TW202418910A

TW202418910A - 薄型配線構件的製造方法、薄型配線構件、及配線基板的製造方法

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Publication number: TW202418910A
Application number: TW112138958A
Authority: TW
Inventors: 鈴木克彥
Original assignee: 日商力森諾科股份有限公司
Priority date: 2022-10-13
Filing date: 2023-10-12
Publication date: 2024-05-01
Also published as: WO2024079849A1

Abstract

本發明揭示一種製造複數個薄型配線構件之方法。該薄型配線構件的製造方法包括如下步驟：在第1載體上製作具有與複數個薄型配線構件對應之複數個配線部及在複數個配線部的周圍存在之絕緣部之配線層；以分別具有複數個配線部中的至少1個配線部之方式切斷配線層；在配線層中將第2載體貼合在與設置有第1載體之第1面為相反側的第2面；從配線層剝離第1載體；在第2載體的內部區域且與切斷配線層之部位對應之區域，藉由雷射光形成成為斷裂的起點之改質區域；及沿著面方向擴展形成有改質區域之第2載體而將前述第2載體分割成複數個載體部分。

Description

薄型配線構件的製造方法、薄型配線構件、及配線基板的製造方法

本揭示有關一種薄型配線構件的製造方法、薄型配線構件、及配線基板的製造方法。

在專利文獻1中揭示有一種扇出型半導體裝置的一例。在該半導體裝置中，在半導體晶片與外部連接端子之間設置再配線層，藉由再配線層擴大半導體晶片的端子間隔而與外部連接端子連接。

[專利文獻1]日本特開2019-029557號公報

在以往方法中，在基板上形成有再配線層，但因基板的高度偏差大等理由，有時難以進行再配線層的微細配線化。因此，對藉由圖案形成在平坦的玻璃載體上製作由微細配線形成的再配線層並且將其轉移的方法進行研究。作為該方法的一例，例如如圖8所示，在第1玻璃載體500上形成再配線層510之後在再配線層510上形成第2玻璃載體520。而且，用第1玻璃載體500及第2玻璃載體520夾持再配線層510之狀態下，用切割刀片D進行單片化。然而，在該方法中，在藉由切割刀片D切斷第2玻璃載體520時，會有在第2玻璃載體520中產生龜裂C1的情形。藉此，產生強度不足並且會產生污染。又，會有在第2玻璃載體520中產生碎屑C2的情形。藉此，不僅導致作為載體的強度不足的問題，而且還會在配線層中產生損壞或產生污染。藉由將用切割刀片D切斷第2玻璃載體520時的進給速度設為1mm/秒鐘，能夠抑制這種龜裂C1或碎屑C2的產生。然而，在該情況下，進給速度變得非常慢，導致薄型配線構件的製造效率顯著降低。

本揭示的目的為提供一種能夠抑制污染的產生而製作薄型配線構件之薄型配線構件的製造方法、薄型配線構件、及配線基板的製造方法。

作為本揭示的一方面有關一種薄型配線構件的製造方法。該製造方法包括如下步驟：在第1載體上製作具有與複數個薄型配線構件對應之複數個配線部及在複數個配線部的周圍存在之絕緣部之配線層；以分別具有複數個配線部中的至少1個配線部之方式切斷配線層；在配線層中將第2載體貼合在與設置有第1載體之第1面為相反側的第2面；從配線層剝離第1載體；在第2載體的內部區域且與切斷配線層之部位對應之該區域，藉由雷射光形成成為斷裂的起點之改質區域；及沿著面方向擴展形成有改質區域之第2載體而將第2載體分割成複數個載體部分。

該薄型配線構件的製造方法除了切斷配線層之步驟，還包括如下步驟：在第2載體的內部區域且與切斷配線層之部位對應之區域，藉由雷射光形成成為斷裂的起點之改質區域；及沿著面方向擴展形成有改質區域之第2載體而將第2載體分割成複數個載體部分。在該方法中，在分割第2玻璃載體時，代替使用切割刀片，藉由雷射光形成斷裂起點，在進行擴展時使第2玻璃載體從斷裂起點斷裂。這是稱為所謂隱形切割之雷射切割加工，藉由使用這種加工方法，能夠避免在所分割之第2玻璃載體中產生龜裂及碎屑。藉此，能夠抑制污染的產生而製作薄型配線構件。又，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2玻璃載體時不會產生龜裂及碎屑，因此亦能夠防止玻璃載體的強度降低。另外，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2玻璃載體時不會產生龜裂及碎屑，因此能夠防止對薄型配線構件中的配線部帶來損壞。

在上述薄型配線構件的製造方法中，在切斷步驟中，可以藉由雷射或切割刀片來切斷配線層。所切斷之配線層例如為如下構件：厚度薄，為10～50μm，而且由具有黏著性或彈性之材料形成且形狀不穩定。然而，在切斷這種配線層之情況下，切斷部分僅為樹脂，則能夠藉由使用雷射的燒蝕技術以非常快的速度且高精度地切斷配線層。另一方面，在切斷部分的樹脂中包含金屬層之情況下，藉由使用加工裕度寬的切割刀片，可以在樹脂中包含金屬層，能夠效率良好地切斷配線層。

在上述薄型配線構件的製造方法中，切斷步驟可以在配線層被第1載體支撐之狀態下進行。如上述那樣，所切斷之配線層為形狀不穩定的構件。然而，藉由在被第1載體支撐之狀態下切斷該配線層，能夠高精度地切斷。

在上述薄型配線構件的製造方法中，在切斷步驟中，可以藉由燒蝕雷射進行配線層的切斷，在剝離步驟中，可以為了再利用所剝離之第1載體而進行回收。在該情況下，藉由切斷步驟中的切斷，能夠使第1載體受到損傷或基本不會受到損傷。藉此，依據該製造方法，能夠再利用再配線層的製作中使用之第1載體，並且能夠降低對環境的負荷。

在上述薄型配線構件的製造方法中，切斷步驟可以在配線層上貼合第2載體之後進行。在該情況下，能夠避免藉由切斷步驟中的切斷而使第1載體受到損傷。藉此，依據該製造方法，能夠再利用再配線層的製作中使用之第1載體，並且能夠降低對環境的負荷。

在上述薄型配線構件的製造方法中，形成改質區域之步驟可以在剝離第1載體之步驟之後進行。在用雷射或刀片切斷加工配線層時，會有加工痕跡殘留在第1載體的設置面的情形。在該情況下，若欲要從第1載體側藉由雷射光形成改質區域，則會有因該加工痕跡而無法藉由雷射光形成適當的改質區域的情形。因而，藉由剝離第1載體之後在第2載體上形成改質區域，能夠防止該製作不良，能夠在第2載體上確實地形成改質區域。

在上述薄型配線構件的製造方法中，形成改質區域之步驟可以在剝離第1載體之步驟之前進行。

在上述薄型配線構件的製造方法中，從配線層剝離第1載體之方法可以與第2載體或載體部分剝離之機制不同。在該情況下，在剝離第1載體時，防止在之後的步驟所需的第2載體被剝離，能夠更確實地製作薄型配線構件。又，因剝離之方法不同而能夠容易進行第1載體的剝離。

在上述薄型配線構件的製造方法中，第2載體可以為厚度為0.3mm以上且1.1mm以下的玻璃載體。在該情況下，能夠提高形成改質區域時的製造方法的自由度，又，變得更容易執行在將薄型配線構件用作構件之後從配線部剝離載體部分時的雷射照射等。

在上述薄型配線構件的製造方法中，第2載體可以為矽基板。

上述薄型配線構件的製造方法可以進一步包括在第2載體中在與貼附有配線層之面相反的面上貼附切割帶之步驟，在分割步驟中，可以藉由展開切割帶來擴展第2載體。在該情況下，能夠藉由簡單的手段更容易分割形成有改質區域之第2載體。

作為本揭示的又一方面有關一種薄型配線構件。該薄型配線構件具備：配線層，具有配線及存在於配線的周圍的樹脂組成物或其固化物；及支撐層，設置於配線層的一個面上，支撐層為玻璃載體。在該情況下，能夠防止在使用薄型配線構件來製作配線基板或半導體裝置時薄型配線構件翹曲或捲曲，並且能夠使形狀穩定化。

在上述薄型配線構件中，配線層的厚度可以為200μm以下，支撐層的厚度可以為0.3mm以上且1.1mm以下，配線層可以具有線寬度為5μm的配線。在該情況下，能夠製成具有微細的配線之薄型配線構件。

又，作為本揭示的又一方面有關一種配線基板的製造方法。該配線基板的製造方法包括如下步驟：準備藉由上述之任一種薄型配線構件的製造方法製造之薄型配線構件；將薄型配線構件配置於基板上或基板內；及將薄型配線構件的配線連接於連接端子。 [發明效果]

依據本揭示，能夠抑制污染的產生而製作薄型配線構件。

以下，參閱圖式並且對本實施態樣進行詳細說明。在以下的說明中，對相同或相當部分標註相同的符號，省略重複之說明。又，除非另有說明，否則上下左右等位置關係基於圖式所示之位置關係。另外，圖式的尺寸比率並不限於圖示的比率。

在本說明書及申請專利範圍中，在利用「左」、「右」、「正面」、「背面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「第1」、「第2」等用語之情況下，該等係試圖進行說明者，而不一定永久為該相對位置之含義。又，「層」一詞在俯視圖觀察時除了包括在整個面形成之形狀的結構之外，亦包括在局部形成之形狀的結構。又，「步驟」一詞不僅包含獨立之步驟，而且即使在無法與其他步驟明確區分之情況下，只要實現該步驟的所期望的目的，則亦包含於本用語中。又，使用「～」表示之數值範圍表示將「～」的前後所記載之數值分別作為最小值及最大值來包含之範圍。另外，在本說明書中階段性記載之數值範圍內，某一個階段的數值範圍的上限值或下限值可以替換成其他階段的數值範圍的上限值或下限值。

[薄型配線構件的結構] 圖1係表示薄型配線構件的一例之剖面圖。如圖1所示，薄型配線構件1例如為用於構成後述之配線基板300的配線部的再配線層（RDL）而使用之構件（參閱圖7）。但是，薄型配線構件1可以用於半導體裝置等中的配線或其連接。薄型配線構件1具備微細配線層10及支撐層20。薄型配線構件1可以進一步具備用於將薄型配線構件1與配線基板等接著之接著層30（參閱圖7），接著層30能夠貼附在支撐層20。接著層30例如能夠由環氧樹脂形成，並且能夠由晶片黏著膜（DAF）等構成。薄型配線構件1為能夠內置於各種配線基板或半導體裝置等的微小的配線構件，例如在平面觀察時可以具有縱50mm×橫50mm見方的矩形形狀，亦可以具有縱20mm×橫20mm的矩形形狀。薄型配線構件1為薄型的配線構件，包含具有50μm左右的厚度之微細配線層10，整體厚度薄，例如為30μm～1mm。再者，微細配線層10的厚度例如為200μm以下。薄型配線構件1為這樣的厚度，因此具有容易捲曲等特性及難以操作等特性。

微細配線層10係藉由在絕緣層12（絕緣部）內設置具有三維配線結構之銅配線14（配線）來形成微細配線層者。銅配線14例如為具有0.5～5μm的微細的線寬度之配線。銅配線14較佳為具有0.7～4μm的微細的線寬度，進一步較佳為具有1～3μm的微細的線寬度。銅配線14的連接端14a從微細配線層10的第1面10a露出至外部。銅配線14的連接端14a電連接且機械連接於連接端子。微細配線層10的第2面10b與支撐層20的第1面20a接著而固定。銅配線14係藉由如後述那樣從第2面10b朝向第1面10a依次積層各配線層來形成三維配線層者。

絕緣層12係積層複數個層而形成者，例如就形成微細的通孔及溝槽部的方面而言，例如各層可以具有10μm以下的厚度，亦可以具有5μm以下的厚度。絕緣層12以填埋銅配線14的周圍並且存在於銅配線14的周圍的方式形成。另一方面，就電可靠性的方面而言，絕緣層12的各層可以具有1μm以上的厚度。絕緣層12作為整體其厚度可以為10～200μm，亦可以為10～100μm。又，就翹曲抑制的方面而言，絕緣層12可以具有例如80ppm/℃以下的熱膨脹係數（固化後）。就抑制迴焊步驟及溫度週期試驗中的剝離或裂痕的方面而言，絕緣層12可以具有例如70ppm/℃以下的熱膨脹係數（固化後）。另一方面，就提高應力鬆弛性來形成微細的通孔或溝槽部等的方面而言，絕緣層12可以具有20ppm/℃以上的線膨脹係數（固化後）。絕緣層12的線膨脹係數可以與支撐層20的線膨脹係數相同，亦可以小於或大於支撐層20的線膨脹係數。

絕緣層12例如由聚醯亞胺樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、聚苯并㗁唑樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯酸酯樹脂等材料構成。絕緣層12可以含有填料，就能夠形成微細的細部的方面而言，所含有之填料的平均粒徑可以為500nm以下。在絕緣層12中可以以填料的含量相對於絕緣材料的總量未達1質量%的方式含有填料。絕緣層12中可以不含有填料。絕緣層12由上述之材料形成，成為具有黏著性及彈性之層，作為形狀不穩定的構件而形成。

支撐層20為支撐包含不穩定的構件亦即絕緣層12之微細配線層10的層，並且由比絕緣層12的樹脂組成物或其固化物硬的材料構成。具體而言，支撐層20由彎曲彈性模數為3GPa以上（或彎曲強度為700MPa以上）的材料形成。支撐層20例如能夠由玻璃載體形成。支撐層20可以由矽基板形成。支撐層20的厚度可以比微細配線層10薄，相反地亦可以比微細配線層10厚。支撐層20的厚度例如可以為0.3mm以上且1.1mm以下。支撐層20例如相對於微細配線層10的厚度可以為25～3000%。支撐層20的熱膨脹係數可以為5～50ppm/℃。藉由支撐層20具有這樣的熱膨脹係數，能夠抑制翹曲等。

[第1實施態樣] 接著，參閱圖2、圖3及圖4，對第1實施態樣之薄型配線構件的製造方法進行說明。圖2～圖4係依次表示圖1所示之薄型配線構件的製造方法之圖。如圖2的（a）所示，首先，準備第1載體100。第1載體100例如為厚度為0.7mm以上且1.1mm以下的玻璃基板，具有算術平均粗糙度為50nm以下的平坦度。第1載體100例如為晶圓狀或板狀，並無特別限定，例如可以為直徑200mm、直徑300mm或直徑450mm的圓形晶圓或一邊為200～700mm以下的矩形板。在第1載體100上可以貼附有臨時固定材料。臨時固定材料係用於將對象物臨時固定於第1載體100上的樹脂層，並且構成為在之後的步驟中能夠剝離藉由加熱或雷射臨時固定之對象物。

繼而，如圖2的（b）所示，在第1載體100上製作與微細配線層10對應之微細配線層110。微細配線層110的製作方法並無特別限定，能夠使用半加成法（SAP）或溝槽法。在形成種子層之情況下，只要為能夠在第1載體100的表層形成金屬層之方法，則並無特別限制，能夠使用無電鍍法或濺鍍法。

在微細配線層110的製作方法的一例中，首先，在第1載體100上形成金屬層（種子層）。作為藉由無電鍍形成金屬層之方法，並無特別限定，藉由除膠渣（desmear）或電漿將第1載體100的表面（臨時固定材料的樹脂表面）粗化，在其粗化面上形成金屬層。作為以良好的產率形成微細配線之方法，藉由照射200nm以下的紫外線來抑制表面的粗化並且提高第1載體100的表面的表面能來形成金屬層之方法為較佳。作為照射200nm以下的紫外線之方法，例如能夠使用低壓水銀燈。作為抑制表面的粗化之方法，亦能夠藉由濺鍍形成金屬層。藉由抑制表面的粗化能夠容易去除種子層。就提高微細配線形成時的產率的方面而言，所形成之金屬層的厚度可以為200nm以下。

繼而，在形成於第1載體100上之金屬層上形成抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案的溝槽部分的空間寬度例如為0.5～5μm。抗蝕劑圖案中使用之抗蝕劑可以為液狀或膜狀的抗蝕劑中的任一種。抗蝕劑圖案能夠藉由基於步進曝光機之曝光及基於鹼水溶液之顯影而形成。

抗蝕劑圖案中的通孔或溝槽部的形成方法能夠使用雷射燒蝕、光微影、壓印等，但就微細化及成本的方面而言，能夠使用光微影法。在該情況下，作為絕緣材料，能夠使用感光性樹脂材料。作為感光性樹脂材料的曝光方法，能夠使用公知的投影曝光方式、接觸式曝光方式、直描曝光方式等，作為顯影方法，能夠使用碳酸鈉、TMAH等鹼水溶液。在形成通孔及溝槽部之後，進而可以加熱固化絕緣層。可以以加熱溫度為100～200℃且加熱時間為30分鐘～3小時實施。

繼而，藉由電鍍在金屬層上且抗蝕劑圖案的溝槽內形成基於銅之配線部分。就提高微細配線形成時的產率的方面而言，金屬層的厚度可以為10μm以下。再者，在抗蝕劑圖案的空間寬度為0.5～5μm之情況下，藉由電鍍形成之抗蝕劑圖案內的銅配線部分的線寬度亦成為0.5～5μm。在形成基於銅之配線部分之後，剝離抗蝕劑圖案，並且去除金屬層。抗蝕劑圖案的剝離藉由已知方法進行。又，金屬層的去除使用市售的蝕刻液進行。

藉由重複這種配線層的形成，形成圖2的（b）所示之在第1載體100上設置有微細配線層110之配線體S。在圖2的（b）中，示出層疊3層配線114之例子，但並不限定於此。配線114具有複數個與薄型配線構件1的銅配線14對應之配線部116。微細配線層110的配線部116以外的絕緣部112由聚醯亞胺樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、聚苯并㗁唑樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯酸酯樹脂等絕緣樹脂材料構成。絕緣部112以填埋各配線部116的周圍並且存在於各配線部116的周圍的方式形成。這樣的絕緣部112具有黏著性及彈性，具有形狀容易變得不穩定的結構。在形成有微細配線層110之後將表面的凹凸平坦化，因此可以進行化學機械研磨（CMP）。

繼而，如圖2的（c）所示，以分別具有複數個配線部116中的至少1個配線部116之方式切斷藉由第1載體100支撐之微細配線層110。在該切斷步驟中，藉由使用Diversacut之切割，從與藉由第1載體100支撐之下表面為相反側的上表面用刀片D切斷微細配線層110。只要為基於切割刀片之切斷，則即使在切斷部分僅含有樹脂之情況，即使在切斷部分的樹脂中含有金屬層之情況，亦能夠高效率地切斷微細配線層110。再者，藉由使用加工裕度寬的切割刀片，即使在樹脂中含有金屬層之情況，亦能夠確實地切斷微細配線層110。所切斷之微細配線層110A包含分別包含配線部116及覆蓋配線部116之絕緣部112a之複數個單個配線層110B，並且成為複數個單個配線層110B藉由各切斷區域118單片化之狀態。絕緣部112a為將絕緣部112單片化而成之部分。在該切割時，可以以在第1載體100或其上表面的臨時固定材料上形成切口或不形成切口的方式進行切斷。在沒有切口之情況或切口少之情況下，能夠在後述之步驟中剝離第1載體100之後，再利用第1載體100。

如圖2的（d）所示，微細配線層110的切斷可以使用雷射光L1來進行。亦即，可以以分別具有複數個配線部116中的至少1個配線部116之方式，藉由雷射光L1切斷藉由第1載體100支撐之微細配線層110，製成所切斷之微細配線層110A。只要微細配線層110中的切斷部分僅為樹脂，則能夠藉由使用雷射的燒蝕技術，以非常快的速度高精度地切斷微細配線層110。再者，在使用雷射光L1切斷微細配線層110之情況下，例如使用燒蝕雷射為較佳。在使用雷射光L1進行切斷之情況下，變得更不易損壞第1載體100的表面，因此變得容易進行第1載體100的再利用。

繼而，若微細配線層110被切斷而成為微細配線層110A，則準備第2載體120。而且，如圖3的（a）所示，在與所切斷之微細配線層110A的下表面110a（第1面）為相反側的上表面110b（第2面）貼附第2載體120。第2載體120例如為厚度為0.3mm以上且1.1mm以下的載體基板，可以具有算術平均粗糙度為50nm以下的平坦度。第2載體120可以比第1載體100薄。第2載體120為玻璃基板為較佳，但可以為矽基板。第2載體120例如為晶圓狀或板狀，並無特別限定，例如可以為直徑200mm、直徑300mm或直徑450mm的圓形晶圓或一邊為200～700mm以下的矩形板。

繼而，若在微細配線層110A上貼合第2載體120，則如圖3的（b）所示那樣從微細配線層110A剝離第1載體100。該剝離可以藉由雷射光的照射進行，亦可以使用其他方法（例如用UV照射進行剝離、用加熱處理進行剝離、用刀片進行去除（剝離）、基於浸漬於水中之剝離）。第1載體100的剝離方法與在後述之步驟中剝離第2載體120之方法（機制）不同為較佳，但亦可以為相同的方法。例如，在使用UV照射剝離第1載體100之情況下，藉由熱或刀片等製造與第1載體100的剝離不同之剝離的契機之方法剝離第2載體120為較佳。又，在使用刀片或雷射剝離第1載體100之情況下，藉由熱或UV照射等製造與第1載體100的剝離不同之剝離的契機之方法剝離第2載體120為較佳。藉由如此使剝離方法不同，在從微細配線層110A剝離第1載體100時，能夠避免第2載體120被剝離。

繼而，如圖3的（c）所示，在支撐微細配線層110A之第2載體120中在與貼附有微細配線層110A之面相反的面120a上隔著接著膜貼附切割帶130。

繼而，如圖4的（a）所示，在第2載體120的內部區域且與切斷微細配線層110A而成之切斷區域118對應之區域，藉由雷射光L2形成改質區域1220（隱形切割）。該改質區域122為向面方向擴展（展開）第2載體120時被改質成斷裂的起點之部分。用於形成改質區域122之雷射光L2可以從微細配線層110A側照射，亦可以從切割帶130側照射。再者，如圖2的（c）或（d）所示，在用雷射或刀片切斷加工微細配線層110時，會有加工痕跡殘留在第1載體100的設置面的情形。在該情況下，在本步驟中，若欲要從第1載體100側藉由雷射光形成改質區域122，則會有因該加工痕跡而無法藉由雷射光形成適當的改質區域的情形。因而，藉由剝離第1載體100之後在第2載體120上形成改質區域122，能夠防止該形成不良，能夠在第2載體120上確實地形成改質區域122。

繼而，若成為斷裂的起點之改質區域122形成在第2載體120內，則如圖4的（b）所示那樣使切割帶130向徑向的外側擴展，並且將第2載體120以與單個配線層110B相同的方式單片化而分割成單獨的載體部分120A（複數個載體部分）。即使在第2載體120薄的情況下，隱形切割亦能夠抑制碎屑或龜裂等的產生，因此在切斷時能夠避免產生污染。再者，預先切斷形狀不穩定的微細配線層110，因此在該擴展時微細配線層110（單個配線層110B）不會被拉伸，能夠確實地維持單個配線層110B的形狀。

其後，如圖4的（c）所示，獲得分別具有單個配線層110B及載體部分120A之薄型配線構件1。單個配線層110B與圖1所示之微細配線層10對應，載體部分120A與圖1所示之支撐層20對應。再者，在將薄型配線構件1安裝於配線基板等之後，載體部分120A可以從所對應之單個配線層110B剝離。剝離該載體部分120A之方法例如可以為基於雷射照射之剝離，與從微細配線層110A剝離第1載體100之方法不同為較佳。但是，剝離載體部分120A之方法可以與剝離第1載體100之方法相同。

以上，在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，除了切斷微細配線層110之步驟，還包括如下步驟：在第2載體120的內部區域且與切斷微細配線層110A之切斷區域118對應之區域，藉由雷射光L2形成成為斷裂的起點之改質區域122；及沿著面方向擴展形成有改質區域122之第2載體120而將第2載體120分割成複數個載體部分120A。在該方法中，在分割第2載體120時，代替使用切割刀片，藉由雷射光形成斷裂起點，在進行擴展時使第2載體120從斷裂起點斷裂。這是稱為所謂隱形切割之雷射切割加工，藉由使用這種加工方法，能夠避免在所分割之第2載體120中產生龜裂及碎屑。藉此，能夠抑制污染的產生而製作薄型配線構件1。又，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2載體120時不會產生龜裂及碎屑，因此亦能夠防止載體的強度降低。另外，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2載體120時不會產生龜裂及碎屑，因此能夠防止對薄型配線構件1中的配線部116帶來損壞。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，在切斷微細配線層110時，藉由雷射或切割刀片來切斷微細配線層110。所切斷之微細配線層110例如為如下構件：厚度薄，為10～50μm，而且由具有黏著性或彈性之材料形成且形狀不穩定。然而，在使用雷射切斷微細配線層110之情況下，切斷部分僅為樹脂，則能夠藉由使用雷射的燒蝕技術以非常快的速度且高精度地切斷微細配線層110。另一方面，在切斷部分的樹脂中包含金屬層之情況下，藉由使用加工裕度寬的切割刀片，可以在樹脂中包含金屬層，能夠效率良好地切斷配線層。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，在微細配線層110配置於第1載體100上之狀態下進行切斷。如上述那樣，所切斷之微細配線層110為形狀不穩定的構件。然而，藉由在第1載體100上支撐該微細配線層110之狀態下進行切斷，能夠高精度地切斷微細配線層110。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，可以藉由燒蝕雷射進行微細配線層110的切斷，亦可以為了再利用所剝離之第1載體100而回收。在該情況下，在切斷微細配線層110時，能夠使第1載體100受到損傷或基本不會受到損傷。藉此，依據該製造方法，能夠再利用再配線層的製作中使用之第1載體100，並且能夠降低對環境的負荷。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，在剝離第1載體100之後，形成有改質區域121。在用雷射或刀片切斷加工微細配線層110時，會有加工痕跡殘留在第1載體100的設置面的情形。在該情況下，若欲要從第1載體100側藉由雷射光形成改質區域，則會有因該加工痕跡而無法藉由雷射光形成適當的改質區域的情形。因而，藉由剝離第1載體100之後在第2載體120上形成改質區域122，能夠防止該製作不良，能夠在第2載體120上更確實地形成改質區域。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，從微細配線層110A剝離第1載體100之方法可以與第2載體120或載體部分120A剝離之機制不同。藉此，在剝離第1載體100時，防止在之後的步驟所需的第2載體120被剝離，能夠更確實地製作薄型配線構件1。又，因剝離之方法不同而能夠容易進行第1載體100的剝離。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，第2載體120可以為厚度為0.3mm以上且1.1mm以下的玻璃載體。在該情況下，能夠提高形成改質區域時的製造方法的自由度。又，在將薄型配線構件1用作構件之後，變得更容易執行從單個配線層110B剝離載體部分120A時的雷射照射等。

本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，在第2載體120中在與貼附有微細配線層110之面相反的面120a上貼附有切割帶130。而且，在分割第2載體120時，藉由展開切割帶130，擴展第2載體120。藉此，能夠藉由簡單的手段更容易分割形成有改質區域122之第2載體120。

[第2實施態樣] 接著，參閱圖5，對第2實施態樣之薄型配線構件1的製造方法進行說明。圖5係依次表示第2實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖。以下，主要對與第1實施態樣之製造方法不同之處進行說明，對於相同的部分會有省略說明的情形。

在第2實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，與第1實施態樣同樣地，如圖2的（a）所示，首先，準備第1載體100。而且，如圖2的（b）所示，在第1載體100上形成微細配線層110。

繼而，若形成微細配線層110，則如圖5的（a）所示那樣將第2載體120貼合在微細配線層110的上表面110b。在第2實施態樣之製造方法中，與第1實施態樣不同，在切斷微細配線層110之前貼合第2載體120。

繼而，如圖5的（b）所示，從微細配線層110剝離第1載體100。第1載體100的剝離方法與第1實施態樣相同。

繼而，如圖5的（c）所示，將支撐微細配線層110之第2載體120隔著接著膜貼附在切割帶130。而且，以分別具有複數個配線部116中的至少1個配線部116之方式切斷藉由第2載體120支撐之微細配線層110。切斷方法可以與第1實施態樣同樣地基於使用刀片D之切割之切斷，亦可以為使用雷射光L1之切斷。

在切斷微細配線層110來製成單個配線層110B之後，與第1實施態樣同樣地，在第2載體120的內部區域且與切斷微細配線層110A之切斷區域118對應之區域，藉由雷射光L2形成改質區域122（參閱圖4的（a））。而且，如圖4的（b）所示，將切割帶130向徑向的外側擴展，並且將第2載體120以與單個配線層110B相同的方式單片化而分割成單獨的載體部分120A。藉此，獲得複數個薄型配線構件1。

以上，在第2實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，與第1實施態樣同樣地，除了切斷微細配線層110之步驟，還包括如下步驟：在第2載體120的內部區域且與切斷微細配線層110A之切斷區域118對應之區域，藉由雷射光L2形成成為斷裂的起點之改質區域122；及沿著面方向擴展形成有改質區域122之第2載體120而將第2載體120分割成複數個載體部分120A。藉此，依據本實施態樣，能夠避免在所分割之第2載體120中產生龜裂及碎屑，抑制污染的產生，能夠製作薄型配線構件1。又，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2載體120時不會產生龜裂及碎屑，因此亦能夠防止載體的強度降低。另外，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2載體120時不會產生龜裂及碎屑，因此能夠防止對薄型配線構件1中的配線部116帶來損壞。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，在微細配線層110上貼合第2載體120之後，切斷微細配線層110。因此，在切斷微細配線層110時，能夠避免第1載體100被剝離而損傷。藉此，依據該製造方法，能夠再利用再配線層的製作中使用之第1載體100，並且能夠降低對環境的負荷。

[第3實施態樣] 接著，參閱圖6，對第3實施態樣之薄型配線構件1的製造方法進行說明。圖6係依次表示第3實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖。以下，主要對與第1實施態樣之製造方法不同之處進行說明，對於相同的部分會有省略說明的情形。

在第3實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，與第1實施態樣同樣地，如圖2的（a）所示，首先，準備第1載體100。而且，如圖2的（b）所示，在第1載體100上形成微細配線層110，如圖2的（c）所示，藉由使用刀片D之切割刀片來切斷支撐於第1載體100之微細配線層110，製成具有複數個單個配線層110B之微細配線層110A。與第1實施態樣同樣地，可以藉由雷射光L1來進行切斷。

繼而，如圖6的（a）所示，將第2載體120貼合在所切斷之微細配線層110A的上表面110b。

繼而，如圖6的（b）所示，在貼附於微細配線層110A之第2載體120的內部區域且與切斷微細配線層110A而成之切斷區域118對應之區域，藉由雷射光L2形成改質區域122。此時，用於形成改質區域122之雷射光L2的照射從第2載體120的上表面朝向微細配線層110A進行。

繼而，如圖6的（c）所示，從所切斷之微細配線層110A剝離第1載體100。該剝離可以藉由雷射光L2的照射等進行。在剝離第1載體100時，若第2載體120被彎曲，則已在第2載體120上形成改質區域122，因此會有以改質區域122為起點產生龜裂的情形。因而，在該製造方法中，在該階段剝離第1載體100以免在第2載體120上形成龜裂時，不彎曲第2載體120而彎曲第1載體100並進行剝離為較佳。其後，如圖6的（d）所示，將支撐微細配線層110A之第2載體120隔著接著膜貼附在切割帶130。而且，如圖4的（b）所示，將切割帶130向徑向的外側擴展，並且將第2載體120以與單個配線層110B相同的方式單片化而分割成單獨的載體部分120A。藉此，獲得複數個薄型配線構件1。

以上，在第3實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，與第1實施態樣及第2實施態樣同樣地，除了切斷微細配線層110之步驟，還包括如下步驟：在第2載體120的內部區域且與切斷微細配線層110A之切斷區域118對應之區域，藉由雷射光L2形成成為斷裂的起點之改質區域122；及沿著面方向擴展形成有改質區域122之第2載體120而將第2載體120分割成複數個載體部分120A。藉此，依據本實施態樣，能夠避免在所分割之第2載體120中產生龜裂及碎屑，抑制污染的產生，能夠製作薄型配線構件1。又，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2載體120時不會產生龜裂及碎屑，因此亦能夠防止載體的強度降低。另外，依據該薄型配線構件的製造方法，在分割第2載體120時不會產生龜裂及碎屑，因此能夠防止對薄型配線構件1中的配線部116帶來損壞。

在本實施態樣之薄型配線構件的製造方法中，在剝離第1載體100之前形成有改質區域122。

[配線基板的製造方法] 接著，參閱圖7，對使用上述之薄型配線構件1製造配線基板之方法的一例進行說明。圖7係依次表示使用薄型配線構件來製造配線基板之方法的一例之圖。在該配線基板的製造方法中，首先，準備薄型配線構件1，並且準備基板本體301。如圖7的（a）所示，基板本體301為交替地積層絕緣層302和配線層303之構件。又，在基板本體301上設置有用於配置薄型配線構件1的設置層304。

繼而，薄型配線構件1等的準備結束時，如圖7的（b）所示那樣將薄型配線構件1設置於基板本體301的設置層304上。此時，薄型配線構件1隔著接著層30等貼附在設置層304。再者，可以將薄型配線構件1設置於基板本體301的內側。

繼而，如圖7的（c）所示，在設置有薄型配線構件1之基板本體301的設置層304上形成絕緣樹脂部分305。又，對絕緣樹脂部分305進行圖案形成來形成配線306。其後，進一步設置連接端子，將其連接在薄型配線構件1的配線上。藉由以上，能夠獲得配線基板300。

以上，對本揭示的一實施態樣之薄型配線構件的製造方法、薄型配線構件、及配線基板的製造方法進行了說明，但本揭示並不限定於上述之實施態樣，在不脫離其主旨的範圍內能夠進行適當變更。

1:薄型配線構件 10:微細配線層 20:支撐層 100:第1載體 110:微細配線層（配線層） 110A:微細配線層 110B:單個配線層 110a:下表面（第1面） 110b:上表面（第2面） 112:絕緣部 114:配線 116:配線部 118:切斷區域 120:第2載體 120A:載體部分 120a:面 122:改質區域 130:切割帶 D:刀片 L1,L2:雷射光

圖1係表示薄型配線構件的一例之剖面圖。圖2中，（a）～（d）係依次表示第1實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖。圖3中，（a）～（c）係依次表示第1實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖，並且表示圖2的步驟之後進行之步驟。圖4中，（a）～（c）係依次表示第1實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖，並且表示圖3的步驟之後進行之步驟。圖5中，（a）～（c）係依次表示第2實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖。圖6中，（a）～（d）係依次表示第3實施態樣之薄型配線構件的製造方法之圖。圖7中，（a）～（d）係依次表示使用薄型配線構件來製造配線基板之方法的一例之圖。圖8中，（a）～（c）係依次表示薄型配線構件的製造方法的一例之圖。

10:微細配線層

20:支撐層

110A:微細配線層

110B:單個配線層

118:切斷區域

120:第2載體

120A:載體部分

122:改質區域

130:切割帶

L2:雷射光

Claims

一種薄型配線構件的製造方法，其係製造複數個薄型配線構件之方法，前述方法包括如下步驟：在第1載體上製作具有與前述複數個薄型配線構件對應之複數個配線部及在前述複數個配線部的周圍存在之絕緣部之配線層；以分別具有前述複數個配線部中的至少1個配線部之方式切斷前述配線層；在前述配線層中將第2載體貼合在與設置有前述第1載體之第1面為相反側的第2面；從前述配線層剝離前述第1載體；在前述第2載體的內部區域且與切斷前述配線層之部位對應之區域，藉由雷射光形成成為斷裂的起點之改質區域；及沿著面方向擴展形成有前述改質區域之前述第2載體而將前述第2載體分割成複數個載體部分。
如請求項1所述之薄型配線構件的製造方法，其中在前述切斷步驟中，藉由雷射或切割刀片來切斷前述配線層。
如請求項1或請求項2所述之薄型配線構件的製造方法，其中前述切斷步驟在前述配線層被前述第1載體支撐之狀態下進行。
如請求項3所述之薄型配線構件的製造方法，其中在前述切斷步驟中，藉由燒蝕雷射進行前述配線層的切斷，在前述剝離步驟中，為了再利用所剝離之前述第1載體而進行回收。
如請求項1或請求項2所述之薄型配線構件的製造方法，其中前述切斷步驟在前述配線層上貼合前述第2載體之後進行。
如請求項1至請求項5之任一項所述之薄型配線構件的製造方法，其中形成前述改質區域之步驟在剝離前述第1載體之步驟之後進行。
如請求項1至請求項5之任一項所述之薄型配線構件的製造方法，其中形成前述改質區域之步驟在剝離前述第1載體之步驟之前進行。
如請求項1至請求項7之任一項所述之薄型配線構件的製造方法，其中從前述配線層剝離前述第1載體之方法與前述第2載體或前述載體部分剝離之機制不同。
如請求項1至請求項8之任一項所述之薄型配線構件的製造方法，其中前述第2載體為厚度為0.3mm以上且1.1mm以下的玻璃載體。
如請求項1至請求項8之任一項所述之薄型配線構件的製造方法，其中前述第2載體為矽基板。
如請求項1至請求項10之任一項所述之薄型配線構件的製造方法，其進一步包括在前述第2載體中在與貼附有配線層之面相反的面上貼附切割帶之步驟，在前述分割步驟中，藉由展開前述切割帶來擴展前述第2載體。
一種薄型配線構件，其具備：配線層，具有配線及存在於配線的周圍的樹脂組成物或其固化物；及支撐層，設置於前述配線層的一個面上，前述支撐層為玻璃載體。
如請求項12所述之薄型配線構件，其中前述配線層的厚度為200μm以下，前述支撐層的厚度為0.3mm以上且1.1mm以下，前述配線層具有線寬度為5μm的配線。
一種配線基板的製造方法，其包括如下步驟：準備藉由請求項1至請求項11之任一項所述之薄型配線構件的製造方法製造之薄型配線構件；將前述薄型配線構件配置於基板上或基板內；及將前述薄型配線構件的前述配線連接於連接端子。