WO2024079849A1 - 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法 - Google Patents

薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法 Download PDF

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WO2024079849A1
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carrier
wiring
thin
layer
wiring layer
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PCT/JP2022/038248
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克彦 鈴木
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株式会社レゾナック
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits

Definitions

  • This disclosure relates to a method for manufacturing a thin wiring member, a thin wiring member, and a method for manufacturing a wiring board.
  • Patent Document 1 discloses an example of a fan-out type semiconductor device.
  • a redistribution layer is provided between the semiconductor chip and the external connection terminal, and the redistribution layer widens the terminal spacing of the semiconductor chip and connects it to the external connection terminal.
  • a rewiring layer is formed on a substrate, but due to reasons such as large variations in the height of the substrate, it may be difficult to make the rewiring layer fine. Therefore, a method of forming a rewiring layer consisting of fine wiring by patterning on a flat glass carrier and transferring it is being considered.
  • a rewiring layer 510 is formed on a first glass carrier 500, and then a second glass carrier 520 is formed on the rewiring layer 510. Then, in a state in which the rewiring layer 510 is sandwiched between the first glass carrier 500 and the second glass carrier 520, it is divided into individual pieces by a dicing blade D.
  • the present disclosure aims to provide a method for manufacturing a thin wiring member, a thin wiring member, and a method for manufacturing a wiring board that can produce a thin wiring member while suppressing the occurrence of contamination.
  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a thin wiring member.
  • This manufacturing method includes the steps of: fabricating a wiring layer on a first carrier, the wiring layer having a plurality of wiring portions corresponding to a plurality of thin wiring members and an insulating portion existing around the plurality of wiring portions; cutting the wiring layer so that each wiring portion has at least one of the plurality of wiring portions; bonding a second carrier to a second surface of the wiring layer opposite to the first surface on which the first carrier is provided; peeling the first carrier from the wiring layer; forming a modified region that serves as a starting point of fracture in an internal region of the second carrier corresponding to the location where the wiring layer was cut, using laser light; and expanding the second carrier with the modified region formed along the surface direction to divide the second carrier into a plurality of carrier portions.
  • the method for manufacturing the thin wiring member includes a step of forming a modified region, which is a breakage starting point, by laser light in an internal region of the second carrier corresponding to the location where the wiring layer is cut, and a step of expanding the second carrier in which the modified region is formed along the surface direction to divide the second carrier into a plurality of carrier parts.
  • a breakage starting point is formed by laser light, and the second glass carrier is broken from the breakage starting point when expanding. This is a laser dicing process called stealth dicing, and by using such a processing method, it is possible to prevent cracks and chipping from occurring in the second glass carrier to be divided.
  • this method for manufacturing a thin wiring member cracks and chipping do not occur when dividing the second glass carrier, so that a decrease in the strength of the glass carrier can also be prevented.
  • this method for manufacturing a thin wiring member prevents cracks and chipping from occurring when the second glass carrier is divided, preventing damage to the wiring portion of the thin wiring member.
  • the wiring layer in the cutting step, may be cut with a laser or a dicing blade.
  • the wiring layer to be cut is a member that is thin, for example 10 to 50 ⁇ m, and is made of a material that is adhesive or elastic, and has an unstable shape.
  • the wiring layer can be cut with high precision at a very high speed by using laser ablation technology.
  • the resin in the cut part contains a metal layer
  • the wiring layer can be cut efficiently by using a dicing blade with a wide processing margin, even if the resin contains a metal layer.
  • the cutting step may be performed with the wiring layer supported by the first carrier.
  • the wiring layer to be cut is a member with an unstable shape.
  • by cutting the wiring layer while it is supported by the first carrier it is possible to cut it with high precision.
  • the cutting of the wiring layer may be performed by an ablation laser, and in the peeling step, the peeled first carrier may be recovered for reuse.
  • the first carrier can be damaged or not damaged much by the cutting in the cutting step.
  • the cutting step may be performed after the second carrier is bonded to the wiring layer.
  • this manufacturing method makes it possible to reuse the first carrier used to create the rewiring layer, thereby reducing the burden on the environment.
  • the step of forming a modified region may be performed after the step of peeling off the first carrier.
  • processing marks may remain on the installation surface of the first carrier. In this case, if an attempt is made to form a modified region with laser light from the first carrier side, the processing marks may prevent an appropriate modified region from being formed with the laser light. Therefore, by forming a modified region on the second carrier after peeling off the first carrier, it is possible to prevent such manufacturing defects and to reliably form a modified region on the second carrier.
  • the step of forming the modified region may be performed before the step of peeling off the first carrier.
  • the method for peeling the first carrier from the wiring layer may be different from the mechanism by which the second carrier or carrier portion is peeled off. In this case, peeling off the second carrier required for the subsequent process can be prevented when peeling off the first carrier, and the thin wiring member can be produced more reliably. Also, by using a different peeling method, it becomes possible to easily peel off the first carrier.
  • the second carrier may be a glass carrier having a thickness of 0.3 mm to 1.1 mm.
  • the degree of freedom of the manufacturing method when forming the modified region can be increased, and it becomes easier to perform laser irradiation, etc. when peeling off the carrier portion from the wiring portion after using the thin wiring member as a component.
  • the second carrier may be a silicon substrate.
  • the manufacturing method for the thin wiring member described above may further include a step of attaching a dicing tape to the surface of the second carrier opposite to the surface to which the wiring layer is attached, and in the dividing step, the second carrier may be expanded by spreading the dicing tape.
  • the second carrier in which the modified region is formed can be easily divided by simple means.
  • the present disclosure relates to a thin wiring member.
  • This thin wiring member comprises a wiring layer having a resin composition or a cured product thereof present on the wiring and around the wiring, and a support layer provided on one side of the wiring layer, the support layer being a glass carrier.
  • the support layer being a glass carrier.
  • the thickness of the wiring layer may be 200 ⁇ m or less, the thickness of the support layer may be 0.3 mm or more and 1.1 mm or less, and the wiring layer may have wiring with a line width of 5 ⁇ m. In this case, it can be a thin wiring member with fine wiring.
  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a wiring board.
  • This method for manufacturing a wiring board includes the steps of preparing a thin wiring member manufactured by any of the above-mentioned methods for manufacturing a thin wiring member, arranging the thin wiring member on or within a substrate, and connecting the wiring of the thin wiring member to a connection terminal.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a thin wiring member.
  • 2A to 2D are diagrams sequentially showing a method for manufacturing a thin wiring member according to the first embodiment.
  • 3A to 3C are diagrams sequentially showing the method for manufacturing the thin wiring member according to the first embodiment, illustrating steps performed following the step in FIG. 4A to 4C are diagrams sequentially showing the method for manufacturing the thin wiring member according to the first embodiment, illustrating steps performed following the step in FIG. 5A to 5C are diagrams sequentially showing a method for manufacturing a thin wiring member according to the second embodiment.
  • 6A to 6D are diagrams sequentially showing a method for manufacturing a thin wiring member according to the third embodiment.
  • 7A to 7D are diagrams sequentially showing an example of a method for manufacturing a wiring board using a thin wiring member.
  • 8A to 8C are diagrams sequentially showing an example of a method for manufacturing a thin wiring member.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a thin wiring member.
  • the thin wiring member 1 is a member used to form, for example, a redistribution layer (RDL) of a wiring portion of a wiring board 300 described later (see FIG. 7).
  • RDL redistribution layer
  • the thin wiring member 1 may be used for wiring or connection in a semiconductor device or the like.
  • the thin wiring member 1 includes a fine wiring layer 10 and a support layer 20.
  • the thin wiring member 1 may further include an adhesive layer 30 (see FIG. 7) for adhering the thin wiring member 1 to a wiring board or the like, and the adhesive layer 30 can be attached to the support layer 20.
  • the adhesive layer 30 can be formed of, for example, an epoxy resin, and can be composed of a die attach film (DAF) or the like.
  • the thin wiring member 1 is a minute wiring member that can be built into various wiring boards or semiconductor devices, and may have, for example, a rectangular shape of 50 mm long x 50 mm wide when viewed in a plan view, or a rectangular shape of 20 mm long x 20 mm wide.
  • the thin wiring member 1 is a thin wiring member, and has a fine wiring layer 10 having a thickness of about 50 ⁇ m, and the overall thickness is thin, for example, 30 ⁇ m to 1 mm.
  • the thickness of the fine wiring layer 10 is, for example, 200 ⁇ m or less. Because of such a thickness, the thin wiring member 1 has characteristics such as being prone to curling and being difficult to handle.
  • the fine wiring layer 10 is formed by providing copper wiring 14 (wiring) having a three-dimensional wiring configuration in the insulating layer 12 (insulating portion).
  • the copper wiring 14 is a wiring having a fine line width of, for example, 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the copper wiring 14 preferably has a fine line width of 0.7 to 4 ⁇ m, and more preferably has a fine line width of 1 to 3 ⁇ m.
  • the connection end 14a of the copper wiring 14 is exposed to the outside from the first surface 10a of the fine wiring layer 10.
  • the connection end 14a of the copper wiring 14 is electrically and mechanically connected to the connection terminal.
  • the second surface 10b of the fine wiring layer 10 is bonded and fixed to the first surface 20a of the support layer 20.
  • the copper wiring 14 forms a three-dimensional wiring layer by stacking each wiring layer in order from the second surface 10b to the first surface 10a, as described later.
  • the insulating layer 12 is formed by stacking a plurality of layers, and from the viewpoint of forming fine vias and grooves, each layer may have a thickness of 10 ⁇ m or less, or may have a thickness of 5 ⁇ m or less.
  • the insulating layer 12 is formed so as to fill the copper wiring 14 and exist around the copper wiring 14.
  • each layer of the insulating layer 12 may have a thickness of 1 ⁇ m or more from the viewpoint of electrical reliability.
  • the insulating layer 12 may have a thickness of 10 to 200 ⁇ m as a whole, or may have a thickness of 10 to 100 ⁇ m.
  • the insulating layer 12 may have a thermal expansion coefficient (after curing) of, for example, 80 ppm/°C or less from the viewpoint of suppressing warping.
  • the insulating layer 12 may have a thermal expansion coefficient (after curing) of, for example, 70 ppm/°C or less from the viewpoint of suppressing peeling or cracking in the reflow process and temperature cycle test.
  • the insulating layer 12 may have a linear expansion coefficient (after curing) of 20 ppm/°C or more from the viewpoint of improving stress relaxation and forming fine vias or grooves.
  • the linear expansion coefficient of the insulating layer 12 may be the same as the linear expansion coefficient of the support layer 20, or it may be smaller or larger than the linear expansion coefficient of the support layer 20.
  • the insulating layer 12 is composed of a material such as polyimide resin, maleimide resin, epoxy resin, phenoxy resin, polybenzoxazole resin, acrylic resin, or acrylate resin.
  • the insulating layer 12 may contain a filler, and from the viewpoint of forming fine details, the average particle size of the filler contained may be 500 nm or less.
  • the filler may be contained in the insulating layer 12 so that the content of the filler relative to the total amount of the insulating material is less than 1 mass %.
  • the insulating layer 12 may not contain a filler.
  • the insulating layer 12 is formed from the above-mentioned material, is a layer having adhesiveness and elasticity, and is formed as a member with an unstable shape.
  • the support layer 20 is a layer that supports the fine wiring layer 10 including the insulating layer 12, which is an unstable member, and is made of a material harder than the resin composition of the insulating layer 12 or its cured product.
  • the support layer 20 is made of a material having a flexural modulus of 3 GPa or more (or a flexural strength of 700 MPa or more).
  • the support layer 20 can be made of, for example, a glass carrier.
  • the support layer 20 may be made of a silicon substrate.
  • the thickness of the support layer 20 may be thinner than the fine wiring layer 10, or may be thicker than the fine wiring layer 10.
  • the thickness of the support layer 20 may be, for example, 0.3 mm or more and 1.1 mm or less.
  • the thickness of the support layer 20 may be, for example, 25 to 3000% of the thickness of the fine wiring layer 10.
  • the thermal expansion coefficient of the support layer 20 may be 5 to 50 ppm/°C.
  • FIG. 2 to FIG. 4 are views sequentially showing a method for manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1.
  • a first carrier 100 is prepared.
  • the first carrier 100 is, for example, a glass substrate having a thickness of 0.7 mm or more and 1.1 mm or less, and has a flatness of arithmetic mean roughness of 50 nm or less.
  • the first carrier 100 is, for example, in the form of a wafer or a panel, and is not particularly limited, and may be, for example, a circular wafer having a diameter of 200 mm, 300 mm, or 450 mm, or a rectangular panel having a side of 200 to 700 mm or less.
  • a temporary fixing material may be attached on the first carrier 100.
  • the temporary fixing material is a resin layer for temporarily fixing an object on the first carrier 100, and is configured so that an object once fixed by heating or a laser can be peeled off in a later process.
  • a fine wiring layer 110 corresponding to the fine wiring layer 10 is formed on the first carrier 100.
  • the method for forming the fine wiring layer 110 is not particularly limited, but a semi-additive process (SAP) or a trench method can be used.
  • SAP semi-additive process
  • a seed layer there is no particular limit as long as the method can form a metal layer on the surface layer of the first carrier 100, but an electroless plating method or a sputtering method can be used.
  • a metal layer (seed layer) is first formed on the first carrier 100.
  • the method for forming the metal layer by electroless plating is not particularly limited, but may be a method of roughening the surface of the first carrier 100 (e.g., the resin surface of the temporary fixing material) by desmearing or plasma, and forming a metal layer on the roughened surface.
  • a method for forming fine wiring with a good yield a method of forming a metal layer by improving the surface energy of the surface of the first carrier 100 while suppressing surface roughening by irradiating ultraviolet rays of 200 nm or less is preferable.
  • a low-pressure mercury lamp can be used.
  • a metal layer can also be formed by sputtering. By suppressing surface roughening, the seed layer can be easily removed.
  • the thickness of the formed metal layer may be 200 nm or less from the viewpoint of improving the yield when forming fine wiring.
  • a resist pattern is formed on the metal layer formed on the first carrier 100.
  • the space width of the grooves in this resist pattern is, for example, 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the resist used for the resist pattern may be either a liquid or film type resist.
  • the resist pattern can be formed by exposure using a stepper exposure machine and development using an alkaline aqueous solution.
  • the vias or grooves in the resist pattern can be formed by laser ablation, photolithography, imprinting, etc., but from the viewpoint of miniaturization and cost, a photolithography process can be used.
  • a photosensitive resin material can be used as the insulating material.
  • the exposure method for the photosensitive resin material can be a known projection exposure method, contact exposure method, direct writing exposure method, etc.
  • the development method can be an alkaline aqueous solution of sodium carbonate, TMAH, etc.
  • the insulating layer can be further heated and cured.
  • the heating temperature can be 100 to 200°C, and the heating time can be 30 minutes to 3 hours.
  • the thickness of the metal layer may be 10 ⁇ m or less.
  • the space width of the resist pattern is 0.5 to 5 ⁇ m
  • the line width of the copper wiring portion in the resist pattern formed by electrolytic plating will also be 0.5 to 5 ⁇ m.
  • a wiring body S is formed in which a fine wiring layer 110 is provided on the first carrier 100, as shown in FIG. 2B.
  • FIG. 2B shows an example in which three layers of wiring 114 are stacked, but the present invention is not limited to this.
  • the wiring 114 has a plurality of wiring parts 116 corresponding to the copper wiring 14 of the thin wiring member 1.
  • the insulating parts 112 other than the wiring parts 116 of the fine wiring layer 110 are made of an insulating resin material such as polyimide resin, maleimide resin, epoxy resin, phenoxy resin, polybenzoxazole resin, acrylic resin, and acrylate resin.
  • the insulating parts 112 are formed so as to fill the periphery of each wiring part 116 and exist around each wiring part 116. Such insulating parts 112 have adhesiveness and elasticity, and are configured to be easily unstable in shape. Chemical mechanical polishing (CMP) may be performed to flatten the surface irregularities after the formation of the fine wiring layer 110.
  • CMP Chemical mechanical polishing
  • the fine wiring layer 110 supported by the first carrier 100 is cut so that each of the fine wiring layers 110 has at least one of the plurality of wiring portions 116.
  • the fine wiring layer 110 is cut with a blade D from the upper surface opposite to the lower surface supported by the first carrier 100 by dicing using a dicer. If the cutting is performed with a dicing blade, the fine wiring layer 110 can be cut efficiently even if the cut portion is made of only resin or if the resin in the cut portion contains a metal layer. In addition, by using a dicing blade with a wide processing margin, the fine wiring layer 110 can be cut reliably even if the resin contains a metal layer.
  • the cut fine wiring layer 110A includes a plurality of individual wiring layers 110B each including a wiring portion 116 and an insulating portion 112a covering the wiring portion 116, and the plurality of individual wiring layers 110B are in a state of being divided into individual pieces by each cutting region 118.
  • the insulating portion 112a is a portion obtained by dividing the insulating portion 112. During this dicing, cuts may be made in the first carrier 100 or the temporary fixing material on its upper surface, or the cut may be made so that no cuts are made. If there are no cuts or only a few cuts, it will be possible to reuse the first carrier 100 after peeling it off in the process described below.
  • the cutting of the fine wiring layer 110 may be performed using a laser beam L1, as shown in FIG. 2(d). That is, the fine wiring layer 110 supported by the first carrier 100 may be cut by the laser beam L1 to obtain a cut fine wiring layer 110A, so that each of the plurality of wiring portions 116 has at least one wiring portion 116. If the cut portion of the fine wiring layer 110 is only resin, the fine wiring layer 110 can be cut very quickly and accurately by using a laser ablation technique. When cutting the fine wiring layer 110 using the laser beam L1, it is preferable to use, for example, an ablation laser. When cutting using the laser beam L1, the surface of the first carrier 100 is less likely to be damaged, so that the first carrier 100 can be easily reused.
  • the second carrier 120 is prepared. Then, as shown in FIG. 3A, the second carrier 120 is attached to the upper surface 110b (second surface) opposite to the lower surface 110a (first surface) of the cut fine wiring layer 110A.
  • the second carrier 120 may be, for example, a carrier substrate having a thickness of 0.3 mm to 1.1 mm and a flatness of arithmetic mean roughness of 50 nm or less.
  • the second carrier 120 may be thinner than the first carrier 100.
  • the second carrier 120 is preferably a glass substrate, but may also be a silicon substrate.
  • the second carrier 120 is, for example, in the form of a wafer or a panel, and is not particularly limited, and may be, for example, a circular wafer having a diameter of 200 mm, 300 mm, or 450 mm, or a rectangular panel having a side of 200 to 700 mm or less.
  • the first carrier 100 is peeled off from the fine wiring layer 110A.
  • This peeling may be performed by irradiation of a laser beam, or other methods (e.g., peeling by UV irradiation, peeling by heat treatment, removal (peeling) with a blade, peeling by immersion in water) may be used.
  • the method of peeling off the first carrier 100 is preferably different from the method (mechanism) of peeling off the second carrier 120 in the process described below, but may be the same method.
  • the second carrier 120 when the first carrier 100 is peeled off using UV irradiation, the second carrier 120 is preferably peeled off using a method that creates a peeling trigger different from that of the first carrier 100, such as heat or a blade. Also, when the first carrier 100 is peeled off using a blade or a laser, the second carrier 120 is preferably peeled off using a method that creates a peeling trigger different from that of the first carrier 100, such as heat or UV irradiation. By using different peeling methods in this way, it is possible to prevent the second carrier 120 from peeling off when the first carrier 100 is peeled off from the micro-wiring layer 110A.
  • a dicing tape 130 is attached via an adhesive film to the surface 120a of the second carrier 120 that supports the fine wiring layer 110A, which is opposite to the surface to which the fine wiring layer 110A is attached.
  • a modified region 1220 is formed by laser light L2 in an internal region of the second carrier 120 corresponding to the cut region 118 where the fine wiring layer 110A is cut (stealth dicing).
  • This modified region 122 is a portion modified to become a starting point of breakage when the second carrier 120 is expanded (spread) in the planar direction.
  • the laser light L2 for forming the modified region 122 may be irradiated from the fine wiring layer 110A side or from the dicing tape 130 side. Note that when the fine wiring layer 110 is cut with a laser or a blade as shown in FIG. 2C or 2D, a processing mark may remain on the installation surface of the first carrier 100.
  • the processing mark may prevent the laser light from forming an appropriate modified region. Therefore, by peeling off the first carrier 100 and then forming the modified region 122 on the second carrier 120, it is possible to prevent such formation defects and to reliably form the modified region 122 on the second carrier 120.
  • the dicing tape 130 is expanded radially outward as shown in FIG. 4B, and the second carrier 120 is divided into individual carrier parts 120A (multiple carrier parts) in the same manner as the individual wiring layer 110B.
  • Stealth dicing can suppress the occurrence of chipping or cracks even when the second carrier 120 is thin, so that contamination can be prevented from occurring during cutting.
  • the fine wiring layer 110 which has an unstable shape, is cut in advance, the fine wiring layer 110 (individual wiring layer 110B) is not pulled during this expansion, and the shape of the individual wiring layer 110B can be reliably maintained.
  • a thin wiring member 1 is obtained, each of which has an individual wiring layer 110B and a carrier portion 120A.
  • the individual wiring layer 110B corresponds to the fine wiring layer 10 shown in FIG. 1
  • the carrier portion 120A corresponds to the support layer 20 shown in FIG. 1.
  • the carrier portion 120A may be peeled off from the corresponding individual wiring layer 110B.
  • the method for peeling off this carrier portion 120A may be, for example, peeling by laser irradiation, and is preferably different from the method for peeling off the first carrier 100 from the fine wiring layer 110A.
  • the method for peeling off the carrier portion 120A and the method for peeling off the first carrier 100 may be the same.
  • the method for manufacturing a thin wiring member includes, apart from the step of cutting the fine wiring layer 110, a step of forming a modified region 122 serving as a starting point of fracture in an internal region of the second carrier 120 corresponding to the cut region 118 where the fine wiring layer 110A is cut, using laser light L2, and a step of expanding the second carrier 120 in which the modified region 122 is formed along the surface direction to divide the second carrier 120 into a plurality of carrier parts 120A.
  • a fracture starting point is formed using laser light, and the second carrier 120 is broken from the fracture starting point when expanding.
  • this manufacturing method for the thin wiring member cracks and chipping do not occur when the second carrier 120 is divided, so that the strength of the carrier can be prevented from decreasing.
  • this manufacturing method for the thin wiring member cracks and chipping do not occur when the second carrier 120 is divided, so that damage to the wiring portion 116 in the thin wiring member 1 can be prevented.
  • the fine wiring layer 110 is cut with a laser or a dicing blade.
  • the fine wiring layer 110 to be cut is a member that is thin, for example 10 to 50 ⁇ m, and is made of a material that is adhesive or elastic, and has an unstable shape.
  • the fine wiring layer 110 can be cut with high precision at a very high speed by using laser ablation technology.
  • the resin in the cut part contains a metal layer
  • the wiring layer can be cut efficiently by using a dicing blade with a wide processing margin, even if the resin contains a metal layer.
  • the fine wiring layer 110 is cut while it is placed on the first carrier 100.
  • the fine wiring layer 110 to be cut is a member with an unstable shape.
  • the fine wiring layer 110 can be cut with high precision.
  • the fine wiring layer 110 may be cut by an ablation laser, and the peeled first carrier 100 may be collected for reuse.
  • the first carrier 100 can be damaged or not damaged much when cutting the fine wiring layer 110.
  • this manufacturing method makes it possible to reuse the first carrier 100 used to create the rewiring layer, thereby reducing the burden on the environment.
  • the modified region 121 is formed after peeling off the first carrier 100.
  • processing marks may remain on the installation surface of the first carrier 100. In this case, if an attempt is made to form a modified region with laser light from the first carrier 100 side, the processing marks may prevent an appropriate modified region from being formed with the laser light. Therefore, by forming the modified region 122 in the second carrier 120 after peeling off the first carrier 100, it is possible to prevent such manufacturing defects and to reliably form the modified region on the second carrier 120.
  • the method for peeling the first carrier 100 from the fine wiring layer 110A may be different from the mechanism by which the second carrier 120 or the carrier portion 120A is peeled off. This makes it possible to more reliably manufacture the thin wiring member 1 by preventing the second carrier 120, which is necessary for the subsequent process, from being peeled off when the first carrier 100 is peeled off. Furthermore, the different peeling method makes it possible to easily peel off the first carrier 100.
  • the second carrier 120 may be a glass carrier having a thickness of 0.3 mm or more and 1.1 mm or less. In this case, the degree of freedom of the manufacturing method when forming the modified region can be increased. In addition, after using the thin wiring member 1 as a member, it becomes easier to perform laser irradiation and the like when peeling off the carrier portion 120A from the individual wiring layer 110B.
  • a dicing tape 130 is attached to the surface 120a of the second carrier 120 opposite to the surface to which the fine wiring layer 110 is attached.
  • the dicing tape 130 is spread to expand the second carrier 120. This allows the second carrier 120, in which the modified region 122 has been formed, to be easily divided by simple means.
  • Fig. 5 is a diagram showing the method for manufacturing a thin wiring member according to the second embodiment in sequence. Below, differences from the manufacturing method according to the first embodiment will be mainly described, and descriptions of the same parts may be omitted.
  • a first carrier 100 is prepared as shown in FIG. 2(a). Then, a fine wiring layer 110 is formed on the first carrier 100 as shown in FIG. 2(b).
  • the second carrier 120 is bonded to the upper surface 110b of the fine wiring layer 110.
  • the second carrier 120 is bonded before the fine wiring layer 110 is cut.
  • the first carrier 100 is peeled off from the micro-wiring layer 110.
  • the method for peeling off the first carrier 100 is the same as in the first embodiment.
  • the second carrier 120 supporting the fine wiring layer 110 is attached to the dicing tape 130 via an adhesive film. Then, the fine wiring layer 110 supported by the second carrier 120 is cut so that each of the plurality of wiring portions 116 has at least one wiring portion 116.
  • the cutting method may be cutting by dicing using a blade D as in the first embodiment, or cutting using a laser beam L1.
  • a modified region 122 is formed by laser light L2 in the internal region of the second carrier 120, in a region corresponding to the cut region 118 where the fine wiring layer 110A was cut (see FIG. 4(a)). Then, as shown in FIG. 4(b), the dicing tape 130 is expanded radially outward, and the second carrier 120 is divided into individual carrier parts 120A in the same manner as the individual wiring layers 110B. In this way, a plurality of thin wiring members 1 are obtained.
  • the method in addition to the step of cutting the fine wiring layer 110, similar to the first embodiment, includes a step of forming a modified region 122, which is a starting point of fracture, in an internal region of the second carrier 120 corresponding to the cut region 118 where the fine wiring layer 110A is cut, using laser light L2, and a step of expanding the second carrier 120 in which the modified region 122 is formed along the surface direction to divide the second carrier 120 into a plurality of carrier parts 120A.
  • the fine wiring layer 110 is cut after the second carrier 120 is bonded to the fine wiring layer 110. This makes it possible to prevent the first carrier 100 from being peeled off and damaged when cutting the fine wiring layer 110. As a result, this manufacturing method makes it possible to reuse the first carrier 100 used to create the rewiring layer, thereby reducing the burden on the environment.
  • Fig. 6 is a diagram showing the method for manufacturing a thin wiring member according to the third embodiment in sequence. Below, differences from the manufacturing method according to the first embodiment will be mainly described, and descriptions of the same parts may be omitted.
  • a first carrier 100 is prepared.
  • a fine wiring layer 110 is formed on the first carrier 100.
  • the fine wiring layer 110 supported by the first carrier 100 is cut with a dicing blade using a blade D to form a fine wiring layer 110A having a plurality of individual wiring layers 110B.
  • the cutting may be performed with a laser beam L1, as in the first embodiment.
  • the second carrier 120 is attached to the upper surface 110b of the cut micro-wiring layer 110A.
  • a modified region 122 is formed by laser light L2 in an internal region of the second carrier 120 attached to the fine wiring layer 110A, which corresponds to the cut region 118 where the fine wiring layer 110A is cut.
  • the laser light L2 for forming the modified region 122 is irradiated from the upper surface of the second carrier 120 toward the fine wiring layer 110A.
  • the first carrier 100 is peeled off from the cut micro-wiring layer 110A. This peeling may be performed by irradiating the laser light L2, etc. If the second carrier 120 is bent when peeling off the first carrier 100, a crack may occur starting from the modified region 122 since the modified region 122 has already been formed in the second carrier 120. Therefore, in this manufacturing method, when peeling off the first carrier 100 at this stage so as not to cause cracks in the second carrier 120, it is preferable to bend the first carrier 100 without bending the second carrier 120 and peel it off. Then, as shown in (d) of FIG. 6, the second carrier 120 supporting the micro-wiring layer 110A is attached to the dicing tape 130 via an adhesive film. Then, as shown in FIG. 4B, the dicing tape 130 is expanded radially outward, and the second carrier 120 is divided into individual carrier parts 120A in the same manner as the individual wiring layer 110B. This results in a plurality of thin wiring members 1.
  • the manufacturing method of the thin wiring member according to the third embodiment in addition to the step of cutting the fine wiring layer 110, similar to the first and second embodiments, includes a step of forming a modified region 122, which is a starting point of fracture, in an internal region of the second carrier 120 corresponding to the cut region 118 where the fine wiring layer 110A is cut, by using laser light L2, and a step of expanding the second carrier 120 in which the modified region 122 is formed along the surface direction to divide the second carrier 120 into a plurality of carrier parts 120A.
  • this embodiment it is possible to prevent cracks and chipping from occurring in the second carrier 120 to be divided, and it is possible to manufacture the thin wiring member 1 while suppressing the occurrence of contamination.
  • this manufacturing method of the thin wiring member cracks and chipping do not occur when dividing the second carrier 120, so that a decrease in the strength of the carrier can be prevented.
  • this manufacturing method of the thin wiring member cracks and chipping do not occur when dividing the second carrier 120, so that damage to the wiring part 116 in the thin wiring member 1 can be prevented.
  • the modified region 122 is formed before the first carrier 100 is peeled off.
  • FIG. 7 is a diagram sequentially showing an example of a method for manufacturing a wiring board using the thin wiring member.
  • the thin wiring member 1 is prepared, and a substrate body 301 is prepared.
  • the substrate body 301 is a member in which insulating layers 302 and wiring layers 303 are alternately laminated.
  • the substrate body 301 is provided with an installation layer 304 for arranging the thin wiring member 1.
  • the thin wiring member 1 is placed on the mounting layer 304 of the substrate body 301, as shown in FIG. 7(b). At this time, the thin wiring member 1 is attached to the mounting layer 304 via an adhesive layer 30 or the like. The thin wiring member 1 may also be placed on the inside of the substrate body 301.
  • an insulating resin portion 305 is formed on the mounting layer 304 of the substrate body 301 on which the thin wiring member 1 is mounted.
  • the insulating resin portion 305 is then patterned to form wiring 306.
  • a connection terminal is further provided and connected to the wiring of the thin wiring member 1. In this manner, the wiring substrate 300 can be obtained.
  • 1...thin wiring member 10...fine wiring layer, 20...support layer, 100...first carrier, 110...fine wiring layer (wiring layer), 110A...fine wiring layer, 110B...individual wiring layer, 110a...lower surface (first surface), 110b...upper surface (second surface), 112...insulating portion, 114...wiring, 116...wiring portion, 118...cutting region, 120...second carrier, 120A...carrier portion, 120a...surface, 122...modified region, 130...dicing tape, D...blade, L1, L2...laser light.

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Abstract

複数の薄型配線部材を製造する方法を開示する。この薄型配線部材の製造方法は、複数の薄型配線部材に対応する複数の配線部と複数の配線部の周りに存在する絶縁部とを有する配線層を第１キャリア上に作製する工程と、複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように配線層を切断する工程と、配線層において第１キャリアが設けられた第１面とは逆側の第２面に第２キャリアを貼り合わせる工程と、第１キャリアを配線層から剥離する工程と、第２キャリアの内部領域であって配線層を切断した箇所に対応する領域に破断の起点となる改質領域をレーザ光にて形成する工程と、改質領域が形成された第２キャリアを面方向に沿ってエキスパンドして前記第２キャリアを複数のキャリア部分に分割する工程と、を備える。

Description

薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法
　本開示は、薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法に関する。
　特許文献１には、ファンアウト型の半導体装置の一例が開示されている。この半導体装置では、半導体チップと外部接続端子との間に再配線層が設けられ、再配線層により半導体チップの端子間隔が広げられて外部接続端子に接続される。
特開２０１９－０２９５５７号公報
　従来の方法では、基板上に再配線層を形成しているが、基板の高さバラツキが大きい等の理由により、再配線層の微細配線化が難しい場合がある。そこで、平坦なガラスキャリア上にパターニングによって微細配線からなる再配線層を作製し、それをトランスファーする方法が検討されている。この方法の一例としては、例えば、図８に示すように、第１ガラスキャリア５００上に再配線層５１０を形成した後に再配線層５１０の上に第２ガラスキャリア５２０を形成する。そして、再配線層５１０を第１ガラスキャリア５００及び第２ガラスキャリア５２０で挟み込んだ状態で、ダイシングブレードＤで個片化する。しかしながら、この方法では、ダイシングブレードＤによって第２ガラスキャリア５２０を切断する際に、第２ガラスキャリア５２０にクラックＣ１が発生してしまうことがある。これにより、強度不足が生じると共に、コンタミが生じてしまう。また、第２ガラスキャリア５２０にチッピングＣ２が発生してしまうことがある。これにより、キャリアとしての強度不足の問題だけでなく、配線層にダメージが生じたり、コンタミが生じてしまう。ダイシングブレードＤで第２ガラスキャリア５２０を切断する際の送り速度を１ｍｍ／秒とすることで、このようなクラックＣ１又はチッピングＣ２の発生を抑制することは可能である。しかしながら、この場合、送り速度が非常に遅くなり、薄型配線部材の製造効率が大幅に悪化してしまう。
　本開示は、コンタミの発生を抑制して薄型配線部材を作製することが可能な、薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示は、一側面として、薄型配線部材の製造方法に関する。この製造方法は、複数の薄型配線部材に対応する複数の配線部と複数の配線部の周りに存在する絶縁部とを有する配線層を第１キャリア上に作製する工程と、複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように配線層を切断する工程と、配線層において第１キャリアが設けられた第１面とは逆側の第２面に第２キャリアを貼り合わせる工程と、第１キャリアを配線層から剥離する工程と、第２キャリアの内部領域であって配線層を切断した箇所に対応する当該領域に破断の起点となる改質領域をレーザ光にて形成する工程と、改質領域が形成された第２キャリアを面方向に沿ってエキスパンドして第２キャリアを複数のキャリア部分に分割する工程と、を備える。
　この薄型配線部材の製造方法は、配線層を切断する工程とは別に、第２キャリアの内部領域であって配線層を切断した箇所に対応する領域に破断の起点となる改質領域をレーザ光にて形成する工程と、改質領域が形成された第２キャリアを面方向に沿ってエキスパンドして第２キャリアを複数のキャリア部分に分割する工程とを備えている。この方法では、第２ガラスキャリアを分割する際に、ダイシングブレードを用いる代わりに、レーザ光にて破断起点を形成して、エキスパンドする際に破断起点から第２ガラスキャリアを破断させている。これは、いわゆるステルスダイシングと呼ばれるレーザーダイシング加工であり、このような加工方法を用いることで、分割される第２ガラスキャリアにクラック及びチッピングが生じないようにすることができる。これにより、コンタミの発生を抑制して薄型配線部材を作製することが可能となる。また、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２ガラスキャリアを分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、ガラスキャリアの強度低下も防止することができる。更に、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２ガラスキャリアを分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、薄型配線部材における配線部にダメージを与えることを防止することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、切断する工程では、配線層をレーザ又はダイシングブレードによって切断してもよい。切断される配線層は、例えば厚さが１０～５０μｍと薄く、しかも粘着性又は弾力性を有した材料から形成された、形状が不安定な部材である。しかしながら、このような配線層を切断する場合、切断部分が樹脂のみであれば、レーザのアブレーション技術を用いることで非常に早い速度で精度よく配線層を切断することができる。一方、切断部分の樹脂に金属層が含まれる場合、加工マージンが広いダイシングブレードを用いることで、樹脂に金属層が含まれていても、効率良く配線層を切断することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、切断する工程は、配線層が第１キャリアに支持された状態で行われてもよい。切断される配線層は、上述したように、形状が不安定な部材である。しかしながら、かかる配線層を第１キャリアで支持した状態で切断することにより、精度よく切断することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、切断する工程では、配線層の切断がアブレーションレーザによって行われてもよく、剥離する工程では、剥離した第１キャリアを再利用するために回収してもよい。この場合、切断する工程での切断により第１キャリアを傷つける又はあまり傷つけないようにすることができる。これにより、この製造方法によれば、再配線層の作製に用いた第１キャリアを再利用することが可能となり、環境への負荷を低減することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、切断する工程は、配線層に第２キャリアが貼り合わされた後に行われてもよい。この場合、切断する工程での切断により第１キャリアを傷つけないようにすることができる。これにより、この製造方法によれば、再配線層の作製に用いた第１キャリアを再利用することが可能となり、環境への負荷を低減することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、改質領域を形成する工程は、第１キャリアを剥離する工程の後に行われてもよい。配線層をレーザ又はブレードで切断加工した際、第１キャリアの設置面に加工痕が残ることがある。この場合に第１キャリア側からレーザ光で改質領域を形成しようとすると、この加工痕によってレーザ光で適切な改質領域を形成できないことがある。よって、第１キャリアを剥離してから第２キャリアに改質領域を形成することにより、かかる作製不良を防ぐことが可能となり、第２キャリアに確実に改質領域を形成することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、改質領域を形成する工程は、第１キャリアを剥離する工程の前に行われてもよい。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、第１キャリアを配線層から剥離する方法は、第２キャリア又はキャリア部分が剥離するメカニズムとは異なってもよい。この場合、第１キャリアを剥離する際に、その後の工程に必要な第２キャリアを剥離してしまうことを防止して、薄型配線部材をより確実に作製することができる。また、剥離する方法が異なることにより、第１キャリアの剥離を容易に行うことが可能となる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、第２キャリアは、厚みが０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下のガラスキャリアであってもよい。この場合、改質領域を形成する際の製造方法の自由度を上げることができる、また、薄型配線部材を部材として使用した後にキャリア部分を配線部から剥離する際のレーザ照射等をより実行しやすくなる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、第２キャリアは、シリコン基板であってもよい。
　上記の薄型配線部材の製造方法は、第２キャリアにおいて配線層が貼り付けられている面とは逆の面にダイシングテープを貼り付ける工程を更に備えてもよく、分割する工程では、ダイシングテープを広げることで第２キャリアがエキスパンドされてもよい。この場合、改質領域が形成された第２キャリアを簡易な手段により容易に分割することができる。
　本開示は、別の側面として、薄型配線部材に関する。この薄型配線部材は、配線及び配線の周りに存在する樹脂組成物又はその硬化物を有する配線層と、配線層の一方の面上に設けられた支持層と、を備え、支持層がガラスキャリアである。この場合、薄型配線部材を使用して配線基板または半導体装置を作製する際に薄型配線部材が反ってしまったり、丸まってしまったりということを防止でき、形状を安定化させることができる。
　上記の薄型配線部材において、配線層の厚さが２００μｍ以下であってもよく、支持層の厚さが０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下であってもよく、配線層は、ライン幅が５μｍの配線を有していてもよい。この場合、微細な配線を有する薄型配線部材とすることができる。
　また、本開示は、更に別の側面として、配線基板の製造方法に関する。この配線基板の製造方法は、上述した何れかの薄型配線部材の製造方法によって製造された薄型配線部材を準備する工程と、薄型配線部材を基板上又は基板内に配置する工程と、薄型配線部材の配線を接続端子に接続する工程と、を備える。
　本開示によれば、コンタミの発生を抑制して薄型配線部材を作製することができる。
図１は、薄型配線部材の一例を示す断面図である。 図２の（ａ）～（ｄ）は、第１実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。 図３の（ａ）～（ｃ）は、第１実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図であり、図２の工程に続いて行われる工程を示す。 図４の（ａ）～（ｃ）は、第１実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図であり、図３の工程に続いて行われる工程を示す。 図５の（ａ）～（ｃ）は、第２実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。 図６の（ａ）～（ｄ）は、第３実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。 図７の（ａ）～（ｄ）は、薄型配線部材を用いて配線基板を製造する方法の一例を順に示す図である。 図８の（ａ）～（ｃ）は、薄型配線部材の製造方法の一例を順に示す図である。
　以下、図面を参照しながら本実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　本明細書及び請求項において「左」、「右」、「正面」、「裏面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「第１」、「第２」等の用語が利用されている場合、これらは、説明を意図したものであり、必ずしも永久にこの相対位置である、という意味ではない。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても、その工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。
［薄型配線部材の構成］
　図１は、薄型配線部材の一例を示す断面図である。図１に示すように、薄型配線部材１は、例えば、後述する配線基板３００の配線部の再配線層（ＲＤＬ）を構成するために用いられる部材である（図７を参照）。但し、薄型配線部材１は、半導体装置等における配線又はその接続に用いられてもよい。薄型配線部材１は、微細配線層１０及び支持層２０を備えている。薄型配線部材１は、薄型配線部材１を配線基板等に接着するための接着層３０（図７を参照）を更に備えてもよく、接着層３０は支持層２０に貼り付けることができる。接着層３０は、例えばエポキシ樹脂から形成することができ、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）などから構成できる。薄型配線部材１は、各種の配線基板又は半導体装置等に内蔵可能な微小な配線部材であり、例えば平面視した際に縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ角の矩形形状を有してもよく、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍの矩形形状を有してもよい。薄型配線部材１は、薄型の配線部材であり、５０μｍ程度の厚みを有する微細配線層１０を有し、全体の厚みが例えば、３０μｍ～１ｍｍと薄くなっている。なお、微細配線層１０の厚みは、例えば２００μｍ以下である。薄型配線部材１は、このような厚みであるため、カールしやすいといった特性及び取り扱いがしづらいといった特性がある。
　微細配線層１０は、絶縁層１２（絶縁部）内に三次元的な配線構成を有する銅配線１４（配線）を設けることにより、微細配線層を形成したものである。銅配線１４は、例えば０．５～５μｍの微細なライン幅を有する配線である。銅配線１４は、好ましくは、０．７～４μｍの微細なライン幅を有し、更に好ましくは、１～３μｍの微細なライン幅を有する。微細配線層１０の第１面１０ａからは銅配線１４の接続端１４ａが外部に露出する。銅配線１４の接続端１４ａは、接続端子に電気的且つ機械的に接続される。微細配線層１０の第２面１０ｂは、支持層２０の第１面２０ａに接着して固定されている。銅配線１４は、後述するように第２面１０ｂから第１面１０ａに向かって各配線層を順に積層することにより、三次元的な配線層を形成するものである。
　絶縁層１２は、複数の層が積層されて形成されるものであり、例えば、微細なビア及び溝部を形成する観点で、例えば各層が１０μｍ以下の厚みを有してもよく、５μｍ以下の厚みを有してもよい。絶縁層１２は、銅配線１４の周りを埋めて、銅配線１４の周りに存在するように形成されている。一方、絶縁層１２は、電気的な信頼性の観点から、各層が１μｍ以上の厚みを有してもよい。絶縁層１２は、全体としては、その厚みが１０～２００μｍであってもよいし、１０～１００μｍであってもよい。また、絶縁層１２は、反り抑制の観点から、例えば８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（硬化後）を有してもよい。絶縁層１２は、リフロー工程及び温度サイクル試験での剥離又はクラックを抑制する観点から、例えば７０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（硬化後）を有してもよい。一方、絶縁層１２は、応力緩和性を向上させて微細なビア又は溝部を形成するといった観点から、２０ｐｐｍ／℃以上の線膨張係数（硬化後）を有してもよい。絶縁層１２の線膨張係数は、支持層２０の線膨張係数と同じであってもよいし、支持層２０の線膨張係数より小さくてもよいし、大きくてもよい。
　絶縁層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、アクレート樹脂といった材料から構成される。絶縁層１２は、フィラを含有してもよく、微細な細部を形成できる観点から、含有されるフィラの平均粒径は５００ｎｍ以下であってもよい。フィラは、絶縁材料の総量に対するフィラの含有量が１質量％未満となるに、絶縁層１２に含有されていてもよい。絶縁層１２には、フィラが含有されていなくてもよい。絶縁層１２は、上述した材料から形成されており、粘着性及び弾力性を有した層となっており、形状が不安定な部材として形成されている。
　支持層２０は、不安定な部材である絶縁層１２を含む微細配線層１０を支持する層であり、絶縁層１２の樹脂組成物又はその硬化物よりも硬い材料から構成されている。具体的には、支持層２０は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上（又は曲げ強度が７００ＭＰａ以上）の材料から形成されている。支持層２０は、例えば、ガラスキャリアから形成することができる。支持層２０は、シリコン基板から形成されてもよい。支持層２０の厚さは、微細配線層１０より薄くてもよいし、逆に微細配線層１０より厚くてもよい。支持層２０の厚さは、例えば、０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下であってもよい。支持層２０は、例えば、微細配線層１０の厚さに対して２５～３０００％であってもよい。支持層２０の熱膨張係数は、５～５０ｐｐｍ／℃であってもよい。支持層２０がこのような熱膨張係数を有していることにより、反り等を抑制することが可能である。
［第１実施形態］
　次に、図２、図３及び図４を参照して、第１実施形態に係る薄型配線部材の製造方法について説明する。図２～図４は、図１に示す薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。図２の（ａ）に示すように、まずは、第１キャリア１００を準備する。第１キャリア１００は、例えば厚さが０．７ｍｍ以上１．１ｍｍ以下のガラス基板であり、算術平均粗さが５０ｎｍ以下の平坦度を有している。第１キャリア１００は、例えばウェハ状又はパネル状であり、特に限定されないが、例えば、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ若しくは直径４５０ｍｍの円形ウェハ、又は、一辺が２００～７００ｍｍ以下の矩形パネルであってもよい。第１キャリア１００の上には仮固定材が貼り付けられていてもよい。仮固定材は、対象物を第１キャリア１００上に仮固定するための樹脂層であり、加熱またはレーザによって一旦固定した対象物を後の工程で剥離可能なように構成されている。
　続いて、図２の（ｂ）に示すように、微細配線層１０に対応する微細配線層１１０を第１キャリア１００上に作製する。微細配線層１１０の作製方法は特に限定されないが、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）又はトレンチ工法を用いることができる。シード層を形成する場合は、第１キャリア１００の表層に金属層が形成できる方法であれば特に制限はないが、無電解めっき法又はスパッタリング法を用いることができる。
　微細配線層１１０の作製方法の一例では、まず、第１キャリア１００上に金属層（シード層）を形成する。無電解めっきによって金属層を形成する方法としては、特に限定はされないが、デスミア又はプラズマによって第１キャリア１００の表面（例えば、仮固定材の樹脂表面）を粗化して、その粗化面に金属層を形成する。微細配線を良好な歩留まりで形成する方法として、２００ｎｍ以下の紫外線を照射することによって表面の粗化を抑制しながら、第１キャリア１００の表面の表面エネルギーを向上させて金属層を形成する方法が好ましい。２００ｎｍ以下の紫外線を照射する方法としては、例えば、低圧水銀灯を用いることができる。表面の粗化を抑制する方法として、スパッタリングによって金属層を形成することもできる。表面の粗化を抑制することでシード層を容易に除去することができる。形成する金属層の厚さは、微細配線形成時の歩留まりを向上する観点から、２００ｎｍ以下であってもよい。
　続いて、第１キャリア１００上に形成した金属層の上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、溝の部分のスペース幅が例えば０．５～５μｍである。レジストパターンに使用するレジストは、液状又はフィルム状のレジストの何れであってもよい。レジストパターンは、ステッパ露光機による露光とアルカリ水溶液による現像によって形成することができる。
　レジストパターンにおけるビア又は溝部の形成方法は、レーザアブレーション、フォトリソグラフィー、インプリント等を用いることができるが、微細化及びコストの観点から、フォトリソグラフィープロセスを用いることができる。この場合、絶縁材料としては、感光性樹脂材料を用いることができる。感光性樹脂材料の露光方法としては、公知の、投影露光方式、コンタクト露光方式、直描露光方式等を用いることができ、現像方法としては、炭酸ナトリウム、ＴＭＡＨ等のアルカリ性水溶液を用いることができる。ビア及び溝部を形成した後、絶縁層をさらに加熱硬化させてもよい。加熱温度は１００～２００℃で、加熱時間は３０分～３時間で実施してもよい。
　続いて、電解めっきにより、金属層上であってレジストパターンの溝内に銅による配線部分を形成する。微細配線形成時の歩留まりを向上する観点から、金属層の厚みは１０μｍ以下であってもよい。なお、レジストパターンのスペース幅が０．５～５μｍである場合、電解めっきで形成されるレジストパターン内の銅配線部分のライン幅も０．５～５μｍになる。銅による配線部分が形成された後は、レジストパターンを剥離すると共に、金属層を除去する。レジストパターンの剥離は、既知の方法にて行う。また、金属層の除去は、市販のエッチング液を用いて行う。
　このような配線層の形成を繰り返すことにより、図２の（ｂ）に示す、第１キャリア１００上に微細配線層１１０が設けられた配線体Ｓが形成される。図２の（ｂ）では、配線１１４を３層重ねた例を示しているが、これに限定されない。配線１１４は、薄型配線部材１の銅配線１４に対応する配線部１１６を複数有している。微細配線層１１０の配線部１１６以外の絶縁部１１２は、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、アクレート樹脂といった絶縁樹脂材料から構成される。絶縁部１１２は、各配線部１１６の周りを埋めて、各配線部１１６の周りに存在するように形成されている。このような絶縁部１１２は、粘着性及び弾力性を有しており、形状が不安定になりやすい構成となっている。微細配線層１１０を形成した後に表面の凹凸を平坦化するため、化学機械的研磨（ＣＭＰ）を行ってもよい。
　続いて、図２の（ｃ）に示すように、複数の配線部１１６のうち少なくとも１の配線部１１６をそれぞれが有するように、第１キャリア１００によって支持された微細配線層１１０を切断する。この切断工程では、ダイサーを用いたダイシングにより、第１キャリア１００によって支持されている下面とは逆側の上面から微細配線層１１０をブレードＤで切断する。ダイシングブレードによる切断であれば、切断部分が樹脂のみからなる場合であっても、切断部分の樹脂に金属層が含まれている場合であっても、微細配線層１１０を効率よく切断することができる。なお、加工マージンが広いダイシングブレードを用いることで、樹脂に金属層が含まれている場合であっても、確実に微細配線層１１０を切断することができる。切断された微細配線層１１０Ａは、配線部１１６と配線部１１６を覆う絶縁部１１２ａとをそれぞれが含む複数の個別配線層１１０Ｂを含み、複数の個別配線層１１０Ｂが各切断領域１１８によって個片化された状態となっている。絶縁部１１２ａは、絶縁部１１２を個片化した部分である。このダイシングの際、第１キャリア１００又はその上面の仮固定材に切り込みが入ってもよいし、入らないように切断してもよい。切り込みがない場合又は少ない場合、後述する工程において第１キャリア１００を剥離した後、第１キャリア１００を再利用することが可能となる。
　微細配線層１１０の切断は、図２の（ｄ）に示すように、レーザ光Ｌ１を用いて行ってもよい。すなわち、複数の配線部１１６のうち少なくとも１の配線部１１６をそれぞれが有するように、第１キャリア１００によって支持された微細配線層１１０をレーザ光Ｌ１によって切断して、切断された微細配線層１１０Ａとしてもよい。微細配線層１１０における切断部分が樹脂のみであれば、レーザのアブレーション技術を用いることにより、非常に早い速度で精度よく微細配線層１１０を切断することができる。なお、レーザ光Ｌ１を用いて微細配線層１１０を切断する場合、例えば、アブレーションレーザを用いることが好ましい。レーザ光Ｌ１を用いて切断する場合、第１キャリア１００の表面をより傷付け難くなるため、第１キャリア１００の再利用を行いやすくなる。
　続いて、微細配線層１１０が切断されて微細配線層１１０Ａになると、第２キャリア１２０を準備する。そして、図３の（ａ）に示すように、切断された微細配線層１１０Ａの下面１１０ａ（第１面）とは逆側の上面１１０ｂ（第２面）に第２キャリア１２０を貼り付ける。第２キャリア１２０は、例えば厚さが０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下のキャリア基板であり、算術平均粗さが５０ｎｍ以下の平坦度を有していてもよい。第２キャリア１２０は、第１キャリア１００より薄くてもよい。第２キャリア１２０は、ガラス基板であることが好ましいが、シリコン基板であってもよい。第２キャリア１２０は、例えばウェハ状又はパネル状であり、特に限定されないが、例えば、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ若しくは直径４５０ｍｍの円形ウェハ、又は、一辺が２００～７００ｍｍ以下の矩形パネルであってもよい。
　続いて、微細配線層１１０Ａに第２キャリア１２０が貼り合わされると、図３の（ｂ）に示すように、第１キャリア１００を微細配線層１１０Ａから剥離する。この剥離は、レーザ光の照射によって行ってもよいし、他の方法（例えば、ＵＶ照射で剥離、加熱処理で剥離、ブレードで除去（剥離）、水に浸漬することによる剥離）を用いてもよい。第１キャリア１００の剥離方法は、第２キャリア１２０を後述する工程で剥離する方法（メカニズム）と異なることが好ましいが、同じ方法であってもよい。例えば、第１キャリア１００をＵＶ照射を用いて剥離する場合、第２キャリア１２０は、熱又はブレードなど第１キャリア１００の剥離とは異なる剥離のきっかけを作る方法で剥離されることが好ましい。また、第１キャリア１００をブレード又はレーザを用いて剥離する場合は、第２キャリア１２０は、熱又はＵＶ照射など第１キャリア１００の剥離とは異なる剥離のきっかけを作る方法で剥離されることが好ましい。このように剥離方法を異ならせることにより、第１キャリア１００を微細配線層１１０Ａから剥離する際に、第２キャリア１２０が剥離しないようにすることができる。
　続いて、図３の（ｃ）に示すように、微細配線層１１０Ａを支持する第２キャリア１２０において微細配線層１１０Ａが貼り付けられている面とは逆の面１２０ａに、接着フィルムを介して、ダイシングテープ１３０を貼り付ける。
　続いて、図４の（ａ）に示すように、第２キャリア１２０の内部領域であって微細配線層１１０Ａを切断した切断領域１１８に対応する領域に改質領域１２２０をレーザ光Ｌ２にて形成する（ステルスダイシング）。この改質領域１２２は、第２キャリア１２０を面方向にエキスパンドした（広げた）際に破断の起点となるように改質された部分である。改質領域１２２を形成するためのレーザ光Ｌ２は、微細配線層１１０Ａ側から照射してもよいし、ダイシングテープ１３０側から照射してもよい。なお、図２の（ｃ）又は（ｄ）に示すように微細配線層１１０をレーザ又はブレードで切断加工した際に、第１キャリア１００の設置面に加工痕が残ることがある。この場合に、本工程において、第１キャリア１００側からレーザ光で改質領域１２２を形成しようとすると、この加工痕によってレーザ光で適切な改質領域を形成できないことがある。よって、第１キャリア１００を剥離してから第２キャリア１２０に改質領域１２２を形成することにより、かかる形成不良を防ぐことが可能となり、第２キャリア１２０に確実に改質領域１２２を形成することができる。
　続いて、破断の起点となる改質領域１２２が第２キャリア１２０内に形成されると、図４の（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１３０を径方向の外側にエキスパンドして、第２キャリア１２０を個別配線層１１０Ｂと同様に個片化して個別のキャリア部分１２０Ａ（複数のキャリア部分）へと分割する。ステルスダイシングは、第２キャリア１２０が薄い場合であってもチッピング又はクラック等の発生を抑制することができるため、切断の際にコンタミが生じないようにすることができる。なお、形状が不安定な微細配線層１１０が事前に切断されているため、このエキスパンドの際に微細配線層１１０（個別配線層１１０Ｂ）が引っ張られたりすることがなく、個別配線層１１０Ｂの形状を確実に維持することができる。
　その後、図４の（ｃ）に示すように、個別配線層１１０Ｂとキャリア部分１２０Ａとをそれぞれが有する薄型配線部材１を得る。個別配線層１１０Ｂは、図１に示す微細配線層１０に対応し、キャリア部分１２０Ａは図１に示す支持層２０に対応する。なお、薄型配線部材１を配線基板等に実装した後に、キャリア部分１２０Ａは、対応する個別配線層１１０Ｂから剥離してもよい。このキャリア部分１２０Ａを剥離する方法は、例えばレーザ照射による剥離であってもよく、第１キャリア１００を微細配線層１１０Ａから剥離する方法とは異なっていることが好ましい。但し、キャリア部分１２０Ａを剥離する方法と第１キャリア１００を剥離する方法は同じであってもよい。
　以上、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１１０を切断する工程とは別に、第２キャリア１２０の内部領域であって微細配線層１１０Ａを切断した切断領域１１８に対応する領域に破断の起点となる改質領域１２２をレーザ光Ｌ２にて形成する工程と、改質領域１２２が形成された第２キャリア１２０を面方向に沿ってエキスパンドして第２キャリア１２０を複数のキャリア部分１２０Ａに分割する工程とを備えている。この方法では、第２キャリア１２０を分割する際に、ダイシングブレードを用いる代わりに、レーザ光にて破断起点を形成して、エキスパンドする際に破断起点から第２キャリア１２０を破断させている。これは、いわゆるステルスダイシングと呼ばれるレーザーダイシング加工であり、このような加工方法を用いることで、分割される第２キャリア１２０にクラック及びチッピングが生じないようにすることができる。これにより、コンタミの発生を抑制して薄型配線部材１を作製することが可能となる。また、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２キャリア１２０を分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、キャリアの強度低下も防止することができる。更に、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２キャリア１２０を分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、薄型配線部材１における配線部１１６にダメージを与えることを防止することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１１０を切断する際、微細配線層１１０をレーザ又はダイシングブレードによって切断している。切断される微細配線層１１０は、例えば厚さが１０～５０μｍと薄く、しかも粘着性又は弾力性を有した材料から形成された、形状が不安定な部材である。しかしながら、微細配線層１１０をレーザを用いて切断する場合、切断部分が樹脂のみであれば、レーザのアブレーション技術を用いることで非常に早い速度で精度よく微細配線層１１０を切断することができる。一方、切断部分の樹脂に金属層が含まれる場合、加工マージンが広いダイシングブレードを用いることで、樹脂に金属層が含まれていても、効率良く配線層を切断することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１１０が第１キャリア１００上に配置された状態で切断が行われている。切断される微細配線層１１０は、上述したように、形状が不安定な部材である。しかしながら、かかる微細配線層１１０を第１キャリア１００上に支持された状態で切断することにより、微細配線層１１０を精度よく切断することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１１０の切断がアブレーションレーザによって行われてもよく、剥離した第１キャリア１００を再利用するために回収してもよい。この場合、微細配線層１１０を切断する際に第１キャリア１００を傷つける又はあまり傷つけないようにすることができる。これにより、この製造方法によれば、再配線層の作製に用いた第１キャリア１００を再利用することが可能となり、環境への負荷を低減することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第１キャリア１００を剥離した後に、改質領域１２１を形成している。微細配線層１１０をレーザ又はブレードで切断加工した際に第１キャリア１００の設置面に加工痕が残ることがある。この場合に第１キャリア１００側からレーザ光で改質領域を形成しようとすると、この加工痕によってレーザ光で適切な改質領域を形成できないことがある。よって、第１キャリア１００を剥離してから第２キャリア１２０に改質領域１２２を形成することにより、かかる作製不良を防ぐことが可能となり、第２キャリア１２０により確実に改質領域を形成することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法は、第１キャリア１００を微細配線層１１０Ａから剥離する方法は、第２キャリア１２０又はキャリア部分１２０Ａが剥離するメカニズムとは異なってもよい。これにより、第１キャリア１００を剥離する際に、その後の工程に必要な第２キャリア１２０を剥離してしまうことを防止して、薄型配線部材１をより確実に作製することができる。また、剥離する方法が異なることにより、第１キャリア１００の剥離を容易に行うことが可能となる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第２キャリア１２０は、厚みが０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下のガラスキャリアであってもよい。この場合、改質領域を形成する際の製造方法の自由度を上げることができる。また、薄型配線部材１を部材として使用した後にキャリア部分１２０Ａを個別配線層１１０Ｂから剥離する際のレーザ照射等をより実行しやすくなる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法は、第２キャリア１２０において微細配線層１１０が貼り付けられている面とは逆の面１２０ａにダイシングテープ１３０を貼り付けている。そして、第２キャリア１２０を分割する際には、ダイシングテープ１３０を広げることで第２キャリア１２０をエキスパンドしている。これにより、改質領域１２２が形成された第２キャリア１２０を簡易な手段により容易に分割することができる。
　［第２実施形態］
　次に、図５を参照して、第２実施形態に係る薄型配線部材１の製造方法について説明する。図５は、第２実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。以下では、第１実施形態に係る製造方法と異なる点について主に説明し、同じ部分については説明を省略することがある。
　第２実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第１実施形態と同様に、図２の（ａ）に示すように、まずは、第１キャリア１００を準備する。そして、図２の（ｂ）に示すように、第１キャリア１００上に微細配線層１１０を形成する。
　続いて、微細配線層１１０が形成されると、図５の（ａ）に示すように、微細配線層１１０の上面１１０ｂに第２キャリア１２０を貼り合わせる。第２実施形態に係る製造方法では、第１実施形態と異なり、微細配線層１１０を切断する前に第２キャリア１２０を貼り合わせる。
　続いて、図５の（ｂ）に示すように、微細配線層１１０から第１キャリア１００を剥離する。第１キャリア１００の剥離方法は第１実施形態と同様である。
　続いて、図５の（ｃ）に示すように、微細配線層１１０を支持する第２キャリア１２０を、接着フィルムを介してダイシングテープ１３０に貼り付ける。そして、複数の配線部１１６のうち少なくとも１の配線部１１６をそれぞれが有するように、第２キャリア１２０によって支持された微細配線層１１０を切断する。切断する方法は、第１実施形態と同様にブレードＤを用いたダイシングによる切断であってもよいし、レーザ光Ｌ１を用いた切断であってもよい。
　微細配線層１１０を切断して個別配線層１１０Ｂとした後は、第１実施形態と同様に、第２キャリア１２０の内部領域であって微細配線層１１０Ａを切断した切断領域１１８に対応する領域に改質領域１２２をレーザ光Ｌ２にて形成する（図４の（ａ）を参照）。そして、図４の（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１３０を径方向の外側にエキスパンドして、第２キャリア１２０を個別配線層１１０Ｂと同様に個片化して個別のキャリア部分１２０Ａへと分割する。これにより、複数の薄型配線部材１を得る。
　以上、第２実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第１実施形態と同様に、微細配線層１１０を切断する工程とは別に、第２キャリア１２０の内部領域であって微細配線層１１０Ａを切断した切断領域１１８に対応する領域に破断の起点となる改質領域１２２をレーザ光Ｌ２にて形成する工程と、改質領域１２２が形成された第２キャリア１２０を面方向に沿ってエキスパンドして第２キャリア１２０を複数のキャリア部分１２０Ａに分割する工程とを備えている。これにより、本実施形態によれば、分割される第２キャリア１２０にクラック及びチッピングが生じないようにすることができ、コンタミの発生を抑制して薄型配線部材１を作製することが可能となる。また、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２キャリア１２０を分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、キャリアの強度低下も防止することができる。更に、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２キャリア１２０を分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、薄型配線部材１における配線部１１６にダメージを与えることを防止することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１１０に第２キャリア１２０が貼り合わされた後に、微細配線層１１０が切断されている。このため、微細配線層１１０を切断する際に第１キャリア１００を剥離して傷つけないようにすることができる。これにより、この製造方法によれば、再配線層の作製に用いた第１キャリア１００を再利用することが可能となり、環境への負荷を低減することができる。
　［第３実施形態］
　次に、図６を参照して、第３実施形態に係る薄型配線部材１の製造方法について説明する。図６は、第３実施形態に係る薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。以下では、第１実施形態に係る製造方法と異なる点について主に説明し、同じ部分については説明を省略することがある。
　第３実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第１実施形態と同様に、図２の（ａ）に示すように、まずは、第１キャリア１００を準備する。そして、図２の（ｂ）に示すように、第１キャリア１００上に微細配線層１１０を形成し、図２の（ｃ）に示すように、第１キャリア１００に支持された微細配線層１１０をブレードＤを用いたダイシングブレードにより切断して、複数の個別配線層１１０Ｂを有する微細配線層１１０Ａとする。切断は、第１実施形態と同様に、レーザ光Ｌ１によって行ってもよい。
　続いて、図６の（ａ）に示すように、切断された微細配線層１１０Ａの上面１１０ｂに第２キャリア１２０を貼り合わせる。
　続いて、図６の（ｂ）に示すように、微細配線層１１０Ａに貼り付けられた第２キャリア１２０の内部領域であって微細配線層１１０Ａを切断した切断領域１１８に対応する領域に改質領域１２２をレーザ光Ｌ２にて形成する。この際、改質領域１２２を形成するためのレーザ光Ｌ２の照射は、第２キャリア１２０の上面から微細配線層１１０Ａに向けて行う。
　続いて、図６の（ｃ）に示すように、切断された微細配線層１１０Ａから第１キャリア１００を剥離する。この剥離は、レーザ光Ｌ２の照射等によって行ってもよい。第１キャリア１００を剥離する際、第２キャリア１２０が曲がってしまうと、第２キャリア１２０には既に改質領域１２２が形成されていることから、改質領域１２２を起点としてクラックが発生してしまうことがある。よって、この製造方法では、この段階で第２キャリア１２０にクラックが入らないように第１キャリア１００を剥離する際は、第２キャリア１２０を曲げずに第１キャリア１００を曲げて剥離すること好ましい。その後、図６の（ｄ）に示すように、微細配線層１１０Ａを支持する第２キャリア１２０を、接着フィルムを介してダイシングテープ１３０に貼り付ける。そして、図４の（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１３０を径方向の外側にエキスパンドして、第２キャリア１２０を個別配線層１１０Ｂと同様に個片化して個別のキャリア部分１２０Ａへと分割する。これにより、複数の薄型配線部材１を得る。
　以上、第３実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、微細配線層１１０を切断する工程とは別に、第２キャリア１２０の内部領域であって微細配線層１１０Ａを切断した切断領域１１８に対応する領域に破断の起点となる改質領域１２２をレーザ光Ｌ２にて形成する工程と、改質領域１２２が形成された第２キャリア１２０を面方向に沿ってエキスパンドして第２キャリア１２０を複数のキャリア部分１２０Ａに分割する工程とを備えている。これにより、本実施形態によれば、分割される第２キャリア１２０にクラック及びチッピングが生じないようにすることができ、コンタミの発生を抑制して薄型配線部材１を作製することが可能となる。また、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２キャリア１２０を分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、キャリアの強度低下も防止することができる。更に、この薄型配線部材の製造方法によれば、第２キャリア１２０を分割する際にクラック及びチッピングが生じないことから、薄型配線部材１における配線部１１６にダメージを与えることを防止することができる。
　本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、第１キャリア１００を剥離する前に改質領域１２２が形成されている。
　［配線基板の製造方法］
　次に、図７を参照して、上述した薄型配線部材１を用いて配線基板を製造する方法の一例について説明する。図７は、薄型配線部材を用いて配線基板を製造する方法の一例を順に示す図である。この配線基板の製造方法では、まず、薄型配線部材１を準備すると共に、基板本体３０１を準備する。基板本体３０１は、図７の（ａ）に示すように、絶縁層３０２と配線層３０３とが交互に積層された部材である。また、基板本体３０１には、薄型配線部材１を配置するための設置層３０４が設けられている。
　続いて、薄型配線部材１等の準備が終了すると、図７の（ｂ）に示すように、薄型配線部材１を基板本体３０１の設置層３０４上に設置する。この際、薄型配線部材１が接着層３０等を介して設置層３０４に貼り付けられる。なお、薄型配線部材１を基板本体３０１の内側に設置してもよい。
　続いて、図７の（ｃ）に示すように、薄型配線部材１が設置された基板本体３０１の設置層３０４上に絶縁樹脂部分３０５を形成する。また、絶縁樹脂部分３０５をパターニングして配線３０６を形成する。その後、更に、接続端子を設け、薄型配線部材１の配線に接続する。以上により、配線基板３００を得ることができる。
　以上、本開示の一実施形態に係る、薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法について説明したが、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行うことが可能である。
　１…薄型配線部材、１０…微細配線層、２０…支持層、１００…第１キャリア、１１０…微細配線層（配線層）、１１０Ａ…微細配線層、１１０Ｂ…個別配線層、１１０ａ…下面（第１面）、１１０ｂ…上面（第２面）、１１２…絶縁部、１１４…配線、１１６…配線部、１１８…切断領域、１２０…第２キャリア、１２０Ａ…キャリア部分、１２０ａ…面、１２２…改質領域、１３０…ダイシングテープ、Ｄ…ブレード、Ｌ１，Ｌ２…レーザ光。

 

Claims (14)

  1. 　複数の薄型配線部材を製造する方法であって、
    　前記複数の薄型配線部材に対応する複数の配線部と前記複数の配線部の周りに存在する絶縁部とを有する配線層を第１キャリア上に作製する工程と、
    　前記複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように前記配線層を切断する工程と、
    　前記配線層において前記第１キャリアが設けられた第１面とは逆側の第２面に第２キャリアを貼り合わせる工程と、
    　前記第１キャリアを前記配線層から剥離する工程と、
    　前記第２キャリアの内部領域であって前記配線層を切断した箇所に対応する領域に破断の起点となる改質領域をレーザ光にて形成する工程と、
    　前記改質領域が形成された前記第２キャリアを面方向に沿ってエキスパンドして前記第２キャリアを複数のキャリア部分に分割する工程と、
    を備える、薄型配線部材の製造方法。
  2. 　前記切断する工程では、前記配線層をレーザ又はダイシングブレードによって切断する、
    請求項１に記載の薄型配線部材の製造方法。
  3. 　前記切断する工程は、前記配線層が前記第１キャリアに支持された状態で行われる、
    請求項１又は２に記載の薄型配線部材の製造方法。
  4. 　前記切断する工程では、前記配線層の切断がアブレーションレーザによって行われ、
    　前記剥離する工程では、剥離した前記第１キャリアを再利用するために回収する、
    請求項３に記載の薄型配線部材の製造方法。
  5. 　前記切断する工程は、前記配線層に前記第２キャリアが貼り合わされた後に行われる、
    請求項１又は２に記載の薄型配線部材の製造方法。
  6. 　前記改質領域を形成する工程は、記第１キャリアを剥離する工程の後に行われる、
    請求項１～５の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  7. 　前記改質領域を形成する工程は、前記第１キャリアを剥離する工程の前に行われる、
    請求項１～５の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  8. 　前記第１キャリアを前記配線層から剥離する方法は、前記第２キャリア又は前記キャリア部分が剥離するメカニズムとは異なる、
    請求項１～７の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  9. 　前記第２キャリアは、厚みが０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下のガラスキャリアである、
    請求項１～８の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  10. 　前記第２キャリアは、シリコン基板である、
    請求項１～８の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  11. 　前記第２キャリアにおいて前記配線層が貼り付けられている面とは逆の面にダイシングテープを貼り付ける工程を更に備え、
    　前記分割する工程では、前記ダイシングテープを広げることで前記第２キャリアがエキスパンドされる、
    請求項１～１０の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  12. 　配線及び配線の周りに存在する樹脂組成物又はその硬化物を有する配線層と、
    　前記配線層の一方の面上に設けられた支持層と、を備え、
    　前記支持層がガラスキャリアである、薄型配線部材。
  13. 　前記配線層の厚さが２００μｍ以下であり、
    　前記支持層の厚さが０．３ｍｍ以上１．１ｍｍ以下であり、
    　前記配線層は、ライン幅が５μｍの配線を有している、
    請求項１２に記載の薄型配線部材。
  14. 　請求項１～１１の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法によって製造された薄型配線部材を準備する工程と、
    　前記薄型配線部材を基板上又は基板内に配置する工程と、
    　前記薄型配線部材の前記配線を接続端子に接続する工程と、
    を備える、配線基板の製造方法。
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