NL1019613C2 - Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. - Google Patents
Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1019613C2 NL1019613C2 NL1019613A NL1019613A NL1019613C2 NL 1019613 C2 NL1019613 C2 NL 1019613C2 NL 1019613 A NL1019613 A NL 1019613A NL 1019613 A NL1019613 A NL 1019613A NL 1019613 C2 NL1019613 C2 NL 1019613C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- fluid
- recesses
- chip part
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
- B81C1/00888—Multistep processes involving only mechanical separation, e.g. grooving followed by cleaving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dicing (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
WERKWIJZE VOOR HET VERDELEN VAN EEN SUBSTRAAT IN EEN AANTAL INDIVIDUELE CHIPDELEN
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. De uitvinding heeft tevens betrekking op een substraat waarop een aantal te verdelen 5 chipdelen is aangebracht. De uitvinding heeft eveneens betrekking op een van een substraat gescheiden chipdeel.
In het recente verleden zijn zogenaamde "fluidic chips" ontwikkeld waarbij een vloeistof met geladen deeltjes door een in het chipdeel aangebrachte 10 microstructuur, zoals bijvoorbeeld gevormd door zeer kleine kanalen, wordt getransporteerd door een elektrisch veld aan te brengen onder invloed waarvan de positief en negatief geladen deeltjes zich in tegenovergestelde richtingen verplaatsen. Dit transportmechanisme wordt ook wel 15 elektroforese genoemd. Tevens zijn "fluidic chips" ontworpen waarin het transportmechanisme van het fluidum zogenaamde elektro-osmose is. De kanalen in het chipdeel zijn in dit geval omgeven door een elektrische isolator, waarbij met behulp van elektroden transport van het fluïdum 20 in de kanalen te regelen is. De vloeistof in de kanalen kan ook via een extern aangebrachte (hydraulische) druk worden verplaatst. Tevens zijn "fluidic chips" bekend die fungeren als microreaotor waarin op micro-schaal chemische reacties worden aangegaan.
10196^3 2
Het is bekend te achten deze "fluidic chips" in grote aantallen relatief goedkoop te fabriceren door een aantal van deze chips (bijvoorbeeld 10) gelijktijdig te fabriceren op een groter substraat. Vervolgens worden de 5 afzonderlijke chips of chipdelen ("chip dices") van elkaar gescheiden, alvorens ze stuk voor stuk, al dan niet geautomatiseerd, worden afgemonteerd met elektrische en andere verbindingen naar de buitenwereld, en in een afschermende behuizing worden verpakt.
10 Het is bekend te achten de chipdelen van elkaar te.
scheiden door het substraat in delen te zagen. Een andere bekende werkwijze is het met een laserstraal snijden van het· substraat ("laser scribing"). De bekende fabricagewijzen hebben het bezwaar dat er speciale en 15 kostbare apparatuur benodigd is, die bovendien slechts één zaaglijn respectievelijk snijlijn of slechts een aantal parallelle zaaglijnen respectievelijk snijlijnen gelijktijdig kan bewerkstelligen en dat slechts voor één substraat gelijktijdig. Tevens dient een nauwkeurige en 20 tijdrovende uitlijnprocedure te worden gevolgd om de zaaglijnen respectievelijk snijlijnen op exact de juiste posities ten opzichte van de microstructuren in de chipdelen aan te brengen. Een verder bezwaar is dat bij het zagen of snijden een hoeveelheid gruis en/of een 25 hoeveelheid vloeistof vrijkomt, die zich in de microstructuren van de chipdelen, zoals bijvoorbeeld in de kanalen, toevoeropeningen etc., kunnen verzamelen.
Uit het Amerikaanse octrooischrift US 6 075 280 is een werkwijze bekend voor het verdelen van een in aantal 30 chips van geïntegreerde schakelingen (IC chips). Het betreft hier echter geen substraat voor het houden van een vloeistof of gas, zoals hierboven beschreven is, maar een halfgeleidersubstraat, bovendien van een speciale •I 0 1 H 6 * 3 3 kristallografische oriëntatie, waarop geïntegreerde schakelingen van het elektronische type zijn voorzien.
Voorts is de. bekende werkwijze gecompliceerd en omvat een groot aantal bewerkingsstappen. De bekende werkwijze 5 bestaat erin dat de volgende bewerkingsstappen worden uitgevoerd: het aanbrengen van een laag van een materiaal dat bestand is tegen geconcentreerde kaliloogoplossingen, bijvoorbeeld een siliciumoxidelaag, het vormen van een fotoresistlaag, het bewerken van de fotoresistlaag via een 10 fotolithografisch proces, waarbij de in deze laag te belichten patronen zeer nauwkeurig dienen te worden gericht naar de kristallografische richtingen in het substraat, alstnede het uitvoeren van een kristalrichtingsafhankelijk etsproces in het substraat, bijvoorbeeld in een 15 geconcentreerde kaliloogoplossing, voor het aanbrengen van V-vormige breekgroeven. De groeven zijn langs de kristalrichtingen georiënteerd welke kristalrichtingen tevens de breekrichtingen van het halfgeleidersubstraat vormen. Het boven beschreven proces is gecompliceerd en .
20 vergt bovendien een aantal aanvullende bewerkingsstappen, hetgeen de fabricage van de chips tijdintensief en kostbaar maakt. De belangrijkste tekortkoming van de methode is evenwel de beperkte toepasbaarheid, namelijk alleen monokristallijne substraten van bepaalde geschikt gekozen 25 kristallografische snede kunnen op deze wijze worden verdeeld.
Het is een doel van de onderhavige uitvinding een werkwijze te verschaffen voor het verdelen van een substraat in een aantal verschillende chipdelen waarin 30 bovengenoemde bezwaren zijn ondervangen.
Het is een verder doel van de uitvinding een werkwijze voor het scheiden van de chipdelen te verschaffen waarin een extra uitlijnstap achterwege kan blijven.
1019613 4
Volgens een eerste aspect van de uitvinding wordt een werkwijze verschaft voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen, omvattende de stappen van: 5 het in het substraat vormen van een aantal chip delen omvattende voor elk chip deel het in het substraat, aanbrengen van uitsparingen voor het houden van fluïdum; het in het substraat langs individuele chipdelen aanbrengen van een of meer breekgroeven; 10 het op het substraat aanbrengen van mechanische kracht voor het breken van het substraat langs de breekgroeven, waarbij de stappen van het aanbrengen van uitsparingen in het substraat en het aanbrengen van breekgroeven in het substraat in hoofdzaak gelijktijdig 15 worden uitgevoerd. Door het substraat op een dergelijke manier in de verschillende chipdelen te verdelen, wordt vermeden dat, zoals het geval is bij het zagen of snijden van de chipdelen, gruis en/of vloeistof in de uitsparingen voor het houden van fluïdum in de chipdelen terechtkomt.
20 Bovendien wordt de kans op verlies van substraat materiaal, met name aan de randen van het substraat, alsmede de kans op beschadigingen zoals scheuren in het substraat, verder verminderd. De stappen van het aanbrengen van uitsparingen in het substraat en het aanbrengen van breekgroeven in het 25 substraat in hoofdzaak gelijktijdig en bij voorkeur in één stap uitgevoerd. Dit leidt tot een vermindering van het aantal processtappen.
Bij voorkeur omvat het substraat ten minste een eerste en een tweede substraatdeel en omvat de werkwijze de 30 stappen van: a) het in het eerste substraatdeel aanbrengen van ten minste een uitsparing voor het houden van fluïdum; i 01S6 ï3 5 b) het in het tweede substraatdeel aanbrengen van doorgangen naar de uitsparing in het eerste substraatdeel, waarbij een eerste doorgang een fluidumtoevoer en een tweede doorgang een fluidumafvoer vormt; 5 c) het in ten minste een van de substraatdelen aanbrengen van een of meer breekgroeven; d) het plaatsen van het tweede substraatdeel op het eerste substraatdeel; e) het langs de breekgroeven breken van het 10 substraat. Hierbij worden ook weer de stappen van het aanbrengen van uitspauwingen en een substraatdeel en het aanbrengen van breekgroeven in 'een of meer van de substraatdelen in hoofdzaak gelijktijdig en bij voorkeur in één stap 15 uitgevoerd.
Overigens kan de volgorde van de stappen a tm d hierbij gewijzigd worden. Zo kan de stap van het plaatsen van het tweede substraat op het eerste substraat ook vlak na de eerste stap worden uitgevoerd, alhoewel bij 20 uitvoering in deze volgorde het risico bestaat dat tijdens het aanbrengen van de breekgroeven verontreinigingen, zoals bijvoorbeeld poeder uit een "powder blast" proces, in de kanalen terecht kan komen, hetgeen ongewenst is. Door gebruik te maken van twee, op elkaar te plaatsen 25 substraatdelen is het relatief eenvoudig om de gewenste kanalenstructuur aan te brengen, aangezien de uitsparingen in het eerste substraat kanalen vormen wanneer het tweede substraat eenmaal op het eerste substraat is geplaatst. Overigens zijn ook, afhankelijk van de gewenste 30 microstructuur in de chip, uitvoeringen denkbaar met drie of meer boverop elkaar geplaatste substraten. In het eerste substraat of het tweede substraat worden langs de te verdelen chipdelen breekgroeven aangebracht. Doordat de i n i ..v . u u i & 6 substraten bovenop elkaar zijn bevestigd, volstaat het om in slechts één van de substraten breekgroeven aan te brengen. Breekgroeven kunnen echter ook in meer substraten worden aangebracht.
5 Bij voorkeur omvat de werkwijze het door een powder blast bewerking verwijderen van substraatmateriaal, voor het aanbrengen van de uitsparingen en/of de breekgroeven. Hierbij wordt poeder, bijvoorbeeld aluminiumoxide deeltjes met een doorsnede van gemiddeld 30 micrometer, onder hoge 10 snelheid tegen het substraatmateriaal gespoten, als gevolg waarvan substraatmateriaal plaatselijk wordt verwijderd.
De werkwijze volgens de uitvinding omvat voorts bij voorkeur het op het substraat aanbrengen van een lithografisch masker. Dit kan dan gevolgd worden door het 15 verwijderen van substraatmateriaal op door het masker aangeduide posities, bij voorkeur door de eerder genoemde "powder blast"-bewerking.
Een ander aspect van de onderhavige uitvinding betreft een substraat waarop een aantal chip delen zijn .
20 aangebracht, waarbij een chip deel een aantal eerste, relatief diepe uitsparingen omvat, bij voorkeur kanaalstructuren voor transporteren van fluïdum alsmede ten minste een toevoeropening en ten minste een afvoeropening voor het toevoeren respectievelijk afvoeren van fluïdum, 25 alsmede een of meer tweede, relatief ondiepe uitsparingen die zich langs de individuele chip delen uitstrekkende breekgroeven vormen, waarbij de breekgroeven zijn voorzien voor het door breking van elkaar scheiden van de individuele chip delen.
30 Bij voorkeur zijn de uitsparingen aangebracht met de eerder genoemde "powder blast" bewerking. De aldus in het substraat gevormde uitsparingen hebben in dwarsdoorsnede een in hoofdzaak afgeronde V-vorm. Met name 1019613 7 in vergelijking met bijvoorbeeld ronde of rechthoekige breekgroeven is de V-vorm van de breekgroeven voordelig aangezien de V-vorm het breken van het substraat vereenvoudigt.
5 Het substraat is in een bepaalde voorkeursuitvoeringsvorm voorzien van een beschermlaag die ter plaatse van de chipdelen lithografisch behandeld is. Op door het lithografisch masker bepaalde posities is de beschermlaag plaatselijk verwijderd. Dit maakt de weg vrij 10 om met behulp van de eerder genoemde "powder blast"- techniek op nauwkeurige en eenvoudige wijze uitsparingen in het substraat te maken in die gebieden waar de beschermlaag verwijderd is. Hetzelfde lithografische masker wordt in deze uitvoeringsvorm gebruikt voor zowel het vervaardigen 15 van de chipdelen, dat wil zeggen het aanbrengen van de microstructuren van de chipdelen, als voor het aanbrengen van de breekgroeven. Dit betekent dat een afzonderlijke uitlijnstap voor het aanbrengen van de breekgroeven achterwege kan blijven.
20 Bij toepassing van de powder blast techniek is de diepte van een uitsparing afhankelijk van de breedte van de opening in de lithografisch behandelde beschermlaag. Door een juiste keuze van het lithografisch masker wordt dus "automatisch" een gewenste diepte van de uitsparing tot 25 stand gebracht. Zo kan een vrij ondiepe maar goed gedefinieerde smalle breekgroef gelijktijdig worden aangebracht met diepere structuren voor fluidische toepassingen, zoals in- en uitgangen en kanalen voor chemische scheidingstechnieken of chemische synthese.
30 Volgens een verder aspect van de uitvinding wordt een chipdeel 'verschaft, dat is gescheiden van een substraat, waarbij het chipdeel een substraat omvat waarin een aantal uitsparingen voor het houden van fluïdum is 1019613 t 8 aangebracht, welke uitsparingen bij voorkeur kanaalstructuren voor transporteren van fluïdum alsmede ten minste een toevoeropening en ten minste een afvoeropening voor het toevoeren respectievelijk afvoeren van fluïdum 5 vormen, waarbij het omtreksoppervlak van het substraat een afgeschuinde rand corresponderend met een in het bovenoppervlak van het substraat aangebrachte breekgroef alsmede een zich onder de afgeschuinde rand uitstrekkend en door breking van het substraat langs de breekgroef 10 gedefinieerd oppervlak omvat. Het volgens de eerder genoemde werkwijze volgens de uitvinding verdeelde chipdeel is van buitenaf onder andere herkenbaar doordat het omtreksoppervlak daarvan een deel heeft met bepaalde ruwheid die indicatief is voor de breking van het substraat 15 alsmede een deel met een verschillende ruwheid heeft dat bovendien enigszins is afgeschuind, welk deel indicatief is voor een in het substraat aangebrachte breekgroef.
Bij voorkeur is het substraat van een chipdeel vervaardigd van relatief hard materiaal zoals bij voorkeur 20 glas. Glas is een relatief hard materiaal waarin eenvoudig (capillaire) kanaalstructuren en dergelijke in kunnen worden aangebracht. In een andere voorkeursuitvoeringsvorm met twee of meer substraten is een aantal van de substraten vervaardigd van glas en is een het resterend aantal 25 substraten vervaardigd van kunststof, bijvoorbeeld als ondersteuning voor de glazen substraten.
Een nog niet eerder vermeld voordeel van de onderhavige uitvinding is dat ten gevolge van het breken van de chipdelen uit een substraat een minimaal verlies aan 30 chipoppervlak resulteert, dit in tegenstelling tot het verlies van typisch 300 micrometer aan alle zijden van een chipdeel voor het volgens de eerder genoemde standaardmethoden verdelen van de chips.
1 01üö ) 8 9
Verdere voordelen, kenmerken en details van onderhavige uitvinding zullen worden verduidelijkt aan de hand van een beschrijving van twee voorkeursuitvoeringsvormen daarvan. In de beschrijving 5 wordt verwezen naar de figuren, waarin tonen:
Figuur 1 dwarsdoorsnede van een substraat waarin een aantal "micro-fluidic "-chips zijn voorzien;
Figuur 2 een dwarsdoorsnede van een andere voorkeursuitvoeringsvorm met twee op elkaar geplaatste 10 substraten;
Figuur 3 een gedeeltelijk weggenomen aanzicht in perspectief van een langs een zijde van het substraat gescheiden chipdeel; en
Figuur 4 een aanzicht in perspectief van een van 15 een substraat gescheiden chipdeel.
Figuren 1 tot en met 3 geven de verwerkingsstappen aan waarmee een substraat verdeeld kan worden in een aantal individuele chipdelen of "micro-fluidic" chips. Zoals is getoond in figuur 1 omvat een substraat een aantal, 20 bijvoorbeeld 10, chips (chipdelen) 2, 2', 2" die gelijktijdig zijn aangebracht. In de weergegeven uitvoeringsvorm is het substraat opgebouwd uit een tweetal substraten, te weten een bovenste substraat 3 en een onderste substraat 4. In het onderste substraat 4 is met 25 behulp van een ets-techniek, een "laser machining"-techniek of een "powder blast"-techniek een uitsparing 7 aangebracht. In gemonteerde toestand wanneer beide substraten aan elkaar zijn bevestigd vormt de uitsparing een kanaal. In het bovenste substraat 3 zijn uitsparingen 5 30 en 6 gemaakt. In gemonteerde toestand fungeren deze als doorgangen waarbij de eerste doorgang 5 een toevoeropening is voor het door de uitsparing 7 gevormde kanaal, terwijl doorgang 6 een uitvoer vormt van het genoemde kanaal. Op I O ^ O ^ %) 10 bekende wij ze is het bovenste substraat 3 bovendien voorzien van een dunne beschermingslaag 8.
Overigens wordt onder de term "kanalen" zowel "open" als "gesloten" structuren verstaan. Dit wil zeggen 5 dat in een substraat aangebrachte diepe groef, welke van boven open is, een kanaal vormt, maar dat tevens een in een substraat aangebrachte (buisvormige) doorgang een kanaal vormt.
De substraten zijn aan elkaar bevestigd via 10 bijvoorbeeld een in het vakgebied als "direct bonding" bekende techniek.
Nadat de verschillende chipdelen 2,2^211 op het substraat zijn vervaardigd, dienen deze onderling gescheiden te worden. Het scheiden van de verschillende 15 chipdelen geschiedt als volgt.
Gelijktijdig met het aanbrengen van de doorgangen 5 en 6 in het bovenste substraat 3 worden langs de chipdelen 2, 2', 2" relatief ondiepe breekgroeven 9 aangebracht. De breekgroeven 9 worden aangebracht gelijktijdig met het 20 aanbrengen van de doorgangen 5 en 6 in het bovenste substraat, bij voorkeur via een "masked powder blasting" methode, waarbij in een door een masker gedefinieerd patroon het substraat materiaal door een poederstraal wordt weggespoten. Dit "masked powder blast" proces heeft als 25 karakteristiek dat de diepte van de in het substraat aangebrachte structuur, bijvoorbeeld de diepte d3 van de breekgroef 9, afhankelijk is van de breedte van de opening, in het geval van breekgroef 9 gelijk aan breedte d3 van de opening in de lithografisch behandelde beschermlaag 8.
30 Hiermee kan een relatief smalle breekgroef vervaardigd worden kenmerkend in de orde van grootte van d3 = 100 micrometer of minder. Dit betekent een minimaal verlies aan de chipoppervlakte in vergelijking met standaard 1019613 11 technieken, zoals de eerder genoemde zaagmethode, of de "laserscribing" techniek. Bovendien heeft dit als voordeel dat er geen vloeistof of zaaggruis in de chip terecht komt zoals bij eerder genoemde technieken vaak wel het geval is.
5 In de toepassing van de "fluidic chips" kan bijvoorbeeld gruis of vloeistof zich in de microstructuren zoals de kanalen 7 of doorgangen 5 en 6 verzamelen hetgeen de werking van de inrichting verstoort. Bovendien is dergelijk gruis of vloeistof in het algemeen zeer moeilijk te 10 verwijderen, met als gevolg dat de "fluidic" chip onbruikbaar is.
Nadat de breekgroeven 9 over voldoende diepte dx * 500 micrometer in het bovenste substraat 3 zijn aangebracht, kunnen de verschillende chipdelen 2, 2', 2" 15 door het aanbrengen van mechanische kracht, bijvoorbeeld handkracht, eenvoudig over een met een stippellijn 10 aangeduid vlak gebroken worden. In figuur 3 en in figuur 4 is een aldus gescheiden chipdeel 2 weergegeven. Duidelijk zichtbaar is dat aan de bovenzijde 11 van het bovenste 20 substraat 3 een breekgroef over een diepte dx is aangebracht, hetgeen te zien is aan de relatief gladde structuur van het substraat materiaal, terwijl het overige deel 12 van het omtrekseloppervlak van het substraat (2,3) afgebroken is en derhalve een relatief onregelmatige 25 structuur vertoont. In figuur 4 is met een stippellijn het grensvlak tussen het bovenste substraat 3 en het onderste substraat 4 aangegeven. In de praktijk is dit grensvlak meestal (nauwelijks) zichtbaar.
In figuur 2 is een alternatieve 30 voorkeursuitvoeringsvorm weergegeven waarin het tweede substraat 4. is aangebracht op een drager 13, bijvoorbeeld vervaardigd van plastic. In een niet weergegeven verdere uitvoeringsvorm is sprake van een enkel substraat in plaats 0 1 B ο ί 'ά 12 van een bovenste en een onderste substraat 3 en 4, waarbij het enkele substraat eveneens is aangebracht op een drager 11. Ter plaatse van de breekvlakken 10 is de drager 13 onderbroken teneinde het afbreken van de chipdelen 52, 2', 2" mogelijk te maken.
De onderhavige uitvinding is niet beperkt tot de beschreven uitvoeringsvormen daarvan; de gevraagde rechten worden bepaald door de navolgende conclusies, binnen de strekking waarvan velerlei modificaties denkbaar zijn.
i O 1 r- n -1 q
Claims (30)
1. Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen, omvattende de stappen van: het in het substraat vormen van een aantal chip 5 delen omvattende voor elk chip deel het in het substraat aanbrengen van uitsparingen voor het houden van fluïdum het in het substraat langs individuele chip delen aanbrengen van een of meer breekgroeven; het op het substraat aanbrengen van mechanische 10 kracht voor het breken van het substraat langs de breekgroeven; waarbij de stappen van het aanbrengen van uitsparingen in het substraat en het aanbrengen van breekgroeven in het substraat in hoofdzaak gelijktijdig worden uitgevoerd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het substraat een eerste en een tweede substraatdeel omvat en de werkwijze de stappen omvat van: a) het in het eerste substraatdeel aanbrengen van ten minste een uitsparing voor het houden van fluïdum; 20 b) het in het tweede substraatdeel aanbrengen van doorgangen naar de uitsparing in het eerste substraatdeel, waarbij een eerste doorgang een fluidumtoevoer en een tweede doorgang een fluidumafvoer vormt; c) het in ten minste een van de substraatdelen 25 aanbrengen van een of meer breekgroeven; d) het plaatsen van het tweede substraatdeel op het eerste substraatdeel; e) het langs de breekgroeven breken van het substraat. 1019613
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij stap (d) vóór stap (b) wordt uitgevoerd.
4. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, omvattende het door een powder blast bewerking verwijderen 5 van substraatmateriaal.
5. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, omvattende het op het substraat aanbrengen van een lithografisch masker gevolgd door het verwijderen van substraatmateriaal op door het masker aangeduide posities.
6. Werkwijze volgens conclusie 4 en 5, waarbij het in het substraat aanbrengen van uitsparingen omvat het op het substraat aanbrengen van een lithografisch masker gevolgd door een powder blast bewerking voor het verwijderen van substraatmateriaal.
7. Werkwijze volgens conclusies 2 en 6, waarbij het in het eerste substraatdeel aanbrengen van uitsparingen omvat het op het eerste substraatdeel aanbrengen van een lithografisch masker gevolgd door een powder blast bewerking voor het op door het masker aangeduide posities 20 verwijderen van substraatmateriaal.
8. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, waarbij de uitsparingen kanaalstructuren voor het transporteren van fluïdum en/of ten minste een toevoeropening en ten minste een afvoeropening voor het 25 toevoeren respectievelijk afvoeren van fluïdum omvatten.
9. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, omvattende het op de door het lithografisch masker aangeduide posities verwijderen van de op de chip delen aangebrachte beschermlaag.
10. Substraat waarop een aantal chip delen zijn aangebracht,. waarbij een chip deel een aantal eerste, relatief diepe uitsparingen omvat, bij voorkeur kanaalstructuren voor transporteren van fluïdum alsmede ten ·. Λ * , - ·' ? U i ύΟ < $ r « minste een toevoeropening en ten minste een afvoeropening voor het toevoeren respectievelijk afvoeren van fluïdum, alsmede een of meer tweede, relatief ondiepe uitsparingen omvat die zich langs de individuele chip delen 5 uitstrekkende breekgroeven vormen, waarbij de breekgroeven zijn voorzien voor het door breking van elkaar scheiden van de individuele chip delen.
11. Substraat volgens conclusie 10, waarbij de uitsparingen zijn aangebracht met een powder blast 10 bewerking.
12. Substraat volgens conclusie 11, waarbij de uitsparingen een in hoofdzaak afgeronde V-vorm in dwarsdoorsnede hebben.
13. Substraat volgens een der conclusies 10-12, 15 waarbij op de chip delen een beschermlaag is voorzien welke lithografisch behandeld is voor het op door een lithografisch masker bepaalde posities plaatselijk verwijderen van de beschermlaag.
14. Substraat volgens conclusie 13, waarbij de 20 diepte van een uitsparing afhankelijk is van de breedte van de opening in de lithografisch behandelde beschermlaag.
15. Chipdeel, gescheiden van een substraat, omvattende een substraat waarin een aantal uitsparingen voor het houden van fluïdum is aangebracht, welke 25 uitsparingen bij voorkeur kanaalstructuren voor transporteren van fluïdum alsmede ten minste een toevoeropening en ten minste een afvoeropening voor het toevoeren respectievelijk afvoeren van fluïdum vormen, waarbij het omtreksoppervlak van het substraat een 30 afgeschuinde rand corresponderend met een in het bovenoppervlak van het substraat aangebrachte breekgroef alsmede een zich onder de afgeschuinde rand uitstrekkend en ,· Γ» * ' ' ' o ï U & .. - ij % ψ door breking van het substraat langs de breekgroef gedefinieerd oppervlak omvat.
16. Chipdeel volgens conclusie 15, waarbij de rand een bepaalde ruwheid indicatief voor de breekgroef heeft 5 die verschilt van de ruwheid van het door breking van het substraat gedefinieerde oppervlak.
17. Chipdeel volgens conclusie 15 of 16, waarbij het substraat een eerste substraat en een daaraan bevestigd tweede substraat omvat, waarbij in het eerste 10 substraat ten minste een uitsparing voor het geleiden van fluïdum is aangebracht en in het tweede substraat doorgangen naar de uitsparing in het eerste substraat zijn aangebracht, waarbij een eerste doorgang een fluidumtoevoer en een tweede doorgang een fluidumafvoer vormt.
18. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij het substraat is vervaardigd van relatief hard materiaal.
19. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij het substraat is vervaardigd van keramisch 20 materiaal.
20. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij het substraat is vervaardigd van glas.
21. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij het eerste substraat is vervaardigd van kunststof 25 en het tweede substraat is vervaardigd van glas.
22. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarin het substraat een kristallijn materiaal is en de breekgroeven kristalrichtingonafhankelijk in het wafer substraat zijn aangebracht.
23. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarin de braekgroefbreedte in de orde van grootte van 200 micrometer of kleiner is. 10196 13 • ι·
24. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij de breekgroefdiepte circa 500 micrometer bedraagt.
25. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij de kanaalstructuren capillairen vormen.
26. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, welke "micro fluidic" chips vormen.
27. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, omvattende middelen voor het door elektroforese en/of elektro-osmose opwekken van een fluïdumstroom door de 10 uitsparingen in het substraat.
28. Chipdeel volgens een der voorgaande conclusies, waarbij een chipdeel een microreactor omvat.
29. Werkwijze voor het vervaardigen van een wafer substraat en/of een chipdeel volgens een der conclusies 10- 15 28.
30. Chipdeel volgens een der conclusies 15-28, gescheiden van een substraat volgens een der conclusie 14-18. 01'38 18
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1019613A NL1019613C2 (nl) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. |
AU2002353668A AU2002353668A1 (en) | 2001-12-19 | 2002-12-19 | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts |
PCT/NL2002/000850 WO2003051765A2 (en) | 2001-12-19 | 2002-12-19 | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts |
US10/499,292 US7256106B2 (en) | 2001-12-19 | 2002-12-19 | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts |
EP20020789027 EP1456115A2 (en) | 2001-12-19 | 2002-12-19 | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts |
EP20110178879 EP2390225A3 (en) | 2001-12-19 | 2002-12-19 | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1019613 | 2001-12-19 | ||
NL1019613A NL1019613C2 (nl) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1019613C2 true NL1019613C2 (nl) | 2003-06-20 |
Family
ID=19774414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1019613A NL1019613C2 (nl) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7256106B2 (nl) |
EP (2) | EP2390225A3 (nl) |
AU (1) | AU2002353668A1 (nl) |
NL (1) | NL1019613C2 (nl) |
WO (1) | WO2003051765A2 (nl) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1019613C2 (nl) | 2001-12-19 | 2003-06-20 | Micronit Microfluidics Bv | Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. |
KR100690402B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-03-09 | (주)인세이프테크 | 알에프 시스템을 이용한 전원 공급 점검 장치 |
US7645685B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-01-12 | Tdk Corporation | Method for producing a thin IC chip using negative pressure |
NL1034489C2 (nl) | 2007-10-09 | 2009-04-14 | Micronit Microfluidics Bv | Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur. |
CN105453250A (zh) * | 2013-08-08 | 2016-03-30 | 夏普株式会社 | 半导体元件衬底及其制造方法 |
CN111298853B (zh) * | 2020-02-27 | 2021-08-10 | 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 | 芯片的切割成型方法以及晶圆 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58130528A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体のエツチング方法 |
EP0678387A2 (en) * | 1994-04-20 | 1995-10-25 | Seiko Epson Corporation | Inkjet recording apparatus and method of producing an inkjet head |
US5684324A (en) * | 1994-08-12 | 1997-11-04 | The Charles Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer chip |
US5935430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Structure for capturing express transient liquid phase during diffusion bonding of planar devices |
US6075280A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-13 | Winbond Electronics Corporation | Precision breaking of semiconductor wafer into chips by applying an etch process |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3859127A (en) * | 1972-01-24 | 1975-01-07 | Motorola Inc | Method and material for passivating the junctions of mesa type semiconductor devices |
US4325182A (en) * | 1980-08-25 | 1982-04-20 | General Electric Company | Fast isolation diffusion |
JPS5898983A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体圧力変換器の製造方法 |
US5000817A (en) * | 1984-10-24 | 1991-03-19 | Aine Harry E | Batch method of making miniature structures assembled in wafer form |
US4999684A (en) * | 1988-05-06 | 1991-03-12 | General Electric Company | Symmetrical blocking high voltage breakdown semiconducotr device |
JPH01289265A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Ricoh Co Ltd | 基板の分割方法 |
US5194877A (en) * | 1991-05-24 | 1993-03-16 | Hewlett-Packard Company | Process for manufacturing thermal ink jet printheads having metal substrates and printheads manufactured thereby |
US5600257A (en) * | 1995-08-09 | 1997-02-04 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer test and burn-in |
ITTO980592A1 (it) * | 1998-07-06 | 2000-01-06 | Olivetti Lexikon Spa | Testina di stampa a getto di inchiostro con piastrina di silicio di grandi dimensioni e relativo processo di fabbricazione |
DE19908399B4 (de) * | 1999-02-26 | 2004-09-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtdioden oder Thyristoren mit Emitterkurzschlusstruktur |
SG105459A1 (en) * | 2000-07-24 | 2004-08-27 | Micron Technology Inc | Mems heat pumps for integrated circuit heat dissipation |
AU2002359508A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-06-10 | Keck Graduate Institute | Method, apparatus and article for microfluidic control via electrowetting, for chemical, biochemical and biological assays and the like |
NL1019613C2 (nl) | 2001-12-19 | 2003-06-20 | Micronit Microfluidics Bv | Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. |
US7335153B2 (en) * | 2001-12-28 | 2008-02-26 | Bio Array Solutions Ltd. | Arrays of microparticles and methods of preparation thereof |
CN1241253C (zh) * | 2002-06-24 | 2006-02-08 | 丰田合成株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
US6925238B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-08-02 | Enablence Holdings Llc | Method and apparatus for on-wafer testing of an individual optical chip |
JP4751634B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-08-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7306975B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-11 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer cutting blade and method |
JP2007096196A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-12-19 NL NL1019613A patent/NL1019613C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-12-19 EP EP20110178879 patent/EP2390225A3/en not_active Withdrawn
- 2002-12-19 AU AU2002353668A patent/AU2002353668A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-19 WO PCT/NL2002/000850 patent/WO2003051765A2/en not_active Application Discontinuation
- 2002-12-19 EP EP20020789027 patent/EP1456115A2/en not_active Ceased
- 2002-12-19 US US10/499,292 patent/US7256106B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58130528A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体のエツチング方法 |
EP0678387A2 (en) * | 1994-04-20 | 1995-10-25 | Seiko Epson Corporation | Inkjet recording apparatus and method of producing an inkjet head |
US5684324A (en) * | 1994-08-12 | 1997-11-04 | The Charles Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer chip |
US5935430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Structure for capturing express transient liquid phase during diffusion bonding of planar devices |
US6075280A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-13 | Winbond Electronics Corporation | Precision breaking of semiconductor wafer into chips by applying an etch process |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 007, no. 239 (E - 206) 25 October 1983 (1983-10-25) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2390225A2 (en) | 2011-11-30 |
AU2002353668A1 (en) | 2003-06-30 |
EP1456115A2 (en) | 2004-09-15 |
US20050148158A1 (en) | 2005-07-07 |
WO2003051765A2 (en) | 2003-06-26 |
US7256106B2 (en) | 2007-08-14 |
WO2003051765A3 (en) | 2003-10-16 |
EP2390225A3 (en) | 2014-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0657759B1 (en) | Wafer-like processing after sawing DMDs | |
KR100302974B1 (ko) | 디엠디들(dmds)을 쏘잉한 후 웨이퍼처럼 처리하는 방법 | |
US7554211B2 (en) | Semiconductor wafer and manufacturing process for semiconductor device | |
US5904548A (en) | Trench scribe line for decreased chip spacing | |
TWI387062B (zh) | 有蓋晶片之晶圓級封裝 | |
JP4708366B2 (ja) | ウェハのパッケージング及び個片化の方法 | |
US7808059B2 (en) | Semiconductor substrate, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device | |
US6573156B1 (en) | Low defect method for die singulation and for structural support for handling thin film devices | |
JP4057399B2 (ja) | 微細孔への金属充填方法 | |
US20060016073A1 (en) | Slotted substrates and techniques for forming same | |
NL1019613C2 (nl) | Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen. | |
US20040142284A1 (en) | Method for dicing wafer | |
US20090275152A1 (en) | Process for the collective fabrication of microstructures consisting of superposed elements | |
JP2005051007A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
US20080029877A1 (en) | Method for separating package of wlp | |
EP0776029A1 (en) | Improvements in or relating to semiconductor chip separation | |
KR101939013B1 (ko) | 웨이퍼로부터 마이크로 칩을 분리하고 기판 상에 마이크로 칩을 배치하기 위한 방법 및 장치 | |
US20060261423A1 (en) | Method of fabricating printheads having multiple nozzle assemblies | |
RU2334304C2 (ru) | Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности | |
SE508068C2 (sv) | Mikroreplikering i metall | |
WO2021225599A1 (en) | Fluid structure formation via removing sacrificial structures | |
JP2003516630A (ja) | 超小型回路ダイをウェハから分離する方法 | |
JP2018148151A (ja) | パッケージ基板の加工方法及び切削装置 | |
JP2006027025A (ja) | 基板の切断方法、および半導体チップの製造方法 | |
JP2005268705A (ja) | 半導体素子の実装方法及び半導体素子実装体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD2B | A search report has been drawn up | ||
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20150701 |
|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20150701 |