CN111298853B - 芯片的切割成型方法以及晶圆 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种芯片的切割成型方法以及晶圆，切割成型方法包括如下步骤：提供阵列基体，包括底板、分布于底板的导槽及多个具有孔道的芯片单元，导槽与各芯片单元的孔道连通，底板具有与导槽间隔设置的底面以及环绕底面设置的外周面，导槽贯穿外周面并形成开口；在底板上键合盖板并共同形成待灌注体。由导槽的开口向待灌注体内注入呈液体状态的填充材料，使得填充材料至少填充于各芯片单元的孔道并固化，形成晶圆；切割晶圆并形成多个切割体，去除各切割体的填充材料，以成型具有孔道的芯片。本发明实施例提供的芯片的切割成型方法以及晶圆，能够满足芯片的切割成型要求，同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内，保证芯片的性能。

Description

芯片的切割成型方法以及晶圆

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别是涉及一种芯片的切割成型方法以及晶圆。

背景技术

芯片如微流控芯片由于体积小、成本低、便于携带、分析速度快、分析所需样品少等特点在生命科学、医学、食品和环境卫生检查等领域得到了广泛应用。

其中，硅基的微流控芯片由于生产工艺与集成电路相似，利用成熟的集成电路生产工艺很容易实现微流控芯片的大规模批量化生产，生产效率高，但也存在相应的弊端，主要表现为批量化生产的芯片在划片时，切割刀片在高转速下容易使得晶圆产生碎屑，在切割过程中，需要冷却液通过切割刀片带动进入切割部位进行冷却并移除切割时产生的碎屑，而由于芯片的孔道处于开放状态，不可避免的冷却液会带着碎屑进入到微流控芯片的孔道内，影响芯片的性能。

因此，亟需一种新的芯片的切割成型方法以及晶圆。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片的切割成型方法以及晶圆，芯片的切割成型方法能够满足芯片的切割成型要求，同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内，保证芯片的性能。

一个方面，根据本发明实施例提供一种芯片的切割成型方法，包括如下步骤：

提供阵列基体，阵列基体包括底板、分布于底板的导槽以及多个具有孔道的芯片单元，导槽与各芯片单元的孔道连通，底板具有与导槽间隔设置的底面以及环绕底面设置的外周面，导槽贯穿外周面并形成开口；

在底板上键合盖板，以使芯片单元夹持于底板以及盖板之间并共同形成待灌注体；

由开口向待灌注体内注入呈液体状态的填充材料，使得填充材料至少填充于各芯片单元的孔道并固化，形成晶圆；

切割晶圆并形成多个切割体，每个切割体包括芯片单元；

去除各切割体的填充材料，以成型具有孔道的芯片。

根据本发明实施例的一个方面，在由导槽的开口向待灌注体内注入呈液体状态的填充材料，使得填充材料至少填充于各芯片单元的孔道并固化，形成晶圆的步骤之前，成型方法还包括：沿着与底面相交的方向切割待灌注体的外缘，以增大开口的尺寸。

根据本发明实施例的一个方面，导槽与孔道同时成型或者导槽与孔道间隔预定时间成型，导槽的深度小于底板的厚度的二分之一。

根据本发明实施例的一个方面，提供阵列基体的步骤中，多个芯片单元在底板上行列分布，导槽通过刻蚀工艺形成于相邻两行芯片单元和/或相邻两列芯片单元之间。

根据本发明实施例的一个方面，提供阵列基体的步骤中，分布于底板的导槽包括多个横纵交错设置的直线槽以及连通直线槽以及其中一个芯片单元的孔道的连通槽，各直线槽在自身延伸方向的至少一端贯穿底板并形成开口。

根据本发明实施例的一个方面，由开口向待灌注体内注入填充材料，使得填充材料至少填充于各芯片单元的孔道并固化，形成晶圆的步骤包括：

将待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第一种填充材料的容器中，并使得开口被浸没，利用负压原理由开口注入液体状态的第一种填充材料至孔道；

改变第一种填充材料的温度，使得第一种填充材料由液体状态转换为固体状态；

将填充有第一种填充材料的待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第二种填充材料的容器中，并使得开口被浸没，利用负压原理由开口注入呈液体状态的第二种填充材料至孔道；

改变第二种填充材料的温度，使得第二种填充材料由液体状态转换为固体状态，以形成晶圆；

其中，第一种填充材料的熔点高于第二种填充材料的熔点。

根据本发明实施例的一个方面，去除各切割体的填充材料，以成型具有孔道的芯片的步骤包括：

将切割体置于清洗液中；

利用超声清洗工艺对切割体进行清洗，直至切割体上的填充材料被全部剥离，以形成具有孔道的芯片。

根据本发明实施例的一个方面，填充材料包括胶原、明胶、多元醇、麦芽糖醇以及石蜡中的一者或者两者以上的组合。

另一方面，根据本发明实施例提供一种晶圆，包括：阵列基体，包括底板、分布于底板的导槽以及多个具有孔道的芯片单元，导槽与各芯片单元的孔道连通，底板具有与导槽间隔设置的底面以及环绕底面设置的外周面，导槽贯穿外周面并形成开口；盖板，与底板相对设置并与底板键合，各芯片单元夹持于底板以及盖板之间；填充材料体，各芯片单元的孔道内填充有填充材料体。

根据本发明实施例的另一方面，多个芯片单元在底板上行列分布，导槽包括多个横纵交错设置的直线槽以及连通直线槽以及其中一个芯片单元的孔道的连通槽，各直线槽在自身延伸方向的至少一端贯穿外周面并形成开口，导槽内设置有填充材料体。

根据本发明实施例提供的芯片的切割成型方法以及晶圆，芯片的切割成型方法通过在提供的阵列基体的底板上设置导槽并使其与各芯片单元的孔道连通，同时使得导槽贯穿外周面形成开口，在完成盖板与底板键合后可以通过开口快速的向各孔道填充液体状态的填充材料并固化形成晶圆，使得在对晶圆进行切割时，由于各芯片单元的孔道内具有呈固体状态的填充材料，能够阻止碎屑进入芯片的孔道内，当切割完成后去除各切割体内的填充材料，满足具有孔道的芯片的成型要求，同时还能够使得保芯片具有更好的性能，并且，通过使得导槽与底板的底面间隔设置，即开口与底面间隔设置，易于导槽及其开口的成型，保证与各芯片单元的孔道的连通效果，且能够避免导槽在成型时对芯片单元造成损伤。

附图说明

下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。

图1是本发明一个实施例的芯片的切割成型方法的流程示意图；

图2是本发明一个实施例的阵列基体的结构示意图；

图3是本发明实施例的晶圆的结构示意图；

图4是本发明另一个实施例的芯片的切割成型方法的流程示意图；

图5是本发明又一个实施例的芯片的切割成型方法的流程示意图；

图6是本发明一个实施例的待灌注体被切割后的局部结构示意图；

图7是本发明另一个实施例的阵列基体的局部结构示意图；

图8是本发明又一个实施例的阵列基体的局部结构示意图；

图9是本发明再一个实施例的阵列基体的结构示意图。

其中：

10-阵列基体；

11-底板；111-承载面；112-外周面；底面-113；

12-导槽；121-直线槽；121a-初始直线槽段；121b-延伸直线槽段；122-连通槽；123-开口；

13-芯片单元；

20-盖板。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的芯片的切割成型方法以及晶圆的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

为了更好地理解本发明，下面结合图1至图9根据本发明实施例的芯片的切割成型方法以及晶圆进行详细描述。

请一并参阅图1至图3，图1示出了本发明一个实施例的芯片的切割成型方法的流程示意图，图2示出了本发明一个实施例的阵列基体的结构示意图，图3示出了本发明实施例的晶圆的结构示意图。

如图1至图3所示，本发明实施例提供一种芯片的切割成型方法，包括如下步骤：

S100、提供阵列基体10，阵列基体10包括底板11、分布于底板11的导槽12以及多个具有孔道的芯片单元13，导槽12与各芯片单元13的孔道连通，底板11具有与导槽12间隔设置的底面113以及围合底面113设置的外周面112，导槽12贯穿外周面112并形成开口123；

S200、在底板11上键合盖板20，以使芯片单元13夹持于底板11以及盖板20之间并共同形成待灌注体，孔道通过导槽12与外界连通；

S300、由开口123注入呈液体状态的填充材料，使得填充材料至少填充于各芯片单元13的孔道并固化，形成晶圆；

S400、切割晶圆并形成多个切割体，每个切割体包括芯片单元13；

S500、去除各切割体的填充材料，以成型具有孔道的芯片。

本发明实施例提供的芯片的切割成型方法，能够满足芯片的切割成型要求，同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内，保证芯片的性能。

请一并参阅图4，图4示出了本发明另一个实施例的芯片的切割成型方法的流程示意图。在步骤S100中，提供的阵列基体10可以是提前预制好的，当然也可以是现场预制的，在一些可选的示例中，步骤S100可以包括：

S110、提供具有底面113、承载面111以及外周面112的底板11，所提供的底板11可以为规则的几何形状，在一些可选的示例中，底板11也可以为圆形板，承载面111可以为底板11在自身轴向或者说厚度方向的上的一个表面，其可以为平面，也可以为凹凸面，具体根据芯片单元13以及导槽12的结构形式确定，只要能够满足芯片单元13以及导槽12的设置要求均可，底面113是与承载面111相对设置的另一个表面，外周面112环绕底面113以及承载面111设置。

S120、在底板11的承载面111上成型多个具有孔道的芯片单元13以及导槽12，并使得导槽12至少部分贯穿外周面112，以形成开口123，所成型的芯片单元13可以为不同形式的具有孔道的芯片单元13，在一些可选的示例中，芯片单元13可以为微流控芯片单元，所形成的导槽12可以按照多种图案形式排布，只要能够使得各芯片单元13的孔道均与导槽12连通即可。

可选的，在底板11的厚度方向上，导槽12的深度小于底板11的厚度，通过上述设置，能够利于导槽12的成型。进一步可选的，导槽12的深度小于底板11的二分之一厚度，通过上述设置，能够更好的降低芯片在切割成型时的成本，且减小导槽12在成型时，对芯片单元13的影响，进而提高切割成型后的芯片的成品率。

可选的，底板11的上的导槽12以及多个芯片单元13的孔道可以间隔预定时间成型，即，二者之间的成型时间点可以具有时间差，例如，可以先在底板11上成型多个芯片单元13，待多个芯片单元13成型之后根据各芯片单元13的位置开设导槽12，使得导槽12与各芯片单元13的孔道相互连通。

当然，此为一种成型方式，在一些其他的示例中，也可以使得导槽12在芯片单元13的成型过程中，与各芯片单元13的孔道同时成型。可选的，例如可以在用于成型各芯片单元13的孔道的掩模板上设置与导槽12的图案相匹配的开孔，进而满足导槽12与孔道同时成型，通过上述设置，不仅能够保证二者之间的连通关系，同时，不会增加芯片的产品制程，使得导槽12的设置方式简单且高效。

请一并参阅图5以及图6，图5示出了本发明又一个实施例的芯片的切割成型方法的流程示意图，图6示出了本发明实施例的待灌注体被切割后的局部结构示意图。在一些可选的实施例中，上述各实施例提供的芯片切割成型方法，在步骤S300之前，成型方法还包括步骤S600：沿着与底面113相交的方向切割待灌注体的外缘，以增大开口123的尺寸。

由于底板11与盖板20在键合时，在高温的作用下，盖板20可能发生软化状态，导致边缘的翘曲/变形会大于中心位置，使得开口123的尺寸减小甚至堵塞，因此，在步骤S300之前，先对待灌注体的外缘进行切割，去除边缘翘曲变形的区域，使得新形成的开口123尺寸相比于之前的开口尺寸更大，利于向待灌注体内灌注填充材料。

可选的，对待灌注体的切割方向与底面113相互垂直，通过上述设置，更易于操作，且在切割时，能够减小或者避免对芯片单元的损伤。

可选的，在对待灌注体进行切割时，可以只在成型开口的外缘区域进行切割，当然，也可以对待灌注体的所有外缘区域进行切割，具体可以根据开口123的数量以及位置进行设置。

作为一种可选的实施方式，在步骤S100中，如可以在步骤S100所包括的步骤S120中，多个芯片单元13在底板11上可以行列分布，导槽12通过刻蚀工艺形成于相邻两行芯片单元13和/或相邻两列芯片单元13之间。芯片单元13在底板11上的上述分布以及导槽12的位置与成型方式便于芯片单元13以及导槽12在底板11上的成型，同时能够保证芯片单元13的孔道与导槽12的连通需求。

在一些可选的实施例中，在步骤S100中，如可以在步骤S100所包括的步骤S120中，形成于底板11的导槽12包括多个横纵交错设置的直线槽121以及连通直线槽121以及其中一个芯片单元13的孔道的连通槽122，各直线槽121在自身延伸方向的至少一端贯穿底板11，具体贯穿底板11的外周面112，即，在该示例中，导槽12整体可以呈网格状的图案排布，导槽12在每个直线槽121的端部均可形成开口123，在一些可选的实施例中，各直线槽121在自身延伸方向的两端均贯穿底板11的外周面112，进而在每个直线槽121的两端均形成有开口123，通过上述设置，更利于在执行步骤S300时，使得灌注材料由多个方向进入导槽12内进而灌注于各芯片单元13的孔道内，提高灌注速度以及灌注的均匀性。

作为一种可选的实施方式，上述各实施例提供的切割方法中，开口123的数量为多个，多个开口123在底板11的周向间隔设置。通过上述设置，能够优化灌注液体进入导槽12中的路径，使得灌注材料由多个方向进入导槽12内进而灌注于各芯片单元13的孔道内，进一步提高灌注速度以及灌注的均匀性。

请一并参阅图7以及图8，图7示出了本发明另一个实施例的阵列基体的局部结构示意图，图8示出了本发明又一个实施例的阵列基体的局部结构示意图。作为一种可选的实施方式，提供的阵列基体10上，用于连通直线槽121以及孔道的连通槽122可以采用多种结构形式，例如可以为图1所示的直线槽121与连通槽122相互垂直设置，当然，也可以采用如图7所示的相交设置形式。当然，如图8所示，连通槽122也可以为曲线形的槽，只要能够满足将直线槽121与孔道的连通需求均可。

在一些可选的实施例中，在步骤S100中，如可以在步骤S100所包括的步骤S120中，导槽12可以通过一次刻蚀工艺成型，例如，各直线槽121可以通过光刻工艺和刻蚀工艺刻蚀底板11成型。

请一并参阅图9，图9示出了本发明再一个实施例的阵列基体的结构示意图，当然，在一些其他的示例中，也可以通过分次刻蚀工艺成型，每个直线槽121可以先通过湿法刻蚀工艺刻蚀底板11并形成延伸直线槽段121b，延伸直线槽段121b延伸至外周面112并形成开口123，延伸直线槽段121b的长度可以根据需求设定，例如可以为2mm，当然也可以为0-3mm之间的任意数值。然后通过光刻工艺与刻蚀工艺刻蚀底板11以形成与相应的延伸直线槽段121b相接的初始直线槽段121a。该种设置方式能够适用于ICP刻蚀机等，保证被刻蚀机的压环所遮挡的区域即图9中虚线圆30以外的区域，同样能够被刻蚀，保证导槽12的各开口123的成型需求，进而能够更好的执行步骤S300。

先刻蚀延伸直线槽段121b而后刻蚀初始直线槽段121a能够避免在湿法刻蚀延伸直线槽段121b时对初始直线槽段121a产生影响，能够更好的满足导槽12图案分布需求。在具体实施时，连通槽122可以单独刻蚀成型，当然，可选与各初始直线槽段121a同时刻蚀成型。

作为一种可选的实施方式，在步骤S200中，所提供的盖板20的结构形状可以与底板11的结构形状相匹配，可选的，其同样可以为圆形板，盖板20与底板11相对设置并将多个芯片单元13覆盖。在该步骤中，所提及的孔道通过导槽12与外界连通中的“外界”可以为底板11的外周面112以外的区域。

可选的，步骤S300可以包括：

将步骤S200中成型的待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第一种填充材料的容器中，使得开口123被浸没，利用负压原理由开口123注入液体状态的第一种填充材料直至各芯片单元13的孔道被充满。

本发明以上以及以下各实施例所提及的填充材料可以采用在室温时处于固体状态，当被加热至预定温度后融化呈液体状态的材料，例如当被加热至40℃～160℃的温度区间范围时处于液体状态的材料。在一些可选的示例中，填充材料可以包括胶原、明胶、多元醇如聚乙二醇或聚乙烯醇等、麦芽糖醇以及石蜡中的一者或者两者以上的组合。

为了更好的理解本发明，以下将以第一种填充材料为石蜡为例进行举例说明，当然第一种填充材料并不限于石蜡，也可以为上述列举示例中的其他材料或者具有同等特性的材料。

在一些可选的示例中，将成型的待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第一种填充材料的容器中，使得开口123被浸没，利用负压原理由开口123注入液体状态的第一种填充材料直至各芯片单元13的孔道被充满的步骤具体可以包括：

将块状石蜡即第一种填充材料放入烧杯中加热至100℃熔融，待完全成熔融状态后备用；

将待灌注体放置于盛放有呈液体状态的石蜡的烧杯中；

然后将烧杯放入真空干燥箱中，使得干燥箱保持100℃以上的温度，打开真空泵，待气压降到最低时，保持半小时及以上，使得熔融状态的石蜡利用负压原理由开口123流经导槽12并进入各芯片单元13的内部孔道，直至各芯片单元13的孔道被充满。

改变石蜡的温度，使得石蜡由液体状态转换为固体状态。即，待各芯片单元13的孔道被充满之后可以通过改变烧杯中石蜡的温度，使其由液体状态转换为固体状体，形成的结构可以称之为晶圆。此时可以对其进行切割形成切割体，可以起到在芯片成型时避免碎屑进入孔道内部的作用。

当然，为了避免第一种填充材料在由液体状态转换为固体状态时，因密度存在差异导致热胀冷缩后第一种填充材料与其所在孔道之间形成间隙或者孔洞，可选的步骤S300还包括：

将填充有第一种填充材料的待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第二种填充材料的容器中，并使得开口被浸没。

利用负压原理由开口注入液体状态的第二种填充材料至孔道，直到孔道被充满。

改变第二种填充材料的温度，使得第二填充材料由液体状态转换为固体状态，形成的结构同样可以称之为晶圆，其中，第一种填充材料的熔点高于第二种填充材料的熔点。

以第一种填充材料以及第二种填充材料均为石蜡为例，不同点在于二者的成分比例不同，可以使得第一种填充材料的熔点为90℃，第二种填充材料为的熔点为80℃。

可以先利用熔点为90℃的石蜡即第一种填充材料在温度100℃时对各芯片单元13内部的孔道进行填充并固化后，再将填充有第一种填充材料的待灌注体放入熔点为80℃的石蜡即第二种填充材料中，加热至85℃时，熔点90℃的石蜡会变软，熔点80℃的石蜡就可以渗入到第一次填充时未填满气泡以及第一填充材料与孔道侧壁之间的空隙中进行二次填充。以更好的保证晶圆在被切割时有效的避免碎屑进入芯片单元13的孔道中，进而保证切割成型的芯片的性能。

作为一种可选的实施方式，在步骤S400中，对晶圆进行切割，也可称之为对晶圆进行划片，切割的位置可以为每相邻两个芯片单元13之间，目的在于可以将任意相邻两个芯片单元13分开，切割形成的每个切割体可以包括一个切割单元。由于各芯片单元13的孔道内填充有填充材料，使得整个晶圆在被切割时，产生的碎屑无法进入孔道的内部。

在步骤S500中，去除各切割体的填充材料，以成型具有孔道的芯片可以包括：

将切割体置于清洗液中，所提及的清洗液可以采用多种溶液成分，在一些可选的示例中，其可以为高温加热后的无水乙醇，可以将切割体在无水乙醇中加热10分钟及以上的时间。同时，可以利用超声清洗工艺对切割体进行清洗，直至切割体上的填充材料被全部剥离，以形成具有孔道的芯片，可选的，形成的芯片可以为微流控芯片。

由此，本发明实施例提供的芯片的切割成型方法，通过在提供的阵列基体10的底板11上设置导槽12并使其与各芯片单元13的孔道连通，同时使得导槽12具有贯通底板11的外周面112的开口123，在完成盖板20与底板11键合后可以通过开口123快速的向各孔道填充液体状态的填充材料并固化形成晶圆，使得在对晶圆进行切割时，由于各芯片单元13的孔道内具有呈固体状态的填充材料，能够阻止碎屑进入芯片的孔道内，当切割完成后去除各切割体内的填充材料即可，满足具有孔道的芯片的成型要求，同时还能够使得保芯片具有更好的性能。

同时，通过使得导槽12与底板11的底面113间隔设置，即开口123与底面113间隔设置，易于导槽12及其开口123的成型，保证与各芯片单元的孔道的连通效果，且能够避免导槽12在成型时对芯片单元造成损伤。

进一步的，当导槽12与各芯片单元13的孔道同时成型时，可以在不增加额外制程的基础上可以实现填充材料的注入，节省了工艺步骤，无需在盖板20上打孔即可满足填充材料的灌注，同时能够保证盖板20的完整度，降低了底板11以及盖板20之间的键合难度，当灌注材料采用负压原理灌注时，比使用注射机台加压注入工艺更加简单，而且效率更高，易于推广使用。

请继续参阅图2、图3以及图6至图9，作为一种可选的实施方式，本发明实施例还提供一种晶圆，其可以包括阵列基体10、盖板20以及填充材料体，阵列基体10包括底板11、呈预定图案分布于底板11的导槽12以及多个具有孔道的芯片单元13，导槽12与各芯片单元13的孔道连通，底板11具有与导槽12间隔设置的底面113以及环绕底面113设置的外周面112，导槽12贯穿外周面112并形成开口123。盖板20与底板11相对设置并与底板11键合，各芯片单元13夹持于底板11以及盖板20之间，各芯片单元13的孔道内填充有填充材料体，可选的，填充材料体充满各芯片的孔道，填充材料体可以由上述各实施例中在芯片的切割成型方法中提及的液体状态的填充材料如胶原、明胶、多元醇如聚乙二醇或聚乙烯醇等、麦芽糖醇以及石蜡中的一者或者两者以上的组合固化形成。

本发明实施例提供的晶圆，在被切割成型具有孔道的芯片的过程中，能够避免切割产生的碎屑进入孔道内，能够保证被切割成型后的芯片的性能。

可选的，底板11具有承载面111以及环绕承载面111设置的外周面112，多个芯片单元13间隔设置于承载面111并具有孔道，多个芯片单元13在底板11上行列分布，导槽12包括多个横纵交错设置的直线槽121以及连通直线槽121以及其中一个芯片单元13的孔道的连通槽122，各直线槽121在自身延伸方向的至少一端贯穿外周面112，导槽12内设置有填充材料体，可选的，导槽12内充满填充材料体。芯片单元13在底板11上采用上述分布方式，并限定导槽12的上述结构形式，在避免切割产生的碎屑进入芯片单元13的孔道内的同时，便于晶圆的成型以及切割，提高对晶圆的切割效率，利于芯片的批量化生产，成型的芯片同样可选为微流控芯片。

可以理解的是，本发明实施例提供的晶圆，其阵列基体10的结构形式如底板11、导槽12以及芯片单元13和盖板20的结构形式可以同上述各实施例在芯片切割成型方法中所提及的底板11、导槽12、芯片单元13以及盖板20结构形式，在此就不再重复赘述。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种芯片的切割成型方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供阵列基体，所述阵列基体包括底板、分布于所述底板的导槽以及多个具有孔道的芯片单元，所述导槽与各所述芯片单元的所述孔道连通，所述底板具有与所述导槽间隔设置的底面以及环绕所述底面设置的外周面，所述导槽贯穿所述外周面并形成开口；

在所述底板上键合盖板，以使所述芯片单元夹持于所述底板以及所述盖板之间并共同形成待灌注体；

由所述导槽的所述开口向所述待灌注体内注入呈液体状态的填充材料，使得所述填充材料至少填充于各所述芯片单元的所述孔道并固化，形成晶圆；

切割所述晶圆并形成多个切割体，每个所述切割体包括所述芯片单元；

去除各所述切割体的填充材料，以成型具有所述孔道的芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，在所述由所述开口向所述待灌注体内注入呈液体状态的填充材料，使得所述填充材料至少填充于各所述芯片单元的所述孔道并固化，形成晶圆的步骤之前，所述成型方法还包括：

沿着与所述底面相交的方向切割所述待灌注体的外缘，以增大所述开口的尺寸。

3.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，所述导槽与所述孔道同时成型或者所述导槽与所述孔道间隔预定时间成型，所述导槽的深度小于所述底板的厚度的二分之一。

4.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，所述提供阵列基体的步骤中，多个所述芯片单元在所述底板上行列分布，所述导槽通过刻蚀工艺形成于相邻两行所述芯片单元和/或相邻两列所述芯片单元之间。

5.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，所述提供阵列基体的步骤中，分布于所述底板的所述导槽包括多个横纵交错设置的直线槽以及连通所述直线槽以及其中一个所述芯片单元的所述孔道的连通槽，各所述直线槽在自身延伸方向的至少一端贯穿所述底板并形成所述开口。

6.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，所述由所述开口向所述待灌注体内注入填充材料，使得所述填充材料至少填充于各所述芯片单元的所述孔道并固化，形成晶圆的步骤包括：

将所述待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第一种所述填充材料的容器中，并使得所述开口被浸没，利用负压原理由所述开口注入液体状态的第一种所述填充材料至所述孔道；

改变第一种所述填充材料的温度，使得第一种所述填充材料由液体状态转换为固体状态；

将填充有第一种所述填充材料的所述待灌注体放置于盛放有呈液体状态的第二种所述填充材料的容器中，并使得所述开口被浸没，利用负压原理由所述开口注入呈液体状态的第二种所述填充材料至所述孔道；

改变第二种所述填充材料的温度，使得第二种所述填充材料由液体状态转换为固体状态，以形成所述晶圆；

其中，第一种所述填充材料的熔点高于第二种所述填充材料的熔点。

7.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，所述去除各所述切割体的填充材料，以成型具有所述孔道的芯片的步骤包括：

将所述切割体置于清洗液中；

利用超声清洗工艺对所述切割体进行清洗，直至所述切割体上的所述填充材料被全部剥离，以形成具有所述孔道的所述芯片。

8.根据权利要求1所述的芯片的切割成型方法，其特征在于，所述填充材料包括胶原、明胶、多元醇以及石蜡中的一者或者两者以上的组合。

9.一种晶圆，其特征在于，包括：

阵列基体，包括底板、分布于所述底板的导槽以及多个具有孔道的芯片单元，所述导槽与各所述芯片单元的所述孔道连通，所述底板具有与所述导槽间隔设置的底面以及环绕所述底面设置的外周面，所述导槽贯穿所述外周面并形成开口；

盖板，与所述底板相对设置并与所述底板键合，各所述芯片单元夹持于所述底板以及所述盖板之间；

填充材料体，各所述芯片单元的所述孔道内填充有所述填充材料体。

10.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于，多个所述芯片单元在所述底板上行列分布，所述导槽包括多个横纵交错设置的直线槽以及连通所述直线槽以及其中一个所述芯片单元的所述孔道的连通槽，各所述直线槽在自身延伸方向的至少一端贯穿所述外周面并形成所述开口，所述导槽内设置有所述填充材料体。

Images