NL1034489C2 - Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur. - Google Patents

Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur. Download PDF

Info

Publication number
NL1034489C2
NL1034489C2 NL1034489A NL1034489A NL1034489C2 NL 1034489 C2 NL1034489 C2 NL 1034489C2 NL 1034489 A NL1034489 A NL 1034489A NL 1034489 A NL1034489 A NL 1034489A NL 1034489 C2 NL1034489 C2 NL 1034489C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
microstructure
etching
mask
mask layer
powder
Prior art date
Application number
NL1034489A
Other languages
English (en)
Inventor
Johannes Oonk
Marko Theodoor Blom
Ronny Van T Oever
Original Assignee
Micronit Microfluidics Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micronit Microfluidics Bv filed Critical Micronit Microfluidics Bv
Priority to NL1034489A priority Critical patent/NL1034489C2/nl
Priority to PCT/NL2008/000217 priority patent/WO2009048321A2/en
Priority to EP20080838017 priority patent/EP2207749B1/en
Priority to US12/681,851 priority patent/US20100288729A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1034489C2 publication Critical patent/NL1034489C2/nl

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00119Arrangement of basic structures like cavities or channels, e.g. suitable for microfluidic systems
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00103Structures having a predefined profile, e.g. sloped or rounded grooves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03Static structures
    • B81B2203/0369Static structures characterized by their profile
    • B81B2203/0376Static structures characterized by their profile rounded profile
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128Processes for removing material
    • B81C2201/0146Processes for removing material not provided for in B81C2201/0129 - B81C2201/0145

Description

Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur
Terrein van de uitvinding 5 De uitvinding heeft betrekking op werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur waarbij gebruik wordt gemaakt van poederstralen en/of etsen en een maskerlaag. ‘Microstructuur’ is binnen het kader van de uitvinding gedefinieerd als ‘structuur gekenmerkt door de zeer kleine omvang ervan, in het bijzonder binnen het bereik van 10‘4 tot 10'7 meter, dat wil zeggen dat de significante kenmerken in tenminste één 10 richting niet volledig kunnen worden waargenomen zonder de hulp van een optische microscoop’, zie ook de opmerkingen bij de IPC hoofdklasse B81. Met ‘structuur’ wordt in het kader van de uitvinding bedoeld een holte, verdieping, reservoir, kanaal, tunnel, opening, doorgang, poort enzovoorts, maar ook alle mogelijke combinaties daarvan 15
Achtergrond van de uitvinding
Microfluïdics houdt zich bezig met microstructurele inrichtingen en systemen met fluïdische functies Daarbij kan het gaan om het manipuleren van zeer kleine hoeveelheden fluïdum, dat wil zeggen vloeistof of gas, in de orde van microliters, nanoliters of zelfs 20 picoliters. Belangrijke toepassingen liggen op het terrein van de biotechnologie, chemische analyse, medische testen, procesbewaking en milieumetingen. Daarbij kan een min of meer compleet miniatuur analysesysteem of synthesesysteem worden gerealiseerd op een microchip, een zogenaamd ‘lab-on-a-chip’ of, bij bepaalde toepassingen, een zogenaamde ‘biochip’. De inrichting of het systeem kan microfluidische componenten zoals 25 microkanalen, microtunnels of microcapillairen, mixers, reservoirs, diffusiekamers, pompen, kleppen enzovoorts omvatten.
De microchip is meestal opgebouwd uit één of meer lagen van glas, silicium of een kunststof zoals een polymeer. Met name glas is voor veel toepassingen zeer geschikt 30 vanwege een aantal eigenschappen. Zo is glas al vele eeuwen bekend en zijn er vele typen en samenstellingen geredelijk verkrijgbaar voor een gering bedrag. Daarnaast is glas 1034489 2 hydrofiel, chemisch inert, stabiel, optisch transparant, niet-poreus en geschikt voor prototyping; eigenschappen die in veel gevallen voordelig dan wel vereist zijn.
Voor het realiseren van holtes, verdiepingen, reservoirs, kanalen, tunnels, openingen, 5 doorgangen, poorten enzovoorts kan gebruik worden gemaakt van ‘mechanical abrasion’ zoals zandstralen of poederstralen, in het bijzonder in het geval van glas. Maar ook kan gebruik worden gemaakt van ‘etsen’ zoals chemisch en/of fysisch etsen middels een vloeistof (nat chemisch etsen) of een gas (droog etsen, RIE, plasma etsen), in het bijzonder in het geval van silicium. Hierbij merken we nog op dat de term ‘etsen’ doorgaans alleen 10 wordt gebruikt voor chemisch en/of fysisch etsen, maar dat soms hieronder ook ‘mechanical abrasion’ wordt verstaan. In het kader van de uitvinding zullen steeds de termen ‘poederstralen’ en ‘etsen’ worden gebruikt, waarbij onder poederstralen ook zandstralen valt.
15 Bij poederstralen of etsen van een gewenste microstructuur wordt veelal gebruik gemaakt van een gepatroneerde maskerlaag. Daarbij zullen in mindere of meerdere mate twee verschijnselen optreden welke meestal als nadelig worden beschouwd: ten eerste maskererosie en ten tweede ‘blast lag’ of ‘ets lag’. Maskererosie treedt op wanneer de maskerlaag, tijdens het poederstralen of etsen van de gewenste microstructuur, wordt 20 aangetast door de daarbij optredende chemische en/of fysische processen. Het maskermateriaal en de maskerdikte worden nu zo gekozen dat die aantasting gering zal zijn, althans zo klein dat de maskerlaag het proces in voldoende mate zal doorstaan. ‘Blast lag’ of ‘ets lag’ houdt in dat de blastsnelheid of etssnelheid, en daarmee de blastdiepte of de etsdiepte op een gegeven tijdstip, afhankelijk zijn van de vorm en afmetingen van de 25 opening in de maskerlaag. Die afhankelijkheid is op haar beurt weer afhankelijk van het type proces en de procesparameters. Doorgaans zal de blastsnelheid of de etssnelheid kleiner zijn naarmate de afmetingen van de opening kleiner zijn. ‘Blast lag’ en ‘ets lag’ zijn in de regel ongewenst, maar er kan ook met voordeel gebruik van worden gemaakt, zie bijvoorbeeld US2005/0148158 waarin wordt beschreven hoe in een enkele processtap een 30 relatief ondiepe en smalle breekgroef gelijktijdig wordt aangebracht met relatief diepe en brede fluidische structuren door slim gebruik te maken van ‘blast lag’.
3 W02007/000363 en US2007/0065967 beschrijven processen voor het vormen van een holte middels chemisch etsen met behulp van een maskerlaag in de vorm van een gatenpatroon. US2005/0113004 en US6422920 geven voorbeelden van het gebruik van poederstralen voor het maken van verdiepingen, doorgangen, holtes of openingen met een 5 speciale vorm. In GB2375063 en GB2375064 gaat het om poederstralen waarbij gebruik wordt gemaakt van meerdere ‘blast guns’ en van deeltjes met meerdere afmetingen. Hierin wordt beschreven hoe verschillende vormen van holtes, kanalen enzovoorts, ook in een enkele processtap, kunnen worden gerealiseerd door gebruik te maken van het verschijnsel ‘blast lag’ en door te ‘spelen’ met de invalshoek van de deeltjes, hun grootte, de 10 maskervorm, het aantal ‘guns’ enzovoorts.
Bekend is dus het gebruiken van het verschijnsel ‘blast lag’ voor het verkrijgen van een holte, verdieping, reservoir, kanaal enzovoorts met een gewenste specifieke vorm. Daarbij dienen de vorm en de afmetingen van de maskerlaag, bijvoorbeeld een bepaald 15 gatenpatroon, voor het gegeven proces correct te worden gekozen. Ook het realiseren van meerdere typen holtes, verdiepingen, reservoirs, kanalen enzovoorts met onderling verschillende vormen en afmetingen in een enkele productiestap, is bekend. Het aantal mogelijke vormen en afmetingen en combinaties daarvan blijft echter beperkt omdat er voor een gegeven proces een bepaald vast verband bestaat tussen enerzijds de blastsnelheid 20 of etssnelheid, en daarmee de blastdiepte of de etsdiepte op een gegeven tijdstip, en anderzijds de afmetingen van de blastopening of de etsopening in de maskerlaag.
Er bestaat nu behoefte aan een verbeterde werkwijze voor het vervaardigen van een microstructuur waarbij gebruik wordt gemaakt van poederstralen en/of etsen welke 25 werkwijze meer mogelijkheden biedt ten opzichte van bekende werkwijzen en waarmee een grotere variëteit aan holtes, verdiepingen, reservoirs, kanalen enzovoorts, en combinaties daarvan, kan worden gerealiseerd, en in voorkomend geval bij voorkeur in een enkele processtap. Doel van de uitvinding is te voorzien in die behoefte.
30
Samenvatting van de uitvinding
De uitvinding verschaft daartoe werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur waarbij gebruik wordt gemaakt van poederstralen en/of etsen en een maskerlaag, met het 4 kenmerk, dat de maskerlaag door maskererosie op ten minste één gegeven tijdstip binnen ten minste één gebied geheel is weggesleten terwijl de microstructuur nog niet geheel is gerealiseerd. Met ‘maskerlaag’ wordt hier en in het navolgende bedoeld een enkelvoudige maskerlaag, dat wil zeggen een in een enkele processtap aangebrachte laag welke in een 5 enkele processtap is gepatroneerd, met een in hoofdzaak uniforme dikte en in hoofdzaak uniforme eigenschappen. Met name in het geval van poederstralen kan hierbij gebruik worden gemaakt van een combinatie van ‘verticale’, dat wil zeggen evenwijdig aan de dikterichting, en ‘horizontale, dat wil zeggen loodrecht op de dikterichting, erosie van de maskerlaag. De horizontale maskererosie treedt op aan de randen van de maskerstructuur. 10 Hierdoor zal, door de grootte van de maskeropeningen en de maskerstructuren op een juiste manier te kiezen, in een gebied met kleinere maskerstructuren op een gegeven tijdstip de maskerlaag volledig weggesleten zijn, terwijl in een ander gebied met grotere structuren de maskerlaag nog voldoende dikte heeft om als bescherming tegen het poederstralen te dienen.
15
Na het ten minste ene gegeven tijdstip kan de microstructuur volledig worden gerealiseerd waarbij weer gebruik kan worden gemaakt van poederstralen en/of van etsen. Ook kunnen er meerdere gebieden met verschillende groottes van maskerstructuren zijn, waarbij in elk gebied op een bepaald tijdstip de maskerlaag is weggesleten. Alle mogelijke combinaties 20 van het gebruik van poederstralen en/of etsen voor het wegslijten van de maskerlaag in één of meerdere gebieden en voor het realiseren van de gehele microstructuur vallen binnen het kader van de uitvinding.
Dergelijke werkwijzen bieden meer mogelijkheden ten opzichte van bekende werkwijzen 25 omdat er nu ook kan worden ‘gespeeld’ met het tijdstip of de tijdstippen waarop de maskerlaag in een bepaald gebied of bepaalde gebieden door maskererosie is weggesleten. Dat kan door een geschikte combinatie van proces, maskermateriaal, maskerpatroon en maskerdikte te kiezen. Een werkwijze volgens de uitvinding heeft als voordeel dat bijvoorbeeld in een enkele procesgang, met een enkele lithografische stap, een 30 maskerstructuur kan worden gedefinieerd en vervolgens een structuur met onderdelen met verschillende blastdiepte of etsdiepte kan worden gerealiseerd, terwijl hiervoor normaliter twee of meer gescheiden procesgangen, met aparte lithografische stappen, nodig zijn. Het is duidelijk dat dit tot een groot kostenvoordeel leidt. Dit alles zal nader worden toegelicht in 5 de navolgende beschrijving van uitvoeringsvoorbeelden van werkwijzen volgens de uitvinding.
5 Korte beschrijving van de figuren
De uitvinding wordt in het navolgende toegelicht aan de hand van een tweetal uitvoeringsvoorbeelden van een werkwijze volgens de uitvinding. Daarin toont: figuur 1 schematisch processtappen van een eerste uitvoeringsvoorbeeld van een werkwijze volgens de uitvinding; en 10 - figuur 2 schematisch processtappen van een tweede uitvoeringsvoorbeeld van een werkwijze volgens de uitvinding.
Uitvoeringsvoorbeelden van werkwijzen volgens de uitvinding 15 Figuur 1 geeft schematisch een aantal processtappen (I-IV) voor de vervaardiging van een microstructuur (A). Er wordt uitgegaan (I) van een substraat (1) met daarop aangebracht een maskerlaag (2) omvattende een grotere opening (3), meerdere kleinere openingen (4), een eerste gebied met grotere maskerstructuren (8) en een tweede gebied met kleinere maskerstructuren (7). Er wordt gestart met poederstralen waarbij ‘blast lag’ er voor zorgt 20 dat de blastsnelheid voor de kleinere openingen (4) kleiner is dan voor de grotere opening (3). Na verloop van tijd (II) zal een grotere en diepere holte (5) zijn ontstaan naast meerdere kleinere en ondiepere holtes (6). Het proces en het patroon van de maskerlaag (2) zijn zo gekozen dat daarna, op een gegeven tijdstip (III) een doorgang (5’) ontstaat terwijl dan de maskerlaag in het tweede gebied vrijwel geheel is weggesleten door een combinatie van 25 verticale en horizontale maskererosie, maar in het eerste gebied de dikte van de maskerlaag nog nauwelijks is afgenomen. Na het gegeven tijdstip (III) wordt doorgegaan met poederstralen waarbij de maskerlaag in het tweede gebied geheel wegslijt en uiteindelijk de gewenste microstructuur (A) ontstaat. Aldus kan in een enkele processtap en met een enkele maskerlaag (2) een microstructuur (A) worden vervaardigd die een doorgang (5”) en 30 een verdieping (6”) met een bepaalde gewenste diepte omvat. Bij de laatste stap (III-IV) had ook van etsen gebruik kunnen worden gemaakt. Ook is het denkbaar dat een dergelijke microstructuur (A) volgens de uitvinding wordt vervaardigd door bij de eerste stappen (I-II, 6 II-ÏÏI) een geschikt etsproces te gebruiken, en vervolgens (III-IV) verder te etsen of dan juist (ΙΠ) over te gaan op poeder stralen.
Figuur 2 geeft schematisch een aantal processtappen (Γ-ΙΙΓ) voor de vervaardiging van een 5 microstructuur (B). Er wordt weer uitgegaan (P) van een substraat (11) met daarop aangebracht een maskerlaag (12) omvattende een grotere opening (13), meerdere kleinere openingen (14), een eerste gebied met grotere maskerstructuren (18), een tweede gebied met kleinere maskerstructuren (19), een derde gebied met nog kleinere maskerstructuren (20) en een vierde gebied met nog weer kleinere maskerstructuren (21) . Er wordt gestart 10 met poederstralen waarbij ‘blast lag’ er weer voor zorgt dat de blastsnelheid voor de kleinere openingen (14) kleiner is dan voor de grotere opening (13). Na verloop van tijd (IP) is een grotere en diepere doorgang (15) ontstaan naast meerdere kleinere en ondiepere holtes (16). Het proces en het patroon van de maskerlaag (12) zijn zo gekozen dat op dat tijdstip (IP) de maskerlaag in het tweede gebied en het derde gebied vrijwel geheel, en in 15 het vierde gebied geheel, is weggesleten door een combinatie van verticale en horizontale maskererosie, maar in het eerste gebied de dikte van de maskerlaag nog nauwelijks is afgenomen. Daarna wordt doorgegaan met poederstralen waarbij de maskerlaag eerst in het derde gebied en vervolgens ook in het tweede gebied geheel wegslijt en uiteindelijk de gewenste microstructuur (B) ontstaat. Aldus kan in een enkele processtap en met een enkele 20 maskerlaag (12) een microstructuur (B) worden vervaardigd die een doorgang (15’) en een schuin aflopende verdieping (16’) omvat.
Het zal voor een deskundige duidelijk zijn dat de uitvinding geenszins beperkt is tot de gegeven uitvoeringsvoorbeelden, maar dat binnen het kader van de uitvinding vele variaties 25 en andere combinaties mogelijk zijn. Ook kan de techniek in beginsel bij allerlei materialen worden toegepast Essentieel is dat een gecombineerd gebruik wordt gemaakt van enerzijds het verschijnsel ‘blast lag’ en/of‘ets lag’ en anderzijds het verschijnsel ‘maskererosie’ door poederstralen en/of etsen, om aldus een bepaalde microstructuur te realiseren, en in voorkomend geval in een enkele processtap.
1034489

Claims (10)

1. Werkwijze voor het vervaardigen van een microstructuur waarbij gebruik wordt gemaakt van poederstralen en een maskerlaag, met het kenmerk, dat de maskerlaag 5 door maskererosie op ten minste één gegeven tijdstip binnen ten minste één gebied geheel is weggesleten terwijl de microstructuur nog niet geheel is gerealiseerd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het wegslijten ten minste deels het gevolg is van poederstralen.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het wegslijten ten minste 10 deels het gevolg is van etsen.
4. Werkwijze volgens een der conclusies 1-3, met het kenmerk, dat na het ten minste ene gegeven tijdstip de microstructuur volledig wordt gerealiseerd waarbij gebruik wordt gemaakt van poederstralen.
5. Werkwijze volgens een der conclusies 1-4, met het kenmerk, dat na het ten minste ene 15 gegeven tijdstip de microstructuur volledig wordt gerealiseerd waarbij gebruik wordt gemaakt van etsen.
6. Werkwijze voor het vervaardigen van een microstructuur waarbij gebruik wordt gemaakt van etsen en een maskerlaag, met het kenmerk, dat de maskerlaag door maskererosie op ten minste één gegeven tijdstip binnen ten minste één gebied geheel is 20 weggesleten terwijl de microstructuur nog niet geheel is gerealiseerd.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat het wegslijten ten minste deels het gevolg is van etsen.
8. Werkwijze volgens conclusie 6 of 7, met het kenmerk, dat het wegslijten ten minste deels het gevolg is van poederstralen.
9. Werkwijze volgens een der conclusies 6-8, met het kenmerk, dat na het ten minste ene gegeven tijdstip de microstructuur volledig wordt gerealiseerd waarbij gebruik wordt gemaakt van etsen.
10. Werkwijze volgens een der conclusies 6-9, met het kenmerk, dat na het ten minste ene gegeven tijdstip de microstructuur volledig wordt gerealiseerd waarbij gebruik wordt 30 gemaakt van poederstralen. 1034489
NL1034489A 2007-10-09 2007-10-09 Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur. NL1034489C2 (nl)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1034489A NL1034489C2 (nl) 2007-10-09 2007-10-09 Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur.
PCT/NL2008/000217 WO2009048321A2 (en) 2007-10-09 2008-10-03 Methods for manufacturing a microstructure
EP20080838017 EP2207749B1 (en) 2007-10-09 2008-10-03 Methods for manufacturing a microstructure
US12/681,851 US20100288729A1 (en) 2007-10-09 2008-10-03 Methods for Manufacturing a Microstructure

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1034489A NL1034489C2 (nl) 2007-10-09 2007-10-09 Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur.
NL1034489 2007-10-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1034489C2 true NL1034489C2 (nl) 2009-04-14

Family

ID=39361312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1034489A NL1034489C2 (nl) 2007-10-09 2007-10-09 Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100288729A1 (nl)
EP (1) EP2207749B1 (nl)
NL (1) NL1034489C2 (nl)
WO (1) WO2009048321A2 (nl)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4957592A (en) * 1989-12-27 1990-09-18 Xerox Corporation Method of using erodable masks to produce partially etched structures in ODE wafer structures
US5173442A (en) * 1990-07-23 1992-12-22 Microelectronics And Computer Technology Corporation Methods of forming channels and vias in insulating layers
WO2003007026A1 (fr) * 2001-07-13 2003-01-23 Centre National De La Recherche Scientifique Procede de fabrication de pieces microscopiques
US20030027425A1 (en) * 2001-07-12 2003-02-06 Yoshitaka Kawanishi Patterned product and its manufacturing method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0286855A1 (de) * 1987-04-15 1988-10-19 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Aetzen von Vertiefungen in ein Siliziumsubstrat
US5846442A (en) * 1995-03-02 1998-12-08 Hutchinson Technology Incorporated Controlled diffusion partial etching
US6066569A (en) * 1997-09-30 2000-05-23 Siemens Aktiengesellschaft Dual damascene process for metal layers and organic intermetal layers
US6387810B2 (en) * 1999-06-28 2002-05-14 International Business Machines Corporation Method for homogenizing device parameters through photoresist planarization
JP2003507198A (ja) * 1999-08-18 2003-02-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ プレートに凹所又は開孔のパターンを形成する方法
GB2375064B (en) 2001-05-03 2003-06-04 Morgan Crucible Co Abrasive blast machining
GB2375063B (en) 2001-05-03 2003-04-16 Morgan Crucible Co Abrasive blast machining
US6555479B1 (en) * 2001-06-11 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming openings for conductive interconnects
NL1019613C2 (nl) 2001-12-19 2003-06-20 Micronit Microfluidics Bv Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen.
US7348726B2 (en) * 2002-08-02 2008-03-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Plasma display panel and manufacturing method thereof where address electrodes are formed by depositing a liquid in concave grooves arranged in a substrate
US6926592B2 (en) 2003-11-25 2005-08-09 Motorola, Inc. Surface treatment of mechanically abraded glass
DE102005029803A1 (de) 2005-06-27 2007-01-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie mikromechanisches Bauelement
US7439093B2 (en) 2005-09-16 2008-10-21 Dalsa Semiconductor Inc. Method of making a MEMS device containing a cavity with isotropic etch followed by anisotropic etch

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4957592A (en) * 1989-12-27 1990-09-18 Xerox Corporation Method of using erodable masks to produce partially etched structures in ODE wafer structures
US5173442A (en) * 1990-07-23 1992-12-22 Microelectronics And Computer Technology Corporation Methods of forming channels and vias in insulating layers
US20030027425A1 (en) * 2001-07-12 2003-02-06 Yoshitaka Kawanishi Patterned product and its manufacturing method
WO2003007026A1 (fr) * 2001-07-13 2003-01-23 Centre National De La Recherche Scientifique Procede de fabrication de pieces microscopiques

Also Published As

Publication number Publication date
EP2207749A2 (en) 2010-07-21
WO2009048321A3 (en) 2009-06-04
WO2009048321A2 (en) 2009-04-16
EP2207749B1 (en) 2015-05-20
US20100288729A1 (en) 2010-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tang et al. Glass based micro total analysis systems: Materials, fabrication methods, and applications
Nunes et al. Cyclic olefin polymers: emerging materials for lab-on-a-chip applications
US9168521B2 (en) Microfluidic device with deformable valve
Pepin et al. Nanoimprint lithography for the fabrication of DNA electrophoresis chips
US20090250130A1 (en) Production of microfluidic polymeric devices by photo-assisted and/or thermally assisted printing
CN101907631B (zh) 微流控芯片内的双液体毛细微流控制阀及其制作方法
Zellner et al. A fabrication technology for three-dimensional micro total analysis systems
Xiong et al. Droplet generation via a single bubble transformation in a nanofluidic channel
Kwapiszewska et al. Double casting prototyping with a thermal aging step for fabrication of 3D microstructures in poly (dimethylsiloxane)
Riegger et al. Dye-based coatings for hydrophobic valves and their application to polymer labs-on-a-chip
De Ville et al. Simple and low-cost fabrication of PDMS microfluidic round channels by surface-wetting parameters optimization
Nabesawa et al. Low-pressure plasma-etching of bulk polymer materials using gas mixture of CF4 and O2
NL1034489C2 (nl) Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur.
Kuo et al. A new USP Class VI-compliant substrate for manufacturing disposable microfluidic devices
Hamed et al. Applications, materials, and fabrication of micro glass parts and devices: An overview
US20100109100A1 (en) Micro-fluidic structure
US11440002B2 (en) Microfluidic chips with one or more vias filled with sacrificial plugs
Nagai et al. Direct assembly of movable parts in a microchannel using a water-soluble sacrificial layer for biohybrid systems
Aslan et al. Alignment-free construction of double emulsion droplet generation devices incorporating surface wettability contrast
KR100644861B1 (ko) 표면장력을 이용한 미세관 제작 방법 및 그 미세관
EP4129479A1 (en) Self-filling structure for sealing microfluidic architectures, microfluidic device, method and associated uses thereof
Gumuscu et al. Custom micropatterning of hydrogels in closed microfluidic platforms fabricated by capillary pinning
Abdul Hamid Development of three-dimensional (3D) grayscale Photolithography process for microfluidic curvature Structures
CN1297470C (zh) 采用微结构间隙控制技术形成的结构及其形成方法
Chen et al. Self-formation and release of arbitrary-curvatured structures utilizing droplet deposition and structured surface

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20130501