適合される。上に示された複数の態様と対照区別して、複数の個別ミラーエレメント421を含む反射光変調器420は、光軸412に対して通常垂直に配置される。光軸は、光軸に対して45°で傾斜された偏光選択スプリッタ表面450で折りたたまれ、ミラー配置420と、ミラー配置と平行に配向された第2回折光学エレメント490の間に幾何学的に配置される。λ/4プレート460として形成された光学リターデーション装置は、ミラー配置及び偏光子450の間のミラー配置420の直ぐ前に配置される。偏光子450は、薄いフィルム偏光子であってよい。偏光ビームスプリッタ表面は、薄い透過プレート上に又は透過材料のブロック内に配置されて良い。
入射レーザービームは偏光されて、電場の場のベクトルが平坦なビームスプリッタ表面450への入射面に垂直に振動するようになっている(s偏光)。偏光層構造は、それが本質的にs偏光の光を反射し、実質的にp偏光の光を伝えるように構成される(そこで電場ベクトルは入射面と平行に振動する)。ビームスプリッタ450に当たる複数のs偏光ビーム417は、ミラー配置420に向けて反射される。直線偏光は、4分の1波長板460を通過するときに円偏光に変換され、円偏光が複数のミラー421により反射されるようになっている。光軸に関して所望のオフセット角度を有する反射された複数のビームは、円偏光をp偏光に変換する4分の1波長板460を通過する。複数のp偏光ビーム417は、更に偏光子450を通って伝えられ、更にフライアイ集積器の複数の光学チャネルの寸法及び形状に適合された角度スペクトルを生成する第2回折光学エレメント490に入射する。この態様において、全ての複数の個別レーザービーム417は、光源と第2回折エレメント490の間で本質的に同じ光路長を有し、これは照明系の視野面又はその近傍に配置される。それゆえ、この面は、照明系で起こる光学イメージングに関する全ての複数のビームに対して同一である。偏光ビームスプリッタを備えた同様な複数の配置は、上記された幾つかの又は全ての態様で使用されても良い。
図5及び10の態様において、ミラー配置320、420は、照明系の第1拡散エレメントとみなされ得る。これはミラー配置の複数の個別ミラーの構成及び設定に応じて光の特定の分布が生成されるためである。第2回折光学エレメント390、490は、第2拡散エレメントとみなされ得る。これは特定の角度分布がこのエレメントにより生成されるためである。ミラー配置の下流に第2回折光学エレメントを配置することにより、第1拡散エレメント320、420により生成された角度分布は、光学的遠視野における(瞳孔形状面における)第2拡散エレメント390、490により生成された角度分布で光学的に折りたたまれる。第1拡散エレメント320、420は、本質的にコリメートされたレーザービームで照明され、照明系の第1視野面となりうる照明系の視野面の近傍に位置付けられる。第2拡散エレメント390、490は、視野面とこの視野面にフーリエ共役された照明系の瞳孔面との間に位置付けられ、そこに第1拡散体が位置付けられる。第1拡散エレメントが動的エレメントとして構成され、そこで評価関数が制御装置の作動により動的に制御され得るのが特徴的な構成である。
多くの個別ミラーを備えたミラー配置を含む光学変調器の態様を有するマイクロリソグラフィ投影露光系のための照明系の態様の概略上面図を示す。 ミラー配置の機能を説明するための概略図を示す。 照明系の単純な態様を示し、そこでは所望の光分布が光学投影エレメント無しで光学変調器の遠視野に生成されている。 マイクロリソグラフィ投影露光系のための照明系のもう1つの態様の概観を示し、そこでは光学変調器が制御可能な複数の回折格子のラスタ配置と光混合器として役立つ瞳孔形状表面に配置されたラスタエレメントを含む。 光をアレイタイプ光学変調器に集中させるための及びフライアイコンデンサの複数の光学チャネルに適合された複数の光スポットを形成するための複数の回折光学エレメントを備えた光分布器を有するマイクロリソグラフィ投影露光系のための照明系のもう1つの態様の概観を示す。 図5による態様のフライアイコンデンサの入口側の複数の光分布の概略図を示す。 図5による態様のフライアイコンデンサの入口側の複数の光分布の概略図を示す。 図5による態様のフライアイコンデンサの入口側の複数の光分布の概略図を示す。 図5による態様のフライアイコンデンサの入口側の複数の光分布の概略図を示す。 偏光ビームスプリッタを含む照明系のもう1つの態様の断面を示す。

Claims (29)

  1. 主光源からの光で照明視野を照明するためのマイクロリソグラフィ投影露光系のための照明系であって、
    光軸(12、11、212、312)と、
    主光源(11、111、211、311)からの光を受光するための、かつ、照明系の瞳孔形状表面(31、131、231、331)で様々に設定され得る二次元強度分布(35)を生成するための光分布器(25、125、225、325)を含み、
    光分布器が少なくとも1つの光学変調器(20、120、220、320、420)を有していて光学変調器に入射する光の角度分布を制御可能に変化させ、
    光学変調器(20、120、220、320、420)が、複数の個別エレメントのアレイ(21、121、221、321、421)を有していて、複数の個別エレメントに入射する放射の角度を変化させるために駆動され得て、
    光源と光学変調器の間に光学装置(15、215、315)が配置されていて、光学装置へ入射する放射を光学変調器(20、220、320、420)の複数の個別エレメント(21、221、321、421)上に集中させ、
    アキシコン系が、光学変調器(20、220)と瞳孔形状表面(31、231)の間に配置されていることを特徴とする照明系。
  2. 光学装置(15、215)が複数の望遠鏡レンズ系(16)を有する二次元アレイを含む請求項1に記載の照明系。
  3. 光学装置が、入射ビームを光学変調器の複数の個別光学エレメントに集中された複数の光ビームに変換するための回折光学アレイ生成器(315)を含み、
    好ましくは、前記回折光学アレイ生成器(315)が、ダマングリッドとして構成される請求項1に記載の照明系。
  4. 光学変調器が、組み立てられていて、かつ、光学変調器に入射する実質的に全ての光の強度が瞳孔形状表面(31、131、231、331)の使用可能な領域に偏向されるように制御され得る請求項1から3のいずれか1項に記載の照明系。
  5. 光学変調器(20、120、220、320)と瞳孔形状表面(31、231、331)の間に光学系(30、230、330)が設けられていて、光学変調器により生成された角度分布を瞳孔形状表面(31、231、331)の空間分布に変換し、
    好ましくは、光学系(30、231)が、様々に設定され得る、及び、好ましくは連続的に設定され得る焦点距離を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の照明系。
  6. 光学変調器が、反射光学変調器(20、120、220、320、420)として構成されていて、これが好ましくは偏向ミラーの方式で光軸(12、112、212、312)に関して斜めに配置されている請求項1〜のいずれか1項に記載の照明系。
  7. 光学変調器(20、120、220)と瞳孔形状表面(31、131、231)の間に、瞳孔形状表面(31、131、231)の領域の角度分布に属する光軸(12、112、212)と複数の光ビームの間の複数の角度が約5°、とくに約3°より小さくなるように選択された光学距離がある請求項1〜のいずれか1項に記載の照明系。
  8. 光学変調器が、少なくとも1つのミラー配置(20、120、320、420)を有していて、ミラー配置に入射する光の角度分布を変化させる目的で個別に制御され得る複数の個別ミラー(21、121、321、421)のアレイを有する請求項1〜のいずれか1項に記載の照明系。
  9. 複数の個別ミラーのうちの少なくとも幾つか、とくに全ての複数の個別ミラー(21)が、平坦なミラー表面を有する請求項に記載の照明系。
  10. 複数の個別ミラーのうちの少なくとも幾つか、とくに全ての複数の個別ミラーが、有限のミラー焦点距離を有する複数のカーブしたミラーとして形成され、複数の個別ミラーに入射する放射が実質的に焦点合わせされた形状で瞳孔形状表面に当たるようにミラー焦点距離が好ましくは寸法決めされている請求項又はに記載の照明系。
  11. ミラー配置(20、120)の複数の個別ミラーが、全て同じ形状及び寸法を有する請求項10に記載の照明系。
  12. 複数の個別ミラーが、第1ミラー群と少なくとも第2ミラー群を含み、その各々が1又はそれより多い個別ミラーを有し、複数のミラー群の複数の個別ミラーが異なる寸法及び/又は異なる形状及び/又は異なる曲率を有する請求項10のいずれか1項に記載の照明系。
  13. ミラー配置の複数の個別ミラーのうちの少なくとも幾つかが、個別ミラーから反射された放射の分布を形成するための光学構造、とくに回折光学構造を有する請求項12のいずれか1項に記載の照明系。
  14. ミラー配置(20、120、320、420)の複数の個別ミラーが、ミラー配置の他の複数の個別ミラーに対して、好ましくは互いに関して横断的に通る2つの傾斜軸の周りに、傾斜され得る請求項13のいずれか1項に記載の照明系。
  15. 光学変調器(220)が、制御可能な複数の回折格子として及び/又は複数の音響光学エレメントとして形成された複数の個別エレメント(221)のアレイを有する電気光学エレメント(220)として構成される請求項1〜のいずれか1項に記載の照明系。
  16. 瞳孔形状表面(31)と照明視野の面(65)との間に、光の強度分布を混合するための光混合器(45、380)が配置されている請求項1〜15のいずれか1項に記載の照明系。
  17. 光混合器が、入口表面(44)を有する少なくとも1つの集積ロッド(45)を含み、瞳孔形状表面(31)が、好ましくは入口表面の上流に位置付けられていて入口表面に対してフーリエ変換された面として構成される面の領域にある請求項16に記載の照明系。
  18. 光混合器が、入口表面を有する少なくとも1つのフライアイコンデンサ(380)を含み、瞳孔形状表面が好ましくは入口表面又は入口表面に関して光学的に共役した表面の領域にある請求項16に記載の照明系。
  19. フライアイコンデンサ(380)の複数の個別放射チャネルが実質的に完全に放射され又は実質的に完全に非放射となるように、光学変調器を制御することにより特徴付けられる請求項18に記載の照明系。
  20. 光分布器が、光学変調器と瞳孔形状表面の間に光学的に配置された少なくとも1つの回折光学エレメント(390、490)を有していて、光学変調器から出る光を受光するとともに回折光学エレメントの構成により定義された評価関数による角度分布を導入することにより光を修正し、
    光学変調器の個別エレメントから出るビームが、回折光学エレメントにより造形されて単独の光学チャネル又はフライアイコンデンサの複数の隣接した光学チャネルの群の形状及び寸法に一致するように、好ましくは、回折光学エレメント(390、490)が構成される請求項18又は19に記載の照明系。
  21. 回折光学エレメント(390、490)がコンピュータ生成ホログラム(CGH)として構成される請求項20に記載の照明系。
  22. フライアイコンデンサ(380)が、複数の放射チャネルの個別ブロックのためにマスクがされていない請求項18〜21のいずれか1項に記載の照明系。
  23. フライアイコンデンサも集積ロッドも、瞳孔形状表面(231)と照明視野の面(265)の間に配置されていない請求項1〜15のいずれか1項に記載の照明系。
  24. 瞳孔形状表面(231)に又はその近傍に、ラスタエレメント(232)が配置されていて照明系の後に続く視野面(250)に強度分布を造形及び均質化する請求項1〜23のいずれか1項に記載の照明系。
  25. 光学変調器の複数の個別エレメント(21、121、221、321)を駆動する目的で、複数の個別エレメントを制御するための複数の制御信号が露出されるべきマスク(66)の構造の機能として変化され得るように構成された制御装置(22、122、222、322)が設けられている請求項1〜24のいずれか1項に記載の照明系。
  26. 複数の半導体コンポーネント及び他の複数の微細構造コンポーネントを製造する方法であって、
    光学変調器に入射する放射の角度分布を変化させる目的で個別に制御され得る多くの個別エレメントを有する少なくとも1つの光学変調器を有する照明系の助けにより投影対物レンズの物平面に配置されたレチクルを照明する工程を含み、
    光電性物質にレチクルの像を生成する工程を含み、
    レチクルを照明する工程が、少なくとも2つの個別エレメントの互いに関するそれぞれの設定を用い、アキシコン系により光学偏重装置から出る角度分布を変換することによって、レチクルに入射する光の角度分布を設定する工程を含む方法。
  27. 光学変調器が、個別に制御され得る多くの個別ミラーを有するミラー配置を含み、複数の個別エレメントの相対的な設定の工程が、1又はそれより多い傾斜軸の周りで他の複数の個別ミラーに関して複数の個別ミラーの少なくとも1つを傾斜する工程を含む請求項26に記載の方法。
  28. 光学変調器が、個別に制御され得る多くの回折格子を有し、相対的な設定の工程が少なくとも2つの回折格子の回折効果の異なる変化を含む請求項26に記載の方法。
  29. 照明系が多くの放射チャネルを有するフライアイコンデンサを含み、複数の放射チャネルが実質的に完全に照明されるか又は実質的に完全に非照明となるように複数の個別エレメントが制御される請求項26〜28のいずれか1項に記載の方法。
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Families Citing this family (203)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101163435B1 (ko) 2003-04-09 2012-07-13 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI412067B (zh) 2004-02-06 2013-10-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006114294A2 (en) * 2005-04-26 2006-11-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithgraphic exposure apparatus
EP3232270A3 (en) 2005-05-12 2017-12-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
DE102006027787A1 (de) 2005-07-05 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage und Betriebsmethode dieser
US7525642B2 (en) 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI467255B (zh) * 2006-03-27 2015-01-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置以及元件製造方法
DE102006032810A1 (de) 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
DE102006038643B4 (de) 2006-08-17 2009-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
WO2008061681A2 (de) * 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
WO2008086827A1 (en) 2007-01-16 2008-07-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system therefor
DE102007005875A1 (de) 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen
EP2511765B1 (de) 2007-02-06 2019-04-03 Carl Zeiss SMT GmbH Regelvorrichtung zur Regelung einer flächigen Anordnung individuell ansteuerbarer Strahlablenkungselemente in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2008101664A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Carl Zeiss Smt Ag Optical element with multiple primary light sources
US9250536B2 (en) 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8937706B2 (en) * 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2008131930A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Carl Zeiss Smt Ag Mirror matrix for a microlithographic projection exposure apparatus
CN101669071B (zh) * 2007-04-25 2012-03-21 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统
DE102007027083A1 (de) * 2007-06-12 2008-12-18 Carl Zeiss Sms Gmbh Mikroskopbeleuchtung
DE102008040742A1 (de) 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung
CN101796460B (zh) 2007-08-30 2013-05-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
DE102007043958B4 (de) * 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102008041593A1 (de) 2007-10-09 2009-04-16 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
WO2009050976A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2179329A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010004008A (ja) * 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
EP2219206A4 (en) 2007-11-06 2011-04-27 Nikon Corp CONTROL DEVICE, EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE DEVICE
US9116346B2 (en) * 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101644660B1 (ko) * 2007-11-06 2016-08-01 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치 및 노광 장치
JP5326259B2 (ja) 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US8040492B2 (en) * 2007-11-27 2011-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
TW200929333A (en) * 2007-12-17 2009-07-01 Nikon Corp Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102008054582A1 (de) 2007-12-21 2009-07-09 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP2388650B1 (en) * 2007-12-21 2013-11-20 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
KR101591610B1 (ko) 2008-02-15 2016-02-03 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
DE102008009601A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
WO2009135586A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising a fourier optical system
DE102008035320A1 (de) 2008-07-25 2010-01-28 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Beleuchtungssystem sowie Fourieroptiksystem
DE102008023763A1 (de) 2008-05-09 2009-11-12 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Beleuchtungssystem sowie Fourieroptiksystem
WO2009145048A1 (ja) * 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008028416A1 (de) * 2008-06-17 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Halbleiterlitographie und Projektionsbelichtungsanlage
EP2146248B1 (en) * 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102008040611A1 (de) 2008-07-22 2010-01-28 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Modifizieren einer Polarisationsverteilung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102009025362A1 (de) 2008-08-01 2010-02-04 Carl Zeiss Smt Ag Variabel einstellbare Streuscheibe für Projektionsbelichtungsanlage
JPWO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2012-01-26 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2169464A1 (en) 2008-09-29 2010-03-31 Carl Zeiss SMT AG Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5365982B2 (ja) * 2008-10-02 2013-12-11 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008050446B4 (de) * 2008-10-08 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Verfahren und Vorrichtungen zur Ansteuerung von Mikrospiegeln
WO2010041522A1 (ja) * 2008-10-08 2010-04-15 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010044307A1 (ja) * 2008-10-15 2010-04-22 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008054844B4 (de) * 2008-12-17 2010-09-23 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren
DE102008064504B4 (de) * 2008-12-22 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
EP2202580B1 (en) 2008-12-23 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5397748B2 (ja) * 2009-02-25 2014-01-22 株式会社ニコン 露光装置、走査露光方法、およびデバイス製造方法
WO2010102649A1 (en) 2009-03-13 2010-09-16 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus
KR101646814B1 (ko) * 2009-03-19 2016-08-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
DE102009015393B3 (de) * 2009-03-20 2010-09-02 Carl Zeiss Smt Ag Messverfahren und Messsystem zur Messung der Doppelbrechung
JP5357617B2 (ja) * 2009-04-22 2013-12-04 株式会社オーク製作所 露光装置
DE102009030502A1 (de) 2009-06-24 2010-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
US8164046B2 (en) 2009-07-16 2012-04-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus
CN102472974B (zh) 2009-07-17 2014-05-07 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备以及测量有关包含在其中的光学表面的参数的方法
WO2011012148A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical beam deflecting element and method of adjustment
DE102009037112B4 (de) * 2009-07-31 2012-10-25 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Optisches System zum Erzeugen eines Lichtstrahls zur Behandlung eines Substrats
DE102009048553A1 (de) 2009-09-29 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren
DE102009045217B3 (de) 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv
DE102009045219A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
JP2011108851A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
JP5598733B2 (ja) * 2009-12-23 2014-10-01 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2011096453A1 (ja) 2010-02-03 2011-08-11 株式会社ニコン 照明光学装置、照明方法、並びに露光方法及び装置
EP2354853B1 (en) 2010-02-09 2013-01-02 Carl Zeiss SMT GmbH Optical raster element, optical integrator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5842808B2 (ja) * 2010-02-20 2016-01-13 株式会社ニコン 瞳強度分布を調整する方法
DE102011003066A1 (de) 2010-02-26 2011-09-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum belastungsgerechten Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage sowie entsprechende Projektionsbelichtungsanlage
EP2369413B1 (en) * 2010-03-22 2021-04-07 ASML Netherlands BV Illumination system and lithographic apparatus
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
TWI397708B (zh) * 2010-04-06 2013-06-01 Ind Tech Res Inst 太陽能電池之量測系統和太陽光模擬器
JP2013527988A (ja) 2010-05-06 2013-07-04 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
DE102010021539B4 (de) 2010-05-19 2014-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Blenden
NL2006625A (en) 2010-05-26 2011-11-29 Asml Netherlands Bv Illumination system and lithographic apparatus.
DE102010029339A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102010029905A1 (de) 2010-06-10 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010025222A1 (de) 2010-06-23 2011-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Spiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Spiegelanordnung und Verfahren zur Ansteuerung einer steuerbaren Spiegelanordnung
JP5727005B2 (ja) 2010-07-01 2015-06-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系及びマルチファセットミラー
DE102011078231A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Ortsauflösende Lichtmodulationseinrichtung sowie Beleuchtungssystem mit ortsauflösender Lichtmodulationseinrichtung
WO2012025132A1 (en) 2010-08-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Multi facet mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5850267B2 (ja) 2010-08-30 2016-02-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
WO2012034571A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102011080614A1 (de) 2010-09-27 2012-04-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR101528397B1 (ko) 2010-12-28 2015-06-11 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
KR101807691B1 (ko) * 2011-01-11 2017-12-12 삼성전자주식회사 3차원 디스플레이장치
JP6016169B2 (ja) * 2011-01-29 2016-10-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
NL2008009A (en) * 2011-02-02 2012-08-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method.
KR101758958B1 (ko) 2011-02-28 2017-07-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
DE102011005483A1 (de) 2011-03-14 2012-09-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011005840A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Mehrfachspiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung sowie Verfahren zum Betreiben einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung
JP5868492B2 (ja) 2011-05-06 2016-02-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
CN102789134B (zh) * 2011-05-18 2014-10-29 上海微电子装备有限公司 一种优化曝光系统性能的方法
DE102011076436B4 (de) 2011-05-25 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102011076434A1 (de) 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
TWI416037B (zh) * 2011-05-31 2013-11-21 Global Fiberoptics Inc 利用傅立葉轉換之圖案化固態表面發光的小型化混光照明裝置
DE102011079777A1 (de) 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
DE102011084152A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung der Intensitätsverteilung in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie optisches System
DE102011084637A1 (de) 2011-10-17 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie Beleuchtungseinrichtung
KR102170875B1 (ko) * 2011-10-24 2020-10-28 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP5950538B2 (ja) * 2011-10-26 2016-07-13 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置
DE102011085334A1 (de) 2011-10-27 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5918858B2 (ja) 2011-11-15 2016-05-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の光変調器及び照明系
DE102011088740A1 (de) 2011-12-15 2013-01-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, sowie Verfahren zum Manipulieren des thermischen Zustandes eines optischen Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012200371A1 (de) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012200370A1 (de) 2012-01-12 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines polarisationsbeeinflussenden optischen Elements, sowie polarisationsbeeinflussendes optisches Element
JP5672254B2 (ja) * 2012-02-21 2015-02-18 ウシオ電機株式会社 コヒーレント光源装置およびプロジェクタ
DE102012203944A1 (de) * 2012-03-14 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Justage eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012205045A1 (de) 2012-03-29 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP6049043B2 (ja) 2012-03-29 2016-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光系のチャネルの欠陥を補償するための装置及び方法
DE102012206148A1 (de) 2012-04-16 2013-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zur Justage eines optischen Systems
DE102012206154A1 (de) 2012-04-16 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012206150B9 (de) 2012-04-16 2014-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012206287A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012211846A1 (de) 2012-07-06 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Messen einer winkelaufgelösten Intensitätsverteilung sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102012212864A1 (de) 2012-07-23 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012212852A1 (de) 2012-07-23 2013-09-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012213553A1 (de) 2012-08-01 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012214052A1 (de) 2012-08-08 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102012214198A1 (de) 2012-08-09 2013-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012216532A1 (de) 2012-09-17 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012217769A1 (de) 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012218221A1 (de) 2012-10-05 2014-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem
WO2014056513A1 (en) 2012-10-08 2014-04-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
KR101992516B1 (ko) 2012-10-08 2019-06-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 장치의 작동 방법
CN102880014A (zh) * 2012-10-11 2013-01-16 中国科学院光电技术研究所 一种基于能动光学技术的能动变形镜的光刻照明装置及照明方法
WO2014063719A1 (en) 2012-10-27 2014-05-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microliteographic projection exposure apparatus
DE102012220596A1 (de) * 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102012223230A1 (de) 2012-12-14 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012223217B9 (de) * 2012-12-14 2014-07-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102013200137A1 (de) 2013-01-08 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US9581910B2 (en) 2013-01-17 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2014111098A1 (en) 2013-01-17 2014-07-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013201133A1 (de) 2013-01-24 2014-07-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
CN103092006B (zh) * 2013-01-25 2015-02-18 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻照明系统
DE102013202656A1 (de) 2013-02-19 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102013204391B3 (de) * 2013-03-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator
US9651872B2 (en) 2013-03-13 2017-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
US9298102B2 (en) 2013-03-13 2016-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
DE102013204453B4 (de) 2013-03-14 2019-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente
US8922753B2 (en) 2013-03-14 2014-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013212613B4 (de) 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102013214459B4 (de) 2013-07-24 2015-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102013221365A1 (de) 2013-10-22 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungs-anlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102013223935A1 (de) * 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie
EP2876499B1 (en) 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US9594240B2 (en) 2013-12-06 2017-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus, and optical inspection apparatus and optical microscope using the lighting apparatus
DE102014201622A1 (de) 2014-01-30 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements
DE102014203041A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102014203144A1 (de) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5860494B2 (ja) * 2014-03-05 2016-02-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
DE102015207154A1 (de) 2014-05-09 2015-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator
DE102014212711A1 (de) 2014-07-01 2016-01-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Plattenförmiges optisches Element, optischer Manipulator, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage
DE102014212710A1 (de) 2014-07-01 2016-01-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Manipulator, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage
DE102014219112A1 (de) 2014-09-23 2016-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie Hohlwellenleiter-Komponente hierfür
DE102014219648A1 (de) 2014-09-29 2015-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements
DE102015202800A1 (de) 2015-02-17 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2016180542A1 (en) 2015-05-13 2016-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102015209051B4 (de) 2015-05-18 2018-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator sowie Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
DE102015214477A1 (de) 2015-07-30 2016-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
JP6643466B2 (ja) 2015-09-23 2020-02-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を動作させる方法およびそのような装置の照明システム
DE102015225510A1 (de) 2015-12-16 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelelement, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP6193963B2 (ja) * 2015-12-18 2017-09-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
DE102016205618A1 (de) 2016-04-05 2017-03-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator, Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
DE102017204619A1 (de) 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102016220669A1 (de) 2016-10-21 2017-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102016223657A1 (de) 2016-11-29 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102016224400A1 (de) 2016-12-07 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016224403A1 (de) 2016-12-07 2017-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsverfahren
DE102017209440A1 (de) 2017-06-02 2018-12-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie
DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102017210206A1 (de) 2017-06-19 2018-04-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102017210218A1 (de) 2017-06-20 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017211864A1 (de) 2017-07-11 2018-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP7020859B2 (ja) * 2017-10-24 2022-02-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品の製造方法
JP7356439B2 (ja) * 2018-04-03 2023-10-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 光ビームの空間変調
DE102018205315B4 (de) * 2018-04-09 2024-06-20 Clay Paky S.R.L. Optisches System mit Diffusoren und Wabenkondensoren
DE102018212400A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines optischen Elements in einem optischen System für die Mikrolithographie
DE102018218496A1 (de) 2018-10-29 2018-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Manipulieren der Systemretardierung in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
CN111949067B (zh) * 2019-05-14 2023-04-18 中国科学院上海光学精密机械研究所 达曼卷积光计算机
DE102020204669A1 (de) 2020-04-14 2021-10-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems
DE102020209141A1 (de) 2020-07-21 2022-01-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems für die Mikrolithographie, sowie optisches System
DE102020211359A1 (de) 2020-09-10 2022-03-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems für die Mikrolithographie
DE102022208651A1 (de) 2022-01-12 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems für die Mikrolithographie
DE102022205143A1 (de) 2022-05-24 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element sowie Baugruppe und optisches System damit
DE102022209398A1 (de) 2022-09-09 2023-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, sowie Verfahren zur thermischen Beeinflussung eines optischen Elements
DE102022212279A1 (de) 2022-11-18 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems
DE102022212277A1 (de) 2022-11-18 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525728A (ja) * 1998-09-15 2002-08-13 クゥアルコム・インコーポレイテッド 無線通信システムにおけるイベント自動検知のための方法及び装置
JP2002231619A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US20020136351A1 (en) * 2000-10-27 2002-09-26 Wolfgang Singer Illumination system with variable adjustment of the illumination
JP2003022967A (ja) * 2001-06-01 2003-01-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5638211A (en) * 1990-08-21 1997-06-10 Nikon Corporation Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system
US7656504B1 (en) * 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
US6252647B1 (en) * 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5305054A (en) 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
JPH06302491A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Nikon Corp 露光量制御装置
US6285443B1 (en) * 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
US5453814A (en) * 1994-04-13 1995-09-26 Nikon Precision Inc. Illumination source and method for microlithography
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
KR100505202B1 (ko) * 1995-09-27 2005-11-25 칼 짜이스 에스엠테 아게 줌장치
US5691541A (en) * 1996-05-14 1997-11-25 The Regents Of The University Of California Maskless, reticle-free, lithography
US5870176A (en) * 1996-06-19 1999-02-09 Sandia Corporation Maskless lithography
JPH113849A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
US6055106A (en) * 1998-02-03 2000-04-25 Arch Development Corporation Apparatus for applying optical gradient forces
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
DE19809395A1 (de) * 1998-03-05 1999-09-09 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem und REMA-Objektiv mit Linsenverschiebung und Betriebsverfahren dafür
US6281993B1 (en) * 1998-03-30 2001-08-28 International Business Machines Corporation Phase shifting element for optical information processing storing systems
US6438199B1 (en) * 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
US6469827B1 (en) * 1998-08-06 2002-10-22 Euv Llc Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser
US6213610B1 (en) * 1998-09-21 2001-04-10 Nikon Corporation Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same
US6567205B1 (en) * 1998-12-11 2003-05-20 Basys Print Systeme Fuer Die Druckindustrie Exposure device
US6392742B1 (en) * 1999-06-01 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and projection exposure apparatus
DE19944760A1 (de) 1999-09-17 2001-03-22 Basys Print Gmbh Systeme Fuer Vorrichtung und Verfahren zur Kompensation von Inhomogenitäten bei Abbildungssystemen
US6671035B2 (en) * 1999-09-29 2003-12-30 Asml Netherlands B.V. Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
WO2001091342A2 (en) * 2000-05-24 2001-11-29 Purdue Research Foundation Method and system for polarization control and polarization mode dispersion compensation for wideband optical signals
US6624880B2 (en) * 2001-01-18 2003-09-23 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for microlithography
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
US6700644B2 (en) * 2002-06-05 2004-03-02 Euv Llc Condenser for photolithography system
EP1426823A1 (en) 2002-12-02 2004-06-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525728A (ja) * 1998-09-15 2002-08-13 クゥアルコム・インコーポレイテッド 無線通信システムにおけるイベント自動検知のための方法及び装置
US20020136351A1 (en) * 2000-10-27 2002-09-26 Wolfgang Singer Illumination system with variable adjustment of the illumination
JP2002231619A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003022967A (ja) * 2001-06-01 2003-01-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品

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