CN103456847B - 光电元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发光元件及其制造方法，其步骤至少包含：提供一基板，其中基板具有一第一表面与一第二表面，其中第一表面与第二表面相对，形成多个发光叠层于基板的第二表面上，形成一氧化层于该基板的第一表面，自基板的第一表面施加一能量至基板内以形成多个不连续的第一变质区，在施加该能量至该基板内后，形成一金属层于该氧化层上，以及沿着些多个不连续的第一变质区分离基板。

Description

光电元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种关于发光元件的切割方法。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode,LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具，已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

图1为现有的发光元件结构示意图，如图1所示，现有的发光元件100，包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含一第一导电型半导体层120、一活性层122，以及一第二导电型半导体层124。

此外，上述的发光元件100还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图2为现有的发光装置结构示意图，如图2所示，一发光装置200包含一具有至少一电路202的次载体(sub-mount)20；至少一焊料(solder)22位于上述次载体20上，通过此焊料22将上述发光元件100粘结固定于次载体20上并使发光元件100的基板10与次载体20上的电路202形成电连接；以及，一电连接结构24，以电连接发光元件100的电极14与次载体20上的电路202；其中，上述的次载体20可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。

然而，如图1所示，于现有的发光元件100中，由于透明基板10的表面是一平整表面，且透明基板10的折射率与外部环境的折射率不同，因此活性层122所发出的光线A由基板进入外部环境时，容易形成全反射(Total Internal Reflection,TIR)，降低发光元件100的光摘出效率。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种发光元件制造方法，其步骤至少包含：提供一基板，其中基板具有一第一表面与一第二表面，其中第一表面与第二表面相对，形成多个发光叠层于基板的第二表面上，形成一氧化层于该基板的第一表面，自基板的第一表面施加一能量至基板内以形成多个不连续的第一变质区，在施加该能量至该基板内后，形成一金属层于该氧化层上，以及沿着些多个不连续的第一变质区分离基板。

附图说明

图1为现有的发光元件结构示意图；

图2为现有的发光装置结构示意图；

图3A至图3I为本发明第一实施例制造流程结构示意图；

图3J为图3I的劈裂面的基板剖面的扫描式电子显微镜微结构图；

图4A至图4H为本发明第二实施例制造流程结构示意图；

图5A-图5C为一发光模块示意图；

图6A-图6B为一光源产生装置示意图。

主要元件符号说明

100、300、400 发光元件

10 透明基板

12、32、42 半导体叠层

14 电极

120、310、410 第一导电型半导体层

122、312、412 活性层

124、312、412 第二导电型半导体层

200 发光装置

20 次载体

202 电路

22 焊料

24 电连接结构

30、40 基板

302、402 第一表面

304、404 第二表面

36、46 支持层

306、406 第一变质区

306’、406’ 第二变质区

3061、4061 第一延伸部

3062、4062 第二延伸部

342、442 第一电极

341、441 第二电极

381、481 氧化层

382、482 金属层

500 发光模块

501 下载体

502 载体

503 上载体

504、506、508、510 透镜

512、514 电源供应终端

515 通孔

519 反射层

521 胶材

540 外壳

600 光源产生装置

具体实施方式

本发明揭示一种发光元件及其制造方法，为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图3A至图6B的图示。

图3A至图3I为本发明第一实施例制造流程结构示意图，如图3A所示，提供一基板30，其中基板30包含一第一表面302与一第二表面304，第一表面302与第二表面304相对；接着，如图3B所示，形成多个半导体外延层31于此基板30的第二表面304上，其中半导体外延层31由下而上至少包含一第一导电型半导体层310、一活性层312，以及一第二导电型半导体层314。

随后，如图3C所示，利用光刻蚀刻技术蚀刻上述半导体外延层31，以裸露部分第一导电型半导体层310，并且使半导体外延层31形成多个台状结构的发光叠层32。

再如同图3D所示，于第一导电型半导体层310之上形成一第一电极342，并在第二导电型半导体层314之上形成一第二电极341。在一实施例中第一电极342与第二电极341的材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、钠(La)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、或锗-金-镍(Ge-Au-Ni)等金属材料。

之后，如图3E所示，在发光叠层32、第一电极342及第二电极341上形成一支持层36，在其他实施例中，此支持层36也可以同时覆盖于发光叠层32与基板30上，此支持层36可避免发光叠层32因后续制作工艺而散落，上述的支持层36的材质可以是高分子、氧化物或金属等材料。

随后，如图3F所示，以激光能量约0.05-0.1、0.05-0.3、0.05-0.5、0.05-0.7或0.05-1W，速度约20-100、20-300、20-500、20-700或20-1000mm/sec，波长约350-500、350-800、350-1200、500-1000、700-1200或350-1500nm的激光光束从基板30的第一表面302方向照射基板30，且于基板30内形成多个不连续第一变质区306。在一实施例中，此激光光束可为一红外线激光，例如可为Nd-YAG laser、Nd-YVO₄laser、Nd-YLF laser或钛蓝宝石激光(titanium laser)。

在一实施例中，第一变质区306可为一多光子吸收区域(multiple photonabsorption region)、一裂纹区(crack region)、一熔融区(molten processed region)或为一反射率改变区域(refractive index change region)。

如图3F-1所示，多个不连续第一变质区306的宽度W可约为1-5、1-10、1-15或1-20μm，高度H₁可约为1-10、1-30、1-50、1-70或1-100μm。在一较佳实施例中，第一变质区306的下缘与基板30的第一表面302的距离D1可约为1-50、1-100、1-150或1～200μm。

在一实施例中，如图3F-2所示，第一变质区306的上缘会形成至少一与第一变质区306连接的第一延伸部3061，第一变质区306的下缘会形成至少一与第一变质区306连接的第二延伸部3062。其中第一延伸部3061的高度H₂可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第一延伸部3061的顶端与基板30的第二表面304的距离D2可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。其中第二延伸部3062的高度H₃可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第二延伸部3062的顶端与基板30的第一表面302的距离D3可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。在一实施例中，第一延伸部3061的高度大于第二延伸部3062。

如图3F-3所示，在另一实施例中，可以激光能量约0.05-0.1、0.05-0.3、0.05-0.5、0.05-0.7或0.05-1W，速度约20-100、20-300、20-500、20-700或20-1000mm/sec，波长约350-500、350-800、350-1200、500-1000、700-1200或350-1500nm的激光光束从基板30的第一表面302方向照射基板30，且于基板30内形成多个不连续第二变质区306’，其中第二变质区306’与第一变质区306在垂直基板第一表面302方向可互相重叠或可不互相重叠。在一实施例中，此激光光束可为一红外线激光，例如可为Nd-YAG laser、Nd-YVO₄laser、Nd-YLFlaser或钛蓝宝石激光(titanium laser)。

在一实施例中，第二变质区306’可为一多光子吸收区域(multiple photonabsorption region)、一裂纹区(crack region)、一熔融区(molten processed region)或为一反射率改变区域(refractive index change region)。

与第一变质区306相同，第二变质区306’的上缘会形成至少一与第二变质区306’连接的第三延伸部(未显示)，第二变质区306’的下缘会形成至少一与第二变质区306’连接的第四延伸部(未显示)。其中第三延伸部的高度可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第三延伸部的顶端与基板30的第二表面304的距离D2可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。其中第四延伸部的高度可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第四延伸部的顶端与基板30的第一表面302的距离D3可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。在一实施例中，第三延伸部的高度大于第四延伸部。

接着，延续图3F，如图3G-1所示，一氧化层381可形成于基板30的第一表面302之上，且氧化层381完全覆盖基板30的第一表面302。

在另一实施例中，如图3G-2所示，可形成一氧化层381及一金属反射层382于基板30的第一表面302之上。在一较佳实施例中，氧化层381的材料可选自TiO_x、SiO_x、ZnO、TaO_x；金属反射层382的材料可选自铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、钠(La)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、或锗-金-镍(Ge-Au-Ni)等金属材料。

最后，再如图3H所示，移除支持层36。随后，如图3I所示，沿着第一变质区306劈裂基板30，以形成多个发光元件300。在一实施例中，上述多个发光元件300的氧化层381完全覆盖基板30的第一表面302。在一实施例中，上述多个发光元件300的氧化层381覆盖基板30第一表面302的90％以上面积。

图3J显示图3I的劈裂面的基板剖面的扫描式电子显微镜微结构图。其中包含形成在基板30的第一表面的氧化层381及形成在基板中的第一变质区306。其中第一变质区306的上缘会形成一与第一变质区306连接的第一延伸部3061，第一变质区306的下缘会形成一与第一变质区306连接的第二延伸部3062，且第一延伸部3061的高度大于第二延伸部3062。

图4A至图4H为本发明第二实施例制造流程结构示意图，如图4A所示，提供一基板40，其中基板40包含一第一表面402与一第二表面404，第一表面402与第二表面404相对；接着，如图4B所示，形成多个半导体外延层41于此基板40的第二表面404上，其中半导体外延层41由下而上至少包含一第一导电型半导体层410、一活性层412，以及一第二导电型半导体层414。

随后，如图4C所示，利用光刻蚀刻技术蚀刻上述半导体外延层41，以裸露部分第一导电型半导体层410，并且使半导体外延层41形成多个台状结构的发光叠层42。

如图4D所示，在第一导电型半导体层410之上形成一第一电极442，并在第二导电型半导体层414之上形成一第二电极441。且在基板40的第一表面402之上形成一氧化层481。在一实施例中，上述氧化层481完全覆盖基板40的第一表面402。在一较佳实施例中，氧化层481的材料可选自TiO_x、SiO_x、ZnO、TaO_x。

在一实施例中第一电极442与第二电极441的材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、钠(La)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、或锗-金-镍(Ge-Au-Ni)等金属材料。

之后，如图4E所示，在发光叠层42、第一电极442及第二电极441上形成一支持层46，在其他实施例中，此支持层46也可以同时覆盖于发光叠层42与基板40上，此支持层46可避免发光叠层42因后续制作工艺而散落，上述的支持层46的材质可以是高分子、氧化物或金属等材料。

随后，如图4F所示，以激光能量约0.05-0.1、0.05-0.3、0.05-0.5、0.05-0.7或0.05-1W，速度约20-100、20-300、20-500、20-700或20-1000mm/sec，波长约350-500、350-800、350-1200、500-1000、700-1200或350-1500nm的激光光束从基板40的第一表面402方向，穿过氧化层481，照射基板40，且于基板40内形成多个不连续第一变质区406。在一实施例中，此激光光束可为一红外线激光，例如可为Nd-YAG laser、Nd-YVO₄laser、Nd-YLFlaser或钛蓝宝石激光(titanium laser)。

在一实施例中，第一变质区406可为一多光子吸收区域(multiple photonabsorption region)、一裂纹区(crack region)、一熔融区(molten processed region)或为一反射率改变区域(refractive index change region)。

如图4F-1所示，多个不连续第一变质区406的宽度W可约为1-5、1-10、1-15或1-20μm，高度H₁可约为1-10、1-30、1-50、1-70或1-100μm。在一较佳实施例中，第一变质区406的下缘与基板40的第一表面402的距离D1可约为1-50、1-100、1-150或1～200μm。

在一实施例中，如图4F-2所示，第一变质区406的上缘会形成至少一与第一变质区406连接的第一延伸部4061，第一变质区406的下缘会形成至少一与第一变质区406连接的第二延伸部4062。其中第一延伸部4061的高度H₂可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第一延伸部4061的顶端与基板40的第二表面404的距离D2可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。其中第二延伸部4062的高度H₃可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第二延伸部4062的顶端与基板40的第一表面402的距离D3可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。在一实施例中，第一延伸部4061的高度大于第二延伸部4062。

如图4F-3所示，在另一实施例中，可以激光能量约0.05-0.1、0.05-0.3、0.05-0.5、0.05-0.7或0.05-1W，速度约20-100、20-300、20-500、20-700或20-1000mm/sec，波长约350-500、350-800、350-1200、500-1000、700-1200或350-1500nm的激光光束从基板40的第一表面402方向照射基板40，且于基板40内形成多个不连续第二变质区406’，其中第二变质区406’与第一变质区406在垂直基板第一表面402方向可互相重叠或可不互相重叠。在一实施例中，此激光光束可为一红外线激光，例如可为Nd-YAG laser、Nd-YVO₄laser、Nd-YLFlaser或钛蓝宝石激光(titanium laser)。

在一实施例中，第二变质区406可为一多光子吸收区域(multiple photonabsorption region)、一裂纹区(crack region)、一熔融区(molten processed region)或为一反射率改变区域(refractive index change region)。

与第一变质区406相同，第二变质区406’的上缘会形成至少一与第二变质区406’连接的第三延伸部(未显示)，第二变质区406’的下缘会形成至少一与第二变质区406’连接的第四延伸部(未显示)。其中第三延伸部的高度可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第三延伸部的顶端与基板40的第二表面404的距离D2可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。其中第四延伸部的高度可约为0.1-10、0.1-50、0.1-100、0.1-150、0.1-200μm。第四延伸部的顶端与基板40的第一表面402的距离D3可约为0-50、0-100、0-150或0～200μm。在一实施例中，第三延伸部的高度大于第四延伸部。

接着，延续图4F，如图4G所示，一金属反射层482可形成于氧化层481之上，且移除支持层46。金属反射层482的材料可选自铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、钠(La)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、或锗-金-镍(Ge-Au-Ni)等金属材料。

最后，再如图4H所示，沿着第一变质区406劈裂基板40，以形成多个发光元件400。在一实施例中，上述多个发光元件400的氧化层481与金属反射层482完全覆盖基板40的第一表面402。在一实施例中，上述多个发光元件400的氧化层481与金属反射层482覆盖基板40第一表面402的90％以上面积。

图5A-图5C绘示出一发光模块示意图，图5A显示一发光模块外部透视图，一发光模块500可包含一载体502，产生自本发明任一实施例的发光元件(未显示)，多个透镜504、506、508及510，及两电源供应终端512及514。

图5B-图5C显示一发光模块剖视，且图5C是图5B的E区的放大图。其中载体502可包含一上载体503及下载体501，其中下载体501的一表面可与上载体503接触，且包含透镜504及508形成在上载体503之上。上载体503可形成至少一通孔515，且依本发明第一实施例形成的发光元件300可形成在上述通孔515中并与下载体501接触，且被胶材521包围，并在胶材521之上形成一透镜508。

在一实施例中，通孔515的两侧壁之上可形成一反射层519增加发光元件300的发光效率；下载体501的下表面可形成一金属层517以增进散热效率。

图6A-图6B绘示出一光源产生装置示意图600，一光源产生装置600可包含一发光模块500、一外壳540、一电源供应系统(未显示)以供应发光模块500一电流、以及一控制元件(未显示)，用以控制电源供应系统(未显示)。光源产生装置600可以是一照明装置，例如路灯、车灯或室内照明光源，也可以是交通号志或一平面显示器中背光模块的一背光光源。

具体而言，光电元件包含发光二极管(LED)、光电二极管(photodiode)、光敏电阻(photoresister)、激光(laser)、红外线发射体(infrared emitter)、有机发光二极管(organic light-emitting diode)及太阳能电池(solar cell)中至少其一。基板30、40为一成长及/或承载基础。候选材料可包含导电材料或不导电材料、透光材料或不透光材料。其中导电材料其一可为金属，例如，锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、铟化磷(InP)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、铝酸锂(LiAlO₂)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)及氮化铝(AlN)。透光材料其一可为蓝宝石(Sapphire)、铝酸锂(LiAlO₂)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、玻璃、钻石、CVD钻石、与类钻碳(Diamond-Like Carbon；DLC)、尖晶石(spinel,MgAl₂O₄)、氧化硅(SiO_x)及镓酸锂(LiGaO₂)。

上述第一半导体层310、410及第二半导体层314、414彼此中至少二个部分的电性、极性或掺杂物相异、或者分别用以提供电子与空穴的半导体材料单层或多层(「多层」是指两层或两层以上，以下同。)，其电性选择可以为p型、n型、及i型中至少任意二者的组合。有源层312、412位于第一半导体层310、410及第二半导体层314、414之间，为电能与光能可能发生转换或被诱发转换的区域。电能转变或诱发光能者如发光二极管、液晶显示器、有机发光二极管；光能转变或诱发电能者如太阳能电池、光电二极管。上述第一半导体层310、410，有源层312、412及第二半导体层314、414其材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成群组。

依据本发明的另一实施例的光电元件是一发光二极管，其发光频谱可以通过改变半导体单层或多层的物理或化学要素进行调整。常用的材料如磷化铝镓铟(AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(AlGaInN)系列、氧化锌(ZnO)系列等。有源层312、412的结构如：单异质结构(single heterostructure；SH)、双异质结构(double heterostructure；DH)、双侧双异质结构(double-side double heterostructure；DDH)、或多层量子阱(multi-quantμm well；MQW)。再者，调整量子阱的对数也可以改变发光波长。

在本发明的一实施例中，第一半导体层310、410与基板30、40间尚可选择性地包含一缓冲层(buffer layer，未显示)。此缓冲层介于两种材料系统之间，使基板的材料系统”过渡”至半导体系统的材料系统。对发光二极管的结构而言，一方面，缓冲层用以降低两种材料间晶格不匹配的材料层。另一方面，缓冲层也可以是用以结合两种材料或两个分离结构的单层、多层或结构，其可选用的材料如：有机材料、无机材料、金属、及半导体等；其可选用的结构如：反射层、导热层、导电层、欧姆接触(ohmic contact)层、抗形变层、应力释放(stress release)层、应力调整(stress adjustment)层、接合(bonding)层、波长转换层、及机械固定构造等。在一实施例中，此缓冲层的材料可为AlN、GaN，且形成方法可为溅镀(Sputter)或原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)。

第二半导体层314、414上还可选择性地形成一接触层(未显示)。接触层设置于第二半导体层314、414远离有源层(未显示)的一侧。具体而言，接触层可以为光学层、电学层、或其二者的组合。光学层可以改变来自于或进入有源层312、412的电磁辐射或光线。在此所称之「改变」是指改变电磁辐射或光的至少一种光学特性，前述特性包含但不限于频率、波长、强度、通量、效率、色温、演色性(rendering index)、光场(light field)、及可视角(angle of view)。电学层可以使得接触层的任一组相对侧间的电压、电阻、电流、电容中至少其一的数值、密度、分布发生变化或有发生变化的趋势。接触层的构成材料包含氧化物、导电氧化物、透明氧化物、具有50％或以上穿透率的氧化物、金属、相对透光金属、具有50％或以上穿透率的金属、有机质、无机质、荧光物、磷光物、陶瓷、半导体、掺杂的半导体、及无掺杂的半导体中至少其一。在某些应用中，接触层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铝(AZO)、与氧化锌锡(ZTO)中至少其一。若为相对透光金属，其厚度约为0.005μm～0.6μm。

以上各附图与说明虽仅分别对应特定实施例，然而，各个实施例中所说明或揭露的元件、实施方式、设计准则、及技术原理除在彼此显相冲突、矛盾、或难以共同实施之外，当可依其所需任意参照、交换、搭配、协调、或合并。

虽然本发明已说明如上，然其并非用以限制本发明的范围、实施顺序、或使用的材料与制作工艺方法。对于本发明所作的各种修饰与变更，皆不脱本发明的精神与范围。

Claims (7)

1.一种发光元件制造方法，其步骤至少包含：

提供一基板，其中该基板具有第一表面与第二表面，其中该第一表面与该第二表面相对；

形成多个发光叠层于该基板的第二表面上；

形成一氧化层于该基板的第一表面；

自该基板的第一表面上的氧化层施加一能量至该基板内以形成多个不连续的第一变质区；

在施加该能量至该基板内后，形成一金属层于该氧化层上；以及

沿着该些多个不连续的第一变质区分离该基板。

2.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中该能量为施加一激光照射，且该激光波长可为350-1500nm，能量可为0.05-1W，速度可为20-1000mm/sec。

3.如权利要求1所述的发光元件制造方法，还包含形成一支持层包覆该多个发光叠层。

4.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中形成该发光叠层的步骤，至少包含：

形成一第一导电型半导体层于该基板的第二表面上；

形成一活性层于该第一导电型半导体层上；

形成一第二导电型半导体层于该活性层上。

5.如权利要求1所述的发光元件制造方法，还包含第一延伸部，形成于该第一变质区之上，其中该第一延伸部形成在该第一变质区与该基板的第二表面之间。

6.如权利要求1所述的发光元件制造方法，自该基板的第一表面施加一能量至该基板内以形成多个不连续的第二变质区，其中该第二变质区与该第一变质区在垂直该基板第一表面方向可互相重叠或可不互相重叠。

7.如权利要求3所述的发光元件制造方法，还包含一移除该支持层的步骤。