CN101335235B - 基板的分割方法 - Google Patents

基板的分割方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101335235B
CN101335235B CN2007101823487A CN200710182348A CN101335235B CN 101335235 B CN101335235 B CN 101335235B CN 2007101823487 A CN2007101823487 A CN 2007101823487A CN 200710182348 A CN200710182348 A CN 200710182348A CN 101335235 B CN101335235 B CN 101335235B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor substrate
substrate
field
cutting
starting point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2007101823487A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101335235A (zh
Inventor
藤井义磨郎
福世文嗣
福满宪志
内山直己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27800279&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN101335235(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN101335235A publication Critical patent/CN101335235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101335235B publication Critical patent/CN101335235B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。

Description

基板的分割方法
本申请是2003年3月6日递交的发明名称为“基板的分割方法”的申请03805866.9的分案申请
技术领域
本发明涉及在半导体装置制造工序等中，用于分割半导体基板等的基板的基板分割方法。
背景技术
随着近年来半导体装置的小型化，半导体装置的制造工序中，有时半导体基板的厚度可薄型化至数十μm左右。用刀片切断分割这样薄型化的半导体基板时，与半导体基板较厚的情况相比，存在以下问题：碎屑或破裂的发生增加、通过分割半导体基板而得到的半导体芯片的成品率减低。
作为解决这类问题的半导体基板的分割方法，已知有在特开昭64-38209号公报及特开昭62-4341号公报中记载的方法。
这些公报中记载的方法就是，对表面形成功能元件的半导体基板，从该表面侧用刀片开槽，然后，在该表面贴附粘接片并保持半导体基板，通过研磨半导体基板的背面直至预先形成的槽，对半导体基板进行薄型化处理，同时，将半导体基板分割。
发明内容
但是，按照上述公报中记载的方法，用平面研削进行半导体基板的背面的研磨时，平面研削面在到达预先形成于半导体基板的槽时，在该槽的侧面有发生碎屑或破裂的危险。
因此，本发明是针对这类问题提出的，目的在于提供能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。
为实现上述目的，与本发明相关的基板的分割方法，其特征在于，具有：在基板内部使聚光点聚合并照射激光，在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领域，利用该调质领域，在距基板的激光入射面规定距离内侧，沿基板的切割预定线，形成切割起点领域的工序，以及形成切割起点领域工序后，研磨基板至规定的厚度的工序。
按照该基板的分割方法，在形成切割起点领域的工序中，在基板内部使聚光点聚合并照射激光，在基板内部使称为多光子吸收的现象发生，形成调质领域，因此，可利用该调质领域，在基板内部沿应切割基板的期望的切割预定线，形成切割起点领域。在基板内部形成切割起点领域时，自然地或用较小的力、以切割起点领域作为起点、在基板的厚度方向发生裂口。
而且，在研磨基板的工序中，在基板内部形成切割起点领域后，研磨基板使基板厚度成为规定的厚度，此时，研磨面即使到达以切割起点领域作为起点发生的裂口，由于以该裂口切断的基板的切断面相互紧靠在一起，所以能防止研磨产生的基板的碎屑或破裂。
因此，能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割。
这里，所谓聚光点，是激光聚光的部位。此外，所谓研磨，包含切削、研削及化学蚀刻等。另外，所谓切割起点领域，是指基板切断时作为切割起点的领域。因此，切割起点领域是基板中预定切割的切割预定部。而且，切割起点领域，行时可通过连续地形成调质领域形成，有时可通过断续地形成调质领域形成。
此外，作为基板，有硅基板及GaAs基板等的半导体基板，及蓝宝石基板和AlN基板等的绝缘基板。而且，作为基板为半导体基板时的调质领域，有例如经过溶融处理的领域。
此外，优选在基板表面形成功能元件，在研磨基板的工序中，研磨基板背面。由于能在功能元件形成后研磨基板，例如就能对应于半导体装置的小型化，获得薄型化的芯片。这里，所谓功能元件，是指光电二极管等的受光元件及激光二极管等的发光元件，或作为电路形成的电路元件等。
此外，研磨基板的工序，优选包含在基板背面实施化学蚀刻的工序。在基板背面实施化学蚀刻时，当然能使基板背面更加平滑，但由于以切割起点领域作为起点发生的裂口引起的基板的切断面相互紧靠在一起，所以，仅对该切断面的背面侧的边缘部有选择地进行蚀刻，取倒角状态。因此，可使分割基板获得的芯片的抗折强度提高，同时，可防止芯片中的碎屑或破裂的发生。
附图说明
图1是采用本实施方式的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。
图2是图1所示的加工对象物的沿II-II线的截面图。
图3是采用本实施方式的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。
图4是图3所示的加工对象物的沿IV-IV线的截面图。
图5是图3所示的加工对象物的沿V-V线的截面图。
图6是采用本实施方式的激光加工方法切割的加工对象物的平面图。
图7是表示本实施方式的激光加工方法中的电场强度与裂口点的大小的关系的图形。
图8是本实施方式的激光加工方法的第1工序中的加工对象物的截面图。
图9是本实施方式的激光加工方法的第2工序中的加工对象物的截面图。
图10是本实施方式的激光加工方法的第3工序中的加工对象物的截面图。
图11是本实施方式的激光加工方法的第4工序中的加工对象物的截面图。
图12是展示采用本实施方式的激光加工方法切割的硅基板的一部分中的断面照片的图。
图13是表示本实施方式的激光加工方法中的激光的波长与硅基板内部的透过率的关系的图形。
图14是与实施例1相关的激光加工装置的概略构成图。
图15是说明与实施例1相关的激光加工方法用的流程图。
图16是展示形成与实施例1相关的切割起点领域的工序后的半导体基板的图。
图17是说明贴附与实施例1相关的保护膜的工序用的图。
图18是说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序用的图。
图19是说明贴附与实施例1相关的扩张膜的工序用的图。
图20是说明剥去与实施例1相关的保护膜的工序用的图。
图21是说明扩张与实施例1相关的扩张膜，分拣半导体芯片的工序用的图。
图22是展示研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面背面侧的边缘部形成的倒角的图。
图23A用来说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面内残留溶融处理领域时，研磨半导体基板的工序前裂口到达表面的情况的图。
图23B用来说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面内残留溶融处理领域时，研磨半导体基板的工序前裂口未到达表面的情况的图。
图24A用来说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面内未残留溶融处理领域时，研磨半导体基板的工序前裂口到达表面的情况的图。
图24B用来说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面内未残留溶融处理领域时，研磨半导体基板的工序前裂口未到达表面的情况的图。
图25A用来说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面的背面侧的边缘部残留溶融处理领域时，研磨半导体基板的工序前裂口到达表面的情况的图。
图25B用来说明研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后在半导体芯片的切断面的背面侧的边缘部残留溶融处理领域时，研磨半导体基板的工序前裂口未到达表面的情况的图。
图26A是研磨与实施例1相关的半导体基板的工序前的半导体基板的周边部的截面图。
图26B是研磨与实施例1相关的半导体基板的工序后的半导体基板的周边部的截面图。
图27是与实施例2相关的蓝宝石基板的平面图。
图28是说明形成与实施例2相关的切割起点领域的工序用的截面图。
图29是说明形成与实施例2相关的功能元件的工序用的截面图。
图30是说明贴附与实施例2相关的保护膜的工序用的截面图。
图31是说明研磨与实施例2相关的蓝宝石基板的工序用的截面图。
图32是说明贴附与实施例2相关的扩张膜的工序用的截面图。
图33是说明用紫外线照射与实施例2相关的保护膜的工序用的截面图。
图34是说明剥去与实施例2相关的保护膜的工序用的截面图。
图35是说明扩张与实施例2相关的扩张膜、分离半导体芯片的工序用的图。
具体实施方式
以下，结合附图，对适用于本发明的实施方式，进行详细说明。本实施方式的基板的分割方法具有：在基板的内部使聚光点聚合并照射激光，利用在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域的工序后，将基板研磨至规定的厚度的工序。
首先，对形成切割起点领域的工序中所实施的基板的分割方法，特别是针对多光子吸收，进行说明。
光子的能量hv低于材料的吸收带隙EG，光学上呈透明。因此，材料产生吸收的条件是hv＞EG。但是，即使光学上呈透明，在激光的强度非常大时，以nhv＞EG的条件(n＝2，3，4…)，材料中会产生吸收。这一现象被称为多光子吸收。如果是脉冲波，激光的强度由激光在聚光点的最大功率密度(W/cm2)决定。例如，最大功率密度在1×108(W/cm2)以上时，产生多光子吸收。最大功率密度可通过(聚光点上的激光的每1脉冲的能量)÷(激光的束光点断面积×脉冲宽度)求得。此外，如果是连续波，激光的强度由激光在聚光点的电场强度(W/cm2)决定。
参照图1～图6，对利用这样的多光子吸收的、本实施方式的激光加工原理进行说明。图1是激光加工中的基板1的平面图，图2是图1所示的基板1的沿II-II线的截面图，图3是激光加工后的基板1的平面图，图4是图3所示的基板1的沿IV-IV线的截面图，图5是图3所示的基板1的沿V-V线的截面图，图6是被切割的基板1的平面图。
如图1及图2所示，在基板1的表面3，有应切割基板1的所希望的切割预定线5。切割预定线5是沿直线状延伸的假设线(也可以在基板1上实际引线来作为切割预定线5)。本实施方式的激光加工，按产生多光子吸收的条件，在基板1的内部使聚光点P聚合，对基板1照射激光L并形成调质领域7。此外，所谓聚光点，是激光L聚光的部位。
通过沿切割预定线5(即，沿箭头A方向)使激光L作相对移动，使聚光点P沿切割预定线5移动。这样，如图3～图5所示，只在基板1的内部沿切割预定线5形成调质领域7，在该调质领域7形成切割起点领域(切割预定部)8。实施方式的激光加工方法并不是，通过基板1吸收激光L，导致基板1发热，而形成调质领域7。而是，在基板1上透过激光L，在基板1的内部发生多光子吸收，而形成调质领域7。因此，基板1的表面3几乎不吸收激光L，所以基板1的表面3不会溶融。
对基板1的切割，如果切割的部位有起点，基板1就从该起点切割，所以，如图6所示，可以用较小的力切割基板1。这样，就可以切割基板1，而不会在基板1的表面3上发生不必要的破裂。
此外，在以切割起点领域作为起点的基板的切割方面，可考虑以下2种情况。其一是，切割起点领域形成后，通过在基板上施加人为的力，以切割起点领域作为起点使基板破裂、对基板进行切割的情况。这是例如进行大厚度基板的切割。所谓施加人为的力是指，例如沿基板的切割起点领域在基板上施加弯曲应力及剪切应力，或对基板施加温差使热应力发生。其二是，通过形成切割起点领域，以切割起点领域作为起点，向基板的断面方向(厚度方向)自然破裂，最终对基板进行切割的情况。这是在例如进行小厚度基板的切割时，可利用1列的调质领域形成切割起点领域；在大厚度基板的情况下，可利用厚度方向上形成的多列调质领域，形成切割起点领域。此外，在该自然破裂的情况下，在切割部位，可在对应于没有形成切割起点领域的部位的部分的表面上不先行破裂，仅切割对应于形成切割起点领域的部位的部分，因此，能有效地控制切割。近年，硅基板等的基板的厚度越来越薄，所以，这样控制性好的切割方法非常见效。
本实施方式中，通过多光子吸收形成的调质领域，有以下的(1)～(3)种情况。
(1)调质领域为含有1个或多个裂口的裂口领域的情况
在基板(例如由玻璃及LiTaO3构成的压电材料)的内部使聚光点聚合，在聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上，且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光。该脉冲宽度的大小是，在使多光子吸收不断发生的同时，在基板的表面不发生无谓的损伤，并能仅在基板内部形成裂口领域的条件。由此，在基板内部发生由多光子吸收引起的所谓光学损伤的现象。由于该光学损伤，在基板内部引起热应变，而在基板的内部形成裂口领域。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选例如为1ns～200ns。此外，由多光子吸收生成的裂口领域的形成，例如，记载于第45次激光器热加工研究会论文集(1998年12月)第23页～第28页的“利用固体激光器高次谐波进行的玻璃基板的内部划线(marking)”。
本发明者通过实验求得电场强度与裂口的大小之问的关系。实验条件如下。
(A)基板：派热克斯(pyrex)玻璃(厚度700μm)
(B)激光器
光源：半导体激光器激励Nd：YAG激光器
波长：1064nm
激光点断面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉冲宽度：30ns
输出：输出＜1mJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(C)聚光用透镜
对激光波长的透过率：60％
(D)载置基板的载置台的移动速度：100mm/秒
此外，所谓激光品质TEM00，是表示聚光性高、可聚光至激光的波左右。
图7是表示上述实验的结果的图。横轴是最大功率密度，由于激光是脉冲激光，所以电场强度用最大功率密度表示。纵轴表示用1脉冲的激光在基板的内部形成的裂口部分(裂口点)的大小。破裂点聚集，就成为裂口领域。裂口点的大小，是裂口点的形状中的最大长度部分的大小。图中的黑点表示的数据，是聚光用透镜(C)的倍率为100倍，开口数(NA)为0.80时的数据。另外，图中的白点表示的数据，是聚光用透镜(C)的倍率为50倍，开口数(NA)为0.55时的数据。可知，从最大功率密度1011(W/cm2)左右开始，在基板的内部发生裂口点，随着最大功率密度变大、裂口点也变大。
下面，参照图8～图11，针对在本实施方式的激光加工中，通过形成裂口领域而切割基板的原理进行说明。如图8所示，在多光子吸收产生的条件下，使聚光点P聚合于基板1的内部，用激光L照射基板1，沿切割预定线在内部形成裂口领域9。裂口领域9包含1个或多个裂口。在该裂口领域9形成切割起点领域。如图9所示，以裂口领域9为起点(即，以切割起点领域为起点)，使裂口进一步成长，到达如图10所示的基板1的表面3及背面21，然后如图11所示，通过使基板1裂开来切割基板1。有时到达基板的表面及背面的裂口自然成长，有时则通过在基板上施加力而成长。
(2)调质领域为溶融处理领域的情况
在基板(例如硅那样的半导体材料)内部，使聚光点聚合，在聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上，且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光。由此，基板的内部通过多光子吸收，局部被加热。通过该加热，在基板内部形成溶融处理领域。所谓溶融处理领域，是一旦溶融后再固化的领域，或处于溶融状态的领域，或从溶融状态再固化的状态的领域，也可以说是相变化的领域和结晶构造变化的领域。此外，溶融处理领域，也可以说是单结晶构造、非结晶构造、多结晶构造中、某种构造变化为其它构造的领域。即，例如、是指从单结晶构造变化为非结晶构造的领域、从单结晶构造变化为多结晶构造的领域、从单结晶构造变化为包含非结晶构造和多结晶构造的领域。基板为硅单结晶构造时，溶融处理领域为例如非晶质硅构造。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选例如为1ns～200ns。
本案发明者，通过实验，确认在硅基板的内部，溶融处理领域形成。实验条件如下。
(A)基板：硅基板(厚度350μm，外径4英寸)
(B)激光器
光源：半导体激光器激励Nd：YAG激光器
波长：1064nmn
激光点断面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉冲宽度：30ns
输出：20μJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(C)聚光用透镜
倍率：50倍
N.A.：0.55
对激光波长的透过率：60％
(D)载置基板的载置台的移动速度：100mm/秒
图12表示以上述条件进行的激光加工切割的硅基板的一部分中的断面照片。在硅基板11的内部形成溶融处理领域13。此外，按照上述条件形成的溶融处理领域13，在厚度方向上的大小为100μm左右。
对通过多光子吸收形成溶融处理领域13进行说明。图13表示激光的波长与硅基板内部的透过率的关系。其中，表示了分别除去硅基板的表面侧与背面侧的反射成分，仅为内部的透过率。示出硅基板的厚度t分别为50μm、100μm、200μm、500μm、1000μm时的上述关系。
可知，例如，Nd：YAG激光器波长为1064nm、硅基板的厚度为500μm以下时，在硅基板的内部，激光透过80％以上。由于图12中的硅基板11的厚度为350μm，使多光子吸收生成的溶融处理领域13形成于硅基板的中心附近，即，距表面175μm的部分。此时的透过率，以厚度为200μm的硅基板作参考时为90％以上，所以、激光仅少量在硅基板11的内部被吸收，几乎都透过。这意味着，并不是在硅基板11的内部吸收激光、在硅基板11的内部形成溶融处理领域13(即，通过用激光进行的通常的加热形成溶融处理领域)，而是溶融处理领域13是通过多光子吸收形成的。通过多光子吸收形成溶融处理领域，可见于诸如熔接学会全国大会演讲概要第66集(2000年4月)的第72页～第73页的“用微微秒脉冲激光进行的硅的加工特性的评价”。
此外，以溶融处理领域形成的切割起点领域作为起点、使裂口向着断面方向发生，由于其裂口到达硅基板的表面及背面，最终使硅基板被切割。有时，到达硅基板的表面及背面的该裂口自然成长，有时则通过在硅基板上施加力成长。此外，裂口从切割起点领域开始，在硅基板的表面及背面自然成长的情况，无外乎是形成切割起点领域的溶融处理领域从溶融状态使裂口成长的情况，或是形成切割起点领域的溶融处理领域从溶融状态再固化时使裂口成长的情况。其中，无论哪一种情况，溶融处理领域都只在硅基板的内部形成，在切割后的切割面上，如图12所示，只在内部形成溶融处理领域。在基板的内部，在溶融处理领域形成切割起点领域时，由于难以在切割时，在切割起点领域线外发生不必要的破裂，因此使切割控制变得容易。
(3)调质领域为折射率变化领域的情况
在基板(例如玻璃)的内部，使聚光点聚合，在聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上，且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光。当脉冲宽度极短，在基板的内部发生多光子吸收时，多光子吸收产生的能不转化为热能、在基板的内部引起离子价数变化、结晶化或分极配向等恒久的构造变化，形成折射率变化领域。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选例如为1ns以下，1ps以下则更好。由多光子吸收使折射率变化领域形成，例如，记载于第42次激光热加工研究会论文集(1997年.11月)第105页～第111页的“利用飞秒激光使玻璃内部形成光感应构造”。
以上，对作为利用多光子吸收形成的调质领域(1)～(3)的情况作了说明。但是，如考虑基板的结晶构造及其分裂性等，象下面那样形成切割起点领域，则能以其切割起点领域作为起点、用更小的力，高精度地切割基板。
即，对于由硅等的金刚石构造的单结晶半导体构成的基板，优选在沿(111)面(第1劈开面)及(110)面(第2劈开面)的方向形成切割起点领域。此外，对于由GaAs等的闪锌矿型构造的III-V族化合物半导体构成的基板，优选在沿(110)面的方向形成切割起点领域。另外，对于具有蓝宝石(Al2O3)等的六方晶系的结晶构造的基板，优选以(0001)面(C面)为主面、在沿(1120)面(A面)或(1100)面(M面)的方向形成切割起点领域。
另外，如沿着应形成上述的切割起点领域的方向(例如、沿单结晶硅基板中的(111)面的方向)，或与应形成切割起点领域的方向垂直的方向，在基板上形成取向平面，可将该取向平面作为基准，在基板上容易且正确地形成沿着应形成切割起点领域的方向的切割起点领域。
以下，通过实施例，对本发明作更具体的说明。
[实施例1]
对与本发明相关的基板的分割方法的实施例1进行说明。实施例1中，基板1取硅基板(厚度350μm，外径4英寸)(以下，在实施例中，将基板1称为半导体基板1)，在设备制作过程中，在半导体基板1的表面3，以矩阵状形成多个功能元件的基板作为对象。
首先，对半导体基板1的内部形成切割起点领域的工序进行说明。在说明之前先参照图14，对形成切割起点领域的工序中使用的激光加工装置，进行说明。图14是激光加工装置100的概略构成图。
激光加工装置100，具有：发生激光L的激光源101；为了调节激光L的输出及脉冲宽度等，对激光源101进行控制的激光源控制部102；具有激光L的反射功能并配置得能使激光L的光轴方向改变90°的二向色反射镜103；对二向色反射镜103反射的激光L进行聚光的聚光用透镜105；载置用聚光用透镜105聚光的、激光L照射的半导体基板1的载置台107；使载置台107在X轴方向上移动用的X轴阶台109；使载置台107在垂直于X轴方向的Y轴方向上移动用的Y轴阶台111；使载置台107在垂直于X轴及Y轴方向的Z轴方向上移动用的Z轴阶台113；以及控制这3个阶台109、111、113的移动的阶台控制部115。
Z轴方向是与半导体基板1的表面3垂直的方向，所以，成为入射到半导体基板1的激光L的焦点深度的方向。这样，通过使Z轴阶台113在Z轴方向移动，可使激光L的聚光点P在半导体基板1的内部聚合。此外，该聚光点P在X(Y)轴方向的移动，是通过利用X(Y)轴阶台109(111)使半导体基板1在X(Y)轴方向移动来进行的。
激光源101是发生脉冲激光的Nd：YAG激光器。作为可用作激光源101的激光器，另外还有Nd：YVO4激光器、Nd：YLF激光器及钛蓝宝石激光器。在形成溶融处理领域的场合，宜采用Nd：YAG激光器、Nd：YVO4激光器、Nd：YLF激光器。实施例1中，使用脉冲激光进行半导体基板1的加工，但如果能使多光子吸收发生，用连续波激光也行。
激光加工装置100，还具有：发生的可见光线用于对载置在载置台107的半导体基板1进行照明的观察用光源117；配置在与二向色反射镜103和聚光用透镜105同一光轴上的可见光用的光束分离器119。在光束分离器119与聚光用透镜105间配置有二向色反射镜103。光束分离器119，具有使可见光线的约一半反射、另一半透过的功能，而且配置得能使可见光线的光轴的方向改变90°。观察用光源117发生的可见光线，被光束分离器119反射约一半，这被反射的可见光线透过二向色反射镜103及聚光用透镜105，对包含半导体基板1的切割预定线5等的表面3实施照明。
激光加工装置100还具有：光束分离器119、配置在与二向色反射镜103和聚光用透镜105同一光轴上的摄像元件121及结像透镜123。作为摄像元件121，例如有CCD照相机。对包含切割预定线5等的表面3进行照明的可见光线的反射光，透过聚光用透镜105、二向色反射镜103、及光束分离器119，经结像透镜123结像，被摄像元件121摄像，形成摄像数据。
激光加工装置100还具有：输入从摄像元件121输出的摄像数据的摄像数据处理部125、控制激光加工装置100整体的整体控制部127、以及监视器129。摄像数据处理部125，根据摄像数据、演算使观察用光源117发生的可见光的焦点聚合在表面3上用的焦点数据。根据该焦点数据，阶台控制部115通过对Z轴阶台113进行移动控制，使可见光的焦点聚合于表面3。这样，摄像数据处理部125起自动聚焦单元的作用。此外，摄像数据处理部125，根据摄像数据演算表面3的扩大图像等的图像数据。该图像数据被送往整体控制部127，由整体控制部进行各种处理，送往监视器129。这样，使扩大图像等在监视器129上显示。
整体控制部127，将来自阶台控制部115的数据、来自摄像数据处理部125的图像数据等进行输入，再根据这些数据控制激光源控制部102、观察用光源117及阶台控制部115，以控制激光加工装置100整体。这样，整体控制部127起计算机单元的作用。
下面，参照图14及图15、对形成使用上述激光加工装置100时的切割起点领域的工序进行说明。图15，是说明形成切割起点领域的工序用的流程图。
利用未图示的分光光度计等测量半导体基板1的光吸收特性。根据该测量结果、选定发生对半导体基板1透明的波长或吸收少的波长的激光L的激光源101(S101)。接着，测量半导体基板1的厚度。根据厚度的测量结果和半导体基板1的折射率，确定半导体基板1在Z轴方向的移动量(S103)。这是为使激光L的聚光点P处于半导体基板1的内部，以位于半导体基板1的表面3的激光L的聚光点P作为基准的半导体基板1在Z轴方向的移动量。该移动量被输入到整体控制部127。
将半导体基板1载置于激光加工装置100的载置台107上。而且，从观察用光源117发生可见光，对半导体基板1进行照明(S105)。利用摄像元件121对包含被照明的切割预定线5的半导体基板1的表面3进行摄像。切割预定线5，是应切割半导体基板1的期望的假设线。这里，针对形成于半导体基板1的表面3上的各功能元件，分割半导体基板1，获得半导体芯片，所以，切割预定线5，被设定成能在相邻的功能元件间通行的格子状。由摄像元件121摄取的摄像数据被送往摄像数据处理部125。摄像数据处理部125，根据该摄像数据、对观察用光源117的可见光的焦点位于表面3那样的焦点数据进行演算(S107)。
该焦点数据被传输到阶台控制部115。阶台控制部115，根据该焦点数据，使Z轴阶台113在Z轴方向移动(S109)。这样，观察用光源117的可见光的焦点位于半导体基板1的表面3。此外，摄像数据处理部125，根据摄像数据，对包含切割预定线5的半导体基板1的表面3的扩大图像数据进行演算。该扩大图像数据，经整体控制部127被传输到监视器129，以此在监视器129上显示切割预定线5附近的扩大图像。
预先在步骤S103确定的移动量数据被输入到整体控制部127，该移动量数据传输到阶台控制部115。阶台控制部115，根据该移动量数据，在激光L的聚光点P位于半导体基板1的内部，利用Z轴阶台113使半导体基板1在Z轴方向上移动(S111)。
接着，通过激光源101使激光L发生，使激光L照射到半导体基板1的表面3的切割预定线5上。由于激光L的聚光点P位于半导体基板1的内部，使溶融处理领域仅在半导体基板1的内部形成。而且，使X轴阶台109和Y轴阶台111能沿着切割预定线5移动，利用沿切割预定线5形成的溶融处理领域，在半导体基板1的内部形成沿切割预定线5的切割起点领域(S113)。
通过以上工序，使形成切割起点领域的过程终了，在半导体基板1内部形成切割起点领域。在半导体基板1的内部形成切割起点领域时，就能用自然或较小的力，以切割起点领域为起点，在半导体基板1的厚度方向发生裂口。
按照实施例1，形成上述切割起点领域的工序中，在靠近半导体基板1的内部的表面3侧的位置形成切割起点领域，以该切割起点领域为起点，在半导体基板1的厚度方向发生裂口。图16是展示形成切割起点领域后的半导体基板1的图。如图16所示，在半导体基板1以切割起点领域为起点发生的裂口15，能沿切割预定线形成为格子状，仅到达半导体基板1的表面3，不到达背面21。即，在半导体基板1发生的裂口15，将以矩阵状形成于半导体基板1表面的多个功能元件19各自分割。此外，利用该裂口15切割的半导体基板1的切断面相互紧靠。
此外，所谓“在靠近半导体基板1内部的表面3侧的位置形成切割起点领域”，指的是，构成切割起点领域的溶融处理领域等的调质领域，在离半导体基板1的厚度方向的中心位置(厚度的一半的位置)靠近表面3的一侧形成。即，指的是，半导体基板1的厚度方向的调质领域的宽度的中心位置，位于离半导体基板1的厚度方向的中心位置靠近表面3侧，而不是仅指调质领域的整个部分相对于半导体基板1的厚度方向的中心位置位于表面3侧的情况。
下面，参照图17～图21，对研磨半导体基板1的工序进行说明。图17～图21，是说明含研磨半导体基板的工序的各工序用的图。此外，实施例1中，半导体基板的厚度可从350μm薄型化至50μm。
如图17所示，在上述切割起点领域形成后的半导体基板1的表面3上粘贴保护膜20。保持膜20，在保护形成于半导体基板1的表面3上的功能元件19的同时，还用于保持半导体基板1。之后，如图18所示，平面研削半导体基板1的背面21，在该平面研削后，对背面21实施化学蚀刻，将半导体基板1薄型化为50μm。由此，即，通过研磨半导体基板1的背而21，背而21达到以切割起点领域为起点产生的裂口15，将半导体基板1分割成各具有功能元件19的半导体芯片25。另外，作为上述化学蚀刻，例如有湿蚀刻(HF·HNO3)或等离子体蚀刻(HBr·C12)等。
另外，如图19所示，粘贴扩张膜23，以覆盖全部半导体芯片25的背面，之后，如图20所示，剥离粘贴成覆盖全部半导体芯片25的功能元件19的保护膜20。接着，如图21所示，扩张扩张膜23，使半导体芯片25相互分离，通过吸附弹簧筒夹(collet)27分拣半导体芯片25。
如上所述，根据实施例1的基板的分割方法，在器件制作工序中，当在半导体基板1的表面3中形成功能元件19后，可研磨半导体基板1的背面21。另外，通过形成切割起点领域的工序以及研磨半导体基板的工序分别实现的以下效果，可高合格率地得到薄型化以与半导体器件的小型化对应的半导体芯片25。
即，根据形成切割起点领域的工序，可防止在半导体基板1的表面3上，产生偏离应切断半导体基板1的期望的切割预定线的、不必要的裂口或溶融，可防止在分离半导体基板1得到的半导体芯片25中产生不必要的裂口或溶融。
另外，根据形成切割起点领域的工序，由于沿切割预定线的半导体基板1的表面3不溶融，所以可使相邻功能元件19的间隔变窄，可增加从1个半导体基板1分离的半导体芯片25的数量。
另一方面，在研磨半导体基板的工序中，当在半导体基板1的内部形成切割起点领域后，平面研削半导体基板1的背面21，以使半导体基板1变为规定厚度，但此时，即便背面21达到以切割起点领域为起点产生的裂口15，也因为由该裂口15切断的半导体基板1的切断面彼此紧贴，所以可防止平面研削引起的半导体基板1的碎屑或破裂。因此，可防止产生碎屑或破裂，可薄型化半导体基板1并且分割半导体基板1。
上述半导体基板1中的切断面的紧贴还可实现如下效果，即，防止通过平面研削产生的研削屑进入裂口15内，并防止通过分割半导体基板1得到的半导体芯片25的研削屑污染。同样，半导体基板1中的切断而的紧贴，还可实现与各半导体芯片25彼此间隔的情况相比、使平面研削引起的半导体芯片25的芯片飞溅减少的效果。即，可使用抑制保持力的膜作为保护膜20。
另外，在研磨半导体基板的工序中，因为对半导体基板1的背面21实施化学蚀刻，所以可进一步平滑化通过分割半导体基板1得到的半导体芯片25的背面。并且，因为基于以切割起点领域为起点产生的裂口15的半导体基板1的切断面彼此紧贴，所以如图22所示，通过仅选择地蚀刻该切断面的背面侧的边缘部，而形成倒角29。因此，在可使通过分割半导体基板1得到的半导体芯片25的抗折强度提高的同时，可防止半导体芯片25中产生碎屑或破裂。
另外，图23A～图25B示出研磨半导体基板的工序后的半导体芯片25与溶融处理领域13的关系。各图中所示的半导体芯片25中，由于存在后述的各个效果，所以可对应于各种目的来分别使用。这里，图23A、图24A和图25A是在研磨半导体基板的工序之前、裂口15到达半导体基板1的背面3的情况，图23B、图24B和图25B是在研磨半导体基板的工序之前、裂口15未到达半导体基板1的背面3的情况。在图23B、图24B和图25B的情况下，在研磨半导体基板的工序之后，裂口15也到达半导体基板15的背面3。
如图23A和图23B所示，在切断面内残留溶融处理领域13的半导体芯片25，其切断面被溶融处理领域13所保护，半导体芯片25的抗折强度提高。
如图24A和图24B所示，在切断面内未残留溶融处理领域13的半导体芯片25，在溶融处理领域13对半导体器件不造成好影响的情况下有效。
如图25A和图25B所示，在切断面背面侧的边缘部中残留溶融处理领域13的半导体芯片25中，该边缘部被溶融处理领域13所保护，与倒角半导体芯片25的边缘部的情况一样，可防止边缘部中产生碎屑或破裂。
另外，如图23A、图24A和图25A，与在研磨半导体基板的工序之前、裂口15到达半导体基板1的背面3的情况相比，如图23B、图24B和图25B所示，在研磨半导体基板的工序之前、裂口15未到达半导体基板1的背面3的情况下，研磨半导体基板的工序之后得到的半导体芯片25的切断面的直行性进一步提高。
因此，不用说，在研磨半导体基板的工序之前、裂口15是否到达半导体基板1的表面3与溶融处理领域13至表面3的深度有关，但还与溶融处理领域13的大小有关。即，若减小溶融处理领域13的大小，则即便在溶融处理领域13至表面3的深度浅的情况下，裂口15也不到达半导体基板1的表面3。溶融处理领域13的大小例如可由形成切割起点领域的工序中的脉冲激光的输出来控制，若提高脉冲激光的输出，则变大，若降低脉冲激光的输出，则变小。
另外，考虑研磨半导体基板的工序中薄型化的半导体基板1的规定厚度，优选事先(例如在形成切割起点领域的工序之前)在至少该规定厚度的半导体基板1的周缘部(外周部)，通过倒角加工形成圆。图26A和图26B是实施例1的研磨半导体基板工序前后的半导体基板1的周缘部的截面图。研磨半导体基板工序之前的图26A所示的半导体基板1的厚度为350μm，研磨半导体基板工序之后的图26B所示的半导体基板1的厚度为50μm。如图26A所示，在半导体基板1的周缘部，事先通过倒角来形成多个(这里为7个)每个厚度为50μm的圆，即，将半导体基板1的周缘部的截面形状形成波形。由此，如图26B所示，研磨半导体基板1的工序后的半导体基板1的周缘部，由于通过倒角而变为形成圆的状态，所以可防止该周缘部产生碎屑或破裂，进而通过提高机械强度，可使处理变容易。
[实施例2]
参照图27～图35来说明本发明的基板分割方法的实施例2。实施例2是设基板1为作为绝缘基板的蓝宝石基板(厚度为450μm，外径为2英寸)(下面，在实施例2中将“基板1”称为“蓝宝石基板1”)，得到构成发光二极管的半导体芯片的情况。另外，图28～图35是沿图27所示的蓝宝石基板1的XX-XX的截面图。
首先，如图28所示，使聚光点P聚光在蓝宝石基板1的内部，照射激光L，在蓝宝石基板1的内部形成调质领域7。在该蓝宝石基板1的表面3上，在以后的工序中将多个功能元件19形成矩阵状，对每个功能元件19进行蓝宝石基板1的分割。因此，与各功能元件19的尺寸相一致，从表面3侧看，呈格子状地设定切割预定线，沿该切割预定线形成调质领域7，设该调质领域7为切割起点领域。
另外，若在聚光点P的最大功率密度为1×108(W/cm2)以上、脉冲宽度为1μs以下的条件下，向蓝宝石基板1照射激光，则形成裂口领域作为调质领域7(有时也形成溶融处理领域)。另外，若将蓝宝石基板1的(0001)面设为表面3，在沿(1120)面的方向和与该方向正交的方向上形成调质领域7，则在后面的工序中，可以将该调质领域7的切割起点领域为起点，通过更小的力，以高精度来切割基板。这与在沿(1100)面的方向和与该方向正交的方向上形成调质领域7一样。
在基于调质领域7的切割起点领域形成后，如图29所示，在蓝宝石基板1的表面3上，使n型氮化镓类化合物半导体层(下面称为“n型层”)31结晶生长至厚度为6μm，并且，在n型层31上，使p型氮化镓类化合物半导体层(下面称为“p型层”)32结晶生长至厚度为1μm。而且，通过沿形成为格子状的调质领域7将n型层31和p型层32蚀刻到n型层31的中途，将由n型层31和p型层32构成的多个功能元件19形成矩阵状。
另外，也可在蓝宝石基板1的表面3上形成n型层31和p型层32之后，将聚光点P聚光在蓝宝石基板1的内部，照射激光L，并在蓝宝石基板1的内部形成调质领域7。另外，照射激光L可从蓝宝石基板1的表面3侧进行，也可从背面21侧进行。因为在形成n型层31和p型层32之后从表面3侧照射激光L的情况下，激光L也对蓝宝石基板1、n型层31和p型层32具有透光性，所以可防止n型层31和p型层32溶融。
在形成由n型层31和p型层32构成的功能元件19后，如图30所示，在蓝宝石基板1的表面3侧粘贴保护膜20。保护膜20在保护形成于蓝宝石基板1的表面3上的功能元件19的同时，还保持蓝宝石基板1。接着，如图31所示，平面研削蓝宝石基板1的背面21，将蓝宝石基板1薄型化为厚度为150μm。通过研磨蓝宝石基板1的背面21，以调质领域7的切割起点领域为起点，产生裂口15，该裂口15到达蓝宝石基板1的表面3和背面21，将蓝宝石基板1分割成各具有由n型层31和p型层32构成的功能元件19的半导体芯片25。
另外，如图32所示，粘贴可扩展的扩张膜23以覆盖全部半导体芯片25的背面之后，如图33所示，通过向保护膜20照射紫外线，使作为保护膜20的粘接层的UV固化树脂固化，如图34所示，剥离保护膜20。接着，如图35所示，向外侧扩张扩张膜23，相互分离各半导体芯片25，通过吸附弹簧筒夹等分拣半导体芯25。之后，将电极装配在半导体芯片25的n型层3 1和p型层32上，制作发光二极管。
如上所述，根据实施例2的基板的分割方法，在形成切割起点领域的工序中，因为使聚光点P聚光在蓝宝石基板1的内部，照射激光L，并使蓝宝石基板1的内部产生所谓多光子吸收的现象，形成调质领域7，所以可通过该调质领域7，沿应切断蓝宝石基板1的期望的切割预定线，在蓝宝石基板1的内部形成切割起点领域。若在蓝宝石基板1的内部形成切割起点领域，则自然地或通过较小的力，以切割起点领域为起点，沿蓝宝石基板1的厚度方向产生裂口15。
另外，在研磨蓝宝石基板1的工序中，当在蓝宝石基板1的内部形成切割起点领域之后，研磨蓝宝石基板1，使蓝宝石基板1变为规定厚度，但此时，即便研磨面到达以切割起点领域为起点产生的裂口15，也由于由该裂口15切断的蓝宝石基板1的切断面为彼此紧贴的状态，所以可防止研磨引起的蓝宝石基板1的碎屑或破裂。
因此，可防止产生碎屑或破裂、薄型化蓝宝石基板1且分割蓝宝石基板1，可高合格率地得到薄型化蓝宝石基板1的半导体芯片25。
另外，即便是用AlN基板或GaAs基板代替蓝宝石基板1的情况下的基板分割，也可实现上述一样的效果。
产业上的可利用性
如上所述，根据本发明，可防止产生碎屑或破裂，薄型化基板且分割基板。

Claims (6)

1.一种半导体基板的分割方法，其特征在于，
将在表面上以矩阵状形成有多个功能元件的半导体基板，针对所述各功能元件进行分割，而获得半导体芯片，
所述基板的分割方法具有：
使聚光点聚合于所述半导体基板的内部并照射激光，沿被设定成在相邻的所述功能元件间通行的格子状的切割预定线，在所述半导体基板的内部，形成作为切割起点区域的熔融处理区域，从而使以所述切割起点区域为起点而产生的裂纹到达所述半导体基板的所述表面，而不使其到达所述半导体基板的背面的工序；和
在形成所述熔融处理区域之后，对所述半导体基板的所述背面实施蚀刻，使以所述切割起点区域为起点而产生的所述裂纹到达所述半导体基板的所述背面，从而将所述半导体基板分割成所述半导体芯片的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体基板的分割方法，其特征在于，
在形成所述熔融处理区域之后且在蚀刻所述半导体基板的所述背面之前，所述裂纹将所述功能元件各自分割。
3.根据权利要求1所述的半导体基板的分割方法，其特征在于，
在蚀刻所述半导体基板的所述背面的工序中，以使所述熔融处理区域残留于所述半导体基板中的方式，蚀刻所述半导体基板的所述背面。
4.根据权利要求1所述的半导体基板的分割方法，其特征在于，
在蚀刻所述半导体基板的所述背面的工序中，以不使所述熔融处理区域残留于所述半导体基板中的方式，蚀刻所述半导体基板的所述背面。
5.根据权利要求1所述的半导体基板的分割方法，其特征在于，
在形成所述熔融处理区域的工序中，在靠近所述半导体基板的内部的所述表面侧的位置，形成所述切割起点区域。
6.根据权利要求1所述的半导体基板的分割方法，其特征在于，
在形成所述熔融处理区域的工序中，在所述聚光点的最大功率密度为1×108W/cm2以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射脉冲激光。
CN2007101823487A 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法 Expired - Lifetime CN101335235B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002067289 2002-03-12
JP2002-67289 2002-03-12
JP200267289 2002-03-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038058669A Division CN100355031C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101335235A CN101335235A (zh) 2008-12-31
CN101335235B true CN101335235B (zh) 2010-10-13

Family

ID=27800279

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101643460A Expired - Lifetime CN100485901C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法
CN2007101823487A Expired - Lifetime CN101335235B (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法
CNB2005100854440A Expired - Lifetime CN100355032C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法
CNB038058669A Expired - Lifetime CN100355031C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法
CNB2006101643475A Expired - Lifetime CN100485902C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101643460A Expired - Lifetime CN100485901C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100854440A Expired - Lifetime CN100355032C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法
CNB038058669A Expired - Lifetime CN100355031C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法
CNB2006101643475A Expired - Lifetime CN100485902C (zh) 2002-03-12 2003-03-06 基板的分割方法

Country Status (11)

Country Link
US (20) US8268704B2 (zh)
EP (7) EP1494271B1 (zh)
JP (7) JP3762409B2 (zh)
KR (2) KR100715576B1 (zh)
CN (5) CN100485901C (zh)
AT (3) ATE362653T1 (zh)
AU (1) AU2003211763A1 (zh)
DE (1) DE60313900T2 (zh)
ES (3) ES2639733T3 (zh)
TW (1) TWI278027B (zh)
WO (1) WO2003077295A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456847A (zh) * 2012-06-01 2013-12-18 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法

Families Citing this family (309)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2356817T3 (es) * 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
JP4342832B2 (ja) * 2003-05-16 2009-10-14 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP4494728B2 (ja) * 2003-05-26 2010-06-30 株式会社ディスコ 非金属基板の分割方法
CN1826207B (zh) * 2003-07-18 2010-06-16 浜松光子学株式会社 激光加工方法、激光加工装置以及加工产品
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100428418C (zh) * 2004-02-09 2008-10-22 株式会社迪斯科 晶片的分割方法
JP4082400B2 (ja) * 2004-02-19 2008-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP4584607B2 (ja) * 2004-03-16 2010-11-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5138219B2 (ja) 2004-03-30 2013-02-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4536407B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4694795B2 (ja) * 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US7459377B2 (en) * 2004-06-08 2008-12-02 Panasonic Corporation Method for dividing substrate
JP4733934B2 (ja) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4447392B2 (ja) * 2004-07-23 2010-04-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法および分割装置
EP1775059B1 (en) * 2004-08-06 2015-01-07 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and semiconductor device
JP2006108532A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4565977B2 (ja) * 2004-11-25 2010-10-20 株式会社東京精密 フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007134454A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR100858983B1 (ko) * 2005-11-16 2008-09-17 가부시키가이샤 덴소 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP2007235069A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP2007235068A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP2007317747A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Seiko Epson Corp 基板分割方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4306717B2 (ja) * 2006-11-09 2009-08-05 セイコーエプソン株式会社 シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
US8530784B2 (en) * 2007-02-01 2013-09-10 Orbotech Ltd. Method and system of machining using a beam of photons
US7888236B2 (en) * 2007-05-14 2011-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication methods thereof
DE112008001389B4 (de) 2007-05-25 2024-01-18 Hamamatsu Photonics K.K. Schneidbearbeitungsverfahren
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP2009032970A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5160868B2 (ja) * 2007-12-06 2013-03-13 株式会社ディスコ 基板への改質層形成方法
JP2009290148A (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP5231136B2 (ja) * 2008-08-22 2013-07-10 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
DE102008052006B4 (de) 2008-10-10 2018-12-20 3D-Micromac Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Proben für die Transmissionselektronenmikroskopie
US20110300692A1 (en) * 2008-10-29 2011-12-08 Oerlikon Solar Ag, Trubbach Method for dividing a semiconductor film formed on a substrate into plural regions by multiple laser beam irradiation
KR101539246B1 (ko) 2008-11-10 2015-07-24 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
WO2010098186A1 (ja) 2009-02-25 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP5639997B2 (ja) 2009-04-07 2014-12-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5307612B2 (ja) * 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5340807B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
JP5340806B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハのレーザ加工方法
JP5340808B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハのレーザ加工方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
EP2465634B1 (en) 2009-08-11 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP2011077235A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 素子保持用粘着シートおよび素子の製造方法
JP5595716B2 (ja) * 2009-11-18 2014-09-24 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011114018A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの製造方法
JP5709370B2 (ja) * 2009-11-26 2015-04-30 株式会社ディスコ 切削装置及び切削方法
JP5149888B2 (ja) 2009-12-04 2013-02-20 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP5710133B2 (ja) * 2010-03-16 2015-04-30 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP2011200926A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法及び脆性材料基板
JP5840828B2 (ja) * 2010-04-12 2016-01-06 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5549403B2 (ja) * 2010-06-16 2014-07-16 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP5653110B2 (ja) 2010-07-26 2015-01-14 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
EP2600411B1 (en) 2010-07-26 2019-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing light-absorbing substrate and method for manufacturing die for manufacturing light-absorbing substrate
WO2012014724A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 基板加工方法
EP2599577A4 (en) 2010-07-26 2016-06-15 Hamamatsu Photonics Kk LASER PROCESSING
WO2012014717A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
CN103025474B (zh) 2010-07-26 2015-04-01 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5574866B2 (ja) 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5389264B2 (ja) 2010-07-26 2014-01-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5702556B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5693074B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8841213B2 (en) 2010-07-26 2014-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing interposer
EP2599582B1 (en) 2010-07-26 2020-03-25 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
JP2012033668A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法
JP5584560B2 (ja) * 2010-08-31 2014-09-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザスクライブ方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP2012089709A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Disco Abrasive Syst Ltd ワークの分割方法
KR101688591B1 (ko) 2010-11-05 2016-12-22 삼성전자주식회사 반도체 칩의 제조 방법
JP2012104644A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ破断方法およびウェーハ破断装置
JP5733954B2 (ja) * 2010-11-15 2015-06-10 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの分割方法
JP5758116B2 (ja) * 2010-12-16 2015-08-05 株式会社ディスコ 分割方法
JP5819605B2 (ja) * 2010-12-17 2015-11-24 株式会社ディスコ 基板の分割方法
JP5480169B2 (ja) * 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5503580B2 (ja) * 2011-03-17 2014-05-28 古河電気工業株式会社 脆性ウェハ加工用粘着テープ
US8538576B2 (en) * 2011-04-05 2013-09-17 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of configuring a dicing device, and a dicing apparatus for dicing a workpiece
JP5753734B2 (ja) * 2011-05-19 2015-07-22 日本特殊陶業株式会社 配線基板、多数個取り配線基板、およびその製造方法
JP2013008831A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6388536B2 (ja) * 2011-06-27 2018-09-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 超音波振動子アセンブリ及びその製造方法
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP2013042119A (ja) * 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
US8575758B2 (en) * 2011-08-04 2013-11-05 Texas Instruments Incorporated Laser-assisted cleaving of a reconstituted wafer for stacked die assemblies
US8569086B2 (en) * 2011-08-24 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of dicing semiconductor devices
CN102990227A (zh) * 2011-09-08 2013-03-27 技鼎股份有限公司 单一波长多层雷射加工的方法
US20130095581A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thick window layer led manufacture
CN102515495B (zh) * 2011-12-13 2015-01-21 意力(广州)电子科技有限公司 面板玻璃多模加工方法及采用该方法加工的半成品
KR101909633B1 (ko) 2011-12-30 2018-12-19 삼성전자 주식회사 레이저 스크라이빙을 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 절단 방법
JP5969214B2 (ja) * 2012-01-30 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP2013157455A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk 半導体デバイスの製造方法
JP6012185B2 (ja) * 2012-01-30 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP2013157449A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk 半導体デバイスの製造方法
WO2013117667A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-15 Arges Gmbh Kontrastierungsverfahren mittels laser sowie vorrichtung zur durchführung eines kontrasierungsverfahrens
JP5988601B2 (ja) * 2012-02-13 2016-09-07 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの分割方法
KR101883843B1 (ko) * 2012-02-16 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자의 벽개면 형성 방법
JP5988603B2 (ja) * 2012-02-17 2016-09-07 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの分割方法
US10052848B2 (en) * 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
JP2013219076A (ja) * 2012-04-04 2013-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
WO2013150427A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Koninklijke Philips N.V. Led thin-film device partial singulation prior to substrate thinning or removal
JP2013219271A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP6011002B2 (ja) * 2012-04-23 2016-10-19 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッドの製造方法、及び、液体噴射装置の製造方法
TWI581451B (zh) * 2012-05-21 2017-05-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
US9266192B2 (en) 2012-05-29 2016-02-23 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for processing workpieces
JP6001931B2 (ja) * 2012-06-14 2016-10-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014011381A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014013807A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
KR20140006484A (ko) * 2012-07-05 2014-01-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조방법
JP6013858B2 (ja) * 2012-10-01 2016-10-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6087565B2 (ja) 2012-10-03 2017-03-01 株式会社ディスコ 研削装置および研削方法
JP2014082317A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6026222B2 (ja) 2012-10-23 2016-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6064519B2 (ja) * 2012-10-29 2017-01-25 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
US20140145294A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 Nxp B.V. Wafer separation
US8809166B2 (en) * 2012-12-20 2014-08-19 Nxp B.V. High die strength semiconductor wafer processing method and system
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6158551B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
KR101857336B1 (ko) 2013-04-04 2018-05-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기판을 분리시키기 위한 방법 및 장치
CN103400779B (zh) * 2013-07-09 2014-09-03 程君 一种半导体显示面板的制造方法
EP3025378B1 (en) 2013-07-22 2020-05-06 Lumileds Holding B.V. Method of separating light emitting devices formed on a substrate wafer
US20150034613A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Rofin-Sinar Technologies Inc. System for performing laser filamentation within transparent materials
US9102011B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
CN103441103B (zh) * 2013-08-29 2016-06-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 晶圆切割方法
CN103441104B (zh) * 2013-08-29 2016-06-22 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 晶圆切割方法
JP6232230B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6257979B2 (ja) * 2013-09-24 2018-01-10 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
DE102014013107A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
JP6341554B2 (ja) * 2013-12-19 2018-06-13 国立大学法人東京工業大学 半導体装置の製造方法
US9209082B2 (en) 2014-01-03 2015-12-08 International Business Machines Corporation Methods of localized hardening of dicing channel by applying localized heat in wafer kerf
JP6251574B2 (ja) 2014-01-14 2017-12-20 株式会社ディスコ 切削方法
JP6230422B2 (ja) * 2014-01-15 2017-11-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US9938187B2 (en) 2014-02-28 2018-04-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses
JP2015185831A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 旭化成株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2015195106A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP6324796B2 (ja) * 2014-04-21 2018-05-16 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6319433B2 (ja) 2014-05-23 2018-05-09 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
KR102355108B1 (ko) 2014-06-10 2022-01-24 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트
JP6305272B2 (ja) 2014-08-14 2018-04-04 株式会社ディスコ 搬送装置
JPWO2016027888A1 (ja) 2014-08-22 2017-06-01 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
US9601437B2 (en) * 2014-09-09 2017-03-21 Nxp B.V. Plasma etching and stealth dicing laser process
DE102014116957A1 (de) 2014-11-19 2016-05-19 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung
DE102014116958B9 (de) 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung
KR102138964B1 (ko) 2014-11-19 2020-07-28 트룸프 레이저-운트 시스템테크닉 게엠베하 비대칭 광학 빔 정형을 위한 시스템
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102014119581A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Wink Stanzwerkzeuge Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von Stahlblechen für Stanzbleche
JP6399923B2 (ja) * 2014-12-24 2018-10-03 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
WO2016103902A1 (ja) 2014-12-25 2016-06-30 デンカ株式会社 レーザーダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
WO2016114934A1 (en) * 2015-01-13 2016-07-21 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and system for scribing brittle material followed by chemical etching
JP6438791B2 (ja) * 2015-02-06 2018-12-19 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP2016171214A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
US9873170B2 (en) 2015-03-24 2018-01-23 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element
JP6146455B2 (ja) * 2015-03-24 2017-06-14 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015004603A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
JP6456766B2 (ja) * 2015-05-08 2019-01-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017005158A (ja) 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの裏面研削方法
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
JP6560040B2 (ja) 2015-07-06 2019-08-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6727948B2 (ja) * 2015-07-24 2020-07-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、製造方法
JP6300763B2 (ja) 2015-08-03 2018-03-28 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP5900811B2 (ja) * 2015-08-28 2016-04-06 株式会社東京精密 半導体基板の割断方法
JP6523882B2 (ja) * 2015-09-02 2019-06-05 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN107922259B (zh) * 2015-09-04 2021-05-07 Ａｇｃ株式会社 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置
JP6605277B2 (ja) 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6542630B2 (ja) 2015-09-29 2019-07-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6605278B2 (ja) 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP6625854B2 (ja) * 2015-10-06 2019-12-25 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2017131949A (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
JP6644580B2 (ja) * 2016-02-24 2020-02-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法
JP6608732B2 (ja) * 2016-03-01 2019-11-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6157668B2 (ja) * 2016-03-02 2017-07-05 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法及び加工装置
JP6128666B2 (ja) * 2016-03-02 2017-05-17 株式会社東京精密 半導体基板の割断方法及び割断装置
JP6666173B2 (ja) * 2016-03-09 2020-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2017155104A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6633446B2 (ja) * 2016-04-27 2020-01-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6636384B2 (ja) 2016-05-13 2020-01-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6723644B2 (ja) 2016-05-16 2020-07-15 株式会社ディスコ エキスパンドシート
WO2017204326A1 (ja) 2016-05-27 2017-11-30 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
JP6341959B2 (ja) 2016-05-27 2018-06-13 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
JP6710457B2 (ja) 2016-06-01 2020-06-17 株式会社ディスコ エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法
DE102016111144B4 (de) * 2016-06-17 2024-03-07 Tdk Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement
JP6103739B2 (ja) * 2016-06-20 2017-03-29 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置
JP2016201551A (ja) * 2016-06-20 2016-12-01 株式会社東京精密 半導体基板の微小亀裂形成方法及び微小亀裂形成装置
JP6276332B2 (ja) * 2016-07-04 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工システム
JP6713212B2 (ja) 2016-07-06 2020-06-24 株式会社ディスコ 半導体デバイスチップの製造方法
JP6745165B2 (ja) 2016-08-09 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6276347B2 (ja) * 2016-08-18 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工システム
JP6746211B2 (ja) 2016-09-21 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6276356B2 (ja) * 2016-09-21 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法
JP6775880B2 (ja) 2016-09-21 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6276357B2 (ja) * 2016-09-21 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法
JP6821245B2 (ja) * 2016-10-11 2021-01-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN110073468B (zh) 2016-11-02 2023-01-10 琳得科株式会社 切割片
JP6986393B2 (ja) * 2016-11-15 2021-12-22 ビアメカニクス株式会社 基板の加工方法
JP6814613B2 (ja) 2016-11-28 2021-01-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10163750B2 (en) * 2016-12-05 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure for heat dissipation
DE102016224978B4 (de) * 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
CN106654063B (zh) * 2016-12-28 2019-11-19 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled显示面板的制作方法
JP6197970B2 (ja) * 2017-01-06 2017-09-20 株式会社東京精密 分割起点形成方法及び分割起点形成装置
DE102017200631B4 (de) * 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6817822B2 (ja) * 2017-01-18 2021-01-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6276437B2 (ja) * 2017-02-16 2018-02-07 株式会社東京精密 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム
JP6649308B2 (ja) * 2017-03-22 2020-02-19 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6957187B2 (ja) * 2017-04-18 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法、及び、シリコンチップ
JP6951124B2 (ja) 2017-05-23 2021-10-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP2017224826A (ja) * 2017-06-27 2017-12-21 株式会社東京精密 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム
DE102017212858B4 (de) 2017-07-26 2024-08-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6980444B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-15 浜松ホトニクス株式会社 積層型素子の製造方法
JP6941022B2 (ja) 2017-10-06 2021-09-29 株式会社ディスコ 拡張方法及び拡張装置
KR102450776B1 (ko) * 2017-10-27 2022-10-05 삼성전자주식회사 레이저 가공 방법, 기판 다이싱 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 가공 장치
JP2018046291A (ja) * 2017-11-22 2018-03-22 株式会社東京精密 抗折強度の高い薄型チップの製造システム及び製造方法
JP6925945B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN108147363B (zh) * 2017-12-22 2019-09-20 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆芯片的分离方法
JP2018142717A (ja) * 2018-04-20 2018-09-13 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
DE102018111227A1 (de) * 2018-05-09 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Durchtrennen eines epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörpers und Halbleiterchip
JP2018133593A (ja) * 2018-05-22 2018-08-23 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP6593663B2 (ja) * 2018-06-28 2019-10-23 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
WO2020004210A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7154860B2 (ja) 2018-07-31 2022-10-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6703073B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP6703072B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
KR102697974B1 (ko) * 2018-11-21 2024-08-22 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
US11664276B2 (en) * 2018-11-30 2023-05-30 Texas Instruments Incorporated Front side laser-based wafer dicing
TWI681241B (zh) * 2018-12-04 2020-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置製作方法及使用該方法製作的顯示裝置
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
JP7176695B2 (ja) * 2019-03-07 2022-11-22 株式会社Nsc ガラス基板製造方法
JP2019096910A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019096911A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019161232A (ja) * 2019-04-22 2019-09-19 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019169719A (ja) * 2019-04-25 2019-10-03 株式会社東京精密 レーザ加工システム
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP2019192937A (ja) * 2019-07-05 2019-10-31 株式会社東京精密 ウェーハ加工システム及びウェーハ加工方法
KR20210020683A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이의 절단 방법
JP7358193B2 (ja) 2019-10-28 2023-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2020025142A (ja) * 2019-11-18 2020-02-13 株式会社東京精密 抗折強度の高いチップを得るためのウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法
JP6653943B1 (ja) * 2019-12-25 2020-02-26 株式会社東京精密 抗折強度の高いチップを得る半導体ウェーハのレーザ加工装置
JP7290843B2 (ja) * 2020-01-24 2023-06-14 株式会社東京精密 亀裂進展装置及び亀裂進展方法
JP7217409B2 (ja) * 2020-01-24 2023-02-03 株式会社東京精密 亀裂進展装置及び亀裂進展方法
JP2020080409A (ja) * 2020-01-24 2020-05-28 株式会社東京精密 レーザ加工システム及びレーザ加工方法
JP2020074454A (ja) * 2020-01-24 2020-05-14 株式会社東京精密 チップ強度の向上を図るレーザ加工システム及びレーザ加工方法
JP7446673B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7460274B2 (ja) 2020-02-21 2024-04-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7446672B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN111298853B (zh) * 2020-02-27 2021-08-10 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 芯片的切割成型方法以及晶圆
JP7370902B2 (ja) 2020-02-28 2023-10-30 株式会社ディスコ クラック検出方法
JP7401372B2 (ja) 2020-03-26 2023-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN111451646A (zh) * 2020-04-24 2020-07-28 苏州镭明激光科技有限公司 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺
JP7442939B2 (ja) 2020-07-02 2024-03-05 株式会社ディスコ ウエーハの検査方法
CN113371989A (zh) * 2021-05-26 2021-09-10 苏州镭明激光科技有限公司 一种半导体芯片的裂片方法及裂片装置
JP2023023328A (ja) 2021-08-05 2023-02-16 株式会社ディスコ 検査装置
JP2023025742A (ja) 2021-08-11 2023-02-24 株式会社ディスコ 光照射装置
CN114815340A (zh) * 2022-05-19 2022-07-29 豪威半导体（上海）有限责任公司 Lcos显示器及其制作方法
US20230411169A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor wafer thinned by horizontal stealth lasing
WO2024079849A1 (ja) * 2022-10-13 2024-04-18 株式会社レゾナック 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
EP1026735A2 (en) * 1999-02-03 2000-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
US6257224B1 (en) * 1997-03-04 2001-07-10 Ngk Insulators, Ltd. Process for working a preform made of an oxide single crystal, and a process for producing functional devices

Family Cites Families (449)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US456233A (en) * 1891-07-21 Lubricator
US3448510A (en) 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
JPS4624989Y1 (zh) 1967-08-31 1971-08-28
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
GB1246481A (en) 1968-03-29 1971-09-15 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the cutting of glass
US3613974A (en) 1969-03-10 1971-10-19 Saint Gobain Apparatus for cutting glass
JPS4812599Y1 (zh) 1969-03-24 1973-04-05
JPS4812599B1 (zh) 1969-07-09 1973-04-21
US3610871A (en) 1970-02-19 1971-10-05 Western Electric Co Initiation of a controlled fracture
US3626141A (en) 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3824678A (en) 1970-08-31 1974-07-23 North American Rockwell Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers
US3790744A (en) * 1971-07-19 1974-02-05 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3909582A (en) 1971-07-19 1975-09-30 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790051A (en) * 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US3800991A (en) 1972-04-10 1974-04-02 Ppg Industries Inc Method of and an apparatus for cutting glass
NO134614C (zh) 1972-10-12 1976-11-17 Glaverbel
JPS5628630B2 (zh) 1973-05-30 1981-07-03
JPS5628630Y2 (zh) 1974-10-30 1981-07-07
JPS5157283A (en) 1974-11-15 1976-05-19 Nippon Electric Co Handotaikibanno bunkatsuhoho
US4046985A (en) 1974-11-25 1977-09-06 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer alignment apparatus
US3970819A (en) * 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US4190759A (en) 1975-08-27 1980-02-26 Hitachi, Ltd. Processing of photomask
US4027137A (en) 1975-09-17 1977-05-31 International Business Machines Corporation Laser drilling nozzle
NL7609815A (nl) 1976-09-03 1978-03-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS5333050A (en) 1976-09-08 1978-03-28 Hitachi Ltd Production of semiconductor element
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
JPS53141573A (en) 1977-05-16 1978-12-09 Toshiba Corp Pellet dividing method of semiconductor wafer
JPS53141673A (en) 1977-05-17 1978-12-09 Seiko Epson Corp Digital alarm watch with remaining time display using analogical pattern
JPS53114347A (en) 1977-12-07 1978-10-05 Toshiba Corp Working method for semiconductor device
JPS54161349U (zh) 1978-04-29 1979-11-12
JPS54161349A (en) 1978-06-10 1979-12-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Three-dimensional cross type waveguide passage
US4242152A (en) 1979-05-14 1980-12-30 National Semiconductor Corporation Method for adjusting the focus and power of a trimming laser
JPS5628630A (en) 1979-08-16 1981-03-20 Kawasaki Steel Corp Temperature controlling method of high temperature high pressure reacting cylinder
JPS6041478B2 (ja) 1979-09-10 1985-09-17 富士通株式会社 半導体レ−ザ素子の製造方法
JPS5676522A (en) 1979-11-29 1981-06-24 Toshiba Corp Formation of semiconductor thin film
JPS6043236B2 (ja) 1980-03-12 1985-09-27 松下電器産業株式会社 レ−ザ加工方法
JPS56169347A (en) 1980-05-31 1981-12-26 Toshiba Corp Laser scribing device
US4336439A (en) * 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
US4392476A (en) 1980-12-23 1983-07-12 Lazare Kaplan & Sons, Inc. Method and apparatus for placing identifying indicia on the surface of precious stones including diamonds
DE3110235A1 (de) 1981-03-17 1982-10-21 Trumpf GmbH & Co, 7257 Ditzingen "verfahren und vorrichtung zum brennschneiden mittels eines laserstrahls"
JPS5836939A (ja) 1981-08-26 1983-03-04 Toshiba Corp ガラスウエハの切断方法
JPS5854648A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
JPS5857767A (ja) 1981-10-01 1983-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ装置
US4475027A (en) 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
JPS58181492A (ja) 1982-04-02 1983-10-24 グレタ−ク・アクチエンゲゼルシヤフト 干渉性のある光ビ−ムの焦点合せの方法および装置
JPS58171783A (ja) 1982-04-02 1983-10-08 Hitachi Ltd 磁気バブルメモリチツプ
JPS5916344A (ja) 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp ウエハのレ−ザスクライブ装置
JPS6054151B2 (ja) 1982-10-22 1985-11-28 株式会社東芝 レ−ザ切断方法
JPS5976687U (ja) 1982-11-17 1984-05-24 プレスコンクリ−ト工業株式会社 プレキヤスト側溝
JPS59141233A (ja) 1983-02-02 1984-08-13 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS59150691A (ja) 1983-02-15 1984-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ加工機
JPH0611071B2 (ja) * 1983-09-07 1994-02-09 三洋電機株式会社 化合物半導体基板の分割方法
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS59130438A (ja) 1983-11-28 1984-07-27 Hitachi Ltd 板状物の分離法
US4650619A (en) * 1983-12-29 1987-03-17 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method of machining a ceramic member
JPS60144985A (ja) 1983-12-30 1985-07-31 Fujitsu Ltd 半導体発光素子の製造方法
JPS60167351A (ja) 1984-02-09 1985-08-30 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置の製造方法
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
EP0180767B1 (en) 1984-10-11 1990-01-31 Hitachi, Ltd. Optical lens device
JPS6196439A (ja) 1984-10-17 1986-05-15 Toray Ind Inc レンズ欠点検査装置
JPS61112345A (ja) 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS61121453A (ja) 1984-11-19 1986-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd ぜい性薄板のブレイキング・エキスパンド方法
JPS61220339A (ja) 1985-03-26 1986-09-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体材料特性の制御方法
JPS61229487A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Sasaki Glass Kk レ−ザビ−ムによるガラス切断方法
US4689491A (en) 1985-04-19 1987-08-25 Datasonics Corp. Semiconductor wafer scanning system
JPS624341A (ja) 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR890004933B1 (ko) * 1985-07-31 1989-11-30 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 터어보분자펌프
JPS6240986A (ja) * 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd レ−ザ−加工方法
JPH0732281B2 (ja) 1985-10-25 1995-04-10 株式会社日立製作所 劈開装置及び劈開方法
AU584563B2 (en) 1986-01-31 1989-05-25 Ciba-Geigy Ag Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses
JPH0750811B2 (ja) 1986-06-17 1995-05-31 松下電器産業株式会社 半導体レ−ザの劈開方法
JPS6384789A (ja) 1986-09-26 1988-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
FR2605310B1 (fr) 1986-10-16 1992-04-30 Comp Generale Electricite Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser
US4815854A (en) * 1987-01-19 1989-03-28 Nec Corporation Method of alignment between mask and semiconductor wafer
JPH0688149B2 (ja) 1987-03-04 1994-11-09 株式会社半導体エネルギ−研究所 光加工方法
JPS63278692A (ja) 1987-05-07 1988-11-16 D S Sukiyanaa:Kk レ−ザ−加工装置に於ける自動焦点機構
JPS63293939A (ja) 1987-05-27 1988-11-30 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JPS6438209A (en) 1987-08-04 1989-02-08 Nec Corp Preparation of semiconductor device
JPS6438209U (zh) 1987-08-29 1989-03-07
JPH01112130A (ja) 1987-10-26 1989-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤外光ファイバの評価方法
US5300942A (en) 1987-12-31 1994-04-05 Projectavision Incorporated High efficiency light valve projection system with decreased perception of spaces between pixels and/or hines
JPH01108508U (zh) 1988-01-16 1989-07-21
US4981525A (en) * 1988-02-19 1991-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPH0256987A (ja) * 1988-02-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路の実装方法
FR2627409A1 (fr) 1988-02-24 1989-08-25 Lectra Systemes Sa Appareil de coupe laser muni d'un dispositif d'evacuation des fumees
JPH01225510A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の切断分割方法
JPH01225509A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の分割方法
JPH01133701U (zh) * 1988-03-07 1989-09-12
JPH0732281Y2 (ja) 1988-03-31 1995-07-26 株式会社東海理化電機製作所 オートマチツクシートベルト装置
US4908493A (en) 1988-05-31 1990-03-13 Midwest Research Institute Method and apparatus for optimizing the efficiency and quality of laser material processing
JP2680039B2 (ja) 1988-06-08 1997-11-19 株式会社日立製作所 光情報記録再生方法及び記録再生装置
US5017755A (en) 1988-10-26 1991-05-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of repairing liquid crystal display and apparatus using the method
US4982166A (en) 1989-03-01 1991-01-01 Morrow Clifford E Method and apparatus for combining two lower power laser beams to produce a combined higher power beam
JP2507665B2 (ja) * 1989-05-09 1996-06-12 株式会社東芝 電子管用金属円筒部材の製造方法
US5151135A (en) 1989-09-15 1992-09-29 Amoco Corporation Method for cleaning surfaces using UV lasers
JP2810151B2 (ja) 1989-10-07 1998-10-15 ホーヤ株式会社 レーザマーキング方法
JPH03177051A (ja) 1989-12-05 1991-08-01 Kawasaki Steel Corp 半導体ウエハの切断方法およびその装置
JP2765746B2 (ja) 1990-03-27 1998-06-18 科学技術振興事業団 微細修飾・加工方法
JPH0757427B2 (ja) 1989-12-08 1995-06-21 三菱電機株式会社 レーザ切断加工機
JP2891264B2 (ja) 1990-02-09 1999-05-17 ローム 株式会社 半導体装置の製造方法
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
US5132505A (en) 1990-03-21 1992-07-21 U.S. Philips Corporation Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method
JPH03276662A (ja) 1990-03-26 1991-12-06 Nippon Steel Corp ウエハ割断法
JP2578379B2 (ja) 1990-04-27 1997-02-05 株式会社アルファ ロック用電子制御回路
JP2620723B2 (ja) 1990-05-24 1997-06-18 サンケン電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0437492A (ja) 1990-05-31 1992-02-07 Shunichi Maekawa 脆性材料の切断法
US5023877A (en) 1990-06-29 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Miniature, optically pumped narrow line solid state laser
JP3024990B2 (ja) * 1990-08-31 2000-03-27 日本石英硝子株式会社 石英ガラス材料の切断加工方法
JP2610703B2 (ja) 1990-09-05 1997-05-14 住友電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
TW207588B (zh) 1990-09-19 1993-06-11 Hitachi Seisakusyo Kk
JPH04143654A (ja) 1990-10-05 1992-05-18 Hitachi Ltd 超音波探触子の走査装置
JPH04143645A (ja) 1990-10-05 1992-05-18 Nuclear Fuel Ind Ltd 融点測定方法
JPH04167985A (ja) 1990-10-31 1992-06-16 Nagasaki Pref Gov ウェハの割断方法
FR2669427B1 (fr) 1990-11-16 1993-01-22 Thomson Csf Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle.
JPH04188847A (ja) 1990-11-22 1992-07-07 Mitsubishi Electric Corp 粘着テープ
US5211805A (en) * 1990-12-19 1993-05-18 Rangaswamy Srinivasan Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation
JPH0639572A (ja) 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
IL97479A (en) 1991-03-08 1994-01-25 Shafir Aaron Laser beam heating method and apparatus
JPH04300084A (ja) 1991-03-28 1992-10-23 Toshiba Corp レーザ加工機
JP3165192B2 (ja) 1991-03-28 2001-05-14 株式会社東芝 半導体集積回路装置の製造方法
US5171249A (en) 1991-04-04 1992-12-15 Ethicon, Inc. Endoscopic multiple ligating clip applier
JPH04339586A (ja) 1991-05-13 1992-11-26 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置
JP3213338B2 (ja) * 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5635976A (en) 1991-07-17 1997-06-03 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
JP3352712B2 (ja) 1991-12-18 2002-12-03 浩 天野 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
GB2263195B (en) * 1992-01-08 1996-03-20 Murata Manufacturing Co Component supply method
JP2627696B2 (ja) 1992-01-17 1997-07-09 コマツ電子金属株式会社 Ｃｚ法における融液レベル制御装置および制御方法
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5254149A (en) 1992-04-06 1993-10-19 Ford Motor Company Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam
JP3101421B2 (ja) 1992-05-29 2000-10-23 富士通株式会社 整形金属パターンの製造方法
JP2924462B2 (ja) 1992-06-02 1999-07-26 富士ゼロックス株式会社 文書処理装置
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Ｌｏｃ構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
US5812261A (en) 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
GB9216643D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Univ Loughborough Automatic operations on materials
US5265114C1 (en) 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
WO1994014567A1 (en) 1992-12-18 1994-07-07 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
JP3255741B2 (ja) 1992-12-22 2002-02-12 リンテック株式会社 ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート
JP2720744B2 (ja) 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
US5382770A (en) * 1993-01-14 1995-01-17 Reliant Laser Corporation Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot
US5359176A (en) 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
US5321717A (en) 1993-04-05 1994-06-14 Yoshifumi Adachi Diode laser having minimal beam diameter and optics
US5637244A (en) * 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
WO1994029069A1 (fr) * 1993-06-04 1994-12-22 Seiko Epson Corporation Appareil et procede d'usinage au laser, et panneau a cristaux liquides
JPH0775955A (ja) 1993-06-17 1995-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd 精密切削装置
US5580473A (en) 1993-06-21 1996-12-03 Sanyo Electric Co. Ltd. Methods of removing semiconductor film with energy beams
JPH0729855A (ja) 1993-07-12 1995-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエハのエキスパンデイング方法
US5699145A (en) 1993-07-14 1997-12-16 Nikon Corporation Scanning type exposure apparatus
JPH0732281A (ja) 1993-07-19 1995-02-03 Toyoda Mach Works Ltd ロボット制御装置
JP2616247B2 (ja) 1993-07-24 1997-06-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0740336A (ja) 1993-07-30 1995-02-10 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの加工方法
GB2281129B (en) * 1993-08-19 1997-04-09 United Distillers Plc Method of marking a body of glass
JPH0776167A (ja) 1993-09-08 1995-03-20 Miyachi Technos Kk レーザマーキング方法
US5376793A (en) 1993-09-15 1994-12-27 Stress Photonics, Inc. Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method
DE4331262C2 (de) 1993-09-15 1996-05-15 Wissner Rolf Lasermaschine zur Bearbeitung eines Werkstücks und Verfahren zur Steuerung einer Lasermaschine
US5424548A (en) 1993-09-21 1995-06-13 International Business Machines Corp. Pattern specific calibration for E-beam lithography
US5393482A (en) 1993-10-20 1995-02-28 United Technologies Corporation Method for performing multiple beam laser sintering employing focussed and defocussed laser beams
JP2760288B2 (ja) 1993-12-28 1998-05-28 日本電気株式会社 ビアホール形成法及びフィルム切断法
DE4404141A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung
US5631734A (en) 1994-02-10 1997-05-20 Affymetrix, Inc. Method and apparatus for detection of fluorescently labeled materials
US5521999A (en) 1994-03-17 1996-05-28 Eastman Kodak Company Optical system for a laser printer
JPH07263382A (ja) 1994-03-24 1995-10-13 Kawasaki Steel Corp ウェーハ固定用テープ
US5656186A (en) * 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
AU2359195A (en) 1994-04-19 1995-11-10 Thomas Jefferson University Viral ribonucleocapsid as an immunological enhancer
JP3800616B2 (ja) * 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JPH0866790A (ja) 1994-08-30 1996-03-12 Sony Corp レーザ加工装置
US5504772A (en) 1994-09-09 1996-04-02 Deacon Research Laser with electrically-controlled grating reflector
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5622540A (en) * 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
US5774222A (en) 1994-10-07 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected
JP3374880B2 (ja) 1994-10-26 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
JPH08148692A (ja) 1994-11-24 1996-06-07 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP2971003B2 (ja) 1994-12-22 1999-11-02 株式会社アドバンテスト レーザリペア装置のレンズの汚れを検出する装置
JPH08197271A (ja) 1995-01-27 1996-08-06 Ricoh Co Ltd 脆性材料の割断方法及び脆性材料の割断装置
US5841543A (en) 1995-03-09 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate
JPH08264488A (ja) 1995-03-22 1996-10-11 Nec Corp ウェハスクライブ装置及び方法
JP3509985B2 (ja) 1995-03-24 2004-03-22 三菱電機株式会社 半導体デバイスのチップ分離方法
US5786560A (en) * 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR0174773B1 (ko) 1995-03-31 1999-04-01 모리시다 요이치 반도체장치의 검사방법
JP2737744B2 (ja) 1995-04-26 1998-04-08 日本電気株式会社 ウエハプロービング装置
US5870133A (en) 1995-04-28 1999-02-09 Minolta Co., Ltd. Laser scanning device and light source thereof having temperature correction capability
US5663980A (en) 1995-05-22 1997-09-02 Adachi; Yoshi Semiconductor laser device having changeable wavelength, polarization mode, and beam shape image
JP3138613B2 (ja) 1995-05-24 2001-02-26 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
JPH09150286A (ja) 1995-06-26 1997-06-10 Corning Inc 脆弱性材料切断方法および装置
KR100272785B1 (ko) 1995-06-27 2000-11-15 우찌가사끼 이사오 인쇄배선판용프리프래그,수지니스,수지조성물및상기물질을사용하여제조된인쇄배선판용적층판
JPH0917756A (ja) 1995-06-28 1997-01-17 Toshiba Corp 半導体用保護テープおよびその使用方法
KR970008386A (ko) 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
JP2809303B2 (ja) 1995-07-28 1998-10-08 関西日本電気株式会社 ウェーハ割断方法
JPH09107168A (ja) 1995-08-07 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp 配線基板のレーザ加工方法、配線基板のレーザ加工装置及び配線基板加工用の炭酸ガスレーザ発振器
JP3923526B2 (ja) 1995-08-31 2007-06-06 コーニング インコーポレイテッド 壊れやすい材料の分断方法および装置
US6057525A (en) * 1995-09-05 2000-05-02 United States Enrichment Corporation Method and apparatus for precision laser micromachining
US5641416A (en) * 1995-10-25 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies
WO1997016387A1 (fr) 1995-11-03 1997-05-09 Anatoly Valentinovich Vasilev Procede de formation par laser d'une image dans des objets transparents
US5747769A (en) 1995-11-13 1998-05-05 General Electric Company Method of laser forming a slot
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
US5932119A (en) 1996-01-05 1999-08-03 Lazare Kaplan International, Inc. Laser marking system
JP3592018B2 (ja) 1996-01-22 2004-11-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3292021B2 (ja) 1996-01-30 2002-06-17 三菱電機株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JPH09213662A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JPH09216085A (ja) 1996-02-07 1997-08-19 Canon Inc 基板の切断方法及び切断装置
JP3027768U (ja) 1996-02-08 1996-08-13 株式会社アールイシダ 健康スリッパ
WO1997029509A1 (en) 1996-02-09 1997-08-14 Philips Electronics N.V. Laser separation of semiconductor elements formed in a wafer of semiconductor material
US5925024A (en) 1996-02-16 1999-07-20 Joffe; Michael A Suction device with jet boost
AU1975197A (en) 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JPH09306839A (ja) 1996-03-12 1997-11-28 Sharp Corp 半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法
JP3660741B2 (ja) 1996-03-22 2005-06-15 株式会社日立製作所 電子回路装置の製造方法
JPH11217237A (ja) 1996-03-25 1999-08-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザ加工用ガラス基材及びレーザ加工方法
AU1941397A (en) 1996-03-25 1997-10-17 Nippon Sheet Glass Co. Ltd. A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom
US5880777A (en) 1996-04-15 1999-03-09 Massachusetts Institute Of Technology Low-light-level imaging and image processing
US5807380A (en) 1996-04-26 1998-09-15 Dishler; Jon G. Optical guide and method for use in corrective laser eye surgery
JPH09298339A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
US6087617A (en) 1996-05-07 2000-07-11 Troitski; Igor Nikolaevich Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material
JP3259014B2 (ja) 1996-07-24 2002-02-18 ミヤチテクノス株式会社 スキャニング式レーザマーキング方法及び装置
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
JPH1071483A (ja) 1996-08-29 1998-03-17 Hitachi Constr Mach Co Ltd 脆性材料の割断方法
US6172757B1 (en) 1996-09-25 2001-01-09 Vanguard International Semiconductor Corporation Lever sensor for stepper field-by-field focus and leveling system
DK109197A (da) * 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
JPH10128567A (ja) * 1996-10-30 1998-05-19 Nec Kansai Ltd レーザ割断方法
DE19646332C2 (de) 1996-11-09 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers
JPH10163780A (ja) 1996-12-04 1998-06-19 Ngk Insulators Ltd 圧電単結晶からなる振動子の製造方法
JP3468676B2 (ja) 1996-12-19 2003-11-17 リンテック株式会社 チップ体の製造方法
US5867324A (en) 1997-01-28 1999-02-02 Lightwave Electronics Corp. Side-pumped laser with shaped laser beam
JP3421523B2 (ja) 1997-01-30 2003-06-30 三洋電機株式会社 ウエハーの分割方法
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
US6529362B2 (en) 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US5976392A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Yageo Corporation Method for fabrication of thin film resistor
US6228114B1 (en) 1997-04-01 2001-05-08 Joseph Y. Lee Adjustable corneal ring
US6525716B1 (en) 1997-04-01 2003-02-25 Casio Computer Co., Ltd. Handwritten data input device having coordinate detection tablet
AU7245098A (en) 1997-04-01 1998-10-22 Agris-Schoen Vision Systems, Inc. High-precision-resolution image acquisision apparatus and method
US6277067B1 (en) 1997-04-04 2001-08-21 Kerry L. Blair Method and portable colposcope useful in cervical cancer detection
US6467953B1 (en) * 1999-03-30 2002-10-22 Medical Solutions, Inc. Method and apparatus for monitoring temperature of intravenously delivered fluids and other medical items
JP3230572B2 (ja) 1997-05-19 2001-11-19 日亜化学工業株式会社 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
JPH1110376A (ja) 1997-06-25 1999-01-19 Souei Tsusho Kk 割断加工方法
US6327090B1 (en) 1997-07-03 2001-12-04 Levelite Technology, Inc. Multiple laser beam generation
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
JPH1128586A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Keyence Corp レーザマーキング装置
US6294439B1 (en) * 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3707211B2 (ja) 1997-07-24 2005-10-19 富士電機ホールディングス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜の製造方法
JPH1167700A (ja) 1997-08-22 1999-03-09 Hamamatsu Photonics Kk 半導体ウェハの製造方法
JP3498895B2 (ja) * 1997-09-25 2004-02-23 シャープ株式会社 基板の切断方法および表示パネルの製造方法
JP3208730B2 (ja) 1998-01-16 2001-09-17 住友重機械工業株式会社 光透過性材料のマーキング方法
US6392683B1 (en) 1997-09-26 2002-05-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
JP3292294B2 (ja) 1997-11-07 2002-06-17 住友重機械工業株式会社 レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
JP3231708B2 (ja) 1997-09-26 2001-11-26 住友重機械工業株式会社 透明材料のマーキング方法
JPH11121517A (ja) 1997-10-09 1999-04-30 Hitachi Ltd 半導体素子搭載装置および搭載方法
JPH11162889A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Sony Corp ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法
JP3449201B2 (ja) 1997-11-28 2003-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JPH11156564A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐熱性透明体およびその製造方法
JP3076290B2 (ja) 1997-11-28 2000-08-14 山形日本電気株式会社 半導体チップのピックアップ装置およびその方法
JP3532100B2 (ja) 1997-12-03 2004-05-31 日本碍子株式会社 レーザ割断方法
JPH11177176A (ja) 1997-12-10 1999-07-02 Hitachi Cable Ltd 半導体レーザ
SG71878A1 (en) 1997-12-11 2000-04-18 Sumitomo Chemical Co Propylene-based polymer composition and foamed article thereof
JP3604550B2 (ja) * 1997-12-16 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
US6005219A (en) 1997-12-18 1999-12-21 General Electric Company Ripstop laser shock peening
JPH11204551A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3352934B2 (ja) 1998-01-21 2002-12-03 理化学研究所 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置
JP3455102B2 (ja) 1998-02-06 2003-10-14 三菱電機株式会社 半導体ウエハチップ分離方法
JP4132172B2 (ja) 1998-02-06 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 パルスレーザ加工装置
US6641662B2 (en) * 1998-02-17 2003-11-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same
JPH11240730A (ja) 1998-02-27 1999-09-07 Nec Kansai Ltd 脆性材料の割断方法
US6183092B1 (en) 1998-05-01 2001-02-06 Diane Troyer Laser projection apparatus with liquid-crystal light valves and scanning reading beam
US6057180A (en) 1998-06-05 2000-05-02 Electro Scientific Industries, Inc. Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output
JP3152206B2 (ja) 1998-06-19 2001-04-03 日本電気株式会社 オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6181728B1 (en) * 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
JP2000183358A (ja) 1998-07-17 2000-06-30 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3784543B2 (ja) 1998-07-29 2006-06-14 Ｎｔｎ株式会社 パターン修正装置および修正方法
JP3156776B2 (ja) * 1998-08-03 2001-04-16 日本電気株式会社 レーザ照射方法
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
US6407360B1 (en) 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
US6402004B1 (en) * 1998-09-16 2002-06-11 Hoya Corporation Cutting method for plate glass mother material
JP3605651B2 (ja) 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124537A (ja) 1998-10-21 2000-04-28 Sharp Corp 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置
US6413839B1 (en) 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
JP2000133859A (ja) 1998-10-27 2000-05-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
US6172329B1 (en) * 1998-11-23 2001-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ablated laser feature shape reproduction control
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
KR100338983B1 (ko) 1998-11-30 2002-07-18 윤종용 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
IL127388A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Material processing applications of lasers using optical breakdown
JP2000195828A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
US6127005A (en) 1999-01-08 2000-10-03 Rutgers University Method of thermally glazing an article
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
EP1022778A1 (en) * 1999-01-22 2000-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3569147B2 (ja) 1999-01-26 2004-09-22 松下電器産業株式会社 基板の切断方法
JP2000210785A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複数ビ―ムレ―ザ加工装置
JP4040819B2 (ja) 1999-02-03 2008-01-30 株式会社東芝 ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4119028B2 (ja) 1999-02-19 2008-07-16 小池酸素工業株式会社 レーザーピアシング方法
JP2000237885A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Koike Sanso Kogyo Co Ltd レーザー切断方法
US6208020B1 (en) 1999-02-24 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device
JP3426154B2 (ja) 1999-02-26 2003-07-14 科学技術振興事業団 グレーティング付き光導波路の製造方法
JP2000247671A (ja) 1999-03-04 2000-09-12 Takatori Corp ガラスの分断方法
TW445545B (en) * 1999-03-10 2001-07-11 Mitsubishi Electric Corp Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device
JP3648399B2 (ja) 1999-03-18 2005-05-18 株式会社東芝 半導体装置
JP2000278306A (ja) 1999-03-26 2000-10-06 Mitsubishi Electric Corp Ａｔｍリングネットワーク
US6285002B1 (en) 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
JP2000323441A (ja) 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Cable Ltd セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法
US6555781B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
JP3555500B2 (ja) 1999-05-21 2004-08-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体及びその製造方法
US6562698B2 (en) * 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6420245B1 (en) 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
JP2000349107A (ja) 1999-06-09 2000-12-15 Nitto Denko Corp 半導体封止チップモジュールの製造方法及びその固定シート
US6344402B1 (en) * 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
TW404871B (en) 1999-08-02 2000-09-11 Lg Electronics Inc Device and method for machining transparent medium by laser
JP2001047264A (ja) 1999-08-04 2001-02-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法ならびに電子機器
KR100578309B1 (ko) 1999-08-13 2006-05-11 삼성전자주식회사 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법
JP2001064029A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Toyo Commun Equip Co Ltd 多層ガラス基板及び、その切断方法
JP4493127B2 (ja) 1999-09-10 2010-06-30 シャープ株式会社 窒化物半導体チップの製造方法
US6229114B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Xerox Corporation Precision laser cutting of adhesive members
JP3932743B2 (ja) 1999-11-08 2007-06-20 株式会社デンソー 圧接型半導体装置の製造方法
JP4180206B2 (ja) 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
TR200201402T2 (tr) * 1999-11-24 2003-03-21 Applied Photonics, Inc. Metalik olmayan materyallerin ayrılması için yöntem ve cihaz.
JP5408829B2 (ja) 1999-12-28 2014-02-05 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー アクティブマトリックス基板の製造方法
US6612035B2 (en) 2000-01-05 2003-09-02 Patrick H. Brown Drywall cutting tool
JP2001196282A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001198056A (ja) 2000-01-20 2001-07-24 Sanyo Electric Co Ltd 電気掃除機
JP2001250798A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Sony Corp ケガキ線で材料を分割する方法及び装置
DE10015702A1 (de) 2000-03-29 2001-10-18 Vitro Laser Gmbh Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
WO2001074529A2 (en) * 2000-03-30 2001-10-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
JP2001284292A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体ウエハーのチップ分割方法
AU2001254866A1 (en) 2000-04-14 2001-10-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor material(s)
US6333486B1 (en) 2000-04-25 2001-12-25 Igor Troitski Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images
US20020006765A1 (en) * 2000-05-11 2002-01-17 Thomas Michel System for cutting brittle materials
JP4697823B2 (ja) 2000-05-16 2011-06-08 株式会社ディスコ 脆性基板の分割方法
TW443581U (en) 2000-05-20 2001-06-23 Chipmos Technologies Inc Wafer-sized semiconductor package structure
JP2001339638A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Hamamatsu Photonics Kk ストリークカメラ装置
JP2001345252A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc レーザ切断機
JP2001354439A (ja) 2000-06-12 2001-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法
JP3650000B2 (ja) 2000-07-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法
US6399914B1 (en) 2000-07-10 2002-06-04 Igor Troitski Method and laser system for production of high quality laser-induced damage images by using material processing made before and during image creation
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6376797B1 (en) * 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
JP2002047025A (ja) 2000-07-31 2002-02-12 Seiko Epson Corp 基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器
JP2002050589A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置
US6726631B2 (en) * 2000-08-08 2004-04-27 Ge Parallel Designs, Inc. Frequency and amplitude apodization of transducers
US6325855B1 (en) 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
JP3479833B2 (ja) 2000-08-22 2003-12-15 日本電気株式会社 レーザ修正方法および装置
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003001458A (ja) 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2002192371A (ja) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003039184A (ja) 2000-09-13 2003-02-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US20020046001A1 (en) 2000-10-16 2002-04-18 Applied Materials, Inc. Method, computer readable medium and apparatus for accessing a defect knowledge library of a defect source identification system
JP3660294B2 (ja) * 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP3332910B2 (ja) 2000-11-15 2002-10-07 エヌイーシーマシナリー株式会社 ウェハシートのエキスパンダ
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US6875379B2 (en) * 2000-12-29 2005-04-05 Amkor Technology, Inc. Tool and method for forming an integrated optical circuit
US6545339B2 (en) 2001-01-12 2003-04-08 International Business Machines Corporation Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
TW521310B (en) 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
US6527965B1 (en) 2001-02-09 2003-03-04 Nayna Networks, Inc. Method for fabricating improved mirror arrays for physical separation
US6770544B2 (en) * 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
SG118117A1 (en) * 2001-02-28 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW473896B (en) 2001-03-20 2002-01-21 Chipmos Technologies Inc A manufacturing process of semiconductor devices
US6777645B2 (en) 2001-03-29 2004-08-17 Gsi Lumonics Corporation High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field
US6932933B2 (en) 2001-03-30 2005-08-23 The Aerospace Corporation Ultraviolet method of embedding structures in photocerams
JP4091838B2 (ja) 2001-03-30 2008-05-28 富士通株式会社 半導体装置
JP2002035985A (ja) 2001-05-21 2002-02-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及び加工方法
KR100701013B1 (ko) 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP2003017790A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系半導体素子及び製造方法
JP2003046177A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの製造方法
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
EP1329946A3 (en) 2001-12-11 2005-04-06 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including a laser crystallization step
US6608370B1 (en) * 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
US6562696B1 (en) * 2002-03-06 2003-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for forming an STI feature to avoid acidic etching of trench sidewalls
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003338636A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
AU2003211575A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
JP2003338468A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2356817T3 (es) * 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
JP2006135355A (ja) 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
ATE362653T1 (de) * 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) * 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
JP4111800B2 (ja) 2002-11-05 2008-07-02 アルパイン株式会社 車両間通信情報処理装置
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
WO2004050291A1 (ja) * 2002-12-05 2004-06-17 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工装置
JP2004188422A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
JP4188847B2 (ja) 2003-01-14 2008-12-03 富士フイルム株式会社 分析素子用カートリッジ
US7341007B2 (en) 2003-03-05 2008-03-11 Joel Vatsky Balancing damper
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
GB2404280B (en) 2003-07-03 2006-09-27 Xsil Technology Ltd Die bonding
CN1826207B (zh) * 2003-07-18 2010-06-16 浜松光子学株式会社 激光加工方法、激光加工装置以及加工产品
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4300084B2 (ja) 2003-09-19 2009-07-22 株式会社リコー 画像形成装置
CN100461561C (zh) * 2004-01-07 2009-02-11 浜松光子学株式会社 半导体发光元件及其制造方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR20070005712A (ko) * 2004-03-30 2007-01-10 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP5138219B2 (ja) 2004-03-30 2013-02-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4733934B2 (ja) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1775059B1 (en) * 2004-08-06 2015-01-07 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and semiconductor device
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) * 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4812599B2 (ja) 2006-11-17 2011-11-09 倉敷紡績株式会社 染料濃度測定方法及び装置
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5191958B2 (ja) 2009-06-19 2013-05-08 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 エレベータ機器芯出し用基準線の設置方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
US6257224B1 (en) * 1997-03-04 2001-07-10 Ngk Insulators, Ltd. Process for working a preform made of an oxide single crystal, and a process for producing functional devices
EP1026735A2 (en) * 1999-02-03 2000-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP昭62-4341A 1987.01.10
JP特开2001-284292A 2001.10.12
JP特开平11-138896A 1999.05.25
JP特开平4-111800A 1992.04.13

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456847A (zh) * 2012-06-01 2013-12-18 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
CN103456847B (zh) * 2012-06-01 2017-12-26 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8518800B2 (en) 2013-08-27
JP2011216912A (ja) 2011-10-27
EP2194575A3 (en) 2013-02-13
CN1728342A (zh) 2006-02-01
JP4995256B2 (ja) 2012-08-08
ES2377521T3 (es) 2012-03-28
JP2011243998A (ja) 2011-12-01
JP4932956B2 (ja) 2012-05-16
JP3762409B2 (ja) 2006-04-05
CN101335235A (zh) 2008-12-31
EP1632997A2 (en) 2006-03-08
US8889525B2 (en) 2014-11-18
US20160343618A1 (en) 2016-11-24
JP2010068009A (ja) 2010-03-25
JP4908652B2 (ja) 2012-04-04
ES2285634T3 (es) 2007-11-16
JP4932955B2 (ja) 2012-05-16
EP1635390A2 (en) 2006-03-15
US20130012000A1 (en) 2013-01-10
US10622255B2 (en) 2020-04-14
EP1635390B1 (en) 2011-07-27
US9142458B2 (en) 2015-09-22
JP2005184032A (ja) 2005-07-07
US10068801B2 (en) 2018-09-04
JP2009206534A (ja) 2009-09-10
EP1635390A3 (en) 2006-05-03
KR20050075041A (ko) 2005-07-19
US9553023B2 (en) 2017-01-24
EP1494271A1 (en) 2005-01-05
EP2400539A3 (en) 2013-02-13
CN100485901C (zh) 2009-05-06
US20130009284A1 (en) 2013-01-10
US8519511B2 (en) 2013-08-27
JP4358762B2 (ja) 2009-11-04
US9287177B2 (en) 2016-03-15
US20160111333A1 (en) 2016-04-21
US20130015167A1 (en) 2013-01-17
US20160343617A1 (en) 2016-11-24
AU2003211763A1 (en) 2003-09-22
US20130316517A1 (en) 2013-11-28
CN1983557A (zh) 2007-06-20
EP1632997A3 (en) 2006-05-03
US20080090382A1 (en) 2008-04-17
CN1643656A (zh) 2005-07-20
EP3252806A1 (en) 2017-12-06
EP2194575B1 (en) 2017-08-16
US20180350682A1 (en) 2018-12-06
US8304325B2 (en) 2012-11-06
US20060121697A1 (en) 2006-06-08
US9711405B2 (en) 2017-07-18
DE60313900D1 (de) 2007-06-28
JPWO2003077295A1 (ja) 2005-07-07
US9543207B2 (en) 2017-01-10
US9543256B2 (en) 2017-01-10
US9548246B2 (en) 2017-01-17
US20100203707A1 (en) 2010-08-12
EP2400539A2 (en) 2011-12-28
KR100848408B1 (ko) 2008-07-28
ATE518242T1 (de) 2011-08-15
US20170271210A1 (en) 2017-09-21
ATE534142T1 (de) 2011-12-15
US20160343674A1 (en) 2016-11-24
US7566635B2 (en) 2009-07-28
US20150311119A1 (en) 2015-10-29
US20160343619A1 (en) 2016-11-24
US8314013B2 (en) 2012-11-20
US8518801B2 (en) 2013-08-27
DE60313900T2 (de) 2008-01-17
US20050272223A1 (en) 2005-12-08
EP3252806B1 (en) 2019-10-09
TWI278027B (en) 2007-04-01
EP1632997B1 (en) 2007-05-16
KR20040108660A (ko) 2004-12-24
US20210210387A1 (en) 2021-07-08
EP2400539B1 (en) 2017-07-26
JP4908552B2 (ja) 2012-04-04
US20200203225A1 (en) 2020-06-25
EP2194575A2 (en) 2010-06-09
CN100355031C (zh) 2007-12-12
ATE362653T1 (de) 2007-06-15
CN100485902C (zh) 2009-05-06
US11424162B2 (en) 2022-08-23
EP1494271A4 (en) 2006-05-03
KR100715576B1 (ko) 2007-05-09
TW200306622A (en) 2003-11-16
EP3664131A2 (en) 2020-06-10
ES2639733T3 (es) 2017-10-30
US20220352026A1 (en) 2022-11-03
EP1494271B1 (en) 2011-11-16
US8268704B2 (en) 2012-09-18
US20150056785A1 (en) 2015-02-26
WO2003077295A1 (en) 2003-09-18
JP2011216913A (ja) 2011-10-27
CN100355032C (zh) 2007-12-12
EP3664131A3 (en) 2020-08-19
CN1983556A (zh) 2007-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101335235B (zh) 基板的分割方法
CN100448593C (zh) 激光加工方法
KR100853057B1 (ko) 레이저 가공 방법
CN100587915C (zh) 激光加工方法
CN101400475B (zh) 激光加工方法及激光加工装置
CN101100018B (zh) 激光加工方法和芯片
JP3624909B2 (ja) レーザ加工方法
JP2007142206A (ja) レーザ加工方法
JP2003334675A (ja) 加工対象物切断方法
JP2005096459A (ja) レーザ加工方法
JP2005123329A (ja) 板状物の分割方法
JP2003088978A (ja) レーザ加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20101013